KR19990062716A - 정전흡착장치 및 그 제조방법 - Google Patents

정전흡착장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19990062716A
KR19990062716A KR1019980052508A KR19980052508A KR19990062716A KR 19990062716 A KR19990062716 A KR 19990062716A KR 1019980052508 A KR1019980052508 A KR 1019980052508A KR 19980052508 A KR19980052508 A KR 19980052508A KR 19990062716 A KR19990062716 A KR 19990062716A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrostatic adsorption
thermal expansion
dielectric layer
insulating dielectric
Prior art date
Application number
KR1019980052508A
Other languages
English (en)
Inventor
히로시 모기
토시미 고바야시
Original Assignee
슈니찌 교야나기
신-에추케미칼코, 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 슈니찌 교야나기, 신-에추케미칼코, 엘티디 filed Critical 슈니찌 교야나기
Publication of KR19990062716A publication Critical patent/KR19990062716A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

절연성 유전체층, 도전체층 및 절연체층의 각 층 사이의 열팽창계수 차를 아주 적게 완화하여 재질을 일체화하고, 소결체 내부의 층사이 박리, 크랙(crack), 나뉨 등의 발생을 억제하고 정전흡착면의 삐뚤어짐, 휘어짐의 발생을 방지하여 정전흡착력을 높여 전압인가를 멈춘 때의 착탈능력의 열화가 없어, 내전압특성에도 뛰어난 정전흡착장치를 제공한다.
절연성 유전체층으로 피복된 절연체층상의 도전체층 전극에 전압을 인가하여, 그 절연성 유전체층에 시료를 정전흡착시키는 정전흡착장치에 있어서 상기 절연성 유전체층과 상기 유전체층 사이 및/또는 상기 유전체층과 상기 유전체층 사이에 열팽창완충층을 설하고, 미소성인 상태로 적층하여 성형체로 하고 상기 성형체를 소성한 소결체로된 것을 특징으로 하는 정전흡착장치 및 그 제조방법.

Description

정전흡착장치 및 그 제조방법
본 발명은, 정전척(chuck), 특히 도전성, 반도전성 또는 절연성의 대상물을 저온으로부터 고온까지 강한 정전기력에 의해 흡착보지하고, 용이하게 착탈하는 것이 가능한 반도체와 액정의 제조공정 등에 유용한 정전흡착장치에 관한 것이다.
반도체나 액정 제조공정, 특히 드라이에칭, 이온주입, 증착 등의 공정에 대해서는 근래 자동화, 드라이화가 추진되고 있고, 따라서 진공조건하에서 행해지는 제조공정도 증가하고 있다.
또한, 기판으로서의 실리콘 웨이퍼나 유리기판 등은 그 대구경화가 진행되고, 회로의 고집적화, 미세화에 따라 패터닝시의 위치를 맞추는 정도(精度)도 점점 엄해져 가고 있다. 이 때문에, 종래로부터 기판의 반송과 흡착고정에는 진공척이 사용되고 있으나, 이 진공척은 진공조건하에서는 압력차가 없기 때문에 사용할 수 없고, 또한, 저진공하에서는 기판을 흡착하는 것은 가능하지만, 흡착부분이 국부적으로 흡인되기 때문에, 흡인된 기판에는 부분적인 삐둘어짐이 생기고, 고정도의 위치맞춤이 불가능하다는 결점이 있기 때문에 최근의 반도체나 액정의 제조공정에는 부적당한 것으로되어 있다.
이와같은 결점을 개선한 것으로서, 정전기력을 이용하여 기판을 반송하거나이것을 흡착고정하는 정전흡착장치가 주목되어 사용되기 시작하고, 최근의 반도체, 액정의 제조공정에서는 디바이스의 미세화에 따라 기판인 웨이퍼나 유리판의 평탄도가 점점 중시되고, 그 교정에 정전흡착장치를 이용하는 것도 검토되고 있다. 또한, 고온부식성 가스 분위기 공정도 많기 때문에 세라믹제의 정전흡착장치가 출현하고있다.
종래의 세라믹제 정전흡착장치는, 세라믹으로 된 소결체 기판(절연체층)상에 도전체층을 인쇄 등으로 형성하고, 그 위에 용사법 등으로 절연성 유전체층을 형성하는 방법과, 도전체층상에 접착제를 사용하여 절연성 유전체층(99% 알루미나 소결체)을 점착하는 방법이 제안되고 있다.
또한, 최근에는 내구성을 향상시키기 위해서, 테이프성형, 또는 프레스성형 등에 의해 형성된 절연성 유전체층용 그린시트와 절연체층용 그린시트와의 사이에 도전체층을 넣고, 미소결상태로 이들 셋을 적층하여 일체화하고, 이것을 소성한 소결체로 된 정전흡착장치가 제안되어 있다(특허 제 2129621호 공보 참조).
그러나, 상기한 바와같이, 미소성상태의 절연성 유전체층용 그린시트와 절연체층용 그린시트와의 사이에 도전체층을 넣어 이들 셋을 적층하여 일체화하고 이것을 소성한 소결체로 된 정전흡착장치에 있어서는 각 층의 열팽창계수의 차에서 기인한다고 생각되는 삐뚤어짐, 휘어짐이 정전흡착면에 발생하고, 또한 소결체 내부에는 층간박리, 크랙, 나뉨 등이 발생하여 충분한 정전흡착력이 얻어지지 않아 내구력이 낮다는 문제점이 있다.
본 발명은, 이와같은 문제점을 감안하여 된 것으로, 절연성 유전체층, 도전체층 및 절연체층의 각 층 사이의 열팽창계수 차를 아주 작게 완화하도록 하여 재질을 일체화하고, 소결체 내부의 층 사이 박리, 크랙, 나뉨 등의 발생을 억제하고, 정전흡착면의 삐뚤어짐, 휘어짐의 발생을 방지하여 정전흡착력을 높여 전압인가를 멈춘 때의 착탈능력의 열화가 없어 내압력 특성에도 뛰어난 정전흡착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 정전흡착장치의 일예를 나타내는 종단면도이다.
※도면의 주요부위에 대한 부호의 설명※
1… 정전흡착장치
2… 정전흡착부
3… 도전체층(전극)
4… 절연성 유전체층
5… 절연체층
6… 열팽창완충층
7… 접착제층
8… 플레이트부
9… 리드선
이와같은 문제를 해결하기 위해 본 발명의 제1항에 기재된 발명은, 절연성 유전체층으로 피복된 절연체층상의 도전체층 전극에 전압을 인가하여 상기 절연성 유전체층에 시료를 정전흡착시키는 정전흡착장치에 있어서 상기 절연성 유전체층과 상기 도전체층 사이 및/또는 상기 도전체층과 상기 절연체층의 사이에 열팽창완화층을 설하고, 미소성인 상태로 적층, 프레스하여 성형체로 하여 그 성형체를 소성한 소성체로 된 것을 특징으로 하는 정전흡착장치이다.
이와같이, 절연성 유전체층과 도전체층 사이 및/또는 도전체층과 절연체층의 사이에 열팽창완화층을 설하고, 미소성인 상태로 적층, 프레스하여 성형체로 하고, 그 성형체를 소성한 소결체로 하면, 각 층 고유의 열팽창계수 차는 열팽창완충층을 중심으로 하여 적게되고, 단체에 가까운 열팽창수축거동을 나타내게 되고, 정전흡착면인 절연성 유전체층 표면에는 삐뚤어짐, 휘어짐이 거의 없어, 소결체 내부에도 층간 박리, 크랙, 벗겨짐 등의 흠결은 아주 적게된다. 따라서, 정전흡착력이 강하고 균일하게 되고, 착탈응답특성이 빠르고, 특히 이탈이 용이하고 내전압특성이 높은 정전흡착부를 형성할 수 있다.
그리고 이 경우, 제 2항에 기재된 바와같이, 상기 열팽창 완충층의 열팽창계수가 상기 절연성 유전체층 및 절연체층의 열팽창계수와, 상기 도전체층의 열팽창계수와의 사이에 있고, 주성분이 적어도 질화알루미늄, 산화알루미늄, 질화규소, 산화규소, 산화지르코늄, 산화티타늄, 사이아론, 질화붕소, 탄화규소로부터 선택되는 1종의 세라믹 또는 2종이상의 혼합물로 하는 것이 가능하다.
열팽창완충층의 세라믹으로서 이와같은 재질을 선택하면, 상기 열팽창완충층의 열팽창계수가 절연성 유전체층 및 절연체층의 열팽창계수와, 도전체층의 열팽창계수와의 사이의 값으로 되도록 제조하는 것은 아주 용이하고, 더구나 이 사이의 값을 갖는 열팽창 완충층을 절연성 유전체층과 도전체층의 사이 및/또는 도전체층과 절연체층의 사이에 설하고, 미소성인 상태로 적층하여 성형체로 하고, 그 성형체를 소성한 소결체로 하면 각 층 사이에 존재하는 열팽창계수 차를 가능한 작게하는 것이 가능하기 때문에, 소결후 정전흡착부의 흡착면에 삐뚤어짐과 휘어짐이 발생하거나 소결체 내부에 층간 박리, 벗겨짐, 크랙 등을 발생하는 일은 거의 없게되어 높은 정전흡착력이 얻어짐과 동시에 내전압특성이 개선되어 나아가서는, 흡착고정되어 있는 반도체 웨이퍼나 유리판 등의 기판에 삐뚤어짐, 벗겨짐, 크랙 등의 흠결 발생이 대폭 감소할 수 있다.
또한, 제 3항에서는, 상기 절연성 유전체층 및 절연체층의 주성분이 적어도 질화알루미늄, 탄화알루미늄, 질화규소, 산화규소, 산화지르코늄, 산화티타늄, 사이아론, 질화붕소, 탄화규소로부터 선택되는 1종의 세라믹 또는 2종 이상의 혼합물인 것이 바람직하다.
이와같이 절연성 유전체층 및 절연체층의 재질은 동일하여도 달라도 상관없으나 열팽창계수가 가능한 근사한 것, 소결하기쉬운 것 또는 절연성 유전체층은 정전흡착면으로 되기 때문에 특히, 유전율이 높은 재질을 선택하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 4항에 기재된 발명은, 절연성 유전체층으로 피복된 절연체층상의 도전체층 전극에 전압을 인가하여 그 절연성 유전체층에 시료를 정전흡착시키는 정전흡착장치의 제조방법에 있어서, 상기 절연성 유전체층과 상기 도전체층의 사이 및/또는 상기 도전체층과 상기 절연체층의 사이에 열팽창완충층을 설하고, 각 층의 그린시트를 적층한 후, 프레스하여 성형체로 하고, 그 성형체를 소성하여 소결체로 하는 것을 특징으로 하는 정전흡착장치의 제조방법이다.
이와같이 먼저 각 층별로 세라믹 그린시트를 만들고, 이것을 적층하여 압축성형하고, 미소결상태로 일체화하여 소결하고, 정전흡착장치의 소결체를 제조하면 소결후 정전흡착부의 흡착면에 삐뚤어짐과 휘어짐이 생기거나 소결체 내부에 층 사이 박리, 벗겨짐, 크랙 등이 발생하는 일은 거의 없으며, 따라서 강력하게 면내 균일한 정전흡착력을 갖는 정전흡착장치를 제작하는 것이 가능하다.
그리고, 제 5항에 기재된 발명은, 절연성 유전체층으로 피복된 절연체층상의 도전체층 전극에 전압을 인가하여 그 절연성 유전체층에 시료를 정전흡착시키는 정전흡착장치의 제조방법에 있어서, 적층된 도전체층과 열팽창완충층용 그린시트를, 절연성 유전체층용 그린시트로 씌우고, 밑에 절연체층용 그린시트를 적층한 후 프레스하여 성형체로 하고, 그 성형체를 소성하여 소결체로 하는 것을 특징으로 하는 정전흡착장치의 제조방법이다.
이와같이 하면, 소결체 가장자리도 절연성 유전체층으로 덮이게 되고, 도전체층으로부터 불순물이 발생하는 일도 없이, 정전흡착특성과 내전압특성도 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태를 상세히 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정된 것은 아니다.
본 발명자들은, 정전흡착장치에 있어서, 절연성 유전체층, 도전체층 전극 및 절연체층을 일체화한 정전흡착부의 흡착면에 발생하는 삐뚤어짐, 휘어짐, 벗겨짐, 크랙 등 또는 정전흡착부 내의 층간 박리와 크랙을 방지하기에는 각 층 사이의 열팽창계수 차를 흡수시키는 수단이 필요하다고 생각해, 절연성 유전체층과 도전체층과의 사이 및/또는 도전체층과 절연체층의 사이에 열팽창 완충층을 설한 소결체로 하면, 소결체 내부에 층 사이 박리, 크랙, 벗겨짐 등의 흠결이 없고, 소결체 표면에 삐뚤어짐, 휘어짐이 없는 평평한 흡착면이 얻어지고, 정전흡착력은 강하고 착탈이 충분히 기능함과 동시에, 내전압도 저하하지 않는 장수명으로 고성능의 정전흡착장치를 제작할 수 있는 것을 알아내어, 모든 조건을 정리하여 본 발명은 완성시키는 것이다.
본 발명의 정전흡착장치의 일예로서 도 1에 그 종단면을 나타내었다.
이 정전흡착장치 1은, 쌍극형전극 3과 열팽창 완충층 6을 절연성 유전체층 4와 절연체층 5로 피복한 판상 구조를 갖춘 정전흡착부 2를, 플레이트부 8의 상면에 접착제층 7을 통해 접합한 것으로, 외부전원으로부터 리드선 9를 통해 전극 3에 전압을 인가하면 정전흡착부 2의 상면에 덮인 시료, 예를들면 반도체 웨이퍼와의 사이에 정전력이 발생하여, 웨이퍼를 강력하게 흡착보지 또는 평탄도를 교정보지하는 것이 가능하다는 것이다.
본 발명의 정전흡착부 2는, 절연성 유전체층 4와 도전체층 3의 사이 및/또는 반도체층 3과 절연체층 5의 사이에 열팽창 완충층 6을 설하고, 미소성인 상태로 적층한 후 프레스하여 성형체로 하고 그 성형체를 소성한 소성체로부터 얻을 수 있다. 도1의 정전흡착부 2는 도전체층 3과 절연체층 5의 사이에 열팽창 완충층 6을 설한 경우의 일예를 나타내고 있다.
이와같이 절연성 유전체층 4와 도전체층 3의 사이 및/또는 도전체층 3과 절연체층 5 사이에 열팽창 완충층 6을 설하고, 미소성인 상태로 적층하여 성형체로 하고, 그 성형체를 소성한 소결체(정전흡착부 2)로 하면, 각 층 고유의 열팽창계수 차는 열팽창 완화층 6을 중심으로 하여 적어지고, 단체에 가까운 열팽창 수축거동을 나타내게 되고, 정전흡착면인 절연성 유전체층 4의 표면에는 삐뚤어짐, 휘어짐이 거의 없고, 소결체 내부에도 층간 박리, 크랙, 벗겨짐 등의 흠결은 아주 적게 되어 정전흡착력이 강해 균일하게 되고 착탈응답특성이 빠르고 특히, 착탈이 용이해 내전압특성이 높은 정전흡착부 2를 형성할 수 있다.
본 발명의 정전흡착부 2를 구성하는 절연성 유전체층 4 및 절연체층 5의 주성분은 적어도 질화알루미늄, 산화알루미늄, 질화규소, 산화규소, 산화지르코늄, 산화티타늄, 사이아론, 질화붕소, 탄화규소로부터 선택되는 1종의 세라믹 또는 2종 이상의 혼합물로 하는 것이 바람직하다.
이와같이, 절연성 유전체층 4 및 절연체층 5의 재질은 동일하여도 달라도 관계없지만, 열팽창계수가 가능한 근사한 것, 소결하기 쉬운 것, 또한 절연성 유전체층 4는 정전흡착면으로 되기 때문에 특히, 유전율이 높은 재질이고, 흡착하는 반도체 웨이퍼 등의 시료에 대해 불순물로 되지 않는 것을 선택하는 것이 바람직하다.
본 발명의 정전흡착부 2를 구성하는 도전체층전극 3의 재질로서는 알루미늄, 철, 동, 은, 금, 티탄, 텅스텐, 몰리브덴, 백금 등의 금속, 그라파이트, 카본, 탄화규소, 질화티탄, 탄화티탄 등의 도전성 세라믹으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 합금 혹은 이들의 혼합 소결체 등을 사용하는 것이 가능하지만, 이들 전극재료의 열팽창계수가 절연성 유전체층 4 또는 절연체층 5의 열팽창계수에 가능한 근사한 것이 바람직하다.
본 발명의 최대 특징인 열팽창 완충층 6에 대해서는, 그 열팽창계수를 절연성 유전체층 4 및 절연체층 5의 열팽창계수와, 도전체층 전극 3의 열팽창계수와의 사이로 되는 값으로 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 재질은, 주성분이 적어도 질화알루미늄, 산화알루미늄, 질화규소, 산화규소, 산화지르코늄, 산화티타늄, 사이아론, 질화붕소, 탄화규소로부터 선택되는 1종의 세라믹 또는 2종 이상의 혼합물로 하는 것이 바람직하다.
열팽창 완충층의 세라믹으로서 이와같은 재질을 선택하면, 상기 열팽창 완충층의 열팽창계수를 절연성 유전체층 및 절연체층의 열팽창계수와 도전체층의 열팽창계수와의 사이의 값으로 설정하여 이것을 제조하는 것은 아주 용이하고, 더구나 이 사이의 값을 갖는 열팽창 완충층을 절연성 유전층과 도전체층 사이 및/또는 도전체층과 절연체층의 사이에 설하고, 미소성인 상태로 적층, 프레스 하여 성형체로 하고, 그 성형체를 소성한 소결체로 하면 각 층 사이에 존재하는 열팽창계수 차를 가능한 적게하는 것이 가능하기 때문에, 소결후 정전흡착부의 흡착면에 삐뚤어짐과 휘어짐이 생기거나 소결체 내부에 층간 박리, 나뉨, 크랙 등이 발생하는 일은 거의 없게되고, 높은 정전흡착력이 얻어짐과 동시에 내전압특성이 개선되고, 나아가서는 흡착고정하고 있는 반도체 웨이퍼나 유리판 등의 기판에 삐뚤어짐, 나뉨, 크랙 등의 흠결의 발생을 대폭 감소시킬 수 있다.
이와같은 열팽창 완충층의 열팽창계수의 조정은, 예를들면 표1의 본발명 A에 나타난 바와같이, 절연성 유전체층 및 절연체층으로서 알루미나(열팽창계수: 7.8×10-6/℃)를 선택하고, 도전체층 전극으로서 텅스텐(열팽창계수: 8.6×10-6/℃)을 선택한 경우, 그 사이의 열팽창계수를 얻는 것으로는 알루미나에 알루미나보다도 열팽창계수가 큰 산화마그네슘 또는 산화규소 또는 이들의 혼합물을 수% 첨가하여 조정하는 것이 가능하고, 열팽창 완충층의 열팽창 계수로서 8.2×10-6/℃를 얻었다. 이들의 각 층을 그린시트의 상태로 적층, 프레스하여 성형하고, 소결하여 얻은 정전흡착부의 휘어짐은 10㎛로 매우 적고, 크랙의 발생은 없고, 정전흡착장치로서 충분히 기능하는 것이다.
표1의 비교예 A는, 열팽창 완충층이 없는 경우로, 소결체의 휘어짐은 크고 소결체 내부의 전극패턴 주변에 크랙이 발생하고 정전흡착장치로서는 사용할 수 없는 것이다.
