KR20050066169A - 이중 노광 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 이중 노광 방법은 소정의 방향에서 이웃하는 두 패턴이 2 피치 간격으로 형성된 마스크를 사용하여 노광을 수행하는 제1 단계 및 마스크를 소정의 방향으로 1 피치 이동시킨 후 노광을 수행하는 제2 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 노광 방법에 관한 것으로서, 특히 피치를 두 배로 늘린 하나의 마스크를 이용하되 나노 스테핑을 이용하여 이중으로 노광함으로써 하나의 전체적인 레이아웃 패턴을 형성하는 이중 노광 방법에 관한 것이다.
종래로부터 해상도의 향상을 위하여 이중 노광을 사용하고 있다. 그러나 종래에 사용된 이중 노광 방법은 대체로 1차 노광을 수행한 후에 마스크를 2차 마스크로 교체하여 다시 노광함으로써 최종의 완전한 레이아웃을 형성하는 것이었다.
이 때 두 마스크가 제대로 정렬되지 않아서 원하지 않는 패턴이 발생하는 문제가 있고, 마스크를 교체하고 이에 따라 조명 모드를 수정하는 데 시간이 걸리므로 생산성이 감소하는 문제가 있다. 또한 레이아웃 설계시 마스크를 두 개로 분리하여 설계해야 하는 복잡한 문제가 발생한다.
본 발명은 두 개의 마스크를 사용한 이중 노광 방식에서의 분리 설계 문제, 두 마스크가 정렬되지 않음으로 인한 패턴의 품질 저하 문제, 및 공정의 생산성 저하 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 피치가 두 배인 하나의 마스크를 장비에 설치하고 정렬하여 1차, 2차 노광을 연속 수행하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 이중 노광 방법은 소정의 방향에서 이웃하는 두 패턴이 2 피치 간격으로 형성된 마스크를 사용하여 노광을 수행하는 제1 단계 및 마스크를 소정의 방향으로 1 피치 이동시킨 후 노광을 수행하는 제2 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 의한 마스크의 평면도를 나타낸다. 도 1에서와 같이 각각의 패턴(10)은 가로 및 세로 방향으로 이웃하는 패턴과 2 피치 간격이 되도록 설정된다. 또한 2 피치 간격으로 형성된 네 개의 패턴마다 중앙에 하나씩의 패턴이 위치하도록 설정된다. 따라서 중앙에 위치하는 패턴과 그 주위에 위치하는 네 개의 패턴은 가로 및 세로 방향으로 각각 1 피치씩의 간격을 이루게 된다. 도 1에 도시된 패턴은 전체 패턴의 일부만을 나타낸 것으로서 전체 패턴은 도 1에 도시된 패턴이 규칙적으로 반복된 형태이다.
도 2는 도 1에 도시된 마스크를 이용하여 이중 노광을 수행하는 경우 마스크의 이동을 설명하는 도면이다. 마스크를 교체하지 않고 실선으로 표시된 마스크(10)를 이용하여 1차 노광을 수행한 후에, 도 2에서와 같이 마스크를 화살표 방향으로 1 피치만큼 나노 스테핑으로 정밀하게 이동시켜 얻은 점선으로 표시된 마스크(10')를 이용하여 2차 노광을 수행한다. 이로써 1차 노광시에 처리되지 않은 영역에 패턴이 위치하게 되어 결과적으로는 패턴이 1피치 간격으로 형성된 마스크를 가지고 1회 노광한 것과 마찬가지 결과를 얻을 수 있다.
도 3은 도 2와 같이 2차에 걸쳐 노광을 수행한 결과 얻은 패턴(20)의 레이아웃을 나타낸다.
본 발명을 적용함으로써 두 개의 마스크를 따로 제작하여야 하는 문제, 두 개의 마스크를 교체함으로써 발생하는 생산효율의 감소 및 마스크의 정렬 불일치 문제를 해결할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 마스크의 평면도.
도 2는 본 발명에 의한 2차 노광시 마스크의 이동을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명에 의하여 형성된 패턴의 레이아웃도.
Claims (2)
- 소정의 방향에서 이웃하는 두 패턴이 2 피치 간격으로 형성된 마스크를 사용하여 노광을 수행하는 제1 단계 및상기 마스크를 상기 소정의 방향으로 1 피치 이동시킨 후 노광을 수행하는 제2 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 노광 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 단계에서 상기 마스크는 나노 스테핑을 이용하여 이동되는 것을 특징으로 하는 이중 노광 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030097420A KR20050066169A (ko) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 이중 노광 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020030097420A KR20050066169A (ko) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 이중 노광 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR20050066169A true KR20050066169A (ko) | 2005-06-30 |
Family
ID=37257279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020030097420A KR20050066169A (ko) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 이중 노광 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20050066169A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110021008A (ko) * | 2009-08-25 | 2011-03-04 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크, 기판의 노광 방법, 패턴의 형성방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
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2003
- 2003-12-26 KR KR1020030097420A patent/KR20050066169A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20110021008A (ko) * | 2009-08-25 | 2011-03-04 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크, 기판의 노광 방법, 패턴의 형성방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
US8304173B2 (en) | 2009-08-25 | 2012-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomasks, methods of exposing a substrate to light, methods of forming a pattern, and methods of manufacturing a semiconductor device |
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