KR19990053188A - Wafer transfer device cleaning method and cleaning system - Google Patents

Abstract

본 발명의 웨이퍼 이송장치 세정 방법 및 세정 시스템은 반도체 제조 공정에서 캐리어와 같이 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 이송장치를 세정할 때 유기 오염의 제거와 함께 금속 공정에서 발생할 가능성이 있는 금속 오염도 효율적으로 제거할 수 있다. 이와 같은 웨이퍼 이송장치 세정 방법은 적어도 하나의 세정조가 설치된 세정 시스템에 오존수 발생부를 설치하고, 웨이퍼 이송장치가 세정되는 세정조에 오존수 발생부로부터 공급되는 오존수를 이용하여 웨이퍼 이송장치를 세정한다.The wafer transfer device cleaning method and cleaning system of the present invention can efficiently remove metal contaminations that may occur in metal processes along with organic contamination when cleaning the wafer transfer device for transferring wafers such as carriers in the semiconductor manufacturing process. Can be. In such a wafer transfer apparatus cleaning method, an ozone water generator is installed in a cleaning system in which at least one cleaning tank is installed, and the wafer transfer apparatus is cleaned using ozone water supplied from the ozone water generator in a cleaning tank in which the wafer transfer apparatus is cleaned.

Description

웨이퍼 이송장치 세정 방법 및 세정 시스템(CLEANING METHOD OF TRANSFER APPARATUS FOR WAFERS AND CLEANING SYSTEM)CLEANING METHOD OF TRANSFER APPARATUS FOR WAFERS AND CLEANING SYSTEM

본 발명은 웨이퍼 이송장치 세정 방법 및 세정 시스템에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 이송하기 위하여 사용되는 캐리어 등의 이송장치를 세정하기 위한 웨이퍼 이송장치 세정 방법 및 세정 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer transfer apparatus cleaning method and cleaning system, and more particularly, to a wafer transfer apparatus cleaning method and cleaning system for cleaning a transfer apparatus such as a carrier used for transferring wafers in a semiconductor manufacturing process. will be.

반도체 디바이스가 고집적됨에 따라 미세 오염에 대한 세정 기술이 더욱 중요한 위치를 차지하고 있다. 특히, 반도체 제조 공정 내에서 환경 요인의 조절 문제는 매우 중요한 문제가 되어가고 있다. 이 중에서 캐리어(carrier) 또는 카세트(cassette) 등의 웨이퍼 이송장치로부터 발생되는 유기 오염은 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼에 결합을 발생시키는 원인으로 추측되는 문제 중의 하나이다.As semiconductor devices become more integrated, cleaning techniques for fine contamination are becoming more important. In particular, the problem of controlling environmental factors within the semiconductor manufacturing process has become a very important problem. Among these, organic contamination generated from a wafer transfer device such as a carrier or a cassette is one of the problems that are assumed to cause bonding to the wafer in the wafer manufacturing process.

따라서, 웨이퍼를 이송시 사용되는 이송장치에 대한 세정 공정이 별도로 수행되고 있다. 위와 같이 웨이퍼 이송장치를 세정하기 위한 종래 세정 방법은 가열된 탈 이온수(hot de ionize water)와 IPA(isoprophylalcohol)의 혼합액에서 브러시(brush)를 사용하여 일차적으로 입자를 제거한 후, 메가소닉(megasonic)을 채용한 탈 이온수 린스(rinse)로 상기 이송장치를 세정하고, 마지막으로 스핀 드라이어(spin-dryer)를 사용하여 상기 이송장치를 건조하였다.Therefore, the cleaning process for the transfer apparatus used for transferring the wafer is separately performed. Conventional cleaning method for cleaning the wafer transfer device as described above is to remove the particles from the mixed solution of hot de-ionize water and isoprophylalcohol (IPA) using a brush, and then megasonic The transfer apparatus was cleaned with a deionized water rinse, and finally the transfer apparatus was dried using a spin-dryer.

그러나, 이와 같은 웨이퍼 이송장치의 세정 방법은 물리적 결합력을 가진 입자들의 제거에는 어느 정도 효율적이나 화학 결합을 하고 있는 입자들이나 금속 오염의 경우에 대해서는 그 효율성이 입증된 바 없다.However, the cleaning method of such a wafer transfer device is somewhat effective in removing particles having physical binding force, but the efficiency of the particles or metal contamination with chemical bonding has not been proven.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 반도체 제조 공정에서 캐리어와 같이 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 이송장치를 세정할 때 유기 오염의 제거와 함께 금속 공정에서 발생할 가능성이 있는 금속 오염도 효율적으로 제거할 수 있는 새로운 형태의 웨이퍼 이송장치 세정 방법 및 세정 시스템을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object thereof is a metal which may occur in a metal process with the removal of organic contamination when cleaning a wafer transfer device for transferring a wafer, such as a carrier, in a semiconductor manufacturing process. To provide a new type of wafer transfer device cleaning method and cleaning system capable of efficiently removing contamination.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 이송장치를 세정하기 위한 세정 시스템을 도시한 블록 다이어그램이다.1 is a block diagram illustrating a cleaning system for cleaning a wafer transfer device according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 로더부 12 : 제 1 세정조10: loader portion 12: first cleaning tank

14 : 제 2 세정조 16 : 제 3 세정조14: 2nd washing tank 16: 3rd washing tank

18 : 건조부 20 : 언로더부18: drying unit 20: unloader

22 : 오존수 발생부22: ozone water generator

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 적어도 하나의 세정조가 설치된 세정 시스템에서 웨이퍼 이송장치를 세정하기 위한 웨이퍼 이송장치 세정 방법은 상기 세정 시스템에 오존수 발생부를 설치하고, 웨이퍼 이송장치가 세정되는 상기 세정조에 상기 오존수 발생부로부터 공급되는 오존수를 이용하여 웨이퍼 이송장치를 세정한다.According to one aspect of the present invention for achieving the above object, a wafer transfer device cleaning method for cleaning a wafer transfer device in a cleaning system provided with at least one cleaning tank is provided with an ozone water generator in the cleaning system, a wafer transfer device The wafer transfer device is cleaned by using the ozone water supplied from the ozone water generator to the cleaning tank to be cleaned.

이와 같은 본 발명에서 상기 오존수에 의해서 세정된 상기 웨이퍼 이송장치를 탈 이온수와 메가소닉을 사용하여 세정한다. 상기 탈 이온수와 메가소닉에 의해서 세정된 상기 웨이퍼 이송장치를 IPA(isoprophylalcohol)를 사용하여 세정한다. 상기 오존수는 0.1ppm에서 50ppm 사이의 농도를 갖도록 한다. 상기 오존수는 5도에서 상온의 온도를 갖도록 한다. 상기 오존수는 상기 웨이퍼 이송장치에 분사되어 상기 웨이퍼 이송장치를 세정한다. 상기 웨이퍼 이송장치는 캐리어(carrier)이다.In the present invention as described above, the wafer transfer apparatus cleaned with the ozone water is cleaned using deionized water and megasonic. The wafer transfer apparatus cleaned by the deionized water and megasonic is cleaned using IPA (isoprophylalcohol). The ozone water is to have a concentration between 0.1ppm to 50ppm. The ozone water is to have a temperature of room temperature at 5 degrees. The ozone water is injected into the wafer transfer apparatus to clean the wafer transfer apparatus. The wafer transfer device is a carrier.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 웨이퍼 이송장치 세정 시스템은 오존수를 발생시키는 오존수 발생부와; 상기 오존수 발생부로부터 공급되는 오존수를 사용하여 웨이퍼 이송장치를 세정하는 제 1 세정조와; 상기 제 1 세정조로부터 이송된 상기 웨이퍼 이송장치를 탈 이온수와 메가소닉을 사용하여 세정하는 제 2 세정조 및; 상기 제 2 세정조로부터 이송된 상기 웨이퍼 이송장치를 IPA(isoprophylalcohol)를 사용하여 세정하는 제 3 세정조를 포함한다.According to another aspect of the present invention for achieving the above object, the wafer transfer device cleaning system and the ozone water generator for generating ozone water; A first cleaning tank for cleaning the wafer transfer device using ozone water supplied from the ozone water generator; A second cleaning tank for cleaning the wafer transfer device transferred from the first cleaning tank using deionized water and megasonic; And a third cleaning tank for cleaning the wafer transfer device transferred from the second cleaning tank using IPA (isoprophylalcohol).

이와 같은 본 발명에서 상기 제 3 세정조로부터 이송된 상기 웨이퍼 이송장치를 회전시켜서 건조시키는(spin-dry) 건조부를 포함한다.In the present invention as described above includes a drying unit (spin-dry) by rotating the wafer transfer device transferred from the third cleaning tank.

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 이송장치를 세정하기 위한 세정 시스템의 블록 다이어그램을 도시한 도 1을 참조하면서 상세히 설명한다.Detailed description will be made with reference to FIG. 1, which shows a block diagram of a cleaning system for cleaning a wafer transfer device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 웨이퍼 이송장치 세정 방법은 적어도 하나의 세정조가 설치된 세정 시스템에서 웨이퍼 이송장치를 세정하기 위한 것이다. 따라서, 상기 세정 시스템에 오존수 발생부를 설치하고, 웨이퍼 이송장치가 세정되는 상기 세정조에 상기 오존수 발생부로부터 공급되는 오존수를 이용하여 웨이퍼 이송장치를 세정한다.The wafer transfer apparatus cleaning method of the present invention is for cleaning the wafer transfer apparatus in a cleaning system provided with at least one cleaning tank. Therefore, the ozone water generator is provided in the cleaning system, and the wafer transfer device is cleaned using the ozone water supplied from the ozone water generator to the cleaning tank in which the wafer transfer device is cleaned.

이와 같은 본 발명에 따른 세정 방법을 구현하기 위하여, 도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 이송장치를 세정하기 위한 세정 시스템은 세정 공정을 수행하기 위한 웨이퍼 이송장치의 이송을 위한 부분과 웨이퍼 이송장치를 세정시키기 위한 부분으로 구성된다.In order to implement the cleaning method according to the present invention, as shown in Figure 1, the cleaning system for cleaning the wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention is to transfer the transfer of the wafer transfer apparatus for performing the cleaning process And a portion for cleaning the wafer transfer device.

이때, 상기 웨이퍼 이송장치를 세정 시스템에서 이송하기 위한 부분에는 세정 공정을 수행하기 위한 웨이퍼 이송장치가 로딩되는 로더부(10)와 상기 세정 시스템에서 세정 완료된 웨이퍼 이송장치를 외부로 언로딩하기 위한 언로더부(20)로 구성된다. 그리고, 상기 로더부(10)와 언로더부(20) 사이에서는 상기 세정 시스템에 설치된 로봇 등과 같은 이송부분(도시않됨)에 의해서 이송되게 된다.At this time, the portion for transferring the wafer transfer apparatus from the cleaning system includes a loader 10 for loading the wafer transfer apparatus for performing the cleaning process and an unloading unit for unloading the cleaned wafer transfer apparatus outside the cleaning system. It consists of a loader part 20. In addition, the loader 10 and the unloader 20 are transported by a transfer part (not shown) such as a robot installed in the cleaning system.

한편, 상기 세정 시스템에는 상기 웨이퍼 이송장치를 세정하기 위하여 사용되는 오존수를 공급하기 위하여 오존수를 발생시키는 오존수 발생부(22)가 설치되어 있다. 이때, 상기 오존수 발생부(22)는 상용화된 오존수 발생장치를 사용한다.On the other hand, the cleaning system is provided with an ozone water generator 22 for generating ozone water to supply ozone water used to clean the wafer transfer device. At this time, the ozone water generator 22 uses a commercially available ozone water generator.

한편, 상기 웨이퍼 이송장치를 세정하기 위한 부분에는 상기 오존수 발생부(22)로부터 공급되는 오존수를 사용하여 웨이퍼 이송장치를 세정하는 제 1 세정조(12)와 상기 제 1 세정조(12)로부터 이송된 상기 웨이퍼 이송장치를 탈 이온수와 메가소닉을 사용하여 세정하는 제 2 세정조(14), 그리고 상기 제 2 세정조(14)로부터 이송된 상기 웨이퍼 이송장치를 IPA(isoprophylalcohol)를 사용하여 세정하는 제 3 세정조(16)로 구성된다.Meanwhile, the portion for cleaning the wafer transfer device is transferred from the first cleaning tank 12 and the first cleaning tank 12 to clean the wafer transfer device using ozone water supplied from the ozone water generator 22. Cleaning the wafer transfer apparatus using deionized water and megasonic, and cleaning the wafer transfer apparatus transferred from the second cleaning tank 14 using isoprophylalcohol (IPA). It consists of the 3rd washing tank 16. As shown in FIG.

이와 같은 세정조들(12,14,16)을 거치면서 세정된 웨이퍼 이송장치는 건조부(18)에서 건조된다. 이때, 상기 건조부(18)는 상기 웨이퍼 이송장치를 회전시켜서 건조(spin-dry)시킨다.The wafer transfer apparatus cleaned while passing through such cleaning tanks 12, 14, and 16 is dried in the drying unit 18. At this time, the drying unit 18 spin-drys the wafer transfer device.

다시, 도 1을 참조하면, 이와 같은 구성을 갖는 웨이퍼 이송장치 세정 시스템을 이용한 세정 방법은 먼저, 오존수 발생부(22)로부터 생선된 오존수를 제 1 세정조(12)에 채운다. 그리고, 상기 로더부(10)에 로딩된 웨이퍼 이송장치를 상기 제 1 세정조(12)로 이송하여 오존수에 소정 시간 동안 담그어 유기 오염과 금속 오염을 제거한다. 이때, 상기 오존수 발생부(22)로부터 공급되는 오존수를 상기 웨이퍼 이송장치에 분사하여 세정할 수 있다.Referring again to FIG. 1, in the cleaning method using the wafer transfer device cleaning system having such a configuration, first, the ozone water from the ozone water generator 22 is filled in the first cleaning tank 12. Then, the wafer transfer device loaded in the loader 10 is transferred to the first cleaning tank 12 and soaked in ozone water for a predetermined time to remove organic and metal contamination. At this time, the ozone water supplied from the ozone water generator 22 may be sprayed onto the wafer transfer device to clean the ozone water.

한편, 상기 오존수 발생부(22)로부터 상기 제 1 세정조(12)로 공급되는 상기 오존수의 농도는 0.1ppm에서 50ppm 정도로 변화시켜 가면서 최적 농도 범위를 유지한다. 이때, 세정 공정이 진행되는 동안 오존수의 농도를 농도계를 사용하여 측정하면서 농도가 변할 경우 오존수를 공급하여 일정한 농도를 유지한다. 그리고, 상기 오존수의 온도는 5도에서 상온을 유지하도록 한다.On the other hand, the concentration of the ozone water supplied from the ozone water generator 22 to the first cleaning tank 12 is varied from about 0.1 ppm to about 50 ppm to maintain the optimum concentration range. At this time, while the concentration of the ozone water is measured by using a densitometer while the cleaning process is in progress, the ozone water is supplied to maintain a constant concentration. And, the temperature of the ozone water is to maintain room temperature at 5 degrees.

이와 같이 상기 제 1 세정조(12)에서 세정이 완료되면, 상기 웨이퍼 이송장치는 세정 시스템의 이송장치에 의해서 상기 제 1 세정조(12)로부터 제 2 세정조(14)로 이송된다. 이때, 상기 제 2 세정조(14)에서는 상기 웨이퍼 이송장치를 탈 이온수와 메가소닉을 사용하여 세정한다. 즉, 상기 웨이퍼 이송장치를 탈 이온수에 담그고, 상기 탈 이온수를 오버 플로우(over flow)시키면서 메가소닉으로 세정한다.When the cleaning is completed in the first cleaning tank 12 as described above, the wafer transfer device is transferred from the first cleaning tank 12 to the second cleaning tank 14 by the transfer device of the cleaning system. At this time, the second cleaning tank 14 cleans the wafer transfer device using deionized water and megasonic. That is, the wafer transfer apparatus is immersed in deionized water and cleaned with megasonic while overflowing the deionized water.

이와 같이 오염과 입자가 제거된 후, 상기 웨이퍼 이송장치는 제 3 세정조(16)로 이송된다. 그리고, 상기 제 3 세정조(16)에서는 상기 웨이퍼 이송장치를 IPA(isoprophylalcohol)를 사용하여 세정한다. 이때, 상기 IPA(isoprophylalcohol)를 사용하여 상기 웨이퍼 이송장치를 세정하는 것은 정전기 효과를 방지하기 위한 것이다.After the contamination and particles are removed as described above, the wafer transfer device is transferred to the third cleaning tank 16. In the third cleaning bath 16, the wafer transfer device is cleaned using IPA (isoprophylalcohol). At this time, the cleaning of the wafer transfer apparatus using the isoprophylalcohol (IPA) is to prevent the electrostatic effect.

상술한 바와 같은 세정 부분에서 세정된 웨이퍼 이송장치는 건조부(18)에서 건조되어 언로더부(20)로 이송되어 세정 공정을 완료하게 된다.The wafer transfer apparatus cleaned in the cleaning portion as described above is dried in the drying portion 18 and transferred to the unloader portion 20 to complete the cleaning process.

이와 같은 본 발명을 적용하면 캐리와와 같은 웨이퍼 이송장치의 유기 오염 및 금속 오염을 효율적으로 세정할 수 있다. 또한, IPA를 웨이퍼 이송장치에 분사하는 공정이 별도로 이루어지므로 정전기 차폐 효과를 증대시킬 수 있으며, 건조부에서 건조시키는 시간을 감소시킬 수 있다.By applying the present invention as described above, organic contamination and metal contamination of a wafer transfer device such as a carry can be efficiently cleaned. In addition, since the process of injecting the IPA to the wafer transfer device is made separately, it is possible to increase the electrostatic shielding effect, and to reduce the drying time in the drying unit.

Claims (9)

적어도 하나의 세정조가 설치된 세정 시스템에서 웨이퍼 이송장치를 세정하기 위한 웨이퍼 이송장치 세정 방법에 있어서,A method of cleaning a wafer transfer device for cleaning a wafer transfer device in a cleaning system provided with at least one cleaning tank, 상기 세정 시스템에 오존수 발생부를 설치하고, 웨이퍼 이송장치가 세정되는 상기 세정조에 상기 오존수 발생부로부터 공급되는 오존수를 이용하여 웨이퍼 이송장치를 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치 세정 방법.And an ozone water generator in the cleaning system, and cleaning the wafer transfer device using the ozone water supplied from the ozone water generator in the cleaning tank in which the wafer transfer device is cleaned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 오존수에 의해서 세정된 상기 웨이퍼 이송장치를 탈 이온수와 메가소닉을 사용하여 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치 세정 방법.And cleaning the wafer transfer apparatus cleaned with the ozone water using deionized water and megasonic. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 탈 이온수와 메가소닉에 의해서 세정된 상기 웨이퍼 이송장치를 IPA(isoprophylalcohol)를 사용하여 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치 세정 방법.And cleaning the wafer transfer apparatus cleaned by the deionized water and megasonic using IPA (isoprophylalcohol). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 오존수는 0.1ppm에서 50ppm 사이의 농도를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치 세정 방법.The ozone water is a method for cleaning a wafer transfer device, characterized in that to have a concentration between 0.1ppm to 50ppm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 오존수는 5도에서 상온의 온도를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치 세정 방법.The ozone water is a cleaning method of the wafer transfer device, characterized in that to have a temperature of room temperature at 5 degrees. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 오존수는 상기 웨이퍼 이송장치에 분사되어 상기 웨이퍼 이송장치를 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치 세정 방법.And the ozone water is injected into the wafer transfer device to clean the wafer transfer device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼 이송장치는 캐리어(carrier)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치 세정 방법.The wafer transfer apparatus cleaning method of the wafer transfer apparatus, characterized in that the carrier (carrier). 웨이퍼 이송장치 세정 시스템에 있어서,In a wafer transfer device cleaning system, 오존수를 발생시키는 오존수 발생부와;An ozone water generator for generating ozone water; 상기 오존수 발생부로부터 공급되는 오존수를 사용하여 웨이퍼 이송장치를 세정하는 제 1 세정조와;A first cleaning tank for cleaning the wafer transfer device using ozone water supplied from the ozone water generator; 상기 제 1 세정조로부터 이송된 상기 웨이퍼 이송장치를 탈 이온수와 메가소닉을 사용하여 세정하는 제 2 세정조 및;A second cleaning tank for cleaning the wafer transfer device transferred from the first cleaning tank using deionized water and megasonic; 상기 제 2 세정조로부터 이송된 상기 웨이퍼 이송장치를 IPA(isoprophylalcohol)를 사용하여 세정하는 제 3 세정조를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치 세정 시스템.And a third cleaning tank for cleaning the wafer transfer apparatus transferred from the second cleaning tank by using isoprophylalcohol (IPA). 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제 3 세정조로부터 이송된 상기 웨이퍼 이송장치를 회전시켜서 건조시키는(spin-dry) 건조부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치 세정 시스템.And a drying unit for rotating and drying the wafer transfer device transferred from the third cleaning tank.