KR20050051367A - 그리드 기판을 구비한 전계 방출 표시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 그리드 기판의 개구부 패턴을 개선하여 애노드 전극의 고전압 인가를 가능하게 하는 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 및 제2 기판과; 제1 기판 상에서 절연층을 사이에 두고 위치하는 캐소드 전극 및 게이트 전극들과; 캐소드 전극에 제공되는 전자 방출원과; 제2 기판 상에 형성되는 애노드 전극과; 애노드 전극의 어느 일면에 위치하는 형광막과; 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되고, 전자빔 통과를 위한 다수의 개구부를 형성하는 그리드 기판을 포함하며, 제1 기판 상에 설정되는 서브-픽셀마다 복수개의 개구부가 대응 배치되는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

Description

그리드 기판을 구비한 전계 방출 표시장치 {FIELD EMISSION DISPLAY WITH GRID PLATE}

본 발명은 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제1, 2 기판 사이에 배치되는 그리드 기판의 개구부 패턴을 개선하여 애노드 전극의 고전압 인가를 가능하게 하는 전계 방출 표시장치에 관한 것이다.

일반적으로 전계 방출 표시장치(FED; field emission display)는 양자역학적인 터널링 효과를 이용하여 캐소드 전극에 마련된 에미터로부터 전자를 방출시키고, 방출된 전자를 애노드 전극에 형성된 형광막에 충돌시켜 이를 발광시킴으로써 소정의 영상을 구현하는 평판 표시장치로서, 캐소드 전극과 게이트 전극 및 애노드 전극을 구비한 3극관 구조가 널리 사용되고 있다.

통상의 3극관 구조에서는 제1 기판 위에 캐소드 전극과 게이트 전극들이 절연층을 사이에 두고 서로 교차하는 스트라이프 패턴으로 형성되며, 전자 방출원인 에미터가 캐소드 전극과 접촉하며 위치한다. 제2 기판 위에는 애노드 전극이 형성되고, 애노드 전극의 일면에 적색과 녹색 및 청색의 형광막들이 흑색층을 사이에 두고 위치한다.

상기 제1, 2 기판은 밀봉재에 의해 일체로 접합된 후 내부가 배기되어 진공 용기를 구성하며, 진공 용기 내부에는 다수의 스페이서가 장착되어 표시장치의 내, 외압 차이에 의해 진공 용기에 가해지는 압력을 견디고, 제1, 2 기판을 일정한 간격으로 유지시킨다.

이로서 캐소드 전극과 게이트 전극에 소정의 구동 전압을 인가하고, 애노드 전극에 수백∼수천 볼트의 (+)전압을 인가하면, 캐소드 전극과 게이트 전극의 전압 차에 의해 에미터 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출된다. 방출된 전자는 애노드 전극에 인가된 고전압이 이끌려 제2 기판을 향하게 되고, 대응하는 형광막에 충돌하여 이를 발광시킴으로써 소정의 표시가 이루어진다.

이와 같이 동작하는 전계 방출 표시장치에서는 애노드 전극에 고전압을 인가할수록 화면 휘도가 높아지고, 캐소드-게이트 전극의 구동 전압을 낮출 수 있으며, 저전류 구동이 가능하져 에미터의 수명 특성이 높아지는 장점을 갖는다.

그런데 상기한 전계 방출 표시장치는 애노드 전압이 높아질수록 진공 용기 내에서 아크 방전이 발생할 가능성이 높아진다. 아크 방전은 아웃개싱(outgassing) 등에 의해 순간적으로 많은 가스가 이온화되면서 일어나는 방전 현상인 것으로 추정되며, 아크 방전시 에미터와 함께 제2 기판을 향해 노출된 전극이 손상되는 문제가 발생한다.

이로서 제1, 2 기판 사이에 메쉬 형태의 그리드 기판을 장착한 전계 방출 표시장치가 제안되었다. 그리드 기판은 전자빔 통과를 위한 다수의 개구부를 형성하여 에미터에서 방출된 전자들을 집속시키며, 아크 방전시 그 피해가 제1 기판에 형성된 부재들에 영향을 미치지 않도록 차단하여 캐소드-애노드 전극 또는 게이트-애노드 전극간 내전압 특성을 높이는 역할을 한다. 그리드 기판과 관련한 종래 기술로는 일본 공개특허 2000-268704호에 개시된 전계 방출형 표시소자를 들 수 있다.

종래의 그리드 기판은 제1 기판 상에 설정되는 서브-픽셀(통상적으로 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역으로 정의되며, 3가지 색 형광막 가운데 한가지 색 형광막에 대응한다)마다 하나의 개구부가 위치하며, 에미터에서 방출되는 전자빔 경로를 고려하여 제1, 2 기판에 대해 개구부 위치를 정렬하여 배치된다.

그런데 상기한 구성의 그리드 기판은 하나의 서브-픽셀에 대응하는 개구부 면적이 과대하여 애노드 전극에 인가된 고전압이 개구부를 통해 에미터에 영향을 미칠 수 있다. 이로서 특정의 서브-픽셀에서 캐소드-게이트 전극간 전압 차가 아닌 애노드 전극의 고전압에 의해 에미터에서 전자 방출이 일어나 원하지 않는 화소가 켜지는 다이오드 발광이 일어나게 된다. 이러한 다이오드 발광은 에미터가 카본 나노튜브(CNT; carbon nanotube)와 같이 낮은 전기장에서 전자를 방출하는 카본계 물질로 이루어지는 경우, 더욱 심각하게 나타난다.

따라서 종래의 전계 방출 표시장치는 다이오드 발광을 억제하는 범위 내에서 애노드 전압을 올릴 수 있으므로 애노드 전압을 높이는데 한계가 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 다이오드 발광을 억제하면서 애노드 전극의 고전압 인가를 가능하게 하여 화면 휘도를 높이고, 캐소드-게이트 전극의 구동 전압을 낮추며, 저전류 구동으로 에미터의 수명 특성을 높일 수 있는 전계 방출 표시장치를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제1 및 제2 기판과, 제1 기판 상에서 절연층을 사이에 두고 위치하는 캐소드 전극 및 게이트 전극들과, 캐소드 전극에 제공되는 전자 방출원과, 제2 기판 상에 형성되는 애노드 전극과, 애노드 전극의 어느 일면에 위치하는 형광막과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되고 전자빔 통과를 위한 다수의 개구부를 형성하는 그리드 기판을 포함하며, 제1 기판 상에 설정되는 서브-픽셀마다 복수개의 개구부가 대응 배치되는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

상기 개구부들은 제1 및 제2 기판에 대해 임의로 배열하며, 각각의 개구부는 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나의 형상으로 이루어진다.

상기 서브-픽셀 면적에 대한 개구부 하나의 면적 비율은 5∼40%가 바람직하고, 개구부 장폭에 대한 그리드 기판의 두께 비율은 95∼150%가 바람직하다. 상기 제1 기판과 제2 기판은 200∼2,800㎛의 간격을 두고 위치하며, 제2 기판과 그리드 기판은 1∼1,000㎛의 간격을 두고 위치한다.

일례로, 상기 캐소드 전극은 절연층을 사이에 두고 게이트 전극 상부에 배치되며, 게이트 전극과 캐소드 전극은 서로 교차하는 방향을 따라 형성된다. 이 때, 전자 방출원은 게이트 전극과 캐소드 전극의 교차 영역마다 캐소드 전극의 일측 가장자리에 위치한다.

상기 전자 방출원은 균일한 두께로 형성되는 면 전자원이 바람직하며, 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 제1 기판과 그리드 기판의 부분 평면도이며, 도 3은 도 1의 조립 상태를 나타내는 부분 단면도이다.

도면을 참고하면, 전계 방출 표시장치는 임의의 간격을 두고 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 및 제2 기판(2, 4)과, 전자빔 통과를 위한 다수의 개구부(6)를 형성하며 양 기판 사이에 배치되는 그리드 기판(8)을 포함한다. 제1 기판(2)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이 제공되고, 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.

보다 구체적으로, 제1 기판(2) 위에는 게이트 전극(10)들이 일방향(도면의 Y 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 게이트 전극(10)들을 덮으면서 제1 기판(2)의 내면 전체에 절연층(12)이 위치한다. 절연층(12) 위에는 캐소드 전극(14)들이 게이트 전극(10)과 교차하는 방향(도면의 X 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되며, 게이트 전극(10)과 캐소드 전극(14)의 교차 영역마다 캐소드 전극(14)의 일측 가장자리에 전자 방출원인 에미터(16)가 위치한다.

본 실시예에서 에미터(16)는 균일한 두께로 형성되는 면전자원으로서, 바람직하게 카본계 물질, 가령 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진다.

그리고 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 애노드 전극(18)이 형성되고, 애노드 전극(18)의 일면에 적색, 녹색 및 청색의 형광막들(20R, 20G, 20B)과 흑색층(22)으로 이루어진 형광 스크린(24)이 형성된다. 애노드 전극(18)은 ITO(indium tin oxide)와 같이 광 투과율이 우수한 투명 전극으로 이루어진다. 형광 스크린(24)의 표면에는 메탈 백(metal back) 효과에 의해 화면의 휘도를 높이는 금속막(도시하지 않음)이 위치할 수 있으며, 이 경우 투명 전극을 생략하고, 금속막에 애노드 전압을 인가하여 금속막을 애노드 전극으로 사용할 수 있다.

상기 형광막들(20R, 20G, 20B)은 게이트 전극 방향(도면의 Y 방향)을 따라 스트라이프 혹은 슬릿 패턴으로 형성되고, 각각의 형광막(2OR, 20G, 20B)이 게이트 전극(10)에 일대일로 대응 배치된다. 이로서 상기한 구조에서는 게이트 전극(10)과 캐소드 전극(14)의 교차 영역이 하나의 서브-픽셀(도 2에서 A로 표시)을 구성하며, 적색과 녹색 및 청색 형광막(20R, 20G, 20B)에 대응하는 3개의 서브-픽셀이 모여 하나의 픽셀을 구성한다.

그리고 제1 기판(2) 상에는 게이트 전극(10)의 전계를 절연층(12) 위로 끌어올리는 대향 전극(26)이 위치할 수 있다. 대향 전극(26)은 절연층(12)에 형성된 비아 홀(12a)을 통해 게이트 전극(10)과 접촉하여 이와 전기적으로 연결되며, 캐소드 전극(14)들 사이에서 에미터(16)와 임의의 간격을 두고 위치한다. 대향 전극(26)은 게이트 전극(10)의 전계를 에미터(16) 주위로 끌어올려 에미터(16)에 보다 강한 전계가 인가되도록 함으로써 에미터(16)로부터 전자들을 양호하게 방출시키는 역할을 한다.

한편, 상기에서는 게이트 전극(10)이 절연층(12)을 사이에 두고 캐소드 전극(14) 하부에 배치되는 구성을 설명하였으나, 캐소드 전극이 절연층을 사이에 두고 게이트 전극 하부에 배치되는 구성도 가능하다. 후자의 경우, 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역에 게이트 전극과 절연층을 관통하는 홀이 형성되고, 홀에 의해 노출된 캐소드 전극 표면에 에미터가 위치한다. 이 경우에 있어서도 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역이 서브-픽셀로 정의된다.

또한, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 전자빔 통과를 위한 다수의 개구부(6)를 갖는 그리드 기판(8)이 위치한다. 그리드 기판(8)은 제2 기판(4)과 그리드 기판(8) 사이에 위치하는 상부 스페이서들(도시하지 않음)과, 제1 기판(2)과 그리드 기판(8) 사이에 위치하는 하부 스페이서들(도시하지 않음)에 의해 제1, 2 기판(2, 4)과 일정한 간격을 유지하며 진공 용기 내부에 위치한다.

여기서, 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 그리드 기판(8)의 개구부(6)가 서브-픽셀에 일대일 대응하지 않고, 서브-픽셀보다 작은 복수개의 개구부(6)가 하나의 서브-픽셀에 대응 배치되는 구성으로 이루어진다. 이러한 그리드 기판(8)은 제1 및 제2 기판(2, 4)과 정렬되지 않고 임의로 배치되어 개구부(6)들이 제1, 2 기판(2, 4)에 대해 임의로 배열하도록 한다.

상기 개구부(6)는 도시한 사각형에 한정되지 않고, 원형(도 4 참고), 타원형(도 5 참고), 삼각형(도 6 참고) 및 육각형(도 7 참고) 등 다양한 형상이 가능하다. 도 4∼도 7에서 부호 6A, 6B, 6C, 6D가 개구부를 나타낸다. 또한 그리드 기판(8)은 작은 크기의 개구부(6)를 형성하기 위하여 종래 그리드 기판보다 얇은 10∼180㎛ 두께로 형성된다.

이와 같이 구성되는 전계 방출 표시장치는, 외부로부터 게이트 전극(10), 캐소드 전극(14), 그리드 기판(8) 및 애노드 전극(18)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 일례로 게이트 전극(10)에는 수∼수십 볼트의 (+)전압이, 캐소드 전극(14)에는 수∼수십 볼트의 (-)전압이, 그리드 기판(8)에는 수십∼수백 볼트의 (+)전압이, 애노드 전극(18)에는 수백∼수천 볼트의 (+)전압이 인가된다.

이로서 게이트 전극(10)과 캐소드 전극(14)의 전압 차에 의해 에미터(16) 주위에 전계가 형성되어 에미터(16)로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들은 그리드 기판(8)에 인가된 (+)전압에 이끌려 제2 기판(4)으로 향하면서 그리드 기판(8)의 개구부(6)를 통과한 다음, 애노드 전극(18)에 인가된 고전압에 이끌려 해당 서브-픽셀의 형광막(20R, 20G, 20B 중 어느 하나)에 충돌함으로써 이를 발광시켜 소정의 표시가 이루어진다.

이와 같이 전계 방출 표시장치가 구동할 때에 크기가 작은 복수개의 개구부(6)가 하나의 서브-픽셀(A)에 대응 배치됨에 따라, 에미터(16)를 향한 애노드 전기장의 영향력이 그리드 기판(8)에 의해 분산 및 약화되어 그리드 기판(8)이 에미터(16)에 미치는 애노드 전기장을 효과적으로 차단시킨다. 따라서 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 불필요한 다이오드 발광이 억제되어 화질이 향상되고, 애노드 전극(18)의 고전압 인가가 가능해지는 장점을 갖는다.

다음의 표는 종래 기술에 의한 전계 방출 표시장치(비교예)와 본 발명에 의한 전계 방출 표시장치(실시예)에서 애노드 전압(Va) 변화에 따라 캐소드 전극 면에서 측정되는 전기장 세기를 나타낸 데이터이다.

참고로, 비교예의 그리드 기판은 서브-픽셀당 하나의 개구부를 형성한 것으로서, 그리드 기판의 두께는 180㎛이고, 개구부의 크기는 200×400㎛이다. 실시예의 그리드 기판은 서브-픽셀당 복수개의 개구부를 형성한 것으로서, 그리드 기판의 두께는 40㎛이고, 개구부의 크기는 40×40㎛이다. 그리드 기판 이외의 다른 구성은 모두 동일하며, 실험에 측정된 게이트 전압은 200V이다.

		캐소드 전기장
Va(애노드 전압, kV)		최대값	최소값
비교예	1	1.88	1.87
	2	1.90	1.90
	3	1.93	1.92
	4	1.96	1.94
	5	1.99	1.97
실시예	1	1.89	1.89
	2	1.90	1.90
	3	1.91	1.91
	4	1.92	1.92
	5	1.93	1.93
	6	1.94	1.94
	7	1.95	1.95
	8	1.96	1.96

위 표와 같이 비교예와 실시예에서 애노드 전압이 각각 3kV와 5kV일 때, 캐소드 전극에서 측정되는 전기장 세기가 동일하고, 비교예와 실시예에서 애노드 전압이 각각 4kV와 8kV일 때, 캐소드 전극에서 측정되는 전기장 세기가 동일하게 나타난다. 상기 결과를 통해 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치에서 애노드 전극의 고전압 인가가 가능함을 할 수 있다.

한편, 서브-픽셀(A) 면적에 대한 각각의 개구부(6) 면적 비율과, 개구부(6) 장폭(帳幅)에 대한 그리드 기판(8)의 두께 비율은 애노드 전기장 차단 효과와 전자빔 투과율을 고려하여 아래와 같이 결정할 수 있다.

먼저, 서브-픽셀(A) 면적에 대한 개구부(6)의 면적 비율은 5∼40%가 바람직하다. 상기 비율이 5% 미만이면, 개구부(6) 크기가 너무 작아 개구부(6) 가공이 어려워지고, 개구부(6) 가공을 위해서는 그리드 기판(8)의 두께를 줄여야 하므로 강도 유지에 어려움이 있다. 상기 비율이 40%를 초과하면, 애노드 전기장이 개구부(6)를 통해 에미터(16)에 영향을 미쳐 다이오드 발광이 우려되는 문제가 있다.

그리고 개구부(6) 장폭에 대한 그리드 기판(8)의 두께 비율은 95∼150%가 바람직하다. 상기 비율이 95% 미만이면, 그리드 기판(8)의 다이오드 발광 차단 효과가 저하되고, 상기 비율이 150%를 초과하면, 개구부(6) 내벽에 전자빔이 충돌하여 전자빔 투과율이 저하됨으로써 화면 휘도가 낮아지는 문제가 예상된다.

또한 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 그리드 기판(8)이 애노드 전기장을 효과적으로 차단함에 따라, 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 간격, 특히 그리드 기판(8)과 제2 기판(4)의 간격을 축소시킬 수 있다. 본 실시예에서 그리드 기판(8)과 제2 기판(4)의 간격은 1∼1,000㎛이 바람직하고, 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 간격은 200∼2,800㎛이 바람직하다. 이러한 제1, 2 기판(2, 4)의 간격 축소는 형광막(20R, 20G, 20B)에 부딪히는 전자빔 크기를 감소시키는 결과로 이어진다.

도 8은 전술한 비교예의 그리드 기판을 장착한 종래의 전계 방출 표시장치에서 전자빔 충돌에 의한 형광막의 발광 패턴을 촬영한 사진이고, 도 9는 전술한 실시예의 그리드 기판을 장착한 본 발명의 전계 방출 표시장치에서 형광막의 발광 패턴을 촬영한 사진으로서, 하나의 서브-픽셀을 발광시킨 경우를 나타내고 있다.

참고로, 종래 기술과 본 발명 모두 제1 기판과 그리드 기판의 간격은 200㎛이고, 종래 기술에서 그리드 기판과 제2 기판의 간격은 1,100㎛이며, 본 발명에서 그리드 기판과 제2 기판의 간격은 600㎛이다. 종래 기술과 본 발명 모두 게이트 전극에 70V, 캐소드 전극에 -70V, 애노드 전극에 3kV를 인가하였으며, 그리드 기판은 5V/㎛을 유지하도록 하였다.

도 8에서 측정되는 전자빔의 최대 크기는 525㎛이고, 도 9에서 측정되는 전자빔의 최대 크기는 387㎛으로서, 본 발명의 전계 방출 표시장치가 종래 기술의 경우보다 전자빔 사이즈를 효과적으로 줄이고 있음을 알 수 있다. 이와 같이 형광막에 도달하는 전자빔 사이즈가 감소함에 따라, 다른 서브-픽셀의 형광막에 도달하는 전자빔 발생이 억제되어 타색 침범에 의한 색번짐이 생기지 않는 효과가 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 실시예에 따르면, 그리드 기판이 에미터에 미치는 애노드 전기장을 차단하여 다이오드 발광을 억제하고, 애노드 전극의 고전압 인가를 가능하게 한다. 이로서 화면 휘도가 높아지고, 캐소드-게이트 전극의 구동 전압을 낮추며, 저전류 구동이 가능해져 에미터의 수명을 늘릴 수 있다. 또한 제1 기판과 제2 기판의 간격 축소로 형광막에 도달하는 전자빔 사이즈가 감소함에 따라, 타색 침범에 의한 색번짐을 방지하여 화면 품질을 높일 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 분해 사시도이다.

도 2는 도 1에 도시한 제1 기판과 그리드 기판의 부분 평면도이다.

도 3은 도 1의 조립 상태를 나타내는 부분 단면도이다.

도 4∼도 7은 개구부의 변형예들을 설명하기 위한 개략도이다.

도 8은 종래 기술에 의한 전계 방출 표시장치에서 형광막의 발광 패턴을 촬영한 사진이다.

도 9는 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치에서 형광막의 발광 패턴을 촬영한 사진이다.

Claims (12)

1. 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 및 제2 기판과;

   상기 제1 기판 상에서 절연층을 사이에 두고 위치하는 캐소드 전극 및 게이트 전극들과;

   상기 캐소드 전극에 제공되는 전자 방출원과;

   상기 제2 기판 상에 형성되는 애노드 전극과;

   상기 애노드 전극의 어느 일면에 위치하는 형광막; 및

   상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되고, 전자빔 통과를 위한 다수의 개구부를 형성하는 그리드 기판을 포함하며,

   상기 제1 기판 상에 설정되는 서브-픽셀마다 복수개의 개구부가 대응 배치되는 전계 방출 표시장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 개구부들이 제1 및 제2 기판에 대해 임의로 배열되는 전계 방출 표시장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 개구부가 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나의 형상으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
4. 제1항에 있어서,

   상기 서브-픽셀 면적에 대한 개구부 하나의 면적 비율이 5∼40%로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
5. 제1항에 있어서,

   상기 개구부 장폭에 대한 그리드 기판의 두께 비율이 95∼150%로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
6. 제1항에 있어서,

   상기 그리드 기판이 10∼180㎛ 두께로 형성되는 전계 방출 표시장치.
7. 제1항에 있어서,

   상기 제1 기판과 제2 기판이 200∼2,800㎛의 간격을 두고 위치하는 전계 방출 표시장치.
8. 제7항에 있어서,

   상기 제2 기판과 그리드 기판이 1∼1,000㎛의 간격을 두고 위치하는 전계 방출 표시장치.
9. 제1항에 있어서,

   상기 캐소드 전극이 절연층을 사이에 두고 상기 게이트 전극 상부에 배치되며, 게이트 전극과 캐소드 전극이 서로 교차하는 방향을 따라 형성되는 전계 방출 표시장치.
10. 제9항에 있어서,

    상기 전자 방출원이 게이트 전극과 캐소드 전극의 교차 영역마다 캐소드 전극의 일측 가장자리에 위치하는 전계 방출 표시장치.
11. 제1항에 있어서,

    상기 전자 방출원이 균일한 두께로 형성되는 전계 방출 표시장치.
12. 제1항에 있어서,

    상기 전자 방출원이 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.