항목예 열팽창계수(/℃) 정전흡착부소결체의휘어짐1)(㎛) 정전흡착부소결체의크랙발생
유전체층 도전체층 열팽창완충층
본발명 A 7.8 × 10-6 8.6 × 10-6 8.2 × 10-6 10 없음
비교예 A 7.8 × 10-6 8.6 × 10-6 층 없음 650 전극패턴단부에 발생
〔주〕1) 정전흡착부 소결체의 직경 200㎜ 면 안에서의 휘어짐 량
또한, 열팽창 완충층의 열팽창계수가 다른 수종류의 세라믹 그린시트를 제작하고, 상기와 마찬가지로 처리하여 정전흡착부를 제조한 바, 표 2에 도시된 바와같은 결과가 얻어졌다.
항목예 열팽창계수(/℃) 정전흡착부소결체의휘어짐1)(㎛) 정전흡착부소결체의 ①크랙, ②적층계면의 벗겨짐 발생
유전체층 도전체층 열팽창완충층
본발명B 7.8×10-6 8.6×10-6 8.2×10-6 8 없음
본발명C 7.8×10-6 8.6×10-6 8.0×10-6 15 없음
본발명D 7.8×10-6 8.6×10-6 7.9×10-6 18 없음
비교예B 7.8×10-6 8.6×10-6 7.0×10-6 650 ②있음
비교예C 7.8×10-6 8.6×10-6 9.5×10-6 450 전극패턴단부에 ①발생
비교예D 7.8×10-6 8.6×10-6 7.4×10-6 210 ②있음
〔주〕1) 정전흡착부소결체의 직경 200mm면 안에서의 휘어짐 량.
표 2의 결과로부터, 열팽창 완충층의 열팽창계수는 절연성 유전체층 및 절연체층의 열팽창계수 이상에서 도전체층의 열팽창계수 이하의 범위내가 좋고, 또한 바람직하게는, 정전흡착부의 절연성 유전체층 및 절연체층과, 도전체층과의 거의 중간 값이 바람직하고, 이 범위내에 있으면, 소결체 내부의 적층계면에 벗겨짐이 생기거나, 전극패턴주변부에 크랙이 발생하거나 또는, 소결체 자체에 휘어짐과 크랙 등이 발생하는 일이 거의 없게되고, 정전흡착력은 면내 균일하게 향상하고, 내전압특성도 개선되고, 내구성에도 뛰어난 정전흡착부를 형성할 수 있다(표2의 본발명 B, C, D). 역으로 이 범위외에서는, 충분히 열팽창계수 차를 완화할 수 없고, 정전흡착부 자체에 큰 휘어짐과 응력에 의한 크랙의 발생, 소결체 내부에 층간 박리와 크랙 발생 등의 흠결이 생기게 된다(표2의 비교예 B, C, D).
한편, 정전력은, 일반적으로 다음 식,
〔수학식1〕
F = A·ε·(V/t)2
〔여기서 F: 정전력(C), ε: 유전율(F/m), V: 인가전압(v), t: 두께(㎛), A: 정수〕
로 나타낸다. 따라서, 정전력을 높이기 위해서는 절연성 유전체층, 절연체층, 열팽창 완충층에는, 부성분으로서 고유전체의 세라믹분말, 예를들면, 티탄산바륨, 티탄산납, 티탄산지르코늄, PLZT(지르콘산티탄산납란탄), 실리카, 마그네시아 등을 피흡착물인 반도체 디바이스에 손상을 발생시키지 않는 정도이면 첨가하여도 상관없다.
본 발명의 정전흡착부 2를 제조하는 방법의 일예로서는, 먼저, 세라믹 분말에 바인더, 용제를 혼련하여 절연성 유전체층4용 및 절연체층5용 그린시트를 만들고, 이 절연성 유전체층4용 그린시트의 일면에 금속분말 페이스트를 이용하여 스크린인쇄로 도전체층 전극 3을 인쇄한다. 다음에, 별도 조성의 열팽창 완화층6용의 그린시트를 중합시키고, 또한 절연체층5용 그린시트를 중합시켜 고압 프레스로 가압하여 일체화하고, 고온으로 소결하여 소결체로 하고, 최후에 이 소결체의 양면을 정밀하게 연마하여 판상의 정전흡착부 2를 얻는 것이 가능하다.
다른 예로서는, 우선 세라믹 분말에 바인더, 용제를 혼련하여 절연성 유전체층4용 및 절연체층5용 그린시트를 만들고, 이 절연성 유전체층4용 그린시트는 정전흡착부 2 두께를 고려하여 약간 크게 만들어 놓는다. 그리고, 그 일면에 금속분말 페이스트를 이용하여 스크린인쇄로 도전체층 전극 3을 인쇄한다. 다음에, 별도 조성의 열팽창 완충층6용 그린시크를 중합시켜 이 적층판 가장자리(주변)을 절연성 유전체층용 그린시트로 피복하고, 밑에 절연체층5용 그린시트를 중합시킨 후, 고압 프레스로 가압하여 일체화하고 고온으로 소결하여 소결체로 하고, 최후에 이 소결체의 양면을 정밀하게 연마하여 판상의 정전흡착부 2를 얻는 것이 가능하다.
또한 다른 예로서는, 전극3으로서 금속판 또는 도전성 세라믹 시트를 응용하고, 이 편면에 열팽창 완충층6용 세라믹을 바라는 두께까지 용사하고, 또한 이 양면에 절연성 유전체4용 세라믹을 원하는 두께까지 용사하여 판상으로 성형한 후, 이 양면을 높은 정도로 연마하여 정전흡착부 2를 만드는 것이 가능하다(이 경우, 절연성 유전체층은 절연체층을 겸하고 있다).
도전체층 전극 3을 형성하는 것으로는, 스크린 인쇄법, 용사법, 포토리노그래피 혹은 도금법 등이 사용된다. 그리고, 이 정전흡착용 전장을 형성하는 것은, 피흡착물을 한쪽의 전극으로 하고, 또 다른 쪽의 전극을 정전흡착부 2 내에 둔 단극형인 것으로 하던가, 또는 정전흡착부 2 내에 두 개의 전극을 배치한 쌍극형으로 하는 것이 가능하다.
정전흡착부 2에 정전력을 발생시키기 위해서는, 내부전극 3에 전압을 인가할 필요가 있기 때문에, 전극을 피복하는 세라믹의 일부에 내부전극 3으로 통하는 구멍(전극합전부)을 설하고, 외부전원으로부터 전극 3에 리드선 9를 배선하고 있다. 전극의 재질이, 동, 백금, 니켈도금이나 금도금을 실시한 텅스텐 등과 같이 납땜이 가능한 경우에는, 정전척 사용온도 이상의 융점을 갖는 땜납에 의해 전극에 리드선을 납땜하고 있다. 또한, 이 전극이 그라파이트, 텅스텐, 질화티탄 등과 같이 납땜이 불가능한 재질인 경우에는, 세라믹의 열팽창율에 합치한 합금으로 나사부착핀을 공(孔)부에 통해 전극에 은땜납하는 구조로 되어 있다.
