KR20050071372A - Metallisation - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 금속 침착물의 생산에 사용되는 감광성 유기금속 화합물에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 UV에 노출시킨 다음 환원 공정시, 전기적으로 도전될 수 있는 실질적인 연속성의 시트상(sheet-like) 박막 또는 실질적인 협소한 라인 같은 백금 금속 침착물을 형성하는 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금(II)(즉, (C3F7)2PtC8H12) 같은 감광성 유기금속 화합물에 관한 것이다.The present invention relates to photosensitive organometallic compounds used in the production of metal deposits. In particular, the present invention relates to bis- (perfluoro) which forms platinum metal deposits such as substantially continuous sheet-like thin films or substantially narrow lines that can be electrically conductive upon exposure to UV and then in the reduction process. To photosensitive organometallic compounds such as propyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) (ie (C 3 F 7 ) 2 PtC 8 H 12 ).
얇은 금속 라인은 예를 들면, 광-전자공학, 반도체 기술 및 전자 수술 임플란트에서 집적 회로에 요구된다.Thin metal lines are required for integrated circuits in, for example, optoelectronics, semiconductor technology and electrosurgical implants.
나노스케일 회로의 경우, 금속 잉크 또는 마스크 및 에칭 공정을 사용하는 통상의 방법은 해상력이 높은 정확한 직선의 침착, 및 집적 회로 제작 동안 원호 이외의 완벽한 직각의 형성을 보장할 수 있는 요구 조건을 아직 보유하고 있지 못하다. 아울러, 고 해상력이 달성되지 않을 경우, 고밀도 상호연결체가 제작될 수 없다.In the case of nanoscale circuits, conventional methods using metal inks or masks and etching processes still have the requirements to ensure the deposition of accurate straight lines with high resolution and the formation of perfect right angles other than arcs during integrated circuit fabrication. I can't do it. In addition, high resolution interconnects cannot be fabricated unless high resolution is achieved.
본 발명의 목적은 이러한 단점을 해소하고/하거나 완화하는 것이다.It is an object of the present invention to address and / or mitigate this disadvantage.
이하에서는 본 발명의 양태가 첨부 도면을 참조하여 단지 예로서 기술된다.The following describes aspects of the invention by way of example only with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 제 1 양태에 따라 디메틸-백금 사이클로옥타디엔을 유리 기판 상에 침착시킨 다음 침착된 필름을 UV 조사하여 수득된 필름의 사진이다;1 is a photograph of a film obtained by depositing dimethyl-platinum cyclooctadiene on a glass substrate according to a first aspect of the present invention and then UV irradiating the deposited film;
도 2는 디메틸-백금 사이클로옥타디엔의 열 중량분석 곡선이다;2 is a thermogravimetric curve of dimethyl-platinum cyclooctadiene;
도 3은 본 발명의 제 1 양태에 따라 1차 디메틸-백금 사이클로옥타디엔 코팅 기판을 환원시켜 수득한 백금 금속 필름의 사진이다;3 is a photograph of a platinum metal film obtained by reducing a primary dimethyl-platinum cyclooctadiene coated substrate in accordance with a first aspect of the present invention;
도 4는 본 발명의 제 1 양태에 따라 2차 디메틸-백금 사이클로옥타디엔 코팅 기판을 환원시켜 수득한 백금 금속 필름의 사진이다;4 is a photograph of a platinum metal film obtained by reducing a secondary dimethyl-platinum cyclooctadiene coated substrate in accordance with a first aspect of the present invention;
도 5는 본 발명의 제 2 양태에 따라 유리 기판 상에 침착된 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II) 100 mg의 두께를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다;5 is a graph showing the results of measuring the thickness of 100 mg of bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) deposited on a glass substrate according to the second aspect of the present invention;
도 6은 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)의 열 중량분석 곡선이다;6 is a thermogravimetric curve of bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II);
도 7은 본 발명의 제 2 양태에 따른 침착된 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II) 100 mg을 UV 조사하여 형성된 필름의 두께를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다;7 is a graph showing the results of measuring the thickness of a film formed by UV irradiation of 100 mg of deposited bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) according to the second aspect of the present invention. to be;
도 8은 본 발명의 제 2 양태에 따른 침착된 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II) 100 mg을 환원시켜 수득된 백금 금속 필름의 사진이다;8 is a photograph of a platinum metal film obtained by reducing 100 mg of deposited bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) according to a second aspect of the present invention;
도 9은 도 8에서 형성된 백금 필름의 두께를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다;9 is a graph showing the results of measuring the thickness of the platinum film formed in FIG. 8;
도 10은 본 발명의 제 3 양태에 따라 상이한 환원 공정으로 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)를 사용하여 형성되고 수득된 추가의 백금 금속 필름의 사진이다;10 is a photograph of a further platinum metal film formed and obtained using bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) in a different reduction process according to a third aspect of the present invention. ;
도 11은 본 발명의 제 4 양태에 따라 60 ㎛ 트랙을 포함하는 형성된 백금 금속 필름의 사진이다;11 is a photograph of a formed platinum metal film comprising a 60 μm track in accordance with a fourth aspect of the present invention;
도 12는 본 발명의 제 5 양태에 따라 형성된 백금 금속의 1 mm2 패드를 포함하는 형성된 백금 금속 필름의 사진이다;12 is a photograph of a formed platinum metal film comprising a 1 mm 2 pad of platinum metal formed according to a fifth aspect of the present invention;
도 13은 본 발명의 제 6 양태에 따라 기판 상에 150 mg의 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)를 침착시켜 수득된 필름의 사진이다;13 is a photograph of a film obtained by depositing 150 mg of bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) on a substrate according to a sixth aspect of the present invention;
도 14는 도 13에 도시된 침착된 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)의 두께를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다;FIG. 14 is a graph showing the results of measuring the thickness of the deposited bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) shown in FIG. 13;
도 15는 도 14에 도시된 필름의 좌측을 마스킹한 다음 코팅 기판을 UV 조사한 후 필름의 사진이다;15 is a photograph of the film after masking the left side of the film shown in FIG. 14 and then UV irradiating the coated substrate;
도 16은 제 1 환원 단계 후 도 14에 도시된 바와 같은 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)으로 코팅된 기판의 사진이다;FIG. 16 is a photograph of a substrate coated with bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) as shown in FIG. 14 after a first reduction step;
도 17은 제 2 환원 단계 후 도 14에 도시된 바와 같은 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)으로 코팅된 기판의 사진이다;FIG. 17 is a photograph of a substrate coated with bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) as shown in FIG. 14 after a second reduction step;
도 18은 제 4 환원 단계 후 도 14에 도시된 바와 같은 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)으로 코팅된 기판의 사진이다;18 is a photograph of a substrate coated with bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) as shown in FIG. 14 after a fourth reduction step;
도 19는 4회의 환원 단계를 수행한 후 도 14에 도시된 코팅 기판으로부터 형성된 침착된 백금 금속의 두께를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.FIG. 19 is a graph showing the results of measuring the thickness of the deposited platinum metal formed from the coated substrate shown in FIG. 14 after performing four reduction steps.
발명의 요약Summary of the Invention
본 발명의 일면에 따라, According to one aspect of the invention,
a) 감광성 유기금속 화합물을 기판에 침착하는 단계;a) depositing a photosensitive organometallic compound on the substrate;
b) 감광성 유기금속 화합물을 UV로 조사하는 단계;b) irradiating the photosensitive organometallic compound with UV;
c) 조사된 감광성 유기금속 화합물을 환원시켜 기판에 부착되는 금속 침착물을 형성하는 단계; 및c) reducing the irradiated photosensitive organometallic compound to form a metal deposit attached to the substrate; And
d) 기판으로부터 분해된 감광성 유기금속 화합물 잔기와 영향을 받지 않은 감광성 유기금속 화합물을 제거하는 단계를 포함하는,d) removing the decomposed photosensitive organometallic compound residues and unaffected photosensitive organometallic compound from the substrate,
기판상에 금속 침착물을 형성하는 방법이 제공된다.A method of forming a metal deposit on a substrate is provided.
전형적으로, 단계 c)에서의 환원 공정은 하기 1 내지 4를 포함한다:Typically, the reduction process in step c) comprises the following 1-4:
1) 1차 가열 및 냉각 단계;1) primary heating and cooling steps;
2) 산화 대기에서 2차 가열 및 냉각 단계;2) secondary heating and cooling in an oxidizing atmosphere;
3) 기판상에 불활성 가스의 유동; 및3) flow of inert gas onto the substrate; And
4) 환원 가스가 기판상에서 유동하여 금속 침착물을 형성하는 3차 가열 및 냉각 단계.4) a tertiary heating and cooling step in which a reducing gas flows on the substrate to form metal deposits.
금속 침착물은 실질적인 연속성 "시트상" 박막 또는 실질적인 협소한 라인 같은 임의 형상 또는 구조일 수 있다. UV 빔의 적절한 포커싱에 의해, 나노미터 치수의 특징물을 생성할 수 있다. 예를 들면, 70 nm 이하의 금속 라인이 기판상에 형성될 수 있다. The metal deposit may be of any shape or structure, such as a substantially continuous "sheet-like" thin film or substantially narrow lines. By proper focusing of the UV beam, features of nanometer dimensions can be created. For example, metal lines of 70 nm or less can be formed on the substrate.
통상적으로, 금속 침착물은 기판에 단단히 부착된다.Typically, the metal deposit is firmly attached to the substrate.
1차 가열 및 냉각 단계는 노블 가스, 예를 들면 이질소(dinitrogen) 같은 불활성 대기에서 수행될 수 있다.The primary heating and cooling step can be carried out in an inert atmosphere such as a noble gas, for example dinitrogen.
편의상, 2차 가열 및 냉각 단계는 공기와 같은 이산소(dioxygen) 함유 대기 중에서 수행될 수 있다.For convenience, the secondary heating and cooling step may be performed in a dioxygen containing atmosphere such as air.
전형적으로, 3차 가열 및 냉각 단계에서의 환원 가스는 적어도 이수소(dihydrogen)를 포함한다.Typically, the reducing gas in the tertiary heating and cooling steps comprises at least dihydrogen.
미반응 감광성 유기금속 화합물은 승화 단계 또는 세척 단계를 통해 제거될 수 있다.Unreacted photosensitive organometallic compounds can be removed via a sublimation step or a wash step.
본 발명의 감광성 유기금속 화합물은 UV에 노출 및 후속 환원시에 금속으로 전환되는 화합물이다.Photosensitive organometallic compounds of the present invention are compounds that are converted to metal upon exposure to UV and subsequent reduction.
전형적으로, 감광성 유기금속 화합물은 백금 유기금속이다.Typically, the photosensitive organometallic compound is a platinum organometal.
이와 달리, 감광성 유기금속 화합물은 임의의 하기 금속을 함유한다: 팔라듐, 구리, 로듐, 텅스텐, 이리듐, 은, 금 및 탄탈륨.In contrast, the photosensitive organometallic compound contains any of the following metals: palladium, copper, rhodium, tungsten, iridium, silver, gold and tantalum.
전형적으로, 감광성 유기금속 화합물은 후술되는 바와 같이 화학식 (I)의 화합물이다.Typically, the photosensitive organometallic compound is a compound of formula (I) as described below.
특히, 감광성 유기금속 화합물은 임의의 하기 화합물 중에서 선택된다: 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금(II); 비스-(퍼플루오로프로필)-1-메틸-1,5-사이클로옥타디엔 백금(II); 및 비스-(퍼플루오로프로필)-1-플루오로메틸-1,5-사이클로옥타디엔 백금(II).In particular, the photosensitive organometallic compound is selected from any of the following compounds: bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II); Bis- (perfluoropropyl) -1-methyl-1,5-cyclooctadiene platinum (II); And bis- (perfluoropropyl) -1-fluoromethyl-1,5-cyclooctadiene platinum (II).
유기금속 화합물은 예를 들면, 하기 기술을 사용하여 침착시킬 수 있다: 진공 코팅 기술, 스피닝 기술, 표면 장력 코팅 기술 또는 핫 스프레이 기술.The organometallic compound can be deposited using, for example, the following techniques: vacuum coating technique, spinning technique, surface tension coating technique or hot spray technique.
편리하게는, 유기금속의 약 10 내지 500 mg의 박막이 기판상에 침착된다.Conveniently, a thin film of about 10 to 500 mg of organometal is deposited on the substrate.
감광성 유기금속의 약 100 mg의 박막이 기판 상에 침착될 수 있다.About 100 mg of a thin film of photosensitive organometal may be deposited on the substrate.
전형적으로, UV은 약 150 내지 400 nm의 파장을 갖는다.Typically, UV has a wavelength of about 150-400 nm.
바람직하게는, UV는 약 260 nm의 파장을 갖는다.Preferably, the UV has a wavelength of about 260 nm.
편리하게는, UV의 약 10 내지 500 Jcm-2의 선량이 기판상에 조사된다.Conveniently, a dose of about 10 to 500 Jcm −2 of UV is irradiated onto the substrate.
바람직하게는, UV의 약 100 Jcm-2의 선량이 기판상에 조사된다.Preferably, a dose of about 100 Jcm −2 of UV is irradiated onto the substrate.
편리하게는, UV 마스크를 사용하여 금속 침착물의 특이적 패턴을 형성시킨다.Conveniently, UV masks are used to form specific patterns of metal deposits.
이와 달리, 금속 침착물은 "직접 묘화(direct writing)" 기술로 UV 빔으로 직적 형성된다.Metal deposits, on the other hand, are formed directly into the UV beam by means of a "direct writing" technique.
전형적으로, 환원 공정은 하기를 포함한다:Typically, the reduction process includes:
(1) 코팅된 기판을 분당 약 2℃의 온도 변화율(ramp rate)로 약 25℃에서 약 120℃로 가열하고; 약 60분간 약 80℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 10℃의 온도 변화율로 약 80℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, N2는 분당 약 50 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다;(1) the coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 120 ° C. at a temperature rate of about 2 ° C. per minute; Holding temperature at about 80 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 80 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 10 ° C. per minute; Wherein N 2 flows onto the coated substrate at a rate of about 50 ml per minute;
(2) 기판을 분당 약 5℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 250℃로 가열하고; 약 60분간 약 250℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 5℃의 온도 변화율로 약 250℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 코팅 기판은 공기에 노출된다;(2) the substrate is heated from about 25 ° C. to about 250 ° C. at a rate of temperature change of about 5 ° C. per minute; Holding temperature at about 250 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 250 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 5 ° C. per minute; Here, the coated substrate is exposed to air;
(3) 약 10분간 코팅 기판 상에 약 25℃에서 N2를 유동시키는 단계; 및(3) flowing N 2 at about 25 ° C. on the coated substrate for about 10 minutes; And
(4) 코팅된 기판을 분당 약 20℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 350℃로 가열하고; 약 60분간 약 350℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 20℃의 속도로 약 350℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 약 5% H2와 95% N2의 혼합물이 분당 약 150 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다.(4) the coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 350 ° C. with a temperature change rate of about 20 ° C. per minute; Holding temperature at about 350 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 350 ° C. to about 25 ° C. at a rate of about 20 ° C. per minute; Here, a mixture of about 5% H 2 and 95% N 2 is flowed onto the coating substrate at a rate of about 150 ml per minute.
이와 달리, 환원 공정은 하기 단계를 포함한다:In contrast, the reduction process comprises the following steps:
(1) 코팅된 기판을 분당 약 2℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 120℃로 가열하고; 약 60분간 약 80℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 10℃의 온도 변화율로 약 80℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, N2는 분당 약 50 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다;(1) the coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 120 ° C. at a rate of change of about 2 ° C. per minute; Holding temperature at about 80 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 80 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 10 ° C. per minute; Wherein N 2 flows onto the coated substrate at a rate of about 50 ml per minute;
(2) 기판을 분당 약 20℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 350℃로 가열하고; 약 60분간 약 350℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 20℃의 온도 변화율로 약 350℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 코팅 기판은 공기에 노출된다;(2) the substrate is heated from about 25 ° C. to about 350 ° C. at a temperature change rate of about 20 ° C. per minute; Holding temperature at about 350 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 350 ° C. to about 25 ° C. with a temperature change rate of about 20 ° C. per minute; Here, the coated substrate is exposed to air;
(3) 약 10분간 코팅 기판 상에 약 25℃에서 N2를 유동시키는 단계; 및(3) flowing N 2 at about 25 ° C. on the coated substrate for about 10 minutes; And
(4) 코팅된 기판을 분당 약 20℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 350℃로 가열하고; 약 60분간 약 350℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 20℃의 속도로 약 350℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 약 5% H2와 95% N2의 혼합물이 분당 약 150 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다.(4) the coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 350 ° C. with a temperature change rate of about 20 ° C. per minute; Holding temperature at about 350 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 350 ° C. to about 25 ° C. at a rate of about 20 ° C. per minute; Here, a mixture of about 5% H 2 and 95% N 2 is flowed onto the coating substrate at a rate of about 150 ml per minute.
본 발명의 제 2 면에 따르면, 제 1 면에 따라 형성된 금속 침착물이 제공된다.According to a second aspect of the invention there is provided a metal deposit formed according to the first aspect.
금속 침착물은 실질적인 연속성 "시트상" 박막 또는 실질적인 협소한 라인 같은 임의의 형상 또는 구조일 수 있다. The metal deposit may be of any shape or structure, such as a substantially continuous "sheet-like" thin film or substantially narrow lines.
전형적으로, 금속 침착물은 기판에 단단하게 부착된다.Typically, the metal deposit is firmly attached to the substrate.
금속 침착물은 백금일 수 있다.The metal deposit may be platinum.
이와 달리, 금속 침착물은 팔라듐, 구리, 로듐, 텅스텐, 이리듐, 은, 금 및 탄탈륨 중에서 선택될 수 있다.Alternatively, the metal deposit may be selected from palladium, copper, rhodium, tungsten, iridium, silver, gold and tantalum.
바람직하게는 금속 침착물은 균일하고 연속성이다.Preferably the metal deposits are uniform and continuous.
전형적으로, 금속 침착물은 60 내지 20 nm의 폭을 가질 수 있다.Typically, metal deposits may have a width of 60 to 20 nm.
편리하게는, 금속 침착물은 5 내지 20 nm의 두께를 가질 수 있다.Conveniently, the metal deposit may have a thickness of 5-20 nm.
기판의 일부를 마스킹함으로써, 일정 패턴의 금속 침착물이 수득될 수 있다.By masking a portion of the substrate, a pattern of metal deposits can be obtained.
젼형적으로, 금속 침착물은 양호한 전도성을 띤다.Typically, metal deposits have good conductivity.
본 발명의 제 3 면에 따라, 하기 화학식 (I)의 화합물이 제공된다.According to a third aspect of the invention, there is provided a compound of formula (I).
[화학식 I][Formula I]
상기식에서,In the above formula,
M은 백금, 팔라듐, 구리, 로듐, 텅스텐, 이리듐, 은, 금 및 탄탈륨 중 임의 하나이고;M is any one of platinum, palladium, copper, rhodium, tungsten, iridium, silver, gold and tantalum;
A는 산소, 황, 아미드 그룹, 아민 그룹 및 에스테르 그룹 중 임의 하나이며;A is any one of oxygen, sulfur, amide group, amine group and ester group;
x는 0 또는 1이며;x is 0 or 1;
R은 플루오로오가노 그룹이며;R is a fluoroorgano group;
L은 두 자리 리간드이다.L is a bidentate ligand.
전형적으로, A는 산소이다.Typically, A is oxygen.
전형적으로, x는 0이다.Typically, x is zero.
플루오로오가노 그룹은 하기의 임의의 플루오로 유도체 중에서 선택될 수 있다: 치환 또는 비치환될 수 있고/있거나 직쇄 또는 측쇄상일 수 있는, C1-12 알킬, C1-12 알케닐, C1-12 알키닐 및 C1-12 아릴 그룹.The fluoroorgano group may be selected from any of the following fluoro derivatives: C 1-12 alkyl, C 1-12 alkenyl, C 1 , which may be substituted or unsubstituted and / or may be straight or branched chain -12 alkynyl and C 1-12 aryl groups.
플루오로오가노 그룹은 하기의 임의 플루오로 유도체 중에서 선택될 수 있다: 치환 또는 비치환되거나 직쇄 또는 측쇄상일 수 있는, C1-4 알킬, C1-4 알케닐, C1-4 알키닐 및 C1-4 아릴 그룹.The fluoroorgano group may be selected from any of the following fluoro derivatives: C 1-4 alkyl, C 1-4 alkenyl, C 1-4 alkynyl, which may be substituted or unsubstituted or straight or branched chain and C 1-4 aryl group.
전형적으로, 플루오로오가노 그룹은 하기의 임의 플루오로 유도체 중에서 선택될 수 있다: 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸 또는 tert-부틸.Typically, the fluoroorgano group can be selected from any of the following fluoro derivatives: methyl, ethyl, n-propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl or tert-butyl.
편리하게는, 플루오로오가노 그룹은 퍼플루오로오가노 그룹일 수 있다.Conveniently, the fluoroorgano group may be a perfluoroorgano group.
두 자리 리간드는 사이클릭 또는 비-사이클릭일 수 있다.Bidentate ligands can be cyclic or acyclic.
두 자리 리간드는 예를 들면, 두 올레핀 그룹을 포함할 수 있고, 따라서 1,5-사이클로옥타디엔 또는 이의 유도체, 예를 들면, 1-메틸-1,5-사이클로옥타디엔 및 1-플루오로메틸-1,5-사이클로옥타디엔일 수 있다.The bidentate ligand may comprise, for example, two olefin groups and thus 1,5-cyclooctadiene or derivatives thereof such as 1-methyl-1,5-cyclooctadiene and 1-fluoromethyl It may be -1,5-cyclooctadiene.
이와 달리, 두 자리 리간드는 사이클로옥타테트라엔 또는 이의 유도체일 수 있다.Alternatively, the bidentate ligand may be a cyclooctatetraene or derivative thereof.
전형적으로, 화학식 (I)로 나타낸 화합물은 비스-치환 (퍼플루오로오가노) 사이클로옥타디엔 백금 (II) 화합물일 수 있다.Typically, the compound represented by formula (I) may be a bis-substituted (perfluoroorgano) cyclooctadiene platinum (II) compound.
편리하게는, 화학식 (I)로 표시되는 화합물은 하기 중에서 선택될 수 있다: 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II); 비스-((퍼플루오로프로필)-1-메틸-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II); 및 비스-(퍼플루오로프로필)-1-플루오로메틸-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II).Conveniently, the compound represented by the formula (I) may be selected from: bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II); Bis-((perfluoropropyl) -1-methyl-1,5-cyclooctadiene platinum (II); and bis- (perfluoropropyl) -1-fluoromethyl-1,5-cyclooctadiene platinum (II).
본 발명의 제 4 면에 따라, According to a fourth aspect of the invention,
하기 화학식 (II)의 화합물과 화학식 (III)에 따른 화합물의 반응 혼합물을 형성하는 단계; 및 Forming a reaction mixture of a compound of formula (II) with a compound according to formula (III); And
반응 혼합물을 화학식 (I)에 따른 화합물이 형성되는 조건에 투입하는 단계를 포함하는, 화학식 (I)로 정의되는 제 1 면에 따른 화합물의 형성 방법이 제공된다:A method of forming a compound according to the first aspect as defined by formula (I) is provided comprising subjecting the reaction mixture to conditions under which a compound according to formula (I) is formed:
[화학식 II][Formula II]
[화학식 III][Formula III]
h-[A]x-Rh- [A] x -R
상기식에서,In the above formula,
M은 백금, 팔라듐, 구리, 로듐, 텅스텐, 이리듐, 은, 금 및 탄탈륨 중 임의 하나이고;M is any one of platinum, palladium, copper, rhodium, tungsten, iridium, silver, gold and tantalum;
L은 두 자리 리간드이며;L is a bidentate ligand;
Z는 유기 그룹이며;Z is an organic group;
h는 할라이드이며;h is a halide;
A는 산소, 황, 아미드 그룹, 아민 그룹 및 에스테르 그룹 중 임의 하나이며;A is any one of oxygen, sulfur, amide group, amine group and ester group;
x는 0 또는 1이며;x is 0 or 1;
R은 플루오로오가노 그룹이다.R is a fluoroorgano group.
반응 혼합물의 혼합은 암실에서 또는 주위 조건에서 수행될 수 있다.Mixing of the reaction mixture can be carried out in the dark or at ambient conditions.
화학식 (II)로 표시되는 화합물은 용매 중에 존재할 수 있다.The compound represented by formula (II) may be present in a solvent.
전형적으로, 용매 중의 화학식 (II)로 표시되는 화합물은 화학식 (III)으로 표시되는 화합물에 첨가된다.Typically, the compound represented by the formula (II) in the solvent is added to the compound represented by the formula (III).
편리하게는, 화학식 (I)로 표시되는 화합물은 침전물을 여과하고 잔류 용매 또는 여타 휘발성 물질을 증발시킴으로써 수득된다.Conveniently, the compound represented by the formula (I) is obtained by filtering the precipitate and evaporating residual solvents or other volatiles.
수득되는 침전물은 재결정 및/또는 크로마토그래피 기술을 이용하여 정제될 수 있다.The precipitate obtained can be purified using recrystallization and / or chromatography techniques.
수득된 침전물은 이를 용매에 재용해시키고 수득 용액을 크로마토그래피 칼럼상에 흘려보내 화학식 (I)의 정제된 화합물을 함유하는 분획을 수집한 다음, 예를 들면 메틸렌 클로라이드/펜탄 용액으로부터 수집 분획을 결정화함으로써 정제될 수 있다. The precipitate obtained is redissolved in a solvent and the resulting solution is run on a chromatography column to collect the fractions containing the purified compound of formula (I) and then crystallized from the methylene chloride / pentane solution for example. By purification.
화학식 (II)로 표시되는 화합물을 용해시키는 데 사용되는 용매는 방향족 또는 지방족 탄화수소 같은 유기 용매일 수 있다. 특히, 유기 용매는 메틸렌 클로라이드 또는 클로로로포름일 수 있다.The solvent used to dissolve the compound represented by the formula (II) may be an organic solvent such as an aromatic or aliphatic hydrocarbon. In particular, the organic solvent may be methylene chloride or chloroform.
화학식 (III)으로 표시되는 화합물은 임의의 하기 화합물 중에서 선택될 수 있다: 퍼플루오로오가노-아이오다이드, 퍼플루오로오가노-브로마이드, 퍼플루오로오가노-클로라이드 및 퍼플루오로오가노-플루오라이드.The compound represented by the formula (III) may be selected from any of the following compounds: perfluoroorgano-iodide, perfluoroorgano-bromide, perfluoroorgano-chloride and perfluoroorgano Fluoride.
화학식 (II) 또는 화학식 (III) 중의 플루오로오가노 그룹의 유기 그룹은 임의의 하기 그룹 중에서 선택될 수 있다: 치환 또는 비치환될 수 있고/있거나 직쇄 또는 측쇄상일 수 있는, C1-12 알킬, C1-12 알케닐, C1-12 알키닐 및 C 1-12 아릴 그룹.The organic group of the fluoroorgano group in formula (II) or formula (III) may be selected from any of the following groups: C 1-12 alkyl, which may be substituted or unsubstituted and / or may be straight or branched chain , C 1-12 alkenyl, C 1-12 alkynyl and C 1-12 aryl groups.
화학식 (II) 또는 화학식 (III)중의 그룹의 유기 그룹은 하기의 임의 그룹 중에서 선택될 수 있다: 치환 또는 비치환되거나 직쇄 또는 측쇄상일 수 있는, C1-4 알킬, C1-4 알케닐, C1-4 알키닐 및 C1-4 아릴 그룹.The organic group of the group of formula (II) or formula (III) may be selected from any of the following groups: C 1-4 alkyl, C 1-4 alkenyl, which may be substituted or unsubstituted or straight or branched chain, C 1-4 alkynyl and C 1-4 aryl groups.
화학식 (II) 또는 화학식 (III) 중의 플루오로오가노 그룹의 유기 그룹은 하기의 임의 조합 중에서 선택될 수 있다: 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, tert-부틸, 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실.The organic group of the fluoroorgano group in formula (II) or formula (III) may be selected from any combination of the following: methyl, ethyl, n-propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl, tert -Butyl, cyclopentyl or cyclohexyl.
화학식 (III)으로 표시되는 화합물은 하기의 화합물 중에서 선택될 수 있다: n-퍼플루오로프로필 아이오다이드; 퍼플루오로부틸 아이오다이드 등.The compound represented by formula (III) may be selected from the following compounds: n-perfluoropropyl iodide; Perfluorobutyl iodide and the like.
전형적으로, 반응 혼합물의 혼합은 불활성 대기하에서 일어나며 5시간 동안의 진탕을 포함한다.Typically, the mixing of the reaction mixture takes place under an inert atmosphere and involves shaking for 5 hours.
편리하게는, 불활성 대기는 노블 가스 또는 질소 중에서 선택된다.Conveniently, the inert atmosphere is selected from noble gases or nitrogen.
전형적으로, 화학식 (II)로 표시되는 화합물은 비스-치환 유기 백금(II) 사이클로옥타디엔 화합물이다.Typically, the compound represented by the formula (II) is a bis-substituted organic platinum (II) cyclooctadiene compound.
편리하게는, 화학식 (I)에 따라 형성된 화합물은 하기 중에서 선택된다: 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II); 비스(퍼플루오로프로필)-1-메틸-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II); 및 비스-(퍼플루오로프로필)-1-플루오로메틸-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II).Conveniently, the compound formed according to formula (I) is selected from: bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II); Bis (perfluoropropyl) -1-methyl-1,5-cyclooctadiene platinum (II); And bis- (perfluoropropyl) -1-fluoromethyl-1,5-cyclooctadiene platinum (II).
본 발명은 금속, 특히 환원 공정을 통해 필름 및 협소한 라인 같은 백금 금속 침착물을 형성함에 있어서 감광성 유기금속 화합물의 용도에 관한 것이다. 하기와 같은 유기금속 화합물이 적당하다: 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II); 디메틸-백금 사이클로옥타디엔; 비스-(퍼플루오로프로필)-1-메틸-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II); 및 비스-(퍼플루오로프로필)-1-플루오로메틸-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II).The present invention relates to the use of photosensitive organometallic compounds in the formation of metals, in particular platinum metal deposits such as films and narrow lines, via a reduction process. Organometallic compounds such as the following are suitable: bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II); Dimethyl-platinum cyclooctadiene; Bis- (perfluoropropyl) -1-methyl-1,5-cyclooctadiene platinum (II); And bis- (perfluoropropyl) -1-fluoromethyl-1,5-cyclooctadiene platinum (II).
비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II); 디메틸-백금 사이클로옥타디엔; 비스-(퍼플루오로프로필)-1-메틸-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II); 및 비스-(퍼플루오로프로필)-1-플루오로메틸-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)의 구조를 하기에 도시한다: Bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II); Dimethyl-platinum cyclooctadiene; Bis- (perfluoropropyl) -1-methyl-1,5-cyclooctadiene platinum (II); And the structure of bis- (perfluoropropyl) -1-fluoromethyl-1,5-cyclooctadiene platinum (II):
유기금속 화합물은 임의의 적당한 침착 기술을 통해 유리 기판 상에 우선 침착된다. 통상적으로, 진공 코팅 기술이 사용된다. 이어서, 유기금속 백금 화합물을, 경우에 따라 포토마스크를 이용하여, UV에 노출시킨 다음, 4-단계 환원 공정을 통해서 백금 금속으로 환원시킨다.The organometallic compound is first deposited on the glass substrate via any suitable deposition technique. Typically, vacuum coating techniques are used. The organometallic platinum compound is then exposed to UV, optionally using a photomask, and then reduced to platinum metal via a four-step reduction process.
4-단계 환원 공정은 우선, 유기금속 화합물을 건조시키는 불활성 대기(예를 들면, N2) 같은 대기 중에서 가열 및 냉각하는 단계를 수반한다. 이어서, 금속 특징부로부터 개재된 탄소 잔기를 제거하는 작용을 하는 산화 대기(예를 들면, 공기)에서 추가 가열 및 냉각 단계를 수행한다. 이어서, N2와 같은 불활성 가스를 코팅 기판상으로 송풍한다. 이어서, 산화된 금속 성분이 금속으로 환원되는 환원 대기(예를 들면, H2)에서 추가 가열 및 냉각 단계를 수행한다. 이러한 공정은 예를 들면, 유기금속 백금 화합물을 예를 들면, 연속성이고 균일한 필름을 형성하는 백금 금속으로 환원시키는 것으로 밝혀졌다.The four-stage reduction process first involves heating and cooling in an atmosphere, such as an inert atmosphere (eg N 2 ), in which the organometallic compound is dried. Subsequently, additional heating and cooling steps are performed in an oxidizing atmosphere (eg, air) that serves to remove intercalated carbon moieties from metal features. Then, an inert gas such as N 2 is blown onto the coating substrate. Subsequently, further heating and cooling steps are performed in a reducing atmosphere (eg H 2 ) in which the oxidized metal component is reduced to metal. Such a process has been found to reduce, for example, organometallic platinum compounds to, for example, platinum metal which forms a continuous and uniform film.
유기금속 화합물로 코팅된 기판을 마스킹하여 예를 들면, 백금 금속의 특이적 패턴을 생성한다.Masking a substrate coated with an organometallic compound produces a specific pattern of, for example, platinum metal.
신규 화합물인 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)이 양호한 백금 필름을 제공함이 밝혀졌다. 이는 이하에서 좀더 상세하게 논의된다.It has been found that the novel compound bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) provides a good platinum film. This is discussed in more detail below.
실시예 1Example 1
우선, Corning 7059 글래스의 유리 기판을 하기 공정에 따라 청결히 하였다:First, the glass substrate of Corning 7059 glass was cleaned according to the following process:
a. 1 cm2의 미리 절단한 기판을 Desolvit 3000 (시판 클리닝제)에 가하고 30분간 초음파 교반에 노출시켰다.a. A 1 cm 2 precut substrate was added to Desolvit 3000 (commercial cleaning agent) and exposed to ultrasonic stirring for 30 minutes.
b. 이어서, 기판을 따뜻한 탈이온수(대략 40℃)에서 10분간 세정하였다.b. The substrate was then washed for 10 minutes in warm deionized water (approx. 40 ° C.).
c. 이어서 기판을 탈이온수에서 단기 세정하였다.c. The substrate was then short-term washed in deionized water.
d. 최종적으로, 취입된 질소를 이용하여 기판을 건조시켰다.d. Finally, the substrate was dried using the blown nitrogen.
저울(Mettler Toledo AB54-S)을 사용하여 100 mg의 디메틸-백금 사이클로옥타디엔을 칭량하고 몰리브덴으로 피복한 보트(boat)에 가하였다. 이어서, 기판을 'rotatilt 테이블'에 부착시키기 전에 이리듐 와이어에 의해 부착시킨 유리 슬라이드에 코팅시켰다.100 mg of dimethyl-platinum cyclooctadiene was weighed using a balance (Mettler Toledo AB54-S) and added to a boat coated with molybdenum. Subsequently, the substrate was coated on a glass slide attached by iridium wire prior to attaching to the 'rotatilt table'.
이어서, 디메틸-백금 사이클로펜타디엔을 증발을 통해 유리 기판에 침착시켰다. 증발 절차는 보트와 소제된 기판을 진공 코팅 유닛에 배치하는 단계를 포함한다. 이어서, 벨 자(bell jar) 및 가드를 위치시키고, 액체 질소를 트랩에 가한 다음 챔버를 8 x 10-6 mb의 진공 상태로 만든다. 이어서 보트에 전류를 통과시켜 챔버내의 압력이 증가할 때까지 서서히 증가시켰다. 이어서, 압력이 감소하기 시작할 때까지 전류를 유지시켰다. 압력의 이러한 감소는 증발이 완료되었음을 표시하였다. 이어서, 챔버를 배출시키고 코팅된 기판을 꺼냈다.Dimethyl-platinum cyclopentadiene was then deposited on the glass substrate via evaporation. The evaporation procedure includes placing the boat and the cleaned substrate in a vacuum coating unit. The bell jar and guard are then placed, liquid nitrogen is added to the trap and the chamber is vacuumed at 8 × 10 −6 mb. The current was then passed through the boat and slowly increased until the pressure in the chamber increased. Then, the current was maintained until the pressure started to decrease. This decrease in pressure indicated that evaporation was complete. The chamber was then drained and the coated substrates were taken out.
이어서, 코팅 기판을 260 nm 파장의 UV로 조사하였다. OAI J500/VIS 마스크 얼라이너(aligner)를 사용하여 출력 16.5 mjs-1cm-2의 전구로부터 108.9 Jcm -2의 총 선량을 제공하였다.The coated substrate was then irradiated with UV at 260 nm wavelength. An OAI J500 / VIS mask aligner was used to provide a total dose of 108.9 Jcm −2 from the bulb of output 16.5 mjs −1 cm −2 .
UV에 노출 후 침착된 디메틸-백금 사이클로옥타디엔의 사진을 나타내는 도 1은 수득된 필름 품질이 불량하고 대부분 결정질로 나타남을 보여준다.Figure 1, which shows a photograph of dimethyl-platinum cyclooctadiene deposited after exposure to UV, shows that the film quality obtained is poor and appears mostly crystalline.
이어서, 새로운 단계인 건조 환원 공정을 이용하여 디메틸-백금 사이클로옥타디엔 코팅 유리 기판을 백금 금속으로 환원시켰다.A dimethyl-platinum cyclooctadiene coated glass substrate was then reduced to platinum metal using a new step, a dry reduction process.
도 2에 도시된 열 중량분석을 참조하면, 디메틸-백금 사이클로옥타디엔은 하기의 4-단계 환원 공정에서 단계 1에 대한 등온 온도인 대략 110℃의 온도에서 승화하기 시작하는 것으로 나타난다. 4-단계 환원 공정은 다음과 같이 수행된다: Referring to the thermogravimetric analysis shown in FIG. 2, dimethyl-platinum cyclooctadiene appears to begin to sublimate at a temperature of approximately 110 ° C., the isothermal temperature for step 1 in the following four-step reduction process. The four-step reduction process is carried out as follows:
단계 1: Step 1:
(1) 코팅된 기판을 분당 약 2℃의 온도 변화율(ramp rate)로 약 25℃에서 약 120℃로 가열하고; 약 60분간 약 120℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 10℃의 온도 변화율로 약 120℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, N2는 분당 약 50 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다;(1) the coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 120 ° C. at a temperature rate of about 2 ° C. per minute; Maintaining the temperature at about 120 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 120 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 10 ° C. per minute; Wherein N 2 flows onto the coated substrate at a rate of about 50 ml per minute;
(2) 기판을 분당 약 5℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 250℃로 가열하고; 약 60분간 약 250℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 5℃의 온도 변화율로 약 250℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 코팅 기판은 공기에 노출된다;(2) the substrate is heated from about 25 ° C. to about 250 ° C. at a rate of temperature change of about 5 ° C. per minute; Holding temperature at about 250 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 250 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 5 ° C. per minute; Here, the coated substrate is exposed to air;
(3) 약 10분간 코팅 기판 상에 약 25℃에서 N2를 유동시키는 단계; 및(3) flowing N 2 at about 25 ° C. on the coated substrate for about 10 minutes; And
(4) 코팅된 기판을 분당 약 20℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 350℃로 가열하고; 약 60분간 약 350℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 20℃의 속도로 약 350℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 약 5% H2와 95% N2의 혼합물이 분당 약 150 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다.(4) the coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 350 ° C. with a temperature change rate of about 20 ° C. per minute; Holding temperature at about 350 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 350 ° C. to about 25 ° C. at a rate of about 20 ° C. per minute; Here, a mixture of about 5% H 2 and 95% N 2 is flowed onto the coating substrate at a rate of about 150 ml per minute.
도 3 및 4는 수득된 백금 금속 필름을 나타낸다. 그러나, 백금 필름의 품질과 접착도는 다소 불량하여 최종 산물은 스카치 테이프 시험을 할 수 없다. 도 3과 4를 분석하면, 불연속 패턴으로 봐서, 균일한 연속성 필름이 생성되지 않음이 분명하다. 더욱이, 도 4에서는 백금 금속이 실제로 말려 올라가 있는 것으로 보인다.3 and 4 show the platinum metal films obtained. However, the quality and adhesion of platinum films are rather poor and the final product cannot be subjected to Scotch tape testing. Analyzing Figures 3 and 4, it is evident from the discrete pattern that no uniform continuous film is produced. Moreover, in FIG. 4 the platinum metal appears to be actually curled up.
4-포인트-프로브를 사용하여, 백금 필름 중 하나의 저항을 측정하였다. 다수의 결과를 취합하여 다음과 같이 평균을 내었다:Using a four-point probe, the resistance of one of the platinum films was measured. Multiple results were collected and averaged as follows:
R1 = 1299.6 ΩR 1 = 1299.6 Ω
R2 = 2209.6 ΩR 2 = 2209.6 Ω
R3 = 7512.2 ΩR 3 = 7512.2 Ω
Rav = (R1 + R2 + R3)/3R av = (R 1 + R 2 + R 3 ) / 3
= (1299.6 + 2209.6 + 7512.2)/3 = (1299.6 + 2209.6 + 7512.2) / 3
= 3673.8 Ω = 3673.8 Ω
따라서, 3673.8 Ω의 평균 저항값이 수득되었다. 3673.8 Ω의 저항은 매우 높은 것이며 생성된 백금 금속 필름이 불순물로 오염되고/되거나 그 자리에서 지극히 얇다는 것을 보여준다. 후자는 도 3 및 4 모두가 단지 침착된 백금 금속의 플래쉬(flash) 코팅인 것으로 보이는 영역을 보여주는 것 같다. 이러한 영역은 모두 상호 연결되어 있으며 좀더 두꺼운 금속 영역 주변에 출현하여 '포장석(paving stone)' 효과를 일으키게 된다. Thus, an average resistance value of 3673.8 kPa was obtained. The resistance of 3673.8 kPa is very high and shows that the resulting platinum metal film is contaminated with impurities and / or extremely thin in place. The latter seems to show an area where both FIGS. 3 and 4 only appear to be flash coatings of deposited platinum metal. These areas are all interconnected and appear around thicker metal areas, causing a 'paving stone' effect.
요약하면, 침착된 디메틸-백금 사이클로옥타디엔의 환원으로부터 생성된 백금 금속은 연속성 Pt 금속 필름을 생성하지 않으며 유리 기판에 대한 지극히 불량한 접착을 보인다.In summary, the platinum metal resulting from the reduction of deposited dimethyl-platinum cyclooctadiene does not produce a continuous Pt metal film and shows extremely poor adhesion to the glass substrate.
실시예 2Example 2
이어서, 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)을 이용하여 유리 기판을 코팅하였다.The glass substrate was then coated with bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II).
비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)를 다음과 같이 제조하였다. 비스-메틸 백금 (II) 사이클로옥타디엔 (2.6 g)의 용액을 3 cm3의 건조 메틸렌 클로라이드(즉, 디클로로메탄)에 용해시키고, 여기에 2.4 cm3의 n-퍼플루오로프로필 아이오다이드를 아르곤의 불활성 대기하에 서서히 첨가하였다. 반응을 아르곤 대기하에 주위 조건에서 5일간 진탕시키고, 이렇게 하는 동안 황색/크림색 침전물이 형성되었다. 반응 혼합물을 여과하고 용매를 증발 제거시키면 황색 산물이 생성된다. 이어서, 메틸렌 클로라이드 중의 산물 용액을 플루오로실 단(short) 칼럼을 통해 여과시켰다. 목적 산물을 함유하는 분획을 병합하고 크림 모양의 백색 산물이 메틸렌 클로라이드/펜탄 용액에서 결정화되었다. 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)의 20.5% 수율이 수득되었다.Bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) was prepared as follows. A solution of bis-methyl platinum (II) cyclooctadiene (2.6 g) is dissolved in 3 cm 3 of dry methylene chloride (i.e. dichloromethane), and 2.4 cm 3 of n-perfluoropropyl iodide is added thereto. Slowly added under an inert atmosphere of argon. The reaction was shaken for 5 days at ambient conditions under an argon atmosphere, during which a yellow / creamy precipitate formed. Filtration of the reaction mixture and evaporation of the solvent gave a yellow product. The product solution in methylene chloride was then filtered through a fluorosil short column. Fractions containing the desired product were combined and the creamy white product crystallized in methylene chloride / pentane solution. A 20.5% yield of bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) was obtained.
이어서, 유리 기판을 청결히 한 다음 100 mg의 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)를 사용하여 전과 같이 코팅하였다. 도 5에 도시된 바와 같이, 코팅은 약 1260 nm 두께인 것으로 측정되었다.The glass substrates were then cleaned and then coated as before with 100 mg of bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II). As shown in FIG. 5, the coating was measured to be about 1260 nm thick.
비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)의 열 중량분석 결과를 도 6에 나타내었다. 열 중량분석으로부터, 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)가 승화되고 분해되지 않음이 분명하다.The thermal gravimetric result of bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) is shown in FIG. 6. From thermogravimetric analysis, it is clear that bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) is sublimed and does not decompose.
이어서, 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II) 코팅 유리 기판을 (실시에 1에서 기술한 바와 같이) 260 nm의 UV에 노출시켰다.The bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) coated glass substrate was then exposed to UV at 260 nm (as described in Example 1).
유리 기판 상의 필름이 UV 노출 중에 수축을 겪은 것으로 관찰되었다. 도 7에서의 표면 프로필은 필름 두께가 UV 노출시에 750 nm 두께로 대략 40%까지 감소되었음을 보여준다.It was observed that the film on the glass substrate experienced shrinkage during the UV exposure. The surface profile in FIG. 7 shows that the film thickness was reduced by approximately 40% to 750 nm thickness upon UV exposure.
다시, 4-단계 환원 공정을 이용하여 다음과 같이 필름을 금속화하였다:Again, the film was metallized as follows using a four-step reduction process:
단계 1: 코팅된 기판을 분당 약 2℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 120℃로 가열하고; 약 60분간 약 120℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 10℃의 온도 변화율로 약 120℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, N2는 분당 약 50 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다. 이 단계에 의하여 임의의 비-노출 영역의 승화가 일어난다;Step 1: The coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 120 ° C. with a temperature change rate of about 2 ° C. per minute; Maintaining the temperature at about 120 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 120 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 10 ° C. per minute; Here, N 2 flows onto the coated substrate at a rate of about 50 ml per minute. This step results in sublimation of any non-exposed areas;
단계 2: 기판을 분당 약 5℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 350℃로 가열하고; 약 60분간 약 350℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 5℃의 온도 변화율로 약 350℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 코팅 기판은 공기에 노출된다. 이 단계는 금속화 단계이다; Step 2: The substrate is heated from about 25 ° C. to about 350 ° C. at a rate of temperature change of about 5 ° C. per minute; Holding temperature at about 350 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 350 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 5 ° C. per minute; Here, the coated substrate is exposed to air. This step is a metallization step;
단계 3: 약 10분간 코팅 기판 상에 약 25℃에서 N2를 유동시키는 단계; 및Step 3: flowing N 2 at about 25 ° C. on the coated substrate for about 10 minutes; And
단계 4: 코팅 기판을 분당 약 20℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 350℃로 가열하고; 약 60분간 약 350℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 20℃의 속도로 약 350℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 약 5% H2와 95% N2의 혼합물이 분당 약 150 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다).Step 4: The coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 350 ° C. with a temperature change rate of about 20 ° C. per minute; Holding temperature at about 350 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 350 ° C. to about 25 ° C. at a rate of about 20 ° C. per minute; Here, a mixture of about 5% H 2 and 95% N 2 is flowed onto the coating substrate at a rate of about 150 ml per minute).
4-단계 환원 공정을 수행한 뒤, 박판 백금 필름이 수득되었다. 박판 백금 필름을 도 8에 도시하였다. 검은선은 필름을 증발시킨 후 필름 두께를 측정하기 위하여 행한 스크래치이다.After a four-step reduction process, a thin platinum film was obtained. A thin platinum film is shown in FIG. 8. Black lines are scratches taken to measure film thickness after evaporating the film.
이러한 필름의 두께는 도 9에 도시된 바와 같이, 7.8 nm인 것으로 밝혀졌다. 고유 저항을 다음과 같이 측정한다:The thickness of this film was found to be 7.8 nm, as shown in FIG. 9. Measure the resistivity as follows:
ρ= (πt/ln2) x (V/I)ρ = (πt / ln2) x (V / I)
상기식에서,In the above formula,
(V/I)는 R이고;(V / I) is R;
ρ는 필름의 고유 저항(Ωm)이며;ρ is the resistivity of the film (mm);
(π/ln2)는 4.532이며;(π / ln 2) is 4.532;
t는 필름 두께(m)이며;t is the film thickness (m);
R는 필름의 저항(Ω)이다.R is the resistance of the film.
다양한 장소에서 샘플로부터 5회의 저항을 측정하고, 이의 평균을 이용하여 고유 저항을 산정하였다: Five resistances were measured from the samples at various locations, and their average was used to calculate the resistivity:
R1 = 12.1870 ΩR 1 = 12.1870 Ω
R2 = 14.2604 ΩR 2 = 14.2604 Ω
R3 = 10.9215 ΩR 3 = 10.9215 Ω
R4 = 14.5243 ΩR 4 = 14.5243 Ω
R5 = 11.4818 ΩR 5 = 11.4818 Ω
Rav = (R1 + R2 + R3 + R4 + R5)/5R av = (R 1 + R 2 + R 3 + R 4 + R 5 ) / 5
= 12.675 Ω = 12.675 Ω
따라서, 침착된 박판 백금 필름은 12.675 Ω의 평균 저항을 갖는다.Thus, the deposited thin platinum film has an average resistance of 12.675 kPa.
따라서, 고유 저항은 다음과 같이 산정된다:Thus, the resistivity is calculated as follows:
ρ= [4.532 x (7.8 x 10-9) x 12.675] Ωmρ = [4.532 x (7.8 x 10 -9 ) x 12.675] Ωm
= 44.81 x 10-8 Ωm= 44.81 x 10 -8 Ωm
침착된 백금 필름의 고유저항은 따라서 44.81 x 10-8 Ωm이다.The resistivity of the deposited platinum film is thus 44.81 x 10 -8 Ωm.
필름의 시이트 저항은 하기와 같이 산정된다:The sheet resistance of the film is calculated as follows:
Rs = ρ/tR s = ρ / t
상기식에서,In the above formula,
Rs는 필름의 시이트 저항(Ω-1)이고;R s is the sheet resistance (Ω −1 ) of the film;
ρ는 필름의 고유 저항(Ωm)이며;ρ is the resistivity of the film (mm);
t는 필름의 두께(m)이다.t is the thickness (m) of the film.
Rs = 44.81 x 10-8/7.8 x 10-9 R s = 44.81 x 10 -8 /7.8 x 10 -9
Rs = 57.45 Ω-1 R s = 57.45 Ω -1
침착된 백금 필름의 시이트 저항은 따라서 57.45 Ω-1이다.The sheet resistance of the deposited platinum film is therefore 57.45 kPa -1 .
실온에서 백금에 대한 고유 저항의 벌크 값은 10.7 x 10-8 Ωm이다; 따라서, 산정된 값은 벌크 값의 대략 4배이다. 이러한 점은 입자 경계, 금속 표면 및 기판으로부터의 전자 산란에 기인하는 것으로 설명될 수 있다. 고유 저항에 대한 벌크 값은 그러한 박막을 측정하는 경우에는 예상되지 않는다.The bulk value of the resistivity for platinum at room temperature is 10.7 × 10 −8 μm; Thus, the estimated value is approximately four times the bulk value. This can be explained by the grain boundary, the metal surface and the scattering of electrons from the substrate. Bulk values for the resistivity are not expected when measuring such thin films.
고유 저항에 대한 산정된 값은 상기 공정에 의해 고순도, 및 약 7.8 nm 두께의 균일하고 연속적인 피복을 갖는 백금 금속이 생성되었음을 보여준다.The calculated value for the resistivity shows that the process produced a platinum metal with high purity and a uniform and continuous coating of about 7.8 nm thick.
실시예 3Example 3
유리 기판을 전과 같이 소제하고 100 mg의 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)를 기판 상에 침착시켰다.The glass substrate was cleaned as before and 100 mg of bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) was deposited on the substrate.
코팅된 유리 기판을 전과 같이 UV에 노출시켰다.The coated glass substrates were exposed to UV as before.
이어서, 하기 4-단계 환원 공정을 이용하여 침착된 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)를 백금으로 환원시켰다;The deposited bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) was then reduced to platinum using the following 4-step reduction process;
단계 1: 코팅된 기판을 분당 약 2℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 120℃로 가열하고; 약 60분간 약 80℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 10℃의 온도 변화율로 약 80℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, N2는 분당 약 50 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다. 이 단계에 의하여 임의의 비-노출 영역의 승화가 일어난다;Step 1: The coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 120 ° C. with a temperature change rate of about 2 ° C. per minute; Holding temperature at about 80 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 80 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 10 ° C. per minute; Here, N 2 flows onto the coated substrate at a rate of about 50 ml per minute. This step results in sublimation of any non-exposed areas;
단계 2: 기판을 분당 약 5℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 250℃로 가열하고; 약 60분간 약 250℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 5℃의 온도 변화율로 약 250℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 코팅 기판은 공기에 노출된다. 이 단계는 금속화 단계이다; Step 2: heating the substrate from about 25 ° C. to about 250 ° C. at a rate of temperature change of about 5 ° C. per minute; Holding temperature at about 250 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 250 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 5 ° C. per minute; Here, the coated substrate is exposed to air. This step is a metallization step;
단계 3: 약 10분간 코팅 기판 상에 약 25℃에서 N2를 유동시키는 단계; 및Step 3: flowing N 2 at about 25 ° C. on the coated substrate for about 10 minutes; And
단계 4: 코팅 기판을 분당 약 20℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 350℃로 가열하고; 약 60분간 약 350℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 20℃의 속도로 약 350℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 약 5% H2와 95% N2의 혼합물이 분당 약 150 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다.Step 4: The coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 350 ° C. with a temperature change rate of about 20 ° C. per minute; Holding temperature at about 350 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 350 ° C. to about 25 ° C. at a rate of about 20 ° C. per minute; Here, a mixture of about 5% H 2 and 95% N 2 is flowed onto the coating substrate at a rate of about 150 ml per minute.
상기 수록된 4-단계 공정은 단계 2는 별론으로 하고 실시예 2에서의 것과 동일하며, 250℃의 감소된 등온 온도 및 분당 5℃의 감소된 온도 변화율을 갖는다.The four-step process listed above is the same as in Example 2, apart from step 2, with a reduced isothermal temperature of 250 ° C. and a reduced rate of temperature change of 5 ° C. per minute.
도 10은 생성된 백금 금속 필름을 나타낸다. 생성된 백금 필름은 연속적이고 균일함이 자명하다. 기판이 완전히 피복됨에 따라 백금 금속 필름의 두께를 측정하는 것이 가능하지 않았다.10 shows the resulting platinum metal film. It is apparent that the resulting platinum film is continuous and uniform. It was not possible to measure the thickness of the platinum metal film as the substrate was completely covered.
비교를 위하여, 4-포인트-프로브를 이용하여 금속화 공정의 단계 2와 4 후에 필름의 저항을 측정하였다. 이러한 실험은 이 단계의 종료시에 저항의 현저한 감소가 측정됨에 따라 금속화 공정의 단계 4가 필수 단계임을 보여주었다. 단계 2와 4 이후의 필름의 저항은 각각, 대략적으로 72 Ω및 5 Ω이었다.For comparison, the resistance of the film was measured after steps 2 and 4 of the metallization process using a four-point probe. These experiments showed that step 4 of the metallization process is an essential step as a significant decrease in resistance is measured at the end of this step. The resistances of the films after steps 2 and 4 were approximately 72 kPa and 5 kPa, respectively.
단계 4의 공정은 1차적으로 금속으로부터 표면 산소를 제거하고, 2차적으로 금속 nanoeryotallites를 균질화하는 것으로 생각된다. 이들 효과 모두는 저항을 감소시키고 따라서 금속의 고유 저항을 감소시킨다.The process of step 4 is thought to primarily remove surface oxygen from the metal and secondly homogenize the metal nanoeryotallites. Both of these effects reduce the resistance and thus the intrinsic resistance of the metal.
형성된 백금의 해상도를 향상시키기 위하여, 기판은 부분적으로 테이핑될 수 있다(즉, 마스킹). 도 11은 기판 상에 형성된 60 ㎛ 트랙을 나타낸다. 도 12는 형성된 백금 금속의 1 mm2 패드를 나타낸다.In order to improve the resolution of the platinum formed, the substrate can be partially taped (ie masked). 11 shows a 60 μm track formed on a substrate. 12 shows a 1 mm 2 pad of platinum metal formed.
실시예 4Example 4
100 mg의 비스-(퍼플루오로프로필)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)이 약 750 nm 두께의 필름을 생성함에 따라(실시예 2), 150 mg의 비스-(퍼플루오로)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)이 대략 1200 nm 두께의 필름을 생성할 것으로 가정되었다.As 100 mg of bis- (perfluoropropyl) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) produced a film about 750 nm thick (Example 2), 150 mg of bis- (perfluoro) It was assumed that -1,5-cyclooctadiene platinum (II) would produce a film approximately 1200 nm thick.
전술한 바와 같이, 150 mg의 비스-(퍼플루오로)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II)을 1 cm2 유리 기판 상으로 증발시킨 다음 UV 조사하였다. 증착 필름을 도 13에 도시하였다. 도 14에 도시된 바와 같이, 대략 1300 nm의 필름 두께가 수득되었고 따라서 가정과 일치하였다.As mentioned above, 150 mg of bis- (perfluoro) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) was evaporated onto a 1 cm 2 glass substrate followed by UV irradiation. The deposited film is shown in FIG. 13. As shown in FIG. 14, a film thickness of approximately 1300 nm was obtained and therefore consistent with assumptions.
또 다른 유사하게 제조된 비스-(퍼플루오로)-1,5-사이클로옥타디엔 백금 (II) 코팅 유리 기판을 이어서 우측을 얇은 금속 조각으로 부분적으로 마스킹한 다음 전과 같이 UV에 노출시켰다. 도 15는 UV 노출 후의 유리 기판을 나타내며, 여기에서 기질의 좌측상에 백금 금속이 형성되게 된다.Another similarly prepared bis- (perfluoro) -1,5-cyclooctadiene platinum (II) coated glass substrate was then partially masked with a thin piece of metal on the right side and then exposed to UV as before. 15 shows a glass substrate after UV exposure, where platinum metal is formed on the left side of the substrate.
이어서, 4-단계 환원을 다음과 같이 수행하였다:Then, the four-step reduction was carried out as follows:
단계 1: 코팅된 기판을 분당 약 2℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 120℃로 가열하고; 약 60분간 약 120℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 10℃의 온도 변화율로 약 120℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, N2는 분당 약 50 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다;Step 1: The coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 120 ° C. with a temperature change rate of about 2 ° C. per minute; Maintaining the temperature at about 120 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 120 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 10 ° C. per minute; Wherein N 2 flows onto the coated substrate at a rate of about 50 ml per minute;
단계 2: 기판을 분당 약 5℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 250℃로 가열하고; 약 60분간 약 250℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 5℃의 온도 변화율로 약 250℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 코팅 기판은 공기에 노출된다;Step 2: heating the substrate from about 25 ° C. to about 250 ° C. at a rate of temperature change of about 5 ° C. per minute; Holding temperature at about 250 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 250 ° C. to about 25 ° C. at a rate of temperature change of about 5 ° C. per minute; Here, the coated substrate is exposed to air;
단계 3: 약 10분간 코팅 기판 상에 약 25℃에서 N2를 유동시키는 단계; 및Step 3: flowing N 2 at about 25 ° C. on the coated substrate for about 10 minutes; And
단계 4: 코팅된 기판을 분당 약 20℃의 온도 변화율로 약 25℃에서 약 350℃로 가열하고; 약 60분간 약 350℃에서 온도를 유지한 다음; 분당 약 20℃의 속도로 약 350℃에서 약 25℃로 기판을 냉각시키는 단계; 여기에서, 약 5% H2와 95% N2의 혼합물은 분당 약 150 ml의 속도로 코팅 기판 상으로 유동된다. 이러한 최종 단계에 의해 백금 금속의 형성과 조밀화가 일어난다.Step 4: The coated substrate is heated from about 25 ° C. to about 350 ° C. with a temperature change rate of about 20 ° C. per minute; Holding temperature at about 350 ° C. for about 60 minutes; Cooling the substrate from about 350 ° C. to about 25 ° C. at a rate of about 20 ° C. per minute; Here, the mixture of about 5% H 2 and 95% N 2 flows onto the coated substrate at a rate of about 150 ml per minute. This final step leads to the formation and densification of the platinum metal.
환원 공정에서 제 1, 제 2 및 제 4 단계 후에 사진 촬영하여 각각 도 16, 17 및 18에 나타내었다.Pictures were taken after the first, second and fourth steps in the reduction process and are shown in FIGS. 16, 17 and 18, respectively.
금속화 공정의 단계 2와 4 후에 4-포인트-프로브를 이용하여 기판 상의 필름의 저항을 측정하였다. 저항은 각각 12 Ω및 4.4 Ω인 것으로 밝혀졌다. 따라서, 공정의 단계 4는 공정에서 필수적임이 자명하다. 백금 금속 필름의 두께는 도 19에 도시된 바와 같이, 대략 16 nm인 것으로 밝혀졌다. 금속 필름의 두께에 따른 이러한 저항은 고유 저항과 시이트 저항 값을 다음과 같이 측정할 수 있게 한다:After steps 2 and 4 of the metallization process, the resistance of the film on the substrate was measured using a four-point probe. The resistances were found to be 12 kPa and 4.4 kPa, respectively. Thus, it is obvious that step 4 of the process is essential in the process. The thickness of the platinum metal film was found to be approximately 16 nm, as shown in FIG. 19. This resistance, depending on the thickness of the metal film, makes it possible to measure the resistivity and sheet resistance values as follows:
ρ= (πt/ln2) x (V/I)ρ = (πt / ln2) x (V / I)
상기식에서,In the above formula,
(V/I)는 R이고;(V / I) is R;
ρ는 필름의 고유 저항(Ωm)이며;ρ is the resistivity of the film (mm);
(π/ln2)는 4.532이며;(π / ln 2) is 4.532;
t는 필름 두께(m)이며;t is the film thickness (m);
R은 필름의 저항(Ω)이다.R is the resistance of the film.
필름 두께는 대략 16 nm인 것으로 측정되었다.The film thickness was measured to be approximately 16 nm.
ρ= 4.532 x (16 x 10-9) x 4.4ρ = 4.532 x (16 x 10 -9 ) x 4.4
= 31.91 x 10-8 Ωm= 31.91 x 10 -8 Ωm
필름의 고유저항은 따라서 31.91 x 10-8 Ωm이다.The resistivity of the film is therefore 31.91 x 10 -8 Ωm.
시이트 저항은 하기와 같이 산정된다: Sheet resistance is calculated as follows:
Rs = ρ/tR s = ρ / t
상기식에서,In the above formula,
Rs는 필름의 시이트 저항(Ω-1)이고;R s is the sheet resistance (Ω −1 ) of the film;
ρ는 필름의 고유 저항(Ωm)이며;ρ is the resistivity of the film (mm);
t는 필름의 두께(m)이다.t is the thickness (m) of the film.
Rs = 31.91 x 108/16 x 10-9 R s = 31.91 x 10 8/ 16 x 10 -9
= 19.94 Ω-1 = 19.94 Ω -1
필름의 시이트 저항은 따라서 19.94 Ω-1이다. 고유 저항의 수득된 값은 백금에 대한 벌크 고유 저항 값의 대략 3배(즉 10.7 x 10-8 Ωm)이며, 실시예 2에서 수득된 고유 저항에 비해 향상된 것이다. 이러한 향상에 대한 이유는 필름 두께가 증가함에 따라 전자 산란 효과가 덜 우세하기 때문이다.The sheet resistance of the film is therefore 19.94 kPa -1 . The obtained value of the specific resistance is approximately three times the bulk specific resistance value for platinum (ie 10.7 × 10 −8 μm), which is an improvement over the specific resistance obtained in Example 2. The reason for this improvement is that the electron scattering effect is less prevalent as the film thickness increases.
Claims (40)
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|---|---|---|---|
| KR1020047020513A KR20050071372A (en) | 2004-12-17 | 2003-06-18 | Metallisation |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101323701B1 (en) * | 2011-08-16 | 2013-10-30 | 한국과학기술원 | Method for fabrcrating metal layer |
-
2003
- 2003-06-18 KR KR1020047020513A patent/KR20050071372A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101323701B1 (en) * | 2011-08-16 | 2013-10-30 | 한국과학기술원 | Method for fabrcrating metal layer |
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