KR102411995B1 - Electrostatic chuk system, apparatus for forming film, adsorption and separation method, method for forming film, and manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Abstract
본 발명의 정전척 시스템은, 전극부를 포함하는 정전척과, 상기 정전척의 상기 전극부에 전압을 인가하기 위한 전압 인가부와, 상기 전압인가부에 의한 전압의 인가를 제어하기 위한 전압제어부를 포함하고, 상기 전압제어부는, 상기 정전척에, 제1 피흡착체를 사이에 두고, 제2 피흡착체를 흡착시키기 위한 제3 전압과, 상기 제1 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시킨 상태에서, 상기 제2 피흡착체를 상기 정전척으로부터 분리시키기 위한 제5 전압을 상기 전극부에 인가하도록 상기 전압인가부를 제어하는 것을 특징으로 한다.The electrostatic chuck system of the present invention includes an electrostatic chuck including an electrode part, a voltage applying part for applying a voltage to the electrode part of the electrostatic chuck, and a voltage controller for controlling the application of a voltage by the voltage applying part, , the voltage control unit may include: a third voltage for adsorbing a second adsorbed body to the electrostatic chuck with a first adsorbed body interposed therebetween; 2 The voltage applying unit is controlled to apply a fifth voltage for separating the adsorbed body from the electrostatic chuck to the electrode unit.
Description
본 발명은 정전척시스템, 성막장치, 흡착 및 분리방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an electrostatic chuck system, a film forming apparatus, an adsorption and separation method, a film forming method, and a manufacturing method of an electronic device.
유기EL 표시장치(유기 EL 디스플레이)의 제조에 있어서는, 유기 EL 표시장치를 구성하는 유기 발광소자(유기 EL 소자; OLED)를 형성할 때에, 성막장치의 증착원으로부터 증발한 증착재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써, 유기물층이나 금속층을 형성한다. In the manufacture of an organic EL display device (organic EL display), when an organic light emitting element (organic EL element; OLED) constituting the organic EL display device is formed, the deposition material evaporated from the deposition source of the film forming device is used as a pixel pattern. By depositing on the substrate through the formed mask, an organic material layer or a metal layer is formed.
상향증착방식(Depo-up)의 성막장치에 있어서, 증착원은 성막장치의 진공용기의 하부에 설치되고, 기판은 진공용기의 상부에 배치되며, 기판의 하면에 증착이 이루어진다. 이러한 상향 증착 방식의 성막장치의 진공용기내에서, 기판은 그 하면의 주연부만이 기판홀더에 의해 보유 및 지지되기 때문에, 기판이 그 자중에 의해 처지며, 이것이 증착정밀도를 떨어뜨리는 하나의 요인이 되고 있다. 상향증착방식 이외의 방식의 성막장치에 있어서도, 기판의 자중에 의한 처짐은 발생할 가능성이 있다. In the deposition apparatus of the deposition method (depo-up), the deposition source is installed below the vacuum container of the deposition apparatus, the substrate is disposed on the top of the vacuum container, and deposition is performed on the lower surface of the substrate. In the vacuum container of this upward deposition type film forming apparatus, since only the periphery of the lower surface of the substrate is held and supported by the substrate holder, the substrate sags by its own weight, which is one factor that lowers the deposition accuracy. is becoming Even in a film forming apparatus of a method other than the top-up deposition method, there is a possibility that the substrate may sag due to its own weight.
기판의 자중에 의한 처짐을 저감하기 위한 방법으로서 정전척을 사용하는 기술이 검토되고 있다. 즉, 기판의 상면을 그 전체에 걸쳐 정전척으로 흡착함으로써 기판의 처짐을 저감할 수 있다. A technique using an electrostatic chuck is being studied as a method for reducing the sagging of the substrate due to its own weight. That is, sagging of the substrate can be reduced by adsorbing the upper surface of the substrate over the entire surface with the electrostatic chuck.
특허문헌 1(특허공개공보 2007-0010723호)에는, 정전척으로 기판 및 마스크를 흡착하는 기술이 제안되어 있다.Patent Document 1 (Patent Publication No. 2007-0010723) proposes a technique for adsorbing a substrate and a mask with an electrostatic chuck.
그러나, 특허문헌 1은 정전척으로부터 기판 및 마스크를 분리할 때의 전압제어에 대해서는 개시가 없다. However,
본 발명은, 제1 피흡착체와 제2 피흡착체 모두를 양호하게 정전척에 흡착하고 또한 흡착된 제1 피흡착체와 제2 피흡착체 모두를 양호하게 정전척으로부터 분리하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to satisfactorily adsorb both the first to-be-adsorbed body and the second to-be-adsorbed body to the electrostatic chuck, and to satisfactorily separate both the adsorbed first to-be-adsorbed body and the second to-be-adsorbed body from the electrostatic chuck.
본 발명의 제1 양태에 따른 정전척 시스템은, 전극부를 포함하는 정전척과, 상기 정전척의 상기 전극부에 전압을 인가하기 위한 전압 인가부와, 상기 전압인가부에 의한 전압의 인가를 제어하기 위한 전압제어부를 포함하고, 상기 전압제어부는, 상기 정전척에, 제1 피흡착체를 사이에 두고, 제2 피흡착체를 흡착시키기 위한 제3 전압과, 상기 제1 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시킨 상태에서, 상기 제2 피흡착체를 상기 정전척으로부터 분리시키기 위한 제5 전압을 상기 전극부에 인가하도록 상기 전압인가부를 제어하는 것을 특징으로 한다.An electrostatic chuck system according to a first aspect of the present invention includes an electrostatic chuck including an electrode part, a voltage applying part for applying a voltage to the electrode part of the electrostatic chuck, and controlling application of a voltage by the voltage applying part a voltage control unit, wherein the voltage control unit comprises: a third voltage for adsorbing a second adsorbed body to the electrostatic chuck with a first adsorbed body interposed therebetween; In this state, the voltage applying unit is controlled to apply a fifth voltage for separating the second adsorbed body from the electrostatic chuck to the electrode unit.
본 발명의 제2 양태에 따른 정전척 시스템은, 전극부를 포함하는 정전척과, 상기 정전척의 상기 전극부에 전압을 인가하기 위한 전압 인가부와, 상기 전압인가부에 의한 전압의 인가를 제어하기 위한 전압제어부를 포함하고, 상기 전압제어부는, 제1 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키기 위한 제1 전압과, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압과, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 제2 피흡착체를 흡착시키기 위한 제3 전압과, 상기 제3 전압보다 작은 제4 전압을, 상기 전극부에 순차적으로 인가하도록, 상기 전압인가부를 제어하는 것을 특징으로 한다. An electrostatic chuck system according to a second aspect of the present invention includes an electrostatic chuck including an electrode part, a voltage applying part for applying a voltage to the electrode part of the electrostatic chuck, and controlling voltage application by the voltage applying part and a voltage control unit, wherein the voltage control unit connects a first voltage for adsorbing a first adsorbed body to the electrostatic chuck, a second voltage smaller than the first voltage, and the first adsorbed body to the electrostatic chuck. It is characterized in that the voltage applying unit is controlled so that a third voltage for adsorbing the second adsorbed body and a fourth voltage smaller than the third voltage are sequentially applied to the electrode unit.
본 발명의 제3 양태에 따른 정전척 시스템은, 전극부를 포함하는 정전척과, 상기 정전척의 상기 전극부에 전압을 인가하기 위한 전압 인가부와, 상기 전압 인가부에 의한 전압의 인가를 제어하기 위한 전압 제어부를 포함하며, 상기 전압 제어부는, 제1 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키기 위한 제1 전압과, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압과, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 제2 피흡착체를 흡착시키기 위한 제3 전압과, 상기 제1 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시킨 상태에서 상기 제2 피흡착체를 상기 정전척으로부터 분리시키기 위한, 제3 전압보다 작은 제5 전압를 상기 전극부에 순차적으로 인가하도록 상기 전압 인가부를 제어하는 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.An electrostatic chuck system according to a third aspect of the present invention includes an electrostatic chuck including an electrode part, a voltage applying part for applying a voltage to the electrode part of the electrostatic chuck, and controlling application of a voltage by the voltage applying part and a voltage control unit, wherein the voltage control unit includes a first voltage for adsorbing a first adsorbed body to the electrostatic chuck, a second voltage smaller than the first voltage, and the first adsorbed body to the electrostatic chuck. a third voltage for adsorbing the second adsorbed body and a fifth voltage smaller than a third voltage for separating the second adsorbed body from the electrostatic chuck while the first adsorbed body is adsorbed to the electrostatic chuck and controlling the voltage applying unit to sequentially apply a voltage to the electrode unit.
본 발명의 제4 양태에 따른 성막장치는, 기판에 마스크를 통하여 성막을 행하기 위한 성막장치로서, 제1 피흡착체인 기판과 제2 피흡착체인 마스크를 흡착 및 분리하기 위한 정전척 시스템을 포함하며, 상기 정전척 시스템은 본 발명의 제1 양태 내지 제3 양태 중 어느 한 양태에 따른 정전척 시스템인 것을 특징으로 한다. A film forming apparatus according to a fourth aspect of the present invention is a film forming apparatus for forming a film on a substrate through a mask, comprising an electrostatic chuck system for adsorbing and separating a substrate as a first adsorbent and a mask as a second adsorbent and the electrostatic chuck system is an electrostatic chuck system according to any one of the first to third aspects of the present invention.
본 발명의 제5 양태에 따른 흡착 및 분리 방법은, 정전척의 전극부에 제1 전압을 인가하여 제1 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키는 단계와, 상기 전극부에 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 인가하는 단계와, 상기 정전척에, 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 상기 제2 피흡착체를 흡착시키도록 상기 전극부에 제3 전압을 인가하는 단계와, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체를 흡착시킨 상태에서 상기 제2 피흡착체를 상기 정전척으로부터 분리시키도록, 상기 전극부에 상기 제3 전압보다 작은 제5 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. A method of adsorption and separation according to a fifth aspect of the present invention comprises the steps of applying a first voltage to an electrode part of an electrostatic chuck to make a first adsorbed body adsorb to the electrostatic chuck; applying a second voltage to the electrostatic chuck; applying a third voltage to the electrostatic chuck to adsorb the second adsorbed body with the first adsorbed body interposed therebetween; and applying a fifth voltage smaller than the third voltage to the electrode unit to separate the second adsorbent from the electrostatic chuck while the first adsorbent is adsorbed.
본 발명의 제6 양태에 따른 성막방법은, 기판에 마스크를 통하여 증착재료를 성막하는 방법으로서, 진공용기내로 마스크를 반입하는 단계와, 진공용기내로 기판을 반입하는 단계와, 정전척의 전극부에 제1 전압을 인가하여, 상기 기판을 정전척에 흡착시키는 단계와, 상기 전극부에 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 인가하는 단계와, 상기 전극부에 상기 제2 전압 이상의 제3 전압을 인가하여 상기 정전척에 상기 기판을 사이에 두고 상기 마스크를 흡착시키는 단계와, 상기 정전척에 상기 기판과 상기 마스크를 흡착시킨 상태에서, 증착재료를 증발시켜 상기 마스크를 통해 상기 기판에 증착재료를 성막하는 단계와, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체를 흡착시킨 상태에서 상기 제2 피흡착체를 상기 정전척으로부터 분리시키기 위한 제5 전압을 상기 전극부에 인가하는 단계를 포함하며, 상기 제5 전압은 상기 제3 전압보다 작은 것을 특징으로 한다. A film formation method according to a sixth aspect of the present invention is a method of depositing a deposition material on a substrate through a mask, comprising the steps of loading the mask into a vacuum container, loading the substrate into the vacuum container, and an electrode portion of an electrostatic chuck. adsorbing the substrate to the electrostatic chuck by applying a first voltage; applying a second voltage smaller than the first voltage to the electrode part; and applying a third voltage equal to or greater than the second voltage to the electrode part. adsorbing the mask to the electrostatic chuck with the substrate interposed therebetween; and evaporating the deposition material to the substrate through the mask while the substrate and the mask are adsorbed to the electrostatic chuck. forming a film; and applying a fifth voltage to the electrode unit to separate the second adsorbed body from the electrostatic chuck while the first adsorbed body is adsorbed to the electrostatic chuck; The voltage is characterized in that it is smaller than the third voltage.
