KR20010060289A - 박막형성장치 및 박막제거장치 - Google Patents

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Abstract

기판의 표면에 레지스트액을 도포하면서 이 기판을 회전시킴으로써 레지스트액의 박막을 형성하는 레지스트액 도포부와, 기판의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거헤드와, 이 박막제거헤드를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동하는 이동기구와, 상기 박막제거헤드의 이동범위를 구간A와 구간B로 나누어, 구간A에 있어서의 구간A 속도와 구간B에 있어서의 구간B 속도를 저장하는 기억부와, 상기 기억부에서 상기 구간A 속도 및 구간B 속도를 구하여 구간A에 있어서는 구간A 속도로, 구간B에 있어서는 구간B 속도로 상기 박막제거부 구동부를 동작시키는 제어부를 구비한다. 이로 인하여 보다 간단한 순서에 의한 설정으로 기판의 4개의 모서리에 레지스트막의 나머지가 생기는 것을 방지할 수 있다.

Description

박막형성장치 및 박막제거장치{THIN FILM FORMING APPARATUS AND THIN FILM REMOVING METHOD}
본 발명은, 예를 들어, 4각형 LCD 기판에 레지스트막을 형성하고 아울러 기판의 가장자리에 부착된 불필요한 레지스트막을 제거하기 위한 박막형성장치 및 박막제거장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치의 제조공정에서는, 글래스 기판의 표면에 예를 들어ITO(Indium Tin Oxide)의 박막이나 회로패턴을 형성하기 위해서 반도체 제조공정의 경우와 같은 포토리소그래피(photolithography) 기술이 이용된다. 이 경우 예를 들어, 레지스트액 도포처리에 의해서 글래스 기판의 표면에 레지스트액이 도포되고, 노광처리에 의해서 글래스 기판상의 레지스트막에 회로패턴이 노광되어, 현상처리에 의해서 레지스트막에 노광된 회로패턴이 현상된다.
여기서 레지스트액 도포처리를 하는 때는, 소위 스핀코팅 방법이 널리 채용되고 있다. 이 방법은 처리용기 내에 설치된 스핀척 상에 기판을 지지하고 고속으로 회전시킴으로써, 기판상에 공급된 용제(溶劑)와 감광성수지(感光性樹脂)로 이루어지는 레지스트액을 원심력에 의해서 확산시킴으로써 기판 전면에 걸쳐 균일한 두께의 레지스트막을 형성하는 것이다.
그런데, LCD의 제조에 있어서는 LCD 기판이 대형이고 또한 4각형 모양이므로 반도체 웨이퍼와 비교하여 대체로 균일한 레지스트막의 형성이 어렵다는 문제점이 있다. 특히 4개의 모서리는, 중심에서 거리가 멀리 떨어져 있기 때문에 이 부분의 원주속도(圓周速度)는 꽤 고속으로서 기판의 주위에 난기류가 발생한다고 하는 문제점이 생길 가능성이 있다. 또한 중심부에서 멀리 떨어져 있는 기판의 모서리에까지 레지스트액을 균일하게 확산시키기 위해서는 레지스트액 중에 포함되는 용제의 휘발을 될 수 있는 한 방지하고 확산속도를 일정하게 할 필요가 있다. 이것 때문에 LCD 기판 제조장치에 있어서는, 기판만을 회전시키는 것이 아니라 이 기판을 대략 밀폐수납(密閉收納)하는 컵 전체를 고속으로 회전시킴으로써 용제의 휘발 및 난기류의 발생을 방지하고 있다.
또한 스핀코팅 방식으로 레지스트액 도포처리를 한 경우, 도포 직후에서의 막두께는 균일하여도, 시간이 경과하면 균일성을 잃을 가능성이 있다. 예를 들어, 스핀척의 회전이 정지하여 원심력이 일정하지 않게 된 뒤에 표면장력의 영향에 의해서 기판 가장자리로 레지스트액이 쏠리게 되어 두껍게 되는 일이 있다. 또한, 기판의 표면에 공급된 레지스트액이 기판의 아래면 가장자리까지 돌아 흘러가서 불필요한 막이 형성되는 일이 있다.
이와 같이 기판의 가장자리에 불균일한 막이 형성되면, 회로패턴 등의 현상때에 가장자리의 레지스트가 완전히 제거되지 않고서 잔존함으로써 그 후의 처리에악영향을 주거나 또는 반송중에 잔존 레지스트가 벗겨져 파티클이 발생할 우려가 있다.
이 때문에 종래에 상기 레지스트 도포장치에 의한 레지스트액 도포 직후에, 엣지리무버(edge remover)라고 불리는 장치를 사용하여 기판 가장자리의 불필요한 레지스트막을 제거하는 처리가 이루어지고 있다.
그런데 회전수 및 기타의 조건에 따라서는 도 11에 나타낸 바와 같이 컵(CP) 내에 수용된 글래스 기판(G)의 서로 대향하는 쪽의 4개의 모서리[사선부(100)]의 레지스트막이 특히 다른 가장자리와 비교하여 두껍게 되는 경우가 있다. 이러한 현상이 발생하면, 상기 엣지리무버를 사용하여 기판 가장자리의 불필요한 레지스트막을 제거한다고 해도 상기 4개의 모서리(100)의 레지스트막이 완전히 제거되지 않고 남아 있다는 문제점이 있다.
그래서 엣지리무버에 의한 제거속도를 느리게 함으로써 상기 두꺼운 부분을 더 오래 세정하는 방법이 생각된다. 그러나 종래의 장치에 있어서, 기판에 대한 레지스트액의 도포조건에 따라서 엣지리무버의 속도를 설정하기 위해서는 프로그램을 변경해야만 하고 오퍼레이터가 로트마다 상세하게 설정하는 것이 곤란하다. 또한 자유롭게 속도를 설정하면 택트가 흐트러져 버리고 말아 다른 처리장치의 처리속도에 영향을 미치게 하고, 나아가서는 스루풋이 저하된다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서 보다 간단한 순서에의한 설정으로, 상기 4개의 모서리에 레지스트막의 나머지가 생기는 것을 방지할 수 있고, 또한 택트타임(tact time)에도 영향을 미치게 하지 않는 박막형성장치 및 박막제거장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 주요한 제1의 관점에 의하면, 기판 표면에 도포액을 도포하면서 이 기판을 회전시킴으로써 도포액의 박막을 형성하는 박막형성부와, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부의 이동범위를 구간A와 구간B로 나누고, 구간A 에 있어서의 구간A 속도의 정보와 구간B에 있어서의 구간B 속도의 정보를 저장하는 기억부와, 상기 기억부에서 상기 구간A 속도의 정보와 구간B 속도의 정보를 구하여, 구간A에 있어서는 구간A 속도로, 구간B에 있어서는 구간B 속도로 상기 박막제거부 구동부를 동작시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치가 제공된다.
여기서 상기 구간A는 상기 기판을 회전시킬 때의 회전방향에서 각각 대향하는 4개의 모서리에 가까운 가장자리의 범위로 설정되고, 상기 구간B는 그 밖의 가장자리의 범위로 설정되어, 구간A 속도는 구간B 속도보다도 느리게 설정되어 있는 것이 바람직하다.
1의 실시형태에 의하면, 즉 상기 구간A 속도 중에서 상기 기판 밖에서의 속도는 기판 내에서의 속도보다도 고속으로 설정되어 있다.
1의 실시형태에 의하면, 상기 구간A 속도 및 구간B 속도는 상기 기판의 가장자리의 약액의 두꺼운 부분의 범위 및 두께에 의거하여 결정된다.
1의 실시형태에 의하면, 상기 구간A 속도 및 구간B 속도는 상기 기판의 회전수에 의거하여 결정된다.
또한 본 발명의 주요한 제2의 관점에 의하면, 기판 표면에 도포액을 도포하면서 이 기판 표면을 회전시킴으로써 도포액의 박막을 형성하는 박막형성부와, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막형성부에서 도포한 기판의 회전수에 의거하여 상기 구동부에 의한 상기 박막제거부의 속도를 제어하는 속도제어부를 구비하는 박막형성장치가 제공된다.
또한 본 발명의 주요한 제3의 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 기판의 한 변을 따라 이동하는 상기 박막제거부의 이동범위를 구간A와 구간B로 나누어, 구간A에 있어서의 구간A 속도의 정보와 구간B에 있어서의 구간B 속도의 정보를 저장하는 기억부와, 상기 기억부에서 상기 구간A 속도의 정보와 구간B 속도의 정보를 구하여, 구간A에 있어서는 구간A 속도로, 구간B에 있어서는 구간B 속도로 상기 박막제거부 구동부를 동작시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.
또한 본 발명의 제4의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서의 측정치에 의거하여 상기 박막제거부의 속도를 제어하는 제어부를 구비하는 박막제거장치가 제공된다.
본 발명의 제5의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 박막제거부에서 기판 표면의 가장자리를 향하여 분출되는 용제의 실질적인 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.
여기서, 상기 박막제거부는 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시키기 위한 노즐을 복수개 구비하고, 상기 가변수단은 상기 기판 표면의 가장자리의 영역을 따라서 상기 용제를 분출시키는 노즐의 갯수를 가변시키도록 구성하여도 좋고, 상기 박막제거부는 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시키기 위한 토출용 펌프를 구비하고, 상기 가변수단은 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 펌프의 토출압(吐出壓)을 가변시키도록 구성하여도 상관없다.
본 발명의 제6의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 의거하여 상기 박막제거부에서 기판 표면의 가장자리를 향하여 분출되는 용제의 실질적인 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.
본 발명의 제7의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 왕복구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 박막제거부의 진행방향에서 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 박막제거부의 진행방향에서 상기 박막제거부에서 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시키고 아울러 박막제거부의 복귀방향에서는 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 따른 소정의 위치에 상기 박막제거부에서 용제를 분출시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.
본 발명의 제8의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와, 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.
본 발명의 제9의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 의거하여 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.
본 발명의 제10의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와, 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 온도를 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.
본 발명의 제11의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 따라서 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 온도를 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.
본 발명의 제12의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 상기 박막제거부에서 기판 가장자리로 분출되는 용제를 흡입하는 흡입부와, 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 흡입부의 흡입량을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.
본 발명의 제13의 주요한 관점에 의하면, 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와, 이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와, 상기 박막제거부에 설치되어 상기 박막제거부에서 기판 가장자리에 분출되는 용제를 흡입하는 흡입부와, 상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와, 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 따라서 상기 흡입부의 흡입량을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치가 제공된다.
도 1은 본 발명이 적용되는 LCD 제조장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 마찬가지의 LCD의 제조공정을 나타내는 플로우차트이다.
도 3은 본 발명의 1실시형태의 요부인 레지스트액도포·가장자리레지스트막제거시스템을 나타내는 개략구성도이다.
도 4는 마찬가지의 가장자리 제거부 만을 나타내는 사시도이다.
도 5는 마찬가지의 박막제거헤드를 나타내는 평면도 및 종단면도이다.
도 6은 마찬가지의 박막제거헤드의 이동공정을 설명하기 위한 모식도이다.
도 7은 마찬가지의 박막제거헤드의 이동속도의 일예를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 마찬가지의 구간A, 구간B의 거리 및 속도를 설정하기 위한 화면을 나타내는 도면이다.
도 9는 다른 실시형태에 관한 박막제거헤드를 나타내는 종단면도이다.
도 10은 다른 실시형태에 관한 박막제거헤드의 이동공정을 설명하기 위한 모식도이다.
도 11은 종래의 기술에 의한 결점을 설명하기 위한 설명도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시형태를 설명하기 위한 헤드의 정면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시형태를 설명하기 위한 그래프이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시형태에 관한 헤드의 정면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
G : 글래스 기판 S : 처리공간
1 : 도포현상 처리시스템
29 : 레지스트도포·가장자리레지스트제거유닛(도포·가장자리제거유닛)
50 : 레지스트액 도포부 51 : 가장자리 제거부
52 : 회전컵 52∼54 : 제어부
53 : 스핀척 54 : 레지스트 노즐
55 : 반송레일 56 : 반송아암
58 : 얹어놓는대 60 : 박막제거헤드
62 : 이동기구 64a : 상부헤드구성재
64b : 하부헤드구성재 65 : 흡입구
66,67 : 니들노즐 69 : 탱크
70 : 레지스트막 72 : 레지스트 도포제어부
73 : 반송아암 제어부 75 : 중앙제어장치
76 : 도포부 레시피 기억부 77 : 제거부 레시피 기억부
78 : 입출력부 81 : 구간A 속도기억부
82 : 구간B 속도기억부 90a,90b : 센서
91 : 막두께 검출부
100 : 4개의 모서리(박막의 두꺼운 부분)
이하, 본 발명의 실시형태를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.
우선 본 발명에 관한 열처리장치의 1실시형태를, 도 1에 나타낸 LCD 기판의 도포현상 처리시스템(1)에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.
이 도포현상 처리시스템(1)은, LCD 기판에 레지스트액을 도포한 뒤, 도 2에 나타낸 노광시스템(EXP)으로 일단 넘겨주어 이 노광시스템(2)에 의해서 노광처리된 후의 기판을 다시 받아 현상처리를 하는 것이다.
이러한 일련의 처리를 하기 위해서 이 도포현상 처리시스템(1)은 LCD 기판의 로딩 및 언로딩을 하기 위한 로더/언로더부(L/UL)(3)와, 기판세정처리를 하기 위한 제1의 프로세스부(4)와, 레지스트액의 도포(코팅) 및 가장자리 레지스트 제거처리를 하기 위한 제2의 프로세스부(5)와, 현상처리를 하기 위한 제3의 프로세스부(6)와, 노광시스템(2)과의 사이에서 기판의 주고 받기를 하기 위한 인터페이스부(I/ F)(7)를 구비하고 있다.
로더/언로더부(3)는, 카세트 얹어놓는대(10) 및 반송부(C/S)(11)를 갖추고 있다. 카세트 얹어놓는대(10) 상에는 두 종류의 카세트(C1,C2)가 얹어놓여져 있다. 예를 들어, 제1의 카세트(C1)에는 처리전의 LCD 기판이 수납되고, 제2의 카세트 (C2)에는 처리후의 LCD 기판이 수납된다.
또한 반송부(11)에는 제1의 서브아암기구(13)가 설치되어 있다. 이 제1의 서브아암기구(13)는 기판을 지지할 수 있는, 예를 들어 아암(14)을 구비하여 이 아암을 선회시키거나 진퇴시키거나 상하로 이동시킴으로써 제1의 카세트(C1)에 수납된기판을 꺼내어 제1의 프로세스부(4) 측에 넘길 수 있게 되어 있다. 또 모든 처리가 종료한 기판은 이 제1의 서브아암기구(13)에 의해서 예를 들어 제1의 프로세스부 (4) 측에서 제2의 카세트(C2)로 수납된다.
상기 제1의 프로세스부(4)는, 상기 제1의 서브아암기구(13)로부터 기판을 받는 제1의 메인아암기구(15)를 구비한다. 이 메인아암기구(15)는, Y방향을 따라 길게 설치된 제1의 중앙반송로(16) 상을 주행하는 베이스(17)와, 이 베이스(17) 상에서 선회, 진퇴, 상하구동되는 예를 들어 아암(18)을 구비한다.
이 제1의 메인아암기구(15)의 옆쪽에는 중앙반송로(16)를 따라, 예를 들어 브러시 스크러버로 이루어지는 2개의 세정유닛(SCR)(19), 예를 들어 핫플레이트 (hot plate)를 갖는 가열/가열유닛(HP/HP)(20), 자외선 세정장치로 이루어지는 건식세정유닛(UV)(21), 및 예를 들어 쿨링 플레이트를 갖는 냉각유닛(COL)(22)이 각각 설치되어 있다.
여기서, 「가열/가열유닛(HP/HP)」의 표기는 핫플레이트를 구비하는 가열유닛이 예를 들어 상하 2단으로 쌓아 올려져 설치되어 있는 것을 나타내고 있다(이하 같다). 또한 도면중에서 가열유닛을 나타내는 HP 및 냉각유닛을 나타내는 COL의 뒤에 부기된 숫자「HP1」나「COL1」 등에서의 1은 가열처리 또는 냉각처리의 종류 또는 순서를 나타내고 있다.
상기 제1의 메인아암기구(15)는, 상기 로더/언로더부(3)로부터 받은 기판을 각 처리유닛(19∼20)에 삽입하여 필요한 처리를 하게 한 후, 이 기판을 집어내어 순차적으로 별도의 처리유닛(19∼20) 또는 제2의 프로세스부(5)로 반송하도록 되어있다.
한편, 제2의 프로세스부(5)는 Y방향을 따라 길게 설치된 제2의 중앙반송로 (23) 상을 주행하는 제2의 메인아암기구(24)를 구비한다. 이 제2의 메인아암기구 (24)는 상기 제1의 메인아암기구(15)에서와 같이 구성된 베이스(25) 및 아암(26)을 구비한다.
또한, 이 제2의 메인아암기구(24)의 옆쪽에는 기판에 대하여 레지스트의 도포를 하고 아울러 가장자리의 불필요한 레지스트를 제거하는 레지스트도포·가장자리레지스트제거유닛(CT/ER)(28)과, 기판 표면의 소수화(疏水化) 처리를 하기 위한 접착강화/냉각유닛(AD/COL)(29)과, 가열/가열유닛(HP/HP)(30), 가열/냉각유닛(HP/ COL)(31)이 배치되어 있다.
상기 제2의 메인아암기구(24)는, 상기 제1의 프로세스부(4)로부터 받은 기판을 각 처리유닛(28∼31)에 삽입하여 필요한 처리를 하게 한 후, 이 기판을 집어내어 순차적으로 별도의 처리유닛(28∼31) 또는 제3의 프로세스부(6) 측으로 반송하도록 되어 있다.
제3의 프로세스부(6)는 Y방향을 따라 길게 설치된 제3의 중앙반송로(33) 상을 주행하는 제3의 메인아암기구(34)를 구비한다. 이 제3의 메인아암기구(34)는, 상기 제1, 제2의 메인아암기구(15,24)에서와 같이 구성된 베이스(35) 및 아암(36)을 구비한다.
이 제3의 메인아암기구(34)의 옆쪽에는, 노광처리후의 LCD 기판을 현상처리하기 위한 3개의 현상처리유닛(DEV)(38)과, 타이틀링을 하는 타이틀러(TITLER)(39)와, 가열/가열유닛(HP/HP)(40)과, 가열/냉각유닛(HP/COL)(41)이 설치되어 있다.
상기 제3의 메인아암기구(34)는 상기 제2의 프로세스부(5)로부터 받은 레지스트액 도포가 끝난 기판을 노광시스템(2) 측[인터페이스부(7)]으로 이송하고 아울러 상기 노광이 끝난 기판을 노광시스템(2) 측으로부터 받는다. 그리고, 이 노광이 끝난 기판을 각 처리유닛(38∼41)에 삽입하여 필요한 처리를 하게 한 후, 이 기판을 집어내어 순차적으로 별도의 처리유닛(38∼41) 또는 제2의 프로세스부(5) 측으로 반송하게 되어 있다.
또 본 도면에 나타낸 바와 같이 제1, 제2, 제3의 프로세스부(4,5,6) 사이에는 냉각유닛(COL)(42,43)이 설치되어 있다. 이들의 냉각유닛(42,43)은 처리중인 기판을 일시적으로 대기시켜 놓기 위해서 사용된다.
또한 상기 인터페이스부(7)는 버퍼 카세트(BC) 및 제2의 서브아암기구(46)를 구비하는 반송·대기부(47) 및 상기 제2의 서브아암기구(46)와 노광시스템(2)과의 사이에서의 기판을 주고 받기 위한 받침대(도시하지 않음)를 구비하는 받침부(49)로 이루어진다.
이 인터페이스부(7)는, 상기 제2의 프로세스부(5)로부터 상기 제3의 메인아암기구(34)를 거쳐 받은 레지스트 도포가 끝난 기판을 노광시스템(2) 측으로 이송하고 아울러 노광이 끝난 기판을 노광시스템(2)으로부터 받아 제3의 프로세스부(6)에 넘기는 기능을 구비한다.
다음에, 상기한 바와 같이 구성되는 도포현상 처리시스템에 있어서의 처리순서를 도 2의 플로우차트를 참조하여 설명한다. 플로우차트 내의 영문자, 기호는 도1에서와 같은 부호가 부여된 유닛으로 이루어지는 것을 뜻하고 있다.
우선, 상기 얹어놓는대(10) 상의 제1의 카세트(C1) 내에 수납된 미처리 기판은 상기 로더/언로더부(3)로부터 상기 반송부(C/S)(11)를 거쳐 제1의 프로세스부 (4)의 제1의 메인아암기구(15)로 넘겨진다(스텝 S1,S2). 다음에 이 기판은 건식세정장치(UV)(21)에 의해서 자외선 세정되어(스텝 S3), 그 후 상기 냉각유닛(22)에 의해서 제1의 냉각(COL1)이 이루어진다(스텝 S4).
이어서 상기 습식세정장치(19)에 의해서 브러시 세정(SRC)이 이루어지고, 상기 가열유닛(20)에 의한 제1의 가열처리(HP1)에 의해서 가열건조된 후(스텝 S6), 상기 냉각유닛(22)에 의한 제2의 냉각처리에 의해서 냉각된다(스텝 S7). 다음에 이 기판은 제1의 메인아암기구(15)로부터 제2의 프로세스부(5)의 제2의 메인아암기구 (24)로 넘겨진다.
제2의 프로세스부에 넘겨진 기판은, 접착강화처리유닛(29)에 의해서 표면의 소수화 처리(AD)가 이루어진 뒤(스텝 S8), 제3의 냉각처리(COL3)가 실시된다(스텝 S9). 다음에 소수화 처리후의 기판은, 레지스트액도포·가장자리레지스트제거유닛 (28)에 유입되어 레지스트도포(CT) 및 기판 가장자리의 불필요한 레지스트액의 제거(ER)가 이루어진다.
이와 같이 처리된 기판은, 상기 가열유닛(30,31)에 삽입되어, 베이킹처리 (HP2)가 실시된다(스텝 S11). 이렇게 하여 기판에 도포된 레지스트액에 포함되는 용제를 휘발시킨다. 다음에 이 기판을 냉각유닛에 삽입하여, 대략 실온까지 냉각 (COL4)한다(스텝 S12). 다음에 이 기판은 상기 제2의 메인아암기구(24)로부터 제3의 메인아암기구(34)를 거쳐 인터페이스부(7)로 반송되어, 노광시스템(2)으로 넘겨진다(스텝 S13). 그리고, 이 노광시스템(2)에 있어서 노광처리(EXP)가 실시된다(스텝 S14).
노광처리가 이루어진 기판은, 상기 인터페이스부(7), 제3의 메인아암기구 (34)를 거처 타이틀러(39)에 삽입되어 타이틀링 처리가 이루어진다(스텝 S15).
그 후, 기판은 현상처리장치(38)에 유입되어 현상처리(DEV)가 이루어진다(스텝 S16). 이 현상처리유닛(38)은 예를 들어 기판상에 현상액을 공급하면서 기판을 회전시킴으로써 현상을 하고 린스액으로 현상액을 씻어 버린 후, 기판을 휘둘러 액체를 뿌림으로써 건조를 한다.
마지막으로 이 기판은 이 기판에 대향하는 가열/가열유닛(40) 또는 가열/냉각유닛(41)에 삽입되어 제3의 가열처리(HP3)에 의해서 가열건조된 후(스텝 S17), 제5의 냉각처리(COL5)에 의해 냉각된다(스텝 S18).
이상의 처리가 모두 종료한 기판은, 상기 제3의 메인아암기구(34)로부터 상기 제2, 제1의 메인아암기구(24,15)를 거쳐 상기 반송부(C/S)(11)에 설치된 제1의 서브아암기구(13)에 넘겨진다(스텝 S19). 그리고, 이 제1의 서브아암기구(13)에 의해서 상기 로더/언로더부(3)에 얹어놓여진 제2의 카세트(C2) 내로 수용된다(스텝 S20).
다음에, 본 발명의 요부인 레지스트도포·가장자리레지스트제거유닛(28)[도포·가장자리제거유닛(28)이라고도 함]에 관해서 도 3 이하를 참조하면서 설명한다.
이 도포·가장자리제거유닛(28)은, 케이싱(28a) 내에 레지스트액 도포부(50)와 가장자리 제거부(51)가 인접하여 배치되어 있다.
레지스트액 도포부(50)는 처리용기인 회전컵(52) 내에서 기판(G)을 예를 들어 스핀척(53)으로 흡착, 지지한다. 그리고 이 레지스트액 도포부(50)는 상기 기판 (G)의 중심 윗쪽으로 예를 들어 레지스트노즐(54)을 이동시켜 레지스트액을 공급한 뒤에 스핀척(53)을 고속으로 회전시킴으로써 원심력에 의해서 기판(G) 상의 레지스트액을 확산시킨다. 이렇게 함으로써 기판(G)의 전면에 얇고 또한 균일한 두께로 레지스트액을 도포한다.
또 기판(G)의 회전은 상기 스핀척(53)을 컵(52)(안쪽 컵) 통째로 고속회전시킴으로써 이루어진다. 즉, 이와 같이 기판(G)을 회전시키면서 레지스트액을 도포하는 방법은 반도체 웨이퍼상에 회로패턴을 형성하는 경우에도 채용되고 있지만, LCD의 제조에 있어서는 LCD 기판(G)이 대형이고 또한 4각형이므로 웨이퍼와 비교하여 균일한 레지스트막의 형성이 어렵다는 문제점이 있다. 특히 4개의 모서리는 중심에서 머리 떨어져 있기 때문에, 이 부분의 원주속도는 꽤 고속이므로 기판(G)의 주위에 난기류가 발생한다고 하는 문제점이 생길 가능성이 있다. 또한 기판(G)의 모서리에까지 레지스트액을 균일하게 확산시키기 위해서는 레지스트액 중에 포함되는 용제의 휘발을 될 수 있는 한 방지하고 확산속도를 일정하게 할 필요가 있다. 이를 위하여 LCD 기판제조장치에 있어서는 기판(G) 만을 회전시키는 것은 아니라, 이 기판(G)을 컵(52) 내에 밀폐수납하여 이 컵(52)을 고속으로 회전시킴으로써 용제의 휘발 및 난기류의 발생을 방지하도록 하고 있는 것이다.
이상과 같이 레지스트액이 도포된 기판(G)은 반송레일(55)을 따라 이동하는 한 쌍의 반송아암(56)에 의해서 가장자리 제거부(51)까지 반송된다.
이 가장자리 제거부(51)는 반송된 기판(G)을 얹어놓기 위한 예를 들어 얹어놓는대(58)를 구비한다. 이 얹어놓는대(58)의 주위에는 예를 들어 이 얹어놓는대 (58) 상에 놓여진 기판(G)의 4개의 모서리 근방을 각각 홈포지션(home position)으로 하도록 배치된 4개의 박막제거헤드(60)가 설치되어 있다. 각 박막제거헤드(60)는 기본적으로 동일한 구성을 구비하고 있다. 도 4는 이 가장자리 제거부(51) 만을 확대하여 나타낸 사시도이다. 각 박막제거헤드(60)는 이 헤드(60)를 기판(G)의 가장자리를 따라 구동시키는 이동기구(62)에 부착되어 있다.
이 이동기구(62)는 예를 들어 리니어 가이드, 스텝핑 모터(stepping motor) 및 구동벨트로 구성되는 것으로서 상기 스텝핑 모터의 회전수를 임의로 제어함으로써 상기 헤드(60)의 이동속도를 제어할 수 있게 되어 있다.
여기서 박막제거헤드(60)는 도 5(a),(b)에 나타낸 구성을 구비하고 있다. 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 헤드(60)는 상부헤드구성재(64a)와 하부헤드구성재(64b)를 구비하여 이들을 상하방향으로 대향시키고 있다. 또한 이 헤드(60)는 이 헤드 (60)의 기초단부 측으로 통하는 흡입구(65)를 구비하고 있다.
그리고 상부헤드구성재(64a)와 하부헤드구성재(64b)에는 상부헤드구성재 (64a)와 하부헤드구성재(64b)와의 사이의 처리공간(S) 내에 기판(G)의 가장자리를 위치시켰을 때에 불필요한 막을 제거하는 부분를 향하여 용제를 토출하기 위한 니들노즐(66,67)이 고정되어 있다. 이들 각 니들노즐(66,67)에는 별도로 설치한 예를들어 탱크(69) 등의 용제공급원에서 질소가스 등에 의한 송출에 의해서 용제가 소정압으로 공급되게 되어 있다.
이 니들노즐(66,67)은 가는 선재(線材) 속에 토출구와 동일한 직경의 유통부 (도시하지 않음)가 형성되어 있는 중공(中空) 구조를 구비한다. 일반적으로 사용되고 있는 예를 들어 니들노즐(66,67)의 토출구의 지름은 약 260μm 정도이다. 그리고 탱크(69)에 가해지는 질소가스의 압력은 약 1kg/cm2정도로서, 이것에 의해서 매분 40ml 정도의 용제가 기판(G)의 표면과 뒷면의 가장자리를 향하여 토출되고 불필요한 레지스트막(70)이 용해되어 기판(G) 상에서 제거되게 되어 있다. 또 토출된 용제나 용해된 레지스트액은 상기 흡입구(65)로부터 흡입되어 외부로 배출되게 되어 있다.
또한 상기 니들노즐(66,67)은, 도5 (a)에 나타낸 바와 같이, 이 박막제거헤드(60)의 진행방향[기판(G)의 가장자리(장변, 단변)를 따른 방향]을 따라 예를 들어 일직선 모양으로 소정의 간격을 두고 복수개 배치되어 있다.
다음에 이 도포·가장자리제거유닛(28)의 제어계에 관해서 설명한다.
이 도포·가장자리제거유닛(28)의 주요한 제어계는 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 레지스트액 도포부(50)를 제어하는 레지스트 도포제어부(72)와, 상기 반송아암(56)을 제어하는 반송아암 제어부(73)와, 상기 가장자리 제거부(51)를 제어하는 가장자리 레지스트제거 제어부(74)와, 각 제어부(72∼74)를 제어하는 중앙제어장치(75)를 구비한다.
이 중앙제어장치(75)에서 본 발명의 요지에 관한 부분만을 설명한다. 도포부 (50) 및 제거부(51)의 레시피를 입력하기 위한 입출력부(78)와, 그들의 레시피를 저장하는 도포부 레시피 기억부(76) 및 제거부 레시피 기억부(77)가 접속되어 있다.
도 6은 상기 박막제거헤드(60)의 동작경로를 설명하기 위한 모식도이다. 이 실시형태에서는 하나의 제거헤드(60)가 상기 기판(G)의 장변(단변)을 따른 이동공정을 구간A와 구간B(단변에 있어서는 구간A’, 구간B’)의 2공정으로 나누어 각각 소정의 속도를 할당한다. 상기 레시피 기억부(77)에는 구간A 속도기억부(81)와 구간B 속도기억부(82)가 있어 각각 구간A 속도, 구간B 속도가 저장되게 되어 있다. 또 단변의 구간A’, 구간B’에 있어서는 장변의 구간A, 구간B와 같이 취급하면 되기 때문에 이하에서 그 설명은 적당히 생략한다.
다음에 이 구간A, 구간B 거리 및 구간A, 구간B 속도의 결정방법에 관해서 설명한다.
즉 종래기술의 항에서 설명했던 것과 같이 회전수 기타 레지스트 도포조건에 따라서는 도 6에 나타낸 바와 같이 글래스 기판(G)의 각각 대향하는 4개의 모서리 (100)의 레지스트막이 특히 다른 가장자리와 비교하여 두껍게 된다고 하는 사태가 발생한다. 이러한 현상이 발생하면 엣지리무버를 사용하여 기판 가장자리의 레지스트액을 제거한다고 해도 상기 4개의 모서리(100)의 레지스트막이 완전히 제거되지 않고서 남아 버린다는 문제가 있다. 예를 들어 370×470mm 크기의 4각형 모양 글래스 기판의 경우, 가장자리의 막두께의 한 측정예에 의하면, 상기 4개의 모서리(100)에서의 두꺼운 부분에서 5.2μm, 그 밖의 가장자리에서 3.3∼4.3μm이라는 결과를 얻고 있다.
그래서 본 실시형태에서는 상기 헤드(60)가 기판(G)의 가장자리를 따른 이동공정을 구간A와 구간B로 나누어 소정의 택트타임(tact time) 내에서 구간A와 구간B의 속도를 적정화함으로써 상기 두꺼운 부분을 유효하게 제거하도록 한다.
즉 구간A는 상기 제거헤드(60)의 홈위치로부터 적어도 사선부(두꺼운 부분)를 포함하는 길이로 설정되고, 구간B는 그 나머지의 길이로 설정한다. 본 실시형태에서는 구간A는 예를 들어 80mm로 설정된다. 그리고 구간A 속도는 소정의 용제 토출량으로 상기 두꺼운 부분의 박막을 제거할 수 있도록 저속으로 설정되고, 구간B 속도는 이 가장자리 제거공정을 소정의 택트타임 내에서 종료시키는 수 있고 또한 다른 부분의 박막을 제거할 수 있는 속도로 설정된다. 여기서 택트타임을 60초라고 하면 구간A에서의 스캔시간+구간B에서의 스캔시간+구간A’에서의 스캔시간+구간B’에서의 스캔시간+레시피 외의 시간(위치 결정 등)=60초가 되도록 설정된다.
또 구간B, 구간B’의 속도는 구간A의 속도에 의해서 자동적으로 정해지기 때문에 구간A, 구간A’의 조건으로부터 자동적으로 계산하여도 좋다. 또 본 실시형태에서 디폴트 설정에서는 구간B, 구간B’의 거리 및 속도는 구간A, 구간A’의 거리 및 속도로부터 자동적으로 계산하여 구하게 되어 있다.
또한 상기 두꺼운 부분(100)은 상기 레지스트 도포장치의 컵(32) 내에 들어간 외기를 차단하는 위치에서 발생하고 있다. 즉 이 부분의 레지스트막이 다른 부분과 비교하고 건조속도가 빠르기 때문이라고 추측할 수 있다. 또한 두꺼운 부분의두께 및 범위는 기판(G)의 치수 및 장변·단변비[長邊·短邊比(縱橫比)]에 관계되고 있다고 생각된다. 따라서 상기 두꺼운 부분이 생성되어 있느냐는 레지스트액 도포부(50)의 스핀척(53)의 회전수, 기판(G)의 치수 및 기판(G)의 장변·단변비에 기인하고 있다고 판단하여, 이들의 조건에 의거하여 구간A 거리, 구간A 속도를 자동적으로 결정하여도 좋다. 본 실시형태에서는 상기 도포부 레시피 기억부(76)에 저장된 도포부 레시피에 의거하여 구간A 거리 및 구간A 속도를 자동으로 연산하여 이것을 디폴트치로서 오퍼레이터에게 제시하게 되어 있다.
본 실시형태에서는 예를 들어 구간A 속도는 도 7에 나타낸 바와 같이 80mm의 범위에서 55mm/s로 설정되고, 구간B 속도는 390mm의 범위에서 80mm/s로 설정된다.
다음에, 레지스트액 도포·가장자리 제거유닛(28)의 동작에 관해서 설명한다.
우선, 오퍼레이터는 시스템을 기동시킨 후, 상기 입출력부(78)를 통하여 도포부 레시피 및 제거부 레시피를 입력한다. 도포부 레시피로서는, 적어도 기판(G)의 치수(장변치수 및 단변치수), 스핀척(53)의 회전수, 레지스트액의 토출 속도 등의 각 정보가 입력된다.
또한, 가장자리 제거용 레시피로서는 적어도 구간A(구간A’)의 거리, 구간A 속도(구간A’속도) 및 세정액의 토출량의 정보가 입력된다. 도 8은 그 입력화면의 한 예이다. 이 예에서는, 구간A 거리로서 80mm, 속도로서 50mm/sec가 입력되어 있다. 또 전술했던 바와 같이 구간A 거리와 구간A 속도의 디폴트치는, 상기 중앙제어부가 상기 도포부 레시피 기억부(76)에 저장된 도포부 레시피에 의거하여 연산하게되어 있으므로 오퍼레이터는 이것을 수정하는 것만으로 족하다.
다음에, 이 화면에서 OK 버튼이 눌러짐으로써 구간B 속도가 자동적으로 계산된다. 구체적으로는 상기 기판(G)의 치수, 구간A 거리, 구간A’거리로부터 구간B, 구간B’거리가 산출된다. 그리고 택트타임(60초), 구간A 속도, 구간A’속도와, 구간B, 구간B’거리로부터 구간B 속도, 구간B’속도가 산출된다. 본 실시형태의 경우에 구간B 속도, 구간B’속도는 80mm/sec로 결정된다.
상기 설정동작이 종료되면 기판(G)의 처리가 시작된다.
상기 기판(G)이 이 도포·가장자리제거유닛(28)으로 로드되면, 우선 레지스트액 도포부(50)에 있어서 기판(G)에 대하여 스핀코팅 방법에 의한 레지스트액 도포가 이루어진다. 이것에 의해 레지스트막이 형성된 기판(G)은 반송아암(56)에 의해서 가장자리 제거부(51)의 얹어놓는대(58)로 반송된다.
기판(G)이 얹어놓는대(58)에 놓이면, 가장자리 제거부(51)는 이동기구(62)를 작동시켜 도 5(b)에 나타낸 바와 같이 기판(G)의 각 변의 가장자리의 일단을 각 처리공간에 위치하도록 상기 박막제거헤드(60)를 기판(G) 측으로 구동시킨다.
다음에 상기 구간A, 구간B를 따라 소정의 구간A 속도 및 구간B 속도로 상기 헤드(60)를 이동시키고 아울러 상기 상부헤드구성재(64a) 및 하부헤드구성재(64b)의 니들노즐(66,67)로부터 용제를 토출시킨다. 이렇게 함으로써 상기 기판(G)의 가장자리에 부착된 불필요한 레지스트막이 제거된다.
이상과 같이 하여 가장자리의 불필요한 레지스트막이 제거된 기판(G)은 가장자리 제거부(51)로부터 반송아암(25a)에 의해서 집어내어지고, 가열장치(30) 등으로 이송된 후, 최종적으로 상기 카세트에 수납된다.
이러한 구성에 의하면 이하의 효과를 얻을 수 있다.
우선, 기판(G)의 4개의 모서리(100)에 특히 두껍게 형성된 레지스트막의 두꺼운 부분을 제거하는 경우에 제거헤드(60)의 이동공정을 구간A, 구간B로 나누어, 각각 일정속도를 할당하여 구동하도록 했기 때문에 장치제어가 간략화된다.
즉, 상기 모서리(100)에 생긴 두꺼운 부분의 제거는 엣지리무버에 의한 제거속도를 느리게 함으로써 시간을 들여 세정하는 방법이 생각된다. 그러나 종래의 장치에 있어서는, 기판에 대한 레지스트액의 도포조건에 의거하여 엣지리무버의 속도를 설정하기때문에 프로그램을 변경하지 않으면 아니되어 오퍼레이터가 로트마다 상세하게 설정하는 것은 곤란하다. 또한 자유롭게 속도를 설정하면 택트가 엉클어지게 되고 말아 다른 처리장치의 처리속도에 영향을 미치게 하고, 나아가서는 스루풋이 저하되게 된다.
이에 반하여 본 실시형태의 구성에 의하면, 전술한 바와 같이 헤드(60)의 이동공정을 구간A, 구간B으로 나누고 아울러 구간A 속도에 의거하여 구간B 속도를 결정하도록 했기 때문에 제거처리를 택트타임 내에 끝내는 것이 용이하게 된다.
또한 이동공정에서 상류측에 구간A를 설정하도록 했기 때문에 레지스트액의 두꺼운 부분을 보다 효과적으로 제거할 수 있다. 즉 이러한 구성에 의하면 구간A가 보다 긴 시간동안 용제와 접촉하게 되므로 이 부분의 제거성능이 높아지는 것이다.
또한 상기 실시형태에서는 레지스트액 도포부(50)에 있어서의 레지스트액 도포 레시피[스핀척(53)의 회전수, 기판(G)의 치수 등의 정보]에 의거하여 상기 구간A 속도를 구하도록 하고 있으므로 오퍼레이터에 의한 설정이 용이하게 된다.
또 본 발명은 상기 1실시형태에 한정되는 것이 아니라, 발명의 요지를 변경하지 않는 범위에서 여러가지로 변형이 가능하다.
상기 1실시형태에서는 상기 레지스트액 도포부(50)의 도포 레시피에 의거하여 구간A 속도를 결정하도록 하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 도 9에 나타낸 바와 같이 상부헤드(64a), 하부헤드(64b)에 예를 들어 거리센서 (90a,90b)를 설치하여 이들이 접속된 막두께 검출부(91)의 검출치에 의거하여 헤드 (60)의 속도를 제어하도록 하여도 좋다.
이 경우 구간A의 속도만을 정하여 놓고 구간A 거리, 구간B 거리 및 구간B 속도는 상기 센서(90a,90b)의 막두께 검출결과에 의거하여 결정하도록 하여도 좋다. 예를 들어, 막두께가 소정 치수 이하로 변화된 곳까지를 구간A로 하고, 구간B의 속도는 택트타임 내에서 상기 헤드(60)의 스캔이 끝날 수 있는 속도로 설정하도록 하여도 좋다.
또한 상기 1실시형태에서는 상기 헤드를 구간A 내에서 구간A 속도로 이동시키도록 했지만, 이동시키지 않고 정지시키도록 하여도 좋다. 이 경우 도 10에 나타낸 바와 같이 상기 헤드를 상기 박막이 두꺼워진 부분(100)에서 레지스트막의 도포조건에 의해서 결정된 시간 만큼 정지시킨 후, 이동시키도록 하는 것이 바람직하다.
또한 이 경우, 상기 헤드(60)의 진행방향을 따른 용제 토출범위를 상기 레지스트막의 두꺼운 부분에 대응시키도록 하여도 좋다. 구체적으로는 상기 니들노즐(66,67)의 설치간격을 넓혀 용제의 도포범위를 넓히도록 하여도 좋고, 노즐(66,67)의 갯수 자체를 많게 하여도 좋다.
또한 상기 위치에 관한 실시형태로서 구간A에 의거하여 구간B의 제거조건을 결정하도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고 구간B에 의거하여 구간A의 제거조건을 결정하도록 하여도 좋다.
또한 상기 니들노즐(66,67)의 배치는 상기 1실시형태에 한정되는 것이 아니라, 슬릿모양의 노즐이더라도 좋고, 노즐을 지그재그 형상으로 배치하도록 하여도 좋다.
또한 상기 1실시형태에서는 상기 박막제거헤드(60)의 구간A 속도는 기판(G) 밖에서도 기판(G) 내에서도 일정한 속도이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 구간A에서 기판(G)에 도달할 때까지는 고속이고, 기판(G)에 도달하고 나서는 소정의 저속으로 이동시키도록 하여도 좋다. 이러한 구성에 의하면, 일정한 택트타임 내에 불필요한 레지스트막의 제거를 끝내야 하는 경우에 있어서, 구간A에서의 기판(G) 밖에서의 스캔시간을 단축할 수 있는 만큼 구간A의 스캔시간을 길게 할 수 있다. 따라서 구간A의 스캔속도를 그 만큼 저속화하여 이 부분의 불필요한 레지스트막을 유효하게 제거할 수 있는 효과가 있다.
또한 상기한 실시형태에서는, 구간A와 구간B에서 헤드(60)의 이동속도가 변하도록 하였지만, 도 5(a)에 나타낸 세정액 공급원(69)의 펌프(도시를 생략함)의 토출압(吐出壓)을 제어함으로써 구간A와 구간B에서 헤드(60)의 니들노즐(66,67)로부터 토출되는 용제의 토출압을 변하게 하도록 하여도 상관없다. 구체적으로는 상기한 예에서 예를 들어 구간B에서의 토출압보다도 구간A에서의 토출압이 커지도록 제어하면 좋다. 또한, 구간B에서는 도 12(a)에 나타낸 바와 같이 헤드(60)의 5개의 니들노즐(66,67) 중에서 예를 들어 3개의 니들노즐(66,67)로부터 용제를 토출하고, 구간A에서는 도 12(b)에 나타낸 바와 같이 헤드(60)의 5개의 니들노즐(66,67)로부터 용제를 토출하도록 제어하여도 상관없다.
또한 도 9에 나타낸 실시형태에서는 상부헤드(64a), 하부헤드(64b)에 예를 들어 거리센서(90a,90b)를 설치하여 이들이 접속된 막두께 검출부(91)의 검출치에 의거하여 헤드(60)의 속도를 제어하도록 구성했지만, 막두께 검출부(91)의 검출치에 의거하여 니들노즐(66,67)로부터 토출되는 용제의 토출압이나, 용제를 토출하는 니들노즐(66,67)의 갯수를 제어하여도 상관없다. 또한 헤드의 진행방향에서 막두께 검출부(91)에 의해 막두께를 검출하여 그 결과가 도 13에 나타낸 바와 같이 기판 (G) 상의 소정의 위치(131,132)가 두꺼울 때에, 헤드의 복귀방향에서 위치(131, 132)의 부분에만 니들노즐(66,67)로부터 용제를 분출시키도록 하는 구성을 하여도 상관없다.
또한 도 14에 나타낸 바와 같이, 헤드(60)의 진행방향에서 반대측의 상하에 각각 기판(G)을 향하여 건조용의 기체, 예를 들어 N2가스를 분출하는 에어나이프 (141)를 설치하여 이 에어나이프(141)로부터 분출되는 N2가스의 양이나 온도를 구간에 따라서 가변으로 하여도 좋다. 또한 구간을 나누지 않고 막두께 검출부(91)의 검출치에 의거하여 N2가스의 양이나 온도를 제어하여도 상관없다.
또한 상기한 실시형태에서는 구간A와 구간B로 헤드(60)의 이동속도를 가변하도록 하였지만, 예를 들어 이에 맞춰 도 5(b)에 나타낸 흡입구(65)로부터 흡입되는 기체의 양을 제어하도록 하여도 상관없다. 상기의 예에서 설명한다면 구간B에서 흡입구(65)로부터 흡입되는 기체의 양보다도 구간A에서 흡입구(65)로부터 흡입되는 기체의 양을 크게 하면 좋다. 또한 막두께 검출부(91)의 검출치에 의거하여 마찬가지로 흡입구(65)로부터 흡입되는 기체의 양을 제어하여도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는 컬러 필터의 도포·현상처리시스템에 관해서 설명했지만, 이것에 한정되지 않고 LCD 기판 등 다른 기판의 도포·현상처리시스템에 관해서도 적용할 수가 있다. 또한, 린스액의 막을 형성하기 위해서 박스 모양의 커버를 사용했지만, 이것에 한정되지 않고 린스액의 막이 형성된다면 어떠한 기구이어도 좋다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 보다 간단한 순서에 의한 설정으로 상기 4개의 모서리에 레지스트막의 나머지가 생기는 것을 방지할 수 있고, 또한 택트타임에도 영향을 미치게 하지 않는 박막형성장치 및 박막제거장치를 제공할 수가 있다.

Claims (19)

  1. 기판 표면에 도포액을 도포하면서 이 기판을 회전시킴으로써 도포액의 박막을 형성하는 박막형성부와,
    기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막제거부의 이동범위를 구간A와 구간B로 나누고, 구간A에 있어서의 구간A 속도의 정보와 구간B에 있어서의 구간B 속도의 정보를 저장하는 기억부와,
    상기 기억부에서 상기 구간A 속도의 정보와 구간B 속도의 정보를 구하여, 구간A에 있어서는 구간A 속도로, 구간B에 있어서는 구간B 속도로 상기 박막제거부 구동부를 동작시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구간A는 상기 기판을 회전시킬 때의 회전방향에서 각각 대향하는 4개의 모서리에 가까운 가장자리의 범위로 설정되고, 상기 구간B는 그 밖의 가장자리의 범위로 설정되어, 구간A 속도는 구간B 속도보다도 느리게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 구간A 속도 중에서 상기 기판 밖에서의 속도는 기판 내에서의 속도보다도 고속으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 구간A 속도 및 구간B 속도는 상기 기판의 가장자리의 약액의 두꺼운 부분의 범위 및 두께에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 구간A 속도 및 구간B 속도는 상기 박막형성부에서 도포한 상기 기판의 회전수에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  6. 기판 표면에 도포액을 도포하면서 이 기판 표면을 회전시킴으로써 도포액의 박막을 형성하는 박막형성부와,
    기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막형성부에서 도포한 기판의 회전수에 의거하여 상기 구동부에 의한상기 박막제거부의 속도를 제어하는 속도제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  7. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 기판의 한 변을 따라 이동하는 상기 박막제거부의 이동범위를 구간A와 구간B로 나누어, 구간A에 있어서의 구간A 속도의 정보와 구간B에 있어서의 구간B 속도의 정보를 저장하는 기억부와,
    상기 기억부에서 상기 구간A 속도의 정보와 구간B 속도의 정보를 구하여, 구간A에 있어서는 구간A 속도로, 구간B에 있어서는 구간B 속도로 상기 박막제거부 구동부를 동작시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  8. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와,
    상기 센서의 측정치에 의거하여 상기 박막제거부의 속도를 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  9. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 박막제거부에서 기판 표면의 가장자리를 향하여 분출되는 용제의 실질적인 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 박막제거부는 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시키기 위한 노즐을 복수개 구비하고, 상기 가변수단은 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 용제를 분출시키는 노즐의 갯수를 가변시키는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 박막제거부는 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시키기 위한 토출용 펌프를 구비하고, 상기 가변수단은 상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 펌프의 토출압을 가변시키는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  12. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와,
    상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 의거하여 상기 박막제거부에서 기판 표면의 가장자리를 향하여 분출되는 용제의 실질적인 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  13. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 왕복구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 박막제거부의 진행방향에서 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와,
    박막제거부의 진행방향에서 상기 박막제거부에서 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시키고 아울러 박막제거부의 복귀방향에서는 상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 따른 소정의 위치에 상기 박막제거부에서 용제를 분출시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  14. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와,
    상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  15. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와,
    상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 의거하여 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 양을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  16. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와,
    상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 온도를 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  17. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리를 향하여 건조용의 기체를 분출시키기 위한 기체분출부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와,
    상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 따라서 상기 기체분출부로부터 분출되는 기체의 온도를 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  18. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 상기 박막제거부에서 기판 가장자리로 분출된 용제를 흡입하는 흡입부와,
    상기 기판 표면의 가장자리의 영역에 따라서 상기 흡입부의 흡입량을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
  19. 기판 표면의 가장자리를 향하여 용제를 분출시킴으로써 기판 표면의 가장자리를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막제거부와,
    이 박막제거부를 상기 기판의 가장자리를 따라 구동시키는 박막제거부 구동부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 상기 박막제거부에서 기판 가장자리에 분출되는 용제를 흡입하는 흡입부와,
    상기 박막제거부에 설치되어 기판 가장자리의 막두께를 측정하기 위한 센서와,
    상기 센서에 의해 측정된 기판 가장자리의 막두께에 따라서 상기 흡입부의 흡입량을 가변시키는 가변수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제거장치.
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