KR20050112175A - Process for manufacturing electron emission device without activation step of electron emission source - Google Patents

Abstract

본 발명에 의하여 (a) 기판 상에, 제1 전극과 이에 접촉되는 전자 방출원을 형성하는 단계; (b) 상기 전체 구조 상에 절연층 및 도전층을 형성하는 단계; (c) 상기 도전층 및 절연층을 식각하여 상기 제1전극까지 도달하는 깊이를 갖는 슬릿(slit)을 형성하여, 적어도 상기 전자 방출원의 일부를 섬 형상으로 고립시키는 단계; 및 (d) 상기 섬 형상 내의 상기 절연층 및 도전층을 제거하는 단계;를 포함함을 특징으로 하여 전자 방출원의 활성화 단계가 필요없으며, 그로 인해 화상의 균일도가 높은 대면적 화상 표시 장치의 제조에 응용할 수 있으며, 거의 무한대의 제1 전극-제2 전극간 저항값의 확보가 가능한 전자 방출 소자의 제조 방법이 제공된다. According to the present invention, (a) forming a first electrode and an electron emission source in contact with the substrate; (b) forming an insulating layer and a conductive layer on the entire structure; (c) forming a slit having a depth reaching the first electrode by etching the conductive layer and the insulating layer to isolate at least a portion of the electron emission source in an island shape; And (d) removing the insulating layer and the conductive layer in the island shape, thereby eliminating the step of activating an electron emission source, thereby manufacturing a large area image display device having high image uniformity. Provided is a method of manufacturing an electron emitting device, which can be applied to the second electrode, and is capable of securing an almost infinite resistance value between first and second electrodes.

Description

전자 방출원의 활성화 단계가 생략된 전자방출소자의 제조 방법{Process for manufacturing electron emission device without activation step of electron emission source} Process for manufacturing electron emission device without activation step of electron emission source}

본 발명은 전자 방출 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 전자 방출원의 활성화 단계가 생략된 새로운 전자 방출 소자의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing an electron emitting device. More specifically, the present invention relates to a method of manufacturing a new electron emitting device in which the step of activating the electron emitting source is omitted.

일반적으로, 전자 방출 소자(Electron Emission Device)는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다.In general, an electron emission device has a method using a hot cathode and a cold cathode as an electron source.

냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal)형 및 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.The electron-emitting devices using the cold cathode are Field Emitter Array (FEA), Surface Conduction Emitter (SCE), Metal-Insulator-Metal (MIM), Metal-Insulator-Semiconductor (MIS), and BSE (Ballistic). electron surface emitting) and the like are known.

FEA형 전자방출소자는 일 함수(Work Function)가 낮거나 베타 함수(β Function)가 높은 물질을 전자 방출원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계 차에 의하여 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si) 등을 주재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 그라파이트(Graphite), DLC(Diamond Like Carbon) 등의 탄소계 물질 그리고 최근 나노 튜브(Nano Tube)나 나노 와이어(Nano Wire) 등의 나노물질을 전자 방출원으로 적용한 소자가 개발되고 있다.The FEA type electron-emitting device uses the principle that electrons are easily emitted by electric field difference in vacuum when a material having a low work function or high β function is used as the electron emission source. Molybdenum (Mo) , Tip-based tip structures mainly made of silicon (Si), carbon-based materials such as graphite, diamond like carbon (DLC), and recent nano tubes and nano wires. Devices using nanomaterials as electron emission sources have been developed.

SCE형 전자방출소자는 기판 상에 서로 마주보며 배치된 2개의 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 상기 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성한 소자이다. 상기 소자는 상기 전극에 전압을 인가하여 상기 도전 박막 표면으로 전류를 흘려 상기 미세 갭인 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.The SCE type electron emission device is a device in which an electron emission part is formed by providing a conductive thin film between two electrodes disposed to face each other on a substrate and providing a micro crack in the conductive thin film. The device utilizes a principle that electrons are emitted from the electron emission portion, which is the fine gap, by applying a voltage to the electrode to flow a current to the surface of the conductive thin film.

MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속-유전층-금속(MIM)과 금속-유전층-반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 유전층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한 소자이다.MIM and MIS type electron emission devices each form an electron emission portion composed of a metal-dielectric layer-metal (MIM) and a metal-dielectric layer-semiconductor (MIS) structure, and are disposed between two metals or metals and semiconductors with a dielectric layer interposed therebetween. When a voltage is applied to the device, a device using the principle of emitting electrons while moving and accelerating from a metal having a high electron potential or a metal having a low electron potential toward the metal.

BSE형 전자방출소자는 반도체의 사이즈를 반도체 중의 전자의 평균자유행정 보다 작은 치수 영역까지 축소하면 전자가 산란하지 않고 주행하는 원리를 이용하여 오믹(ohmic) 전극 상에 금속 또는 반도체로 이루어지는 전자공급층을 형성하고, 전자공급층위에 절연층과 금속박막을 형성하여 오믹 전극과 금속박막에 전원을 인가하는 것에 의하여 전자가 방출되도록 한 소자이다.The BSE type electron emitting device uses an electron supply layer made of a metal or a semiconductor on an ohmic electrode by using the principle that electrons travel without scattering when the size of the semiconductor is reduced to a dimension region smaller than the average free stroke of electrons in the semiconductor. And the insulating layer and the metal thin film are formed on the electron supply layer to emit electrons by applying power to the ohmic electrode and the metal thin film.

한편, 이와 같은 전자 방출 소자를 이용하면, 전자방출표시장치, 각종 백라이트, 리소그라피용 전자빔 장치 등을 구현할 수 있다. On the other hand, by using such an electron emitting device, it is possible to implement an electron emission display device, various backlights, an electron beam device for lithography.

이 중에서 전자방출 표시장치는, 전자방출소자를 구비하여 전자를 방출하는 전자방출 영역과 방출된 전자를 형광층에 충돌시켜 발광시키기 위한 화상표현 영역을 구비하여 구성된다. 일반적으로, 전자방출 표시장치는 제1 기판 위에 다수개의 전자방출소자와 이들의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들을 구비하고, 제1 기판에서 방출된 전자들이 제2 기판에 형성된 형광층을 향해 효율적으로 가속될 수 있도록 형광층과 이에 접속된 전극을 구비하게 된다. Among these, the electron emission display device includes an electron emission region including an electron emission element and an image expression region for emitting light by colliding the emitted electron with a fluorescent layer. In general, an electron emission display device includes a plurality of electron emission devices and driving electrodes for controlling their electron emission on a first substrate, and electrons emitted from the first substrate are efficiently directed toward a fluorescent layer formed on the second substrate. A fluorescent layer and an electrode connected thereto are provided to be accelerated.

