KR20030075971A - Method for fabricating thin film pattern for organic electronic devices - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 평판형 디스플레이 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 평판형 디스플레이 소자의 일종으로써 외부에서 주입되는 전자와 정공의 재결합 에너지에 의한 발광을 통해 목적으로 하는 칼라 영상을 표시하는데 적합한 유기 발광 소자(organic light-emitting device) 등의 유기 전자 소자에 박막 패턴을 형성하는 기법에 관한 것이다.The present invention relates to a flat panel display device, and more particularly, to an organic light emitting device suitable for displaying a target color image through light emission by recombination energy of electrons and holes injected from the outside. The present invention relates to a technique for forming a thin film pattern on an organic electronic device such as an organic light-emitting device.
근래 들어, 반도체 제조 기술의 발달과 영상 처리 기술의 발달에 따라 경량 및 박형화가 용이하고 고화질을 실현할 수 있는 평판 표시 소자들의 상용화 및 보급 확대가 급격하게 진행되고 있으며, 특히 뛰어난 발광 효율, 대면적화의 용이성, 공정의 간편성, 구조의 유연성 등과 같은 많은 장점을 갖는 유기 발광 소자가 차세대 표시 장치로서 각광받고 있다.Recently, with the development of semiconductor manufacturing technology and image processing technology, commercialization and widespread use of flat panel display devices that can easily achieve light weight, thinness, and high image quality are rapidly progressing. Organic light emitting devices having many advantages, such as ease of use, simplicity of process, and flexibility of structure, have been spotlighted as next generation display devices.
이러한 유기 발광 소자는, 뛰어난 발광 효율, 대면적화의 용이성, 공정의 간편성, 직류 저전압 구동, 고속 응답성, 다색화 등에서 무기 발광 소자보다 우수한 특성을 갖는 것으로, 양전극(애노드 전극)과 음전극(캐소드 전극)을 이용하여 외부로부터 전자와 정공을 주입하고, 그것들의 재결합 에너지에 의한 발광을 통해 패널 상에 임의의 영상을 표시하는 소자이다.Such an organic light emitting device has characteristics superior to an inorganic light emitting device in terms of excellent luminous efficiency, ease of large area, simplicity of process, direct current low voltage driving, high speed response, and multicoloring, and include a positive electrode (anode electrode) and a negative electrode (cathode electrode). Is used to inject electrons and holes from the outside, and display arbitrary images on the panel through light emission by their recombination energy.
한편, 유기 발광 소자를 제조하는데 있어서, 유기 발광층 상에 음전극을 형성하는 과정은 소자 특성을 결정짓는 중요한 핵심 공정 중의 하나이다. 이러한 음전극은 기존의 노광 및 패터닝 공정을 이용하여 제조할 수가 없는데, 그 이유는 유기 발광 소자에 사용되는 유기물 혹은 고분자 물질이 수분이나 산소 혹은 용매에 노출될 때 그들의 발광 혹은 전계 수송 능력이 급격하게 저하되기 때문이다.Meanwhile, in manufacturing an organic light emitting device, a process of forming a negative electrode on the organic light emitting layer is one of important key processes for determining device characteristics. Such a negative electrode cannot be manufactured by using a conventional exposure and patterning process, because the organic or high molecular materials used in the organic light emitting device are exposed to moisture, oxygen, or solvents, and their light emission or electric field transport capacity is rapidly decreased. Because it becomes.
따라서, 종래에는 섀도우 마스크를 이용하여 음전극 물질을 선택적으로 증착시키는 방식으로 음전극을 형성하는 기법이 가장 널리 이용되고 있다.Therefore, in the related art, a method of forming a negative electrode by selectively depositing a negative electrode material using a shadow mask is most widely used.
그러나, 이러한 종래 방식의 경우 대면적화의 추세를 고려할 때 섀도우 마스크가 휘어지지 않도록 하기 위해 마스크의 두께를 두껍게 해야만 한다는 문제가 있으며, 이로 인해 픽셀의 해상도가 저하되는 문제점을 갖는다. 또한, 섀도우 마스크에 증착된 음전극 물질을 제거하지 않으면 이것이 해상도를 낮추는 요인으로 작용하기 때문에 음전극 물질의 증착 후에 섀도우 마스크에 증착된 음전극 물질을 제거하는 공정을 별도로 수행해야만 하는 문제가 있다.However, such a conventional method has a problem in that the thickness of the mask must be thickened so that the shadow mask is not bent in consideration of the trend of large area, and thus, the resolution of the pixel is deteriorated. In addition, if the negative electrode material deposited on the shadow mask is not removed, this acts as a factor for lowering the resolution. Therefore, a process of removing the negative electrode material deposited on the shadow mask after the deposition of the negative electrode material has to be performed separately.
또 다른 종래 방식으로는 음극 분리 격벽(cathode separator)을 이용하는 방법이 있으나, 이 방법의 경우 수동 구동 방식의 유기 발광 소자에는 적용할 수 있을 뿐 능동 구동 방식의 유기 발광 소자에는 적용할 수 없다는 문제가 있다.Another conventional method is to use a cathode separator (cathode separator), but this method can be applied to the organic light emitting device of the passive driving method, but not applicable to the organic light emitting device of the active driving method. have.
한편, 유기 발광 소자에서는 양전극 계면의 표면 처리를 통해 양전극의 일함수를 증가시켜 정공의 주입 장벽을 낮추어 줌으로써, 유기 발광 소자의 성능 향상을 도모하고 있는데, 현재로서는 음전극의 표면 처리에 대한 기법이 거의 전무한 실정이며, 이로 인해 유기 발광 소자의 성능 향상에 한계점을 가질 수밖에 없었다.On the other hand, the organic light emitting device improves the performance of the organic light emitting device by increasing the work function of the positive electrode through the surface treatment of the positive electrode interface to lower the hole injection barrier, but at present the technique for surface treatment of the negative electrode is almost In this situation, there is no choice but to limit the performance of the organic light emitting device.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하는 가압 접착 공정을 통해 유기 전자 소자에 박막 패턴을 형성할 수 있는 유기 전자 소자의 박막 패턴 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems of the prior art, and provides a method of forming a thin film pattern of an organic electronic device capable of forming a thin film pattern on the organic electronic device through a pressure bonding process using a mold having an arbitrary pattern structure. Its purpose is to.
본 발명의 다른 목적은 성능 향상을 위한 표면 처리가 가능한 박막 패턴을 유기 전자 소자에 형성할 수 있는 유기 전자 소자의 박막 패턴 형성 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of forming a thin film pattern of an organic electronic device capable of forming a thin film pattern capable of surface treatment for improving performance in an organic electronic device.
상기 목적을 달성하기 위한 일 형태에 따른 본 발명은, 적어도 하나의 금속, 무기물 또는 유기물의 박막 패턴을 포함하는 유기 전자 소자의 박막 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 박막 패턴에 대응하는 패턴 구조를 갖는 주형을 준비하는 과정; 상기 주형의 패턴면에 박막 물질을 증착하는 과정; 상기 유기 전자 소자용 기판의 목표 위치에 상기 주형의 패턴면을 정렬시킨 후 소정의 압력으로 가압 접촉시키는 과정; 및 상기 기판으로부터 상기 주형을 탈거하여 상기 패턴면의 양각 부분에 증착되어 있던 상기 박막 물질을 상기 기판 상에 잔류시킴으로써 상기 박막 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진 유기 전자 소자의 박막 패턴 형성 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a thin film pattern of an organic electronic device including at least one metal, inorganic or organic thin film pattern, the pattern structure corresponding to the thin film pattern. Preparing a mold having; Depositing a thin film material on the pattern surface of the mold; Aligning the pattern surface of the mold to a target position of the substrate for the organic electronic device, and contacting the substrate at a predetermined pressure; And removing the mold from the substrate to form the thin film pattern by leaving the thin film material deposited on the embossed portion of the pattern surface on the substrate to form the thin film pattern.
상기 목적을 달성하기 위한 다른 형태에 따른 본 발명은, 적어도 하나의 금속, 무기물 또는 유기물의 박막 패턴을 포함하는 유기 전자 소자의 박막 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 박막 패턴에 대응하는 패턴 구조를 갖는 주형을 준비하는 과정; 상기 주형의 패턴면에 박막 물질을 증착하는 과정; 상기 박막 물질의 상부에 표면 처리층을 형성하는 과정; 상기 유기 전자 소자용 기판의 목표 위치에 상기 주형의 패턴면을 정렬시킨 후 소정의 압력으로 가압 접촉시키는 과정; 및 상기 기판으로부터 상기 주형을 탈거하여 상기 패턴면의 양각 부분에 증착되어 있던 상기 표면 처리층을 갖는 박막 물질을 상기 기판 상에 잔류시킴으로써 표면 처리된 상기 박막 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진 유기 전자 소자의 박막 패턴 형성 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of forming a thin film pattern of an organic electronic device including at least one metal, inorganic or organic thin film pattern, the pattern structure corresponding to the thin film pattern. Preparing a mold having; Depositing a thin film material on the pattern surface of the mold; Forming a surface treatment layer on top of the thin film material; Aligning the pattern surface of the mold to a target position of the substrate for the organic electronic device, and contacting the substrate at a predetermined pressure; And removing the mold from the substrate to form the thin film pattern on the substrate by leaving the thin film material having the surface treatment layer deposited on the embossed portion of the pattern surface on the substrate. A method of forming a thin film pattern is provided.
상기 목적을 달성하기 위한 또 다른 형태에 따른 본 발명은, 적어도 하나의 금속, 무기물 또는 유기물의 박막 패턴을 포함하는 유기 전자 소자의 박막 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 박막 패턴에 대응하는 패턴 구조를 갖는 주형과 박막 물질로 된 박막 시트를 준비하는 과정; 상기 유기 전자 소자용 기판의 목표 위치에 상기 박막 시트와 주형의 패턴면을 정렬시킨 후 소정의 압력으로 가압 접촉시키는 과정; 및 상기 기판으로부터 상기 주형과 박막 시트를 탈거하여 상기 패턴면의 양각 부분에 가압 접촉된 상기 박막 시트를 상기 기판 상에 잔류시킴으로써 상기 박막 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진 유기 전자 소자의 박막 패턴 형성 방법을 제공한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of forming a thin film pattern of an organic electronic device including at least one metal, inorganic or organic thin film pattern, the pattern structure corresponding to the thin film pattern. Preparing a thin film sheet of a mold and a thin film material having a; Arranging the pattern surface of the thin film sheet and the mold at a target position of the substrate for the organic electronic device, and contacting the substrate at a predetermined pressure; And forming the thin film pattern by removing the mold and the thin film sheet from the substrate and leaving the thin film sheet in pressure contact with the embossed portion of the pattern surface on the substrate. to provide.
상기 목적을 달성하기 위한 또 다른 형태에 따른 본 발명은, 적어도 하나의 금속, 무기물 또는 유기물의 박막 패턴을 포함하는 유기 전자 소자의 박막 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 박막 패턴에 대응하는 패턴 구조를 갖는 주형과 일측면에 표면 처리층이 형성된 박막 물질로 된 박막 시트를 준비하는 과정; 상기 유기 전자 소자용 기판의 목표 위치에 상기 박막 시트와 주형의 패턴면을 정렬시킨 후 소정의 압력으로 가압 접촉시키는 과정; 및 상기 기판으로부터 상기 주형과 박막 시트를 탈거하여 상기 패턴면의 양각 부분에 가압 접촉된 상기 표면 처리층을 갖는 박막 시트를 상기 기판 상에 잔류시킴으로써 표면 처리된 상기 박막 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진 유기 전자 소자의 박막 패턴 형성 방법을 제공한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of forming a thin film pattern of an organic electronic device including at least one metal, inorganic or organic thin film pattern, the pattern structure corresponding to the thin film pattern. Preparing a thin film sheet of a mold having a mold and a thin film material having a surface treatment layer formed on one side thereof; Arranging the pattern surface of the thin film sheet and the mold at a target position of the substrate for the organic electronic device, and contacting the substrate at a predetermined pressure; And removing the mold and the thin film sheet from the substrate to form the thin film pattern surface-treated by leaving the thin film sheet having the surface treatment layer in pressure contact with an embossed portion of the pattern surface on the substrate. A method of forming a thin film pattern of an electronic device is provided.
도 1a 내지 1e는 본 발명에 따라 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는데 사용되는 주형을 제작하는 과정을 도시한 공정 순서도,1A to 1E are process flowcharts illustrating a process of manufacturing a mold used to form a negative electrode of an organic light emitting device according to the present invention;
도 2a 내지 2c는 본 발명의 실시 예1에 따라 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도,2A to 2C are process flowcharts illustrating a process of forming a negative electrode of an organic light emitting diode using a mold having an arbitrary pattern structure according to Embodiment 1 of the present invention;
도 3a 내지 3d는 실시 예1의 변형 실시 예에 따라 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도,3A to 3D are flowcharts illustrating a process of forming a negative electrode of an organic light emitting diode using a mold having an arbitrary pattern structure according to a modified embodiment of Example 1;
도 4a 내지 4c는 본 발명의 실시 예2에 따라 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도,4A to 4C are process flowcharts illustrating a process of forming a negative electrode of an organic light emitting diode using a mold having an arbitrary pattern structure according to Embodiment 2 of the present invention;
도 5a 내지 5c는 실시 예2의 변형 실시 예에 따라 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도,5A to 5C are process flowcharts illustrating a process of forming a negative electrode of an organic light emitting diode using a mold having an arbitrary pattern structure according to a modified embodiment of Example 2;
도 6은 본 발명에 따른 방식과 종래의 섀도우 마스크 이용 방식에 따라 각각 제조한 유기 발광 소자의 성능을 비교 실험한 결과를 보여주는 성능 비교 그래프,6 is a performance comparison graph showing the results of comparing the performance of the organic light emitting device manufactured according to the method according to the present invention and the conventional shadow mask using the method,
도 7은 본 발명에 따른 방식과 종래의 섀도우 마스크 이용 방식에 따라 각각 제조한 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼을 비교 실험한 결과를 보여주는 발광 스펙트럼 비교 그래프.7 is a light emission spectrum comparison graph showing the results of comparative experiments of light emission spectra of organic light emitting diodes manufactured according to the method of the present invention and the conventional shadow mask.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>
102 : 주형 108 : 격리 보조층102: template 108: isolation auxiliary layer
202, 302, 402, 502 : 유리 기판 204, 304, 404, 504 : 양전극202, 302, 402, 502: glass substrates 204, 304, 404, 504: positive electrode
206, 306, 406, 506 : 유기 발광층 208, 308, 408, 508 : 음전극206, 306, 406, 506: organic light emitting layer 208, 308, 408, 508: negative electrode
208a, 308a : 음전극 물질 310, 510 : 표면 처리층208a, 308a: negative electrode material 310, 510: surface treatment layer
408a, 508a : 음전극 시트408a, 508a: negative electrode sheet
본 발명의 상기 및 기타 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 본 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above and other objects and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the present invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 본 발명의 핵심 기술요지는, 섀도우 마스크를 이용하는 증착 공정을 통해 유기 전자 소자의 박막 패턴(예를 들면, 유기 발광 소자의 음전극 등)을 형성하거나 혹은 음극 분리 격벽을 이용하여 박막 패턴을 형성하는 전술한 종래 방법과는 달리, 형성하고자 하는 박막 패턴에 대응하는 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하는 가압 접착 공정을 통해 유기 전자 소자에 목표로 하는 패턴의 박막(예를들면, 유기 발광 소자의 음전극)을 형성한다는 것으로, 이러한 기술적 수단을 통해 본 발명에서 목적으로 하는 바를 쉽게 달성할 수 있다.First, a key technical aspect of the present invention is to form a thin film pattern (eg, a negative electrode of an organic light emitting device, etc.) of an organic electronic device through a deposition process using a shadow mask, or to form a thin film pattern using a cathode separation barrier. Unlike the conventional method described above, a thin film of a target pattern (for example, an organic light emitting device) is subjected to an organic electronic device through a pressure bonding process using a mold having an arbitrary pattern structure corresponding to the thin film pattern to be formed. By forming the negative electrode), it is possible to easily achieve the purpose of the present invention through this technical means.
본 발명에 따라 유기 전자 소자의 박막 패턴(예를 들면, 유기 발광 소자의 음전극)을 형성하기 위해서는 먼저 원하는 패턴(예를 들면, 음전극에 대응하는 패턴)을 갖는 주형을 제작해야 하는데, 이하에서는 임의의 패턴 구조를 갖는 주형의 제작 과정에 대하여 설명한다.According to the present invention, in order to form a thin film pattern (for example, a negative electrode of an organic light emitting device) of an organic electronic device, a mold having a desired pattern (for example, a pattern corresponding to a negative electrode) must be manufactured. The manufacturing process of the mold which has the pattern structure of is demonstrated.
도 1a 내지 1e는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는데 사용되는 주형을 제작하는 과정을 도시한 공정 순서도이다.1A to 1E are process flowcharts illustrating a process of manufacturing a mold used to form a negative electrode of an organic light emitting device according to the present invention.
도 1a를 참조하면, 스핀 코팅 등의 방법을 이용하여, 임의의 두께를 갖는 유리 기판(102a) 상에 포토레지스트 물질(104a)을 도포한다.Referring to FIG. 1A, a photoresist material 104a is applied onto a glass substrate 102a having an arbitrary thickness using a method such as spin coating.
다음에, 일 예로서 도 1b에 도시된 바와 같이, 임의의 패턴이 새겨진 섀도우 마스크(106)를 이용하는 노광 공정과 현상 공정을 수행하여 포토레지스트 물질(104a)의 일부를 선택적으로 제거함으로써, 일 예로서 도 1c에 도시된 바와 같이, 유리 기판(102a) 상에 임의의 패턴을 갖는 마스크 패턴(104)을 형성한다.Next, as an example, as shown in FIG. 1B, by selectively removing a portion of the photoresist material 104a by performing an exposure process and a development process using the shadow mask 106 having any pattern engraved therein. As shown in FIG. 1C, a mask pattern 104 having an arbitrary pattern is formed on the glass substrate 102a.
이어서, 마스크 패턴(104)을 식각 장벽층으로 하는 습식 식각 또는 건식 식각 공정을 수행한 후 스트리핑 공정을 통해 잔류하는 마스크 패턴(104)을 제거함으로써, 일 예로서 도 1d에 도시된 바와 같이, 임의의 패턴 구조(양각 부분과 음각 부분의 패턴 구조)를 갖는 주형(102)을 제조한다.Subsequently, after performing a wet etching or dry etching process using the mask pattern 104 as an etch barrier layer, the remaining mask pattern 104 is removed through a stripping process, for example, as shown in FIG. 1D. A mold 102 having a pattern structure of (a pattern structure of an embossed part and an engraved part) is manufactured.
마지막으로, 임의의 패턴 구조를 갖는 주형(102)에 대한 표면 처리를 수행하여 주형 표면에 격리 보조층(108)을 형성함으로써, 일 예로서 도 1e에 도시된 바와같이, 원하는 패턴 구조를 갖는 주형의 제작을 완료한다.Finally, by performing a surface treatment on the mold 102 having any pattern structure to form the isolation auxiliary layer 108 on the mold surface, as an example, as shown in FIG. 1E, the mold having the desired pattern structure To complete the production.
여기에서, 주형(102)의 표면에 격리 보조층(108)을 형성하는 이유는 주형과 음전극 물질과의 접착력을 줄여주기 위해서이며, 이러한 격리 보조층(108)으로는 실레인(silane) 계열의 자가 배열 물질(self-assembled monolayer : SAM)을 사용할 수 있는데, 이는 산화물질과 화학결합을 이루며 또한 접착력을 크게 감소시켜 음전극 물질이 유기물(즉, 유기 발광층) 위에 용이하게 전이되도록 기능한다.Here, the reason for forming the isolation auxiliary layer 108 on the surface of the mold 102 is to reduce the adhesion between the mold and the negative electrode material, this isolation auxiliary layer 108 is a silane-based A self-assembled monolayer (SAM) can be used, which forms a chemical bond with the oxide material and also greatly reduces adhesion and functions to easily transfer the negative electrode material onto the organic material (ie, the organic light emitting layer).
다음에, 상술한 바와 같은 일련의 과정을 통해 제작한 주형을 이용하여 본 발명에 따라 일 예로서 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는 과정에 대하여 설명한다.Next, a process of forming the negative electrode of the organic light emitting device will be described as an example according to the present invention by using the mold produced through a series of processes described above.
[실시 예1]Example 1
도 2a 내지 2c는 본 발명의 일 실시 예에 따라 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도이다.2A through 2C are flowcharts illustrating a process of forming a negative electrode of an organic light emitting diode using a mold having an arbitrary pattern structure according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2a를 참조하면, 진공 증착 또는 스퍼터링 등의 공정을 수행함으로써, 도 1a 내지 1e에 도시된 바와 같은 일련의 과정을 통해 제작한 주형(102)의 표면에 음전극 물질(208a)을 증착한다.Referring to FIG. 2A, a negative electrode material 208a is deposited on the surface of the mold 102 manufactured through a series of processes as shown in FIGS. 1A to 1E by performing a process such as vacuum deposition or sputtering.
다음에, 일 예로서 도 2b에 도시된 바와 같이, 양전극(204)과 유기 발광층(206)이 순차 형성된 유리 기판(202) 상의 목표 위치에 주형(102)의 패턴면(즉, 음전극 물질)이 맞닿도록 정렬시킨 후 유압 프레스 등의 가압 수단을 통해 소정의 압력으로 가압한다. 이와 같은 정렬 후 소정의 압력으로 가압하면 주형(102)의 양각 부분에 증착된 음전극 물질(208a)만이 유기 발광층(206)의 표면에 밀착 접촉된다.Next, as an example, as shown in FIG. 2B, the pattern surface of the mold 102 (ie, the negative electrode material) is formed at a target position on the glass substrate 202 on which the positive electrode 204 and the organic light emitting layer 206 are sequentially formed. After being aligned to abut, it is pressurized to a predetermined pressure through a pressing means such as a hydraulic press. After such alignment, when pressurized to a predetermined pressure, only the negative electrode material 208a deposited on the embossed portion of the mold 102 comes into close contact with the surface of the organic light emitting layer 206.
여기에서, 유리 기판(202) 상에 순차 형성된 인듐-주석 산화물 등의 양전극(204)과 저분자량 물질 혹은 고분자 물질로 된 유기 발광층(206)은, 이 기술분야 잘 알려진 통상의 방식과 동일 내지 유사하게 형성할 수 있기 때문에 여기에서의 상세한 설명은 생략한다.Here, the positive electrode 204 such as indium-tin oxide and the like, which are sequentially formed on the glass substrate 202, and the organic light emitting layer 206 made of a low molecular weight material or a high molecular material are the same as or similar to the conventional methods well known in the art. The detailed description thereof is omitted here.
또한, 본 실시 예에서는 소자의 구조를 일 예로서 단일 물질 형태로 기재하고 있으나, 이와는 달리 필요 또는 용도에 따라 다층구조로 이루어질 수 있음은 물론이다.In addition, in the present embodiment, the structure of the device is described as a single material form as an example. Alternatively, the structure of the device may be formed in a multilayer structure according to need or use.
마지막으로, 유압 프레스 등의 방법으로 가압한 후 주형(102)을 떼어내면, 일 예로서 도 2c에 도시된 바와 같이, 유기 발광층(206) 상에 임의의 패턴을 갖는 음전극(208)이 형성된다. 즉, 주형(102)의 양각 부분에 증착되어 있던 음전극 물질(208a)이 유기 발광층(206) 상에 선택적으로 전이됨으로써, 그 상부에 임의의 패턴을 갖는 음전극(208)이 형성된다.Finally, when the mold 102 is removed after pressing by a method such as a hydraulic press, as shown in FIG. 2C, for example, a negative electrode 208 having an arbitrary pattern is formed on the organic light emitting layer 206. . That is, the negative electrode material 208a deposited on the embossed portion of the mold 102 is selectively transferred onto the organic light emitting layer 206, thereby forming the negative electrode 208 having an arbitrary pattern thereon.
이때, 표면 처리를 통해 주형(102)의 표면과 음전극 물질(208a) 사이에 SAM으로 된 격리 보조층(108)을 미리 형성해 주었기 때문에 주형(102)의 양각 부분에 증착되어 있던 음전극 물질(208a)의 유기 발광층(206)으로의 전이가 보다 용이하게 실현된다.At this time, since the isolation auxiliary layer 108 made of SAM is formed between the surface of the mold 102 and the negative electrode material 208a through surface treatment, the negative electrode material 208a deposited on the embossed portion of the mold 102 is formed. Transition to the organic light emitting layer 206 is more easily realized.
따라서, 본 실시 예에 따르면, 섀도우 마스크를 이용하는 증착 공정을 통해 음전극을 형성하거나 혹은 음극 분리 격벽을 이용하여 음전극을 형성하는 전술한종래 방법과는 달리, 형성하고자 하는 음전극의 패턴에 대응하는 임의의 패턴 구조를 갖는 주형에 음전극 물질을 증착하고, 이와 같이 증착된 음전극 물질의 일부를 유리 기판 상에 선택적으로 가압 접착하는 방식으로 음전극을 형성하기 때문에 유기 발광 소자의 대면적화에 효과적으로 대응하면서도 섀도우 마스크의 두께에 기인하는 해상도의 저하를 방지할 수가 있다.Therefore, according to the present embodiment, unlike the above-described conventional method of forming the negative electrode through the deposition process using the shadow mask or the negative electrode using the cathode separation partition, any pattern corresponding to the pattern of the negative electrode to be formed Since the negative electrode material is formed on a mold having a structure, and the negative electrode is formed by selectively pressing and bonding a portion of the negative electrode material deposited on the glass substrate, the shadow mask thickness can be effectively responded to the large area of the organic light emitting device. It is possible to prevent the degradation of the resolution caused by.
[변형 실시 예1]Modification Example 1
도 3a 내지 3d는 실시 예1의 변형 실시 예에 따라 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도이다.3A to 3D are flowcharts illustrating a process of forming a negative electrode of an organic light emitting diode using a mold having an arbitrary pattern structure according to a modified embodiment of Example 1;
본 실시 예에 따른 음전극 형성 방법은, 원하는 패턴 구조를 갖는 주형에 음전극 물질을 증착한 후 주형의 패턴면을 유리 기판(유기 발광층)에 가압 접촉시켜 원하는 패턴의 음전극 물질을 유리 기판 상에 전이시킴으로써 음전극을 형성한다는 점에 있어서는 전술한 실시 예1과 동일하며, 소자의 성능 향상을 위해 양전극에서와 같이 음전극의 표면을 처리한다는 점이 다르다.In the negative electrode forming method according to the present embodiment, the negative electrode material is deposited on a mold having a desired pattern structure, and then the pattern surface of the mold is contacted with a glass substrate (organic light emitting layer) to transfer the negative electrode material having a desired pattern onto the glass substrate. Forming the negative electrode is the same as the first embodiment described above, except that the surface of the negative electrode is treated as in the positive electrode to improve the performance of the device.
즉, 도 3a를 참조하면, 진공 증착 또는 스퍼터링 등의 공정을 통해, 도 1a 내지 1e에 도시된 바와 같은 일련의 과정을 통해 제작한 주형(102)의 표면에 음전극 물질(208a)을 증착한 후, 플라즈마를 처리하거나 혹은 자가 배열 물질(SAM)을 사용함으로써, 일 예로서 도 3b에 도시된 바와 같이, 음전극 물질(308a)의 표면을 개질시켜 표면 처리층(310)을 형성한다.That is, referring to FIG. 3A, after the negative electrode material 208a is deposited on the surface of the mold 102 manufactured through a series of processes as shown in FIGS. 1A to 1E through a process such as vacuum deposition or sputtering. The surface treatment layer 310 is formed by modifying the surface of the negative electrode material 308a as an example, as shown in FIG. 3B by treating the plasma or using a self-aligned material (SAM).
여기에서, 표면을 개질시켜 표면 처리층(310)을 형성하는 이유는 음전극 물질(308a)의 일함수 값을 감소시키거나 유기 물질(즉, 유기 발광층)과 음전극 물질(308a)의 계면 특성을 향상시킴으로써, 유기 발광 소자의 성능을 향상시키기 위해서이다.Here, the reason for forming the surface treatment layer 310 by modifying the surface is to reduce the work function value of the negative electrode material 308a or to improve the interfacial properties of the organic material (ie, the organic light emitting layer) and the negative electrode material 308a. This is to improve the performance of the organic light emitting element.
다음에, 일 예로서 도 3b에 도시된 바와 같이, 양전극(304)과 유기 발광층(306)이 순차 형성된 유리 기판(302) 상의 목표 위치에 주형(102)의 패턴 면(즉, 표면 처리층(310))이 맞닿도록 정렬시킨 후 유압 프레스 등의 가압 수단을 통해 소정의 압력으로 가압한다. 이와 같은 정렬 후 소정의 압력으로 가압하면 주형(102)의 양각 부분에 증착된 음전극 물질(308a) 상의 표면 처리층(310)만이 유기 발광층(306)의 표면에 밀착 접촉된다.Next, as an example, as shown in FIG. 3B, the patterned surface of the mold 102 (that is, the surface treatment layer (i.e., the surface treatment layer) at the target position on the glass substrate 302 on which the positive electrode 304 and the organic light emitting layer 306 are sequentially formed). 310)) to be in contact with each other and then pressurized to a predetermined pressure through a pressing means such as a hydraulic press. After such alignment, when pressurized to a predetermined pressure, only the surface treatment layer 310 on the negative electrode material 308a deposited on the embossed portion of the mold 102 comes into close contact with the surface of the organic light emitting layer 306.
여기에서, 유리 기판(302) 상에 순차 형성된 인듐-주석 산화물 등의 양전극(304)과 저분자량 물질 혹은 고분자 물질로 된 유기 발광층(306)은, 전술한 실시 예1에서와 마찬가지로, 이 기술분야 잘 알려진 통상의 방식과 동일 내지 유사하게 형성할 수 있기 때문에 여기에서의 상세한 설명은 생략한다.Here, the positive electrode 304, such as indium-tin oxide, and the like, which are sequentially formed on the glass substrate 302, and the organic light emitting layer 306 made of a low molecular weight material or a high molecular material, are the same as in the first embodiment described above. Detailed descriptions are omitted here because they can be formed in the same or similar manner as the well-known conventional manner.
또한, 본 실시 예에서는 소자의 구조를 일 예로서 단일 물질 형태로 기재하고 있으나, 전술한 실시 예1에서와 마찬가지로 필요 또는 용도에 따라 다층구조로 이루어질 수 있음은 물론이다.In addition, in the present embodiment, the structure of the device is described as a single material form as an example, but it can be made of a multi-layer structure according to the need or use as in the first embodiment described above.
마지막으로, 유압 프레스 등의 방법으로 가압한 후 주형(102)을 떼어내면, 일 예로서 도 3c에 도시된 바와 같이, 유기 발광층(306) 상에 임의의 패턴을 갖는 음전극(308)과 표면 처리층(310)이 형성된다. 즉, 주형(102)의 양각 부분에 증착되어 그 표면에 표면 처리층(310)이 형성된 음전극 물질(308a)이 유기 발광층(306)상에 선택적으로 전이됨으로써, 그 상부에 임의의 패턴을 가지며 표면 처리층(310)이 형성된 음전극(308)이 완성된다.Finally, the mold 102 is removed after pressing by a method such as a hydraulic press. As an example, as shown in FIG. 3C, the negative electrode 308 having an arbitrary pattern and the surface treatment on the organic light emitting layer 306 are treated. Layer 310 is formed. That is, the negative electrode material 308a, which is deposited on the embossed portion of the mold 102 and the surface treatment layer 310 is formed on the surface thereof, is selectively transferred onto the organic light emitting layer 306, thereby having a surface having an arbitrary pattern thereon. The negative electrode 308 on which the processing layer 310 is formed is completed.
여기에서, 표면 처리를 통해 주형(102)의 표면과 음전극 물질(308a) 사이에 SAM으로 된 격리 보조층(108)을 미리 형성해 주었기 때문에 주형(102)의 양각 부분에 증착되어 있던 음전극 물질(308a)의 유기 발광층(306)으로의 전이가 보다 용이하게 실현된다.Here, since the isolation auxiliary layer 108 made of SAM is formed between the surface of the mold 102 and the negative electrode material 308a through surface treatment, the negative electrode material 308a deposited on the embossed portion of the mold 102 is formed. Transition to the organic light emitting layer 306 is more easily realized.
따라서, 본 실시 예에 따르면, 전술한 실시 예1에서와 동일한 결과(효과)를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 플라즈마 처리 또는 자가 배열 물질을 사용하여 음전극의 표면을 개질시켜 음전극의 일함수 값을 감소시키거나 유기 물질과 음전극 물질의 계면 특성을 향상시켜 주기 때문에, 전술한 실시 예1에 따라 제조한 유기 발광 소자와 비교해 볼 때, 더욱 향상된 성능을 갖는 유기 발광 소자를 실현할 수 있다.Therefore, according to the present embodiment, not only the same result (effect) as in the first embodiment described above can be obtained, but the surface of the negative electrode can be modified by using a plasma treatment or a self-aligned material to reduce the work function value of the negative electrode. Since the interface property between the organic material and the negative electrode material is improved, an organic light emitting device having more improved performance can be realized as compared with the organic light emitting device manufactured according to Example 1 described above.
[실시 예2]Example 2
도 4a 내지 4c는 본 발명의 실시 예2에 따라 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도이다.4A to 4C are process flowcharts illustrating a process of forming a negative electrode of an organic light emitting diode using a mold having an arbitrary pattern structure according to Embodiment 2 of the present invention.
본 실시 예에 따른 음전극 형성 방법은 원하는 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하는 가압 접촉 방식을 통해 유리 기판(유기 발광층) 상에 원하는 패턴의 음전극 물질을 전이시킴으로써 음전극을 형성한다는 점에 있어서는 전술한 실시 예1과 동일하며, 다만 주형에 음전극 물질을 증착하고 이후 주형 패턴면의 양각 부분에 증착된 음전극 물질을 가압 접촉 방식으로 유리 기판 상에 전이시키는 방식으로 음전극을 형성하는 전술한 실시 예1과는 달리, 박막의 음전극 시트를 유리 기판 상에올려놓은 상태에서 주형의 패턴면을 음전극 시트에 가압 접촉시킴으로써 음전극 시트의 일부(즉, 주형 패턴면의 양각 부분에 맞닿는 음전극 시트)를 유리 기판 상에 전이시켜 음전극을 형성한다는 점이 다르다.In the negative electrode forming method according to the present embodiment, the negative electrode is formed by transferring a negative electrode material having a desired pattern on a glass substrate (organic light emitting layer) through a pressure contact method using a mold having a desired pattern structure. Unlike the above-described Embodiment 1 in which the negative electrode material is deposited on the mold and then the negative electrode material deposited on the embossed portion of the mold pattern surface is transferred to the glass substrate by a pressure contact method. With the negative electrode sheet of thin film placed on the glass substrate, the pattern surface of the mold is brought into pressure contact with the negative electrode sheet to transfer a portion of the negative electrode sheet (that is, the negative electrode sheet contacting the embossed portion of the mold pattern surface) to the negative electrode The difference is that it forms.
즉, 도 4a를 참조하면, 양전극(404)과 유기 발광층(406)이 순차 형성된 유리 기판(402)의 상부에 음전극 시트(408a)를 올려놓고 임의의 패턴 구조를 갖는 주형(102)을 목표 위치에 정렬시킨다.That is, referring to FIG. 4A, the negative electrode sheet 408a is placed on the glass substrate 402 on which the positive electrode 404 and the organic light emitting layer 406 are sequentially formed, and the mold 102 having an arbitrary pattern structure is positioned. Align to.
다음에, 일 예로서 도 4b에 도시된 바와 같이, 유압 프레스 등과 같은 가압 수단을 통해 소정의 압력으로 주형(102)을 가압한다. 이와 같이 소정의 압력으로 가압하면 주형(102)의 양각 부분에 맞닿는 음전극 시트(408a)는 유기 발광층(406)의 표면에 밀착 접촉된다.Next, as an example, as shown in FIG. 4B, the mold 102 is pressed to a predetermined pressure through a pressing means such as a hydraulic press. In this manner, when the pressure is applied at a predetermined pressure, the negative electrode sheet 408 a in contact with the embossed portion of the mold 102 comes into close contact with the surface of the organic light emitting layer 406.
여기에서, 유리 기판(402) 상에 순차 형성된 인듐-주석 산화물 등의 양전극(404)과 저분자량 물질 혹은 고분자 물질로 된 유기 발광층(406)은, 전술한 실시 예1에서와 마찬가지로, 이 기술분야 잘 알려진 통상의 방식과 동일 내지 유사하게 형성할 수 있기 때문에 여기에서의 상세한 설명은 생략한다.Here, the positive electrode 404 such as indium-tin oxide and the like, which are sequentially formed on the glass substrate 402, and the organic light emitting layer 406 made of a low molecular weight material or a high molecular material, are the same as in the first embodiment described above. Detailed descriptions are omitted here because they can be formed in the same or similar manner as the well-known conventional manner.
또한, 본 실시 예에서는 소자의 구조를 일 예로서 단일 물질 형태로 기재하고 있으나, 전술한 실시 예에서와 마찬가지로 필요 또는 용도에 따라 다층구조로 이루어질 수 있음은 물론이다.In addition, in the present embodiment, the structure of the device is described as a single material form as an example, but it can be made of a multi-layer structure according to the need or use as in the above-described embodiment.
마지막으로, 유압 프레스 등의 방법으로 주형(102)을 가압한 후 주형(102)과 음전극 시트(408a)를 떼어내면, 일 예로서 도 4c에 도시된 바와 같이, 유기 발광층(406) 상에는 주형(102)의 양각 부분에 맞닿아 가압 접촉된 음전극 시트만이임의의 패턴을 갖는 음전극(408)으로 잔류하게 되며, 이와 같이 주형을 이용하는 가압 접촉 방식의 선택적인 전이를 통해 유기 발광층(406) 상에 음전극(408)을 형성한다.Finally, the mold 102 and the negative electrode sheet 408a are removed after pressing the mold 102 by a hydraulic press or the like. As an example, as shown in FIG. 4C, the mold 102 may be formed on the organic light emitting layer 406. Only the negative electrode sheet in contact with the embossed portion of 102 is left as the negative electrode 408 having an arbitrary pattern, and thus the negative electrode on the organic light emitting layer 406 through the selective transition of the pressure contact method using the mold. 408 is formed.
이때, 표면 처리를 통해 주형(102)의 표면에 SAM으로 된 격리 보조층(108)을 미리 형성해 주었기 때문에 주형(102)의 양각 부분에 맞닿았던 음전극 시트(408a)의 유기 발광층(406)으로의 전이가 보다 용이하게 실현된다.At this time, since the isolation auxiliary layer 108 made of SAM was formed on the surface of the mold 102 through the surface treatment, the organic light emitting layer 406 of the negative electrode sheet 408a, which was in contact with the embossed portion of the mold 102, was formed. The transition of is more easily realized.
따라서, 본 실시 예에 따르면, 음전극 물질을 주형에 증착하는 대신에 박막의 음전극 시트를 이용한다는 점에 있어서는 전술한 실시 예1과 다소 다르지만 실질적으로 동일한 결과(효과)를 얻을 수 있다.Therefore, according to the present embodiment, a thin film negative electrode sheet is used instead of depositing the negative electrode material on the mold, but the same result (effect) can be obtained.
[변형 실시 예2]Modification Example 2
도 5a 내지 5c는 실시 예2의 변형 실시 예에 따라 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도이다.5A to 5C are flowcharts illustrating a process of forming a negative electrode of an organic light emitting diode using a mold having an arbitrary pattern structure according to a modified embodiment of Example 2;
본 실시 예에 따른 음전극 형성 방법은, 원하는 패턴 구조를 갖는 주형과 박막의 음전극 시트를 이용하여 가압 접촉하는 방식으로 음전극 시트의 일부를 선택적으로 유리 기판 상에 전이시킴으로써 음전극을 형성한다는 점에 있어서는 전술한 실시 예2와 동일하며, 소자의 성능 향상을 위해 양전극에서와 같이 음전극의 표면을 처리한다는 점이 다르다.In the negative electrode forming method according to the present embodiment, the negative electrode is formed by selectively transferring a part of the negative electrode sheet onto the glass substrate in a pressure contact manner using a mold having a desired pattern structure and a thin negative electrode sheet. Same as Example 2, except that the surface of the negative electrode is treated as in the positive electrode to improve the performance of the device.
도 5a를 참조하면, 양전극(504)과 유기 발광층(506)이 순차 형성된 유리 기판(502)의 상부에 표면 처리를 통해 일측면에 표면 처리층(510)이 형성된 음전극시트(508a)를 올려놓고 임의의 패턴 구조를 갖는 주형(102)을 목표 위치에 정렬시킨다.Referring to FIG. 5A, the negative electrode sheet 508a having the surface treatment layer 510 formed on one side thereof is placed on the surface of the glass substrate 502 on which the positive electrode 504 and the organic emission layer 506 are sequentially formed. The mold 102 having any pattern structure is aligned to the target position.
이때, 음전극 시트(408a)의 일측에는 플라즈마 처리 혹은 자가 배열 물질(SAM)을 사용하여 표면을 개질한 표면 처리층(510)을 형성되는데, 여기에서 표면을 개질시켜 표면 처리층(510)을 형성하는 이유는 음전극 물질의 일함수 값을 감소시키거나 유기 물질(즉, 유기 발광층)과 음전극 물질의 계면 특성을 향상시킴으로써, 유기 발광 소자의 성능을 향상시키기 위해서이다.In this case, a surface treatment layer 510 is formed on one side of the negative electrode sheet 408 a by using a plasma treatment or a self-aligned material (SAM). The surface treatment layer 510 is formed by modifying the surface. The reason for this is to improve the performance of the organic light emitting device by reducing the work function value of the negative electrode material or improving the interface characteristics of the organic material (ie, the organic light emitting layer) and the negative electrode material.
다음에, 일 예로서 도 5b에 도시된 바와 같이, 유압 프레스 등과 같은 가압 수단을 통해 소정의 압력으로 주형(102)을 가압한다. 이와 같이 소정의 압력으로 가압하면 주형(102)의 양각 부분에 맞닿는 음전극 시트(508a)의 표면에 형성된 표면 처리층(510)은 유기 발광층(506)의 표면에 밀착 접촉된다.Next, as an example, as shown in FIG. 5B, the mold 102 is pressed to a predetermined pressure through a pressing means such as a hydraulic press or the like. In this way, when the pressure is applied at a predetermined pressure, the surface treatment layer 510 formed on the surface of the negative electrode sheet 508a which is in contact with the embossed portion of the mold 102 is in close contact with the surface of the organic light emitting layer 506.
여기에서, 유리 기판(502) 상에 순차 형성된 인듐-주석 산화물 등의 양전극(504)과 저분자량 물질 혹은 고분자 물질로 된 유기 발광층(506)은, 전술한 실시 예2에서와 마찬가지로, 이 기술분야 잘 알려진 통상의 방식과 동일 내지 유사하게 형성할 수 있기 때문에 여기에서의 상세한 설명은 생략한다.Here, the positive electrode 504 such as indium-tin oxide and the like, which are sequentially formed on the glass substrate 502, and the organic light emitting layer 506 made of a low molecular weight material or a high molecular material, are the same as in the above-described Example 2 Detailed descriptions are omitted here because they can be formed in the same or similar manner as the well-known conventional manner.
또한, 본 실시 예에서는 소자의 구조를 일 예로서 단일 물질 형태로 기재하고 있으나, 전술한 실시 예2에서와 마찬가지로 필요 또는 용도에 따라 다층구조로 이루어질 수 있음은 물론이다.In addition, in the present embodiment, the structure of the device is described as a single material form as an example, but it can be made of a multi-layer structure according to the need or use as in the above-described embodiment 2.
마지막으로, 유압 프레스 등의 방법으로 가압한 후 주형(102)을 떼어내면, 일 예로서 도 5c에 도시된 바와 같이, 유기 발광층(506) 상에 임의의 패턴을 갖는음전극(508)과 표면 처리층(510)이 형성된다. 즉, 주형(102)을 이용하는 가압 접촉에 의해 표면 처리층(510)이 형성된 음전극 물질(508a)이 유기 발광층(506) 상에 선택적으로 전이됨으로써, 그 상부에 임의의 패턴을 가지며 표면 처리층(510)이 형성된 음전극(508)이 완성된다.Finally, when the mold 102 is removed after pressurization by a hydraulic press or the like, as shown in FIG. 5C, for example, the negative electrode 508 and the surface treatment having an arbitrary pattern on the organic light emitting layer 506 are processed. Layer 510 is formed. That is, the negative electrode material 508a in which the surface treatment layer 510 is formed by the pressure contact using the mold 102 is selectively transferred onto the organic light emitting layer 506, thereby having an arbitrary pattern on the top thereof and having a surface treatment layer ( The negative electrode 508 on which the 510 is formed is completed.
이때, 표면 처리를 통해 주형(102)의 표면에 SAM으로 된 격리 보조층(108)을 미리 형성해 주었기 때문에 주형(102)의 양각 부분에 맞닿아 가압 접촉된 음전극 시트(508a)의 유기 발광층(506)으로의 전이가 보다 용이하게 실현된다.At this time, since the isolation auxiliary layer 108 made of SAM was formed on the surface of the mold 102 through surface treatment in advance, the organic light emitting layer 506 of the negative electrode sheet 508a in contact with the embossed portion of the mold 102 was pressed. The transition to) is more easily realized.
따라서, 본 실시 예에 따르면, 전술한 실시 예2에서와 동일한 결과(효과)를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 플라즈마 처리 또는 자가 배열 물질을 사용하여 음전극 시트의 표면을 개질시켜 음전극의 일함수 값을 감소시키거나 유기 물질과 음전극 물질의 계면 특성을 향상시켜 주기 때문에, 전술한 실시 예2에 따라 제조한 유기 발광 소자와 비교해 볼 때, 더욱 향상된 성능을 갖는 유기 발광 소자를 실현할 수 있다.Therefore, according to the present embodiment, not only the same result (effect) as in the above-described embodiment 2 can be obtained, but the surface of the negative electrode sheet can be modified by using a plasma treatment or a self-aligned material to reduce the work function value of the negative electrode. In addition, since the interface property between the organic material and the negative electrode material is improved, an organic light emitting device having more improved performance can be realized as compared with the organic light emitting device manufactured according to Example 2 described above.
한편, 본 발명의 발명자들은 본 발명에 따라 음전극 전이 방법으로 제작한 유기 발광 소자와 섀도우 마스크를 이용하여 종래 방법에 따라 제작한 유기 발광 소자 각각에 대해 전압/전류 특성에 의한 성능 시험을 하였으며, 그 결과는, 도 6에 도시된 바와 같이, 거의 동일 내지 유사함을 알 수 있었다.On the other hand, the inventors of the present invention performed the performance test according to the voltage / current characteristics for each of the organic light emitting device manufactured according to the conventional method using the organic light emitting device and the shadow mask manufactured by the negative electrode transition method according to the present invention, The results, as shown in Figure 6, was found to be almost the same or similar.
따라서, 이러한 결과로부터 알 수 있는 바와 같이 본 발명에 따라 음전극 전이 방법으로 제작한 유기 발광 소자의 성능(도 6에서 검은색 점으로 표시된 부분)이 종래 방법에 따라 제작한 유기 발광 소자의 성능(도 6에서 흰색 점으로 표시된부분)과 거의 동일함을 알 수 있었으며, 이를 통해 종래의 제작 방법을 본 발명의 음전극 전이 방법으로 대체할 수 있음을 알 수 있었다.Therefore, as can be seen from these results, the performance of the organic light emitting device manufactured by the negative electrode transition method according to the present invention (indicated by the black dots in FIG. 6) is the performance of the organic light emitting device manufactured according to the conventional method (Fig. It can be seen that it is almost the same as 6) indicated by the white dots), through which the conventional manufacturing method can be replaced by the negative electrode transition method of the present invention.
또한, 본 발명의 발명자들은 본 발명에 따라 음전극 전이 방법으로 제작한 유기 발광 소자와 섀도우 마스크를 이용하여 종래 방법에 따라 제작한 유기 발광 소자 각각에 대해 발광 스펙트럼에 대한 시험을 하였으며, 그 결과는, 도 7에 도시된 바와 같이, 거의 동일 내지 유사함을 알 수 있었다.In addition, the inventors of the present invention tested the emission spectrum of each of the organic light emitting device manufactured according to the conventional method using the organic light emitting device and the shadow mask manufactured by the negative electrode transition method according to the present invention, the results, As shown in FIG. 7, it can be seen that they are almost the same to similar.
따라서, 이러한 결과로부터 알 수 있는 바와 같이 본 발명에 따라 음전극 전이 방법으로 제작한 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼(도 7에서 검은색 점으로 표시된 부분)이 종래 방법에 따라 제작한 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼(도 7에서 흰색 점으로 표시된 부분)과 거의 동일함을 알 수 있었으며, 이를 통해 종래의 제작 방법을 본 발명의 음전극 전이 방법으로 대체할 수 있음을 알 수 있었다.Therefore, as can be seen from these results, the emission spectrum of the organic light emitting device (parts indicated by black dots in FIG. 7) of the organic light emitting device manufactured by the negative electrode transition method according to the present invention was obtained according to the conventional method. It can be seen that it is almost the same as (part shown by the white dots in Figure 7), through which the conventional manufacturing method can be replaced by the negative electrode transition method of the present invention.
다른 한편, 본 발명의 실시 예들에서는 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하는 가압 접촉 방식으로 유기 발광 소자의 음전극을 형성하는 것으로 하여 설명하였으나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 각종 유기 전자 소자(예를 들면, 유기 전계 트랜지스터, 유기 레이저, 유기 배터리, 유기 광 다이오드, 유기 태양 전지 등)에 이용되는 금속 박막 패턴, 무기물 박막 패턴, 유기물 박막 패턴 등을 형성하는데 적용할 수 있음은 물론이다.On the other hand, the embodiments of the present invention have been described as forming the negative electrode of the organic light emitting device by a pressure contact method using a mold having an arbitrary pattern structure, but the present invention is not necessarily limited thereto, and various organic electronic devices (eg For example, the present invention can be applied to forming a metal thin film pattern, an inorganic thin film pattern, an organic thin film pattern, and the like used in an organic field transistor, an organic laser, an organic battery, an organic photodiode, an organic solar cell, and the like.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 섀도우 마스크를 이용하는 증착 공정을 통해 박막 패턴(음전극)을 형성하거나 혹은 음극 분리 격벽을 이용하여 박막 패턴(음전극)을 형성하는 전술한 종래 방법과는 달리, 형성하고자 하는 박막 패턴에 대응하는 임의의 패턴 구조를 갖는 주형에 박막 물질을 증착한 후 기판에 가압 접촉하거나 혹은 박막 물질로 제작한 박막 시트를 기판 상에 올려놓고 임의의 패턴 구조를 갖는 주형의 패턴면을 가압 접촉시키는 방식을 통해 박막 물질을 기판 상에 선택적으로 전이시켜 박막 패턴(예를 들면, 음전극)을 형성함으로써, 유기 전자 소자의 대면적화에 효과적으로 대응하면서도 섀도우 마스크의 두께에 기인하는 해상도의 저하를 확실하게 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, unlike the aforementioned conventional method of forming a thin film pattern (cathode electrode) through a deposition process using a shadow mask or a thin film pattern (cathode electrode) using a cathode separation barrier, After depositing a thin film material on a mold having an arbitrary pattern structure corresponding to the thin film pattern, the surface of the mold having an arbitrary pattern structure is formed by placing a thin film sheet made of a thin film material under pressure contact with the substrate or on a substrate. By selectively transferring the thin film material on the substrate through a pressure contact method to form a thin film pattern (for example, a negative electrode), it is possible to effectively reduce the resolution due to the thickness of the shadow mask while effectively responding to the large area of the organic electronic device. It can be reliably prevented.
또한, 본 발명은 플라즈마 처리 또는 자가 배열 물질을 사용하여 박막 패턴(음전극)의 표면을 개질시켜 박막 패턴의 일함수 값을 감소시키거나 유기 물질과 박막 물질의 계면 특성을 향상시켜 주기 때문에, 전술한 종래 방법에 따라 제조한 유기 전자 소자와 비교해 볼 때, 더욱 향상된 성능을 갖는 유기 전자 소자를 실현할 수 있다.In addition, the present invention is to modify the surface of the thin film pattern (negative electrode) using a plasma treatment or self-aligned material to reduce the work function value of the thin film pattern or to improve the interfacial properties of the organic material and the thin film material, Compared with the organic electronic device manufactured according to the conventional method, it is possible to realize an organic electronic device having further improved performance.
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