KR20050014209A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
액정표시장치 및 그 제조방법Info
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Abstract
Description
Claims (21)
- 절연 기판상에 일정한 간격을 갖고 형성되는 제 1, 제 2 액티브층과,상기 제 1, 제 2 액티브층의 양측단에 일정한 간격을 갖고 형성되는 소오스 및 드레인 전극과,상기 소오스 및 드레인 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 형성되는 게이트 절연막과,상기 소오스 및 드레인 전극 사이의 제 1, 제 2 액티브층상에 각각 형성되는 게이트 전극과,상기 소오스 및 드레인 전극과 제 1, 제 2 액티브층의 표면이 소정부분 노출되도록 콘택홀을 갖고 절연 기판의 전면에 형성되는 절연막과,상기 콘택홀 하측의 제 1, 제 2 액티브층에 형성되는 제 1, 제 2 소오스/드레인 영역과,상기 콘택홀을 통해 상기 소오스 전극과 소오스 불순물 영역에 연결되어 형성되는 도전성 라인과,상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 드레인 불순물 영역에 연결되어 형성되는 화소전극을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 절연 기판과 액티브층 사이에 형성되는 버퍼층을 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 도전성 라인과 화소전극은 동일 물질인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 도전성 라인 및 화소전극은 투명 금속막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 질화 실리콘 또는 산화 실리콘 등의 무기절연물질 또는 아크릴계의 유기화합물, 테프론, BCB, 사이토프 또는 PFCB 등의 유전상수가 작은 유기절연물인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 소오스/드레인 영역은 LDD 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 절연 기판상에 일정한 간격을 갖고 형성되는 제 1, 제 2, 제 3 액티브층과,상기 제 1, 제 2, 제 3 액티브층의 양측단에 각각 일정한 간격을 갖고 형성되는 소오스 및 드레인 전극과,상기 소오스 및 드레인 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 형성되는 게이트 절연막과,상기 각 소오스 및 드레인 전극 사이의 제 1, 제 2, 제 3 액티브층상에 형성되는 게이트 전극과,상기 제 1, 제 2 액티브층과 제 1, 제 2 액티브층상에 형성된 소오스 및 드레인 전극의 표면과 상기 제 3 액티브층과 제 3 액티브층상에 형성된 소오스/드레인 전극의 표면이 소정부분 노출되도록 제 1, 제 2 콘택홀을 갖고 절연 기판의 전면에 형성되는 절연막과,상기 제 1 콘택홀 하측의 제 1, 제 2 액티브층에 형성되는 제 1 도전형 제 1, 제 2 소오스/드레인 영역과,상기 제 2 콘택홀 하측의 제 3 액티브층에 형성되는 제 2 도전형 제 3 소오스/드레인 영역과,상기 제 1, 제 2 콘택홀을 통해 상기 소오스 전극과 제 1, 제 2, 제 3 소오스 영역에 연결되어 형성되는 도전성 라인과,상기 제 1, 제 2 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 제 1, 제 2, 제 3 드레인 영역에 연결되어 형성되는 화소전극을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 도전성 라인 및 화소전극은 투명 금속막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 n형, 제 2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 절연 기판상에 다결정 실리콘층 및 금속막을 차례로 형성하는 단계;상기 금속막 및 다결정 실리콘층을 선택적으로 제거하여 제 1, 제 2 액티브층을 형성하고 상기 제 1, 제 2 액티브층의 양측단상에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소오스 및 드레인 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 제 1, 제 2 액티브층상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 제 1, 제 2 액티브층과 소오스 및 드레인 전극의 표면이 소정부분 노출되도록 콘택홀을 갖는 절연막을 절연 기판의 전면에 형성하는 단계;상기 콘택홀을 통해 상기 제 1, 제 2 액티브층에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계;상기 콘택홀을 통해 상기 소오스 및 드레인 전극과 소오스/드레인 불순물 영역을 전기적으로 연결하는 도전성 라인 및 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 액티브층과 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계는상기 금속막상에 포토레지스트를 도포하고, 회절 마스크를 이용하여 노광한후 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 금속막 및 다결정 실리콘층을 선택적으로 제거하여 액티브층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 애싱처리하여 폭과 두께를 줄이는 단계;상기 애싱처리된 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 금속막을 선택적으로 제거하여 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층을 형성하기 전에 절연 기판의 전면에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하여 형성함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층은 절연 기판상에 비정질 실리콘층을 증착한 후 레이저를 가해서 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층은 절연 기판상에 비정질 실리콘층을 증착한 후 고온에서 장시간 열처리하는 고상 결정화로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층은 절연 기판상에 비정질 실리콘층을 증착한 후 비정질 실리콘층상에 금속을 증착하고 열처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층은 절연 기판상에 비정질 실리콘층을 형성한 후 전면에 자외선 및 전계를 인가하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 절연막은 질화 실리콘 또는 산화 실리콘 등의 무기절연물질 또는 아크릴계의 유기화합물, 테프론, BCB, 사이토프 또는 PFCB 등의 유전상수가 작은 유기절연물로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 도전성 라인은 투명 금속막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 각 게이트 전극을 마스크로 이용하여 상기 게이트 전극 양측의 제 1, 제 2 액티브층에 LDD 영역을 형성하는 단계를 더 포함하여 형성함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 절연 기판상에 다결정 실리콘층 및 금속막을 차례로 형성하는 단계;상기 금속막 및 다결정 실리콘층을 선택적으로 제거하여 일정한 간격을 갖는 제 1, 제 2, 제 3 액티브층을 형성하고 상기 제 1, 제 2, 제 3 액티브층의 양측단상에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소오스 및 드레인 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 제 1, 제 2, 제 3 액티브층상에 각각 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 절연 기판의 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1, 제 2 액티브층 및 상기 제 1, 제 2 액티브층상에 형성된 소오스 및 드레인 전극의 표면이 소정부분 노출되도록 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 제 1 콘택홀을 형성하는 단계;상기 제 1 콘택홀을 통해 노출된 제 1, 제 2 액티브층에 제 1 도전형 제 1, 제 2 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계;상기 제 3 액티브층 및 상기 제 3 액티브층상에 형성된 소오스 및 드레인 전극의 표면이 소정부분 노출되도록 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 제 2 콘택홀을 형성하는 단계;상기 제 2 콘택홀을 통해 노출된 제 3 액티브층에 제 2 도전형 제 3 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계;상기 제 1, 제 2 콘택홀을 통해 상기 소오스 및 드레인 전극과 제 1, 제 2,제 3 소오스/드레인 영역을 연결하는 도전성 라인 및 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2, 제 3 액티브층과 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계는상기 금속막상에 포토레지스트를 도포하고, 회절 마스크를 이용하여 노광한 후 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 금속막 및 다결정 실리콘층을 선택적으로 제거하여 일정한 간격을 갖는 제 1, 제 2, 제 3 액티브층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 애싱 처리하여 폭과 두께를 줄이는 단계;상기 애싱 처리된 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 금속막을 선택적으로 제거하여 상기 제 1, 제 2, 제 3 액티브층의 양측단에 각각 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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