KR20030072885A - 복합필름과 복합필름이 부착된 리드프레임 - Google Patents

복합필름과 복합필름이 부착된 리드프레임 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 칩과 리드프레임을 접착시키는 LOC, COL 등의 반도체 패키지에 사용되는 3층 구조의 복합필름 및 복합필름이 펀칭 접착된 리드프레임에 관한 것으로서, 특히 펀칭시 펀칭기에 부착되는 용융부착물의 발생을 억제시켜 펀칭기의 세정주기 및 교체주기를 증가시키는 것을 목적으로 하여 안출된 것이다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 복합필름의 두께(T)와 양쪽 접착층의 총 두께(TA)와 접착제의 유리전이온도(Tg)가 하기 식 (1), (2)를 만족시키는 것을 특징으로 한 복합필름 및 상기 복합필름이 부착된 리드프레임을 개시한다.
(1) 0.05≤TA/T ≤0.45-(185-Tg)/500
(2) 135℃ ≤ Tg ＜ 185℃

Description

복합필름과 복합필름이 부착된 리드프레임{Composite film and lead frame adhering this film}
본 발명은 반도체 칩과 리드프레임을 접착시키는 LOC(Lead on Chip), COL(Chip on Lead) 등의 반도체 패키지에 사용되는 3층구조의 복합필름 및 복합필름이 펀칭 접착된 리드프레임에 관한 것이다.
LOC, COL 등의 반도체 패키지에서 리드프레임과 반도체 칩을 접착하기 위하여 기재필름에 접착제가 적층된 구조의 복합필름이 사용된다. 일반적으로 복합필름은 리드프레임의 요구되는 부위에 펀칭하여 부착되게 되는데, 펀칭시 복합필름의 구성물에 높은 법선응력(normal line) 및 전단응력(shear stress)이 발생하게 되고 이로 말이암아 복합필름에 버어(burr)가 발생하거나 또는 용융부착물이 발생하게 된다.
복합필름의 펀칭시 발생하는 버어 및 이물는 반도체의 신뢰성에 치명적인 영향을 주게 된다. 따라서 버어와 이물을 억제하는 방법에 대해 여러 시도가 이루어지고 있는데, 예를 들어, USP 5,593,774호, USP 5,593,774호나 USP 5,998,020호에서는 특정 범위의 연부단열저항(edge tearing resistance)을 지닌 기재필름을 사용하는 방안이 제시되어 있다.
그리고 최근에는 반도체의 신뢰성을 향상시키기 위하여 반도체의 칩과 리드프레임의 접착온도를 가능한 낮추려는 시도가 행해지고 있다. 다시말해서 고온에서 접착시 반도체 칩에 열적 충격이 가해지기 때문에 이를 방지하기 위해 복합필름의 접착제의 유리전이온도를 낮추어 반도체 칩과 리드프레임의 접착온도를 낮추는 것이다. 그러나, 유리전이온도가 낮은 접착제로 구성된 복합필름의 펀칭시, 복합필름의 접착제의 낮은 유리전이온도로 말미암아 펀칭기에 접착제가 용융 부착하여 펀칭의 세정주기가 짧아지는 문제가 야기되었다.
펀칭기의 용융 부착물은 펀칭시 발생하는 펀칭기와 복합필름 사이에 발생하는 높은 마찰력에 따른 마찰열로 인하여 발생하는 것이다. 즉, 기재필름보다 유리전이온도가 상당히 낮은 접착제층은 펀칭시 발생하는 높은 마찰열로 인해 펀칭기에 용융 부착하게 되는 것이다. 이러한 펀칭기에 용융 부착된 접착제는 펀칭기의 잦은 교체, 세정 비용 증가 등에 의해 복합필름이 부착된 리드프레임의 생산성을 현저히 감소시키게 된다.
본 발명은 접착제의 유리전이온도가 낮은 복합필름의 펀칭시 발생하는 펀칭기의 용융 부착물을 억제함으로써 펀칭기 세정주기 및 교체주기를 길게하여 복합필름의 펀칭 생산성을 높이는 것을 그 목적으로 한 것이다.
본 발명자들은 상기와 같은 발명의 목적을 달성하기 위해 연구 실험을 행한결과, 복합필름이 후술하는 특정조건을 만족시키는 경우 복합필름의 펀칭시 펀칭기에 용융부착물의 발생이 현저히 억제되는 것을 발견하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 구체적으로 내열성 기재필름의 양면에 접착제가 적층된 구조의 복합필름에 있어서, 복합필름의 두께가 T이고 양쪽 접착층의 층두께가 TA일때 접착제의 유리전이온도(Tg)와의 관계가 하기식 (1), (2)를 만족시키는 것을 특징으로 하는 복합필름 및 상기 복합필름의 부착된 리드프레임에 관한 것이다.
(1) 0.05≤TA/T ≤0.45-(185-Tg)/300
(2) 135℃ ≤ Tg ＜ 185℃
(상기 식(1), (2)에서 TA는 복합필름의 접착제 두께이고, T는 복합필름의 총두께이며, Tg는 접착제의 유리전이온도임)
이하에서 본 발명은 구체적으로 설명한다.
본 발명의 리드프레임은 어떤 형태의 구조로도 구성될수 있으며, 전형적인 형태는 내부 리드 부분이 칩에 부착되고, 외부 리드 부분은 외부 회로에 연결되고, 복합 필름은 미리 정해진 위치에 부착된다. 복합 필름이 부착된 리드프레임은 복합 필름을 리드프레임에 접착시킴으로서 제조된다.
미국 특허 US 4943843 등에서 알수 있듯이 LOC는 반도체 칩의 고밀도 실장을 실현하기위해 제안된 것으로, 복합필름(절연막)이 리드프레임과 반도체 칩을 접합하기위해 그 사이에 사용되어 왔다. 또한 복합필름(절연막)은 폴리이미드계 기재필름과 그 양면에 열가소성 이러한 열경화성 접착제로 구성된다. 미국특허 US5,583,375에서는 사용예로 기재필름은 25∼125㎛이고 접착층의 두께는 10∼30㎛일수 있다고 언급하고 있다. 현재 주로 사용되는 LOC 복합필름은 기재필름의 두께가 25㎛, 50㎛이고 접착제의 두께는 18㎛ 혹은 25㎛이다.
복합 필름의 한쪽 접착층을 리드프레임에 부착시키는 공정은 일차적으로 리드프레임을 부착 위치로 0.3내지 1.5초 정도의 시간조건으로 이동(Loading)한 후, 리드프레임 스트립에 펀칭기로 0.5내지 70MPa의 압력과 0.3내지 3초 정도의 시간 조건으로 복합필름을 펀칭/부착하는 공정이 한 싸이클로서 연속적으로 반복된다. 이때 통상 싸이클 주기는 0.8∼5초 정도의 시간이다. 그리고 칩의 형태, 리드프레임에 부착되는 칩의 위치, 리드프레임의 형태 등에 따라서 펀칭으로 절단되는 복합 필름의 형태는 다양하다. 복합필름을 펀칭시 리드프레임은 대략 200내지 350℃ 정도로 가열되며, 펀칭되어 절단되는 복합필름도 가열된다.
본 발명의 복합필름은 기재필름의 양면에 접착제를 도포한후 건조공정을 거쳐 제조된다. 기재필름의 표면에 접착제를 코팅하고 건조한 후에 이면에 접착제를 코팅하고 건조하는 방법이 있고, 양면에 동시에 혹은 순차적으로 접착제를 코팅한 후에 건조하는 방법이 있다. 따라서 양면에 상이한 접착제를 적용할 수도 있다.
본 발명에서 사용되는 기재 필름으로는 폴리이미드, 폴리아마이드, 폴리설폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이서설폰 등과 같은 내열성이 우수한 플라스틱 필름들이며, 바람직한 두께는 10∼125㎛ 정도이며, 더욱 바람직한 두께는 25∼75㎛의 범위이다.
본발명의 복합필름은 반도체 패키지 제조시 대략 300℃ 이상의 고온 공정에사용되므로 적용되는 기재 필름은 유리전이온도가 높고, 열팽창 계수가 낮은 것이 요구되는데, 특히 유리전이온도는 300℃보다 높고, 열팽창계수(ASTM D-691-91)는 30ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다.
기재 필름과 접착제 사이의 접착력을 높이기 위해서 여러가지 표면처리 방법을 사용할수 있다. 표면처리방법에는 알카리 처리, 실란 커플링 처리등의 화학적 처리와 샌드 블래스팅(Sand blasting), 플라즈마(Plasma), 코로나(Corona) 처리등의 물리적 처리 방법이 있다. 사용되는 접착제와 기재필름에 따라서 표면 처리를 조합하여 복합적으로 적용하는 것이 가능하다. 이중에서 플라즈마 처리방법이 접착력 향상 측면에서 가장 효과적인 방법이다. 한편, 기재필름을 제조시 기재필름의 표이면에 유리전이온도가 150∼300℃인 수지를 각각 0.5∼10㎛ 두께로 공압출한 공압출 기재필름을 사용하는 방법도 기재필름과 접착제의 접착력을 높일수 있는 방법이다. 이때 표이면 층의 유리전이온도는 중간층의 유리전이온도보다 낮게 설계하는 것이 바람직하다. 또 기재필름과 접착제 사이에 프라이머(Primer) 코팅을 하여 기재필름과 접착제 사이의 접착력을 향상시키는 방법도 있다. 유리전이온도가 200℃이하인 프라이머(Primer)를 5㎛이하 더 바람직하게는 0.5㎛이하로 기재필름 양면에 미리 코팅한 후에 접착제를 코팅하는 방법이 있다. 이때의 프라이머는 접착제보다 유리전이온도가 낮아야 하는데 대략 50℃이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 사용되는 접착제는 내열성의 열가소성 수지를 주성분으로 하는데, 유리전이온도는 135℃에서 185℃사이이고 중량평균분자량이 15,000이상이고 100,000이하인 폴리이미드나 폴리아마이드 접착제가 적합하다. 여기서 폴리이미드는 단지 일반적인 폴리이미드뿐만 아니라 폴리아마이드이미드, 폴리에스터이미드, 폴리이서이미드와 같은 이미드 결합을 갖고 있는 수지도 포함한다. 내열 접착제의 유리전이온도가 185℃보다 낮은 경우에는 와이어 접착 공정중에 내부 리드가 움직이는 등의 문제가 발생하게 된다. 또한 유리전이온도가 185℃보다 큰 경우에는 리드 또는 칩의 고온 접착 공정중의 접착온도가 너무 높아지고, 접착시간이 너무 길어지는 등의 문제가 발생하게 되어 반도체 칩의 신뢰성이 악화될 수 있다. 한편 접착제가 열가소성인 경우, 접착제의 중량평균 분자량이 15,000미만인 경우에는 고분자로서의 물성을 얻을 수 없으며, 분자량이 100,000을 초과하는 경우에는 코팅시 점도가 상승하는 등의 문제가 있다.
본 발명의 접착제는 실리카 , 유리, 탄산칼슘 등의 무기입자, 실버, 구리 등의 금속입자나 아크릴, 폴리이미드, 검 등의 유기 입자가 채용 될수 있다. 또한 무기입자와 접착제의 결합력을 향상시키기 위하여 커플링제를 사용할수 있는데, 바람직한 커플링(Coupling)제로는 비닐트리메톡시실란(vinyltrimetoxysilane), 비닐트리에톡시실란(vinyltrietoxysilane), 감마-메타아크릴옥시 프로필트리메톡시 실란(γ-methacryloxy-propyl trimethoxysilane), 감마-글리시독시프로필트리메톡시실란(γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane), 타이타나이트(titanate), 알루니늄 킬레이트(aluminum chelate), 지르코늄알루미네이트(zircoaluminate) 등이 있다.
기재 필름에 열가소성 접착제를 유기용매에 용해하여 얻어지는 접착제 용액을 코팅하는 경우, 콤마(Comma) 형태, 리버스(Reverse) 형태, 다이(Die) 형태의 코터(Coater)가 사용될 수 있다. 이 중에서 다이형태의 코터가 외부 이물 및버블(Bubble) 발생 억제등의 측면에서 가장 선호된다. 코팅후 폴리이미드 접착용액을 건조하는 건조부의 형태는 필름의 한면 또는 양면을 코팅함에 있어서 일반적으로 필름을 롤에 싣고 필름을 이동하는 롤이송(Roll Carrier) 형태가 사용된다. 또한 양면에 코팅을 할 경우에는, 필름이 롤등에 접촉되지 않고 이송되는 플로팅 이송(Floating Carrier) 형태가 사용된다. 코팅 공정에서 표면과 이면에 동시 혹은 순차적으로 양면에 접착제를 코팅하고 건조하는 방법이 생산성 및 공정성의 측면에서 유리한 방법이지만 플로팅 방법을 사용해야 하므로 초기 건조시 건조온도 및 풍량을 면밀히 검토하여 최적화하여야 한다.
접착제 용액을 기재 필름에 적용한 후, 접착제 용액의 용제를 제거하기 위해서 건조온도를 50∼250℃사이에서 3∼20분 동안 서서히 승온시켜야 한다. 만일 급속히 가열할 경우, 접착제 층에 발생한 기포로 인하여 리드프레임과 접착시 접착불량이 발생하며 펀칭시 계면박리가 발생하여 신뢰성이 악화된다. 따라서 기재 필름에 도포된 접착제의 용매중 90%가 건조될때 건조온도를 최대한 서서히 승온시켜 기포가 없은 안정한 코팅층을 형성하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 기재필름 및 접착제를 사용하여 제조되는 복합필름에 있어서, 상기 복합필름의 두께(T)와 양쪽 접착층의 총 두께(TA) 및 접착제의 Tg가 전술한 식 (1), (2)를 만족시키는 복합필름의 경우 특히 펀칭시 펀칭기에 부착되는 용융 부착물이 거의 발생되지 않음을 실험적으로 확인하였다.
본 발명은 하기의 실시예 및 비교실시예에서 좀더 상세하게 설명되지만, 본발명의 범위는 하기의 실시예에 국한되지는 않는다.
하기의 실시예 및 비교실시예에서 펀칭기에 부착되는 용융부착물의 평가는 펀칭기 클리어런스(clearance)를 복합필름의 두께 대비 4%로 설정하고 평가하였다. 펀칭기에 복합내열필름이 부착하여 펀칭 단면이 불량하게 될때까지의 펀칭 시간인 펀칭 세정주기로 평가하였다. 이 때 복합 필름의 한쪽 접착층을 리드프레임에 부착시키는 공정은 일차적으로 리드프레임을 부착 위치로 이동(Loading)하는 시간을 0.6초, 리드프레임 스트립에 펀칭기로 30MPa의 압력으로 0.4초의 시간 조건으로 복합필름을 펀칭/부착하는 공정이 한 싸이클로서 연속적으로 반복하여 복합필름의 펀칭기 오염으로 인한 펀칭 세정주기를 평가하였다.
[실시예 1]
두께가 75㎛ 폴리이미드 필름(유리전이온도 300℃ 이상, 열팽창계수 12ppm/℃)에 유리전이온도가 170℃인 폴리이미드계 접착제(중량평균분자량이 50,000, Mw/Mn=2.1)를 15.0㎛ 두께로 양면에 도포하고 건조하여, 복합필름 총 두께 대비 접착제의 두께비가 0.29이고 총 두께가 105.0㎛인 3층복합필름을 제조하였다. 상기 복합필름을 320℃로 가열된 니켈 알로이 42 리드프레임위에 두고 펀칭기로 복합필름을 펀칭한후 아래에 있는 리드프레임의 리드와 30MPa 압력으로 0.4초간 압착하여, 복합필름이 부착된 리드프레임을 제조하였다.
[실시예 2]
접착제를 22.5㎛ 두께로 폴리이미드 기재필름의 양면에 도포하여 복합필름 총 두께 대비 접착제의 두께비가 0.39이고 총 두께가 115.0㎛인 3층 복합필름을 제조한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 복합필름을 제조하여 복합필름이 부착된 리드프레임을 제조하였다.
[비교실시예 1]
접착제를 32.5㎛ 두께로 폴리이미드 기재필름의 양면에 도포하여 복합필름 총 두께 대비 접착제의 두께비가 0.46이고 총 두께가 140.0 ㎛인 3층복합필름을 제조한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 복합필름을 제조하여 복합필름이 부착된 리드프레임을 제조하였다.
[비교실시예 2]
접착제의 한쪽 두께와 기재필름의 두께를 각각 32.5㎛, 50㎛로 설계하여 복합필름 총 두께 115.0㎛로 하고 복합필름 대비 접착제의 두께비가 0.57인 것을 제외하고는 실시예1과 동일하게 3층복합필름을 제조하여 복합필름이 부착된 리드프레임을 제조하였다.
[실시예 3]
두께가 70㎛인 폴리이미드 필름(유리전이온도 300℃이상, 열팽창계수 12ppm/℃)에 유리전이온도가 150℃인 폴리이미드계 접착제(중량평균분자량이 50,000, Mw/Mn=2.1)를 15.0㎛두께로 양면에 도포하고 건조하여, 복합필름 총 두께 대비 접착제의 두께비가 0.30이고 두께가 100.0㎛인 3층복합필름을 제조하였다. 상기 복합필름을 320℃로 가열된 니켈 알로이 42리드프레임위에 두고 펀칭기로 복합필름을 펀칭한 후 아래에 있는 리드프레임의 리드와 30MPa 압력으로 0.4초간 압착하여, 복합필름이 부착된 리드프레임을 제조하였다.
[비교실시예 3]
접착제를 27.5㎛ 두께로 폴리이미드 기재필름의 양면에 도포하여 복합필름 총 두께 대비 접착제의 두께비가 0.42이고 총 두께가 130.0㎛인 복합필름을 제조한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 3층복합필름을 제조하여, 복합필름이 부착된 리드프레임을 제조하였다.
[비교실시예 4]
접착제의 한쪽 두께와 기재필름의 두께를 각각 25.0㎛, 50㎛로 설계하여 복합필름 총 두께가 100㎛이고 복합필름 대비 접착제의 두께비가 0.50인 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 3층복합필름을 제조하여, 복합내열필름이 부착된 리드프레임을 제조하였다.
[실시예 4]
두께가 25㎛인 폴리이미드 필름(유리전이온도 300℃이상, 열팽창계수 12ppm/℃)에 유리전이온도가 184℃인 폴리이미드계 접착제(중량평균분자량이 50,000, Mw/Mn=2.1)를 12.5㎛두께로 양면에 도포하고 건조하여, 복합필름 총 두께 대비 접착제의 두께비가 0.40인 총 두께가 63.0㎛인 3층 복합필름을 제조하였다. 상기 보합필름을 320℃로 가열된 니켈 알로이 42리드프레임 위에 두고 펀칭기로 복합필름을 펀칭한 후 아래에 있는 리드프레임의 리드와 30MPa 압력으로 0.4초간 압착하여, 복합필름이 부착된 리드르레임을 제조하였다.
[비교실시예 5]
접착제를 18.5㎛ 두께로 폴리이미드 기재필름의 양면에 도포하여 복합필름 총 두께 대비 접착제의 두께비가 0.49이고 총 두께가 75.0 ㎛인 복합필름을 제조한 것을 제외하고는 실시예 4와 동일하게 3층복합필름을 제조하여, 복합필름이 부착된 리드프레임을 제조하였다.
[비교실시예 6]
접착제의 한쪽 두께와 기재필름의 두께를 각각 19.0㎛, 25㎛로 설계하여 복합필름 총 두께가 65.0㎛이고 복합필름 대비 접착제의 두께비가 0.60인 것을 제외하고는 실시예 4와 동일하게 3층복합필름을 제조하여, 복합필름이 부착된 리드프레임을 제조하였다.
