KR19980702393A - 평판 패널 검출기 및 영상 감지기 - Google Patents

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KR19980702393A
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도날드 알 위메트
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파플라우스카스 레오나르드 피
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Abstract

평판 패널 영상 감지기(10)는 비디콘의 광도전적인 영상 전극과 평판 패널 자계 방전 디스플레이(FED) 시스템용으로 일반적으로 이용되는 냉음극 전계 이미터(14)의 2 차원으로 배열을 결합함에 의해 제공된다. FED는 종래 기술의 디스플레이에서 음극 방전에 비례헤서 빛을 발생시키도록 냉광을 발하는 인으로 가속되는 전자를 방전하도록 일반적으로 동작한다. 인으로 가속되기 보다는, 전자의 방상 윈도로 동작하는 투명한 전기 도전하는 물질(17)의 층을 통해 광도전체 층(16)으로 향한 입사 광선 패턴에 의해 층으로부터 제거된 전하를 대치하도록 광도전체층(16)을 향해 가속된다. 투명한, 전기 도전되는 층(17)은 넓은 면적의 감지기용으로 부유 용량을 감소시키도록 분할될 수 있고, 분할된 전기적인 도전층(17)은 동작의 병렬 판독 모드를 허용한다.

Description

평판 패널 검출기 및 영상 감지기
광도전체 물질은 종래 기술에서 매우 잘 공지돼 있고, 전자 영상 감지기에서 유사한 방식으로 이용된다. 실제로, 영상 감지기는 전기적으로 도전하는 물질의 원도를 갖는 하우징을 포함하고, 그 물질을 통해 방사는 하우징에 들어간다. 통상적으로 그런 감지기의 광도전체 층은 전기적으로 절연이고, 원도를 통해 입사하는 방사(radient)로 노출된다.
광도전체의 상반 표면이 진공에 노출되도록 하우징내에 진공이 만들어진다. 동작시에, 양전압이 도전층에 인가되고, 응답해서 광도전체의 진공면 표면은 음전위로 전자로 대전되고, 그것은 광도전체에 걸쳐 바이어스 필드를 만든다.
방사의 패턴에 노출되었을 때 만일 도전되며, 광도전체는 전자를 도전층으로 이동시키고 홀을 광도전체의 절연 표면으로 이동시키는 바이어스 전계에 의해 소인(sweep)되는 전자 홀 쌍을 표시한다. 홀이 절연 표면에 도달할 때, 그들은 입력 방사를 표현하는 전하상(charge pattern)으로 그 표면에서 전자와 재결합한다. 동작은 표준안 비디콘(viidicon) 유형 영상 튜브의 광전도성 동작의 특징이다.
그렇게 저장된 전하상은 예를 들어 비디콘에서처럼 미국 특허 제 5,195,118호에 예시된 것처럼 전하 표면을 스캔하는 전자 빔에 판독될 수 있다. 전자빔이 방사 방출에 의해 광도체의 진공면 표면으로부터 제거된 전하를 대신하기에, 용량적으로 결합된 신호는 전기적으로 도전하는 층에 접속된 전치증폭기에 의해 감지된다. 빔을 스캐닝하는 방법이 그런 감지기에서 비록 잘 동작하지만, 그런 시스템의 고유한 결점은 스캐닝하는 빔 디바이스의 동작용으로 필요한 연관된 전극과 전자총을 지탱하는 큰 진공 병이 필요로하는 물리적인 크기이다.
발명의 간단한 기술
본 발명의 원리에 따르면, 평판 패널 전계 방출 디스플레이(FED) 시스템용으로 이용되는 냉 음극 기술은 전자 빔 소스를 대체하는 광 도전체층과 결합된다. 따라서, 전계 이미터의 1 또는 2차원 배열이 배열 및 광 도전체층 사이의 진공으로 전자를 방출하도록 이용된다. 전자는 입사 방사 패턴에 의해 광도전체로부터 제거된 전하를 대체하도록 이용된다. 한 픽셀씩, 전하는 대체는 광도전층에 근접한 전기적으로 도전하는 층에 접속된 전치증폭기에 의해 감지되는 데이터 흐름을 만든다. 그렇게 생성된 데이터는 방사의 영상을 표현한다. 비디콘의 경우에서와 같이, 이미터의 배열은 광도전체층상에서 고속 전자 대신에 저속 전자로 전하 패턴을 충전하고 판독하도록 동작한다. 여기서 본 발명이 임의의 크기의 감지기에 응용가능 하지만, 그것은 특별히 넓은 면적의 X선에 민감한 영상 감지기에 응용가능하다.
본 발명은 영상 감지기에 관한 것으로서, 특별히 평판 패널 영상 감지기에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 원리에 따라 전극 이미터 팁의 배열에 결합된 종래 기술의 타깃 전극의 개략적인 측면도이다.
도 2는 도 1의 타깃 전극의 확대된 개략 측면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 유형의 타깃 전극과 전극 이미터 팁의 배열을 포함하는 평판 패널 감지기의 확대된 개략된인 측면도이다.
도 4 및 5는 도 3에 도시된 우형의 평판 패널 감지기의 선택적인 실시예의 개략적인 측면도이다.
도 6은 스트라이프(stripe)로 분할된 타깃 전극과 도 1에 도시된 유형의 감지기용 타깃 전극의 개략적인 전체도이다.
도 7은 도 6의 실시예의 개략적인 측면도이다.
도 8 및 9는 전기적인 판독 상호 접속을 도시하는 도 6의 실시예의 개략적인 전체도이다.
도 1은 본 발명의 원리에 따른 평판 패널 감지기(10)를 도시한다. 감지기는 제 1 및 제 2표면(13 및 14)을 가진 하우징(11)을 포함한다. 표면(13)은 하우징내에 원도를 형성하는 물질인 전기적으로 도전하는 물질(17)의 투명층을 가진 광도전체 층(16)으로 구성된다. 표면(14)은 표면(13)의 평판에 평행인 평판내에 놓여진 전자 빔 이미터의 배열로 구성된다. 전자 이미터 디바이스는 예를 들어, 1994년 7월 Proc, IEEE, 볼륨 82, 제 7호에 아이보르 브로우디 및 폴 숀에벨에 의해 진공 마이크로전자 디바이스로 기술되었다. 광도전체층 및 전자 이미터 디바이스의 배열은 그들 간에 진공이 유지되도록 공간(19)을 한정하기 위해서 분리되어 배치된다.
동작시에, 양 전압이 광도젼체 층상에 인가되고, 층의 진공쪽 표면은 전자에 의해 타깃 전위 아래의 소정의 음 전위로 충전된다. 방사 영사으로의 노출은 전자-홀 쌍의 생성을 유발한다. 전자는 도전 층(전극)으로 소인되고, 홀은 광도전체 층의 진공쪽 표면으로 소인된다. 홀은 영상의 표현인 전하상을 발생시키는 진공쪽 표면에서 전자와 재결합된다.
도 2는 입사하는 X선을 가지고 표면(143)을 설명적으로 자세하게 도시한다. 도 2에 도시된 유형의 구조가 반응하는 방사는 이후에 더 자세히 기술될 것처럼 선택된 물질 및 인가된 전압에 의해 결정된다. X선 또는 감마선이 이용될 때, 그들은 낮은 흐름의 X선 노출용으로 임계 이득을 유발하는 수천개의 전자홀 쌍을 생성한다.
도 1 및 도 2의 평판 패널 감지기내의 이용에 알맞은 원도는 통상적으로 주석 산화물 또는 인듐 주석 산화물같은 알맞은 투명 도전체 또는 광도전체 층을 지탱하도록 이용되는 알루미늄 또는 베릴륨같은 금속성의 X선 원도를 포함한다. 통상적인 감광성 광도전체는 안티몬 트리설파이드 납 산화물, 비결정의 셀렌, 비결정의 실리콘, 카디늄 설파이드, 또는 새티콘, 뉴비콘 및 찰니콘 유형 비디콘에서 발견되는 복합 구조를 포함한다. X 및 감마 선에 응답해서, 통상적인 광 도전 물질은 탈륨 브롬화물(TIBr), 탈륨 요오드화물(TlI), 탈륨 브롬-요오드화물, 납 요오드화물 또는 납 브롬-요오드화물 또는 셀렌으로 구성될 수 있다. 또한, 감광성의 광도전성 물질에 반대인 세슘 질화물 또는 인같은 섬광을 내는 물질의 복합물 샌드위치가 알맞을 것이다. 광도전체의 중요한 매개변수는 그들이 바람직한 에너지 광자에 대해 광도전적인 고저항의 절연 물질이고, 전하 축척을 제공해야만 한다는 것이다. X 및 감마선 감지기는 대부분의 X선 영상 응용의 통상적인 저 흐름을 증폭하도록 충분한 이득을 가져야만 한다. 그들은 또한 바람직한 X선 감마선 에너지용으로 고 흡수효율을 발생하도록 충분히 큰 원자 무게를 가져야만 한다. 모든 특별한 물질은 이런 필요조건을 충족시켜야만 한다.
도 3은 도 2에 도시된 구성에서 설명적인 전계 이미터 팁의 확장도를 도시한다. 각 이미터 팁(30, 31)으로부터의 방출은 절연체(34)위에 형성된 게이트(33)에 의해 제어된다. 게이트는 개별적으로 어드레스 가능하고, 광도전체 층상에서 각 개별적인 픽셀을 충전하고 판독하도록 배열된 시간일 수 있다. CCD 기술에서처럼, 또한 필요한 경우에 픽셀의 그룹은 감소된 해상도에서 판독 속도를 증가시키도록 함께 묶일 수 있다. 신호는 비디콘 튜브를 가지고 판독하는 것과 유사한 방식으로 타깃 전극에서 감지된다. 더 복잡한 다중 게이트 구조가 전자 빔을 조준하고, 초점을 마치고 제어하기 위해서 또한 이용가능하다. 게이트는 또한 그룹에서 어드레스가능하다.
전체 층의 스캔이 방사 영상에 의해 광도전체 층내에 유도된 전체 영상을 표시하는 일련의 출력 데이터를 만들기 위해서, 이미터 팁 배열의 게이트는 일 시에 1개 픽셀에 대응하는 광도전체 층의 면적에 전자를 향하도록 배열된다. 관습적으로, 게이트는 텔레비젼 튜브용으로 일반적인 것 처럼, 래스터(raster) 패턴에서 배열된다.
게이트에 대한 활성화 열(sequence)의 제어는 도 1에 블록(37)에 의해 표현되고, 감지기로부터 판독되는 데이터를 저장하는 메모리는 도 1에서 블록(38)에 의해 표현된다. 감지기는 또한 감광성 디바이스의 원도에 빛을 넣도록 동작하는 셔터(shutter)를 포함할 수 있다. 셔터는 도 1의 (39)에 표현된다. 셔텨의 활성화 및 타이밍, 팁 배열 제어 및 메모리는 제어기(40)에 의해 제어된다. 이런 다양한 소자는 기술된 것처럼 동작할 수 있는 그런 임의의 소자일 수 있다. 더구나, 다양한 기술이 전계 이미터 팁의 배열을 구현하는 데 공지되었다. 본 발명의 원리에 따른 검지기는 그런 기술로 실현될 수 있다. 필요한 모든 것은 전자의 개별적으로 제어된 소스의 각 배열이 광도전체 층의 표면상에서 대응하는 픽셀 위치로 진공을 가로질러 전자 스트림을 향하도록 놓여지는 것이다.
또한, 상당히 큰 면적의 감지기용으로, 평판 패널 디스플레이에서 이용된 유형의 스페이서는 감지기의 2표면간에 위치한 유니폼을 유지하도록 이용될 수 있다. X선 또는 감마선 응용용으로, 진공은 도 4의 (42)에 표시된 분리된 진공 원도에 의해 지탱될 수 있다. 윈도는 방사 영상을 간섭하지 않고 스페이서의 필요 없이 진공을 지탱하도록 충분히 강하게 만들어 질 수 있다.
저속 빔 얼라인먼트를 고려하기 때문에, 분리된 전계 메쉬는 도 5의 (50)에 표시된 것처럼 이용될 수 있다. 그런 메쉬는 잘 이해되고, 게이트 구조와 적분으로 만들어 질 수 있다. 통상적으로, 전계 메쉬는 더 복잡한 게이트 구조와 이용된다(미도시).
본 발명의 원리에 따른 평판 패널 영상 감지기의 실현은 타깃 전극에 결합된 부유 용량에 의해 궁극적으로 제한될 수 있다. 도 6은 용량 문제를 최소하하기 위해서 스트리프(60)내로 분할된 타깃 전극을 가진 평판 패널 영상 감지기를 설명한다.
미국 특허 출원 제 4,059,840호에 표시된 것처럼, 부유 용량을 감소시키기 위해 스트립된 전극이 공지되있다. 그러나 분할된 전극은 여기에 포함된 유형의 감지기에서 그런 전극의 이용을 제한하는 문제를 가진다. 문제는 타깃 전극에서 스플리트부근에서 광도전체 층의 진공측 표면에서 전극이 대체되었을 때 발생한다. 도 7은 도시된 것처럼 기저부위에 스트립된 전극 73a, 73b - - -을 가진 광도전체 층의 진공 표면(71)의 단면도를 도시한다. 도시된 것처럼, 전자가 대체되었을 때, 놓여진 전자로부터의 전기력은 광도전체층을 통해 투영하고, 타깃 전극(즉 용량 커플링)을 교차한다.
이런 커플링은 출력 신호인 타깃 전극에서 변위 전류를 강제한다. 용량 효과가 근접 전극을 교차하는 타깃 전극에서, 전자 빔이 스플리트에 접근할 때, 문제가 발생한다. 신호 또는 교차 커플링의 손실은 표준이 여기에 기술된 영상 센서용으로 비실용적인 전극 분할로 접근하도록 한다. 문제는 판독 설비를 바꿈으로써 극복된다.
도 8는 신호의 언급된 손실을 회피하면서 분할된 타깃 전극을 가지고 평판 패널 감지기로부터 데이터를 판독하는 구조를 설명한다. 특별히, 도 8은 다수의 스트라이트(80a, 90b, - - -)를 가진 타깃 전극(80)을 도시한다. 각 스트라이프는 많은 스캔 라인을 포함할 만큼 폭이 넓다. 근접한 스트라이프의 각 쌍은 도 8의 (82)에 표시된 것처럼, 전기적으로 함께 접속된다. 스트라이프의 각 쌍으로부터 일반적인 접속은 83a, 83b, - - -에 표시된 전치증폭기로 접속된다.
전자 빔 스캐닝은 스트라이프의 긴 치수에 관계한다. 스캐닝은 스트라이프사이에 갭이 존재하지 않는 것처럼 진행한다. 실질적으로, 갭은 통상적으로 빔 폭의 1/2 내지 1/4로 작다. 스캔은 신규 스트라이프내로 반 만큼 계속된다. 귀선(retrace) 또는 짧은 클록킹 간격동안, 이전에서, 제 1전극으로의 접속이 효과적으로 제거되고, 제 2 및 제 3전극은 스위칭에 의해 신규 전치증폭기(83b)로 함께 접속된다. 또한, 이런 방식으로 전치증폭기의 폴링(poling)을 배치함에 의해, 스트라이프는 언제나 쌍으로 접속되고, 그래서 전자 빔은 갭으로 접근하고, 결과적인 전기장은 전치 증폭기에서 양(both) 스트라이프에 의해 감지된다. 이는 스트라이프 구조의 실질적인 문제를 제거하고, 어떤 쌍 스트라이프 요소가 선택될 지라도, 부유 용량이 감소하는 이점을 준다. 짝지어진 분할된 전극 배열은 모든 광도전적인 전자 빔 판독 디바이스에 응용가능하지만, 특별히 넓은 면적의 X선에 민감한 광도전 감지기에 응용가능한 이점이 있다.
도 9에 도시된 것 처럼, 그것은 또한 평판 패널 냉 음극 전계 방출 감지기(FES)에 적용가능하다. 스트라이프의 이용은 부유 용량을 상당히 감소시킨다. 그러나 FES 구조에서, 그것은 도 9에 설명된 것처럼, 병렬로 판독할 수 있는 능력을 제공한다. 이는 FES 접근이 개별적인 음극이 동시에 동작되고 제어될 수 있는 다중 음극 배열을 가지기 때문에 성취된다. 그런 구조에서, 다중 전치 증폭기는 도 9의 고정 라인 90, 91, 및 92에 의해 표시된 것처럼, 전극 쌍에 접속된다.
스캐닝 과정은 아래와 같다. 음극의 게이트는 그들이 스트라이프를 거쳐 라인을 스캐닝하는 것처럼 배치된다. 각 쌍은 전극의 중심부에서 라인을 스캐닝하는 것을 개시한다. 스캐닝은 갭을 거쳐 각 쌍의 제 2전극으로 아래쪽으로 진행하고, 제 2전극의 중앙에 멈춘다. 이런 스캐닝동안, 모든 쌍은 개별적인 전치 증폭기 및 증폭기를 통해 디지털 프레임 그래빙 시스템(96)으로 병렬로 판독된다. 스캐닝 과정의 이런 시점에서, 각 쌍의 탑 전극은 각 쌍으로부터 전기적으로 비접속된다. 절선(93, 94 및 95)에 의해 표시된 것처럼, 각 쌍의 제 2전극은 아래 쌍의 상부 전극에 접속된다. 각 쌍의 저부 전극의 중앙에서 이미 멈추었던 스캐닝이 이제 계속된다. 이 시점에서, 전체 감지기 판독이 완결된다.
분할된 전극 배열은 임의의 실제적인 접속 및 다른 직렬 또는 병렬 판독을 위한 스위칭 메커니즘과 이용될 수 있다. 스트라이프 출력은 전치증폭기로 가기전에 아날로그 스위치와 스위치될 수 있다. 선택적으로, 각 스트라이프는 먼저 부착된 전치증폭기를 가질 수 있고, 전치 증폭기 뒤에서 스위칭이 발생할 수 있다. 스위칭 및 가산 증폭기의 임의의 조합이 또한 이용될 수 있다. 각 쌍의 각 스트라이프는 아날로그 및 디지털 변환기로 전치 증폭기를 거쳐 갈 수 있고, 예를 들어 디지털적으로 스위치된다.
병렬 판독 FES 접근의 이점은 상당히 중요하다.
1. 상당한 부유 용량 감소는 동적 범위를 증가시킨다. 이는 특별히 큰 영역용의 감지기용으로 이점이 있다. 부유 용량 감소의 바람직한 레벨을 획득하도록 임의의 수의 스트라이프가 이용될 수 있다.
2. 고 대역폭/고속 판독이 이루어진다.
3. FES 병렬 판독은 고속 및 고 해상도를 제공한다.
4. 빠른 판독은 비 병렬 판독 기술의 고 해상도 느린 스캔 판독용으로 필요한 광도전체의 저항 필요조건(즉 전하 축적 시간)을 감소시킨다.
5. X선 감마선 응용용으로, 감지기는 디지털 메모리에서 신호를 발생하도록 X선 노출동안 계속적으로 판독될 수 있다. 넓은 노출동안, 이는 해상도를 향상시키고 부수적인 전자 방출용으로 전위를 감소시키는 진공 표면 상에서 전압 스윙을 감소시킨다.

Claims (18)

  1. 제 1 및 제 2표면을 포한하는 하우징을 구비한 평판 패널 영상 감지기로서,
    상기 표면은 서로 평행이고 그 사이의 진공을 포함하고,
    상기 제 1표면은 방사를 위한 윈도를 포함하고,
    상기 윈도는 방사 투명한 전기 도전체의 층 및 상기 전기 도전체의 아래면 위에 놓여져서 여기에 전기적으로 결합되는 층으로 이루어져 있으며,
    상기 광도전체의 층은 상기 진공부에 직면한 표면을 갖고,
    상기 제 1표면은 다중 픽셀, 방사 영상을 수납하도록 놓여지고,
    상기 제 2표면은 전자 빔소스의 배열을 포함하고,
    상기 감지기는
    상기 전기 도전 층상의 전압을 압축하여 상기 광 도전체층에 걸쳐 바이어스 전계를 설정하는 수단,
    상기 영상의 연속적인 픽셀 위치에 대응하는 상기 광도전층 위에서 연속 전하를 방출시키는 방식으로 상기 전자 빔 소스를 활성화시키는 수단 및
    상기 전기 도전층에 접속되어, 상기 방전으로 발생된 신호를 판독하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1표면은 X선에 투명한 금속 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2표면에 평행인 평면에서 상기 진공내에 위치한 전계 메쉬를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2표면 유니폼사이에 진공을 유지하는 분리된 유리 윈도를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전기 도전하는 물질은 주석 산화물로 구성된 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 전기 도전하는 물질은 인듐 주석 산화물로 구성된 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 윈도는 알루미늄으로 구성된 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  8. 제 2항에 있어서,
    상기 윈도는 베릴늄으로 구성된 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 광도전층은 고저항의, 전기 절연인 물질로서, 그것의 표면으로 향한 입사 에너지 광자로 광도전되고, 그런 광자에 응답해서 전하 축전을 공급하는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 광도전체 층은 탈륨 브롬화물, 탈륨 요오드화물, 탈륨 브롬-요오드화물, 납 요오드화물, 납 브롬화물, 납 브롬-요오드화물, 셀레늄 및, 감광성 광도전체 물질에 반대인 세슘 요오드화물 또는 인같은 섬광을 발하는 물질의 혼합 샌드위치로 구성된 광도전체의 클래스로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  11. 제 1항에 있어서,
    전자 빔 소스의 상기 배열은 저계 방전 팁의 배열로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 전기 도전하는 층은 스트라이프로 분할되고,
    동작하기 위한 상기 수단은 상기 스트라이프의 장축을 따라서 스캔하고, 입사 방사 영상의 픽셀에 대응하는 상기 광도전체의 연속 영역을 방전하는 상기 스트라이프를 차례차례 스캔하는 방식으로 전자 빔을 제공하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 스트라이프의 근접한 것은 일반적인 증폭기에 쌍으로 접속되는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 전자 빔이 상기 제 1쌍의 제 2스트라이프의 중앙을 따라 스캐닝할 때, 증폭기의 제 1쌍으로부터 상기 쌍의 신규의 다음것으로 스위칭하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  15. 제 13항에 있어서,
    동작하기 위한 상기 수단은 상기 전자 빔 소스를 병렬로 동작하는 수단과 상기 증폭기를 병렬로 판독하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  16. 제 1 및 제 2표면을 갖는 하우징을 구비하는 평판 패널 영상 감지기로서,
    상기 평판은 서로 평행이고 그 사이의 진공부를 포함하고,
    상기 제 1표면은 방사를 위한 윈도를 포함하고,
    상기 윈도는 방사 투명한 전기 도전체의 층 및 상기 전기 도전 층의 아래쪽 위에 놓여져서 여기에 전기적으로 결합되는 광도전체의 층으로 이루어져 있으며,
    상기 광도전체층은 상기 진공부에 직면하는 표면을 갖고,
    상기 제 2표면은 전자 빔의 개별적인 소스의 배열을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 광도전체층을 가로질러 바이어스 전계를 만들기 위해 상기 전기 도전되는 층위에 전압을 인가하는 수단 및,
    상기 광도전체 표면을 스캔하도록 차례차례 상기 방전 팁을 활성화시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 영상 감지기.
  18. 제 1 및 제 2표면을 갖는 하우징을 구비하는 평판 패널 디바이스로서,
    상기 표면은 서로 평행이고 그 사이에 진공을 포함하고,
    상기 제 1표면은 방사를 위한 윈도를 포함하고,
    상기 윈도는 방사 투명한 전기 도전체의 층 및 상기 전기 도전 층의 아래면에 놓여져서 여기에 전기 결합되는 광도전체층으로 이루어져 있으며,
    상기 광도전체의 층은 상기 진공부에 직면한 표면을 갖고,
    상기 제 2표면은 전자의 소스의 배열을 포함하고,
    전기 도전하는 물질의 상기 층은 스트라이프내로 분할되고,
    상기 디바이스는
    다수의 증폭기,
    상기 증폭기의 관련된 1 개로 쌍으로 상기 스트라이프를 접속하는 수단 및,
    상기 증폭기로부터 선택적으로 데이터를 판독하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 디바이스.
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