KR102642081B1 - Manufacturing method of adhesive tape and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
(과제) 이른바 선 다이싱법에 계속해서, 드라이 폴리시를 실시했을 경우에도 칩 등을 안정적으로 유지할 수 있는 점착 테이프를 제공하는 것.
(해결 수단) 반도체 웨이퍼 표면에 홈이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 그 연삭에 의해 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화한 후, 드라이 폴리시를 실시하는 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부되어 사용되는, 점착 테이프로서, 기재와, 그 편면에 형성된 점착제층을 포함하고, 60 ℃ 에 있어서의 상기 기재의 인장 저장 탄성률이 250 ㎫ 이상인 점착 테이프이다.(Problem) Continuing with the so-called pre-dicing method, to provide an adhesive tape that can stably hold chips, etc. even when dry polishing is applied.
(Solution) In the process of grinding the back side of the semiconductor wafer on which grooves are formed on the surface of the semiconductor wafer, dividing the semiconductor wafer into semiconductor chips by grinding, and then performing dry polish, the chip is attached to the surface of the semiconductor wafer. The adhesive tape used is an adhesive tape that includes a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material, and the tensile storage modulus of the base material at 60°C is 250 MPa or more.
Description
본 발명은 점착 테이프에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 이른바 선 (先) 다이싱법에 의해 반도체 웨이퍼를 칩화하고, 또한 드라이 폴리시를 실시하여 반도체 장치를 제조할 때, 반도체 웨이퍼나 칩을 일시적으로 고정시키기 위해서 사용되는 점착 테이프, 및 그 점착 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive tape, and more specifically, to temporarily fix a semiconductor wafer or chip when manufacturing a semiconductor device by forming a semiconductor wafer into chips by the so-called pre-dicing method and then performing dry polishing. It relates to an adhesive tape used to achieve this and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape.
각종 전자 기기의 소형화, 다기능화가 진행되는 가운데, 그것들에 탑재되는 반도체 칩도 동일하게, 소형화, 박형화가 요구되고 있다. 칩을 박형화하기 위해서, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 두께 조정을 실시하는 것이 일반적이다. 또, 웨이퍼의 표면측으로부터 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 웨이퍼 이면측으로부터 연삭을 실시하고, 연삭에 의해 홈의 저부를 제거하여 웨이퍼를 개편화하여, 칩을 얻는 선 다이싱법이라고 불리는 공법을 이용하는 경우도 있다. 선 다이싱법에서는, 웨이퍼의 이면 연삭과, 웨이퍼의 개편화를 동시에 실시할 수 있으므로, 박형 칩을 효율적으로 제조할 수 있다.As various electronic devices become smaller and more functional, the semiconductor chips mounted on them are also required to be smaller and thinner. In order to make chips thinner, it is common to grind the back side of a semiconductor wafer to adjust the thickness. In addition, a method called the line dicing method is used to form a groove of a predetermined depth from the front surface of the wafer, grind it from the back side of the wafer, remove the bottom of the groove by grinding, break the wafer into pieces, and obtain chips. There are cases where it is used. In the line dicing method, grinding of the back side of the wafer and separation of the wafer into pieces can be performed simultaneously, so thin chips can be manufactured efficiently.
종래, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시나, 선 다이싱법에 의한 칩의 제조시에는, 웨이퍼 표면의 회로를 보호하고, 또, 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩을 고정시켜 두기 위해서, 웨이퍼 표면에 백 그라인드 시트라고 불리는 점착 테이프를 첩부 (貼付) 하는 것이 일반적이다.Conventionally, when grinding the back side of a semiconductor wafer or manufacturing chips using the line dicing method, an adhesive called back grind sheet is applied to the wafer surface to protect the circuitry on the wafer surface and to secure the semiconductor wafer and semiconductor chips. It is common to attach tape.
선 다이싱법에 있어서 사용하는 백 그라인드 시트로는, 기재와, 기재의 일방의 면에 형성한 점착제층을 구비하는 점착 테이프가 예시된다. 이와 같은 점착 테이프의 일례로서, 일본 공개특허공보 2015-185691호 (특허문헌 1) 에는, 기재 필름 상에 방사선 경화성 점착제층을 형성한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프가 제안되어 있다. 특허문헌 1 에는, 기재 필름으로서, 적어도 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 및 에틸렌-아세트산비닐 공중합체에서 선택된 2 종류의 상이한 재료를 적층한 기재 필름이 개시되고, 바람직한 구체예로는, 폴리에틸렌/폴리에틸렌테레프탈레이트/폴리에틸렌의 3 층으로 이루어지는 기재 필름이 개시되어 있다.Examples of back grind sheets used in the line dicing method include adhesive tapes including a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material. As an example of such an adhesive tape, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-185691 (Patent Document 1) proposes an adhesive tape for semiconductor wafer processing in which a radiation-curable adhesive layer is formed on a base film. Patent Document 1 discloses, as a base film, a base film in which two different materials selected from at least polyethylene terephthalate, polypropylene, and ethylene-vinyl acetate copolymer are laminated, and a preferred example is polyethylene/polyethylene terephthalate. /A base film consisting of three layers of polyethylene is disclosed.
상기와 같은 선 다이싱법에 의한 웨이퍼의 개편화시에는, 이면 연삭을 실시할 때, 연삭시에 발생하는 열이나 연삭 부스러기를 제거하기 위해, 연삭면에 물을 공급하면서 이면 연삭을 실시한다. 그러나, 이와 같은 종래의 이면 연삭에서는, 칩 이면에 연삭흔이 남아, 칩의 항절 강도를 저해하는 요인이 되는 것이 판명되었다. 특히, 칩의 박형화 및 소형화의 결과, 칩은 파손되기 쉬워지므로, 칩의 항절 강도의 저하는 문제시되고 있다.When dividing a wafer into pieces by the line dicing method as described above, back grinding is performed while water is supplied to the grinding surface in order to remove heat and grinding debris generated during grinding. However, it has been found that in such conventional back surface grinding, grinding marks remain on the back surface of the chip, which is a factor that impedes the breaking strength of the chip. In particular, as a result of the thinning and miniaturization of chips, the chips become more prone to breakage, and a decrease in the breaking strength of the chips is a problem.
상기와 같은 연삭흔 (이하, 「데미지부」 라고 부르는 경우가 있다) 을 제거하기 위해, 물을 사용한 이면 연삭 후에, 추가로 최종적으로 물을 사용하지 않는 드라이 폴리시에 의해 데미지부를 제거하여, 칩의 항절 강도를 향상시키는 것이 검토되고 있다. 드라이 폴리시란, 물이나 지립을 포함하는 슬러리를 사용하지 않고 연마 퍼프에 의해 연마하는 공정을 말한다.In order to remove the above grinding marks (hereinafter sometimes referred to as “damaged areas”), after back grinding using water, the damaged areas are finally removed by dry polishing without using water, and the chips are removed. Improving sectional strength is being considered. Dry polish refers to a process of polishing with a polishing puff without using a slurry containing water or abrasive grains.
그러나, 이면 연삭 공정과는 달리, 드라이 폴리시시에는 물은 사용되지 않기 때문에, 연마시에 발생하는 열이 물에 의해 제거되지 않아, 칩은 열을 띤다. 칩의 열은, 칩이 첩부되어 있는 점착 테이프에 전파된다. 이 결과, 드라이 폴리시시에는, 점착 테이프의 온도가 60 ℃ 이상이 되는 경우가 있다.However, unlike the back grinding process, no water is used during dry polishing, so the heat generated during polishing is not removed by the water, and the chip becomes heated. The heat of the chip propagates to the adhesive tape to which the chip is attached. As a result, during dry polishing, the temperature of the adhesive tape may become 60°C or higher.
점착 테이프의 기재는, 수지 성분으로 형성되어 있기 때문에, 열에 의해 변형되기 쉽다. 드라이 폴리시시에 있어서, 점착 테이프의 기재가 열에 의해 변형되면, 단부 (端部) 에 있어서 점착 테이프의 고정이 불충분해져, 점착 테이프 상의 칩을 충분히 유지할 수 없게 되어, 칩이 박리하여 비산해 버린다. 이와 같은 칩의 비산은 수율의 저하를 초래할 뿐만 아니라, 비산한 칩이 다른 칩에 접촉하여 다른 칩을 파손하거나, 또는 연삭 장치에 손상을 입히기 때문에, 다음 공정으로의 반송 불량 원인이 된다.Since the base material of the adhesive tape is made of a resin component, it is easily deformed by heat. During dry polishing, if the base material of the adhesive tape is deformed by heat, the fixation of the adhesive tape at the ends becomes insufficient, the chips on the adhesive tape cannot be sufficiently held, and the chips peel off and scatter. Such scattering of chips not only causes a decrease in yield, but also causes the scattered chips to come into contact with other chips, damaging other chips or damaging the grinding equipment, resulting in poor transport to the next process.
본 발명은 이와 같은 실상을 감안하여 이루어지고, 이른바 선 다이싱법에 계속해서, 드라이 폴리시를 실시했을 경우에도 칩 등을 안정적으로 유지할 수 있는 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in consideration of such actual conditions, and its purpose is to provide an adhesive tape that can stably hold chips, etc. even when dry polish is applied following the so-called line dicing method.
본 발명의 양태는,An aspect of the present invention is,
[1] 반도체 웨이퍼 표면에 홈이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 그 연삭에 의해 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화한 후, 드라이 폴리시를 실시하는 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부되어 사용되는, 점착 테이프로서,[1] In the process of grinding the back side of a semiconductor wafer on which grooves are formed on the surface of the semiconductor wafer, dividing the semiconductor wafer into semiconductor chips by grinding, and then performing dry polish, it is attached to the surface of the semiconductor wafer and used. As an adhesive tape,
기재와, 그 편면에 형성된 점착제층을 포함하고,It includes a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material,
60 ℃ 에 있어서의 기재의 인장 저장 탄성률이 250 ㎫ 이상인 점착 테이프이다.It is an adhesive tape whose tensile storage modulus of the base material at 60°C is 250 MPa or more.
[2] 반도체 웨이퍼의 표면측으로부터 홈을 형성하는 공정과,[2] A process of forming a groove from the surface side of the semiconductor wafer,
기재와, 그 편면에 형성된 점착제층을 포함하고, 60 ℃ 에 있어서의 기재의 인장 저장 탄성률이 250 ㎫ 이상인 점착 테이프를, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,A process of attaching an adhesive tape including a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material and having a tensile storage modulus of 250 MPa or more at 60°C to the surface of a semiconductor wafer;
점착 테이프가 표면에 첩부되고, 또한 홈이 형성된 반도체 웨이퍼를, 이면측으로부터 연삭하고, 홈의 저부를 제거하여 복수의 칩으로 개편화시키는 공정과,A process of grinding a semiconductor wafer on which an adhesive tape is attached to the surface and in which a groove is formed, from the back side, removing the bottom of the groove, and dividing it into a plurality of chips;
반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화한 후, 드라이 폴리시를 실시하는 공정과,A process of dividing a semiconductor wafer into semiconductor chips and then performing dry polishing;
점착 테이프로부터 칩을 박리하는 공정Process of peeling chips from adhesive tape
을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법이다.A method of manufacturing a semiconductor device comprising:
본 발명에 관련된 점착 테이프는, 드라이 폴리시시의 열에 의해 점착 테이프의 온도가 상승했을 경우에도, 반도체 칩을 안정적으로 유지할 수 있다. 이 때문에, 드라이 폴리시 공정을 포함하는 선 다이싱법을 실시해도 높은 수율로 반도체 칩을 제조할 수 있다.The adhesive tape according to the present invention can stably maintain a semiconductor chip even when the temperature of the adhesive tape rises due to the heat of dry polishing. For this reason, semiconductor chips can be manufactured with high yield even if a line dicing method including a dry polish process is performed.
이하, 본 발명에 관련된 점착 테이프에 대해, 구체적으로 설명한다. 먼저, 본 명세서에서 사용하는 주된 용어를 설명한다.Hereinafter, the adhesive tape according to the present invention will be described in detail. First, the main terms used in this specification will be explained.
본 명세서에 있어서, 예를 들어 「(메트)아크릴레이트」 란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」 의 쌍방을 나타내는 말로서 사용하고 있고, 다른 유사 용어에 대해서도 동일하다.In this specification, for example, “(meth)acrylate” is used to represent both “acrylate” and “methacrylate”, and the same applies to other similar terms.
점착 테이프란, 기재와, 그 편면에 형성된 점착제층을 포함하는 적층체를 의미하고, 이들 이외의 다른 구성층을 포함하는 것을 방해하지 않는다. 예를 들어, 점착제층측의 기재 표면에는 기재 표면과 점착제층의 계면에서의 밀착성 향상이나 저분자량 성분의 이행 방지 등을 목적으로 하여 프라이머층이 형성되어 있어도 된다. 또, 점착제층의 표면에는, 사용시까지 점착제층을 보호하기 위한 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 또, 기재는 단층이어도 되고, 완충층 등의 기능층을 구비한 다층이어도 된다. 점착제층도 동일하다.An adhesive tape means a laminated body including a base material and an adhesive layer formed on one side thereof, and does not prevent it from including other structural layers other than these. For example, a primer layer may be formed on the substrate surface on the adhesive layer side for the purpose of improving adhesion at the interface between the substrate surface and the adhesive layer, preventing migration of low molecular weight components, etc. Additionally, a release sheet for protecting the adhesive layer until use may be laminated on the surface of the adhesive layer. In addition, the base material may be a single layer or may be a multilayer provided with a functional layer such as a buffer layer. The adhesive layer is also the same.
반도체 웨이퍼의 「표면」 이란 회로가 형성된 면을 가리키고, 「이면」 은 회로가 형성되어 있지 않은 면을 가리킨다. 반도체 웨이퍼의 개편화란, 반도체 웨이퍼를 회로마다 분할하여, 반도체 칩을 얻는 것을 말한다.The “surface” of a semiconductor wafer refers to the surface on which circuits are formed, and the “back surface” refers to the surface on which circuits are not formed. Separation of a semiconductor wafer refers to dividing a semiconductor wafer into individual circuits to obtain semiconductor chips.
드라이 폴리시란, 물이나 지립을 포함하는 슬러리를 사용하지 않고 연마 퍼프에 의해 연마하는 공정을 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서는 「드라이 폴리시 공정」 이라고 기재하는 경우도 있다.Dry polish refers to a process of polishing with a polishing puff without using a slurry containing water or abrasive grains. In addition, in this specification, it may be described as “dry polish process.”
드라이 폴리시에 사용하는 연마 퍼프로는 각종 범용의 연마 퍼프가 사용되고, 시판품으로는, 디스코사의 연마 휠 「Gettering DP」 나, 「DP08 SERIES」 가 사용되지만, 이들에 한정되지 않는다. 드라이 폴리시를 실시함으로써 칩의 데미지부, 즉 연삭흔을 제거한다.Various general-purpose polishing puffs are used as polishing puffs for dry polishing, and as commercial products, polishing wheels "Gettering DP" and "DP08 SERIES" from Disco are used, but are not limited to these. Dry polishing is performed to remove chip damage, i.e. grinding marks.
선 다이싱법이란, 웨이퍼의 표면측으로부터 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 웨이퍼 이면측으로부터 연삭을 실시하고, 연삭에 의해 웨이퍼를 개편화하는 방법을 말한다.The line dicing method refers to a method of forming a groove of a predetermined depth from the front side of the wafer, then grinding the wafer from the back side, and breaking the wafer into pieces by grinding.
백 그라인드 테이프란, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시에 웨이퍼 회로면을 보호하기 위해서 사용되는 점착 테이프이고, 특히 본 명세서에서는 선 다이싱법에 바람직하게 사용되는 점착 테이프를 가리킨다.Back grind tape is an adhesive tape used to protect the wafer circuit surface when grinding the back side of a semiconductor wafer, and in particular, in this specification, it refers to an adhesive tape preferably used in the line dicing method.
(1. 점착 테이프)(1. Adhesive tape)
본 발명에 관련된 점착 테이프는, 상기 백 그라인드 테이프로서 드라이 폴리시 공정에 있어서 사용된다. 본 발명에 관련된 점착 테이프는, 기재와, 그 편면에 형성된 점착제층을 포함한다. 이하, 점착 테이프의 구성 요소에 대해 상세하게 설명한다.The adhesive tape according to the present invention is used in the dry polish process as the back grind tape. The adhesive tape according to the present invention includes a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material. Hereinafter, the components of the adhesive tape will be described in detail.
(1.1. 기재)(1.1. Listed)
본 실시형태에 관련된 점착 테이프의 기재로는, 백 그라인드 테이프의 기재로서 사용되고 있는 각종 수지 필름이 사용된다.As a base material for the adhesive tape according to the present embodiment, various resin films that are used as a base material for back grind tapes are used.
이하에 본 발명에서 사용되는 기재의 일례를 상세히 서술하지만, 이들은 단순히 기재의 입수를 용이하게 하기 위한 기재로서, 전혀 한정적으로 해석되어서는 안 된다.Examples of the substrate used in the present invention are described in detail below, but these are simply substrates to facilitate the acquisition of the substrate and should not be construed as limiting at all.
(1.2. 기재의 물성)(1.2. Physical properties of substrate)
본 실시형태에서는, 60 ℃ 에 있어서의 기재의 인장 저장 탄성률 (E'60) 이 250 ㎫ 이상이다. 인장 저장 탄성률 (E') 은, 기재의 변형의 용이함 (경도) 의 지표의 하나이다. 60 ℃ 에 있어서의 기재의 인장 저장 탄성률 (E'60) 이 상기의 범위 내임으로써, 기재의 열변형에서 기인한, 점착 테이프로부터의 칩 박리를 방지하여, 가공 공정, 특히 드라이 폴리시시의 응력에 의한 기재의 변형을 방지할 수 있다. 또, 이면 연삭시나 드라이 폴리시시의 응력에 대한 완충성능이 적당히 유지된다.In this embodiment, the tensile storage modulus ( E'60 ) of the substrate at 60°C is 250 MPa or more. Tensile storage modulus (E') is one of the indices of the ease of deformation (hardness) of the substrate. When the tensile storage modulus ( E'60 ) of the substrate at 60°C is within the above range, chip peeling from the adhesive tape due to thermal deformation of the substrate is prevented, and stress during processing, especially dry polishing, is prevented. Deformation of the substrate can be prevented. In addition, the buffering performance against stress during back grinding or dry polishing is maintained appropriately.
또한, 점착 테이프를 첩부한 반도체 웨이퍼는, 이면 연삭시나 드라이 폴리시시에 점착 테이프를 개재하여 흡착 테이블 상에 배치되지만, 기재의 인장 저장 탄성률 (E'60) 을 상기 범위로 함으로써, 점착 테이프와 흡착 테이블의 밀착성이 향상되어, 이면 연삭시나 드라이 폴리시시의 진동을 억제할 수 있다. 또한, 이면 연삭 후나 드라이 폴리시 후에 흡착 테이블로부터 점착 테이프를 박리하기 쉬워진다.In addition, the semiconductor wafer to which the adhesive tape is attached is placed on the suction table with the adhesive tape interposed during back side grinding or dry polishing, but by setting the tensile storage modulus ( E'60 ) of the base material in the above range, the adhesive tape and the adsorption are carried out. Adhesion to the table is improved, and vibration during back grinding or dry polishing can be suppressed. Additionally, it becomes easy to peel the adhesive tape from the suction table after back grinding or dry polishing.
E'60 은, 270 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 300 ㎫ 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, E'60 은, 4000 ㎫ 이하인 것이 바람직하고, 1100 ㎫ 이하인 것이 보다 바람직하다.E' 60 is preferably 270 MPa or more, and more preferably 300 MPa or more. On the other hand, E' 60 is preferably 4000 MPa or less, and more preferably 1100 MPa or less.
따라서, 본 실시형태에서는, 60 ℃ 에 있어서의 기재의 인장 저장 탄성률을 상기의 범위 내로 제어함으로써, 드라이 폴리시시에, 점착제층이 가열되는 경우에도, 칩의 비산을 효과적으로 억제할 수 있다.Therefore, in this embodiment, by controlling the tensile storage modulus of the base material at 60°C within the above range, scattering of chips can be effectively suppressed even when the adhesive layer is heated during dry polishing.
기재의 인장 저장 탄성률은, 점착제층의 손실 정접 및 전단 저장 탄성률과 동일하게, 공지된 방법에 의해 측정하면 된다. 예를 들어, 기재를 구성하는 시트 또는 필름과 동일한 재질로 이루어지는 재료를 소정 크기의 시료로 하고, 동적 점탄성 측정 장치에 의해, 소정의 온도 범위에 있어서, 소정의 주파수로 시료에 변형을 부여하여, 탄성률을 측정하고, 측정된 탄성률로부터, 인장 저장 탄성률을 산출할 수 있다.The tensile storage modulus of the base material may be measured by a known method in the same manner as the loss tangent and shear storage modulus of the adhesive layer. For example, a material made of the same material as the sheet or film constituting the base material is used as a sample of a predetermined size, and strain is applied to the sample at a predetermined frequency in a predetermined temperature range using a dynamic viscoelasticity measuring device, The elastic modulus can be measured, and from the measured elastic modulus, the tensile storage modulus can be calculated.
기재의 인장 저장 탄성률 E' 는, 재질, 물성, 두께 등의 관점에서, 기재를 구성하는 필름을 적절히 선택함으로써 제어할 수 있다. 예를 들어, 구성 필름으로서, 비교적 높은 Tg 를 갖는 필름을 선택하는 것이나, 기재의 제막 (製膜) 시에 어닐 처리함으로써, 인장 저장 탄성률을 소정의 범위로 제어할 수 있다.The tensile storage modulus E' of the substrate can be controlled by appropriately selecting the film constituting the substrate from the viewpoint of material, physical properties, thickness, etc. For example, the tensile storage modulus can be controlled to a predetermined range by selecting a film with a relatively high Tg as the constituent film or annealing the substrate during film formation.
(1.3. 기재의 구체예)(1.3. Specific example of description)
이하에, 기재의 구체예에 대해 설명하지만, 이들은 단순히 기재의 입수를 용이하게 하기 위한 기재로서, 전혀 한정적으로 해석되어서는 안 된다.Specific examples of the base material will be described below, but these are simply base materials to facilitate the acquisition of the base material and should not be interpreted as limiting at all.
본 발명의 기재는, 예를 들어 비교적 경질의 수지 필름이어도 된다. 또, 본 발명의 기재는, 비교적 경질의 수지 필름의 편면 혹은 양면에 비교적 연질의 수지 필름으로 이루어지는 완충층이 적층된 적층체이어도 된다.The base material of the present invention may be, for example, a relatively hard resin film. Additionally, the substrate of the present invention may be a laminate in which a buffer layer made of a relatively soft resin film is laminated on one or both sides of a relatively hard resin film.
기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 500 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 15 ∼ 350 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 20 ∼ 160 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 기재의 두께를 500 ㎛ 이하로 함으로써, 점착 테이프의 박리력을 제어하기 쉬워진다. 또, 15 ㎛ 이상으로 함으로써, 기재가 점착 테이프의 지지체로서의 기능을 하기 쉬워진다.The thickness of the base material is not particularly limited, but is preferably 500 μm or less, more preferably 15 to 350 μm, and still more preferably 20 to 160 μm. By setting the thickness of the base material to 500 μm or less, it becomes easier to control the peeling force of the adhesive tape. Moreover, by setting it to 15 μm or more, it becomes easier for the base material to function as a support for the adhesive tape.
기재의 재질로는, 여러 가지 수지 필름을 사용할 수 있다. 여기서, 인장 저장 탄성률이 250 ㎫ 이상인 기재로서, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤, 2 축 연신 폴리프로필렌 등의 수지 필름을 들 수 있다.As a material for the base material, various resin films can be used. Here, the substrate having a tensile storage modulus of 250 MPa or more includes, for example, polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, and wholly aromatic polyester, polyamide, polycarbonate, polyacetal, and modified polyphenyl. Resin films such as lene oxide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether ketone, and biaxially stretched polypropylene can be mentioned.
이들 수지 필름 중에서도, 폴리에스테르 필름, 폴리아미드 필름, 2 축 연신 폴리프로필렌 필름에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는 필름이 바람직하고, 폴리에스테르 필름을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.Among these resin films, films containing at least one selected from polyester films, polyamide films, and biaxially oriented polypropylene films are preferred, those containing polyester films are more preferred, and those containing polyethylene terephthalate films are preferred. It is more desirable to do so.
또, 기재는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 가소제, 활제, 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 촉매 등을 함유해도 된다. 또, 기재는, 점착제층을 경화시킬 때에 조사되는 에너지선에 대해 투과성을 갖는다.Additionally, the base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet ray absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, etc., within the range that does not impair the effect of the present invention. Additionally, the base material has transparency to energy rays irradiated when curing the adhesive layer.
또, 기재의 적어도 일방의 표면에는, 완충층 및 점착제층의 적어도 일방과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 코로나 처리 등의 접착 처리를 실시해도 된다. 또, 기재는, 상기한 수지 필름과, 수지 필름의 적어도 일방의 표면에 피막된 접착 용이층 (프라이머층) 을 가지고 있어도 된다.Additionally, at least one surface of the substrate may be subjected to an adhesion treatment such as corona treatment in order to improve adhesion with at least one of the buffer layer and the adhesive layer. In addition, the base material may have the above-described resin film and an easy-adhesion layer (primer layer) coated on at least one surface of the resin film.
접착 용이층을 형성하는 접착 용이층 형성용 조성물로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함하는 조성물을 들 수 있다. 접착 용이층 형성용 조성물에는, 필요에 따라, 가교제, 광 중합 개시제, 산화 방지제, 연화제 (가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유해도 된다.The composition for forming an easy adhesion layer is not particularly limited, but examples include compositions containing polyester resin, urethane resin, polyester urethane resin, acrylic resin, etc. The composition for forming an easily adhesion layer may contain a crosslinking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softener (plasticizer), a filler, a rust preventive, a pigment, a dye, etc., as needed.
접착 용이층의 두께는, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5 ㎛ 이다. 또한, 접착 용이층의 두께는, 기재의 두께에 대해 작고, 접착 용이층은 부드러운 재질이기 때문에, 인장 저장 탄성률에 미치는 영향은 작고, 기재의 인장 저장 탄성률은, 접착 용이층을 갖는 경우에도, 수지 필름의 인장 저장 탄성률과 실질적으로 동일하다.The thickness of the easy-adhesion layer is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.03 to 5 μm. In addition, the thickness of the easy-adhesion layer is small relative to the thickness of the base material, and since the easy-adhesion layer is a soft material, the effect on the tensile storage modulus is small, and the tensile storage modulus of the base material is small even when it has an easy-adhesion layer. It is substantially equal to the tensile storage modulus of the film.
(1.4. 완충층)(1.4. Buffer layer)
상기 기재의 편면 혹은 양면에는, 완충층이 형성되어 있어도 된다. 완충층은, 비교적 연질의 수지 필름으로 이루어지고, 반도체 웨이퍼의 연삭에 의한 진동을 완화시켜, 반도체 웨이퍼에 균열 및 결손이 생기는 것을 방지한다. 또, 점착 테이프를 첩부한 반도체 웨이퍼는, 이면 연삭시에, 흡착 테이블 상에 배치되지만, 완충층을 형성함으로써, 점착 테이프가 흡착 테이블에 적절히 유지되기 쉬워진다.A buffer layer may be formed on one or both sides of the substrate. The buffer layer is made of a relatively soft resin film, alleviates vibration caused by grinding of the semiconductor wafer, and prevents cracks and defects from occurring in the semiconductor wafer. In addition, the semiconductor wafer to which the adhesive tape is attached is placed on the suction table during backside grinding, but forming a buffer layer makes it easier for the adhesive tape to be properly held on the suction table.
완충층의 두께는, 8 ∼ 80 ㎛ 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 60 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다.The thickness of the buffer layer is preferably 8 to 80 μm, and more preferably 10 to 60 μm.
완충층은, 폴리프로필렌 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, LDPE 필름, LLDPE 필름이 바람직하다. 또, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층이어도 된다. 완충층을 갖는 기재는, 기재와 완충층을 라미네이트하여 얻어진다.The buffer layer is preferably polypropylene film, ethylene-vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene/(meth)acrylic acid copolymer film, ethylene/(meth)acrylic acid ester copolymer film, LDPE film, or LLDPE film. Additionally, the layer may be formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound. A base material having a buffer layer is obtained by laminating the base material and the buffer layer.
(1.5. 점착제층)(1.5. Adhesive layer)
이하에 본 발명에서 사용되는 점착제층의 일례를 물성 및 조성의 순서로 상세히 서술하지만, 이들은 단순히 점착제층의 제조 또는 입수를 용이하게 하기 위한 기재로서, 전혀 한정적으로 해석되어서는 안 된다.Below, an example of the adhesive layer used in the present invention is described in detail in the order of physical properties and composition, but these are simply substrates to facilitate the production or acquisition of the adhesive layer and should not be interpreted as limiting at all.
(1.6. 점착제층의 물성)(1.6. Physical properties of adhesive layer)
점착제층은, 점착 테이프의 성능을 발휘할 수 있도록 구성되어 있으면 특별히 제한되지 않는다. 본 실시형태에서는, 상기 서술한 바와 같이, 드라이 폴리시시에는, 점착 테이프의 온도가 60 ℃ 이상이 되는 경우가 있다.The adhesive layer is not particularly limited as long as it is configured to exhibit the performance of an adhesive tape. In this embodiment, as described above, during dry polishing, the temperature of the adhesive tape may be 60°C or higher.
그래서, 본 실시형태에서는, 60 ℃ 에 있어서의 점착제층의 손실 정접 (tanδ60) 이 0.40 이하인 것이 바람직하고, 60 ℃ 에 있어서의 점착제층의 전단 저장 탄성률 (G'60) 이 3.0 × 104 ㎩ 이상인 것이 바람직하다.Therefore, in this embodiment, it is preferable that the loss tangent (tanδ 60 ) of the adhesive layer at 60°C is 0.40 or less, and the shear storage modulus (G' 60 ) of the adhesive layer at 60°C is 3.0 × 10 4 Pa. It is desirable to have more than that.
손실 정접 (tanδ) 은, 「손실 탄성률/저장 탄성률」 로 정의되고, 동적 점탄성 측정 장치에 의해 대상물에 부여한 인장 응력이나 비틀림 응력 등의 응력에 대한 응답에 의해 측정되는 값이다. 60 ℃ 에 있어서의 점착제층의 손실 정접 (tanδ60) 이 상기의 범위 내임으로써, 가공 공정, 특히 드라이 폴리시 공정에 있어서, 점착제층에 응력이 인가되는 경우에도, 점착제층의 변형이 억제되어, 칩의 정렬성을 유지할 수 있으므로, 칩의 비산이 억제되는 경향이 있다.Loss tangent (tanδ) is defined as “loss modulus/storage modulus” and is a value measured by a dynamic viscoelasticity measurement device in response to stress such as tensile stress or torsional stress applied to the object. When the loss tangent (tanδ 60 ) of the adhesive layer at 60°C is within the above range, even when stress is applied to the adhesive layer in the processing process, especially the dry polishing process, deformation of the adhesive layer is suppressed and chip Since alignment can be maintained, scattering of chips tends to be suppressed.
또, tanδ60 은, 0.05 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.10 이상인 것이 더욱 바람직하다. 한편, tanδ60 은, 0.37 이하인 것이 보다 바람직하다.Moreover, as for tanδ60 , it is more preferable that it is 0.05 or more, and it is still more preferable that it is 0.10 or more. On the other hand, it is more preferable that tanδ 60 is 0.37 or less.
또, 전단 저장 탄성률 (G') 은, 점착제층의 변형의 용이함 (경도) 의 지표의 하나이다. 60 ℃ 에 있어서의 점착제층의 전단 저장 탄성률 (G'60) 이 상기의 범위 내임으로써, 가공 공정, 특히 드라이 폴리시 공정에 있어서, 점착제층에 응력이 인가되는 경우에도, 칩과 점착제층의 밀착성이 양호하고, 칩에 대한 점착제층의 유지력이 유지되므로, 칩의 비산이 억제되는 경향이 있다.Additionally, the shear storage modulus (G') is one of the indices of the ease of deformation (hardness) of the adhesive layer. When the shear storage modulus ( G'60 ) of the adhesive layer at 60°C is within the above range, the adhesiveness between the chip and the adhesive layer is maintained even when stress is applied to the adhesive layer in the processing process, especially the dry polish process. It is good and the holding power of the adhesive layer to the chip is maintained, so scattering of the chip tends to be suppressed.
또, G'60 은, 3.5 × 104 ㎩ 이상인 것이 보다 바람직하고, 3.7 × 104 ㎩ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 한편, G'60 은, 5.0 × 105 ㎩ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.0 × 105 ㎩ 이하인 것이 더욱 바람직하다.Moreover, G'60 is more preferably 3.5 × 10 4 Pa or more, and even more preferably 3.7 × 10 4 Pa or more. On the other hand, G'60 is more preferably 5.0 × 10 5 Pa or less, and even more preferably 1.0 × 10 5 Pa or less.
따라서, 본 실시형태에서는, 60 ℃ 에 있어서의 점착제층의 손실 정접과 전단 저장 탄성률의 양방을 상기의 범위 내로 제어함으로써, 드라이 폴리시시에, 점착제층이 가열되는 경우에, 칩의 비산을 효과적으로 억제하는 효과를 보다 높일 수 있다.Therefore, in this embodiment, by controlling both the loss tangent and the shear storage modulus of the adhesive layer at 60°C within the above range, scattering of chips is effectively suppressed when the adhesive layer is heated during dry polishing. The effect can be further enhanced.
점착제층의 손실 정접 및 전단 저장 탄성률은, 공지된 방법에 의해 측정하면 된다. 예를 들어, 점착제층을 소정 크기의 시료로 하고, 동적 점탄성 측정 장치에 의해, 소정의 온도 범위에 있어서, 소정의 주파수로 시료에 변형을 부여하여, 탄성률을 측정하고, 측정된 탄성률로부터, 손실 정접 및 전단 저장 탄성률을 산출할 수 있다.The loss tangent and shear storage modulus of the adhesive layer may be measured by a known method. For example, the adhesive layer is a sample of a predetermined size, strain is applied to the sample at a predetermined frequency in a predetermined temperature range using a dynamic viscoelasticity measurement device, the elastic modulus is measured, and the loss loss is calculated from the measured elastic modulus. The tangent and shear storage modulus can be calculated.
또한, 상기의 손실 정접 및 전단 저장 탄성률은, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩에 첩부 전의 미경화 상태의 점착제층의 60 ℃ 에 있어서의 물성을 의미한다. 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선 경화 전의 점착제층의 60 ℃ 에 있어서의 물성이다.In addition, the above loss tangent and shear storage modulus mean the physical properties at 60°C of the uncured adhesive layer before sticking to a semiconductor wafer or semiconductor chip. When the adhesive layer is formed of an energy ray curable adhesive, these are the physical properties at 60°C of the adhesive layer before energy ray curing.
또, 상기의 손실 정접 및 전단 저장 탄성률은, 예를 들어, 점착제층을 구성하는 점착제 조성물의 조성을 조정함으로써, 변화시킬 수 있다.In addition, the loss tangent and shear storage modulus can be changed, for example, by adjusting the composition of the adhesive composition constituting the adhesive layer.
점착제층의 두께는, 200 ㎛ 미만인 것이 바람직하고, 5 ∼ 80 ㎛ 가 보다 바람직하고, 10 ∼ 70 ㎛ 가 더욱 바람직하다. 점착제층을 이와 같이 얇게 하면, 점착 테이프에 있어서, 강성이 낮은 부분의 비율을 줄일 수 있기 때문에, 이면 연삭시에 생기는 반도체 칩의 결손을 한층 방지하기 쉬워진다.The thickness of the adhesive layer is preferably less than 200 μm, more preferably 5 to 80 μm, and even more preferably 10 to 70 μm. If the adhesive layer is made thin in this way, the proportion of parts with low rigidity in the adhesive tape can be reduced, making it easier to prevent chipping of the semiconductor chip that occurs during backside grinding.
(1.7. 점착제층의 조성)(1.7. Composition of adhesive layer)
점착제층의 조성은 특별히 한정되지 않지만, 상기의 물성을 실현하기 위해서, 본 실시형태에서는, 점착제층은, 예를 들어, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제 등으로 구성되고, 아크릴계 점착제로 구성되는 것이 바람직하다.The composition of the adhesive layer is not particularly limited, but in order to realize the above physical properties, in this embodiment, the adhesive layer is composed of, for example, an acrylic adhesive, a urethane adhesive, a rubber adhesive, a silicone adhesive, etc., and is made of an acrylic adhesive. It is desirable to be configured.
또, 점착제층은, 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 것이 바람직하다. 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성됨으로써, 에너지선 조사에 의한 경화 전에는, 손실 정접 및 전단 저장 탄성률을 상기 범위로 설정하면서, 경화 후에 있어서는 박리력을 1000 mN/50 ㎜ 이하로 용이하게 설정하는 것이 가능해진다.Additionally, the adhesive layer is preferably formed of an energy ray-curable adhesive. Since the adhesive layer is formed of an energy ray curable adhesive, the loss tangent and shear storage modulus can be set to the above range before curing by energy ray irradiation, while the peeling force can be easily set to 1000 mN/50 mm or less after curing. It becomes possible.
이하, 점착제의 구체예에 대해 상세히 서술하지만, 이들은 비한정적 예시이고, 본 발명에 있어서의 점착제층은 이들에 한정적으로 해석되어서는 안 된다.Specific examples of the adhesive will be described in detail below, but these are non-limiting examples, and the adhesive layer in the present invention should not be construed as limited to these.
에너지선 경화성 점착제로는, 예를 들어, 비에너지선 경화성의 점착성 수지 (「점착성 수지 I」 이라고도 한다) 와, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 포함하는 에너지선 경화성 점착제 조성물 (이하, 「X 형의 점착제 조성물」 이라고도 한다) 을 사용 가능하다. 또, 에너지선 경화성 점착제로서, 비에너지선 경화성의 점착성 수지의 측사슬에 불포화기를 도입한 에너지선 경화성의 점착성 수지 (이하, 「점착성 수지 II」 라고도 한다) 를 주성분으로서 포함하고, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 포함하지 않는 점착제 조성물 (이하, 「Y 형의 점착제 조성물」 이라고도 한다) 도 사용해도 된다.Examples of the energy ray curable adhesive include a non-energy ray curable adhesive resin (also referred to as “adhesive resin I”) and an energy ray curable adhesive composition containing an energy ray curable compound other than the adhesive resin (hereinafter referred to as “X (also referred to as “type adhesive composition”) can be used. In addition, as an energy ray curable adhesive, it contains as a main component an energy ray curable adhesive resin (hereinafter also referred to as “adhesive resin II”) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy ray curable adhesive resin, and other than the adhesive resin. An adhesive composition (hereinafter also referred to as “Y-type adhesive composition”) that does not contain an energy ray-curable compound may also be used.
또한 에너지선 경화성 점착제로는, X 형과 Y 형의 병용형, 즉, 에너지선 경화성의 점착성 수지 II 에 더하여, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물도 포함하는 에너지선 경화성 점착제 조성물 (이하, 「XY 형의 점착제 조성물」 이라고도 한다) 을 사용해도 된다.In addition, the energy ray curable adhesive is a combination of type X and Y, that is, an energy ray curable adhesive composition (hereinafter referred to as “ (also referred to as “type adhesive composition”) may be used.
이들 중에서는, XY 형의 점착제 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. XY 형의 점착제 조성물을 사용함으로써, 경화 전에 있어서는 충분한 점착 특성을 갖는 한편, 경화 후에 있어서는, 반도체 웨이퍼에 대한 박리력을 충분히 낮게 하는 것이 가능하다.Among these, it is preferable to use an XY type adhesive composition. By using an XY type adhesive composition, it is possible to have sufficient adhesive properties before curing, while sufficiently lowering the peeling force to the semiconductor wafer after curing.
단, 점착제로는, 에너지선을 조사해도 경화되지 않는 비에너지선 경화성의 점착제 조성물로 형성해도 된다. 비에너지선 경화성의 점착제 조성물은, 적어도 비에너지선 경화성의 점착성 수지 I 을 함유하는 한편, 상기한 에너지선 경화성의 점착성 수지 II 및 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 점착제 조성물이다.However, the adhesive may be formed from a non-energy ray curable adhesive composition that does not harden even when irradiated with energy rays. The non-energy ray curable adhesive composition is an adhesive composition that contains at least the non-energy ray curable adhesive resin I, but does not contain the above-mentioned energy ray curable adhesive resin II and the energy ray curable compound.
또한, 이하의 설명에 있어서 「점착성 수지」 는, 상기한 점착성 수지 I 및 점착성 수지 II 의 일방 또는 양방을 가리키는 용어로서 사용한다. 구체적인 점착성 수지로는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지 등을 들 수 있지만, 아크릴계 수지가 바람직하다.In addition, in the following description, “adhesive resin” is used as a term referring to one or both of the above-described adhesive resin I and adhesive resin II. Specific examples of the adhesive resin include acrylic resin, urethane resin, rubber resin, and silicone resin, but acrylic resin is preferred.
(1.7.1. 아크릴계 수지)(1.7.1. Acrylic resin)
이하, 점착성 수지로서, 아크릴계 수지가 사용되는 아크릴계 점착제에 대해보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, an acrylic adhesive in which an acrylic resin is used as the adhesive resin will be described in more detail.
아크릴계 수지에는, 아크릴계 중합체 (a) 가 사용된다. 아크릴계 중합체 (a) 는, 적어도 알킬(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머를 중합하여 얻어지고, 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함한다. 알킬(메트)아크릴레이트로는, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 20 인 것을 들 수 있고, 알킬기는 직사슬이어도 되고, 분기이어도 된다. 알킬(메트)아크릴레이트의 구체예로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 알킬(메트)아크릴레이트는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다.For the acrylic resin, acrylic polymer (a) is used. The acrylic polymer (a) is obtained by polymerizing a monomer containing at least alkyl (meth)acrylate, and contains structural units derived from alkyl (meth)acrylate. Examples of the alkyl (meth)acrylate include those in which the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms, and the alkyl group may be linear or branched. Specific examples of alkyl (meth)acrylate include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, and n-butyl (meth)acrylate. Latex, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate , dodecyl (meth)acrylate, etc. Alkyl (meth)acrylate may be used individually or in combination of two or more types.
또, 아크릴계 중합체 (a) 는, 점착제층의 점착력을 향상시키는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 그 알킬(메트)아크릴레이트의 탄소수로는, 바람직하게는 4 ∼ 12, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 6 이다. 또, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트는, 알킬아크릴레이트인 것이 바람직하다.Moreover, from the viewpoint of improving the adhesive force of the adhesive layer, the acrylic polymer (a) preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms. The number of carbon atoms of the alkyl (meth)acrylate is preferably 4 to 12, more preferably 4 to 6. Moreover, the alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms is preferably an alkyl acrylate.
아크릴계 중합체 (a) 에 있어서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트의 함유 비율은, 아크릴계 중합체 (a) 를 구성하는 모노머 전체량 (이하 간단히 「모노머 전체량」 이라고도 한다) 중, 바람직하게는 40 ∼ 98 질량％, 보다 바람직하게는 45 ∼ 95 질량％, 더욱 바람직하게는 50 ∼ 90 질량％ 이다.In the acrylic polymer (a), the content ratio of alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms is preferably within the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (a) (hereinafter also simply referred to as “total monomer amount”). Preferably it is 40 to 98 mass%, more preferably 45 to 95 mass%, and even more preferably 50 to 90 mass%.
아크릴계 중합체 (a) 는, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 더하여, 점착제층의 탄성률이나 점착 특성을 조정하기 위해서, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하다. 또한, 그 알킬(메트)아크릴레이트는, 탄소수 1 또는 2 의 알킬(메트)아크릴레이트인 것이 바람직하고, 메틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하고, 메틸메타크릴레이트가 가장 바람직하다. 아크릴계 중합체 (a) 에 있어서, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트의 함유 비율은, 모노머 전체량 중, 바람직하게는 1 ∼ 30 질량％, 보다 바람직하게는 3 ∼ 26 질량％, 더욱 바람직하게는 6 ∼ 22 질량％ 이다.The acrylic polymer (a) contains, in addition to structural units derived from alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms, an alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in order to adjust the elastic modulus and adhesive properties of the adhesive layer. It is preferable that it is a copolymer containing structural units derived from acrylate. Moreover, the alkyl (meth)acrylate is preferably an alkyl (meth)acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth)acrylate, and most preferably methyl methacrylate. In the acrylic polymer (a), the content of alkyl (meth)acrylate in which the alkyl group has 1 to 3 carbon atoms is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 3 to 26% by mass, based on the total amount of monomers. , more preferably 6 to 22% by mass.
아크릴계 중합체 (a) 는, 상기한 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 더하여, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. 관능기 함유 모노머의 관능기로는, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다. 관능기 함유 모노머는, 후술하는 가교제와 반응하여, 가교 기점이 되거나, 불포화기 함유 화합물과 반응하여, 아크릴계 중합체 (a) 의 측사슬에 불포화기를 도입하는 것이 가능하다.The acrylic polymer (a) preferably has structural units derived from functional group-containing monomers in addition to the structural units derived from the alkyl (meth)acrylate described above. Functional groups of the functional group-containing monomer include hydroxyl group, carboxyl group, amino group, and epoxy group. The functional group-containing monomer can react with a crosslinking agent described later to become a crosslinking origin, or react with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer (a).
관능기 함유 모노머로는, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다.Examples of functional group-containing monomers include hydroxyl group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, amino group-containing monomers, and epoxy group-containing monomers. These monomers may be used individually or in combination of two or more types. Among these, hydroxyl group-containing monomers and carboxyl group-containing monomers are preferable, and hydroxyl group-containing monomers are more preferable.
수산기 함유 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올 등을 들 수 있다.Examples of hydroxyl group-containing monomers include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth)acrylate. ) Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; Unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol can be mentioned.
카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들어, (메트)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산 ; 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 및 그 무수물, 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the carboxyl group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid, and their anhydrides, and 2-carboxyethyl methacrylate.
관능기 모노머의 함유 비율은, 아크릴계 중합체 (a) 를 구성하는 모노머 전체량 중, 바람직하게는 1 ∼ 35 질량％, 보다 바람직하게는 3 ∼ 32 질량％, 더욱 바람직하게는 6 ∼ 30 질량％ 이다.The content of the functional monomer is preferably 1 to 35% by mass, more preferably 3 to 32% by mass, and still more preferably 6 to 30% by mass, based on the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (a).
또, 아크릴계 중합체 (a) 는, 상기 이외에도, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등의 상기의 아크릴계 모노머와 공중합 가능한 모노머 유래의 구성 단위를 포함해도 된다.In addition to the above, the acrylic polymer (a) contains structural units derived from monomers copolymerizable with the above acrylic monomers, such as styrene, α-methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide. You can do it.
상기 아크릴계 중합체 (a) 는, 비에너지선 경화성의 점착성 수지 I (아크릴계 수지) 로서 사용할 수 있다. 또, 에너지선 경화성의 아크릴계 수지로는, 상기 아크릴계 중합체 (a) 의 관능기에, 광 중합성 불포화기를 갖는 화합물 (불포화기 함유 화합물이라고도 한다) 을 반응시킨 것을 들 수 있다.The acrylic polymer (a) can be used as non-energy ray-curable adhesive resin I (acrylic resin). In addition, examples of the energy ray-curable acrylic resin include those obtained by reacting a functional group of the acrylic polymer (a) with a compound having a photopolymerizable unsaturated group (also referred to as an unsaturated group-containing compound).
불포화기 함유 화합물은, 아크릴계 중합체 (a) 의 관능기와 결합 가능한 치환기, 및 광 중합성 불포화기의 쌍방을 갖는 화합물이다. 광 중합성 불포화기로는, (메트)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 비닐벤질기 등을 들 수 있고, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.An unsaturated group-containing compound is a compound that has both a substituent that can be bonded to a functional group of the acrylic polymer (a) and a photopolymerizable unsaturated group. Examples of the photopolymerizable unsaturated group include (meth)acryloyl group, vinyl group, allyl group, vinylbenzyl group, etc., and (meth)acryloyl group is preferable.
또, 불포화기 함유 화합물이 갖는, 관능기와 결합 가능한 치환기로는, 이소시아네이트기나 글리시딜기 등을 들 수 있다. 따라서, 불포화기 함유 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Additionally, substituents that the unsaturated group-containing compound has that can be combined with the functional group include an isocyanate group and a glycidyl group. Therefore, examples of unsaturated group-containing compounds include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth)acrylate.
또, 불포화기 함유 화합물은, 아크릴계 중합체 (a) 의 관능기의 일부에 반응하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 아크릴계 중합체 (a) 가 갖는 관능기의 50 ∼ 98 몰％ 에, 불포화기 함유 화합물을 반응시키는 것이 바람직하고, 55 ∼ 93 몰％ 반응시키는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이, 에너지선 경화성 아크릴계 수지에 있어서, 관능기의 일부가 불포화기 함유 화합물과 반응하지 않고 잔존함으로써, 가교제에 의해 가교되기 쉬워진다.Additionally, the unsaturated group-containing compound preferably reacts with a portion of the functional groups of the acrylic polymer (a), and specifically, the unsaturated group-containing compound reacts with 50 to 98 mol% of the functional groups of the acrylic polymer (a). It is preferable to make it react, and it is more preferable to make it react at 55-93 mol%. In this way, in the energy ray-curable acrylic resin, a part of the functional group remains without reacting with the unsaturated group-containing compound, making it susceptible to crosslinking by a crosslinking agent.
또한, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 바람직하게는 30 만 ∼ 160 만, 보다 바람직하게는 40 만 ∼ 140 만, 더욱 바람직하게는 50 만 ∼ 120 만이다.Moreover, the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 300,000 to 1.6 million, more preferably 400,000 to 1.4 million, and even more preferably 500,000 to 1.2 million.
(1.7.2. 에너지선 경화성 화합물)(1.7.2. Energy radiation curable compound)
X 형 또는 XY 형의 점착제 조성물에 함유되는 에너지선 경화성 화합물로는, 분자 내에 불포화기를 갖고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화 가능한 모노머 또는 올리고머가 바람직하다.The energy ray-curable compound contained in the X-type or XY-type adhesive composition is preferably a monomer or oligomer that has an unsaturated group in the molecule and can be polymerized and cured by energy ray irradiation.
이와 같은 에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메트)아크릴레이트 등의 다가 (메트)아크릴레이트 모노머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트 등의 올리고머를 들 수 있다.Such energy ray curable compounds include, for example, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate. Polyhydric (meth)acrylate monomers such as acrylate, 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, polyester (meth) Oligomers such as acrylate, polyether (meth)acrylate, and epoxy (meth)acrylate can be mentioned.
이들 중에서도, 비교적 분자량이 높고, 점착제층의 전단 저장 탄성률을 잘 저하시키지 않는 관점에서, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다. 에너지선 경화성 화합물의 분자량 (올리고머의 경우에는 중량 평균 분자량) 은, 바람직하게는 100 ∼ 12000, 보다 바람직하게는 200 ∼ 10000, 더욱 바람직하게는 400 ∼ 8000, 특히 바람직하게는 600 ∼ 6000 이다.Among these, urethane (meth)acrylate oligomer is preferable because it has a relatively high molecular weight and does not easily reduce the shear storage modulus of the adhesive layer. The molecular weight (weight average molecular weight in the case of an oligomer) of the energy ray-curable compound is preferably 100 to 12,000, more preferably 200 to 10,000, further preferably 400 to 8,000, and particularly preferably 600 to 6,000.
X 형의 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 200 질량부, 보다 바람직하게는 50 ∼ 150 질량부, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 90 질량부이다.The content of the energy ray-curable compound in the type It is the mass part.
한편, XY 형의 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30 질량부, 보다 바람직하게는 2 ∼ 20 질량부, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 15 질량부이다. XY 형의 점착제 조성물에서는, 점착성 수지가 에너지선 경화성이기 때문에, 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 적어도, 에너지선 조사 후, 충분히 박리력을 저하시키는 것이 가능하다.On the other hand, the content of the energy ray-curable compound in the ~15 parts by mass. In the
(1.7.3. 가교제)(1.7.3. Cross-linking agent)
점착제 조성물은, 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 가교제는, 예를 들어 점착성 수지가 갖는 관능기 모노머 유래의 관능기에 반응하여, 점착성 수지끼리를 가교하는 물질이다. 가교제로는, 예를 들어, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등, 및 그들의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제 ; 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제 ; 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제 ; 알루미늄킬레이트 등의 킬레이트계 가교제 ; 등을 들 수 있다. 이들 가교제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.It is preferable that the adhesive composition further contains a crosslinking agent. A crosslinking agent is, for example, a substance that crosslinks adhesive resins by reacting with functional groups derived from functional group monomers possessed by the adhesive resin. Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and their adducts; Epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; Aziridine-based crosslinking agents such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine; Chelate-based crosslinking agents such as aluminum chelate; etc. can be mentioned. These crosslinking agents may be used individually or in combination of two or more types.
이들 중에서도, 응집력을 높여 점착력을 향상시키는 관점, 및 입수하기 용이함 등의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.Among these, isocyanate-based crosslinking agents are preferable from the viewpoint of increasing cohesion and improving adhesive strength and ease of availability.
가교제의 배합량은, 가교 반응을 촉진시키는 관점에서, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 4 질량부이다.From the viewpoint of promoting the crosslinking reaction, the compounding amount of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and still more preferably 0.05 to 4 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. .
(1.7.4. 광 중합 개시제) (1.7.4. Photopolymerization initiator)
또, 점착제 조성물이 에너지선 경화성인 경우에는, 점착제 조성물은, 추가로 광 중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 광 중합 개시제를 함유함으로써, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선으로도, 점착제 조성물의 경화 반응을 충분히 진행시킬 수 있다.Moreover, when the adhesive composition is energy-ray curable, it is preferable that the adhesive composition further contains a photopolymerization initiator. By containing a photopolymerization initiator, the curing reaction of the adhesive composition can be sufficiently advanced even with relatively low-energy energy rays such as ultraviolet rays.
광 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가서는, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로르안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.Examples of photopolymerization initiators include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and further photosensitizers such as amines and quinones. I can hear it. More specifically, for example, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, Benzoin isopropyl ether, benzylphenylsulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloranthraquinone, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenyl Phosphine oxide, etc. can be mentioned.
이들 광 중합 개시제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 광 중합 개시제의 배합량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 5 질량부이다.These photopolymerization initiators may be used individually or in combination of two or more types. The amount of the photopolymerization initiator to be added is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, and still more preferably 0.05 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin.
(1.7.5. 그 밖의 첨가제)(1.7.5. Other additives)
점착제 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제를 함유해도 된다. 그 밖의 첨가제로는, 예를 들어, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제 (가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 들 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 첨가제의 배합량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 6 질량부이다.The adhesive composition may contain other additives within the range that does not impair the effects of the present invention. Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, etc. When mixing these additives, the mixing amount of the additive is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.
또, 기재, 완충층이나 박리 시트에 대한 도포성을 향상시키는 관점에서, 점착제 조성물을 추가로 유기 용매로 희석시켜, 점착제 조성물의 용액을 얻어도 된다.Additionally, from the viewpoint of improving applicability to a base material, buffer layer, or release sheet, the adhesive composition may be further diluted with an organic solvent to obtain a solution of the adhesive composition.
유기 용매로는, 예를 들어, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 자일렌, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다.Examples of organic solvents include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, isopropanol, etc.
또한, 이들 유기 용매는, 점착성 수지의 합성시에 사용된 유기 용매를 그대로 사용해도 되고, 그 점착제 조성물의 용액을 균일하게 도포할 수 있도록, 합성시에 사용된 유기 용매 이외의 1 종 이상의 유기 용매를 첨가해도 된다.In addition, these organic solvents may be the organic solvents used during the synthesis of the adhesive resin, or may be used as is, or may be used as one or more organic solvents other than the organic solvent used during the synthesis so that the solution of the adhesive composition can be applied uniformly. You may add .
(1.8. 박리 시트)(1.8. Release sheet)
점착 테이프의 표면에는, 박리 시트가 첩부되어 있어도 된다. 박리 시트는, 구체적으로는, 점착 테이프의 점착제층의 표면에 첩부된다. 박리 시트는, 점착제층 표면에 첩부됨으로써 수송시, 보관시에 점착제층을 보호한다. 박리 시트는, 박리 가능하게 점착 테이프에 첩부되어 있고, 점착 테이프가 사용되기 전 (즉, 웨이퍼 이면 연삭 전) 에는, 점착 테이프로부터 박리되어서 제거된다.A release sheet may be affixed to the surface of the adhesive tape. Specifically, the release sheet is affixed to the surface of the adhesive layer of the adhesive tape. The release sheet is attached to the surface of the adhesive layer to protect the adhesive layer during transportation and storage. The release sheet is attached to the adhesive tape so as to be peelable, and is peeled off and removed from the adhesive tape before the adhesive tape is used (i.e., before grinding the back side of the wafer).
박리 시트는, 적어도 일방의 면이 박리 처리가 된 박리 시트이다. 구체적으로는, 박리 시트용 기재의 표면 상에 박리제를 도포하여 얻어지는 박리 시트 등을 들 수 있다.A release sheet is a release sheet on which at least one side has been subjected to a release treatment. Specifically, a release sheet obtained by applying a release agent onto the surface of a release sheet base material, etc. can be mentioned.
박리 시트용 기재로는, 수지 필름이 바람직하고, 당해 수지 필름을 구성하는 수지로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르 수지 필름, 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌 수지 등의 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있다. 박리제로는, 예를 들어, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머, 장사슬 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.As the base material for the release sheet, a resin film is preferable, and the resin constituting the resin film includes, for example, polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and polyethylene naphthalate resin; and polyolefin resins such as polypropylene resin and polyethylene resin. Examples of the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins, and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, and fluorine-based resins.
박리 시트의 두께는, 특별히 제한 없지만, 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 20 ∼ 150 ㎛ 이다.The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 μm, more preferably 20 to 150 μm.
(2. 점착 테이프의 제조 방법)(2. Manufacturing method of adhesive tape)
본 발명의 점착 테이프의 제조 방법으로는, 특별히 제한은 없고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.There is no particular limitation on the manufacturing method of the adhesive tape of the present invention, and it can be manufactured by a known method.
예를 들어, 박리 시트 상에 형성한 점착제층을, 기재의 편면에 첩합하고, 점착제층의 표면에 박리 시트가 첩부된 점착 테이프를 제조할 수 있다. 또, 박리 시트 상에 형성한 완충층과, 기재를 첩합하고, 박리 시트를 제거함으로써, 완충층과 기재의 적층체가 얻어진다. 그리고, 박리 시트 상에 형성한 점착제층을, 적층체의 기재측에 첩합하여, 점착제층의 표면에 박리 시트가 첩부된 점착 테이프를 제조할 수 있다. 또한, 완충층을 기재의 양면에 형성한 경우에는, 점착제층은 완충층 상에 형성된다. 점착제층의 표면에 첩부되는 박리 시트는, 점착 테이프의 사용 전에 적절히 박리하여 제거하면 된다.For example, an adhesive layer formed on a release sheet can be bonded to one side of a base material to produce an adhesive tape in which the release sheet is attached to the surface of the adhesive layer. Additionally, a laminate of the buffer layer and the base material is obtained by bonding the buffer layer formed on the release sheet and the base material and removing the release sheet. Then, the adhesive layer formed on the release sheet can be bonded to the base material side of the laminate to produce an adhesive tape in which the release sheet is attached to the surface of the adhesive layer. Additionally, when a buffer layer is formed on both sides of the substrate, the adhesive layer is formed on the buffer layer. The release sheet affixed to the surface of the adhesive layer may be appropriately peeled and removed before use of the adhesive tape.
박리 시트 상에 점착제층을 형성하는 방법으로는, 박리 시트 상에 점착제 조성물을, 공지된 도포 방법에 의해 직접 도포하고, 도포막을 가열 건조시켜, 용매를 휘발시킴으로써, 점착제층을 형성할 수 있다. 도포 방법으로는, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다. 동일하게, 기재의 편면 또는 완충층 상에, 점착제 조성물을 직접 도포하여, 점착제층을 형성해도 된다.As a method of forming a pressure-sensitive adhesive layer on a release sheet, the pressure-sensitive adhesive layer can be formed by directly applying a pressure-sensitive adhesive composition on a release sheet using a known application method, heating and drying the coating film, and volatilizing the solvent. Application methods include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating. Similarly, the pressure-sensitive adhesive composition may be applied directly on one side of the substrate or on the buffer layer to form the pressure-sensitive adhesive layer.
(3. 반도체 장치의 제조 방법)(3. Manufacturing method of semiconductor device)
본 발명의 점착 테이프는, 선 다이싱법에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하여 웨이퍼의 이면 연삭이 실시되고, 그 후 드라이 폴리시가 실시될 때에 특히 바람직하게 사용된다. 점착 테이프의 비한정적인 사용예로서, 이하에 반도체 장치의 제조 방법을 더욱 구체적으로 설명한다.The adhesive tape of the present invention is particularly preferably used in the line dicing method when it is affixed to the surface of a semiconductor wafer, the back side of the wafer is ground, and then dry polish is performed. As a non-limiting example of the use of the adhesive tape, the manufacturing method of the semiconductor device will be described in more detail below.
반도체 장치의 제조 방법은, 구체적으로는, 이하의 공정 1 ∼ 공정 4 를 적어도 구비한다.The manufacturing method of a semiconductor device specifically includes at least the following steps 1 to 4.
공정 1 : 반도체 웨이퍼의 표면측으로부터 홈을 형성하는 공정Process 1: Process of forming a groove from the surface side of the semiconductor wafer
공정 2 : 상기의 점착 테이프를, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정Step 2: Step of attaching the above adhesive tape to the surface of the semiconductor wafer
공정 3 : 점착 테이프가 표면에 첩부되고, 또한 상기 홈이 형성된 반도체 웨이퍼를, 이면측으로부터 연삭하여, 홈의 저부를 제거하고, 복수의 칩으로 개편화시키고, 개편화된 칩에 대해 드라이 폴리시를 실시하는 공정Step 3: The semiconductor wafer on which the adhesive tape is attached to the surface and the grooves are formed is ground from the back side, the bottom of the grooves is removed, divided into a plurality of chips, and dry polish is applied to the individual chips. Process carried out
공정 4 : 개편화된 반도체 웨이퍼 (즉, 복수의 반도체 칩) 로부터, 점착 테이프를 박리하는 공정Process 4: Process of peeling off the adhesive tape from the individual semiconductor wafers (i.e., multiple semiconductor chips)
이하, 상기 반도체 장치의 제조 방법의 각 공정을 상세하게 설명한다.Hereinafter, each step of the semiconductor device manufacturing method will be described in detail.
(3.1. 공정 1)(3.1. Process 1)
공정 1 에서는, 반도체 웨이퍼의 표면측으로부터 홈을 형성한다. 본 공정에서 형성되는 홈은, 반도체 웨이퍼의 두께보다 얕은 깊이의 홈이다. 홈의 형성은, 종래 공지된 웨이퍼 다이싱 장치 등을 사용하여 다이싱에 의해 실시하는 것이 가능하다. 또, 반도체 웨이퍼는, 후술하는 공정 3 에 있어서, 홈의 저부를 제거함으로써, 홈을 따라 복수의 반도체 칩으로 분할된다.In step 1, a groove is formed from the surface side of the semiconductor wafer. The groove formed in this process is a groove whose depth is shallower than the thickness of the semiconductor wafer. The formation of the groove can be performed by dicing using a conventionally known wafer dicing device or the like. Additionally, the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips along the groove by removing the bottom of the groove in step 3 described later.
본 제조 방법에서 사용되는 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼이어도 되고, 또 갈륨·비소 등의 웨이퍼나, 유리 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼이어도 된다. 반도체 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 500 ∼ 1000 ㎛ 정도이다. 또, 반도체 웨이퍼는, 통상, 그 표면에 회로가 형성되어 있다. 웨이퍼 표면에 대한 회로의 형성은, 에칭법, 리프트 오프법, 블레이드법 등의 종래 범용되고 있는 방법을 포함하는 여러 가지 방법에 의해 실시할 수 있다.The semiconductor wafer used in this manufacturing method may be a silicon wafer, or may be a gallium arsenide wafer, a glass wafer, or a sapphire wafer. The thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 μm. Additionally, a semiconductor wafer usually has a circuit formed on its surface. The formation of a circuit on the wafer surface can be performed by various methods, including conventionally used methods such as an etching method, a lift-off method, and a blade method.
(3.2. 공정 2)(3.2. Process 2)
공정 2 에서는, 홈이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에, 본 발명의 점착 테이프를 점착제층을 개재하여 첩부한다.In step 2, the adhesive tape of the present invention is affixed to the surface of the semiconductor wafer on which the grooves are formed through an adhesive layer.
점착 테이프가 첩부되고, 또한 홈을 형성한 반도체 웨이퍼는, 흡착 테이블 상에 올려지고, 흡착 테이블에 흡착되어 유지된다. 이 때, 반도체 웨이퍼는, 표면측이 테이블측에 배치되어 흡착된다.The semiconductor wafer to which the adhesive tape is attached and the groove is formed is placed on the suction table and held by adsorption on the suction table. At this time, the semiconductor wafer is adsorbed with its surface side placed on the table side.
(3.3. 공정 3)(3.3. Process 3)
공정 1 및 공정 2 후, 흡착 테이블 상의 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 개편화한다.After steps 1 and 2, the back side of the semiconductor wafer on the suction table is ground, and the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips.
여기서, 반도체 웨이퍼에는 반도체 웨이퍼의 두께보다 얕은 깊이의 홈이 형성되어 있으므로, 이면 연삭은, 적어도 홈의 저부에 이르는 위치까지 반도체 웨이퍼를 얇게 하도록 실시한다. 이 이면 연삭에 의해, 홈은, 웨이퍼를 관통하는 절입이 되고, 반도체 웨이퍼는 절입에 의해 분할되어, 개개의 반도체 칩으로 개편화된다.Here, since grooves with a depth shallower than the thickness of the semiconductor wafer are formed on the semiconductor wafer, back side grinding is performed to thin the semiconductor wafer at least to a position reaching the bottom of the groove. By this back side grinding, the groove becomes an incision that penetrates the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the incision and divided into individual semiconductor chips.
개편화된 반도체 칩의 형상은, 방형이어 되고, 사각형 등의 가늘고 긴 형상이어도 된다. 또, 개편화된 반도체 칩의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛ 정도이고, 보다 바람직하게는 10 ∼ 45 ㎛ 이다. 또, 개편화된 반도체 칩의 크기는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 사이즈가 바람직하게는 50 ㎟ 미만, 보다 바람직하게는 30 ㎟ 미만, 더욱 바람직하게는 10 ㎟ 미만이다.The shape of the individualized semiconductor chips may be rectangular, or may be an elongated shape such as a square. Moreover, the thickness of the divided semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 μm, and more preferably 10 to 45 μm. In addition, the size of the divided semiconductor chip is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 50 mm2, more preferably less than 30 mm2, and even more preferably less than 10 mm2.
이면 연삭의 종료 후, 드라이 폴리시를 실시한다.After completion of back grinding, dry polish is performed.
이면 연삭에서는, 칩 이면에 연삭흔이 남기 때문에, 칩의 항절 강도를 저해하는 요인이 되고 있다. 칩의 박형화·소형화의 결과, 칩은 파손되기 쉬워져, 항절 강도의 저하가 문제시되고 있다. 상기 서술한 연삭흔 (데미지부) 을 제거하기 위해, 이면 연삭 후에, 추가로 최종적으로 물을 사용하지 않는 드라이 폴리시에 의해 데미지부를 제거하여, 칩의 항절 강도를 향상시키는 것이 바람직하다.In back grinding, grinding marks remain on the back side of the chip, which is a factor that hinders the chip strength. As a result of the thinning and miniaturization of chips, chips become more prone to breakage, and a decrease in bending strength has become a problem. In order to remove the above-mentioned grinding marks (damaged areas), it is desirable to further remove the damaged areas by dry polishing without using water after back side grinding to improve the breaking strength of the chip.
그러나, 이면 연삭과는 달리, 드라이 폴리시시에는 물은 사용되지 않기 때문에, 연마시에 발생하는 열이 물에 의해 제거되지 않아, 칩은 열을 띤다. 칩의 열은, 칩이 첩부되어 있는 점착 테이프에 전파된다. 이 결과, 드라이 폴리시시에는, 점착 테이프의 온도가 60 ℃ 이상이 되어, 칩에 대한 점착 테이프의 유지력이 불충분해져, 칩이 박리되어 비산하는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 점착 테이프를 사용함으로써, 점착 테이프의 변형이 억제되어, 칩의 비산을 저감시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 점착 테이프는, 드라이 폴리시 공정을 포함하는 선 다이싱법에 있어서, 반도체 웨이퍼나 칩을 유지하기 위해 특히 바람직하게 사용된다.However, unlike back grinding, no water is used during dry polishing, so the heat generated during polishing is not removed by water, and the chip becomes heated. The heat of the chip propagates to the adhesive tape to which the chip is attached. As a result, during dry polishing, the temperature of the adhesive tape becomes 60°C or higher, the holding power of the adhesive tape to the chip becomes insufficient, and the chip may peel and scatter. However, by using the adhesive tape of the present invention, deformation of the adhesive tape can be suppressed and scattering of chips can be reduced. Therefore, the adhesive tape of the present invention is particularly preferably used to hold a semiconductor wafer or chip in a line dicing method including a dry polish process.
즉, 본 발명의 점착 테이프를 사용함으로써, 이와 같이 박형 및/또는 소형의 반도체 칩이어도, 이면 연삭시 및 드라이 폴리시시 (공정 3), 및 점착 테이프 박리시 (공정 4) 에 반도체 칩이 결손이 생기는 것이 방지된다.That is, by using the adhesive tape of the present invention, even if the semiconductor chip is thin and/or small, the semiconductor chip is prevented from being damaged during back side grinding and dry polishing (step 3), and when peeling off the adhesive tape (step 4). is prevented from occurring.
(3.4. 공정 4)(3.4. Process 4)
다음으로, 개편화된 반도체 웨이퍼 (즉, 복수의 반도체 칩) 로부터, 점착 테이프를 박리한다. 본 공정은, 예를 들어, 이하의 방법에 의해 실시한다.Next, the adhesive tape is peeled from the separated semiconductor wafer (i.e., plural semiconductor chips). This process is carried out, for example, by the following method.
먼저, 점착 테이프의 점착제층이, 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선을 조사하여 점착제층을 경화시킨다. 이어서, 개편화된 반도체 웨이퍼의 이면측에, 픽업 테이프를 첩부하고, 픽업이 가능하도록 위치 및 방향 맞춤을 실시한다. 이 때, 웨이퍼의 외주측에 배치한 링 프레임도 픽업 테이프에 첩합하고, 픽업 테이프의 외주 가장자리부를 링 프레임에 고정시킨다. 픽업 테이프에는, 웨이퍼와 링 프레임을 동시에 첩합해도 되고, 다른 타이밍에 첩합해도 된다. 이어서, 픽업 테이프 상에 고정된 복수의 반도체 칩으로부터 점착 테이프를 박리한다.First, when the adhesive layer of the adhesive tape is formed of an energy ray-curable adhesive, the adhesive layer is cured by irradiating an energy ray. Next, a pick-up tape is attached to the back side of the separated semiconductor wafer, and the position and orientation are adjusted to enable pick-up. At this time, the ring frame disposed on the outer peripheral side of the wafer is also bonded to the pickup tape, and the outer peripheral edge portion of the pickup tape is fixed to the ring frame. The wafer and ring frame may be bonded to the pickup tape at the same time or may be bonded at different timings. Next, the adhesive tape is peeled from the plurality of semiconductor chips fixed on the pickup tape.
그 후, 픽업 테이프 상에 있는 복수의 반도체 칩을 픽업하여 기판 등의 위에 고정화시켜, 반도체 장치를 제조한다.Thereafter, a plurality of semiconductor chips on the pickup tape are picked up and fixed on a substrate or the like to manufacture a semiconductor device.
또한, 픽업 테이프는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 기재와, 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층을 구비하는 점착 시트에 의해 구성된다.In addition, the pickup tape is not particularly limited, but is comprised, for example, of an adhesive sheet provided with a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material.
또, 픽업 테이프 대신에, 접착 테이프를 사용할 수도 있다. 접착 테이프란, 필름상 접착제와 박리 시트의 적층체, 다이싱 테이프와 필름상 접착제의 적층체나, 다이싱 테이프와 다이 본딩 테이프의 양방의 기능을 갖는 접착제층과 박리 시트로 이루어지는 다이싱·다이 본딩 테이프 등을 들 수 있다. 또, 픽업 테이프를 첩부하기 전에, 개편화된 반도체 웨이퍼의 이면측에 필름상 접착제를 첩합해도 된다. 필름상 접착제를 사용하는 경우, 필름상 접착제는 웨이퍼와 동일한 형상으로 해도 된다.Also, instead of pickup tape, adhesive tape can be used. An adhesive tape is a laminate of a film adhesive and a release sheet, a laminate of a dicing tape and a film adhesive, or a dicing/die bonding product made of an adhesive layer and a release sheet that have the functions of both a dicing tape and a die bonding tape. Tapes, etc. may be mentioned. Additionally, before attaching the pickup tape, a film-like adhesive may be pasted on the back side of the separated semiconductor wafer. When using a film adhesive, the film adhesive may have the same shape as the wafer.
접착 테이프를 사용하는 경우나 픽업 테이프를 첩부하기 전에 개편화된 반도체 웨이퍼의 이면측에 필름상 접착제를 첩합하는 경우에는, 접착 테이프나 픽업 테이프 상에 있는 복수의 반도체 칩은, 반도체 칩과 동일한 형상으로 분할된 접착제층과 함께 픽업된다. 그리고, 반도체 칩은 접착제층을 개재하여 기판 등의 위에 고정화되어, 반도체 장치가 제조된다. 접착제층의 분할은, 레이저나 익스팬드에 의해 실시된다.When using an adhesive tape or attaching a film adhesive to the back side of a separate semiconductor wafer before attaching a pickup tape, a plurality of semiconductor chips on the adhesive tape or pickup tape have the same shape as the semiconductor chip. It is picked up together with the divided adhesive layer. Then, the semiconductor chip is fixed on a substrate or the like via an adhesive layer, and a semiconductor device is manufactured. Division of the adhesive layer is performed by laser or expand.
이상, 본 발명의 점착 테이프에 대해, 주로 선 다이싱법에 의해 반도체 웨이퍼를 개편화하여, 드라이 폴리시를 실시하는 방법에 사용하는 예에 대해 설명하였다.Above, an example in which the adhesive tape of the present invention is mainly used in a method of cutting a semiconductor wafer into pieces by a line dicing method and performing dry polishing has been described.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 상기의 실시형태에 전혀 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위 내에 있어서 여러 가지 양태로 개변해도 된다.Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments at all, and may be modified into various aspects within the scope of the present invention.
실시예Example
이하, 실시예를 사용하여, 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the invention will be described in more detail using examples, but the invention is not limited to these examples.
본 실시예에 있어서의 측정 방법 및 평가 방법은 이하와 같다.The measurement and evaluation methods in this example are as follows.
(인장 저장 탄성률)(tensile storage modulus)
기재를 구성하는 필름 또는 시트와 동일한 재질로 이루어지는 15 ㎜ 폭 × 10 ㎜ (길이) 의 측정용 필름을 준비하였다. 동적 점탄성 장치 (오리엔텍사 제조, 상품명 「Rheovibron DDV-II-EP1」) 에 의해, 주파수 11 ㎐ 로, 온도 범위 -20 ∼ 150 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률을, 측정용 필름의 10 개의 샘플에 대해 측정하였다. 60 ℃ 에 있어서의 10 개의 샘플의 인장 탄성률의 평균값을 E'60 으로 하였다.A 15 mm wide x 10 mm (length) measuring film made of the same material as the film or sheet constituting the base material was prepared. The tensile elastic modulus in the temperature range -20 to 150°C at a frequency of 11 Hz was measured for 10 samples of the film for measurement using a dynamic viscoelastic device (manufactured by Orientec, brand name "Rheovibron DDV-II-EP1"). Measured. The average value of the tensile elastic modulus of 10 samples at 60°C was taken as E'60 .
(칩의 비산 평가)(Chip scattering evaluation)
실시예, 비교예에서 얻어진 박리 시트가 부착된 점착 테이프를, 박리 시트를 벗기면서 테이프 라미네이터 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「RAD-3510」) 에 세트하고, 선 다이싱법에 의해 웨이퍼 표면에 홈을 형성한 12 인치의 실리콘 웨이퍼 (두께 760 ㎛) 에 다음의 조건으로 첩부하였다.The adhesive tape with the release sheet obtained in the examples and comparative examples was set on a tape laminator (product name "RAD-3510", manufactured by Lintech Co., Ltd.) while peeling off the release sheet, and grooves were formed on the wafer surface by the line dicing method. It was attached to a 12-inch silicon wafer (thickness 760 μm) under the following conditions.
롤 높이 : 0 ㎜Roll height: 0 mm
롤 온도 : 23 ℃ (실온)Roll temperature: 23℃ (room temperature)
테이블 온도 : 23 ℃ (실온)Table temperature: 23℃ (room temperature)
얻어진 점착 테이프가 부착된 실리콘 웨이퍼는, 이면 연삭 (선 다이싱법) 에 의해 두께 30 ㎛, 칩 사이즈 가로세로 1 ㎜ 로 개편화하였다.The obtained silicon wafer with adhesive tape was divided into pieces with a thickness of 30 μm and a chip size of 1 mm by back side grinding (line dicing method).
이면 연삭 종료 후, 연삭면을 디스코사 제조 DPG8760 에 의해 드라이 폴리시를 실시하였다. 연마 휠에는, 디스코사 제조 「Gettering DP」 를 사용하였다. 이 드라이 폴리시에 의해, 칩의 데미지부 (연삭흔) 를 제거하였다.After completion of back grinding, the ground surface was dry polished using DPG8760 manufactured by Disco. For the polishing wheel, “Gettering DP” manufactured by Disco Corporation was used. By this dry polish, the damaged portion (grinding marks) of the chip was removed.
드라이 폴리시 종료 후, 점착 테이프의 단부에 유지되어 있는 칩의 상태를 육안으로 관찰하고, 칩 비산의 유무를 확인하였다. 칩의 비산이 없었던 경우를 「양호」 로 하고, 칩의 비산이 있었을 경우를 「불량」 으로 하였다. 또한, 실리콘 웨이퍼의 최외주 영역에 존재하는 칩은, 원하는 형상 (통상은 사각형상) 의 칩과는 상이한 형상 (통상은 삼각형상) 을 가지고 있으므로, 이들 칩의 비산은, 상기의 평가에서는 고려하지 않았다. 즉, 상기의 평가에서는, 사각형상의 칩의 비산의 유무만을 평가하였다.After dry polishing was completed, the state of the chip held at the end of the adhesive tape was observed with the naked eye, and the presence or absence of chip scattering was confirmed. The case in which there was no scattering of chips was evaluated as “good”, and the case in which there was scattering of chips was evaluated as “bad.” Additionally, since the chips present in the outermost region of the silicon wafer have a different shape (usually a triangle shape) from the desired shape (usually a square shape), the scattering of these chips is not considered in the above evaluation. didn't That is, in the above evaluation, only the presence or absence of scattering of square-shaped chips was evaluated.
또한, 이하의 실시예, 및 비교예의 질량부는 모두 고형분값이다.In addition, the mass parts of the following examples and comparative examples are all solid content values.
(복층 기재)(Multi-layer substrate)
기재로서 두께 25.0 ㎛ 및 75.0 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (인장 저장 탄성률 : 2500 ㎫) 을 사용하였다. 이들 기재의 양면에 두께 27.5 ㎛ 의 완충층 (LDPE, 저밀도 폴리에틸렌) 을 형성한 복층 기재를 준비하였다. 따라서, 복층 기재의 구성은 이하와 같다.Polyethylene terephthalate films (tensile storage modulus: 2500 MPa) with a thickness of 25.0 μm and 75.0 μm were used as the substrate. A multi-layer substrate was prepared in which a buffer layer (LDPE, low-density polyethylene) with a thickness of 27.5 μm was formed on both sides of these substrates. Therefore, the structure of the multilayer substrate is as follows.
복층 기재 1 : LDPE (27.5 ㎛)/PET (25.0 ㎛)/LDPE (27.5 ㎛)Multi-layer substrate 1: LDPE (27.5 ㎛)/PET (25.0 ㎛)/LDPE (27.5 ㎛)
복층 기재 2 : LDPE (27.5 ㎛)/PET (75.0 ㎛)/LDPE (27.5 ㎛)Multilayer substrate 2: LDPE (27.5 ㎛)/PET (75.0 ㎛)/LDPE (27.5 ㎛)
(점착제 조성물 A 의 조제)(Preparation of adhesive composition A)
부틸아크릴레이트 (BA) 65 질량부, 메틸메타크릴레이트 (MMA) 20 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 15 질량부를 공중합하여 얻은 아크릴계 중합체 (a) 에, 아크릴계 중합체 (a) 의 전체 수산기 중 80 몰％ 의 수산기에 부가하도록, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 (MOI) 를 반응시켜, 에너지선 경화성의 아크릴계 수지 (Mw : 50 만) 를 얻었다.Acrylic polymer (a) obtained by copolymerizing 65 parts by mass of butylacrylate (BA), 20 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) was reacted to add 80 mol% of hydroxyl groups to the total hydroxyl groups, and an energy ray-curable acrylic resin (Mw: 500,000) was obtained.
얻어진 에너지선 경화성 아크릴계 수지 100 질량부에 대하여, 에너지선 경화성 화합물로서의 우레탄아크릴레이트 올리고머 (닛폰 합성 화학 공업사 제조, UT-4220) 6 질량부와, 톨릴렌디이소시아네이트계 가교제 (토소사 제조, 콜로네이트 L) 0.375 질량부 (고형분) 와, 광 중합 개시제 (치바·스페셜티 케미컬즈사 제조, 이르가큐어 184) 1.00 질량부 (고형비) 를 혼합하여, 에너지선 경화성 점착제 조성물 A 를 얻었다.For 100 parts by mass of the obtained energy ray-curable acrylic resin, 6 parts by mass of urethane acrylate oligomer as an energy ray-curable compound (UT-4220, manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industries, Ltd.) and a tolylene diisocyanate-based crosslinking agent (Colonate L, manufactured by Tosoh Corporation) ) 0.375 parts by mass (solids content) and 1.00 parts by mass (solids ratio) of a photopolymerization initiator (Irgacure 184, manufactured by Chiba Specialty Chemicals) were mixed to obtain energy ray-curable adhesive composition A.
(점착제 조성물 B 의 조제)(Preparation of adhesive composition B)
부틸아크릴레이트 (BA) 52 질량부, 메틸메타크릴레이트 (MMA) 20 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 28 질량부를 공중합하여 얻은 아크릴계 중합체 (a) 에, 아크릴계 중합체 (a) 의 전체 수산기 중 90 몰％ 의 수산기에 부가하도록, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 (MOI) 를 반응시켜, 에너지선 경화성의 아크릴계 수지 (Mw : 60 만) 를 얻었다.Acrylic polymer (a) obtained by copolymerizing 52 parts by mass of butylacrylate (BA), 20 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 28 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) was reacted to add 90 mol% of hydroxyl groups to the total hydroxyl groups, thereby obtaining an energy ray-curable acrylic resin (Mw: 600,000).
얻어진 에너지선 경화성 아크릴계 수지 100 질량부에 대하여, 톨릴렌디이소시아네이트계 가교제 (토소사 제조, 콜로네이트 L) 0.50 질량부 (고형분) 와, 광 중합 개시제 (치바·스페셜티 케미컬즈사 제조, 이르가큐어 184) 3.70 질량부 (고형비) 를 혼합하여, 에너지선 경화성 점착제 조성물 B 를 얻었다.With respect to 100 parts by mass of the obtained energy ray-curable acrylic resin, 0.50 parts by mass (solid content) of a tolylene diisocyanate-based crosslinking agent (Colonate L, manufactured by Tosoh Corporation) and a photopolymerization initiator (Irgacure 184, manufactured by Chiba Specialty Chemicals). 3.70 parts by mass (solid ratio) were mixed to obtain energy ray-curable adhesive composition B.
(실시예 1)(Example 1)
박리 시트 (린텍사 제조, SP-PET381031) 의 박리 처리면에, 상기에서 얻은 에너지선 경화성 점착제 조성물 A 의 도공액을 도공하고, 100 ℃ 에서 1 분간 가열 건조시켜, 박리 시트 상에 두께가 20 ㎛ 인 점착제층을 형성하였다.The coating liquid of the energy-beam curable adhesive composition A obtained above was applied to the peel-treated surface of a release sheet (SP-PET381031, manufactured by Lintech Co., Ltd.), heated and dried at 100°C for 1 minute, and a thickness of 20 μm was formed on the release sheet. A phosphorus adhesive layer was formed.
복층 기재 1 의 편면에, 형성한 점착제층을 첩합하여, 점착 테이프를 제조하였다. 얻어진 점착 테이프에 대해, 60 ℃ 에 있어서의 기재의 인장 저장 탄성률 E'60 을 측정하고, 또 칩의 비산 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The formed adhesive layer was bonded to one side of the multilayer substrate 1 to produce an adhesive tape. For the obtained adhesive tape, the tensile storage modulus E'60 of the base material at 60°C was measured, and chip scattering was evaluated. The results are shown in Table 1.
(실시예 2)(Example 2)
기재로서, 복층 기재 2 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 점착 테이프를 제조하였다. 얻어진 점착 테이프에 대해, 60 ℃ 에 있어서의 기재의 인장 저장 탄성률 E'60 을 측정하고, 또 칩의 비산 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.An adhesive tape was produced in the same manner as in Example 1, except that the multilayer substrate 2 was used as the substrate. For the obtained adhesive tape, the tensile storage modulus E'60 of the base material at 60°C was measured, and chip scattering was evaluated. The results are shown in Table 1.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
기재로서, 두께가 80 ㎛ 인 폴리염화비닐을 사용하고, 점착제층으로서 점착제 조성물 B 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 점착 테이프를 제조하였다. 얻어진 점착 테이프에 대해, 60 ℃ 에 있어서의 기재의 인장 저장 탄성률 E'60 을 측정하고, 또 칩의 비산 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.An adhesive tape was produced in the same manner as in Example 1, except that polyvinyl chloride with a thickness of 80 μm was used as a base material, and adhesive composition B was used as an adhesive layer. For the obtained adhesive tape, the tensile storage modulus E'60 of the base material at 60°C was measured, and chip scattering was evaluated. The results are shown in Table 1.
(비교예 2)(Comparative Example 2)
기재로서, 두께가 80 ㎛ 인 폴리올레핀을 사용하고, 점착제층으로서 점착제 조성물 B 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 점착 테이프를 제조하였다. 얻어진 점착 테이프에 대해, 60 ℃ 에 있어서의 기재의 인장 저장 탄성률 E'60 을 측정하고, 또 칩의 비산 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.An adhesive tape was produced in the same manner as in Example 1, except that polyolefin with a thickness of 80 μm was used as a base material and adhesive composition B was used as an adhesive layer. For the obtained adhesive tape, the tensile storage modulus E'60 of the base material at 60°C was measured, and chip scattering was evaluated. The results are shown in Table 1.
표 1 로부터, 60 ℃ 에 있어서의 기재의 인장 저장 탄성률 E'60 이 상기 서술한 범위 내인 경우에는, 칩의 비산이 억제되는 것을 확인할 수 있었다.From Table 1, it was confirmed that when the tensile storage modulus E'60 of the substrate at 60°C was within the range described above, scattering of chips was suppressed.
Claims (2)
기재와, 그 편면에 형성된 점착제층을 포함하고,
상기 기재는, 그 양면에 완충층을 갖고,
60 ℃ 에 있어서의 상기 기재의 인장 저장 탄성률이 250 ㎫ 이상 1100 MPa 이하인, 점착 테이프.In the process of grinding the back side of a semiconductor wafer on which grooves are formed on the surface of the semiconductor wafer, dividing the semiconductor wafer into semiconductor chips by grinding, and then dry polishing, an adhesive is used by being attached to the surface of the semiconductor wafer. As a tape,
It includes a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material,
The substrate has a buffer layer on both sides,
An adhesive tape wherein the tensile storage modulus of the base material at 60°C is 250 MPa or more and 1,100 MPa or less.
기재와, 그 편면에 형성된 점착제층을 포함하고, 상기 기재는, 그 양면에 완충층을 갖고, 60 ℃ 에 있어서의 상기 기재의 인장 저장 탄성률이 250 ㎫ 이상 1100 MPa 이하인 점착 테이프를, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,
상기 점착 테이프가 표면에 첩부되고, 또한 상기 홈이 형성된 반도체 웨이퍼를, 이면측으로부터 연삭하여, 상기 홈의 저부를 제거하여 복수의 칩으로 개편화시키는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화한 후, 드라이 폴리시를 실시하는 공정과,
상기 점착 테이프로부터 칩을 박리하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.A process of forming a groove from the surface side of a semiconductor wafer;
An adhesive tape comprising a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material, the base material having a buffer layer on both sides of the base material, and having a tensile storage modulus of the base material at 60°C of 250 MPa or more and 1,100 MPa or less, is applied to the semiconductor wafer. A process of sticking to the surface,
A step of grinding the semiconductor wafer on which the adhesive tape is attached to the surface and the grooves formed from the back side to remove the bottom of the grooves and separate them into a plurality of chips;
A process of dividing the semiconductor wafer into semiconductor chips and then performing dry polishing;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of peeling a chip from the adhesive tape.
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