KR20000041339A - 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 램버스디램 모듈(10)에 장착된 소자에 불량이 발생했을 경우 한 채널(30)위에 램버스디램 소자가 장착된 램버스디램 모듈(10)에서 채널에 흐르는 신호가 불량이 발생된 불량소자(24)로 입력되지 못하도록 고임피던스 소켓(40)을 매개시켜 콘트롤러가 인식하지 못하도록 함으로써 제거할 수 있도록 하여 신속한 분석을 통한 생산성을 향상시킬 수 있다는 이점이 있다.

Description

램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법

본 발명은 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 램버스디램 모듈에 장착된 소자에 불량이 발생했을 경우 불량소자를 교체하지 않고 고임피던스 소켓에 의해 인식하지 못하도록 제거하는 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법에 관한 것이다.

메모리는 컴퓨터, 통신시스템, 화상처리시스템 등에서 사용되는 데이타나 명령 등을 일시적 또는 영구적으로 저장하기 위하여 사용되는 것을 총칭하는 것으로써 대표적으로 반도체, 테이프, 디스크, 광학방식 등이 있는데 현재 반도체 메모리가 대부분을 차지하고 있다. 이런 반도체 메모리는 데이타 저장방식의 전기적 특성 등에 따라 구분되는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), Flash Memory, ROM(Read Only Memory) 등의 여러 종류가 있는데 이중 DRAM이 차지하는 비중이 가장 크다.

상기 DRAM은 저장전위가 시간에 따라 변화하기 때문에 주기적으로 저장전위를 원래의 상태로 회복하기 위해 주기적인 리프레쉬 동작이 필요하며, 커패시터에 저장된 전하량이 데이타 판정기준이 되므로 읽기 동작에서 이 전하량의 차이에 따른 전압 차이를 유기하고 이 전압차이를 감지 증폭하여 데이타를 출력하기 때문에 파괴된 저장 데이타를 다시 복구하여 셀에 저장시켜야 하는 동적인 특성을 갖고 있다.

위와 같은 메모리를 실제적으로 시스템에 사용할 때는 모듈로 만들어서 생산되는데 모듈(module)이라는 것은 하나의 기능을 가진 소자들의 집합으로 인쇄회로기판(PCB:Printed Circuit Board)상에 여러 가지 반도체소자 등의 패키지장치가 탑재되어 다수의 접속 핀에 의해 패널 등에 연결되어 설치된다.

요즈음 시스템의 속도가 고속됨에 따라 이에 대응되어 작동되는 DRAM으로는 SDRAM과 EDO DRAM등이 있다.

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)은 열어드레스의 취득, 데이터의 읽기, 출력 포트의 출력을 3단 파이프 라인으로 분담해 각각 클럭에 동기해서 처리할 수 있는 특징으로 갖는 DRAM이다.

일반적인 DRAM은 열어드레스를 받은 후 출력이 종료될때까지 처리할 수 있는 데이터는 한 개뿐이였으나 SDRAM은 3단 파이프 라인으로 분담해 각각 클럭에 동기되어 처리되기 때문에 최초의 데이터 출력까지는 3클럭이 걸리지만 이후부터는 1클럭마다 출력이 가능하기 때문에 고속 액세스가 가능하다는 특징이 있다.

또한, EDO(Extended Data Output) DRAM은 최근 각광받고 있는 고속 동작 모드를 수행할 수 있는 메모리로 하이퍼 페이지 모드라고도 부르며, 패스트 페이지 모드의 사이클시간을 더욱 고속으로 하기 위해서 데이터 래치의 개념을 도입한 동작 모드이다. 그리고 EDO DRAM은 데이터의 유효시간을 길게 함으로서 엄격한 메모리의 액세스 타이밍에 손쉽게 대응할 수 있다. 이로 인해 EDO DRAM의 패스트 페이지 모드는 이용하면 연속한 열에 대한 액세스를 최대 20ns까지 단축할 수 있다는 특징이 있다.

한편, 램버스 디램(RAMBUS DRAM)은 최근 개발된 고속 데이터 전송이 가능한 메모리로 9비트의 버스형태로 이루어져 내부에 2개의 뱅크를 갖고 행 버퍼를 캐시로 이용하여 클럭이 상승할 때와 하강할 때 모두 동기되어 1클럭에 2바이트의 데이터를 전송하는 메모리로서 18비트의 데이터라인에서 8개의 데이터가 클럭이 상승할때와 하강할 때 모두 동기되어 데이터를 직렬로 계속 출력하여 4클럭동안 8개의 데이터를 출력하여 144개의 데이터를 출력한다.

이와 같은 램버스디램 모듈의 정상작동 여부를 측정하거나 불량이 발생했을 경우 불량의 원인을 분석하기 위해 신호분석기(Logic Analyzer)나, 오실로스코프 등을 이용하여 불량이 발생된 소자를 찾아내어 제거해야 한다.

그런데, 램버스디램 모듈의 패키지의 경우 μ-BGA(Ball Gride Arrary) 방식으로 소자들을 장착하기 때문에 모듈 어셈블리 작업이 어려워 불량소자를 새로운 소자로 바꾸기가 어렵다는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 램버스디램 모듈에 장착된 소자에 불량이 발생했을 경우 불량소자를 교체하지 않고 고임피던스 소켓에 의해 인식하지 못하도록 제거하여 정상동작을 행할 수 있도록 하는 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법을 제공함에 있다.

도 1은 일반적인 램버스디램 모듈을 나타낸 구성도이다.

도 2는 본 발명에 의한 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법을 나타낸 구성도이다.

도 3은 본 발명에 의한 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법에 의한 실장상태를 나타낸 도면이다.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -

10 : 램버스디램 모듈 20 : 램저스디램 소자

30 : 채널 40 : 고임피던스 소켓

상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 한 채널위에 램버스디램 소자가 장착된 램버스디램 모듈에 있어서, 채널에 흐르는 신호가 불량이 발생된 불량소자로 입력되지 못하도록 고임피던스 소켓을 매개시키는 것을 특징으로 한다.

여기서, 고임피던스 소켓은 높은 저항값을 갖는 저항성분으로 이루어진다.

위와 같이 이루어진 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.

램버스디램 모듈의 경우 한 채널위에 램버스 디램 소자를 장착되어 장착된 순서에 따라 일련번호가 부여될 때 불량소자의 경우 일련번호가 부여되지 못하도록 채널과 불량소자간에 고임피던스 소켓을 삽입하여 불량소자에게 일련번호를 부여하지 않고 넘어가도록 하여 불량소자를 제거할 수 있게 된다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.

먼저, 본 발명의 요지가 되는 램버스디램 모듈의 구성을 설명한다.

도 1에 도시된 바와 같이 램버스디램 모듈(10)에는 각 소자(20)의 핀 트래이스가 모듈(10)의 왼쪽, 오른쪽이 서로 연결되어 있는 채널(30)이 존재한다.

그래서 이 채널(30)위에 램버스디램 소자(20)가 장착되어 모든 핀의 로딩이 같아지게 된다. 그리고, 한 채널(30) 위에 장착되는 순서에 따라 일련번호가 부여하여 클럭입력에서 가까운 소자와 멀리있는 소자(20)를 구분하여 클럭이 왜곡되는 것을 보상하기 위한 소자의 ID로 사용하여 고속동작을 구현하게 된다.

이와 같이 램버스디램 소자(20)가 한 채널(30)로 연결된 램버스디램 모듈(10)을 사용할 때 전원이 들어오면 초기화하여 각 소자에 ID를 부여하게 된다.

따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 한 채널(30)위에 불량소자(24)와 정상소자(22)가 있을 때 불량소자(24)로 입력되는 전류를 차단하기 위해 높은 저항값을 갖는 저항성분으로 이루어진 고임피던스의 소켓(40)을 삽입하여 소자에 ID가 부여되지 않도록 하여 콘트롤러에서 이 불량소자(24)를 인식하지 못하도록 한다.

도 3은 본 발명에 의한 실장상태를 나타낸 도면이다.

여기에 도시된 바와 같이 램버스디램 모듈(10)의 경우 μ-BGA에 의해 소자(20)들을 장착하기 때문에 PCB의 전면에서의 작업이 곤란하여 PCB뒷면의 불량소자 홀(21)에 고임피던스 소켓(40)을 삽입하여 불량소자(24)로 입력되는 전류를 차단하여 불량소자(24)를 인식하지 못하도록 하여 제거효과를 얻을 수 있다.

상기한 바와 같이 본 발명은 어셈블리 작업이 곤란한 μ-BGA 패키지 타입의 램버스디램 모듈에서 불량이 발생된 소자를 콘트롤러에서 인식하지 못하도록 고임피던스 소켓을 삽입함으로써 간단하게 제거할 수 있도록 하여 보다 원할하고 신속한 분석을 통해 생산성을 향상시킬 수 있다는 이점이 있다.

Claims (2)

1. 한 채널위에 램버스디램 소자가 장착된 램버스디램 모듈에 있어서,

   채널에 흐르는 신호가 불량이 발생된 불량소자로 입력되지 못하도록 고임피던스 소켓을 매개시키는 것

   을 특징으로 하는 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 고임피던스 소켓은

   저항성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법.