JP3051280B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP3051280B2 JP3051280B2 JP5118714A JP11871493A JP3051280B2 JP 3051280 B2 JP3051280 B2 JP 3051280B2 JP 5118714 A JP5118714 A JP 5118714A JP 11871493 A JP11871493 A JP 11871493A JP 3051280 B2 JP3051280 B2 JP 3051280B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶層を挟持する一対
の基板表面に対して平行方向に電圧を印加して表示を行
う液晶表示装置に関する。
の基板表面に対して平行方向に電圧を印加して表示を行
う液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ネマティック液晶表示素子を
用いた液晶表示装置は、時計や電卓などの数値セグメン
ト型表示装置に広く用いられている。このような液晶表
示装置を構成する透光性基板には、液晶に電圧を印加す
る画素電極を選択駆動するスイッチング手段として、薄
膜トランジスタなどの能動素子が形成される。さらに、
カラー表示手段として、赤色、緑色、青色などのカラー
フィルタ層が設けられる。また、液晶分子のツイスト角
に応じて、（１）ネマティック液晶分子を９０°ねじれ
配向させたアクティブ駆動型ツイストネマティック（Tw
isted Nematic、以下「ＴＮ」と省略する）液晶表示方
式と、（２）ネマティック液晶分子のツイスト角を９０
°以上とすることによって透過率−液晶印加電圧特性の
鋭い急峻性を利用したマルチプレクス駆動型スーパーツ
イストネマティック（SuperTwisted Nematic、以下「Ｓ
ＴＮ」と省略する）液晶表示方式とに分類される。
用いた液晶表示装置は、時計や電卓などの数値セグメン
ト型表示装置に広く用いられている。このような液晶表
示装置を構成する透光性基板には、液晶に電圧を印加す
る画素電極を選択駆動するスイッチング手段として、薄
膜トランジスタなどの能動素子が形成される。さらに、
カラー表示手段として、赤色、緑色、青色などのカラー
フィルタ層が設けられる。また、液晶分子のツイスト角
に応じて、（１）ネマティック液晶分子を９０°ねじれ
配向させたアクティブ駆動型ツイストネマティック（Tw
isted Nematic、以下「ＴＮ」と省略する）液晶表示方
式と、（２）ネマティック液晶分子のツイスト角を９０
°以上とすることによって透過率−液晶印加電圧特性の
鋭い急峻性を利用したマルチプレクス駆動型スーパーツ
イストネマティック（SuperTwisted Nematic、以下「Ｓ
ＴＮ」と省略する）液晶表示方式とに分類される。
【０００３】後者の（２）マルチプレクス駆動型ＳＴＮ
液晶表示方式は、特有の色付きが存在するため、白黒表
示を行うためには、光学的位相差素子が設けられる。こ
の光学的位相差素子は、（２−１）表示用液晶セルと、
逆方向のツイスト角でねじれ配向させた液晶セルとを用
いた２層型のダブルスーパーツイストネマティック（Do
uble Super Twisted Nematic）液晶表示方式と、（２−
２）光学的異方性を有するフィルムを配置したフィルム
付加型液晶表示方式とに大別され、軽量化および低コス
トの観点から、（２−２）のフィルム付加型液晶表示方
式が望まれている。
液晶表示方式は、特有の色付きが存在するため、白黒表
示を行うためには、光学的位相差素子が設けられる。こ
の光学的位相差素子は、（２−１）表示用液晶セルと、
逆方向のツイスト角でねじれ配向させた液晶セルとを用
いた２層型のダブルスーパーツイストネマティック（Do
uble Super Twisted Nematic）液晶表示方式と、（２−
２）光学的異方性を有するフィルムを配置したフィルム
付加型液晶表示方式とに大別され、軽量化および低コス
トの観点から、（２−２）のフィルム付加型液晶表示方
式が望まれている。
【０００４】一方、前者の（１）アクティブ駆動型ＴＮ
液晶表示方式は、（１−１）一対の偏光板の偏光方向を
相互に平行に配置して、液晶層に電圧を印加しない状態
（オフ状態）で黒色表示するノーマリブラック方式と、
（１−２）偏光方向を相互に直交するように配置して、
オフ状態で白色表示するノーマリホワイト方式の２種類
に大別され、表示コントラスト、色再現性および表示の
視角依存性の観点から、（１−２）のノーマリホワイト
方式が望まれている。
液晶表示方式は、（１−１）一対の偏光板の偏光方向を
相互に平行に配置して、液晶層に電圧を印加しない状態
（オフ状態）で黒色表示するノーマリブラック方式と、
（１−２）偏光方向を相互に直交するように配置して、
オフ状態で白色表示するノーマリホワイト方式の２種類
に大別され、表示コントラスト、色再現性および表示の
視角依存性の観点から、（１−２）のノーマリホワイト
方式が望まれている。
【０００５】しかしながら、前記ＴＮ表示方式の液晶表
示装置では、液晶分子が屈折率異方性を持ち、また基板
に対して傾斜して配向しているため、視角によって表示
画像のコントラストが変化し、視角依存性が大きくな
る。特に、表示画面の法線方向から表示コントラストが
よくなる方向（通常は観測者側）に視角を傾けていく
と、ある角度以上で白黒表示が反転する現象（以下、
「反転現象」という）が発生する。
示装置では、液晶分子が屈折率異方性を持ち、また基板
に対して傾斜して配向しているため、視角によって表示
画像のコントラストが変化し、視角依存性が大きくな
る。特に、表示画面の法線方向から表示コントラストが
よくなる方向（通常は観測者側）に視角を傾けていく
と、ある角度以上で白黒表示が反転する現象（以下、
「反転現象」という）が発生する。
【０００６】このような視角依存性を改善するために、
従来から屈折率楕円体の１つの主屈折率の方向が表示画
面の法線方向に対して平行な位相差板（フィルム）を基
板と偏光板との間に介在させ、光の正常光および異常光
成分間の位相差を補償することが試みられている。しか
しながら、このような位相差板を用いても上述した白黒
表示の反転現象を改善するには限界がある。
従来から屈折率楕円体の１つの主屈折率の方向が表示画
面の法線方向に対して平行な位相差板（フィルム）を基
板と偏光板との間に介在させ、光の正常光および異常光
成分間の位相差を補償することが試みられている。しか
しながら、このような位相差板を用いても上述した白黒
表示の反転現象を改善するには限界がある。
【０００７】また、視角依存性を改善する他の方法とし
ては、Ｒ．Ａ．Ｓｏｒｅｆ（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
４５，５４６６（１９７４））や、Ｒ．Ｋｉｅｆｅｒら
（ＪＡＰＡＮ ＤＩＳＰＬＡＹ’９２ Ｐ２−３０（１
９９２））によって、基板表面に対して平行方向に電圧
を印加する液晶表示方式が提案されている。この液晶表
示方式は、従来のように基板表面に対して垂直方向に電
圧を印加するのではなく、基板表面に対して平行方向に
電圧を印加するので、液晶分子が基板に対して傾斜する
ことがなくなる。このため、表示画面の法線方向から傾
斜したときの視角依存性が左右および前後方向で対称と
なり、視角依存性が改善される。
ては、Ｒ．Ａ．Ｓｏｒｅｆ（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
４５，５４６６（１９７４））や、Ｒ．Ｋｉｅｆｅｒら
（ＪＡＰＡＮ ＤＩＳＰＬＡＹ’９２ Ｐ２−３０（１
９９２））によって、基板表面に対して平行方向に電圧
を印加する液晶表示方式が提案されている。この液晶表
示方式は、従来のように基板表面に対して垂直方向に電
圧を印加するのではなく、基板表面に対して平行方向に
電圧を印加するので、液晶分子が基板に対して傾斜する
ことがなくなる。このため、表示画面の法線方向から傾
斜したときの視角依存性が左右および前後方向で対称と
なり、視角依存性が改善される。
【０００８】図９は、従来の液晶表示装置１０の構成を
示す断面図である。液晶表示装置１０は透光性基板１，
２、透明電極３ａ，３ｂ、配向膜４，５、液晶層６、接
着剤７および偏光板８，９を含んで構成される。たとえ
ばガラスで実現される透光性基板１の一方表面１ａ上に
は、たとえばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で実現され
る透明電極３ａ，３ｂが形成される。透明電極３ａ，３
ｂの間隔ｄ１は、たとえば約１０μｍに選ばれる。ま
た、透明電極３ａ，３ｂの厚さｄ２は、数百Å〜数千Å
に選ばれる。透明電極３ａ，３ｂが形成された透光性基
板１の一方表面１ａと、基板１と同様にたとえばガラス
で実現される透光性基板２の一方表面２ａとには、それ
ぞれ配向膜４，５が形成される。配向膜４，５は、たと
えば日本合成ゴム（株）社製のポリイミド樹脂で実現さ
れ、その表面は配向処理として、たとえばナイロン繊維
を織り込んだ布でラビング処理されている。
示す断面図である。液晶表示装置１０は透光性基板１，
２、透明電極３ａ，３ｂ、配向膜４，５、液晶層６、接
着剤７および偏光板８，９を含んで構成される。たとえ
ばガラスで実現される透光性基板１の一方表面１ａ上に
は、たとえばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で実現され
る透明電極３ａ，３ｂが形成される。透明電極３ａ，３
ｂの間隔ｄ１は、たとえば約１０μｍに選ばれる。ま
た、透明電極３ａ，３ｂの厚さｄ２は、数百Å〜数千Å
に選ばれる。透明電極３ａ，３ｂが形成された透光性基
板１の一方表面１ａと、基板１と同様にたとえばガラス
で実現される透光性基板２の一方表面２ａとには、それ
ぞれ配向膜４，５が形成される。配向膜４，５は、たと
えば日本合成ゴム（株）社製のポリイミド樹脂で実現さ
れ、その表面は配向処理として、たとえばナイロン繊維
を織り込んだ布でラビング処理されている。
【０００９】前記透光性基板１，２の一方表面１ａ，２
ａは、互いに対向するようにして配置され、接着剤７で
接着される。基板１，２間には、たとえばネマティック
液晶が注入されて液晶層６とされる。液晶層６の厚さｄ
３は、たとえば約５μｍに選ばれ、液晶層６の屈折率異
方性Δｎは、たとえば０．０７９１に選ばれる。また、
基板１，２に形成された前記配向膜４，５の配向処理方
向は、基板１，２間に介在される液晶層６の液晶分子６
ａが該基板１，２間で約９０°ねじれ配向するように配
置される。前記透光性基板１，２の一方表面１ａ，２ａ
とは反対側の他方表面１ｂ，２ｂ側には、それぞれ偏光
板８，９が配置される。
ａは、互いに対向するようにして配置され、接着剤７で
接着される。基板１，２間には、たとえばネマティック
液晶が注入されて液晶層６とされる。液晶層６の厚さｄ
３は、たとえば約５μｍに選ばれ、液晶層６の屈折率異
方性Δｎは、たとえば０．０７９１に選ばれる。また、
基板１，２に形成された前記配向膜４，５の配向処理方
向は、基板１，２間に介在される液晶層６の液晶分子６
ａが該基板１，２間で約９０°ねじれ配向するように配
置される。前記透光性基板１，２の一方表面１ａ，２ａ
とは反対側の他方表面１ｂ，２ｂ側には、それぞれ偏光
板８，９が配置される。
【００１０】図１０は、前記液晶表示装置１０の表示原
理を説明するための図である。液晶表示装置１０の電極
３ａ，３ｂ間に電圧を印加すると、液晶層６には図１０
の破線で示されるような電界が生じ、この電界の方向に
沿って液晶分子６ａが配向する。たとえば電圧無印加時
には、偏光板９を通過して液晶層６に入射した光は、液
晶層６の液晶分子６ａによってその振動方向が９０°ね
じれる。液晶層６を出射した光は、偏光板８を通過し、
白表示となる。また、電圧印加時には、偏光板９を通過
して液晶層６に入射した光はその振動方向が回転するこ
となく出射する。出射した光は偏光板８で遮断され、黒
表示となる。
理を説明するための図である。液晶表示装置１０の電極
３ａ，３ｂ間に電圧を印加すると、液晶層６には図１０
の破線で示されるような電界が生じ、この電界の方向に
沿って液晶分子６ａが配向する。たとえば電圧無印加時
には、偏光板９を通過して液晶層６に入射した光は、液
晶層６の液晶分子６ａによってその振動方向が９０°ね
じれる。液晶層６を出射した光は、偏光板８を通過し、
白表示となる。また、電圧印加時には、偏光板９を通過
して液晶層６に入射した光はその振動方向が回転するこ
となく出射する。出射した光は偏光板８で遮断され、黒
表示となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前記液晶表示装置１０
の透明電極３ａ，３ｂの厚さｄ２は、基板１，２の間に
配置される液晶層６の厚さに比べると非常に薄いもので
ある。このような透明電極３ａ，３ｂ間に電圧を印加す
ると、電極３ａ，３ｂのほぼ真上に存在する液晶分子６
ａは、基板１，２に対してほぼ垂直方向に配向し、それ
以外の液晶分子６ａは基板１，２に対してほぼ平行に配
向する。したがって、液晶層６の液晶分子６ａの配向状
態が不均一となり、表示が不均一となってコントラスト
が低下し、表示品位が著しく低下する。
の透明電極３ａ，３ｂの厚さｄ２は、基板１，２の間に
配置される液晶層６の厚さに比べると非常に薄いもので
ある。このような透明電極３ａ，３ｂ間に電圧を印加す
ると、電極３ａ，３ｂのほぼ真上に存在する液晶分子６
ａは、基板１，２に対してほぼ垂直方向に配向し、それ
以外の液晶分子６ａは基板１，２に対してほぼ平行に配
向する。したがって、液晶層６の液晶分子６ａの配向状
態が不均一となり、表示が不均一となってコントラスト
が低下し、表示品位が著しく低下する。
【００１２】本発明の目的は、均一で高コントラストの
表示が得られ、かつ容易に製造することができる液晶表
示装置を提供することである。
表示が得られ、かつ容易に製造することができる液晶表
示装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の画素を
備える液晶表示装置において、画素を挟んで一対の表示
電極が設けられ、前記一対の表示電極のうちの一方表示
電極は液晶層を挟持する一対の透光性基板のうちの一方
透光性基板に液晶層の厚み方向に延びて形成され、他方
表示電極は他方透光性基板に液晶層の厚み方向に延びて
形成されていることを特徴とする液晶表示装置である。
備える液晶表示装置において、画素を挟んで一対の表示
電極が設けられ、前記一対の表示電極のうちの一方表示
電極は液晶層を挟持する一対の透光性基板のうちの一方
透光性基板に液晶層の厚み方向に延びて形成され、他方
表示電極は他方透光性基板に液晶層の厚み方向に延びて
形成されていることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１４】また本発明は、前記一対の表示電極が、前
記透光性基板上に形成される第１電極と、第１電極上に
液晶層の厚み方向に延びて形成される第２電極とから成
り、前記第２電極が導電性高分子材料から成ることを特
徴とする。
記透光性基板上に形成される第１電極と、第１電極上に
液晶層の厚み方向に延びて形成される第２電極とから成
り、前記第２電極が導電性高分子材料から成ることを特
徴とする。
【００１５】さらにまた本発明は、複数の画素を備える
液晶表示装置において、画素を挟んで一対の表示電極が
設けられ、液晶層は一対の透光性基板によって挟持さ
れ、前記一対の表示電極が、前記透光性基板上に形成さ
れる第１電極と、第１電極上に液晶層の厚み方向に延び
て形成される第２電極とから成り、前記第２電極が導電
性高分子材料から成ることを特徴とする液晶表示装置で
ある。
液晶表示装置において、画素を挟んで一対の表示電極が
設けられ、液晶層は一対の透光性基板によって挟持さ
れ、前記一対の表示電極が、前記透光性基板上に形成さ
れる第１電極と、第１電極上に液晶層の厚み方向に延び
て形成される第２電極とから成り、前記第２電極が導電
性高分子材料から成ることを特徴とする液晶表示装置で
ある。
【００１６】また本発明は、前記第２電極における液晶
層の厚み方向に沿う長さが前記液晶層の厚さとほぼ等し
い長さに選ばれることを特徴とする。
層の厚み方向に沿う長さが前記液晶層の厚さとほぼ等し
い長さに選ばれることを特徴とする。
【００１７】さらにまた本発明は、前記一対の透光性基
板の一方基板にスイッチング素子が形成され、前記スイ
ッチング素子が前記一方基板に形成された表示電極に接
続されていることを特徴とする。
板の一方基板にスイッチング素子が形成され、前記スイ
ッチング素子が前記一方基板に形成された表示電極に接
続されていることを特徴とする。
【００１８】
【作用】本発明に従えば、液晶表示装置の各画素には、
一対の表示電極が前記画素を挟んで形成され、前記一対
の表示電極のそれぞれが液晶層の厚み方向に延びて形成
される。前記一対の表示電極のうちの一方表示電極は液
晶層を挟持する一対の透光性基板のうちの一方基板に形
成され、前記一対の表示電極のうちの他方表示電極は前
記一対の透光性基板のうちの他方基板に形成される。表
示電極間に電圧を印加すると、液晶層には電界が生じ
る。前記表示電極は、液晶層の厚み方向に延びて形成さ
れるので、液晶層に生じる電界の方向が均一となる。液
晶層の液晶分子はこの電界の方向に配向するので、液晶
分子の配向均一性が向上する。したがって、表示の均一
性およびコントラストが向上し、表示品位が向上する。
また、それぞれの表示電極配線の形成を異なる基板上で
行うことができるので、表示電極配線間の絶縁層が不要
となり、表示電極配線を容易に形成することが可能とな
る。
一対の表示電極が前記画素を挟んで形成され、前記一対
の表示電極のそれぞれが液晶層の厚み方向に延びて形成
される。前記一対の表示電極のうちの一方表示電極は液
晶層を挟持する一対の透光性基板のうちの一方基板に形
成され、前記一対の表示電極のうちの他方表示電極は前
記一対の透光性基板のうちの他方基板に形成される。表
示電極間に電圧を印加すると、液晶層には電界が生じ
る。前記表示電極は、液晶層の厚み方向に延びて形成さ
れるので、液晶層に生じる電界の方向が均一となる。液
晶層の液晶分子はこの電界の方向に配向するので、液晶
分子の配向均一性が向上する。したがって、表示の均一
性およびコントラストが向上し、表示品位が向上する。
また、それぞれの表示電極配線の形成を異なる基板上で
行うことができるので、表示電極配線間の絶縁層が不要
となり、表示電極配線を容易に形成することが可能とな
る。
【００１９】また本発明に従えば、前記表示電極は、前
記透光性基板上に形成される第１電極と、第１電極上に
液晶層の厚み方向に延びて形成され、かつ導電性高分子
材料から成る第２電極とによって構成される。前記導電
性高分子材料は、たとえば定電流電解重合法によって、
比較的短時間で安価に形成することができる。また、そ
の膜厚は、重合条件などによって容易に制御することが
できる。したがって、表示品位の向上した表示が得られ
るとともに、表示電極を容易に形成することが可能とな
る。
記透光性基板上に形成される第１電極と、第１電極上に
液晶層の厚み方向に延びて形成され、かつ導電性高分子
材料から成る第２電極とによって構成される。前記導電
性高分子材料は、たとえば定電流電解重合法によって、
比較的短時間で安価に形成することができる。また、そ
の膜厚は、重合条件などによって容易に制御することが
できる。したがって、表示品位の向上した表示が得られ
るとともに、表示電極を容易に形成することが可能とな
る。
【００２０】さらに本発明に従えば、液晶表示装置の各
画素には、一対の表示電極が前記画素を挟んで形成さ
れ、前記一対の表示電極のそれぞれが液晶層の厚み方向
に延びて形成される。前記一対の表示電極は液晶層を挟
持する透光性基板上に形成される第１電極と、第１電極
上に液晶層の厚み方向に延びて形成され、かつ導電性高
分子材料から成る第２電極とによって構成される。表示
電極間に電圧を印加すると、液晶層には電界が生じる。
前記表示電極は、液晶層の厚み方向に延びて形成される
ので、液晶層に生じる電界の方向が、均一となる。液晶
層の液晶分子は、この電界の方向に配向するので、液晶
分子の配向均一性が向上する。したがって、表示の均一
性およびコントラストが向上し、表示品位が向上する。
また、前記導電性高分子材料は、たとえば定電流電解重
合法によって、比較的短時間で安価に形成することがで
きる。また、その膜厚は、重合条件などによって容易に
制御することができる。したがって、表示品位の向上し
た表示が得られるとともに、表示電極を容易に形成する
ことが可能となる。
画素には、一対の表示電極が前記画素を挟んで形成さ
れ、前記一対の表示電極のそれぞれが液晶層の厚み方向
に延びて形成される。前記一対の表示電極は液晶層を挟
持する透光性基板上に形成される第１電極と、第１電極
上に液晶層の厚み方向に延びて形成され、かつ導電性高
分子材料から成る第２電極とによって構成される。表示
電極間に電圧を印加すると、液晶層には電界が生じる。
前記表示電極は、液晶層の厚み方向に延びて形成される
ので、液晶層に生じる電界の方向が、均一となる。液晶
層の液晶分子は、この電界の方向に配向するので、液晶
分子の配向均一性が向上する。したがって、表示の均一
性およびコントラストが向上し、表示品位が向上する。
また、前記導電性高分子材料は、たとえば定電流電解重
合法によって、比較的短時間で安価に形成することがで
きる。また、その膜厚は、重合条件などによって容易に
制御することができる。したがって、表示品位の向上し
た表示が得られるとともに、表示電極を容易に形成する
ことが可能となる。
【００２１】さらに本発明に従えば、前記第２電極にお
ける液晶層の厚み方向長さは、前記液晶層の厚さとほぼ
等しい長さに選ばれる。したがって、電圧印加時におい
て生じる電界の均一性が向上し、液晶分子の配向均一性
が向上する。このため、表示の均一性およびコントラス
トがさらに向上し、表示品位が著しく向上する。
ける液晶層の厚み方向長さは、前記液晶層の厚さとほぼ
等しい長さに選ばれる。したがって、電圧印加時におい
て生じる電界の均一性が向上し、液晶分子の配向均一性
が向上する。このため、表示の均一性およびコントラス
トがさらに向上し、表示品位が著しく向上する。
【００２２】またさらに本発明に従えば、前記一対の透
光性基板の一方基板にはスイッチング素子が形成され、
該スイッチング素子には一方基板に形成された表示電極
が接続される。したがって、スイッチング素子によって
液晶層に電圧を印加するものであり、画素電極とされる
表示電極を選択駆動する、いわゆるアクティブ駆動を行
うことが可能となる。
光性基板の一方基板にはスイッチング素子が形成され、
該スイッチング素子には一方基板に形成された表示電極
が接続される。したがって、スイッチング素子によって
液晶層に電圧を印加するものであり、画素電極とされる
表示電極を選択駆動する、いわゆるアクティブ駆動を行
うことが可能となる。
【００２３】
【実施例】図１は、本発明の一実施例である液晶表示装
置３１の構成を示す断面図である。液晶表示装置３１
は、透光性基板２１，２２、配向膜２５，２６、液晶層
２７、接着剤２８、偏光板２９，３０および表示電極３
３，３４を含んで構成される。表示電極３３，３４は、
それぞれ第１電極２３ａ，２３ｂと第２電極２４ａ，２
４ｂとから成る。
置３１の構成を示す断面図である。液晶表示装置３１
は、透光性基板２１，２２、配向膜２５，２６、液晶層
２７、接着剤２８、偏光板２９，３０および表示電極３
３，３４を含んで構成される。表示電極３３，３４は、
それぞれ第１電極２３ａ，２３ｂと第２電極２４ａ，２
４ｂとから成る。
【００２４】たとえばガラスで実現される透光性基板２
１の一方表面２１ａ上には、第１電極２３ａ，２３ｂが
形成される。第１電極２３ａ，２３ｂは、ＩＴＯなどの
透明な電極材料で実現され、導電性高分子膜から成る第
２電極２４ａ，２４ｂを後述する定電流電解重合法によ
って形成する際の陽極とされる。第１電極２３ａ，２３
ｂの間隔Ｄ１は、たとえば約１０μｍに選ばれる。また
その厚さＤ２は、たとえば後述する配向膜２５の膜厚と
ほぼ同じ厚さに選ばれ、たとえば数百Å〜数千Åに選ば
れる。第１電極２３ａ，２３ｂ上には、たとえばポリチ
オフェン，ポリチエニレンビニレン，ポリアニリン，ポ
リピロールなどで実現される導電性高分子膜から成る第
２電極２４ａ，２４ｂがそれぞれ形成される。この第２
電極２４ａ，２４ｂとされる導電性高分子膜は、たとえ
ば後述する定電流電解重合法によって、その膜厚（液晶
層の厚み方向に沿う長さ）Ｄ３が約５μｍとなるように
形成される。前記第１電極２３ａ，２３ｂおよび第２電
極２４ａ，２４ｂは、それぞれ表示電極３３，３４であ
る。
１の一方表面２１ａ上には、第１電極２３ａ，２３ｂが
形成される。第１電極２３ａ，２３ｂは、ＩＴＯなどの
透明な電極材料で実現され、導電性高分子膜から成る第
２電極２４ａ，２４ｂを後述する定電流電解重合法によ
って形成する際の陽極とされる。第１電極２３ａ，２３
ｂの間隔Ｄ１は、たとえば約１０μｍに選ばれる。また
その厚さＤ２は、たとえば後述する配向膜２５の膜厚と
ほぼ同じ厚さに選ばれ、たとえば数百Å〜数千Åに選ば
れる。第１電極２３ａ，２３ｂ上には、たとえばポリチ
オフェン，ポリチエニレンビニレン，ポリアニリン，ポ
リピロールなどで実現される導電性高分子膜から成る第
２電極２４ａ，２４ｂがそれぞれ形成される。この第２
電極２４ａ，２４ｂとされる導電性高分子膜は、たとえ
ば後述する定電流電解重合法によって、その膜厚（液晶
層の厚み方向に沿う長さ）Ｄ３が約５μｍとなるように
形成される。前記第１電極２３ａ，２３ｂおよび第２電
極２４ａ，２４ｂは、それぞれ表示電極３３，３４であ
る。
【００２５】表示電極３３，３４が形成された基板２１
の一方表面２１ａ上には、配向膜２５が形成される。ま
た、たとえば基板２１と同様にガラスで実現される透光
性基板２２の一方表面２２ａ上には、配向膜２６が形成
される。配向膜２５，２６は、たとえば日本合成ゴム
（株）社製のポリイミド樹脂で実現され、その表面は配
向処理として、たとえばナイロン繊維を織り込んだ布で
ラビング処理されている。前記基板２１，２２の一方表
面２１ａ，２２ａは、互いに対向するようにして配置さ
れ、接着剤２８で接着される。基板２１，２２の間に
は、たとえばネマティック液晶が注入されて液晶層２７
とされる。液晶層２７の厚さＤ４は、たとえば約５μｍ
に選ばれ、液晶層２７の屈折率異方性Δｎは、たとえば
０．０７９１に選ばれる。また、基板２１，２２に形成
された配向膜２５，２６の配向処理方向は、基板２１，
２２間に介在される液晶層２７の液晶分子２７ａが、該
基板２１，２２間で約９０°ねじれ配向するように配置
される。透光性基板２１，２２の一方表面２１ａ，２２
ａとは反対の他方表面２１ｂ，２２ｂ側には、それぞれ
偏光板２９，３０が配置される。
の一方表面２１ａ上には、配向膜２５が形成される。ま
た、たとえば基板２１と同様にガラスで実現される透光
性基板２２の一方表面２２ａ上には、配向膜２６が形成
される。配向膜２５，２６は、たとえば日本合成ゴム
（株）社製のポリイミド樹脂で実現され、その表面は配
向処理として、たとえばナイロン繊維を織り込んだ布で
ラビング処理されている。前記基板２１，２２の一方表
面２１ａ，２２ａは、互いに対向するようにして配置さ
れ、接着剤２８で接着される。基板２１，２２の間に
は、たとえばネマティック液晶が注入されて液晶層２７
とされる。液晶層２７の厚さＤ４は、たとえば約５μｍ
に選ばれ、液晶層２７の屈折率異方性Δｎは、たとえば
０．０７９１に選ばれる。また、基板２１，２２に形成
された配向膜２５，２６の配向処理方向は、基板２１，
２２間に介在される液晶層２７の液晶分子２７ａが、該
基板２１，２２間で約９０°ねじれ配向するように配置
される。透光性基板２１，２２の一方表面２１ａ，２２
ａとは反対の他方表面２１ｂ，２２ｂ側には、それぞれ
偏光板２９，３０が配置される。
【００２６】図２は、前記液晶表示装置３１の表示原理
を説明するための図である。表示電極３３，３４を構成
する第２電極２４ａ，２４ｂの膜厚Ｄ３は、液晶層２７
の厚さＤ４とほぼ同じに形成される。このため、表示電
極３３，３４間に電圧を印加したときに液晶層２７に生
じる電界は、図２の破線で示されるように、基板２１，
２２に対して平行となる。したがって、液晶層２７の液
晶分子２７ａは、基板２１，２２に対して平行に配向す
る。
を説明するための図である。表示電極３３，３４を構成
する第２電極２４ａ，２４ｂの膜厚Ｄ３は、液晶層２７
の厚さＤ４とほぼ同じに形成される。このため、表示電
極３３，３４間に電圧を印加したときに液晶層２７に生
じる電界は、図２の破線で示されるように、基板２１，
２２に対して平行となる。したがって、液晶層２７の液
晶分子２７ａは、基板２１，２２に対して平行に配向す
る。
【００２７】電圧無印加時には、たとえば偏光板３０を
透過して液晶層２７に入射した光は、液晶層２７の９０
°ねじれ配向した液晶分子２７ａによって、その振動方
向が９０°回転する。振動方向が回転して出射した光
は、偏光板２９を透過し、白表示となる。一方、電圧印
加時では、偏光板３０を透過して液晶層２７に入射した
光は、上述したように基板２１，２２に対して平行に配
向した液晶分子２７ａによってその振動方向が回転する
ことなく出射する。出射した光は、偏光板２９によって
遮断され、黒表示となる。
透過して液晶層２７に入射した光は、液晶層２７の９０
°ねじれ配向した液晶分子２７ａによって、その振動方
向が９０°回転する。振動方向が回転して出射した光
は、偏光板２９を透過し、白表示となる。一方、電圧印
加時では、偏光板３０を透過して液晶層２７に入射した
光は、上述したように基板２１，２２に対して平行に配
向した液晶分子２７ａによってその振動方向が回転する
ことなく出射する。出射した光は、偏光板２９によって
遮断され、黒表示となる。
【００２８】図３は、複数の表示電極３３ａ〜３３ｄ，
３４ａ〜３４ｄが形成された基板２１を示す平面図であ
る。基板２１上には、矩形状の複数の画素３２ａ〜３２
ｄが、マトリクス状に設けられる。たとえば、画素３２
ａには、画素３２ａを挟んで表示電極３３ａ，３４ａが
形成される。同様にして、画素３２ｂには画素３２ｂを
挟んで表示電極３３ｂ，３４ｂが形成され、画素３２ｃ
には画素３２ｃを挟んで表示電極３３ｃ，３４ｃが形成
され、画素３２ｄには画素３２ｄを挟んで表示電極３３
ｄ，３４ｄが形成される。このような複数の表示電極３
３ａ〜３３ｄ，３４ａ〜３４ｄは互いに平行に形成さ
れ、複数の表示電極配線３５，３６にそれぞれ接続され
る。なお、本実施例では、説明を簡単にするため２×２
の画素の場合を説明するが、一般的なｍ×ｎの画素の場
合でも同様な構造である。
３４ａ〜３４ｄが形成された基板２１を示す平面図であ
る。基板２１上には、矩形状の複数の画素３２ａ〜３２
ｄが、マトリクス状に設けられる。たとえば、画素３２
ａには、画素３２ａを挟んで表示電極３３ａ，３４ａが
形成される。同様にして、画素３２ｂには画素３２ｂを
挟んで表示電極３３ｂ，３４ｂが形成され、画素３２ｃ
には画素３２ｃを挟んで表示電極３３ｃ，３４ｃが形成
され、画素３２ｄには画素３２ｄを挟んで表示電極３３
ｄ，３４ｄが形成される。このような複数の表示電極３
３ａ〜３３ｄ，３４ａ〜３４ｄは互いに平行に形成さ
れ、複数の表示電極配線３５，３６にそれぞれ接続され
る。なお、本実施例では、説明を簡単にするため２×２
の画素の場合を説明するが、一般的なｍ×ｎの画素の場
合でも同様な構造である。
【００２９】すなわち、図３において左右方向の一列に
設けられる画素３２ａ，３２ｂの表示電極３３ａ，３３
ｂは表示電極配線３５ａに接続され、前記左右方向の一
列と平行の他の一列に設けられる画素３２ｃ，３２ｄの
表示電極３３ｃ，３３ｄは表示電極配線３５ｂに接続さ
れる。また、図３において上下方向の一列に設けられる
画素３２ａ，３２ｃの表示電極３４ａ，３４ｃは表示電
極配線３６ａに接続され、前記上下方向の一列と平行の
他の一列に設けられる画素３２ｂ，３２ｄの表示電極３
４ｂ，３４ｄは表示電極配線３６ｂに接続される。表示
電極配線３５ａ，３５ｂは互いに平行に設けられ、表示
電極配線３６ａ，３６ｂは前記表示電極配線３５ａ，３
５ｂと直交する方向に設けられる。
設けられる画素３２ａ，３２ｂの表示電極３３ａ，３３
ｂは表示電極配線３５ａに接続され、前記左右方向の一
列と平行の他の一列に設けられる画素３２ｃ，３２ｄの
表示電極３３ｃ，３３ｄは表示電極配線３５ｂに接続さ
れる。また、図３において上下方向の一列に設けられる
画素３２ａ，３２ｃの表示電極３４ａ，３４ｃは表示電
極配線３６ａに接続され、前記上下方向の一列と平行の
他の一列に設けられる画素３２ｂ，３２ｄの表示電極３
４ｂ，３４ｄは表示電極配線３６ｂに接続される。表示
電極配線３５ａ，３５ｂは互いに平行に設けられ、表示
電極配線３６ａ，３６ｂは前記表示電極配線３５ａ，３
５ｂと直交する方向に設けられる。
【００３０】たとえば表示電極配線３５ａを選択する
と、表示電極３３ａ，３３ｂに電圧が供給され、さらに
表示電極配線３６ｂを選択すると、表示電極３４ａ，３
４ｃに電圧が供給される。このため、画素３２ａの表示
電極３３ａ，３４ａ間に電圧が印加される。該表示電極
３３ａ，３４ａ間に存在する液晶分子２７ａは、電圧印
加によって生じる電界の方向に沿って配向するので、前
述したように入射光が遮断されて、黒表示となる。画素
３２ａ以外の画素３２ｂ〜３２ｄの表示電極３３ｂ〜３
３ｄ，３４ｂ〜３４ｄには電圧が印加されず、これらの
画素３２ｂ〜３２ｄの液晶分子２７ａは、基板２１，２
２に形成された配向膜２５，２６の配向処理方向に沿っ
て配向するので、入射光が透過されて白表示となる。
と、表示電極３３ａ，３３ｂに電圧が供給され、さらに
表示電極配線３６ｂを選択すると、表示電極３４ａ，３
４ｃに電圧が供給される。このため、画素３２ａの表示
電極３３ａ，３４ａ間に電圧が印加される。該表示電極
３３ａ，３４ａ間に存在する液晶分子２７ａは、電圧印
加によって生じる電界の方向に沿って配向するので、前
述したように入射光が遮断されて、黒表示となる。画素
３２ａ以外の画素３２ｂ〜３２ｄの表示電極３３ｂ〜３
３ｄ，３４ｂ〜３４ｄには電圧が印加されず、これらの
画素３２ｂ〜３２ｄの液晶分子２７ａは、基板２１，２
２に形成された配向膜２５，２６の配向処理方向に沿っ
て配向するので、入射光が透過されて白表示となる。
【００３１】このように、表示電極配線３５を順次選択
し、この表示電極配線３５の選択とともに表示電極配線
３６を選択あるいは非選択とすることによって、いわゆ
る単純マトリクス駆動方式の表示が行われる。
し、この表示電極配線３５の選択とともに表示電極配線
３６を選択あるいは非選択とすることによって、いわゆ
る単純マトリクス駆動方式の表示が行われる。
【００３２】図４（１）は、図３に示される基板２１を
切断面線Ａ１−Ａ１で切断したときの断面図であり、図
４（２）は、前記基板２１を切断面線Ａ２−Ａ２で切断
したときの断面図である。前述したように、単純マトリ
クス駆動方式によって表示を行うには、表示電極配線３
５，３６が互いに接触すると、電極配線間の短絡が生じ
るので、良好な表示が実現できない。このため、本実施
例のように同一の基板２１上に表示電極３３，３４を設
ける場合、表示電極配線３５上に絶縁層３７が設けられ
る。該絶縁層３７によって表示電極配線３５，３６は互
いに絶縁されるため、短絡が生じることはなく、良好な
表示が得られる。
切断面線Ａ１−Ａ１で切断したときの断面図であり、図
４（２）は、前記基板２１を切断面線Ａ２−Ａ２で切断
したときの断面図である。前述したように、単純マトリ
クス駆動方式によって表示を行うには、表示電極配線３
５，３６が互いに接触すると、電極配線間の短絡が生じ
るので、良好な表示が実現できない。このため、本実施
例のように同一の基板２１上に表示電極３３，３４を設
ける場合、表示電極配線３５上に絶縁層３７が設けられ
る。該絶縁層３７によって表示電極配線３５，３６は互
いに絶縁されるため、短絡が生じることはなく、良好な
表示が得られる。
【００３３】図５は、第２電極２４ａ，２４ｂとされる
導電性高分子膜を形成する定電流電解重合法を説明する
ための断面図である。定電流電解重合法は、電解液中に
浸漬した一対の電極間に電圧を印加することによって行
われる。電解液３８中には、電極３９と、前記第１電極
２３ａ，２３ｂが形成された透光性基板２１とが浸漬さ
れる。電解液３８は、チオフェン、チエニレンビニレ
ン、アニリン、ピロールなどで実現されるモノマーと、
ニトロベンゼン、アセトニトリル、水などで実現される
溶媒と、過塩素酸テトラブチルアンモニウムなどで実現
される支持電解質とから成る。電極３９は、たとえばＰ
ｔで実現される。基板２１に形成された第１電極２３
ａ，２３ｂを陽極とし、電極３９を陰極として電圧を印
加すると、第１電極２３ａ，２３ｂ上に導電性高分子膜
が形成される。本実施例では、電圧印加時の電流密度を
約０．６ｍＡ／ｃｍ2とした。導電性高分子膜を形成し
た後、希薄なアンモニア水で脱ドーピングを行った。
導電性高分子膜を形成する定電流電解重合法を説明する
ための断面図である。定電流電解重合法は、電解液中に
浸漬した一対の電極間に電圧を印加することによって行
われる。電解液３８中には、電極３９と、前記第１電極
２３ａ，２３ｂが形成された透光性基板２１とが浸漬さ
れる。電解液３８は、チオフェン、チエニレンビニレ
ン、アニリン、ピロールなどで実現されるモノマーと、
ニトロベンゼン、アセトニトリル、水などで実現される
溶媒と、過塩素酸テトラブチルアンモニウムなどで実現
される支持電解質とから成る。電極３９は、たとえばＰ
ｔで実現される。基板２１に形成された第１電極２３
ａ，２３ｂを陽極とし、電極３９を陰極として電圧を印
加すると、第１電極２３ａ，２３ｂ上に導電性高分子膜
が形成される。本実施例では、電圧印加時の電流密度を
約０．６ｍＡ／ｃｍ2とした。導電性高分子膜を形成し
た後、希薄なアンモニア水で脱ドーピングを行った。
【００３４】前記表示電極３３ａ，３３ｂとして、無機
物から成る電極材料のみを用いることもできるが、この
ような電極材料は、たとえば蒸着法によって形成される
ので、時間がかかり、製造コストが増加する。また、蒸
着法では膜厚を制御することが困難である。本実施例の
ように第２電極２４ａ，２４ｂとして導電性高分子膜を
用いると、上述した定電流電解重合法によって約２〜３
分で形成することができ、前記蒸着法と比較すると製造
コストが大幅に低減する。また、重合条件を適宜選択す
ることによって、その膜厚を容易に制御することができ
る。このような導電性高分子膜は、導電性高分子膜材料
やドーピング状態を適宜選択することによって、金属と
同程度の導電率とすることや、半導体あるいは絶縁体と
同程度の導電率とすることが可能である。
物から成る電極材料のみを用いることもできるが、この
ような電極材料は、たとえば蒸着法によって形成される
ので、時間がかかり、製造コストが増加する。また、蒸
着法では膜厚を制御することが困難である。本実施例の
ように第２電極２４ａ，２４ｂとして導電性高分子膜を
用いると、上述した定電流電解重合法によって約２〜３
分で形成することができ、前記蒸着法と比較すると製造
コストが大幅に低減する。また、重合条件を適宜選択す
ることによって、その膜厚を容易に制御することができ
る。このような導電性高分子膜は、導電性高分子膜材料
やドーピング状態を適宜選択することによって、金属と
同程度の導電率とすることや、半導体あるいは絶縁体と
同程度の導電率とすることが可能である。
【００３５】図６は、本実施例の液晶表示装置３１およ
び比較例である従来の液晶表示装置１０の等コントラス
ト曲線を示すグラフである。図６の左右方向は、電極形
成方向を示す。また、角度θは、表示画面の法線方向と
視角とのなす角を示す。液晶表示装置３１では、コント
ラストが１０の範囲は前後および左右方向ともほぼ６０
°であった。一方、液晶表示装置１０では、左右方向は
表示装置３１と同じく６０°であったが、前後方向は３
０°であった。また、電圧印加時において液晶表示装置
３１は白黒表示の反転現象がないことが確認された。さ
らに、偏光顕微鏡による観察から、表示むらのないこと
が確認された。従来の液晶表示装置１０では、表示むら
が生じ、特に偏光顕微鏡による観察から、電極付近にお
いて表示むらが発生していることが確認された。このこ
とから、本実施例の液晶表示装置３１は、従来の液晶表
示装置１０と比較して、視角範囲が広く、均一で高コン
トラストな表示が得られることが確認された。
び比較例である従来の液晶表示装置１０の等コントラス
ト曲線を示すグラフである。図６の左右方向は、電極形
成方向を示す。また、角度θは、表示画面の法線方向と
視角とのなす角を示す。液晶表示装置３１では、コント
ラストが１０の範囲は前後および左右方向ともほぼ６０
°であった。一方、液晶表示装置１０では、左右方向は
表示装置３１と同じく６０°であったが、前後方向は３
０°であった。また、電圧印加時において液晶表示装置
３１は白黒表示の反転現象がないことが確認された。さ
らに、偏光顕微鏡による観察から、表示むらのないこと
が確認された。従来の液晶表示装置１０では、表示むら
が生じ、特に偏光顕微鏡による観察から、電極付近にお
いて表示むらが発生していることが確認された。このこ
とから、本実施例の液晶表示装置３１は、従来の液晶表
示装置１０と比較して、視角範囲が広く、均一で高コン
トラストな表示が得られることが確認された。
【００３６】本実施例では、表示電極３３，３４を同一
の基板２１上に形成する例について説明したけれども、
表示電極３３，３４を異なる基板２１，２２上にそれぞ
れ形成する例も本発明の範囲に属するものである。この
場合、表示電極３３を基板２１に形成し、表示電極３４
を基板２２に形成してもよいし、逆に形成してもよい。
の基板２１上に形成する例について説明したけれども、
表示電極３３，３４を異なる基板２１，２２上にそれぞ
れ形成する例も本発明の範囲に属するものである。この
場合、表示電極３３を基板２１に形成し、表示電極３４
を基板２２に形成してもよいし、逆に形成してもよい。
【００３７】図７は、基板２１に複数の表示電極３３ａ
〜３３ｄを形成し、基板２２に複数の表示電極３４ａ〜
３４ｄを形成したときのそれぞれの基板２１，２２を示
す平面図である。表示電極３３ａ〜３３ｄ，３４ａ〜３
４ｄを異なる基板２１，２２にそれぞれ形成すると、表
示電極３３ａ〜３３ｄと接続される表示電極配線３５
ａ，３５ｂ、および表示電極３４ａ〜３４ｄと接続され
る表示電極配線３６ａ，３６ｂがそれぞれ異なる基板２
１，２２に形成されることとなるので、同一基板に形成
する場合のように、表示電極配線３５，３６の絶縁を保
つための絶縁層３７が不要となり、表示電極配線の形成
が容易となる。
〜３３ｄを形成し、基板２２に複数の表示電極３４ａ〜
３４ｄを形成したときのそれぞれの基板２１，２２を示
す平面図である。表示電極３３ａ〜３３ｄ，３４ａ〜３
４ｄを異なる基板２１，２２にそれぞれ形成すると、表
示電極３３ａ〜３３ｄと接続される表示電極配線３５
ａ，３５ｂ、および表示電極３４ａ〜３４ｄと接続され
る表示電極配線３６ａ，３６ｂがそれぞれ異なる基板２
１，２２に形成されることとなるので、同一基板に形成
する場合のように、表示電極配線３５，３６の絶縁を保
つための絶縁層３７が不要となり、表示電極配線の形成
が容易となる。
【００３８】以下に示す表１は、第２電極２４ａ，２４
ｂの膜厚（液晶層の厚み方向に沿う長さ）Ｄ３を２μｍ
〜５μｍまで変化させ、さらに電極を同一基板上に形成
した場合と、異なる基板上に形成した場合との表示むら
の発生状況を示している。ただし、液晶層２７の厚さＤ
４は、前述したように約５μｍに固定している。
ｂの膜厚（液晶層の厚み方向に沿う長さ）Ｄ３を２μｍ
〜５μｍまで変化させ、さらに電極を同一基板上に形成
した場合と、異なる基板上に形成した場合との表示むら
の発生状況を示している。ただし、液晶層２７の厚さＤ
４は、前述したように約５μｍに固定している。
【００３９】
【表１】
【００４０】同一基板上に形成した場合、膜厚Ｄ３が３
μｍ以上では表示むらは発生しなかったが、２μｍ以下
となると表示むらが発生した。また、異なる基板上に形
成した場合、膜厚Ｄ３が４μｍ以上では表示むらは発生
しなかったが、３μｍ以下となると表示むらが発生し
た。このことから、第２電極２４ａ，２４ｂの膜厚Ｄ３
は、液晶層２７の厚さＤ４とほぼ等しい膜厚に選ぶこと
が望ましい。
μｍ以上では表示むらは発生しなかったが、２μｍ以下
となると表示むらが発生した。また、異なる基板上に形
成した場合、膜厚Ｄ３が４μｍ以上では表示むらは発生
しなかったが、３μｍ以下となると表示むらが発生し
た。このことから、第２電極２４ａ，２４ｂの膜厚Ｄ３
は、液晶層２７の厚さＤ４とほぼ等しい膜厚に選ぶこと
が望ましい。
【００４１】図８は、本発明の他の実施例である液晶表
示装置５３の構成を示す断面図および斜視図である。液
晶表示装置５３は、透光性基板４１，４２、ソースバス
配線４５、ゲートバス配線４６、ＴＦＴ（Thin Film Tr
ansistor）素子４７、配向膜４８，４９、液晶層５０、
偏光板５１，５２、画素電極５４および対向電極５５を
含んで構成される。画素電極５４は、第１電極４３ａお
よび第２電極４４ａから成り、対向電極５５は第１電極
４３ｂおよび第２電極４４ｂから成る。
示装置５３の構成を示す断面図および斜視図である。液
晶表示装置５３は、透光性基板４１，４２、ソースバス
配線４５、ゲートバス配線４６、ＴＦＴ（Thin Film Tr
ansistor）素子４７、配向膜４８，４９、液晶層５０、
偏光板５１，５２、画素電極５４および対向電極５５を
含んで構成される。画素電極５４は、第１電極４３ａお
よび第２電極４４ａから成り、対向電極５５は第１電極
４３ｂおよび第２電極４４ｂから成る。
【００４２】たとえばガラスで実現される透光性基板４
１の一方表面４１ａ上には、複数のソースバス配線４５
が互いに平行に形成される。また、該ソースバス配線４
５と直交する方向に複数のゲートバス配線４６が形成さ
れる。ソースバス配線４５とゲートバス配線４６とは互
いに絶縁状態を保つように形成される。ソースバス配線
４５とゲートバス配線４６とが交差することによって形
成される複数の領域を画素として、各画素にはスイッチ
ング素子であるＴＦＴ素子４７が形成される。ＴＦＴ素
子４７は、たとえばａ−ＳｉＴＦＴやｐ−ＳｉＴＦＴで
実現される。また、各画素には、たとえばＩＴＯで実現
される第１電極４３ａが形成される。第１電極４３ａ上
には、導電性高分子膜で実現される第２電極４４ａが形
成される。第１電極４３ａおよび第２電極４４ａは、画
素電極５４である。
１の一方表面４１ａ上には、複数のソースバス配線４５
が互いに平行に形成される。また、該ソースバス配線４
５と直交する方向に複数のゲートバス配線４６が形成さ
れる。ソースバス配線４５とゲートバス配線４６とは互
いに絶縁状態を保つように形成される。ソースバス配線
４５とゲートバス配線４６とが交差することによって形
成される複数の領域を画素として、各画素にはスイッチ
ング素子であるＴＦＴ素子４７が形成される。ＴＦＴ素
子４７は、たとえばａ−ＳｉＴＦＴやｐ−ＳｉＴＦＴで
実現される。また、各画素には、たとえばＩＴＯで実現
される第１電極４３ａが形成される。第１電極４３ａ上
には、導電性高分子膜で実現される第２電極４４ａが形
成される。第１電極４３ａおよび第２電極４４ａは、画
素電極５４である。
【００４３】前記透光性基板４１と同様に、たとえばガ
ラスで実現される透光性基板４２の一方表面４２ａ上で
あって、前記画素に対応した領域には、前記画素電極５
４に対向する対向電極５５が形成される。すなわち、基
板４２の表面４２ａ上に、たとえばＩＴＯで実現される
第１電極４３ｂが形成され、該第１電極４３ｂ上に、前
記第２電極４４ａと同様に導電性高分子膜で実現される
第２電極４４ｂが形成される。本実施例の第１電極４３
ａ，４３ｂおよび第２電極４４ａ，４４ｂは、前述した
実施例の第１電極２３ａ，２３ｂおよび第２電極２４
ａ，２４ｂと同様にして形成される。また、１画素に形
成される画素電極５４と対向電極５５との間隔は、たと
えば約１０μｍに選ばれる。
ラスで実現される透光性基板４２の一方表面４２ａ上で
あって、前記画素に対応した領域には、前記画素電極５
４に対向する対向電極５５が形成される。すなわち、基
板４２の表面４２ａ上に、たとえばＩＴＯで実現される
第１電極４３ｂが形成され、該第１電極４３ｂ上に、前
記第２電極４４ａと同様に導電性高分子膜で実現される
第２電極４４ｂが形成される。本実施例の第１電極４３
ａ，４３ｂおよび第２電極４４ａ，４４ｂは、前述した
実施例の第１電極２３ａ，２３ｂおよび第２電極２４
ａ，２４ｂと同様にして形成される。また、１画素に形
成される画素電極５４と対向電極５５との間隔は、たと
えば約１０μｍに選ばれる。
【００４４】ソースバス配線４５、ゲートバス配線４
６、ＴＦＴ素子４７および画素電極５４が形成された基
板４１の一方表面４１ａと、対向電極５５が形成された
基板４２の一方表面４２ａとには、それぞれ配向膜４
８，４９が形成される。配向膜４８，４９は前述した実
施例の配向膜２５，２６と同様に形成される。配向膜４
８，４９が形成された基板４１，４２の表面４１ａ，４
２ａは、それぞれ対向するようにして配置される。この
基板４１，４２の間隔は、たとえば５μｍに選ばれ、基
板４１，４２間には前述した実施例の液晶層２７と同様
の液晶層５０が介在される。基板４１，４２の一方表面
４１ａ，４２ａとは反対の他方表面４１ｂ，４２ｂ側に
は、それぞれ偏光板５１，５２が配置される。このよう
にして形成される液晶表示装置５３は、アクティブマト
リクス駆動型の液晶表示装置である。液晶表示装置５３
においても、前述した液晶表示装置３１と同様に、視角
範囲が広く、均一で高コントラストな表示が得られるこ
とが確認された。
６、ＴＦＴ素子４７および画素電極５４が形成された基
板４１の一方表面４１ａと、対向電極５５が形成された
基板４２の一方表面４２ａとには、それぞれ配向膜４
８，４９が形成される。配向膜４８，４９は前述した実
施例の配向膜２５，２６と同様に形成される。配向膜４
８，４９が形成された基板４１，４２の表面４１ａ，４
２ａは、それぞれ対向するようにして配置される。この
基板４１，４２の間隔は、たとえば５μｍに選ばれ、基
板４１，４２間には前述した実施例の液晶層２７と同様
の液晶層５０が介在される。基板４１，４２の一方表面
４１ａ，４２ａとは反対の他方表面４１ｂ，４２ｂ側に
は、それぞれ偏光板５１，５２が配置される。このよう
にして形成される液晶表示装置５３は、アクティブマト
リクス駆動型の液晶表示装置である。液晶表示装置５３
においても、前述した液晶表示装置３１と同様に、視角
範囲が広く、均一で高コントラストな表示が得られるこ
とが確認された。
【００４５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、液晶層の
厚み方向に延びた一対の表示電極が、各画素を挟んで形
成され、一対の表示電極の一方および他方表示電極のそ
れぞれが、一対の透光性基板の一方および他方基板に形
成される。したがって、液晶層に生じる電界の方向が均
一となって液晶分子の配向均一性が向上し、表示の均一
性およびコントラストが向上する。また、視角依存性が
改善されて表示品位が向上する。また、それぞれの基板
に表示電極配線が形成されるので、表示電極配線間の絶
縁層が不要となり、表示電極配線を容易に形成すること
ができる。
厚み方向に延びた一対の表示電極が、各画素を挟んで形
成され、一対の表示電極の一方および他方表示電極のそ
れぞれが、一対の透光性基板の一方および他方基板に形
成される。したがって、液晶層に生じる電界の方向が均
一となって液晶分子の配向均一性が向上し、表示の均一
性およびコントラストが向上する。また、視角依存性が
改善されて表示品位が向上する。また、それぞれの基板
に表示電極配線が形成されるので、表示電極配線間の絶
縁層が不要となり、表示電極配線を容易に形成すること
ができる。
【００４６】また本発明によれば、前記一対の表示電極
は、第１電極と、第１電極上に液晶層の厚み方向に延び
て形成され、かつ導電性高分子材料から成る第２電極と
から成る。導電性高分子材料から成る第２電極は、短時
間で安価に形成することができ、また膜厚制御が容易に
行える。したがって、表示品位の向上した表示が得られ
るとともに、表示電極を容易に形成することが可能とな
る。
は、第１電極と、第１電極上に液晶層の厚み方向に延び
て形成され、かつ導電性高分子材料から成る第２電極と
から成る。導電性高分子材料から成る第２電極は、短時
間で安価に形成することができ、また膜厚制御が容易に
行える。したがって、表示品位の向上した表示が得られ
るとともに、表示電極を容易に形成することが可能とな
る。
【００４７】さらに本発明によれば、液晶層の厚み方向
に延びた一対の表示電極が、各画素を挟んで形成され
る。前記一対の表示電極は、透光性基板上に形成される
第１電極と、第１電極上に液晶層の厚み方向に延びて形
成され、かつ導電性高分子材料から成る第２電極とから
成る。したがって、液晶層に生じる電界の方向が均一と
なって液晶分子の配向均一性が向上し、表示の均一性お
よびコントラストが向上する。また、視角依存性が改善
されて表示品位が向上する。また、導電性高分子材料か
ら成る第２電極は、短時間で安価に形成することがで
き、また膜厚制御が容易に行える。したがって、表示品
位の向上した表示が得られるとともに、表示電極を容易
に形成することが可能となる。
に延びた一対の表示電極が、各画素を挟んで形成され
る。前記一対の表示電極は、透光性基板上に形成される
第１電極と、第１電極上に液晶層の厚み方向に延びて形
成され、かつ導電性高分子材料から成る第２電極とから
成る。したがって、液晶層に生じる電界の方向が均一と
なって液晶分子の配向均一性が向上し、表示の均一性お
よびコントラストが向上する。また、視角依存性が改善
されて表示品位が向上する。また、導電性高分子材料か
ら成る第２電極は、短時間で安価に形成することがで
き、また膜厚制御が容易に行える。したがって、表示品
位の向上した表示が得られるとともに、表示電極を容易
に形成することが可能となる。
【００４８】またさらに本発明によれば、前記第２電極
における液晶層の厚み方向に沿う長さは、液晶層の長さ
とほぼ等しい長さに選ばれる。したがって、液晶分子の
配向均一性がさらに向上し、表示の均一性およびコント
ラストが向上して表示品位が著しく向上する。
における液晶層の厚み方向に沿う長さは、液晶層の長さ
とほぼ等しい長さに選ばれる。したがって、液晶分子の
配向均一性がさらに向上し、表示の均一性およびコント
ラストが向上して表示品位が著しく向上する。
【００４９】またさらに本発明によれば、前記一対の透
光性基板の一方基板にはスイッチング素子が形成され、
該素子は、一方基板に形成された表示電極と接続され
る。したがって、表示品位の向上したアクティブマトリ
クス駆動表示を実施することが可能となる。
光性基板の一方基板にはスイッチング素子が形成され、
該素子は、一方基板に形成された表示電極と接続され
る。したがって、表示品位の向上したアクティブマトリ
クス駆動表示を実施することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例である液晶表示装置３１の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図２】前記液晶表示装置３１の表示原理を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図３】表示電極３３ａ〜３３ｄ，３４ａ〜３４ｄが形
成された基板２１を示す平面図である。
成された基板２１を示す平面図である。
【図４】前記基板２１の断面図である。
【図５】定電流電解重合法を説明するための断面図であ
る。
る。
【図６】液晶表示装置３１および液晶表示装置１０の等
コントラスト曲線を示すグラフである。
コントラスト曲線を示すグラフである。
【図７】基板２１，２２を示す平面図である。
【図８】本発明の他の実施例である液晶表示装置５３の
構成を示す断面図および斜視図である。
構成を示す断面図および斜視図である。
【図９】従来の液晶表示装置１０の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図１０】前記液晶表示装置１０の表示原理を説明する
ための図である。
ための図である。
２１，２２，４１，４２ 透光性基板 ２３ａ，２３ｂ，４３ａ，４３ｂ 第１電極 ２４ａ，２４ｂ，４４ａ，４４ｂ 第２電極 ２５，２６，４８，４９ 配向膜 ２７，５０ 液晶層 ２８ 接着剤 ２９，３０，５１，５２ 偏光板 ３１，５３ 液晶表示装置 ３２ａ〜３２ｄ 画素 ３３，３３ａ〜３３ｄ，３４，３４ａ〜３４ｄ 表示電
極 ４５ ソースバス配線 ４６ ゲートバス配線 ４７ ＴＦＴ素子 ５４ 画素電極 ５５ 対向電極
極 ４５ ソースバス配線 ４６ ゲートバス配線 ４７ ＴＦＴ素子 ５４ 画素電極 ５５ 対向電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−214244（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1343
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の画素を備える液晶表示装置におい
て、 画素を挟んで一対の表示電極が設けられ、 前記一対の表示電極のうちの一方表示電極は液晶層を挟
持する一対の透光性基板のうちの一方透光性基板に液晶
層の厚み方向に延びて形成され、他方表示電極は他方透
光性基板に液晶層の厚み方向に延びて形成されているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記一対の表示電極が、前記透光性基板
上に形成される第１電極と、第１電極上に液晶層の厚み
方向に延びて形成される第２電極とから成り、 前記第２電極が導電性高分子材料から成ることを特徴と
する請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 複数の画素を備える液晶表示装置におい
て、 画素を挟んで一対の表示電極が設けられ、 液晶層は一対の透光性基板によって挟持され、 前記一対の表示電極が、前記透光性基板上に形成される
第１電極と、第１電極上に液晶層の厚み方向に延びて形
成される第２電極とから成り、 前記第２電極が導電性高分子材料から成ることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記第２電極における液晶層の厚み方向
に沿う長さが前記液晶層の厚さとほぼ等しい長さに選ば
れることを特徴とする請求項２または３記載の液晶表示
装置。 - 【請求項５】 前記一対の透光性基板の一方基板にスイ
ッチング素子が形成され、 前記スイッチング素子が前記一方基板に形成された表示
電極に接続されていることを特徴とする請求項１、２、
３または４記載の液晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5118714A JP3051280B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 液晶表示装置 |
| GB9410151A GB2278204B (en) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | Liquid crystal display apparatus and manufacturing method thereof |
| US08/246,062 US5517343A (en) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | LCD device with polymeric electrode extending into lc layer, and method of making |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5118714A JP3051280B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06332014A JPH06332014A (ja) | 1994-12-02 |
| JP3051280B2 true JP3051280B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=14743287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5118714A Expired - Fee Related JP3051280B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5517343A (ja) |
| JP (1) | JP3051280B2 (ja) |
| GB (1) | GB2278204B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331356B1 (en) * | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
| JPH07318962A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-12-08 | Seiko Instr Inc | 電気装置の電極基板、電極形成方法及び実装方法 |
| US5694188A (en) * | 1994-09-17 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reflection type liquid crystal display device having comb-shaped wall electrode |
| JP3216869B2 (ja) * | 1995-02-17 | 2001-10-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| US5706064A (en) * | 1995-03-31 | 1998-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LCD having an organic-inorganic hybrid glass functional layer |
| JP3894571B2 (ja) * | 1995-06-06 | 2007-03-22 | レイケム・コーポレイション | 可撓性電極担持物品 |
| US6888608B2 (en) * | 1995-09-06 | 2005-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
| TW373098B (en) * | 1995-09-06 | 1999-11-01 | Toshiba Corp | Liquid crystal exposure component and its fabricating method |
| US6449024B1 (en) | 1996-01-26 | 2002-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Inc. | Liquid crystal electro-optical device utilizing a polymer with an anisotropic refractive index |
| US6215541B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
| JP2000105386A (ja) | 1998-07-31 | 2000-04-11 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR100504569B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2005-08-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 격벽 상에 전극을 가지는 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101003623B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2010-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 모드 액정표시장치 |
| KR100805792B1 (ko) * | 2005-12-21 | 2008-02-21 | (재)대구경북과학기술연구원 | 고분자 분산형 액정 표시 장치 |
| JP2015075606A (ja) | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3772874A (en) * | 1971-12-09 | 1973-11-20 | Princeton Materials Science | Display apparatus and chronometer utilizing optically variable liquid |
| US3877790A (en) * | 1972-09-18 | 1975-04-15 | Astronics Corp | Large liquid crystal displays and method of producing them |
| JPS5973672A (ja) * | 1982-10-16 | 1984-04-25 | Katsuichi Saito | 分配弁の構造 |
| DE3570782D1 (en) * | 1984-01-23 | 1989-07-06 | Energy Conversion Devices Inc | Liquid crystal displays operated by amorphous silicon alloy diodes |
| GB2169608B (en) * | 1984-12-28 | 1988-02-24 | Hoechst Gosei Kk | Process for producting electrically conductive composite polymer article |
| US5231523A (en) * | 1988-08-03 | 1993-07-27 | Tdk Corporation | Liquid crystal elements and conductive organic compound film-forming compositions |
| JPH03235919A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-21 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH03235920A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-21 | Fujitsu Ltd | 液晶配向膜の製造方法 |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP5118714A patent/JP3051280B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-05-20 US US08/246,062 patent/US5517343A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-20 GB GB9410151A patent/GB2278204B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06332014A (ja) | 1994-12-02 |
| GB2278204B (en) | 1997-03-19 |
| GB9410151D0 (en) | 1994-07-06 |
| US5517343A (en) | 1996-05-14 |
| GB2278204A (en) | 1994-11-23 |
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