KR20030050950A - 포토레지스트 도포방법 - Google Patents

포토레지스트 도포방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토레지스트의 균일한 도포가 이루어지도록 하면서 재료 낭비 및 웨이퍼 후면의 오염 발생을 방지할 수 있는 포토레지스트 도포방법을 개시하며, 개시된 본 발명의 포토레지스트 도포방법은, 회전 및 승하강 가능한 스핀 척 상에 웨이퍼를 그의 후면 전체가 상기 스핀 척과 접하도록 안착시키는 제1단계와, 상기 스핀 척을 저속 회전시키면서 상기 웨이퍼의 상측에 배치된 포토레지스트 분사 노즐로부터 웨이퍼 상에 소정량의 포토레지스트를 분사시키는 제2단계와, 상기 포토레지스트 분사 노즐을 제거한 상태에서, 상기 스핀 척을 승강시키는 것에 의해 상기 포토레지스트가 분사된 웨이퍼를 상기 웨이퍼의 상측에 배치된 고정 몰드의 하부면에 가압시키는 제3단계로 구성되는 것을 특징으로 한다. 여기서, 본 발명의 방법은 스핀 척의 승강 속도 또는 승강 거리에 따라 상기 포토레지스트막의 두께를 조절하며, 그리고, 상기 고정 몰드를 예열시켜 포토레지스트막의 형성 및 소프트 베이크(soft bake)를 동시에 수행한다. 또한, 본 발명의 방법은 고정 몰드로부터 포토레지스트의 분리가 용이하도록 상기 포토레지스트와 접촉하는 고정 몰드의 하부면을 표면 처리하거나, 또는 이형제를 도포한다.

Description

포토레지스트 도포방법{METHOD FOR COATING PHOTORESIST}
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 포토리소그라피(Photolithography) 공정에서 균일한 두께로 포토레지스트를 도포하기 위한 포토레지스트 도포방법에 관한 것이다.
주지된 바와 같이, 웨이퍼 상에 콘택홀을 포함한 임의의 패턴을 형성하기 위한 방법으로는 포토리소그라피 공정이 이용되고 있다. 이러한 포토리소그라피 공정은, 크게, 식각 베리어로서 포토레지스트 패턴(Photoresist pattern))을 형성하는 공정과 상기 포토레지스트 패턴을 이용해서 식각대상층을 식각하는 공정으로 구분되며, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정은 식각대상물 상에 포토레지스트를 도포하는 공정과 특정 마스크를 이용하여 도포된 포토레지스트를 노광하는 공정 및 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분을 임의의 용액으로 제거하는 현상 공정을 포함한다.
이와 같은 포토리소그라피 공정에 있어서, 포토레지스트의 도포 두께는 후속하는 노광 공정에 큰 영향을 미친다. 이것은 포토레지스트의 도포 두께에 따라 노광에서의 촛점심도(DOF)가 변화되기 때문이다.
종래에는 포토레지스트의 균일한 도포를 위해 스핀 도포(spin coating) 방식을 채택하고 있으며, 이에 대해 간략하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 포토레지스트 도포방법을 설명하기 위한 도면이다.
도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)는 회전 가능한 스핀 척(spin chuck : 2) 상에 안착되고, 상기 스핀 척(2)의 회전에 따라 함께 회전하게 된다. 이러한 상태에서, 상기 웨이퍼(1)의 상측에 이격 배치된 포토레지스트 분사 노즐(3)로부터 포토레지스트(4)가 분사되며, 웨이퍼(1)의 중심부에 분사된 포토레지스트(4)가 원심력에 의해 웨이퍼(1)의 중심으로부터 그의 가장자리로 퍼져나감에 따라 비교적 균일한 두께로 도포된다.
이때, 상기 포토레지스트(4)의 도포 두께는 스핀 척(2)의 회전 속도(rpm)에 따라 조절 가능하다.
그러나, 스핀 도포 방식에 의한 종래의 포토레지스트 도포방법은 비교적 균일한 두께로 포토레지스트를 도포할 수 있기는 하지만, 웨이퍼 상의 패턴 밀도에 따라 국부적으로 도포 불균일이 발생될 수 있고, 이에 따라, 패턴 불량을 유발시키게 된다.
또한, 종래의 포토레지스트 도포방법은 웨이퍼의 고속회전으로 인하여 웨이퍼로부터 배출된 포토레지스트가 웨이퍼의 후면을 오염시키게 되고, 이에 따라, 파티클 결함을 유발하게 된다.
게다가, 종래의 포토레지스트 도포방법은 스핀 척의 회전 속도에 따라 그 도포 두께를 조절하기 때문에 실제 웨이퍼 상에 도포되는 포토레지스트 이상의 양을 분사시켜야만 하며, 이에 따라, 낭비되는 포토레지스트의 양이 많은 것과 관련하여 재료비가 상승하게 된다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 포토레지스트의 도포 두께를 균일하게 유지시키면서 웨이퍼 후면의 오염 및 포토레지스트의 낭비를 방지할 수 있는 포토레지스트 도포방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 포토레지스트 도포방법을 설명하기 위한 도면.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포방법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 고정 몰드를 설명하기 위한 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 웨이퍼 2,2a : 스핀 척
3 : 포토레지스트 분사 노즐 4 : 포토레지스트
10 : 고정 몰드 11 : 이형제
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 포토레지스트 도포방법은, 회전 및 승하강 가능한 스핀 척 상에 웨이퍼를 그의 후면 전체가 상기 스핀 척과 접하도록 안착시키는 제1단계와, 상기 스핀 척을 저속 회전시키면서 상기 웨이퍼의상측에 배치된 포토레지스트 분사 노즐로부터 웨이퍼 상에 소정량의 포토레지스트를 분사시키는 제2단계와, 상기 포토레지스트 분사 노즐을 제거한 상태에서, 상기 스핀 척을 승강시키는 것에 의해 상기 포토레지스트가 분사된 웨이퍼를 상기 웨이퍼의 상측에 배치된 고정 몰드의 하부면에 가압시키는 제3단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 본 발명의 방법은 스핀 척의 승강 속도 또는 승강 거리에 따라 상기 포토레지스트막의 두께를 조절하며, 그리고, 상기 고정 몰드를 예열시켜 포토레지스트막의 형성 및 소프트 베이크(soft bake)를 동시에 수행한다.
또한, 본 발명의 방법은 고정 몰드로부터 포토레지스트의 분리가 용이하도록 상기 포토레지스트와 접촉하는 고정 몰드의 하부면을 표면 처리하거나, 또는 이형제를 도포한다.
본 발명에 따르면, 포토레지스트를 가압 방식을 도포하기 때문에 균일한 도포가 이루어지도록 할 수 있음은 물론 포토레지스트의 낭비를 방지할 수 있고, 아울러, 웨이퍼 후면의 오염을 방지할 수 있다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포방법을 설명하기 위한 도면으로서, 이를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 스핀 척(2a)과, 포토레지스트 분사노즐(3)및 고정 몰드(10)를 포함한 포토레지스트 도포 장치의 상기 스핀 척(2a) 상에 웨이퍼(1)를 안착시킨다. 상기 스핀 척(2a)은 회전 가능하며, 그리고, 종래와는 달리 승/하강이 가능하다. 상기 웨이퍼(1)는 그의 후면 전체가 상기 스핀 척(2a)과 접하도록 안착되며, 따라서, 상기 스핀 척(2a)은 종래의 그것 보다 더 큰 크기를 갖는다.
그 다음, 상기 스핀 척(2a)을 1∼2초간 저속 회전시키면서 상기 스핀 척(2a) 상에 안착된 웨이퍼(1) 상에 상기 웨이퍼(1)의 상측에 이격 배치된 포토레지스트 분사 노즐(3)로부터 소정 량의 포토레지스트(4)를 분사시킨다.
다음으로, 포토레지스트 분사 노즐을 제거한 상태에서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)가 안착된 스핀 척(2a)을 상승시켜 상기 웨이퍼(1) 상에 도포된 포토레지스트(4)가 고정 몰드(10)의 하부면과 접하도록 하면서 가압되도록 하고, 이 결과로서, 상기 웨이퍼(1) 상에 균일한 두께로 포토레지스트(4)를 도포시킨다. 이때, 상기 포토레지스트(4)의 도포 두께는 스핀 척(2a)의 이동 거리 및 이동 속도에 따라 조절 가능하다.
