KR20050023167A - 메모리 모듈 구조 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 복수개의 제 1 메모리 칩을 갖는 기판;상기 기판 상에 존재하고 상기 제 1 메모리 칩들의 패드들을 상호 전기적으로 연결하는 금속배선;상기 기판의 끝단에 존재하고 상기 금속배선과 전기적으로 연결되며 신호를 입, 출력할 수 있는 입출력 단자;상기 제 1 메모리 칩들 일부의 상부에 존재하는 제 2 메모리 칩들;상기 제 2 메모리 칩들의 패드들과 상기 금속배선을 전기적으로 연결시키는 수단을 포함하되,상기 제 2 메모리 칩들 하부에 있는 상기 제 1 메모리 칩들은 작동하지 않도록 한 칩인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 메모리 칩들의 패드들과 상기 금속배선을 전기적으로 연결시키는 수단은상기 제 2 메모리 칩들의 패드들과 상기 금속배선을 전기적으로 연결시키는 와이어인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 2 메모리 칩들 하부에 있는 상기 제 1 메모리 칩들은 상기 금속 배선과 전기적 연결이 끈어져 작동하지 않도록 한 칩인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 메모리 칩들의 패드들과 상기 금속배선을 전기적으로 연결시키는 수단은상기 제 2 메모리 칩에 존재하며 상기 제 1 메모리 칩의 패드들과 정렬된 비아홀;상기 제 2 메모리 칩의 비아홀을 금속으로 채워 상기 제 2 메모리 칩의 패드들과 상기 금속 배선을 전기적으로 연결시키는 금속 플러그를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈
- 제 4 항에 있어서,상기 제 2 메모리 칩들 하부에 있는 상기 제 1 메모리 칩들은 주 전력 공급을 끊어버릴 수 있는 퓨즈가 끈어져 작동하지 않도록 한 칩인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 메모리 칩들은디램(DRAM), 에스램(SRAM), 플레시 메모리(Flash memory) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 모듈.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 메모리 칩들은각각 디램(DRAM), 에스램(SRAM), 플레시 메모리(Flash memory) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 모듈.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 메모리 칩들은제 1 메모리 칩과 다른 종류의 메모리 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 모듈.
- 제 4 항에 있어서,상기 금속 플러그는알루미늄, 구리 또는 백극 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
- 하나의 제 1 메모리 칩을 갖는 기판;상기 기판 상에 존재하는 입, 출력 단자;상기 기판의 끝단에 존재하며 상기 제 1 메모리 칩의 패드들과 상기 입, 출력 단자를 전기적으로 연결하는 금속배선상기 제 1 메모리 칩의 상부에 존재하며 상기 제 1 메모리 칩의 패드들과 정렬된 비아홀을 갖는 복수개의 제 2 메모리 칩들;상기 복수개의 제 2 메모리 칩들의 비아홀들을 채우며 상기 제 2 메모리 칩들의 패드들, 상기 제 1 메모리 칩의 패드들 및 금속 배선과 전기적으로 연결된 금속 플러그를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
- 제 10 항에 있어서,제 1 메모리 칩은디램, 에스램, 플레시 메모리 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
- 제 10 항에 있어서,제 2 메모리 칩들은각각 디램(DRAM), 에스램(SRAM), 플레시 메모리(Flash memory) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
- 제 10 항에 있어서,상기 금속 플러그는알루미늄, 구리 또는 백극 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
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