상기 실시예 및 비교실시예에서 제조된 복합필름들을 리드프레임상에 펀칭기로 펀칭해 부착함에 있어서, 펀칭기의 세정주기를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
상기 실시예 및 비교실시예에서 확인되듯이 본 발명에 따른 복합필름을 사용하는 경우 상기 복합필름을 펀칭하여 리드레임에 적용시 펀칭기의 용융부착물 부착이 억제되어 펀칭기의 세정주기가 현저히 길어짐에 따라서 복합필름을 리드프레임에 부착시 생산성을 크게 향상시킬 수 있는 유용성을 얻을 수 있다.

Claims (6)

  1. 기재필름의 양면에 접착제가 적층된 구조로 이루어진 복합필름에 있어서, 복합필름의 두께가 T이고 양쪽 접착층의 총 두께가 TA일때 접착제의 유리전이온도(Tg)와의 관계가 하기식 (1), (2)를 만족시키는 것을 특징으로 하는 복합필름.
    (1) 0.05≤TA/T ≤0.45-(185-Tg)/500
    (2) 135℃ ≤ Tg ＜ 185℃
    (상기 식(1), (2)에서 TA는 복합필름의 접착제 두께이고, T는 복합필름의 총두께이며, Tg는 접착제의 유리전이온도임) .
  2. 제 1항에 있어서, 접착제의 유리전이온도가 135∼185℃이고 접착제의 중량평균 분자량이 15,000∼100,000인 것을 특징으로 하는 복합필름.
  3. 제 1항에 있어서, 기재필름은 유리전이온도가 250℃이상이고 열팽창계수가 30ppm/℃이하인 것을 특징으로 하는 복합필름.
  4. 제 2항에 있어서, 접착제가 폴리이미드 혹은 폴리아마이드인 것을 특징으로 하는 복합필름.
  5. 제 3항에 있어서, 기재필름이 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리술폰, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르에테르키톤, 폴리아릴레이트 중에서 선택된 수지를 단독 혹은 혼합하여 제조된 것을 특징으로 하는 복합필름.
  6. 기재필름의 양면에 접착제가 적층된 구조로 이루어진 복합필름이 부착된 리드프레임에 있어서 복합필름의 두께가 T이고 양쪽 접착층의 총 두께가 TA일때 접착제의 유리전이온도(Tg)와의 관계가 하기식 (1), (2)를 만족시키는 복합필름을 펀칭하여 리드프레임에 부착된 것을 특징으로 하는 복합필름 부착 리드프레임.
    (1) 0.05≤TA/T ≤0.45-(185-Tg)/500
    (2) 135℃ ≤ Tg ＜ 185℃
    (상기 식(1), (2)에서 TA는 복합필름의 접착제 두께이고, T는 복합필름의 총두께이며, Tg는 접착제의 유리전이온도임)
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990005192A (ko) * 1997-06-30 1999-01-25 윤종용 절연테이프를 이용한 반도체 패키지 구조
JPH11166162A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド接着フィルム
KR19990067950A (ko) * 1998-01-19 1999-08-25 가마이 고로 반도체 장치용 접착 시트 및 표면-탑재형 반도체 장치
JP2000256628A (ja) * 1999-03-08 2000-09-19 Hitachi Chem Co Ltd 接着材フィルム、半導体搭載用外部接続用部材、半導体装置及びそれらの製造法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990005192A (ko) * 1997-06-30 1999-01-25 윤종용 절연테이프를 이용한 반도체 패키지 구조
JPH11166162A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド接着フィルム
KR19990067950A (ko) * 1998-01-19 1999-08-25 가마이 고로 반도체 장치용 접착 시트 및 표면-탑재형 반도체 장치
JP2000256628A (ja) * 1999-03-08 2000-09-19 Hitachi Chem Co Ltd 接着材フィルム、半導体搭載用外部接続用部材、半導体装置及びそれらの製造法

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