KR20000041339A - Method for removing inferior elements of rambus dynamic random access memory - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A method for removing inferior elements of a RAMBUS dynamic random access memory(RDRAM) is provided to execute normal operations by removing the inferior elements, by a high impedance socket without alternating the inferior elements when elements mounted on a RDRAM module have problems. CONSTITUTION: A RAMBUS dynamic random access memory(RDRAM) module mounts on RDRAM elements on one channel. The RDRAM mediates a high impedance socket not to input a signal of a channel as an inferior element. The high impedance socket is composed of resistance components.

Description

램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법How to remove defective devices of Rambus DRAM module

본 발명은 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 램버스디램 모듈에 장착된 소자에 불량이 발생했을 경우 불량소자를 교체하지 않고 고임피던스 소켓에 의해 인식하지 못하도록 제거하는 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for removing a defective device of a rambus DRAM module, and more particularly, when a defect occurs in a device mounted on a rambus DRAM module, a rambus DRAM that is not recognized by a high impedance socket without replacing the defective device. The present invention relates to a method for removing defective devices of a module.

메모리는 컴퓨터, 통신시스템, 화상처리시스템 등에서 사용되는 데이타나 명령 등을 일시적 또는 영구적으로 저장하기 위하여 사용되는 것을 총칭하는 것으로써 대표적으로 반도체, 테이프, 디스크, 광학방식 등이 있는데 현재 반도체 메모리가 대부분을 차지하고 있다. 이런 반도체 메모리는 데이타 저장방식의 전기적 특성 등에 따라 구분되는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), Flash Memory, ROM(Read Only Memory) 등의 여러 종류가 있는데 이중 DRAM이 차지하는 비중이 가장 크다.Memory is a general term used to temporarily or permanently store data or instructions used in computers, communication systems, image processing systems, and the like, and is typically a semiconductor, tape, disk, or optical method. Occupies. Such semiconductor memories are divided into various types such as DRAM (Dynamic Random Access Memory), SRAM (Static Random Access Memory), Flash Memory, and ROM (Read Only Memory), which are classified according to the electrical characteristics of the data storage method. This is the biggest.

상기 DRAM은 저장전위가 시간에 따라 변화하기 때문에 주기적으로 저장전위를 원래의 상태로 회복하기 위해 주기적인 리프레쉬 동작이 필요하며, 커패시터에 저장된 전하량이 데이타 판정기준이 되므로 읽기 동작에서 이 전하량의 차이에 따른 전압 차이를 유기하고 이 전압차이를 감지 증폭하여 데이타를 출력하기 때문에 파괴된 저장 데이타를 다시 복구하여 셀에 저장시켜야 하는 동적인 특성을 갖고 있다.Since the storage potential changes with time, the DRAM needs a periodic refresh operation to restore the storage potential to its original state, and the amount of charge stored in the capacitor serves as a data judgment criterion. Since the voltage difference is induced and the voltage difference is sensed and amplified and the data is output, the destroyed stored data is recovered and stored in the cell.

위와 같은 메모리를 실제적으로 시스템에 사용할 때는 모듈로 만들어서 생산되는데 모듈(module)이라는 것은 하나의 기능을 가진 소자들의 집합으로 인쇄회로기판(PCB:Printed Circuit Board)상에 여러 가지 반도체소자 등의 패키지장치가 탑재되어 다수의 접속 핀에 의해 패널 등에 연결되어 설치된다.When the above memory is actually used in a system, it is produced as a module. A module is a set of devices having a single function, and a package device such as various semiconductor devices on a printed circuit board (PCB). Is mounted and connected to a panel or the like by a plurality of connecting pins.

요즈음 시스템의 속도가 고속됨에 따라 이에 대응되어 작동되는 DRAM으로는 SDRAM과 EDO DRAM등이 있다.As the speed of the system increases these days, corresponding DRAMs include SDRAM and EDO DRAM.

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)은 열어드레스의 취득, 데이터의 읽기, 출력 포트의 출력을 3단 파이프 라인으로 분담해 각각 클럭에 동기해서 처리할 수 있는 특징으로 갖는 DRAM이다.Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) is a DRAM that has a three-stage pipeline that divides open address acquisition, data readout, and output port output into a three-stage pipeline.

일반적인 DRAM은 열어드레스를 받은 후 출력이 종료될때까지 처리할 수 있는 데이터는 한 개뿐이였으나 SDRAM은 3단 파이프 라인으로 분담해 각각 클럭에 동기되어 처리되기 때문에 최초의 데이터 출력까지는 3클럭이 걸리지만 이후부터는 1클럭마다 출력이 가능하기 때문에 고속 액세스가 가능하다는 특징이 있다.In general DRAM, only one data can be processed after receiving the open dress until the output is terminated, but since SDRAM is divided into three stage pipelines and processed in synchronization with each clock, the first data output takes three clocks. After that, the output can be performed every one clock, so that high-speed access is possible.

또한, EDO(Extended Data Output) DRAM은 최근 각광받고 있는 고속 동작 모드를 수행할 수 있는 메모리로 하이퍼 페이지 모드라고도 부르며, 패스트 페이지 모드의 사이클시간을 더욱 고속으로 하기 위해서 데이터 래치의 개념을 도입한 동작 모드이다. 그리고 EDO DRAM은 데이터의 유효시간을 길게 함으로서 엄격한 메모리의 액세스 타이밍에 손쉽게 대응할 수 있다. 이로 인해 EDO DRAM의 패스트 페이지 모드는 이용하면 연속한 열에 대한 액세스를 최대 20ns까지 단축할 수 있다는 특징이 있다.In addition, EDO (Extended Data Output) DRAM is a memory capable of performing high-speed operation mode, which has recently been spotlighted, also called hyper page mode, and has introduced the concept of data latch to make the fast page mode faster. Mode. In addition, EDO DRAM can easily cope with strict memory access timing by prolonging the valid time of data. This allows the fast page mode of EDO DRAM to reduce access to consecutive columns by up to 20ns.

한편, 램버스 디램(RAMBUS DRAM)은 최근 개발된 고속 데이터 전송이 가능한 메모리로 9비트의 버스형태로 이루어져 내부에 2개의 뱅크를 갖고 행 버퍼를 캐시로 이용하여 클럭이 상승할 때와 하강할 때 모두 동기되어 1클럭에 2바이트의 데이터를 전송하는 메모리로서 18비트의 데이터라인에서 8개의 데이터가 클럭이 상승할때와 하강할 때 모두 동기되어 데이터를 직렬로 계속 출력하여 4클럭동안 8개의 데이터를 출력하여 144개의 데이터를 출력한다.RAMBUS DRAM, a recently developed high-speed data transfer memory, consists of a 9-bit bus that has two banks inside and uses a row buffer as a cache to both raise and lower the clock. A memory that transmits two bytes of data in one clock in synchronization, and eight data on an 18-bit data line are synchronized in both rising and falling clocks to continuously output the data in series and output eight data for four clocks. Outputs 144 data.

이와 같은 램버스디램 모듈의 정상작동 여부를 측정하거나 불량이 발생했을 경우 불량의 원인을 분석하기 위해 신호분석기(Logic Analyzer)나, 오실로스코프 등을 이용하여 불량이 발생된 소자를 찾아내어 제거해야 한다.In order to measure the normal operation of such a Rambus DRAM module or to analyze the cause of the failure, the device having the failure must be found and removed by using a logic analyzer or an oscilloscope.

그런데, 램버스디램 모듈의 패키지의 경우 μ-BGA(Ball Gride Arrary) 방식으로 소자들을 장착하기 때문에 모듈 어셈블리 작업이 어려워 불량소자를 새로운 소자로 바꾸기가 어렵다는 문제점이 있다.However, in the case of the package of the Rambus DRAM module, since the devices are mounted in a μ-BGA (Ball Gride Arrary) method, there is a problem that it is difficult to replace the defective device with a new device because the module assembly work is difficult.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 램버스디램 모듈에 장착된 소자에 불량이 발생했을 경우 불량소자를 교체하지 않고 고임피던스 소켓에 의해 인식하지 못하도록 제거하여 정상동작을 행할 수 있도록 하는 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법을 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is to remove the normal device by removing the defective device is not recognized by the high-impedance socket when a defect occurs in the device mounted on the Rambus DRAM module The present invention provides a method for removing a defective device of a Rambus DRAM module that can perform an operation.

도 1은 일반적인 램버스디램 모듈을 나타낸 구성도이다.1 is a block diagram illustrating a general Rambus DRAM module.

도 2는 본 발명에 의한 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법을 나타낸 구성도이다.2 is a block diagram showing a method for removing a defective device of a rambus DRAM module according to the present invention.

도 3은 본 발명에 의한 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법에 의한 실장상태를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a mounting state by a method for removing a defective device of a Rambus DRAM module according to the present invention.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 램버스디램 모듈 20 : 램저스디램 소자10: Rambus DRAM module 20: Ramgers DRAM device

30 : 채널 40 : 고임피던스 소켓30: channel 40: high impedance socket

상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 한 채널위에 램버스디램 소자가 장착된 램버스디램 모듈에 있어서, 채널에 흐르는 신호가 불량이 발생된 불량소자로 입력되지 못하도록 고임피던스 소켓을 매개시키는 것을 특징으로 한다.According to the present invention for realizing the above object, in the Rambus DRAM module having a Rambus DRAM element mounted on one channel, a high impedance socket is provided so that a signal flowing in the channel is not input to a defective device having a defect. do.

여기서, 고임피던스 소켓은 높은 저항값을 갖는 저항성분으로 이루어진다.Here, the high impedance socket is made of a resistance component having a high resistance value.

위와 같이 이루어진 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention made as described above are as follows.

램버스디램 모듈의 경우 한 채널위에 램버스 디램 소자를 장착되어 장착된 순서에 따라 일련번호가 부여될 때 불량소자의 경우 일련번호가 부여되지 못하도록 채널과 불량소자간에 고임피던스 소켓을 삽입하여 불량소자에게 일련번호를 부여하지 않고 넘어가도록 하여 불량소자를 제거할 수 있게 된다.In case of Rambus DRAM module, Rambus DRAM element is installed on one channel and serial number is assigned according to the order of installation. In case of defective device, high impedance socket is inserted between channel and defective device to prevent serial number. It is possible to remove the defective element by passing it without giving a number.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, this embodiment is not intended to limit the scope of the present invention, but is presented by way of example only.

먼저, 본 발명의 요지가 되는 램버스디램 모듈의 구성을 설명한다.First, the configuration of the Rambus DRAM module, which is the subject of the present invention, will be described.

도 1에 도시된 바와 같이 램버스디램 모듈(10)에는 각 소자(20)의 핀 트래이스가 모듈(10)의 왼쪽, 오른쪽이 서로 연결되어 있는 채널(30)이 존재한다.As shown in FIG. 1, the Rambus DRAM module 10 includes a channel 30 in which pin traces of the respective devices 20 are connected to the left and right sides of the module 10.

그래서 이 채널(30)위에 램버스디램 소자(20)가 장착되어 모든 핀의 로딩이 같아지게 된다. 그리고, 한 채널(30) 위에 장착되는 순서에 따라 일련번호가 부여하여 클럭입력에서 가까운 소자와 멀리있는 소자(20)를 구분하여 클럭이 왜곡되는 것을 보상하기 위한 소자의 ID로 사용하여 고속동작을 구현하게 된다.Thus, the Rambus DRAM element 20 is mounted on the channel 30 so that the loading of all pins is the same. In addition, a serial number is assigned according to the order of mounting on one channel 30 to distinguish between a device 20 close to a clock input and a device 20 far away, thereby using a high speed operation using the device ID to compensate for the clock distortion. Will be implemented.

이와 같이 램버스디램 소자(20)가 한 채널(30)로 연결된 램버스디램 모듈(10)을 사용할 때 전원이 들어오면 초기화하여 각 소자에 ID를 부여하게 된다.In this way, when the Rambus DRAM device 20 uses the Rambus DRAM module 10 connected to one channel 30, when the power is turned on, the Rambus DRAM device 20 is initialized to give an ID to each device.

따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 한 채널(30)위에 불량소자(24)와 정상소자(22)가 있을 때 불량소자(24)로 입력되는 전류를 차단하기 위해 높은 저항값을 갖는 저항성분으로 이루어진 고임피던스의 소켓(40)을 삽입하여 소자에 ID가 부여되지 않도록 하여 콘트롤러에서 이 불량소자(24)를 인식하지 못하도록 한다.Therefore, as shown in FIG. 2, when there is a bad element 24 and a normal element 22 on one channel 30, a resistance component having a high resistance value is used to block a current input to the bad element 24. By inserting the high-impedance socket 40, the ID is not given to the device, so that the controller does not recognize the defective device 24.

도 3은 본 발명에 의한 실장상태를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a mounting state according to the present invention.

여기에 도시된 바와 같이 램버스디램 모듈(10)의 경우 μ-BGA에 의해 소자(20)들을 장착하기 때문에 PCB의 전면에서의 작업이 곤란하여 PCB뒷면의 불량소자 홀(21)에 고임피던스 소켓(40)을 삽입하여 불량소자(24)로 입력되는 전류를 차단하여 불량소자(24)를 인식하지 못하도록 하여 제거효과를 얻을 수 있다.As shown here, since the Rambus DRAM module 10 mounts the elements 20 by μ-BGA, it is difficult to work on the front side of the PCB, so that the high impedance socket ( By inserting 40, the current input to the defective element 24 is cut off so that the defective element 24 is not recognized, thereby removing the effect.

상기한 바와 같이 본 발명은 어셈블리 작업이 곤란한 μ-BGA 패키지 타입의 램버스디램 모듈에서 불량이 발생된 소자를 콘트롤러에서 인식하지 못하도록 고임피던스 소켓을 삽입함으로써 간단하게 제거할 수 있도록 하여 보다 원할하고 신속한 분석을 통해 생산성을 향상시킬 수 있다는 이점이 있다.As described above, the present invention enables a simpler and faster analysis by inserting a high-impedance socket so that the controller does not recognize a defective device in a μ-BGA package type Rambus DRAM module that is difficult to assemble. This has the advantage of improving productivity.

Claims (2)

한 채널위에 램버스디램 소자가 장착된 램버스디램 모듈에 있어서,In the Rambus DRAM module equipped with Rambus DRAM element on one channel, 채널에 흐르는 신호가 불량이 발생된 불량소자로 입력되지 못하도록 고임피던스 소켓을 매개시키는 것Mediating high-impedance sockets to prevent signals flowing through channels from entering defective devices 을 특징으로 하는 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법.How to remove the defective device of the Rambus DRAM module, characterized in that. 제 1항에 있어서, 상기 고임피던스 소켓은The method of claim 1, wherein the high impedance socket 저항성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 램버스디램 모듈의 불량소자 제거 방법.Defective element removal method of the Rambus DRAM module, characterized in that consisting of a resistance component.