KR20010095230A - Substrate process apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 예를 들어 액정표시장치에 사용되는 유리기판등의 기판을 회전시키면서 당해 기판 상에 현상액을 공급하여 현상처리를 행하는 현상처리장치등에 적용되는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus applied to a developing apparatus for supplying a developing solution onto a substrate while rotating the substrate such as a glass substrate used in a liquid crystal display device.
일반적으로, 액정표시장치의 제조공정에 있어서는, 유리기판의 표면에 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)의 박막 및 회로 패턴을 형성시키기 위하여 반도체 제조공정의 경우와 마찬가지의 포토리소그래피(photo-lithography) 기술이 이용된다. 이 경우, 예를 들어 레지스트 도포처리에 의해 유리기판의 표면에 레지스트가 도포되고, 노광처리에 의해 유리기판 상의 레지스트에 회로패턴이 노광된 후, 현상처리에 의해 레지스트에 노광된 회로패턴이 현상된다.In general, in the manufacturing process of a liquid crystal display device, in order to form a thin film and a circuit pattern of, for example, indium tin oxide (ITO) on the surface of a glass substrate, photolithography similar to that of a semiconductor manufacturing process. Technology is used. In this case, for example, a resist is applied to the surface of the glass substrate by a resist coating process, the circuit pattern is exposed to the resist on the glass substrate by the exposure process, and then the circuit pattern exposed to the resist is developed by the developing process. .
상기의 현상처리는, 예를 들어 스핀척 상에 유리기판을 재치하여, 회전시키면서 유리기판 상에 현상액을 동일히 공급하는 현상처리장치에 의해 행하여진다. 그리고, 이들을 컵 내에 수용하여 처리를 행함으로써 처리액이 비산하는 것을 방지하고 있다.The above development is performed by, for example, a development apparatus for placing a glass substrate on a spin chuck and supplying the developer on the glass substrate while rotating the glass substrate. And the process liquid is prevented from scattering by storing these in a cup and performing a process.
그러나, 상기의 일련의 처리에 있어서는 현상처리 후에 린스세정처리가 필요하기 때문에, 현상처리장치 내에 세정기구를 조합시킨 구성의 장치가 알려져 있다. 이러한 장치에서는, 예를 들어 컵을 내외의 2중 구조로 하고, 현상시에는 내 컵에 의해 현상액을 회수하고, 세정시에는 외 컵에 의해 린스액을 회수함으로써, 현상액을 재이용하고 있다. 그리고, 세정 후에 유리기판을 고속으로 회전시킴에 의해 액을 떨어뜨림으로써 건조를 행하고 있다. 이들 공정에 있어서는, 현상액을 포함하는 미스트가 비산하여 유리기판에 재부착하여, 다음의 공정에 악영향을 끼칠 우려가 있다. 이 때문에, 예를 들어 내 컵 하부에 배기구를 설치하여, 컵내의 환경을 배기구를 매개로 하여 배출하는 것이 행하여지고 있다.However, in the above series of processes, since a rinse cleaning process is required after the developing treatment, an apparatus having a configuration in which a cleaning mechanism is incorporated in the developing apparatus is known. In such an apparatus, for example, the cup is formed in a double structure inside and outside, and when the development is carried out, the developer is recovered by the inner cup, and at the time of cleaning, the rinse is recovered by the outer cup, whereby the developer is reused. After the cleaning, the glass substrate is rotated at a high speed to dry the liquid by dropping the liquid. In these processes, mist containing the developer may scatter and reattach to the glass substrate, which may adversely affect the following processes. For this reason, for example, an exhaust port is provided below the inner cup, and the environment inside the cup is discharged through the exhaust port.
그러나, 상기와 같이 컵 내의 환경을 배기구로부터 배출하는 구성에서는, 배기가 불충분하여, 미스트의 비산에 의한 유리기판으로의 재부착을 방지할 수 없다고 하는 문제가 있다. 특히, 컵을 내외의 2중 구조로 하면, 외 컵측의 배기가 불충분하게 되는 일이 많다.However, in the above-described configuration in which the environment inside the cup is discharged from the exhaust port, there is a problem in that the exhaust is insufficient, and reattachment to the glass substrate due to scattering of the mist cannot be prevented. In particular, when the cup has a double structure inside and outside, exhaust of the outer cup side is often insufficient.
본 발명의 목적은 컵 내에서 비산된 미스트가 기판에 재부착하는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of preventing re-attachment of mist scattered in a cup to a substrate.
도 1은 본 발명의 하나의 실시형태와 관련된 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도,1 is a plan view showing a coating and developing treatment system according to an embodiment of the present invention;
도 2는 도 1에 나타낸 도포현상처리시스템에 있어서의 처리순서를 나타내는 플로우 차트(flow chart),FIG. 2 is a flow chart showing a processing procedure in the coating and developing processing system shown in FIG. 1;
도 3은 본 발명의 하나의 실시형태와 관련된 현상처리장치의 정면도,3 is a front view of a developing apparatus according to one embodiment of the present invention;
도 4는 도 3에 나타낸 현상처리장치의 평면도,4 is a plan view of the developing apparatus shown in FIG. 3;
도 5는 도 3에 나타낸 현상처리장치의 일부확대사시도(그 1),FIG. 5 is an enlarged perspective view of part 1 of the developing apparatus shown in FIG. 3; FIG.
도 6은 도 3에 나타낸 현상처리장치의 일부확대사시도(그 2),FIG. 6 is a partially enlarged perspective view (part 2) of the developing apparatus shown in FIG. 3;
도 7은 도 3에 나타낸 현상처리장치의 동작을 설명하기 위한 개략정면도(그 1),7 is a schematic front view (part 1) for explaining the operation of the developing apparatus shown in FIG. 3;
도 8은 도 3에 나타낸 현상처리장치의 동작을 설명하기 위한 개략정면도(그 2),FIG. 8 is a schematic front view (part 2) for explaining the operation of the developing apparatus shown in FIG. 3;
도 9는 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 현상처리장치의 개략정면도,9 is a schematic front view of a developing apparatus according to another embodiment of the present invention;
도 10은 본 발명의 또 다른 실시형태에 관련된 현상처리장치의 개략정면도,10 is a schematic front view of a developing apparatus according to still another embodiment of the present invention;
도 11은 본 발명의 또 하나의 다른 실시형태에 관련된 현상처리장치의 개략정면도,11 is a schematic front view of a developing apparatus according to yet another embodiment of the present invention;
도 12는 본 발명에 있어서의 컵의 다른 구성예를 나타내는 도,12 is a diagram showing another configuration example of the cup according to the present invention;
도 13은 본 발명에 있어서의 컵의 또 다른 구성예를 나타내는 도,13 is a diagram showing still another configuration example of a cup according to the present invention;
도 14는 본 발명에 있어서의 컵의 또 하나의 다른 구성예를 나타내는 도이다.It is a figure which shows the other another structural example of the cup in this invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
51 : 도포현상처리장치 51 : 스핀척(spin chuck)51: coating and developing apparatus 51: spin chuck
57 : 외 컵 58 : 내 컵57: Out Cup 58: My Cup
66 : 배기구 67 : 배기 펌프66 exhaust port 67 exhaust pump
69 : 배액구 70 : 드레인구(drain口)69: drain port 70: drain port
81 : 현상액 토출기구 82 : 세정기구81: developer discharge mechanism 82: cleaning mechanism
93 : 핀(제 1의 안내부재) 94 : 핀(제 3의 안내부재)93: pin (first guide member) 94: pin (third guide member)
95 : 핀(제 2의 안내부재)95: pin (second guide member)
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 기판처리장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 유지·회전기구와, 상기 유지된 기판 상으로부터 소정의 처리용의 액을 공급하는 액공급기구와, 기판 주위를 따라 승강이 가능하도록 배치되고 아래쪽으로 통기구가 설치된 내 컵과, 상기 내 컵의 주위를 따라 배치된 외 컵과, 상기 외 컵의 내벽에 설치되어, 회전하는 기판의 원심력에 의해 비산된 환경을 외 컵의 내벽 아래쪽으로 안내하는 제 1의 안내부재와, 상기 제 1의 안내부재에 의해 안내된 환경을 상기 통기구를 매개로 하여 상기 내 컵의 안으로 안내하는 제 2의 안내부재와, 상기 내 컵의 안을 배기하는 배기수단을 구비한다.In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus of the present invention includes a holding / rotating mechanism for holding and rotating a substrate, a liquid supply mechanism for supplying a liquid for a predetermined processing from the held substrate, and a perimeter of the substrate. The inner cup is disposed so as to be able to move up and down, the outer cup disposed along the periphery of the inner cup, the outer cup disposed along the periphery of the inner cup, and the inner wall of the outer cup, which is scattered by the centrifugal force of the rotating substrate. A first guide member for guiding down the inner wall of the first guide member, a second guide member for guiding the environment guided by the first guide member into the inner cup via the vent, and the inside of the inner cup. Exhaust means for exhausting is provided.
본 발명에서는, 컵 내의 환경이 제 1의 안내부재 및 제 2의 안내부재에 의해 안내되어 배기수단에 의해 배기되기 때문에, 컵 내에서 비산된 미스트가 기판에 재부착하는 것을 방지할 수 있다.In the present invention, since the environment in the cup is guided by the first guide member and the second guide member and exhausted by the exhaust means, the mist scattered in the cup can be prevented from reattaching to the substrate.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 유지·회전기구와, 상기 유지된 기판 상으로부터 소정의 처리용의 액을 공급하는 액공급기구와, 상기 유지된 기판의 주위를 따라 설치된 컵과, 상기 컵의 내벽에 설치되어, 회전하는 기판의 원심력에 의해 비산된 환경을 컵의 내벽 아래쪽으로 안내하는 안내부재와, 상기 안내부재를 세정하는 세정수단을 구비한다.The substrate processing apparatus of the present invention includes a holding / rotating mechanism for holding and rotating a substrate, a liquid supply mechanism for supplying a liquid for a predetermined processing from the held substrate, and a cup provided around the held substrate. And a guide member provided on the inner wall of the cup to guide the environment scattered by the centrifugal force of the rotating substrate below the inner wall of the cup, and cleaning means for cleaning the guide member.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 유지·회전기구와, 상기 유지된 기판 상으로부터 소정의 처리용의 액을 공급하는 액공급기구와, 상기 유지된 기판의 주위를 따라 설치된 컵과, 상기 컵의 내벽에 설치되어, 회전하는 기판의 원심력에 의해 비산된 환경을 컵의 내벽 아래쪽으로 안내하는 안내부재를 구비하고, 상기 컵이 기초부과, 상기 안내부재가 설치되어 상기 기부에 대하여 착탈이 가능한 착탈부로 분리되어 있다.The substrate processing apparatus of the present invention includes a holding / rotating mechanism for holding and rotating a substrate, a liquid supply mechanism for supplying a liquid for a predetermined processing from the held substrate, and a cup provided around the held substrate. And a guide member installed on an inner wall of the cup to guide an environment scattered by the centrifugal force of the rotating substrate below the inner wall of the cup, wherein the cup is provided with a base and the guide member is provided with respect to the base. It is separated by the detachable part which is detachable.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 유지·회전기구와, 상기 유지된 기판 상으로부터 소정의 처리용의 액을 공급하는 액공급기구와, 상기 유지된 기판의 주위를 따라 설치된 컵과, 상기 컵의 내벽에 설치되어, 회전하는 기판의 원심력에 의해 비산된 환경을 컵의 내벽 아래쪽으로 안내하는 안내부재를 구비하고, 상기 안내부재는, 상기 컵의 내벽에 대하여 45°전후의 각도를 이루고 있고, 또 상기 컵의 내벽 위쪽으로부터 아래쪽을 향하여 기울어진 판상부재를 상기 컵 내주를 따라 소정의 간격으로 배치시킨 것이고, 또 상기 안내부재는, 인접하는 복수의 상기 판상부재를 갖추는 복수의 블록(block)으로 분할되고, 또 상기 각 블록은, 상기 컵과의 사이에서 착탈이 가능하도록 되어 있다.The substrate processing apparatus of the present invention includes a holding / rotating mechanism for holding and rotating a substrate, a liquid supply mechanism for supplying a liquid for a predetermined processing from the held substrate, and a cup provided around the held substrate. And a guide member provided on an inner wall of the cup and guiding the environment scattered by the centrifugal force of the rotating substrate below the inner wall of the cup, the guide member having an angle of about 45 ° with respect to the inner wall of the cup. And a plate member inclined downward from an upper side of the inner wall of the cup at a predetermined interval along the inner circumference of the cup, and the guide member includes a plurality of blocks including a plurality of adjacent plate members. The block is divided into blocks, and each of the blocks is detachable from the cup.
[실시예]EXAMPLE
이하, 본 발명의 실시형태를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Best Mode for Carrying Out the Invention Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 하나의 실시형태를, 도 1에 나타낸 LCD에 사용되는 유리기판(이하, 기판으로 함)의 도포현상처리시스템(1)에 적용시킨 경우를 예를 들어 설명한다.One embodiment of the present invention will be described by taking an example where the coating and developing processing system 1 for a glass substrate (hereinafter, referred to as a substrate) used in the LCD shown in FIG. 1 is applied.
이 도포현상처리시스템(1)은 기판(G)에 대하여 레지스트액을 도포한 후, 노광장치(EXP)(2)로 일단 건네주고, 이 노광장치(2)에 의해 노광처리된 후의 기판을 다시 건네 받아 현상처리를 행하는 것이다.The coating and developing system 1 applies the resist liquid to the substrate G, passes it to the exposure apparatus EXP 2 once, and then returns the substrate after the exposure treatment by the exposure apparatus 2. It is passed and performs development processing.
이와 같은 일련의 처리를 행하기 위하여, 이 도포현상처리시스템(1)은, 기판(G)의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 행하기 위한 로더(loader)/언로더(unloader)부(L/UL)(3)와, 기판세정처리를 행하기 위한 제 1 프로세스부(4)와, 레지스트액의 도포(코우팅) 및 둘레가장지리 레지스트 제거처리를 행하기 위한 제 2 프로세스부(5)와, 현상처리를 행하기 위한 제 3 프로세스부(6)와, 노광장치(2)와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 인터페이스부(Interface)(I/F)(7)를 갖추고 있다.In order to perform such a series of processes, the coating and developing processing system 1 includes a loader / unloader section for loading and unloading the substrate G. FIG. (L / UL) 3, a first process portion 4 for performing substrate cleaning, and a second process portion for applying (coating) and removing peripheral resist removal of resist liquid ( 5), an interface unit (I / F) 7 for exchanging substrates between the third process unit 6 for performing development processing and the exposure apparatus 2; have.
로더/언로더부(3)는 카세트 재치대(10) 및 반송부(C/S)(11)를 갖추고 있다. 카세트 재치대(10) 상에는 2 종류의 카세트(C1)(C2)가 재치되어 있다. 예를 들어, 제 1의 카세트(C1)에는 처리 전의 기판(G)이 수납되고, 제 2의 카세트(C2)에는 처리후의 기판(G)이 수납된다.The loader / unloader section 3 includes a cassette placing table 10 and a conveying section (C / S) 11. On the cassette mounting table 10, two kinds of cassettes C1 and C2 are mounted. For example, the board | substrate G before a process is accommodated in the 1st cassette C1, and the board | substrate G after a process is accommodated in the 2nd cassette C2.
또, 반송부(11)에는, 제 1의 서브아암(sub arm)기구(13)가 설치되어 있다. 이 제 1의 서브아암기구(13)는 기판을 유지할 수 있는 예를 들어 아암(14)을 갖추고, 이 아암을 선회, 진퇴 및 상하 이동시킴으로써, 제 1의 카세트(C1)에 수납된 기판을 꺼내어 제 1의 프로세스부(4)측으로 건네줄 수 있도록 되어 있다. 덧붙여 설명하면, 모든 처리가 종료된 기판은 이 제 1의 서브아암기구(13)의 의해, 예를 들어 제 1의 프로세스부(4)측으로부터 제 2의 카세트(C2)로 수납된다.Moreover, the 1st sub arm mechanism 13 is provided in the conveyance part 11. The first sub-arm mechanism 13 includes, for example, an arm 14 capable of holding a substrate, and takes out the substrate stored in the first cassette C1 by turning, advancing, and moving the arm up and down. It can be passed to the 1st process part 4 side. In addition, the board | substrate which completed all the processes is accommodated in the 2nd cassette C2 by the 1st sub-arm mechanism 13 from the 1st process part 4 side, for example.
상기 제 1의 프로세스부(4)는 상기 제 1의 서브아암기구(13)로부터 기판을 건네 받은 제 1의 메인아암기구(15)를 갖춘다. 이 메인아암기구(15)는, Y방향을 따라 연이어 설치된 제 1의 중앙반송로(16) 상을 주행하는 베이스(base)(17)와, 이 베이스(17) 상에서 선회, 진퇴, 상하구동되는, 예를 들어 아암(18)을 구비한다.The first process unit 4 includes a first main arm mechanism 15 which is passed a substrate from the first sub arm mechanism 13. The main arm mechanism 15 is a base 17 which travels on the first central conveyance path 16 provided successively along the Y direction, and is pivoted, retracted, and vertically driven on the base 17. For example, the arm 18 is provided.
이 제 1의 메인아암기구(15)의 측방에는, 중앙반송로(16)를 따라, 예를 들어 브러시 스크러버(brush scrubber)에 의해 구성되는 2개의 세정부(SCR)(19), 예를 들어 핫플레이트를 갖추는 가열/가열부(HP/HP)(20), 자외선 세정장치에 의해 구성되는 건식세정부(UV)(21), 및 예를 들어 쿨링플레이트(cooling plate)를 갖추는 냉각부(COL)(22)가 각각 설치되어 있다.On the side of the first main arm mechanism 15, two cleaning units (SCRs) 19, for example, which are constituted by, for example, a brush scrubber along the central conveyance path 16, for example. Heating / heating unit (HP / HP) 20 with a hot plate, dry cleaner (UV) 21 constituted by an ultraviolet cleaner, and cooling unit (COL) with, for example, a cooling plate. Are respectively provided.
여기서, 「가열/가열부(HP/HP)」의 표기는, 핫 플레이트를 갖추는 가열부가, 예를 들어 상하 2단으로 적층되어 설치되어 있는 것을 나타내고 있다.(이하 동일). 또, 도 내에서, 가열부를 나타내는 HP 및 냉각부를 나타내는 COL의 뒤에 첨부되는 숫자(「HP1」 및 「COL1」등)는, 가열처리 또는 냉각처리의 종류 또는 순서를 나타내고 있다.Here, the description of "heating / heating part (HP / HP)" shows that the heating part provided with a hotplate is laminated | stacked and installed in two steps, for example. (It is the same below). Moreover, in the figure, numerals ("HP1", "COL1", etc.) attached after HP indicating a heating part and COL indicating a cooling part have shown the kind or procedure of heat processing or cooling processing.
상기 제 1의 메인아암기구(15)는 상기 로더/언로더부(3)로부터 건네 받은 기판을 각 처리부(19∼20)로 삽입하여 필요한 처리를 행한 후, 이 기판을 꺼내어 차례로 다른 처리부(19∼20) 또는 제 2의 프로세스부(5)로 반송하도록 되어 있다.The first main arm mechanism 15 inserts the substrates passed from the loader / unloader portion 3 into each of the processing portions 19 to 20 to perform the necessary processing. 20 or the second process unit 5.
한편, 제 2의 프로세스부(5)는 Y방향을 따라 연이어 설치된 제 2의 중앙반송로(23)상을 주행하는 제 2의 메인아암기구(24)를 구비한다. 이 제 2의 메인아암기구(24)는 상기 제 1의 메인아암기구(15)와 마찬가지로 구성된 베이스(25) 및 아암(26)을 갖춘다.On the other hand, the 2nd process part 5 is equipped with the 2nd main arm mechanism 24 which travels on the 2nd center conveyance path 23 provided in a row along the Y direction. This second main arm mechanism 24 has a base 25 and an arm 26 configured similarly to the first main arm mechanism 15.
또, 이 제 2의 메인아암기구(24)의 측방에는, 기판에 대하여 레지스트의 도포를 행함과 동시에 둘레가장자리부의 불필요한 레지스트를 제거하는 레지스트 도포·주변레지스트제거부(CT/ER)(28)와, 기판표면의 소수화처리를 행하기 위한 어드히젼/냉각부(AD/COL)(29)와, 가열/가열부(HP/HP)(30), 가열/냉각부(HP/COL)(31)가 배치되어 있다.On the side of the second main arm mechanism 24, a resist coating / peripheral resist removing unit (CT / ER) 28 for applying a resist to a substrate and removing unnecessary resist at the peripheral edge portion thereof; Advance / cooling unit (AD / COL) 29, heating / heating unit (HP / HP) 30, and heating / cooling unit (HP / COL) 31 for performing hydrophobization treatment of the substrate surface. Is arranged.
상기 제 2의 메인아암기구(24)는 상기 제 1의 프로세스부(4)로부터 건네 받은 기판을 각 처리부(28∼31)로 삽입하여 필요한 처리를 행한 후, 이 기판을 꺼내어 차례로 다른 처리부(28∼31) 또는 제 3의 프로세스부(6)측으로 반송하도록 되어 있다.The second main arm mechanism 24 inserts the substrates passed from the first process unit 4 into the respective processing units 28 to 31 and performs the necessary processing. Then, the second main arm mechanism 24 takes out the substrates and sequentially processes the other processing units 28. 31) or the 3rd process part 6 side.
제 3의 프로세스부(6)는 Y방향을 따라 연설된 제 3의 중앙반송로(33) 상을 주행하는 제 3의 메인아암기구(34)를 구비한다. 이 제 3의 메인아암기구(34)는 상기 제 1, 제 2의 메인아암기구(15,24)와 마찬가지로 구성된 베이스(35) 및 아암 (36)을 갖춘다.The third process section 6 includes a third main arm mechanism 34 that travels on the third central conveyance path 33 extended along the Y direction. The third main arm mechanism 34 has a base 35 and an arm 36 configured similarly to the first and second main arm mechanisms 15 and 24.
이 제 3의 메인아암기구(34)의 측방에는, 노광처리 후의 기판(G)을 현상처리하기 위한 3개의 현상처리부(DEV)(38)와, 타이틀링(titling)을 행하는 타이틀러 (TITLER)(39)와, 가열/가열부(HP/HP)(40)와, 가열/냉각부(HP/COL)(41)가 배치되어 있다.On the side of the third main arm mechanism 34, three development processing units (DEV) 38 for developing the substrate G after the exposure processing, and a titler TITLER which performs titleling are performed. 39, a heating / heating unit (HP / HP) 40, and a heating / cooling unit (HP / COL) 41 are disposed.
상기 제 3의 메인아암기구(34)는 상기 제 2의 프로세스부(5)로부터 건네 받은 레지스트액 도포종료의 기판을 인터페이스부(7)를 매개로 하여 노광장치(2)측으로 이송함과 동시에, 상기 노광종료의 기판을 인터페이스부(7)를 매개로 하여 노광장치(2)측으로부터 건네받는다. 그리고, 이 노광종료의 기판을 각 처리부(38∼41)로 삽입하여 필요한 처리를 행하게 한 후, 이 기판을 꺼내어 차례로 다른 처리부 (38∼41) 또는 제 2의 프로세스부(5)측으로 반송하도록 되어 있다.The third main arm mechanism 34 transfers the substrate on the end of the resist liquid application, which has been passed from the second process unit 5, to the exposure apparatus 2 side via the interface unit 7, The substrate at the end of the exposure is passed from the exposure apparatus 2 side via the interface unit 7. Then, the substrate at the end of the exposure is inserted into each of the processing units 38 to 41 to perform the necessary processing, and then the substrates are taken out and conveyed to the other processing units 38 to 41 or the second processing unit 5 in turn. have.
또한, 이 도에 나타낸 바와 같이, 제 1, 제 2, 제 3의 프로세스부(4,5,6) 사이에는 냉각부(COL)(42,43)가 설치되어 있다. 이들 냉각부(42,43)는 처리중의 기판을 일시적으로 대기시키기 위한 것이다.As shown in this figure, cooling sections (COLs) 42 and 43 are provided between the first, second and third process sections 4, 5 and 6. These cooling sections 42 and 43 are for temporarily waiting the substrate under processing.
다음, 상기와 같이 구성되는 도포현상처리시스템(1)에 있어서의 처리순서를 도 2의 플로우 차트를 참조하면서 설명한다.Next, the processing procedure in the coating and developing processing system 1 configured as described above will be described with reference to the flowchart of FIG. 2.
먼저, 상기 재치대(10) 상의 제 1의 카세트(C1) 내에 수납된 미처리의 기판은, 상기 로더/언로더부(3)로부터 상기 반송부(C/S)(11)를 매개로 하여 제 1 의 프로세스부(4)의 제 1의 메인아암기구(15)로 건네어진다(스텝 S1, S2). 다음, 이 기판은 건식세정장치(UV)(21)에 의해 자외선세정되어(스텝 S3), 그 후 상기 냉각부 (22)에 의해 제 1의 냉각(COL1)이 행하여진다(스텝 S4).First, the unprocessed substrate accommodated in the first cassette C1 on the mounting table 10 is formed from the loader / unloader section 3 via the transfer section C / S 11. It is passed to the 1st main arm mechanism 15 of 1 process part 4 (step S1, S2). Next, the substrate is ultraviolet-cleaned by a dry cleaning apparatus (UV) 21 (step S3), and the first cooling unit COL1 is then performed by the cooling unit 22 (step S4).
다음, 상기 습식세정장치(19)에 의해 브러시세정(SCR)이 행하여지면, 상기 가열부(20)에 의한 제 1의 가열처리(HP1)에 의해 가열건조된 후(스텝 S6), 상기 냉각부(22)에 의한 제 2의 냉각처리에 의해 냉각된다(스텝 S7), 그 후, 이 기판은 제 1의 메인아암기구(15)로부터 제 2의 프로세스부(5)의 제 2의 메인아암기구(24)로 건네어진다.Next, when brush cleaning (SCR) is performed by the wet cleaning device 19, after being dried by the first heat treatment HP1 by the heating unit 20 (step S6), the cooling unit It cools by the 2nd cooling process by 22 (step S7), Then, this board | substrate is a 2nd main arm mechanism of the 2nd process part 5 from the 1st main arm mechanism 15. Then, as shown in FIG. It is passed in (24).
제 2의 프로세스부로 건네어진 기판은, 어드히젼(adhesion)처리부(29)에 의해 표면의 소수화처리(AD)가 행하여진 후(스텝 S8), 제 3의 냉각처리(COL3)가 행하여진다(스텝 S9). 다음, 소수화처리 후의 기판은 레지스트액 도포·둘레가장자리 레지스트제거부(28)로 도입되어 레지스트도포(CT) 및 기판둘레가장자리의 불필요한 레지스트액의 제거(ER)가 행하여진다.The substrate passed to the second process portion is subjected to the third cooling treatment COL3 after the hydrophobization treatment (AD) of the surface is performed by the adhesion treatment portion 29 (step S8) (step S8). S9). Subsequently, the substrate after the hydrophobization treatment is introduced into the resist liquid coating and the peripheral edge resist removing portion 28, whereby the resist coating (CT) and the unnecessary resist liquid at the edge of the substrate are removed (ER).
이와 같이 처리된 기판은 상기 가열부(30,31)로 삽입되어, 베이킹(baking)처리(HP2)가 행하여진다(스텝 S11). 이에 의해, 기판에 도포된 레지스트액에 포함되는 용제를 휘발시킨다. 다음, 이 기판을 냉각부에 삽입하여, 대략 실온으로까지 냉각(COL4)시킨다(스텝 S12). 그 후, 이 기판은 상기 제 2의 메인아암기구(24)로부터 제 3의 메인아암기구(34)를 매개로 하여 인터페이스부(7)로 반송되어, 노광장치(2)로 건네어진다(스텝 S13). 그리고, 이 노광장치(2)에서 노광처리(EXP)가 행하여진다(스텝).The substrate thus processed is inserted into the heating sections 30 and 31, and baking process HP2 is performed (step S11). This volatilizes the solvent contained in the resist liquid apply | coated to the board | substrate. Next, this board | substrate is inserted into a cooling part, and it cools to the room temperature (COL4) (step S12). Thereafter, the substrate is conveyed from the second main arm mechanism 24 to the interface unit 7 via the third main arm mechanism 34 and passed to the exposure apparatus 2 (step S13). ). Then, the exposure process EXP is performed in this exposure apparatus 2 (step).
노광처리가 행하여진 기판은 상기 인터페이스부(7), 제 3의 메인아암기구 (34)를 매개로 하여 타이틀러(39)로 삽입되어 타이틀링처리가 행하여진다(스텝 S15).The substrate subjected to the exposure process is inserted into the titler 39 via the interface unit 7 and the third main arm mechanism 34 to perform the title process (step S15).
그 후, 기판은 현상처리부(38)로 도입되어, 현상처리(DEV)가 행하여진다(스텝 S16). 이 현상처리부(38)는 예를 들어 기판 상에 현상액을 공급하면서 기판을 회전시킴으로써 현상을 행하고, 린스액으로 현상액을 씻어낸 후, 회전에 의해 떨쳐 떨어뜨림으로써 건조를 행한다.Subsequently, the substrate is introduced into the developing unit 38 and subjected to development (DEV) (step S16). The developing unit 38 performs development by, for example, rotating the substrate while supplying the developing solution onto the substrate. After washing the developer with the rinse solution, the developing part 38 is dried by dropping by rotation.
마지막으로 이 기판은 이 기판에 대향하는 가열/가열부(40) 또는 가열/냉각부(41)로 삽입되어, 제 3의 가열처리(HP3)에 의해 가열처리가 행하여진 후(스텝 S17), 제 5의 냉각처리(COL5)에 의해 냉각된다(스텝 S18).Finally, the substrate is inserted into the heating / heating portion 40 or the heating / cooling portion 41 facing the substrate, and after the heat treatment is performed by the third heat treatment HP3 (step S17), It cools by 5th cooling process COL5 (step S18).
이상의 모든 처리가 종료된 기판은 상기 제 3의 메인아암기구(34)로부터, 상기 제 2 , 제 1의 메인아암기구(24,15)를 매개로 하여 상기 반송부(11)(C/S)에 설치된 제 1의 서브아암기구(13)로 건네어진다(스텝 S19). 그리고, 이 제 1의 서브아암기구(13)에 의해 상기 로더/언로더부(3)에 재치된 제 2의 카세트(C2)내로 수용된다(스텝 S20).The board | substrate which completed all the above processes is carried out from the said 3rd main arm mechanism 34 via the said 2nd, 1st main arm mechanism 24 and 15 via the said conveyance part 11 (C / S). It is passed to the 1st subarm mechanism 13 provided in (step S19). Then, the first subarm mechanism 13 is accommodated in the second cassette C2 mounted on the loader / unloader section 3 (step S20).
도 3 및 도 4는 상기의 현상처리부(DEV)(38)에 있어서의 현상처리장치의 구성을 나타내는 도이고, 도 3은 이 현상처리장치를 정면으로부터 본 일부단면도, 도 4는 그 평면도이다.3 and 4 are diagrams showing the configuration of the developing apparatus in the above developing unit (DEV) 38, FIG. 3 is a partial sectional view of the developing apparatus from the front, and FIG. 4 is a plan view thereof.
현상처리장치(51)의 중심부에는, 구동모터(52)에 의해 회전이 가능하고 또 승강실린더(53)에 의해 상하로 이동이 가능하도록 구성된 스픽척(54)이 설치되어 있다. 이 스핀척(54)의 상면은 진공흡착등에 의해 기판(G)을 수평상태로 흡착하여 유지하도록 구성되어 있다. 또, 구동모터(52)와 승강실린더(53)와의 사이에는, 스토퍼(stopper)로서의 볼베어링(ball bearing)(55)이 끼어 삽입되어 있다. 즉, 승강실린더(53)에 의해 스핀척(54)이 하강할 때에 구동모터(52)의 하부가 볼베어링 (55)의 상면에 부딪혀, 스핀척(54)이 이 이하로 하강하지 않도록 되어 있다.In the center of the developing apparatus 51, a chuck chuck 54 configured to be rotatable by the drive motor 52 and to be moved up and down by the elevating cylinder 53 is provided. The upper surface of the spin chuck 54 is configured to adsorb and hold the substrate G in a horizontal state by vacuum suction or the like. In addition, a ball bearing 55 as a stopper is inserted between the drive motor 52 and the lifting cylinder 53. That is, when the spin chuck 54 is lowered by the lifting cylinder 53, the lower portion of the drive motor 52 hits the upper surface of the ball bearing 55, so that the spin chuck 54 does not fall below this level.
이 스핀척(54)의 아래쪽에는 하용기(下容器)(56)가 배치되어 있다. 또, 스핀척(54)의 외주를 둘러싸듯이 외 컵(57)이 배치되고, 하용기(56)와 외 컵(57) 사이에는 내 컵(58)이 배치되어 있다.A lower container 56 is disposed below the spin chuck 54. Moreover, the outer cup 57 is arrange | positioned so that the outer periphery of the spin chuck 54 may be arrange | positioned, and the inner cup 58 is arrange | positioned between the lower container 56 and the outer cup 57.
외 컵(57)과 내 컵(58)은 연결부재(59)에 의해 연결되고, 이들 외 컵(57) 및 내 컵(58)은 제어부(60)의 지령에 의거하여 승강실린더(61)에 의해 승강되도록 되어 있다. 외 컵(57) 및 내 컵(58)의 상부는 각각 위로 감에 다라 좁아지도록 내측으로 경사되어 설치되어 있다. 이 경사는 예를 들어 수평면에 대하여 30°정도로 되어 있다. 이와 같이 수평면에 대하여 협각으로 함으로써 배기효과를 높일 수 있다. 또, 이들 외 컵(57) 및 내 컵(58)의 표면에는 테프론(Teflon) 코우팅처리가 행하여져 있다. 이에 의해, 발수성이 향상되어, 컵에 더러워짐을 방지할 수 있다. 외 컵(57)의 상단개구부의 직경은 내 컵(58)의 상단개구부의 직경보다 크고, 또 이들 상단개구부의 직경은 기판(G)을 수평상태로 컵내에서 하강시켜 수용할 수 있는 크기로 형성되어 있다.The outer cup 57 and the inner cup 58 are connected by the connecting member 59, and the outer cup 57 and the inner cup 58 are connected to the lifting cylinder 61 based on the command of the control unit 60. It is supposed to be elevated by. The upper part of the outer cup 57 and the inner cup 58 is inclined inward so that it may become narrow depending on a persimmon upward, respectively. This inclination is, for example, about 30 degrees with respect to the horizontal plane. Thus, by making it narrow with respect to a horizontal plane, exhaust effect can be improved. In addition, Teflon coating is performed on the surfaces of the outer cup 57 and the inner cup 58. Thereby, water repellency improves and it can prevent a cup from becoming dirty. The diameter of the upper opening of the outer cup 57 is larger than the diameter of the upper opening of the inner cup 58, and the diameter of these upper openings is formed to a size that can be accommodated by lowering the substrate G in the horizontal state. It is.
하용기(56)는 중심부로부터 바깥을 향하여 아래방향으로 경사된 경사부(62)와, 그 외주에 배치된 받음접시부(63)를 갖추고 있다. 받음접시부(63)의 저면에는 통상의 기립벽(起立壁)(64)이 설치되어 있고, 기립벽(64)은 외 컵(57)과 내 컵(58) 사이에 개재된다. 또, 내 컵(58)의 경사부는 기립벽(64)을 넘어 기립벽(64)의 외주에 연재되어 있다. 이에 의해, 내 컵(58)의 경사부를 흐르는 유체는 받음접시부(63)의 기립벽(64)에 의해 칸막이된 외측실(65)로 흐르도록 되어 있다.The lower container 56 includes an inclined portion 62 inclined downward from the center portion to the outside and a receiving plate portion 63 disposed on the outer circumference thereof. A normal standing wall 64 is provided on the bottom of the receiving plate 63, and the standing wall 64 is interposed between the outer cup 57 and the inner cup 58. Incidentally, the inclined portion of the inner cup 58 extends beyond the standing wall 64 to the outer circumference of the standing wall 64. Thereby, the fluid which flows in the inclined part of the inner cup 58 flows to the outer chamber 65 partitioned by the standing wall 64 of the receiving plate 63. As shown in FIG.
하용기(56)의 경사부(62) 이면측에는, 컵내를 배기시키기 위한 배기구(66)가 설치되어 있고, 배기구(66)에는 배기펌프(67)가 접속되어 있다. 받음접시부(63)의 기립벽(64)에 의해 칸막이된 내측실(68)의 하부에는 배액구(69)가 형성되어 있고, 외측실(65)의 하부에는 드레인구(70)가 형성되어 있다. 그리고, 배액구(69)에는 회수관(71)을 매개로 하여, 사용이 종료된 현상액을 재생처리하는 재생처리기구 (72)가 접속되어 있다. 재생처리기구(72)는, 기액을 분리하는 기액분리기구(73)와 사용이 종료된 현상액 중의 불순물을 제거하는 불순물제거기구(74)로 구성되어, 현상액 수용탱크(75)에 접속되어 있다. 드레인구(70)는 회수탱크(도시 안됨)에 접속되어 있다.An exhaust port 66 for exhausting the inside of the cup is provided on the rear surface side of the inclined portion 62 of the lower container 56, and an exhaust pump 67 is connected to the exhaust port 66. A drain hole 69 is formed in the lower portion of the inner chamber 68 partitioned by the standing wall 64 of the receiving plate 63, and a drain hole 70 is formed in the lower portion of the outer chamber 65. have. The drain port 69 is connected with a regeneration treatment mechanism 72 for regenerating the developer after use, via the recovery pipe 71. The regeneration processing mechanism 72 is composed of a gas liquid separation mechanism 73 for separating gas liquid and an impurity removal mechanism 74 for removing impurities in the used developer after completion of use, and is connected to the developer storage tank 75. The drain port 70 is connected to a recovery tank (not shown).
컵 상부의 한쪽측에는 기판(G)의 표면에 대하여 현상액을 토출하기 위한 현상액 토출기구(81)가 배치되고, 다른쪽측에는 기판(G)의 표면에 대하여 린스액을 토출하기 위한 세정기구(82)가 배치되어 있다. 또, 도 4에 나타낸 바와 같이, 컵 상부의 앞쪽 및 배후에는 반송용 레일(83,84)이 설치되어 있다. 현상액 토출기구 (81)에는 반송용 모터(85)가 설치되어 있어, 제어부(60)에 의한 제어에 의거한 반송모터(85)의 구동에 의해 현상액 토출기구(81)가 반송용 레일(83,84)을 따라 컵내 상부로 반송되도록 되어 있다. 그리고, 이 현상액 토출기구(81)에는, 제어부(60)의 제어에 의거하여, 펌프(85)를 매개로 하여 현상액 수용탱크(75)에 의해 현상액이 공급된다. 도, 현상액 토출기구(81)에는, 수평방향으로 배치된 유지봉(도시 안됨)에 복수의 현상액 토출노즐(86)이 설치되어 있다.On one side of the cup upper side, a developing solution discharge mechanism 81 for discharging the developing solution to the surface of the substrate G is disposed, and on the other side, a cleaning mechanism 82 for discharging the rinse liquid to the surface of the substrate G. Is arranged. In addition, as shown in FIG. 4, the conveyance rails 83 and 84 are provided in the front and rear of a cup upper part. A developing motor 85 is provided in the developing solution discharge mechanism 81, and the developing solution discharge mechanism 81 is driven by the transfer motor 85 under the control of the control unit 60. 84) to be conveyed to the upper portion of the cup. And the developing solution is supplied to this developing solution discharge mechanism 81 by the developing solution accommodation tank 75 via the pump 85 under control of the control part 60. As shown in FIG. The developer discharge mechanism 81 is provided with a plurality of developer discharge nozzles 86 on a holding rod (not shown) arranged in the horizontal direction.
세정기구(82)에는 제어부(60)의 제어에 의거하여, 펌프(87)를 매개로 하여 린스액 탱크(88)로부터 린스액(예를 들어 순수)가 공급된다. 이 세정기구(82)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 회전구동부(89)에 연결되어, 기초단부(90)를 중심으로 하여 회동이 자유롭도록 설치된 지지아암(91)과, 이 지지아암(91)의 일단에 지지된 린스액 토출노즐(92)을 갖추고 있다. 지지아암(91)은 제어부(60)의 제어에 의해, 회전구동부(89)가 구동하여 기초단부(90)를 중심으로 하여 회동하여, 린스액 토출노즐(92)을 기판(G)의 거의 중심에 대응하는 부위로 위치시켜, 린스액 토출노즐 (92)로부터 린스액의 토출이 행하여지도록 되어 있다.The rinse liquid (for example, pure water) is supplied to the washing mechanism 82 from the rinse liquid tank 88 through the pump 87 under the control of the control unit 60. As shown in FIG. 4, this washing | cleaning mechanism 82 is connected to the rotation drive part 89, and the support arm 91 provided so that rotation is possible centering around the base end 90, and this support arm 91 Is provided with a rinse liquid discharge nozzle 92 supported at one end. The support arm 91 is driven by the rotation driving unit 89 by the control of the control unit 60 to rotate around the base end 90 so that the rinse liquid discharge nozzle 92 is almost centered on the substrate G. The rinse liquid is discharged from the rinse liquid discharge nozzle 92.
외 컵(57)의 내 벽(57)에는 회전하는 기판(G)의 원심력에 의해 비산된 환경을 외 컵(57)의 내벽 아래쪽으로 안내하는 제 1의 안내부재로서의 핀(93)이 설치되어 있다. 핀(93)은 도 5에 나타낸 바와 같이, 외 컵(57)의 내주를 따라, 예를 들어 등간격으로 32개가 설치되어 있다. 각 핀 (93)은 연직방향에 대하여 소정의 각도θ, 예를 들어 30°∼60°정도, 보다 바람직하게는 45°정도 기울어져 있다. 이에 의해, 기판(G)이 도 5 내의 화살표①방향으로 회전하였을 때에, 도 5 내의 화살표 ②방향으로 나타낸 내벽아래쪽에 기류가 발생하여, 이들 부근의 환경을 외 컵(57)의 내벽아래쪽으로 안내하도록 되어 있다. 이들 핀(93)은 예를 들어 SUS등으로 구성되어 있거나, 또는 테프론 코우팅처리가 행하여짐으로써 미스트의 부착이 방지되도록 되어 있다. 덧붙여 설명하면, 핀(93)이 수지재료에 의한 것이어도 물론 상관없다.The inner wall 57 of the outer cup 57 is provided with a pin 93 as a first guide member for guiding the environment scattered by the centrifugal force of the rotating substrate G below the inner wall of the outer cup 57. have. As shown in FIG. 5, 32 pins are provided along the inner circumference of the outer cup 57 at equal intervals, for example. Each pin 93 is inclined with respect to the vertical direction at a predetermined angle θ, for example, about 30 ° to 60 °, more preferably about 45 °. As a result, when the substrate G is rotated in the direction of arrow ① in FIG. 5, airflow is generated below the inner wall shown in the direction of arrow 2 in FIG. 5, and the environment near these is guided below the inner wall of the outer cup 57. It is supposed to be. These pins 93 are made of, for example, SUS or the like, or the Teflon coating process is performed to prevent adhesion of mist. In addition, of course, even if the pin 93 is a resin material, it does not matter.
마찬가지로, 내 컵(58)의 내벽에도, 회전하는 기판(G)의 원심력에 의해 비산된 환경을 내 컵(58) 아래쪽으로 안내하는 제 3의 안내부재로서의 핀(94)이 설치되어 있다. 핀(94)에 관하여도, 예를 들어 상기의 핀(93)과 마찬가지의 구성으로 되어 있다.Similarly, the inner wall of the inner cup 58 is provided with a pin 94 as a third guide member for guiding the environment scattered by the centrifugal force of the rotating substrate G below the inner cup 58. Also about the pin 94, it is the structure similar to the above-mentioned pin 93, for example.
또, 도 6에 나타낸 바와 같이, 외 컵(57) 및 내 컵(58)의 하부에는, 외 컵 (57) 하부측과 내 컵(58) 하부측을 걸치도록 하여 핀(95)이 기립벽(64)에 고정되어 있다. 핀(95)도 상기의 핀(93,94)과 마찬가지로, 연직방향에 대하여 소정의 각도θ, 예를 들어 30°∼60°정도, 보다 바람직하게는 45°정도의 각도로 되어 있다. 이에 의해, 도 6내의 화살표 ①로 나타낸 바와 같이, 핀(93)에 의해 외 컵(57) 상부로부터 하부에 걸쳐 안내된 환경이, 이들 핀(95)을 매개로 하여 내 컵(58)의 내측, 즉 배기구(66)로 안내되도록 되어 있다. 마찬가지로 도 6 내의 화살표 ②로 나타낸 바와 같이, 핀(94)에 의해 내 컵(58) 상부로부터 하부에 걸쳐 안내된 환경도 핀(95)을 매개로 하여 내 컵(58)의 내측, 즉 배기구(66)로 안내되도록 되어 있다. 또, 핀(95)도 상기와 마찬가지로 SUS등으로 구성되거나, 또는 테프론 코우팅처리가 행하여짐으로써 미스트의 부착이 방지되도록 되어 있다.In addition, as shown in FIG. 6, the pin 95 is a standing wall in the lower part of the outer cup 57 and the inner cup 58 so that the lower side of the outer cup 57 and the inner cup 58 lower side may be suspended. It is fixed at 64. Similar to the pins 93 and 94 described above, the pin 95 has a predetermined angle θ with respect to the vertical direction, for example, about 30 ° to 60 °, more preferably about 45 °. Thereby, as shown by the arrow (1) in FIG. 6, the environment guided from the upper cup lower part to the lower part by the pin 93 is the inside of the inner cup 58 via these pins 95. As shown in FIG. In other words, the exhaust port 66 is guided. Similarly, as indicated by the arrow? In FIG. 6, the environment guided from the upper to the lower portion of the inner cup 58 by the pin 94 is also inside the inner cup 58, that is, the exhaust port (via the pin 95). 66). In addition, the pin 95 is made of SUS or the like as described above, or the Teflon coating process is performed to prevent adhesion of mist.
다음, 이와 같이 구성된 현상처리장치(51)의 동작에 관하여 설명한다.Next, the operation of the developing apparatus 51 configured as described above will be described.
현상처리장치(51)내로 반입되어 스핀척(54)에 의해 유지된 기판(G)은 하강되고, 도 7에 나타낸 바와 같이 외 컵(57) 및 내 컵(58)은 가장 높은 위치로까지 상승되고, 현상액 토출기구(81)는 기판의 중심부근으로 반송되어 정지한다. 그리고, 스핀척(54)에 의해 유지된 기판(G)이 회전되고, 현상액 토출기구(81)의 현상액 토출노즐(86)에 의해 이 기판(G)에 대하여 현상액이 토출된다. 또, 기판(G)의 외주로부터 비산되는 현상액은 내 컵(58)의 내측에 부딪혀 배액구(69)에 의해 회수되어 재이용된다. 그때, 내 컵(58) 안에서 발생된 미스트는 핀(94,95)를 매개로 하여 내 컵(58)의 내측, 즉 배기구(66)로 안내된다. 이에 의해, 상기의 미스트가 기판에 부착하는 것을 방지할 수 있다. 덧붙여 설명하면, 그 때에 펌프(67)의 배기압을 높이도록 제어하면, 효과적으로 미스트를 배기하는 것이 가능하다. 또, 현상액 공급시의 스핀척(54)의 회전수는 후술하는 린스시의 스핀척(54) 회전수보다 늦게 하는 것이 바람직하다. 현상액을 공급하는 때에 있어서의 미스트의 발생이 많기 때문에, 이것을 억제할 수 있기 때문이다.The substrate G carried into the developing apparatus 51 and held by the spin chuck 54 is lowered, and the outer cup 57 and the inner cup 58 are raised to the highest position as shown in FIG. 7. The developer discharge mechanism 81 is conveyed to the center of the substrate and stopped. Then, the substrate G held by the spin chuck 54 is rotated, and the developer is discharged to the substrate G by the developer discharge nozzle 86 of the developer discharge mechanism 81. In addition, the developing solution scattered from the outer circumference of the substrate G hits the inner side of the inner cup 58 and is recovered by the drainage port 69 and reused. At that time, mist generated in the inner cup 58 is guided to the inner side of the inner cup 58, that is, the exhaust port 66, through the pins 94 and 95. Thereby, it can prevent that said mist adheres to a board | substrate. In addition, if it controls so that the exhaust pressure of the pump 67 may be raised at that time, it is possible to exhaust | emit mist effectively. Moreover, it is preferable to make the rotation speed of the spin chuck 54 at the time of supply of a developing solution later than the rotation speed of the spin chuck 54 at the time of rinse mentioned later. This is because mist is often generated when the developer is supplied, and this can be suppressed.
다음, 도 8에 나타낸 바와 같이, 스핀척(54)에 의해 유지된 유리기판(G)은 하강되고, 외 컵(57) 및 내 컵(58)은 가장 낮은 위치로까지 하강된다. 그리고, 스핀척(54)에 의해 유지된 기판(G)이 정지상태로 되고, 세정기구(82)를 구성하는 지지아암(91)이 회동하여, 린스액 토출노즐(92)이 기판(G)의 중앙부근으로 배치된다. 다음, 스핀척(54)에 의해 유지된 기판(G)이 회전되고, 린스액 토출노즐(92)로부터 기판(G)에 대하여 린스액(순수)가 공급된다. 이때, 기판(G)의 외주로부터 비산되는 린스액은 내 컵(58)과 외 컵(57) 사이를 통하여 드레인구(70)로부터 폐기된다. 또, 외 컵(57) 내에서 발생된 미스트는 핀(93,94)을 매개로 하여 내 컵(58)의 내측, 즉 배기구(66)로 안내된다. 이에 의해, 상기의 미스트가 기판(G)에 부착하는 것을 방지할 수 있다.Next, as shown in FIG. 8, the glass substrate G held by the spin chuck 54 is lowered, and the outer cup 57 and the inner cup 58 are lowered to the lowest position. Subsequently, the substrate G held by the spin chuck 54 is brought to a stationary state, and the support arm 91 constituting the cleaning mechanism 82 is rotated, so that the rinse liquid discharge nozzle 92 is the substrate G. It is placed near the center of. Next, the substrate G held by the spin chuck 54 is rotated, and the rinse liquid (pure water) is supplied to the substrate G from the rinse liquid discharge nozzle 92. At this time, the rinse liquid scattered from the outer circumference of the substrate G is discarded from the drain port 70 through the inner cup 58 and the outer cup 57. In addition, mist generated in the outer cup 57 is guided to the inner side of the inner cup 58, that is, the exhaust port 66, through the pins 93 and 94. Thereby, it can prevent that said mist adheres to the board | substrate G. As shown in FIG.
린스액의 공급이 종료되면, 지지아암(91)이 기판(G)의 중심부분으로부터 상기의 역방향으로 회동하여, 린스액 토출노즐(92)이 컵 외로 반송된다. 그리고, 스핀척(54)에 의해 유지된 기판(G)이 고속으로 회전되어 원심력에 의한 건조가 행하여진다. 외 컵(57) 안에서 발생한 미스트는 마찬가지로 핀(93, 95)를 매개로 하여 내 컵(58)의 내측, 즉 배기구(66)로 안내된다. 이에 의해, 상기의 미스트가 기판 (G)에 부착하는 것을 방지할 수 있다. 본 실시형태에서는, 특히 안내부재를 핀에 의해 구성시킴으로써, 회전에 의한 건조시에 있어서의 미스트 부착을 유효하게 방지할 수 있다. 기판(G)의 고속회전에 동반되어 핀(93, 95)에 의한 기류의 안내효과가 높아지기 때문이다.When supply of the rinse liquid is complete | finished, the support arm 91 rotates to said reverse direction from the center part of the board | substrate G, and the rinse liquid discharge nozzle 92 is conveyed out of a cup. And the board | substrate G hold | maintained by the spin chuck 54 is rotated at high speed, and drying by centrifugal force is performed. Mist generated in the outer cup 57 is similarly guided to the inner side of the inner cup 58, that is, the exhaust port 66, through the pins 93 and 95. Thereby, it can prevent that said mist adheres to the board | substrate G. As shown in FIG. In this embodiment, in particular, by constituting the guide member by a pin, it is possible to effectively prevent mist sticking during drying by rotation. This is because the guide effect of the airflow caused by the pins 93 and 95 increases with high-speed rotation of the substrate G.
본 발명자등이 이와 같은 핀(93, 94, 95)을 설치한 현상처리장치와 핀을 갖추지 않은 현상처리장치에 있어서의 기판(G)에 부착된 미스트의 수를 비교한 결과, 핀(93, 94, 95)이 설치된 현상처리장치가, 미스트의 수가 5분의 1 이하로 저감되어 있는 것이 확인되었다.As a result of the present inventors comparing the number of mists attached to the substrate G in the developing apparatus in which such pins 93, 94, 95 are provided with the developing apparatus without pins, the pin 93, It was confirmed that the number of mists was reduced to one fifth or less in the developing apparatuses provided with 94 and 95).
다음, 본 발명의 다른 실시형태에 관하여 설명한다.Next, another embodiment of the present invention will be described.
이 실시형태에서는, 도 9에 나타낸 바와 같이, 외 컵(101)을 기초부(102)와 핀(93)이 설치되어 기초부(102)에 대하여 착탈이 가능한 착탈부(103)로 분리한 것이다. 이와 같이 구성함으로써, 핀(93)이 설치된 착탈부(103)을 기초부(102)로부터 벗겨내어 착탈부(103)에 설치된 핀(93)의 세정을 용이하게 행하는 것이 가능하게 된다. 제 3의 안내부재가 설치된 내 컵에 관하여도 마찬가지로 구성하여도 좋다.In this embodiment, as shown in FIG. 9, the outer cup 101 is isolate | separated into the detachable part 103 which is provided with the base part 102 and the pin 93, and is detachable with respect to the base part 102. FIG. . By such a configuration, the detachable portion 103 provided with the pin 93 is peeled off from the base portion 102 and the pin 93 provided on the detachable portion 103 can be easily cleaned. The inner cup provided with the third guide member may be similarly configured.
다음, 본 발명의 또 다른 실시형태에 관하여 설명한다.Next, another embodiment of the present invention will be described.
이 실시형태에서는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 제 1의 안내부재(111)를, 인접하는 복수의 핀(93)을 갖추는 복수의 블록(113)으로 분할하여, 각 블록(113)을 외 컵(112)과의 사이에서 착탈이 가능하도록 한 것이다. 이와 같이 구성함으로서, 핀(93)이 설치된 블록(113)을 외 컵(112)으로부터 벗겨내어 각 핀(93)의 세정을 용이하게 행하는 것이 가능하게 된다. 제 3의 안내부재가 설치된 내 컵에 관하여도 마찬가지로 구성하여도 좋다.In this embodiment, as shown in FIG. 10, the 1st guide member 111 is divided into the several block 113 provided with the several adjacent pin 93, and each block 113 is an outer cup. Detachment is possible with (112). With this configuration, the block 113 provided with the pin 93 can be peeled off from the outer cup 112 and the pins 93 can be easily cleaned. The inner cup provided with the third guide member may be similarly configured.
다음, 본 발명의 또 다른 실시형태에 관하여 설명한다.Next, another embodiment of the present invention will be described.
이 실시형태는, 도 11에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 린스시에 스핀척에 유지된 기판(G)의 이면을 향하여 린스액을 공급함과 동시에, 핀(93, 95)에 린스액을 공급하는 백린스(back rinse)기구(121)를 갖추게 한 것이다. 백린스기구(121)는 린스액을 토출하는 린스액 토출노즐(122)을 갖춤과 동시에, 린스액 토출노즐(122)을 회동시켜 린스액의 토출방향을 바꾸는 회동기구(123)를 갖추고 있다. 이에 의해, 전용의 설비를 갖출 필요없이, 핀(93, 95)의 세정을 행할 수 있다.In this embodiment, as shown in FIG. 11, for example, the rinse liquid is supplied toward the rear surface of the substrate G held by the spin chuck during rinsing, and the rinse liquid is supplied to the fins 93 and 95. The back rinse mechanism 121 is provided. The rinse mechanism 121 has a rinse liquid discharge nozzle 122 for discharging the rinse liquid and a rotating mechanism 123 for rotating the rinse liquid discharge nozzle 122 to change the discharge direction of the rinse liquid. As a result, the fins 93 and 95 can be cleaned without the need for dedicated equipment.
다음, 본 발명의 또 하나의 다른 실시형태를 설명한다.Next, another embodiment of the present invention will be described.
상술한 실시형태에서는, 현상액 공급시에 외 컵(57) 및 내 컵(58)이 가장 높은 위치로까지 상승되고, 내 컵(58)에 의해 현상액을 회수하고, 그 후의 린스시에는 외 컵(57) 및 내 컵(58)이 가장 낮은 위치로까지 하강되고, 외 컵(57)에 의해 린스액을 회수함으로써, 즉 현상액과 린스액을 각각 다른 계통으로 회수함으로써 현상액만을 재이용하는 것이었지만, 이 실시형태에서는, 도 7에 나타낸 상태, 즉 외 컵(57) 및 내 컵(58)이 가장 높은 위치로까지 상승된 상태에서 현상액 공급 및 린스의 공급을 행하여, 내 컵(58)에 의해 현상액 및 린스액의 양쪽을 회수하려고하는 것이다. 이에 의해, 내 컵(58)이 항상 기판(G) 위쪽의 영역에 위치함으로써, 기판(G) 위쪽 영역을 비상하는 미스트를 내 컵(58)에 의해 효과적으로 제거할 수 있다.In the above-described embodiment, the outer cup 57 and the inner cup 58 are raised to the highest position at the time of developer supply, and the developer is recovered by the inner cup 58, and at the time of subsequent rinsing, the outer cup ( 57 and the inner cup 58 were lowered to the lowest position, and only the developer was reused by recovering the rinse solution by the outer cup 57, that is, collecting the developer and the rinse solution in different systems. In the embodiment, the developer and the rinse are supplied in the state shown in FIG. 7, that is, in the state where the outer cup 57 and the inner cup 58 are raised to the highest position. Try to recover both sides of the rinse solution. Thereby, since the inner cup 58 is always located in the area | region above the board | substrate G, the mist which escapes the area | region above the board | substrate G can be effectively removed by the inner cup 58. FIG.
또, 이와 같은 미스트의 비상은 스핀척(54)의 회전수에 의존하기 때문에, 스핀척(54)의 회전수를 따라 외 컵(57) 및 내 컵(58)을 승강시켜도 좋다. 즉, 현상액 및 린스액의 회전건조시에는 스핀척(54)이 저속으로 회전되지만, 이 때에 외 컵 (57) 및 내 컵(58)은 낮은 위치로까지 하강되고, 외 컵(57)에 의해 액의 회수가 행하여진다. 한편, 그 외에 있어서는 스핀척(54)은 고속으로 회전되지만, 이 때에 외 컵(57) 및 내 컵(58)은 높은 위치로까지 상승되고, 미스트의 대부분은 내 컵 (58)에 의해 회수되고, 이에 덧붙여 외 컵(57)에 의해 비상된 미스트의 회수가 행하여진다.In addition, since the flight of the mist depends on the rotation speed of the spin chuck 54, the outer cup 57 and the inner cup 58 may be raised and lowered along the rotation speed of the spin chuck 54. That is, the spin chuck 54 rotates at a low speed during rotation drying of the developer and the rinse liquid, but at this time, the outer cup 57 and the inner cup 58 are lowered to a lower position, and the outer cup 57 The liquid is recovered. On the other hand, while the spin chuck 54 is rotated at high speed, the outer cup 57 and the inner cup 58 are raised to a high position at this time, and most of the mist is recovered by the inner cup 58. In addition to this, the mist recovered by the outer cup 57 is recovered.
덧붙여 설명하면, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되지 않는다.In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above.
예를 들어, 도 12에 나타낸 바와 같이, 외 컵(57)의 경사면의 정부로부터 아래쪽의 표면을 향하여 세정액을 토출하는 세정액 토출노즐(151)을 설치하여도 좋다. 이에 의해, 컵의 약액에 의한 더러움을 방지할 수 있다. 또한, 내 컵(58)에 관하여도 마찬가지의 구성으로 하여도 좋다.For example, as shown in FIG. 12, you may provide the cleaning liquid discharge nozzle 151 which discharges a cleaning liquid toward the lower surface from the top of the inclined surface of the outer cup 57. As shown in FIG. Thereby, the dirt by the chemical liquid of a cup can be prevented. The inner cup 58 may also have the same configuration.
또, 도 13에 나타낸 바와 같이, 외 컵(57) 상부(57a)와 하부(57b) 사이에 절연재료(57c), 예를 들어 수지재료를 개재시켜, 그 부근에 이온방전장치(152)를 배치하도록 하여도 좋다. 이에 의해, 외 컵(57)의 상부(57a)에 정전기가 대전되어, 이 정전기에 의해 미스트를 외 컵(57)에 부착시켜 회수하는 것이 가능하게 된다.또한, 내 컵(58)에 관하여도 마찬가지의 구성으로 하여도 좋다.As shown in Fig. 13, the ion discharge device 152 is placed in the vicinity of the outer cup 57 between the upper portion 57a and the lower portion 57b of an insulating material 57c, for example, a resin material. It may be arranged. Thereby, static electricity is charged to the upper part 57a of the outer cup 57, and it becomes possible to attach and collect mist to the outer cup 57 by this static electricity. The same configuration may be used.
또, 외 컵(57) 및 내 컵(58)의 구조는 도 14에 나타낸 바와 같이, 경사부 (153)를 아치(arch)형의 구조로 하여도 상관없다. 이에 의해, 컵의 높이를 보다 낮게 하여도 미스트등의 회수 능력이 없어지는 것이 아니기 때문에, 컵의 소형화를 꾀하는 것이 가능하게 된다.In addition, the structure of the outer cup 57 and the inner cup 58 may be an arch structure, as shown in FIG. As a result, even if the height of the cup is lowered, the capacity for collecting the mist is not lost. Therefore, the cup can be miniaturized.
또, 상술한 실시형태는, 유리기판을 현상처리하는 현상처리장치에 본 발명을 적용시킨 것이었지만, 예를 들어 유리기판을 회전시키면서 세정등을 행하는 다른 장치에도 본 발명을 적용시킬 수 있다. 또, 처리대상은 유리기판뿐만이 아니고, 반도체웨이퍼등의 타 기판에도 당연히 본 발명을 적용할 수 있다.In addition, although the above-described embodiment applies the present invention to a developing apparatus for developing a glass substrate, the present invention can be applied to other apparatuses for cleaning or the like while rotating the glass substrate, for example. In addition, the present invention can naturally be applied not only to glass substrates but also to other substrates such as semiconductor wafers.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 컵내에서 비산된 미스트가 기판에 재흡착하는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, the mist scattered in the cup can be prevented from being resorbed onto the substrate.
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