본 발명의 제7 양태에 따른 전자 디바이스의 제조방법은, 본 발명의 제6 양태에 따른 성막방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 한다.A method for manufacturing an electronic device according to a seventh aspect of the present invention is characterized in that the electronic device is manufactured using the film forming method according to the sixth aspect of the present invention.
본 발명에 의하면, 정전척에 제1 피흡착체와 제2 피흡착체 모두를 양호하게 흡착하고 또한 정전척에 흡착된 제1 피흡착체와 제2 흡착체를 양호하게 분리할 수 있다.According to the present invention, both the first adsorbed body and the second adsorbed body can be satisfactorily adsorbed to the electrostatic chuck, and the first adsorbed body and the second adsorbed body adsorbed to the electrostatic chuck can be satisfactorily separated.
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치의 모식도이다.
도 3a 내지 도3c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 정전척 시스템의 개념도 및 모식도이다.
도 4a 내지 4f는 기판 및 마스크의 정전척에의 흡착, 보유지지 및 분리의 시퀀스를 나타내는 모식도이다.
도 5는 정전척에 인가되는 전압의 제어를 나타내는 그래프이다.
도 6은 전자 디바이스를 나타내는 모식도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram of a part of the manufacturing apparatus of an electronic device.
2 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
3A to 3C are conceptual views and schematic diagrams of an electrostatic chuck system according to an embodiment of the present invention.
4A to 4F are schematic diagrams showing a sequence of adsorption, holding, and separation of the substrate and the mask to the electrostatic chuck.
5 is a graph illustrating control of a voltage applied to the electrostatic chuck.
It is a schematic diagram which shows an electronic device.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples are merely illustrative of preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. In addition, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, processing flow, manufacturing conditions, size, material, shape, etc. are intended to limit the scope of the present invention to these unless specifically stated otherwise. not.
본 발명은, 기판의 표면에 각종 재료를 퇴적시켜 성막을 행하는 장치에 적용할 수 있으며, 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다. 기판의 재료로는 유리, 고분자재료의 필름, 금속 등의 임의의 재료를 선택할 수 있고, 예컨대, 기판은 유리기판상에 폴리이미드 등의 필름이 적층된 기판이어도 된다. 또한 증착 재료로서도 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 이하의 설명에서 설명하는 진공증착장치 이외에도, 스퍼터 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 포함하는 성막장치에도, 본 발명을 적용할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 유기 전자 디바이스(예를 들면, 유기 발광 소자, 박막 태양 전지), 광학 부재 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 그 중에서도, 증착재료를 증발시켜 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써 유기 발광 소자를 형성하는 유기 발광소자의 제조장치는, 본 발명의 바람직한 적용예의 하나이다.The present invention can be applied to an apparatus for forming a film by depositing various materials on the surface of a substrate, and can be preferably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) of a desired pattern by vacuum deposition. As the material of the substrate, any material such as glass, a film made of a polymer material, or a metal can be selected. For example, the substrate may be a substrate in which a film such as polyimide is laminated on a glass substrate. Moreover, arbitrary materials, such as an organic material and a metallic material (metal, metal oxide, etc.), can be selected also as a vapor deposition material. In addition to the vacuum deposition apparatus described in the following description, the present invention can also be applied to a film forming apparatus including a sputtering apparatus or a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus. The technique of this invention is specifically applicable to manufacturing apparatuses, such as an organic electronic device (For example, an organic light emitting element, a thin film solar cell), an optical member. Among them, an apparatus for manufacturing an organic light emitting device that forms an organic light emitting device by evaporating a deposition material and depositing it on a substrate through a mask is one of preferred application examples of the present invention.
<전자 디바이스 제조 장치><Electronic device manufacturing apparatus>
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 구성을 모식적으로 도시한 평면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows typically the structure of a part of the manufacturing apparatus of an electronic device.
도 1의 제조 장치는, 예를 들면 스마트폰 용의 유기 EL 표시장치의 표시 패널의 제조에 이용된다. 스마트폰 용의 표시 패널의 경우, 예를 들면, 4.5세대의 기판(약 700 ㎜ Х 약 900 ㎜)이나 6세대의 풀사이즈(약 1500 ㎜ Х 약 1850 ㎜) 또는 하프컷 사이즈(약 1500 ㎜ Х 약 925 ㎜)의 기판에 유기 EL 소자의 형성을 위한 성막을 행한 후, 해당 기판을 잘라 내어 복수의 작은 사이즈의 패널로 제작한다.The manufacturing apparatus of FIG. 1 is used for manufacture of the display panel of the organic electroluminescent display for smartphones, for example. In the case of a display panel for a smartphone, for example, a substrate of the 4.5th generation (about 700 mm Х about 900 mm), a full size (about 1500 mm Х about 1850 mm) of the 6th generation, or a half-cut size (about 1500 mm Х) After film formation for formation of an organic EL element is performed on a substrate of about 925 mm in diameter, the substrate is cut out to produce a plurality of small-sized panels.
전자 디바이스 제조 장치는, 일반적으로 복수의 클러스터 장치(1)와, 클러스터 장치(1) 사이를 연결하는 중계장치를 포함한다.An electronic device manufacturing apparatus generally includes a plurality of
클러스터 장치(1)는, 기판(S)에 대한 처리(예컨대, 성막)를 행하는 복수의 성막장치(11)와, 사용전후의 마스크(M)를 수납하는 복수의 마스크 스톡 장치(12)와, 그 중앙에 배치되는 반송실(13)을 구비한다. 반송실(13)은 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 성막장치(11) 및 마스크 스톡 장치(12) 각각과 접속된다.The
반송실(13) 내에는, 기판 및 마스크를 반송하는 반송 로봇(14)이 배치된다. 반송로봇(14)은, 상류측에 배치된 중계장치의 패스실(15)로부터 성막장치(11)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송로봇(14)은 성막장치(11)와 마스크 스톡 장치(12)간에 마스크(M)를 반송한다. 반송 로봇(14)은, 예를 들면, 다관절 아암에, 기판(S) 또는 마스크(M)를 보유지지하는 로봇 핸드가 장착된 구조를 갖는 로봇일 수 있다. In the
성막장치(11)(증착 장치라고도 부름)에서는, 증착원에 수납된 증착재료가 히터에 의해 가열되어 증발하고, 마스크를 통해 기판상에 증착된다. 반송 로봇(14)과의 기판(S)의 주고받음, 기판(S)과 마스크(M)의 상대 위치의 조정(얼라인먼트), 마스크(M) 상으로의 기판(S)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 성막 프로세스는, 성막 장치(11)에 의해 행해진다. In the film-forming apparatus 11 (also called a vapor deposition apparatus), the vapor deposition material accommodated in the vapor deposition source is heated by a heater, and evaporates, and is vapor-deposited on the board|substrate through a mask. The transfer of the substrate S with the
마스크 스톡 장치(12)에는 성막장치(11)에서의 성막 공정에 사용될 새로운 마스크 및 사용이 끝난 마스크가 두 개의 카세트에 나뉘어져 수납된다. 반송 로봇(14)은, 사용이 끝난 마스크를 성막장치(11)로부터 마스크 스톡 장치(12)의 카세트로 반송하며, 마스크 스톡 장치(12)의 다른 카세트에 수납된 새로운 마스크를 성막장치(11)로 반송한다.In the
클러스터 장치(1)에는 기판(S)의 흐름방향으로 상류측으로부터의 기판(S)을 해당 클러스터 장치(1)로 전달하는 패스실(15)과, 해당 클러스터 장치(1)에서 성막처리가 완료된 기판(S)을 하류측의 다른 클러스터 장치로 전달하기 위한 버퍼실(16)이 연결된다. 반송실(13)의 반송 로봇(14)은 상류측의 패스실(15)로부터 기판(S)을 받아서, 해당 클러스터 장치(1)내의 성막장치(11)중 하나(예컨대, 성막장치(11a))로 반송한다. 또한, 반송 로봇(14)은 해당 클러스터 장치(1)에서의 성막처리가 완료된 기판(S)을 복수의 성막장치(11) 중 하나(예컨대, 성막장치(11b))로부터 받아서, 하류측에 연결된 버퍼실(16)로 반송한다.The
버퍼실(16)과 패스실(15) 사이에는 기판의 방향을 바꾸어 주는 선회실(17)이 설치된다. 선회실(17)에는 버퍼실(16)로부터 기판(S)을 받아 기판(S)을 180도 회전시켜 패스실(15)로 반송하기 위한 반송 로봇(18)이 설치된다. 이를 통해, 상류측 클러스터 장치와 하류측 클러스터 장치에서 기판(S)의 방향이 동일하게 되어 기판 처리가 용이해진다. Between the
패스실(15), 버퍼실(16), 선회실(17)은 클러스터 장치 사이를 연결하는 소위 중계장치로서, 클러스터 장치의 상류측 및/또는 하류측에 설치된 중계장치는, 패스실, 버퍼실, 선회실 중 적어도 하나를 포함한다.The
성막장치(11), 마스크 스톡 장치(12), 반송실(13), 버퍼실(16), 선회실(17) 등은 유기발광 소자의 제조과정에서, 고진공상태로 유지된다. 패스실(15)은, 통상 저진공상태로 유지되나, 필요에 따라 고진공상태로 유지될 수도 있다.The
본 실시예에서는, 도 1을 참조하여, 전자 디바이스 제조 장치의 구성에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 종류의 장치나 챔버를 가질 수도 있으며, 이들 장치나 챔버간의 배치가 달라질 수도 있다.In the present embodiment, the configuration of the electronic device manufacturing apparatus has been described with reference to FIG. 1 , but the present invention is not limited thereto, and other types of apparatuses or chambers may be provided, and arrangements between these apparatuses or chambers may vary. have.
이하, 성막장치(11)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, the specific structure of the film-forming
<성막 장치><Film forming device>
도 2는 성막장치(11)의 구성을 나타낸 모식도이다. 이하의 설명에 있어서는, 연직 방향을 Z 방향으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 사용한다. 성막 시에 기판(S)이 수평면(XY 평면)과 평행하게 고정될 경우, 기판(S)의 단변방향(단변에 평행한 방향)을 X 방향, 장변방향(장변에 평행한 방향)을 Y 방향으로 한다. 또 Z 축 주위의 회전각을 θ로 표시한다.2 is a schematic diagram showing the configuration of the
성막장치(11)는, 진공 분위기 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되는 진공 용기(21)와, 진공 용기(21)내에 설치되는 기판 지지 유닛(22)과, 마스크 지지 유닛(23)과, 정전척(24)과, 증착원(25)을 포함한다.The
기판 지지 유닛(22)은 반송실(13)에 설치된 반송 로봇(14)이 반송하여 온 기판(S)을 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 기판 홀더라고도 부른다.The
기판 지지 유닛(22)의 아래에는 마스크 지지 유닛(23)이 설치된다. 마스크 지지 유닛(23)은, 반송실(13)에 설치된 반송로봇(14)이 반송하여 온 마스크(M)를 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 마스크 홀더라고도 부른다.A
마스크(M)는, 기판(S) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 가지며, 마스크 지지 유닛(23)상에 재치된다. 특히, 스마트폰용 유기 EL 소자를 제조하는데 사용되는 마스크는 미세한 개구패턴이 형성된 금속제 마스크로서, FMM(Fine Metal Mask)이라고도 부른다.The mask M has an opening pattern corresponding to the thin film pattern to be formed on the substrate S, and is mounted on the
기판 지지 유닛(22)의 상방에는 기판을 정전 인력에 의해 흡착하여 고정하기 위한 정전척(24)이 설치된다. 정전척(24)은 유전체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조를 갖는다. 정전척(24)은, 쿨롱력 타입의 정전척이어도 되고, 존슨-라벡력 타입의 정전척이어도 되며, 그래디언트력 타입의 정전척이어도 된다. 정전척(24)은, 그래디언트력 타입의 정전척인 것이 바람직하다. 정전척(24)을 그래디언트력 타입의 정전척으로 함으로써, 기판(S)이 절연성 기판인 경우라도, 정전척(24)에 의해 양호하게 흡착될 수 있다. 정전척(24)이 쿨롱력 타입의 정전척인 경우에는, 금속전극에 플러스(+) 및 마이너스(-)의 전위가 인가되면, 유전체 매트릭스를 통해 기판(S)과 같은 피흡착체에 금속 전극과 반대극성의 분극전하가 유도되며, 이들간의 정전 인력에 의해 기판(S)이 정전척(24)에 흡착 고정된다. An
정전척(24)은 하나의 플레이트로 형성되어도 되고, 복수의 서브플레이트를 가지도록 형성되어도 된다. 또한, 하나의 플레이트로 형성되는 경우에도 그 내부에 복수의 전기회로를 포함하여, 하나의 플레이트내에서 위치에 따라 정전인력이 다르도록 제어할 수도 있다. The
본 실시형태에서는 후술하는 바와 같이, 성막전에 정전척(24)으로 기판(S, 제1 피흡착체)뿐만 아니라, 마스크(M, 제2 피흡착체)도 흡착하여 보유지지한다. 그 후, 정전척(24)으로 기판(S, 제1 피흡착체)과 마스크(M, 제2 피흡착체)를 보유지지한 상태에서 성막을 행하며, 성막을 완료한 후에는 기판(S, 제1 피흡착체)과 마스크(M, 제2 피흡착체)에 대한 정전척(24)에 의한 보유지지를 해제한다.In this embodiment, as will be described later, not only the substrate S (first adsorbed body) but also the mask (M, second adsorbed body) is adsorbed and held by the
즉, 본 실시예에서는, 정전척(24)의 연직방향의 하측에 놓인 기판(S, 제1 피흡착체)을 정전척(24)으로 흡착 및 보유지지하고, 그 후에, 기판(S, 제1 피흡착체)을 사이에 두고 정전척(24)의 반대측에 놓인 마스크(M, 제2 피흡착체)를, 기판(S, 제1 피흡착체)너머로 정전척(24)으로 흡착하여 보유지지한다. 그리고 정전척(24)으로 기판(S, 제1 피흡착체)과 마스크(M, 제2 피흡착체)를 보유지지한 상태에서 성막을 행한 이후에는, 기판(S, 제1 피흡착체)과 마스크(M, 제2 피흡착체)를 정전척(24)으로부터 박리한다. 이 때, 기판(S, 제1 피흡착체)을 사이에 두고 흡착되어 있는 마스크(M, 제2 피흡착체)를 먼저 박리한 다음 기판(S, 제1 피흡착체)을 박리하여도 된다. 또는, 마스크(M, 제2 피흡착체)와 기판(S, 제1 피흡착체)을 함께 정전척(24)으로부터 박리하여도 된다. 이에 대해서는, 도 3 내지 도 5를 참조하여 후술한다.That is, in the present embodiment, the substrate S (first adsorbed body) placed on the lower side of the
도 2에 도시하지 않았으나, 정전척(24)의 흡착면과는 반대측에 기판(S)의 온도 상승을 억제하는 냉각기구(예컨대, 냉각판)를 설치함으로써, 기판(S)상에 퇴적된 유기재료의 변질이나 열화를 억제하는 구성으로 하여도 된다.Although not shown in FIG. 2 , by providing a cooling mechanism (eg, a cooling plate) for suppressing the temperature rise of the substrate S on the opposite side to the adsorption surface of the
증착원(25)은 기판에 성막될 증착 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시), 증착원으로부터의 증발 레이트가 일정해질 때까지 증착재료가 기판으로 비산하는 것을 막는 셔터(미도시) 등을 포함한다. 증착원(25)은 점(point) 증착원이나 선형(linear) 증착원 등, 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다. The
도 2에 도시하지 않았으나, 성막장치(11)는 기판에 증착된 막두께를 측정하기 위한 막두께 모니터(미도시) 및 막두께 산출 유닛(미도시)를 포함한다. Although not shown in Fig. 2, the
진공 용기(21)의 상부 외측(대기측)에는 기판 Z 액츄에이터(26), 마스크 Z 액츄에이터(27), 정전척 Z 액츄에이터(28), 위치조정기구(29) 등이 설치된다. 이들 액츄에이터와 위치조정장치는, 예컨대, 모터와 볼나사, 또는 모터와 리니어가이드 등으로 구성된다. 기판 Z 액츄에이터(26)는, 기판 지지 유닛(22)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 마스크 Z 액츄에이터(27)는, 마스크 지지 유닛(23)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 정전척 Z 액츄에이터(28)는, 정전척(24)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. A
위치조정기구(29)는, 정전척(24)의 얼라인먼트를 위한 구동수단이다. 위치조정기구(29)는, 정전척(24) 전체를 기판 지지 유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)에 대하여, X방향 이동, Y방향 이동, θ회전시킨다. 본 실시형태에서는, 기판(S)을 흡착한 상태에서, 정전척(24)을 XYθ방향으로 위치조정함으로써, 기판(S)과 마스크(M)의 상대적 위치를 조정하는 얼라인먼트를 행한다.The
진공용기(21)의 외측상면에는, 전술한 구동기구 이외에, 진공 용기(21)의 상면에 설치된 투명창을 통해 기판(S) 및 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하기 위한 얼라인먼트용 카메라(20)를 설치하여도 된다. 본 실시예에 있어서는, 얼라인먼트용 카메라(20)는, 직사각형의 기판(S), 마스크(M) 및 정전척(24)의 대각선에 대응하는 위치 또는 직사각형의 4개의 코너부에 대응하는 위치에 설치하여도 된다.On the outer upper surface of the
본 실시형태의 성막장치(11)에 설치되는 얼라인먼트용 카메라(20)는, 기판(S)과 마스크(M)의 상대적 위치를 고정밀도로 조정하는데 사용되는 파인 얼라인먼트용 카메라이며, 그 시야각은 좁지만 고해상도를 가지는 카메라이다. 성막장치(11)는 파인 얼라인먼트용 카메라(20) 이외에 상대적으로 시야각이 넓고 저해상도인 러프 얼라인먼트용 카메라를 포함하여도 된다.The
위치조정기구(29)는 얼라인먼트용 카메라(20)에 의해 취득한 기판(S, 제1 피흡착체)과 마스크(M, 제2 피흡착체)의 위치정보에 기초하여, 기판(S, 제1 피흡착체)과 마스크(M, 제2 피흡착체)를 상대적으로 이동시켜 위치를 조정하는 얼라인먼트를 행한다.The
성막장치(11)는 제어부(미도시)를 구비한다. 제어부는 기판(S)의 반송 및 얼라인먼트, 증착원(25)의 제어, 성막의 제어 등의 기능을 갖는다. 제어부는 예를 들면, 프로세서, 메모리, 스토리지, I/O 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성 가능하다. 이 경우, 제어부의 기능은 메모리 또는 스토리지에 기억된 프로그램을 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 컴퓨터로서는 범용의 퍼스널 컴퓨터를 사용하여도 되고, 임베디드형의 컴퓨터 또는 PLC(programmable logic controller)를 사용하여도 좋다. 또는, 제어부의 기능의 일부 또는 전부를 ASIC나 FPGA와 같은 회로로 구성하여도 좋다. 또한, 성막 장치별로 제어부가 설치되어도 되고, 하나의 제어부가 복수의 성막 장치를 제어하는 것으로 구성하여도 된다.The
<정전척 시스템><Electrostatic chuck system>
도 3a 내지 도 3c를 참조하여 본 실시형태에 따른 정전척 시스템(30)에 대하여 설명한다. An electrostatic chuck system 30 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3A to 3C .
도 3a는 본 실시형태의 정전척 시스템(30)의 개념적인 블록도이고, 도 3b는 정전척(24)의 모식적 단면도이며, 도 3c는 정전척(24)의 모식적 평면도이다.3A is a conceptual block diagram of the electrostatic chuck system 30 of the present embodiment, FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of the
본 실시형태의 정전척 시스템(30)은 도 3a에 도시된 바와 같이, 정전척(24), 전압 인가부(31) 및 전압 제어부(32)를 포함한다.As shown in FIG. 3A , the electrostatic chuck system 30 of the present embodiment includes an
전압 인가부(31)는, 정전척(24)의 전극부에 정전인력을 발생시키기 위한 전압을 인가한다.The
전압 제어부(32)는, 정전척 시스템(30)의 흡착공정 또는 성막장치(11)의 성막 프로세스의 진행에 따라 전압 인가부(31)로부터 전극부에 가해지는 전압의 크기, 전압의 인가 개시 시점, 전압의 유지 시간, 전압의 인가 순서 등을 제어한다. 전압 제어부(32)는 예컨대, 정전척(24)의 전극부에 포함되는 복수의 서브 전극부(241 ~ 249)에의 전압 인가를 서브 전극부별로 독립적으로 제어할 수 있다. 본 실시형태에서는, 전압 제어부(32)가 성막장치(11)의 제어부와 별도로 구현되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 성막장치(11)의 제어부에 통합되어도 된다.The
정전척(24)은 흡착면에 피흡착체(예컨대, 기판(S), 마스크(M))를 흡착하기 위한 정전흡착력을 발생시키는 전극부를 포함하며, 전극부는 복수의 서브전극부(241 ~ 249)를 포함할 수 있다. 예컨대, 본 실시형태의 정전척(24)은, 도 3c에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 장변과 평행한 방향(Y방향) 및/또는 정전척(24)의 단변과 평행한 방향(X방향)을 따라 분할된 복수의 서브 전극부(241 내지 249)를 포함한다. The
각 서브 전극부는 정전흡착력을 발생시키기 위해 플러스(제1 극성) 및 마이너스(제2 극성)의 전위가 인가되는 전극쌍(33)을 포함한다. 예컨대, 각각의 전극쌍(33)은 플러스 전위가 인가되는 제1 전극(331)과 마이너스 전위가 인가되는 제2 전극(332)를 포함한다. Each sub-electrode unit includes an electrode pair 33 to which positive (first polarity) and negative (second polarity) potentials are applied to generate an electrostatic attraction force. For example, each electrode pair 33 includes a
제1 전극(331) 및 제2 전극(332)은, 도 3c에 도시한 바와 같이, 각각 빗형상을 가진다. 예컨대, 제1 전극(331) 및 제2 전극(332)은 각각 복수의 빗살부 및 복수의 빗살부가 연결되는 기부(基部)를 가진다. 각 전극(331, 332)의 기부는 복수의 빗살부에 전위를 공급하며, 복수의 빗살부는 피흡착체와의 사이에서 정전흡착력을 발생시킨다. 하나의 서브 전극부내에서 제1 전극(331)의 빗살부 각각은 제2 전극(332)의 빗살부 각각과 대향하도록 교대로 배치된다. 이처럼, 각 전극(331, 332)의 각 빗살부가 대향하고 또한 서로 얽힌 구성으로 함으로써, 다른 전위가 인가된 전극간의 간격을 좁힐 수 있고, 커다란 불평등 전계를 형성하여, 그래디언트력에 의해 기판(S)을 흡착할 수 있다. The
본 실시예에서는, 정전척(24)의 서브 전극부(241 ~ 249)의 각 전극(331, 332)이 빗형상을 가지는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 피흡착체와의 사이에서 정전인력을 발생시킬 수 있는 한, 다양한 형상을 가질 수 있다. In the present embodiment, the
본 실시형태의 정전척(24)은 복수의 서브 전극부에 대응하는 복수의 흡착부를 가진다. 예컨대, 본 실시예의 정전척(24)은, 도 3c에 도시된 바와 같이, 9개의 서브 전극부(241 ~ 249)에 대응하는 9개의 흡착부를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(S)의 흡착을 보다 정밀하게 제어하기 위해, 이와 다른 개수의 흡착부를 가질 수도 있다. The
흡착부는 정전척(24)의 장변 방향(Y축 방향) 및 단변 방향(X축 방향)으로 분할되도록 설치될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)의 장변 방향 또는 단변 방향으로만 분할될 수도 있다. 복수의 흡착부는, 물리적으로 하나인 플레이트가 복수의 전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있고, 물리적으로 분할된 복수의 플레이트 각각이 하나 또는 그 이상의 전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있다.The adsorption unit may be installed to be divided in the long side direction (Y-axis direction) and the short side direction (X-axis direction) of the
도 3c에 도시한 실시예에 있어서, 복수의 흡착부 각각이 복수의 서브 전극부 각각에 대응하도록 구현할 수 있으나, 하나의 흡착부가 복수의 서브 전극부를 포함하도록 구현할 수도 있다. In the embodiment shown in FIG. 3C , each of the plurality of adsorption units may be implemented to correspond to each of the plurality of sub-electrode units, but one adsorption unit may be implemented to include a plurality of sub-electrode units.
예컨대, 전압 제어부(32)에 의한 서브 전극부(241 ~ 249)에의 전압의 인가를 제어함으로써, 후술하는 바와 같이, 기판(S)의 흡착진행 방향(X 방향)과 교차하는 방향(Y방향)으로 배치된 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 하나의 흡착부를 이루도록 할 수 있다. 즉, 3개의 서브 전극부(241, 244, 247) 각각은 독립적으로 전압 제어가 가능하지만, 이들 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)에 동시에 전압이 인가되도록 제어함으로써, 이들 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 하나의 흡착부로서 기능하게 할 수 있다. 복수의 흡착부 각각에 독립적으로 기판 흡착이 이루어질 수 있는 한, 그 구체적인 물리적 구조 및 전기회로적 구조는 다를 수 있다. For example, by controlling application of a voltage to the
<정전척 시스템에 의한 흡착 및 분리방법과 전압 제어><Adsorption and separation method and voltage control by electrostatic chuck system>
이하 도 4a 내지 도 4f 및 도 5를 참조하여, 정전척(24)에 기판(S) 및 마스크(M)를 흡착하고 분리하는 공정 및 그 전압 제어에 대하여 설명한다.Hereinafter, a process for adsorbing and separating the substrate S and the mask M on the
도 4a는 정전척(24)에 기판(S)을 흡착시키는 공정을 도시한다.FIG. 4A shows a process of adsorbing the substrate S to the
본 실시형태에서는, 도 4a에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 하면에 기판(S)의 전면이 동시에 흡착되는 것이 아니라 정전척(24)의 제1 변(단변)을 따라 일단으로부터 타단을 향해 순차적으로 흡착이 진행된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 예컨대, 정전척(24)의 대각선상의 어느 하나의 모서리로부터 이와 대향하는 다른 모서리를 향하여 기판의 흡착이 진행될 수도 있다. 또는, 정전척(24)의 중앙부로부터 주연부를 향하여 기판의 흡착이 진행될 수도 있다.In the present embodiment, as shown in FIG. 4A , the entire surface of the substrate S is not simultaneously attracted to the lower surface of the
정전척(24)의 제1 변을 따라 기판(S)이 순차적으로 흡착되도록 하기 위해, 복수의 서브 전극부(241 ~ 249)에 기판 흡착을 위한 제1 전압을 인가하는 순서를 제어할 수도 있고, 복수의 서브 전극부(241 ~ 249)에 동시에 제1 전압을 인가하되, 기판(S)을 지지하는 기판 지지 유닛(22)의 지지부의 구조나 지지력을 달리할 수도 있다. In order to sequentially adsorb the substrate S along the first side of the
도 4a는 정전척(24)의 복수의 서브 전극부(241 ~ 249)에 인가되는 전압의 제어를 통해, 기판(S)을 정전척(24)에 순차적으로 흡착시키는 실시형태를 도시한다. 여기에서는, 정전척(24)의 장변 방향(Y방향)을 따라 배치되는 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 제1 흡착부(41)를 이루고, 정전척(24)의 중앙부의 3개의 서브 전극부(242, 245, 248)가 제2 흡착부(42)를 이루며, 나머지 3개의 서브 전극부(243, 246, 249)가 제3 흡착부(43)를 이루는 것을 전제로 설명한다.FIG. 4A illustrates an embodiment in which the substrate S is sequentially adsorbed to the
우선, 도 4a에 도시한 바와 같이, 성막장치(11)의 진공 용기(21)내로 기판(S)이 반입되어 기판 지지 유닛(22)의 지지부에 의해 지지된다.First, as shown in FIG. 4A , the substrate S is loaded into the
이어서, 정전척(24)이 하강하여 기판 지지 유닛(22)의 지지부에 의해 지지된 기판(S)을 향해 이동한다. Then, the
정전척(24)이 기판(S)에 충분히 근접 내지 접촉하게 되면, 전압 제어부(32)는, 정전척(24)의 제1 변(단변)을 따라 제1 흡착부(41)로부터 제3 흡착부(43)를 향해 순차적으로 제1 전압(ΔV1)이 인가되도록 제어한다. When the
즉, 도 4a에 도시한 바와 같이, 제1 흡착부(41)에 먼저 제1 전압이 인가되고, 이어서, 제2 흡착부(42)에 제1 전압이 인가되며, 마지막으로 제3 흡착부(43)에 제1 전압이 인가되도록 제어한다. That is, as shown in FIG. 4A , the first voltage is first applied to the
제1 전압(ΔV1)은 기판(S)을 정전척(24)에 확실히 흡착시키기 위해 충분한 크기의 전압으로 설정된다.The first voltage [Delta]V1 is set to a voltage of sufficient magnitude to surely adsorb the substrate S to the
이에 의해, 기판(S)의 정전척(24)에의 흡착은, 기판(S)의 제1 흡착부(41)에 대응하는 측으로부터 기판(S)의 중앙부를 지나 제3 흡착부(43)측을 향해 진행하며(즉, X 방향으로 기판(S)의 흡착이 진행하며), 기판(S)은 기판 중앙부에 주름이 남기지 않고 평탄하게 정전척(24)에 흡착될 수 있다. As a result, the substrate S is adsorbed to the
본 실시형태에서는 정전척(24)이 기판(S)에 충분히 근접 내지 접촉한 상태에서 제1 전압(ΔV1)을 가하는 것으로 설명하였으나, 정전척(24)이 기판(S)을 향해 하강을 개시하기 전에, 또는 하강하는 도중에 제1 전압(ΔV1)을 인가하여도 된다.In the present embodiment, it has been described that the first voltage ΔV1 is applied while the
기판(S)의 정전척(24)에의 흡착공정이 완료된 후에 소정의 시점에서, 전압 제어부(32)는, 도 4b에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제1 전압(ΔV1)으로부터 제1 전압(ΔV1)보다 크기가 작은 제2 전압(ΔV2)으로 낮춘다. At a predetermined time after the adsorption process of the substrate S to the
제2 전압(ΔV2)은 기판(S)을 정전척(24)에 흡착된 상태로 유지하기 위한 흡착유지전압으로서, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시킬 때에 인가한 제1 전압(ΔV1)보다 작은 크기의 전압이다. 정전척(24)에 인가되는 전압이 제2 전압(ΔV2)으로 낮아지면, 이에 대응하여 기판(S)에 유도되는 분극전하량도, 도 4b에 도시한 바와 같이, 제1 전압(ΔV1)이 가해진 경우에 비해 감소하나, 기판(S)이 일단 제1 전압(ΔV1)에 의해 정전척(24)에 흡착된 이후에는 제1 전압(ΔV1)보다 낮은 제2 전압(ΔV2)을 인가하더라도 기판의 흡착상태를 유지할 수 있다. The second voltage ΔV2 is an adsorption holding voltage for holding the substrate S in a state in which it is adsorbed to the
이처럼, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제2 전압(ΔV2)으로 낮춤으로써 기판을 정전척(24)으로부터 분리하는데 걸리는 시간을 단축할 수 있다.As such, by lowering the voltage applied to the electrode portion of the
즉, 정전척(24)으로부터 기판(S)을 분리하고자 할 때, 정전척(24)의 전극부에 가해지는 전압을 제로(0)로 하여도, 바로 정전척(24)과 기판(S) 사이의 정전인력이 없어지는 것이 아니라 정전척(24)과 기판(S)의 계면에 유도된 전하가 없어지는데 상당한 시간(때에 따라서는 수 분 정도)이 걸린다. 특히, 정전척(24)에 기판(S)을 흡착시킬 때는 통상 그 흡착을 확실히 하기 위해 정전척(24)에 기판을 흡착시키는데 필요한 최소 정전인력(Fth)보다 충분히 큰 정전인력이 작용하도록 제1 전압(예컨대, 도 5에 도시한 ΔV max)을 설정하는데, 이러한 제1 전압으로부터 기판의 분리가 가능한 상태가 되는데 까지는 상당한 시간이 걸린다. That is, when the substrate S is separated from the
본 실시예에서는 이러한 정전척(24)으로부터의 기판(S)의 분리에 걸리는 시간으로 인해 전체적인 공정시간(Tact)가 늘어나는 것을 방지하기 위해, 기판(S)이 정전척(24)에 흡착된 이후에, 소정의 시점에서 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제2 전압으로 낮춘다. In the present embodiment, in order to prevent the overall process time Tact from increasing due to the time required for the separation of the substrate S from the
도 4b에 도시한 실시예에서는, 정전척(24)의 제1 흡착부(41) 내지 제3 흡착부(43)에 인가되는 전압을 동시에 제2 전압으로 낮추는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 흡착부별로 제2 전압으로 낮추는 시점이나 인가되는 제2 전압의 크기를 달리하여도 된다. 예컨대, 제1 흡착부(41)로부터 제3 흡착부(43)를 향해 순차적으로 제2 전압으로 낮추어도 된다.In the embodiment shown in FIG. 4B , the voltage applied to the
이렇게, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압이 제2 전압으로 낮아진 후에, 정전척(24)에 흡착된 기판(S)과 마스크 지지 유닛(23)에 의해 지지된 마스크(M)의 상대적 위치를 조정(얼라인먼트)한다. 본 실시예에서는, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압이 제2 전압으로 낮아진 후에 기판(S)과 마스크(M) 간의 상대적 위치 조정(얼라인먼트)를 행하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)의 전극부에 제1 전압이 인가되고 있는 상태에서 얼라인먼트 공정을 행하여도 된다.In this way, after the voltage applied to the electrode portion of the
이어서, 도 4c에 도시한 바에 따라, 정전척(24)의 전극부에 제3 전압(ΔV3)을 인가함으로써, 기판(S)을 사이에 두고 마스크(M)를 정전척(24)에 흡착시킨다. 즉, 정전척(24)에 흡착된 기판(S)의 하면에 마스크(M)를 흡착시킨다.Next, as shown in FIG. 4C , a third voltage ΔV3 is applied to the electrode portion of the
이를 위해, 먼저 기판(S)이 흡착된 정전척(24)을 정전척 Z 액츄에이터(28)에 의해 마스크(M)를 향해 하강시킨다. To this end, first, the
정전척(24)에 흡착된 기판(S)의 하면이 마스크(M)에 충분히 근접 내지 접촉하게 되면, 전압 제어부(32)는 전압 인가부(31)가 정전척(24)의 전극부에 제3 전압(ΔV3)을 인가하도록 제어한다.When the lower surface of the substrate S adsorbed on the
제3 전압(ΔV3)은 제2 전압(ΔV2)보다 큰 크기로서, 기판(S)을 사이에 두고 마스크(M)가 정전유도에 의해 대전될 수 있는 정도의 크기인 것이 바람직하다. 이에 의해, 마스크(M)를 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착시킬 수 있다. 다만 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제3 전압(ΔV3)은 제2 전압(ΔV2)과 동일한 크기를 가질 수도 있다. 제3 전압(ΔV3)이 제2 전압(ΔV2)과 동일한 크기를 가지더라도, 전술한 바와 같이, 정전척(24)의 하강에 의해 정전척(24) 또는 기판(S)과 마스크(M)간의 상대적인 거리가 좁혀지기 때문에, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압의 크기를 더 크게 하지 않아도, 기판에 정전유도된 분극전하에 의해 마스크(M)에도 정전유도를 일으킬 수 있으며, 마스크(M)를 기판을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착시킬 수 있는 정도의 흡착력을 얻을 수 있다.The third voltage ΔV3 is larger than the second voltage ΔV2, and preferably has a size that allows the mask M to be charged by electrostatic induction with the substrate S interposed therebetween. Accordingly, the mask M can be adsorbed to the
제3 전압(ΔV3)은 제1 전압(ΔV1)보다 작게 하여도 되고, 공정시간(Tact)의 단축을 고려하여 제1 전압(ΔV1)과 동등한 정도의 크기로 하여도 된다.The third voltage ΔV3 may be made smaller than the first voltage ΔV1 or may have a level equal to that of the first voltage ΔV1 in consideration of the shortening of the process time Tact.
도 4c에 도시한 마스크 흡착 공정에서는, 마스크(M)가 주름을 남기지 않고 기판(S)의 하면에 흡착될 수 있도록, 전압 제어부(32)는 제3 전압(ΔV3)을 정전척(24) 전체에 걸쳐 동시에 인가하는 것이 아니라 제1 변을 따라 제1 흡착부(41)로부터 제3 흡착부(43)를 향해 순차적으로 인가한다.In the mask adsorption process shown in FIG. 4C , the
즉, 도 4c에 도시한 바와 같이, 제1 흡착부(41)에 먼저 제3 전압이 인가되고, 이어서, 제2 흡착부(42)에 제3 전압이 인가되며, 제3 흡착부(43)에 마지막으로 제3 전압이 인가되도록 제어한다. That is, as shown in FIG. 4C , a third voltage is first applied to the
이에 의해, 마스크(M)의 정전척(24)에의 흡착은, 마스크(M)의 제1 흡착부(41)에 대응하는 측으로부터 마스크(M)의 중앙부를 지나 제3 흡착부(43)측을 향해 진행되며(즉, X 방향으로 마스크(M)의 흡착이 진행되며), 마스크(M)는, 마스크(M)의 중앙부에 주름이 발생하지 않고 평탄하게 정전척(24)에 흡착될 수 있다. As a result, the mask M is adsorbed to the
본 실시형태에서는 정전척(24)이 마스크(M)에 충분히 근접 내지 접촉한 상태에서 제3 전압(ΔV3)을 인가하는 것으로 설명하였으나, 정전척(24)이 마스크(M)을 향해 하강을 개시하기 전에, 또는 하강하는 도중에 제3 전압(ΔV3)을 인가하여도 된다.In the present embodiment, it has been described that the third voltage ΔV3 is applied while the
마스크(M)의 정전척(24)에의 흡착공정이 완료된 후에 소정의 시점에서, 전압 제어부(32)는, 도 4d에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제3 전압(ΔV3)으로부터 제3 전압(ΔV3)보다 크기가 작은 제4 전압(ΔV4)으로 낮춘다. At a predetermined time after the process of adsorption of the mask M to the
제4 전압(ΔV4)은 정전척(24)에 기판(S)을 사이에 두고 흡착된 마스크(M)의 흡착 상태를 유지하기 위한 흡착유지전압으로서, 마스크(M)를 정전척(24)에 흡착시킬 때에 인가한 제3 전압(ΔV3)보다 낮은 전압이다. 정전척(24)에 인가되는 전압이 제4 전압(ΔV4)으로 낮아지면, 이에 대응하여 마스크(M)에 유도되는 전하량도, 도 4d에 도시한 바와 같이, 제3 전압(ΔV2)이 가해진 경우에 비해 감소하나, 마스크(M)가 일단 제3 전압(ΔV3)에 의해 정전척(24)에 흡착된 이후에는 제3 전압(ΔV3)보다 낮은 제4 전압(ΔV4)을 인가하더라도 마스크의 흡착상태를 유지할 수 있다. The fourth voltage ΔV4 is an adsorption holding voltage for maintaining an adsorption state of the mask M adsorbed to the
이처럼, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제4 전압(ΔV4)으로 낮춤으로써 마스크(M)를 정전척(24)으로부터 분리하는데 걸리는 시간을 줄일 수 있다. As such, by lowering the voltage applied to the electrode portion of the
즉, 정전척(24)으로부터 마스크(M)를 분리하고자 할 때, 정전척(24)의 전극부에 가해지는 전압을 제로(0)로 하여도, 바로 정전척(24)과 마스크(M) 사이의 정전인력이 없어지는 것이 아니라 기판(S)과 마스크(M)의 계면에 유도된 전하가 없어지는데 상당한 시간(때에 따라서는 수 분 정도)이 걸린다. 특히, 정전척(24)에 마스크(M)를 흡착시킬 때는 통상 그 흡착을 확실히 하고 흡착에 걸리는 시간을 단축하기 위해 충분히 큰 전압(제3 전압)을 인가하는데, 이러한 제3 전압으로부터 마스크의 분리가 가능한 상태가 되는데 까지는 상당한 시간이 걸린다. That is, when the mask M is separated from the
본 실시예에서는 이러한 정전척(24)으로부터의 마스크(M)의 분리에 걸리는 시간으로 인해 전체적인 공정시간(Tact)가 늘어나는 것을 방지하기 위해, 마스크(M)가 정전척(24)에 흡착된 이후에, 소정의 시점에서 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제4 전압으로 낮춘다. In the present embodiment, in order to prevent the overall process time Tact from increasing due to the time required for the separation of the mask M from the
도 4d에 도시한 실시예에서는, 정전척(24)의 제1 흡착부(41) 내지 제3 흡착부(43)에 인가되는 전압을 동시에 제4 전압으로 낮추는 것으로 하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 흡착부별로 제4 전압으로 낮추는 시점이나 인가되는 제4 전압의 크기를 달리하여도 된다. 예컨대, 제1 흡착부(41)로부터 제3 흡착부(43)를 향해 순차적으로 제4 전압으로 낮추어도 된다.In the embodiment shown in FIG. 4D , the voltage applied to the
이렇게 마스크(M)를 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착시킨 상태에서, 증착원(25)으로부터 증발된 증착재료가 마스크(M)를 통해 기판(S)에 성막되는 성막공정이 행해진다. 본 실시예에서는, 정전척(24)에 의한 정전흡착력으로 마스크(M)를 보유지지하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 정전척(24) 상부에 설치된 마그넷판에 의해 금속제 마스크(M)에 자력을 인가함으로써, 보다 확실하게 마스크(M)를 기판(S)에 밀착시켜도 된다.In this way, while the mask M is adsorbed to the
기판(S)과 마스크(M)를 정전척(24)에 흡착한 상태에서 성막 공정이 완료된 후에, 전압 제어부(32)는 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제4 전압(ΔV4)으로부터 제5 전압(ΔV5)으로 변경한다. 여기서, 제5 전압(ΔV5)은, 도 4e에 도시한 바와 같이, 정전척(24)에 의한 기판(S)의 흡착 상태를 유지하면서 기판(S)을 사이에 두고 흡착된 마스크(M)만을 분리하기 위한 마스크분리 전압이다. 따라서, 제5 전압(ΔV5)은 마스크(M)를 정전척(24)에 흡착시킬 때에 인가한 제3 전압(ΔV3)은 물론 마스크(M)를 정전척(24)에 흡착유지시킬 때에 인가한 제4 전압(ΔV4)보다도 낮은 전압이다. 또한, 제5 전압(ΔV5)은 마스크(M)는 분리되더라도 정전척(24)에 의한 기판(S)의 흡착상태가 유지될 수 있는 크기의 전압이다. After the film forming process is completed in a state in which the substrate S and the mask M are adsorbed to the
일례로, 제5 전압(ΔV5)은 전술한 제2 전압(ΔV2)와 실질적으로 동일한 크기를 갖는 전압일 수 있다. 다만, 본 실시예가 여기에 한정되는 것은 아니며, 정전척(24)에 의한 기판(S)의 흡착상태를 유지하면서 마스크(M)만을 분리할 수 있는 한, 제5 전압(ΔV5)은 제2 전압(ΔV2)보다 더 높아도 되며 또는 제2 전압(ΔV2)보다 더 낮아도 된다. 다만, 이 경우에도 제5 전압(ΔV5)은 제3 전압(ΔV3)은 물론 제4 전압(ΔV4) 보다는 낮은 전압이다.For example, the fifth voltage ΔV5 may be a voltage having substantially the same magnitude as the above-described second voltage ΔV2. However, the present embodiment is not limited thereto, and as long as only the mask M can be separated while maintaining the adsorption state of the substrate S by the
정전척(24)에 인가되는 전압이 제2 전압(ΔV2)과 실질적으로 동일한 제5 전압(ΔV5)으로 낮아지면, 이에 대응하여 마스크(M)에 유도되는 전하량도, 도 4e에 도시한 바와 같이, 제2 전압(ΔV2)이 가해진 경우와 실질적으로 동일한 정도로 감소한다. 그 결과, 정전척(24)에 의한 기판(S)의 흡착상태는 유지되지만 마스크(M)의 흡착상태는 유지될 수 없어서 정전척(24)으로부터 분리된다.When the voltage applied to the
도 4e에 도시한 실시예에서는, 정전척(24)의 제1 흡착부(41) 내지 제3 흡착부(43)에 인가되는 전압을 동시에 제5 전압(ΔV5)으로 낮추는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 흡착부별로 제5 전압(ΔV5)으로 낮추는 시점이나 인가되는 제5 전압의 크기를 달리하여도 된다. 예컨대, 제1 흡착부(41)로부터 제3 흡착부(43)를 향해 순차적으로 제5 전압(ΔV5)으로 낮추어도 된다.In the embodiment shown in FIG. 4E , the voltage applied to the
이어서, 마스크(M)가 분리되어 기판(S)만이 정전척(24)에 흡착유지된 상태에서, 전압 제어부(32)는 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제5 전압(ΔV5)으로부터 제6 전압(ΔV6)으로 변경한다. 여기서, 제6 전압(ΔV6)은, 도 4f에 도시한 바와 같이, 정전척(24)에 흡착되어 있는 기판(S)을 정전척(24)으로부터 분리하기 위한 기판분리전압이다. 따라서, 제6 전압(ΔV6)은 기판(S)만이 정전척(24)에 흡착유지되고 있을 때에 인가한 제5 전압(ΔV5)보다 낮은 전압이다. Then, in a state in which the mask M is separated and only the substrate S is adsorbed and held by the
예를 들어, 전압 제어부(32)는 정전척(24)의 전극부에 제로(0)의 전압(즉, 오프시킴)을 제6 전압(ΔV6)으로 인가하거나 또는 반대 극성의 전압을 제6 전압(ΔV6)으로 인가할 수 있다. 그 결과, 기판(S)에 유도된 분극전하가 제거되어, 기판(S)이 정전척(24)으로부터 분리된다. 그리고 도 4f에 도시한 실시예에서는, 정전척(24)의 제1 흡착부(41) 내지 제3 흡착부(43)에 인가되는 전압을 동시에 제로(0), 즉 제6 전압(ΔV6)으로 변경하는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 흡착부별로 제로(0)로 변경하는 시점을 달리하여도 된다. 예컨대, 제1 흡착부(41)로부터 제3 흡착부(43)를 향해 순차적으로 제로(0)로 낮추어도 된다.For example, the
도 4e 및 도 4f를 참조하여 설명한 바와 같이, 정전척(24)으로부터 기판(S)과 마스크(M)를 분리하는 공정에서는 마스크(M)를 먼저 분리한 다음 기판(S)을 분리한다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)으로부터 기판(S)과 마스크(M)를 분리할 때 기판(S)과 마스크(M)를 동시에 정전척(24)으로부터 분리할 수도 있다. 이 경우에는 정전척(24)으로부터 기판(S)과 마스크(M)가 함께 분리될 수 있도록, 전압 제어부(32)는 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제4 전압(ΔV4)으로부터 바로 제로(0)로 낮추거나 또는 반대 극성의 전압으로 할 수도 있다.As described with reference to FIGS. 4E and 4F , in the process of separating the substrate S and the mask M from the
이하, 도 5를 참조하여 정전척(24)에 의해 기판(S) 및 마스크(M)를 흡착하여 보유지지하는 과정에서 정전척(24)의 전극부 또는 서브 전극부에 인가되는 전압의 제어에 대하여 설명한다.Hereinafter, with reference to FIG. 5 , the control of the voltage applied to the electrode part or the sub-electrode part of the
우선, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시키기 위해, 소정의 시점(t1)에서 정전척(24)의 전극부 또는 서브 전극부에 제1 전압(ΔV1)을 인가한다. First, in order to adsorb the substrate S to the
제1 전압(ΔV1)은 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시키는데 충분한 정전흡착력이 얻어질 수 있는 크기를 가지며, 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 제1 전압이 인가된 후로부터 기판(S)에 분극전하가 발생할 때까지 걸리는 시간을 단축하기 위해 가능한 큰 전압인 것이 바람직하다. 예컨대, 전압 인가부(31)에 의해 인가 가능한 최대 전압(ΔVmax)을 인가하여도 된다.The first voltage ΔV1 has a size sufficient to obtain an electrostatic adsorption force sufficient to adsorb the substrate S to the
이어서, 인가된 제1 전압에 의해 기판(S)에 분극전하가 유도되어 기판(S)이 정전척(24)에 충분한 정전흡착력으로 흡착된 후(t=t2)에, 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 인가되는 전압을 제2 전압(ΔV2)으로 낮춘다. 제2 전압(ΔV2)은, 예컨대, 기판(S)이 정전척(24)에 흡착된 상태를 유지할 수 있는 가장 낮은 전압(ΔVmin)이어도 된다.Then, polarized charges are induced in the substrate S by the applied first voltage and the substrate S is adsorbed to the
이어서, 마스크(M)를 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착시키기 위해, 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 인가되는 전압을 제3 전압(ΔV3)으로 높인다(t=t3). 제3 전압(ΔV3)은 마스크(M)를 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착시키기 위한 전압이므로, 제2 전압(ΔV2) 이상의 크기를 가지는 것이 바람직하며, 공정시간을 고려하여 전압 인가부(31)가 인가할 있는 최대 전압(ΔVmax)인 것이 보다 바람직하다.Next, in order to adsorb the mask M to the
본 실시형태에서는, 성막공정 후에 기판(S) 및 마스크(M)를 정전척(24)으로부터 분리하는데 걸리는 시간을 단축하기 위해, 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 인가되는 전압을 제3 전압(ΔV3)으로 유지하지 않고, 이보다 작은 제4 전압(ΔV4)으로 낮춘다(t=t4). 다만, 마스크(M)가 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착된 상태를 유지할 수 있어야 하므로, 제4 전압(ΔV4)은 기판(S)만이 정전척(24)에 흡착된 상태를 유지하는데 필요한 제2 전압(ΔV2) 이상의 전압인 것이 바람직하다.In the present embodiment, in order to shorten the time required to separate the substrate S and the mask M from the
성막공정이 완료된 후(t5)에, 마스크(M)를 정전척(24)으로부터 분리하기 위해, 우선, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 기판(S)만의 흡착상태를 유지할 수 있는 제5 전압(ΔV5)으로 낮춘다. 제5 전압(ΔV4)은 마스크(M)는 분리되고 기판(S)만이 정전척(24)에 흡착된 상태를 유지하기 위한 제2 전압(ΔV2)과 실질적으로 동일한 크기의 전압이다. 일례로, 제5 전압(ΔV5)은 마스크(M)는 분리되고 기판(S)만이 정전척(24)에 흡착된 상태를 유지하기 위한 최소 전압(ΔVmin)인 것이 바람직하다. After the film forming process is completed (t5), in order to separate the mask M from the
이에 의해, 마스크(M)가 분리된 후에, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제로(0)로 낮추거나(즉, 오프시키거나) 반대 극성의 전압을 인가한다(t=t6). 이에 의해, 기판(S)에 유도된 분극전하가 제거되어, 기판(S)이 정전척(24)으로부터 분리될 수 있다.Accordingly, after the mask M is separated, the voltage applied to the electrode portion of the
기판(S)과 마스크(M)를 정전척(24)으로부터 분리하기 위한 다른 실시예에서는, 성막공정이 완료된 후에, 제5 전압(ΔV5)으로 낮추는 단계를 생략하고, 기판(S)과 마스크(M)를 동시에 정전척(24)으로부터 분리한다. 이를 위해, 전압 인가부(31)를 오프시키거나 정전척(24)의 전극부 또는 서브 전극부에 반대 극성의 전압을 인가한다. 이에 의해, 기판(S)과 마스크(M)는 동시에 정전척(24)으로부터 분리되며, 이후, 별도의 기구를 사용하여 기판과 마스크를 분리한다.In another embodiment for separating the substrate S and the mask M from the
<성막프로세스><Film forming process>
이하 본 실시형태의 정전척의 전압 제어를 채용한 성막방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a film forming method employing voltage control of the electrostatic chuck according to the present embodiment will be described.
진공 용기(21)내의 마스크 지지 유닛(23)에 마스크(M)가 지지된 상태에서, 반송실(13)의 반송로봇(14)에 의해 성막장치(11)의 진공 용기(21)내로 기판이 반입된다. In a state where the mask M is supported by the
진공 용기(21)내로 진입한 반송로봇(14)의 핸드가 하강하여 기판(S)을 기판 지지 유닛(22)의 지지부상에 재치한다. The hand of the
이어서, 정전척(24)이 기판(S)을 향해 하강하여 기판(S)에 충분히 근접하거나 접촉한 후에, 정전척(24)에 제1 전압(ΔV1)을 인가하여 기판(S)을 흡착시킨다. Then, after the
본 발명의 일 실시형태에 있어서는, 기판을 정전척(24)으로부터 분리하는데 필요한 시간을 최대한으로 확보하기 위해 기판의 정전척(24)에의 흡착이 완료된 후에 정전척(24)에 가해지는 전압을 제1 전압(ΔV1)으로부터 제2 전압(ΔV2)으로 낮춘다. 정전척(24)에 가해지는 전압을 제2 전압(ΔV2)으로 낮추어도 제1 전압(ΔV1)에 의해 기판에 유도된 분극전하가 방전될 때까지 시간이 걸리기 때문에, 이후의 공정에서 정전척(24)에 의한 기판에 대한 흡착력을 유지할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the voltage applied to the
정전척(24)에 기판(S)이 흡착된 상태에서, 기판(S)의 마스크(M)에 대한 상대적인 위치어긋남을 계측하기 위해 기판(S)을 마스크(M)를 향해 하강시킨다. 본 발명의 다른 실시형태에 있어서는, 정전척(24)에 흡착된 기판의 하강 과정에서 기판이 정전척(24)으로부터 탈락하는 것을 확실히 방지하기 위해, 기판의 하강 과정이 완료된 후 (즉, 후술하는 얼라인먼트 공정이 개시되기 직전)에, 정전척(24)에 가하는 전압을 제2 전압(ΔV2)으로 낮춘다. In a state in which the substrate S is adsorbed to the
기판(S)이 계측위치까지 하강하면, 얼라인먼트용 카메라(20)로 기판(S)과 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하여 기판과 마스크의 상대적인 위치 어긋남을 계측한다. 본 발명의 다른 실시형태에서는, 기판과 마스크의 상대적 위치의 계측 공정의 정밀도를 보다 높이기 위해, 얼라인먼트를 위한 계측 공정이 완료된 이후(얼라인먼트 공정 도중)에 정전척(24)에 가해지는 전압을 제2 전압으로 낮춘다. 즉, 정전척(24)에 기판을 제1 전압(ΔV1)에 의해 강하게 흡착시킨 상태(기판을 보다 편평하게 유지한 상태)에서 기판과 마스크의 얼라인먼트 마크를 촬영함으로써, 계측 공정의 정밀도를 높일 수 있다.When the board|substrate S descends to a measurement position, the alignment mark formed in the board|substrate S and the mask M is image|photographed with the
계측결과, 기판의 마스크에 대한 상대적 위치 어긋남이 임계치를 넘는 것으로 판명되면, 정전척(24)에 흡착된 상태의 기판(S)을 수평방향(XYθ 방향)으로 이동시켜, 기판을 마스크에 대해 위치조정(얼라인먼트)한다. 본 발명의 다른 실시형태에 있어서는, 이러한 위치조정 공정이 완료된 후에 정전척(24)에 가해지는 전압을 제2 전압(ΔV2)으로 낮춘다. 이를 통해, 얼라인먼트 공정 전체(상대적인 위치 계측 및 위치조정)에 걸쳐 정밀도를 보다 높일 수 있다. As a result of the measurement, if it is determined that the displacement of the substrate relative to the mask exceeds the threshold, the substrate S in the state of being adsorbed to the
얼라인먼트 공정 후에, 마스크(M)를 기판(S) 너머로 정전척(24)에 흡착시킨다. 이를 위해, 정전척(24)의 전극부 또는 서브 전극부에 제2 전압 이상의 크기를 가지는 제3 전압(ΔV3)을 인가한다. After the alignment process, the mask M is adsorbed to the
이러한 마스크(M)의 흡착 공정이 완료된 후에, 정전척(24)의 전극부 또는 서브 전극부에 인가되는 전압을, 정전척(24)에 기판과 마스크가 흡착된 상태를 유지할 수 있는 전압인, 제4 전압(ΔV4)으로 낮춘다. 이를 통해, 성막 공정 완료 후 기판(S) 및 마스크(M)를 정전척(24)으로부터 분리하는데 걸리는 시간을 단축시킬 수 있다.After the mask M adsorption process is completed, the voltage applied to the electrode part or the sub-electrode part of the
이어서, 증착원(25)의 셔터를 열고 증착재료를 마스크를 통해 기판(S)에 증착시킨다.Then, the shutter of the
원하는 두께까지 증착한 후, 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 인가되는 전압을 제5 전압으로 낮추어 마스크(M)를 분리하고, 정전척(24)에 기판만이 흡착된 상태에서, 정전척 Z 액츄에이터(28)에 의해, 기판을 상승시킨다. 여기서, 제5 전압(ΔV5)은 마스크(M)는 분리되고 기판(S)만이 정전척(24)에 흡착된 상태를 유지하기 위한 크기로서, 제2 전압과 실질적으로 동일한 크기의 전압이다.After depositing to a desired thickness, the mask M is separated by lowering the voltage applied to the electrode part or the sub-electrode part of the
이어서, 반송로봇(14)의 핸드가 성막장치(11)의 진공용기(21) 내로 들어오고 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 제로(0) 또는 역극성의 전압이 인가되어(t6) 기판이 정전척(24)으로부터 분리된다. 이후, 증착이 완료된 기판을 반송로봇(14)에 의해 진공용기(21)로부터 반출한다.Then, the hand of the
이상의 설명에서는, 성막장치(11)는, 기판(S)의 성막면이 연직방향 하방을 향한 상태에서 성막이 이루어지는, 소위 상향증착방식(Depo-up)의 구성으로 하였으나, 이에 한정되지 않으며, 기판(S)이 진공용기(21)의 측면측에 수직으로 세워진 상태로 배치되고, 기판(S)의 성막면이 중력방향과 평행한 상태에서 성막이 이루어지는 구성이어도 된다. In the above description, the
<전자디바이스의 제조방법><Method of manufacturing electronic device>
다음으로, 본 실시형태의 성막 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.Next, an example of the manufacturing method of the electronic device using the film-forming apparatus of this embodiment is demonstrated. Hereinafter, the structure and manufacturing method of an organic electroluminescent display are illustrated as an example of an electronic device.
우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 6(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 6(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다. First, an organic EL display device to be manufactured will be described. Fig. 6(a) is an overall view of the organic
도 6(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다.As shown in FIG. 6A , in the
도 6(b)는 도 6(a)의 A－B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(63) 상에 양극(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 음극(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 양극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 음극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 양극(64)과 음극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 양극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.Fig. 6(b) is a schematic partial cross-sectional view taken along line AB of Fig. 6(a). The
도 6(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 양극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 양극(64)으로부터 정공수송층(65)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 음극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.Although the
다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조 방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, an example of the manufacturing method of an organic electroluminescent display apparatus is demonstrated concretely.
우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 양극(64)이 형성된 기판(63)을 준비한다.First, a
양극(64)이 형성된 기판(63) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 양극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.An acrylic resin is formed by spin coating on the
절연층(69)이 패터닝된 기판(63)을 제1 유기재료 성막 장치에 반입하여 및 정전척으로 기판을 보유 지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 양극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크는 필요치 않다.The
다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(63)을 제2 유기재료 성막 장치에 반입하고, 정전척으로 보유 지지한다. 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 정전척으로 마스크를 기판 너머로 보유지지하여, 기판(63)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다. Next, the
발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막 장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막 장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막 장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.Similar to the film formation of the
전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막 장치로 이동시켜 음극(68)을 성막한다. A
본 발명에 따르면, 기판 및/또는 마스크를 정전척(24)에 흡착시킨 후 소정의 시점에서 정전척(24)에 가하는 전압을 미리 낮추어 둔다. 그리고 성막공정을 완료한 이후에는 기판과 마스크를 정전척으로부터 순차적으로 분리할 때에는, 기판에 대한 흡착은 유지하지만 마스크만을 분리할 수 있는 전압으로 낮추어서 정전척(24)으로부터 마스크를 먼저 분리하며, 이후에 전압을 제로(0)로 낮추거나(즉, 오프시키거나) 반대 극성의 전압을 인가하여 기판을 정전척(24)으로부터 분리한다. 그 결과, 기판 및/또는 마스크를 정전척(24)으로부터 분리하는데 걸리는 시간을 단축시킬 수 있으며, 공정시간을 단축시킬 수 있게 된다. According to the present invention, the voltage applied to the
그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.After that, it is transferred to a plasma CVD apparatus to form a
절연층(69)이 패터닝 된 기판(63)을 성막 장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 포함하는 분위기에 노출되면 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막 장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.From the time the
상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다.The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea.
11: 성막장치
21: 진공용기
22: 기판 지지 유닛
23: 마스크 지지 유닛
24: 정전척
30: 정전척 시스템
31: 전압 인가부
32: 전압 제어부11: film forming device
21: vacuum vessel
22: substrate support unit
23: mask support unit
24: electrostatic chuck
30: electrostatic chuck system
31: voltage applying unit
32: voltage control unit
Claims (31)
상기 정전척의 상기 전극부에 전압을 인가하기 위한 전압인가부와,
상기 전압인가부에 의한 전압의 인가를 제어하기 위한 전압제어부를 포함하고,
상기 전압제어부는, 상기 정전척에 제1 피흡착체를 사이에 두고, 제2 피흡착체를 흡착시키기 위한 제3 전압과, 상기 제3 전압이 상기 전극부에 인가됨으로써 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 상기 정전척에 흡착된 제2 피흡착체가 상기 정전척에 흡착된 상태를 유지하기 위한, 상기 제3 전압보다 작은 제4 전압과, 상기 제1 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시킨 상태에서 상기 제2 피흡착체를 상기 정전척으로부터 분리시키기 위한 제5 전압을 상기 전극부에 인가하도록 상기 전압인가부를 제어하는 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.
an electrostatic chuck including an electrode part;
a voltage applying unit for applying a voltage to the electrode unit of the electrostatic chuck;
A voltage control unit for controlling the application of a voltage by the voltage applying unit,
The voltage control unit may include a third voltage for adsorbing a second adsorbed body to the electrostatic chuck with a first adsorbed body interposed therebetween, and the third voltage is applied to the electrode unit to interpose the first adsorbed body therebetween. and a fourth voltage smaller than the third voltage for maintaining a state in which the second adsorbent adsorbed to the electrostatic chuck is adsorbed to the electrostatic chuck, and a fourth voltage lower than the third voltage in a state in which the first adsorbent is adsorbed to the electrostatic chuck. and controlling the voltage applying unit to apply a fifth voltage for separating a second adsorbed body from the electrostatic chuck to the electrode unit.
The electrostatic chuck system of claim 1 , wherein the fifth voltage is smaller than the third voltage.
The electrostatic chuck system of claim 2 , wherein the voltage controller controls the voltage applying unit to apply a sixth voltage for separating the first adsorbed body from the electrostatic chuck after the fifth voltage is applied. .
The electrostatic chuck system of claim 3 , wherein the sixth voltage is smaller than the fifth voltage.
The electrostatic chuck system of claim 4 , wherein the sixth voltage is a zero voltage or a voltage having a reverse polarity.
상기 전압제어부는, 제1 전압이 상기 전극부에 인가됨으로써 상기 정전척에 흡착된 제1 피흡착체가 상기 정전척에 흡착된 상태를 유지하기 위한, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 상기 전극부에 인가하도록 상기 전압인가부를 제어하고,
상기 제1 피흡착체는 기판이고, 상기 제2 피흡착체는 마스크인 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.
According to claim 1,
The voltage controller may be configured to apply a second voltage smaller than the first voltage to the electrode to maintain a state in which the first adsorbed material adsorbed to the electrostatic chuck is adsorbed to the electrostatic chuck by applying a first voltage to the electrode unit. controlling the voltage applying unit to apply it to the
The electrostatic chuck system according to claim 1, wherein the first adsorbed body is a substrate, and the second adsorbed body is a mask.
상기 정전척의 상기 전극부에 전압을 인가하기 위한 전압 인가부와,
상기 전압인가부에 의한 전압의 인가를 제어하기 위한 전압제어부를 포함하고,
상기 전압제어부는, 제1 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키기 위한 제1 전압과, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압과, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 제2 피흡착체를 흡착시키기 위한 제3 전압과, 상기 제3 전압보다 작은 제4 전압을, 상기 전극부에 순차적으로 인가하도록, 상기 전압인가부를 제어하는 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.
an electrostatic chuck including an electrode part;
a voltage applying unit for applying a voltage to the electrode unit of the electrostatic chuck;
A voltage control unit for controlling the application of a voltage by the voltage applying unit,
The voltage control unit includes a first voltage for adsorbing a first adsorbed body to the electrostatic chuck, a second voltage lower than the first voltage, and a second adsorbed body to the electrostatic chuck with the first adsorbed body interposed therebetween. The electrostatic chuck system according to claim 1, wherein the voltage applying unit is controlled to sequentially apply a third voltage for adsorbing and a fourth voltage smaller than the third voltage to the electrode unit.
8 . The electrostatic chuck according to claim 7 , wherein the voltage control unit connects a first voltage for adsorbing a first adsorbed body to the electrostatic chuck, a second voltage smaller than the first voltage, and the first adsorbed body to the electrostatic chuck. A third voltage for adsorbing a second adsorbed body, a fourth voltage smaller than the third voltage, and a fifth voltage for separating the second adsorbed body from the electrostatic chuck are sequentially applied to the electrode unit The electrostatic chuck system, characterized in that controlling the voltage applying unit to apply.
9. The electrostatic chuck system of claim 8, wherein the fifth voltage is less than the fourth voltage.
The electrostatic chuck system according to claim 7, wherein the first adsorbed body is a substrate, and the second adsorbed body is a mask.
상기 정전척의 상기 전극부에 전압을 인가하기 위한 전압 인가부와,
상기 전압 인가부에 의한 전압의 인가를 제어하기 위한 전압 제어부를 포함하며,
상기 전압 제어부는, 제1 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시키기 위한 제1 전압과, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압과, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 제2 피흡착체를 흡착시키기 위한 제3 전압과, 상기 제1 피흡착체를 상기 정전척에 흡착시킨 상태에서 상기 제2 피흡착체를 상기 정전척으로부터 분리시키기 위한, 제3 전압보다 작은 제5 전압를 상기 전극부에 순차적으로 인가하도록 상기 전압 인가부를 제어하는 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.
an electrostatic chuck including an electrode part;
a voltage applying unit for applying a voltage to the electrode unit of the electrostatic chuck;
and a voltage control unit for controlling the voltage application by the voltage application unit,
The voltage control unit includes a first voltage for adsorbing a first adsorbed body to the electrostatic chuck, a second voltage smaller than the first voltage, and a second adsorbed body to the electrostatic chuck with the first adsorbed body interposed therebetween. A third voltage for adsorbing the electrode and a fifth voltage smaller than a third voltage for separating the second adsorbed body from the electrostatic chuck in a state in which the first adsorbed body is adsorbed to the electrostatic chuck are sequentially applied to the electrode unit An electrostatic chuck system, characterized in that controlling the voltage applying unit to apply
상기 제5 전압은 상기 제4 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.
The method of claim 11 , wherein the voltage control unit applies a fourth voltage smaller than the third voltage to maintain the adsorption state of the first and second adsorbed bodies after the application of the third voltage. controlling the voltage applying unit to be applied to the electrode unit,
The fifth voltage is less than the fourth voltage.
13. The electrostatic chuck system of claim 12, wherein the fifth voltage has substantially the same magnitude as the second voltage.
12 . The method of claim 11 , wherein the voltage control unit applies a sixth voltage smaller than the fifth voltage to the electrode unit in order to separate the first adsorbed body from the electrostatic chuck after application of the fifth voltage. The electrostatic chuck system, characterized in that for controlling the voltage applying unit.
15. The electrostatic chuck system of claim 14, wherein the sixth voltage is a zero voltage or a voltage having an opposite polarity.
12. The method of claim 11, wherein the electrode part comprises a comb-shaped first electrode to which a potential of a first polarity is applied, and a comb-shaped second electrode to which a potential opposite to the first polarity is applied, and has a comb shape. The electrostatic chuck system, characterized in that the comb portion of the first electrode and the comb portion of the second electrode having a comb shape are alternately arranged with each other.
제1 피흡착체인 기판과 제2 피흡착체인 마스크를 흡착 및 분리하기 위한 정전척 시스템을 포함하며,
상기 정전척 시스템은 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 기재된 정전척 시스템인 것을 특징으로 하는 성막장치.
A film forming apparatus for forming a film on a substrate through a mask, comprising:
An electrostatic chuck system for adsorbing and separating a substrate as a first adsorbent and a mask as a second adsorbent,
The electrostatic chuck system is a film forming apparatus, characterized in that the electrostatic chuck system according to any one of claims 11 to 16.
상기 전극부에 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 인가하는 단계와,
상기 정전척에, 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 제2 피흡착체를 흡착시키도록 상기 전극부에 제3 전압을 인가하는 단계와,
상기 정전척에 상기 제1 피흡착체를 흡착시킨 상태에서 상기 제2 피흡착체를 상기 정전척으로부터 분리시키도록, 상기 전극부에 상기 제3 전압보다 작은 제5 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 흡착 및 분리방법.
applying a first voltage to an electrode portion of the electrostatic chuck to adsorb a first adsorbent to the electrostatic chuck;
applying a second voltage smaller than the first voltage to the electrode part;
applying a third voltage to the electrode unit to the electrostatic chuck to adsorb a second adsorbent with the first adsorbed therebetween;
and applying a fifth voltage smaller than the third voltage to the electrode unit to separate the second adsorbent from the electrostatic chuck while the first adsorbed body is adsorbed to the electrostatic chuck. adsorption and separation method.
상기 제3 전압의 인가 단계와 상기 제5 전압의 인가 단계 사이에, 상기 제1 피흡착체와 상기 제2 피흡착체의 흡착상태를 유지하기 위하여 상기 전극부에 상기 제3 전압보다 작은 제4 전압을 인가하는 단계를 더 포함하고,
상기 제5 전압은 상기 제4 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 흡착 및 분리방법.
19. The method of claim 18,
Between the step of applying the third voltage and the step of applying the fifth voltage, a fourth voltage smaller than the third voltage is applied to the electrode part in order to maintain the adsorption state of the first adsorbed body and the second adsorbed body. Further comprising the step of authorizing,
The fifth voltage is adsorption and separation method, characterized in that less than the fourth voltage.
20. The method of claim 19, wherein the fifth voltage has substantially the same magnitude as the second voltage.
상기 제6 전압은 상기 제5 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 흡착 및 분리방법.
19. The method of claim 18, further comprising, after the applying of the fifth voltage, applying a sixth voltage to the electrode unit for separating the first adsorbed body from the electrostatic chuck,
The sixth voltage is adsorption and separation method, characterized in that less than the fifth voltage.
22. The method of claim 21, wherein the sixth voltage is a zero voltage or a voltage having an opposite polarity.
진공용기내로 마스크를 반입하는 단계와,
진공용기내로 기판을 반입하는 단계와,
정전척의 전극부에 제1 전압을 인가하여, 상기 기판을 정전척에 흡착시키는 단계와,
상기 전극부에 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 인가하는 단계와,
상기 전극부에 상기 제2 전압 이상의 제3 전압을 인가하여 상기 정전척에 상기 기판을 사이에 두고 상기 마스크를 흡착시키는 단계와,
상기 정전척에 상기 기판과 상기 마스크를 흡착시킨 상태에서, 증착재료를 증발시켜 상기 마스크를 통해 상기 기판에 증착재료를 성막하는 단계와,
상기 정전척에 상기 기판을 흡착시킨 상태에서 상기 마스크를 상기 정전척으로부터 분리시키기 위한 제5 전압을 상기 전극부에 인가하는 단계를 포함하며,
상기 제5 전압은 상기 제3 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 성막방법.
A method of depositing a deposition material on a substrate through a mask, comprising:
bringing the mask into the vacuum container;
loading the substrate into the vacuum container;
adsorbing the substrate to the electrostatic chuck by applying a first voltage to the electrode part of the electrostatic chuck;
applying a second voltage smaller than the first voltage to the electrode part;
adsorbing the mask to the electrostatic chuck by applying a third voltage equal to or higher than the second voltage to the electrode unit, with the substrate interposed therebetween;
forming a deposition material on the substrate through the mask by evaporating the deposition material while the substrate and the mask are adsorbed to the electrostatic chuck;
and applying a fifth voltage to the electrode unit to separate the mask from the electrostatic chuck while the substrate is adsorbed to the electrostatic chuck;
The fifth voltage is smaller than the third voltage.
상기 제3 전압의 인가 단계와 상기 제5 전압의 인가 단계 사이에, 상기 기판과 상기 마스크의 흡착상태를 유지하기 위하여 상기 전극부에 상기 제3 전압보다 작은 제4 전압을 인가하는 단계를 더 포함하고,
상기 제5 전압은 상기 제4 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 성막방법.
24. The method of claim 23,
Between the application of the third voltage and the application of the fifth voltage, the method further includes applying a fourth voltage smaller than the third voltage to the electrode unit to maintain the adsorption state between the substrate and the mask. do,
The fifth voltage is smaller than the fourth voltage.
25. The method of claim 24, wherein the fifth voltage has substantially the same magnitude as the second voltage.
상기 제6 전압은 상기 제5 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 성막방법.
24. The method of claim 23, further comprising, after applying the fifth voltage, applying a sixth voltage for separating the substrate from the electrostatic chuck to the electrode unit;
The sixth voltage is smaller than the fifth voltage.
27. The method of claim 26, wherein the sixth voltage is a zero voltage or a voltage having an opposite polarity.
상기 정전척의 상기 전극부에 전압을 인가하기 위한 전압 인가부를 구비하고,
상기 정전척에 제1 피흡착체가 흡착된 상태에서, 상기 전압 인가부가, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 제2 피흡착체를 흡착시키기 위한 흡착 전압을, 상기 전극부에 인가하고,
상기 정전척에 상기 제1 피흡착체 및 상기 제2 피흡착체가 흡착된 상태를 유지하기 위한, 상기 흡착 전압보다 작은 유지 전압을, 상기 전극부에 인가하고,
상기 정전척에 상기 제1 피흡착체 및 상기 제2 피흡착체가 흡착된 상태에서, 상기 정전척에 흡착된 상태가 유지된 상기 제1 피흡착체로부터 상기 제2 피흡착체를 분리하기 위한 박리 전압을, 상기 전극부에 인가하는 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.
an electrostatic chuck including an electrode part;
a voltage applying unit for applying a voltage to the electrode unit of the electrostatic chuck;
In a state in which the first adsorbed body is adsorbed to the electrostatic chuck, the voltage applying unit applies an adsorption voltage to the electrode unit for adsorbing a second adsorbed body to the electrostatic chuck with the first adsorbed body interposed therebetween; ,
applying a holding voltage smaller than the adsorption voltage to the electrode unit to maintain the state in which the first and second adsorbed bodies are adsorbed to the electrostatic chuck;
a peeling voltage for separating the second adsorbed body from the first adsorbed body in a state in which the first adsorbed body and the second adsorbed body are adsorbed to the electrostatic chuck; The electrostatic chuck system, characterized in that applied to the electrode part.
상기 정전척의 상기 전극부에 전압을 인가하기 위한 전압인가부와,
상기 전압인가부에 의한 전압의 인가를 제어하기 위한 전압제어부를 포함하며,
상기 전압제어부는, 제1 전압이 상기 전극부에 인가됨으로써 상기 정전척에 흡착되고 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압이 상기 전극부에 인가됨으로써 상기 정전척에 흡착된 상태가 유지되는 제1 피흡착체를 사이에 두고, 상기 정전척에 제2 피흡착체를 흡착시키기 위한 제3 전압과, 상기 제1 피흡착체가 상기 정전척에 흡착된 상태에서 상기 제2 피흡착체를 상기 정전척으로부터 분리시키기 위한 제5 전압을 상기 전극부에 인가하도록 상기 전압인가부를 제어하는 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.an electrostatic chuck including an electrode part;
a voltage applying unit for applying a voltage to the electrode unit of the electrostatic chuck;
a voltage control unit for controlling the application of a voltage by the voltage applying unit;
The voltage control unit may be configured to be absorbed by the electrostatic chuck when a first voltage is applied to the electrode unit, and a second voltage smaller than the first voltage is applied to the electrode unit to maintain a state of being adsorbed to the electrostatic chuck. a third voltage for adsorbing a second adsorbent to the electrostatic chuck with a complex interposed therebetween; and for separating the second adsorbed body from the electrostatic chuck while the first adsorbed body is adsorbed to the electrostatic chuck The electrostatic chuck system according to claim 1, wherein the voltage applying unit is controlled to apply a fifth voltage to the electrode unit.
상기 정전척의 상기 전극부에 전압을 인가하기 위한 전압인가부를 포함하고,
상기 전압인가부는, 제1 전압이 상기 전극부에 인가됨으로써 상기 정전척에 흡착되고 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압이 상기 전극부에 인가됨으로써 상기 정전척에 흡착된 상태가 유지되는 제1 피흡착체를 사이에 두고, 상기 정전척에 제2 피흡착체를 흡착시키기 위한 흡착 전압을 상기 전극부에 인가하고,
상기 정전척에 상기 제1 피흡착체 및 상기 제2 피흡착체가 흡착된 상태에서, 상기 정전척에 흡착된 상태가 유지된 상기 제1 피흡착체로부터 상기 제2 피흡착체를 분리하기 위한 박리 전압을 상기 전극부에 인가하는
것을 특징으로 하는 정전척 시스템.
an electrostatic chuck including an electrode part;
a voltage applying unit for applying a voltage to the electrode unit of the electrostatic chuck;
The voltage applying unit may be configured to be absorbed by the electrostatic chuck when a first voltage is applied to the electrode, and a second voltage smaller than the first voltage is applied to the electrode to maintain a state of being absorbed by the electrostatic chuck. applying an adsorption voltage for adsorbing a second adsorbent to the electrostatic chuck with the complex interposed therebetween,
a peeling voltage for separating the second adsorbed body from the first adsorbed body in which the first adsorbed body and the second adsorbed body are adsorbed to the electrostatic chuck; applied to the electrode
Electrostatic chuck system, characterized in that.
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