KR20020073085A - Beveling wheel for processing outer circumference part of silicone wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 실리콘웨이퍼의 외주부를 가공하기 위한 베벨링휠에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the beveling wheel for processing the outer peripheral part of a silicon wafer.
실리콘웨이퍼 (이하, 웨이퍼라고 한다) 의 가공공정은, 실리콘잉곳을 외주 (外周) 칼 (刃) 블레이드나 컵형휠등으로 소정치수의 원주형상의 잉곳으로 성형하여, 이 원주형상 잉곳을 내주 (內周) 칼블레이드로 소정의 두께로 슬라이스하여 웨이퍼로 하고, 이 웨이퍼의 외주부를 베벨링휠로 모따기 연삭하며, 그 후에 웨이퍼면을 래핑 (lapping), 에칭, 폴리싱 (polishing) 하여 집적회로의 서브 슬레이트 (slate) 를 완성시킨다, 라고 하는 것이 기본적인 공정이다.In the process of processing a silicon wafer (hereinafter referred to as a wafer), a silicon ingot is formed into a circumferential ingot of a predetermined dimension by an outer circumferential blade blade or a cup wheel, and the circumferential ingot is formed in an inner circumference. (C) sliced to a predetermined thickness with a knife blade to form a wafer, and the outer circumference of the wafer is chamfered with a beveling wheel, and then the wafer surface is wrapped, etched and polished to subslate the integrated circuit. slate) is the basic process.
상기의 가공공정의 내에서, 웨이퍼의 외주부를 베벨링휠로 모따기 연삭하는 가공은, 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같은 베벨링휠을 사용하여, 도 4 에 나타내는 바와 같이 연삭가공이 행하여진다.In the above processing step, the machining of chamfering the outer peripheral portion of the wafer with the beveling wheel is performed using a beveling wheel as shown in FIGS. 2 and 3, as shown in FIG. 4.
도 2(a) 는 베벨링휠의 외관의 일례를 나타내는 사시도이고, (b) 는 외주부의 부분확대도이다. 휠 (100) 에는, 대금 (臺金:101) 의 외주부에 1조 또는 복수조의 홈을 형성한 지립층 (102) 이 고착되어 있다 (도 2(b) 는 복수조의 홈의 예를 도시한다). 대금 (101) 은 철제 또는 알루미늄 (3) 제의 원반형상대금이고, 지립층 (102) 은 다이아몬드지립과 메탈본드로 이루어지는 지립층이다.2 (a) is a perspective view showing an example of the appearance of the beveling wheel, and (b) is a partially enlarged view of the outer circumferential portion. The abrasive grain layer 102 which formed one set or several sets of groove | channels is fixed to the wheel 100 at the outer peripheral part of the price (Fig. 2 (b) shows the example of a plurality of sets of groove | channels)). . The price 101 is a disk-shaped price made of iron or aluminum (3), and the abrasive grain layer 102 is an abrasive grain layer composed of diamond abrasive grains and a metal bond.
도 3 은 베벨링휠의 지립층의 홈형상의 예를 도시하는 도이고, (a) 는 1조의 홈 (103a) 을 형성한 예, (b) 는 거친 (粗) 가공용의 홈 (103b) 과 마무리가공용의 홈 (103c) 을 각각 복수조 형성한 예, (c) 는 동일 홈 (103d) 을 복수조 형성한 예를 도시한다.3 is a diagram showing an example of the groove shape of the abrasive grain layer of the beveling wheel, (a) is an example in which a set of grooves 103a are formed, and (b) is a groove 103b for rough machining and finishing An example in which a plurality of sets of grooves 103c for processing are formed, and (c) shows an example in which a plurality of sets of the same grooves 103d are formed.
도 4(a) 는 웨이퍼 외주부의 연삭가공방법의 일례를 나타내는 도이고, (b) 는 가공 후의 웨이퍼의 외주부 형상을 나타내는 도이다. 웨이퍼의 가공공정에서, 웨이퍼가 절단된 채로의 상태에서는 외주부 단면의 에지부가 뾰족하게 되어 있어, 각 가공공정에서의 취급 작업시에 부서짐이 발생하기 쉽고, 이 부서진 칩에 의해 웨이퍼면이 오염되거나 상처나 크랙 등이 발생하기도 하여, 반도체장치의 제품수율의 저하를 초래하게 된다. 이 때문에, 웨이퍼의 외주부 단면의 에지부를 깎어내는 베벨링가공이 실시된다. 이 베벨링가공은, 도 4(a) 에 나타내듯이, 웨이퍼 (200) 를 진공척 (chuck:300) 에 의해 유지하여, 웨이퍼 (200) 와 휠 (100) 을 회전시켜, 도 4(b) 에 나타내는 바와 같은 형상으로 외주부를 연삭가공 한다.Fig. 4A is a diagram showing an example of a grinding method of the wafer outer peripheral portion, and Fig. 4B is a diagram showing the shape of the outer peripheral portion of the wafer after processing. In the wafer processing step, the edge portion of the outer circumferential end face becomes sharp in the state that the wafer is cut, so that breakage is likely to occur during handling in each processing step, and the chipped surface is contaminated or damaged by the broken chip. A crack or the like may also occur, resulting in a decrease in product yield of the semiconductor device. For this reason, the beveling process which cuts off the edge part of the outer peripheral part cross section of a wafer is performed. In this beveling process, as shown in Fig. 4 (a), the wafer 200 is held by a vacuum chuck 300, the wafer 200 and the wheel 100 are rotated, and Fig. 4 (b) is shown. The outer periphery is ground in the shape as shown.
상기한 바와 같은 웨이퍼 외주부 가공용의 베벨링휠에 있어서, 지립층을 형성하기 위한 결합재로서, 구리, 주석, 니켈, 아연, 철, 코발트, 텅스텐, 은 등의 금속분말과, 그 밖의 첨가물로 이루어지는 메탈본드가 사용되고 있다. 이들의 금속분말과 첨가물 및 지립의 혼합물을 금형등에 충전한 후, 700∼900℃에서 소결하는 것에 의해, 대금에 지립층을 고착시킨다.In the beveling wheel for processing the outer periphery of the wafer as described above, a metal bond composed of metal powders such as copper, tin, nickel, zinc, iron, cobalt, tungsten, and silver and other additives as a binder for forming the abrasive grain layer. Is being used. After a mixture of these metal powders, additives and abrasive grains is filled into a mold or the like, the abrasive grain layer is fixed to the charge by sintering at 700 to 900 占 폚.
한편, 반도체의 분야에 있어서는, 집적회로의 고집적화, 소형화, 고속화가 진행함에 따라서, 소재가 되는 웨이퍼에 대한 요구도 한층 더 엄격하게 되어, 가공표면의 미세화, 경면화가 진행되고 있다. 이러한 상황 하에서, 웨이퍼의 제조공정에 있어서의 중요한 문제로서 웨이퍼로의 금속오염 문제가 있다.On the other hand, in the field of semiconductors, as integration, miniaturization, and high speed of integrated circuits have progressed, the demand for wafers as raw materials has become more stringent, and the processing surface has become smaller and mirrored. Under these circumstances, there is a problem of metal contamination to the wafer as an important problem in the wafer manufacturing process.
최근의 웨이퍼에 대한 요구항목은 엄밀하고 또한 엄격하게 되고 있고, 금속오염에 관해서는, 중금속의 오염은 109atoms/cm2이하 인 것으로 되어 있다. 웨이퍼의 제조공정에 있어서 금속오염의 염려가 있는 공정으로서는, 실리콘 잉곳의 외주 연삭, 방위가공공정에 있어서의 연삭휠로부터의 금속오염, 슬라이싱공정에 있어서의 절단공구로부터의 금속오염, 폴리싱공정에 있어서의 폴리셔, 치공구류로부터의금속오염등을 생각할 수 있지만, 이들의 오염에 더하여 본 발명자 등은, 웨이퍼의 베벨링가공에 있어서의 베벨링휠로부터의 금속오염의 문제가 있는 것을 밝혀냈다.In recent years, the requirements for wafers have become strict and strict. As for metal contamination, heavy metal contamination is 10 9 atoms / cm 2 or less. In the wafer fabrication process, metal contamination may be caused by outer circumferential grinding of silicon ingots, metal contamination from the grinding wheel in the azimuth processing process, metal contamination from the cutting tool in the slicing process, and polishing process. Although it is possible to think of a polisher, metal contamination from the tool, etc., in addition to these contaminations, the present inventors have found that there is a problem of metal contamination from the beveling wheel in the beveling of wafers.
본 발명이 해결해야 할 과제는, 웨이퍼의 베벨링가공에 있어서의 베벨링휠로부터의 금속오염의 실체를 밝히고, 오염의 원인을 배제하여 고품질의 웨이퍼의 베벨링가공을 가능하게 하는 것에 있다.The problem to be solved by the present invention is to reveal the substance of metal contamination from the beveling wheel in the beveling of wafers, and to enable the beveling of high quality wafers by eliminating the cause of contamination.
도 1 은 본 발명의 실시형태에 있어서 베벨링휠을 나타내는 부분단면도이다.1 is a partial cross-sectional view showing a beveling wheel in an embodiment of the present invention.
도 2 는 베벨링휠의 전체형상의 예를 나타내는 도이다.2 is a diagram showing an example of the overall shape of the beveling wheel.
도 3 은 베벨링휠의 지립층의 홈 형태의 예를 나타내는 도이다.3 is a diagram showing an example of the groove shape of the abrasive layer of the beveling wheel.
도 4 는 베벨링휠에 의한 연삭가공의 예를 나타내는 도이다.It is a figure which shows the example of the grinding process by a beveling wheel.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1 대금 2 지립층1 price 2 abrasives
3 홈10 베벨링휠3 Groove 10 Beveling Wheel
베벨링휠로부터의 금속오염이란, 베벨링휠의 지립층 중의 어느 종류의 금속분말이, 베벨링가공 중에 지립층으로부터 웨이퍼로 확산하여 웨이퍼를 오염시키는 것이다. 본 발명자 등은, 메탈본드용의 금속분말로서 종래 사용되고 있는 구리, 주석, 니켈, 아연, 철, 코발트, 텅스텐, 은 등에서, 어느 금속이 웨이퍼에 확산하기 쉬운가에 관해서 연구조사한 결과, 구리, 니켈, 아연이 지립층으로부터 웨이퍼에 확산하기 쉽다는 것을 확인하였다. 본 발명은 이 지견에 근거하여, 결합재의 재료로서 이들의 확산하기 쉬운 금속분말을 배제함으로써, 베벨링휠로부터의 웨이퍼의 금속오염을 실질적으로 없게 할 수 있다.Metal contamination from the beveling wheel means that any kind of metal powder in the abrasive grain layer of the beveling wheel diffuses from the abrasive grain layer to the wafer during the beveling process to contaminate the wafer. The inventors of the present invention have investigated copper, tin, nickel, zinc, iron, cobalt, tungsten, silver and the like which are conventionally used as metal powders for metal bonds. It was confirmed that zinc is likely to diffuse from the abrasive grain layer to the wafer. Based on this finding, the present invention can substantially eliminate metal contamination of the wafer from the beveling wheel by excluding these prone metal powders as the binder material.
즉 본 발명은, 대금의 외주부에 1조 또는 복수조의 홈을 형성한 지립층이 고착된 베벨링휠의, 상기 지립층의 결합재가 메탈본드이고, 이 메탈본드중의 금속분말이 구리, 니켈, 아연 중의 어느 것도 포함하지 않는 금속분말인 실리콘웨이퍼 외주부 가공용 베벨링휠이다.That is, in the present invention, the bonding material of the abrasive layer is a metal bond of the beveling wheel in which the abrasive layer in which one or more sets of grooves are formed on the outer peripheral portion of the bill is fixed, and the metal powder in the metal bond is copper, nickel, zinc. It is a beveling wheel for processing silicon wafer outer periphery which is a metal powder which does not contain any of them.
웨이퍼의 베벨링가공 중에 지립층 중의 구리, 니켈, 아연이 웨이퍼에 확산하는 메카니즘의 해명은 이후의 연구에 기다리지 않으면 안되지만, 이들의 금속이 웨이퍼에 확산하기 쉬운 이유로서는, 이들의 금속원소는 전자배열적으로 Si 와 공유결합하기 쉽고, 또한 연삭시의 발열에 의해 내부확산이 촉진되는 것에 의한 다고 생각된다.An explanation of the mechanism by which copper, nickel, and zinc in the abrasive grains diffuse into the wafer during beveling of the wafer is required for further studies. However, as a reason for these metals to be easily diffused onto the wafer, these metal elements are arranged in electrons. In general, it is thought to be easily covalently bonded to Si and to promote internal diffusion due to heat generation during grinding.
구리, 니켈, 아연 이외의 금속에 관해서는, 본 발명자 등의 연구결과에서는 베벨링가공 중의 웨이퍼로의 확산은 대개 인정되지 않고, 메탈본드 중의 금속분말로서 구리, 니켈, 아연 중의 어느 것도 포함하지 않는 금속분말을 사용하는 것에 의해, 웨이퍼의 베벨링가공중에 지립층으로부터 웨이퍼에 금속이 확산하는 것을 방지할 수 있다.Regarding metals other than copper, nickel, and zinc, in the results of the inventors and the like, diffusion into the wafer during the beveling process is generally not recognized, and the metal powder in the metal bond does not contain any of copper, nickel, or zinc. By using the metal powder, it is possible to prevent the metal from diffusing from the abrasive grain layer to the wafer during the beveling of the wafer.
여기서, 본 발명의 베벨링휠의 메탈본드중의 금속분말을, 주석 또는 은 중의 어느 하나 또는 모두와, 코발트 또는 철의 중의 어느 하나 또는 모두로 이루어지는 것으로 하고, 항절 (抗折) 강도가 400∼800㎫이 되는 메탈본드로 하는 것이 바람직하다. 메탈본드 중에 있어서 주석분말 및 은분말은 성형성을 향상시키는 바인더로서의 기능을 갖고, 코발트분말 및 철분말은 지립의 유지력을 높이는 기능을 갖는다. 이들의 금속분말을 평균입경 10㎛ 이하, 바람직하게는 5㎛ 이하로 하는 것에 의해, 지립이 균일하게 분산한 미세조직을 얻을 수 있다. 메탈본드의 항절강도는, 400㎫ 미만이면 연삭시의 지립층 마모가 증가하여, 조기에 지립층의 형상붕괴가 발생하여 가공정밀도가 저하한다. 항절강도가 800㎫을 넘으면 잘림이 저하하여, 피가공물에 그을림, 칩핑이 발생한다.Here, the metal powder in the metal bond of the beveling wheel of this invention shall consist of either one or all of tin or silver, and one or all of cobalt and iron, and it is 400-800 in strength. It is preferable to set it as the metal bond used as MPa. In the metal bond, tin powder and silver powder have a function as a binder which improves moldability, and cobalt powder and iron powder have a function which raises the holding force of an abrasive grain. By making these metal powders into an average particle diameter of 10 micrometers or less, Preferably they are 5 micrometers or less, the microstructure which the abrasive grain disperse | distributed uniformly can be obtained. If the bond strength of the metal bond is less than 400 MPa, abrasive layer wear at the time of grinding increases, and shape collapse of an abrasive grain occurs early, and work precision falls. If the tensile strength exceeds 800 MPa, the cutting decreases, resulting in burning and chipping of the workpiece.
또한, 메탈본드 중의 금속조성을, 주석 또는 은 중의 어느 하나 또는 모두가 5∼40질량%, 코발트 또는 철 중의 어느 하나 또는 모두가 60∼95질량%의 비율로 하는 것이 바람직하다. 주석 또는 은의 비율이 5질량%보다 적으면 메탈본드가 딱딱해져 잘림이 저하하고, 40질량%를 넘으면 주석 또는 은의 유출이 발생하여 정상인 조직이 얻어지지 않게 되어, 메탈본드의 항절강도가 400㎫ 미만으로 된다. 코발트 또는 철의 비율이 60질량%보다 적으면 적정한 지립유지력이 얻어지지 않고, 95질량%을 넘으면 제조공정에 있어서의 소결온도가 높게 되어 지립을 열화시키고, 또한 메탈본드의 항절강도가 800㎫을 초과하게 된다.Moreover, it is preferable to make the metal composition in a metal bond into a ratio of 5-40 mass% in any one or all of tin or silver, and 60 or 95 mass% in any or all of cobalt or iron. If the ratio of tin or silver is less than 5% by mass, the metal bond becomes hard and the cutting is reduced. If it exceeds 40% by mass, the tin or silver outflows and a normal structure is not obtained, and the bond strength of the metal bond is 400 MPa. It becomes less than. If the proportion of cobalt or iron is less than 60% by mass, an appropriate abrasive holding force is not obtained. If the ratio of cobalt or iron is more than 95% by mass, the sintering temperature in the manufacturing process becomes high, resulting in deterioration of abrasive grains, and the bond strength of the metal bond is 800 MPa. Will be exceeded.
상기의 베벨링휠은, 종래와 동일한 제조방법, 즉, 금형을 사용하여 메탈본드를 결합재로 한 환형상의 지립층을 제조하고, 이 환형상의 지립층을 접착제를 통하여 대금에 고착하여, 방전가공에 의해 지립층에 1조 또는 복수조의 홈을 형성하는 제조방법에 의해서 제조할 수 있다.The beveling wheel described above is manufactured in the same manner as in the prior art, that is, an annular abrasive layer made of a metal bond as a binder using a mold, and the annular abrasive layer is adhered to the price through an adhesive and discharged. It can manufacture by the manufacturing method which forms one set or multiple sets of groove | channel in an abrasive grain layer.
실시형태Embodiment
도 1 은 본 발명의 실시형태에 있어서의 베벨링휠을 나타내는 부분단면도이다. 베벨링휠 (10) 은, 원반형상의 대금 (1) 과, 이 대금 (1) 의 외주부에 홈이 있는 지립층 (2) 을 고착한 것이다. 대금 (1) 은 알루미늄제로, 외경이 약 202mm, 외주부의 두께가 약 20mm 이다. 지립층 (2) 은, 입도 (粒度) #800이고 집중도 100 의 다이아몬드지립과 메탈본드로 이루어지며, 방전가공에 의해 1조의 홈 (3) 을 형성한 것이다. 본 실시형태에서는 도 1 에 나타내는 형상의 홈 (3) 을 형성하고 있지만, 지립층 및 홈의 형상은 전술의 도 3 에 나타낸 형상을 포함하여 각종의 형상으로 할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a partial sectional view which shows the beveling wheel in embodiment of this invention. The beveling wheel 10 adhere | attaches the disk-shaped price 1 and the abrasive grain layer 2 with a groove in the outer peripheral part of this price 1. The price 1 is made of aluminum, the outer diameter is about 202 mm, and the thickness of the outer peripheral part is about 20 mm. The abrasive grain layer 2 consists of diamond abrasive grains with a particle size of # 800 and a concentration of 100, and a metal bond, and forms one set of grooves 3 by electric discharge machining. Although the groove 3 of the shape shown in FIG. 1 is formed in this embodiment, it cannot be overemphasized that the shape of an abrasive grain layer and a groove can be made into various shapes including the shape shown in FIG. 3 mentioned above.
시험예 1Test Example 1
메탈본드의 금속조성을 코발트-주석계로 하여, 코발트와 주석의 비율을 바꾸어 도 1 에 나타낸 베벨링휠 (10) 의 지립층 (2) 에 상당하는 환형상의 지립층을 작성하여, 조직관찰 및 항절강도시험을 하였다. 표 1 에 금속조성과 시험결과를 나타낸다.Using the metal composition of the metal bond as the cobalt-tin system, an annular abrasive layer corresponding to the abrasive grain layer 2 of the beveling wheel 10 shown in FIG. Test was made. Table 1 shows the metal composition and test results.
시험예 2Test Example 2
메탈본드의 금속조성을 코발트-은계로 하여, 코발트와 은의 비율을 바꾸어 시험예 1 과 같은 환형상의 지립층을 작성하고, 조직관찰 및 항절강도시험을 하였다. 표 2 에 금속조성과 시험결과를 나타낸다.Using the metal composition of the metal bond as cobalt-silver system, the annular abrasive grain layer similar to the test example 1 was created by changing the ratio of cobalt and silver, and the structure observation and the tensile strength test were done. Table 2 shows the metal composition and test results.
표 l 및 표 2 로부터 알 수 있듯이, 코발트의 비율이 95질량%을 초과하면 소결온도가 높아져 지립을 열화시키고, 또한 메탈본드의 항절강도가 800㎫ 초과로 되는 것, 및, 주석 또는 은의 비율이 40질량%을 넘으면 주석 또는 은의 유출이 발생하여 정상인 조직이 얻어지지 않게 되는 것이 확인되었다.As can be seen from Table 1 and Table 2, when the proportion of cobalt exceeds 95 mass%, the sintering temperature is increased to deteriorate the abrasive grains, and the bond strength of the metal bond exceeds 800 MPa, and the ratio of tin or silver When it exceeds 40 mass%, it was confirmed that the outflow of tin or silver will generate | occur | produce and a normal structure will not be obtained.
시험예 3Test Example 3
시험예 1 및 시험예 2 에서 작성한 지립층 중의 일부의 지립층을 사용하여 베벨링휠을 작성하여, 웨이퍼의 단면가공시험을 하였다. 발명품 1∼3 은 메탈본드의 금속조성이 본 발명의 범위내에 있는 것이고, 비교품 1, 2 는 본 발명의 범위 외의 것이다. 종래품은 메탈본드의 금속조성이 구리-주석계의 것으로, 금속조성 이외의 조건은 발명품과 같다.The beveling wheel was created using the part of the abrasive grain layers created in Test Example 1 and Test Example 2, and the cross-sectional processing test of the wafer was carried out. Inventive products 1 to 3 are those in which the metal composition of the metal bond is within the scope of the present invention, and comparative products 1 and 2 are outside the scope of the present invention. Conventional products are those in which the metal composition of the metal bond is copper-tin, and the conditions other than the metal composition are the same as the invention.
가공조건Processing condition
휠주속: 1800 m/minWheel speed: 1800 m / min
노치 : 0.5mmNotch: 0.5mm
피가공물: 실리콘웨이퍼 외경 125mm, 두께 0.7mmWorkpiece: Silicon wafer outer diameter 125mm, thickness 0.7mm
피가공물 회전속도: lmin-1 Workpiece Speed: lmin -1
연삭액: 순수Grinding Fluid: Pure
시험결과를 표 3 에 나타낸다.The test results are shown in Table 3.
표 3 에 나타내듯이, 발명품 1∼3 은 종래품과 동일 정도이상의 가공매수가 얻어지며, 또한 금속오염의 발생은 발견되지 않았다. 비교품 1 은 지립의 열화 때문에 사용불능에 가깝고, 비교품 2 는 지립층의 조직불량 때문에 형상붕괴가 크고, 가공매수도 적었다. 종래품은 가공중에 메탈본드중의 Cu 가 웨이퍼에 확산하여 웨이퍼가 오염되는 것이 확인되었다.As shown in Table 3, the inventions 1 to 3 obtained the same number of processing as the conventional products or more, and no occurrence of metal contamination was found. Comparative product 1 was nearly unusable due to the deterioration of the abrasive grains, and comparative product 2 had a large shape collapse and a small number of processed sheets due to the poor structure of the abrasive layer. In the prior art, it has been confirmed that Cu in the metal bond diffuses into the wafer during processing and the wafer is contaminated.
실리콘웨이퍼 외주부 가공용 베벨링휠의 지립층의 결합재인 메탈본드의 금속분말로서 구리, 니켈, 아연의 어느 것도 포함하지 않는 금속분말을 사용하는 것에 의해, 웨이퍼의 외주부 가공시의 베벨링휠로부터의 금속오염을 실질적으로 없게 할수 있다.By using a metal powder that does not contain any of copper, nickel or zinc as the metal powder of the metal bond, which is a bonding material of the abrasive layer of the beveling wheel for processing the silicon wafer outer periphery, the metal contamination from the beveling wheel during the peripheral processing of the wafer is prevented. You can virtually eliminate it.
메탈본드중의 금속분말을, 주석 또는 은 중의 어느 하나 또는 모두와, 코발트 또는 철의 어느 하나 또는 모두로 이루어지고, 메탈본드의 항절강도가 400∼800㎫로 되도록 특정한 조성비율로 함으로써, 정상인 지립층 조직이 얻어짐과 동시에, 가공시에 지립층의 형상붕괴가 발생하는 일이 없고, 또한 피가공물에 그을림, 칩핑이 발생하는 일없이, 양호한 잘림과 가공정밀도가 얻어진다.The metal powder in the metal bond is made of any one or all of tin or silver and one or all of cobalt or iron, and the specific composition ratio is set such that the metal bond has a tensile strength of 400 to 800 MPa. The abrasive grain structure is obtained, and the shape of the abrasive grain layer is not generated at the time of processing, and the cutting and the processing precision are obtained without causing the workpiece to be burned or chipped.
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