KR20000053603A - 비.지.에이.용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치 - Google Patents

비.지.에이.용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000053603A
KR20000053603A KR1020000003407A KR20000003407A KR20000053603A KR 20000053603 A KR20000053603 A KR 20000053603A KR 1020000003407 A KR1020000003407 A KR 1020000003407A KR 20000003407 A KR20000003407 A KR 20000003407A KR 20000053603 A KR20000053603 A KR 20000053603A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead
power supply
plating
tape carrier
leads
Prior art date
Application number
KR1020000003407A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100641854B1 (ko
Inventor
카메야마야스하루
오카베노리오
Original Assignee
하라 세이지
히다찌 케이블 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하라 세이지, 히다찌 케이블 리미티드 filed Critical 하라 세이지
Publication of KR20000053603A publication Critical patent/KR20000053603A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100641854B1 publication Critical patent/KR100641854B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

중앙에 디바이스 홀(10)이 형성된 절연막(7) 상에 소정의 패턴으로 형성된 땜납 볼용 랜드(12)와, 반도체 칩에 접속될 리드(9)와, 절연막(7) 상에 형성되고, 그 하나의 단부가 리드(9)에 접속된 도금용 전력 공급 리드(13)와, 전력 공급 리드의 중앙에 설치된 쉽게 절단되는 옴폭한 부분(19)을 구비하는 테이프 캐리어가 구성된다. 테이프 캐리어(2)가 절연막(7) 상에 형성된 도금용 전력 공급 리드(13)를 가지고 있고, 이 도금용 전력 공급 리드(13)의 하나의 단부가 절연막(7)의 외부로 인출되며, 그 다른 단부가 리드(9)에 접속되고, 반도체 칩(1)이 설치될 때 도금용 전력 공급 리드(13)가 리드로부터 단선되도록 한 반도체장치가 구성된다. 이와 같이 함으로써, 쉽게 제조될 수 있고, 배선 패턴의 배선 밀도를 높일 수 있으며, 또 내습성 및 신뢰도가 향상된 BGA용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치가 제조된다.

Description

비.지.에이.용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치{TAPE CARRIER FOR BGA AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 BGA(Ball Grid Array)용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치에 관한 것으로, 특히 배선 밀도 및 내습성이 향상된 BGA용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치에 관한 것이다.
최근에는, 패키지의 소형화 및 고밀도의 패키지 탑재의 요구에 응하여, 고밀도의 배선을 용이하게 하는 테이프 캐리어를 이용한 BGA구조를 갖는 CSP(chip size package)라고 칭하는 소형 패키지(반도체장치)가 제안되어 왔다. 특히, 반도체 칩과 동일한 크기의 여러 가지 종류의 패키지가 개발되어 왔다. 그들 중, TESSERA사에 의해 고안된 초소형 BGA 패키지는 매우 신뢰할 수 있는 반도체 패키지로 알려져 있다.
이들 대부분의 반도체장치의 구성은 센터 패드(center-pad)형의 반도체 칩이 탑재되어 있고, 개구부를 가진 테이프 캐리어의 하나의 표면 상에 설치된 실리콘 수지층 상에, 복수의 전극이 반도체 칩의 중앙선을 따라 배치되도록 형성되어 있는 형태를 취하고 있다. 반도체 칩의 전극부, 테이프 캐리어 상에 형성된 땜납 볼에 접속된 리드(lead), 및 테이프 캐리어의 개구부는 절연 밀봉 재료로 보호된다.
도 1 및 도 2는 리드(9) 및 랜드(12)를 포함하는 도전층(8)의 배선 패턴 상에 전기 금도금층(14)을 형성하도록 중앙에 형성된 디바이스 홀(device hole)(10) 및 비어 홀(via-hole)(11)을 가진 절연막(7)과, 도금용 전력 공급 리드(13)를 갖는 종래의 테이프 캐리어에 있어서의 배선 패턴의 구조를 나타낸다. 테이프 캐리어(2)의 아래에는, 반도체 칩을 실장하기 위해 엘라스토머(3)가 설치되어 있다. 도금용 전력 공급 리드(13)의 외부 단부(outer end)는, 전기 금도금층(14)을 형성한 후에 외부의 펀칭 툴(17) 등으로 절단 및 제거된다.
테이프 캐리어를 제조하기 위해, 폴리이미드 등으로 이루어진 절연막(7)은 디바이스 홀(10) 및 비어 홀(11)을 형성하도록 펀칭되고, 그 후에 리드(9), 랜드(12) 및 전력 공급 리드(13)의 도전층(8)의 배선 패턴은 포토 에칭(photo-etching)에 의해 절연막(7) 상에 형성된다. 전기 금도금층(14)은 그 배선 패턴 상에 설치되고, 외부에 노출된 전력 공급 리드(13)는 외부의 펀칭 툴(17)에 의해 절단 및 제거된다. 그 후에, 탄성의 본체(엘라스토머)(3)는 절연막(7)의 외주에서 외부쪽으로 돌출되지 않도록 도전층(8) 상에 설치된다.
도 3은 BGA형 종래의 반도체장치의 구조를 나타낸다. 도 4는 반도체장치(땜납 볼 측)의 평면도를 나타낸다. 도 5는 반도체장치(반도체 칩 측)의 저면도를 나타낸다.
이 반도체장치의 구조는 반도체 칩(1), 테이프 캐리어(2), 반도체 칩(1)과 테이프 캐리어를 고정시키는 엘라스토머(3), 반도체 칩(1)의 전극(4)을 보호하는 밀봉제(5), 및 반도체장치에서 전극으로서 역할을 하는 땜납 볼(6)을 구비하고 있다.
이 반도체장치의 구조로 인해, 반도체 칩(1)은 테이프 캐리어의 엘라스토머(3)의 측면 상에 탑재 및 고정되기 때문에, 반도체 칩(1)의 전극(4)과 테이프 캐리어의 리드(9)가 전기적으로 접속된다. 또, 이와 같이 접속된 반도체 칩(1)의 전극(4) 및 리드(9)와, 디바이스 홀(10)은 절연 밀봉제(5)에 의해 밀폐되게 밀봉된다. 그 다음에, 땜납 볼(6)은 테이프 캐리어의 랜드(12) 상에 배치되고, 최종적으로 단편 절단 라인(21)(도 2)을 따라 절단함으로써, 반도체장치가 완성된다.
그러나, 종래의 테이프 캐리어에 있어서는, 각 리드(9)에 대하여 전력 공급 리드(13)를 인출되기 때문에, 배선 패턴이 확장되어, 고밀도 배선을 형성하는 것은 쉽지 않다. 따라서, 소형화 및 핀 수 증가의 요구에 응하기는 어렵다. 또한, 종래의 테이프 캐리어를 이용한 반도체장치가 그 패키지의 완성 후에 내습성을 평가하기 위해 PCT(pressure cooker test)를 필요로 하면, 패키지(도 3)의 외부에 노출된 전력 공급 리드(13)의 말미부분의 표면으로부터 물이 스며들고, 이 물이 반도체 칩의 전극(4)에 접속된 리드(9)에 도달하여, 반도체 칩의 전극(4)에 부식이 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 쉽게 제조될 수 있고, 또 배선 패턴의 밀도를 높일 수 있는 BGA용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은 테이프 캐리어의 배선 패턴의 내습성과 패키지의 신뢰도가 향상된 BGA용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따르면, 소정 패턴의 땜납 볼용 랜드, 반도체 칩에 접속된 리드, 및 상기 리드와 절연막 상에 형성된 리드를 접속하는 배선을 포함하는 BGA용 테이프 캐리어는,
상기 절연막 상에 형성되고, 그 하나의 단부가 상기 절연막의 외부로 연장되며, 그 다른 단부가 상기 리드 또는 상기 배선에 접속되어 있는 도금용 전력 공급 리드와, 용이하게 절단되는 부분이 형성되어 있는 상기 도금용 전력 공급 리드의 소정 부분을 구비한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 복수의 전극을 가진 반도체 칩과, 소정 패턴의 땜납 볼용 랜드, 복수의 전극에 접속된 리드, 및 랜드와 절연막 상에 형성된 리드를 접속하는 배선을 포함하는 BGA용 테이프 캐리어를 포함하는 반도체장치는,
상기 절연막 상에 형성되고, 그 하나의 단부가 상기 절연막의 외부로 연장되며, 그 다른 단부가 상기 리드 또는 상기 배선에 접속되어 있는 도금용 전력 공급 리드와, 용이하게 절단되는 부분이 형성되어 있는 도금용 전력 공급 리드의 소정 부분을 구비한다.
도 1은 종래의 테이프 캐리어를 나타낸 단면도,
도 2는 종래의 테이프 캐리어의 배선 패턴을 나타낸 평면도,
도 3은 종래의 반도체장치를 나타낸 도면,
도 4는 도 3에 나타낸 반도체장치(땜납 볼 측)의 평면도,
도 5는 도 3에 나타낸 반도체장치(반도체 칩 측)의 저면도,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 BGA용 테이프 캐리어의 배선 패턴을 나타낸 평면도,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치를 나타낸 도면,
도 8은 도 7에 나타낸 반도체장치에 사용된 노치 리드의 형상을 나타낸 도면,
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노치 리드의 형상을 나타낸 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1: 반도체 칩 2: 테이프 캐리어
3: 엘라스토머 4: 반도체 칩의 전극부
5: 절연 밀봉제 6: 땜납 볼
7: 절연막 9: 리드
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 BGA용 테이프 캐리어의 구성을 나타낸다. 이 테이프 캐리어는, 중앙에 형성된 디바이스 홀(10) 및 비어 홀(11)과 땜납 볼용 랜드(12)를 가진 폴리이미드 등의 절연막(7)과, 반도체 칩의 전극(4)에 전기적으로 접속될 리드(9)와, 절연막(7) 상에 소정의 패턴으로 형성된 리드(9)에 접속된 도금용 전력 공급 리드(13)를 구비하고 있다. 쉽게 절단되는 부분(도 8 및 도 9에 도시)은 도금용 전력 공급 리드(13)의 중앙에 설치되어 있다.
도금용 전력 공급 리드(13)의 하나의 단부가 절연막(7)의 외부로 연장되고, 다른 단부는 리드(9)에 접속되기 때문에, 접속 리드(9)와 도금용 전력 공급 리드(13)에 의해 형성된 회로는, 전기 금도금층(14)이 형성될 때 전력회로로서 사용된다. 테이프 캐리어의 하부측 상에는, 반도체 칩을 실장하기 위해 엘라스토머(3)가 설치된다.
절연막(7)의 외부로 연장된 전력 공급 리드(13)의 외부 끝은, 전기 금도금층(14)이 형성된 후에는 필요없기 때문에, 그 부분은 툴을 이용하여 절단 및 제거된다. 이 점에 있어서, 연속해서 제조된 테이프 캐리어는, 최종적으로 엘라스토머(3)를 설치한 후에, 테이프 캐리어(2)의 단편 절단 라인(21)을 따라 절단되어, BGA용 테이프 캐리어로 완성된다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 BGA형 반도체장치의 구성을 나타낸다. 반도체장치는, 반도체 칩(1)과, 이 반도체 칩(1)의 복수의 전극(4)에 접속된 리드(9)와, 리드(9)를 외부회로에 접속하는 복수의 땜납 볼(6)을 절연막(7) 위에 갖는 테이프 캐리어(2)와, 절연막(7) 상에 형성되고, 그 하나의 단부가 절연막(2)의 외부로 연장되며, 다른 단부가 복수의 리드(9)에 접속된 도금용 전력 공급 리드(9)를 구비하고 있다.
반도체 칩(1)은 테이프 캐리어(2) 상에 고정된 엘라스토머(3) 위에 탑재된다. 반도체 장치에서 전극으로서 역할을 하는 땜납 볼(6)은 절연막(7) 상에 형성된 비어 홀(11)을 통해서 랜드(12) 상에 탑재된다. 리드(9)와 반도체 칩(1)의 전극(4)은 절연막(7)의 중앙에 형성된 디바이스 홀(10)의 위치에서 접속되고, 절연 밀봉제(5)를 주입함으로써 보호된다.
본 실시예에 따른 도 7에 나타낸 반도체 장치의 구조에 있어서는, 반도체 칩(1)을 탑재할 때, 도금용 전력 공급 리드(13)를 리드(9)로부터 단선하여, 기계장치를 이용해서 리드의 끝부분에 앵커(anchoring)부(23)를 설치한다. 도금용 전력 공급 리드(13), 리드(9), 및 이 리드의 끝부분에 있는 앵커부(23)의 접속이, 패키지 조립 후에 도금용 급전 리드(13)의 한 부분에서 절단되어 따로 분리된다. 리드(9)와 도금용 전력 공급 리드(13)와의 접속은, 전기 금도금층(14)을 형성한 후에 반도체장치를 조립할 때 동시에 리드의 끝부분에서 절단되어 따로 분리되고, 따라서, 화살표로 표시한 바와 같이 도금용 전력 공급 리드(13)로부터 물이 스며들더라도, 리드(9)와 이 리드의 끝부분에 있는 앵커부(23)가 단선되는 위치에서는 물의 침투가 방지되기 때문에, 반도체 칩의 전극(4) 안으로 물이 침투되는 것이 방지된다. 또한, 이 패키지의 내습성은, 도금용 전력 공급 리드(13)가 단 하나이기 때문에 충분히 보장되고, 반도체 칩(1)은 그것의 엘라스토머(3)의 측면 위에 있는 테이프 캐리어에 탑재 및 고정되며, 리드(9)와 반도체 칩의 전극(4)의 접속부는 디바이스 홀(10)과 함께 절연 밀봉제(5)에 의해 밀폐되게 밀봉된다. 또, 도금용 전력 공급 리드(13)가 단 하나이기 때문에 고밀도의 배선 패턴이 달성된다.
도 8은 반도체장치(도 7)에 사용된 노치 리드(notched lead)의 형상을 나타낸다. 테이프 캐리어의 디바이스 홀(10) 안으로 돌출되어 서로 접속되어 있는 도금용 전력 공급 리드(13)는 디바이스 홀(10)에 교락(橋絡)하도록 배치된다. 도금용 전력 공급 리드(13)는 패키지의 조립시 쉽게 절단되도록 옴폭한 부분(노치부)(19)으로 이루어져 있는 쉽게 절단되는 부분을 가지고 있고, 그것에 의해 노치 리드(20)가 형성된다. 끝부분에 가장 가까운 리드(22)와 그것에 인접한 리드의 끝부분에 있는 앵커부(23)는 접속된 상태로 형성되어 있기 때문에, 전기를 리드(13)에 공급할 수 있도록 구성된다. 이 회로는 디바이스 홀(10)을 넘어서 배치된 리드(9)의 한쪽 끝부분에서 앵커부(23)와의 접속에 의해서만 형성되기 때문에, 도금용 전력 공급 리드(13)로부터의 전력은 한 개의 도금용 전력 공급 리드(13)에 의해서만 전기 도금시 공급될 수 있다.
서로 접속되어 있는 리드(9)의 각각은 패키지의 조립시 쉽게 절단되도록 옴폭한 부분(노치부)(19)으로 이루어져 있는 쉽게 절단되는 부분을 가지고 있고, 그것에 의해 노치 리드(20)가 형성된다. 이 노치부(19)는, 절연 밀봉제(5)가 주입되기 전에 반도체장치의 조립 후에 기계장치에 의해 절단되어 따로 분리되기 때문에, 노출되어 있는 도금용 전력 공급 리드(13)로부터 물이 스며들더라도, 노치부(19)의 절단위치에서는 물이 침투되는 것이 방지된다.
도 9는 또 다른 실시예에 있어서의 노치 리드의 형상을 나타낸다. 도금용 전력 공급 리드(13)와 접속되고 테이프 캐리어의 디바이스 홀(10) 안으로 돌출된 독립된 복수의 리드(9)는 디바이스 홀(10)에 교락하도록 형성된다. 도금용 전력 공급 리드(13)는 패키지의 조립시 쉽게 절단되도록 옴폭한 부분(노치부)(19)으로 이루어져 있는 쉽게 절단되는 부분을 가지고 있고, 그것에 의해 노치 리드(20)가 형성된다. 이 노치부(19)는, 절연 밀봉제(5)가 주입되기 전에 반도체장치의 조립 후에 기계장치에 의해 절단되어 따로 분리되기 때문에, 노출되어 있는 도금용 전력 공급 리드(13)로부터 물이 스며들더라도, 노치부(19)의 절단위치에서는 물의 침투가 방지된다.
패키지의 외부에 노출된 도금용 전력 공급 리드를 가진, 본 발명에 따른 BGA용 테이프 캐리어 및 반도체장치에 있어서는, 절단을 용이하게 하는 옴폭한 부분으로 이루어져 있는 쉽게 절단되는 부분을 가지고 있는 노치 리드가, 복수의 리드와 도금용 전력 공급 리드 사이에 사용되기 때문에, 옴폭한 부분은 반도체장치의 조립 후에 절단되어 따로 분리된다. 따라서, 패키지의 외부에 노출되어 있는 도금용 전력 공급 리드로부터 물이 스며들더라도, 옴폭한 부분의 위치에서는 물의 침투가 방지되기 때문에, 중간에 위치된 반도체장치의 전극부 안으로 물이 침입하지 않는다. 따라서, 물의 침투로 인한 전극부의 부식을 방지하는 효과가 얻어지고, 또 반도체장치의 내습성이 상당히 향상될 뿐만 아니라, 반도체장치의 신뢰도를 현저하게 향상시키는 BGA용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치가 제조될 수 있다.
본 발명은 완전하고 분명한 개시를 위한 특정 실시예에 대하여 설명했지만, 첨부된 청구범위는 그것에 한정되는 것이 아니라 모든 변형을 구현하는 것으로 해석된다. 본원에서는 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게서 발생할 수 있는 선택적인 구성에 대해서도 설명한다.

Claims (6)

  1. 소정 패턴의 땜납 볼용 랜드, 반도체 칩에 접속된 리드, 및 상기 리드와 절연 막 상에 형성된 상기 리드를 접속하는 배선을 포함하는 BGA용 테이프 캐리어에 있어서,
    상기 절연막 상에 형성되고, 그 하나의 단부가 상기 절연막의 외부로 연장되며, 그 다른 단부가 상기 리드 또는 상기 배선에 접속되어 있는 도금용 전력 공급 리드와, 용이하게 절단되는 부분이 형성되어 있는 상기 도금용 전력 공급 리드의 소정 부분을 구비한 것을 특징으로 하는 BGA용 테이프 캐리어.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드는 서로 접속된 복수의 리드로 이루어져 있고, 상기 도금용 전력 공급 리드는 상기 복수의 리드와 공통으로 접속된 단 하나의 도금용 전력 공급 리드로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 BGA용 테이프 캐리어.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드는 독립된 복수의 리드로 이루어져 있고, 상기 도금용 전력 공급 리드는 상기 복수의 리드에 각각 대응하는 복수의 도금용 전력 공급 리드로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 BGA용 테이프 캐리어.
  4. 복수의 전극을 가진 반도체 칩과, 소정 패턴의 땜납 볼용 랜드, 상기 복수의 전극에 접속된 리드, 및 상기 랜드와 절연막 상에 형성된 상기 리드를 접속하는 배선을 포함하는 BGA용 테이프 캐리어를 포함하는 반도체장치에 있어서,
    상기 절연막 상에 형성되고, 그 하나의 단부가 상기 절연막의 외부로 연장되며, 그 다른 단부가 상기 리드 또는 상기 배선에 접속되어 있는 도금용 전력 공급 리드와, 용이하게 절단되는 부분이 형성되어 있는 상기 도금용 전력 공급 리드의 소정 부분을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 리드는 서로 접속된 복수의 리드로 이루어져 있고, 상기 도금용 전력 공급 리드는 상기 복수의 리드와 공통으로 접속된 단 하나의 도금용 전력 공급 리드로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 리드는 독립된 복수의 리드로 이루어져 있고, 상기 도금용 전력 공급 리드는 상기 복수의 리드에 각각 대응하는 복수의 도금용 전력 공급 리드로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
KR1020000003407A 1999-01-26 2000-01-25 비.지.에이.용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치 KR100641854B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP01654899A JP3424581B2 (ja) 1999-01-26 1999-01-26 Ｂｇａ用テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置
JP11-16548 1999-01-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000053603A true KR20000053603A (ko) 2000-08-25
KR100641854B1 KR100641854B1 (ko) 2006-11-03

Family

ID=11919338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000003407A KR100641854B1 (ko) 1999-01-26 2000-01-25 비.지.에이.용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6281570B1 (ko)
JP (1) JP3424581B2 (ko)
KR (1) KR100641854B1 (ko)
DE (1) DE10002639B4 (ko)
IT (1) IT1316298B1 (ko)
SG (1) SG97137A1 (ko)
TW (1) TW448519B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4412828B2 (ja) * 2000-08-03 2010-02-10 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体パッケージの測定用ソケット及びその測定方法
JP2002252304A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Toshiba Corp 半導体装置およびこれに用いられる支持基板
JP4103342B2 (ja) * 2001-05-22 2008-06-18 日立電線株式会社 半導体装置の製造方法
US6856007B2 (en) * 2001-08-28 2005-02-15 Tessera, Inc. High-frequency chip packages
US7176506B2 (en) * 2001-08-28 2007-02-13 Tessera, Inc. High frequency chip packages with connecting elements
JP3625815B2 (ja) * 2002-11-12 2005-03-02 沖電気工業株式会社 半導体装置とその製造方法
US7754537B2 (en) * 2003-02-25 2010-07-13 Tessera, Inc. Manufacture of mountable capped chips
US8143095B2 (en) 2005-03-22 2012-03-27 Tessera, Inc. Sequential fabrication of vertical conductive interconnects in capped chips
US7936062B2 (en) 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
US8604605B2 (en) 2007-01-05 2013-12-10 Invensas Corp. Microelectronic assembly with multi-layer support structure
CN104183574B (zh) * 2013-05-22 2017-02-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体测试结构及测试方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05136212A (ja) * 1991-11-15 1993-06-01 Hitachi Cable Ltd Ｔａｂ用テープキヤリアの製造方法
EP0737025A4 (en) * 1993-12-24 1998-06-17 Ibiden Co Ltd PRINTED CIRCUIT BOARD
DE19601388A1 (de) * 1996-01-16 1997-07-24 Siemens Ag Leiterplatten-Trägervorrichtung
JP2891665B2 (ja) * 1996-03-22 1999-05-17 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP3480291B2 (ja) * 1998-01-08 2003-12-15 日立電線株式会社 半導体装置及び電子装置
JP2000286294A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
SG97137A1 (en) 2003-07-18
JP2000216203A (ja) 2000-08-04
KR100641854B1 (ko) 2006-11-03
ITMI20000093A0 (it) 2000-01-26
TW448519B (en) 2001-08-01
DE10002639B4 (de) 2007-09-13
ITMI20000093A1 (it) 2001-07-26
US6281570B1 (en) 2001-08-28
IT1316298B1 (it) 2003-04-10
DE10002639A1 (de) 2001-02-22
JP3424581B2 (ja) 2003-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5892271A (en) Semiconductor device
US6472732B1 (en) BGA package and method for fabricating the same
US6087717A (en) Semiconductor device and manufacturing method
US8134225B2 (en) Quad flat no-lead chip carrier with standoff
US6867068B2 (en) Semiconductor device, method of making the same, circuit board, and film carrier tape
US5773895A (en) Anchor provisions to prevent mold delamination in an overmolded plastic array package
KR100641854B1 (ko) 비.지.에이.용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치
JPH1050883A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US6399417B1 (en) Method of fabricating plated circuit lines over ball grid array substrate
KR19990062839A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법, 필름 캐리어 테이프, 회로 기판 및 전자 기기
KR20000053570A (ko) 비.지.에이.용 테이프 캐리어 및 그것을 이용한 반도체장치
US20160007463A1 (en) Electronic device module and method of manufacturing the same
JPH11297752A (ja) 半導体チップの実装構造、およびこの実装構造を有する半導体装置
KR100246367B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2001118951A (ja) 半導体装置
KR200231862Y1 (ko) 반도체 패키지
JPH11297740A (ja) 半導体チップが実装されるキャリアテープ、および半導体装置
KR200328474Y1 (ko) 볼그리드어레이패키지
JP3824076B2 (ja) フィルムキャリアテープの製造方法
JP2000243789A (ja) Ｂｇａ用テープキャリア及びこれを用いた半導体装置
KR19990057570A (ko) 비지에이 패키지 및 그 제조방법
JPH06224238A (ja) 半導体装置
JP2000164751A (ja) Ｉｃパッケージ
KR20020058199A (ko) 반도체패키지의 랜드 구조 및 그 제조 방법
KR20010065786A (ko) 칩 스캐일 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101020

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee