KR102623677B1 - 피엠아이씨(pmic) 모델링 시스템 및 이의 구동 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 18
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 10
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 235000013599 spices Nutrition 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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- G06F1/28—Supervision thereof, e.g. detecting power-supply failure by out of limits supervision
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/36—Circuit design at the analogue level
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J3/00—Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks
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- G—PHYSICS
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/10—Geometric CAD
- G06F30/18—Network design, e.g. design based on topological or interconnect aspects of utility systems, piping, heating ventilation air conditioning [HVAC] or cabling
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/25—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof using digital measurement techniques
- G01R19/2513—Arrangements for monitoring electric power systems, e.g. power lines or loads; Logging
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2119/00—Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
- G06F2119/06—Power analysis or power optimisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Computational Mathematics (AREA)
- Mathematical Analysis (AREA)
- Mathematical Optimization (AREA)
- Pure & Applied Mathematics (AREA)
- Power Sources (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
- Stereo-Broadcasting Methods (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
PDN(Power Distribution Network) 분석을 위한 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 모델링 시스템은, 로드의 구동에 필요한 전류를 공급하는 전원 공급부와, 상기 로드로 공급되는 로딩 전류를 실시간 모니터링하여, 현재 시점의 제1 전류 값과 이전 시점의 제2 전류 값을 비교한 전류 비교 값을 생성하는 저항 설정부와, 및 상기 전류 비교 값에 기초하여 상기 저항 설정부의 가변저항 값의 변경을 위한 제어신호를 생성하는 제어부를 포함한다. 상기 저항 설정부는 상기 제어신호에 기초하여 가변저항의 저항 값을 변경시킨다. 상기 전원 공급부는 상기 가변저항의 저항 값의 변화에 따라 상기 로드로 공급되는 전류를 제어한다.
Description
본 발명은 배전 네트워크(PDN: Power Distribution Network) 분석을 위한 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 모델링 시스템 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.
PDN 검증을 위한 PMIC의 시뮬레이션 모델들은 이상적인 전압 소스(ideal voltage source)를 적용함으로 PMIC의 기본 특성인 전류 공급 제한 능력을 반영할 수 없다. 시뮬레이션 모델을 PDN에 적용하는 경우 전압 드랍(voltage drop) 및 디커플링 커패시터(decoupling capacitor)에 의한 영향을 정확하게 반영할 수 없다. 시뮬레이션 모델을 이용한 PMIC 및 PDN의 시뮬레이션 결과와 실측 결과 간에 차이가 발생하게 된다.
본 개시에 따른 실시 예들의 과제는 PMIC의 전류 공급을 제한할 수 있는 PMIC 모델링 시스템 및 이의 구동 방법을 제공하는 데 있다.
본 개시에 따른 실시 예들의 과제는 PDN의 전압 드랍(voltage drop) 및 디커플링 커패시터(decoupling capacitor)에 의한 영향을 예측할 수 있는 PMIC 모델링 시스템 및 이의 구동 방법을 제공하는 데 있다.
본 개시에 따른 실시 예들의 과제는 PMIC 및 PDN의 시뮬레이션 결과와 실측 결과 간에 차이를 줄일 수 있는 PMIC 모델링 시스템 및 이의 구동 방법을 제공하는 데 있다.
PDN(Power Distribution Network) 분석을 위한 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 모델링 시스템은, 로드의 구동에 필요한 전류를 공급하는 전원 공급부와, 상기 로드로 공급되는 로딩 전류를 실시간 모니터링하여, 현재 시점의 제1 전류 값과 이전 시점의 제2 전류 값을 비교한 전류 비교 값을 생성하는 저항 설정부와, 및 상기 전류 비교 값에 기초하여 상기 저항 설정부의 가변저항 값의 변경을 위한 제어신호를 생성하는 제어부를 포함한다. 상기 저항 설정부는 상기 제어신호에 기초하여 가변저항의 저항 값을 변경시킨다. 상기 전원 공급부는 상기 가변저항의 저항 값의 변화에 따라 상기 로드로 공급되는 전류를 제어한다.
PDN(Power Distribution Network) 분석을 위한 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 모델링 시스템은, 로드의 구동에 필요한 전류를 공급하는 전원 공급부와, 상기 로드로 공급되는 로딩 전류를 실시간 모니터링하여, 현재 시점의 제1 전류 값과 이전 시점의 제2 전류 값을 비교한 전류 비교 값을 생성하는 저항 설정부와, 상기 전류 비교 값에 기초하여 상기 전원 공급부의 출력 전류를 제어하기 위한 파라미터들이 설정되고, 상기 전류 비교 값 및 상기 파라미터들에 기초하여 상기 저항 설정부의 가변저항 값의 변경을 위한 제어신호를 생성하는 제어부를 포함한다. 상기 저항 설정부는 상기 제어신호에 기초하여 가변저항의 저항 값을 변경시킨다. 상기 전류 공급부는 상기 가변저항의 저항 값의 변화에 따라 상기 로드로 공급되는 전류를 제어한다.
PMIC(Power Management Integrated Circuit) 모델링 시스템의 구동 방법은, 로드로 공급하고 있는 전류 값을 실시간으로 모니터링한다. 현재 시점의 제1 전류 값과 이전 시점의 제2 전류 값을 비교한 전류 비교 값을 생성한다. 상기 전류 비교 값에 기초하여 가변저항 값을 변경한다. 상기 가변저항 값에 따라 일정한 전류 값을 공급하는 최대전류 모드 또는 상기 로드에서 필요로 하는 전류 값을 공급하는 노멀 모드로 동작을 변환한다.
본 개시에 따른 실시 예들에 따르면, 시간 변화에 따른 전류 변화(di/dt) 값을 통제하여 전류 공급 능력을 제한하는 PMIC의 모델링 시스템 및 이의 구동 방법을 제공할 수 있다.
본 개시에 따른 실시 예들에 따르면, PMIC 모델링 시스템은 전류 공급부의 출력 전류를 실시간으로 모니터링한 결과에 따라 노멀 모드에서 최대전류(imax) 모드로 또는 최대전류(imax 모드에서 노멀 모드로 변경하여 시간 변화에 따른 전류 변화 값(di/dt)을 조절할 수 있다.
본 개시에 따른 실시 예들에 따르면, PMIC 모델링 시스템은 제한된 전류 공급 능력을 반영하여 실제 PMIC와 유사한 특성을 PDN 시뮬레이션에 반영할 수 있다. PMIC 모델링 시스템은 전압 드랍(voltage drop) 및 디커플링 커패시터(decoupling capacitor)의 영향을 반영하여 PDN 분석 시 실제 측정 결과와 동일 또는 유사한 성능 검증이 이루어지도록 할 수 있다.
본 개시에 따른 실시 예들에 따르면, 다양한 로드에 맞춰 PDN의 시뮬레이션을 수행할 수 있고, PDN의 시뮬레이션 시간을 줄일 수 있다.
도 1은 본 개시의 실시 예에 따른 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 모델링 시스템을 나타내는 도면이다.
도 2a는 PDN 검증을 위한 전류 웨이브폼을 생성하고, 전류 웨이브폼을 PMIC 모델링 시스템에 적용하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 2b는 PMIC 모델링 시스템에 입력되는 파라미터들의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3a는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 노멀 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 3b는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 노멀 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 아이디얼 다이오드(ID)에 순방향 바이어스(Forward bias)가 가해지는 경우, 스위치 온(on)으로 동작하는 것을 나타내는 도면이다.
도 5는 전류 공급 제한이 필요한 경우에 노멀 모드에서 최대전류(imax) 모드로 동작 변경이 이루어지는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 최대전류(imax) 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 6b는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 최대전류(imax) 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 1에 도시된 아이디얼 다이오드(ID)에 역방향 바이어스(reverse bias)가 가해지는 경우, 스위치 오프(off)으로 동작하는 것을 나타내는 도면이다.
도 8은 최대전류(imax) 모드에서 노멀 모드로 동작 변경이 이루어지는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 PIMC의 동작 성능을 검증하는 일 예로서, PMIC 모델링 시스템이 칩 패키지 시스템 단위에 적용되는 것을 나타내는 도면이다.
도 10은 PIMC의 동작 성능을 검증하는 일 예로서, PMIC 모델링 시스템이 모바일 디바이스에 적용되는 것을 나타내는 도면이다.
도 2a는 PDN 검증을 위한 전류 웨이브폼을 생성하고, 전류 웨이브폼을 PMIC 모델링 시스템에 적용하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 2b는 PMIC 모델링 시스템에 입력되는 파라미터들의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3a는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 노멀 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 3b는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 노멀 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 아이디얼 다이오드(ID)에 순방향 바이어스(Forward bias)가 가해지는 경우, 스위치 온(on)으로 동작하는 것을 나타내는 도면이다.
도 5는 전류 공급 제한이 필요한 경우에 노멀 모드에서 최대전류(imax) 모드로 동작 변경이 이루어지는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 최대전류(imax) 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 6b는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 최대전류(imax) 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 1에 도시된 아이디얼 다이오드(ID)에 역방향 바이어스(reverse bias)가 가해지는 경우, 스위치 오프(off)으로 동작하는 것을 나타내는 도면이다.
도 8은 최대전류(imax) 모드에서 노멀 모드로 동작 변경이 이루어지는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 PIMC의 동작 성능을 검증하는 일 예로서, PMIC 모델링 시스템이 칩 패키지 시스템 단위에 적용되는 것을 나타내는 도면이다.
도 10은 PIMC의 동작 성능을 검증하는 일 예로서, PMIC 모델링 시스템이 모바일 디바이스에 적용되는 것을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 개시에 따른 실시 예들의 PMIC 모델링 시스템 및 이의 구동 방법을 설명하면 다음과 같다.
시스템 레벨(System Level)의 전력 및 신호 무결성(PSI: Power and Signal Integrity)을 보장하기 위해 배전 네트워크(PDN: Power Distribution Network)에 대한 검증이 필요하다. 일반적으로 제품 분석에 사용하는 통상적인 검증방법은 온-칩 다이(On-chip die), 패키지(Package), 보드(Board), PMIC(Power Management IC)에 대한 모델로 PDN을 구성하고, 시뮬레이션(simulation)을 통해서 PDN을 검증한다. 시뮬레이션을 통하여 실재 장치에서의 측정결과와 유사한 특성을 검증하기 위해서는 정확한 PMIC 모델이 요구된다. 본 개시에서는 PMIC의 회로 동작 특성이 반영된 PMIC 모델링 시스템 및 이의 구동 방법을 제안한다.
도 1은 본 개시의 실시 예에 따른 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 모델링 시스템을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, PMIC 모델링 시스템(100)은 전원 공급부(110), 저항 설정부(120) 및 제어부(130)를 포함한다. 전원 공급부(110)는 노멀 모드 또는 최대전류(imax) 모드에 따라서 출력되는 전류를 제한(current limiting)할 수 있다.
전원 공급부(110)는 전류 공급부(IS), 아이디얼 다이오드(ID), 전류 공급부(IS)와 병렬로 접속된 제1 저항(Rp), 및 아이디얼 다이오드(ID)와 직렬로 연결된 제2 저항(Rs)를 포함할 수 있다. 아이디얼 다이오드(ID)는 스위치로 대체될 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)는 배전 네트워크(200, PDN)를 통해 로드(210)에 전원을 공급할 수 있다. 배전 네트워크(200, PDN)는 로드(210)를 포함할 수 있다. 로드(210)는 전력을 소비함으로써 특정 기능을 수행하는 구성 부품으로서, 트랜지스터, 도선 및/또는 수동 소자를 포함할 수 있다.
일 예로서, 로드(210)는 마이크로 프로세서 (Micro Processor), CPU(Central Processing Unit), GUP(Graphic Processing Unit), 어플리케이션 프로세서(Application Processor) 또는 반도체 메모리 장치(예로서, DRAM, PRAM, MRAM, FRAM, SSD) 등을 포함할 수 있다. 로드(210)는 하나 이상의 전원 단자를 통해서 전원을 공급받을 수 있다. 로드(210)는 전력전송 네트워크(200, PDN)로부터 동작 전류(i) 및 동작 전압(v)을 공급받을 수 있다.
로드(210)에 전달되는 동작 전압(v)은 직류 전압일 수 있고, 로드(210)의 동작에 의해 소비하는 동작 전류(i)의 양이 변함으로써 동작 전압(v)은 변동될 수 있다. 로드(210)가 정상적으로 동작하도록 하는 동작 전압(v)의 변동 범위는 공급 전압의 허용오차(tolerance)를 포함할 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)은 아이디얼 다이오드(ID)의 순방향 바이어스(Forward bias, 또는 스위치의 온(on) 동작) 또는 역방향 바이어스(reverse bias, 또는 스위치의 오프(off) 동작)에 따라서 최대전류 모드 또는 노멀 모드로 구동될 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)은 최대전류 모드에서 기 설정된 일정한 전류(예로서, 최대 전류(max current))를 PDN(200)의 로드(210)로 공급할 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)은 노멀 모드에서 로드(210)에서 필요로 하는 전류 값을 제한하지 않고, 로드(210)에서 요청된 전류를 로드(210)로 공급할 수 있다.
일 예로서, PMIC 모델링 시스템(100)은 아이디얼 다이오드(ID)가 순방향 바이어스 일 때, 노멀 모드로 동작할 수 있다. PMIC 모델링 시스템(100)은 노멀 모드에서 아이디얼 전압 소스(ideal voltage source)와 유사하게 동작할 수 있다.
일 예로서, PMIC 모델링 시스템(100)은 아이디얼 다이오드(ID)가 역방향 바이어스 일 때, 최대전류(imax) 모드로 동작할 수 있다. PMIC 모델링 시스템(100)은 최대전류(imax) 모드에서 직류 전류 소스(DC current source)로 동작할 수 있다.
PDN 시뮬레이션 수행 시, PMIC 모델링 시스템(100)은 노멀 모드와 최대전류(imax) 모드의 전환을 여러 차례 반복할 수 있다. 즉, PMIC 모델링 시스템(100)은 노멀 모드에서 최대전류(imax) 모드로 전환될 수 있고, 최대전류(imax) 모드에서 노멀 모드로 전환될 수 있다. 이러한, 구동 모드의 전환이 수차례 반복될 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)은 전원 공급부(110)의 전류 공급 능력이 최대(maximum) 시간 변화에 따른 전류 변화(di/dt)량을 초과하지 않도록 전류 공급을 조절할 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)은 기 설정된 최대전류 값 이내에서 로드(210)에 전류를 공급할 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)은 최대전류(imax) 모드로 동작 시, 로드(210)에서 최대전류 값을 초과하는 전류를 필요로 하더라도, PMIC 모델링 시스템(100)은 최대전류 값 이내에서 로드(210)에 전류를 공급할 수 있다. PMIC 모델링 시스템(100)은 노멀 모드 동작 시, 로드(210)에서 필요로 하는 전류를 모두 공급할 수 있다.
저항 설정부(120)는 실시간으로 로드(210)로 공급되는 로딩 전류(loading current)를 모니터링할 수 있다. 저항 설정부(120)는 현재 시점에 모니터링 된 로딩 전류 값과 이전에 모니터링 된 로딩 전류 값을 비교할 수 있다. 저항 설정부(120)는 현재 시점에 로딩 전류 값과 이전 시점의 로딩 전류 값의 비교 결과를 제어부(130)에 실시간으로 전달할 수 있다.
제어부(130)는 현재 시점에 로딩 전류 값과 이전 시점의 로딩 전류 값의 비교 결과를 전원 공급부(110)에 실시간으로 전달할 수 있다.
제어부(130)는 저항 설정부(120)에서 모니터링 된 전류 비교 결과(즉, 전류 비교 값)에 기초하여 전원 공급부(110)의 출력 전류를 제어할 수 있다.
제어부(130)는 칩으로 유입되는 전류(즉, 칩에서 필요로 하는 전류)의 웨이브폼(current waveform) 데이터 로딩하고, 로딩된 전류 웨이브폼 데이터를 구동하여 PDN 검증에 적용할 수 있다. 제어부(130)는 개별 칩들의 전류 웨이브폼 데이터를 저장할 수 있는 메모리 및 전류 웨이브폼 데이터를 구동시킬 수 있는 프로세서를 포함할 수 있다.
전원 공급부(110)는 제어부(130)에서 입력되는 전류 비교 결과(즉, 전류 비교 값)에 기초하여 전류 공급 능력을 제한할 수 있다. 즉, 전원 공급부(110)는 제어부(130)에서 입력되는 전류 비교 결과(즉, 전류 비교 값)에 기초하여 로드(210)로 공급되는 전류를 제한할 수 있다.
저항 설정부(120)는 가변저항(variable resistance, 도 3a 참조)을 포함할 수 있다. 제어부(130)는 저항 설정부(120)에서 모니터링 된 전류 비교 결과(즉, 전류 비교 값)에 기초하여 저항 설정부(120)의 가변저항의 값을 제어할 수 있다. 제어부(130)는 저항 설정부(120)의 가변저항의 값의 제어를 위한 가변저항 제어신호를 생성하고, 생성된 가변저항 제어신호를 저항 설정부(120)에 공급할 수 있다.
저항 설정부(120)는 제어부(130)에서 입력되는 가변저항 제어신호에 기초하여 제어 신호에 기초하여 가변저항의 값을 변경할 수 있다.
제어부(130)는 최대전류(imax) 모드에서 허용할 수 있는 최대 전류 값을 산출하고, 산출된 최대 전류 값에 따라 저항 설정부(120)의 가변저항의 값을 조절할 수 있다.
일 예로서, 저항 설정부(120)는 노멀 모드로 동작 시, 제어부(130)의 제어에 따라 가변저항 값을 최대 값(예로서, 무한대 값)으로 설정할 수 있다.
일 예로서, 저항 설정부(120)는 최대전류(imax) 모드로 동작 시, 제어부(130)의 제어에 따라 가변저항 값을 기 설정된 값으로 조절하여 출력 전류(즉, 로드(210)로 공급되는 전류)가 제한되도록 할 수 있다.
일 예로서, 저항 설정부(120)는 최대전류(imax) 모드로 동작 시, 실시간으로 모니터링되는 전류 값의 비교 결과에 따라, 가변저항 값을 변경하여 출력 전류를 실시간으로 조절할 수 있다.
일 예로서, 저항 설정부(120)는 최대전류(imax) 모드로 동작 시, 일정 시간마다 모니터링되는 전류 값의 비교 결과에 따라, 가변저항 값을 변경하여 출력 전류를 일정 시간마다 조절할 수 있다.
PDN(200)은 칩 패키지 시스템(도 9 참조)일 수 있다. 로드(210)는 칩 패키지 시스템에 포함된 칩(chip)일 수 있다. 이에 한정되지 않고, PDN(200)은 모바일 디바이스(도 10 참조)일 수 있다. 로드(210)는 모바일 디바이스에 포함된 어플리케이션 프로세서(AP)일 수 있다.
도 2a는 PDN 검증을 위한 전류 웨이브폼을 생성하고, 전류 웨이브폼을 PMIC 모델링 시스템에 적용하는 방법을 나타내는 도면이다. 도 2b는 PMIC 모델링 시스템에 입력되는 파라미터들의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, PMIC 모델링 시스템(100)을 이용하여 PDN 검증을 수행하기 위해서 로드(210, 예로서, 칩)에서 필요로 하는 전류의 웨이브품(waveform)을 생성할 수 있다.
일 예로서, 칩(chip)의 온-칩 파워 네트워크(on-chip power network)를 파라미터 추출(parameter extraction)하여 RLC 회로로 모델링(modeling)할 수 있다(S10).
이어서, 칩(chip) 내부에 사용되는 트랜지스터(transistor)는 스위칭(switching) 여부에 따라서 전류 소스(current source) 또는 커패시턴스(capacitance)로 모델링할 수 있다(S20).
이어서, S10의 RLC 회로 모델링 및 S20의 전류 소스(current source) 또는 커패시턴스(capacitance)로 모델링을 이용하여 집중 정수 회로(lumped constant circuit)의 소자 모델링을 구성할 수 있다. 집중 정수 회로는 특정 회로에 분산되어 배치되는 인덕턴스, 정전 용량, 저항 등이 모두 한곳에 집중되어 있는 것처럼 회로를 등가적으로 설정하는 것을 의미한다. 회로를 흐르는 신호 파장에 비해서 회로의 길이가 짧은 경우에, 회로의 입력단에서 출력단으로 전해지는 신호의 흐름이 순간적으로 이루어진다고 볼 수 있다. 이러한 경우, 저항, 인덕턴스, 정전 용량 등의 회로 정수가 모두 한곳에 집중되어 있는 것처럼 회로를 등가적으로 설정할 수 있다. 이후, 소자 모델링을 구성하여 풀 칩(full chip) 전기 모델링(electrical modeling)할 수 있다(S30). 이때, PDN 분석에 이용될 칩이 여러 개인 경우, 개별 칩 각각에 대해서 풀 칩 전기 모델링을 수행할 수 있다.
이어서, 전자회로 시뮬레이션 프로그램(예로서, spice)을 이용하여 풀 칩 전기 모델링의 시뮬레이션을 수행하여 칩으로 유입되는 전류(즉, 칩에서 필요로 하는 전류)의 시간에 따른 변화를 나타내는 웨이브폼(current waveform, 이하, '전류 웨이브폼’이라 함)을 생성할 수 있다(S40). 전류 웨이브폼은 프로그램 형태의 데이터로 구성될 수 있으며, 제어부(130)에서 전류 웨이브폼의 데이터를 로딩 및 저장할 수 있다.
이어서, 각 칩의 전류 웨이브폼을 PMIC 모델링 시스템(100)에 적용하여 PDN 검증을 수행할 수 있다(S50). 도 2b에 도시된 바와 같이, PMIC의 파라미터를 제어부(130)에 설정할 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)의 파라미터의 일 예로서, ‘vdd’ 값(제1 파라미터)을 이용하여 전원 공급부(110)의 vdd 레벨을 설정할 수 있다. ‘imax’ 값(제2 파라미터)을 이용하여 최대전류를 제한(max current constraint)할 수 있다. ‘didtmax’ 값(제3 파라미터)을 이용하여 di/dt 값을 제한(constraint)할 수 있다.
도 3a는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 노멀 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다. 도 4는 도 1에 도시된 아이디얼 다이오드(ID)에 순방향 바이어스(Forward bias)가 가해지는 경우, 스위치 온(on)으로 동작하는 것을 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 4를 참조하면, 노멀 모드에서 PMIC 모델링 시스템(100)은 최대전류(imax) 값 이내에서 소스 전류(i_source) 값을 조절할 수 있다. 노멀 모드에서 전원 공급부(110)의 아이디얼 다이오드(ID)는 순방향 바이어스로 동작할 수 있다.
일 예로서, 제어부(130)는 노멀 모드에서 순방향 바이어스로 동작하도록 아이디얼 다이오드(ID)를 설정할 수 있다.
일 예로서, 아이디얼 다이오드(ID)를 스위치로 대체할 수 있다. 제어부(130)는 노멀 모드에서 전원 공급부(110)의 스위치(SW)를 온(on)시킬 수 있다.
노멀 모드에서 출력 전압 레벨(output voltage level)은 vdd 값으로 유지되고, vdd는 파워 서플라이(power supply)에서 공급될 수 있다. 제어부(130)는 노멀 모드에서 로드(210)에서 필요로 하는 전류가 공급되도록 전원 공급부(110) 및 저항 설정부(120)를 제어할 수 있다.
노멀 모드에서 전류 공급부(IS)는 로드(210)에서 필요로 하는 전류를 공급할 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)이 노멀 모드로 동작하는 중에, 로드(210)에서 필요로 하는 전류가 증가할 수 있다. 로드(210)에서 필요로 하는 전류가 전류 공급부(IS)의 소스 전류(i_source) 값이 최대전류(imax) 값을 초과하면, 제어부(130)는 전원 공급부(110) 및 저항 설정부(120)를 제어하여 노멀 모드에서 최대전류 모드로 전환시킬 수 있다.
본 개시의 PMIC 모델링 시스템(100)은 로드(210)에서 필요로 하는 전류의 시간 변화에 따른 전류 변화 값(di/dt)이 최대 di/dt를 넘지 않는 수준에서 전원 공급부(110)를 아이디얼 전압 소스(ideal voltage source)와 유사하게 동작시킬 수 있다.
저항 설정부(120)의 가변저항은 출력 전압(Vout)과 그라운드(GND) 사이에 배치될 수 있다. 가변저항의 제1 단자는 출력 전압(Vout)의 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 가변저항의 제2 단자는 그라운드(GND) 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 가변저항의 제1 단자와 출력 전압(Vout)의 단자의 연결은 전기회로 프로그램에 의해서 논리적으로 이루어질 수 있다.
노멀 모드에서, 제어부(130)는 가변저항 값이 최대 값(예로서, 무한대 값)이 되도록 저항 설정부(120)를 제어할 수 있다. 노멀 모드에서, 저항 설정부(120)는 제어부(130)의 제어에 따라 가변저항 값(r_limit)을 최대 값(예로서, 무한대 값)으로 설정할 수 있다.
저항 설정부(120)는 로드(210)로 공급되는 전류, 즉, 로딩 전류를 모니터링하고, 전류 모니터링 결과를 제어부(130)에 공급할 수 있다. 저항 설정부(120)의 로딩 전류(load current) 모니터링 결과 전류 공급제한이 필요한 경우, 제어부(130)는 노멀 모드에서 최대전류(imax) 모드로의 변경을 위해 저항 설정부(120)를 제어할 수 있다.
저항 설정부(120)는 제어부(130)의 제어에 따라서 노멀 모드에서 최대전류(imax) 모드로의 변경을 위해 가변저항 값(r_limit)을 최대 값에서 기 설정된 저항 값(r_limit')으로 변경할 수 있다.
일 예로서, 노멀 모드에서 최대전류 모드(imax mode)의 변경 시, 저항 설정부(120)는 현재의 소스 전류(i_source current, (i_out+i_limit))가 최대전류(imax) 값이 되어, 최대전류(imax) 모드로 진입하도록 가변저항의 값, 즉, 제한 저항(r_limit) 값을 변경할 수 있다.
표 1에 기재된 바와 같이, 제어부(130)는 타겟 소스 전류(i_source) 값과 제한 저항(r_limit) 값을 계산하기 위한 타겟 제한 전류(limiting current) 값을 산출할 수 있다. 제어부(130)에서 산출된 타겟 제한 전류(limiting current) 값이 저항 설정부(120)에 공급될 수 있다. 제어부(130)의 제어에 의해서, 저항 설정부(120)에서 제한 저항(r_limit) 값을 변경하면 전원 공급부(110)의 제1 소스 전류(i_source) 값이 제2 소스 전류(i_source') 값으로 변경될 수 있다.
도 3b는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 노멀 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 3a에서는 저항 설정부(120)가 가변저항을 포함하고, 가변저항의 저항 값을 변경하여 모드 변경이 이루어지는 것으로 도시하고 설명하였다. 이에 한정되지 않고, 도 3b에 도시된 바와 같이, 저항 설정부(120a)는 가변저항 이외에 저항 값을 조절할 수 있는 다른 전자 소자를 포함할 수 있다.
도 5는 전류 공급 제한이 필요한 경우에 노멀 모드에서 최대전류(imax) 모드로 동작 변경이 이루어지는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 저항 설정부(120)는 기 설정된 시점(t1, t2, t3, t4, …)마다 로딩 전류를 모니터링할 수 있다. 저항 설정부(120)는 현재 시점에 모니터링 된 로딩 전류 값과 이전 시점에 모니터링 된 로딩 전류 값을 비교할 수 있다.
저항 설정부(120)는 현재 시점에 로딩 전류 값과 이전 시점의 로딩 전류 값의 비교 결과를 생성할 수 있다. 저항 설정부(120)는 로딩 전류 값의 비교 결과를 제어부(130)에 실시간으로 공급할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 제어부(130)는 기 설정된 시점(t1, t2, t3, t4, …)마다 생성된 전류 값의 비교 결과에 기초하여 모드 변경이 필요한지 판단할 수 있다. 제어부(130)는 모드 변경이 필요하다고 판단된 경우, 모드 변경이 이루어지도록 저항 설정부(120)를 제어할 수 있다.
저항 설정부(120)는 로드(210)에서 필요로 하는 전류 di/dt 값이 최대전류(max di/dt) 값을 초과하지 않으면 가변저항 값을 제1 값(r_limit, 예로서 무한대 값)으로 유지시킬 수 있다. 가변저항이 제1 값(예로서, 무한대 값)을 유지하는 동안에는 PMIC 모델링 시스템(100)이 노멀 모드로 동작한다.
저항 설정부(120)는 로드(210)에서 필요로 하는 전류 di/dt 값이 최대전류(max di/dt) 값을 초과하면 가변저항 값을 제1 값(r_limit)에서 제2 값(r_limit')으로 변경할 수 있다. 가변저항의 제2 값(r_limit')은 제1 값(r_limit)보다 낮은 값으로 설정될 수 있다. 가변저항의 제2 값(r_limit')은 하나의 값으로 고정되지 않으며, 타겟 소스 전류(i_source)에 따라서 실시간으로 변화될 수 있다.
일 예로서, 저항 설정부(120)는 노멀 모드에서 최대전류 모드(imax mode)의 변경 시, 현재의 소스 전류(i_source current, (i_out+i_limit)가 최대전류(imax) 값이 되어, 최대전류(imax) 모드로 진입하도록 가변저항 값을 제1 값(r_limit)에서 제2 값(r_limit')으로 변경할 수 있다.
전류 공급부(110)는 변경된 가변저항 값(r_limit')에 따라 제1 소스 전류(i_source)에서 변경된 제2 소스 전류(i_source')를 로드(210)로 출력할 수 있다. 전류 공급부(110)에서 출력되는 소스 전류는 로드(210)에서 필요로 하는 전류에 따라서 실시간으로 변경될 수 있다.
도 6a는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 최대전류(imax) 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다. 도 7은 도 1에 도시된 아이디얼 다이오드(ID)에 역방향 바이어스(reverse bias)가 가해지는 경우, 스위치 오프(off)으로 동작하는 것을 나타내는 도면이다.
도 6a 및 도 7을 참조하면, 최대전류 모드에서 PMIC 모델링 시스템(100)은 소스 전류(i_source) 값을 최대전류(imax)로 제한할 수 있다.
최대전류 모드에서 전원 공급부(110)의 아이디얼 다이오드(ID)는 역방향 바이어스로 동작할 수 있다.
일 예로서, 제어부(130)는 최대전류 모드에서 역방향 바이어스로 동작하도록 아이디얼 다이오드(ID)를 설정할 수 있다.
일 예로서, 아이디얼 다이오드(ID)를 스위치로 대체할 수 있다. 제어부(130)는 노멀 모드에서 전원 공급부(110)의 스위치(SW)를 오프(off)시킬 수 있다.
최대전류(imax) 모드에서 저항 설정부(120)는 로드(210)로 공급되는 전류, 즉, 로딩 전류를 모니터링하고, 전류 모니터링 결과를 제어부(130)에 공급할 수 있다. 저항 설정부(120)의 로딩 전류(load current) 모니터링 결과 전류 공급제한이 필요 없는 경우, 제어부(130)는 최대전류(imax) 모드에서 노멀 모드로의 변경을 위해 저항 설정부(120)를 제어할 수 있다.
도 5를 결부하여 설명하면, 저항 설정부(120)는 기 설정된 시점(t1, t2, t3, t4, …)마다 로딩 전류를 모니터링할 수 있다. 저항 설정부(120)는 현재 시점에 모니터링 된 로딩 전류 값과 이전 시점에 모니터링 된 로딩 전류 값을 비교할 수 있다.
저항 설정부(120)는 현재 시점에 로딩 전류 값과 이전 시점의 로딩 전류 값의 비교 결과를 생성할 수 있다. 저항 설정부(120)는 로딩 전류 값의 비교 결과를 제어부(130)에 실시간으로 공급할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 제어부(130)는 기 설정된 시점(t1, t2, t3, t4, …)마다 생성된 전류 값의 비교 결과에 기초하여 모드 변경이 필요한지 판단할 수 있다. 제어부(130)는 모드 변경이 필요하다고 판단된 경우, 모드 변경이 이루어지도록 저항 설정부(120)를 제어할 수 있다. 저항 설정부(120)의 가변저항의 저항 값을 변경하여 PMIC 모델링 시스템(100)의 출력 전류를 조절할 수 있다.
최대전류(imax) 모드에서 전류 공급부(110)의 전류 구동 능력(current driving capability)이 최대가 된다. 최대전류(imax) 모드에서는 전류 공급부(110)가 일정한 최대전류 값을 출력하여 직류 전류 소스(DC current source)와 유사하게 동작할 수 있다.
저항 설정부(120)는 제어부(130)의 제어에 기초하여 실시간으로 가변저항의 제한 저항(r_limit) 값을 변경할 수 있다. 저항 설정부(120)는 실시간으로 가변저항의 제한 저항(r_limit) 값을 변경하여 로드(210)로 공급되는 출력 전류(i_out)의 제어가 이루어지도록 할 수 있다.
표 2에 기재된 바와 같이, 제어부(130)는 허용 가능한 최대 전류(maximum current) 값 및 제한 저항(r_limit) 값을 구하기 위해 필요한 제한 전류(i_limit)를 산출할 수 있다.
제어부(130)에서 산출된 제한 전류(i_limit)에 따라 저항 설정부(120)의 가변저항 값을 조절할 수 있다. 저항 설정부(120)의 가변저항 값의 조절에 의해서 PMIC 모델링 시스템(100)에서의 출력 전류가 변화될 수 있다.
최대전류(imax) 모드에서, 전류 공급 제한으로 부족한 전류는 로드(210) 자체에서의 디커플링 커패시터(decoupling capacitor)의 방전 전류(discharging current)로 공급될 수 있다.
최대전류(imax) 모드에서, 출력 전압 레벨(output voltage level)은 파워 서플라이(power supply)에서 공급되는 vdd 이하가 될 수 있다. 최대전류(imax) 모드에서, 아이디얼 다이오드(ID)는 역방향 바이어스 상태를 유지할 수 있다.
도 6b는 본 개시의 일 예에 따른 PMIC 모델링 시스템의 최대전류(imax) 모드의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 6a에서는 저항 설정부(120)가 가변저항을 포함하고, 가변저항의 저항 값을 변경하여 모드 변경이 이루어지는 것으로 도시하고 설명하였다. 이에 한정되지 않고, 도 6b에 도시된 바와 같이, 저항 설정부(120a)는 가변저항 이외에 저항 값을 조절할 수 있는 다른 전자 소자를 포함할 수 있다.
도 8은 최대전류(imax) 모드에서 노멀 모드로 동작 변경이 이루어지는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 최대전류(imax) 모드 중 로드(210)에서 필요로 하는 전류가 변화될 수 있다. 최대전류(imax) 모드 중 로드(210)에서 필요로 하는 전류가 최대전류 값 이하로 떨어지면 전류 공급의 제한이 더 이상 필요 없게 된다. 전류 공급을 제한할 필요가 없는 경우에, PMIC 모델링 시스템(100)의 동작이 최대전류(imax) 모드에서 노멀 모드로 변경될 수 있다. 이때, 로드(210)의 디커플링 커패시터가 완전 충전(fully charge)되면 출력 전압 레벨은 vdd로 복원되고, 최대전류(imax) 모드에서 노멀 모드로 변경될 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)의 동작이 노멀 모드로 변경 시, 제어부(130)는 아이디얼 다이오드(ID)를 다시 순방향 바이어스 상태로 변경시킬 수 있다.
또한, 제어부(130)는 가변저항 값이 일정 값에서 무한대 값으로 변경(r_limit r_limit')되도록 저항 설정부(120)를 제어할 수 있다.
저항 설정부(120)는 제어부(130)의 제어에 따라서 가변저항 값을 일정 값에서 무한대 값으로 변경(r_limit r_limit')로 변경시킬 수 있다. 가변저항 값의 변경에 의해서, PMIC 모델링 시스템(100)의 동작이 모드에서 노멀 모드로 변경될 수 있다. 전류 공급부(110)는 최대전류(imax) 모드에서 노멀 모드로 변경되어, 로드(210)에서 필요로 하는 전류를 제한하지 않고 출력할 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)은 단순화된 회로 모델(simplified circuit model)로 구현될 수 있다. 일 예로서, PMIC 모델링 시스템(100)은 verilog-a 언어(language, 도 2b 참조)를 통하여 구현될 수 있다. PMIC 모델링 시스템(100)은 verilog-a 언어로 구현되어, 스파이스(spice) 계열의 전자회로 시뮬레이터(circuit simulator)를 사용하는 시뮬레이션 및 해석(simulation & analysis)에 범용적으로 사용될 수 있다.
도 9는 PIMC의 동작 성능을 검증하는 일 예로서, 본 개시의 PMIC 모델링 시스템이 칩 패키지 시스템 단위에 적용되는 것을 나타내는 도면이다.
도 9를 참조하면, 본 개시의 PMIC 모델링 시스템(100)은 칩-패키지 시스템(chip-package-system)의 co-analysis에 적용될 수 있다. PMIC 모델링 시스템(100)은 시스템 레벨에서의 전력 무결성(power integrity) 검증에 적용될 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)은 시스템 레벨의 PDN 최적화(optimization), PDN 노이즈(noise), PDN 지터(jitter)의 시뮬레이션에 적용될 수 있다. PMIC 모델링 시스템(100)은 PMIC와 같은 VRM(Voltage Regulator Module)을 포함하여 전류 공급 제한(maximum di/dt) 능력을 필요로 하는 다양한 시뮬레이션 및 해석(simulation & analysis)에 적용될 수 있다.
도 10은 PIMC의 동작 성능을 검증하는 일 예로서, PMIC 모델링 시스템이 모바일 디바이스에 적용되는 것을 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 모바일 디바이스(300)는 어플리케이션 프로세서(310, AP), 메모리 장치(320), 스토리지 장치(330), 통신 모듈(340), 카메라 모듈(350), 디스플레이 모듈(360), 및 터치 모듈(370)을 포함할 수 있다. 모바일 디바이스(300)는 스마트폰으로 구현될 수 있다.
어플리케이션 프로세서(310, AP)는 모바일 디바이스(300)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 즉, 어플리케이션 프로세서(310, AP)는 메모리 장치(320), 스토리지 장치(330) 및 복수의 기능 모듈들(340, 350, 360, 370)을 제어할 수 있다. 한편, 어플리케이션 프로세서(310, AP)는 CPU 코어를 포함할 수 있다.
메모리 장치(320) 및 스토리지 장치(330)는 모바일 디바이스(300)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(320)는 DRAM(dynamic random access memory) 장치, SRAM(static random access memory) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치에 상응할 수 있고, 스토리지 장치(330)는 EPROM(erasable programmable read-only memory) 장치, EEPROM(electrically erasable programmable readonly memory) 장치, 플래시 메모리(flash memory) 장치, PRAM(phase change random access memory) 장치, RRAM(resistance random access memory) 장치, NFGM(nano floating gate memory) 장치, PoRAM(polymer random access memory) 장치, MRAM(magnetic random access memory) 장치, FRAM(ferroelectric random access memory) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치에 상응할 수 있다. 실시예에 따라, 스토리지 장치(330)는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(hard disk drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 더 포함할 수도 있다.
통신 모듈(740)은 CDMA(code division multiple access) 모듈, LTE(long term evolution) 모듈, RF(radio frequency) 모듈, UWB(ultra-wideband) 모듈, WLAN(wireless local area network) 모듈, WIMAX(worldwide interoperability for microwave access) 모듈 등을 포함할 수 있다. 모바일 디바이스(300)는 GPS(global positioning system) 모듈, 마이크 모듈, 스피커 모듈, 자이로스코프(gyroscope) 모듈 등을 더 포함할 수 있다.
PMIC 모델링 시스템(100)은 모바일 디바이스(300)의 어플리케이션 프로세서(310, AP), 메모리 장치(320), 스토리지 장치(330), 및 다양한 기능 모듈들(340, 350, 360, 370)의 동작에 필요한 전원을 관리할 수 있다. PMIC 모델링 시스템(100)은 어플리케이션 프로세서(310, AP)에서 입력되는 커맨드(CMD)에 응답하여 노멀 모드에서 제1 구동 전압의 레벨을 공급하고, 최대전류 모드에서 제2 구동 전압을 공급할 수 있다.
본 개시의 PMIC의 모델링 시스템 및 이의 구동 방법은 시간 변화에 따른 전류 변화(di/dt) 값을 통제하여 PMIC의 전류 공급 능력을 제한할 수 있다.
본 개시의 PMIC 모델링 시스템 및 이의 구동 방법은 전류 공급부의 출력 전류를 실시간으로 모니터링한 결과에 따라, 노멀 모드에서 최대전류(imax) 모드로 또는 최대전류(imax 모드에서 노멀 모드로 변경하여 시간 변화에 따른 전류 변화 값(di/dt)을 조절할 수 있다.
본 개시의 PMIC 모델링 시스템 및 이의 구동 방법은 제한된 전류 공급 능력을 반영하여 실제 PMIC와 유사한 특성을 PDN 시뮬레이션에 반영할 수 있다.
본 개시의 PMIC 모델링 시스템 및 이의 구동 방법은 전압 드랍(voltage drop) 및 디커플링 커패시터(decoupling capacitor)의 영향을 반영하여 PMIC의 실제 측정 결과와 동일 또는 유사한 성능 검증이 이루어지도록 할 수 있다.
본 개시에 따른 실시 예들에 따르면, 다양한 로드에 맞춰 PMIC의 시뮬레이션을 수행할 수 있고, PMIC의 시뮬레이션 시간을 줄일 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
100: PMIC 모델링 시스템 110: 전류 공급부
120: 저항 설정부 130: 제어부
200: PDN 210: 로드
300: 모바일 디바이스 310: 어플리케이션 프로세서
320: 메모리 장치 330: 스토리지 장치
340: 통신 모듈 350: 카메라 모듈
360: 디스플레이 모듈 370: 터치 모듈
120: 저항 설정부 130: 제어부
200: PDN 210: 로드
300: 모바일 디바이스 310: 어플리케이션 프로세서
320: 메모리 장치 330: 스토리지 장치
340: 통신 모듈 350: 카메라 모듈
360: 디스플레이 모듈 370: 터치 모듈
Claims (20)
- PDN(Power Distribution Network) 분석을 위한 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 모델링 시스템에 있어서,
로드의 구동에 필요한 전류를 공급하는 전원 공급부;
상기 로드로 공급되는 로딩 전류를 실시간 모니터링하여, 현재 시점의 제1 전류 값과 이전 시점의 제2 전류 값을 비교한 전류 비교 값을 생성하는 저항 설정부; 및
상기 전류 비교 값에 기초하여 상기 저항 설정부의 가변저항 값의 변경을 위한 제어신호를 생성하는 제어부;를 포함하고,
상기 저항 설정부는 상기 제어신호에 기초하여 가변저항의 저항 값을 변경시키고,
상기 전원 공급부는 시간 변화에 따른 전류 변화(di/dt) 값을 제한하기 위하여 상기 가변저항의 저항 값의 변화에 따라 일정한 전류 값을 공급하는 최대전류 모드 또는 상기 로드에서 필요로 하는 전류 값을 공급하는 노멀 모드로 동작을 변환하는 것을 특징으로 하는 PMIC 모델링 시스템. - 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 전원 공급부는,
아이디얼 다이오드,
상기 아이디얼 다이오드와 병렬로 연결된 전류 공급부,
상기 전류 공급부와 병렬로 접속된 제1 저항, 및
상기 아이디얼 다이오드와 직렬로 연결된 제2 저항을 포함하는 PMIC 모델링 시스템. - 제3 항에 있어서,
상기 최대전류 모드에서 상기 아이디얼 다이오드는 역방향 바이어스 상태를 유지하는 PMIC 모델링 시스템. - 제3 항에 있어서,
상기 노멀 모드에서 상기 아이디얼 다이오드는 순방향 바이어스 상태를 유지하는 PMIC 모델링 시스템. - 제1 항에 있어서,
상기 전원 공급부는 실시간으로 변화하는 상기 가변저항 값에 따라 상기 로드로 공급되는 전류 값을 변화시키는 PMIC 모델링 시스템. - 제1 항에 있어서,
상기 저항 설정부는 상기 전류 비교 값을 실시간으로 상기 제어부로 전달하는 PMIC 모델링 시스템. - 제7 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 노멀 모드로 동작 시, 상기 전류 비교 값에 기초하여 현재 시점의 로딩 전류가 기 설정된 최대전류를 초과하면, 상기 최대전류 모드로의 변경을 위해 상기 가변저항 값을 변경하는 PMIC 모델링 시스템. - 제8 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 최대전류 모드로의 변경을 위해 상기 가변저항 값을 설정된 제1 값보다 작은 제2 값으로 변경시키는 PMIC 모델링 시스템. - 제7 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 최대전류 모드로 동작 시, 상기 전류 비교 값에 기초하여 현재 시점의 로딩 전류가 기 설정된 최대전류를 초과하지 않으면, 상기 노멀 모드로의 변경을 위해 상기 가변저항 값을 변경하는 PMIC 모델링 시스템. - 제10 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 노멀 모드로 변경 시, 상기 가변저항 값을 무한대 값으로 변경시키는 PMIC 모델링 시스템. - 제10 항에 있어서,
상기 최대전류 모드 중 상기 로드에서 필요로 하는 전류가 상기 최대전류 값 이하로 떨어지고, 상기 로드의 디커플링 커패시터가 완전 충전되면 상기 최대전류 모드에서 상기 노멀 모드로 변환하는 PMIC 모델링 시스템. - PDN(Power Distribution Network) 분석을 위한 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 모델링 시스템에 있어서,
로드의 구동에 필요한 전류를 공급하는 전원 공급부;
상기 로드로 공급되는 로딩 전류를 실시간 모니터링하여, 현재 시점의 제1 전류 값과 이전 시점의 제2 전류 값을 비교한 전류 비교 값을 생성하는 저항 설정부; 및
상기 전류 비교 값에 기초하여 상기 전원 공급부의 출력 전류를 제어하기 위한 파라미터들이 설정되고, 상기 전류 비교 값 및 상기 파라미터들에 기초하여 상기 저항 설정부의 가변저항 값의 변경을 위한 제어신호를 생성하는 제어부;를 포함하고,
상기 저항 설정부는 상기 제어신호에 기초하여 가변저항의 저항 값을 변경시키고,
상기 전원 공급부는 시간 변화에 따른 전류 변화(di/dt) 값을 제한하기 위하여 상기 가변저항의 저항 값의 변화에 따라 일정한 전류 값을 공급하는 최대전류 모드 또는 상기 로드에서 필요로 하는 전류 값을 공급하는 노멀 모드로 동작을 변환하는 것을 특징으로 하는 PMIC 모델링 시스템. - 제13 항에 있어서,
상기 제어부에 설정되는 상기 파라미터들은,
상기 전원 공급부의 vdd 레벨을 설정하기 위한 제1 파라미터,
상기 전원 공급부의 최대전류를 제한하기 위한 제2 파라미터,
시간 변화에 따른 전류 변화(di/dt) 값을 제한하기 위한 제3 파라미터를 포함하는 PMIC 모델링 시스템. - 제13 항에 있어서,
상기 제어부에는 상기 로드에서 필요로 하는 전류 웨이브의 데이터가 저장되어 있고, 상기 데이터를 적용하여 PDN 분석을 수행하는 PMIC 모델링 시스템. - PDN(Power Distribution Network) 분석을 위한 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 모델링 시스템의 구동 방법에 있어서,
로드로 공급하고 있는 전류 값을 실시간으로 모니터링하고,
현재 시점의 제1 전류 값과 이전 시점의 제2 전류 값을 비교한 전류 비교 값을 생성하고,
상기 전류 비교 값에 기초하여 가변저항 값을 변경하고,
시간 변화에 따른 전류 변화(di/dt) 값을 제한하기 위하여 상기 가변저항 값에 따라 일정한 전류 값을 공급하는 최대전류 모드 또는 상기 로드에서 필요로 하는 전류 값을 공급하는 노멀 모드로 동작을 변환하는 PMIC 모델링 시스템의 구동 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 전류 비교 값에 기초하여 전류 공급제한이 필요한 경우, 상기 노멀 모드에서 상기 최대전류 모드로의 변경을 위해 상기 가변저항 값을 변경하는 PMIC 모델링 시스템의 구동 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 노멀 모드에서 상기 최대전류 모드로의 변경 시, 상기 가변저항 값을 상기 노멀 모드에서 설정된 제1 값보다 작은 제2 값으로 변경시키는 PMIC 모델링 시스템의 구동 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 노멀 모드에서 상기 최대전류 모드로 변경 시, 상기 로드로 출력되는 소스 전류 값이 최대전류 값이 되도록 상기 가변저항 값을 변경시키는 PMIC 모델링 시스템의 구동 방법. - 제19 항에 있어서,
상기 최대전류 모드에서 실시간으로 입력되는 전류 값의 비교 결과에 따라 상기 가변저항 값을 실시간으로 변경하는 PMIC 모델링 시스템의 구동 방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180159228A KR102623677B1 (ko) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | 피엠아이씨(pmic) 모델링 시스템 및 이의 구동 방법 |
US16/380,323 US11119554B2 (en) | 2018-12-11 | 2019-04-10 | Power management integrated circuit modeling system and method of driving the same |
TW108117070A TWI788568B (zh) | 2018-12-11 | 2019-05-17 | 電源管理積體電路模型化系統及其操作方法 |
CN201910521413.7A CN111382549A (zh) | 2018-12-11 | 2019-06-17 | 电源管理集成电路建模***及其操作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180159228A KR102623677B1 (ko) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | 피엠아이씨(pmic) 모델링 시스템 및 이의 구동 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200071469A KR20200071469A (ko) | 2020-06-19 |
KR102623677B1 true KR102623677B1 (ko) | 2024-01-11 |
Family
ID=70970855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180159228A KR102623677B1 (ko) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | 피엠아이씨(pmic) 모델링 시스템 및 이의 구동 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11119554B2 (ko) |
KR (1) | KR102623677B1 (ko) |
CN (1) | CN111382549A (ko) |
TW (1) | TWI788568B (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112882560B (zh) * | 2021-02-04 | 2024-05-03 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电源管理方法、电源装置、电子设备及存储介质 |
TWI835065B (zh) * | 2022-01-28 | 2024-03-11 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 對系統進行模擬的方法及相關的電子裝置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101303732B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2013-09-04 | 한국 전기안전공사 | 저압배전계통의 시뮬레이터 |
US20170076672A1 (en) * | 2015-09-16 | 2017-03-16 | E Ink Corporation | Apparatus and methods for driving displays |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005125012A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Adaptive control of power supply for integrated circuits |
US7882464B1 (en) | 2005-02-14 | 2011-02-01 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for power distribution analysis |
US7834651B2 (en) | 2008-01-16 | 2010-11-16 | Advantest Corporation | Power supply circuit |
WO2010029597A1 (ja) | 2008-09-10 | 2010-03-18 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置および回路システム |
WO2010050917A1 (en) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Moog Inc. | Power supplies with testable current limiters, and methods of operating same |
TWI431918B (zh) * | 2009-06-19 | 2014-03-21 | Leadtrend Tech Corp | 控制方法、定電流控制方法、產生一實際電流源以代表一繞組之平均電流之方法、定電流定電壓電源轉換器、開關控制器、以及平均電壓偵測器 |
JP2012122854A (ja) | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Advantest Corp | 試験装置 |
DE102011011602A1 (de) * | 2011-02-17 | 2012-08-23 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Elektonische Vorrichtung zur Optimierung der Ausgangsleistung einer Solarzelle und Verfahren zum Betreiben der elektronischen Vorrichtung |
CN103048542A (zh) * | 2011-10-14 | 2013-04-17 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电流校准电阻的测定装置及*** |
TWI521870B (zh) * | 2013-11-14 | 2016-02-11 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 電流平衡裝置與方法 |
US9806707B2 (en) * | 2014-02-07 | 2017-10-31 | Qualcomm Incorporated | Power distribution network (PDN) conditioner |
US9816872B2 (en) * | 2014-06-09 | 2017-11-14 | Qualcomm Incorporated | Low power low cost temperature sensor |
US9859739B2 (en) * | 2014-10-16 | 2018-01-02 | Infineon Technologies Ag | Load driver circuit including load model parameter estimation |
US10126791B2 (en) | 2014-11-04 | 2018-11-13 | Progranalog Corp. | Configurable power management integrated circuit |
CN105785817B (zh) * | 2016-03-24 | 2018-08-03 | 成都芯源***有限公司 | 供电电路及供电方法 |
KR20180093451A (ko) * | 2017-02-13 | 2018-08-22 | 삼성전자주식회사 | 전력 소모를 감소한 역전압 모니터링 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
-
2018
- 2018-12-11 KR KR1020180159228A patent/KR102623677B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-04-10 US US16/380,323 patent/US11119554B2/en active Active
- 2019-05-17 TW TW108117070A patent/TWI788568B/zh active
- 2019-06-17 CN CN201910521413.7A patent/CN111382549A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101303732B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2013-09-04 | 한국 전기안전공사 | 저압배전계통의 시뮬레이터 |
US20170076672A1 (en) * | 2015-09-16 | 2017-03-16 | E Ink Corporation | Apparatus and methods for driving displays |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200183472A1 (en) | 2020-06-11 |
TW202023161A (zh) | 2020-06-16 |
US11119554B2 (en) | 2021-09-14 |
TWI788568B (zh) | 2023-01-01 |
KR20200071469A (ko) | 2020-06-19 |
CN111382549A (zh) | 2020-07-07 |
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