KR20020029743A - 가스와 재료를 처리하기 위한 유도결합 링-플라즈마소스장치 및 그의 방법 - Google Patents

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제이. 마호니레오나드
에이. 로체그레고리
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로버트 엠. 포터
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Abstract

유체(20)에 의해 직접 냉각되는 중공 금속 하우징(1)의 폐쇄 경로 2차 플라즈마 전류(13)를 유도하도록 변성기(30)를 이용하는 새로운 유도 결합 플라즈마 소스 장치가 제공된다. 이 플라즈마 소스 장치는 고 전력 밀도를 필요로 하는 다양한 플라즈마 관련 처리를 제공하기 위한 화학적 활성 종, 전자 및 이온의 고 충전 입자 밀도 소스를 생성하는데 특히 유용하다. 중공 금속 진공 챔버(2)는 플라즈마 본체에 대한 직접 노출로부터 차폐된 유전 갭(16)에 의해 금속 진공 챔버 처리 챔버(5)에 결합되어 상기 챔버로부터 전기적으로 절연되어 있다. 넓고 다양한 재료, 표면 및 가스 처리 응용들에 대해 작용하는 금속 중공 챔버 및 처리 챔버 내에서 전자, 광양자 및 여기된 가스 종들이 발생된다. 또한, 본 발명에서는 단일 진공 처리 챔버 주위에서 여러 개의 중공 금속 진공 챔버 조립체들을 함께 조합하는 수단을 제공한다.

Description

가스와 재료를 처리하기 위한 유도결합 링-플라즈마 소스장치 및 그의 방법{Inductively coupled ring-plasma source apparatus for processing gases and materials and method thereof}
다양한 형태의 유도결합 플라즈마(inductively coupled plasma: ICP) 소스 또는 변성기 결합 플라즈마(transformer coupled plasma: TCP) 소스가 이들의 재료처리용 장치와 더불어 개시되어 있다. 이들 디바이스는 RF 전력에 의해 여기되는 진공 챔버 근처, 진공 챔버 주변 또는 진공 챔버내에 배치된 하나 이상의 유도 코일소자를 이용한다. 유도코일 주변의 전자계는 진공장치내에서 가스 플라즈마 방전을 유지하고 또 플라즈마내에서 RF 전자 드리프트(drift) 전류를 유도한다. RF 유도코일 이외에, 보조 직류 또는 교류 자계와 패러데이 차폐가 ICP 또는 TCP 장치에 부과되어 가스 플라즈마 방전의 RF 가열 또는 공간특성을 향상시킨다. 여러 가지참고문헌에 이러한 유도코일의 독특한 디자인 구체예, 고전압으로부터 정전 결합을 감소시키기 위해 코일상에 패러데이 차폐의 인가, ICP 소스에 대한 RF 결합과 임피던스 매칭수법, 및 플라즈마의 RF 전자 가열과 공간 균일성을 향상시키는 독특한 실시형태가 개시되어 있다.
유도코일이 진공에 침지되어 있지 않은 상기 예에서, RF계는 융기된(ridged) 유전체 진공벽을 통하여 플라즈마 방전에 결합된다. 다양한 ICP 소스에 의해 형성된 이러한 플라즈마 방전체는 재료처리 진공영역에 밀접하게 결합되어 표면처리, 재료 에칭, 스퍼터 퇴적, 화학증착 및 기타 관련된 진공중의 작업을 촉진시킬 수 있다. 다른 용도의 경우, ICP 소스를 원격으로 진공처리 시스템에 결합시키는 것에 의해 가열된 반응성 가스종을 생성한 다음 이것을 재료처리 진공 영역 또는 시스템으로 흘려보내어 에칭 또는 퇴적공정을 향상시키고 챔버와 진공부품 표면세정을 촉진시키는 것이 바람직하다. 후자의 용도의 경우는 수백 cm3/분(표준상태하)(sccm)의 높은 가스 유속 존재하의 ICP 소스 및 수백 밀리토르보다 큰 플라즈마 방전압력 진공압과 일반적으로 관련된 고 플라즈마 밀도 상태를 필요로할 수 있다.
이하의 참고문헌은 재료처리용으로 사용되는 유도결합 플라즈마 소스를 예시한다:
미국특허 4,065,369, 오가와 등, 1977년 12월 27일;
미국특허 4,368,092, 슈타인버그 등, 1983년 1월 11일;
미국특허 4,431,898호, 라인버그 등, 1984년 2월 14일;
미국특허 4,948,458호, 오글, 1990년 8월 14일;
미국특허 5,008,593호, 실리 등, 1991년 4월 16일;
미국특허 5,280,154호, 쿠오모 등, 1994년 1월 18일;
미국특허 5,397,962호, 모스레이, 1995년 3월 14일;
미국특허 5,534,231호, 켈러 등, 1996년 7월 9일.
다양한 용도에 적용하기 위한 유도결합 플라즈마를 생성하기 위한 종래기술에 따른 방법에는 몇가지 단점이 있었다. 특히, 플라즈마 방전체로부터 유도코일을 분리하기 위해 비-도전성 유전체(즉, 융합 석영, 유리, 알루미나, 사파이어, 질화 알루미늄, 또는 질화 붕소)벽을 사용하는 이들 소스는 유전체벽을 통하여 처리 플라즈마 방전까지 배치된 출력밀도의 범위(와트/cm3)를 제한할 수 있다. 이들 유전체 진공벽 재료는 RF계를 거쳐 진공 플라즈마 방전까지 통과한다. 이들은 반응성 플라즈마 방전 부생성물, 열적 기계적 탄성, 및 UV 투과 특성과의 화학적 적합성을 기초로하여 선별 이용될 수 있다. 그러나, 높은 압력과 출력밀도에서는, 이온과 전자의 충돌성, 양극성(ambipolar) 확산의 제한으로 인하여 진공 챔버내에서 플라즈마 방전의 공간적 수축을 초래하고, 또 흔히 유도코일 전류 전달 소자에 근접하게된다. 이러한 경우 가열된 플라즈마 방전 가스는 용이하게 열적 에너지를 상기 플라즈마 소스 주변에 배치된 유도 코일과 근접한 벽으로 전송한다. 플라즈마 가스로부터 편재된 열적 플럭스는 아주 고도로 편재되어 있으므로 플라즈마 방전은 열적으로 향상된 화학적 부식, 열적으로 유도된 기계적 응력, 또는 융합 석영 또는 유리의 경우 연화 및 용융에 의해 유전체 재료에 손상을 줄 수 있다. 더구나, 확산에 의한 플라즈마 본체의 공간적 수축으로 1차 유도 코일로부터 가스 플라즈마 방전까지 더 낮은 결합효율을 초래할 수 있다.
고 출력밀도 조건하에서 이들 유전체 재료를 적응시키기 위해서는, 강제 공기 냉각 또는 순환 액체 냉각제와 같은 유전체 진공벽과 직접적으로 또는 가깝게 접촉하고 있는 특수한 액체 냉각수단을 이용하여 플라즈마 장치로부터 폐열을 제거시킬 필요가 있다. 이러한 방식의 예는 쉴레 등에 의한 미국특허 5,008,593호, 홀버 등에 의한 미국특허 5,568,015호 및 샹 등에 의한 미국특허 5,892,328호에 기재되어 있다. 유전체 진공 플라즈마 방전벽상에 직접적으로 액체 냉각수단을 포함시키는 것은 소스의 디자인을 복잡하게하고 고가로 만들 수 있고 또 RF 또는 마이크로파 출력을 플라즈마에 결합시키는 효율을 감소시킬 수 있다. 또한 유전체 벽을 직접적으로 수 냉각시키는 것은, 기계적 또는 열적으로 쇼크를 받거나 냉각하에 있으면 유전체벽이 균열되거나 손상될 수 있어 공기나 물이 진공중의 공정에 용이하게 누출될 수 있기 때문에 높은 작업상 위험을 초래할 수 있다.
어떤 경우에는, 작업자가 실질적으로 낮은 플라즈마 밀도, 용량결합 상태인 ICP 플라즈마 방전장치를 동작시키는 것에 의해 고압 및 전력에서 고출력 밀도 유도결합 상태와 관련된 문제를 피할 수 있다. 이러한 낮은 플라즈마 밀도상태에서, 플라즈마 방전은 유도코일상에서 RF 전류와 관련된 유도 전계를 통해서라기 보다 는 유도코일상의 RF 전압으로부터 공간적으로 분포된 준-정적 전계를 통하여 시스(sheath) 전자 가열에 의해 구동된다. 불행히도, 통상의 ICP 소스의 용량결합 상태는 ICP 소스의 유도결합 상태로부터 요망되는 것과 같은 높은 여기, 이온화 및 분자 해리 수준을 지지하지 못한다.
대부분의 기존의 ICP 및 TCP 소스는 이하에 기재한 이유로 인하여 작업 규모, 출력범위 및 압력범위면에서 제한되고 있다:
1. 고 출력밀도, 화학적 반응성 및 자외선 발광 플라즈마 용도로 사용될 때 유전체 진공벽 재료와 이들의 통상의 열적 기계적 구속의 과도한 사용;
2. 유도코일과 플라즈마 방전체 사이의 공간적 디자인 제약으로 인한 비-침지 코일 ICP 소스 디자인에서 낮은 결합 효율(전형적으로 <0.5);
3. 높은 출력밀도 용도에서 냉각 유전체 진공벽, 진공 밀봉, 진공출력 피드스루(feedthrough) 및 유도코일 소자에서의 구속;
4. 유도코일 소자에 의해 구동되는 것과 같은 코일상 및 플라즈마내에서 RF 준-정전계 및 높은 교류 전압 스탠드오프(standoff) 비율을 갖는 액체냉각수단과 패러데이 차폐에 대한 필요성.
본 발명의 배경기술과 관련된 것으로 도전성 가스 플라즈마 방전이 페라이트 코어 주변을 단권 2차권선으로 작용하도록 페라이트 변성기 코어를 이용하여 유도결합 플라즈마 방전을 생성하는 다른 수단을 들 수 있다. 이 방법은 앤더슨에 의한 미국특허 3,500,118호, 미국특허 3,987,334호 및 미국특허 4,180,763호에서 조명장치에 대해 기재되어 있고 또 라인버그 등에 의한 미국특허 4,431,898호에서 플라즈마 레지스트 스트립 용도에 대해 기재하고 있다. 이들 참고문헌은 밀폐된 통로, 위상적으로 환상의 유전체 진공 챔버 또는 챔버 구체예 주변에 배치된 하나 이상의 페라이트 코어가 어떻게 RF 주파수에서 구동되어 위상적으로 관상형 전계를 유도하고 그에 의해 챔버내에 환상의 가스 플라즈마 방전을 유도하는가를 기재하고 있다.이 장치에서 플라즈마 방전은 양호한 결합 효율을 갖는 단권 2차전류 연결된 페라이트 코어로 작용한다. 플라즈마에서 유도된 전자 드리프트(drift) 전류는 진공 챔버에 의해 규정되거나 또는 진공 챔버와 통하는 위상기하학적으로 환상 부피의 폐쇄 경로를 따라 흐른다. 그러나, 이러한 디바이스의 예에 사용된 재료는 유전체이다(즉, 융합 석영, 파이렉스, 비-도전성 유리, 알루미나, 사파이어, 질화붕소, 세라믹 또는 내열성 플라스틱 재료). 상술한 열적 관리 이유로 인하여, 이들 유전체 재료 및 진공벽은 진공 챔버 또는 기타 처리 챔버를 통하여 화학적으로 반응성인 처리 가스(예컨대 플루오르-함유 가스)를 흘려보낼 때 아주 높은 출력밀도를 적용하는 용도에는 적합하지 않다.
기존의 참고문헌으로부터 논의된 것은 환상의 변성기 결합된 수단을 이용하는 장치가 어떻게 그 소자의 효과적인 열적 관리를 필요로하는 처리를 촉진시키도록 적응될 수 있는가에 대해 전혀 시사하고 있지 않다. 예컨대 어떤 사람이 플라즈마 챔버를 통하여 개구 주변에 연속적인 개방 통로를 규정하기 위한 관 수단으로 수 냉각된 도전성 금속을 사용하는 것에 의해 라인버그 등에 의한 미국특허 4,431,898호에 기재된 발명을 변경하려는 경우, 상기 디바이스는 작동하지 않을 것이다. 라인버그 등에 의해 기재된 바와 같이 전류를 도전성 금속체에 결합시키면 진공 챔버내에는 플라즈마가 형성되지 않을 것이다.
본 발명은 유도결합 RF 출력수단을 이용하여 거의 모든 금속, 액체 냉각된 진공 챔버내에서 고출력 밀도의 가스성 플라즈마 방전을 생성하기 위한 플라즈마 소스장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은 특히 재료를 처리하기 위한 화학적으로 불활성 또는 반응성인 작업가스를 사용하여 이온과 전자의 고하전 입자 밀도 소스를 생성하는데 특히 유용하다.
도 1은 단일 변성기 코어, 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버, 진공처리 챔버 및 구체 예를 이용한 유도결합 플라즈마 소스장치를 나타낸 사시도,
도 2는 중공 진공 챔버에 의해 구동되는 순환 플라즈마 전류가 병렬로 전기적으로 동작되는 멀티플 변성기 코어 및 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버와 구체예를 이용한 유도결합 플라즈마 소스장치를 나타낸 사시도,
도 3은 중공 진공 챔버를 통하여 구동되는 연속적 순환 플라즈마 전류가 직렬로 전기적으로 동작되는 멀티플 변성기 코어 및 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버와 구체 예를 이용하는 유도결합 플라즈마 소스장치를 나타낸 사시도,
도 4는 중공 진공 챔버에 의해 구동되는 연속상 순환 플라즈마 전류가 배치되어 하나 이상의 기판의 멀티플 측면을 처리하도록 동작되는 멀티플 변성기 코어와 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버를 이용하는 유도 결합 플라즈마 소스 장치를 나타낸 사시도,
도 5는 하나 이상의 공통 진공 처리 챔버 내에서 연속적인 순환 플라즈마 전류를 형성하기 위한 멀티플 변성기 코어와 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버를 이용하는 유도결합 플라즈마 소스장치를 나타낸 사시도,
도 6a는 일렬로 배치되고 직렬로 전기적으로 구동되어 보드 표면 면적을 처리하기 위한 연속적 순환 플라즈마 전류를 형성하는 멀티플 변성기 코어와 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버를 이용하는 유도결합 플라즈마 소스 장치를 나타낸 사시도,
도 6b는 일렬로 배치되고 전기적으로 병렬로 구동되어 보드 표면 면적을 처리하기 위한 연속적 순환 플라즈마 전류를 형성하는 멀티플 변성기 코어와 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버를 이용하는 유도결합 플라즈마 소스 장치를 나타낸 사시도,
도 7은 제너레이터, 임피던스 네트워크, 유도 회로 및 스타터 회로를 비롯한 멀티플 변성기 코어 및 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버를 이용하는 유도결합 플라즈마 소스장치에 전력을 공급하기 위한 교류 전기 회로를 나타낸 회로도,
도 8a는 하나 이상의 교류 전력소스 및 독립적인 유도결합 플라즈마 방전전류와 함께 직렬로 전기적으로 구동되는 유도결합 플라즈마 소스장치 변성기 코어와 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버에 전력을 공급하기 위한 교류 전기 회로를 나타낸 회로도,
도 8b는 하나 이상의 교류 전력소스 및 상호결합 플라즈마 방전전류와 함께 병렬로 전기적으로 구동되는 유도결합 플라즈마 소스장치 변성기 코어와 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버에 전력을 공급하기 위한 교류 전기 회로를 나타낸 회로도,
도 9a는 별도의 비동기적으로 또는 동기적으로 제어되는 제너레이터와 임피던스 네트워크와 함께 병렬로 전기적으로 구동되는 멀티플 변성기 코어 및 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버를 이용한 유도결합 플라즈마 소스장치에 전력을 공급하기 위한 교류 전기회로를 나타낸 회로도,
도 9b는 독립적인 임피던스 네트워크를 갖는 공통 제너레이터와 함께 병렬로 전기적으로 구동되는 멀티플 변성기 코어 및 유체 냉각 중공 금속 진공 챔버를 이용하는 유도결합 플라즈마 소스장치에 전력을 공급하기 위한 교류 전기회로를 나타낸 회로도, 및
도 9c는 공통 임피던스 네트워크를 갖는 공통 제너레이터와 함께 병렬로 전기적으로 구동되는 멀티플 변성기 코어 및 유체 냉각된 중공 금속 진공 챔버를 이용하는 유도결합 플라즈마 소스장치에 전력을 공급하기 위한 교류 전기회로를 나타낸 회로도이다.
본 발명의 목적은 재료처리용으로 이용될 수 있고 또 (1) 유전체 진공벽에 의해 플라즈마 방전으로부터 분리되거나 또는 (2) 진공 플라즈마 방전내에 침지된1차 유도코일 소자의 사용을 원칙으로 하지않는 유도 결합 플라즈마 소스 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 액체에 의해 직접적으로 냉각될 수 있는 진공 경계에 의해 주로 둘러싸인 플라즈마 방전체내의 1차 유도코일과 유도된 2차 플라즈마 전류 사이에 높은 결합 계수를 갖는 유도결합 플라즈마 소스를 제공하는 것이다. 상기 진공 경계는 고 출력밀도의 플라즈마 환경의 반응성 처리가스와 화학적으로 적응할 수 있도록 선택하고 고안될 수 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 광범위한 진공압력, 출력밀도, 화학 및 RF 주파수에 걸쳐 안정적으로 또 연속적으로 동작될 수 있도록 효과적으로 냉각될 수 있는 비례 축척 가능한 유도 결합 플라즈마 소스장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면 유도결합 플라즈마 소스장치와 방법이 제공된다. 이 장치는 액체 냉각된 중공 금속 진공 챔버에 의해 둘러싸인 플라즈마 본체 내에 폐쇄 경로 전자 RF 전자 드리프트 전류를 유도하기 위해 하나 이상의 페라이트 변성기 코어를 이용한다. 상기 중공 금속 진공 챔버는 플라즈마 본체와의 직접적 노출로부터 잘 차폐된 2개 이상의 개구와 유전체 갭(gap)에 의해 금속 진공 처리 챔버에 결합되거나 전기적으로 절연된다. 이러한 방법에 의해, 모든 금속 중공 진공 챔버 코어내에서 가스성 플라즈마 방전이 폐쇄 경로 RF 전류가 상기 금속 진공 처리 챔버까지 연장되어 상기 금속 진공 처리 챔버내에 확산성 플라즈마를 형성하도록 구동된다. 전자, 광양자 및 여기 가스 종은 다양한 유형의 재료, 표면 및 가스 처리용으로 작용하는 금속 중공 챔버와 처리 챔버내에 생성된다. 이 플라즈마 소스 장치는 높은 출력밀도를 요할 수 있는 다양한 플라즈마 관련 처리로 작용하기 위한 이온,전자 및 화학적 활성 종의 고 충전된 입자 밀도 소스를 생성하는데 특히 유용하다.
상기 중공금속 진공 챔버는 플라즈마 방전을 기초로 한 처리로부터 폐열을 제거하기 위해 액체 냉각된다. 상기 중공 금속 진공 챔버 또는 진공 처리챔버내에는 가스를 전기적으로 차단하고 플라즈마를 점화시키기 위해 충분한 강도의 전계를 형성할 수 있는 정전소자가 제공된다.
본 발명은 몇 개의 중공 금속 진공 챔버 어셈블리를 단일 진공 처리 챔버 부근에 그룹화하거나 조합하여 전력, 플라즈마 밀도, 대형 면적에 스케일링하기 위한 공간 플라즈마 형성과 분포, 및 여기된 플라즈마 화학과 공간 분산과 관련된 소망하는 플라즈마 특성을 달성하는 것을 개시하고 있다.
본 발명은 고 출력밀도 및 고 충전 입자 밀도 가스성 방전을 생성하기 위한 플라즈마 소스 장치 및 재료의 에칭, 퇴적 및 표면처리(이들에 한정되지 않음)를 포함한 처리방법에 관한 것이다. 상기 장치는 양쪽 단부에서 개방된 중공 금속 진공 챔버에 의해 거의 충분하게 둘러싸인 플라즈마 방전체에 교류 전력을 유도결합하기 위해 하나 이상의 페라이트 변성기 코어를 사용한다. 상기 중공 금속 진공 챔버는 유전성 절연체 또는 갭에 의해 1차 진공 처리챔버 또는 영역과 통소하고 있다. 교류 전류를 상기 변성기 코어의 1차 권선에 인가하여 중공 금속 진공 챔버, 유전성 절연체 및 진공 처리 챔버에 의해 둘러싸인 진공 영역내에 폐쇄 경로 플라즈마 전자 드리프트 전류를 형성한다.
상술한 내용을 고려할 때, 도 1은 본 발명의 기본적 소자를 도시한다. 상기 장치는 양쪽 단부에서 각각 개방된 중공 금속 중공 금속 진공 챔버(1)를 포함한다. 상기 중공 진공 챔버는 양쪽 단부에서 유전성 절연체(3)와 압축 진공 밀봉재에 의해 금속 진공 처리 챔버(2)에 결합된다. 상기 진공 처리 챔버(2)는 진공 포트(6)를 통하여 펌핑되는 진공처리영역(5)을 둘러싸고 있다. 냉각된 물과 같은 냉각액(8)이 흘러가도록 하는 채널(7)은 중공금속 진공 챔버(1)를 냉각시킨다. 상기 액체 냉각 채널(7)은 변성기 코어를 통과할 필요가 없다. 상기 중공 금속 진공 챔버 주변에는 몇 개의 냉각통로가 이용될 수 있다. 공기 코어 또는 페라이트 변성기 코어(9)가 상기 진공 챔버 주변을 둘러싸서 전자기 에너지를 진공 챔버 본체에 부여할 수 있다. 1차 권선(10)은 페라이트 코어 주위를 둘러싸며 또 교류 전력 소스(11)를 인가하여 1차 권선 상에 전류(12)를 흐르게 한다. 상기 진공 챔버 내에 가스 플라즈마 방전 존재 하에서, 폐쇄 경로 교류 전자 드리프트 전류 분포(13)는 변성기(9)에 대한 2차 전류로서 유도된다. 유도된 전자 전류는 상기 진공 처리 영역(5)내에서 가스 플라즈마 방전을 유지한다. 중공금속 진공 챔버(1)와 함께, 진공 처리 챔버(2)는 추가의 냉각 채널(20)에 의해 액체 냉각되어 열적 에너지를 시스템의 벽으로부터 제거할 수 있다.
작업 가스는 진공 챔버(1)와 통하는 유입 가스포트(14)에 의해 또 다르게는 가스 분포 링(16) 및 진공 챔버(2)와 통하는 유입 포트(15)에 의해 장치에 도입될 수 있다. 이들 작업 가스는 플라즈마 방전에 의해 여기되며 작업편(18)이 탑재된 작업편 홀더(17)로 확산된다. 상기 홀더(17)는 경우에 따라 전기적으로 바이어스(직류 또는 RF)되어 작업편(18)을 에칭, 퇴적 또는 표면처리하기 위한 통상의 플라즈마 보조 처리 방법으로 작용한다.
