KR20040058964A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMSYAGRCQOYYMZ-UHFFFAOYSA-N [As].[As] Chemical compound [As].[As] BMSYAGRCQOYYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPSZQYZCNSCYGG-UHFFFAOYSA-N [B].[B] Chemical compound [B].[B] KPSZQYZCNSCYGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
Claims (5)
- (a) 고전압 소자가 형성될 제 1 영역과 저전압 소자 또는 메모리 셀이 형성될 제 2 영역이 구분된 반도체 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 제 2 영역에 선택적으로 제 1 질화 산화막을 형성하는 단계;(c) 산화 공정을 실시하여 상기 제 1 영역의 상기 반도체 기판 상에 제 1 산화막과, 상기 제 2 영역의 상기 제 1 질화 산화막과 상기 반도체 기판 사이에 제 2 산화막을 형성하는 단계; 및(d) 질화 공정을 실시하여 상기 제 1 영역의 상기 제 1 산화막과 상기 반도체 기판 사이와 상기 제 2 영역의 상기 제 2 산화막과 상기 반도체 기판 사이에 제 2 질화 산화막을 형성하여, 상기 제 1 영역에는 상기 제 1 산화막과 상기 제 2 질화 산화막이 적층된 제 1 게이트 절연막을 형성하고, 상기 제 2 영역에는 상기 제 1 질화 산화막, 상기 제 2 산화막 및 상기 제 2 질화 산화막이 적층된 제 2 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는,상기 반도체 기판에 제 3 산화막을 형성하는 단계;상기 제 2 영역을 개방하고 상기 제 1 영역을 차폐하는 감광막 패턴을 형성하는 단계;150 내지 200℃ 온도, 100 내지 1000mTorr의 압력과 100 내지 1000W의 파워를 인가한 상태에서, 질소(N2)가스 또는 질소(N2)가스와 헬륨(He)가스 분위기에서 20 내지 5분간 플라즈마를 이용한 질화 공정을 실시하여 상기 개방된 제 2 영역의 상기 제 3 산화막을 질화시켜 상기 제 1 질화 산화막을 형성하는 단계; 및상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계는,750 내지 950℃ 온도하에서 300 내지 900sccm의 NO가스와 5 내지 10slm의 N2가스를 주입하여, 상기 제 1 영역의 상기 제 1 산화막과 상기 반도체 기판 사이와 상기 제 2 영역의 상기 제 2 산화막과 상기 반도체 기판 사이에 제 2 질화 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 질화 산화막은 산화막 내의 질소의 농도가 10 내지 20%인 막이고, 상기 제 2 질화 산화막은 산화막 내의 질소의 농도가 1 내지 3%인 막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 게이트 절연막의 두께는 40 내지 50Å 이고, 상기 제 2 게이트 절연막의 두께는 12 내지 20Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020085484A KR100940440B1 (ko) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020085484A KR100940440B1 (ko) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040058964A true KR20040058964A (ko) | 2004-07-05 |
KR100940440B1 KR100940440B1 (ko) | 2010-02-10 |
Family
ID=37351015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020085484A KR100940440B1 (ko) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100940440B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100832715B1 (ko) * | 2006-12-23 | 2008-05-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플래시 메모리 소자의 제조방법 |
KR101142909B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2012-05-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100298441B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2001-08-07 | 김영환 | 듀얼게이트산화막의형성방법 |
KR100279951B1 (ko) * | 1999-01-25 | 2001-01-15 | 황인길 | 상보형 모스 트랜지스터의 스플릿 게이트 산질화막 제조 방법 |
KR100327426B1 (ko) * | 1999-05-27 | 2002-03-13 | 박종섭 | 반도체 소자의 듀얼 게이트 산화막 형성 방법 |
KR20020010779A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | 박종섭 | 반도체소자의 게이트산화막 형성 방법 |
-
2002
- 2002-12-27 KR KR1020020085484A patent/KR100940440B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100832715B1 (ko) * | 2006-12-23 | 2008-05-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플래시 메모리 소자의 제조방법 |
KR101142909B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2012-05-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100940440B1 (ko) | 2010-02-10 |
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