KR20050096532A - 전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치 - Google Patents

전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050096532A
KR20050096532A KR1020040021935A KR20040021935A KR20050096532A KR 20050096532 A KR20050096532 A KR 20050096532A KR 1020040021935 A KR1020040021935 A KR 1020040021935A KR 20040021935 A KR20040021935 A KR 20040021935A KR 20050096532 A KR20050096532 A KR 20050096532A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
electron
insulating layer
opening
Prior art date
Application number
KR1020040021935A
Other languages
English (en)
Inventor
유승준
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040021935A priority Critical patent/KR20050096532A/ko
Priority to US11/090,701 priority patent/US7432645B2/en
Priority to JP2005099614A priority patent/JP2005294262A/ja
Priority to CNA2005100783197A priority patent/CN1700397A/zh
Publication of KR20050096532A publication Critical patent/KR20050096532A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48—Electron guns
    • H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 방출 전자의 집속효과를 향상시킬 수 있는 전자방출소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치에 관한 것으로, 기판 상에 소정거리로 서로 이격되어 형성된 제1 전극과 제2 전극과, 제1 전극과 제2 전극 상에 형성되며, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 포함하는 절연층과, 개구부를 통해 노출되고 제1 전극의 소정영역 상에 형성된 전자 에미터와, 절연층 상부에 형성되며, 제2 전극과 접속된 제3 전극을 포함하여 구성되며, 제1 전극과 제2 전극에 전압차를 인가하여 전자 에미터로 부터 전자가 방출될 때 제3 전극에 의해 전자가 집속되는 전자방출소자를 제공한다.

Description

전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치{ELECTRON EMISSION DEVICE AND ELECTRON EMISSION DISPLAY USING THE SAME}
본 발명은 전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 방출 전자의 집속효과를 향상시킬 수 있는 전자방출소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치를 제공한다.
전자방출 표시장치(Electron Emission device)는 전자를 방출시키는 전자방출부와 방출된 전자를 형광층에 충돌시켜 이를 발광시킴으로써 영상이 구현되도록 하는 화상부로 구성되어 있다. 전자방출 표시장치는 전계방출 표시장치를 포함하는 개념이다. 전계방출 표시장치(FED; field emission display)는 캐소드 전극에 마련된 에미터로부터 전자를 방출시키고, 방출된 전자를 애노드 전극에 마련된 형광층에 충돌시켜 이를 발광시킴으로써 영상을 구현하는 표시장치로서, 캐소드 전극과 게이트 전극 및 애노드 전극을 구비한 3극관 구조가 널리 사용되고 있다.
우수한 전자방출 표시장치를 제조하기 위한 시도로서, 충분한 휘도와 고정세가 요구되고 있다. 충분한 휘도를 가진 형광을 방출하기 위해서는 충분한 방출전류가 필요하고, 고정세의 표시장치를 구현하기 위해서는 형광체 위에 집속되는 전자빔의 직경이 작아야 한다. 따라서, 전자방출소자로 부터 방출되는 전자빔의 직경을 감소시키기 위한 방법들이 제안되었다.
제안된 방법 중 일예로 캐소드판과 에노드판 사이에 전원을 인가할 수 있는 포커싱 전극이 추가로 포함되는 구조가 미국특허 제5,508,584호에 개시되어 있다. 도 1은 종래 기술에 의한 전자방출 표시장치 일부의 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 캐소드판(50)는 하부기판(52) 상에 버퍼층(54)이 형성되어 있고, 그 위에 캐소드 전극(56)이 구비되고, 캐소드 전극(56) 상에 패터닝된 게이트 홀(64) 내에 마이크로팁(60)이 구비된다. 상기 게이트 홀(64)은 순차적으로 적층된 게이트 절연층(58) 및 게이트 전극(62)을 패터닝한다.
그리고 애노드판(48)은 상부기판(32) 상에 투명전극(34) 및 형광물질(44)이 순차적으로 적층된 형광체(44)를 포함한다. 여기서 형광체(44)는 마이크로팁(60) 각각에 대응하도록 구비된다. 또한 형광체(44)에 전원을 인가하는 전원부(미도시)가 구비된다.
이에 따라 포커싱 전극(38)은 방출된 전자를 집속하여 기설정된 형광체(44)에 정확하게 충돌되도록 한다. 그러나 포커싱 전극(38)은 절연층(36) 및 전극층(34)을 순차적으로 적층하여 이를 패터닝하기 때문에 공정수가 증가됨으로써 제조공정에 따른 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 이러한 포거싱 전극(38)을 사용하더라도 여전히 전자빔의 집속이 만족할 정도로 이루어지지 못하는 문제점이 있었다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 전자빔의 집속이 보다 용이한 새로운 구조를 갖는 전자방출소자 및 이를 이용한 전자방출표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 제조공정이 단순하고 제조비용이 저렴하면서 집속효과가 우수한 전자방출 소자를 제공하는 것이다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제1 측면은 기판 상에 소정거리로 서로 이격되어 형성된 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 상에 형성되며, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 포함하는 절연층; 상기 개구부를 통해 노출되고 상기 제1 전극의 소정영역 상에 형성된 전자 에미터; 및 상기 절연층 상부에 형성되며, 상기 제2 전극과 접속된 제3 전극을 포함하여 구성되며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압차를 인가하여 상기 전자 에미터로 부터 전자가 방출될 때, 상기 제3 전극에 의해 전자가 집속되는 전자 방출 소자를 제공한다.
바람직하게는, 제3 전극은 상기 개구부를 에워싸는 구조로 구성될 수 있으며, 에미터는 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본 또는 이들의 조합이나 나노튜브 또는 Si, SiC 등의 나노 와이어로 이루어질 수 있다.
바람직하게는, 개구부를 통해서 노출된 상기 제1 전극 중 전자 에미터 이외의 부분은 상기 절연층으로 덮여있다.
본 발명의 제2 측면은 제1 기판; 상기 제1 기판과 일정 간격을 두고 상호 대향하며 배치된 제2 기판; 및 제1 기판과 제2 기판을 소정 간격으로 지지하는 지지수단을 구비하되, 상기 제1 기판 상에는, 메트릭스 형태로 게이트 배선과 캐소드 배선이 형성되어 각 단위 화소들을 정의하고, 각 단위 화소는 상술한 전자방출소자를 적어도 하나 구비하며, 상기 제2 기판 상에는 주기적으로 스트라이프 형상을 갖는 형광막 포함하는 전자방출 표시장치를 제공한다.
바람직하게는, 게이트 배선은 제3 전극과 동일 물질로 이루어 지고, 캐소드 배선은 제1 전극과는 별도로 형성되어 제1 전극과 접속된다.
본 발명의 제3 측면은 기판 상에 소정거리로 서로 이격되어 형성된 제1 전극과 제2 전극; 제1 전극과 제2 전극 상에 형성되며, 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 제1 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 포함하는 절연층; 개구부를 통해 노출된 상기 제1 전극의 소정영역 상에 형성된 전자 에미터; 및 절연층 상부에 소정 간격 이격되어 형성되며, 상기 제1 전극과 접속된 제4 전극, 상기 제2 전극과 접속된 제3 전극을 포함하여 구성되며, 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압차를 인가하여 상기 전자 에미터로 부터 전자가 방출될 때, 상기 제3 전극과 상기 제4 전극에 의해 전자가 집속되는 전자 방출 소자를 제공한다.
바람직하게는, 제3 전극과 제4 전극은 상기 개구부를 에워싸는 구조로 구성될 수 있으며, 에미터는 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본 또는 이들의 조합이나 기타 나노튜브 또는 Si, SiC 등의 나노 와이어로 이루어질 수 있다.
바람직하게는, 제1 전극과 상기 제2 전극은 동일 물질로 구성되고, 상기 제3 전극과 상기 제4 전극은 서로 다른 물질로 구성된다.
바람직하게는, 개구부를 통해서 노출된 상기 제1 전극 중 전자 에미터 이외의 부분은 상기 절연층으로 덮여있다.
본 발명의 제4 측면은 제1 기판; 제1 기판과 일정 간격을 두고 상호 대향하며 배치된 제2 기판; 및 제1 기판과 제2 기판을 소정 간격으로 지지하는 지지수단을 구비하되, 제1 기판 상에는, 메트릭스 형태로 게이트 배선과 캐소드 배선이 형성되어 각 단위 화소들을 정의하고, 각 단위 화소는 상술한 전자방출소자를 적어도 하나 구비하며, 제2 기판 상에는 주기적으로 스트라이프 형상을 갖는 형광막 포함하는 전자방출 표시장치를 제공한다.
바람직하게는, 게이트 배선은 제3 전극과 동일 평면상에서 형성된 동일 물질로 이루어 지고, 캐소드 배선은 제1 전극과는 별도로 형성되어 제1 전극과 접속된다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 설명한다.
(제1 실시예)
(전자방출소자)
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자를 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자방출소자의 개략적인 도면이다.
도 2를 참조하면, 전자방출소자(101)는 기판(100) 상에 소정거리로 서로 이격되어 형성된 제1 전극(110)과 제2 전극(112), 제1 전극(110)과 제2 전극(112) 상에 형성되며 개구부(114)를 포함하는 절연층(120), 에미터(140), 절연층(120) 상부에 형성된 제3 전극(130)을 포함한다. 제1 전극(110)과 제2 전극(112) 각각의 일부는 개구부(114)를 통해 함께 노출되고, 노출된 개구부(114) 내부에 있는 제1 전극(110)의 소정 영역 상에 에미터(140)가 형성된다. 한편, 제1 전극(110)과 제2 전극(112)는 동일 물질로 함께 또는 순차적으로 증착되어 형성된 것일 수도 있고 다른 물질로 증착되어 형성된 것일 수도 있다. 한편, 도 2에서는 개구부(114)가 제1 전극(110)과 제2 전극(112) 모두를 노출하는 것으로 도시되어 있지만, 에미터(140)가 형성된 제1 전극(110)만 노출될 수 있음은 자명하다.
제3 전극(130)은 절연층(120)의 내부에 형성된 콘택홀(CH)을 통해 제2 전극(112)과 전기적으로 접속된다. 따라서, 제1 전극(110)과 제2 전극(112)에 전압차를 인가하여 전자 에미터(140)로 부터 전자가 방출될 때, 제3 전극(130)에도 제2 전극(112)와 동일한 전압이 인가되고, 이를 통해서 전자가 집속될 수 있게 된다. 제3 전극(130)의 배치, 형상 등은 서로 다양한 방식으로 구성가능하고, 바람직하게는 개구부(114)를 에워싸는 구조로 구성하여 전자빔의 접속을 효과적으로 할 수 있다.
"에워싸는"의 의미는 제3 전극(130)을 개구부(114)의 외곽 전체 또는 적어도 외곽의 일부를 덮는 구조를 의미하는 것으로, 예컨대 사각형 구조의 개구부를 에워싸는 구조에서는 사각형의 4면 중 적어도 2면의 외각에 전극이 형성될 수 있음을 의미한다.
기판(100)은 특별히 한정되지 않은 다양한 종류가 가능하며, 예를 들어 유리 또는 Na등의 불순물이 감소된 유리 등의 재질로 구성될 수 있으며, 상부에 SiO2등의 절연층을 형성한 실리콘 기판, 세라믹 기판 등을 이용될 수 있다.
제1 전극(110)과 제2 전극(112)은 동일층으로 형성할 수 있으며, 일반적인 증착기술을 이용하여 Cr, Al, Mo, Cu, Ni, Au 등의 금속을 예컨대 1000 내지 10000 Å로 형성할 수 있으며, 필요에 따라서는 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO 등의 투명도전층을 1000 내지 2000 Å로 형성할 수 있다. 바람직하게는, 투명도전층이고, 이 경우는 제조 공정시 후단공정에서 배면 노광을 이용하여 리소그라피 공정을 채용할 필요 특히 유용하다.
절연층(120)은 스크린 프린팅법, 스퍼터링법, CVD법 또는 진공증착법 등의 일반적인 절연층 형성방법을 이용하여 수 nm 내지 수십 ㎛의 범위 내에서 증착할 수 있다. 절연층(120)은 SiO2, SiNx등을 이용할 수 있다. 제 3 전극(130)은 제1 전극(110) 및 제2 전극(112)과 마찬가지로 일반적인 증착기술을 이용하여 Cr, Al, Mo, Cu, Ni, Au 등의 금속을 예컨대 수 ㎛로 형성할 수 있다.
전자 에미터(140)는 카본계 물질, 예컨대 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본 또는 이들의 조합이나 기타 나노튜브 또는 Si, SiC 등의 나노 와이어로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 카본 나노튜브를 이용할 수 있다.
한편, 제1 전극(110)의 일부 만을 개구부(114)를 통해서 노출시키고 이 위에 전자 에미터(140)를 형성하고, 제2 전극(112)은 모두 절연층에 덮히는 구조로 구성하는 경우는 누설 전류를 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 제 1 전극(110)의 전자 에미터(140) 이외의 다른 영역은 모두 절연층(120)으로 덮히는 구조를 갖도록 구성할 수도 있다.
(전자방출 표시장치)
도 3 및 도 4는 도 2의 전자방출소자를 이용한 전자방출 표시장치 일부의 개략적인 구성도들이다. 도 3은 도 2의 전자방출 표시장치의 평면도이고, 도 4는 도 2의 전자방출 표시장치의 A-A'을 절취한 단면도이다.
도면들을 참조하면, 전자방출 표시장치(201)는 일정 간격을 두고 상호 대향하며 배치되고 봉착되어 진공용기를 구성하는 제1 기판(200) 및 제2 기판(250)을 포함하여 구성된다. 제1 기판(200) 상에는, 매트릭스 형태로 게이트 배선과 캐소드 배선이 형성되어 각 단위 화소들을 정의한다. 즉, 게이트 배선과 캐소드 배선은 각각 스트라이프(Stripe)상으로 주기적으로 배치되어 화소 어레이를 이루고, 게이트 배선과 캐소드 배선은 각각 단위 화소 내의 게이트 전극과 캐소드 전극에 접속되고 외부로부터의 신호를 전달하는 역할을 수행한다.
한편, 게이트 배선과 게이트 전극은 서로 동일 또는 다른 물질로 별도의 공정을 통해서 형성되어 전기적으로 접속된 구성일 수도 있고, 동일 물질로 함께 형성될 수도 있다. 캐소드 배선과 캐소드 전극도 마찬가지이다. 도 3 및 도 4에서는, 단위 화소의 게이트 전극(230)은 게이트 배선과 동일한 구성요소이고, 단위 화소의 캐소드 전극(210)은 캐소드 배선(270)과 별도의 물질로 형성된 구성요소이다.
한편, 단위 화소는 적어도 하나의 개구부(214)를 구비하되, 각 개구부(214)는 절연층(220) 내부에 마련되어 캐소드 전극(210) 상에 구비되는 전자 에미터(240)를 제2 기판의 형광체(254)에 대향되도록 노출시킨다. 한편, 게이트 전극(230)은 캐소드 전극(210)과 동일 평면 상에 형성된 제1 보조전극(212)과 접속되어 있다. 따라서, 외부로부터 게이트 전극(230)에 일정 전압이 인가되는 경우, 제1 보조전극(212)에도 이와 동일한 전압이 인가된다. 이와 같은 구조에 의하면, 캐소드 전극(210)과 게이트 전극(230)에 전압차를 인가하여 전자 에미터(240)로 부터 전자가 방출될 때, 게이트 전극(230)과 제1 보조전극(212)에 의해 전자가 집속되도록 유도할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(230)에는 양(예를 들어 70V)의 전압과 캐소드 전극(210)에는 음(예를 들어, -80V)의 전압을 인가할 수 있다.
제2 기판(250)에는 애노드 전극(252)의 적어도 일면에 형성되는 주기적으로 스트라이프 형상을 갖는 형광막(254)을 포함한다. 상기 애노드 전극은 투명전극을 사용할 수도 있고 얇은 금속층을 형성하여 사용할 수도 있다. 또한 상기 애노드 전극은 일체형 전극 또는 스트라이프 형상을 갖는 것 모두 가능하다.
도 4를 참조하면, 제1 기판(200) 상에 형성된 전자 에미터(240)와 대향하는 위치에 형광막(254)이 배치되고 형광막(254)의 사이는 블랙매트릭스(254)가 형성되어 있고, 형광막(254)과 블랙매트릭스(254)를 덮는 형식으로 애노드 전극(256)이 길이 방향으로 연결된 구조를 갖는다. 전자 에미터(240)에서 방출된 전자가 충돌할 때 적,녹,청색의 가시광을 발광한다. 한편, 제1 기판(200)과 제2 기판(250)은 공지의 방식, 예를 들어 스페이서 등의 지지수단에 의해 일정한 거리를 유지하며 지지된다. 한편, 도 4는 R, G, 또는 B 형광체(254) 1개당 전자 에미터(214) 하나가 대응되도록 도시되어 있으나, 1개의 R,G 또는 B 형광체(254) 당 다수의 전자 에미터(214)를 포함하도록 구성할 수도 있음은 당연하다.
상기 전자 방출표시 장치에 인가 가능한 전압을 살펴보면, 게이트전극에는 대략 10 내지 120V 의 전압을 인가하고, 캐소드 전극에는 대략 -120 내지 -10V의 전압을 인가한다. 그리고, 에미터로부터 방출된 전자가 가속될 수 있도록 애노드 전극에는 1 내지 수 kV의 전압을 인가한다. 한편, 게이트 전극을 통하여 전자빔의 포커싱을 조절할 수 있으므로, 3전극의 적절한 조합으로 가속된 전자의 포커싱을 위한 최적의 조건을 찾을 수 있다.
이하, 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자방출 표시장치의 제1 기판의 제조과정을 상세히 설명한다. 도 5a 내지 도 5d는 전자방출 표시 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도들이다.
도 5a를 참조하면, 제1 기판(도 4의 200) 상에 소정 거리로 서로 이격되도록 캐소드 전극(210)과 제1 보조 전극(212)을 형성한다. 캐소드 전극(210)과 제1 보조전극(212)은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO 등의 투명도전층을 1000 내지 2000 Å로 형성하여 선택적으로 식각하여 형성가능하고, 예를 들어 1300Å 두께로 형성할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 캐소드 전극(210)에 외부로부터 신호를 인가할 수 있도록 캐소드 배선(270)을 형성한다. 예를 들어 일반적인 증착기술을 이용하여 Cr, Al 등의 금속층을 수㎛로 형성하고 리소그라피 공정 또는 스크린 프린팅, 건조 공정을 이용하여 캐소드 배선(270)을 형성한다. 필요에 따라서는 캐소드 배선(270)은 캐소드 전극(210)의 형성시 함께 동일 물질로 형성하는 것도 가능함은 전술한 바와 같다.
도 5c를 참조하면, 절연층(220)을 스퍼터링법, CVD법 또는 진공증착법 등과 리소그라피 공정을 이용하거나 스크린 프린팅 방법으로 인쇄하고 건조시키는 공정 등을 이용하여 약 20 ㎛로 형성하고 콘택홀(CH)과 개구부(214)를 형성한다. 개구부(214)는 전자 에미터(240)가 노출될 수 있도록 형성되고 콘택홀(CH)은 게이트 전극(도 5d의 230)과 제1 보조전극(212)이 접속하기 위하여 형성된다.
도 5d를 참조하면, 캐소드 전극(210) 상의 일부에 예컨대 카본 나노튜브를 이용한 전자 에미터(240)를 형성한다. 전자 에미터(240)는 개구부(214)를 통해서 전자를 방출할 수 있도록 노출되어 있다. 또한, 게이트 전극(230)을 예를 들어 일반적인 증착기술을 이용하여 Cr, Al 등의 금속층을 수㎛로 형성하고 리소그라피 공정 또는 스크린 프린팅, 건조 공정을 이용하여 형성한다. 이 때 형성된 게이트 전극(230)은 게이트 배선으로서의 역할도 함께 수행하게 된다.
한편, 제2 기판(250) 상에는 애노드 전극과 R,G, B 형광막이 형성된다. 애노드 전극은 일체형 또는 스트립형상으로 형성되는 것이 가능하고, 제2 기판(250) 상에는 공지의 기술에 의한 블랙 매트릭스등이 추가될 수 있음 당연하다.
(제2 실시예)
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 소자를 상세히 설명한다. 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자방출소자의 개략적인 단면도이다. 한편, 설명의 편의를 위해서 제1 실시예와의 차이점을 기준으로 상세히 설명한다.
도 6을 참조하면, 전자 방출소자(301)는 기판(300) 상에 소정거리로 서로 이격되어 형성된 제1 전극(310)과 제2 전극(312), 제1 전극(310)과 제2 전극(312) 중 적어도 상기 제1 전극(310)의 일부를 노출시키는 개구부(314)를 포함하는 절연층(320), 전자 에미터(340), 절연층(320) 상부에 형성된 제3 전극(330) 및 제4 전극(380)을 포함한다. 도 6에는 제1 전극(310)과 제2 전극(312) 각각의 일부가 개구부(314)를 통해 함께 노출된 구조를 도시하고 있다. 제3 전극(330)과 제4 전극(380)은 절연층(320) 상부에 소정 간격 이격되어 형성되며, 제3 전극(330)은 제2 전극(312)과 접속되고, 제4 전극(380)은 제1 전극(310)과 접속된다. 제1 전극(310)과 제2 전극(312)에 전압차를 인가하여 전자 에미터(340)로부터 전자가 방출될 때, 제3 전극(330)과 상기 제4 전극(380)에 의해 전자가 집속된다.
한편, 제3 전극(330)은 절연층(320)의 내부에 형성된 제1 콘택홀(CH1)을 통해 제2 전극(312)과 전기적으로 접속되고, 제4 전극(380)은 제2 콘택홀(CH2)을 통해 제1 전극(310)과 전기적으로 접속된다. 따라서, 제1 전극(310)과 제2 전극(312)에 전압차를 인가하여 전자 에미터(340)로부터 전자가 방출될 때, 제3 전극(330)에도 제2 전극(312)와 동일한 전압이 인가되고, 제4 전극(380)에도 제1 전극(310)과 동일한 전압이 인가되며, 이를 통해서 제4 전극에서의 Pushing 효과로 인하여 전자가 더욱 집속될 수 있게 된다.
절연층(320) 상에 형성된 제3 전극(330)과 제4 전극(380)은 평면상으로 서로 이격되어 구성되면 반드시 한정되지 않고 다양한 형상을 가지며, 바람직하게는, 도 7에 도시하고 있는 바와 같이, 제3 전극(330)과 제4 전극(380)이 함께 개구부(314)를 에워싸는 구조로 구성하여 전자빔의 접속을 효과적으로 할 수 있다. 예컨대, 개구부(314)가 사각형상을 갖는 경우 제3 전극(330)이 3개의 면의 외곽에 배치되고 제4 전극(380)이 나머지 외곽에 배치되는 구조를 가질 수도 있고, 개구부(314)가 사각형상을 갖는 경우, 제3 전극(330)이 2개의 면의 외곽에 배치되고 제4 전극(380)이 1개 또는 2개의 면에 배치되도록 구성할 수도 있다. 이러한 제3 전극(330)과 제4 전극(380)의 형상은 인가되는 전압에 따른 포커싱 정도를 통해서 최적화할 수 있다.
한편, 제1 전극(310)과 제2 전극(312) 중 제1 전극(310)의 일부 만을 개구부(314)를 통해서 노출시키고 이 위에 전자 에미터(340)를 형성하고, 제2 전극(312)은 모두 절연층에 덮히는 구조로 구성할 수도 있다. 이러한 구조에 의하면, 누설전류를 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 제1 전극의 전자 에미터(340) 이외의 다른 영역은 모두 절연층(320)으로 덮히는 구조를 갖도록 구성할 수도 있다.
도 7 및 도 8은 도 6의 전자방출소자를 이용한 전자방출 표시장치 일부의 개략적인 구성도들이다. 도 7은 전자방출 표시장치의 평면도이고, 도 8은 도 6의 전자방출 표시장치의 B-B'을 절취한 단면도이다.
설명의 편의를 위해, 제1 실시예의 경우와 차이점을 기준으로 설명하면, 전자방출 표시장치(301)는 일정 간격을 두고 상호 대향하며 배치되고 봉착되어 진공용기를 구성하는 제1 기판(300) 및 제2 기판(350)을 포함하여 구성된다.
단위 화소는 적어도 하나의 개구부(314)를 구비하되, 각 개구부(314)는 절연층(320) 내부에 마련되어 캐소드 전극(310) 상에 구비되는 에미터(340)를 제2 기판의 형광체(354)에 대향되도록 노출시킨다. 한편, 게이트 전극(330)은 캐소드 전극(310)과 동일 평면 상에 형성된 제1 보조전극(312)과 접속되어 있고, 캐소드 전극(312)는 제2 보조전극(380)에 접속되어 있다.
도 9a 내지 도 9e는 제2 실시예에 따른 전자방출 표시 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도들이다. 설명의 편의를 위해서, 제1 실시예와의 차이점을 기준으로 상세히 설명한다.
도 9a 내지 도 9c를 참조하면, 제1 실시예에서 설명한 방식과 동일한 방식으로 제1 기판(300) 상에 소정 거리로 서로 이격되도록 캐소드 전극(310)과 제1 보조 전극(312)을 형성하고, 캐소드 전극(310)에 외부로부터 신호를 인가할 수 있도록 캐소드 배선(370)을 형성한다. 다음으로, 절연층(320)을 형성하고 콘택홀(CH1)과 개구부(314)를 형성한다. 개구부(314)는 전자 에미터(340)가 노출되도록 형성되고 제1 콘택홀(CH1)은 게이트 전극(330)과 제1 보조 전극(312)이 접속하기 위하여 형성된다.
도 9d를 참조하면, 캐소드 전극(310) 상의 일부에 예컨대 카본 나노튜브를 이용한 전자 에미터(340)를 형성한다. 전자 에미터(340)는 개구부(314)를 통해서 전자를 방출할 수 있도록 노출되어 있다. 또한, 게이트 전극(330)을 형성한다. 다만, 제1 실시예의 경우는 절연층 상에 게이트 전극 만이 배치되는 구조를 가지는 반면, 제2 실시예의 경우는 절연층(320) 상에 게이트 전극(330) 뿐 아니라 제2 보조 전극(380)도 포함한다.
도 9e를 참조하면, 절연층(320) 내부에 제2 콘택홀(CH2)을 형성하고 그 상부전체에 금속층을 형성하고 이를 패터닝하여 제2 보조 전극(380)을 형성한다.
제2 실시예에 의하면, 제1 실시예의 경우와 달리 절연층(320) 상부에 게이트 전극(330)과 제2 보조전극(380) 2개가 배치되므로, 배치구조, 형상 등에 따라서 전자집속 효과가 달라지게 된다. 즉, 도 7 및 도 9e에서는, 게이트 전극(330)과 제2 보조전극(380)이 사각형상의 개구부(314)를 에워싸는 구조로 되어 있되, 게이트 전극(330)이 "ㄷ"자 형상으로 개구부(314)를 에워싸고 제2 보조전극(380)은 개구부(314)의 나머지 1면에 소정거리 이격되어 사각형상으로 되어 있다. 게이트 전극(330)과 제2 보조전극(380)의 형상 등은 다양한 변형예들이 존재할 수 있다.
도 10a 내지 도 10e는 제2 실시예에 따른 전자방출 표시 장치의 변형예에 의한 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도들이다. 설명의 편의를 위해서, 제2 실시예와의 차이점을 기준으로 상세히 설명한다.
도 10a 내지 도 10c를 참조하면, 제2 실시예에서 설명한 방식과 동일한 방식으로 기판 상에 소정 거리로 서로 이격되도록 캐소드 전극(410)과 제1 보조 전극(412)을 형성하고, 캐소드 전극(410)에 외부로부터 신호를 인가할 수 있도록 캐소드 배선(470)을 형성한다. 전술한 바와 같이 캐소드 전극(410)과 제1 보조전극(412)는 서로 다른 물질로 형성할 수도 있고, 같은 물질로 형성하는 것도 가능하다. 다음으로, 절연층(420)을 형성하고 콘택홀(CH1)과 개구부(414)를 형성한다. 개구부(314)는 전자 에미터가 노출되도록 형성되고 제1 콘택홀(CH1)은 게이트 전극(430)과 제1 보조 전극(412)이 접속하기 위하여 형성된다.
도 10d를 참조하면, 캐소드 전극(410) 상의 일부에 예컨대 카본 나노튜브를 이용한 전자 에미터(440)를 형성한다. 전자 에미터(440)는 개구부(414)를 통해서 전자를 방출할 수 있도록 노출되어 있다. 또한, 게이트 전극(430)을 형성한다 게이트 전극(430)의 형상은 단위 화소를 기준으로 사각형상의 개구부(414)의 2면을 에워싸는 'ㄴ' 형상의 구조로 형성되어 있다.
도 10e를 참조하면, 절연층(420) 내부에 제2 콘택홀(CH2)을 형성하고, 그 상에 제2 보조전극(480)을 형성하되, 사각형상의 개구부(414)의 1면에 대응하는 직선 형상으로 형성되어 있다.
이와 같은 변형예에 따르면, 전자 에미터(440)의 면적이 넓게 형성될 수 있어 방출되는 전자의 양이 많아질 수 있고, 따라서 휘도가 증가할 수 있다.
한편, 또다른 변형예에 의하면, 개구부(414)가 오픈되는 부위를 더 줄일 수 있다. 즉, 절연층(420)을 제1 보조전극(412)을 완전히 덮도록 하는 구성을 의미한다. 이러한 구성에 의하면 누설전류를 차단할 수 있는 효과가 있다. 또한, 전자 에미터(440) 만을 오픈하는 구조를 채용하는 것도 가능하다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자방출소자의 전사모사 실험결과를 설명하기 위한 도면들이다. 도 11a에서는 전사모사에서 사용된 전자방출소자의 평면도이다. 이 전산모사에서 사용된 카본나노튜브 전자 에미터의 폭은 83㎛이고, 캐소드 전압은 -80V, 게이트 전압은 60V, 애노드 전압은 1kV로 계산하였다. 도 11b에는 이 경우 전자빔의 계적을 도시하고 있다. 따라서, 이 전자방출소자에 의해 방출된 전자빔이 대응되는 단위 화소에 집속되어 충돌하고 있음을 알 수 있다.
한편, 집속 정도를 비교하기 위하여 종래 기술에 의한 언더게이트 구조의 전자방출소자와 본 발명의 제2 실시예에 의한 전자빔의 집속정도를 비교하였다. 도 12a는 종래 기술의 전자방출소자의 전자빔의 집속을 도시한 사진이고, 도 12b는 도 11a의 전자방출소자의 전자빔의 집속을 도시한 사진이다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 도 11a의 전자방출소자에 의한 전자빔의 집속이 종래 기술에 비해 훨씬 효과적으로 이루어 지고 있음을 알 수 있다. 다만, 도 12b의 경우, 도 12a와 비교하여 오른쪽이 부분적으로 넓게 분포되고 있으나, 이는 구체적인 형상 등의 최적화가 완전히 이루어지지 않은 때문이다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 전자방출 소자는 공정상 비교적 단순한 구조를 통하여 전자빔의 집속이 용이하도록 할 수 있도록 하여 제조공정이 단순하고 제조비용이 저렴한 효과가 있다.
한편, 본 발명의 전자방출소자와 더불어 공지의 집속 수단(예를 들어, 매쉬구조)을 활용하는 경우, 전자빔의 집속효과를 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 본 발명에 추가적으로 메쉬구조를 채용하는 애노드 전극의 전압을 더 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 전자방출 표시장치 일부의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자방출소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 전자방출 표시장치의 평면도이고, 도 4는 도 2의 전자방출 표시장치의 A-A'을 절취한 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 전자방출 표시 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도들이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자방출소자의 개략적인 단면도이다.
도 7 및 도 8은 도 6의 전자방출소자를 이용한 전자방출 표시장치 일부의 개략적인 구성도들이다.
도 9a 내지 도 9e는 제2 실시예에 따른 전자방출 표시 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도들이다.
도 10a 내지 도 10e는 제2 실시예에 따른 전자방출 표시 장치의 변형예에 의한 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도들이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자방출소자의 전사모사 실험결과을 설명하기 위한 도면들이다.
도 12a는 종래 기술의 전자방출소자의 전자빔의 집속을 도시한 사진이고, 도 12b는 도 11a의 전자방출소자의 전자빔의 집속을 도시한 사진이다.

Claims (18)

  1. 기판 상에 소정거리로 서로 이격되어 형성된 제1 전극과 제2 전극;
    상기 전체 구조상에 형성되며, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 포함하는 절연층;
    상기 개구부를 통해 노출되고 상기 제1 전극의 소정영역 상에 형성된 전자 에미터; 및
    상기 절연층 상부에 형성되며, 상기 제2 전극과 접속된 제3 전극을 포함하여 구성되며,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압차를 인가하여 상기 전자 에미터로 부터 전자가 방출될 때, 상기 제3 전극에 의해 전자가 집속되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3 전극은 상기 개구부를 에워싸는 구조로 구성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 에미터는 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본 또는 이들의 조합이나, 나노튜브 또는 Si, SiC의 나노 와이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 동일 또는 다른 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구부를 통해서 노출된 상기 제1 전극 중 전자 에미터 이외의 부분은 상기 절연층으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3 전극은 상기 절연층 내부의 콘택홀을 통해 상기 제2 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  7. 제1 기판;
    상기 제1 기판과 일정 간격을 두고 상호 대향하며 배치된 제2 기판; 및
    제1 기판과 제2 기판을 소정 간격으로 지지하는 지지수단을 구비하되,
    상기 제1 기판 상에는, 메트릭스 형태로 게이트 배선과 캐소드 배선이 형성되어 각 단위 화소들을 정의하고, 각 단위 화소는 제1 내지 6 항 중 어느 하나의 항에 의한 전자방출소자를 적어도 하나 구비하며,
    상기 제2 기판 상에는 주기적으로 스트라이프 형상을 갖는 형광막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 게이트 배선은 상기 제3 전극과 동일 물질로 이루어 지고, 캐소드 배선은 제1전극과는 별도로 형성되어 제1 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  9. 기판 상에 소정거리로 서로 이격되어 형성된 제1 전극과 제2 전극;
    상기 전체 구조 상에, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 포함하는 절연층;
    상기 개구부를 통해 노출된 상기 제1 전극의 소정영역 상에 형성된 전자 에미터; 및
    상기 절연층 상부에 소정 간격 이격되어 형성되며, 상기 제1 전극과 접속된 제4 전극, 상기 제2 전극과 접속된 제3 전극을 포함하여 구성되며,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압차를 인가하여 상기 전자 에미터로 부터 전자가 방출될 때, 상기 제3 전극과 상기 제4 전극에 의해 전자가 집속되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제3 전극과 제4 전극은 상기 개구부를 에워싸는 구조로 구성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제3 전극은 'ㄷ'자 형상으로 상기 개구부를 에워싸는 구조로 구성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제3 전극은 'ㄴ'자 형상으로 상기 개구부를 에워싸고, 상기 제4 전극은 직선형상을 구성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 에미터는 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본 또는 이들의 조합이나, 나노튜브 또는 Si, SiC의 나노 와이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 동일 물질로 구성되고, 상기 제3 전극과 상기 제4 전극은 서로 다른 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 개구부를 통해서 노출된 상기 제1 전극 중 전자 에미터 이외의 부분은 상기 절연층으로 덮여있는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 제3 전극은 상기 절연층 내부의 제1 콘택홀을 통해 상기 제2전극과 접속되고, 상기 제4 전극은 상기 절연층 내부의 제2 콘택홀을 통해 상기 제1 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  17. 제1 기판;
    상기 제1 기판과 일정 간격을 두고 상호 대향하며 배치된 제2 기판; 및
    제1 기판과 제2 기판을 소정 간격으로 지지하는 지지수단을 구비하되,
    상기 제1 기판 상에는, 메트릭스 형태로 게이트 배선과 캐소드 배선이 형성되어 각 단위 화소들을 정의하고, 각 단위 화소는 제9 내지 16 항 중 어느 하나의 항에 의한 전자방출소자를 적어도 하나 구비하며,
    상기 제2 기판 상에는 주기적으로 스트라이프 형상을 갖는 형광막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 게이트 배선은 상기 제3 전극과 동일 평면상에서 형성된 동일 물질로 이루어 지고, 상기 캐소드 배선은 상기 제1 전극과는 별도로 형성되어 상기 제1 전극과 접속되는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
KR1020040021935A 2004-03-31 2004-03-31 전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치 KR20050096532A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040021935A KR20050096532A (ko) 2004-03-31 2004-03-31 전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치
US11/090,701 US7432645B2 (en) 2004-03-31 2005-03-24 Electron emission device and electron emission display using the same
JP2005099614A JP2005294262A (ja) 2004-03-31 2005-03-30 電子放出素子及びこれを用いた電子放出表示装置
CNA2005100783197A CN1700397A (zh) 2004-03-31 2005-03-31 电子发射装置和采用该装置的电子发射显示器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040021935A KR20050096532A (ko) 2004-03-31 2004-03-31 전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050096532A true KR20050096532A (ko) 2005-10-06

Family

ID=35238838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040021935A KR20050096532A (ko) 2004-03-31 2004-03-31 전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7432645B2 (ko)
JP (1) JP2005294262A (ko)
KR (1) KR20050096532A (ko)
CN (1) CN1700397A (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060104655A (ko) * 2005-03-31 2006-10-09 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 소자
US20060232187A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Industrial Technology Research Institute Field emission light source and method for operating the same
KR20080034348A (ko) * 2006-10-16 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디바이스
JP2009099384A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Hitachi Ltd 画像表示装置
JP5367343B2 (ja) * 2008-11-11 2013-12-11 ソニー株式会社 冷陰極電界電子放出表示装置
JP2010262898A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Canon Inc 電子線装置及び画像表示装置
WO2011077508A1 (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 キヤノン株式会社 電子放出素子を有する画像表示装置
CN102064071B (zh) * 2010-12-16 2012-07-18 清华大学 场发射显示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0448727B1 (en) 1989-10-18 1998-01-28 Noritake Co., Limited Plasma display panel and method of manufacturing the same
US5696028A (en) 1992-02-14 1997-12-09 Micron Technology, Inc. Method to form an insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage
US5653619A (en) 1992-03-02 1997-08-05 Micron Technology, Inc. Method to form self-aligned gate structures and focus rings
JP3083076B2 (ja) 1995-04-21 2000-09-04 キヤノン株式会社 画像形成装置
JP2985942B2 (ja) 1996-05-28 1999-12-06 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極装置
KR100365444B1 (ko) 1996-09-18 2004-01-24 가부시끼가이샤 도시바 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치
US5981404A (en) 1996-11-22 1999-11-09 United Microelectronics Corp. Multilayer ONO structure
JP3347648B2 (ja) 1997-08-19 2002-11-20 富士通株式会社 表示装置
JP2000268706A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子放出素子及びそれを用いた画像描画装置
JP2000331596A (ja) * 1999-05-18 2000-11-30 Sony Corp 冷陰極電界電子放出素子及び冷陰極電界電子放出表示装置
JP3769149B2 (ja) * 1999-08-03 2006-04-19 株式会社リコー 電子放出素子とその製造方法、および該電子放出素子を使用した画像形成装置
JP2001076652A (ja) 1999-08-23 2001-03-23 Samsung Sdi Co Ltd 平板ディスプレイ装置及びその製造方法
US6062931A (en) 1999-09-01 2000-05-16 Industrial Technology Research Institute Carbon nanotube emitter with triode structure
KR20010046803A (ko) 1999-11-15 2001-06-15 김덕중 전계방출 표시장치 및 이에 구비되는 애노드 플레이트의제조방법
KR100455681B1 (ko) 2000-03-23 2004-11-06 가부시끼가이샤 도시바 평면 표시 장치의 스페이서 어셈블리, 스페이서 어셈블리의 제조 방법, 평면 표시 장치의 제조 방법, 평면 표시 장치, 스페이서 어셈블리의 제조에 이용되는 금형
US6617798B2 (en) 2000-03-23 2003-09-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat panel display device having planar field emission source
JP2002150922A (ja) 2000-08-31 2002-05-24 Sony Corp 電子放出装置、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法
KR100766958B1 (ko) 2001-04-12 2007-10-15 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시장치
US6621232B2 (en) * 2002-01-04 2003-09-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Field emission display device having carbon-based emitter
JP2003242908A (ja) 2002-02-19 2003-08-29 Toshiba Corp 画像表示装置
US6791278B2 (en) 2002-04-16 2004-09-14 Sony Corporation Field emission display using line cathode structure
JP2004213983A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Canon Inc 画像形成装置
KR100932975B1 (ko) * 2003-03-27 2009-12-21 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 그리드 플레이트를 구비한 전계 방출표시장치
JP2004311247A (ja) 2003-04-08 2004-11-04 Toshiba Corp 画像表示装置および画像表示装置に用いるスペーサアッセンブリの製造方法
TWI220263B (en) 2003-05-06 2004-08-11 Ind Tech Res Inst FED having grid plate with spacers structure and fabrication method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US20050248257A1 (en) 2005-11-10
CN1700397A (zh) 2005-11-23
JP2005294262A (ja) 2005-10-20
US7432645B2 (en) 2008-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7156715B2 (en) Triode structure of field emission display and fabrication method thereof
US20050184647A1 (en) Electron emission device
US7612493B2 (en) Electron emission device with improved focusing of electron beams
US7432645B2 (en) Electron emission device and electron emission display using the same
US7649308B2 (en) Electron emission device and method for manufacturing the same
KR100540144B1 (ko) 전계방출소자 및 이를 이용한 전계 방출 표시장치
US6956334B2 (en) Field emission display having carbon-based emitters
EP1600996A2 (en) Cathode substrate for electron emission device, electron emission device,and method of manufacturing the same
US7486014B2 (en) Electron emission device and electron emission display using the electron emission device
KR20070043391A (ko) 전자 방출 디바이스, 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스및 이의 제조 방법
JP4414418B2 (ja) 電子放出デバイス、およびこれを用いた電子放出表示デバイス
US7400084B2 (en) Electron emission display
KR20080088884A (ko) 발광 장치
KR100565198B1 (ko) 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조방법
KR101049821B1 (ko) 전자 방출 소자
KR20070083113A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
JP2006073526A (ja) 電子放出素子および電子放出の製造方法
KR20080082773A (ko) 발광 장치와 이의 제조 방법
KR20050077960A (ko) 전계 방출 표시장치
KR20050077962A (ko) 전계 방출 표시장치
KR20070111860A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
KR20060124331A (ko) 전자 방출 소자
KR20080096017A (ko) 발광 장치의 발광 유닛 제조 방법
KR20050113866A (ko) 전자 방출 소자
KR20070046516A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid