KR19990066995A - 전원장치 - Google Patents

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KR19990066995A
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KR
South Korea
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circuit
over
power supply
transistor
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KR1019980702929A
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히로유키 후지타
고이치 이노우에
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사토 게니치로
로무 가부시키가이샤
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Abstract

전원장치는 리튬이온전원의 과방전을 검출하는 과방전검출회로 및 과전류를 검출하는 과전류검출회로와 과전류검출신호 및 과전류검출신호에 의해 과방전 또는 과전류를 정지시키는 정지회로를 갖고 있다.
과방전검출회로 및 과전류검출회로의 외부의 잡음에 의한 오동작을 방지하기 위해 지연회로(101)가 설치되어 있다.
이 지연회로(101)는 지연시간이 가변가능하다.
그리고 과방전검출시의 지연시간이 과전류검출시의 지연시간보다 길다.
이것에 의해 과방전 과전류를 정확히 정지시킬 수가 있다.

Description

전원장치
리튬이온전원장치는 그 특성상 안정동작을 시키기 위해 리튬이온전원감시IC(집적회로)라고 불리는 보호IC를 내장시키고 있고, 보호기능 중, 과방전검출 및 과전류검출에는 외부의 잡음을 방지하기 위해 지연회로가 부가되어 있다.
종래의 리튬이온전원장치(「전지팩」이라 한다)의 주요부 블록도를 도7에 나타낸다.
동도에 있어서 (1)은1개 또는 복수개의 리튬이온전지로 된 리튬이온전원, (2)는 방전제어FET(전계효과 트랜지스터), (3)은 FET제어회로, (5)는 제1지연회로, (7)은 제2지연회로, (8)은 OR회로, (9)는 양극출력단자, (10)은 음극출력단자, (11)은 단자(9),(10)에 접속된 외부부하이다.
(4)는 비교기로 구성된 과방전검출용의 전원감시회로이며 리튬이온전원(1)의 전압을 감시하고 있고 그 전압이 소정전압 Vref1이하가 되면 고레벨의 출력이 되고 이 출력은 제1지연회로(5)를 거쳐서 소정시간 T1경과 후, OR회로에 입력된다.
이것을 수신해서 OR회로로 부터는 FET제어회로(3)에 OFF신호가 출력된다(OR 회로 8의 출력이 고레벨로 된다).
그리고 FET제어회로(3)는 OFF신호가 입력되면 방전제어FET(2)를 OFF시키도록 되어 있으므로 방전제어FET(2)가 OFF가 되고 리튬이온전원(1)의 과방전촉진이 방지된다.
(6)은 과전류검출용의 전원감시회로이며 리튬이온전원(1)으로부터 흐르는 전류량을 방전제어FET(2)의 ON저항에 의한 전압을 검출하므로서 감시하고 있고 그 전압이 소정전압 Vref2이상이 되면 고레벨의 출력이 되고 이 출력은 제2지연회로(7)를 거쳐서 소정시간 T2경과 후 OR회로(8)로 입력된다.
이것을 수신해서 OR회로(8)로부터는 FET제어회로(3)에 OFF신호가 출력되고(OR회로 8이 고레벨로 된다), FET제어회로(3)에 의해 방전제어FET(2)가 OFF로 되고 리튬이온전원(1)의 과전류방전이 방지된다.
과전류가 발생한 경우, 리튬이온전원(1)의 내부 임피이던스가 변화해서 리튬이온전원(1)의 전압이 저하하고 과방전의 상태라고 오판정해버릴 가능성이 있으므로 제1지연회로(5)에서의 지연시간 T1을 제2지연회로(7)에서의 지연시간 T2보다도 길게해둘 필요가 있다.
이와 같이, 과방전검출시의 지연시간과 과전류검출시의 지연시간이 다르기때문에 종래기술에 있어서는 과방전검출용의 지연회로와 과전류검출용의 지연회로와같이 2개의 지연회로를 설치하고 있으므로 비용이 상승하고 있었다.
더구나 지연회로의 구성요소로서 콘덴서가 포함되어 있는 것때문에 2개의 지연회로를 설치한 종래기술에서는 IC 칩의 면적 및 이것을 탑재시키는 기판의 면적이 증대하여 그분만큼 리튬이온전지의 크기를 제한하게 되므로서 그 전원용량을 저하시키고 있었다.
또한 콘덴서의 용량의 분균일등에 의해 지연회로에 있어서의 지연시간은 불균일로 되므로 2개의 지연회로에 있어서의 본래 있어야 할 지연시간의 관계가 역전해버려서 과방전, 과전류를 정확히 검출할 수가 없을 가능성이 있다.
본 발명은 리튬이온전지 등의 과방전 및 과전류를 검출하여 과방전촉진 및 과전류방전을 방지하는 기능을 갖는 전원장치에 관한 것이다.
도1은 본 발명의 실시형태인 리튬이온전원장치의 블록도
도2는 리튬이온전원장치에 있어서의 지연회로의 한 구성예를 나타내는 회로
도
도3은 도2의 지연회로의 일부를 변형한 구성예를 나타내는 회로도
도4는 과방전검출시와 과전류검출시의 지연시간의 상이를 설명하기 위한 도
면
도5는 본 발명의 리튬이온전원장치에 있어서의 전원감시회로를 나타내는 도
면
도6은 본 발명의 리튬이온전원장치에 있어서의 전원감시회로의 다른 구성예
를 나타내는 도면
도7은 종래의 리튬이온전원장치의 블록도
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
101. 지연회로
104. 제1전원 감시회로
106. 제2전원 감시회로
C. 콘덴서
CC1. 제1정전류원
CC2. 제2정전류원
CC3. 제3정전류원
CC4. 제4정전류원
Q1. 제1트랜지스터
Q2. 제2트랜지스터
R1. 제1저항
R2. 제2저항
SW1. 제1스위치
SW2. 제2스위치
SW3. 제3스위치
SW4. 제4스위치
본 발명에서는 리튬이온전지로 된 리튬이온전원과 리튬이온전원의 과방전을 검출하는 과방전검출회로 및 과전류를 검출하는 과전류검출회로를 갖는 리튬이온전원장치에 있어서, 과방전검출회로 및 과전류검출회로의 외부잡음에 의한 오동작을 방지하기 위해 부가되는 지연회로로서의 지연시간이 가변되는 지연회로를 설치하고 있다.
다음에 본 발명의 실시형태를 도면을 참조해서 설명한다.
도1은 본 발명의 1실시형태인 리튬이온전원장치의 주요부 블록도로서 도7의 종래기술과 동일부분에는 동일부호를 부여해서 그들의 설명을 생략한다.
FET제어회로(3)는 지연회로(101)의 출력이 입력되지만 지연회로(101)의 출력이 없는(저레벨)경우에는 방전제어FET(2)를 ON으로 하고 지연회로(101)의 출력이 OFF신호(고레벨)인 경우에는 방전제어FET(2)를 OFF로 하도록 되어 있다.
(101)은 지연시간을 T1,T2(T1>T2)의 2종류로 전환가능한 지연회로로서 제1입력신호 S1으로서 OR회로(8)의 출력을 제2입력신호 S2로서 제2전원감시회로(6)의 출력을 각각 입력시킨다.
그리고 이 지연회로(101)는 제1입력신호 S1가 저레벨일 때에는 동작하지 않고 출력이 저레벨이 된다.
따라서 제1,제2전원감시회로 (4)와(6)에 의해 과방전도 과전류도 검출되지 않고 정상적인 상태일 때에는 방전제어FET(2)가 ON 이 되고 외부부하(11)가 구동된다.
한편 제1입력신호 S1이 고레벨이 되면 제2입력신호 S2의 상태에 따라 전환되는 지연시간이 경과한 후, 지연회로(101)의 출력은 고레벨로 전환된다.
또한 제2입력신호 S2가 고레벨인 즉 과전류가 검출되고 있지 않은 때에는 지연시간은 T1이 되고 제2입력신호 S2가 고레벨인 즉 과전류가 검출되고 있는 때에는 지연시간은 T2가 된다.
따라서, 과방전,과전류의 적어도 한쪽이 검출되면 지연시간 T1,T2의 어느것인가 한쪽이 경과 후에 방전제어FET(2)가 OFF가 되고 과방전촉진, 과전류방전이 방지됨과 동시에 과방전검출시의 지연시간의쪽이 과전류검출시의 지연시간보다도 길게 되어 있고 과방전,과전류를 정확히 검출할 수가 있다.
지연회로(101)의 구체적인 구성예를 도2에 나타낸다.
동도에 있어서 (21)은 제1입력단자, (22)는 제2입력단자,(CC1),(CC2),(CC3),(CC4)는 각각 전류 I1,I2,I3,I4(I3>I4)를 출력시키는 정전류원으로서 (Q1),(Q2)(Q6)는 PNP형트랜지스터 (Q3),(Q4),(Q5)는 NPN형 트랜지스터, (SW1),(SW2),(SW3)는 스위치회로, (KSW)는 전환스위치회로, (R1),(R2)는 저항, (C)는 콘덴서, (CV)는 정전압원이다.
트랜지스터(Q1),(Q2)는 차동쌍을 형성하고 있고, 그 이미터는 스위치회로(SW2)를 거쳐서 정전류원(CC2)에 접속된다.
트랜지스터(Q1)의 베이스는 스위치회로(SW1)를 거친 정전류원(CC1)과 콘덴서(C)와의 접속점 a에 접속되어 있다.
콘덴서(C)의 타단은 접지에 접속된다.
트랜지스터(Q2)의 베이스는 스위치회로(SW3)및 전환스위치회로(KSW)를 거쳐서 2개의 정전류원(CC3),(CC4)와 저항(R1)과의 접속점 b에 접속되어 있다.
저항(R1)의 타단은 접지에 접속되어 있다.
트랜지스터(Q1)의 콜렉터는 칼렌트밀러회로의 입력트랜지스터(Q3)의 콜렉터와 베이스에 접속되어 있다.
한편, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터는 칼렌트밀러회로의 출력트랜지스터(Q4)의 콜렉터에 접속되어 있다.
트랜지스터(Q3)(Q4)의 이미터는 접지에 접속되어 있다.
트랜지스터(Q1),(Q2)는 스위치(SW2)가 ON되어서 트랜지스터(Q1),(Q2)의 이미터가 정전류원(CC2)에 접속된때 동작가능하게 되고 그 동작은 차동증폭이다.
트랜지스터(Q5)의 베이스는 트랜지스터(Q2),(Q4)의 콜렉터끼리의 접속점 c에 접속되어 있다.
트랜지스터(Q5)의 콜렉터에는 저항(R2)을 거쳐서 정전압원(CV)가 접속되어 있다.
트랜지스터(Q5)의 이미터는 접지에 접속되어 있다. 트랜지스터(Q6)의 베이스는 저항(R2)과 트랜지스터(Q5)의 콜렉터와의 접속점 d에 접속되어 있고 이미터에는 정전압원(CV)가 접속되어 있다.
이 트랜지스터(Q6)의 콜렉터가 지연회로(101)의 출력단자가 된다.
이 콜렉터에 출력되는 전류는 전류/전압변환회로(도시생략)에 의해 전압으로 변환된후 FET제어회로(3)에 부여된다.
또한 전류/전압변환회로를 설치하지 않고 전류의 형으로 FET제어회로를 구동시켜도 된다.
트랜지스터(Q5),(Q6) 저항(R2)은 트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 접속된 출력회로를 구성하고 있다.
지연회로(101)의 입력인 제1입력신호 S1제2입력신호 S2는 각각 제1입력단자(21), 제2입력단자(22)로부터 입력된다.
그리고 스위치회로(SW1),(SW2),(SW3)에는 제1입력단자(21)로부터의 제1입력신호 S1이 부여되어 있고 제1입력신호 S1이 고레벨이 되면 스위치회로(SW1),(SW2),(SW3)는 ON이 되도록 되어 있다.
또 전환스위치(KSW)에는 제2입력단자(22)로부터의 제2입력신호 S2가 부여되어 있고 이 전환스위치(KSW)는 제2입력신호 S2가 저레벨인 때에는 정전류원(CC3)측으로 전환되고 제2입력이 고레벨인때에는 정전류원(CC4)측으로 전환되도록 되어 있다.
상기한 실시형태에서는 제2입력신호 S2는 제2전원감시회로(106)로부터의 과전류검출신호로 했으나 제2입력신호 S2를 제1전원감시회로(104)의 과방전검출신호로 할 수도 있다.
단, 후자의 경우 제2입력신호 S2가 저레벨인때 스위치(KWS)를 정전류원(CC4)으로 전환하고 제2입력신호 S2가 고레벨인 때, 스위치(KSW)를 정전류원(CC3)측으로 전환하도록 한다.
이상과 같은 구성에 의해 지연회로(101)는 과방전 혹은 과전류를 검출하고 있은 사이만 동작하고 트랜지스터(Q1)의 베이스전압이 트랜지스터(Q2)의 베이스전압을 초과한 시점에서 트랜지스터(Q6)의 콜렉터에 출력이 나타나는 것이 되지만 트랜지스터(Q2)의 베이스전압이 급격히 상승하는데 대해 트랜지스터(Q1)의 베이스전압은 콘덴서(C)의 작용에 의해 시간의 경과와함께 서서히 상승하므로 지연시간이 생기게 된다.
이 지연시간은 트랜지스터(Q2)의 베이스전압을 변경하므로서 변화시킬 수가 있다.
그리고, 트랜지스터(Q2)의 베이스전압은 저항(R1)의 저항치를 R1으로 하면 과방전을 검출한 때에는 I3×R1,과전류를 검출한 때에는 I4×R1이며 I3>I4이므로 과방전검출시의 쪽이 과전류검출시 보다도 높고 따라서 과방전검출시의 지연시간의쪽이 과전류검출시의 지연시간보다도 길게 된다(도4참조).
도4에서 to는 과방전 또는 과전류를 검출한 시점을 나타내고 있다.
또 T2는 과전류를 검출한 경우의 지연시간이며 T1은 과방전을 검출한 경우의 지연시간이다.
콘덴서(C)의 용량의 불균일이 있다고 해도 과방전검출시, 과전류검출시의 각각의 지연시간은 동일방향으로 불균일이 되므로 2가지의 지연시간의 관계가 역전되는 일은 없고 과방전 과전류를 정확히 검출할 수가 있다.
예를들면, 본실시형태에서는 리튬이온전지를 1개 (리튬이온전지의 1개의 전압 ≒3.6V)를 접속한 경우에 있어서 I4×R1을 2.3V,I3×R1을 3.5V로 하므로서 T1이 T2보다도 10ms정도 길게 되도록 하고 있다.
또한 본 발명은 상기한 실시예에 한정되는 것은 아니고 방전제어FET(2)와 출력단자(10)과의 사이에 충전제어용의 FET가 삽입되어 있는 것과 같은 리튬이온전원이라도 상관없다.
또 지연회로(101)에 대해서는 도2에 있어서 트랜지스터(Q2)의 베이스전압을 발생시키는 정전류원(CC3),(CC4)의 접속을 도3에 나타내는 바와 같이 해도 되고, 이 경우에는 전환스위치(KSW)를 제2입력신호가 고레벨인때에는 OFF, 저레벨인때에는 ON이 되도록 해두면 된다.
이상, 설명한 리튬이온전원장치에 의하면 지연회로를 1개로 할 수가 있으므로 비용을 절감시킬 수가 있음과 동시에 IC칩면적을 축소시킬 수가 있고 또한 지연회로 하나로 과방전검출시의 지연시간과 과전류검출시의 지연시간을 설정하므로서 지연회로의 지연시간이 불균일이 되어도 2가지의 지연시간의 관계가 역전되는 일은 없고 과방전, 과전류를 정확히 검출할 수가 있다.
다음에 도1에 있어서의 전원감시회로(104),(106)의 구체적인 구성을 도5를 참조해서 설명한다.
전원감시회로(104)는 과방전검출용이며 전원감시회로(106)는 과전류검출용이다.
이들 전원감시회로(104),(106)는 도2의 지연회로와 유사한 구성으로 실현할 수 있다.
따라서, 도5의 전원감시회로에 있어서, 도2와 동일한 부분에는 동일부호를 부여해서 설명을 생략한다.
여기서 도5의 회로를 과전류검출용의 전원감시회로(106)에 적용한 경우에 대해서 설명한다.
입력단자(21)에 입력되는 신호 SA는 도1의 전원장치(200)가 과전류상태 또는 과방전상태로부터 스탠드바이상태(stand-by state)(스탠드바이상태는 과전류 또는 과방전을 검출할 수 있는 상태)가 되면 생기는 것으로서 고레벨의 신호인 것으로 한다.
한편 입력단자(31)에는 FET(2)의 ON저항에 의해 생기는전압(신호 SB)이 입력된다.
입력단자(21)와 스위치(SW1)과의 사이에는 지연회로(D)가 설치되어 있다.
이 때문에 입력신호(SA)에 의해 스위치(SW2)와 (SW3)이 ON이 된 후에 지연되어서 스위치(SW1)이 ON이 된다.
만일, 지연회로(D)가 없으면 스위치(SW1),(SW2),(SW3)은 동시에 ON이 될 것이지만 회로소자의 특성불균일등에 의해 트랜지스터(Q1)의 베이스전압의 상승이 트랜지스터(Q2)의 베이스전압의 상승보다도 빨라지면 트랜지스터(Q6)로부터 출력이 나와서 과전류상태를 검출한 것과 같은 것이 되어버린다.
즉 입력단자(31)에 입력신호(SB)가 입력되어 있지 않은데도 불구하고 과전류검출출력이 나와버린다.
이것은 명백히 오동작이다.
그러나, 도시한 바와 같이, 지연회로(D)를 설치하므로서 트랜지스터(Q1)의 베이스전압의 상승이 트랜지스터(Q2)의 베이스전압의 상승보다도 지연되므로 스탠드바이상태복귀시의 오동작은 회피된다.
스위치(SW1)과 (SW3)를 삭제해서 정전류원(CC1),(CC3)를 트랜지스터(Q1),(Q2)의 베이스에 직결하고 입력신호(SA)에 의해 스위치(SW2)만을 제어하도록 하면 지연회로(D)는 설치하지 않아도 된다.
그러나 이와같이 하면 정전류원(CC1),(CC3)으로부터 수㎂정도의 전류 I1.I3가 항상 공급되게 된다.
소비전류를 많게 하고 과방전상태가 진행해서 전지팩의 특성을 열화시켜버리므로 바람직하지 않다.
스위치(SW2),(SW3)에이어서 스위치(SW1)가 ON이 된 스탠드바이 상태에 있어서 신호(SB)가 적은상태에서는 트랜지스터(Q6)의 콜렉터로부터 과전류검출신호는 출력되지 않지만 신호(SB)가 소정치이상이 되면 트랜지스터(Q6)가 ON되어서 과전류검출신호가 출력된다.
이 관전류검출신호는 상술한 지연회로(101)(도2)에 공급된다.
이상, 도5의 회로를 과전류검출용의 전원감시회로(106)에 적용한 경우에 대해서 설명했으나, 도5의 회로는 과방전검출용의 전원감시회로(104)에도 적용할 수가 있다.
도6은 도5의 회로에 대신하는 전원감시회로의 다른 구성예이며 (CC)는 전류 I를 출력시키는 전류원, (Q7)∼(Q10)은 베이스가 상호 접속되고 이미터가 직류전압원(CV)에 접속된 PNP형의 트랜지스터이다.
(C)는 지연용의 콘덴서이다.
기타, 도5와 동일부분에 대해서는 동일부호를 부여하고 있다.
도6에 있어서 트랜지스터(Q8),(Q9),(Q10)은 각각 트랜지스터(Q7)와 칼렌트밀러회로를 구성하고 있고 트랜지스터(Q7)가 입력측, 트랜지스터(Q8),(Q9),(Q10)이 출력측이 되어 있다.
그리고 트랜지스터(Q8)의 콜렉터에는 콘덴서(C)의 일단이 접속되어 있고 이 접속점에는 트랜지스터(Q1)의 베이스가 접속되어 있다.
콘덴서(C)의 타단은 접지에 접속되어 있다.
또 트랜지스터(Q10)의 콜렉터에는 저항(R1)이 접속되어 있고 이 접속점에는 트랜지스터(Q2)의 베이스가 접속되어 있다.
또 트랜지스터(Q1),(Q2)의 이미터는 트랜지스터(Q9)의 콜렉터에 접속되어 있다.
그리고 정전류원(CC)은 과전류 또는 과방전이 검출된 것을 표시하는 제어신호(B)에 의해 ON이 되고 칼렌트밀러회로의 입력측으로부터 전류 I를 빼내므로 콘덴서(C),저항 (R1)에 전류I가 동시에 흘러서 트랜지스터(Q1),(Q2)의 베이스전압이 상승하는 것이 되지만 트랜지스터(Q1)의 베이스전압은 콘덴서(C)의 용량을 C라 하면 경사 I/C로 상승하게 된다.
따라서 트랜지스터(Q1),(Q2)의 각각의 베이스전압의 상승의 관계는 콘덴서(C)의 용량을 적절히 선택해두면 미리 전류를 공급해두지 않아도 초기상태는 항상 확보되고 전원감시회로의 오동작을 일으키는 일은 없다.
또한 트랜지스터(Q1)의 베이스전압은 시간의 경과와 함께 상승을 계속하지만 트랜지스터(Q2)의 베이스전압을 초과하기까지의 시간이 그 전원감시회로의 지연시간이 된다.
또 도5,도6에 있어서 외부입력대신에 정전류원(CC1)의 전류치를 가변시키도록 해서 일정시간경과 후, 트랜지스터(Q1),(Q2)의 베이스전압의 관계가 반전하도록 해도 된다.
상기한 전원감시회로에 의하면 미리 전류를 공급하는 것이 아니고 베이스전압의 상승을 지연시키므로서 초기상태를 확정하고 있기때문에 오동작을 일으키지 않고 또한 과방전상태에서의 소비전류를 누설전류정도 (1㎂이하)로 저감시켜서 리튬이온전지팩의 특성이 열화되는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 지연회로를 하나로 할 수 있으므로 전원회로의 비용을 저하시킬 수 있음과 동시에 IC칩면적을 축소시킬 수가 있고 또한 지연회로 하나로 과방전검출시의 지연시간과 과전류검출시의 지연시간을 설정하므로서 지연회로의 지연시간이 불균일이 생겨도 2가지의 지연시간의 관계가 역전되는 일이 없이 과방전, 과전류를 정확히 검출할 수가 있으므로 충방전전지를 전원으로 하는 전원장치에 유용하며 특히 리튬이온전지로 된 리튬이온전원과 리튬이온전원의 과방전을 검출하는 과방전검출회로와 과전류를 검출하는 과전류검출회로를 갖는 리튬이온전원장치와 같이 과방전검출시와 과전류검출시에서 검출신호를 다른 시간 지연시킬 필요가 있는 전원장치에 적당하다.

Claims (6)

  1. 리튬이온전지로 된 리튬이온전원과 전원의 과방전을 검출하는 과방전검출회로와 과전류를 검출하는 과전류검출회로를 갖은 전원장치에 있어서, 과방전검출회로 및 과전류검출회로의 출력을 지연시키는 지연회로(101)를 설치하여 이 지연회로(101)의 지연시간을 과방전검출시와 과전류검출시에서 다르게 한 것을 특징으로 하는 전원장치
  2. 제1항에 있어서,
    과방전검출시의 지연시간이 과전류검출시의 지연시간보다도 긴것을 특징으로 하는 전원장치
  3. 제1항에 있어서,
    충방전전지로 된 전원과, 전원의 전압을 감시해서 그 전압이 소정전압이하가 되면 과방전검출신호를 출력시키는 제1의 전원감시회로(104)와 전원으로부터 출력되는 전류를 감시해서 전류가 소정전류이상이 되면 과전류검출신호를 출력시키는 제2의 전원감시회로(106)와 과방전검출신호와 과전류검출신호를 지연시킴과 동시에 지연시간이 과방전검출시의 쪽이 과전류검출시 보다도 길게 되는 지연시간가변형의 지연회로(101)와 전원의 방전을 정지시키는 정지수단과 지연회로(101)의 출력에 기초해서 정지수단을 제어하는 제어회로를 구비한 것을 특징으로 하는 전원장치
  4. 제3항에 있어서,
    지연회로(101)는 차동쌍을 이루는 PNP형의 제1,제2트랜지스터(Q1),(Q2)와 제2트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 접속된 출력회로와 제1트랜지스터(Q1)의 베이스와 접지간에 접속된 지연용콘덴서(C)와 제1트랜지스터(Q1)의 베이스에 제1스위치(SW1)를 거쳐서 접속된 제1정전류원(CC1)과, 제1,제2트랜지스터(Q1),(Q2)의 이미터에 제2스위치(SW2)를 거쳐서 접속된 제2정전류원(CC2)과, 제2트랜지스터(Q2)의 베이스에 일단이 접속된 제3스위치(SW3)와 제3,제4정전류원(CC3),(CC4)과, 제3,제4 정전류원(CC3),(CC4)의 어느것인가 하나의 출력을 제3스위치(SW3)의 타단에 인가시키는 제4스위치(SW4)와 과방전검출신호와 과전류검출신호의 어느것인가의 검출신호가 입력되면 제1,제2,제3스위치(SW1),(SW2),(SW3)가 ON이 되도록 그 검출신호를 제1,제2,제3스위치(SW1),(SW2),(SW3)에 도입하는 수단과, 과방전검출신호 또는 과전류검출신호에 의해 제4스위치(SW4)를 제어하도록 과방전검출신호 또는 과전류검출신호를 제4스위치(SW4)에 도입하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 전원장치
  5. 제3항에 있어서,
    제1 또는 제2의 전원감시회로(104),(106)는 차동쌍을 이루는 PNP형의 제1,제2트랜지스터(Q1),(Q2)와 제2트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 접속된 출력회로와 직렬접속된 제1정전류원(CC1)과 제1저항(R1)과 직렬접속된 제2정전류원(CC2)과 제2저항(R2)과 과방전 및 과전류검출의 스탠드바이신호를 입력시키면 소정시간경과 후에 제1정전류원(CC1)으로부터 제1저항(R1)으로 전류를 공급하는 수단과 스탠드바이신호가 입력되면 제2정전류원(CC2)으로부터 제2저항(R2)으로 전류를 공급시키는 수단으로 이루어져 있고 제1트랜지스터(Q1)의 베이스가 제1정전류원(CC1)과 제1저항(R1)의 접속점에 접속되고, 제2트랜지스터(Q2)의 베이스가 제2정전류원(CC2)과 제2저항(R2)과의 접속점에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전원장치.
  6. 제3항에 있어서,
    제1 또는 제2의 전원감시회로(104),(106)는 차동쌍을 형성하는 제1,제2트랜지스터(Q1),(Q2)와 직렬접속된 제1정전류원(CC1)과 콘덴서(C)와 직렬접속된 제2정전류원(CC2)과 저항과 과방전검출신호 또는 과전류검출신호를 입력시키면 제1정전류원(CC1)으로부터 콘덴서(C)로 제2정전류원(CC2)으로부터 저항으로 각각 전류를 공급시키는 수단과, 제2트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 접속된 출력수단으로 이루어져 있고, 제1트랜지스터(Q1)의 베이스가 제1정전류원(CC1)과 콘덴서(C)의 접속점에 접속되고, 제2트랜지스터(Q2)의 베이스가 제2정전류원(CC2)과 저항의 접속점에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전원장치.
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