KR102650613B1 - Electrostatic chuk system, apparatus for forming film, adsorption method, method for forming film, and manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Abstract
본 발명의 정전척 시스템은, 피흡착체를 흡착하기 위한 정전척 시스템으로서, 적어도 하나의 절결부가 설치된 정전척 플레이트부를 포함하며, 상기 정전척 플레이트부는, 상기 절결부와 이웃하는 제1 영역과, 상기 제1 영역보다 상기 절결부로부터 떨어지게 배치된 제2 영역을 가지며, 상기 정전 플레이트부의 상기 제1 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위 면적당 정전인력은, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위 면적당 정전인력보다 큰 것을 특징으로 한다.The electrostatic chuck system of the present invention is an electrostatic chuck system for adsorbing an adsorbent, and includes an electrostatic chuck plate portion provided with at least one cutout, wherein the electrostatic chuck plate portion includes a first region adjacent to the cutout; It has a second region disposed further away from the cutout than the first region, and the electrostatic attraction force per unit area with respect to the object to be absorbed in the first region of the electrostatic plate portion is the force of attraction per unit area to the object to be absorbed in the second region. It is characterized by being greater than the electrostatic force per unit area for .
Description
본 발명은 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an electrostatic chuck system, a film forming apparatus, an adsorption method, a film forming method, and a manufacturing method of an electronic device.
유기 EL 표시장치(유기 EL 디스플레이)의 제조에 있어서는, 유기 EL 표시장치를 구성하는 유기 발광소자(유기 EL 소자; OLED)를 형성할 때에, 성막장치의 증착원으로부터 증발한 증착재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써, 유기물층이나 금속층을 형성한다. In the production of an organic EL display device (organic EL display), when forming an organic light-emitting element (organic EL element; OLED) that constitutes an organic EL display device, a pixel pattern is formed using the deposition material evaporated from the deposition source of the film forming device. By depositing on the substrate through the formed mask, an organic material layer or a metal layer is formed.
상향 증착 방식(Depo-up)의 성막장치에 있어서, 증착원은 성막장치의 진공용기의 하부에 설치되고, 기판은 진공용기의 상부에 배치되며, 기판의 하면에 증착이 이루어진다. 이러한 상향 증착 방식의 성막장치의 진공용기 내에서, 기판은 그 하면의 주연부만이 기판홀더에 의해 보유 및 지지되기 때문에, 기판이 그 자중에 의해 처지며, 이것이 증착정밀도를 떨어뜨리는 하나의 요인이 되고 있다. 상향증착방식 이외의 방식의 성막장치에 있어서도, 기판의 자중에 의한 처짐은 발생할 가능성이 있다. In the upward deposition (depo-up) deposition apparatus, the deposition source is installed at the bottom of the vacuum vessel of the deposition apparatus, the substrate is placed on the upper part of the vacuum vessel, and deposition is performed on the lower surface of the substrate. In the vacuum container of this upward deposition type film forming apparatus, only the peripheral portion of the bottom of the substrate is held and supported by the substrate holder, so the substrate sag due to its own weight, which is a factor that reduces deposition precision. It is becoming. Even in film formation devices other than the upward deposition method, there is a possibility that sagging of the substrate may occur due to its own weight.
기판의 자중에 의한 처짐을 저감하기 위한 방법으로서 정전척을 사용하는 기술이 검토되고 있다. 즉, 기판의 상면을 그 전체에 걸쳐 정전척으로 흡착함으로써 기판의 처짐을 저감할 수 있다. Technology using an electrostatic chuck is being examined as a method to reduce sagging of the substrate due to its own weight. In other words, sagging of the substrate can be reduced by adsorbing the entire upper surface of the substrate with an electrostatic chuck.
특허문헌 1에는, 정전척으로 기판 및 마스크를 흡착하는 기술이 제안되어 있다.
그러나, 특허문헌 1에는, 정전척에 구멍과 같은 절결부가 설치되는 구성 및 이러한 구성에 있어서의 정전척의 흡착력 제어에 대해서는 개시가 없다. However,
본 발명은, 정전척에 절결부가 설치된 경우라도 피흡착체를 양호하게 정전척에 흡착하는 것을 목적으로 한다. The purpose of the present invention is to satisfactorily adsorb an object to be adsorbed onto an electrostatic chuck even when a notch is provided on the electrostatic chuck.
본 발명의 제1 양태에 따른 정전척 시스템은, 피흡착체를 흡착하기 위한 정전척 시스템으로서, 적어도 하나의 절결부가 설치된 정전척 플레이트부를 포함하며, 상기 정전척 플레이트부는, 상기 절결부와 이웃하는 제1 영역과, 상기 제1 영역보다 상기 절결부로부터 떨어지게 배치된 제2 영역을 가지며, 상기 정전 플레이트부의 상기 제1 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위 면적당 정전인력은, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위 면적당 정전인력보다 큰 것을 특징으로 한다.An electrostatic chuck system according to a first aspect of the present invention is an electrostatic chuck system for adsorbing an object to be absorbed, and includes an electrostatic chuck plate portion provided with at least one notch, wherein the electrostatic chuck plate portion is adjacent to the notch. It has a first area and a second area disposed farther away from the cutout than the first area, and the electrostatic attraction force per unit area with respect to the object to be absorbed in the first area of the electrostatic plate part is in the second area. It is characterized in that it is greater than the electrostatic attraction per unit area with respect to the adsorbed body.
본 발명의 제2 양태에 따른 정전척 시스템은, 피흡착체를 흡착하기 위한 정전척 시스템으로서, 복수의 전극부를 가지며, 적어도 하나의 절결부가 설치된 정전척 플레이트부와, 상기 복수의 전극부에의 전압의 인가를 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 제어부는, 상기 복수의 전극부 중 제1 전극부에 인가되는 전압이 상기 절결부로부터 상기 제1 전극부보다 멀리 떨어진 제2 전극부에 인가되는 전압보다 크도록 제어하는 것을 특징으로 한다. An electrostatic chuck system according to a second aspect of the present invention is an electrostatic chuck system for adsorbing an object to be absorbed, and has a plurality of electrode portions, an electrostatic chuck plate portion provided with at least one notch, and a portion of the plurality of electrode portions. It includes a control unit that controls the application of voltage, wherein the control unit determines that the voltage applied to the first electrode part among the plurality of electrode parts is the voltage applied to the second electrode part farther from the cutout than the first electrode part. It is characterized by controlling it to be larger.
본 발명의 제3 양태에 따른 성막장치는, 기판에 마스크를 통하여 성막을 행하기 위한 성막장치로서, 적어도 상기 기판을 흡착하기 위한 정전척 시스템을 포함하며, 상기 정전척 시스템은 본 발명의 제1 양태 또는 제2 양태에 따른 정전척 시스템인 것을 특징으로 한다. A film forming apparatus according to a third aspect of the present invention is a film forming apparatus for forming a film on a substrate through a mask, and includes at least an electrostatic chuck system for adsorbing the substrate, wherein the electrostatic chuck system is a film forming apparatus according to the first aspect of the present invention. It is characterized as an electrostatic chuck system according to the aspect or the second aspect.
본 발명의 제4 양태에 따른 흡착방법은, 적어도 하나의 절결부가 설치된 정전척 플레이트부를 포함하는 정전척에 피흡착체를 흡착시키는 방법으로서, 상기 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키는 흡착단계를 포함하고, 상기 흡착단계에서는, 상기 절결부와 이웃하는 제1 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위면적당의 정전인력이, 상기 제1 영역보다 상기 절결부로부터 떨어져 배치된 제2 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위면적당의 정전인력보다 큰 상태에서, 상기 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키는 것을 특징으로 한다. The adsorption method according to the fourth aspect of the present invention is a method of adsorbing an object to be absorbed to an electrostatic chuck including an electrostatic chuck plate portion provided with at least one cutout, and includes an adsorption step of adsorbing the object to be absorbed to the electrostatic chuck. In the adsorption step, the electrostatic attraction force per unit area for the adsorbed body in the first area adjacent to the cutout is generated in the second area disposed further away from the cutout than the first area. The method is characterized in that the object to be absorbed is adsorbed to the electrostatic chuck in a state that is greater than the electrostatic attraction force per unit area for the object to be absorbed.
본 발명의 제5 양태에 따른 흡착방법은, 복수의 전극부를 가지며, 적어도 하나의 절결부가 설치된 정전척 플레이트부를 포함하는 정전척에 피흡착체를 흡착시키는 방법으로서, 상기 복수의 전극부에 전압을 인가하여 상기 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키는 흡착단계를 포함하며, 상기 흡착단계에서는, 상기 복수의 전극부 중 제1 전극부에, 상기 절결부로부터 상기 제1 전극부보다 멀리 떨어진 제2 전극부보다 큰 전압을 인가하는 것을 특징으로 한다.The adsorption method according to the fifth aspect of the present invention is a method of adsorbing an object to be absorbed to an electrostatic chuck having a plurality of electrode parts and including an electrostatic chuck plate part provided with at least one notch, wherein a voltage is applied to the plurality of electrode parts. and an adsorption step of adsorbing the adsorption object to the electrostatic chuck, wherein in the adsorption step, a second electrode is placed on a first electrode part among the plurality of electrode parts and is further away from the cutout than the first electrode part. It is characterized by applying a voltage greater than negative.
본 발명의 제6 양태에 따른 성막방법은, 기판에 마스크를 통하여 증착재료를 성막하는 성막방법으로서, 진공용기 내로 마스크를 반입하는 단계와, 상기 진공용기 내로 기판을 반입하는 단계와, 적어도 하나의 절결부가 설치된 정전척 플레이트를 포함하는 정전척에 상기 기판을 흡착시키는 제1 흡착단계와, 상기 기판을 사이에 두고 상기 정전척에 상기 마스크를 흡착시키는 제2 흡착단계와, 상기 정전척에 상기 기판 및 상기 마스크가 흡착된 상태에서, 상기 증착재료를 방출시켜 상기 마스크를 통해 상기 기판에 상기 증착재료를 성막하는 단계를 포함하고, 상기 제1 흡착단계와 상기 제2 흡착단계 중 적어도 하나의 흡착단계에서는, 상기 절결부와 이웃하는 제1 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위면적당의 정전인력이, 상기 제1 영역보다 상기 절결부로부터 떨어져 배치된 제2 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위면적당의 정전인력보다 큰 상태에서, 상기 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키는 것을 특징으로 한다.A film forming method according to a sixth aspect of the present invention is a film forming method of depositing a deposition material on a substrate through a mask, comprising the steps of introducing a mask into a vacuum vessel, introducing a substrate into the vacuum vessel, and at least one A first adsorption step of adsorbing the substrate to an electrostatic chuck including an electrostatic chuck plate provided with a cutout, a second adsorption step of adsorbing the mask to the electrostatic chuck with the substrate interposed therebetween, and In a state in which the substrate and the mask are adsorbed, releasing the deposition material to form a film of the deposition material on the substrate through the mask, wherein at least one of the first adsorption step and the second adsorption step is performed. In the step, the electrostatic attraction force per unit area for the object to be absorbed in the first area adjacent to the cutout is applied to the object to be absorbed in the second area disposed further away from the cutout than the first area. The method is characterized in that the object to be absorbed is adsorbed to the electrostatic chuck in a state greater than the electrostatic attraction force per unit area.
본 발명의 제7 양태에 따른 성막방법은, 기판에 마스크를 통하여 증착재료를 성막하는 성막방법으로서, 진공용기 내로 마스크를 반입하는 단계와, 상기 진공용기 내로 기판을 반입하는 단계와, 적어도 하나의 절결부가 설치된 정전척 플레이트부를 포함하는 정전척의 복수의 전극부에 전압을 인가하여 상기 정전척에 상기 기판을 흡착시키는 제1 흡착단계와, 상기 정전척의 상기 복수의 전극부에 전압을 인가하여 상기 정전척에 상기 기판을 사이에 두고 상기 마스크를 흡착시키는 제2 흡착단계와, 상기 정전척에 상기 기판 및 상기 마스크가 흡착된 상태에서, 상기 증착재료를 방출시켜 상기 마스크를 통해 상기 기판에 상기 증착재료를 성막하는 단계를 포함하고, 상기 제1 흡착단계와 상기 제2 흡착단계 중 적어도 하나의 흡착단계에서는, 상기 복수의 전극부 중 제1 전극부에, 상기 절결부로부터 제1 전극부보다 멀리 떨어진 제2 전극부보다 큰 전압을 인가하는 것을 특징으로 한다. A film forming method according to a seventh aspect of the present invention is a film forming method of depositing a deposition material on a substrate through a mask, comprising the steps of introducing a mask into a vacuum vessel, introducing a substrate into the vacuum vessel, and at least one A first adsorption step of adsorbing the substrate to the electrostatic chuck by applying a voltage to a plurality of electrodes of an electrostatic chuck including an electrostatic chuck plate portion on which a cutout is installed, and applying a voltage to the plurality of electrodes of the electrostatic chuck to A second adsorption step of adsorbing the mask to an electrostatic chuck with the substrate in between, and releasing the deposition material while the substrate and the mask are adsorbed to the electrostatic chuck, thereby depositing the deposition material on the substrate through the mask. and forming a material into a film, wherein in at least one of the first adsorption step and the second adsorption step, the first electrode portion of the plurality of electrode portions is further away from the cutout than the first electrode portion. It is characterized in that a voltage greater than that of the separated second electrode portion is applied.
본 발명의 제8 양태에 따른 전자 디바이스의 제조방법은, 본 발명의 제6 또는 제7 양태에 따른 성막방법을 이용하여 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 한다.A method for manufacturing an electronic device according to the eighth aspect of the present invention is characterized in that the electronic device is manufactured using the film forming method according to the sixth or seventh aspect of the present invention.
본 발명에 의하면, 정전척에 절결부가 설치된 경우라도 피흡착체를 양호하게 정전척에 흡착할 수 있다.According to the present invention, the object to be absorbed can be satisfactorily adsorbed to the electrostatic chuck even when the notch is provided in the electrostatic chuck.
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치의 모식도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 정전척 시스템의 개념도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 정전척의 모식적 평면도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 정전척의 모식적 평면도이다.
도 4b 및 도 4c는 각각 도 4a의 AB 라인을 따라 절취한 정전척의 모식적 단면도이다.
도 5는 전자 디바이스를 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram of a portion of an electronic device manufacturing apparatus.
Figure 2 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
3A is a conceptual diagram of an electrostatic chuck system according to an embodiment of the present invention.
3B is a schematic plan view of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.
Figure 4A is a schematic plan view of an electrostatic chuck according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 4B and 4C are schematic cross-sectional views of an electrostatic chuck taken along line AB of FIG. 4A, respectively.
Figure 5 is a schematic diagram showing an electronic device.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples merely exemplify preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. In addition, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, processing flow, manufacturing conditions, size, material, shape, etc. are not intended to limit the scope of the present invention to these unless specifically stated. no.
본 발명은, 기판의 표면에 각종 재료를 퇴적시켜 성막을 행하는 장치에 적용할 수 있으며, 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다. 기판의 재료로는 유리, 고분자재료의 필름, 금속 등의 임의의 재료를 선택할 수 있고, 예컨대, 기판은 유리기판상에 폴리이미드 등의 필름이 적층된 기판이어도 된다. 또한 증착 재료로서도 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 이하의 설명에서 설명하는 진공증착장치 이외에도, 스퍼터 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 포함하는 성막장치에도, 본 발명을 적용할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 유기 전자 디바이스(예를 들면, 유기 EL 소자, 박막 태양 전지), 광학 부재 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 그 중에서도, 증착재료를 증발시켜 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써 유기 EL 소자를 형성하는 유기 EL 소자의 제조장치는, 본 발명의 바람직한 적용예의 하나이다.The present invention can be applied to an apparatus for forming a film by depositing various materials on the surface of a substrate, and can be suitably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) of a desired pattern by vacuum deposition. As the material of the substrate, any material such as glass, polymer film, or metal can be selected. For example, the substrate may be a substrate in which a film such as polyimide is laminated on a glass substrate. Additionally, as the deposition material, any material such as an organic material or a metallic material (metal, metal oxide, etc.) can be selected. In addition to the vacuum deposition device described in the description below, the present invention can also be applied to a film forming device including a sputter device or a CVD (Chemical Vapor Deposition) device. Specifically, the technology of the present invention is applicable to manufacturing equipment for organic electronic devices (for example, organic EL elements, thin film solar cells) and optical members. Among them, an organic EL device manufacturing apparatus that forms an organic EL device by evaporating an evaporation material and depositing it on a substrate through a mask is one of the preferred application examples of the present invention.
<전자 디바이스 제조 장치><Electronic device manufacturing equipment>
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 구성을 모식적으로 도시한 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a part of an electronic device manufacturing apparatus.
도 1의 제조 장치는, 예를 들면 스마트폰 용의 유기 EL 표시장치의 표시 패널의 제조에 이용된다. 스마트폰 용의 표시 패널의 경우, 예를 들면, 4.5세대의 기판(약 700 ㎜ × 약 900 ㎜)이나 6세대의 풀사이즈(약 1500 ㎜ × 약 1850 ㎜) 또는 하프컷 사이즈(약 1500 ㎜ × 약 925 ㎜)의 기판에 유기 EL 소자의 형성을 위한 성막을 행한 후, 해당 기판을 잘라 내어 복수의 작은 사이즈의 패널로 제작한다.The manufacturing apparatus in FIG. 1 is used, for example, to manufacture display panels of organic EL displays for smartphones. In the case of display panels for smartphones, for example, 4.5 generation substrates (approximately 700 mm After forming a film to form an organic EL element on a substrate of approximately 925 mm), the substrate is cut out and manufactured into a plurality of small-sized panels.
전자 디바이스 제조 장치는, 일반적으로 복수의 클러스터 장치(1)와, 클러스터 장치(1) 사이를 연결하는 중계장치를 포함한다.An electronic device manufacturing apparatus generally includes a plurality of cluster devices (1) and a relay device that connects the cluster devices (1).
클러스터 장치(1)는, 기판(S)에 대한 처리(예컨대, 성막)를 행하는 복수의 성막장치(11)와, 사용전후의 마스크(M)를 수납하는 복수의 마스크 스톡 장치(12)와, 그 중앙에 배치되는 반송실(13)을 구비한다. 반송실(13)은 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 성막장치(11) 및 마스크 스톡 장치(12) 각각과 접속된다.The
반송실(13) 내에는, 기판 및 마스크를 반송하는 반송 로봇(14)이 배치된다. 반송로봇(14)은, 상류측에 배치된 중계장치의 패스실(15)로부터 성막장치(11)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송로봇(14)은 성막장치(11)와 마스크 스톡 장치(12)간에 마스크(M)를 반송한다. 반송 로봇(14)은, 예를 들면, 다관절 아암에, 기판(S) 또는 마스크(M)를 보유지지하는 로봇 핸드가 장착된 구조를 갖는 로봇일 수 있다. Within the
성막장치(11)(증착 장치라고도 부름)에서는, 증착원에 수납된 증착재료가 히터에 의해 가열되어 증발하고, 마스크를 통해 기판상에 증착된다. 반송 로봇(14)과의 기판(S)의 주고받음, 기판(S)과 마스크(M)의 상대 위치의 조정(얼라인먼트), 마스크(M) 상으로의 기판(S)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 성막 프로세스는, 성막장치(11)에 의해 행해진다. In the film formation apparatus 11 (also called a deposition apparatus), the deposition material stored in the deposition source is heated by a heater, evaporates, and is deposited on the substrate through a mask. Transfer of the substrate S to and from the transfer robot 14, adjustment (alignment) of the relative positions of the substrate S and the mask M, fixation of the substrate S on the mask M, film formation (deposition) ), etc., are performed by the
마스크 스톡 장치(12)에는 성막장치(11)에서의 성막 공정에 사용될 새로운 마스크 및 사용이 끝난 마스크가 두 개의 카세트에 나뉘어져 수납된다. 반송 로봇(14)은, 사용이 끝난 마스크를 성막장치(11)로부터 마스크 스톡 장치(12)의 카세트로 반송하며, 마스크 스톡 장치(12)의 다른 카세트에 수납된 새로운 마스크를 성막장치(11)로 반송한다.In the
클러스터 장치(1)에는 기판(S)의 흐름방향으로 상류측으로부터의 기판(S)을 해당 클러스터 장치(1)로 전달하는 패스실(15)과, 해당 클러스터 장치(1)에서 성막처리가 완료된 기판(S)을 하류측의 다른 클러스터 장치로 전달하기 위한 버퍼실(16)이 연결된다. 반송실(13)의 반송 로봇(14)은 상류측의 패스실(15)로부터 기판(S)을 받아서, 해당 클러스터 장치(1) 내의 성막장치(11)중 하나(예컨대, 성막장치(11a))로 반송한다. 또한, 반송 로봇(14)은 해당 클러스터 장치(1)에서의 성막처리가 완료된 기판(S)을 복수의 성막장치(11) 중 하나(예컨대, 성막장치(11b))로부터 받아서, 하류측에 연결된 버퍼실(16)로 반송한다.The
버퍼실(16)과 패스실(15) 사이에는 기판의 방향을 바꾸어 주는 선회실(17)이 설치된다. 선회실(17)에는 버퍼실(16)로부터 기판(S)을 받아 기판(S)을 180도 회전시켜 패스실(15)로 반송하기 위한 반송 로봇(18)이 설치된다. 이를 통해, 상류측 클러스터 장치와 하류측 클러스터 장치에서 기판(S)의 방향이 동일하게 되어 기판 처리가 용이해진다. A turning
패스실(15), 버퍼실(16), 선회실(17)은 클러스터 장치 사이를 연결하는 소위 중계장치로서, 클러스터 장치의 상류측 및/또는 하류측에 설치된 중계장치는, 패스실, 버퍼실, 선회실 중 적어도 하나를 포함한다.The
성막장치(11), 마스크 스톡 장치(12), 반송실(13), 버퍼실(16), 선회실(17) 등은 유기발광 소자의 제조과정에서, 고진공상태로 유지된다. 패스실(15)은, 통상 저진공상태로 유지되나, 필요에 따라 고진공상태로 유지될 수도 있다.The
본 실시예에서는, 도 1을 참조하여, 전자 디바이스 제조 장치의 구성에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 종류의 장치나 챔버를 가질 수도 있으며, 이들 장치나 챔버간의 배치가 달라질 수도 있다.In this embodiment, the configuration of the electronic device manufacturing apparatus is described with reference to FIG. 1, but the present invention is not limited thereto, and may have other types of devices or chambers, and the arrangement between these devices or chambers may be different. there is.
이하, 성막장치(11)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, the specific configuration of the
<성막장치><Tabernacle equipment>
도 2는 성막장치(11)의 구성을 나타낸 모식도이다. 이하의 설명에 있어서는, 연직 방향을 Z 방향으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 사용한다. 성막 시에 기판(S)이 수평면(XY 평면)과 평행하게 고정될 경우, 기판(S)의 단변방향(단변에 평행한 방향)을 X 방향, 장변방향(장변에 평행한 방향)을 Y 방향으로 한다. 또 Z 축 주위의 회전각을 θ로 표시한다.FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the
성막장치(11)는, 진공 분위기 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되는 진공용기(21)와, 진공용기(21) 내에 설치되는 기판 지지 유닛(22)과, 마스크 지지 유닛(23)과, 정전척(24)과, 증착원(25)을 포함한다.The
기판 지지 유닛(22)은 반송실(13)에 설치된 반송 로봇(14)이 반송하여 온 기판(S)을 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 기판 홀더라고도 부른다.The substrate support unit 22 is a means for receiving and holding the substrate S transferred by the transfer robot 14 installed in the
기판 지지 유닛(22)의 아래에는 마스크 지지 유닛(23)이 설치된다. 마스크 지지 유닛(23)은, 반송실(13)에 설치된 반송로봇(14)이 반송하여 온 마스크(M)를 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 마스크 홀더라고도 부른다.A mask support unit 23 is installed below the substrate support unit 22. The mask support unit 23 is a means for receiving and holding the mask M transferred by the transfer robot 14 installed in the
마스크(M)는, 기판(S) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 가지며, 마스크 지지 유닛(23)상에 재치된다. 특히, 스마트폰용 유기 EL 소자를 제조하는데 사용되는 마스크는 미세한 개구패턴이 형성된 금속제 마스크로서, FMM(Fine Metal Mask)이라고도 부른다.The mask M has an opening pattern corresponding to the thin film pattern to be formed on the substrate S, and is placed on the mask support unit 23. In particular, the mask used to manufacture organic EL devices for smartphones is a metal mask with a fine opening pattern, and is also called a FMM (Fine Metal Mask).
기판 지지 유닛(22)의 상방에는 기판 및/또는 마스크를 정전 인력에 의해 흡착하여 고정하기 위한 정전척(24)이 설치된다. 즉, 정전척(24)은 성막전에 기판(S, 제1 피흡착체)을 흡착하여 보유지지하며, 실시형태에 따라서는 기판(S)너머로 마스크(M, 제2 피흡착체)도 흡착하여 보유지지하여도 된다. 그 후, 예컨대, 정전척(24)으로 기판(S)과 마스크(M)를 보유지지한 상태에서 성막을 행하며, 성막을 완료한 후에는 기판(S)과 마스크(M)에 대한 정전척(24)에 의한 보유지지를 해제한다.An electrostatic chuck 24 is installed above the substrate support unit 22 to adsorb and secure the substrate and/or mask by electrostatic attraction. That is, the electrostatic chuck 24 adsorbs and holds the substrate (S, the first object to be absorbed) before film formation, and depending on the embodiment, also adsorbs and holds the mask (M, the second object to be absorbed) beyond the substrate S. You can do it. Thereafter, for example, film formation is performed while the substrate S and the mask M are held by an electrostatic chuck 24, and after film formation is completed, the electrostatic chuck ( 24), the holding support is lifted.
정전척(24)은 유전체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스 내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조를 갖는다. 정전척(24)은, 쿨롱력 타입의 정전척이어도 되고, 존슨-라벡력 타입의 정전척이어도 되며, 그래디언트력 타입의 정전척이어도 된다. 정전척(24)은, 그래디언트력 타입의 정전척인 것이 바람직하다. 정전척(24)을 그래디언트력 타입의 정전척으로 함으로써, 기판(S)이 절연성 기판인 경우라도, 정전척(24)에 의해 양호하게 흡착될 수 있다. 정전척(24)이 쿨롱력 타입의 정전척인 경우에는, 금속전극에 플러스(+) 및 마이너스(-)의 전위가 인가되면, 유전체 매트릭스를 통해 기판(S)과 같은 피흡착체에 금속 전극과 반대극성의 분극전하가 유도되며, 이들간의 정전 인력에 의해 기판(S)이 정전척(24)에 흡착 고정된다. The electrostatic chuck 24 has a structure in which electric circuits such as metal electrodes are embedded in a dielectric (eg, ceramic material) matrix. The electrostatic chuck 24 may be a Coulomb force type electrostatic chuck, a Johnson-Rabeck force type electrostatic chuck, or a gradient force type electrostatic chuck. The electrostatic chuck 24 is preferably a gradient force type electrostatic chuck. By using the electrostatic chuck 24 as a gradient force type electrostatic chuck, even when the substrate S is an insulating substrate, it can be satisfactorily adsorbed by the electrostatic chuck 24 . When the electrostatic chuck 24 is a Coulomb force type electrostatic chuck, when positive (+) and negative (-) potentials are applied to the metal electrode, the metal electrode and the adsorption object such as the substrate S are connected through the dielectric matrix. Polarization charges of opposite polarity are induced, and the substrate S is adsorbed and fixed to the electrostatic chuck 24 by electrostatic attraction between them.
정전척(24)은 하나의 플레이트로 형성되어도 되고, 복수의 서브플레이트를 가지도록 형성되어도 된다. 또한, 하나의 플레이트로 형성되는 경우에도 그 내부에 복수의 전기회로를 포함하여, 하나의 플레이트 내에서 위치에 따라 정전인력이 다르도록 제어할 수도 있다.The electrostatic chuck 24 may be formed as one plate or may be formed to have a plurality of subplates. In addition, even when it is formed as a single plate, a plurality of electric circuits can be included therein, so that the electrostatic force can be controlled to vary depending on the position within the single plate.
정전척(24)에는 하나 이상의 절결부(예컨대, 구멍)이 플레이트를 관통하도록 형성된다. 절결부는 예컨대, 기판(S)이나 마스크(M)에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크가 보이도록 하기 위한 얼라인먼트용 구멍이어도 되며, 정전척(24) 및 기판(S) 사이의 흡착도나 기판(S)과 마스크(M) 사이의 흡착 정도를 확인하기 위한 밀착도확인용 구멍이어도 된다. 얼라인먼트용 구멍은 예컨대, 장방형의 정전척 플레이트의 대각선 방향의 2개의 코너부 또는 4개의 코너부 전체에 각각 설치된다. 실시형태에 따라서는 대향하는 한 쌍의 변(예컨대, 단변)의 중앙에도 각각 얼라이먼트용 구멍이 추가로 설치되어 있어도 된다. 밀착도확인용 구멍은, 예컨대 정전척 플레이트의 중앙부를 관통하도록 뚫려 있어도 되고, 실시형태에 따라서는, 장방형의 정전척(24)의 대향하는 한쌍의 변(예컨대, 단변 또는 장변)의 중앙부에 설치되어도 된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 절결부는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다른 위치나 개수로 설치될 수 있다.The electrostatic chuck 24 has one or more cutouts (eg, holes) formed to penetrate the plate. For example, the cutout may be an alignment hole for making the alignment mark formed on the substrate S or the mask M visible, and may be an alignment hole for the degree of adsorption between the electrostatic chuck 24 and the substrate S or between the substrate S and the mask M. It may be a hole for checking adhesion to check the degree of adsorption between masks (M). Alignment holes are provided, for example, at two diagonal corners or all four corners of a rectangular electrostatic chuck plate. Depending on the embodiment, an alignment hole may be additionally provided in the center of a pair of opposing sides (for example, short sides). The adhesion confirmation hole may be, for example, drilled through the center of the electrostatic chuck plate, or, depending on the embodiment, may be provided in the center of a pair of opposing sides (e.g., short side or long side) of the rectangular electrostatic chuck 24. do. However, the present invention is not limited to this, and the notches may be installed in different positions or numbers within the scope of the technical idea of the present invention.
본 실시형태에서는 후술하는 바와 같이, 구멍에 이웃하는 정전척 플레이트의 일 영역(제1 영역)은, 제1 영역보다 구멍으로부터 멀리 떨어진 다른 영역(제2 영역)보다 단위면적당 정전인력이 크도록 정전척(24)이 구성된다. 본 실시형태에서는, 정전척(24)의 복수의 전극부 중 구멍(H)에 이웃하는 일 전극부(제1 전극부)에는, 제1 전극부보다 구멍(H)으로부터 멀리 떨어진 다른 전극부(제2 전극부)보다 큰 전압이 인가되도록 제어될 수도 있다. In this embodiment, as will be described later, one region (first region) of the electrostatic chuck plate adjacent to the hole is electrostatically operated such that the electrostatic attraction force per unit area is greater than that of another region (second region) farther away from the hole than the first region. Chuck (24) is made up. In this embodiment, among the plurality of electrode parts of the electrostatic chuck 24, one electrode part (the first electrode part) adjacent to the hole H is provided with another electrode part farther from the hole H than the first electrode part. It may be controlled so that a voltage greater than the second electrode portion) is applied.
이에 의하여, 제1 영역 (또는 제1 전극부)은 제2 영역 (또는 제2 전극부)에 비하여 상대적으로 강한 단위면적당 흡착력을 기판(S)이나 마스크(M)에 가한다. 따라서, 정전척(24)의 제1 영역 (또는 제1 전극부)에 구멍(H)이 이웃하여도, 제1 영역 (또는 제1 전극부)에 대응하는 기판(S)이나 마스크(M)의 부분(예컨대, 4개의 코너부 및/또는 중앙부)의 정전척(24)에의 밀착도를 높일 수 있다. 그 결과, 정전척(24)의 일부 위치에 구멍이 형성되어 있더라도, 기판(S)이나 마스크(M)는 전체적으로 양호하게 정전척(24)에 흡착될 수 있다.Accordingly, the first region (or first electrode portion) applies a relatively stronger adsorption force per unit area to the substrate S or mask M than the second region (or second electrode portion). Therefore, even if the hole H is adjacent to the first region (or first electrode portion) of the electrostatic chuck 24, the substrate S or mask M corresponding to the first region (or first electrode portion) The adhesion of the portion (for example, the four corners and/or the center portion) to the electrostatic chuck 24 can be increased. As a result, even if a hole is formed in some positions of the electrostatic chuck 24, the substrate S or the mask M can be well adsorbed to the electrostatic chuck 24 as a whole.
도 2에 도시하지 않았으나, 정전척(24)의 흡착면과는 반대측에 기판(S)의 온도 상승을 억제하는 냉각기구(예컨대, 냉각판)를 설치함으로써, 기판(S)상에 퇴적된 유기재료의 변질이나 열화를 억제하는 구성으로 하여도 된다.Although not shown in FIG. 2, by installing a cooling mechanism (e.g., a cooling plate) to suppress the temperature rise of the substrate S on the side opposite to the adsorption surface of the electrostatic chuck 24, the organic matter deposited on the substrate S is removed. It may be configured to suppress deterioration or deterioration of the material.
증착원(25)은 기판에 성막될 증착 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시), 증착원으로부터의 증발 레이트가 일정해질 때까지 증착재료가 기판으로 비산하는 것을 막는 셔터(미도시) 등을 포함한다. 증착원(25)은 점(point) 증착원이나 선형(linear) 증착원 등, 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다. The deposition source 25 includes a crucible (not shown) that stores the deposition material to be formed on the substrate, a heater (not shown) to heat the crucible, and a device that causes the deposition material to scatter onto the substrate until the evaporation rate from the deposition source becomes constant. Includes a shutter (not shown) that prevents The deposition source 25 may have various configurations depending on the purpose, such as a point deposition source or a linear deposition source.
도 2에 도시하지 않았으나, 성막장치(11)는 기판에 증착된 막두께를 측정하기 위한 막두께 모니터(미도시) 및 막두께 산출 유닛(미도시)를 포함한다. Although not shown in FIG. 2, the
진공용기(21)의 상부 외측(대기측)에는 기판 Z 액츄에이터(26), 마스크 Z 액츄에이터(27), 정전척 Z 액츄에이터(28), 위치조정기구(29) 등이 설치된다. 이들 액츄에이터와 위치조정장치는, 예컨대, 모터와 볼나사, 또는 모터와 리니어가이드 등으로 구성된다. 기판 Z 액츄에이터(26)는, 기판 지지 유닛(22)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 마스크 Z 액츄에이터(27)는, 마스크 지지 유닛(23)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 정전척 Z 액츄에이터(28)는, 정전척(24)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. A substrate Z actuator 26, a mask Z actuator 27, an electrostatic chuck Z actuator 28, a position adjustment mechanism 29, etc. are installed on the upper outer side (atmosphere side) of the vacuum container 21. These actuators and position adjusting devices are composed of, for example, a motor and a ball screw, or a motor and a linear guide. The substrate Z actuator 26 is a driving means for raising and lowering (moving in the Z direction) the substrate support unit 22. The mask Z actuator 27 is a driving means for raising and lowering (moving in the Z direction) the mask support unit 23. The electrostatic chuck Z actuator 28 is a driving means for raising and lowering (moving in the Z direction) the electrostatic chuck 24.
위치조정기구(29)는, 정전척(24)의 얼라인먼트를 위한 구동수단이다. 위치조정기구(29)는, 정전척(24) 전체를 기판 지지 유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)에 대하여, X방향 이동, Y방향 이동, θ회전시킨다. 본 실시형태에서는, 기판(S)을 흡착한 상태에서, 정전척(24)을 XYθ방향으로 위치조정함으로써, 기판(S)과 마스크(M)의 상대적 위치를 조정하는 얼라인먼트를 행한다.The position adjustment mechanism 29 is a driving means for alignment of the electrostatic chuck 24. The position adjustment mechanism 29 moves the entire electrostatic chuck 24 in the X direction, moves in the Y direction, and rotates θ with respect to the substrate support unit 22 and the mask support unit 23. In this embodiment, alignment of the relative positions of the substrate S and the mask M is performed by adjusting the position of the electrostatic chuck 24 in the XYθ direction while the substrate S is adsorbed.
진공용기(21)의 외측상면에는, 전술한 구동기구 이외에, 진공용기(21)의 상면에 설치된 투명창과 정전척(24)에 설치된 얼라인먼트용 구멍을 통해 기판(S) 및 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하기 위한 얼라인먼트용 카메라(20)를 설치하여도 된다. 본 실시예에 있어서는, 얼라인먼트용 카메라(20)는, 직사각형의 기판(S), 마스크(M) 및 정전척(24)의 대각선에 대응하는 위치 또는 직사각형의 4개의 코너부에 대응하는 위치에 설치하여도 된다.On the outer upper surface of the vacuum container 21, in addition to the above-described driving mechanism, a transparent window installed on the upper surface of the vacuum container 21 and an alignment hole provided in the electrostatic chuck 24 are formed on the substrate S and the mask M. An alignment camera 20 may be installed to photograph the alignment mark. In this embodiment, the alignment camera 20 is installed at a position corresponding to the diagonal of the rectangular substrate S, mask M, and electrostatic chuck 24 or at a position corresponding to the four corners of the rectangular shape. You can do it.
본 실시형태의 성막장치(11)에 설치되는 얼라인먼트용 카메라(20)는, 기판(S)과 마스크(M)의 상대적 위치를 고정밀도로 조정하는데 사용되는 파인 얼라인먼트용 카메라이며, 그 시야각은 좁지만 고해상도를 가지는 카메라이다. 성막장치(11)는 파인 얼라인먼트용 카메라(20) 이외에 상대적으로 시야각이 넓고 저해상도인 러프 얼라인먼트용 카메라를 포함하여도 된다.The alignment camera 20 installed in the
위치조정기구(29)는 얼라인먼트용 카메라(20)에 의해 취득한 기판(S, 제1 피흡착체)과 마스크(M, 제2 피흡착체)의 위치정보에 기초하여, 기판(S, 제1 피흡착체)과 마스크(M, 제2 피흡착체)를 상대적으로 이동시켜 위치를 조정하는 얼라인먼트를 행한다.The position adjustment mechanism 29 operates on the substrate (S, the first object to be absorbed) based on the positional information of the substrate (S, the first object to be absorbed) and the mask (M, the second object to be absorbed) obtained by the alignment camera 20. ) and the mask (M, the second adsorbed body) are relatively moved to perform alignment to adjust the position.
도면에 도시되어 있지는 않지만, 진공용기(21)의 외측상면에는 진공용기(21)의 상면에 설치된 투명창과 정전척(24)에 뚫려 있는 밀착도확인용 구멍(H)을 통해 기판(S) 및/또는 마스크(M)의 밀착도를 확인하기 위한 밀착도확인용 카메라를 설치하여도 된다. 밀착도확인용 카메라는 밀착도 확인용 구멍(H)이 뚫려 있는 정전척(24)의 중앙부에 대응하는 위치에 설치하여도 되지만, 기판(S) 및/또는 마스크(M)에서 밀착도 확인이 필요한 다른 위치, 예컨대 정전척(24)의 장변 또는 단변의 중앙부에 대응하는 위치에 설치하여도 된다.Although not shown in the drawing, the outer upper surface of the vacuum container 21 is exposed to the substrate (S) and Alternatively, an adhesion confirmation camera may be installed to check the adhesion of the mask M. The adhesion confirmation camera may be installed in a position corresponding to the center of the electrostatic chuck 24 where the adhesion confirmation hole (H) is opened, but adhesion confirmation on the substrate (S) and/or mask (M) is required. It may be installed at another location, for example, a location corresponding to the center of the long side or short side of the electrostatic chuck 24.
성막장치(11)는 제어부(40)를 구비한다. 제어부는 기판(S)의 반송 및 얼라인먼트, 증착원(25)의 제어, 성막의 제어 등의 기능을 갖는다. 제어부(40)는 또한 정전척(24)에의 전압의 인가를 제어하는 기능, 즉 후술하는 도 3a의 전압 제어부(32)의 기능을 가질 수 있다.The
제어부(40)는 예를 들면, 프로세서, 메모리, 스토리지, I/O 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성 가능하다. 이 경우, 제어부(40)의 기능은 메모리 또는 스토리지에 기억된 프로그램을 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 컴퓨터로서는 범용의 퍼스널 컴퓨터를 사용하여도 되고, 임베디드형의 컴퓨터 또는 PLC(programmable logic controller)를 사용하여도 좋다. 또는, 제어부(40)의 기능의 일부 또는 전부를 ASIC나 FPGA와 같은 회로로 구성하여도 좋다. 또한, 성막장치별로 제어부가 설치되어도 되고, 하나의 제어부가 복수의 성막장치를 제어하는 것으로 구성하여도 된다.The control unit 40 can be configured by, for example, a computer having a processor, memory, storage, I/O, etc. In this case, the function of the control unit 40 is realized by the processor executing a program stored in memory or storage. As a computer, a general-purpose personal computer may be used, an embedded computer, or a PLC (programmable logic controller) may be used. Alternatively, part or all of the functions of the control unit 40 may be configured with a circuit such as ASIC or FPGA. Additionally, a control unit may be installed for each film forming apparatus, or one control unit may be configured to control a plurality of film forming apparatuses.
<정전척 시스템 및 흡착방법><Electrostatic chuck system and adsorption method>
도 3a, 도 3b, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 본 실시형태에 따른 정전척 시스템(30) 및 흡착방법에 대하여 설명한다. The electrostatic chuck system 30 and the adsorption method according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 3A, 3B, and 4A to 4C.
도 3a는 본 실시형태의 정전척 시스템(30)의 개념적인 블록도이고, 도 3b는 정전척(24)의 모식적 평면도이다. 그리고 도 4a는 일 실시형태에 따른 정전척(24)의 구성을 설명하기 위한 모식적 평면도이고, 도 4b 및 도 4c는 각각 도 4a의 정전척(24)을 AB 선을 따라 절취한 모식적 단면도이다.FIG. 3A is a conceptual block diagram of the electrostatic chuck system 30 of this embodiment, and FIG. 3B is a schematic plan view of the electrostatic chuck 24. And FIG. 4A is a schematic plan view for explaining the configuration of the electrostatic chuck 24 according to an embodiment, and FIGS. 4B and 4C are schematic cross-sectional views of the electrostatic chuck 24 of FIG. 4A cut along line AB, respectively. am.
본 실시형태의 정전척 시스템(30)은, 도 3a에 도시된 바와 같이, 정전척(24), 전압 인가부(31) 및 전압 제어부(32)를 포함한다.The electrostatic chuck system 30 of this embodiment includes an electrostatic chuck 24, a
전압 인가부(31)는, 정전척(24)의 전극부에 정전인력을 발생시키기 위한 전압을 인가한다.The
전압 제어부(32)는, 정전척 시스템(30)의 흡착공정 또는 성막장치(11)의 성막 프로세스의 진행에 따라 전압 인가부(31)로부터 전극부에 가해지는 전압의 크기, 전압의 인가 개시 시점, 전압의 유지 시간, 전압의 인가 순서 등을 제어한다. 전압 제어부(32)는 예컨대, 정전척(24)의 전극부에 포함되는 복수의 서브 전극부(241 ~ 249)에의 전압 인가를 서브 전극부별로 독립적으로 제어할 수 있다. 본 실시형태에서는, 전압 제어부(32)가 성막장치(11)의 제어부(40)와 별도로 구현되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 성막장치(11)의 제어부(40)에 통합되어도 된다.The voltage control unit 32 determines the magnitude of the voltage applied to the electrode unit from the
정전척(24)은 유전체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스 내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조의 정전척 플레이트부(240)를 포함한다. The electrostatic chuck 24 includes an electrostatic chuck plate portion 240 having an electric circuit such as a metal electrode embedded in a dielectric (eg, ceramic material) matrix.
정전척 플레이트부(240)는 전극부(240a)와 유전체부(240b)을 포함한다. 전극부(240a)는 전압 인가부(31)에 의한 전압의 인가에 의하여 흡착면에 피흡착체(예컨대, 기판(S), 마스크(M))를 흡착시키기 위한 흡착력을 발생시킨다. 그리고 유전체부(240b)는 하나 이상의 유전체 물질로 형성되어서, 적어도 전극부(240a)와 상기 흡착면 사이에 개재된다. 정전척 플레이트부(240)는 기판(S)의 형상에 대응하는 형상, 예컨대, 장방형의 형상을 가져도 된다. The electrostatic chuck plate portion 240 includes an electrode portion 240a and a dielectric portion 240b. The electrode unit 240a generates an adsorption force for adsorbing a target object (e.g., substrate S, mask M) to the adsorption surface by application of voltage by the
정전척 플레이트부(240)에는 하나 이상의 구멍(H)이 수직 방향으로 관통하도록 형성되어 있다. 구멍(H)이 관통하는 부분에는 전극부가 형성되지 않는다. 구멍(H)은 아무것도 채워지지 않은 빈 공간이어도 되며, 실시형태에 따라서는 구멍(H)에 투명한 절연성 물질이 채워져 있어도 된다. 구멍(H)은, 예컨대 정전척(24)의 4개의 코너부에 설치된 얼라인먼트용 구멍 및/또는 정전척(24)의 중앙부에 설치된 밀착도확인용 구멍을 포함할 수 있다.One or more holes H are formed to penetrate the electrostatic chuck plate portion 240 in the vertical direction. An electrode portion is not formed in the portion where the hole H penetrates. The hole H may be an empty space that is not filled with anything, and depending on the embodiment, the hole H may be filled with a transparent insulating material. The hole H may include, for example, an alignment hole provided at four corners of the electrostatic chuck 24 and/or an adhesion confirmation hole provided at the center of the electrostatic chuck 24.
도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 전극부(240a)는 복수의 서브전극부(241 ~ 249)를 포함할 수 있다. 예컨대, 본 실시형태의 전극부(240a)는, 정전척 플레이트부(240)의 장변과 평행한 방향(Y방향) 및/또는 정전척 플레이트부(240)의 단변과 평행한 방향(X방향)을 따라 분할된 복수의 서브 전극부(241 내지 249)를 포함해도 된다. 도 3b에는 복수의 서브 전극부(241 내지 249)가, 정전척 플레이트부(240)의 전면에 있어서, 전극밀도가 균일하게 설치되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 구멍(H)에 인접한지 여부에 따라서 영역별(흡착부별)로 전극밀도가 다르게 설치될 수도 있다.As shown in FIGS. 3A and 3B, the electrode unit 240a may include a plurality of sub-electrode units 241 to 249. For example, the electrode portion 240a of this embodiment is oriented in a direction parallel to the long side of the electrostatic chuck plate portion 240 (Y direction) and/or in a direction parallel to the short side of the electrostatic chuck plate portion 240 (X direction). It may also include a plurality of sub-electrode portions 241 to 249 divided along . In FIG. 3B, the plurality of sub-electrode units 241 to 249 are shown to be installed at a uniform electrode density on the front surface of the electrostatic chuck plate unit 240, but the electrode density varies depending on whether or not they are adjacent to the hole H. Electrode densities may be installed differently for each area (adsorption unit).
각 서브 전극부는 정전흡착력을 발생시키기 위해 플러스(제1 극성) 및 마이너스(제2 극성)의 전위가 인가되는 전극쌍(33)을 포함한다. 예컨대, 각각의 전극쌍(33)은 플러스 전위가 인가되는 제1 전극(331)과 마이너스 전위가 인가되는 제2 전극(332)를 포함한다. Each sub-electrode unit includes an electrode pair 33 to which positive (first polarity) and negative (second polarity) potentials are applied to generate electrostatic attraction force. For example, each electrode pair 33 includes a first electrode 331 to which a positive potential is applied and a second electrode 332 to which a negative potential is applied.
제1 전극(331) 및 제2 전극(332)은, 도 3b에 도시한 바와 같이, 각각 빗형상을 가진다. 예컨대, 제1 전극(331) 및 제2 전극(332)은 각각 복수의 빗살부 및 복수의 빗살부가 연결되는 기부(基部)를 가진다. 각 전극(331, 332)의 기부는 복수의 빗살부에 전위를 공급하며, 복수의 빗살부는 피흡착체와의 사이에서 정전흡착력을 발생시킨다. 하나의 서브 전극부 내에서 제1 전극(331)의 빗살부 각각은 제2 전극(332)의 빗살부 각각과 대향하도록 교대로 배치된다. 이처럼, 각 전극(331, 332)의 각 빗살부가 대향하고 또한 서로 얽힌 구성으로 함으로써, 다른 전위가 인가된 전극간의 간격을 좁힐 수 있고, 커다란 불평등 전계를 형성하여, 그래디언트력에 의해 기판(S)을 흡착할 수 있다.The first electrode 331 and the second electrode 332 each have a comb shape, as shown in FIG. 3B. For example, the first electrode 331 and the second electrode 332 each have a plurality of comb teeth and a base to which the plurality of comb teeth are connected. The base of each electrode 331, 332 supplies electric potential to a plurality of comb teeth, and the plurality of comb teeth generate an electrostatic adsorption force between the plurality of comb teeth and the object to be absorbed. Within one sub-electrode unit, each of the comb teeth of the first electrode 331 is alternately arranged to face each of the comb teeth of the second electrode 332. In this way, by having the comb teeth of each electrode 331 and 332 facing each other and intertwined with each other, the gap between the electrodes to which different potentials are applied can be narrowed, and a large unequal electric field is formed, which causes the substrate S to be moved by the gradient force. can be adsorbed.
본 실시예에서는, 정전척(24)의 서브 전극부(241 ~ 249)의 각 전극(331, 332)이 빗형상을 가지는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 피흡착체와의 사이에서 정전인력을 발생시킬 수 있는 한, 다양한 형상을 가질 수 있다. In this embodiment, each electrode 331 and 332 of the sub-electrode portions 241 to 249 of the electrostatic chuck 24 is described as having a comb shape, but the present invention is not limited to this and the It can have various shapes as long as it can generate electrostatic attraction.
본 실시형태의 정전척(24)은 복수의 서브 전극부에 대응하는 복수의 흡착부를 가진다. 예컨대, 본 실시예의 정전척(24)은, 도 3b에 도시된 바와 같이, 9개의 서브 전극부(241 ~ 249)에 대응하는 9개의 흡착부(141 ~ 149)를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(S) 및/또는 마스크(M)의 흡착을 보다 정밀하게 제어하기 위해, 이와 다른 개수의 흡착부를 가질 수도 있다. The electrostatic chuck 24 of this embodiment has a plurality of adsorption portions corresponding to a plurality of sub-electrode portions. For example, the electrostatic chuck 24 of this embodiment may have nine adsorption units 141 to 149 corresponding to nine sub-electrode units 241 to 249, as shown in FIG. 3B, but is limited thereto. However, in order to more precisely control the adsorption of the substrate S and/or the mask M, it may have a different number of adsorption units.
흡착부는 정전척(24)의 장변 방향(Y축 방향) 및 단변 방향(X축 방향)으로 분할되도록 설치될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)의 장변 방향 또는 단변 방향으로만 분할될 수도 있다. 복수의 흡착부는, 물리적으로 하나인 플레이트가 복수의 전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있고, 물리적으로 분할된 복수의 플레이트 각각이 하나 또는 그 이상의 전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있다.The adsorption unit may be installed to be divided into the long side direction (Y-axis direction) and the short side direction (X-axis direction) of the electrostatic chuck 24, but is not limited to this, and is divided only into the long side direction or the short side direction of the electrostatic chuck 24. It could be. The plurality of adsorption units may be implemented by physically having one plate having a plurality of electrode units, or by having a plurality of physically divided plates each having one or more electrode units.
도 3b에 도시한 실시예에 있어서, 복수의 흡착부 각각이 복수의 서브 전극부 각각에 대응하도록 구현할 수 있으나, 하나의 흡착부가 복수의 서브 전극부를 포함하도록 구현할 수도 있다.In the embodiment shown in FIG. 3B, each of the plurality of adsorption units may be implemented to correspond to each of a plurality of sub-electrode units, but one adsorption unit may be implemented to include a plurality of sub-electrode units.
예컨대, 전압 제어부(32)에 의한 서브 전극부(241 ~ 249)에의 전압의 인가를 제어함으로써, 후술하는 바와 같이, 기판(S)의 흡착진행 방향(X 방향)과 교차하는 방향(Y방향)으로 배치된 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 하나의 흡착부를 이루도록 할 수 있다. 즉, 3개의 서브 전극부(241, 244, 247) 각각은 독립적으로 전압 제어가 가능하지만, 이들 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)에 동시에 전압이 인가되도록 제어함으로써, 이들 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 하나의 흡착부로서 기능하게 할 수 있다. 복수의 흡착부 각각에 독립적으로 기판 흡착이 이루어질 수 있는 한, 그 구체적인 물리적 구조 및 전기회로적 구조는 다를 수 있다. For example, by controlling the application of voltage to the sub-electrode portions 241 to 249 by the voltage control unit 32, the direction (Y direction) intersecting the adsorption progress direction (X direction) of the substrate S, as described later. The three sub-electrode units 241, 244, and 247 arranged as follows can form one adsorption unit. That is, each of the three sub-electrode parts 241, 244, and 247 can be independently controlled by voltage, but by controlling the voltage to be applied to these three sub-electrode parts 241, 244, and 247 at the same time, these three sub-electrode parts 241, 244, and 247 are controlled to apply voltage simultaneously. The electrode units 241, 244, and 247 can function as one adsorption unit. As long as the substrate can be adsorbed independently on each of the plurality of adsorption units, the specific physical structure and electrical circuit structure may be different.
본 발명 실시형태에 의하면, 정전척 플레이트부(240)는, 구멍(H)에 이웃한 제1 영역(101, 101a, 101b)에서의 기판(S)에 대한 면적당 정전인력이 제1 영역(101, 101a, 101b) 이외의 영역, 즉 제1 영역(101, 101a, 101b) 보다 구멍(H)으로부터 멀리 떨어진 제2 영역(102)에서의 면적당 정전인력보다 크도록 구성된다. 이에 의하면, 제1 영역(101, 101a, 101b)에서 상대적으로 큰 면적당 정전인력이 인가되므로, 정전척 플레이트부(240)에 뚫려 있는 구멍(H)으로 인하여 해당 부분, 예컨대 기판의 4개의 코너부 및/또는 중앙부에서 약해진 기판(S)에 대한 흡착력을 보완할 수 있다. 따라서 정전척 플레이트부(240)의 제1 영역(101, 101a, 101b)에 대응하는 코너부나 중앙부에서의 밀착도가 상대적으로 향상되어서, 기판(S)은 전체적으로 양호하게 정전척(24)에 흡착될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the electrostatic chuck plate portion 240 has an electrostatic attraction force per area with respect to the substrate S in the first regions 101, 101a, and 101b adjacent to the hole H such that the first region 101 , 101a, 101b), that is, the electrostatic attraction force per area is greater than that in the second area 102, which is further away from the hole H than the first area 101, 101a, 101b. According to this, since a relatively large electrostatic force per area is applied in the first regions 101, 101a, and 101b, the hole H in the electrostatic chuck plate portion 240 causes the corresponding portion, for example, the four corners of the substrate, to And/or it is possible to compensate for the adsorption power to the substrate (S) that is weakened in the central part. Accordingly, the adhesion at the corners or central portions corresponding to the first regions 101, 101a, and 101b of the electrostatic chuck plate portion 240 is relatively improved, so that the substrate S can be well adsorbed to the electrostatic chuck 24 as a whole. You can.
정전척 플레이트부(240)의 제1 영역(101, 101a, 101b)에서의 정전인력이 제2 영역(102)에서의 정전인력보다 더 크도록 구성하는 하나의 방법은, 정전척 플레이트부(240)를 구성하는 전극부(240a)에 인가되는 전압이 영역별(즉, 흡착부별)로 상이하도록 제어하는 것이다. One method of configuring the electrostatic attraction force in the first regions 101, 101a, and 101b of the electrostatic chuck plate portion 240 to be greater than the electrostatic attraction force in the second region 102 is to use the electrostatic chuck plate portion 240. ) is controlled so that the voltage applied to the electrode unit 240a constituting the electrode unit 240a is different for each region (i.e., each adsorption unit).
예를 들어, 정전척 플레이트부(240)가 영역별로 분할되어 있는 복수의 전극부를 갖는 경우에, 구멍(H)에 이웃하는 제1 전극부에는 제1 전극부보다 구멍(H)으로부터 멀리 떨어진 제2 전극부보다 상대적으로 높은 전압이 인가되도록 할 수 있다. For example, when the electrostatic chuck plate portion 240 has a plurality of electrode portions divided by region, the first electrode portion adjacent to the hole H has an electrode portion farther from the hole H than the first electrode portion. 2 A relatively higher voltage can be applied than the electrode part.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전압 제어부(32)는, 구멍(H)에 이웃하는 5개의 서브 전극부(241, 243, 245, 247, 249) 또는 이에 대응하는 흡착부(141, 143, 145, 147, 149)에 인가되는 전압이, 이보다 구멍(H)으로부터 멀리 떨어진 4개의 서브 전극부(242, 244, 246, 248) 또는 이에 대응하는 흡착부(142, 144, 146, 148)에 인가되는 전압보다 그 크기가 크도록 제어한다. That is, according to one embodiment of the present invention, the voltage control unit 32 includes five sub-electrode units 241, 243, 245, 247, and 249 adjacent to the hole H or the corresponding adsorption unit 141, The voltage applied to 143, 145, 147, 149) is greater than that of the four sub-electrode parts 242, 244, 246, 248 or the corresponding adsorption parts 142, 144, 146, 148. ) is controlled to be larger than the voltage applied to the voltage.
이와 같이, 구멍(H)에 이웃하는 영역에 대응하는 전극부에, 이보다 구멍(H)으로부터 멀리 떨어진 다른 영역에 대응하는 전극부보다 상대적으로 큰 전압을 인가함으로써, 흡착부(142, 144, 146, 148)에 대응하는 4개의 서브 전극부(242, 244, 246, 248)보다 흡착부(141, 143, 145, 147, 149)에 대응하는 5개의 서브 전극부(241, 243, 245, 247, 249)에 의하여 상대적으로 큰 면적당 정전인력이 발생한다. 이에 따라, 구멍(H)의 존재로 인하여 흡착력이 작아진 부분을 보완할 수 있으며, 구멍(H)에 이웃한 흡착부와 이보다 구멍(H)으로부터 떨어진 다른 흡착부에 의한 흡착력이 실질적으로 동일하게 되도록 제어할 수 있다. In this way, by applying a relatively higher voltage to the electrode portion corresponding to the area adjacent to the hole H than to the electrode portion corresponding to another area farther away from the hole H, the adsorption portions 142, 144, and 146 , 148), five sub-electrode parts (241, 243, 245, 247) corresponding to the adsorption parts (141, 143, 145, 147, 149) than four sub-electrode parts (242, 244, 246, 248) corresponding to the adsorption parts (141, 143, 145, 147, 149). , 249), a relatively large electrostatic force per area is generated. Accordingly, the decrease in adsorption power due to the presence of the hole (H) can be compensated for, and the adsorption power of the adsorption unit adjacent to the hole (H) and the adsorption unit further away from the hole (H) are substantially the same. It can be controlled as much as possible.
정전척 플레이트부(240)의 제1 영역(101, 101a, 101b)에서의 면적당 정전인력이 제2 영역(102)에서의 면적당 정전인력보다 크도록 구성하는 다른 하나의 방법은, 정전척 플레이트부(240)의 전극부(240a) 및/또는 유전체부(240b)를, 영역별로 전기적 특성이 상이한 물질로 구성하거나 또는 동일한 물질이라도 전기적 특성이 상이하게 나타나도록 구성하는 것이다. 예를 들어, 전극부(240a)를 구성하는 전극의 밀도를 영역별로 상이하게 하여도 되며, 유전체부(240b)를 구성하는 유전체의 종류나 두께 등을 영역별로 상이하게 하여도 된다. 이하, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 이에 대하여 구체적으로 설명한다.Another method of configuring the electrostatic attraction per area in the first areas 101, 101a, and 101b of the electrostatic chuck plate unit 240 to be greater than the electrostatic attraction per area in the second area 102 is to use the electrostatic chuck plate unit. The electrode portion 240a and/or the dielectric portion 240b of 240 are made of materials with different electrical properties for each region, or are made of materials that exhibit different electrical properties even if they are the same material. For example, the density of the electrodes constituting the electrode portion 240a may be varied for each region, and the type or thickness of the dielectric material constituting the dielectric portion 240b may be varied for each region. Hereinafter, this will be described in detail with reference to FIGS. 4A to 4C.
우선, 도 4b에 개념적으로 도시한 바와 같이, 정전척 플레이트(240)의 유전체부(240b)는 영역에 따라서 다른 유전체 물질로 형성하여도 되며, 동일한 유전체 물질이라도 그 두께를 상이하게 하여도 된다. 보다 구체적으로, 전자의 경우에, 정전척 플레이트(240)의 제1 영역(101, 101a, 101b)을 구성하는 유전체 물질은 제2 영역(102)을 구성하는 유전체 물질보다 비저항이 작거나 및/또는 유전율이 더 클 수 있다. 후자의 경우에, 정전척 플레이트(240)의 제1 영역(101, 101a, 101b)에서의 유전체부(240b)의 두께는 제2 영역(102)에서의 유전체부(240b)의 두께보다 작게 할 수 있다. 여기서, '유전체부(240b)의 두께'는 해당 영역(101b, 102)에서 전극부의 하면과 정전척(24)의 흡착면 사이의 거리를 가리킨다.First, as conceptually shown in FIG. 4B, the dielectric portion 240b of the electrostatic chuck plate 240 may be formed of different dielectric materials depending on the area, and the thickness may be different even if it is the same dielectric material. More specifically, in the former case, the dielectric material constituting the first regions 101, 101a, and 101b of the electrostatic chuck plate 240 has a lower resistivity than the dielectric material constituting the second region 102 and/ Alternatively, the dielectric constant may be larger. In the latter case, the thickness of the dielectric portion 240b in the first regions 101, 101a, and 101b of the electrostatic chuck plate 240 may be smaller than the thickness of the dielectric portion 240b in the second region 102. You can. Here, 'thickness of the dielectric portion 240b' refers to the distance between the lower surface of the electrode portion and the adsorption surface of the electrostatic chuck 24 in the corresponding regions 101b and 102.
이러한 실시형태에 의하면, 영역에 관계없이 전극부(240a)의 전극들에 동일한 전압이 인가되더라도 제1 영역(101, 101a, 101b)의 전극부는 제2 영역(102)의 전극부보다 큰 면적당 정전인력을 유발할 수 있다. 다만, 도 4b에 도시된 실시형태에서는, 전극부(240a)의 구성(예컨대, 전극밀도 등)은 영역에 따른 차이가 없는 것을 전제로 하였는데, 본 발명은 이에만 한정되는 것은 아니다.According to this embodiment, even if the same voltage is applied to the electrodes of the electrode portion 240a regardless of the area, the electrode portion of the first region 101, 101a, and 101b has a larger electrostatic charge per area than the electrode portion of the second region 102. It can cause manpower. However, in the embodiment shown in FIG. 4B, it is assumed that there is no difference in the configuration (eg, electrode density, etc.) of the electrode portion 240a depending on the area, but the present invention is not limited thereto.
그리고 도 4c에 개념적으로 도시한 바와 같이, 정전척 플레이트부(240)의 전극부(240a)를 구성하는 전극들은 영역에 따라 전극밀도가 상이하게 설치될 수 있다. 보다 구체적으로, 정전척 플레이트부(240)의 제1 영역(101, 101a, 101b)에는 제2 영역(102)보다 높은 전극밀도를 갖도록 전극들이 설치될 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 플레이트부(240)의 전극부(240a)가 각각 빗 형상을 갖는 한 쌍의 전극들로 구성되어 있다면, 제1 영역(101, 101a, 101b)에서의 빗살부 사이의 간격을 제2 영역(102)에서의 빗살부 사이의 간격보다 좁게 함으로써, 제1 영역(101, 101a, 101b)이 제2 영역(102)보다 전극밀도가 크도록 할 수 있다. And as conceptually shown in FIG. 4C, the electrodes constituting the electrode portion 240a of the electrostatic chuck plate portion 240 may be installed with different electrode densities depending on the area. More specifically, electrodes may be installed in the first areas 101, 101a, and 101b of the electrostatic chuck plate portion 240 to have a higher electrode density than the second area 102. For example, as shown in FIG. 3B, if the electrode portion 240a of the plate portion 240 is composed of a pair of electrodes each having a comb shape, in the first regions 101, 101a, and 101b By making the spacing between the comb teeth narrower than the spacing between the comb teeth in the second region 102, the electrode density of the first regions 101, 101a, and 101b can be made larger than that of the second region 102. .
이러한 본 발명의 실시형태에 의하면, 영역에 관계없이 전극부(240a)의 전극들에 동일한 전압이 인가되더라도, 전극밀도가 상대적으로 높은 제1 영역(101, 101a, 101b)의 전극부는 제2 영역(102)의 전극부보다 큰 면적당 정전인력을 유발할 수 있다. 다만, 도 4c에 도시된 실시형태에서는 유전체부(240b)의 구성(예컨대, 유전체의 비저항이나 유전율 등)은 영역에 따라서 차이가 없는 것으로 가정하였는데, 본 발명은 이에만 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전극밀도가 영역별로 상이할 뿐만 아니라 유전체의 비저항이나 유전율도 영역별로 상이할 수 있다. According to this embodiment of the present invention, even if the same voltage is applied to the electrodes of the electrode portion 240a regardless of the region, the electrode portion of the first region 101, 101a, and 101b, which has a relatively high electrode density, is applied to the electrode portion of the second region. It can cause electrostatic attraction per area larger than that of the electrode portion of (102). However, in the embodiment shown in FIG. 4C, it is assumed that the configuration of the dielectric portion 240b (for example, dielectric resistivity or dielectric constant, etc.) does not differ depending on the region, but the present invention is not limited thereto. For example, not only may the electrode density be different for each region, but the resistivity or dielectric constant of the dielectric may also be different for each region.
<성막프로세스><Tabernacle process>
이하 본 실시형태의 피흡착체의 흡착방법을 채용한 성막방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a film forming method employing the adsorption method of the adsorbed body of the present embodiment will be described.
진공용기(21) 내의 마스크 지지 유닛(23)에 마스크(M)가 지지된 상태에서, 반송실(13)의 반송로봇(14)에 의해 성막장치(11)의 진공용기(21) 내로 기판이 반입된다. With the mask M supported by the mask support unit 23 in the vacuum vessel 21, the substrate is placed into the vacuum vessel 21 of the
진공용기(21) 내로 진입한 반송로봇(14)의 핸드가 하강하여 기판(S)을 기판 지지 유닛(22)의 지지부상에 재치한다. The hand of the transfer robot 14 that has entered the vacuum container 21 descends to place the substrate S on the support portion of the substrate support unit 22.
이어서, 정전척(24)이 기판(S)을 향해 하강하여 기판(S)에 충분히 근접하거나 접촉한 후에, 정전척(24)에 소정의 전압을 인가하여 기판(S)을 흡착시킨다. Next, after the electrostatic chuck 24 descends toward the substrate S and sufficiently approaches or contacts the substrate S, a predetermined voltage is applied to the electrostatic chuck 24 to adsorb the substrate S.
본 발명의 일 실시형태에 있어서는, 정전척(24)의 정전척 플레이트부(240)에 적어도 하나의 구멍, 예컨대 정전척 플레이트(240)의 코너부 각각에 얼라인먼트용 구멍(H)이 뚫려 있고, 정전척 플레이트(240)의 중앙부에는 밀착도확인용 구멍(H)이 뚫려 있다. 그리고 기판(S)을 흡착하는 과정에서는, 구멍(H)에 이웃하는 흡착부에, 이보다 구멍(H)으로부터 멀리 떨어진 흡착부보다 더 큰 전압을 인가한다. In one embodiment of the present invention, at least one hole is formed in the electrostatic chuck plate portion 240 of the electrostatic chuck 24, for example, an alignment hole H is formed in each corner of the electrostatic chuck plate 240, A hole (H) for checking adhesion is formed in the center of the electrostatic chuck plate 240. In the process of adsorbing the substrate S, a greater voltage is applied to the adsorption unit adjacent to the hole H than to the adsorption unit further away from the hole H.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서는, 정전척(24)의 흡착부에 구멍(H)과 상관없이 동일한 전압을 인가하되, 구멍(H)에 이웃하는 흡착부나 영역는 그렇지 않은 흡착부나 영역과 전극부의 전극밀도나 유전체부의 비저항 또는 유전율이 다르도록 한다.In another embodiment of the present invention, the same voltage is applied to the adsorption portion of the electrostatic chuck 24 regardless of the hole H, but the adsorption portion or region adjacent to the hole H is not applied to the adsorption portion or region and the electrode of the electrode portion. The density, resistivity or dielectric constant of the dielectric part should be different.
정전척(24)에 기판(S)의 흡착이 완료되면, 기판(S)이 정전척(24)에 잘 흡착되었는지를 확인하는 흡착도 확인 과정을 수행할 수 있다. 예컨대, 흡착도 확인을 위하여, 흡착도 확인용 카메라(도시하지 않음)로 흡착도 확인용 구멍(H)을 통해 기판(S)을 촬영하여, 기판(S)의 정전척(24)에 대한 밀착도를 확인한다.When the adsorption of the substrate S to the electrostatic chuck 24 is completed, an adsorption confirmation process can be performed to confirm whether the substrate S is well adsorbed to the electrostatic chuck 24. For example, to check the degree of adsorption, the substrate S is photographed through the hole H for checking the degree of adsorption with a camera for checking the degree of adsorption (not shown), and the degree of adhesion of the substrate S to the electrostatic chuck 24 is measured. Check .
정전척(24)에 기판(S)이 흡착된 상태에서, 기판(S)의 마스크(M)에 대한 상대적인 위치어긋남을 계측하기 위해 기판(S)을 마스크(M)를 향해 하강시킨다. 기판(S)이 계측위치까지 하강하면, 얼라인먼트용 카메라(20)로 얼라인먼트용 구멍(H)을 통해 기판(S)과 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하여 기판과 마스크의 상대적인 위치 어긋남을 계측한다. With the substrate S adsorbed on the electrostatic chuck 24, the substrate S is lowered toward the mask M in order to measure the relative positional misalignment of the substrate S with respect to the mask M. When the substrate (S) is lowered to the measurement position, the alignment camera (20) photographs the alignment marks formed on the substrate (S) and the mask (M) through the alignment hole (H) to determine the relative positional misalignment of the substrate and the mask. Measure.
계측결과, 기판의 마스크에 대한 상대적 위치 어긋남이 임계치를 넘는 것으로 판명되면, 정전척(24)에 흡착된 상태의 기판(S)을 수평방향(XYθ 방향)으로 이동시켜, 기판을 마스크에 대해 위치조정(얼라인먼트)한다. As a result of the measurement, if it is determined that the relative positional deviation of the substrate with respect to the mask exceeds the threshold, the substrate S adsorbed on the electrostatic chuck 24 is moved in the horizontal direction (XYθ direction) and the substrate is positioned with respect to the mask. Adjust (align).
얼라인먼트 공정 후에, 정전척(24)의 전극부 또는 서브 전극부에 소정의 전압을 인가하여, 마스크(M)를 기판(S) 너머로 정전척(24)에 흡착시킨다. 이 때에, 기판(S)을 흡착할 때와 마찬가지의 구성을 채용할 수 있다.After the alignment process, a predetermined voltage is applied to the electrode portion or sub-electrode portion of the electrostatic chuck 24 to adsorb the mask M to the electrostatic chuck 24 over the substrate S. At this time, the same configuration as when adsorbing the substrate S can be adopted.
이어서, 증착원(25)의 셔터를 열고 증착재료를 마스크를 통해 기판(S)에 증착시킨다. Next, the shutter of the deposition source 25 is opened and the deposition material is deposited on the substrate S through the mask.
원하는 두께까지 증착한 후, 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 인가되는 전압을 낮추어서 마스크(M)를 분리하고, 정전척(24)에 기판만이 흡착된 상태에서, 정전척 Z 액츄에이터(28)에 의해, 정전척(24)을 상승시킨다.After deposition to the desired thickness, the voltage applied to the electrode portion or sub-electrode portion of the electrostatic chuck 24 is lowered to separate the mask M, and with only the substrate adsorbed on the electrostatic chuck 24, electrostatic chuck Z The electrostatic chuck 24 is raised by the actuator 28.
이어서, 반송로봇(14)의 핸드가 성막장치(11)의 진공용기(21) 내로 들어오고 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 제로(0) 또는 역극성의 전압이 인가되어 기판이 정전척(24)으로부터 분리된다. 이후, 증착이 완료된 기판을 반송로봇(14)에 의해 진공용기(21)로부터 반출한다.Next, the hand of the transfer robot 14 enters the vacuum container 21 of the
이상의 설명에서는, 성막장치(11)는, 기판(S)의 성막면이 연직방향 하방을 향한 상태에서 성막이 이루어지는, 소위 상향증착방식(Depo-up)의 구성으로 하였으나, 이에 한정되지 않으며, 기판(S)이 진공용기(21)의 측면측에 수직으로 세워진 상태로 배치되고, 기판(S)의 성막면이 중력방향과 평행한 상태에서 성막이 이루어지는 구성이어도 된다. In the above description, the
<전자디바이스의 제조방법><Manufacturing method of electronic devices>
다음으로, 본 실시형태의 성막장치를 이용한 전자 디바이스의 제조방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조방법을 예시한다.Next, an example of an electronic device manufacturing method using the film forming apparatus of this embodiment will be described. Hereinafter, the configuration and manufacturing method of an organic EL display device will be illustrated as an example of an electronic device.
우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 5(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 5(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다. First, the organic EL display device to be manufactured will be described. Figure 5(a) shows the overall view of the organic EL display device 60, and Figure 5(b) shows the cross-sectional structure of one pixel.
도 5(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다.As shown in FIG. 5(a), a plurality of pixels 62 having a plurality of light-emitting elements are arranged in a matrix form in the display area 61 of the organic EL display device 60. Details will be described later, but each light emitting device has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. In addition, the pixel referred to here refers to the minimum unit that enables display of a desired color in the display area 61. In the case of the organic EL display device according to this embodiment, the pixel 62 is composed of a combination of a first light-emitting element 62R, a second light-emitting element 62G, and a third light-emitting element 62B that emit different light. It is done. The pixel 62 is often composed of a combination of a red light-emitting element, a green light-emitting element, and a blue light-emitting element, but may also be a combination of a yellow light-emitting element, a cyan light-emitting element, and a white light-emitting element, and is particularly limited as long as it is of at least one color. no.
도 5(b)는 도 5(a)의 A－B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(63) 상에 양극(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 음극(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 양극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 음극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 양극(64)과 음극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 양극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.FIG. 5(b) is a partial cross-sectional schematic diagram taken along line A-B in FIG. 5(a). The pixel 62 has an organic EL element including an anode 64, a hole transport layer 65, light emitting layers 66R, 66G, 66B, an electron transport layer 67, and a cathode 68 on a substrate 63. . Among these, the hole transport layer 65, the light emitting layer 66R, 66G, and 66B, and the electron transport layer 67 correspond to the organic layer. Additionally, in this embodiment, the light-emitting layer 66R is an organic EL layer that emits red, the light-emitting layer 66G is an organic EL layer that emits green, and the light-emitting layer 66B is an organic EL layer that emits blue. The light-emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in patterns corresponding to light-emitting elements (sometimes called organic EL elements) that emit red, green, and blue colors, respectively. Additionally, the anode 64 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the cathode 68 may be formed in common with the plurality of light-emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed for each light-emitting element. Additionally, in order to prevent the anode 64 and the cathode 68 from being short-circuited by foreign substances, an insulating layer 69 is provided between the anode 64. Additionally, since the organic EL layer is deteriorated by moisture and oxygen, a protective layer 70 is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.
도 5(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 양극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 양극(64)으로부터 정공수송층(65)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 음극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.In FIG. 5(b), the hole transport layer 65 or the electron transport layer 67 is shown as one layer, but depending on the structure of the organic EL display device, it may be formed of a plurality of layers including a hole blocking layer or an electron blocking layer. It may be possible. In addition, a hole injection layer having an energy band structure that can ensure smooth injection of holes from the anode 64 to the hole transport layer 65 may be formed between the anode 64 and the hole transport layer 65. . Likewise, an electron injection layer may be formed between the cathode 68 and the electron transport layer 67.
다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, an example of a manufacturing method for an organic EL display device will be described in detail.
우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 양극(64)이 형성된 기판(63)을 준비한다.First, a substrate 63 on which a circuit (not shown) and an anode 64 for driving an organic EL display device are formed is prepared.
양극(64)이 형성된 기판(63) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 양극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.An acrylic resin is spin-coated on the substrate 63 on which the anode 64 is formed, and the acrylic resin is patterned by lithography to form an opening in the area where the anode 64 is formed to form an insulating layer 69. This opening corresponds to the light emitting area where the light emitting element actually emits light.
절연층(69)이 패터닝된 기판(63)을 제1 유기재료 성막장치에 반입하여 및 정전척으로 기판을 보유 지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 양극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크는 필요치 않다.The substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is loaded into the first organic material film forming apparatus, the substrate is held by an electrostatic chuck, and the hole transport layer 65 is deposited as a common layer on the anode 64 in the display area. do. The hole transport layer 65 is formed by vacuum deposition. In reality, since the hole transport layer 65 is formed to a size larger than the display area 61, a high-precision mask is not required.
다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(63)을 제2 유기재료 성막장치에 반입하고, 정전척으로 보유 지지한다. 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 정전척으로 마스크를 기판 너머로 보유지지하여, 기판(63)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다. Next, the substrate 63 formed up to the hole transport layer 65 is loaded into the second organic material film forming apparatus and held by an electrostatic chuck. The substrate and the mask are aligned, the mask is held over the substrate with an electrostatic chuck, and a red-emitting light-emitting layer 66R is deposited on the portion of the substrate 63 where the red-emitting element is placed.
발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.As with the deposition of the light-emitting layer 66R, the light-emitting layer 66G emitting green color is formed into a film using the third organic material film forming device, and further, the light emitting layer 66B emitting blue color is formed into a film using the fourth organic material film forming device. After the film formation of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed over the entire display area 61 by the fifth organic material film forming apparatus. The electron transport layer 67 is formed as a common layer for the three color light emitting layers 66R, 66G, and 66B.
전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막장치로 이동시켜 음극(68)을 성막한다. The substrate on which the electron transport layer 67 has been formed is moved to a metallic deposition material film forming apparatus to form a cathode 68.
본 발명에 따르면, 정전척에 얼라인먼트용 구멍이나 흡착도 확인용 구멍과 같이 절결부가 설치된 경우에도, 정전척 전체에 걸쳐 흡착력을 실질적으로 동일하게 유지할 수 있다.According to the present invention, even when cutouts such as alignment holes or adsorption confirmation holes are installed in the electrostatic chuck, the adsorption force can be maintained substantially the same throughout the electrostatic chuck.
그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.Afterwards, it is transferred to a plasma CVD device to form a protective layer 70, thereby completing the organic EL display device 60.
절연층(69)이 패터닝 된 기판(63)을 성막장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 포함하는 분위기에 노출되면 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.From the time the substrate 63 on which the insulating layer 69 was patterned is brought into the film forming apparatus until the film forming of the protective layer 70 is completed, when exposed to an atmosphere containing moisture or oxygen, a light emitting layer made of an organic EL material is formed. There is a risk of deterioration due to moisture or oxygen. Therefore, in this example, the loading and unloading of the substrate between film forming devices is performed under a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.
상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위 내에서 적절히 변형하여도 된다. The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea.
11: 성막장치
21: 진공용기
22: 기판 지지 유닛
23: 마스크 지지 유닛
24: 정전척
30: 정전척 시스템
31: 전압 인가부
32: 전압 제어부
240: 정전척 플레이트부
240a: 전극부
240b: 유전체부11: Tabernacle device
21: Vacuum container
22: substrate support unit
23: Mask support unit
24: electrostatic chuck
30: Electrostatic chuck system
31: Voltage application unit
32: voltage control unit
240: Electrostatic chuck plate part
240a: electrode part
240b: dielectric part
Claims (19)
적어도 하나의 절결부가 설치된 정전척 플레이트부를 포함하며,
상기 정전척 플레이트부는, 상기 정전척 플레이트부의 흡착면에, 사각형의 상기 정전척 플레이트부의 코너부에 설치된 상기 적어도 하나의 절결부와 이웃하는 제1 영역과, 상기 제1 영역보다 상기 적어도 하나의 절결부로부터 떨어진 제2 영역을 가지며,
상기 정전 플레이트부의 상기 제1 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위 면적당 정전인력은, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위 면적당 정전인력보다 큰 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.An electrostatic chuck system for adsorbing an adsorbent, comprising:
It includes an electrostatic chuck plate portion in which at least one cutout is installed,
The electrostatic chuck plate portion includes a first region adjacent to the at least one notch provided at a corner portion of the rectangular electrostatic chuck plate portion on the suction surface of the electrostatic chuck plate portion, and the at least one cut portion greater than the first region. Has a second region away from the junction,
An electrostatic chuck system, wherein the electrostatic attraction force per unit area with respect to the object to be absorbed in the first region of the electrostatic plate portion is greater than the electrostatic attraction force per unit area to the object to be absorbed in the second region.
상기 제1 전극부의 상기 빗살부간의 간격은 상기 제2 전극부의 상기 빗살부간의 간격보다 좁은 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.The method of claim 2, wherein each of the first electrode portion and the second electrode portion has a pair of comb electrodes disposed opposite each other so that the comb teeth are alternately intertwined with each other,
An electrostatic chuck system, wherein the spacing between the comb teeth of the first electrode portion is narrower than the spacing between the comb teeth of the second electrode portion.
상기 제1 영역에 있어서의 상기 유전체부의 두께가 상기 제2 영역에 있어서의 상기 유전체부의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.The method of claim 1, wherein the electrostatic chuck plate portion includes an electrode portion and at least a dielectric portion interposed between the electrode portion and the adsorption surface of the adsorption object,
An electrostatic chuck system, wherein a thickness of the dielectric portion in the first region is smaller than a thickness of the dielectric portion in the second region.
상기 제1 영역에 있어서의 상기 유전체부의 비저항이 상기 제2 영역에 있어서의 상기 유전체부의 비저항보다 작은 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.The method of claim 1, wherein the electrostatic chuck plate portion includes an electrode portion and at least a dielectric portion interposed between the electrode portion and the adsorption surface of the adsorption object,
An electrostatic chuck system, wherein a resistivity of the dielectric portion in the first region is smaller than a resistivity of the dielectric portion in the second region.
상기 제1 영역에 있어서의 상기 유전체부의 유전율이 상기 제2 영역에 있어서의 상기 유전체부의 유전율보다 큰 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.The method of claim 1, wherein the electrostatic chuck plate portion includes an electrode portion and at least a dielectric portion interposed between the electrode portion and the adsorption surface of the adsorption object,
An electrostatic chuck system, wherein the dielectric constant of the dielectric portion in the first region is greater than the dielectric constant of the dielectric portion in the second region.
상기 정전척 플레이트부는, 복수의 전극부를 가지며,
상기 정전척 플레이트부는, 상기 복수의 전극부에의 전압의 인가를 제어하는 제어부를 포함하며,
상기 제어부는, 상기 복수의 전극부 중 제1 전극부에 인가되는 전압이 상기 적어도 하나의 절결부로부터 상기 제1 전극부보다 멀리 떨어진 제2 전극부에 인가되는 전압보다 크도록 제어하는 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.According to paragraph 1,
The electrostatic chuck plate portion has a plurality of electrode portions,
The electrostatic chuck plate unit includes a control unit that controls application of voltage to the plurality of electrode units,
The control unit is characterized in that it controls the voltage applied to the first electrode part of the plurality of electrode parts to be greater than the voltage applied to the second electrode part farther from the at least one cutout than the first electrode part. electrostatic chuck system.
상기 복수의 전극부 각각은 한 쌍의 전극을 각각 가지며,
상기 제어부는, 상기 제1 전극부의 한 쌍의 전극 사이에 인가되는 전압이, 상기 제2 전극부의 한 쌍의 전극 사이에 인가되는 전압보다 크도록 제어하는 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.According to clause 11,
Each of the plurality of electrode units each has a pair of electrodes,
The electrostatic chuck system, wherein the control unit controls the voltage applied between the pair of electrodes of the first electrode unit to be greater than the voltage applied between the pair of electrodes of the second electrode unit.
적어도 상기 기판을 흡착하기 위한 정전척 시스템을 포함하며,
상기 정전척 시스템은 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 정전척 시스템인 것을 특징으로 하는 성막장치. A film forming device for forming a film on a substrate through a mask,
At least comprising an electrostatic chuck system for adsorbing the substrate,
A film forming apparatus, wherein the electrostatic chuck system is the electrostatic chuck system according to any one of claims 1 to 13.
상기 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키는 흡착단계를 포함하고,
상기 흡착단계에서는, 상기 정전척 플레이트부의 흡착면에 있어서 사각형의 상기 정전척 플레이트부의 코너부에 설치된 상기 적어도 하나의 절결부와 이웃하는 제1 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위면적당의 정전인력이, 상기 제1 영역보다 상기 적어도 하나의 절결부로부터 떨어진 제2 영역에 있어서의 상기 피흡착체에 대한 단위면적당의 정전인력보다 큰 상태에서, 상기 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키는 것을 특징으로 하는 흡착방법.A method of adsorbing an object to be absorbed to an electrostatic chuck including an electrostatic chuck plate portion provided with at least one notch,
An adsorption step of adsorbing the adsorption object to the electrostatic chuck,
In the adsorption step, an electrostatic attraction force per unit area for the object to be absorbed in a first area adjacent to the at least one notch provided at a corner of the rectangular electrostatic chuck plate part on the adsorption surface of the electrostatic chuck plate part. Characterized in that, in a state where the electrostatic attraction force per unit area for the object to be absorbed is greater than the first region in a second area farther away from the at least one notch, the object to be absorbed is adsorbed to the electrostatic chuck. Adsorption method.
상기 정전척 플레이트부는, 복수의 전극부를 가지며,
상기 흡착단계에서는, 상기 복수의 전극부 중 제1 전극부에, 상기 적어도 하나의 절결부로부터 상기 제1 전극부보다 멀리 떨어진 제2 전극부보다 큰 전압을 인가하여 상기 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키는 것을 특징으로 하는 흡착방법.According to clause 15,
The electrostatic chuck plate portion has a plurality of electrode portions,
In the adsorption step, a higher voltage is applied to the first electrode part among the plurality of electrode parts than to the second electrode part farther away from the at least one notch than the first electrode part to attach the object to be absorbed to the electrostatic chuck. An adsorption method characterized by adsorption.
진공용기 내로 마스크를 반입하는 단계와,
상기 진공용기 내로 기판을 반입하는 단계와,
적어도 하나의 절결부가 설치된 정전척 플레이트부를 포함하는 정전척에 상기 기판을 흡착시키는 제1 흡착단계와,
상기 기판을 사이에 두고 상기 정전척에 상기 마스크를 흡착시키는 제2 흡착단계와,
상기 정전척에 상기 기판 및 상기 마스크가 흡착된 상태에서, 상기 증착재료를 방출시켜 상기 마스크를 통해 상기 기판에 상기 증착재료를 성막하는 단계를 포함하고,
상기 제1 흡착단계와 상기 제2 흡착단계 중 적어도 하나의 흡착단계에서는, 상기 정전척 플레이트부의 흡착면에 있어서 사각형의 상기 정전척 플레이트부의 코너부에 설치된 상기 적어도 하나의 절결부와 이웃하는 제1 영역에 있어서의 상기 기판 또는 상기 마스크에 대한 단위면적당의 정전인력이, 상기 제1 영역보다 상기 적어도 하나의 절결부로부터 떨어진 제2 영역에 있어서의 상기 기판 또는 상기 마스크에 대한 단위면적당의 정전인력보다 큰 상태에서, 상기 기판 또는 상기 마스크를 상기 정전척에 흡착시키는 것을 특징으로 하는 성막방법.A film forming method of depositing a deposition material on a substrate through a mask,
A step of introducing a mask into a vacuum container,
Introducing a substrate into the vacuum container;
A first adsorption step of adsorbing the substrate to an electrostatic chuck including an electrostatic chuck plate portion provided with at least one notch;
a second adsorption step of adsorbing the mask to the electrostatic chuck with the substrate in between;
With the substrate and the mask adsorbed on the electrostatic chuck, releasing the deposition material to form a film of the deposition material on the substrate through the mask,
In at least one of the first adsorption step and the second adsorption step, the first adsorption step adjacent to the at least one notch provided at a corner of the rectangular electrostatic chuck plate part on the adsorption surface of the electrostatic chuck plate part. The electrostatic attraction per unit area with respect to the substrate or the mask in the region is greater than the electrostatic attraction per unit area with respect to the substrate or the mask in the second region farther from the at least one cutout than the first region. A film forming method characterized by adsorbing the substrate or the mask to the electrostatic chuck in a large state.
상기 제1 흡착단계에서는, 상기 정전척의 복수의 전극부에 전압을 인가하여 상기 정전척에 상기 기판을 흡착시키고,
상기 제2 흡착단계에서는, 상기 정전척의 상기 복수의 전극부에 전압을 인가하여 상기 정전척에 상기 기판을 사이에 두고 상기 마스크를 흡착시키고,
상기 제1 흡착단계와 상기 제2 흡착단계 중 적어도 하나의 흡착단계에서는, 상기 복수의 전극부 중 제1 전극부에, 상기 적어도 하나의 절결부로부터 제1 전극부보다 멀리 떨어진 제2 전극부보다 큰 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 성막방법.According to clause 17,
In the first adsorption step, a voltage is applied to a plurality of electrodes of the electrostatic chuck to adsorb the substrate to the electrostatic chuck,
In the second adsorption step, a voltage is applied to the plurality of electrodes of the electrostatic chuck to adsorb the mask to the electrostatic chuck with the substrate interposed therebetween,
In at least one of the first adsorption step and the second adsorption step, the first electrode part of the plurality of electrode parts is more distant from the at least one notch than the second electrode part than the first electrode part. A film forming method characterized by applying a large voltage.
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