KR100569266B1 - 액정 표시 장치의 하부 기판 구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 부분의 러빙 불량을 개선하여, 액정 표시 장치의 화질 특성을 개선할 수 있는 액정 표시 장치의 하부 기판 구조를 개시한다. 개시된 본 발명은, 하부 기판; 하부 기판상에 소정 방향으로 연장된 게이트 버스 라인; 상기 게이트 버스 라인과 실질적으로 수직인 방향으로 연장되어, 상기 게이트 버스 라인과 함께 단위 화소를 한정하는 데이터 버스 라인; 상기 데이터 버스 라인과의 교차점 부근의 게이트 버스 라인 상부에 배치되는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터의 소정 부분과 콘택되면서 상기 단위 화소 공간에 배치되는 화소 전극; 상기 하부 기판 결과물 상부에 배치되며 소정 방향으로 러빙된 배향막을 포함하며, 상기 박막 트랜지스터는, 게이트 버스 라인으로 부터 단위 화소쪽으로 소정 길이만큼, 배향막의 러빙 방향과 평행한 방향으로 연장되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상부에 오버랩되는 액티브층과, 액티브층의 일측과 콘택되면서 데이타 버스 라인로 부터 연장되고 상기 게이트 전극과 수직을 이루도록 형성되는 소오스 전극 및 액티브층의 타측과 콘택되며 상기 게이트 전극과 수직을 이루도록 형성되고 상기 화소 전극과도 콘택되는 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 장치의 하부 기판 구조{LOWER SUBSTRATE STRUCTURE IN LCD}
도 1은 종래의 액티브 매트릭스 타입 액정 표시 소자의 단위 화소를 나타낸 평면도.
도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 구조를 나타낸 평면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
20 - 하부 기판 21 - 게이트 버스 라인
21a - 게이트 전극 22 - 데이터 버스 라인
22a - 소오스 전극 22b - 드레인 전극
25 - 박막 트랜지스터 25a - 액티브층
27 - 화소 전극
본 발명은 액정 표시 장치의 하부 기판 구조에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 러빙 균일도를 개선할 수 있는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 구조에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 표시 소자에 있어서, 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자는 고속 응답성을 갖고, 많은 화소의 갯수를 갖는다. 이에 따라, 디스플레이 화면의 고 화질화, 대형화, 컬러 화면화등을 실현하는 특성을 지니며, 휴대형 TV, 노트북 PC, 자동차 항법 장치등에 이용된다.
이러한 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자에서, 화소 전극을 선택적으로 온/ 오프시키기 위하여 게이트 라인과 데이타 라인이 교차하는 점에 다이오드나 박막 트랜지스터와 같은 스위칭 소자가 배치,설계된다.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스 타입 액정 표시 소자의 단위 화소를 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하여, 글래스로 된 하부 기판(10) 상에 도면의 게이트 버스 라인(11)이 연장되고, 데이터 버스 라인(12)이 게이트 버스 라인(11)과 교차되도록 배열되어, 단위 화소 공간이 한정된다. 이때, 게이트 버스 라인(11)과 데이터 버스 라인(12) 사이에는 게이트 절연막(도시되지 않음)이 개재되어, 두 라인 사이를 절연시킨다.
게이트 버스 라인(11)과 데이터 버스 라인(12)의 교차점 부근의 게이트 버스 라인(11) 상부에 박막 트랜지스터(15)가 배치된다. 이때, 박막 트랜지스터(15)는 게이트 버스 라인(11)으로 부터 단위 화소쪽으로 데이타 버스 라인과 평행하게 소정길이만큼 연장된 게이트 전극(11a)과, 게이트 전극(11a) 상부에 오버랩되는 액티브층(15a)과, 액티브층(15a)의 일측과 콘택되면서 데이타 버스 라인(12)로 부터 연장되는 소오스 전극(12a) 및 액티브층(15a)의 타측과 콘택되는 드레인 전극(12b)을 포함한다. 단위 화소 공간에 박막 트랜지스터(15)의 드레인 전극(12b)과 콘택되도록 화소 전극(17)이 배치된다. 이때, 화소 전극(17)은 공지된 바와 같이 투명 도전체로 형성된다.
또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 하부 기판(10) 상부에는 소정 거리를 두고 공통 전극을 포함하는 상부 기판이 배치되고, 상부 기판과 하부 기판(10) 사이에는 액정층이 개재된다.
이러한 하부 기판의 결과물 상부에는 액정 분자의 초기 배열을 제어하기 위하여 배향막(도시되지 않음)이 형성된다. 배향막은 소정 방향, 예를들어 게이트 버스 라인(11)과 ± 45°정도를 이루도록 러빙포(18)를 문질러서 러빙된다. 여기서, 미설명 도면 부호 19는 러빙 방향을 나타낸다.
그러나, 상기 러빙포(18)로 배향막을 러빙하는 공정시, 하부 구조물이 없는 화소 전극이 형성된 영역은 원하는 형태로 균일하게 러빙되는 반면, 기판(1)으로 부터 약 1 내지 2㎛의 높이를 갖는 박막 트랜지스터 부분은 그 높이로 인하여, 러빙 불량이 발생된다. 이로 인하여, 박막 트랜지스터가 형성된 부분에서는 배향막의 불균일한 러빙 공정으로, 액정 분자들이 오정렬된다.
박막 트랜지스터가 형성된 부분에서 액정 분자의 오정렬로 인하여 빛의 누설이 발생되어, 액정 표시 장치의 화질 특성이 저하된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 박막 트랜지스터 부분의 러빙 불량을 개선하여, 액정 표시 장치의 화질 특성을 개 선할 수 있는 액정 표시 장치의 하부 기판 구조를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 하부 기판 구조는 하부 기판; 하부 기판상에 제 1 방향으로 연장된 게이트 버스 라인; 상기 게이트 버스 라인과 수직하는 제 2 방향으로 연장되어 상기 게이트 버스 라인과 함께 단위 화소를 한정하는 데이터 버스 라인; 상기 게이트 버스 라인과 상기 데이터 버스 라인의 교차점 부근에 배치되도록 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되면서 상기 단위 화소 공간에 배치되는 화소 전극; 상기 하부 기판 결과물 상부에 배치되며 동일한 방향으로 러빙된 배향막을 포함하며, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 버스 라인으로부터 상기 단위 화소쪽으로 상기 배향막이 러빙된 방향과 평행한 방향으로 연장되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상부에 오버랩되는 액티브층과, 상기 액티브층의 일측과 콘택되면서 상기 데이타 버스 라인으로부터 연장되고 상기 게이트 전극과 수직을 이루도록 형성되는 소오스 전극 및 상기 액티브층의 타측과 콘택되며 상기 게이트 전극과 수직을 이루도록 형성되고 상기 화소 전극과 콘택되어 전기적으로 연결되는 드레인 전극을 포함한다. 상기에서 배향막은 상기 게이트 버스 라인과 ±45°의 각도로 러빙되는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 박막 트랜지스터를 하부 기판의 배향의 러빙 방향과 일치하도록 배열함에 따라, 박막 트랜지스터 부분의 러빙 불량을 최소화한다. 이에따라, 액정 분자들이 박막 트랜지스터 부분에서 오정렬 되지 않아, 빛 누설이 발생되지 않는다. 따라서, 액정 표시 장치의 화질 특성이 개선된다.
(실시예)
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
첨부한 도면 도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 구조를 나타낸 평면도이다.
먼저, 도 2를 참조하여, 글래스로 된 하부 기판(20)상부에 게이트 버스 라인(21)이 소정 방향으로 연장, 배치되고, 데이터 버스 라인(22)은 게이트 버스 라인(21)과 실질적으로 수직인 방향으로 연장 배치되어 게이트 버스 라인(21)과 매트릭스 형태를 이루도록 배열된다. 이에따라, 단위 화소 공간이 한정된다.
게이트 버스 라인(21)과 데이터 버스 라인(22)의 교차점 부근에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(25)가 배치된다. 이때, 박막 트랜지스터(25)는 게이트 버스 라인(21)으로 부터 단위 화소쪽으로 연장된 게이트 전극(21a)과, 게이트 전극(21a) 상부에 오버랩되는 액티브층(25a)과, 액티브층(25a)의 일측과 콘택되면서 데이타 버스 라인(22)로 부터 연장되는 소오스 전극(22a) 및 액티브층(25a)의 타측과 콘택되는 드레인 전극(22b)을 포함한다. 여기서, 박막 트랜지스터(25)의 게이트 전극(21a)은 이후 배향막(도시되지 않음)의 러빙 방향과 평행한 방향, 즉, 게이트 버스 라인(21)과 ±45°를 이루도록 연장되고, 소오스 전극(22a) 및 드레인 전극(22b)은 게이트 전극(21a)의 연장 방향과 수직을 이루도록 배열된다. 이에따라, 박막 트랜지스터(25)은 단위 화소 공간의 일측 모서리 부분에 형성된다.
단위 화소 각각에는 상기 박막 트랜지스터(25)의 드레인 전극(22b)와 콘택되 도록 화소 전극(27)이 배치된다. 이때, 화소 전극(27)은 공지된 바와 같이 투명 전도체, 예를들어, ITO(indium tin oxide)로 형성되며, 상기 단위 화소를 이루는 게이트 버스 라인(21)과 데이터 버스 라인(22)과, 박막 트랜지스터의 게이트 전극(21a) 및 소오스 전극(22a)과 소정 거리만큼 이격되도록 배치된다.
이러한 하부 기판(20)의 결과물 상부에는 배향막(도시되지 않음)이 형성되고, 러빙포(28)에 의하여 게이트 버스 라인(21) 또는 데이타 버스 라인(22)과 ±45°를 이루도록 배향막을 러빙한다.
또한, 상부 기판(도시되지 않음)과 액정층(도시되지 않음)은 종래와 동일하게 배치된다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 액정 표시 장치는, 단위 화소 내에서 가장 높은 단차를 갖는 박막 트랜지스터(25) 부분 특히, 게이트 전극(21a)이 러빙축과 동일 방향으로 연장되고, 소오스, 드레인 전극(22a,22b)이 러빙축과 직교하도록 형성되므로, 박막 트랜지스터 부분을 러빙할 때, 러빙포와 90°로 접하게 되어, 러빙 균일도가 크게 개선된다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 박막 트랜지스터를 하부 기판의 배향의 러빙 방향과 일치하도록 배열함에 따라, 박막 트랜지스터 부분의 러빙 불량을 최소화한다. 이에따라, 액정 분자들이 박막 트랜지스터 부분에서 오정렬 되지 않아, 빛 누설이 발생되지 않는다. 따라서, 액정 표시 장치의 화질 특성이 개선된다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (2)

  1. 하부 기판;
    하부 기판상에 제 1 방향으로 연장된 게이트 버스 라인;
    상기 게이트 버스 라인과 수직하는 제 2 방향으로 연장되어 상기 게이트 버스 라인과 함께 단위 화소를 한정하는 데이터 버스 라인;
    상기 게이트 버스 라인과 상기 데이터 버스 라인의 교차점 부근에 배치되도록 형성된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되면서 상기 단위 화소 공간에 배치되는 화소 전극;
    상기 하부 기판 결과물 상부에 배치되며 동일한 방향으로 러빙된 배향막을 포함하며,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 버스 라인으로부터 상기 단위 화소쪽으로 상기 배향막이 러빙된 방향과 평행한 방향으로 연장되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상부에 오버랩되는 액티브층과, 상기 액티브층의 일측과 콘택되면서 상기 데이타 버스 라인으로부터 연장되고 상기 게이트 전극과 수직을 이루도록 형성되는 소오스 전극 및 상기 액티브층의 타측과 콘택되며 상기 게이트 전극과 수직을 이루도록 형성되고 상기 화소 전극과 콘택되어 전기적으로 연결되는 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 하부 기판 구조.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 배향막은 상기 게이트 버스 라인과 ±45°의 각도로 러빙된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 하부 기판 구조.
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