그래서, 플레이트부 8은, 상기 정전흡착부 2가 얇은 판상으로 파손하기 쉽기 때문에, 정전흡착부 2의 기판으로 되는 절연체층 5에 대하여 필요에 따라 점착시키는 보강재의 역할을 하고 있다. 또한, 일반적으로는 열전도가 양호해 방열하기 쉬운 것, 또한 열팽창계수가 적어 정전흡착부에 삐뚤어짐, 휘어짐 등을 주지 않는 것이 좋고, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화규소, 산화규소, 산화지르코늄, 산화티탄, 사이아론, 질화붕소 및 탄화규소 등으로부터 선택되는 1종의 세라믹 또는 2종 이상의 혼합소결체가 바람직하다. 또한 이들 세라믹판과 Al, Cu, Ti 등의 금속판 또는 스텐레스 등의 합금판을 일체화한 적층판도 사용하는 것이 가능하다.
상기 정전흡착부 2와 프레이트부 8과의 접합에는, 통상 내열성이 높은 열경화성 합성수지 접착제가 사용된다. 특히, 상온에 있어서는 액상인 것을 사용하면, 정전흡착부와 플레이트부의 접합이 균일하게 용이하게 행할 수 있고, 모든 형태인 것에 적용할 수 있다. 이 액상접착제의 도포에는 스핀코트, 바코트, 스프레이코트 등의 도제방법이 사용된다.
이하, 본 발명의 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
알루미나(Al2O3)분말 92중량%, 산화마그네슘분말 2.0중량% 및 산화규소분말 6.0중량%로 된 세라믹 혼합물 100중량부에, 부티탈수지 8중량부, 에탄올 60중량부 및 프탈산디옥틸 12 중량부를 첨가한 후, 볼밀 중에서 50시간 혼련하여 슬러리(slurry)를 제작했다.
다음에, 이 슬러리를 진공탈포기로 처리하여 그 용제의 일부를 증발시켜 점도 30,000cps로 하고, 닥터블레이드를 이용하여 두께 0.7㎜의 그린시트를 만들고, 이것으로부터 직경이 250㎜인 원판을 2매 잘라내고, 그 중의 1매를 절연성 유전체층용으로서 그 편면에 텅스텐 페이스트를 사용하여 스크린인쇄에 의해 쌍극형 전극을 2.5㎜의 간격으로 동심원상에 인쇄했다(텅스텐 소결체로 된 도전체층의 열팽창계수는 8.6×10-6/℃). 또한, 또 1매는 절연체층용으로서 그린시트원판의 중심부에 직경 2㎜의 구멍을 형성하여 전극과 리드선의 접속용 관통구멍(전극급전부)으로 했다. 이것과는 별도로 상기와 같은 수법으로 그린시트원판을 제작하고, 이것을 100℃로 가열한 프레스로 80㎏/㎠의 압력을 걸어 압축하고, 그후 수소 25용량%, 질소 75용량%의 분위기가스 중에서 1,650℃의 온도로 소결하고, 소결체의 열팽창계수를 측정한 바 7.8×10-6/℃였다.
또한 열팽창 완충층용으로서, 알루미나분말 98중량%, 산화마그네슘분말 0.5중량% 및 산화규소분말 1.5중량%로 된 세라믹 혼합물 100중량부에, 부티달수지 8중량부, 에탄올 60중량부 및 프탈산디옥틸 12중량부를 첨가한 후, 볼밀 중에서 50시간 혼련하여 슬러리(slurry)를 제작했다. 다음에, 이 슬러리를 진공탈포기로 처리하여 그 용제의 일부를 증발시켜 점도 30,000cps로 하고, 닥터블레이드를 이용하여 두께 0.4㎜의 그린시트를 만들고, 이것으로부터 직경이 250㎜인 원판을 잘라내고 그 중심부에 직경 2㎜인 구멍을 형성하여 전극급전부로 했다. 이것과는 별도로, 상기와 같은 수법으로 그린시트원판을 제작하고, 이것을 100℃에 가열한 프레스로 80kg/㎠의 압력을 걸어 압축하고 그후, 수소 25중량%, 실소 75중량5인 분위기 가스중에 1,650℃의 온도로 소결하고, 소결체의 열팽창계수를 측정한 바, 8.4×10-6이었다.
그리고, 상기 전극을 인쇄한 절연성 유전체층용 그린시트의 인쇄면상에 열팽창 완충층용의 그린시트를 중합시키고, 또한 그 위에 전극합전부를 설한 절연체층용 그린시트를 중합시켜 100℃로 가열한 프레스로 80kg/㎠의 압력을 걸어 일체화하고, 그후, 수소 25용량%, 실소 75용량%인 분위기 가스중에서 1,650℃의 온도로 소결했다.
얻어진 소결체의 휘어짐 량을 3차원 측정기에 의해 직경 200mm인 면 내를 측정한 바, 8㎛였다. 다음에 이 소결체의 양면을 연마하고, 두께 1.2mm인 정전흡착부를 제작했다. 그리고, 정전급전부로부터 보이는 텅스텐 전극에 니켈도금 및 금도금을 실시하고, 이것에 리드선 2개, 융점 350℃인 땜납으로 납땜하여 정전흡착장치를 제작했다.
다음에, 이 정전흡착장치에 직경 8인치의 실리콘 웨이퍼를 배치하고, 웨이퍼의 온도가 0℃로 되도록 냉각하면서, 리드선 사이에 DC±1㎸의 전압을 인가하여 정전력 테스터로 그 정전력을 측정한 바, 1kg/㎠인 크기로 웨이퍼의 평탄도 교정에 충분한 것이었다. 또한, 인가압력을 절단한 경우, 재빠르게 추종하여 웨이퍼를 이탈시킬 수 있었다.
(실시예 2)
실시예 1에 있어서 열팽창 완충층용 세라믹 조성을 알루미나분말 95중량%, 산화마그네슘분말 2.0중량% 및 산화규소분말 3.0중량%로 된 세라믹혼합물 100중량부로 한 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여 소결체를 얻었다. 이 열팽창 완충층용 소결체의 열팽창계수를 측정한 바, 8.0×10-6이였다. 다음에, 이 열팽창 완충층용 그린시트를 사용하여 소성한 정전흡착부 소결체의 직경 200mm 면 내의 휘어짐 량은 15㎛였다. 이어서 이 소결체의 양면을 연마하고 두께 1.2mm인 정전흡착부를 제작하고, 이것에 리드선을 2개, 땜납하여 정전흡착장치를 제작했다.
다음에, 이 정전흡착장치에 직경 8인치 실리콘 웨이퍼를 배치하고, 웨이퍼의 온도가 0℃로 되도록 냉각하면서, 리드선 사이에 DC±1㎸인 전압을 인가하여 정전력 테스터로 그 정전력을 측정한 바, 1㎏/㎠인 크기로, 웨이퍼의 평탄도 교정에 충분한 것이다. 또한 인가전압을 절단한 바, 재빠르게 추종하여 웨이퍼를 이탈시키는 것이 가능하였다.
(비교예 1)
알루미나분말 92중량%, 산화마그네슘분말 2.0중량 및 산화규소분말 6.0중량%로 되는 세라믹 혼합물 100중량부에 부티랄수지 8중량부, 에탄올 60중량부 및 프탈산디옥틸 12중량부를 첨가한 후, 볼밀 중에서 50시간 혼련하여 슬러리를 제작했다.
다음에, 이 슬러리를 진공포탈기로 처리하여, 그 용제의 일부를 증발시켜 점도 30,000cps로 하고, 닥터블레이드를 사용하여 두께 0.7mm의 절연성 유전체층 및 절연체층용 그린시트를 만들고, 이것으로부터 직경이 250mm인 원판을 2매 끊어내고, 이 원판 1매의 편면에 텅스텐 페이스트를 사용하여 스크린인쇄에 의해 쌍극형 전극을 2.5mm의 간격으로 동심원상에 인쇄했다. 또한, 또 1매의 절연체층용 그린시트원판의 중심부에 직경 2mm의 구멍을 형성하여 전극급전부로 했다. 별도로 이 그린시트를 소성하고, 소결체의 열팽창계수를 측정한 바, 7.8×10-6/℃이였다.
다음에, 상기 전극을 인쇄한 그린시트의 인쇄면상에 절연체층용의 그린시트를 중합시켜 이것을 100℃로 가열한 프레스로 80㎏/㎤의 압력을 걸어 일체화하고, 그후 수소 25용량%, 실소 75용량%의 분위기 가스중에 1,650℃의 온도로 소결하고, 소결체의 직경 200mm 면 내의 휘어짐 량을 측정한 바, 650㎛이였다.
다음에 이 소결체의 양면을 연마하고, 두께 1.2㎜의 정전흡착부를 제작했다. 그리고, 전극급전부로부터 보이는 텅스텐 전극에 니켈도금 및 금도금을 실시하고, 이것에 리드선을 2개, 융점 350℃의 땜납으로 땜납하여 정전흡착장치를 제작했다.
다음에, 이 정전흡착장치에 직경 8인치의 실리콘 웨이퍼를 배치하고, 웨이퍼의 온도가 0℃로 되도록 냉각하면서, 리드선 사이에 DC±1㎸의 전압을 인가하여 정전력 테스터로 그 정전력을 측정한 바, 적층된 층 사이에 박리가 생기고, 유전체층의 두께에 어긋남이 있고, 특히 이 두께가 얇은 곳에서 유전체층 자체의 절연파손이 생겨 충분한 정전흡착력을 얻을 수 없다.
(비교예 2)
실시예 1에 있어서 열팽창 완충층용 세라믹의 조성을, 알루미나분말 90중량%, 산화마그네슘분말 5.0중량% 및 산화규소분말 5.0중량%로 된 세라믹 혼합물 100중량부로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여 소결체를 얻는다. 이 열팽창 완충층용 소결체의 열팽창계수를 측정한 바, 7.0×10-6/℃이고, 직경 200mm인 면 내의 휘어짐 량은 670㎛이였다. 또한, 이 열팽창 완충층용 그린시트를 사용하여 소성한 정전흡착부 소결체에는 내부 도전체층에 적층계면에서의 벗겨짐이 있었다. 다음에 이 소결체의 양면을 연마하고, 두께 1.2mm인 정전흡착부를 제작하고, 이것에 리드선을 2개, 반전부하고 정전흡착부를 제작했다.
다음에, 이 정전흡착장치에 직경 8인치의 실리콘 와이퍼를 배치하고, 와이퍼의 온도가 0℃로 되도록 냉각하면서, 리드선 사이에 DC±1㎸의 전압을 인가하여 정전력 테스터로 그 정전력을 측정한 바, 절연성 유전체층의 두께에 어긋남이 있고, 특히 이 두께가 얇은 경우에 절연성 유전체층 자체의 절연파손이 생겨 충분한 정전흡착력을 얻을 수 없다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정된 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이고, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실직정으로 동일한 구성을 갖고, 같은 작용효과를 구하는 것은 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
본 발명의 정전흡착장치는, 시료를 정전흡착하는 정전흡착부를 구성하는 절연성 유전체층 및 절연체층의 열팽창계수와 도전체층(전극) 열팽창계수와의 사이의 열팽창계수를 갖춘 열팽창완충층을, 절연성 유전체층과 도전체층의 사이 및/또는 도전체층과 절연체층의 사이에 설하고, 각 층이 미소성상태의 그린시트의 단층에서 적층일체화하고 소결한 것에 의해 열팽창계수 차에 기인하는 정전흡착부 소결체에 있어서 층간 박리와 크랙의 발생이 없고, 소결체 자체의 휘어짐이 없게되어 유전체층 두께의 균일성이 향상하고, 따라서 정전흡착력이 강해 균일하게, 착탈응답 특성에 뛰어나고, 불순물이 적기 때문에 반도체 디바이스에 손상 주는 것이 아주 적은 것으로 되어 산업상 그 이용가치는 매우 높은 것이다.

Claims (5)

  1. 절연성 유전체층으로 피복된 절연체층상의 도전체층 전극에 전압을 인가하여 그 절연성 유전체층에 시료를 정전흡착시키는 정전흡착장치에 있어서, 상기 절연성 유전체층과 상기 도전체층 사이 및/또는 상기 도전체층과 상기 절연체층 사이에 열팽창 완충층을 설하고, 미소성인 상태로 적층, 프레스하여 성형체로 하고, 그 성형체를 소성한 소결체로 되는 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
  2. 제 1항에있어서, 상기 열팽창 완충층의 열팽창계수가, 상기 절연성 유전체층 및 절연체층의 열팽창계수와, 상기 도전체층의 열팽창계수와의 사이에 있고, 주성분이 적어도 질화알루미늄, 산화알루미늄, 질화규소, 산화규소, 산화지르코늄, 산화티타늄, 사이아론, 질화붕소, 탄화규소로부터 선택되는 1종의 세라믹, 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 절연성 유전체층 및 절연체층의 주성분이, 적어도 질화알루미늄, 산화알루미늄, 질화규소, 산화규소, 산화지르코늄, 산화티타늄, 사이아론, 질화붕소, 탄화규소로부터 선택되는 1종의 세라믹 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
  4. 절연성 유전체층으로 피복된 절연체층상의 도전체층 전극에 전압을 인가하여 그 절연성 유전체층에 시료를 정전흡착시키는 정전흡착장치의 제조방법에 있어서, 상기 절연성 유전체층과 상기 도전체층 사이 및/또는 상기 도전체층과 상기 절연체층의 사이에 열팽창 완충층을 설하고, 각 층의 그린시트를 적층한 후, 프레스하여 성형체로 하고, 그 성형체를 소성하여 소결체로 하는 것을 특징으로 하는 정전흡착장치의 제조방법.
  5. 절연성 유전체층으로 피복된 절연체층상의 도전체층 전극에 전압을 인가하여 그 절연성 유전체층에 시료를 정전흡착시키는 정전흡착장치의 제조방법에 있어서, 적층된 도전체층과 열팽창 완충층용 그린시트를 절연성 유전체층용 그린시트로 씌우고, 밑에 절연체층용 그린시트를 적층한 후, 프레스하여 성형체로 하고, 그 성형체를 소성하여 소결체로 하는 것을 특징으로 하는 정전흡착장치의 제조방법.
KR1019980052508A 1997-12-03 1998-12-02 정전흡착장치 및 그 제조방법 KR19990062716A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9348531A JPH11168134A (ja) 1997-12-03 1997-12-03 静電吸着装置およびその製造方法
JP9-348531 1997-12-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990062716A true KR19990062716A (ko) 1999-07-26

Family

ID=18397644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980052508A KR19990062716A (ko) 1997-12-03 1998-12-02 정전흡착장치 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6272002B1 (ko)
JP (1) JPH11168134A (ko)
KR (1) KR19990062716A (ko)
TW (1) TW442888B (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483737B1 (ko) * 2001-08-13 2005-04-18 닛신덴키 가부시키 가이샤 기판흡착방법 및 그 장치
KR100886120B1 (ko) * 2002-04-16 2009-02-27 캐논 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 스테이지 및 기판 처리 장치
KR100918714B1 (ko) * 2001-11-13 2009-09-22 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 전극 내장형 서셉터 및 그 제조 방법
WO2013032260A2 (ko) * 2011-09-01 2013-03-07 주식회사 코미코 정전 척
KR20160118259A (ko) * 2014-02-07 2016-10-11 엔테그리스, 아이엔씨. 정전 척 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1120829A4 (en) * 1999-08-10 2009-05-27 Ibiden Co Ltd CERAMIC PLATE FOR DEVICE FOR PRODUCING SEMICONDUCTORS
WO2001058828A1 (fr) * 2000-02-07 2001-08-16 Ibiden Co., Ltd. Substrat ceramique pour dispositif de production ou d'examen de semi-conducteurs
WO2001059833A1 (fr) 2000-02-08 2001-08-16 Ibiden Co., Ltd. Carte en ceramique destinee a la production de semi-conducteurs et a des dispositifs de controle
WO2002091458A1 (fr) * 2000-03-15 2002-11-14 Ibiden Co., Ltd. Procede relatif a l'elaboration de mandrins electrostatiques et procede relatif a l'elaboration d'elements chauffants en ceramique
JP3626933B2 (ja) * 2001-02-08 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板載置台の製造方法
JP4082924B2 (ja) 2002-04-16 2008-04-30 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着ホルダー及び基板処理装置
TWI228786B (en) * 2002-04-16 2005-03-01 Anelva Corp Electrostatic chucking stage and substrate processing apparatus
US6660665B2 (en) * 2002-05-01 2003-12-09 Japan Fine Ceramics Center Platen for electrostatic wafer clamping apparatus
US20030227737A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a protective layer on a chuck
US6986865B2 (en) * 2002-07-10 2006-01-17 Watlow Electric Manufacturing Company Method for manufacturing an electrostatic chuck
DE10232080B4 (de) * 2002-07-15 2015-10-01 Integrated Dynamics Engineering Gmbh Elektrostatischer Greifer und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2004200462A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Nhk Spring Co Ltd 静電チャックおよびその製造方法
JP2004235483A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置
US7382516B2 (en) * 2004-06-18 2008-06-03 Angstrom, Inc. Discretely controlled micromirror with multi-level positions
US7898144B2 (en) * 2006-02-04 2011-03-01 Angstrom, Inc. Multi-step microactuator providing multi-step displacement to a controlled object
US7751694B2 (en) * 2004-02-13 2010-07-06 Angstrom, Inc. Three-dimensional endoscope imaging and display system
US8537204B2 (en) * 2004-07-08 2013-09-17 Gyoung Il Cho 3D television broadcasting system
US7350922B2 (en) 2004-02-13 2008-04-01 Angstrom, Inc. Three-dimensional display using variable focal length micromirror array lens
US7330297B2 (en) * 2005-03-04 2008-02-12 Angstrom, Inc Fine control of rotation and translation of discretely controlled micromirror
US7474454B2 (en) * 2004-06-18 2009-01-06 Angstrom, Inc. Programmable micromirror motion control system
US7339746B2 (en) * 2004-03-22 2008-03-04 Angstrom, Inc. Small and fast zoom system using micromirror array lens
US7768571B2 (en) * 2004-03-22 2010-08-03 Angstrom, Inc. Optical tracking system using variable focal length lens
US7410266B2 (en) * 2004-03-22 2008-08-12 Angstrom, Inc. Three-dimensional imaging system for robot vision
US20070115261A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Stereo Display, Inc. Virtual Keyboard input system using three-dimensional motion detection by variable focal length lens
US20070040924A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Stereo Display, Inc. Cellular phone camera with three-dimensional imaging function
US7619614B2 (en) * 2004-04-12 2009-11-17 Angstrom, Inc. Three-dimensional optical mouse system
US7742232B2 (en) * 2004-04-12 2010-06-22 Angstrom, Inc. Three-dimensional imaging system
US20060198011A1 (en) * 2005-03-04 2006-09-07 Stereo Display, Inc. Volumetric three-dimensional device using two-dimensional scanning device
US20060203117A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Stereo Display, Inc. Video monitoring system using variable focal length lens
US20070169703A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Brent Elliot Advanced ceramic heater for substrate processing
JP4994121B2 (ja) * 2006-08-10 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 静電吸着電極、基板処理装置および静電吸着電極の製造方法
US7365899B2 (en) * 2006-08-10 2008-04-29 Angstrom, Inc. Micromirror with multi-axis rotation and translation
US7589885B2 (en) * 2006-09-22 2009-09-15 Angstrom, Inc. Micromirror array device comprising encapsulated reflective metal layer and method of making the same
US7589884B2 (en) * 2006-09-22 2009-09-15 Angstrom, Inc. Micromirror array lens with encapsulation of reflective metal layer and method of making the same
WO2008082977A2 (en) * 2006-12-26 2008-07-10 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic chuck and method of forming
US7983017B2 (en) * 2006-12-26 2011-07-19 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic chuck and method of forming
US7535618B2 (en) * 2007-03-12 2009-05-19 Angstrom, Inc. Discretely controlled micromirror device having multiple motions
JP5111954B2 (ja) * 2007-06-22 2013-01-09 新光電気工業株式会社 静電チャック及びその製造方法
US7667944B2 (en) * 2007-06-29 2010-02-23 Praxair Technology, Inc. Polyceramic e-chuck
JP5236927B2 (ja) 2007-10-26 2013-07-17 信越化学工業株式会社 耐腐食性積層セラミックス部材
JP5307671B2 (ja) * 2008-10-23 2013-10-02 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム基複合材料、その製造方法及び半導体製造装置用部材
CN102473668B (zh) * 2009-07-02 2015-01-14 创意科技股份有限公司 静电吸附构造体及其制造方法
US20120154974A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 Applied Materials, Inc. High efficiency electrostatic chuck assembly for semiconductor wafer processing
EP2555234B1 (en) * 2011-08-02 2020-08-19 ASML Holding N.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
CN103578900B (zh) * 2012-08-06 2016-03-23 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理设备及其静电卡盘
US20140116622A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-01 Semes Co. Ltd. Electrostatic chuck and substrate processing apparatus
JP6442296B2 (ja) 2014-06-24 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP6380177B2 (ja) * 2015-03-12 2018-08-29 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US9718215B2 (en) 2015-04-15 2017-08-01 Halo Industries, Inc. Capacitive clamping process for cleaving work pieces using crack propagation
JP7012454B2 (ja) * 2017-04-27 2022-01-28 株式会社岡本工作機械製作所 静電吸着チャックの製造方法並びに半導体装置の製造方法
KR101964631B1 (ko) * 2018-04-06 2019-04-02 (주)아폴로테크 완충력이 우수한 정전척
CN110473824A (zh) * 2019-09-05 2019-11-19 苏州芯慧联半导体科技有限公司 一种半导体用可再生静电卡盘及其制造方法
US11302536B2 (en) * 2019-10-18 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Deflectable platens and associated methods
JP7010313B2 (ja) * 2020-01-31 2022-01-26 住友大阪セメント株式会社 セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法
KR102548445B1 (ko) * 2021-05-10 2023-06-28 부경대학교 산학협력단 클래드재 전극층을 포함하는 정전척의 제조방법 및 이에 의해 제조된 정전척
KR102520805B1 (ko) 2021-05-10 2023-04-13 주식회사 템네스트 이종 복합재료로 이루어진 전극층을 포함하는 정전척의 제조방법 및 이에 의해 제조된 정전척

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2665242B2 (ja) * 1988-09-19 1997-10-22 東陶機器株式会社 静電チャック
US5155652A (en) * 1991-05-02 1992-10-13 International Business Machines Corporation Temperature cycling ceramic electrostatic chuck
US5191506A (en) * 1991-05-02 1993-03-02 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic chuck
US5207437A (en) * 1991-10-29 1993-05-04 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic wafer chuck
JP2749759B2 (ja) * 1993-06-23 1998-05-13 信越化学工業株式会社 静電チャック付セラミックスヒーター
JPH08227933A (ja) * 1995-02-20 1996-09-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
JPH08316299A (ja) * 1995-03-14 1996-11-29 Souzou Kagaku:Kk 静電チャック
JPH0982788A (ja) * 1995-07-10 1997-03-28 Anelva Corp 静電チャックおよびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483737B1 (ko) * 2001-08-13 2005-04-18 닛신덴키 가부시키 가이샤 기판흡착방법 및 그 장치
KR100918714B1 (ko) * 2001-11-13 2009-09-22 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 전극 내장형 서셉터 및 그 제조 방법
KR100886120B1 (ko) * 2002-04-16 2009-02-27 캐논 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 스테이지 및 기판 처리 장치
WO2013032260A2 (ko) * 2011-09-01 2013-03-07 주식회사 코미코 정전 척
WO2013032260A3 (ko) * 2011-09-01 2013-06-13 주식회사 코미코 정전 척
KR20160118259A (ko) * 2014-02-07 2016-10-11 엔테그리스, 아이엔씨. 정전 척 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW442888B (en) 2001-06-23
JPH11168134A (ja) 1999-06-22
US6272002B1 (en) 2001-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19990062716A (ko) 정전흡착장치 및 그 제조방법
US5324053A (en) Electrostatic chuck
KR100618530B1 (ko) 정전 척과 그 제조 방법 및 알루미나 소결 부재와 그 제조방법
KR100885060B1 (ko) 플라즈마 발생용 전극내장형 서셉터 및 그 제조 방법
US9252041B2 (en) Electrostatic chuck
US6122159A (en) Electrostatic holding apparatus
US9252040B2 (en) Electrostatic chuck
US6351367B1 (en) Electrostatic holding apparatus having insulating layer with enables easy attachment and detachment of semiconductor object
WO2001039551A1 (fr) Plaque chauffante en ceramique
JP7496486B2 (ja) 静電チャック
KR20070066890A (ko) 정전척
KR102675440B1 (ko) 정전 척 장치 및 그 제조 방법
JP2005235672A (ja) ヒータユニット及びそれを搭載した装置
KR20200027897A (ko) 세라믹 기판 및 정전 척
JP4686996B2 (ja) 加熱装置
KR102427144B1 (ko) 대형 동시소성 물품의 개선된 제조방법
EP0506537A1 (en) Electrostatic chuck
JP4023944B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法並びにプレートヒーター又は静電チャック
US11830753B2 (en) Composite sintered body, semiconductor manufacturing apparatus member and method of producing composite sintered body
JP4043219B2 (ja) 静電チャック
JP7402070B2 (ja) 静電チャック、基板固定装置
JPH1187479A (ja) 静電チャック
KR102039802B1 (ko) 정전척용 세라믹 본체
JP2000031254A (ja) セラミックス製静電チャックおよびその製造方法
KR100497953B1 (ko) 전도성 세라믹 전극 및 이를 포함하는 정전척

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid