KR20230161424A - Manufacturing method of adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor device - Google Patents
Manufacturing method of adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230161424A KR20230161424A KR1020237026844A KR20237026844A KR20230161424A KR 20230161424 A KR20230161424 A KR 20230161424A KR 1020237026844 A KR1020237026844 A KR 1020237026844A KR 20237026844 A KR20237026844 A KR 20237026844A KR 20230161424 A KR20230161424 A KR 20230161424A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- adhesive tape
- meth
- buffer layer
- adhesive
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 191
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 155
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 85
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 75
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 138
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 114
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 49
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 48
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 32
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 27
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 26
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 23
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 22
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 22
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 16
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 14
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 14
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 13
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 11
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 9
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 9
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 9
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 8
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 7
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 7
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical class C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 6
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 5
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 5
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 3
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;isocyanic acid Chemical group N=C=O.CCOC(N)=O RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 3
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 2
- QEGNUYASOUJEHD-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethylcyclohexane Chemical compound CC1(C)CCCCC1 QEGNUYASOUJEHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=CC=C1CN=C=O FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 1-chloroanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl Chemical group [CH2]CCO QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LKMCJXXOBRCATQ-UHFFFAOYSA-N benzylsulfanylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1CSC1=CC=CC=C1 LKMCJXXOBRCATQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- KOMDZQSPRDYARS-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene titanium Chemical class [Ti].C1C=CC=C1.C1C=CC=C1 KOMDZQSPRDYARS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HHQAGBQXOWLTLL-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-3-phenoxypropyl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(O)COC1=CC=CC=C1 HHQAGBQXOWLTLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVBFMUAFNIIQAL-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobutane Chemical compound O=C=NCCCCN=C=O OVBFMUAFNIIQAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical compound C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZXPHDGHQXLXJC-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-5,6-dimethylheptane Chemical compound O=C=NC(C)(C)C(C)CCCCN=C=O VZXPHDGHQXLXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUGZWHZWSVUSBE-UHFFFAOYSA-N 2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethanol Chemical compound OCCOCC1CO1 CUGZWHZWSVUSBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxyethanol Chemical compound OCCOC=C VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 2-isocyanatoethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCN=C=O DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBWOBTUYQXLKSS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylprop-2-enoyloxy)propanoic acid Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(O)=O SBWOBTUYQXLKSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenoxybutan-1-ol Chemical compound OCCCCOC=C HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWJDQCINSGRBDJ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Ta] Chemical compound [Li].[Ta] AWJDQCINSGRBDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- JGCWKVKYRNXTMD-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]heptane;isocyanic acid Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1CC2CCC1C2 JGCWKVKYRNXTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZQAAQZDDMEFGZ-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl) hexanedioate Chemical compound C=COC(=O)CCCCC(=O)OC=C JZQAAQZDDMEFGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1CC(N=C=O)CCC1CC1CCC(N=C=O)CC1 KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- GFJVXXWOPWLRNU-UHFFFAOYSA-N ethenyl formate Chemical compound C=COC=O GFJVXXWOPWLRNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N methyl 1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)OC)=NC2=C1 YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- ZQXSMRAEXCEDJD-UHFFFAOYSA-N n-ethenylformamide Chemical compound C=CNC=O ZQXSMRAEXCEDJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- YOSXAXYCARLZTR-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyl isocyanate Chemical compound C=CC(=O)N=C=O YOSXAXYCARLZTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000008521 reorganization Effects 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/29—Laminated material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
- B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
- C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
- C09J133/066—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing -OH groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
- C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C09J7/385—Acrylic polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(과제) 칩군이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프를, 베르누이 척을 이용하여 연삭 테이블로부터 떼어내고, 다음 공정으로 반송할 때에, 테이프의 만곡에 의한 칩끼리의 접촉에 기인하는 치핑의 발생을 억제한다.
(해결 수단) 본 발명에 따른 반도체 가공용 점착 테이프(10)는, 기재(11)와, 상기 기재의 한쪽 면 측에 마련된 완충층(13)과, 상기 기재의 다른쪽 면 측에 마련된 점착제층(12)을 갖는 점착 테이프로서, 기재(11)와 완충층(13)과의 적층체의 강연도는 68㎜ 이상인 것을 특징으로 하고 있다. (Problem) When the adhesive tape for semiconductor processing holding a group of chips is removed from the grinding table using a Bernoulli chuck and conveyed to the next process, the occurrence of chipping due to contact between chips due to the curvature of the tape is suppressed.
(Solution) The adhesive tape 10 for semiconductor processing according to the present invention includes a substrate 11, a buffer layer 13 provided on one side of the substrate, and an adhesive layer 12 provided on the other side of the substrate. ) is an adhesive tape, characterized in that the stiffness of the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 is 68 mm or more.
Description
본 발명은 반도체 가공용 점착 테이프에 관한 것으로, 더 상세하게는, 웨이퍼의 표면에 홈을 마련하거나, 또는 레이저로 웨이퍼 내부에 개질 영역을 마련하고, 웨이퍼 이면 연삭 시의 응력 등으로 웨이퍼의 개편화를 행하는 방법을 이용하여 반도체 장치를 제조할 때에, 반도체 웨이퍼나 칩을 일시적으로 유지하기 위해 바람직하게 사용되는 점착 테이프, 및 그 점착 테이프를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive tape for semiconductor processing. More specifically, the present invention relates to an adhesive tape for semiconductor processing, and more specifically, to provide a groove on the surface of the wafer or to provide a modified area inside the wafer using a laser, and to separate the wafer into individual pieces due to stress during grinding of the back side of the wafer. It relates to an adhesive tape preferably used to temporarily hold a semiconductor wafer or chip when manufacturing a semiconductor device using a method, and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape.
각종 전자 기기의 소형화, 다기능화가 진행되는 가운데, 그들에 탑재되는 반도체 칩도 마찬가지로, 소형화, 박형화가 요구되고 있다. 칩의 박형화를 위해, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 두께 조정을 행하는 것이 일반적이다. 또한, 박형화된 칩을 얻기 위해, 웨이퍼의 표면 측으로부터 소정 깊이의 홈을 다이싱 블레이드에 의해 형성한 후, 웨이퍼를 연삭 테이블에 고정하고, 웨이퍼 이면 측으로부터 연삭을 행하고, 연삭에 의해 웨이퍼를 개편화하여, 칩을 얻는 선다이싱법(DBG: Dicing Before Grinding)이라고 불리는 공법을 이용하는 경우도 있다. DBG에서는, 웨이퍼의 이면 연삭과, 웨이퍼의 개편화를 동시에 행할 수 있으므로, 박형 칩을 효율적으로 제조할 수 있다.As various electronic devices become smaller and more functional, the semiconductor chips mounted on them are also required to be smaller and thinner. In order to make chips thinner, it is common to grind the back side of a semiconductor wafer to adjust the thickness. Additionally, in order to obtain thinner chips, a groove of a predetermined depth is formed from the front surface of the wafer with a dicing blade, then the wafer is fixed on a grinding table, grinding is performed from the back side of the wafer, and the wafer is reshaped by grinding. In some cases, a method called dicing before grinding (DBG) is used to obtain chips. In DBG, the backside grinding of the wafer and the separation of the wafer into pieces can be performed simultaneously, so thin chips can be manufactured efficiently.
또한, 근년, 선다이싱법의 변형예로서, 레이저로 웨이퍼 내부에 개질 영역을 마련하고, 웨이퍼 이면 연삭 시의 응력 등으로 웨이퍼의 개편화를 행하는 방법이 제안되고 있다. 이하, 이 방법을 LDBG(Laser Dicing Before Grinding)라고 기재하는 경우가 있다. LDBG에서는, 웨이퍼는 개질 영역을 기점으로 하여 결정(結晶) 방향으로 절단되기 때문에, 다이싱 블레이드를 이용한 선다이싱법보다 치핑의 발생을 저감할 수 있다. 그 결과, 항절(抗折) 강도가 우수한 칩을 얻을 수 있고, 또한, 칩의 추가적인 박형화에 기여할 수 있다. 또한, 다이싱 블레이드에 의해 웨이퍼 표면에 소정 깊이의 홈을 형성하는 DBG와 비교하여, 다이싱 블레이드에 의해 웨이퍼를 깎아내는 영역이 없기 때문에, 즉, 커프 폭이 극소이기 때문에, 칩의 수율이 우수하다.Additionally, in recent years, as a modification of the sun dicing method, a method has been proposed in which a modified region is provided inside the wafer with a laser and the wafer is separated into pieces using stress during grinding the back side of the wafer. Hereinafter, this method may be referred to as LDBG (Laser Dicing Before Grinding). In LDBG, the wafer is cut in the crystal direction starting from the modified region, so the occurrence of chipping can be reduced compared to the pre-dicing method using a dicing blade. As a result, a chip with excellent bending strength can be obtained, and it can also contribute to further thinning of the chip. In addition, compared to DBG, which forms a groove of a predetermined depth on the wafer surface with a dicing blade, there is no area where the wafer is shaved off with a dicing blade, that is, the kerf width is extremely small, resulting in excellent chip yield. do.
종래, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 시나, DBG나 LDBG에 의한 칩의 제조 시에는, 웨이퍼 표면의 회로를 보호하고, 또한, 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩을 유지하기 위해, 웨이퍼 표면에 백그라인딩 시트라고 불리는 반도체 가공용 점착 테이프를 첩부하는 것이 일반적이다. 반도체 가공용 점착 테이프 측을 연삭 테이블에 고정하고, 이면 연삭을 행한다. 이면 연삭 후에는 연삭면에 접착제층을 갖는 접착 테이프를 첩부하거나, 혹은 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 테이프를 첩부한다. 그 후, 웨이퍼 표면에 첩부한 반도체 가공용 점착 테이프는, 자외선 등의 에너지선을 조사함으로써 그 점착력을 저하시킨 후, 박리된다. 이러한 공정에 의해, 칩 이면에는 접착제층이나 보호막 형성층이 형성된다.Conventionally, when grinding the back side of a semiconductor wafer or manufacturing chips using DBG or LDBG, a semiconductor processing tool called a back grinding sheet is applied to the wafer surface to protect the circuitry on the wafer surface and to maintain the semiconductor wafer and semiconductor chip. It is common to attach adhesive tape. The side of the adhesive tape for semiconductor processing is fixed to a grinding table, and back side grinding is performed. After backside grinding, an adhesive tape with an adhesive layer is attached to the ground surface, or a protective film forming tape is attached to form a protective film. Thereafter, the adhesive tape for semiconductor processing affixed to the wafer surface is peeled off after its adhesive strength is reduced by irradiating energy rays such as ultraviolet rays. Through this process, an adhesive layer or a protective film forming layer is formed on the back side of the chip.
반도체 가공용 점착 테이프는, 기재(基材)와 점착제층과 완충층을 포함하는 적층 점착 테이프가 사용되는 경우가 있다. 이러한 반도체 가공용 점착 테이프의 구체예는, 예를 들면 특허문헌 1(일본 특허공개 2015-183008호 공보) 등에 기재되어 있다. 완충층은, 연질(軟質)인 수지로 구성되고, 웨이퍼 이면 연삭 시에 생기는 진동을 흡수하고, 또한 이물에 의한 요철차를 완화하여, 웨이퍼를 안정적이고 평탄하게 연삭 테이블에 유지하기 위해 마련되어 있다.The adhesive tape for semiconductor processing may be a laminated adhesive tape containing a base material, an adhesive layer, and a buffer layer. Specific examples of such adhesive tapes for semiconductor processing are described in, for example, Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-183008). The buffer layer is made of a soft resin and is provided to absorb vibrations generated during grinding of the back side of the wafer, alleviate irregularities caused by foreign substances, and keep the wafer stable and flat on the grinding table.
개편화된 복수의 반도체 칩(이하 「칩군」이라고 부르는 경우가 있음)은, 반도체 가공용 점착 테이프 상에 일시적으로 유지된 상태에서 다음 공정인 에너지선 조사 공정이나 픽업 공정으로 반송된다. 이때에, 반도체 가공용 점착 테이프 상의 칩군이 유지되고 있는 면을, 척이라고 불리는 지그에 의해 흡인하여, 반도체 가공용 점착 테이프와 칩군을 연삭 테이블로부터 떼어내고, 다음 공정으로 반송하고 있다. 이러한 척으로서는, 칩군의 유지면을 흡인하는 진공 척이 범용되고 있었다. 그러나, 진공 척에서는, 척이 직접 칩 이면에 접촉하기 때문에, 칩을 파손하거나, 오염하는 경우가 있었다.A plurality of individual semiconductor chips (hereinafter sometimes referred to as a “chip group”) are temporarily held on an adhesive tape for semiconductor processing and transported to the next process, the energy ray irradiation process or the pickup process. At this time, the surface on which the chip group is held on the adhesive tape for semiconductor processing is sucked by a jig called a chuck, and the adhesive tape for semiconductor processing and the chip group are removed from the grinding table and transported to the next process. As such a chuck, a vacuum chuck that suctions the holding surface of the chip group has been widely used. However, in the vacuum chuck, since the chuck directly contacts the back surface of the chip, the chip may be damaged or contaminated.
그래서, 진공 척을 대신하여 베르누이 척이라고 불리는 지그의 사용이 검토되고 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 베르누이 척(20)은 패드(21)가 배치된 원호부(22)와, 원호부(22)에 이어지는 암부(23)로 구성된다. 패드부(21)에서는, 소위 베르누이 효과를 이용하고, 칩군(24)을 향하여 기체를 분출하여 부압 영역을 형성함으로써 흡인한다. 이 때문에, 칩군(24)을 비접촉으로 흡인할 수 있다. 이 결과, 칩군을 파손하거나 오염하는 일 없이 다음 공정으로 반송할 수 있을 것으로 기대된다. 그러나, 칩의 박화가 진행됨에 따라, 칩의 단부(端部)가 파손되는 「치핑」이라고 불리는 현상이 증가했다. 이 원인을 예의(銳意) 탐구한 바, 본 발명자들은 이하의 지견(知見)을 얻었다.Therefore, the use of a jig called a Bernoulli chuck is being considered instead of a vacuum chuck. As shown in FIG. 2, the Bernoulli chuck 20 is composed of an arc portion 22 on which a pad 21 is disposed, and an arm portion 23 connected to the arc portion 22. In the pad portion 21, the so-called Bernoulli effect is used to eject gas toward the chip group 24 to form a negative pressure area, thereby suctioning the gas. For this reason, the chip group 24 can be sucked without contact. As a result, it is expected that the chip group can be returned to the next process without being damaged or contaminated. However, as the thinning of the chip progresses, the phenomenon called “chipping,” in which the edge of the chip is damaged, increases. After carefully investigating this cause, the present inventors obtained the following knowledge.
상기와 같이, 베르누이 척(20)은 패드(21)가 배치된 원호부(22)와, 원호부(22)에 이어지는 암부(23)로 구성된다. 원호부(22)는, 칩군(24)의 외주(外周) 형상(즉 웨이퍼의 외주 형상)보다 약간 작고, 칩군(24)의 외연부(外緣部)를 흡인하고 있다. 내주부에는 흡인력은 작용하지 않는다. 이 때문에, 베르누이 척(20)에 의해 칩군(24)을 흡인하여, 연삭 테이블로부터 떼어내면, 반도체 가공용 점착 테이프(10)의 외연부는 흡인되지만, 내주부는 흡인되지 않고, 테이프나 칩의 자중(自重)에 의해 내주부가 늘어져 만곡된다(도 3). 이 결과, 분할된 칩끼리 접촉하기 때문에, 칩의 단부가 파손되는 치핑이 발생한다.As described above, the Bernoulli chuck 20 is composed of an arc portion 22 on which the pad 21 is disposed, and an arm portion 23 connected to the arc portion 22. The arc portion 22 is slightly smaller than the outer peripheral shape of the chip group 24 (that is, the outer peripheral shape of the wafer), and attracts the outer edge of the chip group 24. There is no suction force on the inner periphery. For this reason, when the chip group 24 is attracted by the Bernoulli chuck 20 and removed from the grinding table, the outer edge of the adhesive tape 10 for semiconductor processing is attracted, but the inner peripheral part is not attracted, and the self-weight of the tape or chip ( The inner periphery is stretched and curved due to self-weight (Figure 3). As a result, chipping, in which the ends of the chips are damaged, occurs because the divided chips come into contact with each other.
DBG법에서는 칩 간격(커프 폭)이 비교적 넓기 때문에, 칩끼리의 접촉은 다발하지 않지만, LDBG에서는 커프 폭이 실질적으로 0이기 때문에, 테이프가 근소하게라도 만곡되면, 그 위에 유지되고 있는 칩끼리 접촉하여, 치핑이 다발한다. 특히 박화가 진행되어 항절 강도가 저하된 극박 칩에서는 치핑이 발생하기 쉽다.In the DBG method, the chip gap (kerf width) is relatively wide, so contact between chips does not occur frequently. However, in the LDBG method, since the kerf width is essentially 0, if the tape is even slightly curved, the chips held on it come into contact. Therefore, chipping occurs frequently. In particular, chipping is prone to occur in ultra-thin chips whose bending strength has decreased due to advanced thinning.
이러한 지견을 얻어, 본 발명자들이 예의 검토한 바, 칩군이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프를, 베르누이 척을 이용하여 연삭 테이블로부터 떼어낼 때에, 반도체 가공용 점착 테이프의 만곡을 방지함으로써, 치핑을 저감할 수 있을 가능성을 발견했다. 그래서, 본 발명자들은, 반도체 가공용 점착 테이프의 강연도(剛軟度)를 적절한 범위로 제어함으로써, 치핑을 저감하는 것을 착상하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 본 발명은, 베르누이 척을 사용하여 칩군을 반송하는 경우에도, 치핑의 발생을 억제하는 것을 목적으로 하고 있다.With this knowledge in mind, the present inventors have carefully studied and found that when the adhesive tape for semiconductor processing holding a group of chips is removed from the grinding table using a Bernoulli chuck, chipping can be reduced by preventing the adhesive tape for semiconductor processing from bending. discovered the possibility. Therefore, the present inventors came up with the idea of reducing chipping by controlling the bending stiffness of the adhesive tape for semiconductor processing to an appropriate range, and completed the present invention. That is, the purpose of the present invention is to suppress the occurrence of chipping even when transferring a group of chips using a Bernoulli chuck.
이러한 과제의 해결을 목적으로 한 본 발명의 요지는 이하와 같다.The gist of the present invention aimed at solving these problems is as follows.
(1) 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 측에 마련된 완충층과, 상기 기재의 다른쪽 면 측에 마련된 점착제층을 갖는 점착 테이프로서,(1) An adhesive tape having a substrate, a buffer layer provided on one side of the substrate, and an adhesive layer provided on the other side of the substrate,
기재와 완충층과의 적층체의 강연도는 68㎜ 이상인, 반도체 가공용 점착 테이프.An adhesive tape for semiconductor processing in which the stiffness of the laminate of the base material and the buffer layer is 68 mm or more.
(2) 상기 기재의 23℃에서의 영률은 1000㎫ 이상인, (1)에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(2) The adhesive tape for semiconductor processing according to (1), wherein the Young's modulus at 23°C is 1000 MPa or more.
(3) 상기 기재의 두께는 80㎛ 이하인, (1) 또는 (2)에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(3) The adhesive tape for semiconductor processing according to (1) or (2), wherein the thickness of the substrate is 80 μm or less.
(4) 상기 완충층은, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물의 경화물인, (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(4) The adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (3), wherein the buffer layer is a cured product of a composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound.
(5) 반도체 웨이퍼 표면에 홈이 형성되거나, 또는 반도체 웨이퍼에 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 그 연삭에 의해 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화하는 공정에서, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부되어 사용되는, (1) 내지 (4) 중 어느 것에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(5) Grinding the back side of the semiconductor wafer on which a groove is formed on the surface of the semiconductor wafer or a modified region is formed on the semiconductor wafer, and attaching the semiconductor wafer to the surface of the semiconductor wafer in the process of dividing the semiconductor wafer into semiconductor chips by grinding. The adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (4), which is used.
(6) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 것에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프를 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하고, 상기 점착 테이프를 상기 반도체 웨이퍼의 외주를 따라 절단하는 공정과,(6) attaching the adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (4) above to the surface of a semiconductor wafer, and cutting the adhesive tape along the outer periphery of the semiconductor wafer;
상기 반도체 웨이퍼의 표면 측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 상기 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면으로부터 반도체 웨이퍼 내부에 개질 영역을 형성하는 공정과,A process of forming a groove from the front side of the semiconductor wafer, or forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front or back side of the semiconductor wafer;
상기 점착 테이프가 표면에 첩부되며, 또한 상기 홈 또는 상기 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼를, 이면 측으로부터 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 칩으로 개편화시키는 공정과,A process of grinding a semiconductor wafer on which the adhesive tape is attached to the surface and on which the groove or the modified region is formed, from the back side, and dividing the semiconductor wafer into a plurality of chips using the groove or the modified region as a starting point;
상기 개편화된 복수의 칩이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프를, 베르누이 척에 의해 지지하여 반송하는 공정과,A step of supporting and transporting the adhesive tape for semiconductor processing holding the plurality of individual chips held by a Bernoulli chuck;
상기 복수의 칩으로부터 상기 점착 테이프를 박리하는 공정Process of peeling the adhesive tape from the plurality of chips
을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device comprising:
(7) 다이싱·다이 본딩 테이프를 반도체 칩의 이면에 첩부하는 공정을 더 포함하는, (6)에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.(7) The method for manufacturing a semiconductor device according to (6), further comprising the step of attaching a dicing/die bonding tape to the back side of a semiconductor chip.
본 발명에 따른 반도체 가공용 점착 테이프에서는, 테이프의 강연도가 적절한 범위로 제어되고 있기 때문에, 칩군이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프를, 베르누이 척을 이용하여 반송하는 경우에도 테이프의 만곡이 없고, 치핑의 발생을 억제할 수 있다.In the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention, the stiffness of the tape is controlled to an appropriate range, so even when the adhesive tape for semiconductor processing holding a group of chips is transported using a Bernoulli chuck, there is no curvature of the tape and there is no chipping. Occurrence can be suppressed.
도 1은 본 실시형태의 반도체 가공용 점착 테이프를 나타내는 모식도이다.
도 2는 베르누이 척의 사용 태양을 나타낸다.
도 3은 도 2의 단면도이다.1 is a schematic diagram showing the adhesive tape for semiconductor processing of this embodiment.
Figure 2 shows an aspect of use of a Bernoulli chuck.
Figure 3 is a cross-sectional view of Figure 2.
이하에, 본 발명에 따른 반도체 가공용 점착 테이프에 대해서 구체적으로 설명한다. 우선, 본 명세서에서 사용하는 주된 용어를 설명한다.Below, the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention will be described in detail. First, the main terms used in this specification will be explained.
본 명세서에서, 예를 들면 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 쌍방을 나타내는 단어로서 이용하고 있으며, 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.In this specification, for example, “(meth)acrylate” is used as a word representing both “acrylate” and “methacrylate”, and the same applies to other similar terms.
「반도체 가공용」이란, 반도체 웨이퍼의 반송, 이면 연삭, 다이싱이나 반도체 칩의 픽업 등의 각 공정에서 사용할 수 있는 것을 의미한다.“For semiconductor processing” means that it can be used in various processes such as conveyance of semiconductor wafers, back side grinding, dicing, and pickup of semiconductor chips.
반도체 웨이퍼의 「표면」이란 회로가 형성된 면을 가리키고, 「이면」이란 회로가 형성되어 있지 않은 면을 가리킨다.The “surface” of a semiconductor wafer refers to the surface on which circuits are formed, and the “back surface” refers to the surface on which circuits are not formed.
반도체 웨이퍼의 개편화란, 반도체 웨이퍼를 회로마다 분할하여, 반도체 칩을 얻는 것을 말한다.Separation of a semiconductor wafer refers to dividing a semiconductor wafer into individual circuits to obtain semiconductor chips.
DBG란, 웨이퍼의 표면 측에 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 웨이퍼 이면 측으로부터 연삭을 행하고, 연삭에 의해 웨이퍼를 개편화하는 방법을 말한다. 웨이퍼의 표면 측에 형성되는 홈은, 블레이드 다이싱, 레이저 다이싱이나 플라스마 다이싱 등의 방법에 따라 형성된다. 또한, LDBG란 DBG의 변형예이며, 레이저로 웨이퍼 내부에 개질 영역을 마련하고, 웨이퍼 이면 연삭 시의 응력 등으로 웨이퍼의 개편화를 행하는 방법을 말한다.DBG refers to a method of forming a groove of a predetermined depth on the front side of a wafer, then grinding the wafer from the back side, and breaking the wafer into pieces by grinding. The groove formed on the surface side of the wafer is formed by a method such as blade dicing, laser dicing, or plasma dicing. In addition, LDBG is a modified example of DBG, and refers to a method of providing a modified area inside the wafer with a laser and separating the wafer into individual pieces using stress during grinding the back side of the wafer.
베르누이 척이란, 도 2에 나타낸 바와 같이, 패드(21)가 배치된 원호부(22)와, 원호부에 이어지는 암부(23)로 구성된다. 그 구체적 구성은, 특별히 한정되지 않고, 각종 시판품을 사용할 수 있다. 예를 들면, 원호부는 닫힌 형상의 원형(도넛상)이어도 된다. 패드부(21)에서는, 소위 베르누이 효과를 이용하여, 칩군을 향하여 기체를 분출하여 부압 영역을 형성함으로써 흡인한다. 이 때문에, 칩군을 비접촉으로 흡인할 수 있다.As shown in FIG. 2, the Bernoulli chuck is composed of an arc portion 22 on which a pad 21 is disposed and an arm portion 23 connected to the arc portion. The specific structure is not particularly limited, and various commercial products can be used. For example, the arc portion may be a closed circle (donut shape). In the pad portion 21, using the so-called Bernoulli effect, gas is ejected toward the chip group to form a negative pressure area and thus sucked. For this reason, the chip group can be sucked without contact.
다음으로, 본 발명에 따른 반도체 가공용 점착 테이프의 각부재의 구성을 더 상세하게 설명한다. 또, 본 발명에 따른 반도체 가공용 점착 테이프를, 단순히 「점착 테이프」라고 기재하는 경우가 있다.Next, the configuration of each member of the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention will be described in more detail. In addition, the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention may simply be described as “adhesive tape.”
본 실시형태에 있어서, 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착 테이프(10)란, 기재(11)와, 점착제층(12)을 포함하는 적층체를 의미한다. 점착 테이프(10)는, 기재(11)의 점착제층(12)과는 반대 측의 면에 완충층(13)을 갖는다. 또, 이들 이외의 다른 구성층을 포함하는 것을 방해하지 않는다. 예를 들면, 점착제층 측의 기재 표면에는 프라이머층이 형성되어 있어도 좋고, 점착제층의 표면에는, 사용 시까지 점착제층을 보호하기 위한 박리 시트가 적층되어 있어도 좋다. 또한, 기재는 단층이어도 좋고, 다층이어도 좋다. 점착제층 및 완충층도 마찬가지이다.In this embodiment, as shown in FIG. 1, the adhesive tape 10 means a laminated body including a base material 11 and an adhesive layer 12. The adhesive tape 10 has a buffer layer 13 on the side of the substrate 11 opposite to the adhesive layer 12. Moreover, it does not prevent the inclusion of other constituent layers other than these. For example, a primer layer may be formed on the surface of the substrate on the adhesive layer side, and a release sheet for protecting the adhesive layer until use may be laminated on the surface of the adhesive layer. Additionally, the base material may be a single layer or may be a multilayer. The same applies to the adhesive layer and buffer layer.
기재(11)와 완충층(13)과의 적층체의 강연도는 68㎜ 이상이며, 바람직하게는 69㎜ 이상이다. 강연도의 상한은 특별히 한정은 되지 않지만, 강연도가 지나치게 높으면 점착 테이프(10)의 박리가 곤란해지는 경우가 있으며, 바람직하게는 150㎜ 이하, 더 바람직하게는 100㎜ 이하, 보다 바람직하게는 90㎜ 이하이다. 반도체 가공용 점착 테이프(10)에 포함되는 기재(11)와 완충층(13)과의 적층체의 강연도가 상기 범위에 있음으로써, 칩군이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프(10)를 베르누이 척(20)으로 지지한 경우에도, 점착 테이프(10)가 변형되기 어려워, 늘어짐을 방지할 수 있다. 이 결과, 칩끼리의 접촉도 저감되어, 치핑을 억제할 수 있다.The stiffness of the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 is 68 mm or more, and is preferably 69 mm or more. The upper limit of the bending strength is not particularly limited, but if the bending strength is too high, peeling of the adhesive tape 10 may become difficult, and is preferably 150 mm or less, more preferably 100 mm or less, and more preferably 90 mm or less. It is less than ㎜. Since the stiffness of the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 included in the adhesive tape 10 for semiconductor processing is in the above range, the adhesive tape 10 for semiconductor processing in which the chip group is held is held by the Bernoulli chuck 20. Even when supported, the adhesive tape 10 is difficult to deform and sagging can be prevented. As a result, contact between chips is reduced and chipping can be suppressed.
강연도는 캔틸레버법에 의해 측정한다. 기재(11)와 완충층(13)과의 적층체를 폭 20㎜ × 길이 150㎜로 커트하고, 캔틸레버식 강연도 측정기(TOYOSEIKI사 제조)를 이용하여 23℃, 50％RH로 강연도를 측정한다(JIS L1086에 준거). 정전기의 영향에 따라 강연도의 측정치가 변화하기 때문에, 측정 전에 제전(除電)을 행한다. 또한 적층체가 롤상인 경우, MD(machine direction) 방향은 편차가 크기 때문에, CD(cross direction) 방향의 값을 평가한다. 또, 완충층(13)／기재(11)／점착제층(12)과의 적층체인 점착 테이프(10)로부터, 기재(11)와 완충층(13)과의 적층체를 얻는 경우에는, 점착제층(12)을 용제 등에 의해 제거한 후에 강연도를 측정한다.The stiffness is measured by the cantilever method. The laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 is cut to 20 mm in width (Based on JIS L1086). Since the measured value of stiffness changes depending on the influence of static electricity, static electricity is eliminated before measurement. Additionally, when the laminate is in roll form, the MD (machine direction) direction has a large deviation, so the value in the CD (cross direction) direction is evaluated. In addition, when obtaining a laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 from the adhesive tape 10, which is a laminate of the buffer layer 13/substrate 11/adhesive layer 12, the adhesive layer 12 ) is removed with a solvent, etc., and then the stiffness is measured.
본 실시형태의 점착 테이프는, 기재(11)와 완충층(13)과의 적층체의 강연도가 상기 범위에 있는 한, 각부재의 재질, 물성은 특별히 한정은 되지 않지만, 이하에 본 실시형태에 따른 반도체 가공용 점착 테이프의 각부재의 바람직한 구성을 더 상세하게 설명한다.In the adhesive tape of the present embodiment, the material and physical properties of each member are not particularly limited as long as the stiffness of the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 is within the above range, but the present embodiment is described below. The preferred configuration of each member of the adhesive tape for semiconductor processing will be described in more detail.
[기재(11)][Description (11)]
기재(11)는, 종래부터 반도체 가공용 점착 테이프의 기재로서 이용되고 있는 각종 수지 필름이 특별히 제한되지 않고 이용될 수 있다. 웨이퍼나 칩을 보다 확실히 유지하는 관점에서, 기재(11)의 23℃에서의 영률이 1000㎫ 이상인 것이 바람직하다. 영률이 1000㎫ 미만인 기재를 사용하면, 점착 테이프에 의한 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 유지 성능이 저하되어, 이면 연삭 시의 진동 등을 억제할 수 없어, 반도체 칩의 결함이나 파손이 발생하기 쉬워진다. 또한, 칩군이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프를 베르누이 척에 의해 들어 올리면, 베르누이 척의 흡인력이 작용하지 않는 점착 테이프 내주부가 늘어져 만곡된다. 이 결과, 점착 테이프 내주부의 칩끼리 접촉하여 치핑이 발생하는 경우가 있다. 한편, 기재의 23℃에서의 영률을 1000㎫ 이상으로 함으로써, 점착 테이프에 의한 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 유지 성능이 높아져, 이면 연삭 시의 진동 등을 억제하여, 반도체 칩의 결함이나 파손을 방지할 수 있다. 또한, 점착 테이프의 만곡이 억제되기 때문에 칩끼리 접촉하기 어려워져, 치핑을 저감할 수 있다. 또한, 점착 테이프를 반도체 칩으로부터 박리할 때의 응력을 작게 하는 것이 가능해져, 테이프 박리 시에 생기는 칩 결함이나 파손을 방지할 수 있다. 또한, 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 첩부할 때의 작업성도 양호하게 하는 것이 가능하다. 이러한 관점에서, 기재의 23℃에서의 영률은, 보다 바람직하게는 1800 ∼ 30000㎫, 더 바람직하게는 2500 ∼ 6000㎫이다.As the substrate 11, various resin films that have been conventionally used as substrates for adhesive tapes for semiconductor processing can be used without particular restrictions. From the viewpoint of more reliably holding the wafer or chip, it is preferable that the Young's modulus of the substrate 11 at 23°C is 1000 MPa or more. If a base material with a Young's modulus of less than 1000 MPa is used, the holding performance of the adhesive tape for the semiconductor wafer or semiconductor chip is reduced, vibration during back grinding cannot be suppressed, and defects or damage to the semiconductor chip are likely to occur. . Additionally, when the adhesive tape for semiconductor processing holding a group of chips is lifted by a Bernoulli chuck, the inner peripheral portion of the adhesive tape on which the suction force of the Bernoulli chuck does not act is stretched and curved. As a result, chips in the inner peripheral portion of the adhesive tape may come into contact with each other, resulting in chipping. On the other hand, by setting the Young's modulus of the base material to 1000 MPa or more at 23°C, the holding performance of the semiconductor wafer or semiconductor chip by the adhesive tape increases, vibrations during back-side grinding are suppressed, and defects and damage to the semiconductor chip are prevented. can do. Additionally, since the curvature of the adhesive tape is suppressed, it becomes difficult for the chips to come into contact with each other, thereby reducing chipping. In addition, it becomes possible to reduce the stress when peeling the adhesive tape from the semiconductor chip, and prevent chip defects and breakage that occur when the tape is peeled. Additionally, it is possible to improve workability when attaching the adhesive tape to a semiconductor wafer. From this viewpoint, the Young's modulus of the substrate at 23°C is more preferably 1800 to 30000 MPa, and still more preferably 2500 to 6000 MPa.
기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 80㎛ 이하인 것이 바람직하고, 15 ∼ 70㎛인 것이 보다 바람직하고, 20 ∼ 60㎛인 것이 더 바람직하다. 기재의 두께를 80㎛ 이하로 함으로써, 점착 테이프의 박리력을 제어하기 쉬워진다. 또한, 15㎛ 이상으로 함으로써, 기재가 점착 테이프의 지지체로서의 기능을 하기 쉬워진다.The thickness of the base material is not particularly limited, but is preferably 80 μm or less, more preferably 15 to 70 μm, and still more preferably 20 to 60 μm. By setting the thickness of the base material to 80 μm or less, it becomes easier to control the peeling force of the adhesive tape. Additionally, by setting it to 15 μm or more, it becomes easier for the base material to function as a support for the adhesive tape.
기재의 재질로서는, 상기 물성을 충족시키는 것이면 특별히 한정되지 않고, 각종 수지 필름을 이용할 수 있다. 여기에서, 23℃에서의 영률이 1000㎫ 이상인 기재로서, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리설폰, 폴리에테르케톤, 이축 연신 폴리프로필렌 등의 수지 필름을 들 수 있다.The material of the base material is not particularly limited as long as it satisfies the above physical properties, and various resin films can be used. Here, as a substrate having a Young's modulus of 1000 MPa or more at 23°C, for example, polyester such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, wholly aromatic polyester, polyimide, polyamide, polycarbonate, Resin films such as polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether ketone, and biaxially stretched polypropylene can be mentioned.
이들 수지 필름 중에서도, 폴리에스테르 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름, 이축 연신 폴리프로필렌 필름에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 필름이 바람직하고, 폴리에스테르 필름을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 것이 더 바람직하다.Among these resin films, films containing at least one selected from polyester films, polyamide films, polyimide films, and biaxially stretched polypropylene films are preferred, and those containing polyester films are more preferred, and polyethylene terephthalate. It is more preferable to include a film.
또한, 기재에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 가소제, 활제(滑劑), 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 촉매 등을 함유시켜도 된다. 또한, 기재는, 투명한 것이어도, 불투명한 것이어도 좋고, 원하는 바에 따라 착색 또는 증착되어 있어도 좋다.Additionally, the base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet ray absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, etc., as long as the effect of the present invention is not impaired. Additionally, the substrate may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
또한, 기재의 적어도 한쪽 표면에는, 완충층 및 점착제층의 적어도 한쪽과의 밀착성을 향상시키기 위해, 코로나 처리 등의 접착 처리를 실시해도 된다. 또한, 기재는, 상기한 수지 필름과, 수지 필름의 적어도 한쪽 표면에 피막된 프라이머층을 갖고 있는 것이어도 된다.Additionally, at least one surface of the substrate may be subjected to an adhesion treatment such as corona treatment in order to improve adhesion with at least one of the buffer layer and the adhesive layer. Additionally, the base material may have the above-described resin film and a primer layer coated on at least one surface of the resin film.
프라이머층을 형성하는 프라이머층 형성용 조성물로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함하는 조성물을 들 수 있다. 프라이머층 형성용 조성물에는, 필요에 따라, 가교제, 광중합개시제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유해도 된다.The primer layer forming composition for forming the primer layer is not particularly limited, but examples include compositions containing polyester resin, urethane resin, polyester urethane resin, acrylic resin, etc. The composition for forming a primer layer may contain a crosslinking agent, photopolymerization initiator, antioxidant, softener (plasticizer), filler, rust preventive, pigment, dye, etc. as needed.
프라이머층의 두께로서는, 바람직하게는 0.01 ∼ 10㎛, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5㎛이다. 또, 본원 실시예에서의 프라이머층의 두께는, 기재의 두께에 대하여 작기 때문에, 프라이머층을 갖는 수지 필름의 두께와 기재의 두께는 실질적으로 동일하다. 또한, 프라이머층의 재질은 부드럽기 때문에, 영률에 주는 영향은 작고, 기재의 영률은, 프라이머층을 가진 경우에도, 수지 필름의 영률과 실질적으로 동일하다.The thickness of the primer layer is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.03 to 5 μm. In addition, since the thickness of the primer layer in the examples of the present application is small relative to the thickness of the base material, the thickness of the resin film having a primer layer and the thickness of the base material are substantially the same. Additionally, since the material of the primer layer is soft, the effect on Young's modulus is small, and the Young's modulus of the base material is substantially the same as the Young's modulus of the resin film even when it has a primer layer.
예를 들면, 기재의 영률은, 수지 조성의 선택, 가소제의 첨가, 수지 필름 제조 시의 연신 조건 등에 따라 제어할 수 있다. 구체적으로는, 기재로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 이용하는 경우, 공중합 성분 중의 에틸렌 성분의 함유 비율이 많아지면, 기재의 영률은 저하되는 경향이 있다. 또한, 기재를 구성하는 수지 조성물에 대하여 가소제의 배합량이 많아지면 기재의 영률은 저하되는 경향이 있다.For example, the Young's modulus of the substrate can be controlled by selection of the resin composition, addition of a plasticizer, stretching conditions during production of the resin film, etc. Specifically, when using a polyethylene terephthalate film as a base material, as the content ratio of the ethylene component in the copolymerization component increases, the Young's modulus of the base material tends to decrease. Additionally, as the amount of plasticizer added to the resin composition constituting the base material increases, the Young's modulus of the base material tends to decrease.
[점착제층(12)][Adhesive layer (12)]
점착제층(12)은, 상온에서 적당한 감압 접착성을 갖는 한 특별히 한정은 되지 않지만, 23℃에서의 전단 저장 탄성률이 0.05 ∼ 0.50㎫인 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼의 표면에는, 회로 등이 형성되며 통상 요철이 있다. 점착제층의 전단 저장 탄성률이 상기 범위 내가 됨으로써, 요철이 있는 웨이퍼 표면에 점착 테이프를 첩부할 때, 웨이퍼 표면의 요철과 점착제층을 충분히 접촉시키며, 또한 점착제층의 접착성을 적절히 발휘시키는 것이 가능해진다. 그 때문에, 점착 테이프의 반도체 웨이퍼에의 고정을 확실히 행하며, 또한 이면 연삭 시에 웨이퍼 표면을 적절히 보호하는 것이 가능해진다. 이러한 관점에서, 점착제층의 전단 저장 탄성률은, 0.12 ∼ 0.35㎫인 것이 보다 바람직하다. 또, 점착제층의 전단 저장 탄성률이란, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선 조사에 의한 경화 전의 전단 저장 탄성률을 의미한다.The adhesive layer 12 is not particularly limited as long as it has appropriate pressure-sensitive adhesiveness at room temperature, but it is preferable that the shear storage modulus at 23°C is 0.05 to 0.50 MPa. Circuits and the like are formed on the surface of a semiconductor wafer and usually have irregularities. When the shear storage modulus of the adhesive layer is within the above range, when attaching an adhesive tape to an uneven wafer surface, it becomes possible to sufficiently bring the unevenness of the wafer surface and the adhesive layer into contact, and to appropriately demonstrate the adhesiveness of the adhesive layer. . Therefore, it becomes possible to reliably secure the adhesive tape to the semiconductor wafer and to appropriately protect the wafer surface during backside grinding. From this viewpoint, it is more preferable that the shear storage modulus of the adhesive layer is 0.12 to 0.35 MPa. In addition, the shear storage modulus of the adhesive layer means the shear storage modulus before curing by energy ray irradiation when the adhesive layer is formed of an energy ray curable adhesive.
전단 저장 탄성률은 이하의 방법에 따라 측정할 수 있다. 두께가 약 0.5 ∼ 1㎜인 점착제층을 직경 7.9㎜의 원형으로 펀칭한 것을 측정 시료로 한다. Rheometric사 제조의 동적 점탄성 측정 장치 ARES를 이용하여, 주파수 1㎐, -30℃ 내지 150℃의 온도 범위를 승온 속도 3℃／분으로 온도 변화시켰을 때의 측정 시료의 탄성률을 측정한다. 측정 온도 23℃에서의 탄성률을, 23℃에서의 전단 저장 탄성률로 한다.The shear storage modulus can be measured according to the following method. A measurement sample is made by punching an adhesive layer with a thickness of about 0.5 to 1 mm into a circle with a diameter of 7.9 mm. Using the dynamic viscoelasticity measuring device ARES manufactured by Rheometric, the elastic modulus of the measurement sample is measured when the temperature is changed in the temperature range of -30°C to 150°C at a frequency of 1 Hz and a temperature increase rate of 3°C/min. The elastic modulus at a measurement temperature of 23°C is referred to as the shear storage elastic modulus at 23°C.
점착제층의 두께는, 100㎛ 미만인 것이 바람직하고, 5 ∼ 80㎛가 보다 바람직하고, 10 ∼ 70㎛가 더 바람직하다. 점착제층을 이와 같이 얇게 하면, 점착 테이프의 절단 시에 있어서의 테이프 부스러기의 발생이 억제되어, 이면 연삭 시에 생기는 반도체 칩의 크랙을 한층 방지하기 쉬워진다.The thickness of the adhesive layer is preferably less than 100 μm, more preferably 5 to 80 μm, and still more preferably 10 to 70 μm. If the adhesive layer is made thin in this way, the generation of tape debris when cutting the adhesive tape is suppressed, and it becomes easier to prevent cracks in the semiconductor chip that occur during back surface grinding.
점착제층은, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제 등으로 형성되지만, 아크릴계 점착제가 바람직하다.The adhesive layer is formed of, for example, an acrylic adhesive, a urethane adhesive, a rubber adhesive, a silicone adhesive, etc., but an acrylic adhesive is preferred.
또한, 점착제층은, 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 것이 바람직하다. 점착제층은, 에너지선 경화성 점착제로 형성됨으로써, 에너지선 조사에 의한 경화 전에는, 23℃에서의 전단 저장 탄성률을 상기 범위로 설정하면서, 경화 후에는 박리력을 1000mN／50㎜ 이하로 용이하게 설정하는 것이 가능해진다.Additionally, the adhesive layer is preferably formed of an energy ray-curable adhesive. The adhesive layer is formed of an energy ray-curable adhesive, so that the shear storage modulus at 23°C is set to the above range before curing by energy ray irradiation, and the peeling force is easily set to 1000 mN/50 mm or less after curing. It becomes possible.
이하, 점착제의 구체예에 대해서 상세하게 기술하지만, 이들은 비한정적 예시이며, 본 발명에서의 점착제층은 이들에 한정적으로 해석되어서는 안된다.Hereinafter, specific examples of the adhesive will be described in detail, but these are non-limiting examples, and the adhesive layer in the present invention should not be construed as limited to these.
[점착제 조성물][Adhesive composition]
점착제층을 형성하는 에너지선 경화성 점착제로서는, 예를 들면, 비에너지선 경화성의 점착성 수지(「점착성 수지 Ⅰ」라고도 함)에 더해, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 포함하는 에너지선 경화성 점착제 조성물(이하, 「X형의 점착제 조성물」이라고도 함)이 사용 가능하다. 또한, 에너지선 경화성 점착제로서, 비에너지선 경화성의 점착성 수지의 측쇄에 불포화기를 도입한 에너지선 경화성의 점착성 수지(이하, 「점착성 수지 Ⅱ」라고도 함)를 주성분으로서 포함하고, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 포함하지 않는 점착제 조성물(이하, 「Y형의 점착제 조성물」이라고도 함)도 사용해도 된다.Examples of the energy ray curable adhesive forming the adhesive layer include, for example, an energy ray curable adhesive composition containing an energy ray curable compound other than the adhesive resin in addition to a non-energy ray curable adhesive resin (also referred to as “adhesive resin I”). (hereinafter also referred to as “type X adhesive composition”) can be used. In addition, as an energy ray curable adhesive, it contains as a main component an energy ray curable adhesive resin (hereinafter also referred to as “adhesive resin II”) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy ray curable adhesive resin, and energy rays other than the adhesive resin. An adhesive composition (hereinafter also referred to as “Y-type adhesive composition”) that does not contain a pre-curable compound may also be used.
또한, 에너지선 경화성 점착제로서는, X형과 Y형의 병용형, 즉, 에너지선 경화성의 점착성 수지 Ⅱ에 더해, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물도 포함하는 에너지선 경화성 점착제 조성물(이하, 「XY형의 점착제 조성물」이라고도 함)을 사용해도 된다.In addition, as an energy ray curable adhesive, a combination type of X type and Y type, that is, an energy ray curable adhesive composition (hereinafter referred to as “ (also referred to as “type adhesive composition”) may be used.
이들 중에서는, XY형의 점착제 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. XY형의 것을 사용함으로써, 경화 전에는 충분한 점착 특성을 갖는 한편, 경화 후에는, 반도체 웨이퍼에 대한 박리 강도를 충분히 낮게 하는 것이 가능하다.Among these, it is preferable to use an XY type adhesive composition. By using an
단, 점착제로서는, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 비에너지선 경화성의 점착제 조성물로 형성해도 된다. 비에너지선 경화성의 점착제 조성물은, 적어도 비에너지선 경화성의 점착성 수지 Ⅰ를 함유하는 한편, 상기한 에너지선 경화성의 점착성 수지 Ⅱ 및 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 것이다.However, the adhesive may be formed from a non-energy ray curable adhesive composition that does not harden even when irradiated with energy rays. The non-energy ray curable adhesive composition contains at least the non-energy ray curable adhesive resin I, but does not contain the above-described energy ray curable adhesive resin II and the energy ray curable compound.
또, 이하의 설명에서 「점착성 수지」는, 상기한 점착성 수지 Ⅰ 및 점착성 수지 Ⅱ의 한쪽 또는 양쪽을 가리키는 용어로서 사용한다. 구체적인 점착성 수지로서는, 예를 들면, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지 등을 들 수 있지만, 아크릴계 수지가 바람직하다.In addition, in the following description, “adhesive resin” is used as a term referring to one or both of the above-described adhesive resin I and adhesive resin II. Specific examples of the adhesive resin include acrylic resin, urethane resin, rubber resin, and silicone resin, but acrylic resin is preferred.
이하, 점착성 수지로서, 아크릴계 수지가 사용되는 아크릴계 점착제에 대해서 보다 상세하게 기술하여 설명한다.Hereinafter, an acrylic adhesive in which an acrylic resin is used as the adhesive resin will be described and explained in more detail.
아크릴계 수지에는, 아크릴계 중합체가 사용된다. 아크릴계 중합체는, 적어도 알킬(메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머를 중합하여 얻은 것이며, 알킬(메타)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함한다. 알킬(메타)아크릴레이트로서는, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 20인 것을 들 수 있고, 알킬기는 직쇄여도 좋고, 분기(分岐)여도 좋다. 알킬(메타)아크릴레이트의 구체예로서는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 알킬(메타)아크릴레이트는, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용해도 좋다.For acrylic resin, an acrylic polymer is used. The acrylic polymer is obtained by polymerizing a monomer containing at least alkyl (meth)acrylate, and contains structural units derived from alkyl (meth)acrylate. Examples of the alkyl (meth)acrylate include those in which the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms, and the alkyl group may be linear or branched. Specific examples of alkyl (meth)acrylate include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl Sil (meth)acrylate, etc. can be mentioned. Alkyl (meth)acrylates may be used individually or in combination of two or more types.
또한, 아크릴계 중합체는, 점착제층의 점착력을 향상시키는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메타)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 알킬(메타)아크릴레이트의 탄소수로서는, 바람직하게는 4 ∼ 12, 더 바람직하게는 4 ∼ 6이다. 또한, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메타)아크릴레이트는, 알킬아크릴레이트인 것이 바람직하다.Additionally, from the viewpoint of improving the adhesive strength of the adhesive layer, the acrylic polymer preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms. The carbon number of the alkyl (meth)acrylate is preferably 4 to 12, more preferably 4 to 6. Moreover, the alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms is preferably an alkyl acrylate.
아크릴계 중합체에 있어서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메타)아크릴레이트의 함유량, 아크릴계 중합체를 구성하는 모노머 전량(이하 단순히 "모노머 전량"이라고도 함) 100질량부에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 98질량부, 보다 바람직하게는 45 ∼ 95질량부, 더 바람직하게는 50 ∼ 90질량부이다.In the acrylic polymer, the content of alkyl (meth)acrylate in which the alkyl group has 4 or more carbon atoms is preferably 40 to 98 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (hereinafter simply referred to as "total amount of monomers"). parts, more preferably 45 to 95 parts by mass, and still more preferably 50 to 90 parts by mass.
아크릴계 중합체는, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메타)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 더하여, 점착제층의 탄성률이나 점착 특성을 조정하기 위해, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3인 알킬(메타)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하다. 또, 상기 알킬(메타)아크릴레이트는, 탄소수 1 또는 2의 알킬(메타)아크릴레이트인 것이 바람직하고, 메틸(메타)아크릴레이트가 보다 바람직하고, 메틸메타크릴레이트가 가장 바람직하다. 아크릴계 중합체에 있어서, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3인 알킬(메타)아크릴레이트의 함유량은, 모노머 전량 100질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30질량부, 보다 바람직하게는 3 ∼ 26질량부, 더 바람직하게는 6 ∼ 22질량부이다.In addition to the structural units derived from alkyl (meth)acrylates having an alkyl group having 4 or more carbon atoms, the acrylic polymer is derived from alkyl (meth)acrylates having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in order to adjust the elastic modulus and adhesive properties of the adhesive layer. It is preferable that it is a copolymer containing structural units. Moreover, the alkyl (meth)acrylate is preferably an alkyl (meth)acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth)acrylate, and most preferably methyl methacrylate. In the acrylic polymer, the content of alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 1 to 3 carbon atoms is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 3 to 26 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of monomer. More preferably, it is 6 to 22 parts by mass.
아크릴계 중합체는, 상기한 알킬(메타)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 더하여, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. 관능기 함유 모노머의 관능기로서는, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다. 관능기 함유 모노머는, 후술하는 가교제와 반응하여, 가교 기점이 되거나, 불포화기 함유 화합물과 반응하여, 아크릴계 중합체의 측쇄에 불포화기를 도입시키거나 하는 것이 가능하다.The acrylic polymer preferably has structural units derived from functional group-containing monomers in addition to the structural units derived from the alkyl (meth)acrylate described above. Functional groups of the functional group-containing monomer include hydroxyl group, carboxyl group, amino group, and epoxy group. The functional group-containing monomer can react with a crosslinking agent described later to become a crosslinking origin, or react with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer.
관능기 함유 모노머로서는, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등은, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용해도 좋다. 이들 중에서도, 수산기 함유 모노머 및 카르복시기 함유 모노머를 이용하는 것이 바람직하고, 수산기 함유 모노머를 이용하는 것이 보다 바람직하다.Examples of functional group-containing monomers include hydroxyl group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, amino group-containing monomers, and epoxy group-containing monomers. In this embodiment, the hydroxyl group-containing monomer, carboxyl group-containing monomer, amino group-containing monomer, epoxy group-containing monomer, etc. may be used individually or in combination of two or more types. Among these, it is preferable to use a hydroxyl group-containing monomer and a carboxyl group-containing monomer, and it is more preferable to use a hydroxyl group-containing monomer.
수산기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메타)아크릴레이트; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올 등을 들 수 있다.Examples of hydroxyl group-containing monomers include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2- Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; Unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol can be mentioned.
카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복시산; 푸말산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복시산 및 그 무수물, 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the carboxyl group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid, and their anhydrides, and 2-carboxyethyl methacrylate.
관능기 함유 모노머의 함유량은, 아크릴계 중합체를 구성하는 모노머 전량 100질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 35질량부, 보다 바람직하게는 3 ∼ 32질량부, 더 바람직하게는 6 ∼ 30질량부이다. 또한, 아크릴계 중합체는, 상기 이외에도, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등의 상기의 아크릴계 모노머와 공중합 가능한 모노머 유래의 구성 단위를 포함해도 된다.The content of the functional group-containing monomer is preferably 1 to 35 parts by mass, more preferably 3 to 32 parts by mass, and even more preferably 6 to 30 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of monomers constituting the acrylic polymer. In addition to the above, the acrylic polymer may also contain structural units derived from monomers copolymerizable with the acrylic monomers above, such as styrene, α-methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide.
상기 아크릴계 중합체는, 비에너지선 경화성의 점착성 수지 Ⅰ(아크릴계 수지)로서 사용할 수 있다. 또한, 에너지선 경화성의 아크릴계 수지로서는, 상기 아크릴계 중합체 Ⅰ의 관능기에, 광중합성 불포화기를 갖는 화합물(불포화기 함유 화합물이라고도 함)을 반응시킨 것을 들 수 있다.The acrylic polymer can be used as non-energy ray curable adhesive resin I (acrylic resin). In addition, examples of the energy ray-curable acrylic resin include those obtained by reacting a functional group of the acrylic polymer I with a compound having a photopolymerizable unsaturated group (also referred to as an unsaturated group-containing compound).
불포화기 함유 화합물은, 아크릴계 중합체의 관능기와 결합 가능한 치환기, 및 광중합성 불포화기의 쌍방을 갖는 화합물이다. 광중합성 불포화기로서는, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 비닐벤질기 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기가 바람직하다. 또한, 불포화기 함유 화합물이 갖는, 관능기와 결합 가능한 치환기로서는, 이소시아네이트기나 글리시딜기 등을 들 수 있다. 따라서, 불포화기 함유 화합물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.An unsaturated group-containing compound is a compound that has both a substituent that can be bonded to a functional group of an acrylic polymer and a photopolymerizable unsaturated group. Examples of the photopolymerizable unsaturated group include (meth)acryloyl group, vinyl group, allyl group, vinylbenzyl group, etc., and (meth)acryloyl group is preferable. In addition, examples of the substituent that the unsaturated group-containing compound has that can be bonded to the functional group include an isocyanate group and a glycidyl group. Therefore, examples of unsaturated group-containing compounds include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth)acrylate.
또한, 불포화기 함유 화합물은, 아크릴계 중합체의 관능기의 일부에 반응하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 아크릴계 중합체가 갖는 관능기의 50 ∼ 98몰％에, 불포화기 함유 화합물을 반응시키는 것이 바람직하고, 55 ∼ 93몰％ 반응시키는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이, 에너지선 경화성 아크릴계 수지에 있어서, 관능기의 일부가 불포화기 함유 화합물과 반응하지 않고 잔존함으로써, 가교제에 의해 가교되기 쉬워진다. 또, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 30만 ∼ 160만, 보다 바람직하게는 40만 ∼ 140만, 더 바람직하게는 50만 ∼ 120만이다.In addition, the unsaturated group-containing compound preferably reacts with a portion of the functional groups of the acrylic polymer, and specifically, it is preferable to react the unsaturated group-containing compound with 50 to 98 mol% of the functional groups of the acrylic polymer, 55 It is more preferable to react at ~93 mol%. In this way, in the energy ray-curable acrylic resin, a part of the functional group remains without reacting with the unsaturated group-containing compound, making it susceptible to crosslinking by a crosslinking agent. Moreover, the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 300,000 to 1.6 million, more preferably 400,000 to 1.4 million, and still more preferably 500,000 to 1.2 million.
(에너지선 경화성 화합물)(Energy ray curable compound)
X형 또는 XY형의 점착제 조성물에 함유되는 에너지선 경화성 화합물로서는, 분자 내에 불포화기를 갖고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화 가능한 모노머 또는 올리고머가 바람직하다. 이러한 에너지선 경화성 화합물로서는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메타)아크릴레이트 등의 다가 (메타)아크릴레이트 모노머, 우레탄(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 폴리에테르(메타)아크릴레이트, 에폭시(메타)아크릴레이트 등의 올리고머를 들 수 있다.As the energy ray-curable compound contained in the type Examples of such energy ray-curable compounds include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate. , polyvalent (meth)acrylate monomers such as 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, and polyester (meth)acrylate. , oligomers such as polyether (meth)acrylate and epoxy (meth)acrylate.
이들 중에서도, 비교적 분자량이 높고, 점착제층의 전단 저장 탄성률을 저하시키기 어려운 관점에서, 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다. 에너지선 경화성 화합물의 분자량(올리고머의 경우는 중량 평균 분자량)은, 바람직하게는 100 ∼ 12000, 보다 바람직하게는 200 ∼ 10000, 더 바람직하게는 400 ∼ 8000, 특히 바람직하게는 600 ∼ 6000이다.Among these, urethane (meth)acrylate oligomer is preferable because it has a relatively high molecular weight and is difficult to reduce the shear storage modulus of the adhesive layer. The molecular weight (weight average molecular weight in the case of an oligomer) of the energy ray-curable compound is preferably 100 to 12,000, more preferably 200 to 10,000, further preferably 400 to 8,000, and particularly preferably 600 to 6,000.
X형의 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 점착성 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 200질량부, 보다 바람직하게는 50 ∼ 150질량부, 더 바람직하게는 60 ∼ 90질량부이다. 한편, XY형의 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 점착성 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30질량부, 보다 바람직하게는 2 ∼ 20질량부, 더 바람직하게는 3 ∼ 15질량부이다. XY형의 점착제 조성물에서는, 점착성 수지가, 에너지선 경화성이기 때문에, 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 적어도, 에너지선 조사 후, 충분히 박리 강도를 저하시키는 것이 가능하다.The content of the energy ray-curable compound in the type It is the mass part. On the other hand, the content of the energy ray-curable compound in the ~15 parts by mass. In the XY type adhesive composition, since the adhesive resin is energy ray curable, it is possible to sufficiently reduce the peel strength after energy ray irradiation even if the content of the energy ray curable compound is small.
(가교제)(Cross-linking agent)
점착제 조성물은, 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다. 가교제는, 예를 들면 점착성 수지가 갖는 관능기 함유 모노머 유래의 관능기에 반응하여, 점착성 수지끼리를 가교하는 것이다. 가교제로서는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등, 및 그들 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제; 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제; 헥사〔1-(2-메틸)-아지리디닐〕트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제; 알루미늄 킬레이트 등의 킬레이트계 가교제; 등을 들 수 있다. 이들 가교제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.It is preferable that the adhesive composition further contains a crosslinking agent. The crosslinking agent, for example, crosslinks the adhesive resins by reacting with a functional group derived from a functional group-containing monomer of the adhesive resin. Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and their adducts; Epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; Aziridine-based crosslinking agents such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine; Chelate-based crosslinking agents such as aluminum chelate; etc. can be mentioned. These crosslinking agents may be used individually or in combination of two or more types.
이들 중에서도, 응집력을 높여 점착력을 향상시키는 관점, 및 입수 용이성 등의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다. 가교제의 배합량은, 가교 반응을 촉진시키는 관점에서, 점착성 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7질량부, 더 바람직하게는 0.05 ∼ 4질량부이다.Among these, an isocyanate-based crosslinking agent is preferable from the viewpoint of increasing cohesion and improving adhesive strength and ease of availability. From the viewpoint of promoting the crosslinking reaction, the compounding amount of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and still more preferably 0.05 to 4 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin. .
(광중합개시제)(Light polymerization initiator)
또한, 점착제 조성물이 에너지선 경화성인 경우에는, 점착제 조성물은, 광중합개시제를 더 함유하는 것이 바람직하다. 광중합개시제를 함유함으로써, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선으로도, 점착제 조성물의 경화 반응을 충분히 진행시킬 수 있다.In addition, when the adhesive composition is energy-ray curable, it is preferable that the adhesive composition further contains a photopolymerization initiator. By containing a photopolymerization initiator, the curing reaction of the adhesive composition can be sufficiently advanced even with relatively low-energy energy rays such as ultraviolet rays.
광중합개시제로서는, 예를 들면, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오잔톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 더욱이는, 아민이나 퀴논 등의 광증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등을 들 수 있다.Examples of photopolymerization initiators include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. , more specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoinmethyl ether, benzoinethyl ether. , benzoin isopropyl ether, benzylphenylsulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphos Pin oxide, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, etc. can be mentioned.
이들 광중합개시제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 광중합개시제의 배합량은, 점착성 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5질량부, 더 바람직하게는 0.05 ∼ 5질량부이다.These photopolymerization initiators may be used individually or in combination of two or more types. The amount of the photopolymerization initiator to be added is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, and still more preferably 0.05 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin.
(기타 첨가제)(Other additives)
점착제 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 기타 첨가제를 함유해도 된다. 기타 첨가제로서는, 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 들 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 첨가제의 배합량은, 점착성 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 6질량부이다.The adhesive composition may contain other additives as long as they do not impair the effects of the present invention. Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, etc. When blending these additives, the blending amount of the additive is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.
또한, 점착제 조성물은, 기재, 완충층이나 박리 시트에의 도포성을 향상시키는 관점에서, 또한 유기 용매로 희석하여, 점착제 조성물의 용액의 형태로 해도 된다. 유기 용매로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라히드로퓨란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 자일렌, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다. 또, 이들 유기 용매는, 점착성 수지의 합성 시에 사용된 유기 용매를 그대로 이용해도 좋고, 상기 점착제 조성물의 용액을 균일하게 도포할 수 있도록, 합성 시에 사용된 유기 용매 이외의 1종 이상의 유기 용매를 더해도 좋다.Additionally, from the viewpoint of improving applicability to a base material, buffer layer, or release sheet, the adhesive composition may be further diluted with an organic solvent to form a solution of the adhesive composition. Examples of organic solvents include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, isopropanol, etc. In addition, these organic solvents may be the organic solvents used during the synthesis of the adhesive resin, or may be used as is, or may be used as one or more organic solvents other than the organic solvent used during the synthesis so that the solution of the adhesive composition can be applied uniformly. You can also add .
[완충층(13)][Buffer layer (13)]
본 실시형태에 따른 점착 테이프(10)는, 완충층(13)을 갖는다. 기재(11)의 한쪽 면에 점착제층(12)이 마련되고, 기재(11)의 다른쪽 면에 완충층(13)이 마련된다.The adhesive tape 10 according to this embodiment has a buffer layer 13. An adhesive layer 12 is provided on one side of the substrate 11, and a buffer layer 13 is provided on the other side of the substrate 11.
완충층은, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 시의 응력을 완화하여, 반도체 웨이퍼에 균열 및 결함이 생기는 것을 방지한다. 반도체 웨이퍼에 점착 테이프를 첩부하고, 외주를 따라 점착 테이프가 절단된 후, 반도체 웨이퍼는 점착 테이프를 통해 역삭 테이블 상에 배치되어 이면 연삭 되지만, 점착 테이프가 구성층으로서 완충층을 가짐으로써, 반도체 웨이퍼가 연삭 테이블에 적절히 유지되기 쉬워진다. 또한, 연삭 테이블 상에 이물이 있어도, 완충층의 변형에 의해 이물의 요철을 흡수할 수 있어, 웨이퍼를 평활하며 또한 균일한 두께로 연삭할 수 있다.The buffer layer relieves stress during grinding the back side of the semiconductor wafer and prevents cracks and defects from occurring in the semiconductor wafer. After the adhesive tape is attached to the semiconductor wafer and the adhesive tape is cut along the outer circumference, the semiconductor wafer is placed on a back-milling table through the adhesive tape and the back side is ground. However, because the adhesive tape has a buffer layer as a constituent layer, the semiconductor wafer is It becomes easier to maintain properly on the grinding table. Additionally, even if there is foreign matter on the grinding table, the unevenness of the foreign matter can be absorbed by deformation of the buffer layer, and the wafer can be ground smoothly and to a uniform thickness.
완충층의 두께는, 1 ∼ 100㎛인 것이 바람직하고, 5 ∼ 80㎛인 것이 보다 바람직하고, 10 ∼ 60㎛인 것이 더 바람직하다. 완충층의 두께를 상기 범위로 함으로써, 완충층이 이면 연삭 시의 응력을 적절히 완화할 수 있게 된다.The thickness of the buffer layer is preferably 1 to 100 μm, more preferably 5 to 80 μm, and still more preferably 10 to 60 μm. By setting the thickness of the buffer layer within the above range, the stress during grinding of the back surface of the buffer layer can be appropriately alleviated.
완충층은, 그 조성은 한정되지 않지만, 점탄성의 제어가 용이하다는 관점에서, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물의 경화물인 것이 바람직하다.The composition of the buffer layer is not limited, but it is preferably a cured product of a composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound from the viewpoint of easy control of viscoelasticity.
이하, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층에 포함되는 각 성분에 대해서 순서대로 설명한다.Hereinafter, each component included in the layer formed from the composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound will be described in order.
<에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층><Layer formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound>
에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물은, 에너지선이 조사됨으로써 경화하는 것이 가능해진다.The composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound can be cured by being irradiated with an energy ray.
또한, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물은, 보다 구체적으로는, 우레탄(메타)아크릴레이트(a1)를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 완충층 형성용 조성물은, 상기 (a1)에 더하여, 환(環) 형성 원자수 6 ∼ 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2) 및／또는 관능기를 갖는 중합성 화합물(a3)을 함유하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 완충층 형성용 조성물은, 상기 (a1) ∼ (a3) 성분에 더하여, 다관능 중합성 화합물(a4)을 함유해도 된다. 또한, 완충층 형성용 조성물은 광중합개시제를 함유하는 것이 바람직하고, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 기타 첨가제나 수지 성분을 함유해도 된다.In addition, the composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound preferably contains urethane (meth)acrylate (a1) more specifically. In addition to the above (a1), the composition for forming a buffer layer includes a polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms and/or a polymerizable compound (a3) having a functional group. ) is more preferable. Additionally, the composition for forming a buffer layer may contain a polyfunctional polymerizable compound (a4) in addition to the components (a1) to (a3). Additionally, the composition for forming a buffer layer preferably contains a photopolymerization initiator, and may contain other additives or resin components as long as the effect of the present invention is not impaired.
이하, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물 중에 포함되는 각 성분에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component contained in the composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound will be described in detail.
(우레탄(메타)아크릴레이트(a1))(Urethane (meth)acrylate (a1))
우레탄(메타)아크릴레이트(a1)란, 적어도 (메타)아크릴로일기 및 우레탄 결합을 갖는 화합물이며, 에너지선 조사에 의해 중합 경화하는 성질을 갖는 것이다. 우레탄(메타)아크릴레이트(a1)는, 올리고머 또는 폴리머이다.Urethane (meth)acrylate (a1) is a compound having at least a (meth)acryloyl group and a urethane bond, and has the property of polymerization and hardening by energy ray irradiation. Urethane (meth)acrylate (a1) is an oligomer or polymer.
성분 (a1)의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 1,000 ∼ 100,000, 보다 바람직하게는 2,000 ∼ 60,000, 더 바람직하게는 10,000 ∼ 30,000이다. 또한, 성분 (a1) 중의 (메타)아크릴로일기 수(이하, 「관능기 수」라고도 함)로서는, 단관능, 2관능, 혹은 3관능 이상이어도 좋지만, 단관능 또는 2관능인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of component (a1) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 60,000, and still more preferably 10,000 to 30,000. Additionally, the number of (meth)acryloyl groups (hereinafter also referred to as “number of functional groups”) in component (a1) may be monofunctional, difunctional, or trifunctional or more, but is preferably monofunctional or difunctional.
성분 (a1)은, 예를 들면, 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄프리폴리머에, 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다. 또, 성분 (a1)은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.Component (a1) can be obtained, for example, by reacting a (meth)acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound and a polyhydric isocyanate compound. In addition, component (a1) may be used individually or in combination of two or more types.
성분 (a1)의 원료가 되는 폴리올 화합물은, 히드록시기를 2개 이상 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 구체적인 폴리올 화합물로서는, 예를 들면, 알킬렌디올, 폴리에테르형 폴리올, 폴리에스테르형 폴리올, 폴리카보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에스테르형 폴리올 또는 폴리카보네이트형 폴리올이 바람직하다.The polyol compound serving as the raw material for component (a1) is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups. Specific examples of polyol compounds include alkylene diol, polyether type polyol, polyester type polyol, and polycarbonate type polyol. Among these, polyester type polyol or polycarbonate type polyol is preferable.
또, 폴리올 화합물로서는, 2관능의 디올, 3관능의 트리올, 4관능 이상의 폴리올 중 어느 것이어도 좋지만, 2관능의 디올이 바람직하고, 폴리에스테르형 디올 또는 폴리카보네이트형 디올이 보다 바람직하다.Additionally, the polyol compound may be any of a bifunctional diol, a trifunctional triol, or a tetrafunctional or higher-functional polyol, but a bifunctional diol is preferable, and a polyester-type diol or polycarbonate-type diol is more preferable.
다가 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족계 폴리이소시아네이트류; 이소포론디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, ω,ω'-디이소시아네이트디메틸시클로헥산 등의 지환족계 디이소시아네이트류; 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 테트라메틸렌자일릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트 등의 방향족계 디이소시아네이트류 등을 들 수 있다.Examples of the polyvalent isocyanate compound include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate; Alicyclic products such as isophorone diisocyanate, norbornane diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, ω,ω'-diisocyanate and dimethylcyclohexane. diisocyanates; Aromatic diisocyanates such as 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, and naphthalene-1,5-diisocyanate. there is.
이들 중에서도, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.Among these, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate are preferable.
상술한 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄프리폴리머에, 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 반응시켜 우레탄(메타)아크릴레이트(a1)를 얻을 수 있다. 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트로서는, 적어도 1분자 중에 히드록시기 및 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다.Urethane (meth)acrylate (a1) can be obtained by reacting (meth)acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the polyol compound described above with a polyhydric isocyanate compound. The (meth)acrylate having a hydroxy group is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth)acryloyl group in at least one molecule.
구체적인 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시시클로헥실(메타)아크릴레이트, 5-히드록시시클로옥틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페닐옥시프로필(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메타)아크릴레이트; N-메틸올(메타)아크릴아미드 등의 히드록시기 함유 (메타)아크릴아미드; 비닐알코올, 비닐페놀, 비스페놀 A의 디글리시딜에스테르에 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 반응물; 등을 들 수 있다.Specific examples of (meth)acrylates having a hydroxy group include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4- Hydroxycyclohexyl (meth)acrylate, 5-hydroxycyclooctyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, polyethylene glycol Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as mono (meth)acrylate and polypropylene glycol mono (meth)acrylate; Hydroxyl group-containing (meth)acrylamide such as N-methylol (meth)acrylamide; Reactants obtained by reacting vinyl alcohol, vinyl phenol, and diglycidyl ester of bisphenol A with (meth)acrylic acid; etc. can be mentioned.
이들 중에서도, 히드록시알킬(메타)아크릴레이트가 바람직하고, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among these, hydroxyalkyl (meth)acrylate is preferable and 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is more preferable.
말단 이소시아네이트 우레탄프리폴리머 및 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 반응시키는 조건으로서는, 필요에 따라 첨가되는 용제, 촉매의 존재하, 60 ∼ 100℃에서, 1 ∼ 4시간 반응시키는 조건이 바람직하다.As conditions for reacting the terminal isocyanate urethane prepolymer and the (meth)acrylate having a hydroxy group, the conditions for reacting the reaction at 60 to 100°C for 1 to 4 hours in the presence of a solvent and a catalyst added as necessary are preferable.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a1)의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전량(100질량부)에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 70질량부, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60질량부이다.The content of component (a1) in the composition for forming a buffer layer is preferably 10 to 70 parts by mass, more preferably 20 to 60 parts by mass, based on the total amount (100 parts by mass) of the composition for forming a buffer layer.
(환 형성 원자수 6 ∼ 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2))(Polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms)
성분 (a2)는, 환 형성 원자수 6 ∼ 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물이며, 더욱이는, 적어도 1개의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1개의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물이다. 성분 (a2)를 이용함으로써, 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 향상시킬 수 있다.Component (a2) is a polymerizable compound having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and is more preferably a compound having at least one (meth)acryloyl group, more preferably It is a compound having one (meth)acryloyl group. By using component (a2), the film-forming properties of the resulting composition for forming a buffer layer can be improved.
또, 성분 (a2)의 정의와, 후술하는 성분 (a3)의 정의는 중복되는 부분이 있지만, 중복 부분은 성분 (a3)에 포함된다. 예를 들면, 적어도 1개의 (메타)아크릴로일기와, 환 형성 원자수 6 ∼ 20의 지환기 또는 복소환기와, 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등의 관능기를 갖는 화합물은, 성분 (a2)와 성분 (a3) 모두의 정의에 포함되지만, 본 발명에서 상기 화합물은, 성분 (a3)에 포함되는 것으로 한다.In addition, there is an overlap between the definition of component (a2) and the definition of component (a3) described later, but the overlapping portion is included in component (a3). For example, a compound having at least one (meth)acryloyl group, an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, or an amino group is component (a2). and component (a3), but in the present invention, the above compound is included in component (a3).
성분 (a2)가 갖는 지환기 또는 복소환기의 환 형성 원자수는, 바람직하게는 6 ∼ 20이지만, 보다 바람직하게는 6 ∼ 18, 더 바람직하게는 6 ∼ 16, 특히 바람직하게는 7 ∼ 12이다. 상기 복소환기의 환 구조를 형성하는 원자로서는, 예를 들면, 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.The number of ring atoms of the alicyclic group or heterocyclic group of component (a2) is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 18, further preferably 6 to 16, especially preferably 7 to 12. . Examples of the atom forming the ring structure of the heterocyclic group include a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom.
또, 환 형성 원자수란, 원자가 환상(環狀)으로 결합한 구조의 화합물의 상기 환 자체를 구성하는 원자의 수를 나타내고, 환을 구성하지 않는 원자(예를 들면, 환을 구성하는 원자에 결합한 수소 원자)나, 상기 환이 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 환 형성 원자수에는 포함하지 않는다.In addition, the number of ring-forming atoms refers to the number of atoms constituting the ring itself of a compound with a structure in which atoms are bonded in a ring, and refers to the number of atoms not constituting the ring (for example, atoms bonded to atoms constituting the ring). Hydrogen atoms) and atoms included in the substituent when the ring is substituted by a substituent are not included in the number of ring forming atoms.
구체적인 성분 (a2)로서는, 예를 들면, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 아다만탄(메타)아크릴레이트 등의 지환기 함유 (메타)아크릴레이트; 테트라히드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 모르폴린(메타)아크릴레이트, 환상 트리메틸올프로판포르말아크릴레이트 등의 복소환기 함유 (메타)아크릴레이트; 등을 들 수 있다.Specific examples of component (a2) include isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyloxy (meth)acrylate, (meth)acrylates containing alicyclic groups such as cyclohexyl (meth)acrylate and adamantane (meth)acrylate; Heterocyclic group-containing (meth)acrylates such as tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate, morpholine (meth)acrylate, and cyclic trimethylolpropane formal acrylate; etc. can be mentioned.
또, 성분 (a2)는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.In addition, component (a2) may be used individually or in combination of two or more types.
지환기 함유 (메타)아크릴레이트 중에서는 이소보르닐(메타)아크릴레이트가 바람직하다.Among alicyclic group-containing (meth)acrylates, isobornyl (meth)acrylate is preferable.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a2)의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전량(100질량부)에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 80질량부, 보다 바람직하게는 30 ∼ 70질량부이다.The content of component (a2) in the composition for forming a buffer layer is preferably 10 to 80 parts by mass, more preferably 30 to 70 parts by mass, based on the total amount (100 parts by mass) of the composition for forming a buffer layer.
(관능기를 갖는 중합성 화합물(a3))(Polymerizable compound (a3) having a functional group)
성분 (a3)은, 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등의 관능기를 함유하는 중합성 화합물이며, 더욱이는, 적어도 1개의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1개의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물이다.Component (a3) is a polymerizable compound containing functional groups such as hydroxyl group, epoxy group, amide group, and amino group, and is further preferably a compound having at least one (meth)acryloyl group, more preferably 1 It is a compound with two (meth)acryloyl groups.
성분 (a3)은, 성분 (a1)과의 상용성(相溶性)이 양호하며, 완충층 형성용 조성물의 점도를 적당한 범위로 조정하기 쉬워진다. 또한, 완충층을 비교적 얇게 해도 완충 성능이 양호해진다.Component (a3) has good compatibility with component (a1), making it easy to adjust the viscosity of the composition for forming a buffer layer to an appropriate range. Additionally, even if the buffer layer is relatively thin, the buffering performance becomes good.
성분 (a3)으로서는, 예를 들면, 수산기 함유 (메타)아크릴레이트, 에폭시기 함유 화합물, 아미드기 함유 화합물, 아미노기 함유 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the component (a3) include hydroxyl group-containing (meth)acrylate, epoxy group-containing compound, amide group-containing compound, and amino group-containing (meth)acrylate.
수산기 함유 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 페닐히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of hydroxyl-containing (meth)acrylates include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxy. Butyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, phenylhydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate Rates, etc. can be mentioned.
에폭시기 함유 화합물로서는, 예를 들면, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메타)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있고, 이들 중에서는, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 에폭시기 함유 (메타)아크릴레이트가 바람직하다.Examples of epoxy group-containing compounds include glycidyl (meth)acrylate, methylglycidyl (meth)acrylate, and allyl glycidyl ether. Among these, glycidyl (meth)acrylate Epoxy group-containing (meth)acrylates such as methylglycidyl (meth)acrylate and methylglycidyl (meth)acrylate are preferred.
아미드기 함유 화합물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N-부틸(메타)아크릴아미드, N-메틸올(메타)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메타)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메타)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of amide group-containing compounds include (meth)acrylamide, N,N-dimethyl (meth)acrylamide, N-butyl (meth)acrylamide, N-methylol (meth)acrylamide, and N-methylol. Propane (meth)acrylamide, N-methoxymethyl (meth)acrylamide, N-butoxymethyl (meth)acrylamide, etc. can be mentioned.
아미노기 함유 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 제1급 아미노기 함유 (메타)아크릴레이트, 제2급 아미노기 함유 (메타)아크릴레이트, 제3급 아미노기 함유 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the amino group-containing (meth)acrylate include primary amino group-containing (meth)acrylate, secondary amino group-containing (meth)acrylate, and tertiary amino group-containing (meth)acrylate. .
이들 중에서도, 수산기 함유 (메타)아크릴레이트가 바람직하고, 페닐히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 방향환을 갖는 수산기 함유 (메타)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among these, hydroxyl-containing (meth)acrylates are preferable, and hydroxyl-containing (meth)acrylates having an aromatic ring, such as phenylhydroxypropyl (meth)acrylate, are more preferable.
또, 성분 (a3)은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.In addition, component (a3) may be used individually or in combination of two or more types.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a3)의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전량(100질량부)에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 40질량부, 보다 바람직하게는 0 ∼ 35질량부, 더 바람직하게는 0 ∼ 30질량부이다.The content of component (a3) in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 40 parts by mass, more preferably 0 to 35 parts by mass, even more preferably, based on the total amount (100 parts by mass) of the composition for forming a buffer layer. It is 0 to 30 parts by mass.
(다관능 중합성 화합물(a4))(Multifunctional polymerizable compound (a4))
다관능 중합성 화합물이란, 광중합성 불포화기를 2개 이상 갖는 화합물을 말한다. 광중합성 불포화기는, 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 관능기이며, 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 비닐벤질기 등을 들 수 있다. 광중합성 불포화기는 2종 이상을 조합해도 된다. 다관능 중합성 화합물 중의 광중합성 불포화기와 성분 (a1) 중의 (메타)아크릴로일기가 반응하거나, 성분 (a4) 중의 광중합성 불포화기끼리 반응함으로써, 삼차원 망목(網目) 구조(가교 구조)가 형성된다. 다관능 중합성 화합물을 사용하면, 광중합성 불포화기를 1개밖에 포함하지 않는 화합물을 사용한 경우와 비교하여, 에너지선 조사에 의해 형성되는 가교 구조가 증가하기 쉽다.A polyfunctional polymerizable compound refers to a compound having two or more photopolymerizable unsaturated groups. The photopolymerizable unsaturated group is a functional group containing a carbon-carbon double bond, and examples include (meth)acryloyl group, vinyl group, allyl group, and vinylbenzyl group. Two or more types of photopolymerizable unsaturated groups may be combined. When the photopolymerizable unsaturated group in the polyfunctional polymerizable compound reacts with the (meth)acryloyl group in component (a1), or the photopolymerizable unsaturated group in component (a4) reacts with each other, a three-dimensional network structure (cross-linked structure) is formed. do. When a multifunctional polymerizable compound is used, the crosslinked structure formed by energy ray irradiation is likely to increase compared to the case where a compound containing only one photopolymerizable unsaturated group is used.
또, 성분 (a4)의 정의와, 상술한 성분 (a2)나 성분 (a3)의 정의는 중복되는 부분이 있지만, 중복 부분은 성분 (a4)에 포함된다. 예를 들면, 환 형성 원자수 6 ∼ 20의 지환기 또는 복소환기를 갖고, (메타)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 화합물은, 성분 (a4)와 성분 (a2) 모두의 정의에 포함되지만, 본 발명에서 상기 화합물은, 성분 (a4)에 포함되는 것으로 한다. 또한, 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등의 관능기를 함유하고, (메타)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 화합물은, 성분 (a4)와 성분 (a3) 모두의 정의에 포함되지만, 본 발명에서 상기 화합물은, 성분 (a4)에 포함되는 것으로 한다.In addition, there is an overlap between the definition of component (a4) and the definitions of component (a2) and component (a3) described above, but the overlapping portion is included in component (a4). For example, compounds having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms and two or more (meth)acryloyl groups are included in the definitions of both component (a4) and component (a2). In the present invention, the above compound is included in component (a4). In addition, compounds containing functional groups such as hydroxyl groups, epoxy groups, amide groups, and amino groups, and having two or more (meth)acryloyl groups are included in the definitions of both component (a4) and component (a3), but in the present invention The above compound is assumed to be included in component (a4).
상기 관점에서, 다관능 중합성 화합물 중에서의 광중합성 불포화기의 수(관능기 수)는, 2 ∼ 10이 바람직하고, 3 ∼ 6이 보다 바람직하다.From the above viewpoint, the number of photopolymerizable unsaturated groups (number of functional groups) in the polyfunctional polymerizable compound is preferably 2 to 10, and more preferably 3 to 6.
또한, 성분 (a4)의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 30 ∼ 40000, 보다 바람직하게는 100 ∼ 10000, 더 바람직하게는 200 ∼ 1000이다.Moreover, the weight average molecular weight of component (a4) is preferably 30 to 40,000, more preferably 100 to 10,000, and still more preferably 200 to 1,000.
구체적인 성분 (a4)로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 글리콜 유래의 반복 단위의 수가 200 ∼ 800인 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디비닐벤젠, (메타)아크릴산비닐, 아디프산디비닐, N,N'-메틸렌비스(메타)아크릴아미드 등을 들 수 있다. 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트는, 글리콜 단위의 수를 괄호 내에 나타내는 것이 일반적이고, 예를 들면 글리콜 단위의 수가 600인 경우에는, 폴리에틸렌글리콜(600)디아크릴레이트라고 표시된다.Specific components (a4) include, for example, ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, Polyethylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, and trimethylolpropane tri(meth)acrylate, where the number of repeating units derived from glycol is 200 to 800. Acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, divinylbenzene, vinyl (meth)acrylate, divinyl adipate, N ,N'-methylenebis(meth)acrylamide, etc. can be mentioned. Polyethylene glycol di(meth)acrylate generally indicates the number of glycol units in parentheses. For example, when the number of glycol units is 600, it is indicated as polyethylene glycol (600) diacrylate.
또, 성분 (a4)는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.In addition, component (a4) may be used individually or in combination of two or more types.
이들 중에서도, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트가 바람직하다.Among these, polyethylene glycol diacrylate and neopentyl glycol di(meth)acrylate are preferable.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a4)의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전량(100질량부)에 대하여, 바람직하게는 2 ∼ 40질량부, 보다 바람직하게는 3 ∼ 20질량부, 더 바람직하게는 5 ∼ 15질량부이다.The content of component (a4) in the composition for forming a buffer layer is preferably 2 to 40 parts by mass, more preferably 3 to 20 parts by mass, even more preferably, based on the total amount (100 parts by mass) of the composition for forming a buffer layer. It is 5 to 15 parts by mass.
(성분 (a1) ∼ (a4) 이외의 중합성 화합물(a5))(Polymerizable compounds (a5) other than components (a1) to (a4))
완충층 형성용 조성물에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상기의 성분 (a1) ∼ (a4) 이외의 기타 중합성 화합물(a5)을 함유해도 된다.The composition for forming a buffer layer may contain other polymerizable compounds (a5) other than the above components (a1) to (a4), as long as the effect of the present invention is not impaired.
성분 (a5)로서는, 예를 들면, 탄소수 1 ∼ 20의 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트; 스티렌, 히드록시에틸비닐에테르, 히드록시부틸비닐에테르, N-비닐포름아미드, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등의 비닐 화합물: 등을 들 수 있다. 또, 성분 (a5)는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.Examples of component (a5) include alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Vinyl compounds such as styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinylformamide, N-vinylpyrrolidone, and N-vinylcaprolactam; and the like. In addition, component (a5) may be used individually or in combination of two or more types.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a5)의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전량(100질량부)에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 20질량부, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10질량부, 더 바람직하게는 0 ∼ 5질량부, 특히 바람직하게는 0 ∼ 2질량부이다.The content of component (a5) in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20 parts by mass, more preferably 0 to 10 parts by mass, even more preferably, based on the total amount (100 parts by mass) of the composition for forming a buffer layer. 0 to 5 parts by mass, particularly preferably 0 to 2 parts by mass.
(광중합개시제)(Light polymerization initiator)
완충층 형성용 조성물에는, 완충층을 형성할 때, 광조사에 의한 중합 시간을 단축시키고, 또한, 광조사량을 저감시키는 관점에서, 광중합개시제를 더 함유하는 것이 바람직하다.The composition for forming a buffer layer preferably further contains a photopolymerization initiator from the viewpoint of shortening the polymerization time by light irradiation and reducing the amount of light irradiation when forming the buffer layer.
광중합개시제로서는, 예를 들면, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오잔톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 더욱이는, 아민이나 퀴논 등의 광증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.Examples of photopolymerization initiators include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. , more specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoinmethyl ether, benzoinethyl ether. , benzoin isopropyl ether, benzylphenylsulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphos Pin oxide, etc. can be mentioned.
이들 광중합개시제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.These photopolymerization initiators can be used individually or in combination of two or more types.
완충층 형성용 조성물 중의 광중합개시제의 함유량은, 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05 ∼ 15질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 10질량부, 더 바람직하게는 0.3 ∼ 5질량부이다.The content of the photopolymerization initiator in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.05 to 15 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, and still more preferably 0.3 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of the energy ray polymerizable compound. It is the mass part.
(기타 첨가제)(Other additives)
완충층 형성용 조성물에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 기타 첨가제를 함유해도 된다. 기타 첨가제로서는, 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 들 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 완충층 형성용 조성물 중의 각 첨가제의 함유량은, 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 6질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 3질량부이다.The composition for forming a buffer layer may contain other additives within the range that does not impair the effect of the present invention. Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, etc. When blending these additives, the content of each additive in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.01 to 6 parts by mass, more preferably 0.1 to 3 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of the energy ray polymerizable compound. .
(수지 성분)(resin component)
완충층 형성용 조성물에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 수지 성분을 함유해도 된다. 수지 성분으로서는, 예를 들면, 폴리엔·티올계 수지나, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀계 수지, 및 스티렌계 공중합체 등의 열가소성 수지 등을 들 수 있다.The composition for forming a buffer layer may contain a resin component within a range that does not impair the effect of the present invention. Examples of the resin component include polyene-thiol-based resins, polyolefin-based resins such as polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, and thermoplastic resins such as styrene-based copolymers.
완충층 형성용 조성물 중의 이들 수지 성분의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전량(100질량부)에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 20질량부, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10질량부, 더 바람직하게는 0 ∼ 5질량부, 특히 바람직하게는 0 ∼ 2질량부이다.The content of these resin components in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20 parts by mass, more preferably 0 to 10 parts by mass, and still more preferably 0, based on the total amount (100 parts by mass) of the composition for forming a buffer layer. to 5 parts by mass, particularly preferably 0 to 2 parts by mass.
에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 완충층은, 상기 조성의 완충층 형성용 조성물을 에너지선 조사에 의해 중합 경화하여 얻어진다. 즉, 상기 완충층은, 완충층 형성용 조성물의 경화물이다.A buffer layer formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound is obtained by polymerizing and curing a composition for forming a buffer layer having the above composition by irradiation with energy rays. That is, the buffer layer is a cured product of the composition for forming a buffer layer.
따라서, 상기 완충층은, 성분 (a1) 유래의 중합 단위를 포함한다. 또한, 상기 완충층은, 성분 (a2) 유래의 중합 단위 및／또는 성분 (a3) 유래의 중합 단위를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 성분 (a4) 유래의 중합 단위 및／또는 성분 (a5) 유래의 중합 단위를 함유하고 있어도 된다. 완충층에 있어서의 각 중합 단위의 함유 비율은, 통상, 완충층 형성용 조성물을 구성하는 각 성분의 비율(투입비)과 일치한다. 예를 들면, 완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a1)의 함유량이 완충층 형성용 조성물의 전량(100질량부)에 대하여 10 ∼ 70질량부인 경우, 완충층은 성분 (a1)에 유래하는 중합 단위를 10 ∼ 70질량부 함유한다. 또한, 완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a2)의 함유량이 완충층 형성용 조성물의 전량(100질량부)에 대하여 10 ∼ 80질량부인 경우, 완충층은 성분 (a2)에 유래하는 중합 단위를 10 ∼ 80질량부 함유한다. 성분 (a3) ∼ (a5)에 대해서도 마찬가지이다.Therefore, the buffer layer contains polymerized units derived from component (a1). In addition, the buffer layer preferably contains polymerized units derived from component (a2) and/or polymerized units derived from component (a3). Additionally, it may contain polymerized units derived from component (a4) and/or polymerized units derived from component (a5). The content ratio of each polymer unit in the buffer layer usually matches the ratio (input ratio) of each component constituting the composition for forming the buffer layer. For example, when the content of component (a1) in the composition for forming a buffer layer is 10 to 70 parts by mass based on the total amount (100 parts by mass) of the composition for forming a buffer layer, the buffer layer contains 10 to 10 polymerized units derived from component (a1). Contains 70 parts by mass. Additionally, when the content of component (a2) in the composition for forming a buffer layer is 10 to 80 parts by mass based on the total amount (100 parts by mass) of the composition for forming a buffer layer, the buffer layer contains 10 to 80 parts by mass of polymerized units derived from component (a2). Contains wealth. The same applies to components (a3) to (a5).
(기재와 완충층과의 적층체의 강연도의 제어)(Control of stiffness of laminate of base material and buffer layer)
본 발명의 반도체 가공용 점착 테이프(10)는, 상기와 같이, 기재(11)와 완충층(13)과의 적층체의 강연도는 68㎜ 이상이다. 상기 적층체의 강연도가 상기 범위에 있음으로써, 칩군이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프(10)를 베르누이 척(20)으로 지지한 경우에도, 점착 테이프(10)가 변형되기 어려워, 늘어짐을 방지할 수 있다. 이 결과, 칩끼리의 접촉도 저감하여, 치핑을 억제할 수 있다.As described above, in the adhesive tape 10 for semiconductor processing of the present invention, the stiffness of the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 is 68 mm or more. Since the stiffness of the laminate is in the above range, even when the adhesive tape 10 for semiconductor processing holding a group of chips is supported by the Bernoulli chuck 20, the adhesive tape 10 is difficult to deform, preventing sagging. You can. As a result, contact between chips can be reduced and chipping can be suppressed.
상기 적층체의 강연도는, 기재(11) 및 완충층(13)의 재질이나 두께 등에 따라 제어할 수 있다. 기재로서 강성(剛性)이 높은 필름이나 두꺼운 필름을 이용하면 강연도는 증가한다. 또한, 완충층으로서, 가교 구조가 조밀한 필름이나 두꺼운 필름을 이용해도 강연도는 증가한다.The stiffness of the laminate can be controlled depending on the material and thickness of the substrate 11 and the buffer layer 13. If a film with high rigidity or a thick film is used as a substrate, the rigidity increases. Additionally, the stiffness increases even if a film with a dense cross-linked structure or a thick film is used as the buffer layer.
완충층은, 상기한 완충층 형성용 조성물을 경화함으로써 얻어진다. 완충층의 가교 구조는, 완충층 형성용 조성물의 조성의 선택에 따라 조정할 수 있다. 따라서, 기재와 완충층과의 적층체의 강연도를 상기의 범위로 제어하기 위해서는, 완충층 형성용 조성물을 구성하는 상기 성분의 종류나 양을 조정해도 좋다. 이하에 각 성분의 종류나 양을 조정하기 위한 지침을 설명한다.The buffer layer is obtained by curing the composition for forming the buffer layer described above. The crosslinked structure of the buffer layer can be adjusted depending on the selection of the composition of the composition for forming the buffer layer. Therefore, in order to control the stiffness of the laminate of the base material and the buffer layer within the above range, the type and amount of the components constituting the composition for forming the buffer layer may be adjusted. Below are instructions for adjusting the type or amount of each ingredient.
예를 들면, 우레탄(메타)아크릴레이트(a1)의 (메타)아크로일기의 수가 많으면 완충층 내에 가교 구조가 증가하며, 기재와 완충층과의 적층체의 강연도는 증가한다.For example, as the number of (meth)acrylic groups in urethane (meth)acrylate (a1) increases, the crosslinked structure in the buffer layer increases, and the stiffness of the laminate between the substrate and the buffer layer increases.
우레탄(메타)아크릴레이트(a1), 환 형성 원자수 6 ∼ 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2), 관능기를 갖는 중합성 화합물(a3), 다관능 중합성 화합물(a4)의 종류나 양에 따라 기재와 완충층과의 적층체의 강연도를 조정할 수 있다.Urethane (meth)acrylate (a1), polymerizable compound having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms (a2), polymerizable compound having a functional group (a3), polyfunctional polymerizable compound (a4) The stiffness of the laminate between the substrate and the buffer layer can be adjusted depending on the type or amount of .
완충층에 가교 구조가 많이 포함되면, 완충층은 단단해져, 기재와 완충층과의 적층체의 강연도는 증가하는 경향이 있다. 이 때문에, 가교 구조의 형성에 관여하는 성분량을 조정함으로써, 적층체의 강연도를 적절한 범위로 제어할 수 있다. 가교 구조의 형성에 관여하는 성분으로서는, 예를 들면 우레탄(메타)아크릴레이트(a1)의 (메타)아크로일기, 다관능 중합성 화합물(a4)을 들 수 있다. 특히 다관능 중합성 화합물(a4)은, 사용이 용이하며, 가교 구조의 형성에 유용한 성분이다.If the buffer layer contains a large amount of crosslinked structure, the buffer layer becomes hard, and the stiffness of the laminate between the base material and the buffer layer tends to increase. For this reason, by adjusting the amount of components involved in the formation of the crosslinked structure, the stiffness of the laminate can be controlled to an appropriate range. Components involved in the formation of a crosslinked structure include, for example, the (meth)acrylyl group of urethane (meth)acrylate (a1) and the polyfunctional polymerizable compound (a4). In particular, the multifunctional polymerizable compound (a4) is easy to use and is a useful component for forming a crosslinked structure.
또한, 완충층의 구조 중에 비교적 연질인 구성 단위(예를 들면 쇄 길이가 긴 단위)가 포함되면, 기재와 완충층과의 적층체의 강연도는 저하되는 경향이 있다. 이 때문에, 장쇄 구조의 형성에 관여하는 성분량을 조정함으로써, 적층체의 강연도를 적절한 범위로 제어할 수 있다. 쇄 길이가 긴 단위로서는, 우레탄(메타)아크릴레이트(a1)의 우레탄쇄 등을 들 수 있다.Additionally, if a relatively soft structural unit (for example, a unit with a long chain length) is included in the structure of the buffer layer, the rigidity of the laminate of the base material and the buffer layer tends to decrease. For this reason, by adjusting the amount of components involved in the formation of the long chain structure, the stiffness of the laminate can be controlled to an appropriate range. Examples of units with a long chain length include the urethane chain of urethane (meth)acrylate (a1).
그러나, 강연도가 과도하게 증가하면, 반도체 가공용 점착 테이프(10)를 칩군(24)으로부터 박리할 때에, 테이프의 만곡에 의한 반발력이 커져, 칩에 과잉의 압력이 가해져, 칩을 파손하는 경우가 있다. 즉, 강연도가 지나치게 높으면 점착 테이프(10)의 박리가 곤란해지는 경우가 있기 때문에, 강연도는 150㎜ 이하인 것이 바람직하다.However, if the bending strength increases excessively, when peeling the adhesive tape 10 for semiconductor processing from the chip group 24, the repulsion force due to the curvature of the tape increases, excessive pressure is applied to the chip, and the chip may be damaged. there is. That is, if the bending degree is too high, peeling of the adhesive tape 10 may become difficult, so it is preferable that the bending degree is 150 mm or less.
상술한 완충층에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 가소제, 활제, 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 촉매 등의 첨가제를 함유시켜도 된다. 또한, 상술한 완충층은, 투명해도, 불투명해도 좋고, 원하는 바에 따라 착색 또는 증착되어 있어도 좋다.The above-described buffer layer may contain additives such as plasticizers, lubricants, infrared absorbers, ultraviolet ray absorbers, fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, and catalysts, as long as they do not impair the effect of the present invention. In addition, the above-mentioned buffer layer may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
[박리 시트][Release sheet]
점착 테이프의 표면에는, 박리 시트가 첩부되어 있어도 된다. 박리 시트는, 구체적으로는, 점착 테이프의 점착제층의 표면에 첩부된다. 박리 시트는, 점착제층 표면에 첩부됨으로써 수송 시, 보관 시에 점착제층을 보호한다. 박리 시트는, 박리 가능하게 점착 테이프에 첩부되어 있고, 점착 테이프가 사용되기 전(즉, 웨이퍼 첩부 전)에는, 점착 테이프로부터 박리되어 제거된다.A release sheet may be affixed to the surface of the adhesive tape. Specifically, the release sheet is affixed to the surface of the adhesive layer of the adhesive tape. The release sheet is attached to the surface of the adhesive layer to protect the adhesive layer during transportation and storage. The release sheet is attached to the adhesive tape so as to be peelable, and is peeled and removed from the adhesive tape before the adhesive tape is used (that is, before the wafer is attached).
박리 시트는, 적어도 한쪽 면이 박리 처리된 박리 시트가 이용되고, 구체적으로는, 박리 시트용 기재의 표면 상에 박리제를 도포한 것 등을 들 수 있다.As the release sheet, a release sheet on which at least one side has been subjected to a release treatment is used, and specific examples thereof include those in which a release agent is applied onto the surface of the base material for the release sheet.
박리 시트용 기재로서는, 수지 필름이 바람직하고, 상기 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르 수지 필름, 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌 수지 등의 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있다. 박리제로서는, 예를 들면, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머, 장쇄 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.As the base material for the release sheet, a resin film is preferable, and examples of the resin constituting the resin film include polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and polyethylene naphthalate resin, and polypropylene. Polyolefin resins, such as resin and polyethylene resin, are mentioned. Examples of the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins, and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, and fluorine-based resins.
박리 시트의 두께는, 특별히 제한 없지만, 바람직하게는 10 ∼ 200㎛, 보다 바람직하게는 20 ∼ 150㎛이다.The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 μm, more preferably 20 to 150 μm.
[점착 테이프의 제조 방법][Method for manufacturing adhesive tape]
본 발명의 점착 테이프의 제조 방법으로서는, 특별히 제한은 없고, 공지(公知)된 방법에 따라 제조할 수 있다.There is no particular limitation on the method for producing the adhesive tape of the present invention, and it can be produced according to a known method.
예를 들면, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 측에 마련된 점착제층과, 상기 기재의 다른쪽 면 측에 마련된 완충층을 갖는 점착 테이프의 제조 방법은 이하와 같다.For example, the method for producing an adhesive tape having a base material, an adhesive layer provided on one side of the base material, and a buffer layer provided on the other side of the base material is as follows.
완충층이 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 경우에는, 박리 시트 상에 완충층 형성용 조성물을 도공, 경화하여 마련한 완충층과, 기재를 첩합하고, 박리 시트를 제거함으로써, 완충층과 기재와의 적층체가 얻어진다.When the buffer layer is formed of a composition for forming a buffer layer containing an energy-ray polymerizable compound, the buffer layer prepared by coating and curing the composition for forming a buffer layer on a release sheet is bonded to the base material, and the release sheet is removed, thereby forming the buffer layer and the buffer layer. A laminate with a substrate is obtained.
그리고, 박리 시트 상에 마련한 점착제층을, 적층체의 기재 측에 첩합하고, 점착제층의 표면에 박리 시트가 첩부된 점착 테이프를 제조할 수 있다. 점착제층의 표면에 첩부되는 박리 시트는, 점착 테이프의 사용 전에 적절히 박리하여 제거하면 된다.Then, the adhesive layer provided on the release sheet is bonded to the base material side of the laminate, and an adhesive tape in which the release sheet is attached to the surface of the adhesive layer can be manufactured. The release sheet affixed to the surface of the adhesive layer may be appropriately peeled and removed before use of the adhesive tape.
박리 시트 상에 점착제층을 형성하는 방법으로서는, 박리 시트 상에 점착제(점착제 조성물)를, 공지된 도포 방법으로, 직접 도포하여 도포막을 가열 건조함으로써, 점착제층을 형성할 수 있다.As a method of forming the adhesive layer on the release sheet, the adhesive layer can be formed by directly applying an adhesive (adhesive composition) on the release sheet using a known application method and heating and drying the coating film.
또한, 기재의 편면에, 점착제(점착제 조성물)를 직접 도포하여, 점착제층을 형성해도 된다. 점착제의 도포 방법으로서는, 완충층의 제조법으로 나타낸, 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법, 그라비아 코팅법 등을 들 수 있다.Additionally, an adhesive (adhesive composition) may be applied directly to one side of the substrate to form an adhesive layer. Examples of the adhesive application method include the spray coating method, bar coating method, knife coating method, roll coating method, blade coating method, die coating method, and gravure coating method, which are indicated as the manufacturing method of the buffer layer.
박리 시트 상에 완충층을 형성하는 방법으로서는, 박리 시트 상에 완충층 형성용 조성물을, 공지된 도포 방법으로, 직접 도포하여 도포막을 형성하고, 이 도포막에 에너지선을 조사함으로써, 완충층을 형성할 수 있다. 또한, 기재의 편면에, 완충층 형성용 조성물을 직접 도포하여, 가열 건조 혹은 도포막에 에너지선을 조사함으로써, 완충층을 형성해도 된다.As a method of forming a buffer layer on a release sheet, a buffer layer can be formed by directly applying a composition for forming a buffer layer on a release sheet using a known application method to form a coating film, and then irradiating the coating film with energy rays. there is. Additionally, the buffer layer may be formed by directly applying the composition for forming a buffer layer to one side of the substrate and drying it by heating or by irradiating the coating film with energy rays.
완충층 형성용 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법, 그라비아 코팅법 등을 들 수 있다. 또한, 도포성을 향상시키기 위해, 완충층 형성용 조성물에 대하여 유기 용매를 배합하고, 용액의 형태로 하여, 박리 시트 상에 도포해도 된다.Examples of the application method of the composition for forming a buffer layer include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating. Additionally, in order to improve applicability, an organic solvent may be mixed with the composition for forming a buffer layer, and the composition may be applied in the form of a solution onto a release sheet.
완충층 형성용 조성물이 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 경우, 완충층 형성용 조성물의 도포막에 대하여, 에너지선을 조사함으로써 경화시켜, 완충층을 형성하는 것이 바람직하다. 완충층의 경화는, 한 번의 경화 처리로 행해도 좋고, 복수 회로 나누어 행해도 좋다. 예를 들면, 박리 시트 상의 도포막을 완전히 경화시켜 완충층을 형성한 후에 기재에 첩합해도 좋고, 상기 도포막을 완전히 경화시키지 않고 반경화 상태의 완충층 형성막을 형성하고, 상기 완충층 형성막을 기재에 첩합한 후, 다시 에너지선을 조사하여 완전히 경화시켜 완충층을 형성해도 좋다. 상기 경화 처리로 조사하는 에너지선으로서는, 자외선이 바람직하다. 또, 경화할 때에는, 완충층 형성용 조성물의 도포막이 폭로된 상태여도 좋지만, 박리 시트나 기재로 도포막이 덮여, 도포막이 폭로되지 않는 상태에서 에너지선을 조사하여 경화하는 것이 바람직하다.When the composition for forming a buffer layer contains an energy ray-polymerizable compound, it is preferable to form a buffer layer by curing the coating film of the composition for forming a buffer layer by irradiating energy rays. Curing of the buffer layer may be performed in a single curing treatment or may be performed in multiple sessions. For example, the coating film on the release sheet may be completely cured to form a buffer layer and then bonded to the substrate, or the coating film may not be completely cured to form a buffer layer forming film in a semi-cured state, and the buffer layer forming film bonded to the substrate. It may be irradiated with energy rays again to completely harden to form a buffer layer. As the energy ray irradiated in the above curing treatment, ultraviolet rays are preferable. In addition, when curing, the coating film of the composition for forming a buffer layer may be exposed, but it is preferable to cover the coating film with a release sheet or a base material and cure it by irradiating energy rays in a state where the coating film is not exposed.
또, 기재의 양면에 완충층이 마련된 점착 테이프의 제조 방법은, 예를 들면, 상술한 방법에 따라, 완충층과 기재와 완충층이 이 순으로 적층된 적층체를 얻고, 그 후, 한쪽 완충층 측에 점착제층을 형성하면 된다.In addition, the method of manufacturing an adhesive tape having a buffer layer on both sides of the base material is, for example, according to the above-described method, obtain a laminate in which the buffer layer, the base material, and the buffer layer are laminated in this order, and then apply an adhesive to one side of the buffer layer. Just form a layer.
[반도체 장치의 제조 방법][Manufacturing method of semiconductor device]
본 발명에 따른 점착 테이프는, 바람직하게는, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하여 웨이퍼의 이면 연삭이 행하는 경우에 사용된다. 보다 바람직하게는, 본 발명에 따른 점착 테이프는, 웨이퍼의 이면 연삭과 웨이퍼의 개편화를 동시에 행하는 DBG에 있어서 바람직하게 사용된다. 특히 바람직하게는, 본 발명에 따른 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼를 개편화했을 때에, 커프 폭이 작은 칩군이 얻어지는 LDBG에 바람직하게 사용된다. 또, 「칩군」이란, 본 발명에 따른 점착 테이프 상에 유지된, 웨이퍼 형상으로 정렬되어 있는 복수의 반도체 칩을 말한다.The adhesive tape according to the present invention is preferably affixed to the surface of a semiconductor wafer and used when grinding the back side of the wafer. More preferably, the adhesive tape according to the present invention is preferably used in DBG where backside grinding of the wafer and separation of the wafer are performed simultaneously. Particularly preferably, the adhesive tape according to the present invention is preferably used in LDBG, where a group of chips with a small kerf width is obtained when the semiconductor wafer is separated into pieces. In addition, “chip group” refers to a plurality of semiconductor chips aligned in a wafer shape and held on the adhesive tape according to the present invention.
점착 테이프의 비한정적인 사용예로서, 이하에 반도체 장치의 제조 방법을 더 구체적으로 설명한다.As a non-limiting example of the use of the adhesive tape, the manufacturing method of the semiconductor device will be described in more detail below.
반도체 장치의 제조 방법은, 구체적으로는, 이하의 공정 1 ∼ 공정 5를 적어도 구비한다.The manufacturing method of a semiconductor device specifically includes at least the following steps 1 to 5.
공정 1: 상기의 점착 테이프를 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하고, 점착 테이프를 반도체 웨이퍼의 외주를 따라 절단하는 공정Step 1: A process of attaching the above-mentioned adhesive tape to the surface of a semiconductor wafer and cutting the adhesive tape along the outer periphery of the semiconductor wafer.
공정 2: 반도체 웨이퍼의 표면 측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면으로부터 반도체 웨이퍼 내부에 개질 영역을 형성하는 공정Process 2: A process of forming a groove from the surface side of the semiconductor wafer, or forming a modified area inside the semiconductor wafer from the front or back side of the semiconductor wafer.
공정 3: 점착 테이프가 표면에 첩부되며, 또한 상기 홈 또는 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼를, 이면 측으로부터 연삭하여, 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여, 복수의 칩으로 개편화시키는 공정Step 3: A process in which an adhesive tape is attached to the surface and the semiconductor wafer on which the groove or modified area is formed is ground from the back side and divided into a plurality of chips using the groove or modified area as a starting point.
공정 4: 상기 개편화된 복수의 칩이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프를, 베르누이 척에 의해 지지하여 반송하는 공정Step 4: A step of supporting and transporting the adhesive tape for semiconductor processing holding the plurality of individual chips held by a Bernoulli chuck.
공정 5: 개편화된 반도체 웨이퍼(즉, 복수의 반도체 칩)로부터, 점착 테이프를 박리하는 공정Process 5: Process of peeling off the adhesive tape from the individual semiconductor wafers (i.e., multiple semiconductor chips)
이하, 상기 반도체 장치의 제조 방법의 각 공정을 상세하게 설명한다.Hereinafter, each step of the semiconductor device manufacturing method will be described in detail.
(공정 1)(Process 1)
공정 1에서는, 본 발명의 점착 테이프를, 점착제층을 개재하여 반도체 웨이퍼 표면에 첩부하고, 반도체 웨이퍼의 외주를 따라 절단한다. 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼 및 그 외주로 퍼지는 외주 테이블을 덮도록 첩부된다. 그리고, 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼의 외주를 따라, 커터 등에 의해 절단된다. 절단 속도는, 통상 10 ∼ 300㎜／s이다. 절단 시의 커터 날의 온도는 실온이어도 좋고, 또한, 커터 날을 가열하여 절단해도 좋다.In step 1, the adhesive tape of the present invention is attached to the surface of a semiconductor wafer through an adhesive layer, and cut along the outer periphery of the semiconductor wafer. The adhesive tape is attached so as to cover the semiconductor wafer and the outer table extending around its outer circumference. Then, the adhesive tape is cut with a cutter or the like along the outer periphery of the semiconductor wafer. The cutting speed is usually 10 to 300 mm/s. The temperature of the cutter blade during cutting may be room temperature, or the cutter blade may be heated to cut.
본 공정은, 후술하는 공정 2 전에 행해져도 좋지만, 공정 2 후에 행해도 좋다. 예를 들면, 반도체 웨이퍼에 개질 영역을 형성하는 경우에는, 공정 1을 공정 2 전에 행하는 것이 바람직하다. 한편, 반도체 웨이퍼 표면에, 다이싱 등에 의해 홈을 형성하는 경우에는, 공정 2 후에 공정 1을 행한다. 즉, 후술하는 공정 2에서 형성한 홈을 갖는 웨이퍼의 표면에, 본 공정 1에서 점착 테이프를 첩부하는 것이 된다.This step may be performed before Step 2, which will be described later, or may be performed after Step 2. For example, when forming a modified region on a semiconductor wafer, it is preferable to perform step 1 before step 2. On the other hand, when forming grooves on the surface of the semiconductor wafer by dicing or the like, Process 1 is performed after Process 2. That is, the adhesive tape is attached in Step 1 to the surface of the wafer having the groove formed in Step 2, which will be described later.
본 제조 방법에서 이용되는 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼여도 좋고, 또한 갈륨비소, 탄화규소, 탄탈럼산리튬, 니오븀산리튬, 질화갈륨, 인듐인 등의 웨이퍼나, 유리 웨이퍼여도 좋다. 반도체 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 500 ∼ 1000㎛ 정도이다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 통상, 그 표면에 회로가 형성되어 있다. 웨이퍼 표면에의 회로의 형성은, 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 범용되고 있는 방법을 포함하는 다양한 방법에 따라 행할 수 있다.The semiconductor wafer used in this manufacturing method may be a silicon wafer, or may be a wafer made of gallium arsenide, silicon carbide, lithium tantalum, lithium niobate, gallium nitride, or indium phosphide, or a glass wafer. The thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 μm. Additionally, a semiconductor wafer usually has a circuit formed on its surface. The formation of circuits on the wafer surface can be performed using various methods, including conventionally widely used methods such as etching and lift-off methods.
(공정 2)(Process 2)
공정 2에서는, 반도체 웨이퍼의 표면 측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 또는 이면으로부터 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성한다.In step 2, a groove is formed from the front side of the semiconductor wafer, or a modified region is formed inside the semiconductor wafer from the front or back side of the semiconductor wafer.
본 공정에서 형성되는 홈은, 반도체 웨이퍼의 두께보다 얕은 깊이의 홈이다. 홈의 형성은, 종래 공지된 웨이퍼 다이싱 장치 등을 이용하여 다이싱에 의해 행하는 것이 가능하다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 후술하는 공정 3에서, 홈을 따라 복수의 반도체 칩으로 개편화된다.The groove formed in this process is a groove whose depth is shallower than the thickness of the semiconductor wafer. The grooves can be formed by dicing using a conventionally known wafer dicing device or the like. Additionally, the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips along the grooves in step 3 described later.
또한, 개질 영역은, 반도체 웨이퍼에 있어서, 취질화(脆質化)된 부분이며, 연삭 공정에서의 연삭에 의해, 반도체 웨이퍼가 얇아지거나, 연삭에 의한 힘이 가해짐으로써 반도체 웨이퍼가 파괴되어 반도체 칩으로 개편화되는 기점이 되는 영역이다. 즉, 공정 2에서 홈 및 개질 영역은, 후술하는 공정 3에서, 반도체 웨이퍼가 분할되어 반도체 칩으로 개편화될 때의 분할선을 따르도록 형성된다.In addition, the modified area is a nitrided portion of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer becomes thinner due to grinding in the grinding process, or the semiconductor wafer is destroyed by applying force due to grinding, causing the semiconductor wafer to be damaged. This is the starting point for reorganization into chips. That is, in step 2, the grooves and modified regions are formed to follow the dividing line when the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips in step 3, which will be described later.
개질 영역의 형성은, 반도체 웨이퍼의 내부에 초점을 맞춘 레이저의 조사에 의해 행하고, 개질 영역은, 반도체 웨이퍼의 내부에 형성된다. 레이저의 조사는, 반도체 웨이퍼의 표면 측으로부터 행해도, 이면 측으로부터 행해도 좋다. 또, 개질 영역을 형성하는 태양에 있어서, 공정 2를 공정 1 후에 행하며 웨이퍼 표면으로부터 레이저 조사를 행하는 경우, 점착 테이프를 통해 반도체 웨이퍼에 레이저를 조사하는 것이 된다.The formation of the modified region is performed by irradiation of a laser focused on the inside of the semiconductor wafer, and the modified region is formed inside the semiconductor wafer. Laser irradiation may be performed from the front side or the back side of the semiconductor wafer. In addition, in the aspect of forming the modified region, when step 2 is performed after step 1 and laser irradiation is performed from the wafer surface, the laser is irradiated to the semiconductor wafer through the adhesive tape.
점착 테이프가 첩부되며, 또한 홈 또는 개질 영역을 형성한 반도체 웨이퍼는, 연삭 테이블 상에 놓여지고, 연삭 테이블에 흡착되어 유지된다. 이때, 반도체 웨이퍼는, 표면 측이 테이블 측에 배치되어 흡착된다.A semiconductor wafer to which an adhesive tape is attached and a groove or modified area is formed is placed on a grinding table and held by adsorption on the grinding table. At this time, the semiconductor wafer is adsorbed with its surface side placed on the table side.
(공정 3)(Process 3)
공정 1 및 공정 2 후, 연삭 테이블 상의 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 개편화한다.After steps 1 and 2, the back side of the semiconductor wafer on the grinding table is ground to separate the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
여기에서, 이면 연삭은, 반도체 웨이퍼에 홈이 형성되는 경우에는, 적어도 홈의 저부(底部)에 이르는 위치까지 반도체 웨이퍼를 얇게 하도록 행한다. 이 이면 연삭에 의해, 홈은, 웨이퍼를 관통하는 노치가 되며, 반도체 웨이퍼는 노치에 의해 분할되어, 개개의 반도체 칩으로 개편화된다.Here, when a groove is formed in the semiconductor wafer, back side grinding is performed to thin the semiconductor wafer at least to a position reaching the bottom of the groove. By this back-side grinding, the groove becomes a notch penetrating the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the notch into individual semiconductor chips.
한편, 개질 영역이 형성되는 경우에는, 연삭에 의해 연삭면(웨이퍼 이면)은, 개질 영역에 이르러도 좋지만, 엄밀하게 개질 영역까지 이르지 않아도 좋다. 즉, 개질 영역을 기점으로 하여 반도체 웨이퍼가 파괴되어 반도체 칩으로 개편화되도록, 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭하면 좋다. 예를 들면, 반도체 칩의 실제의 개편화는, 후술하는 픽업 테이프를 첩부하고 나서 픽업 테이프를 연신(延伸)함으로써 행해도 좋다.On the other hand, when a modified region is formed, the ground surface (back surface of the wafer) may reach the modified region by grinding, but it does not have to strictly reach the modified region. In other words, the semiconductor wafer may be broken starting from the modified area and ground into a position close to the modified area so that it is broken into pieces into semiconductor chips. For example, the actual separation of the semiconductor chip may be performed by attaching a pickup tape, which will be described later, and then stretching the pickup tape.
개편화된 반도체 칩의 형상은, 방형(方形)이어도 좋고, 직사각형 등의 세장(細長) 형상으로 되어 있어도 좋다. 또한, 개편화된 반도체 칩의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100㎛ 정도이지만, 보다 바람직하게는 10 ∼ 45㎛이다. 레이저로 웨이퍼 내부에 개질 영역을 마련하고, 웨이퍼 이면 연삭 시의 응력 등으로 웨이퍼의 개편화를 행하는, LDBG에 의하면, 개편화된 반도체 칩의 두께를 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ∼ 45㎛로 하는 것이 용이해진다. 또한, 개편화된 반도체 칩의 크기는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 사이즈가 바람직하게는 600㎟ 미만, 보다 바람직하게는 400㎟ 미만, 더 바람직하게는 300㎟ 미만이다. 이면 연삭의 종료 후, 칩 이면의 드라이 폴리시를 행해도 된다. 드라이 폴리시란, 개편화된 칩의 이면을 건식 숫돌에 의해, 경면(鏡面) 마무리하는 공정을 말한다. 이 공정을 거침으로써, 칩 이면의 파쇄층이 감소하며, 항절 강도가 높아진다.The shape of the individualized semiconductor chip may be rectangular or may be an elongated shape such as a rectangle. Additionally, the thickness of the divided semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 μm, and more preferably 10 to 45 μm. According to LDBG, which creates a modified area inside the wafer with a laser and separates the wafer into pieces due to stress during grinding of the back side of the wafer, the thickness of the divided semiconductor chips is 50 ㎛ or less, more preferably 10 to 45 ㎛. It becomes easier to do so. Additionally, the size of the separated semiconductor chip is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 600 mm2, more preferably less than 400 mm2, and even more preferably less than 300 mm2. After completion of backside grinding, dry polishing of the backside of the chip may be performed. Dry polish refers to the process of giving the back side of individualized chips a mirror finish using a dry grindstone. By going through this process, the fracture layer on the back of the chip is reduced and the fracture strength is increased.
(공정 4)(Process 4)
이면 연삭의 종료 후, 칩군이 유지된 점착 테이프를, 베르누이 척에 의해 지지하여 다음 공정으로 반송한다. 이때, 도 2에 나타낸 바와 같이, 점착 테이프(10) 상면의 칩군(24)이 유지되고 있는 면에 대해, 베르누이 척에 의한 흡인을 행하여, 테이프(10)를 칩군(24)과 함께 연삭 테이블로부터 떼어낸다.After completion of back grinding, the adhesive tape holding the chip group is supported by a Bernoulli chuck and transported to the next step. At this time, as shown in FIG. 2, the surface on which the chip group 24 is held on the upper surface of the adhesive tape 10 is sucked by a Bernoulli chuck, and the tape 10 is removed from the grinding table together with the chip group 24. Remove it.
본 발명의 반도체 가공용 점착 테이프(10)에 의하면, 기재(11)와 완충층(13)과의 적층체의 강연도가 상기 범위에 있음으로써, 칩군(24)이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프(10)를 베르누이 척(20)으로 지지한 경우에도, 점착 테이프(10)가 변형되기 어려워, 늘어짐을 방지할 수 있다. 이 결과, 칩끼리의 접촉도 저감되어, 치핑을 억제할 수 있다.According to the adhesive tape 10 for semiconductor processing of the present invention, the stiffness of the laminate of the base material 11 and the buffer layer 13 is in the above range, so that the chip group 24 is maintained. Even when supported by the Bernoulli chuck 20, the adhesive tape 10 is difficult to deform and sagging can be prevented. As a result, contact between chips is reduced and chipping can be suppressed.
(공정 5)(Process 5)
다음으로, 개편화된 반도체 웨이퍼(즉, 복수의 반도체 칩)로부터, 반도체 가공용 점착 테이프를 박리한다. 본 공정은, 예를 들면, 이하의 방법에 따라 행한다.Next, the adhesive tape for semiconductor processing is peeled from the separated semiconductor wafer (i.e., plural semiconductor chips). This process is performed, for example, according to the following method.
우선, 점착 테이프의 점착제층이, 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선을 조사하여 점착제층을 경화한다. 그 다음에, 개편화된 반도체 웨이퍼의 이면 측에, 픽업 테이프를 첩부하고, 픽업이 가능하도록 위치 및 방향 맞춤을 행한다. 이때, 웨이퍼의 외주 측에 배치한 링 프레임도 픽업 테이프에 첩합하고, 픽업 테이프의 외주연부(外周緣部)를 링 프레임에 고정한다. 픽업 테이프에는, 웨이퍼와 링 프레임을 동시에 첩합해도 좋고, 별도의 타이밍에 첩합해도 좋다. 그 다음에, 픽업 테이프 상에 유지된 복수의 반도체 칩으로부터 점착 테이프를 박리한다. 또, 점착 테이프(10)의 강성이 지나치게 높으면, 점착 테이프를 박리할 때에 만곡에 의한 반발력이 커져, 칩에 과잉의 압력이 가해져, 칩을 파손하는 경우가 있다. 이 때문에, 상기 강연도를 적절한 범위로 제어하는 것이 바람직하다.First, when the adhesive layer of the adhesive tape is formed of an energy ray-curable adhesive, the adhesive layer is cured by irradiating an energy ray. Next, a pickup tape is attached to the back side of the separated semiconductor wafer, and the position and orientation are adjusted to enable pickup. At this time, the ring frame disposed on the outer peripheral side of the wafer is also bonded to the pickup tape, and the outer peripheral edge of the pickup tape is fixed to the ring frame. The wafer and the ring frame may be bonded to the pickup tape at the same time or may be bonded at separate timings. Next, the adhesive tape is peeled from the plurality of semiconductor chips held on the pickup tape. Additionally, if the rigidity of the adhesive tape 10 is too high, the repulsion force due to curvature increases when peeling the adhesive tape, and excessive pressure is applied to the chip, which may cause damage to the chip. For this reason, it is desirable to control the stiffness within an appropriate range.
그 후, 픽업 테이프 상에 있는 복수의 반도체 칩을 픽업하고 기판 등 위에 고정화하여, 반도체 장치를 제조한다.Thereafter, a plurality of semiconductor chips on the pickup tape are picked up and fixed on a substrate or the like to manufacture a semiconductor device.
또, 픽업 테이프는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 기재와, 기재의 적어도 한쪽 면에 마련된 점착제층을 구비하는 점착 테이프에 의해 구성된다.In addition, the pickup tape is not particularly limited, but is comprised, for example, of an adhesive tape including a base material and an adhesive layer provided on at least one side of the base material.
또한, 픽업 테이프 대신에, 접착 테이프를 이용할 수도 있다. 접착 테이프란, 필름상 접착제와 박리 시트와의 적층체, 다이싱 테이프와 필름상 접착제와의 적층체나, 다이싱 테이프와 다이 본딩 테이프 모두의 기능을 갖는 접착제층과 박리 시트로 이루어지는 다이싱·다이 본딩 테이프 등을 들 수 있다. 즉, 본 실시형태에서는, 다이싱·다이 본딩 테이프를 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부하는 공정을 포함해도 된다. 또한, 픽업 테이프를 첩부하기 전에, 개편화된 반도체 웨이퍼의 이면 측에 필름상 접착제를 첩합해도 된다. 필름상 접착제를 이용하는 경우, 필름상 접착제는 웨이퍼와 동(同)형상으로 해도 된다.Also, instead of pickup tape, adhesive tape can be used. An adhesive tape is a laminate of a film adhesive and a release sheet, a laminate of a dicing tape and a film adhesive, or a dicing die consisting of an adhesive layer and a release sheet that have the functions of both a dicing tape and a die bonding tape. Bonding tapes, etc. can be mentioned. That is, in this embodiment, the step of attaching the dicing die bonding tape to the back side of the semiconductor wafer may be included. Additionally, before attaching the pickup tape, a film-like adhesive may be attached to the back side of the separated semiconductor wafer. When using a film adhesive, the film adhesive may be of the same shape as the wafer.
접착 테이프를 이용하는 경우나 픽업 테이프를 첩부하기 전에 개편화된 반도체 웨이퍼의 이면 측에 필름상 접착제를 첩합하는 경우에는, 접착 테이프나 픽업 테이프 상에 있는 복수의 반도체 칩은, 반도체 칩과 동형상으로 분할된 접착제층과 함께 픽업된다. 그리고, 반도체 칩은 접착제층을 개재하여 기판 등 위에 고정화되고, 반도체 장치가 제조된다. 접착제층의 분할은, 레이저나 익스팬드에 의해 행해진다. 또한, 접착 테이프를 대신하여, 칩 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 테이프를 이용해도 된다.When using an adhesive tape or attaching a film adhesive to the back side of a separated semiconductor wafer before attaching a pickup tape, a plurality of semiconductor chips on the adhesive tape or pickup tape are of the same shape as the semiconductor chip. It is picked up together with the divided adhesive layer. Then, the semiconductor chip is fixed on a substrate or the like via an adhesive layer, and a semiconductor device is manufactured. Division of the adhesive layer is performed using a laser or expander. Additionally, instead of the adhesive tape, a tape for forming a protective film may be used to form a protective film on the back side of the chip.
이상, 본 발명에 따른 점착 테이프에 대해서, DBG 또는 LDBG에 의해 반도체 웨이퍼를 개편화하는 방법에 사용하는 예에 대해서 설명했지만, 본 발명에 따른 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼를 개편화했을 때에, 커프 폭이 작고, 보다 박화된 칩군이 얻어지는 LDBG에 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 본 발명에 따른 점착 테이프는, 통상의 이면 연삭에 사용하는 것도 가능하며, 또한, 유리, 세라믹 등의 가공 시에도 피가공물을 일시적으로 유지하기 위해 사용할 수도 있다. 또한, 각종 재박리 점착 테이프로서도 사용할 수 있다.Above, an example of using the adhesive tape according to the present invention in a method of dividing a semiconductor wafer into pieces using DBG or LDBG has been described. However, the adhesive tape according to the present invention has a kerf width when dividing a semiconductor wafer into pieces. This can be suitably used in an LDBG in which a smaller and thinner chip group is obtained. In addition, the adhesive tape according to the present invention can be used for normal back surface grinding, and can also be used to temporarily hold a workpiece during processing of glass, ceramics, etc. Additionally, it can be used as various re-release adhesive tapes.
실시예Example
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.
측정 방법, 평가 방법은 이하와 같다. 결과는 표 1에 나타낸다.The measurement and evaluation methods are as follows. The results are shown in Table 1.
[강연도의 측정][Measurement of lecture quality]
기재와 완충층과의 적층체를 폭 20㎜ × 길이 150㎜로 커트하고, 캔틸레버식 강연도 측정기(TOYOSEIKI사 제조)를 이용하여 23℃, 50％RH로 강연도의 측정을 행했다(JIS L1086에 준거). 정전기의 영향에 따라 강연도의 측정치가 변화하기 때문에, 측정 전에 제전(除電)을 행했다. 또한 적층체가 롤상인 경우, MD(machine direction) 방향은 편차가 크기 때문에, CD(cross direction) 방향의 값을 평가했다. 또, 완충층／기재／점착제층과의 적층체인 점착 테이프로부터, 기재와 완충층과의 적층체를 얻을 경우에는, 점착제층을 용제 등에 의해 제거한 후에 강연도를 측정한다.The laminate of the base material and the buffer layer was cut to a width of 20 mm ). Since the measured value of stiffness changes depending on the influence of static electricity, static electricity was eliminated before measurement. Additionally, when the laminate is in roll form, the MD (machine direction) direction has a large deviation, so the value in the CD (cross direction) direction was evaluated. In addition, when obtaining a laminate of a base material and a buffer layer from an adhesive tape that is a laminate of a buffer layer/substrate/adhesive layer, the stiffness is measured after removing the adhesive layer with a solvent or the like.
[반송성 평가][Transportability evaluation]
직경 12인치, 두께 775㎛의 실리콘 웨이퍼에, 실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공용 점착 테이프를, 백그라인딩용 테이프 라미네이터(LINTEC Corporation 제조, 장치명 「RAD3510F／12」)를 이용하여 첩부했다. 레이저 소(DISCO CORPORATION 제조, 장치명 「DFL7361」)를 이용하여, 웨이퍼에 격자상(格子狀)의 개질 영역을 형성했다. 또, 격자 사이즈는 10㎜ × 10㎜로 했다.The adhesive tape for semiconductor processing manufactured in the examples and comparative examples was attached to a silicon wafer with a diameter of 12 inches and a thickness of 775 μm using a tape laminator for backgrinding (manufactured by LINTEC Corporation, device name “RAD3510F/12”). A lattice-like modified region was formed on the wafer using a laser saw (manufactured by DISCO CORPORATION, device name “DFL7361”). Additionally, the grid size was set to 10 mm × 10 mm.
그 다음에, 이면 연삭 장치(DISCO CORPORATION 제조, 장치명 「DGP8761」)를 이용하여, 두께 30㎛가 될 때까지 연삭(드라이 폴리시를 포함함)을 행하여, 웨이퍼를 복수의 칩으로 개편화했다. 개편화된 칩을 디지털 현미경으로 관찰하여, 크랙이 발생한 칩을 세어, 크랙의 사이즈마다 이하의 기준으로 분류했다. 또, 크랙의 사이즈(㎛)는, 칩의 종 방향을 따른 크랙의 길이(㎛)와, 칩의 횡 방향을 따른 크랙의 길이(㎛)를 대비하여, 그 수치가 큰 쪽으로 했다.Next, using a backside grinding device (manufactured by DISCO CORPORATION, device name “DGP8761”), grinding (including dry polish) was performed until the thickness reached 30 μm, and the wafer was separated into a plurality of chips. The individually divided chips were observed under a digital microscope, chips with cracks were counted, and each crack size was classified according to the following criteria. Additionally, the size of the crack (μm) was set to be larger compared to the length of the crack (μm) along the longitudinal direction of the chip and the length of the crack (μm) along the transverse direction of the chip.
(기준)(standard)
대 크랙: 크랙의 사이즈가 20㎛ 초과Large crack: Crack size exceeds 20㎛
중 크랙: 크랙의 사이즈가 10㎛ 이상 20㎛ 이하Medium crack: The size of the crack is 10㎛ or more and 20㎛ or less.
소 크랙: 크랙의 사이즈가 10㎛ 미만Small crack: Crack size is less than 10㎛
크랙 수 계측 후, 베르누이 척(외경 300㎜, 내경 100㎜의 원형부에, 거의 등간격으로 18의 패드가 마련된 구조이며, 원형부의 외주로부터 패드의 중심까지의 거리는 25㎜)을 이용하여, 칩군／점착 테이프의 칩군이 유지되고 있는 면을 비접촉으로 흡인하여, 칩군／점착 테이프를 연삭 장치의 연삭 테이블로부터 떼어내고, 크랙 수를 다시 계측하여, 크랙의 증가 수를 계측했다.After measuring the number of cracks, a Bernoulli chuck (a structure in which 18 pads are provided at approximately equal intervals on a circular part with an outer diameter of 300 mm and an inner diameter of 100 mm, and the distance from the outer periphery of the circular part to the center of the pad is 25 mm) is used to check the chip group. /The surface of the adhesive tape where the chip group is held was sucked non-contactly, the chip group/adhesive tape was removed from the grinding table of the grinding device, the number of cracks was measured again, and the number of cracks increased was measured.
이하의 조건을 모두 충족시킨 경우를 양호(A)로 하고, 1개라도 충족시키지 않는 경우는 불량(F)으로 했다.Cases where all of the following conditions were satisfied were considered good (A), and cases where even one condition was not satisfied were considered defective (F).
대 크랙의 증가 수가 1웨이퍼(칩 수 624개)당 1개 미만Increase in number of cracks is less than 1 per wafer (624 chips)
중 크랙의 증가 수가 1웨이퍼(칩 수 624개)당 10개 미만The increase in cracks is less than 10 per wafer (624 chips).
소 크랙의 증가 수가 1웨이퍼(칩 수 624개)당 30개 미만The increase in the number of small cracks is less than 30 per wafer (624 chips).
이하의 실시예 및 비교예의 질량부는 모두 고형분 환산이다.The mass parts of the following examples and comparative examples are all converted to solid content.
<실시예 1><Example 1>
(1) 기재(1) Description
기재로서, 양면 코팅층 부착 PET 필름(TOYOBO CO., LTD. 제조, 제품명 [코스모샤인 A4300], 두께: 50㎛, 23℃에서의 영률: 2550㎫)을 준비했다.As a substrate, a PET film with a double-sided coating layer (manufactured by TOYOBO CO., LTD., product name [Cosmoshine A4300], thickness: 50 μm, Young's modulus at 23°C: 2550 MPa) was prepared.
(2) 점착제층(2) Adhesive layer
(점착제 조성물의 조제)(Preparation of adhesive composition)
N-부틸아크릴레이트(BA), 메틸메타크릴레이트(MMA) 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(2HEA) 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체(BA／MMA／2EHA ＝ 52／20／28(질량％), 중량 평균 분자량 약 50만)를 100질량부, 다관능 우레탄아크릴레이트계 자외선 경화형 수지를 6질량부, 디이소시아네이트계 경화제를 1질량부, 및 광중합개시제로서, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드를 1질량부 배합하여, 메틸에틸케톤으로 희석하고, 고형분 농도 32질량％의 점착제의 용액을 조제했다. 그리고, 박리 시트(LINTEC Corporation 제조, 상품명 「SP-PET381031」, 실리콘 박리 처리를 행한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 두께: 38㎛)의 박리 처리된 면 상에, 상기의 점착제 조성물의 용액을 도포하고, 건조시켜, 두께 20㎛의 점착제층을 갖는, 점착제층 부착 박리 시트를 제작했다.Acrylic copolymer (BA/MMA/2EHA = 52/20/28 (mass %), 100 parts by mass of a weight average molecular weight of about 500,000), 6 parts by mass of a polyfunctional urethane acrylate-based ultraviolet curable resin, 1 part by mass of a diisocyanate-based curing agent, and bis(2,4,6) as a photopolymerization initiator. -Trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide was mixed in 1 part by mass and diluted with methyl ethyl ketone to prepare an adhesive solution with a solid content concentration of 32% by mass. Then, the solution of the above-described adhesive composition was applied onto the release-treated side of the release sheet (manufactured by LINTEC Corporation, brand name "SP-PET381031", polyethylene terephthalate (PET) film subjected to silicone release treatment, thickness: 38 μm). and dried to produce a release sheet with an adhesive layer having an adhesive layer with a thickness of 20 μm.
(3) 완충층(3) Buffer layer
(완충층 형성용 조성물의 조제)(Preparation of composition for forming buffer layer)
에너지선 중합성 화합물로서, SARTOMER사로부터 구입한 우레탄아크릴레이트계 올리고머(CN8888), 이소보르닐아크릴레이트(IBXA), 환상 트리메틸올프로판포르말아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(600)디아크릴레이트를, 표 1에 기재된 배합량으로 배합하고, 또한 광중합개시제로서, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(BASF Corporation 제조, 제품명 「Omnirad 1173」)을 2.0질량부 배합하여, 완충층 형성용 조성물을 조제했다.Energy ray polymerizable compounds include urethane acrylate oligomer (CN8888), isobornyl acrylate (IBXA), cyclic trimethylolpropane formal acrylate, neopentyl glycol diacrylate, and polyethylene glycol (600) purchased from SARTOMER. ) Diacrylate was mixed in the amount shown in Table 1, and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one (manufactured by BASF Corporation, product name “Omnirad 1173”) was added as a photopolymerization initiator. 2.0 parts by mass were mixed to prepare a composition for forming a buffer layer.
박리 시트(LINTEC Corporation 제조, 상품명 「SP-PET381031」실리콘 박리 처리를 행한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 두께: 38㎛)의 박리 처리된 면 상에, 상기의 완충층 형성용 조성물을 도포하여 도포막을 형성했다. 그리고, 상기 도포막에 대하여, 자외선을 조사하여, 상기 도포막을 반경화시켜, 두께 28㎛의 완충층의 반경화막을 형성했다.The above composition for forming a buffer layer was applied on the peeled surface of a release sheet (manufactured by LINTEC Corporation, brand name "SP-PET381031" polyethylene terephthalate (PET) film subjected to silicone release treatment, thickness: 38 ㎛) to form a coating film. formed. Then, the coating film was irradiated with ultraviolet rays to semi-cure the coating film, thereby forming a semi-cured buffer layer with a thickness of 28 μm.
또, 상기의 자외선 조사는, 벨트 컨베이어식 자외선 조사 장치(제품명 「ECS-401GX」 EYE GRAPHICS CO., LTD. 제조) 및 고압 수은 램프(제품명 「H04-L41」 EYE GRAPHICS CO., LTD. 제조)를 사용하여, 램프 높이 260㎜, 출력 80W／㎝, 조도 70mW／㎠, 조사량 30mW／㎠의 조사 조건하에서 행했다. 그리고, 형성한 반경화막의 표면과, 기재의 제1 코팅층을 첩합하고, 반경화막 상의 박리 시트 측으로부터 다시 자외선을 조사하여, 상기 반경화막을 완전히 경화시켜, 두께 28㎛의 완충층을 형성했다. 얻어진 「기재와 완충층과의 적층체」에 대해서 강연도를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.In addition, the above ultraviolet irradiation is performed using a belt conveyor type ultraviolet irradiation device (product name “ECS-401GX” manufactured by EYE GRAPHICS CO., LTD.) and a high-pressure mercury lamp (product name “H04-L41” manufactured by EYE GRAPHICS CO., LTD.) was carried out under the irradiation conditions of lamp height of 260 mm, output of 80 W/cm, illuminance of 70 mW/cm, and irradiation amount of 30 mW/cm. Then, the surface of the formed semi-cured film and the first coating layer of the base material were bonded together, and ultraviolet rays were irradiated again from the release sheet side on the semi-cured film to completely cure the semi-cured film, forming a buffer layer with a thickness of 28 μm. The stiffness was measured for the obtained “laminated body of a base material and a buffer layer.” The results are shown in Table 1.
(4) 점착 테이프의 제작(4) Production of adhesive tape
그 다음에, 상기 양면 코팅층 부착 PET 필름의 제2 코팅층 상에, 상기 점착제층 부착 박리 시트의 점착제층을 첩합하여 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다. 반도체 가공용 점착 테이프를 이용하여 반송성 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Next, the adhesive layer of the release sheet with an adhesive layer was bonded onto the second coating layer of the PET film with a double-sided coating layer to produce an adhesive tape for semiconductor processing. Transportability evaluation was performed using an adhesive tape for semiconductor processing. The results are shown in Table 1.
<실시예 2 ∼ 4, 비교예 1, 2><Examples 2 to 4, Comparative Examples 1 and 2>
완충층 형성용 조성물의 조성을 표 1과 같이 변경한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 반도체 가공용 점착 테이프를 제작했다. 결과를 표 1에 나타낸다.An adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the composition of the composition for forming a buffer layer was changed as shown in Table 1. The results are shown in Table 1.
[표 1][Table 1]
이상의 결과로부터, 본 발명에 따른 반도체 가공용 점착 테이프에 의하면, 테이프의 강연도가 적절한 범위로 제어되고 있기 때문에, 칩군이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프를, 베르누이 척을 이용하여 반송하는 경우에도 테이프의 만곡이 없어, 치핑의 발생을 억제할 수 있다.From the above results, according to the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention, the stiffness of the tape is controlled to an appropriate range, so even when the adhesive tape for semiconductor processing holding a group of chips is transported using a Bernoulli chuck, the tape is curved. As there is no chipping, the occurrence of chipping can be suppressed.
10: 점착 테이프
11: 기재
12: 점착제층
13: 완충층
20: 베르누이 척
21: 패드
22: 원호부
23: 암
24: 칩군10: Adhesive tape
11: Description
12: Adhesive layer
13: Buffer layer
20: Bernoulli Chuck
21: pad
22: arcuate part
23: cancer
24: Chip
Claims (7)
기재와 완충층과의 적층체의 강연도는 68㎜ 이상인, 반도체 가공용 점착 테이프.An adhesive tape having a substrate, a buffer layer provided on one side of the substrate, and an adhesive layer provided on the other side of the substrate,
An adhesive tape for semiconductor processing in which the stiffness of the laminate of the base material and the buffer layer is 68 mm or more.
상기 기재의 23℃에서의 영률은 1000㎫ 이상인, 반도체 가공용 점착 테이프.According to paragraph 1,
An adhesive tape for semiconductor processing, wherein the Young's modulus at 23°C of the base material is 1000 MPa or more.
상기 기재의 두께는 80㎛ 이하인, 반도체 가공용 점착 테이프.According to claim 1 or 2,
An adhesive tape for semiconductor processing, wherein the thickness of the substrate is 80 μm or less.
상기 완충층은, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물의 경화물인, 반도체 가공용 점착 테이프.According to any one of claims 1 to 3,
The buffer layer is an adhesive tape for semiconductor processing, which is a cured product of a composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound.
반도체 웨이퍼 표면에 홈이 형성되거나, 또는 반도체 웨이퍼에 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 그 연삭에 의해 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화하는 공정에서, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부되어 사용되는, 반도체 가공용 점착 테이프.According to any one of claims 1 to 4,
In the process of grinding the back side of a semiconductor wafer where a groove is formed on the surface of the semiconductor wafer or a modified area is formed on the semiconductor wafer, and dividing the semiconductor wafer into semiconductor chips by grinding, it is attached to the surface of the semiconductor wafer and used. , Adhesive tape for semiconductor processing.
상기 반도체 웨이퍼의 표면 측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 상기 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면으로부터 반도체 웨이퍼 내부에 개질 영역을 형성하는 공정과,
상기 점착 테이프가 표면에 첩부되며, 또한 상기 홈 또는 상기 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼를, 이면 측으로부터 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 칩으로 개편화시키는 공정과,
상기 개편화된 복수의 칩이 유지된 반도체 가공용 점착 테이프를, 베르누이 척에 의해 지지하여 반송하는 공정과,
상기 복수의 칩으로부터 상기 점착 테이프를 박리하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.A process of attaching the adhesive tape for semiconductor processing according to any one of claims 1 to 4 to the surface of a semiconductor wafer and cutting the adhesive tape along the outer periphery of the semiconductor wafer;
A process of forming a groove from the front side of the semiconductor wafer, or forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front or back side of the semiconductor wafer;
A process of grinding a semiconductor wafer on which the adhesive tape is attached to the surface and on which the groove or the modified region is formed, from the back side, and dividing the semiconductor wafer into a plurality of chips using the groove or the modified region as a starting point;
A step of supporting and transporting the adhesive tape for semiconductor processing holding the plurality of individual chips held by a Bernoulli chuck;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of peeling the adhesive tape from the plurality of chips.
다이싱·다이 본딩 테이프를 반도체 칩의 이면에 첩부하는 공정을 더 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.According to clause 6,
A method of manufacturing a semiconductor device, further comprising the step of attaching a dicing/die bonding tape to the back side of a semiconductor chip.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021057979 | 2021-03-30 | ||
| JPJP-P-2021-057979 | 2021-03-30 | ||
| PCT/JP2022/000573 WO2022209119A1 (en) | 2021-03-30 | 2022-01-11 | Semiconductor processing adhesive tape, and method for manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230161424A true KR20230161424A (en) | 2023-11-27 |
Family
ID=83455963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237026844A KR20230161424A (en) | 2021-03-30 | 2022-01-11 | Manufacturing method of adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor device |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2022209119A1 (en) |
| KR (1) | KR20230161424A (en) |
| TW (1) | TW202237777A (en) |
| WO (1) | WO2022209119A1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015183008A (en) | 2014-03-20 | 2015-10-22 | リンテック株式会社 | adhesive sheet |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013129723A (en) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Lintec Corp | Pressure-sensitive adhesive sheet and production method of semiconductor chip |
| KR102032590B1 (en) * | 2012-05-14 | 2019-10-15 | 린텍 가부시키가이샤 | Sheet having adhesive resin layer attached thereto, and method for producing semiconductor device |
-
2022
- 2022-01-11 KR KR1020237026844A patent/KR20230161424A/en unknown
- 2022-01-11 WO PCT/JP2022/000573 patent/WO2022209119A1/en active Application Filing
- 2022-01-11 JP JP2023510280A patent/JPWO2022209119A1/ja active Pending
- 2022-03-28 TW TW111111617A patent/TW202237777A/en unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015183008A (en) | 2014-03-20 | 2015-10-22 | リンテック株式会社 | adhesive sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2022209119A1 (en) | 2022-10-06 |
| TW202237777A (en) | 2022-10-01 |
| WO2022209119A1 (en) | 2022-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102365799B1 (en) | Adhesive tape for semiconductor processing, and method for manufacturing a semiconductor device | |
| CN109743881B (en) | Adhesive tape for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device | |
| KR102632032B1 (en) | Adhesive tape for semiconductor processing and manufacturing method of semiconductor device | |
| KR102603367B1 (en) | Adhesive tape for semiconductor processing and manufacturing method of semiconductor device | |
| KR102324298B1 (en) | Adhesive tape for semiconductor processing, and method for manufacturing a semiconductor device | |
| JPWO2019181730A1 (en) | Manufacturing method of adhesive tape and semiconductor device | |
| WO2019181732A1 (en) | Adhesive tape, and method for producing semiconductor device | |
| TWI744468B (en) | Adhesive tape for semiconductor processing and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP7069116B2 (en) | Base material for back grind tape | |
| KR20230161424A (en) | Manufacturing method of adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor device | |
| KR20230163358A (en) | Manufacturing method of adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor device | |
| JP6616558B1 (en) | Adhesive tape for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device | |
| KR20230134093A (en) | Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpiece | |
| KR20230159372A (en) | Manufacturing method of adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor device | |
| KR20230159373A (en) | Manufacturing method of adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor device | |
| KR20230160228A (en) | Manufacturing method of adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor device | |
| KR20230122979A (en) | Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpeice |