KR20050109604A - Processes and donor elements for transferring thermally sensitive materials to substrates - Google Patents

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그라시엘라 블란세트 핀처
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

Methods of forming a patterned semiconducting-dielectric material on a substrate by thermal processes are disclosed, comprising heating a thermally imageable donor element comprising a substrate and a transfer layer of semiconductive material in conjunction with a dielectric. The donor is exposed with the positive image of the desired pattern to be formed on the receiver, such that the exposed portions of the layer of semiconductive and dielectric material are simultaneously transferred, forming the desired pattern of semiconductive and dielectric material on the receiver. The semiconducting material can be patterned to form a thin film transistor. The method can also be used to pattern a light-emitting polymer or small molecule in conjunction with the charge injection layer to form the light- emitting display for light-sensitive organic electronic devices. Donor elements for use in the process are also disclosed. Methods for forming thin film transistors and donor elements for use in the processes, are also disclosed.

Description

감열성 재료를 기판에 전사하는 방법 및 도너 소자{PROCESSES AND DONOR ELEMENTS FOR TRANSFERRING THERMALLY SENSITIVE MATERIALS TO SUBSTRATES} PROCESSES AND DONOR ELEMENTS FOR TRANSFERRING THERMALLY SENSITIVE MATERIALS TO SUBSTRATES

본 발명은 취약성 (fragile) 또는 감열 (thermally sensitive) 재료를 열 영상화 방법에 의해 전사하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 그러한 방법을 수행하는데 유용한 다층 구조에 관한 것이다. 이 방법은 레이저 유도 열 전사 영상화에 의해 발광 고분자 또는 반도체-유전체 재료의 패턴을 기판상에 형성하는 것을 포함한다. 본 발명은 그러한 열적 방법에 의해 박막 유기 트랜지스터 (TFT) 및 고분자 발광 디스플레이 (PLED)를 형성하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of transferring fragile or thermally sensitive materials by thermal imaging methods. The invention also relates to a multilayer structure useful for carrying out such a method. The method includes forming a pattern of luminescent polymer or semiconductor-dielectric material on a substrate by laser induced thermal transfer imaging. The present invention relates to a method of forming a thin film organic transistor (TFT) and a polymer light emitting display (PLED) by such a thermal method.

박막 트랜지스터는 펜타센, 폴리티에닐렌비닐렌, 티오펜 올리고머, 벤조티오펜 다이머 및 폴리아세틸렌과 같은 유기 반도체 재료를 혼입하여 제작되어 왔다. 유기 재료는 또한 게이트 (gate), 소스 (source) 및 드레인 (drain) 전극을 형성하는 전도층, 및 유전체를 형성하는 절연층과 같은 트랜지스터의 다른 성분을 형성하는데 이용될 수 있다. Thin film transistors have been fabricated by incorporating organic semiconductor materials such as pentacene, polythienylenevinylene, thiophene oligomers, benzothiophene dimers and polyacetylenes. Organic materials may also be used to form other components of the transistor, such as conductive layers forming gate, source and drain electrodes, and insulating layers forming a dielectric.

전체적으로 또는 부분적으로 유기 재료로 만들어진 트랜지스터는 전통적인 트랜지스터보다 비용이 적게 들며 제조하기가 더 용이하다. 아직 규소 트랜지스터와 동일한 성분 밀도가 얻어지지는 않았지만, 유기 트랜지스터의 적은 비용은 그들이 고밀도가 요구되지 않는 분야에서 사용될 수 있으며 전형적인 트랜지스터가 경제적이지 않음을 의미한다. 예를 들면, 유기 트랜지스터는 전자 종이, 포스터 및 책, 스마트 카드, 장난감, 가전 및 상품 식별용 전자 바 코드와 같은 저렴한 또는 일회용 품목에 사용될 수 있다. 유기 트랜지스터는 또한 특정 분야에서 유리한 가요성일 수 있다. 예를 들면, 가요성 (flexible) 트랜지스터 어레이는 가요성 전기영동 디스플레이, PLED 및 액정 디스플레이 (LCD) (컴퓨터, 랩탑 및 텔레비젼용)에 사용될 수 있다. 제작 비용의 절감이 의미있긴 하지만, 유기 트랜지스터의 제작 비용을 더 감소시키는 것이 유리할 것이다. Transistors made entirely or partially of organic materials are less expensive than conventional transistors and are easier to manufacture. Although the same component density as silicon transistors has not yet been obtained, the low cost of organic transistors means that they can be used in applications where high density is not required and typical transistors are not economical. For example, organic transistors can be used for inexpensive or disposable items such as electronic paper, posters and books, smart cards, toys, consumer electronics, and electronic bar codes for product identification. Organic transistors can also be flexible, which is advantageous in certain fields. For example, flexible transistor arrays can be used in flexible electrophoretic displays, PLEDs, and liquid crystal displays (LCDs) (for computers, laptops, and televisions). While savings in manufacturing costs are significant, it would be advantageous to further reduce the manufacturing costs of organic transistors.

유기 재료는 스핀 코팅, 캐스팅, 프린팅 또는 다른 방법에 의해 트랜지스터의 일부분에 도포될 수 있다. 일부 유기 재료는 물리적 증착법에 의해 도포될 수도 있다. 전기활성 고분자 전구체는 또한 도포되어 일반적으로 열에 의해 고분자로 전환될 수 있다. 마스크를 이용하여 증착 중에 직접 패턴화를 제공할 수 있다. 포토레지스트가 증착 중에 사용되는 경우, 증착 후에 습식 화학 에칭이 필요하며, 이는 유기 반도체의 심각한 분해를 초래할 수 있다. 규소계 트랜지스터에 의해 요구되는 제작 기술보다 더 용이하고 비용이 적게 들긴 하지만, 그러한 방법은 여전히 복잡하고, 느리고, 충분한 해상도가 부족하고, 장치를 유해한 열 및 화학적 공정에 노출시키며 필요한 것보다 비용이 더 많이 든다. The organic material may be applied to a portion of the transistor by spin coating, casting, printing or other methods. Some organic materials may be applied by physical vapor deposition. Electroactive polymer precursors can also be applied and generally converted to polymers by heat. Masks can be used to provide direct patterning during deposition. If the photoresist is used during deposition, a wet chemical etch is required after deposition, which can lead to severe degradation of the organic semiconductor. Although easier and less expensive than the fabrication techniques required by silicon-based transistors, such methods are still complex, slow, lacking sufficient resolution, exposing the device to harmful thermal and chemical processes, and more expensive than necessary. It costs a lot

완전히 프린팅 기술에 의한 유기 트랜지스터의 제작은 추가의 비용 감소에 대한 가능성을 제공한다. 문헌 [F. Garnier et al., "All-Polymer Field-Effct Transistor Realized by Printing Techniques", Science, Vol. 265, 16 September 1994, pp. 1684-1686]은 게이트, 소스 및 드레인 전극을 형성하기 위해 마스크를 통해 전도성 흑연계 고분자 잉크를 증착시켜 트랜지스터를 형성하는 것을 개시한다. α,ω-디(헥실)헥시티오펜의 반도체 재료를 플래쉬 증발에 의해 소스 및 드레인 상에 증착하였다. Fabrication of organic transistors by fully printing technology offers the possibility for further cost reduction. F. Garnier et al., "All-Polymer Field-Effct Transistor Realized by Printing Techniques", Science, Vol. 265, 16 September 1994, pp. 1684-1686 discloses depositing a conductive graphite-based polymer ink through a mask to form a transistor to form gate, source and drain electrodes. Semiconductor materials of α, ω-di (hexyl) hexiophene were deposited on the source and drain by flash evaporation.

문헌 [Z. Bao, et al., "High-Performance Plastic Transistors Fabricated by Printing Techniques," Chem. Mater. 1997, 9, 1299-1301]은 필수 성분들이 인듐 주석 산화물 (ITO) 코팅된 플라스틱 기판 상에 직접 프린트된 고성능 트랜지스터의 생산을 개시한다. 마스크를 이용하여 트랜지스터 성분들의 프린트 패턴을 형성하였다. Z. Bao, et al., "High-Performance Plastic Transistors Fabricated by Printing Techniques," Chem. Mater. 1997, 9, 1299-1301 discloses the production of high performance transistors in which the essential components are printed directly on an indium tin oxide (ITO) coated plastic substrate. A mask was used to form a print pattern of transistor components.

유기 반도체 재료를 도포하는데 잉크-젯 프린팅이 또한 이용되어 왔다. 미국 특허 제6,087,196호, EP 0880303A1; WO 99/66483호 및 WO 99/43031호 참조. 스크린-프린팅 및 잉크-젯 프린팅은 제작 과정을 용이하게 하긴 하지만, 특정 분야에 대한 충분한 해상도를 제공하지 않는다. 또한, 잉크-젯 프린팅 방법에서 최종 필름의 평면도 및 균일성을 조절하기가 어렵다. Ink-jet printing has also been used to apply organic semiconductor materials. U.S. Patent No. 6,087,196, EP 0880303A1; See WO 99/66483 and WO 99/43031. Screen-printing and ink-jet printing facilitate the manufacturing process but do not provide sufficient resolution for a particular field. In addition, it is difficult to control the flatness and uniformity of the final film in the ink-jet printing method.

열 전사 방법은 컬러 프루핑과 같은 분야에 공지되어 있다. 그러한 열 전사 방법으로는 예를 들면, 염료 승화, 염료 전사, 용융 전사 및 융제 전사가 있으며, 일반적으로 재료의 화상별 열 전사를 유도하기 위해 레이저를 이용한다. 이들 방법은 영국 특허 제2,083,726호, 미국 특허 제4,942,141호, 미국 특허 제5,019,549호, 미국 특허 제4,948,776호, 미국 특허 제5,156,938호, 미국 특허 제5,171,650호 및 미국 특허 제4,643,917호에 기재되어 있다. Thermal transfer methods are known in the art, such as color proofing. Such thermal transfer methods include, for example, dye sublimation, dye transfer, melt transfer, and flux transfer, and generally use lasers to induce thermal transfer of images of materials. These methods are described in British Patent 2,083,726, US Patent 4,942,141, US Patent 5,019,549, US Patent 4,948,776, US Patent 5,156,938, US Patent 5,171,650, and US Patent 4,643,917.

레이저 유도 열 전사 방법은 일반적으로 전사될 재료의 층 ("전사층")을 포함한 도너 소자 및 전사된 재료를 받기 위한 표면을 포함한 리시버 소자를 이용한다. 도너 소자 또는 리시버 소자의 어느 하나의 기판은 투명하거나, 또는 둘다 투명하다. 도너 소자 및 리시버 소자는 서로 근접하게 또는 접촉하게 되며, 일반적으로 적외선 레이저에 의해 레이저 방사선에 선택적으로 노광된다. 전사층의 노광 부분에서 열이 발생하여, 그로 인해 전사층의 그 부분이 리시버 소자의 표면 상에 전사된다. 전사층의 재료가 유입 레이저 방사선을 흡수하지 않는 경우, 도너 소자는 전사층에 인접한 가열층을 포함해야 한다. 가스상 분자로 분해되는 기화가능한 고분자 재료의 배출층이 또한 가열층과 도너 지지체 사이에 제공될 수 있다. 배출층의 분해는 전사층의 노광 부분을 리시버 소자 상으로 추진하기 위한 추가의 힘을 제공한다. Laser induced thermal transfer methods generally utilize a donor element comprising a layer of material to be transferred (“transfer layer”) and a receiver element comprising a surface for receiving the transferred material. Either substrate of the donor element or the receiver element is transparent, or both are transparent. The donor element and the receiver element are in close or in contact with each other and are generally selectively exposed to laser radiation by an infrared laser. Heat is generated in the exposed portion of the transfer layer, whereby that portion of the transfer layer is transferred onto the surface of the receiver element. If the material of the transfer layer does not absorb incoming laser radiation, the donor element must comprise a heating layer adjacent to the transfer layer. A discharge layer of vaporizable polymer material that decomposes into gaseous molecules may also be provided between the heating layer and the donor support. Decomposition of the discharge layer provides additional force for pushing the exposed portion of the transfer layer onto the receiver element.

하나의 레이저 유도 디지탈 열 전사 방법에서, 노광은 한번에 어셈블리의 선택된 작은 영역에서만 일어나므로, 도너 소자로부터 리시버 소자로의 재료의 전사가 한번에 한 픽셀로 형성될 수 있게 된다. 컴퓨터 제어는 고속 및 고해상도의 전사를 용이하게 한다. 별법으로, 아날로그 방법에서는, 전체 어셈블리를 조사하고 마스크를 이용하여 열 영상화가능한 층의 목적하는 부분을 선택적으로 노광시킨다 (미국 특허 제5,937,272호). In one laser induced digital thermal transfer method, exposure occurs only in selected small areas of the assembly at a time, so that the transfer of material from the donor element to the receiver element can be made one pixel at a time. Computer control facilitates high speed and high resolution transfers. Alternatively, in the analog method, the entire assembly is examined and a mask is used to selectively expose the desired portion of the thermally imageable layer (US Pat. No. 5,937,272).

레이저 유도 열 전사 방법은 일반적으로 상기한 코팅, 증착 및 패턴화 공정보다 더 빠르고 경제적이며 특징을 고해상도로 패턴화하게 한다. 프린팅 프레스에서의 품목의 프린팅이 고속, 대규모 프린팅 및 고해상도를 제공하긴 하지만, 레이저 유도된 열적 방법은 순차적으로 프린트된 층들의 용제 상용성을 필요로 하지 않는 추가의 잇점을 가짐으로써 이용가능한 재료의 범위를 광범위하게 한다. 그러나, 취약성이고 섭동 (예를 들면, 큰 온도 구배, 습도, 압력 또는 기계적 응력)에 민감한 초박막의 반도체 또는 발광 유기 재료의 직접 열적 프린팅은 이루어지지 않았다. 펜타센, 플루오르화 구리 프탈로시아닌 또는 유기 발광 재료와 같은 재료의 열 전사를 시도한 결과 일반적으로 재료의 심각한 분해 및(또는) 부분적인 기화가 일어난다. Laser induced thermal transfer methods are generally faster and more economical than the coating, deposition and patterning processes described above and allow for patterning of features at high resolution. Although the printing of items in printing presses provides high speed, large scale printing and high resolution, the laser induced thermal method has the additional advantage of not requiring solvent compatibility of sequentially printed layers, thus the range of materials available. To broaden. However, no direct thermal printing of ultra-thin semiconductor or luminescent organic materials is vulnerable and sensitive to perturbation (eg, large temperature gradients, humidity, pressure or mechanical stress). Attempts of thermal transfer of materials such as pentacene, fluorinated copper phthalocyanine or organic luminescent materials generally result in severe decomposition and / or partial vaporization of the material.

유기 트랜지스터 및 다른 유기 전자 소자의 제작을 위한 유기 반도체 재료, 및 디스플레이와 같은 발광 소자의 제작을 위한 발광 재료의 분야 및 패턴화에 이용될 수 있는 열 전사 방법, 특히 레이저 유도 열 전사 방법이 요구되고 있다. There is a need for a thermal transfer method, in particular a laser induced thermal transfer method, which can be used in the field and patterning of organic semiconductor materials for the fabrication of organic transistors and other organic electronic devices, and light emitting materials for the manufacture of light emitting devices such as displays have.

발명의 요약Summary of the Invention

본 발명의 방법은 열 영상화 방법을 이용하여 취약성 또는 감열성 재료를 전사하는 방법을 제공한다. 본 발명의 방법은 The method of the present invention provides a method of transferring a fragile or thermosensitive material using a thermal imaging method. The method of the present invention

a. i. 기판; 및 a. i. Board; And

ii. 취약성 또는 감열성 재료 및 기판과 취약성 또는 감열성층 사이에 위치된 보호층를 포함하는 전사층   ii. A transfer layer comprising a fragile or heat sensitive material and a protective layer positioned between the substrate and the fragile or heat sensitive layer

을 포함하는 도너 소자를 형성하는 단계; Forming a donor element comprising a;

b. 도너 소자의 전사층을 리시버 소자와 접촉시키는 단계; b. Contacting the transfer layer of the donor element with the receiver element;

c. 도너 소자의 선택된 면을 레이저 방사선에 노광시켜 전사층의 일부분을 리시버 소자 상으로 전사하여 패턴화 다층 구조를 형성하는 단계c. Exposing a selected side of the donor element to laser radiation to transfer a portion of the transfer layer onto the receiver element to form a patterned multilayer structure

를 포함한다. It includes.

본 발명은 또한, The present invention also provides

a. 기판; a. Board;

b. 가열층; b. Heating layer;

c. 보호층; 및 c. Protective layer; And

d. 취약성 또는 감열성층 d. Vulnerable or Thermal Layers

을 포함하는 열 영상화가능한 도너 소자를 제공한다. It provides a thermal imageable donor device comprising a.

본 발명의 방법 및 도너 소자는 박막 트랜지스터 및 고분자 발광 디스플레이의 제조에 유용하다. The method and donor elements of the present invention are useful in the manufacture of thin film transistors and polymer light emitting displays.

도 1은 열적 영상화 트랜지스터의 측면도이다. 1 is a side view of a thermal imaging transistor.

도 2는 상부 접촉 (top contact) 박막 트랜지스터 및 하부 접촉 (bottom contact) 박막 트랜지스터의 측면도이다. 2 is a side view of a top contact thin film transistor and a bottom contact thin film transistor.

도 3은 고분자 발광 다이오드 (PLED)의 측면도이다. 3 is a side view of a polymer light emitting diode (PLED).

도 4는 프린트된 트랜지스터의 IV 특징의 그래프이다. 4 is a graph of IV characteristics of a printed transistor.

도 5는 프린트된 트랜지스터의 스캔 영상이다. 5 is a scanned image of a printed transistor.

본원에 사용된 용어 "유기 전자 소자"는 반도체, 전도체 또는 감광 성분과 같은 임의의 성분이 유기 재료인 전자 소자를 의미한다. As used herein, the term "organic electronic device" means an electronic device in which any component, such as a semiconductor, conductor or photosensitive component, is an organic material.

본원에 사용된 문구 "인접한"은 반드시 한 층이 다른 층에 바로 옆에 있는 것을 의미하는 것은 아니다. 중간층(들)이 서로에 인접한 것으로 언급된 층들 사이에 제공될 수 있다. As used herein, the phrase “adjacent” does not necessarily mean that one layer is next to another. Intermediate layer (s) may be provided between the layers said to be adjacent to each other.

본 발명의 방법은 감열 또는 취약성 재료를 열 영상화를 통해 도너 소자로부터 리시버 소자로 전사하는 방법을 제공한다. 이 방법은 유기 전자 소자, 예를 들면 TFT 및 PLED를 제조하는데 특히 유용하다. 취약성 또는 감열성 재료는 도너 소자의 전사층에 혼입되며, 보호층에 의해 열 전사 방법에서 발생된 열로부터 보호된다. 특히 해당하는 취약성 또는 감열성 재료의 예는 유기 또는 무기 반도체, 발광 고분자 및 소분자 광 방출체이지만, 그 방법은 더욱 견고한 재료를 전사하는데 이용될 수도 있다. 보호층은 역시 전자 소자를 제작하는데 유용한 재료를 포함할 수 있다. 유전체 및 전하 주입 재료는 각각 TFT 및 PLED를 제조하는데 바람직한 보호층이다. 본 발명의 방법은 또한 하나 이상의 전기활성 층들을 동시에 전사하는데 이용되어 다층 전자 소자 구조체를 제조하는데 공정 간소화 및 개선된 레지스트레이션 충실도를 갖게 한다. The method of the present invention provides a method of transferring a thermal or fragile material from a donor element to a receiver element via thermal imaging. This method is particularly useful for manufacturing organic electronic devices such as TFTs and PLEDs. The fragile or thermosensitive material is incorporated in the transfer layer of the donor element and is protected from the heat generated in the thermal transfer method by the protective layer. Examples of such fragile or thermosensitive materials in particular are organic or inorganic semiconductors, light emitting polymers and small molecule light emitters, but the method may be used to transfer more robust materials. The protective layer can also include materials useful for manufacturing electronic devices. Dielectric and charge injection materials are preferred protective layers for manufacturing TFTs and PLEDs, respectively. The method of the present invention is also used to simultaneously transfer one or more electroactive layers, resulting in process simplification and improved registration fidelity in manufacturing multilayer electronic device structures.

본 발명의 방법의 한 실시태양에서, 반도체 재료 및 유전체 재료들을 패턴화 또는 비패턴화된 리시버 상에 동시에 전사하여 다층 구조를 형성하는, 반도체 재료 (예를 들면, p- 또는 n-형 유기 또는 무기 반도체) 및 유전체 재료의 패턴을 형성하기 위한 열 영상화 방법이 개시된다. 다층 구조는 유기 전자 소자를 포함한 전자 소자에 이용될 수 있다. 예를 들면, 반도체 및 유전체 층은 리시버 기판 상에 이미 증착된 소스 및 드레인 상에 본 발명의 방법에 의해 열적으로 전사되고, 그후에 게이트층이 전사된 반도체 및 유전체 층의 상부 위에 프린팅되어 "하부 접촉 박막 트랜지스터"를 형성한다. 이 방법의 바람직한 실시태양에서, 도너 소자는 가요성 기판, 유전체층으로 코팅된 가열층 및 유전체층의 상부 위의 반도체층을 포함한다. 그러한 도너를 열 영상화할 때, 반도체층은 소스 (112) 및 드레인 (114) 상에 직접 전사되고, 유전체 (118)는 반도체층 (116)과 함께, 반도체-유전체 계면의 파괴없이 동일한 패턴으로 동시에 전사된다. 추가의 유전체층이 열 영상화 또는 다른 기술에 의해 전사되어 첫번째 유전체층의 임의의 불규칙한 부분을 커버할 수 있다. 게이트층 (120)은 열 영상화 또는 종래의 방법을 통해 유전체층(들) 상에 프린팅되어 하부 접촉 구조의 트랜지스터의 제작을 완결할 수 있다 (도 2 참조). In one embodiment of the method of the present invention, a semiconductor material (eg, p- or n-type organic or, which simultaneously transfers semiconductor material and dielectric materials onto a patterned or unpatterned receiver to form a multilayer structure) An inorganic semiconductor) and a thermal imaging method for forming a pattern of dielectric material are disclosed. The multilayer structure can be used for electronic devices including organic electronic devices. For example, the semiconductor and dielectric layers are thermally transferred by the method of the invention onto sources and drains already deposited on the receiver substrate, and then the gate layer is printed over the top of the transferred semiconductor and dielectric layers to " bottom contact. Thin film transistors ". In a preferred embodiment of this method, the donor element comprises a flexible substrate, a heating layer coated with a dielectric layer, and a semiconductor layer on top of the dielectric layer. When thermally imaging such donors, the semiconductor layer is transferred directly onto the source 112 and the drain 114, and the dielectric 118 together with the semiconductor layer 116 are simultaneously present in the same pattern without disrupting the semiconductor-dielectric interface. Is transferred. Additional dielectric layers may be transferred by thermal imaging or other techniques to cover any irregular portions of the first dielectric layer. The gate layer 120 may be printed on the dielectric layer (s) by thermal imaging or conventional methods to complete the fabrication of the transistors in the bottom contact structure (see FIG. 2).

다르게는, "상부 접촉" 구조에서, 게이트가 리시버 상에 프린트되고, 그후에 유전체가 열 영상화 또는 다른 프린팅 방법에 의해 게이트 상에 프린트될 것이다. 반도체층이 다음에 증착되고, 마지막으로 소스 및 드레인이 열 전사 또는 다른 프린팅 방법에 의해 반도체층의 상부 위에 도포된다. Alternatively, in a "top contact" structure, the gate will be printed on the receiver, after which the dielectric will be printed on the gate by thermal imaging or other printing methods. The semiconductor layer is then deposited, and finally the source and drain are applied over the top of the semiconductor layer by thermal transfer or other printing method.

본 발명의 영상화 방법은 다층의 각각에 대한 패턴이 동일하기만 하면 반도체-유전체층 이외에 다층의 유전체를 패턴화할 수 있다. 순차적인 유전체층이 전기 절연을 위해 도포될 수 있다. The imaging method of the present invention can pattern a multilayer dielectric in addition to the semiconductor-dielectric layer as long as the pattern for each of the multilayers is the same. Sequential dielectric layers may be applied for electrical insulation.

또한 네가티브 영상화 방식을 이용하여 하나 이상의 층들을 동시에 패턴화할 수 있다. 네가티브 영상화 방식에서, 목적하는 패턴 외측의 영역을 레이저 어블레이션 또는 다른 수단에 의해 제거하여 패턴화 층 (예를 들면, 반도체층, 유전체층 또는 유전체 + 반도체층)을 형성한다. 그후에, 패턴화층(들)이 프린트된 소스 및 드레인 또는 목적하는 전자 소자의 다른 성분 상에 정합 적층될 수 있다. 그러한 네가티브 영상화 방식은 또한 본 발명의 방법과 함께 이용되어 전자 소자를 형성할 수 있다. It is also possible to pattern one or more layers simultaneously using negative imaging. In the negative imaging scheme, the area outside the desired pattern is removed by laser ablation or other means to form a patterned layer (eg, a semiconductor layer, dielectric layer or dielectric + semiconductor layer). Thereafter, the patterned layer (s) may be matched stacked on the printed source and drain or other components of the desired electronic device. Such negative imaging schemes can also be used with the method of the present invention to form electronic devices.

유기 반도체를 포함한 박막 트랜지스터는 네가티브 영상화를 통해 도너 상에 패턴화 유전체 및 유기 반도체층을 형성함으로써 제조될 수 있다. 패턴화 유전체 및 유기 반도체층은 적층을 통해 소스 및 드레인 상에 증착되고, 이어서 게이트가 증착된다. Thin film transistors including organic semiconductors can be fabricated by forming patterned dielectric and organic semiconductor layers on donors through negative imaging. The patterned dielectric and organic semiconductor layers are deposited on the source and drain through deposition, and then the gate is deposited.

상이한 트랜지스터 구조에서, 유전체 재료의 패턴은 게이트층 상에 열 전사를 통해 직접 전사될 수 있다. 소스 및 드레인의 프린팅은 유전체층의 전사 이후에 이루어진다. 보호층이 있는 유기 반도체 재료는 그후에 본 발명의 방법에 의해 소스 및 드레인층 상으로 전사되고, 이어서 게이트의 증착이 이루어진다. In different transistor structures, the pattern of dielectric material can be transferred directly via thermal transfer onto the gate layer. Printing of the source and drain occurs after the transfer of the dielectric layer. The organic semiconductor material with the protective layer is then transferred onto the source and drain layers by the method of the present invention, followed by the deposition of the gate.

본 발명의 또다른 실시태양에서, 발광 고분자 및 전하 주입 재료를 리시버 소자 상에 동시에 전사하는, 발광 고분자 (또는 소분자 방출체) 및 전하 주입 재료의 패턴을 형성하기 위한 열 전사 방법이 개시된다. 이 방법에서, 도너 소자는 기판, 기판에 인접한 전자 주입 재료 층 및 전자 주입층에 인접한 발광 고분자 (또는 소분자 방출체) 층을 포함한다. 도너 소자는 또한 기판과 전자 주입층 사이에 가열층을 포함할 수 있으며, 또한 기판과 가열층 사이에 선택적 배출층을 포함한다. 이 방법에서, 전자 주입층은 보호층으로서 작용하여, 레이저 빔에 의해 발생되는 열에 대한 직접 노출로부터 민감한 발광 고분자 (또는 소분자 방출체)를 보호하며, 유기 발광 고분자 및 소분자 광-방출체를 분해없이 직접 전사하도록 한다. 이 방법은 또한 광 방출체/전자 주입 패턴이 네가티브 영상화에 의해 형성되는 경우 필요한 번거로운 적층 단계를 생략한다. 본 발명의 방법은 저비용, 다색, 발광 디스플레이의 제작을 가능하게 한다. 이 실시태양에서, 발광 고분자의 이용이 바람직하다. In another embodiment of the present invention, a thermal transfer method for forming a pattern of a light emitting polymer (or a small molecule emitter) and a charge injection material, which simultaneously transfers a light emitting polymer and a charge injection material onto a receiver element, is disclosed. In this method, the donor element comprises a substrate, an electron injection material layer adjacent the substrate, and a light emitting polymer (or small molecule emitter) layer adjacent the electron injection layer. The donor element may also include a heating layer between the substrate and the electron injection layer and also includes an optional discharge layer between the substrate and the heating layer. In this method, the electron injection layer acts as a protective layer, protecting the sensitive light emitting polymer (or small molecule emitter) from direct exposure to heat generated by the laser beam, without decomposing the organic light emitting polymer and the small molecule light-emitting body. Make a direct transfer. This method also eliminates the cumbersome lamination step required when the light emitter / electron injection pattern is formed by negative imaging. The method of the present invention enables the fabrication of low cost, multicolor, light emitting displays. In this embodiment, the use of light emitting polymers is preferred.

본 발명의 바람직한 실시태양에 따라서 반도체 및 유전체 재료의 목적하는 패턴을 리시버 상에 형성하기 위해, 열 영상화가능한 도너 소자 (10)가 제공된다. 도너 소자는 도 1에 도시된 바와 같이 기판 (12), 선택적 배출층 (14), 가열층 (18), 및 유전체층 (16)과 반도체층 (15)을 포함하는 전사층을 포함한다. 도 1은 또한 베이스 소자 (22) 및 선택적 접착제층 (24)을 포함하는 리시버 소자 (20)를 도시한다. 전사층 (17)의 노광 부분은 리시버 소자 상으로 전사된다. In accordance with a preferred embodiment of the present invention, a thermally imageable donor element 10 is provided for forming a desired pattern of semiconductor and dielectric material on a receiver. The donor element comprises a substrate 12, an optional discharge layer 14, a heating layer 18, and a transfer layer comprising a dielectric layer 16 and a semiconductor layer 15, as shown in FIG. 1 also shows a receiver element 20 comprising a base element 22 and an optional adhesive layer 24. The exposed portion of the transfer layer 17 is transferred onto the receiver element.

기판 (12)은 전자 소자에 사용하기에 적당한 재료이다. 기판 (12)은 아래에 더 설명되는 바와 같이 레이저 방사선에 의한 도너 소자 (10)의 노광을 용이하게 하기 위해 가요성하고 투명한 것이 바람직하다. 적당한 투명 필름은 폴리에스테르 (가장 바람직하게는 폴리에틸렌 테레프탈레이트), 폴리에테르 술폰, 폴리비닐 클로라이드, 폴리이미드, 폴리(비닐 알코올-코-아세탈), 폴리에틸렌 및 셀룰로스 아세테이트와 같은 셀룰로스 에스테르를 포함한다. The substrate 12 is a material suitable for use in electronic devices. The substrate 12 is preferably flexible and transparent to facilitate exposure of the donor element 10 by laser radiation, as further described below. Suitable transparent films include cellulose esters such as polyester (most preferably polyethylene terephthalate), polyether sulfone, polyvinyl chloride, polyimide, poly (vinyl alcohol-co-acetal), polyethylene and cellulose acetate.

적당한 유전체는 폴리히드록시스티렌, 폴리비닐피리딘, 폴리비닐페놀, 유리 수지, 플루오르화 공중합체 및 메타크릴산 공중합체를 포함한다. Suitable dielectrics include polyhydroxystyrene, polyvinylpyridine, polyvinylphenol, free resins, fluorinated copolymers and methacrylic acid copolymers.

적당한 유기 반도체 재료는 펜타센, 섹시티오펜, 테트라센, 폴리티에닐렌비닐렌, 티오펜 올리고머, 벤조티오펜 다이머 및 폴리아세틸렌을 포함한다. 적당한 무기 반도체 재료는 ZnO2, CdS 및 비정질 규소를 포함한다.Suitable organic semiconductor materials include pentacene, sexythiophene, tetracene, polythienylenevinylene, thiophene oligomers, benzothiophene dimers and polyacetylenes. Suitable inorganic semiconductor materials include ZnO 2 , CdS and amorphous silicon.

배출층이 또한 기판과 가열층 사이에 제공될 수 있다. 배출층 (14)은 낮은 분해 온도, 바람직하게는 약 275 ℃ 미만의 분해 온도를 가진 재료를 포함한다. 배출층은 바람직하게는 비금속성이다. 적당한 재료는 니트로셀룰로스, 폴리비닐 클로라이드, 염소화 폴리비닐 클로라이드, 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메타크릴레이트 공중합체를 포함한다. 배출층은 전형적으로 약 1 미크론 두께이다. A discharge layer may also be provided between the substrate and the heating layer. Exhaust layer 14 comprises a material having a low decomposition temperature, preferably a decomposition temperature of less than about 275 ° C. The outlet layer is preferably nonmetallic. Suitable materials include nitrocellulose, polyvinyl chloride, chlorinated polyvinyl chloride, polymethylmethacrylate and polymethacrylate copolymers. The exit layer is typically about 1 micron thick.

배출층 (14)은 또한 낮은 분해 온도 결합제에 용해되는 방사선 흡수 염료를 함유할 수 있다. 흡수 염료는 노광 레이저의 방출 밴드의 방사선을 흡수한다. 전형적으로, 노광 레이저는 적외선 범위의 방사선을 방출하며 흡수 염료는 적외선 흡수 염료이다. 적당한 적외선 흡수 염료는 TIC-5c (2-[2-[2-클로로-3-[(1,3-디히드로-1,3,3-트리메틸-2H-인돌-2-일리덴)에틸리덴]-1-시클로펜텐-1-일]에테닐]-1,3,3-트리메틸-3H-인돌륨, 이의 트리플루오로메탄 술폰산과의 염 (1:1), CAS# 128433-68-1; E.I. DuPont de Nemours, Inc. (Wilmington, DE 소재)로부터 입수가능함)이다. 830 ㎚에서 흡수하는 또다른 염료는 ADS 830 (2-[2-[2-클로로-3-[2-[1,3-디히드로-1,1-디메틸-3-(4-술포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴]에틸리덴]-1-시클로헥센-1-일]에테닐]-1,1-디메틸-3-(4-술포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 이의 내부염, 이의 유리산, CAS# 162411-28-1); 및 SQS (4-[[3-[[2,6-비스(1,1-디메틸에틸)-4H-티오피란-4-일리덴]메틸]-2-히드록시-4-옥소-2-시클로부텐-1-일리덴]메틸]-2,6-비스(1,1-디메틸에틸)-티오피릴륨, 이의 수산화물, 이의 내부염, CAS# 88878-49-3; E.I. DuPont de Nemours, Inc. (Wilmington, DE)로부터 입수가능함)이다. 레이저는 다른 파장 밴드에서 방출될 수 있으며, 그후에 특별한 파장 밴드에서 방사선을 흡수하는 염료가 선택된다. Exhaust layer 14 may also contain radiation absorbing dyes that are soluble in low decomposition temperature binders. The absorbing dye absorbs the radiation of the emission band of the exposure laser. Typically, an exposure laser emits radiation in the infrared range and the absorbing dye is an infrared absorbing dye. Suitable infrared absorbing dyes are TIC-5c (2- [2- [2-chloro-3-[(1,3-dihydro-1,3,3-trimethyl-2H-indol-2-ylidene) ethylidene] -1-cyclopenten-l-yl] ethenyl] -1,3,3-trimethyl-3H-indolium, its salt with trifluoromethane sulfonic acid (1: 1), CAS # 128433-68-1; EI DuPont de Nemours, Inc. (available from Wilmington, DE). Another dye that absorbs at 830 nm is ADS 830 (2- [2- [2-chloro-3- [2- [1,3-dihydro-1,1-dimethyl-3- (4-sulfobutyl)- 2H-benz [e] indol-2-ylidene] ethylidene] -1-cyclohexen-1-yl] ethenyl] -1,1-dimethyl-3- (4-sulfobutyl) -1H-benz [e ] Indoleum, its internal salt, its free acid, CAS # 162411-28-1); And SQS (4-[[3-[[2,6-bis (1,1-dimethylethyl) -4H-thiopyran-4-ylidene] methyl] -2-hydroxy-4-oxo-2-cyclo Butene-1-ylidene] methyl] -2,6-bis (1,1-dimethylethyl) -thiopyryllium, hydroxide thereof, internal salt thereof, CAS # 88878-49-3; EI DuPont de Nemours, Inc. (Available from Wilmington, DE). The laser can be emitted in other wavelength bands, and then a dye is selected that absorbs radiation in a particular wavelength band.

유전체층은 레이저 방사선을 흡수하기 위해 상기 나열된 염료와 같은 소량의 염료를 함유할 수도 있다. The dielectric layer may contain small amounts of dyes such as the dyes listed above to absorb laser radiation.

배출층에서 발생되는 추진력을 증가시키기 위해 가스 형성제가 또한 배출층 (14)에 포함될 수 있다. 적당한 가스 형성제는 디아조 알킬; 디아조늄; 아지도 (-N3) 화합물; 암모늄염; 분해되어 산소를 형성하는 산화물; 탄산염; 및 과산화물을 포함한다. 예를 들어, 4-디아조-N,N'-디에틸아닐린 플루오로보레이트와 같은 디아조 화합물이 사용될 수 있다. 가스 형성제의 혼합물이 사용될 수도 있다.Gas formers may also be included in the discharge layer 14 to increase the driving force generated in the discharge layer. Suitable gas formers include diazo alkyl; Diazonium; Azido (-N 3 ) compounds; Ammonium salts; Oxides that decompose to form oxygen; lead carbonate; And peroxides. For example, diazo compounds such as 4-diazo-N, N'-diethylaniline fluoroborate can be used. Mixtures of gas formers may also be used.

가열층 (18)은 바람직하게는 유입 방사선을 흡수하는 금속 박막층이다. 금속은 바람직하게는 Ni, Al, V 또는 Cr이며, 두께는 그 층이 유입 레이저 빔의 최대 흡수를 나타내도록 한다 (25-35%). 30-150 Å의 Ni 층이 바람직하다. The heating layer 18 is preferably a metal thin film layer that absorbs incoming radiation. The metal is preferably Ni, Al, V or Cr and the thickness allows the layer to exhibit maximum absorption of the incoming laser beam (25-35%). Preference is given to Ni layers of 30-150 kPa.

반도체 (15) 및 유전체 (16) 재료의 전사층은 증발 또는 용액을 통해 적당한 유전체 상에 증착된 유기 반도체 재료를 포함할 수 있다. 유기 트랜지스터에 적당한 유전체층은 높은 유전 상수를 가진 재료를 포함한다. 유전체층의 전기용량은 일반적으로 10-8 F/㎠ 이상이다. 또한, 유전체층은 그의 입자 크기 및 그에 따른 전계 효과 이동도가 크도록 증발된 반도체에 적당한 계면을 제공해야 한다.The transfer layer of semiconductor 15 and dielectric 16 material may comprise an organic semiconductor material deposited on a suitable dielectric via evaporation or solution. Suitable dielectric layers for organic transistors include materials with high dielectric constants. The capacitance of the dielectric layer is generally at least 10 −8 F / cm 2. In addition, the dielectric layer should provide a suitable interface to the evaporated semiconductor so that its particle size and thus field effect mobility is large.

리시버 소자 (20)는 기판 (22) 및 선택적 접착제층 (24)을 포함한다. 기판 (22)은 치수적으로 안정한 시트 재료이다. 적당한 시트 재료는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에테르 술폰, 폴리이미드, 폴리(비닐 알코올-코-아세탈), 폴리에틸렌 또는 셀룰로스 아세테이트와 같은 셀룰로스 에스테르의 투명 필름을 포함한다. 리시버 기판은 또한 불투명 재료, 예를 들면 이산화 티탄과 같은 백색 안료로 충진된 폴리에틸렌 테레프탈레이트; 아이보리지; 또는 타이벡® 스펀본디드 폴리올레핀과 같은 합성지일 수도 있다.Receiver element 20 includes a substrate 22 and an optional adhesive layer 24. The substrate 22 is a dimensionally stable sheet material. Suitable sheet materials include transparent films of cellulose esters such as polyethylene terephthalate, polyether sulfone, polyimide, poly (vinyl alcohol-co-acetal), polyethylene or cellulose acetate. The receiver substrate also includes polyethylene terephthalate filled with an opaque material such as white pigments such as titanium dioxide; Ivory; Or synthetic paper such as Tyvek ® spunbonded polyolefin.

리시버 소자 (20)의 접착제층 (24)은 임의의 낮은 Tg 중합체일 수 있다. 적당한 접착제 재료는 폴리카보네이트; 폴리우레탄; 폴리에스테르; 폴리비닐 클로라이드; 스티렌/아크릴로니트릴 공중합체; 폴리(카프로락톤); 에틸렌 및(또는) 비닐 클로라이드와의 비닐아세테이트 공중합체; (메트)아크릴레이트 단독중합체 (예를 들면, 부틸-메타크릴레이트) 및 공중합체; 및 그의 혼합물을 포함한다. 감압식 접착제가 사용될 수도 있다. The adhesive layer 24 of the receiver element 20 may be any low Tg polymer. Suitable adhesive materials include polycarbonates; Polyurethane; Polyester; Polyvinyl chloride; Styrene / acrylonitrile copolymers; Poly (caprolactone); Vinyl acetate copolymers with ethylene and / or vinyl chlorides; (Meth) acrylate homopolymers (eg, butyl-methacrylate) and copolymers; And mixtures thereof. Pressure sensitive adhesives may also be used.

본 발명의 방법에서, 도 1의 도너 소자 (10) 및 리시버 소자 (20)는 접촉되어 어셈블리 (30)를 형성한다. 전사층 (17)의 외표면은, 존재하는 경우 접착제 코팅 (24)과 접촉된다. 접착제 코팅 (24)이 존재하지 않는다면, 전사층 (17)의 외표면은 리시버 기판 (22)과 접촉한다. In the method of the invention, the donor element 10 and the receiver element 20 of FIG. 1 are contacted to form the assembly 30. The outer surface of the transfer layer 17, if present, is in contact with the adhesive coating 24. If no adhesive coating 24 is present, the outer surface of the transfer layer 17 is in contact with the receiver substrate 22.

진공 및(또는) 압력을 이용하여 도너 소자 (10) 및 리시버 소자 (20)를 함께 유지하여 어셈블리 (30)를 형성할 수 있다. 한 실시태양에서, 도너 소자 (10) 및 리시버 소자 (20)는 어셈블리의 주변에서 층들을 융합함으로써 함께 유지될 수 있다. 다른 실시태양에서, 도너 소자 (10) 및 리시버 소자 (20)는 함께 테이핑되고 그후에 영상화 장치에 테이핑된다. 핀/클램핑 시스템이 사용될 수도 있다. 또다른 실시태양에서, 도너 소자는 리시버 소자에 적층될 수 있다. 도너 소자 (10) 및 리시버 소자 (20)가 가요성인 경우, 어셈블리 (30)는 드럼 상에 편리하게 장착되어 레이저 영상화를 용이하게 할 수 있다. The donor element 10 and the receiver element 20 can be held together using vacuum and / or pressure to form the assembly 30. In one embodiment, donor element 10 and receiver element 20 may be held together by fusing the layers at the periphery of the assembly. In another embodiment, donor element 10 and receiver element 20 are taped together and then taped to the imaging device. Pin / clamping systems may be used. In another embodiment, the donor element can be stacked on the receiver element. When donor element 10 and receiver element 20 are flexible, assembly 30 may be conveniently mounted on a drum to facilitate laser imaging.

어셈블리 (30)는 기판 상에 형성될 목적하는 패턴의 노광 패턴으로, 레이저 방사선 (R)에 선택적으로 노광된다 (도 1 참조). 레이저 방사선 또는 레이저 빔 (R)은 유전체층 (16)과 가열층 (18) 사이 계면의 일부분 상에 집속된다. 유전체층 (16)의 노광 부분은 배출층 (14)의 인접 부분을 가열하여 배출층 (14)의 분해 및 기화를 야기시켜 전사층 (17)의 노광 부분을 리시버 상에 추진시킨다. 그에 따라 유전체 (16) 및 반도체 재료 (15)의 전사층 (17)의 목적하는 부분이 리시버 소자 (20)에 전사되어 재료의 불필요한 패턴이 기판 (12) 상에 남겨진다. The assembly 30 is selectively exposed to the laser radiation R in an exposure pattern of a desired pattern to be formed on the substrate (see FIG. 1). Laser radiation or laser beam R is focused on a portion of the interface between dielectric layer 16 and heating layer 18. The exposed portion of the dielectric layer 16 heats adjacent portions of the discharge layer 14 to cause decomposition and vaporization of the discharge layer 14 to propel the exposed portion of the transfer layer 17 onto the receiver. As a result, the desired portions of the dielectric layer 16 and the transfer layer 17 of the semiconductor material 15 are transferred to the receiver element 20, leaving an unnecessary pattern of material on the substrate 12.

노광 후에, 도너 소자 (10) 및 리시버 소자 (20)는 분리되어 유전체 (16) 및 반도체 (15) 층의 불필요한 부분이 기판 (12) 상에 남겨지고 전사층 (17)의 영상화 부분은 리시버 소자 (20) 상에 남겨진다. 그후에, 형성된 다층 구조는 더 가공되어 목적하는 유기 전자 소자를 형성할 수 있다. 예를 들면, 유기 반도체 재료의 유기 박막 트랜지스터는 본 발명의 방법을 이용하여 제작될 수 있다. After exposure, the donor element 10 and the receiver element 20 are separated such that unnecessary portions of the dielectric 16 and semiconductor 15 layers are left on the substrate 12 and the imaging portions of the transfer layer 17 are receiver elements. 20 is left on. Thereafter, the formed multilayer structure can be further processed to form the desired organic electronic device. For example, an organic thin film transistor of an organic semiconductor material can be fabricated using the method of the present invention.

방사선은 바람직하게는 도 1에 도시된 바와 같이 기판 소자 (12)를 통해 가해진다. 레이저 방사선은 약 600 mJ/㎠ 이하, 바람직하게는 약 75-440 mJ/㎠의 레이저 조사량으로 제공될 수 있다. 다양한 유형의 레이저를 전사층 (17)의 노광에 이용할 수 있다. 레이저는 바람직하게는 적외선, 근적외선 또는 가시 영역에서 방출된다. 작은 크기, 저비용, 안정성, 신뢰성, 견고성 및 변조 용이함으로 인해 750 내지 870 ㎚의 영역에서 방출되는 다이오드 레이저가 특히 유리하다. 780 내지 850 ㎚의 범위에서 방출되는 다이오드 레이저가 가장 바람직하다. 그러한 레이저는 스펙트라 다이오드 라보라토리스 (Spectra Diode Laboratories; San Jose, CA)로부터 입수가능하다. 다른 유형의 레이저 및 다른 파장 밴드에서 방출하는 레이저가 또한 이용될 수 있다. The radiation is preferably applied through the substrate element 12 as shown in FIG. The laser radiation may be provided at a laser dosage of about 600 mJ / cm 2 or less, preferably about 75-440 mJ / cm 2. Various types of lasers can be used to expose the transfer layer 17. The laser is preferably emitted in the infrared, near infrared or visible region. Diode lasers emitting in the region of 750-870 nm are particularly advantageous because of their small size, low cost, stability, reliability, robustness and ease of modulation. Most preferred are diode lasers emitting in the range of 780 to 850 nm. Such lasers are available from Spectra Diode Laboratories (San Jose, Calif.). Other types of lasers and lasers emitting in other wavelength bands may also be used.

본 발명의 방법은 또한 전사 과정에서 발생되는 열에 직접 노출되는 보호층을 제공함으로써 약 100 내지 150 Å 만큼 얇은 재료의 층들을 전사하기 위한 열 영상화 방법으로서 이용될 수 있다. 더 두꺼운 층들 (즉, 150 Å 초과)이 또한 전사될 수도 있다. The method of the present invention can also be used as a thermal imaging method for transferring layers of material as thin as about 100 to 150 microns by providing a protective layer that is directly exposed to the heat generated during the transfer process. Thicker layers (ie, greater than 150 mm 3) may also be transferred.

도 2는 기판 (100) 상에 제작된 박막 고분자 트랜지스터 (104)의 하부 접촉 구조의 측면도를 나타낸다. 트랜지스터 (104)는 기판 (100) 상의 소스 (112) 및 드레인 (114); 각 소스 (112) 및 드레인 (114) 상의 유기 반도체 재료 (116); 절연층을 형성하는, 유기 반도체 재료 상의 유전체 재료층 (118); 및 게이트 전극 (120)을 형성하는, 절연층 (118) 상의 전도체 재료층을 포함한다. 2 shows a side view of the bottom contact structure of the thin film polymer transistor 104 fabricated on the substrate 100. Transistor 104 includes source 112 and drain 114 on substrate 100; Organic semiconductor material 116 on each source 112 and drain 114; A dielectric material layer 118 on the organic semiconductor material, forming an insulating layer; And a layer of conductor material on insulating layer 118, which forms gate electrode 120.

도 2는 또한 상부-접촉 (하부-게이트) 구조의 TFT (102)를 나타낸다. 이 TFT는 기판 (100) 상의 게이트 전극 (120); 게이트층의 상의 유전체 재료층 (118); 유전체 상의 소스 (112) 및 드레인 (114); 소스 (112) 및 드레인 (114) 상의 반도체층 (116); 및 캡슐화 층 (119)으로서 작용하는 추가의 유전체층 (이 도면에서는 도시하지 않음)을 포함한다. 상부 접촉 TFT 구조 (102)에서, 목적하는 게이트 패턴 (120)을 형성한 후에, 열 영상화에 의해, 또는 별법에 의해 유전체층 (118)을 도포하고, 이어서 반도체층 (116)을 증착시킨다. 한 세트의 소스 (112) 및 드레인 (114)을 유기 반도체 재료 (116)의 패턴 상부 위에 도포한다. 캡슐화층 (119)은 소스 (112) 및 드레인 (114) 상에 도포된다. 상부 접촉 구조에서, 제2 유전체층 (캡슐화층 (119))은 분해없이 반도체층의 전사를 도울 뿐만 아니라 배리어층으로서 작용한다. 게이트 전극 (118), 소스 (112) 및 드레인 (114)이 전위에 접속된다면, 게이트 전극 (118)이 작동될 때 전류는 소스 (112)로부터 유기 반도체 재료 (116)를 거쳐 드레인 (114)으로 흐를 것이다. 2 also shows a TFT 102 in a top-contacting (bottom-gate) structure. This TFT includes a gate electrode 120 on the substrate 100; A dielectric material layer 118 on top of the gate layer; Source 112 and drain 114 on the dielectric; Semiconductor layer 116 on source 112 and drain 114; And an additional dielectric layer (not shown in this figure) that acts as encapsulation layer 119. In the top contact TFT structure 102, after forming the desired gate pattern 120, the dielectric layer 118 is applied by thermal imaging or alternatively, and then the semiconductor layer 116 is deposited. A set of source 112 and drain 114 is applied over the patterned top of the organic semiconductor material 116. Encapsulation layer 119 is applied over source 112 and drain 114. In the top contact structure, the second dielectric layer (encapsulation layer 119) not only assists the transfer of the semiconductor layer without decomposition but also acts as a barrier layer. If gate electrode 118, source 112 and drain 114 are connected to a potential, current flows from source 112 through organic semiconductor material 116 to drain 114 when gate electrode 118 is actuated. Will flow.

열 영상화를 통해 생산될 때 소스 (112)와 드레인 (114) 사이의 갭은 1 픽셀 (5 미크론) 만큼 작을 수 있다. 소스 (112) 및 드레인 (114)의 두께는 약 100 Å 내지 약 10,000 Å일 수 있다. 유전체층 (118)의 두께는 약 100 Å 내지 약 15,000 Å일 수 있다. 반도체층 (116)의 두께는 열 증발을 통해 증착되는 경우 약 50 Å 내지 약 2000 Å일 수 있고 용액으로부터 캐스팅되는 경우 10,000 Å 이하일 수 있다. 하부 접촉 TFT에서, 유기 반도체 및 유전체 재료의 패턴은 소스 (112) 및 드레인 (114) 상에 도포된다. When produced through thermal imaging, the gap between source 112 and drain 114 may be as small as 1 pixel (5 microns). The thickness of the source 112 and drain 114 may be from about 100 kPa to about 10,000 kPa. The thickness of the dielectric layer 118 may be between about 100 GPa and about 15,000 GPa. The thickness of the semiconductor layer 116 may be from about 50 kPa to about 2000 kPa when deposited via thermal evaporation and up to 10,000 kPa when cast from solution. In the bottom contact TFT, a pattern of organic semiconductor and dielectric material is applied on the source 112 and the drain 114.

본 발명의 방법은 고분자 발광 디스플레이를 제작하는데 이용될 수 있다. 도 3은 PLED의 측면도를 나타낸다. 가요성 기판 (200)은 디스플레이의 애노드 (201)를 구성하는 ITO로 코팅된다. 전하 주입층 (202) 및 발광 중합체 (203)가 상부 위에 코팅된다. The method of the present invention can be used to fabricate polymer light emitting displays. 3 shows a side view of a PLED. The flexible substrate 200 is coated with ITO, which constitutes the anode 201 of the display. Charge injection layer 202 and light emitting polymer 203 are coated on top.

비제한적 실시예는 본원에 청구되고 기재된, 얇은 유전체 및 반도체 층의 전사 방법을 입증한다. 하기 양들은 중량%로 제공된다. CREO 유니트는 둘레가 91 ㎝인 81.2 ㎝ 길이 드럼으로 이루어졌다. CREO 3244 스펙트럼 트렌드세터 익스플로저 유니트 (Spectrum Trendsetter Exposure Unit; Creo-Scitex, Inc. (Vancouver, Canada 소재)로부터 입수가능함)는 1 마이크로초 펄스 폭으로 830 ㎚에서 레이저 빔을 방출하는 20 와트 적외선 다이오드 레이저를 포함하였다. 레이저 빔을 광 밸브로 분할하여 240 오버랩핑 5 미크론 x 2 미크론 스팟 어레이를 형성하였다. GMA는 글리시딜 메틸 아크릴레이트이고, MMA는 메틸 메타크릴레이트이고, BA는 부틸 아크릴레이트이고, MAA는 메타크릴산이다. Non-limiting examples demonstrate a method of transferring thin dielectric and semiconductor layers, as claimed and described herein. The following amounts are given in weight percent. The CREO unit consisted of an 81.2 cm long drum with a perimeter of 91 cm. The CREO 3244 Spectrum Trendsetter Exposure Unit (available from Creo-Scitex, Inc., Vancouver, Canada) is a 20-watt infrared diode laser that emits a laser beam at 830 nm with a pulse width of 1 microsecond. It included. The laser beam was split into light valves to form a 240 overlapping 5 micron x 2 micron spot array. GMA is glycidyl methyl acrylate, MMA is methyl methacrylate, BA is butyl acrylate, and MAA is methacrylic acid.

실시예 1Example 1

다음 실시예에 기재된 하부 접촉 구조의 TFT를 4개의 도너 소자를 이용하여 열 영상화를 통해 프린팅하였다. 각 도너 소자는 전자 빔 증착에 의해 약 40% 광학 투과율까지 100 Å의 니켈로 코팅된, 이.아이. 듀폰 드 네모아스 인크. (E.I. DuPont de Nemours, Inc.; Wilmington, DE)로부터 입수가능한 미라르 (Mylar)®, 400D 광학적 투명도의 4 mil (0.0363 ㎜) 두께의 기판을 포함하였다.The TFT of the bottom contact structure described in the following example was printed through thermal imaging using four donor elements. Each donor element was coated with 100 kPa of nickel to about 40% optical transmission by electron beam deposition. Dupont de Nemoas Inc. And it contained a commercially available US L'(Mylar) ®, 400D of 4 mil (0.0363 ㎜) The thickness of the optically transparent substrate from (EI DuPont de Nemours, Inc .; Wilmington, DE).

사용된 폴리아닐린 (PANI)는 미국 특허 제5,863,465호에 개략된 절차에 따라서 유화 중합을 통해 제조하였다. 디노닐나프탈렌 술폰산 (DNNSA)을 도펀트로서 사용하였다. 도핑된 PANI는 이후에 PANI-DNNSA로서 칭하였다. 산으로부터의 황 원자의 몰이 PANI의 골격내의 질소 원자의 몰과 동일하도록 DNNSA의 첨가를 조절하였다. 이는 형성된 PANI-DNNSA를 세척, 분리 및 건조시킨 후에 원소 분석함으로써 확인되었다. 탄소 나노튜브를 다음 절차를 이용하여 혼 프로브가 있는 음향 두칸 (Dukane) 소니케이터를 사용하여 PANI-DNNSA에 분산시켰다. 레이저 탄소 나노튜브 59 ㎎ (CNI, Houston, TX) 및 19.03 g 크실렌을 2 oz. 병에서 혼합하였다. 안정한 혼합 와동이 관찰되도록 하는 혼합물 깊이에 혼 프로브가 잠겨지도록 하여 10분 동안 분산시켰다. PANI-DNNSA (5.9 g, 크실렌 중의 32.9% 고형분)를 나노튜브/크실렌 혼합물에 첨가하였다. 결과 혼합물을 추가로 5분 동안 분산시켰으며, 그 동안 탄소 나노튜브를 병의 벽에서 헹구어내기 위해 병을 2회 흔들었다. DNNSA-PANI/SWNT 용액을 #10 메이어 막대를 이용하여 전자-빔 증착된 Ni 층 상에 1.2 미크론 두께로 코팅하였다. 필름은 건조 후에 3 중량% NT 및 97 중량% 폴리아닐린을 함유하였다. DNNSA-PANI/SWNT 도너 소자를 게이트 및 소스 및 드레인을 프린팅하는데 이용하였다.Polyaniline (PANI) used was prepared via emulsion polymerization according to the procedure outlined in US Pat. No. 5,863,465. Dinonylnaphthalene sulfonic acid (DNNSA) was used as the dopant. The doped PANI was hereinafter referred to as PANI-DNNSA. The addition of DNNSA was adjusted such that the moles of sulfur atoms from the acid were equal to the moles of nitrogen atoms in the backbone of PANI. This was confirmed by elemental analysis after washing, separation and drying of the formed PANI-DNNSA. Carbon nanotubes were dispersed in PANI-DNNSA using an acoustic Dukane sonicator with horn probe using the following procedure. 2 oz. Of laser carbon nanotubes 59 mg (CNI, Houston, TX) and 19.03 g xylene. Mixed in the bottle. The horn probe was immersed in the mixture for 10 minutes to allow stable mixing vortex to be observed. PANI-DNNSA (5.9 g, 32.9% solids in xylene) was added to the nanotube / xylene mixture. The resulting mixture was dispersed for an additional 5 minutes during which the bottle was shaken twice to rinse the carbon nanotubes off the wall of the bottle. The DNNSA-PANI / SWNT solution was coated to a 1.2 micron thickness on the electron-beam deposited Ni layer using a # 10 Meyer rod. The film contained 3 wt% NT and 97 wt% polyaniline after drying. DNNSA-PANI / SWNT donor devices were used to print gates and sources and drains.

유전체-반도체 층에 대한 도너 소자는 폴리-비닐 피렐렌을 Ni-코팅된 미라르® 필름 상에 1.1 미크론 두께로 코팅하여 제조하였다. 그후에, 펜타센 (Sigma-Aldrich, Milwaukee, WI)을 쿠르트 레스커 (Kurt Lesker) 증발기를 이용하여 유전체-반도체 층 상에 증발시켰다. 펜타센 필름을 6" x 6" 면 상에 0.3 Å의 속도로 실온에서 증발시켰다. 펜타센 층의 두께는 석영 결정을 이용하여 측정한 바와 같이 250 Å이었다. 3" x 3" 후면을 다음과 같이 프린팅하였다.The donor device for the dielectric-semiconductor layer was made by coating poly-vinyl pyrelene with a thickness of 1.1 microns on a Ni-coated Mirar ® film. Pentacene (Sigma-Aldrich, Milwaukee, Wis.) Was then evaporated onto the dielectric-semiconductor layer using a Kurt Lesker evaporator. The pentacene film was evaporated at room temperature at a rate of 0.3 kPa on the 6 "x 6" side. The thickness of the pentacene layer was 250 mm 3 as measured using quartz crystals. The 3 "x 3" backside was printed as follows.

DNNSA-PANI/SWNT 도너 소자 및 리시버 소자를 CREO 3244 스펙트럼 트렌드세터 익스플로저 유니트 상에 부하하였다. 리시버 소자는 39 ℃의 유리 전이 온도를 가진, GMA 2%/MMA 51%/BA 40%/MAA 3% 라텍스 (33 중량% 고형분)로부터 얻은 1.4 미크론 필름으로 코팅된 4 mil 미라르® 필름이었다.The DNNSA-PANI / SWNT donor element and receiver element were loaded on the CREO 3244 Spectrum Trendsetter Explorer Unit. The receiver device was a 4 mil mirar ® film coated with 1.4 micron film obtained from GMA 2% / MMA 51% / BA 40% / MAA 3% latex (33 wt% solids) with a glass transition temperature of 39 ° C.

소스 및 드레인 층을 3.45 와트의 레이저 조사량으로 프린팅하고 드럼 속도를 100 RPM으로 유지하였다. 레이저 빔을 니켈과 DNNSA-PANI/SWNT 층 사이의 계면에 집속시켰다. 니켈은 유입 레이저 빔을 흡수하여 그의 계면에서 유기물을 부분적으로 분해하고, 가스상 분해 생성물은 DNNSA-PANI/SWNT 전도층의 노광 부분을 리시버 소자 상에 추진하였다. 소스 및 드레인의 형성이 완결된 후에, 반도체-유전체 도너를 DNNSA-PANI/SWNT 도너 소자 대신에 3244 트렌드세터 상에 부하하였다. 반도체-유전체 도너 소자를 7 와트로 노광시켰다. 다른 도너 소자를 제거하고 재위치시킨 후에 픽셀 수준으로의 레지스트레이션을 유지하였다. 리시버 소자 상의 코팅의 유리 전이가 낮으므로, 전사된 반도체 표면은 리시버 소자에 부착되기에 충분히 점착성이었다. The source and drain layers were printed with a laser dose of 3.45 watts and the drum speed was maintained at 100 RPM. The laser beam was focused at the interface between the nickel and the DNNSA-PANI / SWNT layer. Nickel absorbed the incoming laser beam and partially decomposed the organics at its interface, and the gas phase decomposition product pushed the exposed portion of the DNNSA-PANI / SWNT conductive layer onto the receiver element. After the formation of the source and drain was completed, the semiconductor-dielectric donor was loaded on a 3244 trendsetter instead of the DNNSA-PANI / SWNT donor device. The semiconductor-dielectric donor element was exposed to 7 watts. Registration at the pixel level was maintained after the other donor device was removed and repositioned. Since the glass transition of the coating on the receiver element is low, the transferred semiconductor surface was tacky enough to adhere to the receiver element.

마지막으로, 게이트를 소스 및 드레인의 프린팅에서 이미 설명된 DNNSA-PANI/SWNT 도너 소자를 이용하여 전사된 유전체 층의 상부에 프린팅하였다. 게이트 층을 3.6 와트로 노광하였다. Finally, the gate was printed on top of the transferred dielectric layer using the DNNSA-PANI / SWNT donor device described previously in the printing of the source and drain. The gate layer was exposed to 3.6 watts.

프린트된 트랜지스터 중의 하나의 IV 특징을 동일한 범위인 0 내지 -100 V 및 Vsd 범위의 게이트 전압에 대해 도 4에 나타내었다. 프린트된 트랜지스터의 스캔 영상을 또한 도 5에 나타내었다. An IV characteristic of one of the printed transistors is shown in FIG. 4 for gate voltages in the same range of 0 to -100 V and Vsd. The scanned image of the printed transistor is also shown in FIG. 5.

Claims (28)

