KR20020078582A - 투명도전막의 선택적 에칭액 조성물 - Google Patents

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KR20020078582A
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정지연
백귀종
이태형
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테크노세미켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 액정 표시장치 등의 제조 공정에서 미세패턴으로 형성된 투명도전막(ITO막)의 몰리브덴 또는 몰리브덴·텅스텐 합금에 대한 선택적 패턴에칭을 위해 사용되는 에칭액 조성물에 관한 것으로서, ITO막용 에칭액의 주성분이 염산(HCl)과 초산(CH3COOH)으로 구성되어 있는 수용액인 것을 특징으로 하며, 상기 에칭액은 염산(0.5-10 wt%) + 초산(0.5-10 wt%)과 잔여부분을 물(H2O)로 하는 조성비율로 구성된다.
이러한 본 발명은 미세패턴으로 형성된 ITO막의 패턴에칭을 위하여 적용할 경우 종래의 ITO막용 에칭액과는 달리 잔사 발생이나 몰리브덴 또는 몰레브덴·텅스텐합금의 에칭현상과 같은 문제점이 발생하지 않기 때문에 제조원가 절감과 공정수율을 향상시키는 효과를 가져오게 된다.

Description

투명도전막의 선택적 에칭액 조성물{Selective Etchant Formulation for ITO Film}
본 발명은 액정표시장치 등에 투명전극용 미세패턴으로 사용되는 산화인듐주석막 이하 ITO막으로 칭한다)인 투명도전막의 선택적 에칭액 조성물에 관한 것이다.
투명도전막은 트랜지스터 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널표시장치, 일렉트로 루미네센스 표시장치등 폭넓게 사용되고 있는 것으로서, 상기 표시장치에 투명전극을 형성하기 위해서는 미세패턴을 형성하는 에칭공정이 필요하다.
이때 사용되는 투명 전극막으로서는 ITO막이 사용되고 있으며, 상기 ITO막의 사용은 유리기판 위에 ITO막을 형성시킨 다음 포토레지스터를 마스크로서 도포한 후 ITO막을 에칭하게 되는 것으로 기존의 ITO막용 에칭액으로는 염산·질산혼합액(왕수), 염화제이철수용액, 요소산수용액, 인산수용액, 옥살산(수산)수용액등이 사용되고 있지만, 이러한 종래의 ITO막용 에칭액들은 다음과 같은 문제점을 내재하고 있다.
첫째, 염산·질산혼합액은 에칭속도는 크고 안정되어있지만, 액의 경시변화가 나타나는 점과 박막트랜지스터 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조 공정에서 게이트 전극으로 사용되고 있는 몰리브덴 또는 몰리브덴·텅스텐합금과 알루미늄 또는 알루미늄·네오디늄 합금을 에칭시키는 단점이 있다.
둘째, 염화제이철 수용액은 에칭속도는 크고 안정되어 있지만, 상대적으로 측면 에칭량이 크고 철의 오염을 유발시키는 단점이 있다.
셋째, 요소산수용액은 측면 에칭량이 적고 양호한 에칭특성을 가지지만, 액의 경시변화가 큰 단점이 있다.
넷째, 인산수용액은 게이트 전극으로 사용되는 몰리브덴 또는 몰리브덴·텅스텐합금과 알루미늄 또는 알루미늄·네오디늄 합금을 에칭시키는 단점이 있다.
다섯째, 옥살살(수산)수용액은 에칭특성이 안정되어 있고 액의 경시변화도 일어나지 않아 양호하지만 에칭시 잔사가 발생하기 쉬운 단점을 가지고 있다.
본 발명은 기존의 ITO막용 에칭액인 염산·질산혼합액(왕수), 염화제이철수용액, 요소산수용액, 인산수용액, 옥살산(수산)수용액 사용시 발생되는 측면 에칭현상, 경시변화현상, 에칭시 잔사 발생현상, 알루미늄 또는 알루미늄·네오디늄 합금과 몰리브덴 또는 몰리브덴·텅스텐합금의 금속막의 에칭현상등의 단점을 해결할수 있는 ITO막용 선택적 에칭액의 조성물을 제공하기 위한 것으로서 ITO막용 에칭액의 주성분이 염산과 초산과 물로 구성되어 있어 잔사 발생현상과 몰리브덴 또는 몰리브덴·텅스텐합금의 박막을 에칭시키는 현상을 제거하여 ITO막의 선택적 패턴에칭을 가능하게 한 것이다.
본 발명은 투명전극막인 ITO막을 패턴에칭 할 경우에 에칭시 잔사 발생이 없으며, 또한 전극재료로 주로 사용되는 몰리브덴 또는 몰리브덴·텅스텐 합금을 에칭시키지 않는 에칭 선택성을 가지도록한 ITO막용 수용성 에칭액이다.
이러한 본 발명의 ITO막 에칭액의 조성은 염산과 초산을 주성분으로한 수용액이며, 몰리브덴 또는 몰리브덴·텅스텐합금에 대한 에칭선택성과 에칭의 제 특성을 조정하기 위하여는 염산과 초산의 농도를 조정하여 사용한다.
본 발명의 ITO막용 에칭액의 바람직한 조성은 염산 (0.5-10 wt%) + 초산 (0.5-10 wt%)이 가장 적합하며 상기 에칭액의 조성중 잔여부분은 물로 구성된다.
본 발명의 ITO막용 에칭액은 박막트랜지스터 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널의 표시장치 등에서와 같이 미세패턴으로 형성된 ITO막의 패턴에칭을 위하여 적용할 경우 종래의 ITO막용 에칭액과는 달리 잔사 발생이나 몰리브덴 또는 몰레브덴·텅스텐합금의 에칭현상과 같은 문제점이 발생하지 않기 때문에 제조원가 절감과 공정수율을 향상시키는 효과를 가져오게 된다.

Claims (2)

  1. 박막트랜지스터 액정표시장치 및 플라즈마 디스플레이 패널표시장치를 포함한 미세패턴용 ITO전극을 형성시키기 위한 에칭액으로서, 염산 + 초산 + 물로 이루어 지고 몰리브덴 또는 몰리브덴·텅스텐합금에 대한 에칭현상이 없는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 선택적 에칭액 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 염산과 초산은 각각 0.5-10 wt% 의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 선택적 에칭액 조성물.
KR1020010018352A 2001-04-06 2001-04-06 투명도전막의 선택적 에칭액 조성물 KR20020078582A (ko)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980044186A (ko) * 1996-12-06 1998-09-05 구자홍 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR20010004016A (ko) * 1999-06-28 2001-01-15 김영환 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조방법
JP2002198616A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Fujitsu Quantum Devices Ltd 半導体装置の製造方法および光導波路の製造方法

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