도 1에 도시한 바와 같이, FEA형 전자 방출 소자는 대표적으로 기판(11), 상기 기판 위에 형성된 제1 전극(12), 절연층(13) 등에 의해 상기 제1 전극(12)과는 전기적으로 절연된 제2 전극(14), 및 제1 전극(12)과 전기적으로 연결되어 있으며, 제2 전극(14)과는 전기적으로 고립되어 있는 전자 방출원(15)을 포함하는 전자 방출부가 하나 이상 형성된 구조로서, 상기 기판(제 1 기판)(11)의 제1 전극(12)과 제2 전극(14) 간에 형성된 전계의 전기장 세기가 전자 방출원(15)의 일함수(work function)보다 큰 경우 전자 방출원(15)에서 냉 전자가 방출되고 이 전자가 제1 기판과 대향하는 제 2 기판의 형광체에 충돌하면 형광체가 발광하여 색을 띠게 되어 화상을 표현할 수 있게 된다. As shown in FIG. 1, the FEA type electron emission device is typically electrically connected to the first electrode 12 by the substrate 11, the first electrode 12, the insulating layer 13, or the like formed on the substrate. At least one electron emitter comprising an insulated second electrode 14 and an electron emitter 15 electrically connected to the first electrode 12 and electrically isolated from the second electrode 14. As a formed structure, the electric field strength of the electric field formed between the first electrode 12 and the second electrode 14 of the substrate (first substrate) 11 is greater than the work function of the electron emission source 15. In this case, when cold electrons are emitted from the electron emission source 15 and the electrons collide with the phosphors of the second substrate facing the first substrate, the phosphors emit light and become colored to represent an image.

상기 전자 방출 소자의 전자 방출원 중에서 마이크로 팁형은 제조 공정이 복잡하고 고난이도의 기술을 요구하며, 고가의 장비를 사용해야 하기 때문에 최종 제품의 제조 단가가 높아져 대량 생산이 어려운 문제점을 가지고 있어서 그라파이트, 다이아몬드 또는 다이아몬드상 탄소와 같은 탄소계 물질, 또는 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어 등의 나노 물질이 새로운 전자 방출원 재료로서 부각되고 있으며, 이 중에서 탄소 나노튜브가 비교적 낮은 구동 전압에서 전자를 방출할 수 있어서 이상적인 전자 방출원 재료로서 기대되고 있다. Among the electron emission sources of the electron emitting device, the micro tip type has a complicated manufacturing process and requires a high level of technology, and requires expensive equipment, thereby increasing the manufacturing cost of the final product and making it difficult to mass produce the graphite, diamond or Carbon-based materials such as diamond-like carbon, or nanomaterials such as carbon nanotubes or silicon nanowires are emerging as new electron emission materials, among which carbon nanotubes are ideal for emitting electrons at relatively low driving voltages. It is expected as an electron emission source material.

도 2a 내지 도 2d에는 탄소계 물질 또는 나노 물질을 전자 방출원 재료로 사용하여 전자 방출 소자를 제조하는 과정의 일례를 모식적으로 나타내었다. 즉, 도 2a에서와 같이 유리 등의 기판(21) 위에 제1 전극 재료, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide) 층을 형성하고 이를 패터닝하여 제1 전극(22)을 형성한 다음, 도 2b에서와 같이 절연층(23) 및 제2 전극 금속층을 형성한 후 식각하여 제2전극(24) 및 홀(25)을 형성한다. 그 후, 도 2c에서와 같이, 희생층(26)을 도포한 후 전자 방출원 재료, 예를 들어, 탄소 나노 튜브의 페이스트를 인쇄하여 전자 방출원 재료 층(27)을 형성한 후 건조, 노광 및 현상하여 전자 방출원(28)을 형성한다. 2A to 2D schematically show an example of a process of manufacturing an electron emission device using a carbon-based material or a nanomaterial as an electron emission source material. That is, as shown in FIG. 2A, a first electrode material, for example, an indium tin oxide (ITO) layer, is formed on the substrate 21 such as glass and patterned to form the first electrode 22, and then FIG. 2B. As described above, the insulating layer 23 and the second electrode metal layer are formed and then etched to form the second electrode 24 and the hole 25. Thereafter, as shown in FIG. 2C, after applying the sacrificial layer 26, the electron emission source material, for example, a paste of carbon nanotubes is printed to form the electron emission source material layer 27, and then dried and exposed. And develop to form the electron emission source 28.

그런데, 상기한 탄소계 물질 또는 나노 물질로 된 전자 방출원의 경우, 특정한 규격을 갖는 전자 방출원을 제작하는 과정에서 이들 전자 방출원 재료 물질들이 공정상에 사용되는 다른 물질들과 결합력이 좋아 그 표면상에 전자 방출에 불필요한 막을 형성하는 경향이 있는 것으로 알려져 있다. 또한, 전자 방출원 주위에 전자 방출 및 포커싱(focusing)에 필요한 전극, 예를 들어, 게이트 전극 및 그리드 전극을 형성하기 위하여 포토리소그라피 공정을 통해 전극을 패턴닝하는 과정에서 사용되는 포토레지스트가 전자 방출원의 표면에 잔류되어 전자 방출원의 전자 방출 특성을 저하시키며, 이때 사용되는 에칭 용액도 전자 방출원의 전자 방출 특성을 저하시키는 한 요인으로 알려져 있다. 그리고, 전자 방출원의 형성 과정에서 열처리 공정을 행하게 되면 전자 방출원의 표면으로 노출되어 있는 탄소계 물질이 산소 분위기에서 산화되기도 한다. By the way, in the case of the electron-emitting source of the carbon-based material or nano-material, in the process of manufacturing an electron emitting source having a specific specification, these electron-emitting material materials have good bonding strength with other materials used in the process. It is known that there is a tendency to form a film unnecessary for electron emission on the surface. In addition, the photoresist used in the process of patterning the electrode through a photolithography process to form the electrodes required for electron emission and focusing around the electron emission source, for example, the gate electrode and the grid electrode, is electron emission. It remains on the surface of a circle and reduces the electron emission characteristic of an electron emission source, and the etching solution used at this time is also known as a factor which reduces the electron emission characteristic of an electron emission source. In addition, when the heat treatment process is performed during the formation of the electron emission source, the carbon-based material exposed to the surface of the electron emission source may be oxidized in an oxygen atmosphere.

따라서, 전자 방출원을 최종 공정에서 형성하는 종래의 전자 방출 소자의 제조 방법에서는 추가적으로 기계적 또는 화학적인 전자 방출원의 활성화 공정이 필요하였으며, 대면적의 화상 표시 장치에 응용하는 경우 균일한 활성화의 어려움으로 인해 화상의 균일도 확보에 어려움이 있었다. 또한, 제1전극과 제2 전극을 형성한 후 전자 방출원을 형성함으로서 전자 방출원 재료, 예를 들어, 탄소 나노 튜브가 게이트 홀의 벽면에 잔류하여 제1 전극과 제2 전극 간의 저항 값을 감소시키는 문제점이 있었다.Therefore, the conventional method of manufacturing an electron emission device for forming an electron emission source in the final process required an additional step of activating a mechanical or chemical electron emission source, and difficulty in uniform activation when applied to a large area image display device. As a result, it was difficult to secure uniformity of the image. Further, by forming the electron emission source after forming the first electrode and the second electrode, an electron emission source material, for example, a carbon nanotube, remains on the wall surface of the gate hole to reduce the resistance value between the first electrode and the second electrode. There was a problem letting.

이상과 같이, 전자 방출원을 최종 단계에서 형성하는 종래의 전자 방출 소자 제조 방법이 가진 문제점들을 해결하여, 전자 방출원의 활성화 단계가 필요없으며, 그로 인해 화상의 균일도가 높은 대면적의 화상 표시 장치의 제작에 응용할 수 있으며, 거의 무한대의 제1 전극-제2 전극 간 저항값의 확보가 가능한 전자 방출 소자의 제조 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다. As described above, solving the problems with the conventional method of manufacturing the electron emission element for forming the electron emission source in the final step, there is no need for the activation step of the electron emission source, thereby a large area image display device with high image uniformity SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electron emitting device which can be applied to the fabrication of a structure, and in which a resistance value between an almost infinite first electrode and a second electrode can be secured.

상기한 본 발명의 목적에 따라, 전자 방출원의 활성화 단계가 필요 없으며, 그로 인해 화상의 균일도가 높은 대면적 화상 표시 장치의 제조에 응용할 수 있으며, 거의 무한대의 제1 전극-제2 전극 간의 저항값 확보가 가능한 전자 방출 소자의 제조 방법을 제공하기 위하여 본 발명은, According to the above object of the present invention, the step of activating the electron emission source is not necessary, and thus can be applied to the manufacture of a large area image display device having a high image uniformity, and has almost infinite resistance between the first electrode and the second electrode. The present invention to provide a method of manufacturing an electron emitting device capable of securing a value,

(a) 기판 상에, 제1 전극과 이에 접촉되는 전자 방출원을 형성하는 단계;(a) forming on the substrate a first electrode and an electron emission source in contact with it;

(b) 상기 전체 구조 상에 절연층 및 도전층을 형성하는 단계;(b) forming an insulating layer and a conductive layer on the entire structure;

(c) 상기 도전층 및 절연층을 식각하여 상기 제1전극까지 도달하는 깊이를 갖는 슬릿(slit)을 형성하여, 적어도 상기 전자 방출원의 일부를 섬 형상으로 고립시키는 단계; 및(c) forming a slit having a depth reaching the first electrode by etching the conductive layer and the insulating layer to isolate at least a portion of the electron emission source in an island shape; And

(d) 상기 섬 형상 내의 상기 절연층 및 도전층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조방법을 제공한다.and (d) removing the insulating layer and the conductive layer in the island shape.

본 발명의 목적에 따른 상기 전자 방출 소자의 제조 방법은 또한, 상기 단계 (c)에서 도전층 및 절연층을 동일한 식각액으로 동시에 식각하거나 이종의 식각액으로 각각 식각하여 상기 슬릿을 형성하는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing the electron emitting device according to the present invention is also characterized in that, in step (c), the conductive layer and the insulating layer are simultaneously etched with the same etching solution or with a different etching solution, respectively, to form the slit. .

본 발명의 목적에 따른 상기 전자 방출 소자의 제조 방법은 또한, 상기 섬 형상은 적어도 일부의 전자 방출원이 섬에 포함되어야 하지만, 바람직하게는 상기 전자방출원이 슬릿에 노출되지 않도록 상기 절연층이 상기 전자 방출원의 외곽을 에워싸는 형상인 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing the electron emitting device according to the object of the present invention, the island shape should also include at least a portion of the electron emission source in the island, but preferably the insulating layer is so that the electron emission source is not exposed to the slit. It is characterized in that the shape surrounding the outside of the electron emission source.

본 발명의 목적에 따른 상기 전자 방출 소자의 제조 방법은 또한, 상기 전자 방출원은 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소 및 C₆₀ 로 구성된 군에서 선택되는 탄소계 물질, 또는 탄소 나노 튜브 및 실리콘 나노 와이어로 구성된 군에서 선택되는 나노 물질 중 1종 이상의 전자 방출원 재료로부터 만들어지는 것을 특징으로 하며, 상기 전자 방출원 재료 중에서 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소 및 C₆₀ 로 구성된 군에서 선택되는 탄소계 물질로 만들어지는 전자 방출원은 박막 형태로 형성되거나, 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어로 만들어지는 전자 방출원은 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어를 포함하는 페이스트를 후막 형태로 인쇄하여 형성되거나, 탄소 나노 튜브는 제1 전극 위에서 직접 합성될 수 있다.In the method of manufacturing the electron emission device according to the object of the present invention, the electron emission source is also a carbon-based material selected from the group consisting of graphite, diamond, diamond-like carbon and C ₆₀ , or carbon nanotubes and silicon nanowires It is characterized in that it is made from at least one electron emission material of the nanomaterial selected from the group consisting of, and made of a carbon-based material selected from the group consisting of graphite, diamond, diamond-like carbon and C ₆₀ of the electron emission source material The losing electron source is formed in a thin film form, or the electron emission source made of carbon nanotubes or silicon nanowires is formed by printing a paste containing carbon nanotubes or silicon nanowires in a thick film form, It can be synthesized directly on one electrode.

본 발명의 목적에 따른 상기 전자 방출 소자의 제조 방법은 또한, 상기 섬의 절연층 및 도전층은 여러가지 기계적, 물리적 또는 화학적 방법에 의해 제거될 수 있지만, 바람직하게는, 점착성 유기 물질이 도포된 테이프를 이용하여 섬의 상기 도전층 및 절연층을 제거하는 것을 특징으로 하며, 이 때, 기계적, 물리적 또는 화학적 제거 방법에 초음파 처리를 병행할 수 있다.In the method of manufacturing the electron-emitting device according to the object of the present invention, the insulating layer and the conductive layer of the island can also be removed by various mechanical, physical or chemical methods, preferably, a tape coated with a tacky organic material It is characterized in that to remove the conductive layer and the insulating layer of the island, at this time, the ultrasonic treatment may be combined with a mechanical, physical or chemical removal method.

본 발명의 목적에 따른 상기 전자 방출 소자의 제조 방법은 또한, 상기 제1 전극이 추가로 보조 전극을 가지는 전자 방출 소자, 및 상기 보조 전극이 절연층과 접하는 적어도 1면에 형성된 확산 방지층을 추가로 가지는 전자 방출 소자의 제조에도 이용될 수 있다.The method of manufacturing the electron emitting device according to the object of the present invention further comprises an electron emitting device in which the first electrode further has an auxiliary electrode, and a diffusion barrier layer formed on at least one surface of the auxiliary electrode in contact with the insulating layer. The branches can also be used for the manufacture of electron emitting devices.

본 발명의 목적에 따른 상기 전자 방출 소자의 제조 방법은 또한, 상기 도전층 및 절연층이 각각 2층 이상, 바람직하게는 상기 도전층 및 절연층이 각각 2층이고, 도전층 및 절연층이 교대로 형성된 전자 방출 소자, 및 상기 2층의 도전층 중 하나는 게이트 전극이 되고 다른 하나는 그리드 전극이 되는 전자 방출 소자의 제조에도 이용될 수 있다.In the method of manufacturing the electron-emitting device according to the object of the present invention, the conductive layer and the insulating layer are each two or more layers, preferably the conductive layer and the insulating layer are each two layers, and the conductive layer and the insulating layer are alternately The electron emitting device formed of the above and the conductive layers of the two layers may be used in the manufacture of an electron emitting device in which one becomes a gate electrode and the other becomes a grid electrode.

본 발명의 목적에 따른 상기 전자 방출 소자의 제조 방법은 또한, 상기 절연층이 다층으로 구성된 전자 방출 소자, 및 바람직하게는 상기 다층의 절연층 중 하부 절연층이 상부 절연층에 비해 식각 속도가 큰 것으로 구성된 전자 방출 소자의 제조에도 이용될 수 있다. In the method of manufacturing the electron emitting device according to the object of the present invention, the electron emitting device is composed of a plurality of insulating layers, and preferably, the lower insulating layer of the multilayer insulating layer has a higher etching rate than the upper insulating layer. It can also be used for the manufacture of an electron emitting device consisting of one.

본 발명의 목적에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법을 이하에서 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing an electron emitting device according to an object of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법은 도 1에 예시한 것과 같은 전형적인 전자 방출 소자 구조, 예를 들어, 기판(11), 및 상기 기판(11) 위에 제1 전극(12)과, 절연층(13)과 제2 전극(14)이 순차적으로 형성되어 있으며, 제2 전극(14) 및 절연층(13)을 관통하여 제1 전극(12)이 노출되도록 형성된 홀(16) 및 상기 홀(16)의 중앙에 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되도록 형성된 전자방출원(15)을 포함하는 구조의 전자 방출부를 갖는 전자 방출 소자의 제조에 적용될 수 있다. 도 1에 예시한 전자 방출 소자의 구조에서, 전형적으로, 제1 전극(12)은 캐소드 전극으로, 제2 전극(14)은 게이트 전극으로 이용되며, 캐소드 전극과 게이트 전극간의 전위차에 의한 전계에 의해 전자 방출원으로부터 전자가 방출된다.The method of manufacturing an electron emitting device according to the present invention has a typical electron emitting device structure as illustrated in FIG. 1, for example, a substrate 11, and a first electrode 12 and an insulating layer on the substrate 11. 13 and the second electrode 14 are sequentially formed, the hole 16 and the hole formed to penetrate the second electrode 14 and the insulating layer 13 to expose the first electrode 12 16 may be applied to the manufacture of an electron emission device having an electron emission unit having a structure including an electron emission source 15 formed to be electrically connected to the first electrode at the center thereof. In the structure of the electron emitting device illustrated in FIG. 1, typically, the first electrode 12 is used as a cathode electrode, and the second electrode 14 is used as a gate electrode, and is applied to an electric field due to a potential difference between the cathode electrode and the gate electrode. Electrons are emitted from the electron emission source.

본 발명에 따른 전자 방출 소자 제조 방법의 일예를 도 3a 내지 도 3e에 도시하였다 An example of a method of manufacturing an electron emitting device according to the present invention is shown in Figures 3a to 3e.

본 발명에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법은 먼저, 기판(31) 위에 제1 전극(제1 전극)(32)을 형성한다(도 3a참조). 여기서, 기판(31)은 통상 사용되는 유리 또는 실리콘 재질일 수 있다. 그러나, 전자 방출원 재료 물질의 페이스트를 사용하고 후면 노광법에 의해 전자 방출원(33)을 형성하는 경우에는 노광용 자외선이 통과할 수 있는 유리 기판이 바람직하다. 또한, 제 1 전극(32)의 재료로는, 이에 한정되는 것은 아니지만, 전자 방출원 재료 물질의 페이스트를 사용하여 전자 방출원을 형성하는 경우에는 위에서와 같이 노광용 자외선이 통과할 수 있는 ITO(Indium Tin Oxide)가 통상 사용된다. ITO 층은 통상 약 0.15㎛의 두께를 가진다. 도 3a에 예시된 단계는, 예를 들어, 유리 기판 위에 제 1 전극용 ITO(indium tin oxide) 층을 형성한 후 그 위에 감광층, 예를 들어, DFR(dry film photo resistor)을 라미네이션하고 노광 및 현상한 후 에칭하여 제1 전극을 패터닝한 후 DFR을 제거하여 제1 전극(32)을 형성함으로써 수행될 수 있다. In the method of manufacturing an electron emitting device according to the present invention, first, a first electrode (first electrode) 32 is formed on a substrate 31 (see FIG. 3A). Herein, the substrate 31 may be made of glass or silicon. However, when a paste of an electron emission source material material is used and the electron emission source 33 is formed by the backside exposure method, a glass substrate through which exposure ultraviolet light can pass is preferable. In addition, the material of the first electrode 32 is not limited thereto, but in the case of forming an electron emission source using a paste of an electron emission source material material, as described above, ITO (Indium) through which exposure ultraviolet rays can pass. Tin Oxide) is commonly used. The ITO layer typically has a thickness of about 0.15 μm. The step illustrated in FIG. 3A may, for example, form an indium tin oxide (ITO) layer for a first electrode on a glass substrate, then laminate and expose a photosensitive layer, for example a dry film photo resistor (DFR) thereon. And developing and etching to pattern the first electrode, and then removing the DFR to form the first electrode 32.

그 후, 제1 전극(32) 위의 소정 위치에 전자 방출원을 형성한다(단계 a)(도 3b 참조). 여기에서, 전자 방출원(35) 재료로는, 예를 들어, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소 또는 C₆₀ 와 같은 탄소계 물질, 탄소 나노 튜브(CNT) 또는 실리콘 나노 와이어 등의 나노 물질 등이 이용될 수 있으며, 단일 종 또는 2종 이상의 혼합물일 수도 있다. 바람직하게는, 이 중에서 비교적 낮은 구동 전압에서 전자를 방출할 수 있는 탄소 나노튜브가 이용될 수 있다. 상기 전자 방출원(33)은 스퍼터링법 등의 공지의 방법을 이용하여 탄소계 물질의 박막을 형성하거나, 바인더 등의 용질이 용해된 비히클(vehicle)과 상기 나노 물질을 혼합된 페이스트를 인쇄법에 의해 형성하거나 제1 전극(32) 위에서 탄소 나노 튜브를 직접 합성시켜 형성할 수도 있다. 도 3b에 예시된 단계 a)는, 예를 들어, CNT(탄소 나노 튜브) 페이스트를 기판(31) 및 제1 전극(32) 위에, 스크린 인쇄법으로 약 20㎛ 두께로 전면 인쇄하고 건조한 후 노광 및 현상하고 소성하여 전자 방출원(33)을 형성함으로서 수행될 수 있다.Thereafter, an electron emission source is formed at a predetermined position on the first electrode 32 (step a) (see FIG. 3B). Here, as the electron emission source 35, for example, carbonaceous materials such as graphite, diamond, diamond-like carbon or C ₆₀ , nanomaterials such as carbon nanotubes (CNT) or silicon nanowires are used. It may be a single species or a mixture of two or more species. Preferably, among these, carbon nanotubes capable of emitting electrons at a relatively low driving voltage may be used. The electron emission source 33 may be formed using a known method such as sputtering to form a thin film of a carbon-based material, or a paste in which a vehicle in which a solute such as a binder is dissolved and the nanomaterial are mixed into a printing method. Or by directly synthesizing carbon nanotubes on the first electrode 32. Step a) illustrated in FIG. 3B is, for example, a CNT (carbon nanotube) paste is printed on the substrate 31 and the first electrode 32 to a thickness of about 20 μm by screen printing, dried, and then exposed. And developing and firing to form the electron emission source 33.

그 후 기판(31), 제1 전극(32) 및 전자 방출원(33)을 덮도록 절연층(34) 및 도전성 금속층, 즉, 도전층(35)을 형성한다(단계 b)(도 3c 참조). 예를 들어, (PbO+SiO2) 혼합 유리 물질의 페이스트를 약 15㎛ 이상 두께로 인쇄한 후 건조 및 소성하여 절연층(34)을 형성하고, 그 위에 전도성 금속, 예를 들어, 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)을 통상 약 0.3㎛의 두께로 스퍼터링하여 도전층(35)을 형성한다. After that, an insulating layer 34 and a conductive metal layer, that is, a conductive layer 35 are formed to cover the substrate 31, the first electrode 32, and the electron emission source 33 (step b) (see FIG. 3C). ). For example, a paste of (PbO + SiO 2) mixed glass material is printed to a thickness of about 15 μm or more, and then dried and calcined to form an insulating layer 34, on which a conductive metal such as chromium (Cr) is formed. Alternatively, molybdenum (Mo) is usually sputtered to a thickness of about 0.3 μm to form the conductive layer 35.

그 후, 도전층(35) 및 절연층(34)을 에칭하여 도전층(35), 절연층(34) 및 전자 방출원(33)을 포함하는 섬(37)을 분리시킨다(단계 c)(도 3d 참조). 예를 들어, 상기 도전층(35) 위에 감광물질(PR)을 코팅하고 노광 및 현상하여 슬릿(36) 패턴을 패터닝하고 상기 슬릿(36) 패턴을 따라 도전층(35) 금속 및 절연층(34)을 에칭하여 도전층(35) 금속 일부, 절연층(34) 일부 및 전자 방출원(33)을 포함하는 섬(37)을 분리시킨다. 이 때, 슬릿(36) 패턴은 전자 방출원의 형상 및 크기에 따라 그 형상 및 크기가 결정될 수 있다. 예를 들어, 전자 방출원의 평면 단면 형상이 원형인 경우에는 슬릿 패턴도 원형으로, 전자 방출원의 평면 형상이 긴 직사각형 또는 스트라이프(stripe) 형인 경우에는 그에 상응하는 긴 직사각형 또는 스트라이프 형상일 수 있다. 한편, 에칭 용액에 의해 전자 방출원이 손상되는 것을 방지하고, 이후의 섬 제거 단계에서 전자 방출원의 상부면 뿐만 아니라 측면도 절연층과의 분리 과정에서 표면에 있는 전자 방출원 재료가 표면으로 돌출될 수 있도록 하기 위해서, 상기 슬릿 패턴은 그것에 따라 형성되는 섬에 도전층 및 절연층의 일부가 포함되어 전자 방출원의 가장자리를 감쌀 수 있도록 하는 크기를 갖는 것이 바람직하다. 슬릿의 형상 및 크기에 관한 평면도를 도 4에 모식적으로 예시하여 나타내었다. 여기서, 슬릿(42)의 폭(s)는 20 내지 30 ㎛ 범위일 수 있다. 그리고, 슬릿과 전자 방출원(41) 간의 거리(d)는 건식 에칭인지 습식인지, 습식 에칭에서는 에칭액의 종류 및 그에 따른 식각 속도, 절연층 구성 물질 및 그에 따른 식각 속도 등에 따라 결정되지만, 전형적으로 10 내지 20 ㎛ 범위 일 수 있다. Thereafter, the conductive layer 35 and the insulating layer 34 are etched to separate the island 37 including the conductive layer 35, the insulating layer 34, and the electron emission source 33 (step c) ( See FIG. 3D). For example, by coating, exposing and developing a photosensitive material PR on the conductive layer 35, the pattern of the slit 36 is patterned, and the metal and insulating layer 34 of the conductive layer 35 along the slit 36 pattern. ), The island 37 including the metal part of the conductive layer 35, the part of the insulating layer 34, and the electron emission source 33 is separated. In this case, the shape and size of the slit 36 pattern may be determined according to the shape and size of the electron emission source. For example, when the planar cross-sectional shape of the electron emission source is circular, the slit pattern may also be circular, and when the planar shape of the electron emission source is long rectangular or stripe type, the corresponding long rectangular or stripe shape may be used. . On the other hand, the electron emission source is prevented from being damaged by the etching solution, and in the subsequent island removal step, the electron emission source material on the surface may protrude to the surface during separation from the insulating layer as well as the top surface of the electron emission source. In order to be able to do so, the slit pattern is preferably sized so that a portion of the conductive layer and the insulating layer is included in the island formed thereon to cover the edge of the electron emission source. A plan view of the shape and size of the slit is schematically illustrated in FIG. 4. Here, the width s of the slit 42 may range from 20 to 30 μm. In addition, the distance d between the slit and the electron emission source 41 is determined by dry etching or wet, in wet etching, depending on the type of etching solution and the etching rate thereof, the insulating layer constituent material and the etching rate thereof, and the like. It may range from 10 to 20 μm.

예를 들어, 전자 방출원의 평면 단면 형상의 직경이 30 ㎛이고 이에 따른 원형 게이트 전극의 단면 형상의 직경이 90 ㎛일 경우, 원형 게이트 전극과 원형 전자 방출원 중간에 10 ㎛의 원형 슬릿을 패터닝하고, 불산, 질산과 같은 산 에칭액을 이용하여 100 ~ 300 초간 식각하여 섬을 형성한다.For example, when the diameter of the planar cross-sectional shape of the electron emission source is 30 μm and the diameter of the cross-sectional shape of the circular gate electrode is 90 μm, patterning a circular slit of 10 μm between the circular gate electrode and the circular electron emission source is patterned. And an island is formed by etching for 100 to 300 seconds using an acid etching solution such as hydrofluoric acid and nitric acid.

그 후 기계적, 물리적 또는 화학적인 방법을 이용하여 섬을 구성하고 있는 도전층 및 절연층을 제거한다(단계 d)(도 3e 참조). 이 때, 점착성 유기 물질이 도포된 테이프와 같은 수단을 이용할 수 있다. 한편, 절연층과 전자 방출원간의 분리를 보다 용이하게 할 수 있도록 초음파 처리(sonication)를 병행할 수도 있다. Thereafter, mechanical, physical or chemical methods are used to remove the conductive and insulating layers that make up the island (step d) (see FIG. 3E). At this time, a means such as a tape coated with a tacky organic substance can be used. On the other hand, sonication may be performed in parallel to facilitate separation between the insulating layer and the electron emission source.

또한, 본 발명의 목적에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법은 도 5에 예시한 바와 같이, 제1 전극(52) 위에 보조 전극(53)이 도입되고 상기 보조 전극(53)위에 확산 방지층(54)이 도입된 구조에도 적용할 수 있는 바, 본 발명의 목적에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법을 이용하여 도 5에 예시한 전자 방출부 구조를 갖는 전자 방출 소자를 제조하는 경우에는 본 발명에 따른 제조 방법의 시작 전에 제1 전극(52) 위에 보조 전극(53) 물질, 예를 들어, 은(Ag)을 도포하고, 이후의 공정에서 절연층과 접하게 될 보조 전극의 적어도 1면 위에, 예를 들어, MgO로 이루어진 확산 방지층(54)을 형성한 후, 패터닝 및 에칭 공정을 거쳐 제1 전극(52)을 노출 시킨 후(단계 a), 제1 전극(52) 위에 전자 방출원(57)을 형성한 후(단계 b) 이후의 각 단계를 수행한다. In addition, in the method of manufacturing the electron emission device according to the present invention, as illustrated in FIG. 5, an auxiliary electrode 53 is introduced on the first electrode 52 and a diffusion barrier layer 54 is disposed on the auxiliary electrode 53. It is also applicable to this introduced structure, in the case of manufacturing the electron emitting device having the electron emitting device structure illustrated in FIG. 5 by using the method of manufacturing an electron emitting device according to the object of the present invention, the production according to the present invention. Auxiliary electrode 53 material, for example silver (Ag), is applied over the first electrode 52 prior to the start of the method and, for example, on at least one side of the auxiliary electrode that will come into contact with the insulating layer in a subsequent process. After forming the diffusion barrier layer 54 made of MgO, exposing the first electrode 52 through a patterning and etching process (step a), an electron emission source 57 is formed on the first electrode 52. After each step (step b), each step is performed.

본 발명의 목적에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법을 이용하여 도 6에 예시한 바와 같이 각각 2층 또는 그 이상의 절연층(63, 65) 및 도전층(64, 66)이 교대로 적층된 전자 방출부 구조를 갖는 전자 방출 소자를 제조하는 경우에는 본 발명에 따른 제조 방법의 단계 c)는 제1 절연층(63), 제1 도전층(64), 제2 절연층(65) 및 제2 도전층(66)을 순차적으로 형성함으로서 수행될 수 있다. 필요에 따라 더 많은 도전층을 도입하는 경우 더 많은 절연층 및 도전층을 적층할 수 있다. 한편, 상기 각 절연층(63, 65) 및 각 도전층(64, 66)은 동일하거나 상이한 재질일 수 있으며, 단계 d)의 에칭에 있어서 동일한 에칭액을 사용하여 한번에 섬을 형성하거나 도전층을 먼저 에칭한 후 다른 에칭 용액을 사용하여 절연층을 에칭할 수도 있다. 각각 2층의 절연층 및 도전층으로 된 전자 방출부 구조에서, 하부 도전층은 게이트 전극으로, 상부 도전층은 그리드 전극으로 각각 이용될 수 있다. By using the method of manufacturing an electron emitting device according to the object of the present invention as shown in Figure 6, two or more insulating layers 63, 65 and conductive layers 64, 66 are alternately stacked electron emission In the case of manufacturing an electron emitting device having a substructure, step c) of the manufacturing method according to the present invention includes the first insulating layer 63, the first conductive layer 64, the second insulating layer 65, and the second conductive layer. This can be done by sequentially forming layers 66. If more conductive layers are introduced as necessary, more insulating layers and conductive layers can be laminated. Meanwhile, each of the insulating layers 63 and 65 and the conductive layers 64 and 66 may be the same or different materials, and in the etching of step d), islands are formed at the same time by using the same etching solution or the conductive layer is first. After etching, the insulating layer may be etched using another etching solution. In the electron emission structure having two insulating and conductive layers, respectively, the lower conductive layer may be used as a gate electrode, and the upper conductive layer may be used as a grid electrode.

본 발명의 목적에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법을 이용하여 도 7에 예시한 바와 같이 2층 이상의 절연층(73, 74)이 도입된 전자 방출부 구조를 갖는 전자 방출 소자를 제조하는 경우에는 본 발명에 따른 제조 방법의 단계 c)는 제1 절연층(73) 및 제2 절연층(74), 나아가 더 많은 수의 절연층을 순차적으로 형성함으로서 수행될 수 있다. 상기 각 절연층(73, 74)는 식각 속도가 다른 재질로 이루어진 층으로서, 바람직하게는 하부의 절연층(제1 절연층(73))의 식각 속도가 상부의 절연층(제2 절연층(74))의 식각 속도에 비해 큰 것이 홀(77)의 벽면을 수직에 가깝게 하는 데 유리하다. In the case of manufacturing an electron emitting device having an electron emitting device structure in which two or more insulating layers 73 and 74 are introduced as illustrated in FIG. 7 using the method for manufacturing an electron emitting device according to the object of the present invention, Step c) of the manufacturing method according to the invention can be carried out by sequentially forming the first insulating layer 73 and the second insulating layer 74, and further a larger number of insulating layers. Each of the insulating layers 73 and 74 is formed of a material having a different etching rate. Preferably, the etching rate of the lower insulating layer (the first insulating layer 73) is higher than the insulating layer of the upper insulating layer (the second insulating layer ( Larger than the etching speed of 74) is advantageous for bringing the wall surface of the hole 77 close to the vertical.

본 발명의 제조 방법이 적용될 수 있는 전자 방출 소자의 전자 방출부 구조의 다른 예는 도 5 내지 도 7에 예시한 구조의 조합, 예를 들어, 도 6의 다층 구조에서 절연층(63, 65)을 도 7에서와 같이 식각 속도가 다른 이종 재질로 형성할 수 있다. Another example of the structure of the electron emitting portion of the electron emitting device to which the manufacturing method of the present invention can be applied is a combination of the structures illustrated in FIGS. 5 to 7, for example, the insulating layers 63 and 65 in the multilayer structure of FIG. 6. 7 may be formed of different materials having different etching rates.

상기 본 발명의 목적에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법에 대한 설명에서 특별히 제시되지 않은 구체적인 공정 및 조건은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상적으로 이용되는 방법 및 조건이다. Specific processes and conditions which are not particularly mentioned in the description of the method of manufacturing an electron emission device according to the object of the present invention are methods and conditions commonly used in the technical field to which the present invention belongs.

본 발명에 의하여 전자 방출원의 활성화 단계가 필요 없으며, 그로 인해 화상의 균일도가 높은 대면적 화상 표시 장치의 제조에 응용할 수 있으며, 거의 무한대의 제1 전극-제2 전극간 저항값의 확보가 가능한 전자 방출 소자의 제조 방법이 제공된다. The present invention does not require the step of activating the electron emission source, and thus can be applied to the manufacture of a large-area image display device having high image uniformity, and it is possible to secure an almost infinite resistance value between the first electrode and the second electrode. A method of manufacturing an electron emitting device is provided.

도 1은 본 발명에 따른 제조 방법이 적용될 수 있는 전자 방출 소자의 전형적인 전자 방출부 구조의 예를 모식적으로 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a typical electron emitting portion structure of an electron emitting device to which a manufacturing method according to the present invention can be applied.

도 2a 내지 도 2d는 전자방출원 활성화 단계가 포함된 종래의 대표적인 전자 방출 소자의 제조 방법을 모식적으로 나타낸 도면이다. 2A to 2D are diagrams schematically showing a method of manufacturing a typical representative electron emission device including an electron emission source activation step.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법의 일 실시예를 모식적으로 나타낸 도면이다. 3A to 3E are diagrams schematically showing one embodiment of a method of manufacturing an electron emission device according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법의 일 실시예에서 전자 방출원을 포함하는 섬을 형성한 예를 보여주는 평면도이다. 4 is a plan view illustrating an example in which an island including an electron emission source is formed in an embodiment of a method of manufacturing an electron emission device according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 제조 방법이 적용될 수 있는 전자 방출 소자의 전자 방출부 구조의 다른 예를 모식적으로 나타낸 단면도이다. 5 is a cross-sectional view schematically showing another example of the structure of the electron emitting portion of the electron emitting device to which the manufacturing method according to the present invention can be applied.

도 6은 본 발명에 따른 제조 방법이 적용될 수 있는 전자 방출 소자의 전자 방출부 구조의 또 다른 예를 모식적으로 나타낸 단면도이다. 6 is a cross-sectional view schematically showing still another example of the structure of the electron emitting portion of the electron emitting device to which the manufacturing method according to the present invention can be applied.

도 7은 본 발명에 따른 제조 방법이 적용될 수 있는 전자 방출 소자의 전자 방출부 구조의 또 다른 예를 모식적으로 나타낸 단면도이다. 7 is a cross-sectional view schematically showing still another example of the structure of the electron emitting portion of the electron emitting device to which the manufacturing method according to the present invention can be applied.

Claims (17)

(a) 기판 상에, 제1 전극과 이에 접촉되는 전자 방출원을 형성하는 단계;(a) forming on the substrate a first electrode and an electron emission source in contact with it; (b) 상기 전체 구조 상에 절연층 및 도전층을 형성하는 단계;(b) forming an insulating layer and a conductive layer on the entire structure; (c) 상기 도전층 및 절연층을 식각하여 상기 제1전극까지 도달하는 깊이를 갖는 슬릿(slit)을 형성하여, 적어도 상기 전자 방출원의 일부를 섬 형상으로 고립시키는 단계; 및(c) forming a slit having a depth reaching the first electrode by etching the conductive layer and the insulating layer to isolate at least a portion of the electron emission source in an island shape; And (d) 상기 섬 형상 내의 상기 절연층 및 도전층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조방법.and (d) removing the insulating layer and the conductive layer in the island shape. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 단계 (c)에서 도전층 및 절연층을 동일한 식각액으로 동시에 식각하여 상기 슬릿을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조방법.And in the step (c), simultaneously etching the conductive layer and the insulating layer with the same etchant to form the slits. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 단계 (c)에서 도전층 및 절연층을 이종의 식각액으로 각각 식각하여 상기 슬릿을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조방법.The method of manufacturing an electron emission device, characterized in that for forming the slit by etching each of the conductive layer and the insulating layer in a different etching solution in step (c). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 섬 형상은 상기 전자방출원이 슬릿에 노출되지 않도록 상기 절연층이 상기 전자 방출원의 외곽을 에워싸는 형상인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조방법.The island shape is a manufacturing method of the electron emission device, characterized in that the insulating layer surrounds the outside of the electron emission source so that the electron emission source is not exposed to the slit. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전자 방출원은 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소 및 C₆₀ 로 구성된 군에서 선택되는 탄소계 물질, 또는 탄소 나노 튜브 및 실리콘 나노 와이어로 구성된 군에서 선택되는 나노 물질 중 1종 이상의 전자 방출원 재료로부터 만들어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.The electron emission source is selected from the group consisting of carbon-based materials selected from the group consisting of graphite, diamond, diamond-like carbon and C ₆₀ , or from at least one electron-emitting material selected from the group consisting of carbon nanotubes and silicon nanowires. The manufacturing method of the electron emission element characterized by the above-mentioned. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 전자 방출원 재료 중에서 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소 및 C₆₀ 로 구성된 군에서 선택되는 탄소계 물질로 만들어지는 전자 방출원은 박막 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.The electron emission device of claim 1, wherein the electron emission source made of a carbon-based material selected from the group consisting of graphite, diamond, diamond-like carbon, and C ₆₀ is formed in a thin film form. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 전자 방출원 재료 중에서 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어로 만들어지는 전자 방출원은 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어를 포함하는 페이스트를 후막 형태로 인쇄하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. The electron emission source made of carbon nanotubes or silicon nanowires among the electron emission source materials is formed by printing a paste containing carbon nanotubes or silicon nanowires in a thick film form. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 전자 방출원 재료중에서 탄소 나노 튜브는 제1 전극 위에서 직접 합성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. In the electron emission source material, carbon nanotubes are directly synthesized on the first electrode. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 점착성 유기 물질이 도포된 테이프를 이용하여 섬의 상기 도전층 및 절연층을 제거하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. A method of manufacturing an electron emitting device, characterized in that the conductive layer and the insulating layer of the island are removed using a tape coated with a viscous organic material. 제9항에 있어서, The method of claim 9, 초음파 처리를 병행하여 섬의 상기 도전층 및 절연층을 제거하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. A method of manufacturing an electron emitting device, characterized in that the conductive layer and the insulating layer of the island are removed in parallel with ultrasonic treatment. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 10, 상기 제1 전극이 추가로 보조 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. And the first electrode further has an auxiliary electrode. 제11항에 있어서, The method of claim 11, 상기 보조 전극이 절연층과 접하는 적어도 1면에 형성된 확산 방지층을 추가로 가지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. The auxiliary electrode further has a diffusion barrier layer formed on at least one surface in contact with the insulating layer. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 10, 상기 도전층 및 절연층이 각각 2층 이상이고, 도전층 및 절연층이 교대로 형성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. And each of the conductive layer and the insulating layer is two or more, and the conductive layer and the insulating layer are alternately formed. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 도전층 및 절연층이 각각 2층인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. The conductive layer and the insulating layer are two layers, respectively, The manufacturing method of the electron emission element characterized by the above-mentioned. 제14항에 있어서, The method of claim 14, 상기 도전층 중 하나는 게이트 전극이 되고 다른 하나는 그리드 전극이 되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. Wherein one of the conductive layers becomes a gate electrode and the other becomes a grid electrode. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 10, 상기 절연층이 다층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. A method for manufacturing an electron emission device, characterized in that the insulating layer is formed in multiple layers. 제16항에 있어서, The method of claim 16, 상기 절연층은 하부 절연층이 상부 절연층에 비해 식각 속도가 큰 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법. The insulating layer is a method of manufacturing an electron emission device, characterized in that the lower insulating layer has a higher etching rate than the upper insulating layer.