a. i. 기판; 및 a. i. Board; And ii. 취약성 또는 감열성 재료, 및 상기 기판과 상기 취약성 또는 감열성층 사이에 위치된 보호층을 포함하는 전사층    ii. A transfer layer comprising a fragile or thermosensitive material and a protective layer positioned between the substrate and the fragile or thermosensitive layer 을 포함하는 도너 소자를 형성하는 단계; Forming a donor element comprising a; b. 도너 소자의 전사층을 리시버 소자와 접촉시키는 단계; b. Contacting the transfer layer of the donor element with the receiver element; c. 도너 소자의 선택된 면을 레이저 방사선에 노광시켜 전사층의 일부분을 리시버 소자 상으로 전사하여 포지티브 영상화된 패턴화 다층 구조를 형성하는 단계c. Exposing a selected side of the donor element to laser radiation to transfer a portion of the transfer layer onto the receiver element to form a positive imaged patterned multilayer structure. 를 포함하는 방법. How to include. 제1항에 있어서, 도너 소자가 전사층과 기판 사이에 배출층을 더 포함하는 것인 방법. The method of claim 1, wherein the donor element further comprises a discharge layer between the transfer layer and the substrate. 제2항에 있어서, 배출층이 275 ℃ 미만의 분해 온도를 가진 유기 재료를 포함하는 것인 방법. The method of claim 2, wherein the discharge layer comprises an organic material having a decomposition temperature of less than 275 ° C. 4. 제3항에 있어서, 배출층이 니트로셀룰로스, 폴리비닐 클로라이드, 염소화 폴리비닐 클로라이드, 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메틸메타크릴레이트 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 것인 방법. The method of claim 3 wherein the exit layer is selected from the group consisting of nitrocellulose, polyvinyl chloride, chlorinated polyvinyl chloride, polymethylmethacrylate and polymethylmethacrylate copolymers. 제2항에 있어서, 배출층이 방사선 흡수 염료를 더 포함하는 것인 방법. The method of claim 2, wherein the emissive layer further comprises a radiation absorbing dye. 제5항에 있어서, 방사선 흡수 염료가 적외선 흡수 염료인 것인 방법. The method of claim 5 wherein the radiation absorbing dye is an infrared absorbing dye. 제6항에 있어서, 적외선 흡수 염료가 2-[2-[2-클로로-3-[(1,3-디히드로-1,3,3-트리메틸-2H-인돌-2-일리덴)에틸리덴]-1-시클로펜텐-1-일]에테닐]-1,3,3-트리메틸-3H-인돌륨, 이의 트리플루오로메탄 술폰산과의 염 (1:1); 2-[2-[2-클로로-3-[[1,3-디히드로-1,1-디메틸-3-(4-술포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴]에틸리덴]-1-시클로헥센-1-일]에테닐]-1,1-디메틸-3-(4-술포부틸)-1H-벤즈[e]인돌륨, 이의 내부염, 이의 유리산; 및 4-[[3-[[2,6-비스(1,1-디메틸에틸)-4H-티오피란-4-일리덴]메틸]-2-히드록시-4-옥소-2-시클로부텐-1-일리덴]메틸]-2,6-비스(1,1-디메틸에틸)-티오피릴륨, 이의 내부 염으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 방법. The method of claim 6 wherein the infrared absorbing dye is 2- [2- [2-chloro-3-[(1,3-dihydro-1,3,3-trimethyl-2H-indol-2-ylidene) ethylidene ] -1-cyclopenten-1-yl] ethenyl] -1,3,3-trimethyl-3H-indoleium, its salt with trifluoromethane sulfonic acid (1: 1); 2- [2- [2-chloro-3-[[1,3-dihydro-1,1-dimethyl-3- (4-sulfobutyl) -2H-benz [e] indol-2-ylidene] ethyl Lidene] -1-cyclohexen-1-yl] ethenyl] -1,1-dimethyl-3- (4-sulfobutyl) -1H-benz [e] indolium, internal salts thereof, free acids thereof; And 4-[[3-[[2,6-bis (1,1-dimethylethyl) -4H-thiopyran-4-ylidene] methyl] -2-hydroxy-4-oxo-2-cyclobutene- 1-ylidene] methyl] -2,6-bis (1,1-dimethylethyl) -thiopyryllium, the internal salt thereof. 제1항에 있어서, 도너 소자의 기판이 가요성 필름인 것인 방법. The method of claim 1, wherein the substrate of the donor element is a flexible film. 제8항에 있어서, 가요성 필름이 폴리에스테르, 폴리에테르 술폰, 폴리비닐 클로라이드, 폴리이미드, 폴리(비닐 알코올-코-아세탈), 폴리에틸렌 및 셀룰로스 에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 고분자를 포함하는 것인 방법. The flexible film of claim 8, wherein the flexible film comprises a polymer selected from the group consisting of polyester, polyether sulfone, polyvinyl chloride, polyimide, poly (vinyl alcohol-co-acetal), polyethylene, and cellulose esters. Way. 제1항에 있어서, 취약성 또는 감열성 재료가 전기활성 유기 재료를 포함하는 것인 방법. The method of claim 1, wherein the fragile or thermosensitive material comprises an electroactive organic material. 제10항에 있어서, 전기활성 유기 재료가 발광 고분자 재료 또는 발광 소분자를 포함하고, 보호층이 전하 주입층을 포함하고, 리시버 소자가 기판 및 애노드 층을 포함하는 것인 방법. The method of claim 10, wherein the electroactive organic material comprises a light emitting polymer material or a light emitting small molecule, the protective layer comprises a charge injection layer, and the receiver element comprises a substrate and an anode layer. 제11항에 있어서, 애노드 층이 인듐 주석 산화물을 포함하는 것인 방법. The method of claim 11, wherein the anode layer comprises indium tin oxide. 제12항의 방법에 따라 제조된 고분자 발광 다이오드. A polymer light emitting diode prepared according to the method of claim 12. 제1항에 있어서, 취약성 또는 감열성 재료가 유기 또는 무기 반도체를 포함하고 보호층이 유전체 재료를 포함하는 것인 방법. The method of claim 1, wherein the fragile or thermosensitive material comprises an organic or inorganic semiconductor and the protective layer comprises a dielectric material. 제14항에 있어서, 유기 반도체가 펜타센, 섹시티오펜, 테트라센, 폴리티에닐렌비닐렌, 티오펜 올리고머, 벤조티오펜 다이머 및 폴리아세틸렌으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 방법. The method of claim 14, wherein the organic semiconductor is selected from the group consisting of pentacene, sexythiophene, tetracene, polythienylenevinylene, thiophene oligomer, benzothiophene dimer, and polyacetylene. 제14항에 있어서, 유전체 재료가 폴리히드록시스티렌, 폴리비닐페놀, 폴리비닐피리딘, 유리 수지, 플루오르화 공중합체 및 메타크릴산 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 것인 방법. The method of claim 14, wherein the dielectric material is selected from the group consisting of polyhydroxystyrene, polyvinylphenol, polyvinylpyridine, glass resin, fluorinated copolymer, and methacrylic acid copolymer. 제14항에 있어서, 리시버 소자가 기판 및 패턴화 전도층을 포함하는 것인 방법.The method of claim 14, wherein the receiver element comprises a substrate and a patterned conductive layer. 제17항에 있어서, 리시버 소자의 기판이 미네랄 충진 폴리에스테르, 아이보리지 또는 스펀본디드 폴리올레핀을 포함하는 것인 방법. 18. The method of claim 17, wherein the substrate of the receiver device comprises mineral filled polyester, ivory or spunbonded polyolefin. 제14항에 있어서, 리시버 소자가 접착제층을 더 포함하는 것인 방법. The method of claim 14, wherein the receiver element further comprises an adhesive layer. 제19항에 있어서, 접착제층이 폴리카보네이트; 폴리우레탄; 폴리에스테르; 폴리비닐 클로라이드; 스티렌/아크릴로니트릴 공중합체; 폴리(카프로락톤); 에틸렌과 비닐 클로라이드 중 적어도 하나와의 비닐아세테이트 공중합체; (메트)아크릴레이트 단독중합체; (메트)아크릴레이트 공중합체; 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 고분자를 포함하는 것인 방법. 20. The method of claim 19, wherein the adhesive layer is polycarbonate; Polyurethane; Polyester; Polyvinyl chloride; Styrene / acrylonitrile copolymers; Poly (caprolactone); Vinyl acetate copolymers of at least one of ethylene and vinyl chloride; (Meth) acrylate homopolymers; (Meth) acrylate copolymers; And a polymer selected from the group consisting of mixtures thereof. 제14항에 있어서, 도너 소자가 전사층과 기판 사이에 배출층을 더 포함하는 것인 방법. The method of claim 14, wherein the donor element further comprises a drainage layer between the transfer layer and the substrate. 제14항에 있어서, 도너 소자가 기판과 전사층 사이에 가열층을 더 포함하는 것인 방법. The method of claim 14, wherein the donor element further comprises a heating layer between the substrate and the transfer layer. 제22항에 있어서, 가열층이 Ni, Al 또는 Cr의 박막층을 포함하는 것인 방법. The method of claim 22, wherein the heating layer comprises a thin layer of Ni, Al, or Cr. 제17항에 있어서, 패턴화 전도층이 트랜지스터에 대한 소스 (source)와 드레인 (drain)을 포함하는 것인 방법. The method of claim 17, wherein the patterned conductive layer comprises a source and a drain for the transistor. 제24항에 있어서, 패턴화 전도층이 연결선을 더 포함하는 것인 방법. The method of claim 24, wherein the patterned conductive layer further comprises a connecting line. a. 기판; a. Board; b. 가열층; b. Heating layer; c. 보호층; 및 c. Protective layer; And d. 취약성 또는 감열성층 d. Vulnerable or Thermal Layers 을 포함하는 열 영상화가능한 도너 소자. Thermal imageable donor device comprising a. 제26항에 있어서, 기판이 폴리에스테르, 폴리에테르 술폰, 폴리비닐 클로라이드, 폴리이미드, 폴리(비닐 알코올-코-아세탈), 폴리에틸렌 및 셀룰로스 에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 고분자를 포함하는 가요성 필름이고; 가열층이 Ni, Al 또는 Cr의 박막층을 포함하고; 보호층이 유전체 재료 또는 전하 주입 재료를 포함하고; 취약성 또는 감열성층이 유기 반도체, 발광 고분자, 또는 발광 소분자를 포함하는 것인 열 영상화가능한 도너 소자. 27. The flexible film of claim 26, wherein the substrate is a flexible film comprising a polymer selected from the group consisting of polyesters, polyether sulfones, polyvinyl chlorides, polyimides, poly (vinyl alcohol-co-acetals), polyethylenes and cellulose esters ; The heating layer comprises a thin film layer of Ni, Al or Cr; The protective layer comprises a dielectric material or a charge injection material; A thermally imageable donor element wherein the fragile or heat sensitive layer comprises an organic semiconductor, a light emitting polymer, or a light emitting small molecule. 제27항에 있어서, 취약성 또는 감열성층이 용액으로부터의 증발 또는 캐스팅을 통해 보호층 상에 증착되는 것인 도너 소자. The donor device of claim 27, wherein the fragile or thermosensitive layer is deposited on the protective layer through evaporation or casting from solution.
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