KR20020087481A - 갈륨비소 웨이퍼용 웨이퍼 배향 센서 - Google Patents

갈륨비소 웨이퍼용 웨이퍼 배향 센서 Download PDF

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모우테트페터브루노
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베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
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Abstract

본 발명에 따른 웨이퍼 배향기는 웨이퍼를 회전시키는 기구와 웨이퍼 배향 센서를 포함한다. 웨이퍼 배향 센서는 광원, 광 센서 및 광학 필터를 포함하며, 광원은 광을 방출하고, 광 센서는 웨이퍼의 에지가 광원과 광 센서 사이에서 회전됨에 따라 광원에 의해 방출된 광을 감지하고 감지된 광을 나타내는 센서 신호를 생성하고, 광학 필터는 상기 광원과 광 센서 사이에 위치한다. 광학 필터는 웨이퍼의 통과 대역 내의 광이 차단되는 광 투과 특성을 갖는다. 웨이퍼가 갈륨비소 웨이퍼를 감지하는데 사용되면, 광학 필터는 약 860 나노미터보다 큰 파장의 광을 차단한다.

Description

갈륨비소 웨이퍼용 웨이퍼 배향 센서{WAFER ORIENTATION SENSOR FOR GaAs WAFERS}
이온 주입은 반도체 웨이퍼 내에 전도율 변경 불순물을 도입시키기 위한 표준 기술이 되었다. 원하는 불순물 물질이 이온 공급원 내에서 이온화되고, 이온은 가속되어 정해진 에너지의 이온 비임을 형성하고, 이온 비임은 웨이퍼의 표면에 지향된다. 비임 내의 활성화 이온은 대부분의 반도체 재료를 관통하고, 반도체 재료의 결정체 격자 내에 부여되어 원하는 전도율의 영역을 형성한다.
이온 주입 시스템은 통상 기체 또는 고체 재료를 적절히 한정된 이온 비임으로 변환시키는 이온 공급원을 포함한다. 이온 비임은 원하는 이온 종류를 제거하도록 분해된 집합체이며, 원하는 에너지로 가속되고 목표 평면 상에 지향된다. 비임은 비임 주사, 목표 운동 또는 비임 주사와 목표 운동의 조합에 의해 목표 영역 상에 분포된다. 하나의 종래 접근법에서, 이온 비임은 반도체 웨이퍼로 지향되고 일 방향으로 주사된다. 웨이퍼는 웨이퍼 상에 이온 비임을 분포시키도록 주사 방향과 수직으로 이동된다. 다른 접근법에서, 다중 반도체 웨이퍼가 디스크의 주연 부근에 장착된다. 디스크는 그 중심축에 대해 회전되고 반도체 웨이퍼 상에 이온 비임을 분포시키도록 이온 비임에 대해 이동된다. 다양한 이온 주입기 구조가 당업자에게 공지되어 있다. 이온 주입기는 전형적으로 이온 주입기 내로 웨이퍼를 도입하고 주입 후에 웨이퍼를 제거하는 자동 웨이퍼 처리 장치를 갖는 최종 스테이션을 포함한다.
웨이퍼 처리 시스템은 전형적으로 카세트 또는 이외의 웨이퍼 홀더로부터 웨이퍼 장착 위치로 웨이퍼를 반송한다. 웨이퍼 처리 시스템의 한가지 요구 사항은 평면 또는 노치를 갖는 프로세스 스테이션에 소정의 각도 배향을 가지고 웨이퍼를 정확하게 위치시키는 것이다. 웨이퍼 홀더 내의 슬롯들은 웨이퍼보다 다소 더 크고 따라서 웨이퍼를 정확하게 위치시키는 것을 보장할 수 없다. 더욱이, 웨이퍼 평면 또는 노치 배향이 웨이퍼 홀더 내에서 제어되지 않았다. 그러나, 프로세스 스테이션에서 정확한 위치 설정은 신뢰성 있는 웨이퍼 배향을 보장하고 웨이퍼 손상을 방지하기 위해 필수적이다. 추가로, 이온 주입 시스템은 전형적으로 주입된 이온에 의한 흐름을 제어하는 웨이퍼의 결정 배향을 나타내는 웨이퍼 평면 또는 노치의 특정 각도 배향을 요구한다.
웨이퍼 배향기를 합체한 웨이퍼 반송 시스템은 1989년 6월 6일자로 허여된 허텔 등의 미국 특허 제4,836,733호에 개시되어 있다. 웨이퍼는 배향기 척 상에 배치되어 회전된다. 배향 센서는 웨이퍼의 에지 아래에 위치된 광원과, 광원과 정렬되어 웨이퍼의 에지 상에 위치된 태양 전지를 포함한다. 광원으로부터의 광 비임은 웨이퍼 표면에 수직으로 지향된다. 웨이퍼는 광 비임의 일부가 태양 전지에 도달하는 것을 차단한다. 웨이퍼가 회전 중심으로부터 변위되고 평면 또는 노치 등의 기점이 태양 전지를 통과할 때, 웨이퍼가 회전함에 따라 태양 전지에 도달하는 광 비임의 비율이 변한다. 따라서, 태양 전지로부터 출력된 신호는 웨이퍼 오프셋 및 기점을 나타낸다. 배향 센서로부터의 신호에 기초하여, 오프셋 및 각도 배향이 수정된다. 웨이퍼 정렬기는 또한 1995년 9월 26일자로 니위미에르쯔키에게 허여된 미국 특허 제5,452,521호, 1993년 8월 24일자로 보로비키에게 허여된 미국 특허 제5,238,354호 및 1982년 8월 24일자로 필립스에게 허여된 미국 특허 제4,345,836호에 개시되어 있다.
종래의 웨이퍼 배향 센서는 일반적으로 통상적인 실리콘 웨이퍼에 만족스러운 결과를 제공한다. 그러나, 어떤 경우에는 이온 주입기가 갈륨비소 웨이퍼와 같은 다른 물질의 웨이퍼에 작동되는 것이 요구된다. 종래의 광학 배향 센서는 갈륨비소 웨이퍼의 배향을 신뢰성 있게 감지하는 것이 불가능하였다.
따라서, 갈륨비소 웨이퍼를 포함하여 다른 특징을 갖는 웨이퍼의 배향을 감지할 수 있는 개선된 웨이퍼 배향 센서가 요구된다.
본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 디스크형 공작물용 배향 센서에 관한 것이며, 특히 갈륨비소 웨이퍼의 배향을 감지하기 위한 웨이퍼 배향 센서에 관한 것이다.
도1은 본 발명의 합체에 적절한 웨이퍼 반송 장치의 일예의 개략적인 상부도이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 배향 센서의 개략적 측면도이다.
도3은 도2의 웨이퍼 배향 센서의 개략적 상부도이다.
도4는 노치된 웨이퍼에 대한 시간의 함수로서 센서 신호의 그래프이다.
도5는 나노미터로 나타낸 파장의 함수로서 출력 강도, 갈륨비소 웨이퍼 광 투과 및 광학 필터 광 투과에 대한 광원의 그래프이다.
도6은 나노미터로 나타낸 파장의 함수로서 적절한 광학 필터 특성의 일예를 도시한 관련된 광 투과의 그래프이다.
본 발명의 일 태양에 따르면, 통과 대역과 저지 대역을 포함하는 광 투과 특성을 갖는 웨이퍼용 웨이퍼 배향기가 제공된다. 웨이퍼 배향기는 웨이퍼를 회전시키는 기구와 웨이퍼 배향 센서를 포함한다. 웨이퍼 배향 센서는 광원, 광 센서 및 광학 필터를 포함하며, 광원은 광을 방출하고, 광 센서는 웨이퍼의 에지가 광원과광 센서 사이에서 회전됨에 따라 광원에 의해 방출된 광을 감지하고 감지된 광을 나타내는 센서 신호를 생성하고, 광학 필터는 상기 광원과 광 센서 사이에 위치한다. 광학 필터는 웨이퍼의 통과 대역 내의 광이 차단되는 광 투과 특성을 갖는다.
양호한 실시예에서, 웨이퍼는 갈륨비소 웨이퍼이며, 광학 필터는 갈륨비소 웨이퍼의 통과 대역 내의 광을 차단한다. 바람직하게는, 광학 필터는 약 860 나노미터보다 큰 파장의 광을 차단한다. 광원은 갈륨비소 웨이퍼의 통과 대역 내의 파장을 포함하는 광을 방출하는 백열 램프를 포함한다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 통과 대역과 저지 대역을 포함하는 광 투과 특성을 갖는 웨이퍼의 배향을 감지하는 방법이 제공된다. 이 방법은 웨이퍼를 회전시키는 단계와, 웨이퍼가 회전함에 따라 광원에 의해 방출된 광을 웨이퍼의 에지를 향해 지향하는 단계와, 웨이퍼의 에지가 상기 광원과 광 센서 사이에서 회전함에 따라 상기 광원에 의해 방출된 광을 광 센서로 감지하는 단계와, 웨이퍼의 통과 대역 내에 광은 상기 광 센서에 도달되는 것을 차단하는 단계를 포함한다.
본 발명의 보다 나은 이해를 위해, 참고로 본 명세서에 결합된 첨부된 도면을 참조한다.
본 발명의 합체에 적절한 웨이퍼 반송 장치의 일예가 도1에 개략적으로 도시되어 있다. 웨이퍼 반송 장치는 이온 주입기를 위한 단부 스테이션의 일부일 수 있고, 또는 임의 형태의 프로세싱 또는 처리 시스템 내의 프로세스 스테이션으로 웨이퍼를 반송하도록 사용될 수 있다. 각각 복수개의 웨이퍼(12)를 보유하는 카세트 홀더(10)들이 로드 로크(load lock, 14, 16) 내에 배치된다. 제1 웨이퍼 처리기 챔버(20) 및 제2 웨이퍼 처리기 챔버(22)는 각각 웨이퍼 배향기(24, orienter) 및 웨이퍼 로봇(26)을 포함한다. 챔버(20)는 게이트 밸브(28)에 의해 로드 로크(14)로부터 격리되고, 챔버(22)는 게이트 밸브(30)에 의해 로드 로크(16)로부터 격리된다. 프로세스 챔버(32)는 이온 비임(38)을 주입하는 동안 웨이퍼(12)를 보유하는 플랜트(36)와 같은 프로세스 스테이션(34)을 포함한다.
공정동안, 로드 로크(14)는 비워지고 게이트 밸브(28)는 개방된다. 웨이퍼들은 웨이퍼 로봇(26)에 의해 한꺼번에 로드 로크(14) 내의 카세트 홀더(10)로부터 분리되어 웨이퍼 배향기(24)로 이동된다. 로드 로크(14, 16)는 각각의 웨이퍼 로봇(26)에 대한 카세트 홀더(10) 인덱싱용 상승기를 포함한다. 웨이퍼 오프셋 및각도 배향이 웨이퍼 배향기(24)에서 웨이퍼 배향 센서에 의해 감지된다. 웨이퍼의 각도 배향은 웨이퍼 배향기(24)에서 필요에 따라 변할 수 있다. 그리고 웨이퍼 로봇(26)은 웨이퍼 배향기(24)로부터 프로세스 챔버(32) 내의 프로세스 스테이션(34)으로 웨이퍼를 반송한다. 프로세스 스테이션(34)에 웨이퍼를 배치함에 있어서, 웨이퍼 배향기(24)에서 감지된 오프셋 에러는 변위를 보상함으로써 제거될 수 있다. 프로세스 스테이션(34)에서 웨이퍼는 수평 배향에서 수직 또는 다른 원하는 프로세싱용 배향으로 회전된다.
프로세싱 이후, 웨이퍼 로봇(26)은 로드 로크(14) 내의 카세트 홀더(10)로 웨이퍼를 복귀시킨다. 프로세스 스테이션(34)으로부터 카세트 홀더(10)로의 웨이퍼의 복귀 동안 웨이퍼가 웨이퍼 배향기(24)에 의해 배향되는지의 여부는 사용자가 선택 가능하다. 웨이퍼 배향기(24) 및 웨이퍼 로봇(26)은 웨이퍼 처리기 챔버(20) 내에서 전술한 바와 같이 웨이퍼 처리기 챔버(20) 내의 대응하는 요소와 동일한 방식으로 작동된다. 다른 작동 모드에서, 웨이퍼는 웨이퍼 처리기 챔버(20)를 통한 프로세싱을 위해 프로세스 스테이션(34)으로 반송되어, 웨이퍼 처리기 챔버(22)를 통한 프로세싱에 후에 프로세스 스테이션(34)으로부터 제거되거나 역으로 될 수 있다. 2개의 웨이퍼 처리기 챔버(20, 22)를 갖는 구성은 한 웨이퍼의 프로세싱과 동시에 다른 웨이퍼의 웨이퍼 처리 및 배향을 수행하는 능력을 제공한다.
웨이퍼 배향기(24)의 개략적인 측면도 및 상부도가 각각 도2 및 도3에 도시되어 있다. 웨이퍼 배향기(24)의 기본적인 구성 성분은 웨이퍼 배향 센서(40)와 웨이퍼(12)를 지지 및 회전시키는 기구(42)를 포함한다. 기구(42)는 샤프트(52)에의해 모터(54)에 연결된 배향기 척(50)을 포함한다. 배향기 척(50)은 수평 배향으로 웨이퍼(12)를 지지한다. 모터(54)가 구동되면, 배향기 척(50)과 웨이퍼(12)는 축(56)에 대해 회전한다. 도3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(12)가 배향기 척(50) 상에 정확하게 중심에 위치하지 않는 경우에 회전축(56)은 웨이퍼(12)의 중심(58)으로부터 변위될 수 있다. 웨이퍼(12)를 회전시키는 기구(42)는 웨이퍼 배향 센서(42)에 대해 웨이퍼(12)를 회전시키도록 웨이퍼 배향 감지동안 사용되고 웨이퍼 배향 감지에 이어 각도 배향을 수정하는데 사용된다. 웨이퍼 오프셋은 (도1의) 웨이퍼 로봇(26)의 운동에 수정을 가함으로써 수정될 수 있다.
웨이퍼 배향 센서(40)는 광원(100), 광 센서(102) 및 광학 필터(120)를 포함한다. 광원(100)은 시준되는 광 비임(110)을 생성한다. 광 비임(110)은 웨이퍼(12)의 에지(112)에 웨이퍼(12)의 표면에 수직으로 지향된다. 광원(100)은 광 비임(110)의 제1 부분(110a)이 웨이퍼 에지(112)를 통과하고 광 비임(110)의 제2 부분(110b)이 웨이퍼(12)에 의해 차단되도록 위치된다. 웨이퍼 상의 기점 노치 또는 평면과 회전축(56)에 대한 웨이퍼 중심(58)의 오프셋으로 인해 웨이퍼(12)가 회전됨에 따라 웨이퍼 에지(112)의 위치는 변한다. 따라서, 광 비임(110)은 에지(112)의 예상되는 위치의 범위에 걸쳐 웨이퍼 에지(112)에 의해 부분적으로 차단될 정도로 충분한 폭을 가져야 한다. 광 비임(110)이 웨이퍼(12)에 의해 전부 차단되거나 웨이퍼(12) 상에 입사하지 않는다면, 배향 중심 센서는 웨이퍼 에지(112)를 감지할 수 없다.
광원(102)은 웨이퍼(12)의 아래에 광 비임(110)과 정렬되어 위치된다. 웨이퍼를 통과하는 광 비임(110)의 제1 부분(110a)은 센서(102) 상에 입사하는 반면, 웨이퍼(12)에 의해 차단되는 광 비임(110)의 제2 부분(110b)은 센서(102) 상에 입사하지 못한다. 도3에 도시된 바와 같이, 센서(102)는 직사각형 감지 영역을 갖고, 직사각형 감지 영역의 긴 치수가 회전축(56)에 대해 반경 방향으로 배향된다. 광원(102)은 광 비임(110)을 수용하는 감지 영역의 비율이 증가 또는 감소함에 따라 변하는 센서 신호를 생성한다.
웨이퍼 오프셋과 각도 배향을 나타내는 센서 신호는 증폭기(130)를 통해 웨이퍼 위치와 배향을 제어하는(도시되지 않은) 위치 제어기로 제공된다. 예컨대, 위치 제어기는 모터(54) 및 웨이퍼 로봇(26)을 제어할 수 있다.
웨이퍼 배향 센서(40)로부터의 센서 신호의 그래프가 도4에 시간의 함수로서 도시되어 있다. 웨이퍼가 (도2의) 축(56)에 대해 회전함에 따라, 센서 신호는 시간에 따라 변한다. 파동 형태(200)는 노치된 웨이퍼로부터의 센서 신호를 나타낸다. 파동 형태(200)의 거친 사인 곡선 형상은 회전축(56)에 대한 웨이퍼 중심(58)의 오프셋을 나타낸다. 회전축(56)에 대한 각도의 함수로서 파동 형태(200)의 진폭을 분석함으로써, 회전축(56)에 대한 오프셋의 X 및 Y 성분이 결정될 수 있다. (도3의) 기점 노치(120)는 파동 형태(200) 내에서 웨이퍼(12)의 각도 배향을 나타내는 스파이크(210)로 표시된다. 파동 형태(200)는 모터(54)의 출력 샤프트(52)에 장착된 샤프트 인코더를 사용함으로써 회전축(56)에 대한 웨이퍼(12)의 회전과 연관된다.
다시 도2를 참조하면, 웨이퍼 배향 센서(40)는 광원(100)과 광 센서(102) 사이에 위치된 광학 필터(120)를 포함한다. 배향 센서(40)는 광학 필터(120)가 없어도 실리콘 웨이퍼의 배향을 감지하도록 만족스럽게 작동한다. 그러나, 광학 필터(120)가 없이는 갈륨비소 웨이퍼의 배향을 감지하도록 만족스럽게 작동하지 않는다는 것이 발견되었다.
도2의 웨이퍼 배향 센서(40) 내의 광원(100)은 전형적으로 백열 램프이다. 도5를 참조하면, 백열 램프는 전형적으로 커브(310)로 표시된 폭넓은 출력 강도 스펙트럼을 갖는다. 커브(310)는 파장의 함수로서 광원(100)의 강도에 대해 나노미터로 표시된다. 도5의 커브(320)는 파장의 함수로서 갈륨비소 웨이퍼의 전형적인 광 투과 특성을 나타낸다. 갈륨비소 웨이퍼는 약 860 나노미터 이하의 파장에서 비교적 낮은 광 투과 특성을 갖고 약 860 나노미터 이상의 파장에서 상대적으로 높은 광 투과 특성을 갖는다는 것을 알 수 있다. 따라서, 갈륨비소 웨이퍼의 광 투과 특성(320)은 약 860 나노미터 이상의 파장에 통과 대역(320a)을 포함하고 약 860 나노미터 이하의 파장에 저지 대역(320b)을 포함한다. 통과 대역(320a)과 저지 대역(120b) 사이의 변이는 파장의 함수로서 재료의 특성에 따라 비교적 점진적이거나 비교적 급격할 수 있다는 것을 알 수 있다.
광원 스펙트럼(310)과 갈륨비소 광 투과 특성(320)의 비교는 광학 필터(120)가 없는 갈륨비소 웨이퍼에서의 배향 센서(40)의 기능 장애 결과를 나타낸다. 특히, 갈륨비소 웨이퍼의 통과 대역(320a, 약 860 나노미터 이상의 파장) 내에서 광원(100) 출력의 일부가 웨이퍼를 통해 광 센서(102)로 투과되는 것을 알 수 있다. 광원(100)으로부터의 광이 웨이퍼(12)를 통해 투과되기 때문에, 센서는 웨이퍼(12)의 존재와 부재를 구별하는 것이 불가능하게 되어 웨이퍼 에지(112)를 감지할 수 없게 된다. 대조적으로, 실리콘 웨이퍼는 광원(100)의 스펙트럼(310) 내에 통과 대역을 갖지 않고, 광 비임(110)은 실리콘 웨이퍼를 통해 투과되지 않는다.
도5에 도시된 바와 같이, 광학 필터(120)는 갈륨비소 웨이퍼의 저지 대역(320b) 내에 통과 대역(330a)을 포함하고 갈륨비소 웨이퍼의 통과 대역(320a) 내에 저지 대역(330b)을 포함하는 투과 특성을 갖도록 선택된다. 이는 갈륨비소 웨이퍼가 광을 차단하지 않을 때 갈륨비소 웨이퍼의 저지 대역(320b) 내에서 광원(100)에 의해 방출된 광이 광 센서(102)에 도달하는 것을 보장한다. 반대로, 갈륨비소 웨이퍼의 통과 대역(320a) 내에서 광원(100)에 의해 방출된 광은 광학 필터(120)에 의해 광 센서(102)에 도달되는 것이 차단된다. 갈륨비소 웨이퍼의 예에서, 광학 필터(120)는 바람직하게는 약 860 나노미터에서 차단하는 광 투과 특성을 갖는다. 즉, 필터는 약 860 나노미터보다 작은 파장의 광을 투과시키고 약 860 나노미터보다 큰 파장의 광을 차단한다. 따라서, 광 센서(102)에 의해 감지된 광은 웨이퍼(12)를 통해 투과된 광을 포함하지 않고, 센서 신호는 웨이퍼 에지(112)의 위치를 나타낸다. 다시 도2를 참조하면, 증폭기(130)의 입출력비(gain)는 광학 필터(120) 내의 광 감쇠로 야기된 센서 신호의 손실을 보상하도록 조절될 수 있다.
갈륨비소 웨이퍼를 감지하는 적절한 광학 필터 투과 특성의 예가 도6에 커브(410)로 표시되어 있다. 만족스러운 결과를 제공하는 실시예에서, 광학 필터(120)는 특성 DIN 58191을 갖는 스코트 모델(Schott Model) KG 1 이었다.
본 발명은 갈륨비소 웨이퍼의 경우에 대해 설명되었다. 특히 광학필터(120)의 투과 특성은 웨이퍼의 통과 대역 내의 광을 차단하고 광원의 방출 스펙트럼 내에 있지만 웨이퍼의 통과 대역 외측에 있는 광을 투과시키도록 선택된다. 이는 웨이퍼 배향 센서(40)가 신뢰성 있게 웨이퍼 에지(112)를 감지하는 것을 보장한다. 따라서, 다른 광학 필터 투과 특성이 다른 웨이퍼 재료 및 다른 광원용으로 사용될 수 있다.
도2에서는 광학 필터(120)가 웨이퍼(12)와 광원(102) 사이에 위치하는 것으로 도시되어 있다. 다르게는, 광학 필터(120)는 광원(100)과 웨이퍼(12) 사이에 위치될 수 있다. 일반적으로, 광학 필터(120)는 광원(100)과 광 센서(102) 사이에 위치된다. 그러나, 광학 필터(120)는 광원(100)에 의해 과도하게 가열되는 것을 피하도록 배치되어야 한다. 더욱이, 광원(100)과 광 센서(102)의 위치는 광원(100)이 웨이퍼(12)의 아래에 있고 광 센서(102)가 웨이퍼(12)의 위에 있도록 서로 바뀔 수 있다. 추가로, 광 비임(110)은 웨이퍼 에지(112)를 감지하도록 광원(100)과 광 센서(102)의 위치를 적절히 조정하면서, 90°가 아닌 각도로 위쪽 또는 아래쪽으로부터 웨이퍼 에지(112)로 지향될 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 배향기는 도1의 웨이퍼 반송 장치와 관련하여 설명되었다. 웨이퍼 배향기는 독립적으로 또는 웨이퍼 배향기를 필요로 하는 임의의 웨이퍼 반송 또는 처리 장치에 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 명세서에서는 본 발명의 양호한 실시예를 고려하여 도시되고 설명되었지만, 첨부된 청구항에 한정된 발명의 범위에서 벗어나지 않는 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자들에게 명백하다.