많은 유도결합 플라즈마 소스 디바이스를 이용함으로써, 유도된 전자기 계는 작업가스를 초기에 파괴시키거나 또는 플라즈마 방전을 점화시킬 만큼 충분히 강하지 않다. 상기 전기적 파괴 또는 점화는 부분적 진공에서 작업가스와 통하는 높은 강도의 정전 또는 준-정전 전계에 의해 전형적으로 개시된다. 상기 장치에서, 플라즈마 방전은 전기적으로 분리시키는 갭(19)에서 중공금속 진공 챔버(1)와 진공 챔버(2) 사이에 구동될 수 있는 준-정전 전계에 의해 점화될 수 있다. 교류 전력이 인가되면, 1차 권선(10)과 중공금속 진공 챔버(1) 사이의 누출 커패시턴스는 교류 전압을 금속 진공 챔버 상에 결합시키기 위해 사용될 수 있다. 갭 간극이 특히 평균 폭을 의미하면, 갭 내에서 초래될 수 있는 높은 강도의 전계는 플라즈마 방전을 점화시킬 수 있으므로 각 갭 근처에서 국부적인 RF 발광 방전을 생성한다.
다르게는, 진공 전기 공급로(31)를 통하여 부착된 용량 전극(30)은 용량 접속부(32)를 통하여 교류 전력 소스에 전력을 공급할 수 있다. 상기 전극(30)은 접지된 챔버(2)와 아주 근접하게 배치된다. 높은 교류 전압과 전류가 1차 권선(10)에인가되면, 비교적 높은 전압이 내부전극(30)에 인가된다. 충분한 백그라운드 챔버압력으로 인하여, 내부전극(30)과 챔버(2) 사이에 유지되는 아주 효과적인 전계가 플라즈마 방전 점화를 위해 사용될 수 있다. 플라즈마 방전을 점화하는데 필요한 높은 피크 전압을 유지하면서 전극(30)에 배치된 시간평균 준-정전 전위, 전류 및 전력을 감소시키기 위하여 (10)과 (32) 사이에 펄스화 저 커패시턴스 스위치를 배치시킬 수 있다. 플라즈마 방전 점화를 확실히 하는데 필요한 전극(30)의 피크 전위를 감소시키거나 또는 촉진시키기 위해 추가적인 소자를 혼입시킬 수 있다.
플라즈마 방전이 점화된 직후, 금속 진공 챔버 내에 유도된 전자기계는 다른 유도결합 플라즈마 소스 디바이스에서 발견되는 폐쇄 경로 교류 전자 드리프트 전류와 유사하게 폐쇄 경로 교류 전자 드리프트 전류(13)를 구동할 수 있다. 이와 같이, 상기 디바이스는 고출력 밀도 무전극 플라즈마를 유지할 수 있다. 다른 유도결합 플라즈마 소스와 마찬가지로, 2개 모드의 작업을 구별할 수 있어야한다:
(1) 비교적 낮은 출력밀도, 용량 결합계와 관련된 낮은 충전입자 밀도 모드 및 플라즈마 시스(sheath) 경계를 교차하는 높은 교류 전압, 및
(2) 비교적 높은 출력밀도, 유도결합계와 관련된 높은 충전입자 밀도 모드, 및 벌크 플라즈마 방전체를 통과하는 폐쇄 경로 순환 교류 전류.
더 낮은 출력밀도 모드는 중공 진공 챔버(1)의 개구를 통하여 흐르는 전형적으로 약 수백 밀리암페어의 약한 교류 플라즈마 방전전류(13)를 특징으로 한다. 이들 약한 전류는 챔버(1)과 (2)의 별도의 도전성 경계 사이에 유도된 준-정적 전계에 의해 구동된다. 대조적으로, 더 높은 출력밀도 모드는 진공 챔버(1)의 개구를통하여 흐르는 전형적으로 수 암페어 내지 수십 암페어의 플라즈마 방전전류(13)를 특징으로 한다. 작업가스의 성질, 압력범위 및 유입가스 유량의 배치에 따라서, 모드(1)과 (2) 사이의 전이는 플라즈마 방전 전류 크기의 불연속적 변화로서 나타날 수 있거나, 또는 플라즈마 방전 전류 크기에서 거의 연속적인 변화로서 나타날 수 있다. 전형적으로 높은 출력밀도 모드를 유지하기 위하여 플라즈마 방전시 낮은 출력밀도 모드를 통하여 즉시 전이하는 것이 바람직하다.
도 2는 별도의 1차 전류소스(12a,12b)와 병렬로 전력 공급되는 멀티플 중공 금속 진공 챔버(1a,1b)와 결합된 2개 이상의 변성기가 어떻게 진공 플라즈마 방전영역(5)내의 멀티플 유도된 전자 드리프트 전류(13a,13b)를 지지하도록 공급되는가를 나타낸다. 플라즈마 전위, 충전 입자 밀도, 여기된 종 농도와 같은 플라즈마 방전의 공간적 특성은 진공 플라즈마 방전영역(5)내의 멀티플 교류 드리프트 전류 분포를 전략적인 공간 배치, 비례 축척화 및 동작에 의해 조절될 수 있다. 도시된 원리는 멀티플 중공진공 챔버가 어떻게 함께 동작하여 공통 플라즈마 방전 처리영역을 공유하는 별도의 플라즈마 방전전류에 전력을 공급하는가를 나타낸다.
도 3은 단일 1차 전류 소스(12)와 직렬로 전력 공급되는 멀티플 중공 금속 진공 챔버(1a,1b)와 결합된 2개 이상의 변성기가 어떻게 진공 플라즈마 방전영역(5)내의 단일 전자 드리프트 전류(13)를 지지하도록 공급되는가를 나타낸다. 도시된 원리는 멀티플 중공 진공 챔버가 어떻게 함께 작용하여 공유된 플라즈마 방전 처리영역내의 공통 플라즈마 방전 전류 경로에 전력을 공급하는가를 나타낸다.
도 4는 교류 전력소스(11a,11b)에 의해 병렬로 전력 공급되는 멀티플 중공 금속 진공 챔버(1a,1b)와 결합된 2개 이상의 변성기가 어떻게 사용되어 단일 작업편(18)의 2측 이상을 처리하는지 또는 다수 작업편(18a,18b)이 탑재될 때 하나 이상의 작업편 홀더(17)에서 2차 측을 처리하는지를 나타낸다. 전력 소스(11a,11b)는 교류 전력 공급 회로 위상 또는 방법의 공정상 필요성과 경제성에 의해 나타낸 바와 같이 상호적으로 또는 배타적으로 동작할 수 있다.
일부 처리 용도에서, 처리가스의 특성 또는 조성을 화학적으로 활성화시키거나 변화시키기 위하여 고출력밀도 플라즈마를 사용하는 것이 바람직하다. 이들 화학적으로 활성화된 가스성 물질은 1차 진공 처리 챔버 또는 시스템으로 수송될 수 있다. 우리는 이들 용도를 "원격(remote) 플라즈마 소스 진공 처리"로 칭한다. 이러한 처리의 일부 예는 1) 원격 챔버 세정, 2) 중합체 유사 표면의 원격 챔버 애싱, 3) 하류 포어라인(foreline) 세정 및 4) 진공 포어라인 내의 후-처리 가스 제거. 이들 용도의 다수는 고속의 전기음성 플라즈마 방전가스(즉, O2,NF3,SF6) 및 비교적 높은 진공 압력을 포함하므로, 공급 가스의 높은 해리 또는 전환을 달성하기 위하여 높은 출력밀도를 요한다. 본 발명은 높은 전력이 인가될 때 상기 장치의 액체 냉각된 벽이 처리 진공 챔버로부터 폐열을 제거할 수 있기 때문에 이들 장치에 잘 적응된다. 더구나, 본 발명의 플라즈마 본체는 중공금속 진공 챔버와 처리 진공 챔버의 전체 부피를 채울 수 있다. 이것은 원통형 플라즈마 방전 공동내의 코일의 기하학적 구속과 자연적인 양극성(ambipolar) 확산으로 인하여 고 진공압력 플라즈마 방전(>1 토르)이 비교적 저부피로 수축되는 통상의 ICP 소스와 대조적이다. 이와 같이 본 발명에서 유동성 분자가스는 통상의 ICP 소스와 비교할 때 플라즈마 본체 내에서 비교적 높은 체류 시간을 갖는다. 따라서, 원칙적으로, 통상의 ICP 소스와 비교할 때 본 발명의 유도 결합된 플라즈마내의 주어진 전력수준에서 가스성 재료가 비교적 높은 해리와 전환수준을 달성하기 쉽다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 원리가 어떻게 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리용 가스성 재료를 화학적으로 활성화시키기 위하여 사용될 수 있는가를 도시한다. 상기 구체예에서, 최종 생성물은 처리 작업편이 아니라 앞서 언급한 원격 플라즈마 소스 진공 처리 장치용 플라즈마에 의해 처리 챔버에서 생성된 화학적으로 활성인 가스성 재료이다. 이러한 적응에서, 하나 이상의 중공 금속 진공 챔버(1a,1b)는 도 5a에 도시한 바와 같이 단일의 유체 냉각 포어라인 진공 챔버(2) 근처에 대칭으로 배치되거나, 또는 도 5b에 도시한 바와 같이 멀티플 공통 진공 챔버(2a, 2b)를 공유할 수 있다.
도 5a에 도시한 바와 같은 공통 처리 진공 챔버를 사용할 때, 작업 가스 및/또는 후처리 가스(33)는 중공 금속 진공 챔버(1a,1b)에 제공된 하나 이상의 입구 포트(34)와 보조 가스 공급구(7a,7b)를 통하여 소스에 진입한다. 상기 작업가스는 중공금속 진공 챔버(1a,1b)와 처리 진공 챔버(2)를 통하여 대칭적으로 흐른 다음 모아져서 배출포트(6)에서 배출된다. 중공금속 진공 챔버(1a,1b)는 공통 진공 챔버(2)내에서 구조적으로 조합되어 플라즈마 방전 드리프트 전류(13a,13b)를 형성한다. 이렇게 하여, 멀티플 중공 금속 진공 챔버는 가스성 재료를 화학적으로 활성화시키기 위해 비교적 높은 진공압력(>1 토르)에서 매우 높은 밀도의 플라즈마 상태를 달성하도록 공통 진공 챔버(2)내의 출력밀도를 구성적으로 향상시키도록 전력 공급될 수 있다.
다르게는, 도 5b에 도시된 바와 같이 중공 금속 진공 챔버(1a,1b)와 처리 진공 챔버(2a)를 통하여 처리 가스의 흐름을 조정하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 경우 작업가스 및/또는 후 처리 가스(33)는 입구 진공 챔버(2a)의 하나 이상의 입구 포트(34) 및 중공 금속 진공 챔버(1a,1b)내의 보조가스 공급구(7a,7b)를 통하여 소스로 진입한다. 상기 작업가스는 중공금속 진공 챔버(1a,1b)를 통하여 대칭적으로 흘러 들어간 다음 배출포트(6)에 접속된 배출 진공 챔버(2b)에 모아진다. 상기 중공 금속 진공 챔버를 사용하여 직렬로 된 상기 중공 금속 진공 챔버와 단부 진공 챔버를 통하여 순환하는 공통 플라즈마 방전 드리프트 전류(13)를 형성한다. 이렇게 하여, 멀티플 중공금속 진공 챔버는 가스상 재료를 화학적으로 활성화시키기 위해 비교적 높은 진공압력(>1 토르)에서 매우 높은 밀도의 플라즈마 상태를 달성하도록 중공 금속 진공 챔버와 단부 진공 챔버 어셈블리 내에서 출력밀도를 구조적으로 향상시킬 수 있다. 도 5b에서 플라즈마 방전의 점화는 도 1의 4 및 도 5a에 도시된 바와 같은 2차 전극을 통해서가 아니라, 중공 금속 진공 챔버(1a,1b)의 용량 접속 Cing을 교류 전력 회로에 가하는 것에 의해 달성됨을 유념해야한다. Cing를 하우징(1a,1b)에 용량 접속하는 것은 하우징(1a,1b)의 외부 경계인 용량적으로 분리된 전기 경계를 규정한다.
본 발명의 원리는 광범위 유도결합 플라즈마 방전의 생성에도 이용될 수 있다. 도 6a 및 도 6b는 진공처리 영역에서 광범위 플라즈마 방전을 생성하기 위한어레이로 배열된 변성기 소자를 갖는 수 개의 중공금속 진공 챔버의 적용을 도시한다. 비교적 값비싼 광범위 융기(ridged) 유전체 포트, 돔 또는 플레이트를 사용하는 통상의 ICP 소스와는 달리, 상기 신규한 구조는 전부 금속 유체 냉각 벽으로 거의 둘러싸인 광범위 진공 처리 영역 상에 걸쳐 몇 개의 플라즈마 방전전류 소스를 구동할 수 있도록 한다. 상기 중공금속 진공 챔버는 공통 및/또는 상호 배타적으로 폐쇄 경로 플라즈마 방전 전류를 형성하도록 전력 공급될 수 있기 때문에, 중공금속 진공 챔버 어셈블리의 물리적 위치와 규모를 조정하는 것에 의해 플라즈마 방전특성 또는 집합적으로 및/또는 별도로 전력 공급되는 수단을 제어할 수 있다.
도 6a는 4개의 중공금속 진공 챔버(36,38,40,42)가 어떻게 직렬로 전력 공급되는 광범위 진공 처리 챔버(44)에 혼입되어서 중공 금속 진공 챔버 및 처리 진공 챔버내에 상술한 바와 같이 플라즈마 방전전류를 구동하도록 하는지를 나타낸다. 다르게는, 도 6b는 4개의 중공금속 진공 챔버가 어떻게 병렬로 전력 공급될 수 있는 광범위 진공 처리 챔버 어셈블리에 혼입되어 상호 배타적으로 플라즈마 방전전류를 구동하는지를 나타낸다.
상술한 2개의 예를 고려할 때, 개별 변성기 소자를 갖는 모듈 중공금속 진공 챔버 어셈블리는 플라즈마 전류 분포의 페이스드 어레이 시스템(phased array system)으로서 전력을 공급받아 정적으로 또는 다이나믹하게 광범위 플라즈마 방전 장치의 전자 가열 동력학을 조절한다. 이들 원리를 이용하는 것에 의해, 임의의 전력 계획을 가져서 처리 플라즈마 방전 특성(흡수된 출력 밀도, 전자 밀도 및 에너지 분포, 확산성 화학 분포)을 향상시키거나 제어하는 멀티플 중공 금속 진공 챔버와 재료처리 성능의 관련 수단을 채용하는 플라즈마 장치를 작성할 수 있다.
상기 처리를 기초로 하면, 본 발명의 구체예의 조합 또는 변형은 보통의 진공 처리실시당 특수한 코팅과 벽 재료를 포함하여 소망하는 처리재료용 성능 또는 가스성 재료를 화학적으로 활성화시키는 성능을 달성할 수 있음을 당업자라면 분명히 알 수 있을 것이다. 이러한 공통의 실시는 다음을 포함하며, 이들에 한정되지 않는다:
a) 장치의 유체 냉각 금속 진공벽의 내부 표면상에 내약품성 코팅 또는 도금을 사용하고, 또
b) 처리성능, 벽의 내약품성 또는 반응성 가스 부 생성물의 수송을 향상시키기 위한 고온 유전체(즉, 석영, 알루미나, 질화 붕소, 사파이어)의 사용.
플라즈마 소스 장치에 전력을 공급하기 위해 사용되는 전기회로는 본 발명의 중요한 특징의 하나이다. 하나 이상의 플라즈마 로딩된(loaded) 변성기 요소에 전력을 공급하기 위한 하나의 가능한 회로의 기본적인 집중회로 변수 대표 예를 도 7에 나타낸다. 상기 회로는 플라즈마 소스 전계(50)의 교류 제너레이터(46), 임피던스 매칭 소자(48) 및 플라즈마 로딩된 변성기(49)를 포함한다. 상기 교류 제너레이터는 플라즈마 소스 장치 내에 전자 가열 드리프트 전류를 구동하기에 적합하고 상기 장치의 규모와 변성기 코어 소자의 선택에 적합하게 선택된 주파수에서 동작한다. 상기 주파수는 제너레이터의 효과적이고 경제적인 디자인 및 낮은 임피던스 매칭 손실 및 변성기 코어 소자의 선택에 적합한 약 100 kHz 내지 약 30 MHz 사이의 주파수로부터 선택되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지 않는다. 상기 제너레이터로부터 전달된 전력은 고정된 주파수이거나 가변적인 주파수일 수 있으며 그 크기는 장치가 적용되는 처리의 필요성에 따라 상이한 연속적이거나, 다이나믹하거나, 펄스화되거나 이들 모두일 수 있다. 제너레이터의 출력 임피던스는 고정되거나 스위칭되거나 연속적으로 가변될 수 있다.
상기 네트워크는 전형적으로 패시브(passive) 반응성 소자(예컨대 인덕터 및 커패시터)로 구성되지만, 플라즈마 소스장치의 부하 임피던스 변동을 보상하는데 필요한 네트워크 임피던스를 비연속적으로 및/또는 다이나믹하게 변화시키는 스위칭 소자를 포함한다. 제너레이터 디자인의 기하학적 위상에 따라서, 임피던스 네트워크는 제너레이터에 포함되거나, 제너레이터 외부가 되거나 또는 변성기 코어 및/또는 권선의 전기적 반응성 특징(예컨대 누설 인덕턴스 및 용량)에 포함될 수 있다.
임피던스 네트워크 소자(48)는, 플라즈마 로딩된 변성기(49)의 다이나믹 임피던스가 시간이 경과함에 따라 처리하는 동안의 가스 압력, 유량 및 화학조건에서의 바람직하거나 필요한 변화로 인하여 변동되는 공통 처리방법을 촉진시키는데 필요하다. 교류 제너레이터(46)가 고정 출력 임피던스를 갖고 또 물리적으로 플라즈마 소스 장치로부터 분리된 상기 구조에서, 임피던스 네트워크는 플라즈마 임피던스가 다이나믹하게 변화되더라도 플라즈마에 전달된 전력이 적합하게 제어될 수 있도록 교류 제너레이터 출력 임피던스에 필적하는 범위로 변성기의 복잡한 부하 임피던스를 전환시킬 필요가 있다. 교류 제너레이터가 플라즈마 소스 장치 어셈블리에 포함된 스위치 모드 교류전원인 상기 구조에서, 임피던스 네트워크는 다이나믹하게 변화되고 전기적으로 복합한 플라즈마 로딩된 변성기의 부하 임피던스를, 교류 전원의 스위칭 디바이스가 스위치에서 적합한 제로-스위치 및 허용가능한 낮은 삽입(즉, 소실)손실이 되도록 전력 수준을 효과적으로 제어할 수 있도록 저항값 근처로 조절할 필요가 있다. 상기 경우에서, 임피던스 네트워크 소자(48)는 많은 공통 처리 방법에 필요한 바와 같이 교류 전원의 전력 제어 능력을 제한하거나 방해한다.
특정 예로서, 작업자가 플라즈마를 유지하도록 요구되는 유도 계가 비교적 낮은(1V/cm 이하) 경우 방전 점화가 비교적 용이하게 되는 저 이온화 전위를 가진 가스로써 저압에서 소스를 점화시키기를 원할 수 있다. 그 후, 플라즈마를 비교적 높게(4V/cm 이상) 유지하도록 요구되는 유도 계의 경우에 더 높은 압력 또는 가스 혼합물로 즉각적으로 천이하기를 원할 수 있다. 이러한 조건에서는 플라즈마 소스가 Ar에서 점화되어 낮은 토르의 가스 압력에서 순수 NF3또는 O2로 천이되는 도 5b와 유사한 장치의 작동을 행할 때, 중공 금속 진공 챔버 직경은 약 50mm이고, 폐쇄-경로의 플라즈마 진행 경로 길이는 약 40cm이고, 배출 전력은 3kW 이상이다. 이 조건하에서, 플라즈마 저항(Rp)은 10 이상의 팩터에 의해 변할 수 있다. 임피던스의 다이나믹한 변화에 걸친 전이를 수용하도록 요구되는 바로서 파워 레벨링 특징을 갖는 주파수 가변형 AC 스위치 모드 전원을 집적할 때, 커패시턴스(C) 및 인덕턴스(L)(모두 도시 안됨)가 직렬로 접속된 임피던스 네트워크를 도입할 필요가 있으며 플라즈마-로드 변성기가 공진 CLL 회로를 형성한다. 상기 임피던스 네트워크는 AC 전원의 단자들에서의 플라즈마-로드 변성기의 전기적으로 복합 로드 임피던스 범위를 임피던스의 전기적 저항 범위로 전기적으로 변환시킨다. 상기 스위치 모드 전원의 임피던스가 거의 저항 값으로 제공되면, 주파수 적응 능력 및 스위칭 손실의 수용 가능한 레벨들과 함께 전원에서의 전력 레벨 출력을 성공적으로 제어할 수 있다. 상기 장치에서 임피던스 네트워크가 제거되면, 스위칭 손실이 너무 커지게 되어 플라즈마 저항의 다이나믹 범위에 걸쳐 원하는 전력 레벨링 능력이 실현될 수 없고 AC 스위치-모드 전원 내의 스위치들에 대해 손상을 입히게 될 수 있다.
도 7에 도시된 플라즈마 소스 장치에 전원을 제공하도록 이용되는 전기 회로는 플라즈마에 결합된 플라즈마 로드 변성기(Lc)로 구성되며, 싱글 턴(single turn) 2차 변성기로 나타낸다. 상기 변성기는 페라이트 코어이지만, 에어 코어 변성기로 될 수 있다. 1차 코어 권선은 인덕턴스(Lc) 및 누설 커패시턴스(Cc)(도시 안됨)를 가진다. 상기 변성기 코어 및 권선은 가능한 한 기생 저항을 갖지 않는다. 상기 플라즈마의 싱글 턴 2차 권선의 임피던스는 인덕턴스(Lp) 및 저항(Rp(ind))으로 나타낸다. 원칙적으로, 내부 전극(도 1 내지 4 및 도 5a 참조)으로의 용량 접속 또는 중공 금속 진공 챔버 본체(도 5b 참조)로의 유사한 접속에 관련된 회로 내의 용량구성 성분들이 있다. 플라즈마 점화 특성에 관련된 용량 구성 성분들은 저지 커패시터 및 RF 시스 커패시턴스(Csh), 시스 저항(RSH) 및 용량 결합 플라즈마 저항(Rp(cap))에 의해 나타내진다. 또한, 점화 또는 정지 상태 동작 중에 저 용량 스위치(SW1)에 의해 용량 결합 정도를 조절할 수 있다. 플라즈마 소스는 저 전력 밀도 모드(용량결합과 연관됨) 또는 고 전력 밀도 모드(유도 결합과 연관됨)에서 동작할 수 있고, 플라즈마 용량 저항(Rp(cap)) 및 유도 저항(Rp(ind))을 나타내는 상기 성분들은 플라즈마 내의 전하 캐리어(전자 및 이온)의 동일 본체에 연관되어 상호 결합될 수 있다.
도 8a 및 8b는 본 발명의 멀티플 플라즈마 로드 변성기가 적어도 하나의 AC 제너레이터에 의해 전원이 공급되는 방식을 나타낸다. 도 8a는 직렬 접속되어 단일 임피던스 정합 네트워크(48) 및 단일 전원(46)을 통해 전력이 공급되는 2개의 플라즈마 로드 변성기 조립체(52a,53a)를 나타내고 있다. 이 예에서, 상기 2개의 플라즈마 로드 변성기와 연관된 폐쇄 경로 플라즈마 전류(54,55)는 서로 독립적으로 되거나 또는 플라즈마 전류(54,55)와 연관된 플라즈마 저항(Rp1,Rp2)에 전력을 공급하는 병렬 상태로 동작될 수 있다. 이와 다르게, 도 8b는 직렬로 접속되어 단일 임피던스 정합 네트워크(48) 및 단일 전원(46)을 통해 전력이 공급되는 유사한 세트의 플라즈마 로드 변성기(52b,53b)를 나타낸다. 플라즈마 저항(Rp)에 전력을 공급하는 폐쇄 경로 플라즈마 전류(56)는 2개의 플라즈마 로드 변성기에 대해 공통이다.
도 9a, 9b 및 9c는 본 발명에 따른 멀티플 플라즈마 로드 변성기가 적어도 하나의 제너레이터에 의해 병렬로 전력을 공급받는 방식을 나타낸다. 도 9a는 병렬 접속되어 2개의 분리형 임피던스 정합 네트워크(60a,62a) 및 전원(64a,66a)을 통해 전력을 공급받는 본 발명에 따른 2개의 플라즈마 로드 변성기(57a,58a)를 나타낸다. 상기 전원들은 플라즈마 저항(Rp1,Rp2)에 전력을 제공하도록 제어 가능한 위상 관계로 비동기성 또는 동기성으로 동작될 수 있다. 도 9b는 플라즈마 저항(Rp1,Rp2)에 전력을 제공하도록 병렬 접속되어 2개의 분리형 임피던스 정합 네트워크(60b,62b) 및 하나의 공통 전원(64b)을 통해 전력이 공급되는 본 발명에 따른 2개의 플라즈마 로드 변성기(57b,58b)를 나타낸다. 마지막으로, 도 9c는 플라즈마 저항(Rp1,Rp2)에 전력을 제공하도록 병렬로 접속되어 하나의 공통 임피던스 정합 네트워크(60c) 및 하나의 공통 전원(64c)에 의해 전력이 공급되는 본 발명에 따른 2개의 플라즈마 로드 변성기(57c,58c)를 나타낸다. 모두 3개의 상기 구성들에서, 본 발명에서의 플라즈마 로드 변성기와 연관된 폐쇄 경로 플라즈마 전류는 서로 독립적으로 되거나 또는 RP1,RP2에 전력을 제공하도록 병렬로 동작될 수 있다. RP1 및 RP2는 플라즈마 바디 또는 진공 처리 챔버 내에서 상호 결합될 수 있다.
상기한 설명에 의해, 당업자라면 재료들의 처리 또는 가스 재료들의 화학적 활성화를 위한 목적으로 적어도 하나의 중공 금속 진공 챔버 및 적어도 하나의 진공 처리 챔버와 함께 적어도 하나의 플라즈마 로드 변성기에 적어도 하나의 공칭 AC 주파수에서 하나 이상의 전원을 결합하도록 상기한 바의 전기 접속의 임의의 조합 또는 변경예들을 이용할 수 있음을 명백하게 이해할 수 있을 것이다.

Claims (60)

  1. 내측에 배치된 플랫폼 상에 설치된 공작물의 처리를 보조하도록 플라즈마용 금속 처리 챔버와 소통하는 진공 챔버를 형성하는 금속 중공 챔버;
    상기 중공 금속 진공 챔버와 금속 처리 챔버 사이의 절연 파괴부;
    상기 진공 챔버에 전계를 유도하는 1차 코일을 가진 상기 금속 처리 챔버 및 중공 금속 진공 챔버 주위에 배치된 전기 변성기;
    공작물을 처리하도록 상기 진공 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 입력부;
    상기 진공 챔버에서 가스를 배출하는 가스 출력부; 및
    상기 변성기에 대해 싱글-턴 2차 전류로서 작용하며 상기 진공 챔버 내에서 흐르는 폐쇄 경로 플라즈마 전류를 유지하도록 상기 진공 챔버에 전력을 공급하는 상기 전기 변성기의 1차 권선에 접속된 AC 전원을 포함하는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 AC 전원은 상기 변성기의 임피던스 범위를 AC 전원의 출력 임피던스 범위에 정합시키는 임피던스 정합 회로에 접속되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 진공 챔버 내의 용량 분리 전기 경계는 상기 진공 챔버 내의 플라즈마 점화를 위한 목적으로 AC 전원에 접속되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 중공 금속 진공 챔버 및 금속 처리 챔버는 유체 냉각되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 입력 가스는 활성 가스, 반응 가스 또는 그의 혼합물로 구성되는 가스의 그룹에서 선택되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 변성기는 자기 페라이트 코어를 포함하는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 AC 전원은 펄스 변조되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 공작물 플랫폼은 전기적으로 유도성인 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 플랫폼 및 장착된 공작물에 전기 바이어스가 가해지는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  10. 내측에 배치된 플랫폼 상에 설치된 공작물의 처리를 보조하는 플라즈마용 금속 처리 챔버와 소통하는 진공 챔버를 형성하는 멀티플 금속 중공 챔버;
    상기 중공 금속 진공 챔버와 금속 처리 챔버 사이의 적어도 하나의 절연 파괴부;
    상기 중공 금속 챔버들 각각의 진공 챔버 내에서 전계를 유도하는 1차 권선을 가진 전기 변성기;
    공작물을 처리하도록 상기 진공 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 입력부;
    상기 진공 챔버에서 가스를 배출하는 가스 출력부; 및
    상기 변성기에 대해 싱글-턴 2차 전류로서 작용하며 상기 진공 챔버 내에서 병렬로 흐르는 폐쇄 경로 플라즈마 전류를 유지하도록 상기 진공 챔버에 전력을 공급하는 상기 전기 변성기의 1차 권선에 접속된 AC 전원을 포함하는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 AC 전원은 상기 변성기의 임피던스 범위를 AC 전원의 출력 임피던스 범위에 정합시키는 임피던스 정합 회로에 접속되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 진공 챔버 내의 용량 분리 전기 경계는 상기 진공 챔버 내의 플라즈마 점화를 위한 목적으로 AC 전원에 접속되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 중공 금속 진공 챔버 및 금속 처리 챔버는 유체 냉각되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 입력 가스는 활성 가스, 반응 가스 또는 그의 혼합물로 구성되는 가스의 그룹에서 선택되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 변성기는 자기 페라이트 코어를 포함하는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 AC 전원은 펄스 변조되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  17. 제 10 항에 있어서, 상기 변성기의 임피던스 범위를 AC 전원의 출력 임피던스 범위에 정합시키는 임피던스 정합 회로에 접속되는 멀티플 AC 전원을 더 포함하는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 멀티플 AC 전원은 동기식으로 동작되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 멀티플 AC 전원은 비동기식으로 동작되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  20. 제 10 항에 있어서, 상기 공작물 플랫폼은 전기적으로 유도성인 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 플랫폼 및 장착된 공작물에 전기 바이어스가 가해지는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  22. 제 10 항에 있어서, 상기 멀티플 중공 금속 챔버는 처리 챔버의 반대측에 위치하여 내측에 위치한 플랫폼 상에 설치된 공작물의 반대측을 처리하는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  23. 제 10 항에 있어서, 상기 멀티플 중공 금속 챔버는 처리 챔버의 반대측에 위치하여 내측에 위치한 플랫폼의 반대측에 설치된 멀티플 공작물을 처리하는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  24. 내측에 배치된 플랫폼 상에 설치된 공작물의 처리를 보조하는 플라즈마용 금속 처리 챔버와 소통하는 진공 챔버를 형성하는 멀티플 금속 중공 진공 챔버;
    상기 중공 금속 진공 챔버와 금속 처리 챔버 사이의 적어도 하나의 절연 파괴부;
    상기 중공 금속 챔버들 각각의 진공 챔버 내에서 전계를 유도하는 1차 권선을 가진 전기 변성기;
    공작물을 처리하도록 상기 진공 챔버 내로 반응 가스를 공급하는 가스 입력부;
    상기 중공 금속 진공 챔버에서 반응 가스를 배출하는 가스 출력부; 및
    상기 변성기에 대해 싱글-턴 2차 전류로서 작용하며 상기 진공 챔버 내에서 직렬로 흐르는 폐쇄 경로 플라즈마 전류를 유지하도록 상기 진공 챔버에 전력을 공급하는 상기 전기 변성기의 1차 권선에 접속된 AC 전원을 포함하는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 AC 전원은 상기 변성기의 임피던스 범위를 AC 전원의 출력 임피던스 범위에 정합시키는 임피던스 정합 회로에 접속되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 진공 챔버 내의 용량 분리 전기 경계는 상기 진공 챔버 내의 플라즈마 점화를 위한 목적으로 AC 전원에 접속되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 중공 금속 진공 챔버 및 금속 처리 챔버는 유체 냉각되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 입력 가스는 활성 가스, 반응 가스 또는 그의 혼합물로 구성되는 가스의 그룹에서 선택되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 변성기는 자기 페라이트 코어를 포함하는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 AC 전원은 펄스 변조되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  31. 제 24 항에 있어서, 상기 변성기의 임피던스 범위를 AC 전원의 출력 임피던스 범위에 정합시키는 임피던스 정합 회로에 접속되는 멀티플 AC 전원을 더 포함하는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  32. 제 31 항에 있어서, 상기 멀티플 AC 전원은 동기식으로 동작되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  33. 제 31 항에 있어서, 상기 멀티플 AC 전원은 비동기식으로 동작되는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  34. 제 24 항에 있어서, 상기 공작물 플랫폼은 전기적으로 유도성인 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  35. 제 34 항에 있어서, 상기 플랫폼 및 장착된 공작물에 전기 바이어스가 가해지는 재료 처리를 보조하는 플라즈마 장치.
  36. 내측에 위치한 가스의 화학적 활성화를 보조하는 플라즈마용 금속 처리 챔버와 소통하는 진공 챔버를 형성하는 금속 중공 챔버;
    상기 중공 금속 진공 챔버와 금속 처리 챔버 사이의 절연 파괴부;
    상기 진공 챔버 내에 전계를 유도하도록 1차 권선을 가진 상기 금속 처리 챔버 및 중공 금속 진공 챔버 주위에 배치된 전기 변성기;
    공작물을 처리하도록 상기 진공 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 입력부;
    상기 진공 챔버에서 가스를 배출하는 가스 출력부;
    상기 변성기에 대해 싱글-턴 2차 전류로서 작용하며 상기 진공 챔버 내에서 흐르는 폐쇄 경로 플라즈마 전류를 유지하도록 상기 진공 챔버에 전력을 공급하는 상기 전기 변성기의 1차 권선에 접속된 AC 전원; 및
    상기 배출 가스가 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리를 위한 화학적으로 활성화된 가스 재료로 되는 가스 출력부를 포함하는, 가스 재료의 화학적 활성화 장치.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 AC 전원은 상기 변성기의 임피던스 범위를 AC 전원의 출력 임피던스 범위에 정합시키는 임피던스 정합 회로에 접속되는 장치.
  38. 제 37 항에 있어서, 상기 진공 챔버 내의 용량 분리 전기 경계는 상기 진공 챔버 내의 플라즈마 점화를 위한 목적으로 AC 전원에 접속되는 장치.
  39. 제 38 항에 있어서, 상기 중공 금속 진공 챔버 및 금속 처리 챔버는 유체 냉각되는 장치.
  40. 제 39 항에 있어서, 상기 입력 가스는 활성 가스, 반응 가스 또는 그의 혼합물로 구성되는 가스의 그룹에서 선택되는 장치.
  41. 제 40 항에 있어서, 상기 변성기는 자기 페라이트 코어를 포함하는 장치.
  42. 제 41 항에 있어서, 상기 AC 전원은 펄스 변조되는 장치.
  43. 제 36 항에 있어서, 상기 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리는 원격 챔버 세정으로 구성되는 장치.
  44. 제 36 항에 있어서, 상기 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리는 표면들의 폴리머의 원격 챔버 애싱으로 구성되는 장치.
  45. 제 36 항에 있어서, 상기 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리는 하류 포어라인(foreline) 세정으로 구성되는 장치.
  46. 제 36 항에 있어서, 상기 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리는 진공 포어라인 내의 가스를 감소시키는 후 공정으로 구성되는 장치.
  47. 내측에 위치한 가스의 화학적 활성화를 보조하는 플라즈마용 멀티플 금속 처리 챔버와 소통하는 진공 챔버를 형성하는 금속 중공 챔버;
    상기 금속 중공 챔버와 멀티플 금속 처리 챔버 사이의 하나 이상의 절연 파괴부;
    상기 금속 중공 챔버 각각의 진공 챔버 내에 전계를 유도하도록 1차 권선을 가진 전기 변성기;
    상기 진공 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 입력부;
    상기 진공 챔버에서 가스를 배출하는 가스 출력부;
    상기 변성기에 대해 싱글-턴 2차 전류로서 작용하며 상기 중공 금속 챔버와 금속 하우징을 통해 직렬로 흐르는 폐쇄 경로 플라즈마 전류를 유지하도록 상기 진공 챔버에 전력을 공급하는 상기 전기 변성기의 1차 권선에 접속된 AC 전원; 및
    상기 배출 가스가 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리를 위한 화학적으로 활성화된 가스 재료로 되는 가스 출력부를 포함하는, 가스 재료의 화학적 활성화 장치.
  48. 제 47 항에 있어서, 상기 AC 전원은 상기 변성기의 임피던스 범위를 AC 전원의 출력 임피던스 범위에 정합시키는 임피던스 정합 회로에 접속되는 장치.
  49. 제 48 항에 있어서, 상기 진공 챔버 내의 용량 분리 전기 경계는 상기 진공 챔버 내의 플라즈마 점화를 위한 목적으로 AC 전원에 접속되는 장치.
  50. 제 49 항에 있어서, 상기 중공 금속 진공 챔버 및 금속 처리 챔버는 유체 냉각되는 장치.
  51. 제 50 항에 있어서, 상기 입력 가스는 활성 가스, 반응 가스 또는 그의 혼합물로 구성되는 가스의 그룹에서 선택되는 장치.
  52. 제 51 항에 있어서, 상기 변성기는 자기 페라이트 코어를 포함하는 장치.
  53. 제 52 항에 있어서, 상기 AC 전원은 펄스 변조되는 장치.
  54. 제 47 항에 있어서, 상기 변성기의 임피던스 범위를 AC 전원의 출력 임피던스 범위에 정합시키는 임피던스 정합 회로에 접속되는 멀티플 AC 전원을 더 포함하는 장치.
  55. 제 54 항에 있어서, 상기 멀티플 AC 전원은 동기식으로 동작되는 장치.
  56. 제 54 항에 있어서, 상기 멀티플 AC 전원은 비동기식으로 동작되는 장치.
  57. 제 47 항에 있어서, 상기 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리는 원격 챔버 세정으로 구성되는 장치.
  58. 제 47 항에 있어서, 상기 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리는 표면들의 폴리머의 원격 챔버 애싱으로 구성되는 장치.
  59. 제 47 항에 있어서, 상기 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리는 하류 포어라인 세정으로 구성되는 장치.
  60. 제 47 항에 있어서, 상기 원격 플라즈마 소스 진공 가스 처리는 진공 포어라인 내의 가스를 감소시키는 후 공정으로 구성되는 장치.
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