KR102629838B1 - 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기 - Google Patents

화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR102629838B1
KR102629838B1 KR1020177003632A KR20177003632A KR102629838B1 KR 102629838 B1 KR102629838 B1 KR 102629838B1 KR 1020177003632 A KR1020177003632 A KR 1020177003632A KR 20177003632 A KR20177003632 A KR 20177003632A KR 102629838 B1 KR102629838 B1 KR 102629838B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
formula
substituted
compound
Prior art date
Application number
KR1020177003632A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180015604A (ko
Inventor
도모키 가토
마사히로 가와무라
마사카즈 후나하시
Original Assignee
이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 filed Critical 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Publication of KR20180015604A publication Critical patent/KR20180015604A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102629838B1 publication Critical patent/KR102629838B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/61—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton with at least one of the condensed ring systems formed by three or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
    • C07D333/04—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom
    • C07D333/06—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to the ring carbon atoms
    • C07D333/14—Radicals substituted by singly bound hetero atoms other than halogen
    • C07D333/20—Radicals substituted by singly bound hetero atoms other than halogen by nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/86—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D307/91—Dibenzofurans; Hydrogenated dibenzofurans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
    • C07D333/04—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom
    • C07D333/06—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to the ring carbon atoms
    • C07D333/14—Radicals substituted by singly bound hetero atoms other than halogen
    • C07D333/18—Radicals substituted by singly bound hetero atoms other than halogen by sulfur atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/50—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D333/76—Dibenzothiophenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
    • C07C2603/06—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members
    • C07C2603/10—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings
    • C07C2603/12—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings only one five-membered ring
    • C07C2603/18—Fluorenes; Hydrogenated fluorenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/40—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing four condensed rings
    • C07C2603/42—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing four condensed rings containing only six-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/93—Spiro compounds
    • C07C2603/94—Spiro compounds containing "free" spiro atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
  • Furan Compounds (AREA)

Abstract

식(1)로 표시되는 화합물은, 저전압 구동이 가능한 장수명 유기 전기발광 소자를 실현할 수 있는 재료이다.
Figure 112017013487375-pct00158

(식(1)에 있어서, R1∼R4, a∼d, L0∼L2, 및 Ar은 명세서에 있어서 정의한 대로이다.)

Description

화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기{COMPOUND, MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENTS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은, 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기에 관한 것이다.
일반적으로 유기 전기발광 소자(유기 EL 소자)는 양극, 음극, 및 양극과 음극에 끼워진 1 이상의 층을 포함하는 유기 박막층으로 구성되어 있다. 양 전극 사이에 전압이 인가되면, 음극측으로부터 전자, 양극측으로부터 정공이 발광 영역에 주입되고, 주입된 전자와 정공은 발광 영역에서 재결합하여 여기 상태를 생성하고, 여기 상태가 기저 상태로 돌아올 때에 광을 방출한다. 따라서, 전자 또는 정공을 효율적으로 발광 영역에 수송하여, 전자와 정공의 재결합을 용이하게 하는 화합물의 개발은 고효율 유기 EL 소자를 얻는데 있어서 중요하다.
특허문헌 1은, 9,9'-스파이로바이플루오렌, 9,9-다이메틸플루오렌, 및 페난트렌이 동일한 질소 원자에 직접 결합한 아민 화합물을 기재하고 있다. 특허문헌 1의 아민 화합물은 정공 수송 재료로서 적합하다고 기재되어 있지만, 상기 아민 화합물을 포함하는 유기 EL 소자의 성능은 기재되어 있지 않다.
특허문헌 2는, 9,9'-스파이로바이플루오렌, 3개의 페닐기로 치환된 트라이페닐렌, 및 벤젠, 나프탈렌, 9,9-다이메틸플루오렌, 페난트렌 등으로부터 선택되는 아렌이 동일한 질소 원자에 직접 결합한 아민 화합물을 기재하고 있다. 특허문헌 2의 아민 화합물은 발광층 또는 정공 수송층에 사용되는 것이 기재되어 있지만, 상기 아민 화합물을 포함하는 유기 EL 소자의 성능은 기재되어 있지 않다.
특허문헌 3은, 치환 또는 비치환된 트라이페닐렌, 9,9-다이메틸플루오렌, 및 바이페닐 또는 터페닐이 동일한 질소 원자에 결합한 아민 화합물을 기재하고 있다. 실시예에서 제작된 유기 EL 소자에서는, 이들 아민 화합물은 정공 수송층에 포함되어 있다.
특허문헌 4는, 바이페닐, 9,9-다이페닐플루오렌, 및 페닐기로 치환된 트라이페닐렌이 동일한 질소 원자에 결합한 아민 화합물을 기재하고 있다. 특허문헌 4의 아민 화합물은 정공 수송층 등에 사용되는 것이 기재되어 있지만, 상기 아민 화합물을 포함하는 유기 EL 소자의 성능은 기재되어 있지 않다.
특허문헌 1∼4에 기재된 아민 화합물은, 유기 EL 소자 성능, 특히 구동 전압과 수명에 관해서 더한 개선이 필요했다.
일본 특허공개 2013-544757호 공보 일본 특허공개 2010-132638호 공보 일본 특허공개 2014-509306호 공보 한국 20130078749A호 공보
본 발명은, 상기의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 저전압 구동이 가능한 장수명 유기 EL 소자 및 이를 실현할 수 있는 유기 EL 소자용 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 연구를 거듭한 결과, 하기 식(1)로 표시되는 화합물을 이용하는 것에 의해, 저전압 구동이 가능하고 장수명인 유기 EL 소자가 얻어진다는 것을 발견했다.
즉, 일 태양에 있어서, 본 발명은 식(1)로 표시되는 화합물을 제공한다.
Figure 112017013487375-pct00001
〔식 중,
R1∼R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기, 할로젠 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 플루오로알콕시기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴옥시기, 또는 사이아노기를 나타낸다.
a는 0∼3의 정수이며, b, c 및 d는 각각 독립적으로 0∼4의 정수를 나타낸다. (R1)0, (R2)0, (R3)0, 및 (R4)0은, 각각, R1, R2, R3 또는 R4가 존재하지 않는 것을 의미한다. a, b, c 또는 d가 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 2 또는 3개의 R1, 2∼4개의 R2, 2∼4개의 R3, 및 2∼4개의 R4는 각각 동일해도 상이해도 되고, 인접하는 2개의 R1, 인접하는 2개의 R2, 인접하는 2개의 R3, 및 인접하는 2개의 R4는 각각 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 된다.
L0∼L2는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴렌기를 나타낸다.
Ar은 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴기를 나타낸다.
상기 「치환 또는 비치환」이라고 할 때의 임의의 치환기는, 탄소수 1∼20의 알킬기; 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기; 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기; 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기를 갖는 탄소수 7∼30의 아르알킬기; 탄소수 1∼20의 알콕시기; 환형성 탄소수 6∼10의 아릴옥시기; 탄소수 1∼20의 알킬기 및 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 모노치환, 다이치환 또는 트라이치환 실릴기; 탄소수 1∼20의 할로알킬기; 탄소수 1∼20의 할로알콕시기; 할로젠 원자; 사이아노기; 및 나이트로기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 기이다.〕
다른 태양에 있어서, 본 발명은 화합물(1)을 포함하는 유기 전기발광 소자용 재료를 제공한다.
또 다른 태양에 있어서, 본 발명은 음극, 양극, 및 해당 음극과 해당 양극 사이에 배치된 유기 박막층을 갖는 유기 전기발광 소자로서, 해당 유기 박막층은 1 또는 복수의 층을 포함하고, 해당 유기 박막층은 발광층을 포함하며, 해당 유기 박막층의 적어도 1층이 화합물(1)을 포함하는 유기 전기발광 소자를 제공한다.
또 다른 태양에 있어서, 본 발명은, 상기 유기 전기발광 소자를 구비하는 전자 기기를 제공한다.
상기 화합물(1)을 이용하여 제작한 유기 EL 소자는 저전압 구동이 가능하고 장수명이다.
도 1은 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
본 명세서에 있어서, 「치환 또는 비치환된 탄소수 XX∼YY의 ZZ기」라고 하는 표현에 있어서의 「탄소수 XX∼YY」는, ZZ기가 비치환인 경우의 탄소수를 나타내는 것이고, 치환되어 있는 경우의 치환기의 탄소수는 포함시키지 않는다.
본 명세서에 있어서, 「치환 또는 비치환된 원자수 XX∼YY의 ZZ기」라고 하는 표현에 있어서의 「원자수 XX∼YY」는, ZZ기가 비치환인 경우의 원자수를 나타내는 것이고, 치환되어 있는 경우의 치환기의 원자수는 포함시키지 않는다.
본 명세서에 있어서, 「치환 또는 비치환된 ZZ기」라고 하는 경우에 있어서의 「비치환 ZZ기」란, ZZ기의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있지 않은 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 「수소 원자」란, 중성자수가 상이한 동위체, 즉, 경수소(protium), 중수소(deuterium), 및 삼중수소(tritium)를 포함한다.
본 명세서에 있어서, 「환형성 탄소수」란, 원자가 환상으로 결합한 구조의 화합물(예를 들어, 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물, 헤테로환 화합물)의 당해 환 자체를 구성하는 원자 중 탄소 원자의 수를 나타낸다. 당해 환이 치환기에 의해 치환되는 경우, 치환기에 포함되는 탄소는 환형성 탄소에는 포함하지 않는다. 이하에서 기재되는 「환형성 탄소수」에 대해서는, 특필하지 않는 한 마찬가지로 한다. 예를 들어, 벤젠환은 환형성 탄소수가 6이고, 나프탈렌환은 환형성 탄소수가 10이며, 피리딘일기는 환형성 탄소수 5이고, 퓨란일기는 환형성 탄소수 4이다. 또한, 벤젠환이나 나프탈렌환에 치환기로서 예를 들어 알킬기가 치환하고 있는 경우, 당해 알킬기의 탄소수는, 환형성 탄소수의 수에 포함시키지 않는다. 또한, 플루오렌환에 치환기로서 예를 들어 플루오렌환이 결합하고 있는 경우(스파이로플루오렌환을 포함한다), 치환기로서의 플루오렌환의 탄소수는 환형성 탄소수에 포함시키지 않는다.
본 명세서에 있어서, 「환형성 원자수」란, 원자가 환상으로 결합한 구조(예를 들어 단환, 축합환, 환집합)의 화합물(예를 들어 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물, 헤테로환 화합물)의 당해 환 자체를 구성하는 원자의 수를 나타낸다. 환을 구성하지 않는 원자(예를 들어 환을 구성하는 원자의 결합손을 종단하는 수소 원자)나, 당해 환이 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 환형성 원자수에는 포함하지 않는다. 이하에서 기재되는 「환형성 원자수」에 대해서는, 특필하지 않는 한 마찬가지로 한다. 예를 들어, 피리딘환은 환형성 원자수는 6이고, 퀴나졸린환은 환형성 원자수가 10이며, 퓨란환의 환형성 원자수는 5이다. 피리딘환이나 퀴나졸린환의 환형성 탄소 원자에 각각 결합하고 있는 수소 원자나 치환기를 구성하는 원자는, 환형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다. 또한, 플루오렌환에 치환기로서 예를 들어 플루오렌환이 결합하고 있는 경우(스파이로바이플루오렌환을 포함한다), 치환기로서의 플루오렌환의 원자수는 환형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다.
본 발명의 일 태양에 따른 화합물은 식(1)로 표시된다(이하, 「화합물(1)」이라고 칭하는 경우도 있다).
Figure 112017013487375-pct00002
화합물(1)은 바람직하게는 하기 식(1-1)∼(1-4) 중 어느 하나로 표시된다.
Figure 112017013487375-pct00003
상기 식(1-1)은 바람직하게는 하기 식(1-1a) 또는 (1-1b)로 표시된다.
Figure 112017013487375-pct00004
상기 식(1-2)는 바람직하게는 하기 식(1-2a) 또는 (1-2b)로 표시된다.
Figure 112017013487375-pct00005
상기 식(1-3)은 바람직하게는 하기 식(1-3a) 또는 (1-3b)로 표시된다.
Figure 112017013487375-pct00006
상기 식(1-4)는 바람직하게는 하기 식(1-4a) 또는 (1-4b)로 표시된다.
Figure 112017013487375-pct00007
R1∼R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴기, 할로젠 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 플루오로알콕시기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴옥시기, 또는 사이아노기를 나타낸다.
R1∼R4는, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기, 및 할로젠 원자로부터 선택되는 것이 바람직하다.
상기 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기에 있어서, 해당 알킬기로서는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 펜틸기(이성체를 포함한다), 헥실기(이성체를 포함한다), 헵틸기(이성체를 포함한다), 옥틸기(이성체를 포함한다), 노닐기(이성체를 포함한다), 데실기(이성체를 포함한다), 운데실기(이성체를 포함한다), 및 도데실기(이성체를 포함한다) 등을 들 수 있고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 및 펜틸기(이성체를 포함한다)가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, 및 t-뷰틸기가 보다 바람직하고, 메틸기 및 t-뷰틸기가 더 바람직하다.
상기 치환 또는 비치환된 환탄소수 6∼10의 아릴기에 있어서, 해당 아릴기로서는, 페닐기 및 나프틸기를 들 수 있고, 페닐기가 바람직하다.
상기 할로젠 원자는 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자 및 아이오딘 원자이며, 불소 원자가 바람직하다.
상기 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기에 있어서, 해당 플루오로알킬기로서는, 예를 들어, 상기의 탄소수 1∼20의 알킬기의 적어도 1개, 바람직하게는 1∼7개 수소 원자, 또는 모든 수소 원자를 불소 원자로 치환하여 얻어지는 기를 들 수 있고, 헵타플루오로프로필기(이성체를 포함한다), 펜타플루오로에틸기, 2,2,2-트라이플루오로에틸기, 트라이플루오로메틸기가 바람직하고, 펜타플루오로에틸기, 2,2,2-트라이플루오로에틸기, 트라이플루오로메틸기가 보다 바람직하고, 트라이플루오로메틸기가 더 바람직하다.
상기 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기는 -OR11로 표시되고, R11은 상기의 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기를 나타낸다. 해당 알콕시기로서는, t-뷰톡시기, 프로폭시기(이성체를 포함한다), 에톡시기, 메톡시기가 바람직하고, 에톡시기, 메톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기가 더 바람직하다.
상기 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 플루오로알콕시기는 -OR12로 표시되고, R12는 상기의 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기를 나타낸다. 해당 플루오로알콕시기로서는, 헵타플루오로프로폭시기(이성체를 포함한다), 펜타플루오로에톡시기, 2,2,2-트라이플루오로에톡시기, 트라이플루오로메톡시기가 바람직하고, 펜타플루오로에톡시기, 2,2,2-트라이플루오로에톡시기, 트라이플루오로메톡시기가 보다 바람직하고, 트라이플루오로메톡시기가 더 바람직하다.
상기 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴옥시기는 -OR13으로 표시되고, R13은 상기의 치환 또는 비치환된 환탄소수 6∼10의 아릴기를 나타낸다. 해당 아릴기는, 페닐기 또는 나프틸기인 것이 바람직하고, 페닐기인 것이 보다 바람직하다.
a는 0∼3의 정수, 바람직하게는 0∼2의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다. b, c 및 d는 각각 독립적으로 0∼4의 정수, 바람직하게는 0∼2의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다. 본 발명의 일 태양에 있어서는 a∼d의 모두가 0인 것이 바람직하고, 다른 태양에 있어서는 b, c 및 d로부터 선택되는 1∼3개가 1인 것이 바람직하다.
a∼d의 각각이 0인 경우, 즉, (R1)0, (R2)0, (R3)0, 및 (R4)0은, 각각, R1, R2, R3 또는 R4가 존재하지 않는 것, 즉, R1, R2, R3 또는 R4로 치환되어 있지 않은 것을 의미한다.
a, b, c 또는 d가 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 2 또는 3개의 R1, 2∼4개의 R2, 2∼4개의 R3, 및 2∼4개의 R4는 각각 동일해도 상이해도 되고, 인접하는 2개의 R1, 인접하는 2개의 R2, 인접하는 2개의 R3, 및 인접하는 2개의 R4는, 각각, 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 되고, 환 구조를 형성하지 않아도 되다. 환 구조는, 방향족 탄화수소환, 및 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등의 환형성 헤테로원자를 갖는 방향족 헤테로환이 바람직하다.
Ar은, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50, 바람직하게는 6∼24, 보다 바람직하게는 6∼12의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50, 바람직하게는 5∼24, 보다 바람직하게는 5∼18의 헤테로아릴기를 나타낸다.
Ar의 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기에 있어서, 해당 아릴기로서는, 예를 들어, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 바이페닐렌일기, 나프틸기, 아세나프틸렌일기, 안트릴기, 벤즈안트릴기, 아세안트릴기, 벤조페난트릴기, 트라이페닐렌일기, 페날렌일기, 플루오렌일기, 펜타센일기, 피센일기, 펜타페닐기, 피렌일기, 크라이센일기, 벤조크라이센일기, s-인다센일기, as-인다센일기, 플루오란텐일기, 및 페릴렌일기 등을 들 수 있고, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 나프틸기, 및 플루오렌일기가 바람직하다.
Ar의 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴기에 있어서, 해당 헤테로아릴기는 1∼5개, 바람직하게는 1∼3개, 보다 바람직하게는 1∼2개의 환형성 헤테로원자, 예를 들어, 질소 원자, 황 원자 및 산소 원자를 포함한다. 해당 헤테로아릴기로서는, 예를 들어, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이속사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기(벤조싸이엔일기, 이하 동일), 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤즈아이소싸이아졸릴기, 다이벤조퓨란일기, 나프토벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기(다이벤조싸이엔일기, 이하 동일), 나프토벤조싸이오펜일기(나프토벤조싸이엔일기, 이하 동일), 카바졸릴기(N-카바졸릴기 및 C-카바졸릴기, 이하 동일), 벤조카바졸릴기(벤조-N-카바졸릴기 및 벤조-C-카바졸릴기, 이하 동일), 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페노싸이아진일기, 페녹사진일기, 및 잔텐일기를 들 수 있고, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 다이벤조퓨란일기, 나프토벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, 나프토벤조싸이오펜일기, 카바졸릴기, 및 벤조카바졸릴기가 바람직하고, 싸이엔일기, 벤조싸이오펜일기, 다이벤조퓨란일기, 나프토벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, 나프토벤조싸이오펜일기, 카바졸릴기 및 벤조카바졸릴기가 보다 바람직하다.
본 발명의 바람직한 태양에 있어서, Ar은 하기 식(a)∼(n) 중 어느 하나로 표시된다.
Figure 112017013487375-pct00008
식(a)∼(n)에 있어서, *는 상기 식(1) 중의 L2와의 결합을 나타낸다.
식(a)∼(n)에 있어서, R은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 알킬기; 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼50, 바람직하게는 3∼6, 보다 바람직하게는 5 또는 6의 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴기; 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴기를 갖는 치환 또는 비치환된 탄소수 7∼30의 아르알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 알킬기 및 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 모노치환, 다이치환 또는 트라이치환 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 할로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 할로알콕시기; 할로젠 원자; 사이아노기; 및 나이트로기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
본 발명의 일 태양에 있어서, 식(a)∼(n), 바람직하게는 식(k)∼(n)의 2개의 인접하는 R이 서로 결합하여, 해당 2개의 인접하는 R이 결합하는 환형성 탄소 원자와 함께 벤젠환을 형성해도 된다.
본 발명의 다른 태양에 있어서, 인접하는 2개의 R은 서로 결합하고 있지 않아도 된다.
R은, 바람직하게는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기, 할로젠 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 플루오로알콕시기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴옥시기, 및 사이아노기로부터 선택된다.
R이 나타내는, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환탄소수 6∼10의 아릴기, 할로젠 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 플루오로알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴옥시기의 상세는, R1∼R4에 관해서 기재한 대로이다.
R이 나타내는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기에 있어서, 해당 사이클로알킬기로서는, 예를 들어, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 아다만틸기를 들 수 있고, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기가 바람직하다.
R이 나타내는, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기를 갖는 치환 또는 비치환된 탄소수 7∼30의 아르알킬기는, R1∼R4에 관해서 상기한 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기의 1개의 수소 원자를 R1∼R4에 관해서 상기한 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기로 치환하여 얻어지는 기이다.
R이 나타내는, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기 및 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 모노치환, 다이치환 또는 트라이치환 실릴기는, R1∼R4에 관해서 상기한 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기 및 R1∼R4에 관해서 상기한 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기로부터 선택되는 기로 치환된 실릴기이며, 예를 들어, 트라이메틸실릴기, 트라이에틸실릴기, t-뷰틸다이메틸실릴기, 프로필다이메틸실릴기, 아이소프로필다이메틸실릴기, 트라이페닐실릴기, 페닐다이메틸실릴기, t-뷰틸다이페닐실릴기, 트라이톨릴실릴기를 들 수 있다.
R이 나타내는 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 할로알킬기에 있어서, 해당 할로알킬기는, R1∼R4에 관해서 상기한 탄소수 1∼20의 알킬기의 적어도 1개, 바람직하게는 1∼7개 수소 원자, 또는 모든 수소 원자를 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 및 아이오딘 원자로부터 선택되는 할로젠 원자, 바람직하게는 불소 원자로 치환하여 얻어지는 기이며, 헵타플루오로프로필기(이성체를 포함한다), 펜타플루오로에틸기, 2,2,2-트라이플루오로에틸기, 트라이플루오로메틸기가 바람직하고, 펜타플루오로에틸기, 2,2,2-트라이플루오로에틸기, 트라이플루오로메틸기가 보다 바람직하고, 트라이플루오로메틸기가 더 바람직하다.
R이 나타내는 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 할로알콕시기는 -OR14로 표시되고, R14는 상기의 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 할로알킬기, 바람직하게는 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기를 나타낸다. 해당 할로알콕시기로서는, 헵타플루오로프로폭시기(이성체를 포함한다), 펜타플루오로에톡시기, 2,2,2-트라이플루오로에톡시기, 트라이플루오로메톡시기가 바람직하고, 펜타플루오로에톡시기, 2,2,2-트라이플루오로에톡시기, 트라이플루오로메톡시기가 보다 바람직하고, 트라이플루오로메톡시기가 더 바람직하다.
식(a)∼(n)에 있어서, p는 각각 독립적으로 0∼5의 정수, 바람직하게는 0∼3의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1, 더 바람직하게는 0을 나타낸다. q는 각각 독립적으로 0∼4의 정수, 바람직하게는 0∼2의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1, 더 바람직하게는 0을 나타낸다. r은 각각 독립적으로 0∼3의 정수, 바람직하게는 0∼2의 정수, 보다 바람직하게는 0 또는 1, 더 바람직하게는 0을 나타낸다. s는 0 또는 1, 바람직하게는 0을 나타낸다.
p, q, 또는 r이 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 2∼5개, 2∼4개, 또는 2∼3개의 R은 각각 동일해도 상이해도 되고, 인접하는 2개의 R은 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 된다. 인접하는 2개의 R과 이들이 결합하고 있는 2개의 환형성 탄소 원자가 형성하는 환으로서는, 방향족 탄화수소환, 및 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등의 환형성 헤테로원자를 갖는 방향족 헤테로환이 바람직하다.
p∼s 중 어느 것인가가 0인 경우, (R)0은 R이 존재하지 않는 것, 즉, R로 치환되어 있지 않은 것을 의미한다. 본 발명의 일 태양에 있어서, 식(a)∼(n)으로 표시되는 기는, 1 또는 2개의 R을 갖는 것이 바람직하고, 1개의 R을 갖는 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 다른 태양에 있어서, 식(a)∼(n)으로 표시되는 기는 R로 치환되어 있지 않은 것이 바람직하다.
식(f)에 있어서, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴기, 할로젠 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 플루오로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 플루오로알콕시기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴옥시기, 또는 사이아노기를 나타낸다. R, Ra 및 Rb로부터 선택되는 2개가 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 된다.
Ra 및 Rb는, 바람직하게는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 및 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기로부터 선택된다.
Ra 및 Rb가 나타내는 각 기의 상세는, R1∼R4에 관해서 상기한 각 기와 마찬가지이다.
식(n)에 있어서, Rc는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴기를 나타낸다.
Rc는, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기인 것이 바람직하고, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기인 것이 보다 바람직하다.
Rc가 나타내는 각 기의 상세는, R1∼R4에 관해서 상기한 각 기와 마찬가지이다.
식(b)는, 바람직하게는, R로 치환되어 있어도 되는 2-, 3- 또는 4-바이페닐릴기를 나타낸다.
식(c)는, 바람직하게는, 각각 R로 치환되어 있어도 되는, 2-, 3- 또는 4-p-터페닐릴기, 2-, 3- 또는 4-m-터페닐릴기, 또는 2-, 3- 또는 4-o-터페닐릴기를 나타낸다.
식(d)는, 바람직하게는, 각각 R로 치환되어 있어도 되는, 2'-p-터페닐릴기, 2'-, 4'-, 또는 5'-m-터페닐릴기, 또는 4'-o-터페닐릴기를 나타낸다.
식(b), (c) 및 (d)는, 바람직하게는, 하기 식(b-1), (b-2), (c-1), (c-2), 및 (d-1) 중 어느 하나로 표시된다.
Figure 112017013487375-pct00009
〔식 중, R, p, q, r 및 *는 상기와 동일하다.〕
식(e)는, 바람직하게는, 각각 R로 치환되어 있어도 되는, 1-나프틸기 또는 2-나프틸기를 나타낸다.
식(f)에 있어서, Ra 및 Rb는 모두 메틸기 또는 페닐기인 것, 또는 Ra 및 Rb 중 한쪽이 메틸기, 다른 쪽이 페닐기인 것이 바람직하다. 식(f)로 표시되는 기는, 플루오렌환의 1∼4위, 바람직하게는 2위 또는 4위에서 식(1)의 L2와 결합한다.
식(g)는 바람직하게는, R로 치환되어 있어도 되는, 4-(9-페닐플루오렌-9-일)페닐기를 나타낸다.
식(h)로 표시되는 기는, 플루오렌환의 1∼4위, 바람직하게는 2위 또는 4위에서 식(1)의 L2와 결합한다.
식(i)로 표시되는 기는, 싸이오펜환의 2위에서 식(1)의 L2와 결합하는 것이 바람직하다.
식(j)로 표시되는 기는, 벤조싸이오펜환의 2위에서 식(1)의 L2와 결합하는 것이 바람직하다.
식(l)로 표시되는 기는, 다이벤조퓨란환의 1∼4위, 바람직하게는 2위 또는 4위에서 식(1)의 L2와 결합한다.
식(m)으로 표시되는 기는, 다이벤조싸이오펜환의 1∼4위, 바람직하게는 2위 또는 4위에서 식(1)의 L2와 결합한다.
식(n)에 있어서, Rc는 바람직하게는 페닐기이며, 식(n)으로 표시되는 기는, 카바졸환의 1∼4위, 바람직하게는 3위에서 식(1)의 L2와 결합한다.
L0∼L2는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50, 바람직하게는 6∼24, 보다 바람직하게는 6∼12의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50, 바람직하게는 5∼24, 보다 바람직하게는 5∼18의 헤테로아릴렌기를 나타낸다.
상기 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기에 있어서, 해당 아릴렌기는, Ar에 관해서 상기한 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기로부터 1개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이며, 상기 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴렌기에 있어서, 해당 헤테로아릴렌기는, Ar에 관해서 상기한 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴기로부터 1개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다.
L0∼L2는 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50 아릴렌기인 것이 바람직하다. 해당 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50 아릴렌기는 하기 식(ii) 또는 (iii)으로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112017013487375-pct00010
식 중, R과 q는 식(a)∼(n)에 관해서 정의한 대로이다.
L0이 식(ii) 또는 (iii)으로 표시되는 경우, *와 ** 중 한쪽은 스파이로바이플루오렌 구조와의 결합을 나타내고, 다른 쪽은 질소 원자와의 결합을 나타내며,
L1이 식(ii) 또는 (iii)으로 표시되는 경우, *와 ** 중 한쪽은 트라이페닐렌과의 결합을 나타내고, 다른 쪽은 질소 원자와의 결합을 나타내며,
L2가 식(ii) 또는 (iii)으로 표시되는 경우, *와 ** 중 한쪽은 Ar와의 결합을 나타내고, 다른 쪽은 질소 원자와의 결합을 나타낸다.
식(ii) 및 (iii)은 바람직하게는 하기 식으로 표시된다.
Figure 112017013487375-pct00011
본 발명의 일 태양에 있어서, L0∼L2가 단일결합이고, Ar이 상기 식(a)∼(h) 중 어느 하나로 표시되는 아릴기인 화합물(1)이 바람직하다.
본 발명의 다른 태양에 있어서, L0 및 L1이 단일결합이고, L2가 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50 헤테로아릴렌기, 바람직하게는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50 아릴렌기, 보다 바람직하게는 상기 식(ii) 또는 (iii)으로 표시되는 아릴렌기이며, Ar이 상기 식(i)∼(n)으로 표시되는 헤테로아릴기인 화합물(1)이 바람직하다.
L0은, 9,9'-스파이로바이플루오렌환의 2∼4위에 결합하는 것이 바람직하고, 2위 또는 4위에 결합하는 것이 보다 바람직하다.
L1은, 트라이페닐렌환의 2위에 결합하는 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서 「치환 또는 비치환」이라고 할 때의 임의의 치환기는, 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼5, 보다 바람직하게는 1∼4의 알킬기; 환형성 탄소수 3∼50, 바람직하게는 3∼6, 보다 바람직하게는 5 또는 6의 사이클로알킬기; 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴기; 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기를 갖는 탄소수 7∼30의 아르알킬기; 탄소수 1∼20의 알콕시기; 환형성 탄소수 6∼10, 바람직하게는 6의 아릴옥시기; 탄소수 1∼20의 알킬기 및 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기로부터 선택되는 치환기를 갖는 모노치환, 다이치환 또는 트라이치환 실릴기; 탄소수 1∼20의 할로알킬기; 탄소수 1∼20의 할로알콕시기; 할로젠 원자; 사이아노기; 및 나이트로기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 기이다. 상기 임의의 치환기의 상세는, R 및 그 외의 기에 관하여 기재한 각 치환기와 마찬가지이다.
화합물(1)의 구체예를 이하에 나타내지만, 이하의 화합물로 한정되는 것은 아니다.
Figure 112017013487375-pct00012
Figure 112017013487375-pct00013
Figure 112017013487375-pct00014
Figure 112017013487375-pct00015
Figure 112017013487375-pct00016
Figure 112017013487375-pct00017
Figure 112017013487375-pct00018
Figure 112017013487375-pct00019
Figure 112017013487375-pct00020
Figure 112017013487375-pct00021
Figure 112017013487375-pct00022
Figure 112017013487375-pct00023
Figure 112017013487375-pct00024
Figure 112017013487375-pct00025
Figure 112017013487375-pct00026
Figure 112017013487375-pct00027
Figure 112017013487375-pct00028
Figure 112017013487375-pct00029
Figure 112017013487375-pct00030
Figure 112017013487375-pct00031
Figure 112017013487375-pct00032
Figure 112017013487375-pct00033
Figure 112017013487375-pct00034
Figure 112017013487375-pct00035
Figure 112017013487375-pct00036
Figure 112017013487375-pct00037
Figure 112017013487375-pct00038
Figure 112017013487375-pct00039
Figure 112017013487375-pct00040
Figure 112017013487375-pct00041
Figure 112017013487375-pct00042
Figure 112017013487375-pct00043
Figure 112017013487375-pct00044
Figure 112017013487375-pct00045
Figure 112017013487375-pct00046
Figure 112017013487375-pct00047
Figure 112017013487375-pct00048
Figure 112017013487375-pct00049
Figure 112017013487375-pct00050
Figure 112017013487375-pct00051
Figure 112017013487375-pct00052
Figure 112017013487375-pct00053
Figure 112017013487375-pct00054
Figure 112017013487375-pct00055
Figure 112017013487375-pct00056
Figure 112017013487375-pct00057
Figure 112017013487375-pct00058
Figure 112017013487375-pct00059
Figure 112017013487375-pct00060
Figure 112017013487375-pct00061
Figure 112017013487375-pct00062
Figure 112017013487375-pct00063
Figure 112017013487375-pct00064
Figure 112017013487375-pct00065
Figure 112017013487375-pct00066
Figure 112017013487375-pct00067
Figure 112017013487375-pct00068
Figure 112017013487375-pct00069
Figure 112017013487375-pct00070
Figure 112017013487375-pct00071
Figure 112017013487375-pct00072
Figure 112017013487375-pct00073
Figure 112017013487375-pct00074
Figure 112017013487375-pct00075
Figure 112017013487375-pct00076
Figure 112017013487375-pct00077
Figure 112017013487375-pct00078
Figure 112017013487375-pct00079
Figure 112017013487375-pct00080
Figure 112017013487375-pct00081
Figure 112017013487375-pct00082
Figure 112017013487375-pct00083
Figure 112017013487375-pct00084
Figure 112017013487375-pct00085
Figure 112017013487375-pct00086
Figure 112017013487375-pct00087
Figure 112017013487375-pct00088
Figure 112017013487375-pct00089
Figure 112017013487375-pct00090
Figure 112017013487375-pct00091
유기 EL 소자
다음에, 본 발명의 일 태양의 유기 EL 소자에 대해 설명한다.
유기 EL 소자는, 음극과 양극 사이에 1 이상의 층을 포함하는 유기 박막층을 갖는다. 이 유기 박막층은 발광층을 포함하고, 유기 박막층의 적어도 1층이 상기 식(1)로 표시되는 화합물(화합물(1))을 포함한다.
상기 화합물(1)이 포함되는 유기 박막층의 예로서는, 양극과 발광층 사이에 설치되는 양극측 유기 박막층(정공 수송층, 정공 주입층 등), 발광층, 스페이스층, 장벽층 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 형광 발광 유닛의 발광층에 있어서의 호스트 재료나 도펀트 재료, 정공 주입층 재료, 정공 수송층 재료로서 이용할 수 있다. 또한, 인광 발광 유닛의 발광층에 있어서의 호스트 재료, 정공 주입층 재료, 정공 수송층 재료로서 이용할 수 있다.
본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자는, 형광 또는 인광 발광형의 단색 발광 소자여도, 형광/인광 하이브리드형의 백색 발광 소자여도 되고, 단독의 발광 유닛을 갖는 심플형이어도, 복수의 발광 유닛을 갖는 탠덤형이어도 되며, 그 중에서도, 형광 발광형의 소자인 것이 바람직하다. 여기에서, 「발광 유닛」이란, 1 이상의 층을 포함하는 유기 박막층을 포함하고, 그 중의 적어도 1층이 발광층이며, 주입된 정공과 전자가 재결합하는 것에 의해 발광하는 최소 단위를 말한다.
예를 들어, 심플형 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는, 이하의 소자 구성을 들 수 있다.
(1) 양극/발광 유닛/음극
또한, 상기 발광 유닛은, 인광 발광층이나 형광 발광층을 복수 갖는 적층형이어도 되고, 그 경우, 각 발광층 사이에, 인광 발광층에서 생성된 여기자가 형광 발광층으로 확산하는 것을 막는 목적으로, 스페이스층을 갖고 있어도 된다. 심플형 발광 유닛의 대표적인 층 구성을 이하에 나타낸다.
(a) (정공 주입층/)정공 수송층/형광 발광층(/전자 수송층)
(b) (정공 주입층/)정공 수송층/제 1 인광 형광 발광층/제 2 인광 형광 발광층(/전자 수송층)
(c) (정공 주입층/)정공 수송층/인광 발광층/스페이스층/형광 발광층(/전자 수송층)
(d) (정공 주입층/)정공 수송층/제 1 인광 발광층/제 2 인광 발광층/스페이스층/형광 발광층(/전자 수송층)
(e) (정공 주입층/)정공 수송층/제 1 인광 발광층/스페이스층/제 2 인광 발광층/스페이스층/형광 발광층(/전자 수송층)
(f) (정공 주입층/) 정공 수송층/인광 발광층/스페이스층/제 1 형광 발광층/제 2 형광 발광층(/전자 수송층)
(g) (정공 주입층/)정공 수송층/전자 장벽층/형광 발광층(/전자 수송층)
(h) (정공 주입층/)정공 수송층/형광 발광층/정공 장벽층(/전자 수송층)
(i) (정공 주입층/)정공 수송층/형광 발광층/트리플렛 장벽층(/전자 수송층)
상기 각 인광 또는 형광 발광층은, 각각 서로 상이한 발광색을 나타내는 것으로 할 수 있다. 구체적으로는, 상기 적층 발광 유닛(d)에 있어서, (정공 주입층/)정공 수송층/제 1 인광 발광층(적색 발광)/제 2 인광 발광층(녹색 발광)/스페이스층/형광 발광층(청색 발광)/전자 수송층과 같은 층 구성 등을 들 수 있다.
한편, 각 발광층과 정공 수송층 또는 스페이스층 사이에는, 적절히 전자 장벽층을 설치해도 된다. 또한, 각 발광층과 전자 수송층 사이에는, 적절히 정공 장벽층을 설치해도 된다. 전자 장벽층이나 정공 장벽층을 설치함으로써, 전자 또는 정공을 발광층 내에 가두어, 발광층에 있어서의 전하의 재결합 확률을 높여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
탠덤형 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는, 이하의 소자 구성을 들 수 있다.
(2) 양극/제 1 발광 유닛/중간층/제 2 발광 유닛/음극
여기에서, 상기 제 1 발광 유닛 및 제 2 발광 유닛으로서는, 예를 들어, 각각 독립적으로 전술한 발광 유닛으로부터 선택할 수 있다.
상기 중간층은, 일반적으로, 중간 전극, 중간 도전층, 전하 발생층, 전자 인발층, 접속층, 중간 절연층이라고도 불리고, 제 1 발광 유닛에 전자를, 제 2 발광 유닛에 정공을 공급하는, 공지된 재료 구성을 이용할 수 있다.
도 1에, 상기 유기 EL 소자의 일례의 개략 구성을 나타낸다. 유기 EL 소자(1)는, 기판(2), 양극(3), 음극(4), 및 해당 양극(3)과 음극(4) 사이에 배치된 발광 유닛(10)을 갖는다. 발광 유닛(10)은, 적어도 하나의 발광층(5)을 갖는다. 발광층(5)과 양극(3) 사이에 정공 주입/수송층(6)(양극측 유기 박막층) 등, 발광층(5)과 음극(4) 사이에 전자 주입/수송층(7)(음극측 유기 박막층) 등을 형성해도 된다. 또한, 발광층(5)의 양극(3)측에 전자 장벽층(도시하지 않음)을, 발광층(5)의 음극(4)측에 정공 장벽층(도시하지 않음)을, 각각 설치해도 된다. 이것에 의해, 전자나 정공을 발광층(5)에 가두어, 발광층(5)에 있어서의 여기자의 생성 확률을 더 높일 수 있다.
한편, 본 발명에 있어서, 형광 도펀트(형광 발광 재료)와 조합된 호스트를 형광 호스트라고 칭하고, 인광 도펀트와 조합된 호스트를 인광 호스트라고 칭한다. 형광 호스트와 인광 호스트는 분자 구조만에 의해 구분되는 것은 아니다. 즉, 인광 호스트란, 인광 도펀트를 함유하는 인광 발광층을 형성하는 재료를 의미하고, 형광 발광층을 형성하는 재료로서 이용할 수 없다는 것을 의미하고 있는 것은 아니다. 형광 호스트에 대해서도 마찬가지이다.
기판
기판은, 유기 EL 소자의 지지체로서 이용된다. 기판으로서는, 예를 들어, 유리, 석영, 플라스틱 등의 판을 이용할 수 있다. 또한, 가요성 기판을 이용해도 된다. 가요성 기판이란, 절곡할 수 있는(플렉시블) 기판으로, 예를 들어, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에터설폰, 폴리프로필렌, 폴리에스터, 폴리불화바이닐, 폴리염화바이닐로 이루어지는 플라스틱 기판 등을 들 수 있다. 또한, 무기 증착 필름을 이용할 수도 있다.
양극
기판 상에 형성되는 양극에는, 일함수가 큰(구체적으로는 4.0eV 이상) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 산화인듐-산화주석(ITO: Indium Tin Oxide), 규소 또는 산화규소를 함유한 산화인듐-산화주석, 산화인듐-산화아연, 산화텅스텐 및 산화아연을 함유한 산화인듐, 그라펜 등을 들 수 있다. 이 외에, 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크로뮴(Cr), 몰리브데넘(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 타이타늄(Ti), 또는 상기 금속의 질화물(예를 들어, 질화타이타늄) 등을 들 수 있다.
이들 재료는 통상 스퍼터링법에 의해 성막된다. 예를 들어, 산화인듐-산화아연은, 산화인듐에 대해 1∼10wt%의 산화아연을 가한 타겟을, 산화텅스텐 및 산화아연을 함유한 산화인듐은, 산화인듐에 대해 산화텅스텐을 0.5∼5wt%, 산화아연을 0.1∼1wt% 함유한 타겟을 이용하는 것에 의해, 스퍼터링법으로 형성할 수 있다. 그 밖에, 진공 증착법, 도포법, 잉크젯법, 스핀 코팅법 등에 의해 제작해도 된다.
양극에 접하여 형성되는 정공 주입층은, 양극의 일함수에 관계없이 정공 주입이 용이한 재료를 이용하여 형성되기 때문에, 전극 재료로서 일반적으로 사용되는 재료(예를 들어, 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소)를 이용할 수 있다.
일함수가 작은 재료인, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 및 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토류 금속, 및 이들을 포함하는 합금(예를 들어, MgAg, AlLi), 유로퓸(Eu), 이터븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 포함하는 합금 등을 이용할 수도 있다. 한편, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 및 이들을 포함하는 합금을 이용하여 양극을 형성하는 경우에는, 진공 증착법이나 스퍼터링법을 이용할 수 있다. 또한 은 페이스트 등을 이용하는 경우에는, 도포법이나 잉크젯법 등을 이용할 수 있다.
정공 주입층
정공 주입층은, 정공 주입성이 높은 재료(정공 주입성 재료)를 포함하는 층이다. 상기 화합물(1)을 단독 또는 하기의 재료와 조합하여 정공 주입층에 이용해도 된다.
정공 주입성 재료로서는, 몰리브데넘 산화물, 타이타늄 산화물, 바나듐 산화물, 레늄 산화물, 루테늄 산화물, 크로뮴 산화물, 지르코늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 은 산화물, 텅스텐 산화물, 망가니즈 산화물 등을 이용할 수 있다.
저분자의 유기 화합물인 4,4',4''-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DPAB), 4,4'-비스(N-{4-[N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐아미노]페닐}-N-페닐아미노)바이페닐(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B), 3-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카바졸-3-일)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCN1) 등의 방향족 아민 화합물 등도 정공 주입층 재료로서 들 수 있다.
고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등)을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-다이페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아마이드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-뷰틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 들 수 있다. 또한, 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리(스타이렌설폰산)(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/폴리(스타이렌설폰산)(PAni/PSS) 등의 산을 첨가한 고분자 화합물을 이용할 수도 있다.
또한 하기 식(K)로 표시되는 헥사아자트라이페닐렌(HAT) 화합물 등의 억셉터 재료를 화합물(1)과 조합하여 이용하는 것도 바람직하다.
Figure 112017013487375-pct00092
(상기 식 중, R21∼R26은 서로 동일해도 상이해도 되고, 각각 독립적으로 사이아노기, -CONH2, 카복실기, 또는 -COOR27(R27은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기를 나타낸다)을 나타낸다. 또한, R21 및 R22, R23 및 R24, 및 R25 및 R26에 있어서, 인접하는 2개의 기가 서로 결합하여 -CO-O-CO-로 표시되는 기를 형성해도 된다.)
R27로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.
정공 수송층
정공 수송층은, 정공 수송성이 높은 재료(정공 수송성 재료)를 포함하는 층이다. 상기 화합물(1)을 단독 또는 하기의 화합물과 조합하여 정공 수송층에 이용해도 된다.
정공 수송성 재료로서는, 예를 들어, 방향족 아민 화합물, 카바졸 유도체, 안트라센 유도체 등을 사용할 수 있다. 방향족 아민 화합물로서는, 예를 들어, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB)이나 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: BAFLP), 4,4'-비스[N-(9,9-다이메틸플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DFLDPBi), 4,4',4"-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4"-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N―페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB)을 들 수 있다. 상기 화합물은, 10-6cm2/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는다.
정공 수송층에는, 4,4'-다이(9-카바졸릴)바이페닐(약칭: CBP), 9-[4-(9-카바졸릴)페닐]-10-페닐안트라센(약칭: CzPA), 9-페닐-3-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: PCzPA) 등의 카바졸 유도체나, 2-t-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth) 등의 안트라센 유도체를 이용해도 된다. 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK)이나 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA) 등의 고분자 화합물을 이용할 수도 있다.
단, 전자 수송성보다도 정공 수송성이 높은 화합물이면, 상기 이외의 화합물을 이용해도 된다. 한편, 정공 수송성이 높은 화합물을 포함하는 층은, 단층이어도 되고, 상기 화합물을 포함하는 2 이상의 층으로 이루어지는 적층이어도 된다. 예를 들어, 정공 수송층은 제 1 정공 수송층(양극측)과 제 2 정공 수송층(음극측)의 2층 구조로 해도 된다. 이 경우, 상기 화합물(1)은 제 1 정공 수송층과 제 2 정공 수송층의 어느 것에 포함되어 있어도 된다.
발광층의 도펀트 재료
발광층은, 발광성이 높은 재료(도펀트 재료)를 포함하는 층이며, 여러 가지 재료를 이용할 수 있다. 예를 들어, 형광 발광 재료나 인광 발광 재료를 도펀트 재료로서 이용할 수 있다. 형광 발광 재료는 일중항 여기 상태로부터 발광하는 화합물이며, 인광 발광 재료는 삼중항 여기 상태로부터 발광하는 화합물이다.
발광층에 이용할 수 있는 청색계의 형광 발광 재료로서, 피렌 유도체, 스타이릴아민 유도체, 크라이센 유도체, 플루오란텐 유도체, 플루오렌 유도체, 다이아민 유도체, 트라이아릴아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N,N'-비스[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐스틸벤-4,4'-다이아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPA) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 녹색계의 형광 발광 재료로서, 방향족 아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCABPhA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPABPhA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)]-N-[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N-페닐안트라센-2-아민(약칭: 2YGABPhA), N,N,9-트라이페닐안트라센-9-아민(약칭: DPhAPhA) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 적색계의 형광 발광 재료로서, 테트라센 유도체, 다이아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)테트라센-5,11-다이아민(약칭: p-mPhTD), 7,14-다이페닐-N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)아세나프토[1,2-a]플루오란텐-3,10-다이아민(약칭: p-mPhAFD) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 청색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 오스뮴 착체, 백금 착체 등의 금속 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스[2-(3',5'비스트라이플루오로메틸페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 피콜리네이트(약칭: Ir(CF3ppy)2(pic)), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: FIracac) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 녹색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체 등이 사용된다. 트리스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(ppy)2(acac)), 비스(1,2-다이페닐-1H-벤즈이미다졸레이토)이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(pbi)2(acac)), 비스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bzq)2(acac)) 등을 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 적색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 백금 착체, 터븀 착체, 유로퓸 착체 등의 금속 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(2'-벤조[4,5-α]싸이엔일)피리디네이토-N,C3']이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(btp)2(acac)), 비스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(piq)2(acac)), (아세틸아세토네이트) 비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리네이토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdpq)2(acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린백금(II)(약칭: PtOEP) 등의 유기금속 착체를 들 수 있다.
발광층에 이용할 수 있는 적색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 백금 착체, 터븀 착체, 유로퓸 착체 등의 금속 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(2'-벤조[4,5-α]싸이엔일)피리디네이토-N,C3']이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(btp)2(acac)), 비스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(piq)2(acac)), (아세틸아세토네이트) 비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리네이토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdpq)2(acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린백금(II)(약칭: PtOEP) 등의 유기금속 착체를 들 수 있다.
또한, 트리스(아세틸아세토네이트)(모노페난트롤린)터븀(III)(약칭: Tb(acac)3(Phen)), 트리스(1,3-다이페닐-1,3-프로페인다이오네이토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(DBM)3(Phen)), 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트라이플루오로아세토네이토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(TTA)3(Phen)) 등의 희토류 금속 착체는, 희토류 금속 이온으로부터의 발광(상이한 다중도간의 전자 전이)이기 때문에, 인광 발광 재료로서 이용할 수 있다.
발광층의 호스트 재료
발광층으로서는, 전술한 도펀트 재료를 다른 재료(호스트 재료)에 분산시킨 구성으로 해도 된다. 호스트 재료로서는, 각종의 것을 이용할 수 있고, 도펀트 재료보다도 최저 공궤도 준위(LUMO 준위)가 높고, 최고 점유 궤도 준위(HOMO 준위)가 낮은 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
호스트 재료로서는, 예를 들어
(1) 알루미늄 착체, 베릴륨 착체, 또는 아연 착체 등의 금속 착체,
(2) 옥사다이아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 또는 페난트롤린 유도체 등의 헤테로환 화합물,
(3) 카바졸 유도체, 안트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 또는 크라이센 유도체 등의 축합 방향족 화합물,
(4) 트라이아릴아민 유도체 또는 축합 다환 방향족 아민 유도체 등의 방향족 아민 화합물이 사용된다.
예를 들어, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 금속 착체;
2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트라이일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP) 등의 헤테로환 화합물;
9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA), 3,6-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: DPCzPA), 9,10-비스(3,5-다이페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-바이안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS2), 3,3',3''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이피렌(약칭: TPB3), 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth), 6,12-다이메톡시-5,11-다이페닐크라이센 등의 축합 방향족 화합물; 및
N,N-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: DPhPA), N,9-다이페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPA), N,9-다이페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(9,9-다이메틸플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DFLDPBi), 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N―페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB) 등의 방향족 아민 화합물을 이용할 수 있다. 호스트 재료는 복수종 이용해도 된다.
전자 수송층
전자 수송층은 전자 수송성이 높은 재료(전자 수송성 재료)를 포함하는 층이다. 전자 수송층에는, 예를 들어,
(1) 알루미늄 착체, 베릴륨 착체, 아연 착체 등의 금속 착체,
(2) 이미다졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 아진 유도체, 카바졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등의 헤테로방향족 화합물,
(3) 고분자 화합물을 사용할 수 있다.
금속 착체로서는, 예를 들어, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ)을 들 수 있다.
헤테로방향족 화합물로서는, 예를 들어, 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(ptert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-tert-뷰틸페닐)-4-페닐-5-(4-바이페닐릴)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 3-(4-tert-뷰틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-바이페닐릴)-1,2,4-트라이아졸(약칭: p-EtTAZ), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 4,4'-비스(5-메틸벤즈옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOs)을 들 수 있다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어, 폴리[(9,9-다이헥실플루오렌-2,7-다이일)-co-(피리딘-3,5-다이일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-다이옥틸플루오렌-2,7-다이일)-co-(2,2'-바이피리딘-6,6'-다이일)](약칭: PF-BPy)을 들 수 있다.
상기 재료는, 주로 10-6cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 재료이다. 한편, 정공 수송성보다도 전자 수송성이 높은 재료이면, 상기 이외의 재료를 전자 수송층에 이용해도 된다. 또한, 전자 수송층은, 단층의 것뿐만 아니라, 상기 재료로 이루어지는 층이 2층 이상 적층된 것으로 해도 된다.
전자 주입층
전자 주입층은, 전자 주입성이 높은 재료를 포함하는 층이다. 전자 주입층에는, 리튬(Li), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2), 리튬 산화물(LiOx) 등의 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 또는 그들의 화합물을 이용할 수 있다. 그 밖에, 전자 수송성을 갖는 재료에 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 또는 그들의 화합물을 함유시킨 것, 구체적으로는 Alq 중에 마그네슘(Mg)을 함유시킨 것 등을 이용해도 된다. 한편, 이 경우에는, 음극으로부터의 전자 주입을 보다 효율 좋게 행할 수 있다.
또는, 전자 주입층에, 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 혼합하여 이루어지는 복합 재료를 이용해도 된다. 이와 같은 복합 재료는, 유기 화합물이 전자 공여체로부터 전자를 수취하기 때문에, 전자 주입성 및 전자 수송성이 우수하다. 이 경우, 유기 화합물로서는, 수취한 전자의 수송이 우수한 재료인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 예를 들어 전술한 전자 수송층을 구성하는 재료(금속 착체나 헤테로방향족 화합물 등)를 이용할 수 있다. 전자 공여체로서는, 유기 화합물에 대해 전자 공여성을 나타내는 재료이면 된다. 구체적으로는, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속 및 희토류 금속이 바람직하고, 리튬, 세슘, 마그네슘, 칼슘, 에르븀, 이터븀 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리 금속 산화물이나 알칼리 토류 금속 산화물이 바람직하고, 리튬 산화물, 칼슘 산화물, 바륨 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 산화마그네슘과 같은 루이스 염기를 이용할 수도 있다. 또한, 테트라싸이아풀발렌(약칭: TTF) 등의 유기 화합물을 이용할 수도 있다.
음극
음극에는, 일함수가 작은(구체적으로는 3.8eV 이하) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 음극 재료의 구체예로서는, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 및 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토류 금속, 및 이들을 포함하는 합금(예를 들어, MgAg, AlLi), 유로퓸(Eu), 이터븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 포함하는 합금 등을 들 수 있다.
한편, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 이들을 포함하는 합금을 이용하여 음극을 형성하는 경우에는, 진공 증착법이나 스퍼터링법을 이용할 수 있다. 또한, 은 페이스트 등을 이용하는 경우에는, 도포법이나 잉크젯법 등을 이용할 수 있다.
한편, 전자 주입층을 설치하는 것에 의해, 일함수의 대소에 상관없이, Al, Ag, ITO, 그라펜, 규소 또는 산화규소를 함유한 산화인듐-산화주석 등 다양한 도전성 재료를 이용하여 음극을 형성할 수 있다. 이들 도전성 재료는, 스퍼터링법이나 잉크젯법, 스핀 코팅법 등을 이용하여 성막할 수 있다.
절연층
유기 EL 소자는, 초박막에 전계를 인가하기 때문에, 누설이나 단락에 의한 화소 결함이 생기기 쉽다. 이것을 방지하기 위해서, 한 쌍의 전극 사이에 절연성의 박막층으로 이루어지는 절연층을 삽입해도 된다.
절연층에 이용되는 재료로서는, 예를 들어, 산화알루미늄, 불화리튬, 산화리튬, 불화세슘, 산화세슘, 산화마그네슘, 불화마그네슘, 산화칼슘, 불화칼슘, 질화알루미늄, 산화타이타늄, 산화규소, 산화저마늄, 질화규소, 질화붕소, 산화몰리브데넘, 산화루테늄, 산화바나듐 등을 들 수 있다. 한편, 이들의 혼합물이나 적층물을 이용해도 된다.
스페이스층
상기 스페이스층이란, 예를 들어, 형광 발광층과 인광 발광층을 적층하는 경우에, 인광 발광층에서 생성되는 여기자를 형광 발광층으로 확산시키지 않는, 또는, 캐리어 밸런스를 조정할 목적으로, 형광 발광층과 인광 발광층 사이에 설치되는 층이다. 또한, 스페이스층은, 복수의 인광 발광층 사이에 설치할 수도 있다.
스페이스층은 발광층 사이에 설치되기 때문에, 전자 수송성과 정공 수송성을 겸비하는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 인접하는 인광 발광층 내의 삼중항 에너지의 확산을 막기 위해, 삼중항 에너지가 2.6eV 이상인 것이 바람직하다. 스페이스층에 이용되는 재료로서는, 전술한 정공 수송층에 이용되는 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.
장벽층
발광층에 인접하는 부분에, 전자 장벽층, 정공 장벽층, 트리플렛 장벽층 등의 장벽층을 설치해도 된다. 전자 장벽층이란 발광층으로부터 정공 수송층으로 전자가 누설되는 것을 막는 층이고, 정공 장벽층이란 발광층으로부터 전자 수송층으로 정공이 누설되는 것을 막는 층이다. 트리플렛 장벽층은 발광층에서 생성된 여기자가 주변의 층으로 확산하는 것을 방지하여, 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 갖는다.
상기 유기 EL 소자의 각 층은 종래 공지의 증착법, 도포법 등에 의해 형성할 수 있다. 예를 들어, 진공 증착법, 분자선 증착법(MBE법) 등의 증착법, 또는 층을 형성하는 화합물의 용액을 이용한, 디핑법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법 등의 도포법에 의한 공지의 방법으로 형성할 수 있다.
각 층의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 막 두께가 지나치게 얇으면 핀홀 등의 결함이 생기기 쉽고, 반대로 지나치게 두꺼우면 높은 구동 전압이 필요하여 효율이 나빠지기 때문에, 통상 5nm∼10μm이며, 10nm∼0.2μm가 보다 바람직하다.
상기 유기 EL 소자는, 유기 EL 패널 모듈 등의 표시 부품, 텔레비전, 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 표시 장치, 및 조명, 차량용 등구의 발광 장치 등의 전자 기기에 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 이용하여 본 발명의 태양을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
중간체 합성예 1-1(중간체 1-1의 합성)
아르곤 분위기하, 4-아이오도브로모벤젠 28.3g(100.0mmol), 다이벤조퓨란-4-보론산 22.3g(105.0mmol), Pd[PPh3]4 2.31g(2.00mmol)에 톨루엔 150ml, 다이메톡시에테인 150ml, 2M Na2CO3 수용액 150ml(300.0mmol)를 가하여 10시간 가열 환류 교반했다.
반응 종료 후, 실온으로 냉각하고, 시료를 분액 깔때기로 옮겨 다이클로로메테인으로 추출했다. 유기층을 MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 26.2g의 백색 고체를 얻었다. FD-MS 분석(전계 탈리 질량 분석)에 의해, 하기 중간체 1-1로 동정했다. (수율 81%)
Figure 112017013487375-pct00093
중간체 합성예 1-2(중간체 1-2의 합성)
중간체 합성예 1-1에 있어서, 다이벤조퓨란-4-보론산 대신에 다이벤조퓨란-2-보론산을 22.3g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 27.4g의 백색 고체를 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-2로 동정했다. (수율 85%)
Figure 112017013487375-pct00094
중간체 합성예 1-3(중간체 1-3의 합성)
아르곤 분위기하, 4-아이오도브로모벤젠 28.3g(100.0mmol), 다이벤조싸이오펜-4-보론산 23.9g(105.0mmol), Pd[PPh3]4 2.31g(2.00mmol)에 톨루엔 150ml, 다이메톡시에테인 150ml, 2M Na2CO3 수용액 150ml(300.0mmol)를 가하여 10시간 가열 환류 교반했다.
반응 종료 후, 실온으로 냉각하고, 시료를 분액 깔때기로 옮겨 다이클로로메테인으로 추출했다. 유기층을 MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 27.1g의 백색 고체를 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-3으로 동정했다. (수율 80%)
Figure 112017013487375-pct00095
중간체 합성예 1-4(중간체 1-4의 합성)
중간체 합성예 1-3에 있어서, 다이벤조싸이오펜-4-보론산 대신에 다이벤조싸이오펜-2-보론산을 23.9g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 27.2g의 백색 고체를 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-4로 동정했다. (수율 80%)
Figure 112017013487375-pct00096
중간체 합성예 1-5(중간체 1-5의 합성)
아르곤 분위기하, 4-아이오도브로모벤젠 28.3g(100.0mmol), 4-(9H-카바졸-9-일)페닐보론산 30.1g(105.0mmol), Pd[PPh3]4 2.31g(2.00mmol)에 톨루엔 150ml, 다이메톡시에테인 150ml, 2M Na2CO3 수용액 150ml(300.0mmol)를 가하여 10시간 가열 환류 교반했다.
반응 종료 후, 실온으로 냉각하고, 시료를 분액 깔때기로 옮겨 다이클로로메테인으로 추출했다. 유기층을 MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 29.9g의 백색 고체를 얻었다. FD-MS 분석(전계 탈리 질량 분석)에 의해, 하기 중간체 1-5로 동정했다. (수율 75%)
Figure 112017013487375-pct00097
중간체 합성예 1-6(중간체 1-6의 합성)
중간체 합성예 1-5에 있어서, 4-(9H-카바졸-9-일)페닐보론산 대신에 3-(9H-카바졸-9-일)페닐보론산을 30.1g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 27.2g의 백색 고체를 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-6으로 동정했다. (수율 68%)
Figure 112017013487375-pct00098
중간체 합성예 1-7(중간체 1-7의 합성)
중간체 합성예 1-5에 있어서, 4-(9H-카바졸-9-일)페닐보론산 대신에 9-페닐카바졸-3-보론산을 30.1g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 31.5g의 백색 고체를 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-7로 동정했다. (수율 79%)
Figure 112017013487375-pct00099
중간체 합성예 2-1(중간체 2-1의 합성)
아르곤 분위기하, 2-아미노트라이페닐렌 12.2g(50.0mmol), 2-브로모-9,9'-스파이로바이플루오렌 19.8g(50.0mmol), t-뷰톡시나트륨 9.6g(100.0mmol)에 탈수 톨루엔 250ml를 가하여 교반했다. 아세트산 팔라듐 225mg(1.0mmol), 트라이-t-뷰틸포스핀 202mg(1.0mmol)을 가하여 80℃에서 8시간 반응시켰다.
냉각 후, 반응 혼합물을 셀라이트/실리카 겔을 통해 여과하고, 여과액을 감압하에서 농축했다. 얻어진 잔사를 톨루엔으로 재결정하고, 그것을 여과하여 취한 후, 건조하여, 18.1g의 백색 고체를 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-1로 동정했다. (수율 65%)
Figure 112017013487375-pct00100
중간체 합성예 2-2(중간체 2-2의 합성)
중간체 합성예 2-1에 있어서, 2-브로모-9,9'-스파이로바이플루오렌 대신에 4-브로모-9,9'-스파이로바이플루오렌을 19.8g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 16.7g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-2로 동정했다. (수율 60%)
Figure 112017013487375-pct00101
중간체 합성예 2-3(중간체 2-3의 합성)
중간체 합성예 2-1에 있어서, 2-브로모-9,9'-스파이로바이플루오렌 대신에 3-브로모-9,9'-스파이로바이플루오렌을 19.8g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 19.5g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-3으로 동정했다. (수율 70%)
Figure 112017013487375-pct00102
중간체 합성예 2-4(중간체 2-4의 합성)
중간체 합성예 2-1에 있어서, 2-브로모-9,9'-스파이로바이플루오렌 대신에 1-브로모-9,9'-스파이로바이플루오렌을 19.8g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 9.8g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-4로 동정했다. (수율 35%)
Figure 112017013487375-pct00103
중간체 합성예 2-5(중간체 2-5의 합성)
중간체 합성예 2-1에 있어서, 2-아미노트라이페닐렌 대신에 1-아미노트라이페닐렌을 12.2g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 11.2g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-5로 동정했다. (수율 40%)
Figure 112017013487375-pct00104
합성 실시예 1(방향족 아민 유도체 H1의 제조)
아르곤 분위기하, 2-브로모바이페닐 2.3g(10.0mmol), 중간체 2-1 6.5g(10.0mmol), Pd2(dba)3 0.14g(0.15mmol), P(tBu)3HBF4 0.087g(0.3mmol), t-뷰톡시나트륨 1.9g(20.0mmol)에, 무수 자일렌 50ml를 가하여 8시간 가열 환류했다.
반응 종료 후, 반응액을 50℃로 냉각하고, 셀라이트/실리카 겔을 통해 여과를 행하고, 여과액을 농축했다. 얻어진 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체를 얻었다. 조생성물을 톨루엔으로 재결정하여, 2.5g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H1로 동정했다. (수율 35%)
Figure 112017013487375-pct00105
합성 실시예 2(방향족 아민 유도체 H2의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 4-브로모바이페닐을 2.3g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 2.8g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H2로 동정했다. (수율 40%)
Figure 112017013487375-pct00106
합성 실시예 3(방향족 아민 유도체 H3의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-1,1':4',1''-터페닐을 3.1g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 2.4g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H3으로 동정했다. (수율 30%)
Figure 112017013487375-pct00107
합성 실시예 4(방향족 아민 유도체 H4의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 4-브로모-1,1':4',1''-터페닐을 3.1g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.3g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H4로 동정했다. (수율 42%)
Figure 112017013487375-pct00108
합성 실시예 5(방향족 아민 유도체 H5의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-9,9-다이메틸플루오렌을 2.7g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.4g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H5로 동정했다. (수율 46%)
Figure 112017013487375-pct00109
합성 실시예 6(방향족 아민 유도체 H6의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-9,9-다이페닐플루오렌을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.3g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H6으로 동정했다. (수율 38%)
Figure 112017013487375-pct00110
합성 실시예 7(방향족 아민 유도체 H7의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-9,9-스파이로바이플루오렌을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.5g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H7로 동정했다. (수율 40%)
Figure 112017013487375-pct00111
합성 실시예 8(방향족 아민 유도체 H8의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 중간체 1-1을 3.2g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.6g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H8로 동정했다. (수율 45%)
Figure 112017013487375-pct00112
합성 실시예 9(방향족 아민 유도체 H9의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 중간체 1-2를 3.2g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.4g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H9로 동정했다. (수율 42%)
Figure 112017013487375-pct00113
합성 실시예 10(방향족 아민 유도체 H10의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 중간체 1-3을 3.4g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.7g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H10으로 동정했다. (수율 45%)
Figure 112017013487375-pct00114
합성 실시예 11(방향족 아민 유도체 H11의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 중간체 1-4를 3.4g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.3g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H11로 동정했다. (수율 40%)
Figure 112017013487375-pct00115
합성 실시예 12(방향족 아민 유도체 H12의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 9-(4-브로모 페닐) 카바졸을 3.2g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.6g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H12로 동정했다. (수율 45%)
Figure 112017013487375-pct00116
합성 실시예 13(방향족 아민 유도체 H13의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 중간체 1-5를 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 4.4g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H13으로 동정했다. (수율 50%)
Figure 112017013487375-pct00117
합성 실시예 14(방향족 아민 유도체 H14의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 중간체 1-6을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 4.2g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H14로 동정했다. (수율 48%)
Figure 112017013487375-pct00118
합성 실시예 15(방향족 아민 유도체 H15의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 중간체 1-7을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 4.1g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H15로 동정했다. (수율 47%)
Figure 112017013487375-pct00119
합성 실시예 16(방향족 아민 유도체 H16의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 9-(4-브로모 페닐)-9-페닐플루오렌을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.2g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H16으로 동정했다. (수율 37%)
Figure 112017013487375-pct00120
합성 실시예 17(방향족 아민 유도체 H17의 제조)
합성 실시예 1에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-(4-브로모 페닐)-5-페닐싸이오펜을 3.2g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.5g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H17로 동정했다. (수율 44%)
Figure 112017013487375-pct00121
합성 실시예 18(방향족 아민 유도체 H18의 제조)
아르곤 분위기하, 중간체 2-2 5.6g(10.0mmol), 2-브로모바이페닐2.3g(10.0mmol), Pd2(dba)3 0.14g(0.15mmol), P(tBu)3HBF4 0.087g(0.3mmol), t-뷰톡시나트륨 1.9g(20.0mmol)에, 무수 자일렌 50ml를 가하여 8시간 가열 환류했다.
반응 종료 후, 반응액을 50℃로 냉각하고, 셀라이트/실리카 겔을 통해 여과를 행하고, 여과액을 농축했다. 얻어진 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체를 얻었다. 조생성물을 톨루엔으로 재결정하여, 2.3g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H18로 동정했다. (수율 33%)
Figure 112017013487375-pct00122
합성 실시예 19(방향족 아민 유도체 H19의 제조)
합성 실시예 18에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 4-브로모바이페닐을 2.3g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.2g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H19로 동정했다. (수율 45%)
Figure 112017013487375-pct00123
합성 실시예 20(방향족 아민 유도체 H20의 제조)
합성 실시예 18에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 4-브로모-1,1':4',1''-터페닐을 3.1g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.1g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H20으로 동정했다. (수율 40%)
Figure 112017013487375-pct00124
합성 실시예 21(방향족 아민 유도체 H21의 제조)
합성 실시예 18에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-9,9-다이메틸플루오렌을 2.7g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.0g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H21로 동정했다. (수율 40%)
Figure 112017013487375-pct00125
합성 실시예 22(방향족 아민 유도체 H22의 제조)
합성 실시예 18에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-9,9-다이페닐플루오렌을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.8g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H22로 동정했다. (수율 43%)
Figure 112017013487375-pct00126
합성 실시예 23(방향족 아민 유도체 H23의 제조)
합성 실시예 18에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-9,9-스파이로바이플루오렌을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.5g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H23으로 동정했다. (수율 40%)
Figure 112017013487375-pct00127
합성 실시예 24(방향족 아민 유도체 H24의 제조)
합성 실시예 18에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 중간체 1-7을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.9g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H24로 동정했다. (수율 45%)
Figure 112017013487375-pct00128
합성 실시예 25(방향족 아민 유도체 H25의 제조)
아르곤 분위기하, 중간체 2-3 5.6g(10.0mmol), 2-브로모바이페닐2.3g(10.0mmol), Pd2(dba)3 0.14g(0.15mmol), P(tBu)3HBF4 0.087g(0.3mmol), t-뷰톡시나트륨 1.9g(20.0mmol)에, 무수 자일렌 50ml를 가하여 8시간 가열 환류했다.
반응 종료 후, 반응액을 50℃로 냉각하고, 셀라이트/실리카 겔을 통해 여과를 행하고, 여과액을 농축했다. 얻어진 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체를 얻었다. 조생성물을 톨루엔으로 재결정하여, 2.4g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H25로 동정했다. (수율 34%)
Figure 112017013487375-pct00129
합성 실시예 26(방향족 아민 유도체 H26의 제조)
합성 실시예 25에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 4-브로모바이페닐을 2.3g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.5g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H26으로 동정했다. (수율 50%)
Figure 112017013487375-pct00130
합성 실시예 27(방향족 아민 유도체 H27의 제조)
합성 실시예 25에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 4-브로모-1,1':4',1''-터페닐을 3.1g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.5g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H27로 동정했다. (수율 45%)
Figure 112017013487375-pct00131
합성 실시예 28(방향족 아민 유도체 H28의 제조)
합성 실시예 25에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-9,9-다이메틸플루오렌을 2.7g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.4g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H28로 동정했다. (수율 45%)
Figure 112017013487375-pct00132
합성 실시예 29(방향족 아민 유도체 H29의 제조)
합성 실시예 25에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-9,9-다이페닐플루오렌을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 4.1g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H29로 동정했다. (수율 47%)
Figure 112017013487375-pct00133
합성 실시예 30(방향족 아민 유도체 H30의 제조)
합성 실시예 25에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-9,9-스파이로바이플루오렌을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.5g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H30으로 동정했다. (수율 40%)
Figure 112017013487375-pct00134
합성 실시예 31(방향족 아민 유도체 H31의 제조)
합성 실시예 25에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 중간체 1-7을 4.0g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.3g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H31로 동정했다. (수율 38%)
Figure 112017013487375-pct00135
합성 실시예 32(방향족 아민 유도체 H32의 제조)
아르곤 분위기하, 중간체 2-4 5.6g(10.0mmol), 2-브로모바이페닐2.3g(10.0mmol), Pd2(dba)3 0.14g(0.15mmol), P(tBu)3HBF4 0.087g(0.3mmol), t-뷰톡시나트륨 1.9g(20.0mmol)에, 무수 자일렌 50ml를 가하여 8시간 가열 환류했다.
반응 종료 후, 반응액을 50℃로 냉각하고, 셀라이트/실리카 겔을 통해 여과를 행하고, 여과액을 농축했다. 얻어진 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체를 얻었다. 조생성물을 톨루엔으로 재결정하여, 1.1g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H32로 동정했다. (수율 15%)
Figure 112017013487375-pct00136
합성 실시예 33(방향족 아민 유도체 H33의 제조)
합성 실시예 32에 있어서, 2-브로모바이페닐 대신에 4-브로모바이페닐을 2.3g 이용한 것 이외에는 마찬가지로 반응을 행한 바, 1.4g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H33으로 동정했다. (수율 20%)
Figure 112017013487375-pct00137
합성 실시예 34(방향족 아민 유도체 H34의 제조)
아르곤 분위기하, 중간체 2-5 5.6g(10.0mmol), 4-브로모바이페닐2.3g(10.0mmol), Pd2(dba)3 0.14g(0.15mmol), P(tBu)3HBF4 0.087g(0.3mmol), t-뷰톡시나트륨 1.9g(20.0mmol)에, 무수 자일렌 50ml를 가하여 8시간 가열 환류했다.
반응 종료 후, 반응액을 50℃로 냉각하고, 셀라이트/실리카 겔을 통해 여과를 행하고, 여과액을 농축했다. 얻어진 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체를 얻었다. 조생성물을 톨루엔으로 재결정하여, 1.8g의 백색 결정을 얻었다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 아민 유도체 H34로 동정했다. (수율 25%)
Figure 112017013487375-pct00138
실시예 1-1(유기 EL 소자의 제작)
25mm×75mm×1.1mm의 ITO 투명 전극 라인 부착 유리 기판(지오마틱사제)을 아이소프로필알코올 중에서 5분간 초음파 세정하고, 추가로 30분간 UV(Ultraviolet) 오존 세정했다.
세정 후의 투명 전극 라인 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극 라인이 형성되어 있는 면 상에 상기 투명 전극을 덮도록 하여 하기 전자 주입성 화합물 A를 증착하여, 막 두께 5nm의 막 A를 성막했다.
이 막 A 상에, 제 1 정공 수송 재료로서 합성 실시예 1에서 얻은 방향족 아민 유도체 H1을 증착하여, 막 두께 80nm의 제 1 정공 수송층을 성막했다. 제 1 정공 수송층의 성막에 이어, 제 2 정공 수송 재료로서 하기 방향족 아민 유도체 Y1을 증착하여, 막 두께 10nm의 제 2 정공 수송층을 성막했다.
이 정공 수송층 상에, 하기 호스트 화합물 BH와 도펀트 화합물 BD를 두께 25nm로 공증착하여, 발광층을 성막했다. 발광층 중의 도펀트 화합물 BD의 농도는 4질량%였다.
계속하여, 이 발광층 상에, 하기 화합물 ET1을 두께 10nm, 계속하여 하기 화합물 ET2를 두께 15nm, 및 LiF를 두께 1nm로 증착하여, 전자 수송/주입층을 성막했다. 추가로 금속 Al을 두께 80nm로 증착하여 음극을 형성하여, 유기 EL 소자를 제조했다.
Figure 112017013487375-pct00139
실시예 1-2∼1-34
제 1 정공 수송 재료로서 합성 실시예 2∼34에서 얻은 방향족 아민 유도체 H2∼H34를 이용한 것 이외에는 실시예 1-1과 마찬가지로 하여 실시예 1-2∼1-34의 각 유기 EL 소자를 제작했다.
비교예 1-1 및 1-2
제 1 정공 수송 재료로서 하기 비교 화합물 1(특허문헌 1에 기재된 화합물) 또는 비교 화합물 2(특허문헌 3에 기재된 화합물)를 이용한 것 이외에는 실시예 1-1과 마찬가지로 하여 각 유기 EL 소자를 제작했다.
Figure 112017013487375-pct00140
유기 EL 소자의 발광 성능 평가
이상과 같이 하여 제작한 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 휘도(L), 전류 밀도를 측정하고, 측정 결과로부터 전류 밀도 10mA/cm2에 있어서의 외부 양자 효율(EQE), 구동 전압(V)을 구했다. 추가로 전류 밀도 50mA/cm2에 있어서의 90% 수명을 구했다. 여기에서, 90% 수명이란, 정전류 구동 시에 있어서, 휘도가 초기 휘도의 90%로 감쇠할 때까지의 시간을 말한다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112017013487375-pct00141
표 1의 결과로부터, 본 발명의 식(1)에 포함되는 화합물(H1)∼(H34)를 이용하는 것에 의해, 고수준의 발광 효율을 유지하면서, 저전압으로 구동할 수 있고, 또한 장수명인 유기 EL 소자가 얻어진다는 것을 알 수 있다.
실시예 2-1(유기 EL 소자의 제작)
25mm×75mm×1.1mm의 ITO 투명 전극 라인 부착 유리 기판(지오마틱사제)을 아이소프로필알코올 중에서 5분간 초음파 세정하고, 추가로 30분간 UV(Ultraviolet) 오존 세정했다.
세정 후의 투명 전극 라인 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극 라인이 형성되어 있는 면 상에 상기 투명 전극을 덮도록 하여 상기 전자 주입성 화합물 A를 증착하여, 막 두께 5nm의 막 A를 성막했다.
이 막 A 상에, 제 1 정공 수송 재료로서 하기 방향족 아민 유도체 X1을 증착하여, 막 두께 80nm의 제 1 정공 수송층을 성막했다. 제 1 정공 수송층의 성막에 이어, 제 2 정공 수송 재료로서 합성 실시예 1에서 얻은 방향족 아민 유도체 H1을 증착하여, 막 두께 10nm의 제 2 정공 수송층을 성막했다.
이 정공 수송층 상에, 호스트 화합물 BH와 도펀트 화합물 BD를 두께 25nm로 공증착하여, 발광층을 성막했다. 발광층 중의 도펀트 화합물 BD의 농도는 4질량%였다.
계속하여, 이 발광층 상에, 화합물 ET1을 두께 10nm, 계속하여 화합물 ET2를 두께 15nm, 및 LiF를 두께 1nm로 증착하여, 전자 수송/주입층을 성막했다. 추가로 금속 Al을 두께 80nm로 증착하여 음극을 형성하여, 유기 EL 소자를 제조했다.
Figure 112017013487375-pct00142
실시예 2-2∼2-10
제 2 정공 수송 재료로서 표 2에 기재된 방향족 아민 유도체를 이용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지로 하여 각 유기 EL 소자를 제작했다.
비교예 2-1 및 2-2
제 2 정공 수송 재료로서 상기 비교 화합물 1 또는 2를 이용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지로 하여 각 유기 EL 소자를 제작했다.
유기 EL 소자의 발광 성능 평가
이상과 같이 하여 제작한 유기 EL 소자에 대해, 상기와 마찬가지로 하여, 전류 밀도 10mA/cm2에 있어서의 외부 양자 효율(EQE), 구동 전압(V), 및 전류 밀도 50mA/cm2에 있어서의 90% 수명을 구했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112017013487375-pct00143
표 2의 결과로부터, 식(1)에 포함되는 방향족 아민 유도체를 이용하는 것에 의해, 고수준의 발광 효율을 유지하면서, 저전압으로 구동할 수 있고, 또한 장수명인 유기 EL 소자가 얻어진다는 것을 알 수 있다.
1: 유기 EL 소자
2: 기판
3: 양극
4: 음극
5: 발광층
6: 양극측 유기 박막층
7: 음극측 유기 박막층
10: 발광 유닛

Claims (23)

  1. 하기 식(1)로 표시되는 화합물.
    Figure 112023090496041-pct00144

    〔식 중,
    R1∼R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기, 할로젠 원자, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기를 나타낸다.
    a는 0∼3의 정수이며, b, c 및 d는 각각 독립적으로 0∼4의 정수를 나타낸다. (R1)0, (R2)0, (R3)0, 및 (R4)0은, 각각, R1, R2, R3 또는 R4가 존재하지 않는 것을 의미한다. a, b, c 또는 d가 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 2 또는 3개의 R1, 2∼4개의 R2, 2∼4개의 R3, 및 2∼4개의 R4는 각각 동일해도 상이해도 된다.
    L0 및 L1은 단일결합을 나타내고, L2는 단일결합, 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴렌기를 나타낸다.
    Ar은 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴기를 나타낸다.
    상기 「치환 또는 비치환」이라고 할 때의 임의의 치환기는, 탄소수 1∼20의 알킬기; 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기; 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기; 및 할로젠 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 기이다.〕
  2. 제 1 항에 있어서,
    하기 식(1-1)로 표시되는 화합물.
    Figure 112017013487375-pct00145

    〔식 중, R1∼R4, a∼d, L0∼L2, 및 Ar은 식(1)에서 정의한 대로이다.〕
  3. 제 1 항에 있어서,
    하기 식(1-2)로 표시되는 화합물.
    Figure 112017013487375-pct00146

    〔식 중, R1∼R4, a∼d, L0∼L2, 및 Ar은 식(1)에서 정의한 대로이다.〕
  4. 제 1 항에 있어서,
    하기 식(1-3)으로 표시되는 화합물.
    Figure 112017013487375-pct00147

    〔식 중, R1∼R4, a∼d, L0∼L2, 및 Ar은 식(1)에서 정의한 대로이다.〕
  5. 제 1 항에 있어서,
    하기 식(1-4)로 표시되는 화합물.
    Figure 112017013487375-pct00148

    〔식 중, R1∼R4, a∼d, L0∼L2, 및 Ar은 식(1)에서 정의한 대로이다.〕
  6. 제 2 항에 있어서,
    하기 식(1-1a) 또는 (1-1b)로 표시되는 화합물.
    Figure 112017013487375-pct00149

    〔식 중, R1∼R4, a∼d, L0∼L2, 및 Ar은 식(1)에서 정의한 대로이다.〕
  7. 제 3 항에 있어서,
    하기 식(1-2a) 또는 (1-2b)로 표시되는 화합물.
    Figure 112017013487375-pct00150

    〔식 중, R1∼R4, a∼d, L0∼L2, 및 Ar은 식(1)에서 정의한 대로이다.〕
  8. 제 4 항에 있어서,
    하기 식(1-3a) 또는 (1-3b)로 표시되는 화합물.
    Figure 112017013487375-pct00151

    〔식 중, R1∼R4, a∼d, L0∼L2, 및 Ar은 식(1)에서 정의한 대로이다.〕
  9. 제 5 항에 있어서,
    하기 식(1-4a) 또는 (1-4b)로 표시되는 화합물.
    Figure 112017013487375-pct00152

    〔식 중, R1∼R4, a∼d, L0∼L2, 및 Ar은 식(1)에서 정의한 대로이다.〕
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Ar이 나타내는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기에 있어서, 해당 아릴기는, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 바이페닐렌일기, 나프틸기, 아세나프틸렌일기, 안트릴기, 벤즈안트릴기, 아세안트릴기, 벤조페난트릴기, 트라이페닐렌일기, 페날렌일기, 플루오렌일기, 펜타센일기, 피센일기, 펜타페닐기, 피렌일기, 크라이센일기, 벤조크라이센일기, s-인다센일기, as-인다센일기, 플루오란텐일기, 및 페릴렌일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물.
  11. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Ar이 나타내는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴기에 있어서, 해당 헤테로아릴기는, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이속사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤즈아이소싸이아졸릴기, 다이벤조퓨란일기, 나프토벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, 나프토벤조싸이오펜일기, N-카바졸릴기, 벤조-N-카바졸릴기, C-카바졸릴기, 벤조-C-카바졸릴기, 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페노싸이아진일기, 페녹사진일기, 및 잔텐일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물.
  12. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Ar이 하기 식(a)∼(n) 중 어느 하나로 표시되는 화합물.

    〔식(a)∼(n)에 있어서,
    R은 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기, 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기, 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기, 또는 할로젠 원자를 나타낸다.
    p는 각각 독립적으로 0 또는 1, q는 각각 독립적으로 0 또는 1, r은 각각 독립적으로 0 또는 1, s는 0 또는 1을 나타낸다. (R)0은 R이 존재하지 않는 것을 의미한다.
    식(f)에 있어서, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기, 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기, 할로젠 원자, 또는 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기를 나타낸다.
    식(n)에 있어서, Rc는, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기를 나타낸다.
    *는, 상기 식(1) 중의 L2와의 결합을 나타낸다.〕
  13. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    L2가 나타내는 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기에 있어서, 해당 아릴렌기는, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 바이페닐렌일기, 나프틸기, 아세나프틸렌일기, 안트릴기, 벤즈안트릴기, 아세안트릴기, 페난트릴기, 트라이페닐렌일기, 벤조페난트릴기, 페날렌일기, 플루오렌일기, 펜타센일기, 피센일기, 펜타페닐기, 피렌일기, 크라이센일기, 벤조크라이센일기, s-인다센일기, as-인다센일기, 플루오란텐일기, 및 페릴렌일기로부터 1개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 2가의 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물.
  14. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    L2가 나타내는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴렌기에 있어서, 해당 헤테로아릴렌기는, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이속사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤즈아이소싸이아졸릴기, 다이벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, N-카바졸릴기, C-카바졸릴기, 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페노싸이아진일기, 페녹사진일기, 및 잔텐일기로부터 1개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 2가의 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물.
  15. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    L2가 단일결합 또는 하기 식(ii) 및 (iii) 중 어느 하나로 표시되는 아릴렌기인 화합물.
    Figure 112023090496041-pct00154

    〔식 중, R은 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알킬기, 환형성 탄소수 6∼10의 아릴기, 탄소수 1∼20의 플루오로알킬기, 또는 할로젠 원자를 나타낸다. q는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타낸다. (R)0은 R이 존재하지 않는 것을 의미한다.
    L2가 식(ii) 또는 (iii)으로 표시되는 경우, *와 ** 중 한쪽은 Ar과의 결합을 나타내고, 다른 쪽은 질소 원자와의 결합을 나타낸다.〕
  16. 제 12 항에 있어서,
    L2가 단일결합이고, Ar이 하기 식(a)∼(h) 중 어느 하나로 표시되는 화합물.
    Figure 112023090496041-pct00155

    〔식 중, R, Ra, Rb, p, q, r 및 *는 상기와 동일하다.〕
  17. 제 12 항에 있어서,
    Ar이 하기 식(b-1), (b-2), (c-1), (c-2), 및 (d-1) 중 어느 하나로 표시되는 화합물.
    Figure 112023090496041-pct00156

    〔식 중, R, p, q, r 및 *는 상기와 동일하다.〕
  18. 제 12 항에 있어서,
    L2가 치환 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로아릴렌기를 나타내며, Ar이 하기 식(i)∼(n) 중 어느 하나로 표시되는 화합물.
    Figure 112023090496041-pct00157

    〔식 중, R, Rc, q, r, s 및 *는 상기와 동일하다.〕
  19. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자용 재료.
  20. 음극, 양극, 및 해당 음극과 해당 양극 사이에 배치된 유기 박막층을 갖는 유기 전기발광 소자로서, 해당 유기 박막층이 1 또는 복수의 층을 포함하고, 해당 유기 박막층이 발광층을 포함하며, 해당 유기 박막층의 적어도 1층이 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자.
  21. 제 20 항에 있어서,
    양극과 발광층 사이에 적어도 1층으로 이루어지는 양극측 유기 박막층을 포함하고, 해당 양극측 유기 박막층의 적어도 1층이 상기 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 양극측 유기 박막층이 양극측의 정공 주입층과 발광층측의 정공 수송층을 포함하고, 해당 정공 주입층과 해당 정공 수송층 중 적어도 한쪽이 상기 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자.
  23. 제 20 항에 기재된 유기 전기발광 소자를 구비하는 전자 기기.
KR1020177003632A 2015-06-08 2016-06-07 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기 KR102629838B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015116176A JP6454226B2 (ja) 2015-06-08 2015-06-08 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
JPJP-P-2015-116176 2015-06-08
PCT/JP2016/066975 WO2016199784A1 (ja) 2015-06-08 2016-06-07 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180015604A KR20180015604A (ko) 2018-02-13
KR102629838B1 true KR102629838B1 (ko) 2024-01-25

Family

ID=57503826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177003632A KR102629838B1 (ko) 2015-06-08 2016-06-07 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10243148B2 (ko)
JP (1) JP6454226B2 (ko)
KR (1) KR102629838B1 (ko)
CN (1) CN106660940B (ko)
WO (1) WO2016199784A1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101780605B1 (ko) 2014-09-19 2017-09-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 신규의 화합물
KR101992348B1 (ko) * 2015-09-04 2019-06-24 주식회사 엘지화학 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2017102063A1 (en) * 2015-12-16 2017-06-22 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
KR102010893B1 (ko) 2016-09-23 2019-08-14 주식회사 엘지화학 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN106866499B (zh) * 2016-12-26 2020-01-10 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 有机空穴传输材料
CN110446714B (zh) * 2017-03-16 2022-03-11 德山金属株式会社 用于有机电子元件的化合物、使用所述化合物的有机电子元件及其电子设备
CN110799484B (zh) * 2017-06-28 2023-09-26 默克专利有限公司 用于电子器件的材料
WO2019027189A1 (ko) * 2017-08-02 2019-02-07 주식회사 엘지화학 유기 전계 발광 소자
EP3663288B1 (en) * 2017-08-03 2022-06-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd Compound, organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, and electronic device
CN109694328B (zh) * 2017-10-20 2022-03-29 江苏三月科技股份有限公司 一种三芳香胺类化合物、其制备方法及其在有机电致发光器件中的应用
WO2019083122A1 (ko) * 2017-10-24 2019-05-02 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
US11744145B2 (en) * 2018-11-05 2023-08-29 Lg Display Co., Ltd. Organic compound and organic electroluminescent device comprising the same
CN109232382B (zh) * 2018-11-15 2021-12-28 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种咔唑衍生物及其有机电致发光器件
JP7461300B2 (ja) 2018-11-30 2024-04-03 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器
KR102469105B1 (ko) * 2019-07-22 2022-11-18 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
CN111116561B (zh) * 2019-12-03 2022-06-17 北京绿人科技有限责任公司 一种含稠环结构的化合物及其应用和一种有机电致发光器件
US11917899B2 (en) 2020-03-05 2024-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Arylamine-fluorene alternating copolymer, electroluminescence device material, and electroluminescence device using the polymer
CN112876464A (zh) * 2021-02-08 2021-06-01 北京燕化集联光电技术有限公司 一种杂环结构的有机材料及其应用
CN114957188A (zh) * 2021-02-26 2022-08-30 阜阳欣奕华材料科技有限公司 化合物与有机电致发光器件以及中间体化合物

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150155491A1 (en) 2012-06-06 2015-06-04 Merck Patent Gmbh Phenanthrene compounds for organic electronic devices

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7288617B2 (en) * 2001-03-24 2007-10-30 Merck Patent Gmbh Conjugated polymers containing spirobifluorene units and fluorene units, and the use thereof
WO2005094130A1 (ja) 2004-03-26 2005-10-06 Matsushita Electric Works, Ltd. 有機発光素子
ATE445672T1 (de) * 2005-03-14 2009-10-15 Basf Se Neue polymere
CN102150087B (zh) * 2008-09-09 2015-01-21 默克专利股份有限公司 有机材料和电子照相器件
KR20100041043A (ko) 2008-10-13 2010-04-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는 유기 발광 소자
JP5778148B2 (ja) * 2009-08-04 2015-09-16 メルク パテント ゲーエムベーハー 多環式炭水化物を含む電子デバイス
DE102010045405A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101350581B1 (ko) 2010-12-29 2014-01-16 주식회사 엘지화학 새로운 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101298489B1 (ko) * 2011-03-02 2013-08-26 덕산하이메탈(주) 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치
KR101497136B1 (ko) 2011-12-30 2015-03-02 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR102052070B1 (ko) * 2012-11-19 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 아민계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102119673B1 (ko) * 2013-03-05 2020-06-08 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102157998B1 (ko) * 2013-07-25 2020-09-22 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102357467B1 (ko) * 2014-07-22 2022-02-04 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자
CN104557440A (zh) * 2015-02-05 2015-04-29 江西冠能光电材料有限公司 一种取代苯并菲衍生物类有机发光二极管材料

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150155491A1 (en) 2012-06-06 2015-06-04 Merck Patent Gmbh Phenanthrene compounds for organic electronic devices

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016199784A1 (ja) 2016-12-15
CN106660940B (zh) 2021-08-17
KR20180015604A (ko) 2018-02-13
US10243148B2 (en) 2019-03-26
JP6454226B2 (ja) 2019-01-16
CN106660940A (zh) 2017-05-10
US20170229649A1 (en) 2017-08-10
JP2017001979A (ja) 2017-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102629838B1 (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기
KR102354549B1 (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기
KR102495414B1 (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기
JP7155249B2 (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
KR20220079845A (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
JP6979112B2 (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2017022727A1 (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
KR20210007975A (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기
KR20220138380A (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
KR20230113545A (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
JP2022037253A (ja) 化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP4043449A1 (en) Compound, material for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, and electronic device
WO2021033730A1 (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2020241826A1 (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
KR20220162113A (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
WO2016204151A1 (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2021157580A1 (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
KR102675636B1 (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
WO2022080477A1 (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2022210821A1 (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
JP2022158684A (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
JP2022154523A (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
KR20230163348A (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
KR20230137903A (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광소자 및 전자 기기
KR20230152551A (ko) 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant