KR102634530B1 - 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치 - Google Patents
분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102634530B1 KR102634530B1 KR1020230126014A KR20230126014A KR102634530B1 KR 102634530 B1 KR102634530 B1 KR 102634530B1 KR 1020230126014 A KR1020230126014 A KR 1020230126014A KR 20230126014 A KR20230126014 A KR 20230126014A KR 102634530 B1 KR102634530 B1 KR 102634530B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- spray
- injection
- removal device
- spray nozzle
- Prior art date
Links
- 238000005507 spraying Methods 0.000 title description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 72
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 88
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
- B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치에 관한 것이다. 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치는 우징(11)의 내부에 형성되는 적재 공간(12)의 앞쪽에 형성되면서 각각이 수평 방향을 따라 선형으로 연장되는 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N); 및 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N)의 연장 방향을 따라 형성된 다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_L)을 포함하고, 다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_N)로부터 분사되는 기체 또는 CDA(Clean Dry Air)에 의하여 웨이퍼 표면에 잔존하는 가스 또는 오염 물질이 제거된다.
Description
본 발명은 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치에 관한 것이고, 구체적으로 선형 분사 노즐로부터 분사되는 기체에 의하여 웨이퍼의 표면에 부착된 잔존 가스 또는 오염 물질이 제거되도록 하는 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치에 관한 것이다.
반도체 업계에서 다양한 종류의 가스 사용되고, 공정 이후 웨이퍼에 남은 잔존 가스가 대기 중으로 유출될 수 있다. 유출된 가스는 추가적인 부산물을 생성할 수 있으며, 이로 인하여 공정에 악영향을 끼칠 수 있다. 또한 공정에 사용하는 가스 중 일부는 유독가스이므로, 유독 가스가 확산되면 작업자의 건강을 해칠 수 있다. 웨이퍼는 FOUP(Front Opening Unified Pod)를 통하여 장비로 공급되고, 공정 이후 웨이퍼의 잔존 가스를 제거하기 위하여 웨이퍼는 사이드 스토리지(Side Storage)에 보관된 후 FOUP로 이동될 수 있다. 또한 공정 진행이 된 웨이퍼가 FOUP에 곧바로 보관이 되면 잔존 가스가 공정 전 웨이퍼에 영향을 미칠 수 있으므로 공정 전후 웨이퍼의 분리를 위하여 웨이퍼가 사이드 스토리지에 보관될 수 있다. 이와 같은 사이드 스토리지는 잔존 가스의 제거를 위하여 질소 또는 CDA(Clean Dry Air)의 분무를 위한 수단 및 웨이퍼의 보관을 위한 수단을 포함할 수 있다. 웨이퍼 표면의 잔존 가스 또는 이물질 제거와 관련하여 특허등록번호 10-0989887은 웨이퍼 잔존가스 제거 장치에 대하여 개시한다. 특허등록번호 10-1874809는 반도체 생산공정 과정에서 에칭 공정을 거치 웨이퍼를 일시적으로 보관하며 오염물질을 배출시키는 배출 장치에 대하여 개시한다. 특허공개번호 10-2016-0087152는 퓸 제거 장치에 대하여 개시한다. 이와 같은 선행기술은 웨이퍼의 잔존 기체 또는 오염 물질을 효과적으로 제거하기 어렵다는 단점을 가진다. 그러므로 이와 같은 선행기술이 가진 문제점을 해결할 수 있는 잔존 가스 또는 오염 물질이 제거될 수 있는 제거 장치가 만들어질 필요가 있다.
본 발명은 선행기술이 가진 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다.
본 발명의 목적은 입구에 형성된 적어도 하나의 분사 노즐에 형성된 다수 개의 분사 홀로부터 분무되는 질소 또는 CDA(Clean Dry Air)에 의하여 웨이퍼의 표면에 잔존하는 기체 또는 오염 물질이 효과적으로 제거되도록 하는 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치는 하우징의 내부에 형성되는 적재 공간의 앞쪽에 형성되면서 각각이 수평 방향을 따라 선형으로 연장되는 적어도 하나의 분사 노즐; 및 각각의 분사 노즐의 연장 방향을 따라 형성된 다수 개의 분사 홀을 포함하고, 다수 개의 분사 홀로부터 분사되는 기체 또는 CDA(Clean Dry Air)에 의하여 웨이퍼 표면에 잔존하는 가스 또는 오염 물질이 제거된다.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 적어도 하나의 분사 노즐은 수직 방향으로 배치되는 다수 개로 이루어진다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 적어도 하나의 분사 노즐은 서로 마주보도록 배치되는 제1 그룹 분사 노즐 및 제2 그룹 분사 노즐로 이루어진다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 다수 개의 분사 홀은 분사 노즐의 연장 방향을 따라 나선 형태로 위치하도록 형성된다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 적어도 하나의 분사 노즐은 둘레 방향을 따라 회전 가능하다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 적어도 하나의 분사 노즐의 각각은 하우징의 측면으로부터 안쪽 방향으로 연장되면서 바깥쪽으로 경사진다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 적재 공간에 배치되어 웨이퍼가 적재되도록 하는 다수 개의 적재 부재를 더 포함하고, 각각의 적재 부재의 끝 부분에 웨이퍼와 접촉되는 구형, 뿔 형태 또는 반구형의 접촉 팁이 형성된다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 하우징의 뒤쪽 면에 형성되는 배출 모듈을 더 포함하고, 배출 모듈은 다수 개의 관통 홀이 균일하게 형성된 배출 플레이트를 포함한다.
본 발명에 따른 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치는 선형으로 연장되는 분사 노즐에 형성된 다수 개의 분사 홀로부터 분사되는 질소 또는 CDA(Clean Dry Air)의 유동을 제어하여 웨이퍼의 표면에 잔존하는 기체 또는 오염 물질이 효과적으로 제거되도록 한다. 반도체 제조 과정에서 진행되는 여러 공정 과정에서 웨이퍼가 저장 공간에 적재될 필요가 있고, 웨이퍼가 적재된 상태에서 적재 수단에 웨이퍼에 접촉되는 면적이 커지면 오염 물질 또는 입자(particle)에 의하여 웨이퍼가 오염될 수 있다. 본 발명에 따른 제거 장치는 적재 수단이 웨이퍼에 접촉되는 면적이 최소가 되도록 하는 구조를 가지고 이에 의하여 적재 수단에 의한 웨이퍼의 오염이 방지되도록 한다. 본 발명에 따른 제거 장치의 다양한 목적으로 저장되는 웨이퍼 저장 공간에 적용될 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
도 1은 본 발명에 따른 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 가스 제거 장치를 위한 분사 노즐의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 가스 제거 장치에서 가스 또는 오염 물질의 제거를 위한 기체 유동 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 제거 장치에서 분사 노즐에 의한 기체 분사 형태의 실시 예를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 제거 장치의 내부에서 웨이퍼가 적재되는 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 제거 장치를 위한 배출 플레이트의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 가스 제거 장치를 위한 분사 노즐의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 가스 제거 장치에서 가스 또는 오염 물질의 제거를 위한 기체 유동 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 제거 장치에서 분사 노즐에 의한 기체 분사 형태의 실시 예를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 제거 장치의 내부에서 웨이퍼가 적재되는 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 제거 장치를 위한 배출 플레이트의 실시 예를 도시한 것이다.
아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치는 하우징(11)의 내부에 형성되는 적재 공간(12)의 앞쪽에 형성되면서 각각이 선형으로 연장되는 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N); 및 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N)의 연장 방향을 따라 형성된 다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_L)을 포함하고, 다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_N)로부터 분사되는 기체 또는 CDA(Clean Dry Air)에 의하여 웨이퍼 표면에 잔존하는 가스 또는 오염 물질이 제거된다. 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 다양한 방향으로 연장될 수 있고, 바람직하게 수평 방향을 따라 선형으로 연장될 수 있다.
하우징(11)의 내부에 형성되는 적재 공간(12)에 웨이퍼가 적재될 수 있고, 입구를 통하여 적재 공간(12)으로 이동되어 층 구조로 적재될 수 있다. 적재 공간(12)에 웨이퍼가 다수 층으로 적재되어 보관될 수 있도록 하는 적재 수단이 배치될 수 있다. 하우징(11)은 내부에 웨이퍼가 적재되어 보관될 수 있도록 하는 다양한 구조를 가질 수 있고, 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다. 하우징(11)의 앞쪽에 웨이퍼의 투입을 위한 입구가 형성될 수 있고, 입구에 또는 적재 공간(12)의 앞쪽에 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)이 배치될 수 있다. 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 선형으로 연장되는 원형 단면을 가지는 봉 형상이 될 수 있고, 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)의 내부를 따라 기체가 유동될 수 있다. 하우징(11)의 양쪽 측면에 수직 방향으로 연장되는 고정 블록(13a, 13b)이 형성될 수 있고, 각각의 고정 블록(13a, 13b)에 수직 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드 블록(14a, 14b)이 결합될 수 있다. 그리고 가이드 블록(14a, 14b)의 내부로 한쪽 끝이 삽입되는 형태로 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)이 결합될 수 있고, 이에 의하여 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 한쪽 끝이 고정된 상태에서 수평 방향으로 연장되는 구조를 가질 수 있다. 적어도 하나의 분사 노즐(15_ 1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 수직으로 연장되는 가이드 블록(14a, 14b)을 따라 배치된 다수 개로 이루어질 수 있다. 또한 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 제1 가이드 블록(14a)에 한쪽 끝이 결합되는 제1 그룹 분사 노즐(15_1 내지 15_N) 및 제2 가이드 블록(14b)에 한쪽 끝이 제2 그룹 분사 노즐(16_1 내지 16_N)로 이루어질 수 있다. 각각의 그룹의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 수직 방향을 따라 배치될 수 있고, 각각의 분사 노즐(16_1 내지 16_N)은 하우징(11)의 측면으로부터 앞쪽 부분의 중간 부분 또는 안쪽 방향으로 연장될 수 있다. 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 다양한 방법으로 배치될 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)에 다수 개의 분사 홀이 형성될 수 있다. 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 선형으로 연장될 수 있고, 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)의 연장 방향을 따라 다수 개의 분사 홀이 형성될 수 있다. 가이드 블록(14a, 14b)의 내부로 주입된 기체는 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)로 유동될 수 있다. 이후 기체는 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)에 형성된 분사 홀을 통하여 외부로 분사되면서 웨이퍼의 표면에 잔존하는 기체 또는 오염 물질을 제거할 수 있다. 분사 홀은 기체 분사가 가능한 다양한 구조로 만들어질 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
본 발명의 하나의 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 둘레 방향을 따라 회전 가능하다. 도 1의 오른쪽에 제시된 것처럼, 각각의 분사 홀(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)의 끝 부분에 피니언 기어와 유사한 기능을 하는 실린더 또는 드럼 형상의 회전 유도 유닛(18_1 내지 18_N)이 결합될 수 있다. 회전 유도 유닛(18_1 내지 18_N)의 둘레 면에 맞물림 이빨이 형성되어 선형 브래킷(17)에 맞물려 회전될 수 있다. 선형 브래킷(17)은 수직 방향으로 연장되는 한 쌍의 수직 연장 부분 및 한 쌍의 수직 연장 부분의 위쪽 끝을 연결하는 연결 부분으로 이루어질 수 있다. 한 쌍의 수직 연장 부분은 랙 기어와 유사한 형상을 가질 수 있고, 회전 유도 유닛(18_1 내지 18_N)의 맞물림 이빨과 맞물리는 선형 이빨이 형성될 수 있다. 연결 부분의 중간 부분에 이동 탭(171)이 형성되어 탭 가이드(172)를 따라 상하로 이동될 수 있다. 이동 탭(171)은 예를 들어 공기압, 모터 또는 이와 유사한 같은 구동 수단에 의하여 상하로 이동될 수 있고, 이동 탭(171)의 상하로 이동되면 이에 따라 한 쌍의 수직 연장 부분이 상하로 이동될 수 있다. 이에 따라 한 쌍의 수직 연장 부분에 맞물린 회전 유도 유닛(18_1 내지 18_N)이 회전되면서 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)이 회전될 수 있다. 다수 개의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 다양한 방법으로 회전될 수 있고, 예를 들어 제1 그룹 분사 노즐(15_1 내지 15_N)과 제2 그룹 분사 노즐(16_1 내지 16_N)이 독립적으로 둘레 방향을 따라 회전될 수 있다. 또는 각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)이 독립적으로 둘레 방향을 따라 회전될 수 있다. 선형 브래킷(17)과 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)이 기어에 의하여 맞물려 회전되면서 선형 브래킷(17)의 상하 이동에 의하여 분사 홀의 각도가 조절될 수 있다. 분사 홀의 각도는 예를 들어 웨이퍼의 외경에 따라 조절되거나, 공정의 종류에 따른 웨이퍼의 상태에 따라 조절될 수 있다. 선형 브래킷(17)이 상하로 왕복 운동을 하면 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)에 형성된 분사 홀의 분사 방향의 변하면서 풍향이 계속적으로 변할 수 있다. 이에 의하여 질소 또는 CDA와 같은 기체가 전체 웨이퍼의 표면에 균일하게 분사되어 잔존 가스 또는 퓸(Fume)과 같은 오염 물질이 효과적으로 제거될 수 있다. 분사 홀의 분사 각도의 조절은 다양한 방법으로 이루어질 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
도 2는 본 발명에 따른 가스 제거 장치를 위한 분사 노즐의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 다수 개의 분사 노즐(15_1, 15_2)은 동일 또는 유사한 형상을 가지면서 수직 방향을 따라 일정한 간격을 가지도록 배치될 수 있다. 각각의 분사 노즐(15_1, 15_2)은 가이드 블록(14a)으로 하우징(11)에 형성된 적재 공간(12)의 안쪽으로 엔드 이펙터(end effector)의 측면으로부터 일정 거리(X)에 이르는 지점까지 연장될 수 있다. 또한 각각의 분사 노즐(15_1, 15_2)의 아래쪽 부분은 적재를 위하여 적재 공간(12)으로 이동되는 웨이퍼(W)의 위쪽 면으로 일정 높이(Y)가 되도록 위치할 수 있다. 일정 거리(X) 및 일정 높이(Y)는 다양한 방법으로 결정될 수 있고, 설정된 일정 높이(Y)에 의하여 수직 방향으로 서로 인접하는 분사 노즐(15_1, 15_2)의 수직 거리가 결정될 수 있다. 도 2의 오른쪽을 참조하면, 각각의 분사 노즐(15_1, 15_2)은 선형 봉 형상이 될 수 있고, 각각의 분사 노즐(15_1, 15_2)의 연장 방향을 따라 다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_L)이 형성될 수 있다. 또한 각각의 분사 노즐(15_1, 15_2)의 한쪽 끝에 실린더 또는 드럼 형상의 회전 유도 유닛(18_1)이 결합될 수 있다.
본 발명의 하나의 실시 예에 따르면, 다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_N)은 분사 노즐(15_1 내지 15_1)의 연장 방향을 따라 나선 형태로 형성될 수 있다. 구체적으로 분사 노즐(15_1, 15_2)의 중심에 위치하는 분사 홀(21_K)의 위치가 결정될 수 있고 이에 기초하여 분사 노즐(15_1, 15_2)의 양쪽 방향으로 처음에 위치하는 분사 홀(21_1)과 끝 부분에 위치하는 분사 홀(21_N)의 위치가 결정될 수 있다. 예를 들어 제1 분사 홀(21_1)은 중간 분사 홀(21_K)로부터 시계 방향으로 원주각이 45도가 되는 지점에 위치할 수 있다. 마지막 분사 홀(21_N)이 반시계 방향으로 원주각이 45도가 되는 지점에 위치할 수 있다. 이와 같은 분사 노즐(15_1, 15_2)을 둘레 면을 따른 분사 홀(21_1 내지 21_N)의 위치는 웨이퍼(W)를 기준으로 결정될 수 있다. 구체적으로 웨이퍼(W)의 중심에 위치하는 분사 홀(21_K)은 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 수직으로 연장되면서 분사 노즐의 중심을 지나는 직선과 예를 들어 70 내지 80도의 각도를 이룰 수 있다. 그리고 이를 기준으로 가장 먼 곳에 위치하는 분사 홀(예를 들어 21_N 또는 21_1)은 수직 연장 직선과 20도의 각도가 되는 위치에 형성될 수 있다. 그리고 나머지 분사 홀(21_1 내지 21_N)은 그 사이 범위의 각도가 되는 위치에 형성될 수 있다. 이와 같이 분사 노즐(15_1 내지 15_2)의 둘레 면을 따라 나선 형태로 형성된 다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_N)에 의하여 분사되는 질소가 같은 기체가 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 소실되지 않고 모두 웨이퍼(W)의 표면으로 분사되도록 한다. 분사 홀(21_1 내지 21_N)은 분사되는 기체가 웨이퍼의 표면으로 유도될 수 있도록 하는 다양한 구조로 형성될 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
도 3은 본 발명에 따른 가스 제거 장치에서 가스 또는 오염 물질의 제거를 위한 기체 유동 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)의 각각은 하우징(11)의 측면으로부터 안쪽 방향으로 연장되면서 바깥쪽으로 경사질 수 있다. 웨이퍼(W)가 엔드 이펙터(E)에 의하여 하우징(11)에 형성된 적재 공간(12)으로 이동될 수 있고, 웨이퍼(W)는 하우징(11)의 입구를 통하여 적재 공간(12)으로 이동될 수 있다. 도 3의 좌측에 도시된 것처럼, 웨이퍼(W)는 분사 노즐(15_1, 16_1)의 한쪽 끝이 고정되면서 하우징(11)의 입구에 형성된 노즐 고정 블록을 통과할 수 있다. 분사 노즐(15_1, 16_1)은 고정된 한쪽 끝으로 연장되면서 바깥쪽 방향으로 경사질 수 있다. 하우징(11)의 뒤쪽에 배기구(32)가 형성될 수 있고, 웨이퍼(W)가 예를 들어 1/3이 진입된 시점에서 분사 노즐(15_1, 16_1)로부터 기체가 분사되지 않을 수 있다. 이후 웨이퍼(W)가 적재 공간(12)으로 이동되면서 웨이퍼(W)의 1/2가 진입된 상태에서 분사 노즐(15_1, 16_1)로부터 잔존 기체 또는 오염 물질의 제거를 위한 기체가 분사될 수 있다. 분사 노즐(15_1, 16_1)로부터 분사되는 기체는 웨이퍼(W)의 진입된 부분에 표면에 분사될 수 있다. 도 3의 오른쪽에 도시된 것처럼, 웨이퍼(W)가 적재 공간(12)의 내부로 완전히 진입하여 적재된 상태가 되면 분사 노즐(15_1, 16_1)로부터 기체가 웨이퍼(W)의 표면 전체에 걸쳐 분사될 수 있다. 이와 같이 웨이퍼(W)가 적재 공간(12)에 완전히 진입되어 적재된 상태에서 분사 노즐(15_1, 16_1)로부터 기체가 웨이퍼(W)의 전체 표면에 균일하게 분사될 수 있다. 분사 노즐(15_1, 16_1)로부터 기체의 분사는 다양한 방법으로 조절될 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
도 4는 본 발명에 따른 제거 장치에서 분사 노즐에 의한 기체 분사 형태의 실시 예를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 분사 노즐(15_1)에 다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_K)이 형성될 수 있고, 분사 홀(21_1 내지 21_K)은 분사 노즐(15_1)의 연장 방향을 따라 나선 형태로 배치될 수 있다. 이와 같은 분사 노즐(15_1)의 길이 방향을 따른 분사 홀(21_1 내지 21_K)의 배치 위치는 웨이퍼(W)를 기준으로 결정될 수 있다. 구체적으로 웨이퍼(W)의 중심과 인접하는 부분과 대응되는 위치에 형성된 분사 홀(예를 들어 21_K)은 적재된 상태의 웨이퍼(W)를 기준으로 가장 작은 각도를 형성할 수 있다. 그리고 웨이퍼(W)의 중심으로부터 멀어지는 부분에 대응되는 위치에 형성된 분사 홀(예를 들어 21_1)은 웨이퍼(W)를 기준으로 큰 각도를 형성할 수 있다. 구체적으로 적재된 상태의 웨이퍼(W)의 가장자리에 기체가 도달되도록 분사 홀(21_1 내지 21_K)이 형성될 수 있다. 위에서 설명된 것처럼, 분사 노즐(15_1 내지 16_1)은 연장 방향을 따라 바깥쪽으로 경사질 수 있고, 경사 수준은 분사 노즐(15_1, 16_1)의 끝 부분에 형성된 분사 홀(예를 들어 21_K)의 적재된 상태의 웨이퍼(W)의 중심을 향하는 정도가 될 수 있다. 이와 같은 경사지도록 연장되는 분사 노즐(15_1, 16_1)의 연장 구조 및 나선 형태의 분사 홀(21_1 내지 21_K)의 형성 구조에 의하여 분사 홀(21_1 내지 21_K)로부터 분사되는 기체는 웨이퍼(W)의 전체 표면에 균일하게 유동되어 웨이퍼 표면의 잔존 가스 또는 퓸과 같은 오염 물질을 제거할 수 있다. 도 4의 오른쪽을 참조하면, 분사 노즐(15_1, 16_1)은 하우징(11)의 입구의 앞쪽 또는 적재 공간(12)의 앞쪽에 배치되면서 양쪽으로 배치될 수 있다. 그리고 분사 홀(21_1 내지 21_K)로부터 분사되는 기체는 적재된 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 중심으로부터 양쪽 방향으로 점차로 직경이 작아지는 다수 개의 원 형태의 유동 경로를 형성할 수 있다. 이에 의하여 분사되는 기체가 유실되지 않으면서 웨이퍼(W)의 전체 표면에 균일하게 분사될 수 있다. 웨이퍼 표면에 대한 기체의 분사 조절은 다양한 방법으로 이루어질 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
도 5는 본 발명에 따른 제거 장치의 내부에서 웨이퍼가 적재되는 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, 적재 공간(12)의 배치되어 웨이퍼(W)가 적재되도록 하는 다수 개의 적재 부재(51_1 내지 51_K)를 더 포함하고, 각각의 적재 부재(51_ 내지 51_K)의 끝 부분에 웨이퍼(W)와 접촉되는 구형, 뿔 형태 또는 반구형의 접촉 팁(52_1 내지 52_K)이 형성된다.
다수 개의 웨이퍼(W)의 적재를 위하여 적재 공간(12)에 다수 개의 적재 부재(51_1 내지 51_K)가 배치될 수 있고, 적재 부재(51_1 내지 51_K)는 웨이퍼(W)의 아래쪽 면을 받칠 수 있다. 다수 개의 적재 부재(51_1 내지 51_K)의 웨이퍼(W)의 적어도 한 부분이 받쳐질 수 있다. 이와 같은 기능을 가지는 적재 부재(51_1 내지 51_K)에 오염 물질이 존재할 수 있고, 적재 부재(51_1 내지 51_K)가 접촉되는 웨이퍼 부분은 질소 또는 CDA와 같은 기체에 의하여 잔존 기체 또는 오염 물질이 제거되지 않을 수 있다. 그러므로 웨이퍼(W)가 적재 부재(51_1 내지 51_K)와 접촉되는 부분이 작아질수록 유리하다. 다수 개의 적재 부재(51_1 내지 51_K)는 부재 고정 블록(53)에 한쪽 끝이 고정되면서 수직 방향을 따라 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 그리고 각각의 적재 부재(51_1 내지 51_K)의 끝 부분에 구형, 뿔 형태 또는 반구형의 접촉 팁(52_1 내지 52_K)이 형성될 수 있다. 이에 의하여 웨이퍼(W)가 적재 부재(51_1 내지 51_K)의 끝 부분과 점접촉이 되면서 접촉 면적이 최소로 될 수 있다. 접촉 팁(52_1 내지 52_K)은 적재 부재(51_1 내지 51_K)의 끝 부분을 제외한 다른 부분이 웨이퍼(W)로부터 분리되도록 하면서 웨이퍼(W)에 대한 접촉 면적이 최소가 되도록 하는 다양한 형상을 가질 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
도 6은 본 발명에 따른 제거 장치를 위한 배출 플레이트의 실시 예를 도시한 것이다.
도 6을 참조하면, 하우징(11)의 뒤쪽 면에 형성되는 배출 모듈(61)을 더 포함하고, 배출 모듈(61)은 다수 개의 관통 홀(63_1 내지 63_N)이 균일하게 형성된 배출 플레이트(62)를 포함한다. 하우징(11)에 배치된 분사 노즐로부터 분사된 기체는 웨이퍼로부터 분리된 잔존 기체 또는 오염 물질을 포함할 수 있고, 하우징(11)의 외부로 배출되어 처리될 필요가 있다. 하우징(11)의 뒤쪽의 위쪽 부분에 배출 모듈(61)이 형성될 수 있고, 배출 모듈(61)을 통하여 기체가 외부로 배출될 수 있다. 배출 모듈(61)에 형성된 배출구에 배출 도관이 연결되어 하우징(11)의 내부로부터 외부로 기체가 배출될 수 있다. 배출 모듈(61)의 안쪽에 배출 플레이트(62)가 형성될 수 있고, 배출 플레이트(62)는 전체적으로 사각형 구조가 될 수 있다. 배출 플레이트(62)에 다수 개의 관통 홀(63_1 내지 63_N)이 이차원 행렬 형태로 균일하게 형성될 수 있고, 다수 개의 관통 홀(63_1 내지 63_N)을 통하여 배출 기체가 유동되어 배출구를 통하여 외부로 배출될 수 있다. 다수 개의 관통 홀(63_1 내지 63_N)을 통하여 배출 기체가 압력이 조절되면서 효율적으로 배출구를 통하여 배출될 수 있다. 배출 플레이트(62)는 다양한 구조를 가질 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다.
11: 하우징 12: 적재 공간
15_1 내지 15_N: 분사 노즐 16_1 내지 16_N: 분사 노즐
21_1 내지 21_N: 분사 홀 51_1 내지 51_K: 적재 부재
52_1 내지 52_K: 접촉 팁 61: 배출 모듈
62: 배출 플레이트 63_1 내지 63_N: 관통 홀
15_1 내지 15_N: 분사 노즐 16_1 내지 16_N: 분사 노즐
21_1 내지 21_N: 분사 홀 51_1 내지 51_K: 적재 부재
52_1 내지 52_K: 접촉 팁 61: 배출 모듈
62: 배출 플레이트 63_1 내지 63_N: 관통 홀
Claims (8)
- 하우징(11)의 내부에 형성되는 적재 공간(12)의 앞쪽에 형성되면서 각각이 수평 방향을 따라 선형으로 연장되는 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N); 및
각각의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)의 연장 방향을 따라 형성된 다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_L)을 포함하고,
다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_L)로부터 분사되는 기체 또는 CDA(Clean Dry Air)에 의하여 웨이퍼 표면에 잔존하는 가스 또는 오염 물질이 제거되고,
다수 개의 분사 홀(21_1 내지 21_L)은 분사 노즐(15_1 내지 15_1, 16_1 내지 16_N)의 연장 방향을 따라 나선 형태로 위치하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치. - 청구항 1에 있어서, 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 수직 방향으로 배치되는 다수 개로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치.
- 청구항 1에 있어서, 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 서로 마주보도록 배치되는 제1 그룹 분사 노즐(15_1 내지 15_N) 및 제2 그룹 분사 노즐(16_1 내지 16_N)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서, 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)은 둘레 방향을 따라 회전 가능한 것을 특징으로 하는 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치.
- 청구항 1에 있어서, 적어도 하나의 분사 노즐(15_1 내지 15_N, 16_1 내지 16_N)의 각각은 하우징(11)의 측면으로부터 안쪽 방향으로 연장되면서 바깥쪽으로 경사지는 것을 특징으로 하는 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치.
- 청구항 1에 있어서, 적재 공간(12)에 배치되어 웨이퍼(W)가 적재되도록 하는 다수 개의 적재 부재(51_1 내지 51_K)를 더 포함하고, 각각의 적재 부재(51_ 내지 51_K)의 끝 부분에 웨이퍼(W)와 접촉되는 구형, 뿔 형태 또는 반구형의 접촉 팁(52_1 내지 52_K)이 형성되는 것을 특징으로 하는 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치.
- 청구항 1에 있어서, 웨이퍼로부터 제거된 가스 또는 오염 물질이 포함된 분사된 기체를 하우징(11)의 외부로 배출하도록 하우징(11)의 뒤쪽 면에 형성되는 배출 모듈(61)을 더 포함하고, 배출 모듈(61)은 다수 개의 관통 홀(63_1 내지 63_N)이 균일하게 형성된 배출 플레이트(62)를 포함하는 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020230126014A KR102634530B1 (ko) | 2023-09-21 | 2023-09-21 | 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020230126014A KR102634530B1 (ko) | 2023-09-21 | 2023-09-21 | 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102634530B1 true KR102634530B1 (ko) | 2024-02-07 |
Family
ID=89873010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230126014A KR102634530B1 (ko) | 2023-09-21 | 2023-09-21 | 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102634530B1 (ko) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100989887B1 (ko) | 2010-05-24 | 2010-10-26 | 지이에스(주) | 웨이퍼 잔존가스 제거장치 |
| KR101075171B1 (ko) * | 2011-02-01 | 2011-10-19 | 주식회사 에스엠아이 | 가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지 |
| KR20150087152A (ko) | 2015-03-16 | 2015-07-29 | 우범제 | 퓸 제거 장치 |
| KR101670383B1 (ko) * | 2015-03-10 | 2016-10-28 | 우범제 | 퍼지가스 분사 플레이트 및 이를 구비한 퓸 제거 장치 |
| KR200483073Y1 (ko) * | 2016-07-15 | 2017-04-11 | 오션브릿지 주식회사 | 웨이퍼 스토리지용 퓸 제거 장치 |
| KR101874809B1 (ko) | 2018-02-08 | 2018-07-05 | 김원기 | 오염물질 배출 장치 |
-
2023
- 2023-09-21 KR KR1020230126014A patent/KR102634530B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100989887B1 (ko) | 2010-05-24 | 2010-10-26 | 지이에스(주) | 웨이퍼 잔존가스 제거장치 |
| KR101075171B1 (ko) * | 2011-02-01 | 2011-10-19 | 주식회사 에스엠아이 | 가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지 |
| KR101670383B1 (ko) * | 2015-03-10 | 2016-10-28 | 우범제 | 퍼지가스 분사 플레이트 및 이를 구비한 퓸 제거 장치 |
| KR20150087152A (ko) | 2015-03-16 | 2015-07-29 | 우범제 | 퓸 제거 장치 |
| KR200483073Y1 (ko) * | 2016-07-15 | 2017-04-11 | 오션브릿지 주식회사 | 웨이퍼 스토리지용 퓸 제거 장치 |
| KR101874809B1 (ko) | 2018-02-08 | 2018-07-05 | 김원기 | 오염물질 배출 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101366135B1 (ko) | 포스트 퍼지 장치 | |
| US8043469B2 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium | |
| KR101541890B1 (ko) | 에어 챔버를 포함하는 습식 스크러버 | |
| KR100304147B1 (ko) | 반송척의세정장치및세정방법 | |
| KR100989887B1 (ko) | 웨이퍼 잔존가스 제거장치 | |
| KR100514716B1 (ko) | 공기 청정 장치 및 방법 | |
| TWI571950B (zh) | 液體處理裝置 | |
| JP5129042B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
| CN209981177U (zh) | 晶圆清洗装置 | |
| JP2017092079A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR102634530B1 (ko) | 분사 노즐 구조의 웨이퍼 잔존 가스 제거 장치 | |
| KR102360260B1 (ko) | 웨이퍼-형상 물체를 프로세싱하는 방법 및 장치 | |
| KR101870653B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| CN107424896B (zh) | 腔室清洁*** | |
| KR100500430B1 (ko) | 흡입형 기체유동을 이용한 대기압 플라즈마 표면처리장치및 그처리방법 | |
| TW202310120A (zh) | 風口擴散器 | |
| KR20210147922A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| JP6800043B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR102007523B1 (ko) | 기판 세정 시스템 | |
| KR20170137247A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20070114959A (ko) | 자동 세정 장치 및 이를 이용한 로봇 암 세정 방법 | |
| US20230201856A1 (en) | Apparatus and method for cleaning fluid discharging nozzle | |
| KR102483378B1 (ko) | 포켓형 노즐 세척장치 | |
| KR102284471B1 (ko) | 처리액 노즐 및 기판 처리 장치 | |
| CN220216144U (zh) | 一种清洗槽及晶圆槽式清洗机 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |