KR20040069581A - 전계 방출 표시장치 - Google Patents

Abstract

에미터에 인가되는 전류 부하를 낮추어 에미터의 수명을 연장시키고, 각 화소의 전자 방출 특성을 균일하게 하여 화소간 발광 특성을 균일화하는 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 제1 기판 상의 절연막 하부에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과; 절연막 상에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과; 캐소드 전극에 연결 설치되는 에미터와; 캐소드 전극 사이에서 캐소드 전극과 임의의 간격을 두고 형성되는 대향 전극을 포함하며, 게이트 전극과 캐소드 전극이 교차하는 각 화소마다 에미터가 캐소드 전극 내부에 복수개로 구비되고, 대향 전극이 캐소드 전극과 임의의 간격을 가지며 캐소드 전극 내부를 향해 연장된 복수개의 전계 인가부를 구비하여 각각의 전계 인가부가 하나 이상의 에미터와 대향 배치되는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

Description

전계 방출 표시장치{FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE}

본 발명은 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 카본계 물질로 이루어진 에미터와, 게이트 전극의 전계를 절연막 상부로 끌어올리는 대향 전극을 구비한 전계 방출 표시장치에 관한 것이다.

최근의 전계 방출 표시장치(FED; field emission display)는 저전압(대략, 10∼100V) 구동 조건에서 전자를 방출하는 카본계 물질, 특히 카본 나노튜브(CNT; carbon nanotube)를 이용하여 스크린 인쇄와 같은 후막 공정을 통해 전자 방출원인 에미터를 평탄하게 형성하는 기술을 적용하고 있다.

상기한 전계 방출 표시장치가 캐소드, 애노드 및 게이트 전극을 구비하는 3극관 구조로 이루어질 때, 에미터의 전자 방출을 유도하는 게이트 전극을 후면 기판 상의 절연막 하부에 배치하고, 절연막 상부에 캐소드 전극과 에미터를 배치함과 아울러, 후면 기판에 대향하는 전면 기판의 일면에 애노드 전극과 형광막을 형성한 구성이 공지되어 있다. 이 때, 에미터는 각 화소별로 캐소드 전극의 일측 가장자리 위에 정렬된다.

이로서 캐소드 전극과 게이트 전극에 소정의 구동 전압이 인가되면, 캐소드 전극과 게이트 전극 사이의 전위 차에 의해 에미터 주위에 전계가 형성되어 에미터로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자는 애노드 전극에 인가된 고전압에 이끌려 해당 형광막을 발광시키게 된다.

상기한 구성의 전계 방출 표시장치는 전자 방출원인 에미터가 후면 기판의 최상부에 위치하므로, 스크린 인쇄와 같은 후막 공정을 용이하게 진행할 수 있어 표시장치의 제조 공정이 비교적 간편하고, 대면적 표시장치 제작이 용이한 장점을 갖는다.

그러나 전술한 구조에서는 각 화소별로 캐소드 전극의 일측 가장자리에 하나의 에미터가 위치하고, 각 에미터의 가장자리에 강한 전계가 인가되어 에미터의 가장자리로부터 전자가 방출되기 때문에, 각 에미터에 인가되는 전류 부하(current load)가 매우 커서 고전류 영역에서 에미터의 수명이 단축되는 단점이 있다.

더욱이 전술한 구조에서는 각 화소별로 1개 에미터의 가장자리로부터 전자가 방출되므로, 에미터의 전자 방출 특성이 불균일하여 화소간 발광 특성을 균일하게 설정하기 어렵고, 그 결과 화질이 저하되는 문제를 안고 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 에미터에 인가되는 전류 부하를 낮추어 에미터의 수명을 연장시키며, 각 화소의 전자 방출 특성을 균일하게 하여 화소간 발광 특성을 균일화하는 전계 방출 표시장치를 제공하는데 있다.

도 1과 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이다.

도 2는 도 1에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

도 3은 도 2의 I-I선 단면도이다.

도 4는 에미터의 다른 실시예를 도시한 후면 기판의 부분 단면도이다.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치 중 후면 기판의 부분 평면도이다.

도 7은 도 6의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이다.

도 8은 에미터의 다른 실시예를 도시한 캐소드 전극의 부분 사시도이다.

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과, 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연막과, 절연막 상에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극에 연결 설치되는 에미터와, 캐소드 전극 사이에서 캐소드 전극과 임의의 간격을 두고 형성되는 대향 전극을 포함하며, 게이트 전극과 캐소드 전극이 교차하는 각 화소마다 에미터가 캐소드 전극 내부에 복수개로 구비되고, 대향 전극이 캐소드 전극과 임의의 간격을 가지며 캐소드 전극 내부를 향해 연장된 복수개의 전계 인가부를 구비하여각각의 전계 인가부가 하나 이상의 에미터와 대향 배치되는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

상기 에미터와 전계 인가부는 캐소드 전극의 길이 방향과 수직한 방향을 따라 형성되며, 이 경우 캐소드 전극은 대향 전극과 마주하는 일측 가장자리에 캐소드 전극의 길이 방향과 수직한 방향으로 복수개의 절개부를 구비하고, 각 절개부의 장변측에 에미터들이 연결 설치된다.

그리고 대향 전극은 절연막에 형성된 비아 홀을 통해 게이트 전극과 연결되는 통전부를 구비하며, 전계 인가부는 캐소드 전극을 향하는 통전부의 일측 가장자리에서 절개부를 향해 연장 형성된다.

이 때, 에미터들은 각 절개부의 장변측에 인접한 캐소드 전극 위에 형성되거나, 각 절개부의 장변측을 따라 절개부 내에 형성되어 에미터의 측면이 캐소드 전극의 측면과 접촉하도록 한다.

다른 한편으로, 상기 에미터와 전계 인가부는 캐소드 전극의 길이 방향과 평행하게 형성되며, 이 경우 캐소드 전극은 대향 전극과 마주하는 일측 가장자리에 캐소드 전극의 길이 방향과 수직한 방향으로 제1 절개부를 형성하고, 제1 절개부로부터 캐소드 전극의 길이 방향과 평행한 복수개의 제2 절개부를 형성하며, 제2 절개부의 어느 한 장변측에 에미터들이 연결 설치된다.

그리고 대향 전극은 절연막에 형성된 비아 홀을 통해 게이트 전극과 연결되는 통전부와, 캐소드 전극을 향하는 통전부의 일측 가장자리에서 제1 절개부를 향해 연장된 연결부를 구비하며, 전계 인가부가 제2 절개부를 향하는 연결부의 일측가장자리에서 제2 절개부를 향해 연장 형성된다.

상기 에미터는 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지며, 바람직하게 0.01∼10¹⁰Ωcm의 비저항 값을 갖는다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

도시한 바와 같이, 전계 방출 표시장치는 내부 공간부를 갖도록 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판(이하, 편의상 '후면 기판'이라 한다)과 제2 기판(이하, 편의상 '전면 기판'이라 한다)을 포함하며, 후면 기판(2)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이, 그리고 전면 기판(4)에는 전자에 의해 소정의 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.

보다 구체적으로, 후면 기판(2) 위에는 투명한 게이트 전극들(6)이 후면 기판(2)의 일방향(도면의 X 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 게이트 전극들(6)을 덮으면서 후면 기판(2)의 전면에 투명한 절연막(8)이 위치한다. 그리고 절연막(8) 위에는 불투명한 캐소드 전극들(10)이 게이트 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 Y 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

본 실시예에서 전계 방출 표시장치의 화소 영역을 게이트 전극(6)과 캐소드전극(10)의 교차 영역으로 정의할 때, 각 화소마다 캐소드 전극(10)과 연결되는 복수개의 에미터(12)가 캐소드 전극(10) 내부에 형성되며, 캐소드 전극(10)과 임의의 간격을 두고 게이트 전극(6)의 전계를 절연막 상부로 끌어올리는 하나의 대향 전극(14)이 위치한다.

이 때, 대향 전극(14)은 캐소드 전극(10) 내부를 향해 연장된 복수개의 전계 인가부(14A)를 구비하여 전계 인가부(14A)가 하나 이상의 에미터(12)와 대향하도록 한다.

본 발명에서 상기 에미터(12)는 카본계 물질, 일례로 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 또는 이들의 조합 물질로 이루어지며, 본 실시예에서는 카본 나노튜브를 적용하고 있다. 그리고 상기 에미터(12)는 임의의 자체 저항, 바람직하게 0.01∼10¹⁰Ωcm의 비저항 값을 갖는다.

보다 구체적으로, 상기 캐소드 전극(10)은 대향 전극(14)과 마주하는 일측 가장자리에 캐소드 전극(10)의 길이 방향과 수직한 방향으로 장변을 갖는 장방형의 절개부(16)를 하나 이상, 바람직하게 2개로 형성하고, 각 절개부(16)의 장변측과 인접한 캐소드 전극(10) 상에 에미터(12)를 배치하여 각 화소별로 4개의 에미터(12)를 배치한다.

그리고 대향 전극(14)은 절연막(8)에 형성된 비아 홀(8a)을 통해 게이트 전극(6)과 연결되는 통전부(14B)와, 캐소드 전극(10)을 향하는 통전부(14B)의 일측 가장자리에서 절개부(16)를 향해 연장된 한쌍의 전계 인가부(14A)로 이루어진다.이로서 전계 인가부(14A)는 각 절개부(16)의 장변측에 마련된 2개의 에미터(12)와 대향하며, 각각의 전계 인가부(14A)는 캐소드 전극(10) 및 에미터(12)와 통전되지 않도록 이들 부재들과 3㎛ 이상의 간격을 유지한다.

이 때, 에미터(12)는 도 3에 도시한 바와 같이 각 절개부(16)의 장변측에 인접한 캐소드 전극(10) 상에 형성될 수 있으며, 다른 실시예로서 도 4에 도시한 바와 같이 각 절개부(16)의 장변측을 따라 절개부(16) 내에 형성되어 에미터(12)의 측면이 캐소드 전극(10)의 측면과 접촉하도록 할 수 있다.

한편, 후면 기판(2)에 대향하는 전면 기판(4)의 일면에는 투명한 애노드 전극(18)과 더불어 게이트 전극 방향(도면의 X 방향)을 따라 R, G, B 형광막들(20)이 임의의 간격을 두고 위치하며, 각각의 R, G, B 형광막(20) 사이로 콘트라스트 향상을 위한 블랙 매트릭스막(22, 도 5 참고)이 위치한다.

더욱이 형광막(20)과 블랙 매트릭스막(22) 위에는 알루미늄 등으로 이루어진 금속 박막층(24)이 위치할 수 있다. 이 금속 박막층(24)은 전계 방출 표시장치의 내전압 특성과 휘도 향상에 도움을 주는 역할을 한다.

이와 같이 구성되는 전면 기판(4)과 후면 기판(2)은 캐소드 전극(10)과 형광막(20)이 직교하도록 마주한 상태에서 임의의 간격을 두고 실링 물질에 의해 접합되며, 그 사이에 형성되는 내부 공간을 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전계 방출 표시장치를 구성하게 된다.

아울러, 전면 기판(4)과 후면 기판(2)이 형성하는 진공 용기 내부에는 다수의 홀(26a)을 갖는 메쉬 형태의 그리드(26)가 배치된다. 이 그리드(26)는 진공 용기 내에서 아킹이 발생하는 경우, 그 피해가 후면 기판(2)으로 향하지 않도록 하며, 에미터(12)에서 방출된 전자들을 집속시키는 역할을 한다.

이 때, 전면 기판(4)과 그리드(26) 사이의 비화소 영역에 다수의 상부 스페이서(28)가 배치되어 전면 기판(4)과 그리드(26) 사이의 간격을 일정하게 유지시키며, 후면 기판(2)과 그리드(26) 사이의 비화소 영역에 다수의 하부 스페이서(30)가 배치되어 후면 기판(2)과 그리드(26) 사이의 간격을 일정하게 유지시킨다.

상기한 전계 방출 표시장치는 도 5에 도시한 바와 같이, 외부로부터 게이트 전극(6), 캐소드 전극(10), 그리드(26) 및 애노드 전극(18)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 일례로 게이트 전극(6)에는 수∼수십V의 (+)전압이, 캐소드 전극(10)에는 수∼수십V의 (-)전압이, 그리드(26)에는 수십∼수백V의 (+)전압이, 그리고 애노드 전극(18)에는 수백∼수천V의 (+)전압이 인가된다.

이로서 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 전압 차에 의해 에미터(12) 주위에 전계가 형성되어 에미터(12)로부터 전자가 방출되는데, 본 실시예에서 에미터(12)는 각 화소별로 4개가 구비되고, 대향 전극(14)의 전계 인가부(14A)가 2개 에미터(12)의 가장자리에 대향 배치되어 있으므로, 전계 인가부(14A)에 의해 4개 에미터(12)의 가장자리에 전계가 집중되어 이로부터 전자가 동시에 방출된다.

따라서 본 실시예는 전자 방출량을 증가시켜 화면의 휘도를 향상시키고, 전계 방출 표시장치의 구동 전압을 낮추는 효과를 갖는다. 더욱이 본 실시예는 에미터(12)의 전자 방출 특성을 균일화하여 화소간 발광 특성을 균일하게 하고, 각 에미터(12)에 인가되는 전류 부하를 낮추어 에미터(12)의 수명을 연장시키는 효과를갖는다.

한편, 에미터(12)에서 전자가 방출되는 부분을 에미션 사이트(emission site)라 할 때, 에미션 사이트는 에미터(12)의 가장자리를 따라 존재하며, 각각의 에미션 사이트는 형태상 미소한 차이를 갖게 된다. 이 경우, 에미션 사이트에 같은 전계가 인가되어도 형상 특성에 따라 전자 방출이 불균일하게 된다.

그러나 상기 에미터(12)가 전술한 범위의 비저항 값을 가짐에 따라, 에미터(12) 자체가 저항층의 역할을 수행한다고 볼 수 있다. 즉, 캐소드 전극(10)의 끝단에서 에미션 사이트까지 저항으로 연결되어 있다고 가정할 수 있다.

이로서 방출 전류가 많은 에미션 사이트에서는 전압 강하가 발생하여 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)간 전압 차가 줄어들게 되어 전자 방출량이 감소하고, 방출 전류가 적은 에미션 사이트에서는 전압 강하가 없거나 적게 발생하여 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)간 전압 차가 유지됨에 따라 상대적으로 두 에미션 사이트간 전자 방출량 차이가 줄어들게 된다. 따라서 한 화소 내에 존재하는 많은 에미션 사이트에서 균일하게 전자를 방출할 수 있게 된다.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치 중 후면 기판의 부분 평면도이고, 도 7은 도 6의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이다.

본 실시예에서, 캐소드 전극(10)은 각 화소별로 캐소드 전극(10)의 길이 방향과 수직한 방향으로 장변을 갖는 장방형의 제1 절개부(32)를 형성하고, 제1 절개부(32)로부터 캐소드 전극(10)의 길이 방향과 평행한 장방형의 제2 절개부(34)를 하나 이상, 바람직하게 2개의 제2 절개부(34)를 연장 형성한다.

그리고 제2 절개부(34)의 어느 한 장변측과 인접한 캐소드 전극(10) 상에 제1, 2 에미터(12A, 12B)를 배치함과 아울러, 대향 전극(14)의 통전부(14B)와 마주하는 캐소드 전극(10)의 가장자리 위에 제3 에미터(12C)를 배치하여 각 화소별로 3개의 에미터(12A∼12C)를 배치한다. 이 때, 제1∼제3 에미터(12A∼12C)는 바람직하게 0.01Ωcm∼10¹⁰Ωcm의 비저항 값을 갖는다.

또한 대향 전극(14)은 절연막(8)에 형성된 비아 홀(8a)을 통해 게이트 전극(6)과 연결되는 통전부(14B)와, 캐소드 전극(10)을 향하는 통전부(14B)의 일측 가장자리에서 제1 절개부(32)를 향해 연장된 연결부(14C)와, 제2 절개부(34)를 향하는 연결부(14C)의 일측 가장자리에서 각각의 제2 절개부(34)를 향해 연장된 한쌍의 전계 인가부(14A)로 이루어진다.

이로서 2개의 전계 인가부(14A)가 캐소드 전극(10) 내부에 마련된 각각의 제1, 2 에미터(12A, 12B)와 대향하고, 대향 전극(14)의 통전부(14B)가 캐소드 전극(10)의 가장자리에 위치하는 제3 에미터(12C)와 대향한다.

이 때, 제1∼제3 에미터(12A∼12B)는 도 7에 도시한 바와 같이 캐소드 전극(10) 위에 형성될 수 있으며, 다른 실시예로서 도 8에 도시한 바와 같이 캐소드 전극(10)에 마련된 에미터 수용부(36)에 형성되어 각 에미터(12A∼12C)의 측면이 캐소드 전극(10)의 측면과 접촉하도록 할 수 있다. 여기서, 에미터 수용부(36)는 에미터(12A∼12C) 형상에 대응하여 캐소드 전극(10)의 일부가 제거된 부분을 의미한다.

이로서 도 9에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 전압 차에 의해 에미터(12A∼12C) 주위에 전계가 형성되어 에미터(12A∼12C)에서 전자가 방출되는 과정에서, 본 실시예는 각 화소별로 3개의 에미터(12A∼12C)를 구비하고, 대향 전극(14)의 전계 인가부(14A)가 제1, 2 에미터(12A, 12B)의 가장자리에 대향 배치되며, 대향 전극(14)의 통전부(14B)가 제3 에미터(12C)의 가장자리에 대향 배치되어 있으므로, 3개 에미터(12A∼12C)의 가장자리에 전계가 집중되어 이로부터 동시에 전자가 방출된다.

따라서 본 실시예는 앞선 실시예와 마찬가지로 전자 방출량을 증가시켜 화면의 휘도를 향상시키고, 에미터(12A∼12C)의 전압 강하 효과에 의해 에미터(12A∼12C)의 전자 방출 특성을 균일화하여 화소간 발광 특성을 균일하게 하며, 각 에미터(12A∼12C)에 인가되는 전류 부하를 낮추어 에미터(12A∼12C)의 수명을 연장시키는 효과를 갖는다.

이 때, 제1 실시예와 제2 실시예 모두에서 에미터와 전계 인가부의 개수 및 형상은 위에 설명한 것에 한정되지 않고 다양한 변경하여 적용할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 따르면, 각 화소별로 복수개의 에미터와 복수개의 전계인가부를 형성함으로써 전자 방출량을 증가시켜 화면의 휘도를 향상시키고, 구동 전압을 낮추는 효과를 갖는다. 더욱이 본 발명은 에미터의 전자 방출 특성을 균일화하여 각 화소간 발광 특성을 균일하게 하고, 각 에미터에 인가되는 전류 부하를 낮추어 고전류 영역에서 에미터의 수명을 연장시킨다.

Claims (17)

1. 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1, 2 기판과;

   상기 제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과;

   상기 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연막과;

   상기 절연막 상에 상기 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과;

   상기 캐소드 전극에 연결 설치되는 에미터와;

   상기 캐소드 전극 사이에서 캐소드 전극과 임의의 간격을 두고 형성되는 대향 전극과;

   상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극; 및

   상기 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들을 포함하며,

   상기 게이트 전극과 캐소드 전극이 교차하는 각 화소마다 상기 에미터가 캐소드 전극 내부에 복수개로 구비되고, 상기 대향 전극이 캐소드 전극과 임의의 간격을 가지며 캐소드 전극 내부를 향해 연장된 복수개의 전계 인가부를 구비하여 각각의 전계 인가부가 하나 이상의 에미터와 대향 배치되는 전계 방출 표시장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 에미터와 전계 인가부가 캐소드 전극의 길이 방향과 수직한 방향을 따라 형성되는 전계 방출 표시장치.
3. 제 2항에 있어서,

   상기 캐소드 전극이 대향 전극과 마주하는 일측 가장자리에 캐소드 전극의 길이 방향과 수직한 방향으로 복수개의 절개부를 구비하고, 상기 에미터들이 각 절개부의 장변측에 연결 설치되는 전계 방출 표시장치.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 대향 전극이 절연막에 형성된 비아 홀을 통해 게이트 전극과 연결되는 통전부를 구비하며, 상기 전계 인가부가 캐소드 전극을 향하는 통전부의 일측 가장자리에서 절개부를 향해 연장 형성되는 전계 방출 표시장치.
5. 제 3항에 있어서,

   상기 에미터들이 각 절개부의 장변측에 인접한 캐소드 전극 상에 형성되는 전계 방출 표시장치.
6. 제 3항에 있어서,

   상기 에미터들이 각 절개부의 장변측을 따라 절개부 내에 형성되어 에미터의 측면이 캐소드 전극의 측면과 접촉하는 전계 방출 표시장치.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 에미터와 전계 인가부가 캐소드 전극의 길이 방향과 평행하게 형성되는 전계 방출 표시장치.
8. 제 7항에 있어서,

   상기 캐소드 전극이 대향 전극과 마주하는 일측 가장자리에 캐소드 전극의 길이 방향과 수직한 방향으로 제1 절개부를 형성하고, 제1 절개부로부터 캐소드 전극의 길이 방향과 평행한 복수개의 제2 절개부를 형성하며, 상기 에미터들이 제2 절개부의 어느 한 장변측에 연결 설치되는 전계 방출 표시장치.
9. 제 8항에 있어서,

   상기 대향 전극이 절연막에 형성된 비아 홀을 통해 게이트 전극과 연결되는 통전부와, 캐소드 전극을 향하는 통전부의 일측 가장자리에서 제1 절개부를 향해 연장된 연결부를 구비하며, 상기 전계 인가부가 제2 절개부를 향하는 연결부의 일측 가장자리에서 제2 절개부를 향해 연장 형성되는 전계 방출 표시장치.
10. 제 8항에 있어서,

    상기 에미터들이 제2 절개부의 어느 한 장변측에 인접한 캐소드 전극 상에 형성되는 전계 방출 표시장치.
11. 제 8항에 있어서,

    상기 에미터들이 제2 절개부의 어느 한 장변측에 인접하여 마련된 에미터 수용부에 형성되어 에미터의 측면이 캐소드 전극의 측면과 접촉하는 전계 방출 표시장치.
12. 제 9항에 있어서,

    상기 전계 방출 표시장치가, 상기 대향 전극의 통전부와 마주하는 캐소드 전극의 일측 가장자리 위에 형성되는 에미터를 더욱 포함하는 전계 방출 표시장치.
13. 제 9항에 있어서,

    상기 전계 방출 표시장치가, 상기 대향 전극의 통전부와 마주하는 캐소드 전극의 일측 가장자리에 마련되는 에미터 수용부와, 이 에미터 수용부에 형성되는 에미터를 더욱 포함하는 전계 방출 표시장치.
14. 제 1항에 있어서,

    상기 에미터가 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
15. 제 1항에 있어서,

    상기 에미터가 0.01∼10¹⁰Ωcm의 비저항 값을 갖는 전계 방출 표시장치.
16. 제 1항에 있어서,

    상기 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 메쉬 형태의 그리드가 배치되는 전계 방출 표시장치.
17. 제 16항에 있어서,

    상기 전계 방출 표시장치가, 상기 제1 기판과 그리드 사이의 비화소 영역에 배치되는 하부 스페이서들과, 그리드와 제2 기판 사이의 비화소 영역에 배치되는 상부 스페이서들을 더욱 포함하는 전계 방출 표시장치.