KR20040045695A - 엠아이엠 캐패시터 형성방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (3)
- 반도체 기판 상에 제1금속막과 유전체막 및 제2금속막을 차례로 증착하는 단계;상기 제2금속막을 패터닝하여 상부전극을 형성하는 단계;상기 상부전극 및 유전체막 상에 절연막을 증착하는 단계;상기 절연막을 블랭킷 식각하여 상기 상부전극의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계;상기 유전체막을 식각하는 단계; 및상기 제1금속막을 패터닝하여 하부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 산화막, 질화막 및 질산화막으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 절연막을 블랭킷 식각하여 절연막 스페이서를 형성하는 단계와 상기 유전체막을 식각하는 단계는, 상기 절연막과 유전체막이 동일 물질인 경우에 동일 식각 조건으로 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 MIM 캐패시터 형성방법.
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Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
KR100866683B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2008-11-04 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법 |
KR100947928B1 (ko) * | 2007-11-16 | 2010-03-15 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 형성 방법 |
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---|---|---|---|---|
KR100275818B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체소자의커패시터제조방법 |
KR19990065382A (ko) * | 1998-01-13 | 1999-08-05 | 윤종용 | 캐패시터 측벽에 스페이서를 구비한 반도체 메모리 장치의제조 방법 및 그 구조 |
JP2001024155A (ja) * | 1999-07-05 | 2001-01-26 | Murata Mfg Co Ltd | Mimキャパシタ、その製造方法、半導体装置、エアブリッジ金属配線、およびその製造方法 |
KR100305680B1 (ko) * | 1999-08-26 | 2001-11-01 | 윤종용 | 반도체 집적회로의 커패시터 제조방법 |
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2002
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100866683B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2008-11-04 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법 |
KR100947928B1 (ko) * | 2007-11-16 | 2010-03-15 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 형성 방법 |
US8159046B2 (en) | 2008-12-24 | 2012-04-17 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Capacitor and method for fabricating the same |
US8445991B2 (en) | 2008-12-24 | 2013-05-21 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Semiconductor device with MIM capacitor and method for manufacturing the same |
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