전술한 바와 같이 포토레지스트를 도포하게 되면, 웨이퍼 상의 패턴 밀도에 상관없이 포토레지스트가 균일한 두께로 도포되며, 아울러, 웨이퍼의 후면 전체가 스핀 척과 접촉하고 있는 것으로 인해 웨이퍼 후면의 오염은 발생되지 않는다.
또한, 소정 량의 포토레지스트를 분사시킨 후에 가압 방식에 의해 최종적인 포토레지스트를 얻기 때문에 종래의 스핀 방식에 비해 포토레지스트의 낭비를 최대한 줄일 수 있다. 즉, 본 발명의 방법은 가압 거리를 통해 포토레지스트의 도포 두께를 조절하는 반면, 종래에는 고속 회전을 통해 포토레지스트의 도포 두께를 조절하므로, 본 발명의 방법은 종래와 비교해서 포토레지스트의 낭비 양을 상대적으로 많이 줄일 수 있다.
한편, 본 발명의 방법은 고정 몰드를 소프트 베이크(soft bake)의 온도로 예열시킨 상태로 포토레지스트의 가압을 수행한다. 이에 따라, 상기 포토레지스트는 균일한 두께로 도포되며, 동시에, 소프트 베이크된다. 따라서, 후속하는 소프트 베이크 공정이 필요치 않으며, 그래서, 공정 단순화를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 방법은 포토레지스트와 접하는 고정 몰드의 하부면을 표면 처리하거나, 또는, 하부면에 이형제(11)를 도포시킴으로써, 포토레지스트의 가압 후에 상기 고정 몰드로부터 포토레지스트가 잘 분리될 수 있도록 한다.
이상에서와 같이, 본 발명의 방법은 스핀 방식이 아닌 가압 방식에 따라 포토레지스트 도포하기 때문에 웨이퍼 상의 패턴 밀도에 상관없이 균일한 도포가 이루어질 수 있으며, 이에 따라, 후속 노광 공정의 신뢰성을 확보할 수 있게 되어서 제조수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 방법을 가압 방식을 이용하기 때문에 포토레지스트의 낭비를 방지할 수 있으며, 이에 따라, 제조비용의 상승을 방지할 수 있다.
게다가, 본 발명의 방법은 웨이퍼의 후면 전체가 스핀 척에 밀착되도록 하기 때문에 상기 웨이퍼 후면의 오염을 방지할 수 있으며, 이에 따라, 생산성의 저하를 방지할 수 있다.
부가해서, 본 발명은 포토레지스트의 도포와 함께 소프트 베이크를 동시에 수행할 수 있기 때문에 공정 단순화를 얻을 수 있고, 이에 따라, 공정 시간을 단축할 수 있다.
기타, 본 발명은 그 요지가 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (5)

  1. 회전 및 승하강 가능한 스핀 척 상에 웨이퍼를 그의 후면 전체가 상기 스핀 척과 접하도록 안착시키는 제1단계와,
    상기 스핀 척을 저속 회전시키면서 상기 웨이퍼의 상측에 배치된 포토레지스트 분사 노즐로부터 웨이퍼 상에 소정량의 포토레지스트를 분사시키는 제2단계와,
    상기 포토레지스트 분사 노즐을 제거한 상태에서, 상기 스핀 척을 승강시키는 것에 의해 상기 포토레지스트가 분사된 웨이퍼를 상기 웨이퍼의 상측에 배치된 고정 몰드의 하부면에 가압시키는 제3단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제3단계는 상기 고정 몰드를 예열시켜 포토레지스트막의 소프트 베이크(soft bake)를 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트막의 두께는 스핀 척의 승강 속도 또는 승강 거리에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 고정 몰드는 상기 포토레지스트와 접하는 하부면이 포토레지스트의 분리가 용이하도록 표면 처리된 것을 특징으로 하는 포토레지스트도포방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 고정 몰드는 상기 포토레지스트와 접하는 하부면에 포토레지스트의 분리가 용이하도록 이형제가 도포된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포방법.
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