Claims (14)

  1. 통과 대역과 저지 대역을 포함하는 광 투과 특성을 갖는 웨이퍼용 웨이퍼 배향기이며,
    웨이퍼를 회전시키는 기구와 웨이퍼 배향기 센서를 포함하며,
    상기 웨이퍼 배향기 센서는 광을 방출하는 광원과,
    웨이퍼의 에지가 상기 광원과의 사이에서 회전됨에 따라 상기 광원에 의해 방출된 광을 감지하고 감지된 광을 나타내는 센서 신호를 생성하는 광 센서와,
    상기 광원과 광 센서 사이에 위치하며 웨이퍼의 통과 대역 내의 광이 차단되는 광 투과 특성을 갖는 광학 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배향기.
  2. 제1항에 있어서, 웨이퍼는 갈륨비소 웨이퍼이며, 상기 광학 필터는 약 860 나노미터보다 큰 파장의 광을 차단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배향기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 광원은 약 860 나노미터보다 큰 파장을 포함하는 광을 방출하는 백열 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배향기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광학 필터 내에 광 감쇠를 보상하도록 상기 센서 신호를 증폭시키는 증폭기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배향기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 센서 신호는 웨이퍼의 에지 상의 기점을 나타내는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배향기.
  6. 통과 대역과 저지 대역을 포함하는 광 투과 특성을 갖는 웨이퍼의 배향을 감지하는 방법이며,
    웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전 단계와,
    웨이퍼가 회전함에 따라 광원에 의해 방출된 광을 웨이퍼의 에지를 향해 지향하는 광 지향 단계와,
    웨이퍼의 에지가 상기 광원과 광 센서 사이에서 회전함에 따라 상기 광원에 의해 방출된 광을 광 센서로 감지하는 광 감지 단계와,
    웨이퍼의 통과 대역 내에 광이 상기 광 센서에 도달하는 것을 차단하는 광 차단 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 웨이퍼는 갈륨비소 웨이퍼이며, 상기 광 차단 단계는 약 860 나노미터보다 큰 파장의 광을 차단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 광 지향 단계는 약 860 나노미터보다 큰 파장을 포함하는 광을 방출하는 백열 램프로부터의 광을 지향하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 광 차단 단계 내에서의 광 감쇠를 보상하도록 상기 센서 신호를 증폭시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 센서 신호는 웨이퍼의 에지 상의 기점을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 갈륨비소 웨이퍼용 웨이퍼 배향기이며,
    웨이퍼를 회전시키는 기구와 웨이퍼 배향기 센서를 포함하며,
    상기 웨이퍼 배향기 센서는 광을 방출하는 광원과,
    웨이퍼의 에지가 상기 광원과의 사이에서 회전됨에 따라 상기 광원에 의해 방출된 광을 감지하고 감지된 광을 나타내는 센서 신호를 생성하는 광 센서와,
    상기 광원과 광 센서 사이에 위치하며 약 860 나노미터보다 큰 파장의 광이 차단되는 광 투과 특성을 갖는 광학 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배향기.
  12. 제11항에 있어서, 상기 광원은 약 860 나노미터보다 큰 파장을 포함하는 광을 방출하는 백열 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배향기.
  13. 제11항에 있어서, 상기 광원은 860 나노미터보다 크고 작은 파장의 광을 방출하고, 상기 광학 필터는 약 860 나노미터보다 작은 파장의 광을 투과시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배향기.
  14. 제11항에 있어서, 상기 센서 신호는 웨이퍼의 에지 상의 기점을 나타내는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배향기.
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