KR102501609B1 - Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Abstract
본 발명의 성막 장치는, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 장치로서, 챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 주연부를 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상방에 배치되어, 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과, 상기 기판 흡착 수단을 향해 상기 기판 지지부의 승강을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 기판 지지부는 3개 이상 설치되고, 적어도 하나의 기판 지지부는 상기 기판의 코너부에 대응하는 위치에 설치되고, 상기 제어부는, 상기 각 기판 지지부를 독립하여 승강 제어하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.A film forming apparatus of the present invention is a film forming apparatus for forming a film on a substrate through a mask, comprising: a substrate support portion disposed in a chamber to support a periphery of the substrate; and a substrate support portion disposed above the substrate support portion to support the substrate support portion a substrate adsorbing means for adsorbing the substrate supported by the substrate; and a control unit for controlling elevation of the substrate supporter toward the substrate adsorbing means, wherein three or more substrate supporters are provided, and at least one substrate supporter includes the substrate adsorber. It is installed at a position corresponding to the corner portion of the substrate, and the control unit is characterized in that it is configured to control the elevation of each substrate support portion independently.
Description
본 발명은 성막 장치, 이를 사용한 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method using the same, and a manufacturing method of an electronic device.
유기 EL 표시장치(유기 EL 디스플레이)의 제조에 있어서는, 유기 EL 표시장치를 구성하는 유기 발광소자(유기 EL 소자; OLED)를 형성할 때에, 성막 장치의 증발원으로부터 증발한 증착 재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써, 유기물층이나 금속층을 형성한다. In the manufacture of an organic EL display device (organic EL display), when forming an organic light emitting element (organic EL element; OLED) constituting the organic EL display device, the evaporation material evaporated from the evaporation source of the film forming device is used to form the pixel pattern. By depositing on a substrate through a mask, an organic material layer or a metal layer is formed.
상향 증착 방식(Depo-up)의 성막 장치에 있어서, 증발원은 성막 장치의 진공용기의 하부에 설치되고, 기판은 진공용기의 상부에 배치되며, 기판의 하면에 증착이 이루어진다. 이러한 상향 증착 방식의 성막 장치에 있어서, 기판은 성막면인 하면에 형성된 유기물층/전극층에 손상을 주지 않도록 하면의 주연을 기판 홀더의 지지부에 의해 지지한다. 이 경우, 기판의 사이즈가 커짐에 따라 기판 홀더의 지지부에 의해 지지되지 못한 기판의 중앙부가 기판의 자중에 의해 처지게 되며, 이는 증착 정밀도를 떨어뜨리는 하나의 요인이 되고 있다. 상향 증착 방식 이외의 방식의 성막 장치에 있어서도, 기판의 자중에 의한 처짐은 발생할 가능성이 있다. In the film formation apparatus of the upward deposition method (depo-up), the evaporation source is installed in the lower part of the vacuum container of the film formation apparatus, the substrate is disposed on the upper part of the vacuum container, and deposition is performed on the lower surface of the substrate. In this upward deposition type film formation apparatus, the periphery of the lower surface of the substrate is supported by the support part of the substrate holder so as not to damage the organic material layer/electrode layer formed on the lower surface, which is the film forming surface. In this case, as the size of the substrate increases, the central portion of the substrate that is not supported by the support portion of the substrate holder sags due to the weight of the substrate, which becomes one of the factors deteriorating deposition accuracy. Even in a film forming apparatus of a method other than the upward deposition method, there is a possibility that the substrate may sag due to its own weight.
기판의 자중에 의한 처짐을 저감하기 위한 방법으로서 정전척을 사용하는 기술이 검토되고 있다. 즉, 기판의 상부에 정전척을 설치하고, 기판 홀더의 지지부에 의해 지지된 기판의 상면을 정전척에 흡착시킴으로써 기판의 중앙부가 정전척의 정전인력에 의해 당겨지도록 하여 기판의 처짐을 저감할 수 있도록 하고 있다.As a method for reducing the deflection of a substrate due to its own weight, a technique using an electrostatic chuck is under review. That is, by installing an electrostatic chuck on the upper part of the substrate and adsorbing the upper surface of the substrate supported by the support part of the substrate holder to the electrostatic chuck, the central part of the substrate is pulled by the electrostatic attraction of the electrostatic chuck, thereby reducing the deflection of the substrate. are doing
그런데, 이와 같이 기판을 정전척을 사용하여 위쪽에서부터 흡착하는 방식에 있어서, 기판의 전체 면을 동시에 흡착하고자 할 때에는 기판이 정전척에 고르게 편평하게 흡착되지 못하고 특히 중앙부에 주름이 생기는 경우가 있다.However, in the method of adsorbing the substrate from the top using the electrostatic chuck, when the entire surface of the substrate is to be simultaneously adsorbed, the substrate is not evenly and flatly adsorbed by the electrostatic chuck, and wrinkles may occur in the center.
즉, 기판 지지부에 의해 지지된 기판을 정전척을 향해 상승(또는 정전척을 기판을 향해 하강)시켜 기판과 정전척을 상호 근접 또는 접촉시킨 상태에서 정전척의 전면에 흡착 전압을 인가하면, 지지부에 의해 지지된 기판의 주연부가 처진 중앙부보다는 정전척에 먼저 흡착되게 되고, 이로 인해 기판 중앙부의 처짐이 충분히 펴지지 못하고 주름이 남게 된다. That is, when the substrate supported by the substrate supporter is raised toward the electrostatic chuck (or the electrostatic chuck is lowered toward the substrate) and a suction voltage is applied to the front surface of the electrostatic chuck in a state where the substrate and the electrostatic chuck are in close proximity or contact with each other, the support The periphery of the substrate supported by the substrate is adsorbed to the electrostatic chuck first rather than the sagging central portion, and as a result, the sagging of the central portion of the substrate is not sufficiently straightened and wrinkles remain.
이러한 정전척으로의 흡착 시의 주름 발생을 억제하기 위한 기술이 검토되고는 있으나, 여전히 주름 발생을 충분히 억제하지 못한다는 과제가 있었다.Although technologies for suppressing the generation of wrinkles upon adsorption to such an electrostatic chuck have been studied, there is still a problem that the generation of wrinkles cannot be sufficiently suppressed.
이에, 본 발명은, 상기 과제를 감안하여, 정전척으로의 흡착 시의 주름 발생을 보다 효과적으로 억제하는 것을 목적으로 한다.Therefore, in view of the above problems, an object of the present invention is to more effectively suppress the generation of wrinkles during adsorption to an electrostatic chuck.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 장치는, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 장치로서, 챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 주연부를 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상방에 배치되어, 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과, 상기 기판 흡착 수단을 향해 상기 기판 지지부의 승강을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 기판 지지부는 3개 이상 설치되고, 적어도 하나의 기판 지지부는 상기 기판의 코너부에 대응하는 위치에 설치되고, 상기 제어부는, 상기 각 기판 지지부를 독립하여 승강 제어하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.A film forming apparatus according to an embodiment of the present invention is a film forming apparatus for depositing a film forming material on a substrate through a mask, comprising: a substrate support portion disposed in a chamber and supporting a periphery of the substrate; and disposed above the substrate support portion. , a substrate adsorption unit for adsorbing the substrate supported by the substrate support unit, and a control unit for controlling elevation of the substrate support unit toward the substrate adsorption unit, wherein three or more substrate support units are provided, and at least one The substrate support portion of is installed at a position corresponding to the corner portion of the substrate, and the control unit is configured to control the elevation of each substrate support portion independently.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 방법은, 성막 장치의 챔버 내부에서 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 방법으로서, 챔버 내로 반입된 상기 기판의 주연부를 기판 지지부를 사용하여 지지하는 공정과, 상기 기판 지지부의 상방에 배치된 기판 흡착 수단에 상기 기판의 성막면과 반대측인 이면을 흡착시키는 공정과, 성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 상기 마스크를 통해 상기 기판의 성막면에 성막하는 공정을 포함하고, 상기 흡착시키는 공정은, 상기 기판 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 상승시켜 상기 기판 지지부에 의해 지지된 기판을 상기 기판 흡착 수단에 근접시키는 공정을 포함하고, 상기 기판 지지부는 3개 이상 설치되고, 적어도 하나의 기판 지지부는 상기 기판의 코너부에 대응하는 위치에 설치되고, 상기 기판 지지부를 상승시키는 공정에서는 상기 각 기판 지지부를 독립하여 상승시키는 것을 특징으로 한다. A film forming method according to an embodiment of the present invention is a film forming method of forming a film on a substrate through a mask inside a chamber of a film forming apparatus, comprising the steps of supporting a periphery of the substrate carried into the chamber using a substrate support unit; , a step of adsorbing the back surface opposite to the film formation surface of the substrate to a substrate adsorption means disposed above the substrate support unit, and a process of forming a film on the film formation surface of the substrate through the mask with a film formation material discharged from a film formation source. wherein the adsorption step includes a step of elevating the substrate support unit toward the substrate adsorption unit to bring the substrate supported by the substrate support unit closer to the substrate adsorption unit, wherein three or more substrate support units are installed. At least one substrate support part is installed at a position corresponding to the corner part of the substrate, and in the step of raising the substrate support part, each substrate support part is raised independently.
본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스의 제조방법은, 상기 성막방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 한다.A method for manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention is characterized by manufacturing an electronic device using the above film formation method.
본 발명에 의하면, 정전척으로의 흡착 시의 주름 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. According to the present invention, it is possible to more effectively suppress wrinkles at the time of adsorption to the electrostatic chuck.
또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것은 아니고, 본 개시 중에 기재된 어떠한 효과이어도 된다.In addition, the effects described here are not necessarily limited, and any effects described during the present disclosure may be used.
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 장치의 모식도이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 지지 유닛을 연직 방향(Z 방향) 상방에서부터 본 평면도이다.
도 4는, 도 3에 있어서 기판의 제1 코너부와 대각 위치의 제2 코너부를 연결하는 대각 방향에 있어서의 수직 단면에서 보았을 때의, 기판 지지부의 상승 및 정전척으로의 흡착 진행 과정을 나타낸 도면이다.
도 5(a) 내지 도 5(b)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 정전척의 흡착부의 구성을 설명하는 도면이다.
도 6은 정전척으로의 기판 흡착 시퀀스의 상세 공정을 나타내는 공정도이다.
도 7은 전자 디바이스를 나타내는 모식도이다. 1 is a schematic diagram of a part of an electronic device manufacturing apparatus.
2 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of the substrate support unit according to one embodiment of the present invention viewed from above in the vertical direction (Z direction).
FIG. 4 shows a process of raising the substrate support and adsorbing to the electrostatic chuck when viewed in a vertical section in a diagonal direction connecting a first corner of the substrate and a second corner of the substrate at a diagonal position in FIG. 3; it is a drawing
5(a) to 5(b) are diagrams illustrating a configuration of an adsorption unit of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.
6 is a process chart showing a detailed process of a substrate adsorption sequence to an electrostatic chuck.
7 is a schematic diagram showing an electronic device.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples are merely illustrative of preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. In addition, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, processing flow, manufacturing conditions, size, material, shape, etc. are not intended to limit the scope of the present invention thereto, unless otherwise specifically described. no.
본 발명은, 기판의 표면에 각종 재료를 퇴적시켜 성막을 행하는 장치에 적용할 수 있으며, 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다. 기판의 재료로는 유리, 고분자재료의 필름, 금속 등의 임의의 재료를 선택할 수 있고, 예컨대, 기판은 유리 기판 상에 폴리이미드 등의 필름이 적층된 기판이어도 된다. 또한 증착 재료로서도 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 이하의 설명에서 설명하는 진공 증착 장치 이외에도, 스퍼터 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 포함하는 성막 장치에도, 본 발명을 적용할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 유기 전자 디바이스(예를 들면, 유기 발광 소자, 박막 태양 전지), 광학 부재 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 그 중에서도, 증착 재료를 증발시켜 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써 유기 발광 소자를 형성하는 유기 발광소자의 제조장치는, 본 발명의 바람직한 적용예의 하나이다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to an apparatus for forming a film by depositing various materials on the surface of a substrate, and can be suitably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) of a desired pattern by vacuum deposition. As the material of the substrate, any material such as glass, polymeric film, metal, or the like can be selected. For example, the substrate may be a substrate in which a film such as polyimide is laminated on a glass substrate. Also, as the deposition material, any material such as an organic material or a metallic material (metal, metal oxide, etc.) can be selected. In addition to the vacuum deposition apparatus described in the following description, the present invention can be applied to a film formation apparatus including a sputtering apparatus and a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus. The technology of the present invention is specifically applicable to manufacturing apparatuses such as organic electronic devices (for example, organic light-emitting elements and thin-film solar cells) and optical members. Among them, an organic light emitting device manufacturing apparatus that forms an organic light emitting device by evaporating evaporation materials and depositing them on a substrate through a mask is one of the preferred application examples of the present invention.
<전자 디바이스 제조 장치><Electronic Device Manufacturing Equipment>
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 구성을 모식적으로 도시한 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a part of an electronic device manufacturing apparatus.
도 1의 제조 장치는, 예를 들면 스마트폰 용의 유기 EL 표시장치의 표시 패널의 제조에 이용된다. 스마트폰 용의 표시 패널의 경우, 예를 들면, 4.5세대의 기판(약 700 ㎜ × 약 900 ㎜)이나 6세대의 풀사이즈(약 1500 ㎜ × 약 1850 ㎜) 또는 하프컷 사이즈(약 1500 ㎜ × 약 925 ㎜)의 기판에 유기 EL 소자의 형성을 위한 성막을 행한 후, 해당 기판을 잘라 내어 복수의 작은 사이즈의 패널로 제작한다.The manufacturing apparatus shown in Fig. 1 is used, for example, for manufacturing a display panel of an organic EL display device for a smartphone. In the case of a display panel for a smartphone, for example, a 4.5 generation substrate (about 700 mm × about 900 mm), a 6 generation full size (about 1500 mm × about 1850 mm) or a half cut size (about 1500 mm × about 1500 mm) After forming a film for forming an organic EL element on a substrate of about 925 mm), the substrate is cut out to fabricate a plurality of small-sized panels.
전자 디바이스 제조 장치는, 일반적으로 복수의 클러스터 장치(1)와, 클러스터 장치(1) 사이를 연결하는 중계장치를 포함한다.An electronic device manufacturing apparatus generally includes a plurality of
클러스터 장치(1)는, 기판(S)에 대한 처리(예컨대, 성막)를 행하는 복수의 성막 장치(11)와, 사용 전후의 마스크(M)를 수납하는 복수의 마스크 스톡 장치(12)와, 그 중앙에 배치되는 반송실(13)을 구비한다. 반송실(13)은 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 성막 장치(11) 및 마스크 스톡 장치(12) 각각과 접속된다.The
반송실(13) 내에는, 기판 및 마스크를 반송하는 반송 로봇(14)이 배치된다. 반송로봇(14)은, 상류 측에 배치된 중계 장치의 패스실(15)로부터 성막 장치(11)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송로봇(14)은 성막 장치(11)와 마스크 스톡 장치(12)간에 마스크(M)를 반송한다. 반송 로봇(14)은, 예를 들면, 다관절 아암에, 기판(S) 또는 마스크(M)를 보유지지하는 로봇 핸드가 장착된 구조를 갖는 로봇일 수 있다. In the
성막 장치(11)(증착 장치라고도 부름)에서는, 증발원에 수납된 증착 재료가 히터에 의해 가열되어 증발하고, 마스크를 통해 기판상에 증착된다. 반송 로봇(14)과의 기판(S)의 주고받음, 기판(S)과 마스크(M)의 상대 위치의 조정(얼라인먼트), 마스크(M) 상으로의 기판(S)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 성막 프로세스는, 성막 장치(11)에 의해 행해진다. In the film forming apparatus 11 (also called a vapor deposition apparatus), an evaporation material accommodated in an evaporation source is heated by a heater to evaporate, and is deposited on a substrate through a mask. Transmission of the substrate S to and from the transfer robot 14, adjustment of the relative position of the substrate S and mask M (alignment), fixation of the substrate S onto the mask M, film formation (deposition) ) and the like are performed by the
마스크 스톡 장치(12)에는 성막 장치(11)에서의 성막 공정에 사용될 새로운 마스크 및 사용이 끝난 마스크가 두 개의 카세트에 나뉘어져 수납된다. 반송 로봇(14)은, 사용이 끝난 마스크를 성막 장치(11)로부터 마스크 스톡 장치(12)의 카세트로 반송하며, 마스크 스톡 장치(12)의 다른 카세트에 수납된 새로운 마스크를 성막 장치(11)로 반송한다.In the
클러스터 장치(1)에는 기판(S)의 흐름방향으로 상류 측으로부터의 기판(S)을 해당 클러스터 장치(1)로 전달하는 패스실(15)과, 해당 클러스터 장치(1)에서 성막 처리가 완료된 기판(S)을 하류 측의 다른 클러스터 장치로 전달하기 위한 버퍼실(16)이 연결된다. 반송실(13)의 반송 로봇(14)은 상류 측의 패스실(15)로부터 기판(S)을 받아서, 해당 클러스터 장치(1)내의 성막 장치(11)중 하나(예컨대, 성막 장치(11a))로 반송한다. 또한, 반송 로봇(14)은 해당 클러스터 장치(1)에서의 성막 처리가 완료된 기판(S)을 복수의 성막 장치(11) 중 하나(예컨대, 성막 장치(11b))로부터 받아서, 하류 측에 연결된 버퍼실(16)로 반송한다.The
버퍼실(16)과 패스실(15) 사이에는 기판의 방향을 바꾸어 주는 선회실(17)이 설치된다. 선회실(17)에는 버퍼실(16)로부터 기판(S)을 받아 기판(S)을 180도 회전시켜 패스실(15)로 반송하기 위한 반송 로봇(18)이 설치된다. 이를 통해, 상류측 클러스터 장치와 하류측 클러스터 장치에서 기판(S)의 방향이 동일하게 되어 기판 처리가 용이해진다. Between the
패스실(15), 버퍼실(16), 선회실(17)은 클러스터 장치 사이를 연결하는 소위 중계장치로서, 클러스터 장치의 상류측 및/또는 하류 측에 설치된 중계장치는, 패스실, 버퍼실, 선회실 중 적어도 하나를 포함한다.The
성막 장치(11), 마스크 스톡 장치(12), 반송실(13), 버퍼실(16), 선회실(17) 등은 유기발광 소자의 제조과정에서, 고진공 상태로 유지된다. 패스실(15)은, 통상 저진공 상태로 유지되나, 필요에 따라 고진공 상태로 유지될 수도 있다.The
본 실시예에서는, 도 1을 참조하여, 전자 디바이스 제조 장치의 구성에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 종류의 장치나 챔버를 가질 수도 있으며, 이들 장치나 챔버 간의 배치가 달라질 수도 있다.In this embodiment, the configuration of the electronic device manufacturing apparatus has been described with reference to FIG. 1, but the present invention is not limited thereto, and may have other types of apparatuses or chambers, and arrangements between these apparatuses or chambers may vary. there is.
이하, 성막 장치(11)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, a specific configuration of the
<성막 장치><Film formation device>
도 2는 성막 장치(11)의 구성을 나타낸 모식도이다. 이하의 설명에 있어서는, 연직 방향을 Z 방향으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 사용한다. 성막 시에 기판(S)이 수평면(XY 평면)과 평행하게 고정될 경우, 기판(S)의 단변 방향(단변에 평행한 방향)을 X 방향, 장변 방향(장변에 평행한 방향)을 Y 방향으로 한다. 또 Z 축 주위의 회전각을 θ로 표시한다.2 is a schematic diagram showing the configuration of the
성막 장치(11)는, 진공 분위기 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되는 진공 용기(21)와, 진공 용기(21)내에 설치되는 기판 지지 유닛(22)과, 마스크 지지 유닛(23)과, 정전척(24)과, 증발원(25)을 포함한다. The
기판 지지 유닛(22)은 반송실(13)에 설치된 반송 로봇(14)이 반송하여 온 기판(S)을 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 기판 홀더라고도 부른다. 기판 지지 유닛(22)은 기판의 하면의 주연부를 지지하는 지지부를 포함한다. 기판 지지 유닛(22)의 지지부의 상세 구성에 대해서는 후술한다.The
기판 지지 유닛(22)의 아래에는 마스크 지지 유닛(23)이 설치된다. 마스크 지지 유닛(23)은, 반송실(13)에 설치된 반송로봇(14)이 반송하여 온 마스크(M)를 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 마스크 홀더라고도 부른다.A
마스크(M)는, 기판(S) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 가지며, 마스크 지지 유닛(23)상에 재치된다. 특히, 스마트폰용 유기 EL 소자를 제조하는데 사용되는 마스크는 미세한 개구패턴이 형성된 금속제 마스크로서, FMM(Fine Metal Mask)이라고도 부른다.The mask M has an opening pattern corresponding to the thin film pattern to be formed on the substrate S, and is placed on the
기판 지지 유닛(22)의 상방에는 기판을 정전 인력에 의해 흡착하여 고정하기 위한 정전척(24)이 설치된다. 정전척(24)은 유전체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조를 갖는다. 정전척(24)은, 쿨롱력 타입의 정전척이어도 되고, 존슨-라벡력 타입의 정전척이어도 되며, 그래디언트력 타입의 정전척이어도 된다. 정전척(24)은, 그래디언트력 타입의 정전척인 것이 바람직하다. 정전척(24)을 그래디언트력 타입의 정전척으로 함으로써, 기판(S)이 절연성 기판인 경우라도, 정전척(24)에 의해 양호하게 흡착될 수 있다. 정전척(24)이 쿨롱력 타입의 정전척인 경우에는, 금속전극에 플러스(+) 및 마이너스(-)의 전위가 인가되면, 유전체 매트릭스를 통해 기판(S)과 같은 피흡착체에 금속 전극과 반대극성의 분극 전하가 유도되며, 이들 간의 정전 인력에 의해 기판(S)이 정전척(24)에 흡착 고정된다. Above the
정전척(24)은 하나의 플레이트로 형성되어도 되고, 복수의 서브 플레이트를 가지도록 형성되어도 된다. 또한, 하나의 플레이트로 형성되는 경우에도 그 내부에 복수의 전기회로를 포함하여, 하나의 플레이트내에서 위치에 따라 정전인력이 다르도록 제어할 수도 있다. 즉, 정전척은 매설된 전기회로의 구조에 따라 복수의 흡착부 모듈로 구획될 수 있다. 정전척(24)의 흡착부의 구성 및 흡착 전압 인가의 제어 방식의 상세에 대해서도, 기판 지지 유닛(22)의 지지부의 동작 제어와 함께 후술한다.The
정전척(24)의 상부에는, 도시하지 않았으나, 성막 시 마스크(M)에 자력을 인가하여 마스크(M)를 기판(S) 쪽으로 끌어당겨 기판(S)에 밀착시키기 위한 자력인가수단이 설치될 수 있다. 자력인가수단으로서의 마그넷은 영구자석 또는 전자석으로 이루어질 수 있으며, 복수의 모듈로 구획될 수 있다.Although not shown, a magnetic force application means is installed on the upper part of the
또한, 도 2에 도시하지 않았으나, 정전척(24)의 흡착면과는 반대측에 기판(S)의 온도 상승을 억제하는 냉각 기구(예컨대, 냉각판)를 설치함으로써, 기판(S)상에 퇴적된 유기재료의 변질이나 열화를 억제하도록 하여도 된다. 냉각판은 상기 마그넷과 일체로 형성될 수도 있다. In addition, although not shown in FIG. 2, a cooling mechanism (eg, a cooling plate) for suppressing the temperature rise of the substrate S is provided on the side opposite to the adsorption surface of the
증발원(25)은 기판에 성막될 증착 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시), 증발원으로부터의 증발 레이트가 일정해질 때까지 증착 재료가 기판으로 비산하는 것을 막는 셔터(미도시) 등을 포함한다. 증발원(25)은 점(point) 증발원이나 선형(linear) 증발원 등, 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다. The
도 2에 도시하지 않았으나, 성막 장치(11)는 기판에 증착된 막 두께를 측정하기 위한 막 두께 모니터(미도시) 및 막 두께 산출 유닛(미도시)를 포함한다. Although not shown in FIG. 2 , the
진공 용기(21)의 상부 외측(대기측)에는 기판 Z 액츄에이터(26), 마스크 Z 액츄에이터(27), 정전척 Z 액츄에이터(28), 위치조정기구(29) 등이 설치된다. 이들 액츄에이터와 위치조정장치는, 예컨대, 모터와 볼나사, 또는 모터와 리니어 가이드 등으로 구성된다. 기판 Z 액츄에이터(26)는, 기판 지지 유닛(22)을 승강(Z 방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 기판 Z 액츄에이터(26)의 구동에 의한 기판 지지 유닛(22)의 승강 제어의 상세에 대해서는 후술한다. 마스크 Z 액츄에이터(27)는, 마스크 지지 유닛(23)을 승강(Z 방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 정전척 Z 액츄에이터(28)는, 정전척(24)을 승강(Z 방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. A
위치조정기구(29)는, 정전척(24)과 기판(S) 및/또는 기판(S)과 마스크(M) 간의 수평면 내에서의 위치 어긋남을 조정(얼라인먼트)하기 위한 구동 수단이다. 즉, 위치조정기구(29)는, 기판 지지 유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)에 대하여, 정전척(24)을 수평면에 평행한 면 내에서 X방향, Y방향, θ방향 중 적어도 하나의 방향으로 상대적으로 이동/회전시키기 위한 수평구동기구이다. 본 실시형태에서는, 기판지지유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)의 수평면 내에서의 이동은 고정하고, 정전척(24)을 XYθ방향으로 위치 이동시키도록 위치조정기구를 구성하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)의 수평방향으로의 이동은 고정하고, 기판지지유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)을 XYθ방향으로 위치 이동시키도록 위치조정기구를 구성하여도 된다.The
진공용기(21)의 외측 상면에는, 전술한 구동기구 이외에, 진공 용기(21)의 상면에 설치된 투명창을 통해 기판(S) 및 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하기 위한 얼라인먼트용 카메라(20a, 20b)가 설치된다. 얼라인먼트용 카메라(20a, 20b)에 의해 촬영된 화상으로부터 기판(S) 상의 얼라인먼트 마크와 마스크(M) 상의 얼라인먼트 마크를 인식함으로써, 각각의 XY 위치나 XY 면내에서의 상대 어긋남을 계측할 수 있다. On the outer upper surface of the
기판(S)과 마스크(M) 간의 얼라인먼트는, 대략적으로 위치 맞춤을 행하는 제1 위치 조정 공정인 제1 얼라인먼트("러프 얼라인먼트(rough alignment)"라고도 함)와, 고정밀도로 위치 맞춤을 행하는 제2 위치 조정 공정인 제2 얼라인먼트("파인 얼라인먼트(fine alignment)"라고도 함)의 2 단계의 얼라인먼트를 실시할 수 있다. 그 경우, 저해상도이지만 광시야각의 제1 얼라인먼트 용의 카메라(20a)와, 협시야각이지만 고해상도의 제2 얼라인먼트 용의 카메라(20b)의 2 종류의 카메라를 이용하면 된다. 기판(S) 및 마스크(120) 각각에 대하여, 대향하는 한 쌍의 변의 2 군데에 설치한 얼라인먼트 마크를 2 대의 제1 얼라인먼트용 카메라(20a)로 측정하고, 기판(S) 및 마스크(120)의 4 코너에 설치한 얼라인먼트 마크를 4 대의 제2 얼라인먼트용 카메라(20b)로 측정한다. 얼라인먼트 마크 및 그 측정용 카메라의 수는, 특히 한정되지 않고, 예를 들어 파인 얼라인먼트의 경우, 기판(S) 및 마스크(120)의 대향하는 2 코너에 설치된 마크를 2대의 카메라로 측정하도록 하여도 된다.The alignment between the substrate S and the mask M is a first alignment (also referred to as "rough alignment"), which is a first position adjustment step for roughly positioning, and a second positioning for high-precision positioning. Alignment in two stages of second alignment (also referred to as "fine alignment"), which is a position adjustment process, can be performed. In that case, what is necessary is just to use two types of cameras, the
성막 장치(11)는 제어부(미도시)를 구비한다. 제어부는 기판(S)의 반송 및 얼라인먼트, 증발원(25)의 제어, 성막의 제어 등의 기능을 갖는다. 제어부는 예를 들면, 프로세서, 메모리, 스토리지, I/O 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성 가능하다. 이 경우, 제어부의 기능은 메모리 또는 스토리지에 기억된 프로그램을 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 컴퓨터로서는 범용의 퍼스널 컴퓨터를 사용하여도 되고, 임베디드형의 컴퓨터 또는 PLC(programmable logic controller)를 사용하여도 좋다. 또는, 제어부의 기능의 일부 또는 전부를 ASIC나 FPGA와 같은 회로로 구성하여도 좋다. 또한, 성막 장치별로 제어부가 설치되어도 되고, 하나의 제어부가 복수의 성막 장치를 제어하는 것으로 구성하여도 된다.The
<기판 지지 유닛><Substrate support unit>
기판 지지 유닛(22)은 기판의 하면의 주연부를 지지하는 지지부를 포함한다. 도 3은, 기판 지지 유닛(22)을 연직 방향(Z 방향) 상방에서부터 본 평면도로서, 이해의 편의를 위해, 기판(S)이 기판 지지 유닛(22) 상에 재치된 상태로 지지되는 모습을 도시하고 있고, 그 밖의 기판(S) 상부에 배치되는 정전척(24), 기판 Z 액츄에이터(26) 등의 구동 기구 등의 도시는 생략하고 있다. The
도시된 바와 같이, 기판 지지 유닛(22)을 구성하는 지지부는, 각각 독립하여 승강 제어 가능한 복수의 지지부(221~224)를 포함한다. 구체적으로, 기판(S)의 전체 주연을 기판의 각 코너부를 포함하는 4개의 영역으로 구분할 경우, 이들 4개의 코너부 영역에 각각 대응하는 위치에 4개의 지지부(221~224)가 각각 설치된다. 즉, 기판(S)의 제1 코너부(①)에 대응하는 위치에, 해당 코너부를 형성하는 기판(S)의 제1 변(장변)과 제2 변(단변)을 따라 각각 연장되어 L자 형상으로 형성되는 제1 지지부(221)가 설치되고, 상기 제1 코너부(①)의 대각 위치인 기판의 제2 코너부(②)에 대응하는 위치에, 해당 코너부를 형성하는 기판(S)의 제3 변(장변)과 제4 변(단변)을 따라 각각 연장되어 L자 형상으로 형성되는 제2 지지부(222)가 설치된다. 기판(S)의 나머지 두 코너부에도 마찬가지로, 제3 코너부(③)에 대응하는 위치에, 해당 코너부를 형성하는 기판(S)의 제3 변(장변)과 제2 변(단변)을 따라 각각 연장되어 L자 형상으로 형성되는 제3 지지부(223)가 설치되고, 상기 제3 코너부(③)의 대각 위치인 기판의 제4 코너부(④)에 대응하는 위치에, 해당 코너부를 형성하는 기판(S)의 제1 변(장변)과 제4 변(단변)을 따라 각각 연장되어 L자 형상으로 형성되는 제4 지지부(224)가 설치된다.As shown, the support part constituting the
기판 지지 유닛(22)을 Z축 방향으로 승강 구동하기 위한 구동 기구인 전술한 기판 Z 액츄에이터(26)는, 이들 각각의 기판 지지부(221~224)에 대응하여 설치된다. 즉, 기판(S)의 각 코너부(①~④)에 대응하는 위치에 4개의 기판 Z 액츄에이터가 설치되어, 각각의 대응하는 기판 지지부(221~224)에 연결된다. 그리고, 이들 각각의 기판 Z 액츄에이터는, 제어부에 의해, 대응하는 각각의 기판 지지부(221~224)를 각각 독립하여 승강 가능하도록 제어된다.The above-described
본 발명의 일 실시형태에서는, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시키기 위해 기판 지지 유닛(22)에 의해 지지된 기판(S)을 정전척(24)을 향해 상승시켜 갈 때, 기판 지지 유닛(22)을 구성하는 전술한 복수의 기판 지지부(221~224)를 독립적으로 승강 구동시킨다. 구체적으로, 기판(S)의 한 코너부에 대응하는 위치에 설치된 지지부에서부터, 대각 위치의 코너부에 대응하는 위치에 설치된 지지부의 순으로, 기판 지지부(221~224)를 순차적으로 상승시켜 정전척(24)에 근접시킨다. 예컨대, 제1 코너부(①)에 대응하는 위치에 설치된 제1 지지부(221)가 먼저 상승되도록 제1 지지부(221)에 접속된 기판 Z 액츄에이터(26)를 구동시키고, 이어서, 제1 코너부(①)에 인접한 제3 코너부(③) 및 제4 코너부(④)에 대응하는 위치에 각각 설치된 기판 Z 액츄에이터를 구동시켜 제3 지지부(223) 및 제4 지지부(224)를 상승시키고, 마지막으로 제1 코너부(①)의 대각 위치인 제2 코너부(②)에 대응하는 위치에 설치된 제2 지지부(222)를 해당 지지부에 연결된 기판 Z 액츄에이터를 구동 제어함으로써 상승시킨다.In one embodiment of the present invention, when the substrate S supported by the
기판 지지부를 이와 같이 독립 구동 제어함으로써, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시킬 때, 대각선 상의 한 코너부로부터 대향하는 다른 코너부를 향해 순차적으로 흡착을 진행시켜 갈 수 있게 된다. By controlling the substrate support to be independently driven in this way, when the substrate S is attracted to the
즉, 정전척(24)은 흡착 전압을 인가하여 턴온시킨 상태에서, 전술한 바와 같이 기판 지지 유닛(22)을 구성하는 복수의 기판 지지부(221~224)를 독립하여 순차적으로 상승시키면, 가장 먼저 상승한 제1 지지부(221)에 의해 지지된 기판(S)의 제1 코너부(①)에 대응하는 주연부(가장자리)가 정전척(24)의 하면에 접촉하여 흡착이 이루어진다(도 4a). 이어서, 제3 및 제4 지지부(223, 224)가 상승됨에 따라 상기 제1 코너부(①)로부터 기판(S)의 중앙부를 향해 도 3의 화살표 방향으로 흡착이 진행되어, 제3 및 제4 지지부(223, 224)에 의해 각각 지지된 제3 및 제4 코너부(③, ④)에 대응하는 주연부까지 흡착이 이루어지고(도 4b), 마지막으로 대각 위치의 제2 지지부(222)가 상승하여 제2 코너부(②)에 대응하는 위치의 기판 주연부가 정전척(24)에 접촉하여 흡착됨으로써, 흡착이 마무리된다(도 4c). 도 4a ~ 도 4c는, 도 3에 있어서 기판의 제1 코너부(①)와 제2 코너부(②)를 연결하는 대각 방향에 있어서의 수직 단면에서 보았을 때의, 이상 설명한 기판 지지부의 상승 및 정전척(24)으로의 흡착 진행 과정을 나타낸 도면이다. That is, when the
이와 같이, 본 발명의 일 실시형태에서는, 기판(S)의 외주를 지지하는 기판 지지 유닛(22)을 기판(S)의 각 코너부에 대응하는 영역으로 복수로 분할하여 설치하고, 이들 각 코너부에 대응하는 위치에 설치된 복수의 기판 지지부(221~224)를 독립하여 순차 구동 제어하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 정전척(24)으로의 흡착이 기판의 제1 코너부로부터 기판의 중앙부를 지나 기판의 대향하는 제2 코너부로 순차적으로 진행될 수 있고, 기판의 중앙부의 처짐이 마지막으로 흡착되는 제2 코너부 측으로 펴지면서 기판 전체가 정전척(24)에 주름없이 편평하게 흡착될 수 있게 된다. 따라서, 정전척으로의 흡착 시의 주름 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있게 된다.As described above, in one embodiment of the present invention, the
이상 설명한 실시형태에서는, 정전척(24)에 흡착 전압을 인가한 상태에서 기판 지지부의 상승을 개시하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 정전척(24)을 오프로 한 상태에서 이상 설명한 기판 지지부의 상승 동작을 개시하고, 정전척(24)과의 접촉이 시작된 시점(예컨대, 제1 지지부(221)에 의해 지지된 기판의 제1 코너부가 정전척에 접촉된 시점)에서, 정전척(24)에 흡착 전압을 인가함으로써, 흡착을 행할 수도 있다. 또는, 기판 지지부의 상승이 개시되고 정전척(24)과 접촉하지 않은 상태에서 정전척(24)에 흡착 전압을 인가하여 턴온시킬 수도 있다. 이러한 경우에도, 상술한 본 발명의 효과를 달성할 수 있다.In the above-described embodiment, it has been described that the substrate support part is started to rise in a state in which the adsorption voltage is applied to the
또한, 본 실시형태에서는, 기판의 각 코너부(4개의 코너부)에 대응한 위치에 각각 기판 지지부를 설치한 구성으로 하였으나, 적어도 3개 이상의 기판 지지부의 적어도 하나를 기판의 하나의 코너부에 대응한 위치에 설치하고, 다른 기판 지지부를 코너부 또는 임의의 위치에 설치하여, 각 기판 지지부를 독립하여 승강 제어하는 구성이면, 하나의 코너부에서부터 흡착을 순차로 양호하게 진행시킬 수 있다.Further, in the present embodiment, although the substrate support portion is provided at positions corresponding to each corner portion (four corner portions) of the substrate, at least one of the three or more substrate support portions is provided at one corner portion of the substrate. If the configuration is such that the substrate supports are installed at the corresponding positions, and the other substrate supports are provided at the corners or at arbitrary positions, and each substrate support is independently lifted and controlled, suction can be sequentially and satisfactorily progressed from one corner.
<정전척(24)의 흡착부의 구성, 및 정전척(24)으로의 흡착 전압의 인가와 기판 지지부의 구동 제어와의 연동><Configuration of the adsorption unit of the
이상에서는 기판(S)을 흡착하기 위한 흡착 전압을 정전척(24)의 전체 면에 동시에 인가하는 것으로 하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. In the above, it has been described that the suction voltage for adsorbing the substrate S is simultaneously applied to the entire surface of the
즉, 정전척(24)으로의 기판 흡착 전압의 인가를, 전술한 기판 지지부의 구동 제어와 연동시킴으로써, 흡착 시의 주름 발생을 보다 한층 효과적으로 억제할 수 있다. 이하, 이를 상세히 설명한다.In other words, by interlocking the application of the substrate adsorption voltage to the
도 5a 내지 도 5c를 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 정전척의 흡착부의 구성에 대하여 설명한다. A configuration of an adsorption unit of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 5C .
도 5a는 본 실시형태의 정전척 시스템(30)의 개념적인 블록도이고, 도 5b는 정전척(24)의 모식적 평면도이다.FIG. 5A is a conceptual block diagram of the electrostatic chuck system 30 of the present embodiment, and FIG. 5B is a schematic plan view of the
본 실시형태의 정전척 시스템(30)은 도 5a에 도시된 바와 같이, 정전척(24), 전압 인가부(31) 및 전압 제어부(32)를 포함한다.As shown in FIG. 5A , the electrostatic chuck system 30 of this embodiment includes an
전압 인가부(31)는, 정전척(24)의 전극부에 정전 인력을 발생시키기 위한 전압을 인가한다.The
전압 제어부(32)는, 정전척 시스템(30)의 흡착공정 또는 성막 장치(11)의 성막 프로세스의 진행에 따라 전압 인가부(31)에 의해 전극부에 가해지는 전압의 크기, 전압의 인가 개시 시점, 전압의 유지 시간, 전압의 인가 순서 등을 제어한다. 전압 제어부(32)는 예컨대, 정전척(24)의 전극부에 포함되는 복수의 서브 전극부(241 ~ 244)에의 전압 인가를 서브 전극부 별로 독립적으로 제어할 수 있다. 본 실시형태에서는, 전압 제어부(32)가 성막 장치(11)의 제어부와 별도로 구현되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 성막 장치(11)의 제어부에 통합되어도 된다.The
정전척(24)은 흡착면에 피흡착체(예컨대, 기판(S))를 흡착하기 위한 정전 흡착력을 발생시키는 전극부를 포함하며, 전극부는 복수의 서브전극부(241 ~ 244)를 포함할 수 있다. 예컨대, 본 실시형태의 정전척(24)은, 도 5b에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 장변과 평행한 방향(Y방향) 및/또는 정전척(24)의 단변과 평행한 방향(X방향)을 따라 분할된 복수의 서브 전극부(241 내지 244)를 포함한다. The
각 서브 전극부는 정전 흡착력을 발생시키기 위해 플러스(제1 극성) 및 마이너스(제2 극성)의 전위가 인가되는 전극쌍(33)을 포함한다. 예컨대, 각각의 전극쌍(33)은 플러스 전위가 인가되는 제1 전극(331)과 마이너스 전위가 인가되는 제2 전극(332)를 포함한다. Each sub-electrode unit includes an electrode pair 33 to which positive (first polarity) and negative (second polarity) potentials are applied in order to generate an electrostatic attraction force. For example, each electrode pair 33 includes a first electrode 331 to which a positive potential is applied and a
제1 전극(331) 및 제2 전극(332)은, 도 5b에 도시한 바와 같이, 각각 빗 형상을 가진다. 예컨대, 제1 전극(331) 및 제2 전극(332)은 각각 복수의 빗살부 및 복수의 빗살부가 연결되는 기부(基部)를 가진다. 각 전극(331, 332)의 기부는 복수의 빗살부에 전위를 공급하며, 복수의 빗살부는 피흡착체와의 사이에서 정전 흡착력을 발생시킨다. 하나의 서브 전극부내에서 제1 전극(331)의 빗살부 각각은 제2 전극(332)의 빗살부 각각과 대향하도록 교대로 배치된다. 이처럼, 각 전극(331, 332)의 각 빗살부가 대향하고 또한 서로 얽힌 구성으로 함으로써, 다른 전위가 인가된 전극 간의 간격을 좁힐 수 있고, 커다란 불평등 전계를 형성하여, 그래디언트력에 의해 기판(S)을 흡착할 수 있다. The first electrode 331 and the
본 실시예에서는, 정전척(24)의 서브 전극부(241 ~ 244)의 각 전극(331, 332)이 빗형상을 가지는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 피흡착체와의 사이에서 정전인력을 발생시킬 수 있는 한, 다양한 형상을 가질 수 있다. In this embodiment, it has been described that each of the
본 실시형태의 정전척(24)은 복수의 서브 전극부에 대응하는 복수의 흡착부를 가진다. 예컨대, 본 실시예의 정전척(24)은, 도 5b에 도시된 바와 같이, 4개의 서브 전극부(241 ~ 244)에 대응하는 4개의 흡착부를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(S)의 흡착을 보다 정밀하게 제어하기 위해, 이와 다른 개수의 흡착부를 가질 수도 있다. The
복수의 흡착부는, 물리적으로 하나인 플레이트가 복수의 전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있고, 물리적으로 분할된 복수의 플레이트 각각이 하나 또는 그 이상의 전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있다. 도 5b에 도시한 실시예에 있어서, 복수의 흡착부 각각이 복수의 서브 전극부 각각에 대응하도록 구현할 수 있으나, 하나의 흡착부가 복수의 서브 전극부를 포함하도록 구현할 수도 있다. The plurality of adsorption units may be realized by having a physically single plate having a plurality of electrode units, or by having a plurality of physically divided plates each having one or more electrode units. In the embodiment shown in FIG. 5B, each of the plurality of adsorption units may correspond to each of the plurality of sub-electrode units, but one adsorption unit may include a plurality of sub-electrode units.
예컨대, 전압 제어부(32)에 의한 서브 전극부(241 ~ 244)에의 전압의 인가를 제어함으로써, 후술하는 바와 같이, 기판(S)의 흡착진행 방향과 교차하는 방향으로 배치된 복수의 서브 전극부(241, 244)가 하나의 흡착부를 이루도록 할 수 있다. 즉, 2개의 서브 전극부(241, 244) 각각은 독립적으로 전압 제어가 가능하지만, 이들 2개의 서브 전극부(241, 244)에 동시에 전압이 인가되도록 제어함으로써, 이들 2개의 서브 전극부(241, 244)가 하나의 흡착부로서 기능하게 할 수 있다. 복수의 흡착부 각각에 독립적으로 기판 흡착이 이루어질 수 있는 한, 그 구체적인 물리적 구조 및 전기회로적 구조는 다를 수 있다. For example, by controlling the application of voltage to the
도 6은, 이상의 구성을 갖는 정전척(24)에 대하여, 각각의 흡착부에 대한 흡착 전압의 인가와 전술한 기판 지지부의 구동을 연동시킴으로써, 기판(S)을 일측 코너부로부터 대각 방향의 타측 코너를 향해 순차적으로 흡착시켜 나가는)의 세부 공정을 도시한다.6 shows that, with respect to the
성막 장치(11)의 진공 용기(21) 내로 기판(S)이 반입되어 기판 지지 유닛(22)의 지지부에 재치된 상태에서, 전술한 바와 같이, 기판(S)의 한 코너부(예컨대, 제1 코너부(①))에 대응하는 위치에 설치된 제1 지지부(221)가 먼저 상승한다. 제1 지지부(221)의 상승에 따라 제1 코너부(①)에 대응하는 기판 주연부가 정전척(24)의 하면에 충분히 근접 내지 접촉하게 되면, 전압 제어부(32)는, 기판의 제1 코너부(①)에 대응하는 위치에 배치된 서브 전극부(243)에 기판 흡착 전압(△V1)이 인가되도록 제어한다(도 6a). 이에 의해, 기판(S)의 제1 코너부(①)에서부터 흡착이 개시된다.In the state where the substrate S is carried into the
이어서, 제3 및 제4 지지부(223, 224)의 상승에 의해 제3 및 제4 코너부(③, ④)에 대응하는 기판 주연부가 정전척(24)의 하면에 충분히 근접 내지 접촉하게 되면, 전압 제어부(32)는, 이들 제3 및 제4 코너부(③, ④)에 대응하는 위치에 배치된 서브 전극부(241, 244)에 기판 흡착 전압(△V1)이 인가되도록 제어한다(도 6b). 이에 의해, 기판(S)의 제1 코너부(①)에서부터 개시된 흡착이, 대각선 상의 타 코너부를 향하는 방향으로 기판(S)의 중앙부를 포함하는 기판(S)의 대략 절반에 해당하는 영역까지 흡착이 진행된다.Subsequently, when the periphery of the substrate corresponding to the third and
마지막으로, 대각 방향의 기판 지지부인 제2 지지부(222)가 상승하여, 대각 방향의 코너부인 제2 코너부(②)에 대응하는 기판 주연부가 정전척(24)의 하면에 충분히 근접 내지 접촉하게 되면, 전압 제어부(32)는, 제2 코너부(②)에 대응하는 위치에 배치된 서브 전극부(242)에 기판 흡착 전압(△V1)이 인가되도록 인가되도록 제어한다(도 6c). 이에 의해, 기판(S)의 전체 영역이 흡착된다.Finally, the
도 6의 각 우측 도면은, 이상의 각 전압 인가 단계에서의 기판(S) 흡착 상태를 개념적으로 도시한 상면도(정전척(24)측에서 본 상면도)이다. 각 단계에서의 기판 흡착 영역을 사선으로 도시하고 있다. 도 6의 각 좌측 도면은, 상기 각 전압 인가 단계에 있어서 기판의 제1 코너부(①)와 제2 코너부(②)를 연결하는 대각 방향에 있어서의 수직 단면에서 보았을 때의 기판 지지부의 상승 및 흡착 진행 과정을 나타내고 있다.Each right figure in FIG. 6 is a top view (a top view viewed from the side of the electrostatic chuck 24) conceptually showing the adsorption state of the substrate S in each voltage application step described above. Substrate adsorption areas in each step are shown with oblique lines. Each left view of FIG. 6 shows an elevation of the substrate support when viewed in a vertical section in a diagonal direction connecting the first and
이와 같이, 본 발명의 일 실시형태에서는, 기판(S)의 각 코너부에 대응하는 위치에 설치된 복수의 기판 지지부(221~224)를 독립하여 순차 구동 제어함과 함께, 정전척(24)으로 인가되는 흡착 전압도, 이러한 기판 지지부의 구동 제어 타이밍에 맞추어, 일측 코너부로부터 중앙부를 지나 대각 방향의 타측 코너부를 향해 복수의 흡착 영역에 순차적으로 인가되도록 제어한다.In this way, in one embodiment of the present invention, the plurality of
이에 의해, 정전척(24)으로의 기판 흡착 시의 주름 발생을 보다 한층 효과적으로 억제할 수 있다.This makes it possible to more effectively suppress the occurrence of wrinkles when the substrate is adsorbed onto the
이상과 같이, 본 발명은, 기판 지지부를 기판(S)의 각 코너부에 대응하여 복수로 분할하여 설치하고, 이들의 구동을 독립적으로 제어하여, 기판의 흡착이 일측 코너부로부터 대각 방향의 타측 코너부를 향하는 방향으로 진행되도록 함으로써, 흡착 시 기판의 처짐이 양호하게 펴지도록 하여 주름 발생을 억제한다. 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다. 예컨대, 상기 실시예에서는, 기판 지지부의 구동(및/또는 이와 연동한 정전척으로 흡착 전압 인가)을, "제1 코너부(①)에 대응하는 제1 지지부(221)의 상승" → "제3 및 제4 코너부(③, ④)에 대응하는 제3 및 제4 지지부(223, 224)의 동시 상승" → "제2 코너부(②)에 대응하는 제2 지지부(222)의 상승"의 순으로 제어하는 예에 대해 설명하였으나, 기판의 흡착 진행 방향이 전체적으로 일측 코너부로부터 대각 방향의 타측 코너부를 향하는 방향이 되는 한, 제3 및 제4 지지부(223, 224)도 독립 제어하여, "제1 지지부(221)의 상승" → "제3 지지부(223)의 상승"→ "제4 지지부(224)의 상승" → "제2 지지부(222)의 상승"의 순으로 제어하거나, 또는 "제1 지지부(221)의 상승" → "제3 지지부(223)의 상승"→ "제4 지지부(224) 및 제2 지지부(222)의 동시 상승"의 순 등으로 제어할 수도 된다.As described above, the present invention divides and installs the substrate support part into a plurality of parts corresponding to each corner part of the substrate S, and controls their driving independently, so that the substrate is adsorbed from one corner part to the other diagonal direction. By advancing in the direction toward the corner portion, the sagging of the substrate is well straightened during adsorption, thereby suppressing the generation of wrinkles. The present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea. For example, in the above embodiment, driving the substrate support (and/or applying an adsorption voltage to the electrostatic chuck interlocked therewith) is “elevation of the
<성막 프로세스> <Film formation process>
이하, 본 실시형태에 의한 성막장치를 사용한 성막 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a film forming method using the film forming apparatus according to the present embodiment will be described.
진공 용기(21) 내의 마스크 지지 유닛(23)에 마스크(M)가 지지된 상태에서, 기판(S)이 진공 용기(21) 내로 반입된다. 이상 설명한 기판 지지 유닛(22)을 구성하는 복수의 기판 지지부(221~224)의 순차 구동 (및 이와 연동한 정전척(24)으로의 순차적인 흡착 전압 인가) 동작을 통하여, 정전척(24)에 기판(S)을 흡착시킨다. 이어서, 기판(S)과 마스크(M)의 얼라인먼트를 행한 뒤, 기판(S)과 마스크(M)의 상대위치 어긋남량이 소정의 임계치보다 작아지면, 자력인가수단을 하강시켜, 기판(S)과 마스크(M)를 밀착시킨 후, 성막재료를 기판(S)에 성막한다. 원하는 두께로 성막한 후, 자력인가수단을 상승시켜 마스크(M)를 분리하고, 기판(S)을 반출한다.With the mask M supported by the
<전자디바이스의 제조방법><Method of manufacturing electronic device>
다음으로, 본 실시형태의 성막 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.Next, an example of a method for manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of the present embodiment will be described. Hereinafter, the structure and manufacturing method of an organic EL display device as an example of an electronic device are exemplified.
우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 7(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 7(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다. First, an organic EL display device to be manufactured will be described. Fig. 7(a) is an overall view of the organic
도 7(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다.As shown in FIG. 7(a), in the
도 7(b)는 도 7(a)의 A－B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(63) 상에 양극(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 음극(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 양극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 음극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 양극(64)과 음극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 양극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.Fig. 7(b) is a partial cross-sectional schematic view along line AB of Fig. 7(a). The
도 7(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 양극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 양극(64)으로부터 정공수송층(65)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 음극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.Although the
다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조 방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be described in detail.
우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 양극(64)이 형성된 기판(63)을 준비한다.First, a circuit (not shown) for driving an organic EL display device and a
양극(64)이 형성된 기판(63) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 양극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.An acrylic resin is formed by spin coating on the
절연층(69)이 패터닝된 기판(63)을 제1 유기재료 성막 장치에 반입하여 기판 보유 지지 유닛 및 정전척으로 기판을 보유 지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 양극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크는 필요치 않다.The
다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(63)을 제2 유기재료 성막 장치에 반입하고, 기판 보유 지지 유닛 및 정전척으로 보유 지지한다. 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 기판을 마스크 상에 재치하여, 기판(63)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다. Next, the
발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막 장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막 장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막 장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.Similar to the film formation of the
전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막 장치로 이동시켜 음극(68)을 성막한다. The substrate formed up to the
그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.After that, it is transferred to a plasma CVD device to form a
절연층(69)이 패터닝 된 기판(63)을 성막 장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 포함하는 분위기에 노출되면 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막 장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.From the time the
상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다.The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea.
11: 성막장치
22: 기판 지지 유닛
221, 222, 223, 224: 지지부
23: 마스크 지지 유닛
24: 정전척
241, 242, 243, 244: 서브 전극부11: film formation device
22: substrate support unit
221, 222, 223, 224: support
23: mask support unit
24: electrostatic chuck
241, 242, 243, 244: sub electrode part
Claims (15)
챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 주연부를 지지하는 기판 지지부와,
상기 챔버 내의 상기 기판 지지부의 상방에 배치되어, 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과,
상기 기판 흡착 수단을 향해 상기 기판 지지부의 승강을 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 기판 지지부는, 상기 기판의 제1 코너를 사이에 두고 서로 이웃하는 2 변 각각의 상기 제1 코너의 근방을 지지하는 제1 지지부와, 상기 기판의 상기 제1 코너의 대각인 제2 코너를 사이에 두고 서로 이웃하는 2변 각각의 상기 제2 코너의 근방을 지지하는 제2 지지부와, 상기 기판의 상기 제1 코너 및 상기 제2 코너와는 다른 제3 코너를 사이에 두고 서로 이웃하는 2변의 상기 제3 코너의 근방을 지지하는 제3 지지부를 적어도 포함하고,
상기 기판 흡착 수단은, 상기 기판을 흡착하기 위한 흡착 전압이 각각 인가되는 분할된 복수의 전극부를 가지는 정전척이고,
상기 기판 지지부의 상승과 상기 기판 흡착 수단의 제어로서,
상기 제1 지지부를 상승시켜 상기 기판 흡착 수단에 근접시키는 것에 따라 상기 복수의 전극부 중 상기 제1 코너의 근방에 대응하는 위치에 배치된 전극부에 상기 기판을 흡착하기 위한 흡착 전압이 인가되는 제1 제어와,
상기 제1 제어 이후에, 상기 제3 지지부를 상승시켜 상기 기판 흡착 수단에 근접시키는 것에 따라 상기 복수의 전극부 중 상기 제3 코너의 근방에 대응하는 위치에 배치된 전극부에 상기 기판을 흡착하기 위한 흡착 전압이 인가되는 제2 제어와,
상기 제2 제어 이후에, 상기 제2 지지부를 상승시켜 상기 기판 흡착 수단에 근접시키는 것에 따라 상기 복수의 전극부 중 상기 제2 코너의 근방에 대응하는 위치에 배치된 전극부에 상기 기판을 흡착하기 위한 흡착 전압이 인가되는 제3 제어가 실행되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
A film formation apparatus for forming a film of a film formation material on a substrate through a mask, comprising:
a substrate support portion disposed in the chamber to support a periphery of the substrate;
substrate adsorption means disposed above the substrate support portion in the chamber and adsorbing the substrate supported by the substrate support portion;
a controller for controlling elevation of the substrate support toward the substrate adsorption means;
The substrate support portion includes a first support portion for supporting the vicinity of the first corner of each of two adjacent sides with the first corner of the substrate interposed therebetween, and a second corner that is diagonal to the first corner of the substrate. A second support portion supporting the vicinity of the second corner of each of the two sides adjacent to each other with a third corner different from the first corner and the second corner of the substrate interposed therebetween and adjacent to each other; At least a third support portion for supporting the vicinity of the third corner of the side,
The substrate adsorbing means is an electrostatic chuck having a plurality of divided electrode units to which adsorption voltages for adsorbing the substrate are applied, respectively;
As the raising of the substrate support and the control of the substrate adsorption means,
A suction voltage for adsorbing the substrate is applied to an electrode portion disposed at a position corresponding to the vicinity of the first corner among the plurality of electrode portions as the first support portion is raised and brought closer to the substrate adsorption unit. 1 control,
After the first control, adsorbing the substrate to an electrode portion disposed at a position corresponding to the vicinity of the third corner among the plurality of electrode portions by raising the third support portion and bringing it close to the substrate adsorption means. A second control for applying an adsorption voltage for
After the second control, adsorbing the substrate to an electrode part disposed at a position corresponding to the vicinity of the second corner among the plurality of electrode parts by raising the second support part and bringing it close to the substrate adsorption means. A film forming apparatus characterized in that a third control in which an adsorption voltage for applying is applied is executed.
상기 기판 지지부는, 상기 기판의 상기 제3 코너의 대각인 제4 코너를 사이에 두고 서로 이웃하는 2변 각각의 상기 제4 코너의 근방을 지지하는 제4 지지부를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 기판의 상기 제1 코너로부터 상기 제2 코너를 향하는 방향으로 상기 기판의 흡착이 진행되도록, 상기 제1 지지부에서부터 상기 제2 지지부를 향하는 순으로 상기 제1 내지 제4 지지부를 상승시켜 상기 기판 흡착 수단에 근접시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1,
The substrate support portion includes a fourth support portion for supporting a vicinity of the fourth corner of each of two adjacent sides of the substrate with a fourth corner opposite to the third corner of the substrate interposed therebetween,
The control unit lifts the first to fourth supports in an order from the first support to the second support so that the substrate is adsorbed in a direction from the first corner to the second corner of the substrate. and approaching the substrate adsorption means.
상기 제어부는, 상기 제1 지지부를 상승시키고, 이어서 제3 및 제4 지지부를 함께 상승시키고, 이어서 제2 지지부를 상승시키도록 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 3,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the controller controls to raise the first support, then to raise the third and fourth supports together, and then to raise the second support.
상기 제어부는, 상기 제1 지지부를 상승시키고, 이어서 제3 및 제4 지지부를 순차로 상승시키고, 이어서 제2 지지부를 상승시키도록 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 3,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the controller controls to raise the first support, then sequentially raise the third and fourth supports, and then to raise the second support.
챔버 내로 반입된 상기 기판의 주연부를 기판 지지부로 지지하는 공정과,
상기 챔버 내의 상기 기판 지지부의 상방에 배치된 기판 흡착 수단에 상기 기판의 상기 성막면과 반대측의 면을 흡착시키는 공정과,
성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 상기 마스크를 통해 상기 기판의 상기 성막면에 성막하는 공정을 포함하고,
상기 기판 흡착 수단은, 상기 기판을 흡착하기 위한 흡착 전압이 각각 인가되는 분할된 복수의 전극부를 가지는 정전척이고,
상기 기판 지지부는, 상기 기판의 제1 코너를 사이에 두고 서로 이웃하는 2 변 각각의 상기 제1 코너의 근방을 지지하는 제1 지지부와, 상기 기판의 상기 제1 코너의 대각인 제2 코너를 사이에 두고 서로 이웃하는 2변 각각의 상기 제2 코너의 근방을 지지하는 제2 지지부와, 상기 기판의 상기 제1 코너 및 상기 제2 코너와는 다른 제3 코너를 사이에 두고 서로 이웃하는 2변의 상기 제3 코너의 근방을 지지하는 제3 지지부를 적어도 포함하고,
상기 흡착시키는 공정은,
상기 제1 지지부를 상승시켜 상기 기판 흡착 수단에 근접시키는 것에 따라 상기 복수의 전극부 중 상기 제1 코너의 근방에 대응하는 위치에 배치된 전극부에 상기 기판을 흡착하기 위한 흡착 전압이 인가되는 제1 단계와,
상기 제1 단계 이후에, 상기 제3 지지부를 상승시켜 상기 기판 흡착 수단에 근접시키는 것에 따라 상기 복수의 전극부 중 상기 제3 코너의 근방에 대응하는 위치에 배치된 전극부에 상기 기판을 흡착하기 위한 흡착 전압이 인가되는 제2 단계와,
상기 제2 단계 이후에, 상기 제2 지지부를 상승시켜 상기 기판 흡착 수단에 근접시키는 것에 따라 상기 복수의 전극부 중 상기 제2 코너의 근방에 대응하는 위치에 배치된 전극부에 상기 기판을 흡착하기 위한 흡착 전압이 인가되는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
A film formation method of forming a film of a film formation material on a film formation surface of a substrate through a mask inside a chamber of a film formation apparatus, comprising:
A step of supporting the periphery of the substrate carried into the chamber with a substrate support;
adsorbing a surface of the substrate opposite to the film-formed surface with a substrate adsorbing means disposed above the substrate support unit in the chamber;
a step of forming a film on the film formation surface of the substrate through the mask with a film formation material released from a film formation source;
The substrate adsorbing means is an electrostatic chuck having a plurality of divided electrode units to which adsorption voltages for adsorbing the substrate are applied, respectively;
The substrate support portion includes a first support portion for supporting the vicinity of the first corner of each of two adjacent sides with the first corner of the substrate interposed therebetween, and a second corner that is diagonal to the first corner of the substrate. A second support portion supporting the vicinity of the second corner of each of the two sides adjacent to each other with a third corner different from the first corner and the second corner of the substrate interposed therebetween and adjacent to each other; At least a third support portion for supporting the vicinity of the third corner of the side,
The adsorbing step is
A suction voltage for adsorbing the substrate is applied to an electrode portion disposed at a position corresponding to the vicinity of the first corner among the plurality of electrode portions as the first support portion is raised and brought closer to the substrate adsorption unit. Step 1;
After the first step, adsorbing the substrate to an electrode part disposed at a position corresponding to the vicinity of the third corner among the plurality of electrode parts by raising the third support part and bringing it close to the substrate adsorption means. A second step of applying an adsorption voltage for
After the second step, adsorbing the substrate to an electrode part disposed at a position corresponding to the vicinity of the second corner among the plurality of electrode parts by raising the second support part and bringing it close to the substrate adsorption means. A film formation method comprising a third step of applying an adsorption voltage for
상기 기판 지지부는, 상기 기판의 상기 제3 코너의 대각인 제4 코너를 사이에 두고 서로 이웃하는 2변 각각의 상기 제4 코너의 근방을 지지하는 제4 지지부를 포함하고,
상기 기판을 흡착시키는 공정에서는, 상기 기판의 상기 제1 코너로부터 상기 제2 코너를 향하는 방향으로 상기 기판의 흡착이 진행되도록, 상기 제1 지지부에서부터 상기 제2 지지부를 향하는 순으로 상기 제1 내지 제4 지지부를 상승시켜 상기 기판 흡착 수단에 근접시키는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
According to claim 8,
The substrate support portion includes a fourth support portion for supporting a vicinity of the fourth corner of each of two adjacent sides of the substrate with a fourth corner opposite to the third corner of the substrate interposed therebetween,
In the step of adsorbing the substrate, the substrate is adsorbed in a direction from the first corner to the second corner of the substrate, so that the substrate is adsorbed in the order from the first support to the second support. 4. A film forming method characterized in that a support part is raised and brought close to the substrate adsorption means.
상기 기판을 흡착시키는 공정에서는, 상기 제1 지지부를 상승시키고, 이어서 제3 및 제4 지지부를 함께 상승시키고, 이어서 제2 지지부를 상승시키는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
According to claim 10,
In the step of adsorbing the substrate, the first support part is raised, the third and fourth support parts are then raised together, and the second support part is then raised.
상기 기판을 흡착시키는 공정에서는, 상기 제1 지지부를 상승시키고, 이어서 제3 및 제4 지지부를 순차로 상승시키고, 이어서 제2 지지부를 상승시키는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
According to claim 10,
In the step of adsorbing the substrate, the first support portion is raised, the third and fourth support portions are sequentially raised, and then the second support portion is raised.
An electronic device manufacturing method characterized by manufacturing an electronic device using the film forming method according to any one of claims 8 and 10 to 12.
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