KR20050073154A - 반도체 기판 가공 장치 - Google Patents

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KR20050073154A
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Abstract

챔버 내벽과 척 사이에는 등간격으로 리프터가 배치되고, 리프터 상단부에는 쉐도우 링이 수평방향으로 배치된다. 쉐도우 링의 하부에는 척이 위치하고, 척의 상부에는 반도체 기판이 안착된다. 반도체 기판과 마주보는 쉐도우 링의 하부에는 센서가 내장되어 반도체 기판과 쉐도우 링 사이의 간격을 측정한다. 프로세스 부재는 센서로부터 측정된 간격에 따라 리프터를 작동시켜 쉐도우 링과 반도체 기판 사이의 간격을 조절한다. 프로세스 부재에는 각각의 단위 공정에 바람직한 반도체 기판과 쉐도우 링 사이의 간격이 기 설정되어 있어 반도체 기판과 쉐도우 링 사이의 간격이 최적으로 조성된다. 쉐도우 링에 센서를 부착하여 반도체 기판과 쉐도우 링 사이의 간격을 정확히 측정하고, 측정 결과에 따라 리프터를 제어함으로써 반도체 기판과 쉐도우 링 사이의 간격을 최적으로 조성할 수 있다. 따라서 공정 효율을 증대시킬 수 있고, 후속 공정의 에러율을 감소시킬 수 있다.

Description

반도체 기판 가공 장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING A SUBSTRATE}
본 발명은 반도체 기판 가공 장치에 대한 것으로서, 보다 자세하게는 플라스마 가스에 의하여 웨이퍼의 주변부(edge)가 손상되는 것을 방지하기 위한 쉐도우 링(shadow ring)을 포함하는 건식 식각 설비에 관한 것이다.
현재의 반도체 장치에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다. 반도체 장치의 고집적화 및 고성능화를 이루기 위해서는 웨이퍼 상에 박막 패턴을 정확하게 식각하는 기술이 무엇보다 중요하다.
반도체 장치를 생산하기 위해서는 소정의 박막이 형성된 웨이퍼 상에 회로 패턴을 노광한 후, 식각 공정을 거쳐 상기 회로 패턴을 형성한다. 이 경우, 노광 공정에 못지않게 정밀한 식각 공정이 필요하다.
식각 공정의 경우, 집적도 및 처리 속도가 낮은 반도체 제품에서는 습식 식각(wet etching) 방법으로도 원하는 성능을 갖는 반도체 제품의 생산이 가능하였지만, 처리 속도 및 집적도가 높아짐에 따라 박막 형성 정밀도가 낮은 습식 식각 대신 정밀도가 높은 건식 식각 방법이 사용되고 있다.
건식 식각은 반응 가스를 전기장에 노출시켜 최외각 전자가 이탈되도록 함으로써 반응성이 매우 강한 플라스마 가스를 생성시고, 상기 플라스마 가스를 이용하여 웨이퍼 또는 웨이퍼에 이미 형성된 박막을 회로 패턴에 맞게 식각한다.
플라스마에 대하여 보다 자세하게 설명하면, 플라스마는 저온에 있는 고체 물질에 열을 가하면 녹아 약체로 변하고, 증발하여 가스로 변화되며, 열을 더 가하면 각 원자들은 전자들과 양이온들로 깨져 물질의 제4 상태가 된다. 상기 제4 상태가 플라스마 상태이다.
플라스마란 자유 하전입자인 전자, 이온 및 중성 입자들고 구성되어 있으며, 전기적으로는 중성적인 성질을 갖고 있는 상태이다.
1980년도 중반부터 반도체의 집적도가 급속히 높아짐에 따라 고단차(aspect ratio)에서 선폭 미세화에 대한 기술이 절실히 요구되었다. 종래의 습식 식각기술은 등방성 식각 특성 때문에 상기 공정 조건을 만족시킬 수 없어, 비등방성 식각이 가능한 플라스마 기술이 개발되게 되었다.
플라스마를 이용한 식각은 스퍼터링 식각과 화학적 식각, 이온의 도움에 의한 식각 및 이온 충돌과 측면 보호막에 의한 식각으로 크게 구분할 수 있다.
스퍼터링 식각은 플라스마 쉬스에 의해 가속된 고 에너지 이온들을 박막에 충돌시켜 수행된다. 이온의 에너지가 표면원자 결합 에너지보다 클 때 표면 원자는 표면에서 이탈되며, 식각이 진행된다. 이 반응은 순수한 물리적 반응이므로 역 산란(back scattering)이 일어나지 않도록 가스 압력이 낮아야한다.
화학적 식각은 플라스마 내에서 발생된 라디칼을 박막 표면에 도달시켜 막과 화학반응을 유도한다. 화학반응에 의하여 휘발성 있는 반응 생성물이 생성되고, 식각이 계속 진행되기 위하여 많은 반응 생성물을 생성한다. 휘발성이 낮으면 반응 생성물이 표면에 남아 라디칼과 기판 물질과의 화학적 반응을 막게 된다. 이 경우, 플라스마는 라디칼을 공급하여 식각의 방향성 없이 등방성으로 식각을 할 수 있으며, 선택비가 높아진다.
이온의 도움(ion assist)에 의한 식각은 이온 충돌을 동반한 상태에서 막과 화학적 반응을 일으키는 중성 라티컬을 이용한다. 이 경우, 중성 라디칼은 이온에 충돌하여 식각 상승효과를 증대시킨다. 이온의 도움에 의한 식각에서도 반응가스의 종류, 박막의 표면상태 도달하는 라디칼의 유량 등에 의하여 식각 속도가 변화된다.
상기와 같은 건식 식각을 수행하여 박막 패터닝 시, 플라스마 가스는 접촉할 수 있고 식각 가능한 물질은 모두 식각한다. 따라서 반드시 식각을 원하지 않는 부위는 플라스마에 노출되지 않도록 차단할 필요가 있다.
실제로 박막 패턴이 형성되는 부분과 함께 박막 패턴이 형성되지 않는 웨이퍼의 주변부위가 식각되거나, 웨이퍼의 주변부위에 인접한 막질의 단부가 식각되어 많은 결함이 유발된다. 웨이퍼의 주변부위가 식각될 경우, 파티클이 발생되고 상기 파티클이 후속 공정에서 공정 에러를 유발할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 주변부위에 인접한 막질의 단부가 식각될 경우, 전체 막질이 리프팅되어 반도체 장치의 자체 특성을 저하시키는 문제를 유발할 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해소하고자, 식각 공정 시 쉐도우 링을 이용하여 웨이퍼 주변부위가 플라스마 가스에 노출되지 않도록 방지하는 기술이 개시되어있다. 하지만 종래에는 쉐도우 링이 프로세스 챔버 내부에 고정되어 식각 공정 시 쉐도우 링과 웨이퍼와의 간격을 조절하기 어려웠다.
쉐도우 링의 효과를 최대한 발휘하기 위해서는 쉐도우 링과 웨이퍼와의 간격을 최대한 좁게 유지해야 한다. 하지만, 소정의 단위 공정들을 진행할 때마다 웨이퍼에 형성되는 막의 두께가 달라지고, 웨이퍼의 주변부에도 막이 잔존하는 경우와 잔존하지 않는 경우가 있기 때문에 쉐도우 링과 웨이퍼와의 간격이 변화된다. 상기 변화에 대응하게 쉐도우 링과 웨이퍼와의 간격을 조절하지 못하면 쉐도우 링을 사용한 효과가 저하된다.
종래에는 쉐도우 링과 웨이퍼와의 간격을 대충 예상하여 식각 장치를 세팅한 후에 식각 공정을 진행하였다. 만약 상기 식각 장치에서 식각 공정이 수행된 웨이퍼의 식각 결과가 불량할 경우, 다시 쉐도우 링과 웨이퍼와의 간격을 예상하여 식각 장치를 세팅하는 트라이 앤 에러(try and error) 방법을 이용하였다. 하지만 상기 트라이 앤 에러(try and error) 방법은 시간적으로나 경제적으로 막대한 손실을 초래한다. 더욱이, 쉐도우 링과 웨이퍼와의 간격을 조절하기 위해서는 반도체 기판 가공 장치를 분해하여 수작업으로 쉐도우 링의 장착위치를 변경해야하는데, 작업자의 숙련도에 따라 쉐도우 링이 부정확하게 장착될 수 있다.
전술한 바와 같이 식각 공정 시 쉐도우 링과 웨이퍼와의 간격을 정확하게 유지할 수 없으면 공정의 정밀도가 떨어지고 후속공정의 에러 및 반도체 장치의 자체 특성이 저하되는 문제점이 발생한다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 일 목적은 쉐도우 링에 근접 센서를 부착하여 쉐도우 링과 반도체 기판 사이의 간격을 측정하고, 센서로부터 측정된 간격에 따라 쉐도우 링이 설치된 리프터를 제어함으로써 쉐도우 링과 반도체 기판 사이의 간격을 정확히 조절할 수 있는 반도체 기판 가공 장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 가공 장치는, 프로세스 챔버, 척, 척과 프로세스 챔버 내측벽 사이에서 수직방향으로 신장 및 수축되는 리프터, 리프터의 상단부에 설치된 쉐도우 링, 쉐도우 링의 단부에 설치되어 쉐도우 링과 반도체 기판의 간격을 측정하는 센서, 및 센서로부터 정보를 제공받아 리프터의 신장 및 수축을 제어하는 프로세스 부재를 포함한다. 이 경우, 상기 센서는 광을 이용한 비 접촉 센서이다.
본 발명에 따르면, 쉐도우 링의 단부에 센서를 설치하여 반도체 기판과의 간격을 측정하고, 측정된 간격에 따라 쉐도우 링을 지지 및 승강시키는 리프터를 제어함으로써 쉐도우 링과 반도체 기판의 간격을 정확히 조절할 수 있다. 따라서 파티클 발생 및 반도체 특성 저하는 방지되고, 공정 효율 및 반도체 특성은 향상된다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 반도체 기판 가공 장치에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 센서를 설명하기 위한 확대 단면도이며, 도 3은 도1 에 도시한 리프터를 변형한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 기판 가공 장치는 프로세스 챔버(100), 리프터(110), 쉐도우 링(120), 센서(130), 척(140), 히터 부재(150), 가스 공급 부재(160), 및 전원 공급 부재(170)를 포함한다.
프로세스 챔버(100)는 외부로부터 밀폐된 공간을 포함한다. 프로세스 챔버(100) 내부에서는 반도체 기판(W)에 대한 소정의 공정이 수행된다. 반도체 기판(W) 상에 소정의 막을 증착하는 공정이나, 증착된 막을 식각하는 공정 등이 프로세스 챔버(100) 내부에서 수행될 수 있다. 한편, 프로세스 챔버(100)의 하부에는 막 형성 공정의 진행 도중에 발생하는 반응 부산물 및 미반응 가스를 배출하기 위한 배기구(101)가 형성된다.
프로세스 챔버(100) 내부 중앙에는 반도체 기판(W)을 지지하기 위한 척(140)이 설치된다. 척(140)에는 반도체 기판(W)을 선택적으로 고정하기 위하여 정전기 발생 부재 또는 진공 부재가 부가 또는 설치될 수 있다.
척(140)의 내부에는 히터 부재(150)가 설치된다. 히터 부재(150)는 상부에 배치된 반도체 기판(W)을 가열한다. 히터 부재(150)는 제1 히터(151)와 제2 히터(152)를 포함한다. 제1 히터(151)는 척(140)의 중심부에 인접하게 배치되고, 제2 히터(152)는 척(140)의 주변부에 인접하게 배치된다. 반도체 기판(W)은 제1 히터(151)와 제2 히터(152)에서 발생되어 전달된 복사열에 의해서 가열된다.
척(140) 상부의 프로세스 챔버(100) 내부에는 가스 공급 부재(160)가 설치된다. 가스 공급 부재(160)는 샤워 헤드와 같은 형상을 갖는다. 가스 공급 부재(160)는 프로세스 챔버(100) 내부로 반도체 기판(W)을 가공하기 위한 반응 가스를 공급한다.
가스 공급 부재(160)에는 프로세스 챔버(100) 내부에 고주파 전력을 제공하기 위한 전원 공급 부재(170)가 연결된다. 전원 공급 부재(170)는 프로세스 챔버(100) 내부에 전계를 조성하여, 반응 가스를 플라스마 상태로 변화시킨다.
반응 가스를 플라스마 상태로 보다 활성적으로 변화시키기 위해서는 프로세스 챔버(100) 내부에 고전위차의 전계를 조성해야 한다. 고전위차의 전계를 조성하기 위한 방법으로, 척(140)을 접지시키는 방법이 있다. 척(140)이 접지되면, 척(140)은 음극이 되고, 가스 공급 부재(160)는 양극이 된다.
플라스마 상태로 변화된 반응 가스(이하, 플라스마 가스라고 함)는 척(140) 상부에 안착된 반도체 기판(W)을 가공한다. 플라스마 가스가 반도체 기판(W)을 가공하는 공정의 예로서 식각 공정이나 증착 공정이 있다. 식각 및 증착 공정에서 플라스마 가스를 이용하는 기술은 많은 공개 공보에 개시되어 있는바, 본 실시예에서 이에 대한 설명은 생략한다.
플라스마 가스를 이용한 반도체 기판 가공 공정에서, 반도체 기판(W)의 주변부가 플라스마 가스에 노출되는 것을 방지하기 위하여 쉐도우 링(120)이 이용된다.
쉐도우 링(120)은 이름과 같이 전체적으로 링 형상을 갖는다. 쉐도우 링(120)의 외경은 반도체 기판(W)의 직경보다 크고, 쉐도우 링(120)의 내경은 반도체 기판(W)의 직경보다 작다. 쉐도우 링(120)은 흑연(graphite) 또는 세라믹과 같이 열안정성이 우수한 재료로 제작되는 것이 바람직하다. 쉐도우 링(120)은 리프터(110)에 지지되어 상하로 승강한다. 이하, 쉐도우 링(120), 리프터(110) 그리고 센서(130)에 대하여 상세하게 설명한다.
프로세스 챔버(100) 내벽과 척(140) 사이에는 적어도 두 개 이상의 리프터(110)가 등 간격으로 설치된다. 즉, 척(140)의 주변부를 따라서 리프터(110)들이 설치된 배치 형상을 갖는다. 리프터(110)는 챔버(100) 내부에서 수직 방향으로 신장 또는 수축된다. 이 경우, 각각의 리프터(140)들은 프로세스 부재(180)에 연결되어 승강이 제어된다. 본 실시예에서는 프로세스 챔버(100) 내벽과 척(140) 사이에 설치된 리프터(110)에 대해서만 설명하지만, 챔버(100)의 상부에 리프터(110)를 설치할 수도 있다. 중요한 것은 쉐도우 링(120)과 반도체 기판(W)의 간격이 리프터(110)에 의하여 조절되는 것이다.
리프터(110)들의 상단부에는 쉐도우 링(120)이 수평방향으로 배치되어 고정된다. 쉐도우 링(120)은 리프터(110)들에 의하여 지지되고, 리프터(140)가 신장 또는 수축됨에 따라서 승강된다. 리프터(110)에 지지된 쉐도우 링(120)은 척(140)의 상부에 위치한다. 쉐도우 링(120)이 반도체 기판(W)의 형상과 유사한 형상을 갖기 때문에, 리프터(110) 상에 배치된 쉐도우 링(120)은 반도체 기판(W)의 주변부에 인접한다.
도 2는 도 1 에 도시한 센서를 설명하기 위한 확대 단면도이다. 도 2를 참조하면, 반도체 기판(W)과 마주보는 쉐도우 링(120)의 하부에는 센서(130)가 설치된다. 보다 정확하게는 센서(130)는 쉐도우 링(120)에 부분 내장된다.
일반적으로 쉐도우 링(120)의 두께가 약 10 ~ 20 ㎜ 의 정도로 제작되기 때문에, 쉐도우 링(120)에 센서(130)를 내장시키는 것이 어려울 수 있다. 하지만, 반도체 장치의 발전에 힘입어 초소형 센서가 많이 개발되어 있고, 쉐도우 링(120)에 센서(130)를 일부 내장 방식으로 일체형으로 제작하거나, 쉐도우 링(120)의 외부에 부착식으로도 제작할 수 있는 바, 당업자가 구현하는데 있어서 큰 어려움이 없을 것이다.
본 실시예에 이용되는 센서(130)는 광을 이용한 비 접촉 근접 센서이다. 센서(130)는 하방으로 광을 조사함과 동시에, 상기 광이 반도체 기판(W)에 반사되어 생성된 반사광을 수집하여 센서(130)와 반도체 기판(W)의 간격을 측정한다. 본 실시예에서는 레이저를 이용한 변위 측정용 마이크로 센서를 이용하였지만, 화이버 센서나 자계를 이용한 센서나 또는 초음파를 이용한 센서도 이용할 수 있다.
센서(130)는 척(140)에 안착된 반도체 기판(W)의 주변부에 광을 조사하여, 쉐도우 링(120)과 반도체 기판(W)의 간격(t)(이하, 측정 간격이라고 함)을 측정한다. 센서(130)로부터 측정된 간격(t)은 프로세스 부재(180)로 제공된다.
프로세스 부재(180)는 기 설정된 쉐도우 링(120)과 반도체 기판(W)의 간격(이하, 목표 간격이라고 함)과 측정된 간격(t)을 비교한다. 만약 목표 간격이 측정 간격(t)보다 작거나 클 경우, 리프터(110)를 신장 또는 수축시켜 목표 간격과 측정 간격(t)을 일시시킨다.
쉐도우 링(120)의 효과를 최대한 발휘하기 위해서는 쉐도우 링(120)과 반도체 기판(W)과의 간격을 최대한 좁게 유지해야 한다. 잡 프로파일(job profile)에는 각각의 단위 공정마다 쉐도우 링(120)과 반도체 기판(W)과의 최적의 간격 즉, 목표 간격이 정의되어있으며, 이는 프로세스 부재(180)에 저장된다.
프로세스 챔버(100)에서 수행되는 공정 조건 및 시퀀스(sequence) 등은 레시피(recipe)에 정의되어 있으며, 상기 레시피는 프로세스 부재(180)를 통하여 반도체 기판 가공 장치에 입력된다. 이 경우, 레시피(recipe)에 각각의 목표 간격을 포함시켜 다른 반도체 기판(W)이 프로세스 챔버(100)에 제공될 때마다 목표 간격을 재설정해야하는 번거러움을 감소시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 종래에 쉐도우 링과 웨이퍼와의 간격을 대충 예상하여 식각 공정하였을 때 발생하던 공정 에러들을 크게 감소시킬 수 있다.
리프터(110) 쉐도우 링(120)을 수평되게 유지하면서 승강시키는 것이 바람직하다. 하지만 보다 발전적으로는 쉐도우 링(120)이 수평되게 승강하는 것이 바람직하지 않을 수도 있다. 일예를 들어 설명하면, 척(140) 상에 반도체 기판(W)이 수평으로 배치되지 않았을 경우이다. 이 경우, 쉐도우 링(120)은 약간 기울어지게 배치되어야 반도체 기판(W)과의 간격을 최적으로 유지할 수 있다. 본 실시예에 따른 리프터(110)는 각각 독립적으로 승강할 수 있어, 반도체 기판(W) 상에 쉐도우 링(120)을 약간 기울어지게 배치할 수 있다. 이는 프로세스 부재(180)가 센서(130)로부터 측정된 쉐도우 링(120)과 반도체 기판(W)의 간격에 따라 각각의 리프터(110)를 제어하여 구현 가능하다. 본 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치는 리프터(110)를 독립적으로 제하할 수도 있음으로써 쉐도우 링(120)과 반도체 기판(W)의 간격을 최적으로 유지할 수도 있다. 따라서 종래에 쉐도우 링과 웨이퍼와의 간격을 대충 예상하여 식각 공정하였을 때 발생하던 공정 에러들을 더욱 크게 감소시킬 수 있다.
쉐도우 링(120)의 높이를 조절하는 리프터(110)는 다양하게 구현될 수 있다. 이하, 도 3을 참조하여 리프터를 변형한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치를 상세하게 설명한다. 이 경우, 상술한 설명과 중복되는 반도체 기판 가공 장치에 대한 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 프로세스 챔버(200) 내벽과 척(240) 사이에는 적어도 두 개 이상의 리프터 축(211)이 배치된다. 리프터 축(211)은 척(240)의 주변부를 따라서 등 간격으로 배치된다. 모든 리프터 축(211)은 프로세스 챔버(200)의 저면 중심부를 관통하여 승강하는 리프터 구동기(210)에 연결된다. 리프터 축(211)들은 리프터 구동기(210)에 지지되고 동일한 높이로 승강된다.
리프터 축(211)의 단부에는 상술한 바와 같이 쉐도우 링(220)이 고정된다. 리프터 구동기(210)가 승강함에 따라서 리프터 축(211)도 승강되고, 리프터 축(211)이 승강함에 따라서 쉐도우 링(220)도 승강된다.
쉐도우 링(220)은 프로세스 챔버(200)에서 수평을 유지하며 승강되어야 하기 때문에, 모든 리프터 축(211)은 동일한 높이로 승강되는 것이 바람직하다. 따라서 구지 리프터 축(211)을 개별적으로 승강시킬 필요가 없다. 본 실시예에서와 같이 리프터 축(211)들이 동일한 높이를 갖도록 리프터 구동기(210)에 설치한 후,리프터 구동기(210)만을 승강시킬 경우, 모든 리프터 축(211)을 동일한 높이로 승강시킬 수 있다. 또한, 반도체 기판 가공 장치의 구조의 간단화 및 제어의 편리성 또한 얻을 수 있다. 하지만, 전술한 바와 같이 리프터 축(211)의 높낮이를 개별적으로 제어할 수 없는 것은 아니며, 이는 당업자가 충분히 변형하여 선택할 수 있는 사항이다.
쉐도우 링(220)에 대한 센서(230)의 설치 위치 및 프로세스 부재(280)와 센서(230)의 연동 원리는 상술한 바와 거의 동일하여 중복된 설명은 생략한다.
본 발명에 따르면, 쉐도우 링에 센서를 설치하고, 상기 센서로부터 측정된 쉐도우 링과 반도체 기판 사이의 간격에 따라 쉐도우 링의 높낮이를 조절하는 리프터를 제어함으로써, 쉐도우 링과 반도체 기판 사이의 간격을 최적으로 조절할 수 있다. 따라서 식각 공정과 같은 반도체 기판 가공 공정의 효율을 향상시킬 수 있으며, 공정 에러율도 크게 낮출 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 센서를 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 3은 도1 에 도시한 리프터를 변형한 다른 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 200：챔버 101：배기구
110：리프터 120, 220：쉐도우 링
130, 230：센서 140, 240：척
150：히터 부재 151：제1 히터
152：제2 히터 160：가스 공급 부재
170：전원 공급 부재 180, 280：프로세스 부재
211：리프터 축 210：리프터 구동기
W : 반도체 기판

Claims (5)

  1. 반도체 기판에 대한 소정의 공정을 수행하기 위한 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 내부에 배치되어 상기 반도체 기판을 지지하는 척;
    상기 척 상에 지지된 반도체 기판의 주변부에 인접하도록 상기 챔버 내부에 수평 방향으로 배치된 쉐도우(shadow) 링;
    상기 쉐도우 링을 지지하고, 상기 쉐도우 링을 수직 방향으로 이동시키기 위한 리프터;
    상기 쉐도우 링의 단부에 설치되어 상기 쉐도우 링과 상기 반도체 기판의 간격을 측정하는 센서; 및
    상기 센서로부터 상기 간격에 대한 정보를 제공받아 상기 리프터의 승강을 제어하는 프로세스 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 리프터는 상기 척의 둘레를 따라 등 간격으로 배치되고, 상기 쉐도우 링을 지지하는 적어도 두개의 리프터 축; 및
    상기 리프터 축들에 연결되어 리프터 축을 수직방향으로 승강시키는 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 센서는 척에 지지된 반도체 기판과 마주보는 상기 쉐도우 링의 하부에 하부에 내장된 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 센서는 광을 이용한 비 접촉 센서인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 프로세스 챔버 내부와 연통되어 상기 챔버 내부로 반응 가스를 공급하는 가스 공급 부재; 및
    상기 반응 가스를 플라스마 상태로 변환하기 위하여 상기 프로세스 챔버 내부에 전계를 형성하기 위한 전원 공급 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치.
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