KR20010066365A - 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자 - Google Patents

격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20010066365A
KR20010066365A KR1019990068074A KR19990068074A KR20010066365A KR 20010066365 A KR20010066365 A KR 20010066365A KR 1019990068074 A KR1019990068074 A KR 1019990068074A KR 19990068074 A KR19990068074 A KR 19990068074A KR 20010066365 A KR20010066365 A KR 20010066365A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
crystal display
pixel cells
electrodes
Prior art date
Application number
KR1019990068074A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100504569B1 (ko
Inventor
이승철
Original Assignee
구본준, 론 위라하디락사
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구본준, 론 위라하디락사, 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 구본준, 론 위라하디락사
Priority to KR10-1999-0068074A priority Critical patent/KR100504569B1/ko
Priority to US09/748,870 priority patent/US6762819B2/en
Publication of KR20010066365A publication Critical patent/KR20010066365A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100504569B1 publication Critical patent/KR100504569B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133377—Cells with plural compartments or having plurality of liquid crystal microcells partitioned by walls, e.g. one microcell per pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 시야각을 넓힘과 아울러 개구율을 높이도록 한 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자는 화소셀들의 경계부 상에 절연체로 형성되는 격벽부재와, 격벽부재의 전면과 배면에 형성되어 상기 액정에 전계를 인가하기 위한 제1 및 제2 전극을 구비한다.
이러한 구성에 의하여, 본 발명에 따른 액정표시소자는 시야각을 넓힘과 아울러 전극면적이 최소화되므로 개구율 및 투과율을 높일 수 있게 된다.

Description

격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자{Liquid Crystal Display Device with Electrode on Barrier Rib}
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 시야각을 넓힘과 아울러 개구율을 높이도록 한 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자에 관한 것이다.
액티브 매트릭스(Active Matrix) 구동방식의 액정표시장치는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)를 이용하여 자연스러운 동화상을 표시하고 있다. 이러한 액정표시장치는 브라운관에 비하여 소형화가 가능하여 휴대용 텔레비젼(Television), 노트북 컴퓨터나 랩탑(Lap-Top)형 퍼스널 컴퓨터(Personal Computer) 등의 모니터로서 상품화되고 있다.
액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는 화소들이 게이트라인들과 데이터라인들의 교차부들 각각에 배열되어진 화소매트릭스(Picture Element Matrix 또는 Pixel Matrix)에 텔레비전 신호와 같은 비디오신호에 해당하는 화상을 표시하게 된다. 화소들 각각은 데이터라인으로부터의 데이터신호의 전압레벨에 따라 투과 광량을 조절하는 액정셀을 포함한다. TFT는 게이트라인과 데이터라인들의 교차부에 설치되어 게이트라인으로부터의 스캔신호(게이트펄스)에 응답하여 액정셀쪽으로 전송될 데이터신호를 절환하게 된다.
이와 같은 액정표시장치는 액정을 구동시키는 전계의 방향에 따라 수직방향 전계가 인가되는 트위스티드 네마틱(Twisted Nematic : 이하 "TN"이라 함) 모드와 수평전계가 인가되어 시야각이 넓게 되는 횡전계방식(In Plane Switching : 이하 "IPS"라 함) 모드로 대별될 수 있다.
TN 모드 액정표시소자는 도 1과 같이 데이터라인(22)과 게이트라인(24)의 교차부에 TFT(30)가 형성되며, 데이터라인(22)과 게이트라인(24) 사이의 화소영역에 화소전극들(20)이 매트릭스 형태로 배치된다. TFT(30)는 도 2와 같이 배면기판(2) 상에 형성된다. 이 TFT(30)는 게이트라인(24)에 접속된 게이트전극(4), 데이터라인(22)에 접속된 소오스전극(14) 및 화소전극(20)에 접속된 드레인전극(16)을 포함한다. 게이트전극(4)이 패터닝된 배면기판(2) 상에는 SiNx 또는 SiOx 등으로 된 게이트절연막(6)이 전면 증착된다. 이 게이트절연막(6) 위에는 비정질 실리콘(amorphous-Si : 이하 "a-Si"이라 함)으로 된 반도체층(8)과 a-Si에 n+ 이온이 도핑된 오믹접촉층(10)이 게이트전극(4) 상의 게이트절연막(6)을 덮게끔 순차적으로 형성된다. 오믹접촉층(10) 위에는 금속으로 된 소오스전극(14)과 드레인전극(16)이 형성된다. 소오스전극(14)과 드레인전극(16)은 미리 설정된 채널폭만큼 이격되게 패터닝된다. 이어서, 소오스전극(14)과 드레인전극(16) 사이에 형성된 채널을 따라 오믹접촉층(10)이 에칭되어 반도체층(8)을 노출시키게 된다. 그리고 SiNx, SiOx 등으로 된 보호막(18)이 배면기판(2) 상에 전면 증착되어 TFT(30)를 덮게 된다. 드레인전극(16) 상의 보호막(18)은 콘택홀(12)이 형성되게끔 에칭에 의해 제거된다. 이 콘택홀(12)과 화소영역을 포함하여 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide)가 증착되어 화소전극(20)이 드레인전극(16)에 접속된다.
TFT 어레이가 형성된 배면기판(2)은 도 3과 같이 액정층(70)을 사이에 두고 블랙 매트릭스(64), 컬러필터(66) 및 ITO로 된 공통전극(68)이 형성된 전면기판(62)과 대면된다. TFT의 게이트전극(4)에 게이트하이펄스가 인가되어 소오스전극(14)과 드레인전극(16) 사이에 채널이 형성되는 스캐닝 기간동안, 수직으로 대면된 화소전극(20)과 공통전극(68) 사이에 비디오 데이터전압과 공통전압의 차전압에 해당하는 전계가 인가된다. 이 수직전계에 의해 액정층(70)의 액정들이 구동됨으로써 백라잇으로부터 입사되는 광의 광량을 조절하게 된다.
이와 같은 TN 모드 액정표시소자는 화소셀 내의 액정이 보는 각도에 따라 굴절율 및 투과율의 차이가 크기 때문에 시야각이 제한받는 단점이 있다. 이에 반하여, IPS 모드 액정표시소자는 화소셀 내의 액정이 수평전계에 의해 수평방향을 기준으로 회전함으로써 시야각이 넓은 장점이 있다.
도 4를 참조하면, IPS 모드 액정표시소자는 데이터라인(52)과 게이트라인(54)의 교차부에 TFT(50)가 형성되며, 데이터라인(52)과 게이트라인(54) 사이의 화소영역에 화소전극들(48)이 매트릭스 형태로 배치된다. TFT(50)는 도 5와 같이 배면기판(32) 상에 형성된다. 이 TFT(50)는 게이트라인(54)에 접속된 게이트전극(34), 데이터라인(52)에 접속된 소오스전극(42) 및 화소전극(48)에 접속된 드레인전극(44)을 포함한다. 배면기판(32)에는 크롬(Cr) 등의 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트전극(34) 및 공통전극(35)이 형성된다. 여기서, 공통전극(35)은 화소셀 영역 내에서 스트라입(stripe) 형태로 패터닝된다. 게이트전극(34) 및 공통전극(35)이 형성된 배면기판(2) 상에는 SiNx 또는 SiOx 등으로 된 게이트절연막(36)이 전면 증착된다. 이 게이트절연막(36) 위에는 a-Si으로 된 반도체층(38)과 a-Si에 n+ 이온이 도핑된 오믹접촉층(40)이 게이트전극(34) 상의 게이트절연막(36)을 덮게끔 순차적으로 형성된다. 오믹접촉층(40) 위에는 금속으로된 소오스전극(14)과 드레인전극(16)이 형성된다. 소오스전극(14)과 드레인전극(16)은 미리 설정된 채널폭만큼 이격되게 패터닝된다. 그리고 ITO가 드레인전극(16)과 게이트절연막(36) 상에 증착된 후 패터닝됨으로써 화소전극(48)이 형성된다. 여기서, 화소전극(48)은 드레인전극(16)에 접속되며 화소셀 영역 내에서 공통전극(35)과 교번되도록 스트라입 형태로 패터닝된다. 이어서, 소오스전극(42)과 드레인전극(44) 사이에 형성된 채널을 따라 오믹접촉층(40)이 에칭되어 반도체층(8)을 노출시키게 된다. 그리고 SiNx, SiOx 등으로 된 보호막(46)이 배면기판(32) 상에 전면 증착되어 TFT(50)를 덮게 된다.
이와 같이 TFT 어레이가 형성된 배면기판(32)은 도 6과 같이 액정층(78)을 사이에 두고 블랙 매트릭스(74)와 컬러필터(76)가 형성된 전면기판(72)과 대면된다. TFT의 게이트전극(34)에 게이트하이펄스가 인가되어 소오스전극(42)과 드레인전극(44) 사이에 채널이 형성되는 스캐닝 기간동안, 수평방향으로 대향된 화소전극(48)과 공통전극(35) 사이에 비디오 데이터전압과 공통전압의 차전압에 해당하는 전계가 인가된다. 이 수직전계에 의해 액정층(78)의 액정들이 구동됨으로써 백라이트로부터 입사되는 광의 광량을 조절하게 된다.
그러나 IPS 모드 액정표시소자는 광시야각을 구현할 수 있는 장점이 있는데 반하여, 화소셀 영역 내에 전극들 특히 금속으로 된 공통전극(35)이 차지하는 면적이 크게 되므로 그만큼 개구율 및 광투과율이 낮은 단점이 있다. 이와 같이 전극면적으로 인한 개구율 및 광투과율의 제약은 IPS 모드 액정표시소자뿐만 아니라 TN 모드 액정표시소자에도 그대로 나타나는데 액정 구동을 위한 충분한 전계를 인가하기 위해서는 ITO 또는 금속으로 된 전극의 면적이 더 넓게 되므로 개구율 및 광투과율을 더 낮아지게 된다. 또한, 종래의 TN 모드 및 IPS 모드 액정표시소자는 전극이 점유하는 면적을 고려하여 하나의 화소셀이 일정 크기 이상의 면적을 확보해야 하므로 해상도를 높이기가 곤란한 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 시야각을 넓힘과 아울러 개구율을 높이도록 한 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 TN 모드 액정표시소자를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에서 선 "A-A'"을 따라 절취하여 나타내는 박막트랜지스터의 단면도.
도 3은 TN 모드 액정표시소자에 있어서 액정에 인가되는 전계의 방향을 나타내는 단면도.
도 4는 종래의 IPS 모드 액정표시소자를 나타내는 평면도.
도 5는 도 4에서 선 "B-B'"을 따라 절취하여 나타내는 박막트랜지스터의 단면도.
도 6은 IPS 모드 액정표시소자에 있어서 액정에 인가되는 전계의 방향을 나타내는 단면도.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자를 나타내는 평면도.
도 8은 도 7에서 선 "C-C'"을 따라 절취하여 나타내는 액정표시소자의 단면도.
도 9는 도 7에 도시된 액정 화소셀의 액정 구동방향을 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자를 나타내는 평면도.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자를 나타내는 평면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
2,94 : 배면기판 4,34 : 게이트전극
6,36 : 게이트절연막 8,38 : 반도체층
10,40 : 오믹접촉층 12 : 콘택홀
14,42 : 소오스전극 16,44 : 드레인전극
18,46 : 보호막 20,48 : 화소전극
22,52 : 데이터라인 24,54 : 게이트라인
30,50 : 박막트랜지스터 35,68 : 공통전극
62,72,86 : 전면기판 64,74,88 : 블랙 매트릭스
66,76,90 : 컬러필터 70,78,92 : 액정층
82,102,112 : 격벽 84,104,114 : 제1 전극
86,106,116 : 제2 전극
상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자는 화소셀들의 경계부 상에 절연체로 형성되는 격벽부재와, 격벽부재의 전면과 배면에 형성되어 상기 액정에 전계를 인가하기 위한 제1 및 제2 전극을 구비한다.
본 발명에 따른 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자는 화소셀들의 경계부 상에 절연체로 형성되는 격벽부재와, 격벽부재의 일측면에 형성되어 비디오 데이터가 공급되는 제1 전극과, 제1 전극이 형성된 면에 대면되는 격벽부재의 타측면에 형성되어 공통전압이 공급되는 제2 전극과, 화소셀들을 라인별로 주사하기 위한 스캔신호가 공급되는 주사전극라인과, 스캔신호에 응답하여 화소셀들에 비디오 데이터를 공급하는 스위칭소자를 구비한다.
상기 목적들 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 7 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시소자는 화소셀들의 4변을 둘러싸는 격벽(82)과, 화소셀 내에 대향된 격벽들(82)의 대향면에 각각 형성되는 제1 및 제2 전극(84,86)을 구비한다. 격벽(82)은 적·녹·청색 각각을 표시하는 화소셀들 각각을 둘러 싸게끔 격자형태로 화소셀들의 경계부에 형성되며, 그 재료로는 격벽(82)의 양면에 형성된 전극들(84,86)이 쇼트되거나 전기적으로 상호 혼신되지 않도록 절연재료로 선택된다. 이 격벽(82)은 블랙 매트릭스(88)와 컬러필터(90)가 형성된 전면기판(86)과 배면기판(94) 사이에 수직으로 신장된다. 격벽(82)에 의해 둘러싸인 공간에는 액정(92)이 주입된다. 제1 및 제2 전극(82,86)은 도전성 물질로 이루어지며, 어느 하나는 공통전압이 인가되는 공통전극으로 이용되고 다른 하나는 비디오 데이터가 공급되는 데이터전극으로 이용된다.
제1 및 제2 전극(84,86) 각각에 비디오 데이터 전압과 공통전압이 인가되면 액정(92)에는 수평전계가 인가되어 수직방향의 축을 중심으로 회전하여 도 9a와 같은 상태에서 도 9b와 같은 상태로 또는 도 9b와 같은 상태에서 도 9a와 같은 상태로 회전하여 입사광의 투과율을 조정하게 된다. 이렇게 액정이 수평방향의 전계에 의해 구동됨으로써 시야각이 넓혀짐은 물론 화소셀 내에 점유하는 전극면적이 작게되므로 개구율과 광투과율이 커지게 된다. 특히, 개구율과 광투과율이 높아지는 만큼 전극간 거리(D)가 좁혀질 수 있으므로 해상도를 높일 수 있다.
전극들(84,86)을 포함한 격벽(82)의 높이(h)는 두께(d)와 같거나 크게(h≥d) 설정된다.
한편, 액티브 매트릭스 형태로 도 7에 도시된 액정표시소자를 구동하는 경우, 스캔신호가 공급되는 스캔전극라인들과 스캔신호에 응답하여 화소셀들을 구동하는 스위치소자가 설치되어야 한다. 예를 들어, TFT로 화소셀을 구동하는 경우 각 화소셀들에 스캔신호를 공급하는 게이트전극라인을 주사라인별로 형성하고 TFT의 소오스전극을 제1 및 제2 전극들(84,86) 중 어느 하나와 접속시키고 드레인전극을 다른 전극(84 또는 86)에 접속시키게 된다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 액정표시소자들을 나타낸다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정표시소자는 화소셀들의 4변을 둘러싸는 격벽(102)과, 화소셀 내에 대향된 격벽들(102)의 직각면에 형성되는 제1 및 제2 전극(104,106)을 구비한다. 격벽(102)은 적·녹·청색 각각을 표시하는 화소셀들 각각을 둘러싸게끔 격자형태로 화소셀들의 경계부에 형성되며, 그 재료로는 격벽(102)의 직각면에 형성된 전극들(104,106)이 쇼트되거나 전기적으로 상호 혼신되지 않도록 절연재료로 선택된다. 이 격벽(102)은 도 8과 같이 전면기판(86)과 배면기판(94) 사이에 수직으로 신장된다. 격벽(102)에 의해 둘러싸인 공간에는 액정(92)이 주입된다. 제1 및 제2 전극(104,106) 중 어느 하나는 공통전압이 인가되는 공통전극으로 이용되고 다른 하나는 비디오 데이터가 공급되는 데이터전극으로 이용된다. 이들 제1 및 제2 전극(104,106)은 상호 상반된 극성의 전압신호가 공급된다. 제1 및 제2 전극(104,106)은 격벽(102)의 직각면에 대각방향으로 대칭되도록 격벽(102)이 4면에 형성된다. 또한, 제1 및 제2 전극(104,106)은 횡방향으로 인접된 적·녹·청색 화소셀들에서 동일한 형태를 가지는 반면, 종방향으로 인접된 같은색 화소셀들에서 교번적으로 다른 형태로 형성된다. 예를 들면, 첫 번째 행에 배열된 적·녹·청색 화소셀들 내의 제1 전극(104)은 화소셀을 둘러 싸는 격벽(102)의 4면들 중 좌측면과 하측면에 동일하게 형성된다. 또한, 첫번째 열에 배열된 적색 화소셀들 중 기수번째 적색 화소셀들 내의 제1 전극(104)은 화소셀을 둘러 싸는 격벽(102)의 4면들 중 좌측면과 하측면에 형성된다. 첫 번째 열에 배열된 적색 화소셀들 중 우수번째 적색 화소셀들 내의 제1 전극(104)은 기수번째 적색 화소들 내의 제1 전극(104)의 하측부에 격벽을 사이에 두고 대면되도록 격벽(102)의 좌측면과 상측면에 형성된다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정표시소자는 화소셀들의 4변을 둘러싸는 격벽(112)과, 상호 절연되도록 화소셀 내에 대향된 격벽들(112)의 3면에 소정 갭(gap)을 사이에 두고 형성되는 제1 및 제2 전극(114,116)을 구비한다. 격벽(112)은 적·녹·청색 각각을 표시하는 화소셀들 각각을 둘러 싸게끔 격자형태로 화소셀들의 경계부에 형성되며, 그 재료로는 격벽(112)의 직각면에 형성된 전극들(114,116)이 쇼트되거나 전기적으로 상호 혼신되지 않도록 절연재료로 선택된다. 이 격벽(112)은 도 8과 같이 전면기판(86)과 배면기판(94) 사이에 수직으로 신장된다. 격벽(112)에 의해 둘러싸인 공간에는 액정(92)이 주입된다. 제1 및 제2 전극(114,116) 중 어느 하나는 공통전압이 인가되는 공통전극으로 이용되고 다른 하나는 비디오 데이터가 공급되는 데이터전극으로 이용된다. 이들 제1 및 제2 전극(114,116)은 상호 상반된 극성의 전압신호가 공급된다. 제1 및 제2 전극(114,116)은 좌우방향으로 대칭되게 격벽(112)의 면들에 형성된다. 제1 전극(114)은 화소셀을 둘러싸는 격벽(112)의 4면들 중 좌측면에 형성됨과 아울러 상/하측면의 좌측 일부분에 형성된다. 제2 전극(116)은 화소셀을 둘러 싸는 격벽(112)의 4면들 중 우측면에 형성됨과 아울러 제1 전극(114)과 소정 갭을 두고 대향되도록 상/하측면의 우측 일부분에 형성된다.
도 10 및 도 11과 같은 액정표시소자는 전극면적이 최소화됨으로써 개구율과 투과율이 커지게 된다. 또한, 도 10 및 도 11과 같은 액정표시소자는 액정에 수평방향으로 전계가 인가되고 제1 및 제2 전극(104,114,106,116)에 전압신호가 인가될 때 액정의 정렬방향이 화소셀 내에서 중앙부와 주변부에서 다르게 되므로 시야각이 더 넓어지게 된다. 이와 같은 액정표시소자는 스위칭소자와 스캔전극라인의 추가에 의해 액티브 매트릭스 방식으로 구동될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시소자는 액정 화소셀들 사이에 절연체로 된 격벽을 형성하고 격벽의 전면과 배면에 전극들을 형성하여 액정에 수평방향으로 전계를 인가하고 액정 화소셀의 중앙부와 주변부에 액정의 정렬방향을 다르게 함으로써 시야각을 넓힘과 아울러 전극면적이 최소화되므로 개구율 및 투과율을 높일 수 있게 된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (5)

  1. 전면기판과 배면기판 사이에 액정이 주입되고 화소셀들이 매트릭스 형태로 배치되는 액정표시소자에 있어서,
    상기 화소셀들의 경계부 상에 절연체로 형성되는 격벽부재와,
    상기 격벽부재의 전면과 배면에 형성되어 상기 액정에 전계를 인가하기 위한 제1 및 제2 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극은 상기 화소셀들 내의 격벽 대향면에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극은 상기 화소셀들 내의 격벽의 직각면에 대각방향으로 대칭되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극은 행방향으로 인접한 화소셀들 내에 동일한 형태로 형성됨과 아울러 상기 행방향에 직교하는 방향의 열방향으로 인접한 화소셀들 내에교번적으로 다른 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극은 상기 화소셀들 내의 격벽의 좌우면에 각각 형성됨과 아울러 소정 갭을 사이에 두고 상기 격벽의 상하면에 형성되는 것을 특징으로 하는 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자.
KR10-1999-0068074A 1999-12-31 1999-12-31 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자 및 그 제조방법 KR100504569B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1999-0068074A KR100504569B1 (ko) 1999-12-31 1999-12-31 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자 및 그 제조방법
US09/748,870 US6762819B2 (en) 1999-12-31 2000-12-28 Liquid crystal display device with electrodes on barrier ribs and fabricating method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1999-0068074A KR100504569B1 (ko) 1999-12-31 1999-12-31 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010066365A true KR20010066365A (ko) 2001-07-11
KR100504569B1 KR100504569B1 (ko) 2005-08-01

Family

ID=19635161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1999-0068074A KR100504569B1 (ko) 1999-12-31 1999-12-31 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6762819B2 (ko)
KR (1) KR100504569B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101482375B1 (ko) * 2012-01-17 2015-01-13 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 액정 표시 장치

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003021818A (ja) * 2001-07-05 2003-01-24 Toshiba Corp 平面表示素子の製造方法
US6660576B2 (en) * 2002-03-11 2003-12-09 Sharp Laboratories Of America, Inc. Substrate and method for producing variable quality substrate material
JP3910926B2 (ja) * 2003-02-26 2007-04-25 株式会社東芝 表示装置用透明基板の製造方法
JP2005071646A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Chi Mei Electronics Corp 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101026802B1 (ko) * 2003-11-18 2011-04-04 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR20060034372A (ko) * 2004-10-19 2006-04-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 실패턴 및 그의 제조공정
US7236043B2 (en) * 2005-10-17 2007-06-26 Atmel Corporation Antifuse programming, protection, and sensing device
US7782438B2 (en) * 2006-06-13 2010-08-24 Kent State University Fast switching electro-optical devices using banana-shaped liquid crystals
US8237892B1 (en) * 2007-11-30 2012-08-07 Sipix Imaging, Inc. Display device with a brightness enhancement structure
US7830592B1 (en) * 2007-11-30 2010-11-09 Sipix Imaging, Inc. Display devices having micro-reflectors
US8395836B2 (en) * 2008-03-11 2013-03-12 Sipix Imaging, Inc. Luminance enhancement structure for reflective display devices
US8437069B2 (en) * 2008-03-11 2013-05-07 Sipix Imaging, Inc. Luminance enhancement structure for reflective display devices
US8441414B2 (en) * 2008-12-05 2013-05-14 Sipix Imaging, Inc. Luminance enhancement structure with Moiré reducing design
US20100177396A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-15 Craig Lin Asymmetrical luminance enhancement structure for reflective display devices
US9025234B2 (en) * 2009-01-22 2015-05-05 E Ink California, Llc Luminance enhancement structure with varying pitches
US8120836B2 (en) * 2009-03-09 2012-02-21 Sipix Imaging, Inc. Luminance enhancement structure for reflective display devices
US8714780B2 (en) * 2009-04-22 2014-05-06 Sipix Imaging, Inc. Display devices with grooved luminance enhancement film
US8797633B1 (en) 2009-07-23 2014-08-05 Sipix Imaging, Inc. Display device assembly and manufacture thereof
US8456589B1 (en) 2009-07-27 2013-06-04 Sipix Imaging, Inc. Display device assembly
IT1402530B1 (it) 2010-10-25 2013-09-13 St Microelectronics Srl Circuiti integrati con retro-metallizzazione e relativo metodo di produzione.
CN102566147B (zh) * 2010-12-27 2014-11-05 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置及其形成方法
KR20140094217A (ko) * 2013-01-21 2014-07-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140118623A (ko) * 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US11908804B2 (en) * 2019-12-10 2024-02-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3687515A (en) * 1971-01-06 1972-08-29 Xerox Corp Electro-optic liquid crystal system with polyamide resin additive
JPH06214244A (ja) * 1993-01-14 1994-08-05 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2933816B2 (ja) * 1993-07-15 1999-08-16 シャープ株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
JP3051280B2 (ja) * 1993-05-20 2000-06-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3297782B2 (ja) * 1994-08-26 2002-07-02 ソニー株式会社 プラズマアドレス液晶表示装置及びプラズマアドレス液晶表示装置の製造方法
US5694188A (en) * 1994-09-17 1997-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Reflection type liquid crystal display device having comb-shaped wall electrode
JP3465776B2 (ja) * 1996-10-04 2003-11-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR970075979A (ko) * 1996-05-23 1997-12-10 오평희 플라즈마구동 액정표시소자
US5852486A (en) * 1996-12-30 1998-12-22 Hoke, Jr.; Clare L. Liquid crystal display with alternative electrode structure
JPH11160717A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Denso Corp 液晶セル及びその製造方法
US6147666A (en) * 1997-12-22 2000-11-14 Yaniv; Zvi Multipole liquid crystal display
KR100546702B1 (ko) * 1998-11-26 2006-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 잉크젯 컬러필터 액정표시소자
KR100324269B1 (ko) * 1999-04-30 2002-02-21 구자홍 고주파용 플라즈마표시장치
JP2002042661A (ja) * 2000-07-24 2002-02-08 Nec Corp プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
KR100489445B1 (ko) * 2001-11-29 2005-05-17 엘지전자 주식회사 플라즈마 표시 패널의 구동방법
KR100469696B1 (ko) * 2002-06-10 2005-02-02 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101482375B1 (ko) * 2012-01-17 2015-01-13 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 액정 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100504569B1 (ko) 2005-08-01
US20010006409A1 (en) 2001-07-05
US6762819B2 (en) 2004-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100504569B1 (ko) 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100840326B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판
KR100611856B1 (ko) 액정 장치, 그 구동 방법 및 전자 기기
KR100604271B1 (ko) 액정 표시소자
KR101071711B1 (ko) 횡전계형 액정표시장치
KR20020028477A (ko) 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
KR20030042221A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100882699B1 (ko) 액정 표시장치 및 그의 구동방법
KR101157975B1 (ko) 액정표시소자의 구동방법
KR20110038917A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
US7220992B2 (en) Thin film transistor array panel and a liquid crystal display including the same
KR101286497B1 (ko) 시야각 조절 액정표시장치
KR20110041139A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101189267B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
KR100604270B1 (ko) 액정 표시소자
KR20110038916A (ko) 액정표시장치
KR101327300B1 (ko) 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
KR100494701B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 액정표시장치
KR100627107B1 (ko) 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20050025446A (ko) 액정 표시 장치
KR20020091449A (ko) 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101888446B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100446381B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 액정표시장치
KR101023718B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR20050067908A (ko) 칼라필터 어레이 기판

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130619

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150629

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee