KR20010078004A - 자기센서 및 이를 이용한 자기기억장치 - Google Patents

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시미즈유따까
에구찌신
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아끼구사 나오유끼
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Abstract

본 발명은 연질 강자성 재료의 제1자성층, 비자성층, 강자성 재료의 제2자성층 및 반강자성층을 포함하는 적층체 및 외부 자계의 변화를 저항의 변화로써 검출하여 출력하는 변환소자를 포함하며, 상기 제1자성층의 적어도 일부는 Ni-Fe 재료로 형성되고, wt%로 나타낸 Ni의 함유량 xNi와 nm로 나타낸 두께 t가 다음의 식
(여기서, BBulk 1= -53.78 J/㎤, BBulk 2= 0.6638 J/㎤, BSurf 1= 1.7548 × 10-6J/㎠ 및 BSurf 2= -2. 432 × 10-8J/㎠임)
으로 표현되는 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 자기센서이다.
또한, 본 발명은 자기헤드 및 자기기록매체를 포함하며, 상기 자기헤드는 본 발명에 따른 상기 자기센서를 사용하는 것을 특징으로 하는 자기기억장치이다.

Description

자기센서 및 이를 이용한 자기기억장치{MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC STORAGE USING SAME}
본 발명은 자기센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부에서 인가된 자계를 상기 자계로 인한 저항의 변화에 의해 감지하는 자기센서에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 자계를 감지하기 위해 매우 얇은(10 nm 미만) Ni-Fe 막을 이용하는 스핀 밸브 자기저항센서와 같은 자기센서에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 그러한 자기센서를 이용하는 자기기억장치에 관한 것이다.
자기센서는 다양한 분야에서 없어서는 아니된다. 예로써, 자기센서들은 각종 컴퓨터에서 이용되는 자기기억장치의 자기헤드에서 사용된다.
컴퓨터에서 사용되는 전형적인 자기기억장치는 하드 디스크 장치이고, 기록매체로서 알루미늄 기판과 같은 경질 기판 위에 형성되고, 구동수단(디스크 드라이브)에 의해 회전되는 기록용 자성 재료로 된 얇은 막을 가지는 하드 디스크를 사용하며, 슬라이더(slider)라고 불리우는 헤드-이동 기구(移動機構)의 한쪽 끝에 부착된 헤드를 사용하는 기록매체에 정보를 기록하고 기록매체로부터 정보를 판독한다. 하드 디스크들의 저장 용량은 해마다 증가하고 있으며, 하드 디스크 장치들에 사용되는 헤드도 이러한 추세를 따라야 한다.
고기록밀도를 갖는 하드디스크용 판독 헤드로서, 전기유도 원리를 이용하는 종래의 유도성 헤드를 대신하여, 외부자계의 변화를 저항의 변화로 감지하고, 이를 전압 변화로 출력하는 자기저항(MR) 효과를 이용하는 MR 헤드가 사용된다. 상기 MR 헤드는 외부 자계를 감지하는 이방성 자기저항 효과를 표시하는 단층 막(통상 Ni-Fe층)을 사용한다.
더욱 최근에는, 종래의 MR 헤드보다 고감도를 가지고, 따라서, 같은 외부 자계가 인가되면 저항에 있어서 더 커다란 변화를 보여 고출력을 제공하는 것을 가능하게 하는 거대자기저항(GMR)을 이용하는 GMR 헤드가 실용화되었다. GMR 헤드에서 발현되는 거대자기저항 효과는 다층 막으로부터 유래한다. 거대자기저항 효과를 나타내는 다층 구조를 가지는 여러 종류의 막들이 알려져 있다. 이들 중에서, 간단한 층 구조를 가지며 약한 자계하에서도 저항에 있어서 상대적으로 큰 비율의 변화를 가지는 막이 스핀 밸브(SV: spin valve) 막으로 알려진 것으로 대부분의 실용화 GMR 헤드에 사용된다.
스핀 밸브 막은, 원칙적으로, 적어도 4개의 층, 즉 가변 자화방향을 가지며 자유 자성층(간단하게는 자유층이라 불림)이라 불리는 제1자성층, 비자성층, 고정 자화방향을 가지며 고정 자성층(간단하게는 고정층이라 불림)이라 불리는 제2자성층 및 제2자성층(고정 자성층)의 자화방향을 교환결합에 의해 고정하는 반강자성층이 연속적으로 적층된 적층 구조를 갖는다. 그러한 적층 구조의 스핀 밸브 막에 외부 자계가 인가되면, 고정 자성층의 자화방향은 고정되어 변하지 않는 반면에 자유 자성층의 자화방향은 외부 자계의 방향에 의존하여 변화되고, 이로 인해 스핀 밸브 막의 전기 저항이 두 층들의 상대적인 자화방향에 있어서의 변화에 의해 변화하게 된다. 스핀 밸브 막의 저항은 상기 고정 자성층과 상기 자유 자성층의 자화방향들이 같은 방향인 경우(즉, 상기 자화방향들의 차이가 0°인 경우)에 최소가 되며, 상기 두 층들의 자화방향들이 서로 반대인 경우(즉, 상기 자화방향들의 차이가 180°인 경우)에 최대가 된다. 따라서, 스핀 밸브 막의 전기저항이 상기 자유 자성층과 상기 고정 자성층의 상대적인 자화방위에 의해 결정되므로, 상기 스핀 밸브 막은 매우 민감한 자기센서를 제공할 수 있다.
상기에서 기술된 바와 같이, 헤드에서 사용되는 그러한 스핀 밸브 막은 얇은 비자성 중간층에 의해 서로 분리된 두 개의 자성층들 및 하나의 자성층의 자화방향을 고정하기 위한 반강자성층을 포함한다. 이 스핀 밸브 막을 사용하여 제작된 자기헤드는, 일반적으로, 자기센서에 사용되는 여러 가지의 층들이 형성되는 기판, 상기 기판 상에 초기에 형성되는 하층(또한, 버퍼층이라고도 불림), 상기 하층 상에 연속적으로 형성되는 상기 연질 강자성 재료의 제1자성층(자유 자성층), 상기 비자성층, 강자성 재료의 제2자성층(고정 자성층) 및 상기 반강자성층으로 구성된 스핀 밸브 막 및 상기 스핀 밸브 막 상에 형성되는 보호층(산화 방지막)을 가진다. 상기에서 기술된 바와 같이, 상기 반강자성층이 상기 기판으로부터 멀리 떨어져 있고, 두 개의 자성층들이 그들 사이에 삽입되어 있는 구조을 가지는 자기헤드는 톱-타입(top-type) 자기헤드로 불린다. 이와 대조적으로, 상기 반강자성층이 상기 기판과 더 가까이 있고 기판과 두 개의 자성층들 사이에 위치하는 구조의 자기헤드는버텀-타입(bottom-type) 자기헤드로 불린다.
기판에는, 일반적으로 알루미나-TiC(종종 ALTiC 라고 불림)와 같은 재료가 사용된다. 일반적으로 탄탈륨(Ta)으로 형성되는 하층은 제1자성층이 형성되는 동안에 제1자성층을 예정된 배향면(orientation plane)으로 방위를 맞추고, 기판으로의 재료 확산을 막는다. 상기 두 개의 자성층들 사이의 비자성층은 일반적으로 구리(Cu)로 형성된다.
대부분의 경우에 있어서, 상기 스핀 밸브 막에 이용되는 자유 자성층에 사용되는 연질 강자성 막은 81 wt%의 Ni와 19 wt%의 Fe를 함유하는 재료로 형성되거나, 또는 상기 조성을 가지는 합금층 및 다른 강자성 합금의 다른 층을 가지는 합금층으로 구성된다. 스핀 밸브 막에서 사용되는 자유 자성층은 전형적으로 10 ㎚ 미만의 두께을 가진다. 상기 층으로 81 wt%의 Ni와 19 wt%의 Fe의 조성이 선택된 이유는 상기 조성이 뛰어난 연질 자성 특성들, 즉, 고투자율, 저이방성, 저보자력 및 거의 0에 가까운 자왜를 제공하기 때문이다.
고기록밀도화 추세를 가지는 하드 디스크 장치와 같은 자기기억 장치에 알맞은 판독헤드는 자계를 감지하기 위해 매우 작은 크기를 갖는 센서 부분을 갖는다. 이는 판독 헤드 박막(thinner) 등에서 사용되는 적층 구조의 제작이 요구되며, 결국, 상기 적층 구조 박막을 구성하는 각각의 층들의 제작이 요구된다.
이렇게 하여 만들어지는 자기 헤드 박막(thinner)에서, 층들은 10 nm 보다 훨씬 작은 두께를 가지기 때문에 상기 표면 및 응력 효과(stress effects)가 점점 중요해진다. 니켈 또는 니켈 합금의 얇은 막들에서, 초기층들은 비자성이며, 자기탄성 특성들 또한 층 두께에 크게 의존한다는 것은 잘 알려져 있다. Ni81Fe19재료의 두꺼운 막은 0에 가까운 자왜를 가지며, 이에 따라 일반적으로 자기저항 효과를 이용하는 종래의 자기센서들에 이 재료가 사용된다. 그러나, 막의 두께가 차세대의 판독 헤드들에서의 자유 자성층의 막 두께가 될 예정인 수 nm에 접근함에 따라 이 자성 재료의 자왜는 점점 커지고 양의 값을 가진다. 판독센서에서는 자유 자성층의 자왜가 이상적으로는 0의 값이고, 양의 값보다는 음의 값을 가지는 것이 바람직하다. 판독헤드에서 사용되는 고기록밀도용의 특히 작은 두께를 갖는 층들로 이루어진 적층 구조의 자기센서에서 자유 자성층의 큰 양의 값을 갖는 자왜는 바람직하지 않으며 될수록 피하지 않으면 안된다.
본 발명의 목적은 상기의 문제들을 해결하는 것이다. 보다 상세하게는 0 이하의 값의 자왜를 갖는 자유 자성층을 가지는 자기센서 및 상기 자기센서를 이용한 고감지 자기헤드를 가지고, 특히, 고기록밀도를 가지는 자기기억장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 자기센서의 층구조를 설명하는 도면.
도 2는 조성이 다양한 Ni-Fe 막들의 포화자화의 막두께에 대한 의존성을 나타내는 그래프.
도 3은 조성이 다양한 Ni-Fe 막들의 데드층(dead layer)들의 두께를 나타내는 그래프.
도 4는 조성이 다양한 Ni-Fe 막들의 포화자화를 자화 두께의 함수로 나타내는 그래프.
도 5는 포화자화를 Ni-Fe 막의 조성의 함수로 나타내는 그래프.
도 6은 포화자왜(자기 일그러짐)를 Ni-Fe 막의 자기 두께의 함수로 나타내는 그래프.
도 7은 포화자왜를 Ni-Fe 막의 조성의 함수로 나타내는 그래프.
도 8은 유효 자기탄성결합상수를 막의 두께의 함수로 나타내는 그래프.
도 9는 벌크 자기탄성결합상수 및 표면 자기탄성결합상수를 조성의 함수로 나타내는 그래프.
도 10은 Ni-Fe 막의 자왜가 0인 조성을 자기 두께의 함수로 나타내는 그래프.
도 11은 본 발명의 자기센서를 설명하는 도면.
도 12는 본 발명에서의 자기 헤드를 설명하는 사시도.
도 13은 본 발명의 자기기억 장치를 설명하는 사시도.
본 발명에 따르면, 자기 센서의 자유 자성층으로 Ni-Fe 막이 사용되며, 상기 Ni-Fe 막은 다음의 식으로 표현된 관계식을 만족시키도록 선택된 wt%로 나타낸 Ni의 함유량 xNi와 ㎚로 나타낸 두께 t를 가진다.
상기 식에서,
BBulk 1= -53.78 J/㎤,
BBulk 2= 0.6638 J/㎤,
BSurf 1= 1.7548 × 10-6J/㎠ 및
BSurf 2= -2. 432 × 10-8J/㎠이다.
따라서, 본 발명은 연질 강자성 재료의 제1자성층(자유 자성층), 비자성층, 강자성 재료의 제2자성층(고정 자성층) 및 반강자성층을 포함하는 적층체 및 외부 자계의 변화를 저항의 변화로 검출하여 출력하는 변환소자를 포함하며, 상기 제1자성층의 적어도 일부는 Ni-Fe 재료로 형성되고, wt%로 나타낸 Ni의 함유량 xNi와 nm로 나타낸 두께 t가 상기의 식으로 표현되는 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 자기센서를 제공한다.
또한, 본 발명은 자기헤드 및 자기기록 매체를 포함하며, 상기 자기헤드는 본 발명에 따른 자기센서를 사용하는 자기기억 장치를 제공한다.
(실시예)
도 1은 본 발명의 자기센서에서의 층구조를 설명한다. 본 발명의 자기센서를 구성하는 적층체(10)는 하층(12), 자유 자성층(13), 비자성층(14), 고정 자성층(15) 및 반강자성층(16)으로 구성되며, 이들 층들은 기판(11) 상에 연속적으로 형성된다. 기판(11)에는 일반적으로 AlTiC와 같은 재료가 사용된다. 적층체(10)에서 선택층(optional layer)인 하층(12)은, 사용될 경우에는, 일반적으로 탄탈륨(Ta)과 같은 재료의 얇은 막으로 형성되며 약 1 내지 10 nm의 두께를 가진다. 자유 자성층(13)은 연질 자성 재료의 하나의 Ni-Fe 합금으로 형성된다. 자유 자성층(13)은, 도면에 도시된 바와 같이, Ni-Fe 합금의 부층(sublayer)(13a) 및 또 다른 자성 재료의 부층(13b)로 형성될 수 있다. 자유 자성층(13) 상에는, 구리(Cu)와 같은 비자성 재료로 형성되는 비자성 중간층(간단히 비자성층)(14)이 위치한다. 고정 자성층(15)은 자유 자성층(13)과 반대 방향이 되도록 비자성층(14) 상에 형성되며, 비자성층(14)은 자유 자성층(13)과 고정 자성층(15) 사이에 삽입된다. 고정 자성층(15)을 구성하는 자성 재료는, 일반적으로, 코발트(Co) 또는 Co-Fe 합금과 같은 코발트계 자성 재료이다. 고정 자성층(15) 상에는 반강자성층(16)이 존재하며, 반강자성층(16)은 Pt-Mn, Ni-Mn 또는 Fe-Mn과 같은 반강자성 합금 재료 또는 NiO, Fe2O3와 같은 반강자성 산화물 재료 등으로 형성된다. 일반적으로, 이 층들의 각각은 물리 기상 성장법(PVD: physical vapor deposition)을 이용하여 형성된다. 도 1에는 도시되지 않았지만, 반강자성층(16) 상에 보호층이 형성될 수 있다. 상기 보호층은 일반적으로 Ta로 형성된다.
발명자들은, Ni-Fe 연질 자성층에 관하여, 다른 Ni-Fe 조성물들에 대한 자왜의 막 두께에 대한 의존성을 연구하기 위하여 스퍼터링 장치(sputtering device)를 이용하여 Ni와 Fe의 비율을 달리하여 다양한 막을 증착하여 실험을 행했다. 막들은 150 ㎛의 두께를 가지는 글래스 기판 상에 형성된 5 ㎚의 두께를 가지는탄탈륨(Ta) 하층 상에서 성장하여 2.5 내지 20 ㎚의 두께를 가지며, 성장한 Ni-Fe 막의 산화를 방지하기 위하여 5 ㎚의 두께를 가지는 하나의 탄탈륨(Ta)층에 의해 덮여졌다. 각 Ni-Fe 막의 포화자화 Ms를 진동시료형자력계(VSM: vibrating sampling magnetization meter)를 사용하여 측정하였으며, 도 2에 도시된 결과를 얻었다. 다음으로, 막 두께에 대한 자기 모멘트의 플롯(plot)으로부터, 다른 조성을 갖는 막들에 대해 상기 데드층들(dead layers)의 두께, tdead를 결정했고, 도 3에 도시된 바와 같이, Ni 함유량에 대해 플롯했다. 그리고 나서, 도 4에 도시된 바와 같이 Ni-Fe 각 막들의 유효(자기) 두께를 계산하여 상기 포화자화 Ms를 데드층에 대해 보정했으며, 도 5에 도시된 바와 같이, Ni 함유량의 함수로서 표현되는 그 값은 벌크(bulk) Ni-Fe 재료의 데이터와 일치했다. emu/cc 단위로 표현되는 도 2, 4 및 5에서의 세로좌표의 포화자기 Ms는 4π×10-4이 곱해지면 SI 단위계에서의 Wb/m2단위에서의 대응하는 값으로 변환된다.
라파우다 사(Lafouda Co.)에서 제조되어 시판되는 자왜 시험기(magnetostriction tester)에서 벤딩 빔 방법(bending beam method)을 이용하여 각 Ni-Fe 막의 자왜 상수 λs을 측정했다. 두께에 대한 Ni-Fe 막 자왜 의존성은, 상기 자왜 상수 λs가 자성 두께에 대해 플롯된, 도 6에 도시된 바와 같이, 연구된 조성들에 대해 유사한 동작을 보여주며, 두꺼운 막들에 대한 값들은, 도 7에 도시된 바와 같이, 벌크 재료의 데이터와 잘 일치한다.
막 두께에 대한 자왜 의존성을 이해하기 위해, 다결정 Ni-Fe의 탄성 상수들을 사용하여 측정된 자왜 데이터로부터 다음의 식에 의해 유효 자기탄성 결합 상수들 Beff가 계산되었다.
상기 식에서, λmeasured s는 측정된 자왜 데이터이고, Ef는 Ni-Fe에 대한 영율(Young's Modulus)이며, Vf는 Ni-Fe에 대한 포아송 비율(Poisson's ratio)이다.
이렇게 계산된 상기 유효 자기 탄성 결합 상수들은 도 8에 도시된 결과들을 얻기 위해 닐의 표면 이방성 모델(Neel's anisotorpy model)에 적용(fitting)되었다. 상기 유효 자기 탄성 결합 상수 Beff는, 다음의 식에 표현된 바와 같이, 벌크 자기 탄성 결합 항(간단하게는 벌크 항 또는 체적 항) 및 표면 자기 탄성 결합 항(간단하게는 표면 항)의 합이다.
이 식에서, BBulk는 벌크 자기 탄성 결합 상수이고, BSurf는 표면 자기 탄성 결합 상수이며, t는 막 두께이다.
이어서, 각 조성에 대한 BBulk및 BSurf를 얻기 위해, 조성물 각각에 대해적용(fitting)이 행해졌고, 측정된 포화 자화 Ms가 도 2에 도시되어 있다. 얻어진 결과들은 도 9에 플롯된다.
BBulk및 BSurf는 각각 다음의 식들에 의하면 Ni 함유량에 대해 선형적으로 근사됐다.
그리고 이들은 다음의 식을 얻기 위해 수학식 2에 대입되었다.
이 식에서, BBulk 1, BBulk 2, BSurf 1및 BSurf 2는 각각 다음의 상수들이다.
BBulk 1= -53.78 J/㎤, BBulk 2= 0.6638 J/㎤, BSurf 1= 1.7548 × 10-6J/㎠ 및 BSurf 2= -2. 432 × 10-8J/㎠이고, xNi는 wt%로 나타낸 Ni의 함유량이고, t는 ㎚로 나타낸 막의 두께이다.
Beff= 0 인 경우에 상기 수학식 5를 풀어 다음의 식을 얻었다.
상기로부터, 스핀 밸브 막의 자유층으로 사용되는 얇은 Ni-Fe 막에 대해, Ni-Fe 막의 Ni의 함유량, xNi는 자왜가 0 또는 음의 값이 되도록 다음의 관계식을 만족시켜야 함을 이해할 수 있다.
벌크 재료의 자기 탄성 결합 상수가 재료의 조성에 의존한다는 것은 이전부터 알려져 왔지만, 표면 자기 탄성 결합 상수의 막 조성에 대한 의존성은 결정되지 않았었다. 발명자에 의해 얻어진 상기 수학식 7은, 막의 두께를 점점 작게 함에 따라 증가되는 Ni-Fe 막의 표면 효과가 Ni-Fe 재료의 조성을 적절히 변경하여 벌크 항으로 옮겨가도록 함으로써, 10 ㎚ 미만의 어느 Ni-Fe 막의 두께에서도 상쇄되도록 하는 것을 허용한다.
상기 자기 탄성 결합 상수들이 조성에 대해 선형적으로 의존한다고 가정하면(이는 도 9에 도시된 바와 같이 상당히 합리적임), 자왜 값이 0 또는 음의 값이 되는 Ni-Fe 재료의 조성이 수학식 7에 의해 막의 두께의 함수로 계산될 수 있다. 도 10은 자왜가 0의 값이 되는 Ni-Fe 막과 막의 두께의 관계를 도시하며, 표 1은 대응하는 자왜 상수 λs의 값들과의 관계를 함께 도시한다. 예를 들면, wt%로약 85%의 Ni의 함유량을 포함하는 Ni85Fe15재료를 사용하면 종래의 스핀 밸브 막들에서 사용되는 Ni81Fe19막과 비교될 때, Ta 하층 상에 0.6 내지 1.9 ㎚의 자기 두께의 범위에서 성장한 Ni-Fe 막의 유효 자왜가 감소한다.
NiFe 자기두께(㎚) 0.65±0.05 0.75±0.05 0.85±0.05 0.95±0.05 1.05±0.05 1.15±0.05 1.2±0.05
Ni 함유량(wt%) 92.5±2.0 89.5±1.2 87.7±1.0 86.6±1.0 85.8±1.0 85.5±1.0 85.0±0.5
λs(10-6) +2.3--2.3 +1.5--1.5 +1.2--1.2 +1.2--1.2 +1.1--1.1 +1.0--1.0 +1.0--1.0
따라서, 스핀 밸브 막내에 자유층을 가지는 자기센서를 사용함으로써, 특히 고기록 밀도에 적합한 자기기억 장치의 헤드를 생산하는 것이 가능하다. 여기서, 상기 자유층은 본 발명에 따른 층에 상기 자유층에 의존하는 자왜에 영 또는 음의 값을 부여하기 위해 선택된 Ni-Fe 막으로 형성된다. 일반적으로, 상기 자기센서는 연질 강자성 재료의 제1자성층(자유 자성층), 비자성층, 강자성 재료의 제2자성층(고정 자성층) 및 반강자성층을 포함하는 하나의 적층체 및 외부자계의 변화를 검출하고 이를 저항의 변화로 출력하는 변환소자를 포함하며, 상기 제1자성층은 Ni-Fe 재료로 형성되고, Ni의 함유량 xNi및 두께 t가 상기 수학식 7에 의해 표현되는 관계를 만족시킨다. 상기 센서가 도 11에 개략적으로 도시되어 있으며, 도면에서 도시된 바와 같이, 상기 적층체의 제1자성층은 참조부호 13이 가리키고 있으며, Ni-Fe층(13a) 이외에 별도의 자성층(13b)를 포함할 수 있다. 또한, 도 11에서, 상기비자성층, 상기 제2자성층 및 상기 반강자성층은 각각 참조부호 14, 15 및 16이 가리키고 있다. 상기 적층체 밑(특히 상기 적층체와 기판(11) 사이)에는, 탄탈륨 또는 그와 유사한 재료로 형성된 하층(12)이 포함될 수 있고, 반강자성층(16) 상에는 보호층(도시되지 않음)이 위치할 수 있다. 이에 더하여, 제1 및 제2 자성층들(13, 15)은 변환소자(18)에 접속되어 있으며, 변환소자(18)는 상기 센서에 의해 감지되는 외부 자계의 변화를 저항의 변화로써 감지하며, 일반적으로 상기 저항의 변화는 전압의 변화로 변환되어 출력된다. 자기센서의 그러한 구성 자체는 잘 알려져 있으므로 여기서는 더 자세히 설명하지는 않는다.
본 발명의 자기센서를 이용하는 자기 헤드(판독 헤드)가 도 12에 개략적으로 도시되어 있다. 이 도면의 자기 헤드는 2개의 실드(shield)(21, 22) 사이의 중간에 위치하는 스핀 밸프 막(23)을 포함하며, 스핀 밸브 막(23)은 도 11을 참조하여 설명된 바와 같이 상기 적층 구조를 가진다. 전극들(24, 25)은, 도 12에 도시된 바와 같이, 스핀 밸브 막(23)에 접속되어 있으며, 또한 이들은 도 11에 도시된 바와 같이, 변환소자(18)에 접속되어 있다. 자기 헤드의 동작뿐만 아니라 그러한 구성 자체 또한 잘 알려져 있으며, 여기서는 더 이상 자세히 설명하지 않는다.
도 13은 본 발명의 자기센서를 이용한 자기 헤드를 사용하는 자기기억 장치의 일예로서 하드 디스크 장치(30)를 설명한다. 하드 디스크 장치(30)는 한쪽 끝에 자기 헤드(31)를 가지는 슬라이더(slider)(32) 및 자기기록 매체(33)를 포함하고, 슬라이드(32) 및 자기기록 매체(33)는 각각 도면에 도시되지 않은 구동장치들(drivers)에 의해 구동(drive)된다. 하드 디스크 장치(30)는 통상적으로 도면에 도시되지 않은 하우징(housing) 내에 수용된다. 본 발명의 자기센서를 헤드로서 사용하면 하드 디스크 장치(30)가 고밀도 데이터를 판독할 수 있다. 자기기억 장치의 동작뿐만 아니라 그러한 구성 또한 잘 알려져 있으며, 여기서는 더 자세히 설명하지 않는다.
이제 본 발명의 일실시예를 구체적으로 설명할 것이지만, 이것은 본 발명이 상기 일실시예에 의해 한정된다는 것을 의도하는 것은 아니다.
하나의 SiO2막이 형성된 하나의 Al2O3-TiC 기판상에 하층으로서 탄탈륨 층이 5 ㎚의 두께를 가지도록 형성되었으며, 스핀 밸브 자기저항 센서를 만들기 위해 직류 마그네트론 스퍼터링 장치(DC magnetron sputtering device)를 사용하여, 2.5 ㎚의 Ni85Fe15(숫자는 wt%) 및 2 ㎚의 Co90Fe10(숫자는 원자%)으로 구성되는 자유 연질 자성층, 2.8 ㎚의 두께를 갖는 Cu의 중간층, 2.2 ㎚의 두께를 갖는 Co90Fe10의 고정(pinned) 연질 자성층(숫자는 원자%), 15 ㎚의 두께를 갖는 Pd31Pt17Mn52의 반강자성층(숫자는 원자%) 및 5 ㎚의 두께를 갖는 Ta의 보호층이 연속적으로 형성되었다.
상기 막 형성시에는, 상기 자유 연질 자성층으 자화 방향이 상기 스핀 밸브 자기저항 센서의 센싱 전류(sensing current)의 방향과 평행하는 기판평면내 방향으로 약 100 Oe (8 kA/m) 정도의 직류 외부 자계가 인가될 수 있다.
상기 막 형성후에는, 상기 고정 연질 자성층의 방향을 스핀 밸브 자기저항 센서의 센싱 전류의 방향과 수직된 방향으로 고정하기 위해, 막 형성시에 인가된 외부 자계의 방향과 수직된 기판 평면내 방향으로 2.5 kOe(200 kA/m)의 직류외부자계를 인가하면서, 1×10-6Pa 이하의 진공에서 280 ℃로 약 3시간 동안 열처리를 실시했다.
열처리후에, 종래의 포토리소크래피(photolithography)법 및 이온 밀링(ion milling)법에 의해 소정의 센싱 소자 형상을 가지는 층들이 형성(patterned)되고, 리프트-오프(lift-off)법에 의해 소자 양단에 하드 바이어스 막들 및 전극 막들이 연속적으로 형성되었다. 상기 하드 바이어스 막은, 일반적으로, 하나의 Co-Cr-Pt 또는 Co-Pt 합금으로 형성되며, 약 20 ㎚의 두께를 가진다. 상기 전극 막은, 일반적으로, Au로 형성되며, 약 60 ㎚의 두께를 가진다.
상기 소자 형성후에는, 소자 길이의 방향(센싱 소자에서의 센싱 전류의 방향에 평행)으로 실내 온도에서 3 kOe(240 kA/m)의 직류 자계를 인가하여 양단에 있는 하드 바이어스 막들이 자화되었다. ±500 Oe (40 kA/m)의 외부 스위프(sweep) 자계에서 얻어진 스핀 밸브 자기저항 센서의 자기저항 특성들의 측정을 통해 바르크하우젠 잡음(Barkhausen noise)의 발생율이 5% 또는 그 이하임을 알아냈다.
비교하기 위해, 두께 2.5 ㎚의 Ni81Fe19(숫자는 wt%) 및 두께 2 ㎚의 Co90Fe10(숫자는 원자%)으로 구성된 자유 자성층을 가지는 것을 제외하고는 같은 방법으로 만들어진 시료들은 50 내지 100%의 바르크하우젠 잡음(Barkhausen noise)을 나타냈다.
일반적으로 말하면, 고밀도화 추세를 가지는 스핀 밸프 판독 센서들내의 자유층의 두께가 감소함에 따라, 종래의 Ni81Fe19자성층들의 자왜는 큰 양의 값(약10-6내지 10-5정도)을 가질 것이고, 이는 판독 헤드에서 도메인 불안정성 및 증가하는 바르크하우젠 잡음을 유발할 것이다. 본 발명은 하나의 조성을 가지는 Ni-Fe 자유층이 0.6 내지 10 ㎚ 사이의 어느 두께에서도 0 또는 음의 값의 자왜를 제공하도록 하는데 이용될 수 있도록 한다.
본 발명은 주로 톱-타입(top-type) 스핀 밸프 막을 참조하여 기술되었지만, 버텀-타입(bottom-type) 스핀 밸브 막에도 적용하는 것이 가능하다. 또한 본 발명은 Ni-Fe 재료의 층을 포함하는 적층 구조를 사용하는 자기저항 효과 소자들에도 적용이 가능하다.
이에 더하여, 본 발명은 또한 Ni-Fe 재료의 층을 포함하는 적층 구조를 사용하는 터널 접합(tunnel junction) 소자들에도 응용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 0 또는 음의 값의 자왜를 갖는 자유 자성층을 갖는 자기센서 및 상기 센서를 이용하는 자기기억 장치를 제공하는 것이 가능하며, 따라서 증가하는 기록밀도를 가지는 자기기억 장치를 사용하는 것을 가능하게 한다.

Claims (26)

  1. 연질 강자성 재료의 제1자성층, 비자성층, 강자성 재료의 제2자성층 및 반강자성층을 포함하는 적층체와, 외부 자계의 변화를 저항의 변화로써 검출하여 출력하는 변환소자를 포함하는 자기센서로서, 상기 제1자성층의 적어도 일부는 Ni-Fe 재료로 형성되고, wt%로 나타낸 Ni의 함유량 xNi와 nm로 나타낸 두께 t가 다음의 식
    (여기서, BBulk 1= -53.78 J/㎤, BBulk 2= 0.6638 J/㎤, BSurf 1= 1.7548 × 10-6J/㎠ 및 BSurf 2= -2. 432 × 10-8J/㎠임)
    으로 표현되는 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 자기센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1자성층은 Ni-Fe 재료로 구성됨을 특징으로 하는 자기센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1자성층은 Ni-Fe 재료의 부층(sublayer) 및 적어도 하나의 Ni-Fe 재료 이외의 자성 재료의 부층을 포함함을 특징으로 하는 자기센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1자성층은 10 nm 미만의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 자기센서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 비자성층은 구리로 형성됨을 특징으로 하는 자기센서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2자성층은 코발트 또는 Co-Fe 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료로 형성됨을 특징으로 하는 자기센서.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반강자성층은 Pt-Mn, Ni-Mn 및 Fe-Mn 합금들, NiO 및 Fe2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료로 형성됨을 특징으로 하는 자기센서.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 적층체는 기판 상에 위치함을 특징으로 하는 자기센서.
  9. 제8항에 있어서,
    하층이 상기 적층체와 상기 기판 사이에 삽입됨을 특징으로 하는 자기센서.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 하층은 탄탈륨으로 형성되며 1 내지 10 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 자기센서.
  11. 제8항에 있어서,
    제1 및 제2자성층들의 세트는 상기 반강자성층과 상기 기판 사이에 위치함을 특징으로 하는 자기센서.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 반강자성층은 제1 및 제2자성층들의 세트와 상기 기판 사이에 위치함을 특징으로 하는 자기센서.
  13. 제8항에 있어서,
    보호층이 상기 적층체 상에 형성됨을 특징으로 하는 자기센서.
  14. 자기헤드 및 자기기억매체를 포함하며, 상기 자기헤드는 연질 강자성 재료의 제1자성층, 비자성층, 강자성 재료의 제2자성층 및 반강자성층을 포함하는 적층체와, 외부자계의 변화를 저항의 변화로써 검출하여 출력하는 변환소자를 포함하는 자기센서를 포함하며, 상기 제1자성층의 적어도 일부는 Ni-Fe 재료로 형성되고,wt%로 나타낸 Ni의 함유량 xNi와 nm로 나타낸 두께 t는 다음의 식
    (여기서, BBulk 1= -53.78 J/㎤, BBulk 2= 0.6638 J/㎤, BSurf 1= 1.7548 × 10-6J/㎠ 및 BSurf 2= -2. 432 × 10-8J/㎠임)
    으로 표현되는 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1자성층은 Ni-Fe 재료로 구성됨을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1자성층은 Ni-Fe 재료의 부층 및 적어도 하나의 Ni-Fe 재료 이외의 자성 재료의 부층을 포함함을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제1자성층은 10 nm 미만의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 비자성층은 구리로 형성됨을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 제2자성층은 코발트 또는 Co-Fe 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료로 형성됨을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  20. 제14항에 있어서,
    상기 반강자성층은 Pt-Mn, Ni-Mn 및 Fe-Mn 합금들, NiO 및 Fe2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료로 형성됨을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  21. 제14항에 있어서,
    상기 적층체는 기판 상에 위치함을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    하층이 상기 적층체와 상기 기판 사이에 삽입됨을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 하층은 탄탈륨으로 형성되며 1 내지 10 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  24. 제21항에 있어서,
    제1 및 제2자성층들의 세트는 상기 반강자성층과 상기 기판 사이에 위치함을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 반강자성층은 제1 및 제2자성층들의 세트와 상기 기판 사이에 위치함을 특징으로 하는 자기기억 장치.
  26. 제21항에 있어서,
    보호층이 상기 적층체 상에 형성됨을 특징으로 하는 자기기억 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291211A (ja) 2000-03-31 2001-10-19 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド、その製造方法および磁気ディスク装置
US20040091743A1 (en) * 2002-11-12 2004-05-13 International Business Machines Corporation Magnetoresistance sensor with a controlled-magnetostriction Co-Fe free-layer film
KR100468861B1 (ko) * 2003-01-07 2005-01-29 삼성전자주식회사 고선택성을 가지는 자기저항 메모리
FR2852400B1 (fr) * 2003-03-14 2005-06-24 Capteur magnetoresistif comprenant un element sensible ferromagnetique/antiferromagnetique
US7230802B2 (en) * 2003-11-12 2007-06-12 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method and apparatus for providing magnetostriction control in a freelayer of a magnetic memory device
US7375516B2 (en) * 2004-02-19 2008-05-20 Mitsubishi Electric Corporation Magnetic field detector, current detector, position detector and rotation detector employing it
US7323215B2 (en) * 2004-05-14 2008-01-29 Headway Technologies, Inc. Free layer design for CPP GMR enhancement
US7742261B2 (en) * 2005-01-12 2010-06-22 Headway Technologies, Inc. Tunneling magneto-resistive spin valve sensor with novel composite free layer
CN105579860B (zh) * 2013-07-19 2019-10-08 应美盛有限公司 带有集成磁性传感器的专用集成电路
US9368550B2 (en) 2013-07-19 2016-06-14 Invensense, Inc. Application specific integrated circuit with integrated magnetic sensor
EP3171190B1 (en) * 2015-11-18 2021-08-25 Nxp B.V. Magnetic field sensor
KR102566954B1 (ko) * 2016-08-04 2023-08-16 삼성전자주식회사 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법
WO2018151083A1 (ja) * 2017-02-20 2018-08-23 株式会社村田製作所 応力センサ
CN110808331A (zh) * 2019-11-19 2020-02-18 郑州工程技术学院 一种巨磁电阻薄膜及其制备方法
CN112461916B (zh) * 2020-09-30 2023-06-30 北京工业大学 一种磁性薄膜特性指标的磁巴克豪森噪声检测和反演方法

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