KR20050042051A - 레지스트 박리 방법 - Google Patents

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오토마사루
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미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 레지스트 박리 방법에서는 2 부피% 이하의 산소 농도 분위기 하에서 잔존 레지스트 막을 갖는 배선 기판을 레지스트 박리액에 접촉시키는 것을 포함한다. 상기 레지스트 박리 처리는 바람직하게는 잔존 레지스트 막을 과산화수소로 전처리한 후에 행한다. 본 발명의 레지스트 박리 방법에 있어서는 아민 화합물，용매，강알칼리 및 물을 함유하는 레지스트 박리액이 바람직하게 사용된다.

Description

레지스트 박리 방법 {METHOD FOR RELEASING RESIST}
본 발명은 반도체 집적 회로，액정 패널(panel), 유기 EL 패널, 프린트 기판 등의 제조에 사용되는 레지스트 박리액(composition for removing resists) 및 레지스트 박리 방법에 관한 것이다.
리소그래피(lithography) 기술을 이용할 때에 사용되는 포토레지스트는 IC, LSI와 같은 집적 회로，LCD，EL 소자와 같은 표시 기기，프린트 기판, 미소(微小) 기계, DNA 칩, 마이크로 플랜트 등 넓은 분야에서 사용되고 있다.
종래 레지스트 박리액으로는 유기 알칼리와 수용성 용매 등을 포함하는 용액이 사용되고 있다. 특히 유기 알칼리로서 아민 화합물을 사용하는 경우가 많고，예를 들면 알칸올아민과 디메틸 술폭시드의 비수용액(非水溶液), 알칸올아민, 수용성 유기용매 및 당 알코올(sugar alcohol)을 포함하는 수용액，알칸올아민，히드록실아민 및 카테콜을 포함하는 수용액 등이 사용되어 왔다．이러한 알칼리성 레지스트 박리액은 페놀성 수산기를 함유하는 화합물, 에스테르기를 함유하는 화합물로 이루어진 레지스트의 박리에 상당히 유효하다.
이러한 레지스트 박리액은 통상 실온∼10O℃의 범위에서 주로 알루미늄，알루미늄 합금 등의 구리를 주성분으로 하지 않는 기판 상의 레지스트 박리에 사용되어 왔다.
근래, 저항이 작은 구리가 배선 재료로서 사용되게 되었다．특히 LSI로 대표되는 반도체의 배선 재료로서 많이 사용되게 되어 있다．또, 이것에 평행하여 절연 재료로서 저유전율막(low dielectric layer)이 사용되고 있다．종래의 프로세스로는 레지스트를 현상하여 건식 식각(dry etching)을 행한 후에 애싱(ashing) 공정을 거쳐 레지스트 박리가 행해지고 있다．그러나，애싱 공정은 저유전율막의 표면을 변질시키기 쉽고，회로의 기능을 손상시키는 점이 있다. 그래서, 애싱 공정을 생략한 프로세스가 요망되고 있지만, 건식 식각을 행한 후의 레지스트는 변질이 진행되어, 종래의 아민 화합물을 유효 성분으로 하는 레지스트 박리액으로는 충분히 레지스트 박리가 가능하지 않은 결점이 있다．또한，아민 화합물을 포함하는 레지스트 박리액은 구리-아민 착체(complex)를 만들기 때문에 구리 배선을 부식시키기 쉬운 결점이 있다.
본 발명의 목적은 구리, 특히 구리 배선을 부식시키는 일 없이 아민 화합물 함유 레지스트 박리액으로 레지스트를 박리하는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 상기 레지스트 박리 방법에 있어 적합하게 사용할 수 있는 아민 화합물 함유 레지스트 박리액을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 구리 배선 기판용 레지스트 박리액을 열심히 검토한 결과，아민 화합물，용매，강알칼리와 물을 포함하는 조성물이 구리 또는 구리 합금을 부식시키지 않고 레지스트를 박리할 수 있음을 발견하였다.
본 발명자들은 구리를 부식시키는 일 없이 레지스트를 박리할 수 있는 최적의 조건에 관하여 열심히 검토하였다. 그 결과, 아민 화합물이 구리를 부식한다고 일반적으로 언급되어 왔으나, 레지스트 박리액에 용해되어 있는 산소가 구리를 산화시키고 산화된 구리가 구리-아민 착체로 되어 용해하여 구리 배선의 부식이 진행하는 것，즉 레지스트 박리액에 용해되어 있는 산소가 구리 부식의 주요인인 것을 발견하였다.
즉，본 발명은 식각 후 잔존 레지스트 막을 갖는 배선 기판을 2 부피% 이하의 산소 농도 분위기 하에서 레지스트 박리액에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법을 제공한다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서는 과산화수소로 전처리한 후에 레지스트 박리액에 접촉시킨다．
또，본 발명은 상기 레지스트 박리 방법에 바람직하게 이용할 수 있는, 아민 화합물，용매，강알칼리 및 물을 함유하는 레지스트 박리액을 제공한다.
본 발명의 레지스트 박리액은 아민 화합물，용매，강알칼리(임의 성분) 및 물을 함유한다.
아민 화합물로는 암모니아, 모노알킬아민，디알킬아민, 트리알킬아민, 알칸올아민, 폴리아민, 히드록실아민 화합물 및 시클릭 아민을 들 수 있다.
모노알킬아민으로는 메틸아민，에틸아민, n-프로필아민，이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민，이소부틸아민, tert-부틸아민, 펜틸아민，2-아미노펜탄, 3-아미노펜탄，1-아미노-2-메틸부탄, 2-아미노-2-메틸부탄, 3-아미노-2-메틸부탄, 4-아미노-2-메틸부탄, 헥실아민，5-아미노-2-메틸펜탄，헵틸아민，옥틸아민，노닐아민, 데실아민, 운데실아민, 도데실아민, 트리데실아민, 테트라데실아민, 펜타데실아민，헥사데실아민, 헵타데실아민，옥타데실아민 등이 예시되고;
디알킬아민으로는 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디-n-부틸아민, 디이소부틸아민, 디-sec-부틸아민, 디-tert-부틸아민, 디펜틸아민，디헥실아민，디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민，메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸-n-부틸아민, 메틸이소부틸아민, 메틸-sec-부틸아민, 메틸-tert-부틸아민, 메틸아밀아민，메틸이소아밀아민, 에틸프로필아민, 에틸이소프로필아민, 에틸-n-부틸아민, 에틸이소부틸아민, 에틸-sec-부틸아민, 에틸-tert-부틸아민，에틸이소아밀아민, 프로필-n-부틸아민, 프로필이소부틸아민 등이 예시되고;
트리알킬아민으로는 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민，메틸디에틸아민, 메틸디프로필아민 등이 예시된다.
알칸올아민으로는 에탄올아민, 1-아미노-2-프로판올, N-(아미노에틸)에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-프로필에탄올아민，N-부틸에탄올아민, 디에탄올아민, 이소프로판올아민, N-메틸이소프로판올아민, N-에틸이소프로판올아민, N-프로필이소프로판올아민, 2-아미노프로판-1-올, N-메틸-2-아미노프로판-1-올, N-에틸-2-아미노프로판-1-올, 1-아미노프로판-3-올, N-메틸-1-아미노프로판-3-올, N-에틸-1-아미노프로판-3-올, 1-아미노부탄-2-올, N-메틸-1-아미노부탄-2-올, N-에틸-1-아미노부탄-2-올, 2-아미노부탄-1-올, N-메틸-2-아미노부탄-1-올, N-에틸-2-아미노부탄-1-올, 3-아미노부탄-1-올，N-메틸-3-아미노부탄-1-올, N-에틸-3-아미노부탄-1-올, 1-아미노부탄-4-올, N-메틸-1-아미노부탄-4-올, N-에틸-1-아미노부탄-4-올, 1-아미노-2-메틸프로판-2-올, 2-아미노-2-메틸프로판-1-올, 1-아미노펜탄-4-올，2-아미노-4-메틸펜탄-1-올, 2-아미노헥산-1-올, 3-아미노헵탄-4-올, 1-아미노옥탄-2-올, 5-아미노옥탄-4-올, 1-아미노프로판-2,3-디올, 2-아미노프로판-1,3-디올, 트리스(옥시메틸)아미노메탄, 1,2-디아미노프로판-3-올，1,3-디아미노프로판-2-올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올을 들 수 있다.
폴리아민으로는 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 트리메틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 1,3-디아미노부탄, 2,3-디아미노부탄，펜타메틸렌디아민, 2,4-디아미노펜탄，헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 노나메틸렌디아민, N-메틸에틸렌디아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, 트리메틸에틸렌디아민, N-에틸에틸렌디아민, N,N-디에틸에틸렌디아민, 트리에틸에틸렌디아민，1,2,3-트리아미노프로판，히드라진, 트리스(2-아미노에틸)아민, 테트라(아미노메틸)메탄, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민，헵타에틸렌옥타민, 노나에틸렌데카민, 디아자비시클로운데센, 히드라진, 디메틸히드라진, 메틸히드라진, 히드록시에틸히드라진 등을 들 수 있다.
히드록실 아민 화합물로는 히드록실아민, N-메틸히드록실아민, N-에틸히드록실아민, N,N-디에틸히드록실아민을 들 수 있다.
시클릭아민으로는 피롤, 2-메틸피롤, 3-메틸피롤, 2-에틸피롤, 3-에틸피롤, 2,3-디메틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 3,4-디메틸피롤, 2,3,4-트리메틸피롤, 2,3,5-트리메틸피롤，2-피롤린, 3-피롤린, 피롤리딘，2-메틸피롤리딘, 3-메틸피롤리딘, 피라졸, 이미다졸，1,2,3-트리아졸, 1,2,3,4-테트라졸, 피페리딘, 2-피페콜린, 3-피페콜린, 4-피페콜린, 2,4-루페티딘，2,6-루페티딘, 3,5-루페티딘, 피페라진, 2-메틸피페라진, 2,5-디메틸피페라진, 2,6-디메틸피페라진, 모르포린 등을 들 수 있다.
상기 아민 화합물 중 에탄올아민, 1-아미노-2-프로판올，N-(아미노에틸)에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, 디에탄올아민, 이소프로판올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 에틸렌디아민, 프로판디아민, 부틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 피페라진, 모르포린, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 펜타에틸렌헥사민으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물이 바람직하다.
강알칼리로는 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드, 테트라프로필암모늄 히드록시드, 테트라부틸암모늄 히드록시드, 콜린 히드록시드, 아세틸콜린 히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이 바람직하고, 테트라메틸암모늄 히드록시드 및 콜린 히드록시드가 보다 바람직하다.
용매는 상기 아민 화합물과 혼화 가능한 것이 바람직하고，에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르의 에테르계 용매; 포름아미드, 모노메틸포름아미드, 디메틸포름아미드, 모노에틸포름아미드, 디에틸포름아미드, 아세트아미드, 모노메틸아세트아미드, 디메틸아세트아미드, 모노에틸아세트아미드, 디에틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈 등의 아미드계 용매; 메틸 알코올, 에틸 알코올, 이소프로판올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 등의 알코올계 용매; 디메틸 술폭시드 등의 술폭시드계 용매; 디메틸 술폰, 디에틸 술폰, 비스(2-히드록시술폰), 테트라메틸렌 술폰 등의 술폰계 용매; 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디이소프로필-2-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논계 용매; 및 γ-부티로락톤, δ-발레로락톤 등의 락톤계 용매 등을 들 수 있다.
이들 가운데에서，디메틸 술폭시드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜은 입수하기 쉽고，끓는점도 높아 사용하기 쉽기 때문에 바람직하다. 또, 상기 아민 화합물을 용매로서 사용할 수도 있다.
구리 배선을 부식시키지 않고 레지스트를 박리하기 위해서는 레지스트 박리액은 아민 화합물을 5-95 중량%，용매를 3-85 중량%，강알칼리를 0.01-5 중량%，물을 1-25 중량% 함유하고 있는 것이 바람직하고，아민 화합물을 10-40 중량%，용매를 50-80 중량%，강알칼리를 0.1-3 중량%，물을 5∼20 중량% 함유하고 있는 것이 보다 바람직하다．본 발명의 레지스트 박리액은 종래 사용되고 있는 소르비톨，카테콜 등의 방식제(防蝕劑)，계면활성제 등의 첨가물을 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 포함할 수 있다.
레지스트 박리액의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고，종래 공지의 방법에 의해 제조된다.
본 발명에 있어 레지스트 박리는 식각 후, 바람직하게는 애싱 전의 잔존 레지스트를 아민 화합물，용매，강알칼리(임의 성분) 및 물을 함유하는 레지스트 박리액에 20∼60℃에서 1∼30분간 접촉시킴으로써 행해진다．접촉은 통상 잔존 레지스트를 갖는 기판을 레지스트 박리액에 침지함으로써 행해진다.
예를 들면，널리 사용되고 있는 페놀성 수산기 함유 레지스트는 건식 식각 처리에 의하여 표면이 변질된다．종래의 레지스트 박리액은 아민 화합물과 페놀성 수산기와의 염 형성, 산화하여 생긴 카르보닐기(carbonyl group)에 대한 아민 화합물의 부가 반응에 의해 레지스트를 박리한다. 그러나, 변질이 진행된 레지스트를 제거하는 능력은 작다. 이와 같은 경우에는 강알칼리를 함유하는 레지스트 박리액을 이용함으로써 페놀성 수산기와의 염 형성 능력 및 건식 식각으로부터 유래되는 할로겐의 제거 기능을 강화할 수 있고，또 가수분해 기능을 부가할 수 있다.
상기한 바와 같이, 레지스트 박리액에 용존하는 산소가 구리 및 구리 합금 부식의 주요인이다．부식 작용은 레지스트 박리액 중의 알칼리 성분(아민 화합물 + 강알칼리) 함량이 3% 이상이고 레지스트 박리 조작 중 분위기 산소 농도가 높은 경우에 보다 더 현저해진다. 따라서，본 발명에 있어서는 레지스트 박리 조작을 산소 농도가 2 부피% 이하, 바람직하게는 1 부피% 이하의 분위기 중에서 행하여 구리 및 구리 합금의 부식을 효과적으로 억제한다. 저산소 분위기는 질소，아르곤, 수소 등 바람직하게는 질소를 사용함으로써 얻어진다．더욱 바람직하게는 2 부피% 이하의 산소 농도의 분위기 중에서 레지스트 박리액에 질소，아르곤, 수소 등의 기체를 불어넣고，용존 가스를 배출시키며, 레지스트 박리액 중의 용존 산소량을 3ppm 이하로 유지하여 레지스트 박리 조작을 행하면 보다 효과적으로 구리 및 구리 합금의 부식을 억제할 수 있다．또，사용 전에 레지스트 박리액을 탈기(脫氣)해도 된다. 이와 같이, 본 발명의 레지스트 박리 방법은 구리막 또는 구리 합금막을 갖는 기판 상의 잔존 레지스트를 제거하는 경우에 가장 유효하다.
또한 변질이 더욱더 진행된 레지스트를 박리하는 데에는 과산화수소에 의한 전처리가 유효한 것을 본 발명자들은 발견하였다．과산화수소 전처리에 의하여 변질이 진행된 레지스트 표면이 산화되어 분자량이 저하되고, 카르보닐기 형성이 촉진된다. 이에 의해 레지스트 제거가 용이해진다.
과산화수소 전처리는 식각 후 레지스트 박리액 처리 전에 배선 기판을 과산화수소 농도가 0.5 중량% 이상，바람직하게는 1∼10 중량%의 용액에 20∼60℃에서 1∼30분간 예를 들면，침지 등의 방법에 의해 접촉시킴으로써 행한다．용액으로는 수용액 등을 들 수 있다．과산화수소 용액에는 킬레이트화제, 계면활성제 등의 첨가제를 가해도 된다．과산화수소로 전처리된 배선 기판은 그대로 혹는 물 등으로 세정한 후，상기한 레지스트 박리 조작을 받는다.
이하에, 본 발명을 실시예를 참조해서 자세히 설명하지만，본 발명이 하기 실시예에 의하여 어떠한 형태로든 한정되는 것은 아니다.
실시예 1∼6 및 비교예 1∼2
실리콘 기판 상에 구리막, SiN 막，SiO2계 층간 절연막，레지스트 막이 순서대로 적층된 6 인치 웨이퍼에 건식 식각에 의해 비아 홀(via hall）구조를 형성하였다．비아 홀 구조는 구리막에 도달해 있다．이 기판을 이하에 나타내는 조성의 레지스트 박리액에 70℃에서 30분 침지한 후, 물로 린스하고, 레지스트 박리의 정도 및 구리막의 부식 정도를 주사형 전자현미경으로 관찰하였다．그 결과를 표 2에 나타낸다.
또한, 레지스트 박리액 중의 용존 산소량은 N. T. 코퍼레이션사 제품인 디지탈 산소 농도계(Model DO-5509，검출 하한치 0.5ppm)를 이용하여 질소 분위기 중에서 측정하였다.
[표 1]
레지스트 박리액의 조성 아민 화합물 용매 강알칼리 물 종류 중량% 종류 중량% 종류 중량%
실시예1 EA 30 DMSO 60 TMAH 0.2 잔량2 EA 25 NMP 65 TMAH 1 잔량3 1A2P 32 PG 61 TMAH 0.5 잔량4 TETA 18 DGME 72 CH 1 잔량5 PEHA 30 DGBE 60 TMAH 2 잔량6 AEEA 10 MEA 80 CH 0.1 잔량비교예1 EA 30 DMSO 60 - - 잔량2 EA 30 DMSO 60 TMAH 0.2 잔량
EA : 에탄올아민
1A2P : 1-아미노-2-프로판올
TETA : 트리에틸렌테트라민
PEHA : 펜타에틸렌헥사민
AEEA : 아미노에틸에탄올아민
TMAH : 테트라메틸암모늄 히드록시드
CH : 콜린 히드록시드
DMSO : 디메틸 술폭시드
NMP : N-메틸피롤리돈
PG : 프로필렌 글리콜
DGME : 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르
DGBE : 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
MEA : N-메틸에탄올아민
[표 2]
분위기 산소농도 레지스트 박리 구리부식 용존 산소농도 (ppm) (ppm)
실시예1 500 양호 없음 0.5 이하2 200 양호 없음 0.63 400 양호 없음 1.34 800 양호 없음 0.5 이하5 200 양호 없음 1.56 400 양호 없음 0.5 이하비교예1 500 박리안됨 없음 0.5 이하2 200000 양호 현저함 5.8
실시예 7∼12 및 비교예 3∼4
실리콘 기판 상에 구리막, SiN 막，SiO2계 층간 절연막，레지스트 막이 순서대로 적층된 12 인치(inch）웨이퍼에 건식 식각에 의해 비아 홀(via hall）구조를 형성하였다．비아 홀 구조는 구리막에 도달해 있다．이 기판을 표 3에 나타낸 액에 60℃에서 15분 침지하여 전처리하고, 이어서 표 3에 나타낸 조성의 레지스트 박리액에 70℃에서 30분 침지하였다. 물로 린스한 후, 레지스트 박리의 정도 및 구리막의 부식 정도를 주사형 전자현미경으로 관찰하였다．그 결과를 표 4에 나타낸다.
[표 3]
전처리 레지스트 박리액의 조성 과산화수소수 아민 화합물 용매 강알칼리 물 농도 첨가물 종류 중량% 종류 중량% 종류 중량% (중량%) (중량%)
실시예7 6 - EA 30 DMSO 60 TMAH 0.2 잔량8 5 EDTA TETA 25 NMP 25 TMAH 1 잔량 (0.001) PG 409 3 - 1A2P 25 DMSO 65 TMAH 1.5 잔량10 4 NH4F EA 18 DGME 72 CH 1 잔량 (0.001)11 4 - PEHA 30 DGBE 60 TMAH 2 잔량12 4 - AEEA 10 MEA 80 CH 0.1 잔량비교예3 - - EA 30 DMSO 60 TMAH 0.2 잔량4 - - EA 25 NMP 65 TMAH 1 잔량
EA : 에탄올아민
1A2P : 1-아미노-2-프로판올
TETA : 트리에틸렌테트라민
PEHA : 펜타에틸렌헥사민
AEEA : 아미노에틸에탄올아민
TMAH : 테트라메틸암모늄 히드록시드
CH : 콜린 히드록시드
DMSO : 디메틸 술폭시드
NMP : N-메틸피롤리돈
PG : 프로필렌 글리콜
DGME : 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르
DGBE : 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
MEA : N-메틸에탄올아민
EDTA : 에틸렌디아민 테트라아세트산
[표 4]
분위기 산소농도 레지스트 박리 구리부식 용존 산소농도 (ppm) (ppm)
실시예7 200 양호 없음 0.5 이하8 200 양호 없음 0.5 이하9 200 양호 없음 1.010 200 양호 없음 0.5 이하11 200 양호 없음 0.5 이하12 200 양호 없음 0.5 이하비교예3 200 박리안됨 없음 0.5 이하4 200 박리안됨 없음 0.5 이하
표 2 및 4의 결과로부터 명확한 것처럼，본 발명의 레지스트 박리 방법에 의하면 배선 기판의 레지스트 박리가 구리막을 부식시키지 않고 행하여질 수 있다．또한，과산화수소로 전처리하는 것에 의하여 레지스트 박리액 만으로는 곤란한 경우에 있어서도 레지스트 박리를 용이하게 행할 수 있다.
실시예 13∼15 및 비교예 5
두께 400Å의 구리막을 갖는 실리콘 기판을 하기 조성의 레지스트 박리액에 침지하여, 구리막의 부식 속도를 50℃에서 측정하였다．결과를 표 5에 나타낸다.
레지스트 박리액 조성
에탄올아민 : 45 중량%
디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 : 20 중량%
물 : 32 중량%
소르비톨 : 3 중량%
[표 5]
분위기 조건 부식 속도 (Å/분)
실시예 13 질소 분위기하 0.7실시예 14 질소 가스를 레지스트 박리액에 0.3 불어 넣으면서 처리실시예 15 1% 산소함유 질소중 1비교예 5 공기 분위기하 7
산소의 영향에 의하여 구리의 부식 속도가 크게 변화하는 것이 분명해졌다. 공기를 계속해서 공급한다면 구리의 부식이 계속된다. 이것을 막기 위해서는 산소원을 끊는 것이 필요하다.
실시예 16∼17 및 비교예 6
두께 400Å의 구리막을 갖는 실리콘 기판을 하기 조성의 레지스트 박리액에 침지하고, 구리막의 부식 속도를 50℃에서 측정하였다．측정은 분위기 산소 농도계 를 갖춘 글로브 박스(globe box）안에서 행하였다．결과를 표 6에 나타낸다.
레지스트 박리액 조성
에탄올아민 : 40 중량%
디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 : 38 중량%
물 : 20 중량%
카테콜 : 2 중량%
[표 6]
분위기 조건 부식 속도 (Å/분)
실시예 16 산소 농도 200ppm의 1.3 질소 분위기중실시예 17 레지스트 박리액을 탈기한 후, 0.5 산소 농도 200ppm의 질소 분위기중비교예 6 공기 분위기하 2.0
실시예 18 및 비교예 7
두께 400Å의 구리막을 갖는 실리콘 기판을 하기 조성의 레지스트 박리액에 침지하고, 구리막의 부식 속도를 50℃에서 측정하였다．측정은 분위기 산소 농도계를 갖춘 글로브 박스 안에서 행하였다.
레지스트 박리액 조성
에탄올아민 : 30 중량%
N-메틸피롤리돈 : 55 중량%
물 : 10 중량%
카테콜 : 5 중량%
또한，상기 실리콘 기판에 포토레지스트를 도포하고，패턴 형성하고，건식 식각을 행한 후，상기 레지스트 박리액에 50℃에서 30분간 침지하였다. 잔존 레지스트가 제거되기까지의 시간을 광학 현미경으로 관찰하면서 측정하였다. 그 결과를 표 7에 나타낸다.
[표 7]
분위기 조건 부식 속도 레지스트 제거시간 (Å/분) (분)
실시예 18 질소 분위기하 0.8 15비교예 7 공기 분위기하 4.5 15
레지스트 박리 처리를 질소중(저산소 농도 분위기하)에서 행하는 것에 의하여, 레지스트 박리성을 변화시키는 일 없이 구리의 부식을 억제할 수 있다.
본 발명에 의하여 건식 식각 후의 레지스트 박리를 구리를 부식시키지 않고 행하는 것이 가능해졌다. 이것에 의해，종래 구리 배선을 갖는 기판의 처리에 이용할 수 없었던 레지스트 박리액의 사용이 가능해졌다．또한，과산화수소로 전처리하는 것에 의해 박리가 곤란한 레지스트도 용이하게 박리할 수 있게 되었다.

Claims (12)

  1. 식각 후 잔존 레지스트 막을 갖는 배선 기판을, 2 부피% 이하의 산소 농도 분위기 하에서 레지스트 박리액에 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배선 기판을 레지스트 박리액에 접촉시키는 단계는, 상기 레지스트 박리액 중의 용존 가스를 배출시키면서 수행되는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 배선 기판을 레지스트 박리액에 접촉시키는 단계는, 상기 레지스트 박리액을 탈기(deaeration)한 후 수행되는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 배선 기판과 레지스트 박리액을 접촉시키기 전에 잔존 레지스트 막을 과산화수소에 접촉시키는 전처리를 행하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 과산화수소 전처리는 잔존 레지스트 막을 과산화수소 농도가 0.5 중량% 이상인 용액에 접촉시켜서 수행되는 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레지스트 박리액 중의 용존 산소 농도가 3ppm 이하인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레지스트 박리액이 아민 화합물, 용매, 강알칼리 및 물을 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 레지스트 박리액이 아민 화합물을 5∼95 중량%，용매를 3∼85 중량%, 강알칼리를 0.01∼5 중량% 및 물을 1∼25 중량% 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 아민 화합물이 에탄올아민, 1-아미노-2-프로판올, N-(아미노에틸)에탄올아민, N-메틸에탄올아민，N-에틸에탄올아민, 디에탄올아민, 이소프로판올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 에틸렌디아민, 프로판디아민, 부틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 피페라진, 모르포린, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민 및 펜타에틸렌헥사민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 강알칼리가 테트라메틸암모늄 히드록시드, 콜린 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드 및 테트라부틸암모늄 히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
  11. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용매가 디메틸술폭시드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르 및 프로필렌 글리콜로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
  12. 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배선 기판이 구리막 또는 구리 합금막을 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100718527B1 (ko) * 2006-04-12 2007-05-16 테크노세미켐 주식회사 네거티브 포토레지스트용 박리액 조성물
KR101221560B1 (ko) * 2005-09-02 2013-01-14 주식회사 동진쎄미켐 변성된 포토레지스트 제거를 위한 반도체 소자용 박리액조성물

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7543592B2 (en) * 2001-12-04 2009-06-09 Ekc Technology, Inc. Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
JP3516446B2 (ja) * 2002-04-26 2004-04-05 東京応化工業株式会社 ホトレジスト剥離方法
KR101164959B1 (ko) * 2005-04-06 2012-07-12 주식회사 동진쎄미켐 반도체 소자용 포토레지스트를 제거하기 위한 박리액 조성물
KR101088568B1 (ko) * 2005-04-19 2011-12-05 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼
JP4678673B2 (ja) * 2005-05-12 2011-04-27 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US8691180B2 (en) * 2005-08-25 2014-04-08 The Regents Of The University Of California Controlled placement and orientation of nanostructures
US20070059742A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Stover Axel G Process of stripping a microarray for reuse
US8263539B2 (en) * 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
US9329486B2 (en) 2005-10-28 2016-05-03 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US20070243773A1 (en) * 2005-10-28 2007-10-18 Phenis Michael T Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US7632796B2 (en) * 2005-10-28 2009-12-15 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
WO2007063767A1 (ja) * 2005-12-01 2007-06-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. 半導体素子又は表示素子用洗浄液および洗浄方法
US8551682B2 (en) * 2007-08-15 2013-10-08 Dynaloy, Llc Metal conservation with stripper solutions containing resorcinol
TWI450052B (zh) * 2008-06-24 2014-08-21 Dynaloy Llc 用於後段製程操作有效之剝離溶液
JP2010222552A (ja) * 2009-02-24 2010-10-07 Sumitomo Chemical Co Ltd 洗浄用組成物及びそれを用いる液晶性ポリエステル製造装置の洗浄方法
WO2010127943A1 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 Basf Se Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices
US8161637B2 (en) 2009-07-24 2012-04-24 Ibiden Co., Ltd. Manufacturing method for printed wiring board
TWI539493B (zh) 2010-03-08 2016-06-21 黛納羅伊有限責任公司 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物
US8987181B2 (en) 2011-11-08 2015-03-24 Dynaloy, Llc Photoresist and post etch residue cleaning solution
US9029268B2 (en) 2012-11-21 2015-05-12 Dynaloy, Llc Process for etching metals
US9158202B2 (en) 2012-11-21 2015-10-13 Dynaloy, Llc Process and composition for removing substances from substrates
US9460934B2 (en) * 2013-03-15 2016-10-04 Globalfoundries Inc. Wet strip process for an antireflective coating layer
TWI572490B (zh) * 2014-05-26 2017-03-01 Kanto-Ppc Inc A stripping liquid composition, and a method of removing the polymer film using the release liquid composition
US10168805B2 (en) 2014-08-18 2019-01-01 3M Innovative Properties Company Conductive layered structure and methods of making same
CN104570629B (zh) * 2015-02-14 2016-04-13 江阴江化微电子材料股份有限公司 —种液晶面板铜膜光阻水系剥离液
KR102414295B1 (ko) * 2016-01-22 2022-06-30 주식회사 이엔에프테크놀로지 포토레지스트 제거용 박리액 조성물
CN107278039A (zh) * 2016-04-08 2017-10-20 东莞市斯坦得电子材料有限公司 一种用于印制线路板的有机碱干膜退除工艺
TWI649454B (zh) * 2017-11-10 2019-02-01 關東鑫林科技股份有限公司 蝕刻液組成物及使用該蝕刻液組成物之蝕刻方法
TWI692679B (zh) * 2017-12-22 2020-05-01 美商慧盛材料美國責任有限公司 光阻剝除劑
US11353794B2 (en) 2017-12-22 2022-06-07 Versum Materials Us, Llc Photoresist stripper
CN110383179B (zh) * 2018-02-14 2021-10-29 默克专利股份有限公司 光刻胶去除剂组合物
EP3767666B1 (en) * 2018-03-14 2024-03-27 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Cleaning solution for removing dry etching residue and method for manufacturing semiconductor substrate using same
JP2020118969A (ja) * 2019-01-25 2020-08-06 東京応化工業株式会社 処理液および基板の処理方法
CN112480928A (zh) * 2019-09-11 2021-03-12 利绅科技股份有限公司 硅蚀刻组成物及其作用于硅基材的蚀刻方法
CN112711176A (zh) * 2020-12-17 2021-04-27 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 一种适用半导体领域的光刻胶剥离液及制备方法
KR20220150134A (ko) * 2021-05-03 2022-11-10 삼성전자주식회사 포토레지스트 박리 조성물과 이를 이용하는 반도체 소자 및 반도체 패키지의 제조 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4746397A (en) * 1986-01-17 1988-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Treatment method for plate-shaped substrate
JPH0547654A (ja) * 1991-08-09 1993-02-26 Hitachi Ltd 半導体基板の表面処理方法、半導体装置の製造方法及びそれを行う表面処理装置
JP3235248B2 (ja) * 1993-02-24 2001-12-04 日立化成工業株式会社 水溶性レジストの剥離方法及び剥離液
JP3281436B2 (ja) * 1993-02-24 2002-05-13 日立化成工業株式会社 水溶性レジストの剥離方法及び剥離液
US5821035A (en) * 1996-03-06 1998-10-13 Sony Corporation Resist developing apparatus and resist developing method
US5968848A (en) * 1996-12-27 1999-10-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Process for treating a lithographic substrate and a rinse solution for the treatment
TW539918B (en) * 1997-05-27 2003-07-01 Tokyo Electron Ltd Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
JPH1184687A (ja) * 1997-09-02 1999-03-26 Nagase Denshi Kagaku Kk レジスト剥離剤組成物及びその使用方法
US6440326B1 (en) * 1998-08-13 2002-08-27 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Photoresist removing composition
JP2000122309A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Nagase Denshi Kagaku Kk 半導体基板のレジスト剥離・洗浄方法
JP4224651B2 (ja) * 1999-02-25 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法
JP3372903B2 (ja) * 1999-06-21 2003-02-04 ニチゴー・モートン株式会社 フォトレジスト剥離剤
TW501196B (en) * 1999-08-05 2002-09-01 Tokyo Electron Ltd Cleaning device, cleaning system, treating device and cleaning method
GB0009112D0 (en) * 2000-04-12 2000-05-31 Ekc Technology Ltd Inhibition of titanium corrosion

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101221560B1 (ko) * 2005-09-02 2013-01-14 주식회사 동진쎄미켐 변성된 포토레지스트 제거를 위한 반도체 소자용 박리액조성물
KR100718527B1 (ko) * 2006-04-12 2007-05-16 테크노세미켐 주식회사 네거티브 포토레지스트용 박리액 조성물

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