KR102616554B1 - Substrate release method and plasma processing apparatus - Google Patents

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Abstract

[과제] 기판의 정전 흡착력의 저하를 억제한다.
[해결수단] 처리 용기의 내부의 정전척에 매설된 흡착 전극에 직류 전압을 인가하는 것에 의해 정전 흡착된 기판을 상기 정전척으로부터 이탈시키는 방법으로서, 플라즈마 처리를 행한 상기 기판이 상기 정전척에 정전 흡착된 상태에서, 상기 처리 용기의 내부에 제전용 가스를 공급하여, 상기 제전용 가스의 플라즈마를 생성하는 공정과, 상기 제전용 가스의 플라즈마를 유지하면서, 리프트핀에 의해 상기 기판을 상승시켜, 상기 정전척으로부터 이탈시키는 공정과, 상기 흡착 전극에 마이너스의 직류 전압을 인가하는 공정을 갖는 기판 이탈 방법이 제공된다. [Problem] Suppressing the decline in the electrostatic adsorption capacity of the substrate.
[Solution] A method of separating an electrostatically adsorbed substrate from the electrostatic chuck by applying a direct current voltage to an adsorption electrode embedded in an electrostatic chuck inside a processing vessel, wherein the substrate that has been plasma treated is electrostatically attached to the electrostatic chuck. In the adsorbed state, a process of supplying a static elimination gas to the inside of the processing container to generate a plasma of the static elimination gas, and raising the substrate by a lift pin while maintaining the plasma of the static elimination gas, A substrate removal method is provided, which includes a step of removing the substrate from the electrostatic chuck and a step of applying a negative direct current voltage to the adsorption electrode.

Description

기판 이탈 방법 및 플라즈마 처리 장치{SUBSTRATE RELEASE METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}Substrate release method and plasma processing apparatus {SUBSTRATE RELEASE METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 개시는, 기판 이탈 방법 및 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. This disclosure relates to a substrate release method and a plasma processing apparatus.

정전척의 전극에 플러스의 직류 전압을 인가하여 기판을 정전척에 흡착시키고, 기판에 처리를 행한 후 기판을 정전척으로부터 이탈시킬 때, 제전용의 플라즈마를 생성하여 기판을 리프트핀에 의해 상승시키는 것에 의해 잔류 전하를 제거하는 제전 처리가 행해진다. 예컨대, 특허문헌 1은, 기판을 정전척으로부터 이탈시킬 때, 플라즈마의 도전성을 이용하여 기판 표면의 전하를 제거하는 제전 처리를 행하는 것을 제안한다. 특허문헌 1에서는, 플라즈마의 존재하에 리프트핀을 상승시켜 기판을 정전척으로부터 들어올린다. By applying a positive direct current voltage to the electrode of the electrostatic chuck, the substrate is adsorbed to the electrostatic chuck, and when the substrate is removed from the electrostatic chuck after processing, a plasma for static elimination is generated and the substrate is raised by the lift pin. An antistatic treatment to remove residual charges is performed. For example, Patent Document 1 proposes performing static elimination treatment to remove electric charges on the surface of the substrate using the conductivity of plasma when the substrate is removed from the electrostatic chuck. In Patent Document 1, a lift pin is raised in the presence of plasma to lift a substrate from an electrostatic chuck.

예컨대, 특허문헌 2는, 기판을 제1 압력을 갖는 처리 가스의 플라즈마에 의해 플라즈마 제전하면서, 기판의 이면에 제2 압력을 갖는 전열 가스를 공급하는 것을 제안한다. 특허문헌 2에서는, 제전 처리에서, 플라즈마 처리시에 기판을 정전 흡착하기 위해 정전척의 전극에 인가한 직류 전압과는 반대의 극성의 직류 전압을 상기 전극에 인가한다. For example, Patent Document 2 proposes supplying a heat transfer gas with a second pressure to the back side of the substrate while plasma destaticizing the substrate with a plasma of a processing gas with a first pressure. In Patent Document 2, in static electricity removal treatment, a direct current voltage of the opposite polarity to the direct current voltage applied to the electrode of the electrostatic chuck is applied to the electrode to electrostatically adsorb the substrate during plasma treatment.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2002-134489호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2002-134489 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2015-95396호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 2015-95396

본 개시는, 기판의 정전 흡착력의 저하를 억제할 수 있는 기판 이탈 방법 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다. The present disclosure provides a substrate release method and a plasma processing device that can suppress a decrease in the electrostatic adsorption force of a substrate.

본 개시의 하나의 양태에 의하면, 처리 용기의 내부의 정전척에 매설된 흡착 전극에 직류 전압을 인가하는 것에 의해 정전 흡착된 기판을 상기 정전척으로부터 이탈시키는 방법으로서, 플라즈마 처리를 행한 상기 기판이 상기 정전척에 정전 흡착된 상태에서, 상기 처리 용기의 내부에 제전용 가스를 공급하여, 상기 제전용 가스의 플라즈마를 생성하는 공정과, 상기 제전용 가스의 플라즈마를 유지하면서, 리프트핀에 의해 상기 기판을 상승시켜, 상기 정전척으로부터 이탈시키는 공정과, 상기 흡착 전극에 마이너스의 직류 전압을 인가하는 공정을 갖는 기판 이탈 방법이 제공된다. According to one aspect of the present disclosure, there is provided a method of separating an electrostatically adsorbed substrate from an electrostatic chuck by applying a direct current voltage to an adsorption electrode embedded in an electrostatic chuck inside a processing vessel, wherein the substrate that has been plasma treated is A process of supplying a static elimination gas to the inside of the processing container in a state of electrostatic adsorption to the electrostatic chuck, thereby generating a plasma of the static elimination gas, and maintaining the plasma of the static elimination gas by using a lift pin to A substrate release method is provided, which includes a step of lifting a substrate to release it from the electrostatic chuck, and a step of applying a negative direct current voltage to the adsorption electrode.

하나의 측면에 의하면, 기판의 정전 흡착력의 저하를 억제할 수 있다. According to one aspect, a decrease in the electrostatic adsorption force of the substrate can be suppressed.

도 1은 일실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치를 도시하는 단면 모식도이다.
도 2는 종래의 기판 이탈 방법의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 박리 대전을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 박리 대전을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 일실시형태에 관한 기판 이탈 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 일실시형태에 관한 기판 이탈 방법을 도시하는 플로우차트이다. 1 is a cross-sectional schematic diagram showing a plasma processing apparatus according to an embodiment.
Figure 2 is a diagram showing an example of a conventional substrate removal method.
Figure 3 is a diagram for explaining peeling charging.
Figure 4 is a diagram for explaining peeling charging.
Figure 5 is a diagram for explaining a substrate removal method according to one embodiment.
Fig. 6 is a flow chart showing a substrate removal method according to one embodiment.

이하, 도면을 참조하여 본 개시를 실시하기 위한 형태에 관해 설명한다. 각 도면에서, 동일 구성 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복 설명을 생략하는 경우가 있다. Hereinafter, a mode for carrying out the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same components are given the same reference numerals and redundant descriptions may be omitted.

[플라즈마 처리 장치][Plasma processing device]

처음에, 도 1을 참조하여, 본 개시의 일실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치(100)의 일례에 관해 설명한다. 도 1은, 일실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치(100)의 일례를 도시하는 단면 모식도이다. First, with reference to FIG. 1 , an example of a plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present disclosure will be described. FIG. 1 is a cross-sectional schematic diagram showing an example of a plasma processing apparatus 100 according to an embodiment.

플라즈마 처리 장치(100)는, FPD용의 평면시 직사각형의 기판(이하, 단순히 「기판」이라고 함)(G)에 대하여, 각종 기판 처리 방법을 실행하는 유도 결합형 플라즈마(Inductive Coupled Plasma : ICP) 처리 장치이다. 기판의 재료로는, 주로 유리가 이용되며, 용도에 따라서는 투명한 합성 수지 등이 이용되는 경우도 있다. 여기서, 기판 처리에는, 에칭 처리나 CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 이용한 성막 처리 등이 포함된다. FPD로는, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display : LCD)가 예시된다. 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence : EL), ㅍ플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 등이어도 좋다. 기판(G)은, 그 표면에 회로가 패터닝되는 형태 외에 지지 기판도 포함된다. 또한, FPD용 기판의 평면 치수는 세대의 추이와 함께 대규모화하고 있다. 플라즈마 처리 장치(100)에 의해 처리되는 기판(G)의 평면 치수는, 예컨대, 제6 세대의 약 1500 mm×1800 mm 정도의 치수로부터, 제10.5 세대의 3000 mm×3400 mm 정도의 치수까지를 적어도 포함한다. 또한, 기판(G)의 두께는 0.2 mm 내지 수 mm 정도이다. The plasma processing apparatus 100 is an inductively coupled plasma (ICP) device that performs various substrate processing methods on a substrate (G) having a rectangular planar view (hereinafter simply referred to as “substrate”) for FPD. It is a processing device. Glass is mainly used as a material for the substrate, but depending on the application, transparent synthetic resin, etc. may be used. Here, the substrate processing includes etching processing or film forming processing using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. An example of FPD is a liquid crystal display (LCD). Electro Luminescence (EL), Plasma Display Panel (PDP), etc. may be used. The substrate G includes a support substrate in addition to having circuits patterned on its surface. Additionally, the planar dimensions of FPD substrates are becoming larger with the trend of generations. The planar dimension of the substrate G processed by the plasma processing apparatus 100 ranges from, for example, a dimension of approximately 1500 mm × 1800 mm in the 6th generation to a dimension of approximately 3000 mm × 3400 mm in the 10.5 generation. At least it includes. Additionally, the thickness of the substrate G is about 0.2 mm to several mm.

플라즈마 처리 장치(100)는, 직방체형의 상자형의 처리 용기(10)와, 처리 용기(10) 내에 배치되어 기판(G)이 적재되는 평면시 직사각형의 외형인 기판 적재대(60)와, 제어부(90)를 갖는다. 처리 용기(10)는, 원통형의 상자형이나 타원통형의 상자형 등의 형상이어도 좋고, 이 형태에서는, 기판 적재대(60)도 원형 혹은 타원형이 되고, 기판 적재대(60)에 적재되는 기판(G)도 원형 등이 된다. The plasma processing apparatus 100 includes a processing vessel 10 in the shape of a rectangular parallelepiped box, a substrate loading table 60 arranged in the processing vessel 10 and having a rectangular outline in plan view on which a substrate G is placed, It has a control unit (90). The processing container 10 may have a shape such as a cylindrical box or an oval-cylindrical box. In this form, the substrate loading table 60 is also circular or oval-shaped, and the substrate loaded on the substrate loading table 60 (G) also becomes circular, etc.

처리 용기(10)는 유전체판(11)에 의해 상하 2개의 공간으로 구획되어 있고, 상측 공간인 안테나실은 상측 챔버(12)에 의해 형성되고, 하측 공간인 처리실(S)은 하측 챔버(13)에 의해 형성된다. 처리 용기(10)는 알루미늄 등의 금속에 의해 형성되어 있고, 유전체판(11)은 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹스나 석영에 의해 형성되어 있다. The processing vessel 10 is divided into two spaces, upper and lower, by a dielectric plate 11. The antenna room, which is the upper space, is formed by the upper chamber 12, and the processing chamber S, which is the lower space, is formed by the lower chamber 13. is formed by The processing vessel 10 is made of a metal such as aluminum, and the dielectric plate 11 is made of ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ) or quartz.

처리 용기(10)에서, 하측 챔버(13)와 상측 챔버(12)의 경계가 되는 위치에는 직사각형 고리형의 지지 프레임(14)이 처리 용기(10)의 내측으로 돌출되도록 하여 배치되어 있고, 지지 프레임(14)에 유전체판(11)이 적재되어 있다. 처리 용기(10)는 접지선(13e)에 의해 접지되어 있다. In the processing container 10, a rectangular annular support frame 14 is disposed at a boundary between the lower chamber 13 and the upper chamber 12 so as to protrude toward the inside of the processing container 10, and is supported. A dielectric plate 11 is mounted on the frame 14. The processing vessel 10 is grounded by a ground wire 13e.

하측 챔버(13)의 측벽(13a)에는, 하측 챔버(13)에 대하여 기판(G)을 반입 반출하기 위한 반입 반출구(13b)가 형성되어 있고, 반입 반출구(13b)는 게이트 밸브(20)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 하측 챔버(13)에는 반송 기구를 내포하는 반송실(모두 도시하지 않음)이 인접해 있고, 게이트 밸브(20)를 개폐 제어하여, 반송 기구로 반입 반출구(13b)를 통해 기판(G)의 반입 반출이 행해진다. On the side wall 13a of the lower chamber 13, a loading/unloading port 13b is formed for loading and unloading the substrate G into and out of the lower chamber 13, and the loading/unloading port 13b is formed with a gate valve 20. ) can be opened and closed. Adjacent to the lower chamber 13 is a transfer chamber (not shown) containing a transfer mechanism, and the gate valve 20 is controlled to open and close to transfer the substrate G through the loading/unloading port 13b to the transfer mechanism. Import and export are carried out.

또한, 하측 챔버(13)가 갖는 바닥판(13d)에는 복수의 배기구(13f)가 형성되어 있다. 배기구(13f)에는 가스 배기관(51)이 접속되고, 가스 배기관(51)은 압력 제어 밸브(52)를 통해 배기 장치(53)에 접속되어 있다. 가스 배기관(51), 압력 제어 밸브(52) 및 배기 장치(53)에 의해 가스 배기부(50)가 형성된다. 배기 장치(53)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 가지며, 프로세스 중에 하측 챔버(13) 내를 소정의 진공도까지 진공 배기 가능하게 되어 있다. Additionally, a plurality of exhaust ports 13f are formed in the bottom plate 13d of the lower chamber 13. A gas exhaust pipe 51 is connected to the exhaust port 13f, and the gas exhaust pipe 51 is connected to the exhaust device 53 through a pressure control valve 52. A gas exhaust portion 50 is formed by a gas exhaust pipe 51, a pressure control valve 52, and an exhaust device 53. The exhaust device 53 has a vacuum pump such as a turbo molecular pump, and is capable of evacuating the lower chamber 13 to a predetermined vacuum level during the process.

유전체판(11)의 하면에서, 유전체판(11)을 지지하기 위한 지지 대들보가 설치되어 있고, 지지 대들보는 샤워 헤드(30)를 겸하고 있다. 샤워 헤드(30)는, 알루미늄 등의 금속에 의해 형성되어 있고, 양극 산화에 의한 표면 처리가 행해져 있어도 좋다. 샤워 헤드(30) 내에는, 수평 방향으로 연장되는 가스 유로(31)가 형성되어 있다. 가스 유로(31)에는, 하측으로 연장되어 샤워 헤드(30)의 하측에 있는 처리실(S)로 향하는 가스 토출 구멍(32)이 연통해 있다. On the lower surface of the dielectric plate 11, a support beam is provided to support the dielectric plate 11, and the support beam also serves as a shower head 30. The shower head 30 is formed of a metal such as aluminum, and may be surface treated by anodizing. Inside the shower head 30, a gas flow path 31 extending in the horizontal direction is formed. The gas flow path 31 is connected to a gas discharge hole 32 that extends downward and heads toward the processing chamber S located below the shower head 30 .

유전체판(11)의 상면에는 가스 유로(31)에 연통하는 가스 도입관(45)이 접속되어 있다. 가스 도입관(45)은 상측 챔버(12)의 천장(12a)에 형성되어 있는 공급구(12b)를 기밀하게 관통하고, 가스 도입관(45)과 기밀하게 결합된 가스 공급관(41)을 통해 처리 가스 공급원(44)에 접속되어 있다. 가스 공급관(41)의 도중 위치에는 개폐 밸브(42)와 매스플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(43)가 개재되어 있다. 가스 도입관(45), 가스 공급관(41), 개폐 밸브(42), 유량 제어기(43) 및 처리 가스 공급원(44)에 의해, 처리 가스 공급부(40)가 형성된다. 처리 가스 공급부(40)로부터 공급되는 처리 가스가 가스 공급관(41) 및 가스 도입관(45)을 통해 샤워 헤드(30)에 공급되고, 가스 유로(31) 및 가스 토출 구멍(32)을 통해 처리실(S)에 토출된다. A gas introduction pipe 45 communicating with the gas flow path 31 is connected to the upper surface of the dielectric plate 11. The gas introduction pipe 45 airtightly penetrates the supply port 12b formed in the ceiling 12a of the upper chamber 12 and passes through the gas supply pipe 41 airtightly coupled to the gas introduction pipe 45. It is connected to a process gas supply source (44). An on-off valve 42 and a flow rate controller 43 such as a mass flow controller are interposed in the middle of the gas supply pipe 41. A processing gas supply unit 40 is formed by a gas introduction pipe 45, a gas supply pipe 41, an opening/closing valve 42, a flow rate controller 43, and a processing gas supply source 44. The processing gas supplied from the processing gas supply unit 40 is supplied to the shower head 30 through the gas supply pipe 41 and the gas introduction pipe 45, and is supplied to the processing chamber through the gas flow path 31 and the gas discharge hole 32. It is discharged to (S).

안테나실을 형성하는 상측 챔버(12) 내에는 고주파 안테나(15)가 배치되어 있다. 고주파 안테나(15)는, 구리 등의 도전성 금속으로 형성되는 안테나선(15a)을, 고리형 혹은 스파이럴형으로 감아서 장치하는 것에 의해 형성된다. 예컨대, 고리형의 안테나선(15a)을 다중으로 배치해도 좋다. A high-frequency antenna 15 is disposed within the upper chamber 12 forming the antenna room. The high-frequency antenna 15 is formed by winding an antenna wire 15a made of a conductive metal such as copper into a ring or spiral shape. For example, ring-shaped antenna wires 15a may be arranged in multiples.

안테나선(15a)의 단자에는 상측 챔버(12)의 상측으로 연장되는 급전 부재(16)가 접속되어 있고, 급전 부재(16)의 상단에는 급전선(17)이 접속되고, 급전선(17)은 임피던스 정합을 행하는 정합기(18)를 통해 고주파 전원(19)에 접속되어 있다. 고주파 안테나(15)에 대하여 고주파 전원(19)으로부터 예컨대 10 MHz∼15 MHz의 고주파 전력이 인가되는 것에 의해, 하측 챔버(13) 내에 유도 전계가 형성된다. 이 유도 전계에 의해, 샤워 헤드(30)로부터 처리실(S)에 공급된 처리 가스가 플라즈마화되어 유도 결합형 플라즈마가 생성되고, 플라즈마 중의 이온이나 중성 라디칼 등이 기판(G)에 제공된다. 고주파 전원(19)은 플라즈마 발생용의 소스원이며, 기판 적재대(60)에 접속되어 있는 고주파 전원(73)은, 발생한 이온을 끌어당겨 운동 에너지를 부여하는 바이어스원이 된다. 이와 같이, 이온 소스원에는 유도 결합을 이용하여 플라즈마를 생성하고, 별도의 전원인 바이어스원을 기판 적재대(60)에 접속하여 이온 에너지의 제어를 행한다. 이것에 의해, 플라즈마의 생성과 이온 에너지의 제어가 독립적으로 행해지고, 프로세스의 자유도를 높일 수 있다. 고주파 전원(19)으로부터 출력되는 고주파 전력의 주파수는, 0.1 내지 500 MHz의 범위 내에서 설정되는 것이 바람직하다. A power feeding member 16 extending upward of the upper chamber 12 is connected to the terminal of the antenna wire 15a, and a feeding line 17 is connected to the upper end of the feeding member 16, and the feeding line 17 has an impedance It is connected to a high-frequency power source 19 through a matching device 18 that performs matching. When high-frequency power, for example, of 10 MHz to 15 MHz, is applied to the high-frequency antenna 15 from the high-frequency power source 19, an induced electric field is formed in the lower chamber 13. Due to this induced electric field, the processing gas supplied from the shower head 30 to the processing chamber S is converted into plasma to generate an inductively coupled plasma, and ions, neutral radicals, etc. in the plasma are supplied to the substrate G. The high-frequency power source 19 is a source for generating plasma, and the high-frequency power source 73 connected to the substrate loading table 60 serves as a bias source that attracts the generated ions and provides kinetic energy. In this way, plasma is generated using inductive coupling in the ion source, and a bias source, which is a separate power source, is connected to the substrate loading table 60 to control ion energy. As a result, the generation of plasma and control of ion energy can be performed independently, increasing the degree of freedom in the process. The frequency of the high-frequency power output from the high-frequency power source 19 is preferably set within the range of 0.1 to 500 MHz.

기판 적재대(60)는, 기재(63)와, 기재(63)의 상면(63a)에 형성되어 있는 정전척(66)을 갖는다. 기재(63)의 평면시 형상은 직사각형이고, 기판 적재대(60)에 적재되는 기판(G)과 동일한 정도의 평면 치수를 가지며, 긴 변의 길이는 1800 mm 내지 3400 mm 정도이고, 짧은 변의 길이는 약 1500 mm 내지 3000 mm 정도의 치수로 설정할 수 있다. 이 평면 치수에 대하여, 기재(63)의 두께는, 예컨대 50 mm 내지 100 mm 정도가 될 수 있다. 기재(63)는, 스테인레스강이나 알루미늄, 알루미늄 합금 등에 의해 형성된다. 기재(63)에는, 직사각형 평면의 전체 영역을 커버하도록 사행(蛇行)한 온도 조절 매체 유로(62a)가 설치되어 있다. 또, 온도 조절 매체 유로(62a)는, 예컨대 정전척(66)에 설치되어도 좋다. 또한, 기재(63)가, 도시예와 같이 하나의 부재에 의한 단체가 아니라, 두개의 부재의 적층체로 형성되어도 좋다. The substrate loading table 60 has a substrate 63 and an electrostatic chuck 66 formed on the upper surface 63a of the substrate 63. The planar shape of the substrate 63 is rectangular, has the same planar dimension as the substrate G loaded on the substrate loading table 60, the length of the long side is about 1800 mm to 3400 mm, and the length of the short side is It can be set to a dimension of approximately 1500 mm to 3000 mm. For this planar dimension, the thickness of the substrate 63 may be, for example, on the order of 50 mm to 100 mm. The base material 63 is formed of stainless steel, aluminum, aluminum alloy, etc. The base material 63 is provided with a temperature regulating medium flow path 62a that meanders to cover the entire area of the rectangular plane. Additionally, the temperature control medium flow path 62a may be installed in the electrostatic chuck 66, for example. Additionally, the base material 63 may be formed as a laminate of two members rather than a single member as shown in the illustration.

온도 조절 매체 유로(62a)의 양끝에는, 온도 조절 매체 유로(62a)에 대하여 온도 조절 매체가 공급되는 피드 배관(62b)과, 온도 조절 매체 유로(62a)를 유통하여 승온된 온도 조절 매체가 배출되는 리턴 배관(62c)이 연통해 있다. 피드 배관(62b)과 리턴 배관(62c)에는 각각, 피드 유로(82)와 리턴 유로(83)가 연통해 있고, 피드 유로(82)와 리턴 유로(83)는 칠러(81)에 연통해 있다. 칠러(81)는, 온도 조절 매체의 온도나 토출 유량을 제어하는 본체부와, 온도 조절 매체를 압송하는 펌프를 갖는다(모두 도시하지 않음). 또, 온도 조절 매체로는 냉매가 적용되며, 이 냉매에는, Galden(등록상표)이나 Fluorinert(등록상표) 등이 적용된다. 도시예의 온도 조절 형태는, 기재(63)에 온도 조절 매체를 유통시키는 형태이지만, 기재(63)가 히터 등을 내장하여, 히터에 의해 온도 조절하는 형태이어도 좋고, 온도 조절 매체와 히터의 쌍방에 의해 온도 조절하는 형태이어도 좋다. 또한, 히터 대신에, 고온의 온도 조절 매체를 유통시키는 것에 의해 가열을 수반하는 온도 조절을 행해도 좋다. 또, 저항체인 히터는, 텅스텐이나 몰리브덴, 혹은 이들 금속의 어느 1종과 알루미나 또는 티탄 등과의 화합물로 형성된다. 또한, 도시예는, 기재(63)에 온도 조절 매체 유로(62a)가 형성되어 있지만, 예컨대 정전척(66)이 온도 조절 매체 유로를 갖고 있어도 좋다. At both ends of the temperature control medium flow path 62a, there is a feed pipe 62b through which the temperature control medium is supplied to the temperature control medium flow path 62a, and the temperature control medium whose temperature is raised through the temperature control medium flow path 62a is discharged. The return pipe 62c is connected. A feed passage 82 and a return passage 83 are connected to the feed pipe 62b and the return pipe 62c, respectively, and the feed passage 82 and the return passage 83 are connected to the chiller 81. . The chiller 81 has a main body portion that controls the temperature and discharge flow rate of the temperature regulating medium, and a pump that pumps the temperature regulating medium (neither shown). Additionally, a refrigerant is used as a temperature control medium, and for this refrigerant, Galden (registered trademark) or Fluorinert (registered trademark) are used. The temperature control form in the illustrated example is a form in which a temperature control medium is circulated through the base material 63. However, the base material 63 may have a built-in heater or the like and the temperature may be controlled by the heater. It may also be in the form of temperature control. Additionally, instead of a heater, temperature control involving heating may be performed by distributing a high-temperature temperature control medium. Additionally, the heater, which is a resistor, is formed of a compound of tungsten, molybdenum, or one of these metals and alumina or titanium. In addition, in the illustrated example, the temperature regulation medium flow path 62a is formed in the base material 63, but, for example, the electrostatic chuck 66 may have the temperature regulation medium flow path.

하측 챔버(13)의 바닥판(13d) 위에는, 절연 재료에 의해 형성되어 내측에 단차부를 갖는 상자형의 베어링대(68)가 고정되어 있고, 베어링대(68)의 단차부 위에 기판 적재대(60)가 적재된다. 기재(63)의 상면에는, 기판(G)이 직접 적재되는 정전척(66)이 형성되어 있다. 정전척(66)은, 알루미나 등의 세라믹스를 용사하여 형성되는 유전체 피막인 세라믹스층(64)과, 세라믹스층(64)의 내부에 매설되어 있고 정전 흡착 기능을 갖는 도전층의 흡착 전극(65)을 갖는다. 흡착 전극(65)은, 급전선(74) 및 스위치(76)를 통해 직류 전원(75)에 접속되어 있다. 제어부(90)에 의해 스위치(76)가 온되면, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 직류 전압이 인가되는 것에 의해 쿨롱력이 발생한다. 이 쿨롱력에 의해, 기판(G)이 정전척(66)에 정전 흡착되고, 기재(63)의 상면에 적재된 상태로 유지된다. 또한, 스위치(76)가 오프되고, 급전선(74)으로부터 분기된 그라운드 라인에 개재된 스위치(77)가 온되면, 흡착 전극(65)에 저류된 전하가 그라운드로 흐른다. 이와 같이, 기판 적재대(60)는, 기판(G)을 적재하는 하부 전극을 형성한다. On the bottom plate 13d of the lower chamber 13, a box-shaped bearing table 68 formed of an insulating material and having a step portion on the inside is fixed, and a substrate loading table ( 60) is loaded. An electrostatic chuck 66 on which the substrate G is directly loaded is formed on the upper surface of the substrate 63. The electrostatic chuck 66 includes a ceramic layer 64, which is a dielectric film formed by thermally spraying ceramics such as alumina, and an adsorption electrode 65 of a conductive layer buried inside the ceramic layer 64 and having an electrostatic adsorption function. has The adsorption electrode 65 is connected to a direct current power source 75 through a power supply line 74 and a switch 76. When the switch 76 is turned on by the control unit 90, a direct current voltage is applied from the direct current power source 75 to the adsorption electrode 65, thereby generating Coulomb force. Due to this Coulomb force, the substrate G is electrostatically adsorbed to the electrostatic chuck 66 and maintained in a state loaded on the upper surface of the substrate 63. Additionally, when the switch 76 is turned off and the switch 77 interposed in the ground line branched from the power supply line 74 is turned on, the electric charge stored in the adsorption electrode 65 flows to the ground. In this way, the substrate loading table 60 forms a lower electrode on which the substrate G is placed.

기재(63)에는 열전대 등의 온도 센서가 배치되어 있고, 온도 센서에 의한 모니터 정보는, 제어부(90)에 수시로 송신된다. 제어부(90)는, 송신된 온도의 모니터 정보에 기초하여, 기재(63) 및 기판(G)의 온도 조절 제어를 실행한다. 보다 구체적으로는, 제어부(90)에 의해, 칠러(81)로부터 피드 유로(82)에 공급되는 온도 조절 매체의 온도나 유량이 조정된다. 그리고, 온도 조정이나 유량 조정이 행해진 온도 조절 매체가 온도 조절 매체 유로(62a)에 순환되는 것에 의해, 기판 적재대(60)의 온도 조절 제어가 실행된다. 또, 열전대 등의 온도 센서는, 예컨대 정전척(66)에 배치되어도 좋다. A temperature sensor such as a thermocouple is disposed on the base material 63, and monitor information from the temperature sensor is transmitted to the control unit 90 at any time. The control unit 90 performs temperature adjustment control of the base material 63 and the substrate G based on the transmitted temperature monitor information. More specifically, the temperature and flow rate of the temperature control medium supplied from the chiller 81 to the feed passage 82 are adjusted by the control unit 90. Then, temperature adjustment control of the substrate loading table 60 is performed by circulating the temperature control medium on which the temperature control or flow rate control has been performed through the temperature control medium flow path 62a. Additionally, a temperature sensor such as a thermocouple may be placed on the electrostatic chuck 66, for example.

정전척(66)의 외주이자 베어링대(68)의 상면에는, 직사각형 프레임형의 포커스링(69)이 적재되고, 포커스링(69)의 상면쪽이 정전척(66)의 상면보다 낮아지도록 설정되어 있다. 포커스링(69)은, 알루미나 등의 세라믹스 혹은 석영 등으로 형성된다. A rectangular frame-shaped focus ring 69 is placed on the outer periphery of the electrostatic chuck 66 and the upper surface of the bearing table 68, and the upper surface of the focus ring 69 is set to be lower than the upper surface of the electrostatic chuck 66. It is done. The focus ring 69 is made of ceramics such as alumina or quartz.

기재(63)의 하면에는 급전 부재(70)가 접속되어 있다. 급전 부재(70)의 하단에는 급전선(71)이 접속되어 있고, 급전선(71)은 임피던스 정합을 행하는 정합기(72)를 통해 바이어스원인 고주파 전원(73)에 접속되어 있다. 기판 적재대(60)에 대하여 고주파 전원(73)으로부터 예컨대 2 MHz∼6 MHz의 고주파 전력이 인가되는 것에 의해, 플라즈마 발생용의 소스원인 고주파 전원(19)에서 생성된 이온을 기판(G)에 끌어당길 수 있다. 따라서, 플라즈마 에칭 처리에서는, 에칭레이트와 에칭 선택비를 함께 높이는 것이 가능해진다. A power feeding member 70 is connected to the lower surface of the substrate 63. A feed line 71 is connected to the lower end of the feed member 70, and the feed line 71 is connected to a high-frequency power source 73, which is a bias source, through a matching device 72 that performs impedance matching. By applying high frequency power of, for example, 2 MHz to 6 MHz from the high frequency power supply 73 to the substrate loading table 60, ions generated by the high frequency power supply 19, which is the source for plasma generation, are transferred to the substrate G. It can be pulled. Therefore, in the plasma etching process, it becomes possible to increase both the etching rate and the etching selectivity.

기판 적재대(60)의 내부에는, 외부의 도시하지 않은 반송 아암과의 사이에서 기판(G)의 전달을 행하기 위해 기판(G)을 승강시키는 리프트핀(78)이 복수, 예컨대 12개 설치되어 있다. 도 1에서는 간략화하여, 2개의 리프트핀(78)이 도시되어 있다. 복수의 리프트핀(78)은, 기판 적재대(60)를 관통하고, 연결 부재를 통해 전달되는 모터의 동력에 의해 상하 이동한다. 처리 용기의 외부를 향해 관통하는 리프트핀(78)의 관통 구멍에는 바닥부 벨로우즈가 설치되어(도시하지 않음),처리 용기 내의 진공측과 대기쪽 사이의 기밀을 유지한다. Inside the substrate loading table 60, a plurality of lift pins 78, for example, 12, are installed to raise and lower the substrate G in order to transfer the substrate G between an external transfer arm (not shown). It is done. In Figure 1, for simplicity, two lift pins 78 are shown. The plurality of lift pins 78 penetrate the substrate loading table 60 and move up and down by the power of the motor transmitted through the connecting member. A bottom bellows (not shown) is installed in the through hole of the lift pin 78 that penetrates toward the outside of the processing container to maintain airtightness between the vacuum side and the atmospheric side within the processing container.

제어부(90)는, 플라즈마 처리 장치(100)의 각 구성부, 예컨대, 칠러(81), 고주파 전원(19, 73), 직류 전원(75), 처리 가스 공급부(40), 가스 배기부(50) 등의 동작을 제어한다. 제어부(90)는, CPU(Central Processing Unit) 및 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 메모리를 갖는다. CPU는, 메모리의 기억 영역에 저장된 레시피(프로세스레시피)에 따라서 소정의 처리를 실행한다. 레시피에는, 프로세스 조건에 대한 플라즈마 처리 장치(100)의 제어 정보가 설정되어 있다. 제어 정보에는, 예컨대, 가스 유량이나 처리 용기(10) 내의 압력, 처리 용기(10) 내의 온도나 기재(63)의 온도, 프로세스 시간 등이 포함된다. The control unit 90 controls each component of the plasma processing apparatus 100, for example, the chiller 81, the high-frequency power supply 19 and 73, the direct current power supply 75, the processing gas supply unit 40, and the gas exhaust unit 50. ), etc. The control unit 90 has memories such as a Central Processing Unit (CPU), Read Only Memory (ROM), and Random Access Memory (RAM). The CPU executes predetermined processing according to a recipe (process recipe) stored in the storage area of the memory. In the recipe, control information of the plasma processing device 100 regarding process conditions is set. Control information includes, for example, gas flow rate, pressure within the processing vessel 10, temperature within the processing vessel 10, temperature of the substrate 63, process time, etc.

레시피 및 제어부(90)가 적용하는 프로그램은, 예컨대, 하드디스크나 컴팩트디스크, 광자기디스크 등에 기억되어도 좋다. 또한, 레시피 등은, CD-ROM, DVD, 메모리카드 등의 가반성의 컴퓨터에 의한 판독이 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 제어부(90)에 셋팅되어 독출되는 형태이어도 좋다. 제어부(90)는 기타, 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나 마우스 등의 입력 장치, 플라즈마 처리 장치(100)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등의 표시 장치, 및 프린터 등의 출력 장치와 같은 유저 인터페이스를 갖고 있다. The program applied by the recipe and control unit 90 may be stored in, for example, a hard disk, compact disk, or magneto-optical disk. In addition, the recipe, etc. may be stored in a portable computer-readable storage medium such as a CD-ROM, DVD, or memory card, and set in the control unit 90 to be read. The control unit 90 includes other input devices such as a keyboard or mouse that input commands, display devices such as a display that visualizes and displays the operating status of the plasma processing device 100, and output devices such as a printer. It has a user interface.

[종래의 기판 이탈 방법과 박리 대전][Conventional substrate separation method and peeling charge]

다음으로, 종래의 기판 이탈 방법과 박리 대전에 관해, 도 2∼도 4를 참조하면서 설명한다. 도 2는, 종래의 기판 이탈 방법의 일례를 도시하는 도면이다. 도 3 및 도 4는, 박리 대전을 설명하기 위한 도면이다. Next, the conventional substrate removal method and peeling charging will be explained with reference to FIGS. 2 to 4. FIG. 2 is a diagram showing an example of a conventional substrate removal method. Figures 3 and 4 are diagrams for explaining peeling charging.

종래의 기판 이탈 방법에서는, 우선 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 흡착 전극(65)은, 급전선(74)을 통해 직류 전원(75)에 접속되어 있다. 제어부(90)에 의해 스위치(76)가 온으로 제어되면, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 직류 전압이 인가된다. 이것에 의해 쿨롱력이 발생하고, 기판(G)이 정전척(66)의 상면에 정전 흡착되어 유지된다. 도 2의 (a)의 예에서는, 플라즈마(P1)에 의한 기판(G)의 에칭시, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 플러스의 직류 전압이 인가되어, 흡착 전극(65) 상에 플러스 전하가 발생하고, 기판(G) 상에는 마이너스 전하가 발생한다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 마이너스의 직류 전압이 인가된 경우에는, 흡착 전극(65) 상에 마이너스 전하가 발생하고, 기판(G) 상에는 플러스 전하가 발생한다.In the conventional substrate release method, first, as shown in FIG. 2(a), the adsorption electrode 65 is connected to the direct current power supply 75 through the feed line 74. When the switch 76 is controlled to be on by the control unit 90, a direct current voltage is applied from the direct current power source 75 to the adsorption electrode 65. As a result, Coulomb force is generated, and the substrate G is electrostatically adsorbed and held on the upper surface of the electrostatic chuck 66. In the example of FIG. 2(a), when etching the substrate G by the plasma P1, a positive direct current voltage is applied to the adsorption electrode 65 from the direct current power supply 75, and a positive direct current voltage is applied to the adsorption electrode 65. A positive charge is generated on the substrate (G), and a negative charge is generated on the substrate (G). However, it is not limited to this, and when a negative direct current voltage is applied to the adsorption electrode 65 from the DC power supply 75, negative charges are generated on the adsorption electrode 65, and positive charges are generated on the substrate G. occurs.

기판(G)을 에칭할 때 반응 생성물이 발생한다. 반응 생성물은, 기판(G)과 정전척(66) 사이에 들어가, 정전척(66)의 기판 적재면 상에 부착된다. 기판(G)의 처리 횟수를 거듭하는 중에, 반응 생성물은 기판 적재면 상에 퇴적된다. 이하, 퇴적된 반응 생성물을 디포(R)로 한다. Reaction products are generated when etching the substrate (G). The reaction product enters between the substrate G and the electrostatic chuck 66 and adheres to the substrate loading surface of the electrostatic chuck 66. As the substrate G is repeatedly processed, the reaction product is deposited on the substrate loading surface. Hereinafter, the deposited reaction product is referred to as depot (R).

도 3은, 디포(R)가 기판 적재면 상에 퇴적되어 있는 상태를 도시한다. 도 3의 좌측 도면은, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 직류 전압이 인가되고, 기판(G)이 정전척(66)의 상면에 정전 흡착되어 있는 상태이다. 이 상태에서 기판(G)에 플라즈마에 의한 에칭이 행해진다. FIG. 3 shows a state in which the depot R is deposited on the substrate loading surface. The left drawing of FIG. 3 shows a state in which a direct current voltage is applied from the direct current power source 75 to the suction electrode 65, and the substrate G is electrostatically adsorbed to the upper surface of the electrostatic chuck 66. In this state, etching by plasma is performed on the substrate G.

도 3의 우측 도면은, 에칭 종료후, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)으로의 직류 전압의 인가를 정지하고, 리프트핀(78)을 상승시켜 기판(G)을 정전척(66)으로부터 이탈시키고 있는 상태이다. 그 때, 제전용 가스를 공급하여, 제전용 가스의 플라즈마(P)를 생성하고, 플라즈마(P)의 도전성을 이용하여 기판(G)의 표면의 전하를 제거하는 제전(이하, 「플라즈마 제전」이라고도 함)을 행한다. 플라즈마 제전에서는, 플라즈마의 존재하에 리프트핀(78)을 상승시켜 기판(G)을 정전척(66)으로부터 들어올린다. In the right drawing of FIG. 3, after completion of etching, application of direct current voltage from the direct current power source 75 to the adsorption electrode 65 is stopped, the lift pins 78 are raised, and the substrate G is moved to the electrostatic chuck 66. It is in a state of being separated from. At that time, a static elimination gas is supplied, a plasma P of the static elimination gas is generated, and the electric charge on the surface of the substrate G is removed using the conductivity of the plasma P (hereinafter referred to as “plasma elimination”). (also called) is performed. In plasma static elimination, the substrate G is lifted from the electrostatic chuck 66 by raising the lift pins 78 in the presence of plasma.

기판(G)의 에칭에 사용하는 에칭 가스는 불소를 함유한다. 또한, 기판(G)의 에칭에서는, 기판(G)에 형성된 유기 재료의 마스크를 통해 마스크의 하지의 절연막을 에칭한다. 절연막으로는, SiO2막, SiN막 등이 있다. 에칭시에 마스크의 일부가 깎인다. 그 결과, 정전척(66)의 기판 적재면 상에 퇴적되는 디포(R)는, 에칭 가스 중의 불소 및 마스크에 포함되는 탄소를 포함한다. The etching gas used for etching the substrate G contains fluorine. Additionally, in the etching of the substrate G, the insulating film underlying the mask is etched through the organic material mask formed on the substrate G. Examples of the insulating film include a SiO 2 film and a SiN film. During etching, part of the mask is chipped away. As a result, the depot R deposited on the substrate loading surface of the electrostatic chuck 66 contains fluorine in the etching gas and carbon contained in the mask.

도 4는, 물질 사이의 마찰 대전열을 도시한다. 화살표 아래에 기재된 물질은, 화살표의 좌측으로 갈수록 플러스(+)로 대전하기 쉽고, 우측으로 갈수록 마이너스(-)로 대전하기 쉬운 것을 나타낸다. 예를 들면, 「유리」와 「폴리테트라플루오로에틸렌(사불화에틸렌(CF2=CF2))에서는, 「유리」는 플러스(+)로 대전하기 쉽고, 「폴리테트라플루오로에틸렌」은 마이너스(-)로 대전하기 쉽다. 또한, 어느 물질과도 마찰 대전열에서 나타나 있는 동일한 극성측, 예컨대 좌측의 플러스(+)에 가까운 위치에 있는 경우, 상대적으로 좌측에 있는 물질이 플러스(+)로 대전하고, 상대적으로 우측에 있는 물질이 마이너스(-)로 대전한다. 예컨대, 「유리」와 「모피」의 조합에서는, 「유리」가 플러스(+)로 대전하고, 「모피」가 마이너스(-)로 대전한다. 박리 대전은 접촉한 2개의 물질을 분리할 때에 각각의 물질이 대전하는 것에 의해 발생하는 것이며, 그 때 발생하는 대전의 극성은 상기 마찰 대전열에 나타난 물질과 극성의 관계에 기초한다. Figure 4 shows frictional electrification heat between materials. The materials listed below the arrows are more likely to be positively (+) charged toward the left of the arrow, and are more likely to be negatively (-) charged toward the right. For example, in “glass” and “polytetrafluoroethylene (tetrafluoroethylene (CF 2 =CF 2 )), “glass” is likely to be positively charged, and “polytetrafluoroethylene” is negatively charged. It is easy to play with (-). In addition, if any material is on the same polarity side as shown in the friction charge heat, for example, in a position close to the positive (+) on the left, the material on the relatively left is charged positively, and the material on the relatively right is charged positively. The substance is negatively charged (-). For example, in the combination of “yuri” and “fur,” “yuri” is charged positively (+), and “fur” is charged negatively (-). Separation electrification occurs when two substances in contact are separated and each substance becomes charged, and the polarity of the electrification generated at that time is based on the relationship between the substance and polarity shown in the friction electrification heat.

이상으로부터, 도 3에 도시하는 바와 같이, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 인가하는 직류 전압을 정지하고, 기판(G) 상의 마이너스 전하를, 플라즈마를 통해 그라운드로 흘리면서 제전하고, 리프트핀(78)을 상승시켰을 때, 기판(G)과 디포(R) 사이에 박리 대전이 생긴다. 도 3의 기판 이탈시에는, 기판(G)의 「유리」와 기판 적재면 상의 C와 F를 포함하는 「디포(R)」와의 사이의 박리 대전이므로, 도 4에 도시하는 바와 같이 기판(G)은 플러스로 대전하고, 디포(R)는 마이너스로 대전한다. 여기서 「디포(R)」는 반드시 폴리테트라플루오로에틸렌인 것은 아니며, 함께 C와 F를 포함하는 조성이기 때문에, 동일한 전기적 성질을 가질 것으로 추찰된다. From the above, as shown in FIG. 3, the direct current voltage applied from the direct current power supply 75 to the adsorption electrode 65 is stopped, the negative charge on the substrate G is eliminated by flowing to the ground through plasma, and the lift When the pin 78 is raised, peeling charge occurs between the substrate G and the depot R. At the time of separation of the substrate in FIG. 3, there is separation charging between the “glass” of the substrate G and the “depot R” containing C and F on the substrate loading surface, so as shown in FIG. 4, the substrate (G ) is charged with a plus, and Depot (R) is charged with a minus. Here, “depot (R)” is not necessarily polytetrafluoroethylene, and since it is a composition containing both C and F, it is assumed to have the same electrical properties.

정전척(66)에 잔류하는 잔류 전하와 박리 대전에 의한 디포(R) 상의 마이너스 전하는 발생 원인이 다르다. 정전척(66)에 잔류하는 잔류 전하는, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 인가하는 직류 전압에 의해 생기며, 흡착 전극(65)에 인가하는 직류 전압의 플러스 마이너스에 의해 잔류 전하의 플러스 마이너스는 변한다. 플라즈마 제전시에는, 예컨대 플라즈마 처리시에 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 인가한 직류 전압과 극성이 반대이고 크기가 동일한 직류 전압을 흡착 전극(65)에 인가하고, 기판(G) 상의 잔류 전하를 플라즈마를 통해 그라운드에 흘리면서 제전한다. The causes of the residual charge remaining on the electrostatic chuck 66 and the negative charge on the depot R due to peeling charge are different. The residual charge remaining in the electrostatic chuck 66 is generated by the direct current voltage applied to the adsorption electrode 65 from the direct current power supply 75, and the positive and negative residual charges are generated by the plus or minus of the direct current voltage applied to the adsorption electrode 65. Minus changes. During plasma static elimination, for example, a direct current voltage of opposite polarity and the same magnitude as the direct current voltage applied to the adsorption electrode 65 from the direct current power source 75 during plasma processing is applied to the adsorption electrode 65, and the substrate G The residual charge on the phase is eliminated by flowing to the ground through plasma.

한편, 기판 이탈시에 생기는 박리 대전은, 물질의 전기적 특성에 의존하며, 박리한 물질의 조합에 기초하는 대전이다. 따라서, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 인가한 직류 전압의 플러스 마이너스에 상관없이, 도 4의 마찰 대전예에 도시하는 바와 같이, 기판(G)은 항상 「플러스」로 대전하고, 디포(R)는 항상 「마이너스」로 대전한다. On the other hand, the peeling charge that occurs when the substrate is separated is a charge that depends on the electrical properties of the material and is based on the combination of the peeled materials. Therefore, regardless of the plus or minus of the direct current voltage applied to the adsorption electrode 65 from the direct current power source 75, as shown in the triboelectric charging example in FIG. 4, the substrate G is always “positively” charged, Depot (R) always plays with “Minus”.

따라서, 본 실시형태에 관한 기판 이탈 방법에서는, 리프트핀(78)에 의해 기판(G)을 박리시 또는 박리후, 디포(R) 상의 마이너스 전하를 제거하기 위해, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 마이너스의 직류 전압을 인가한다. 이것에 의해, 디포(R) 상의 마이너스 전하와 중화시키는 플러스 전하를 정전척(66)의 표면에 발생시킨다. 그 결과, 디포(R) 상의 마이너스 전하를 중화시켜 제거할 수 있다. 이것에 의해, 다음 기판(G)의 흡착시에 디포(R) 상의 마이너스 전하에 의해 기판(G)의 흡착력이 낮아지는 것을 회피하고, 기판(G)이 박리되는 것을 억제할 수 있다. Therefore, in the substrate release method according to the present embodiment, in order to remove the negative charge on the depot R during or after peeling the substrate G by the lift pin 78, the adsorption electrode is applied from the DC power supply 75. Apply a negative direct current voltage to (65). As a result, a positive charge that neutralizes the negative charge on the depot R is generated on the surface of the electrostatic chuck 66. As a result, the negative charge on the depot (R) can be neutralized and removed. As a result, it is possible to avoid lowering the adsorption force of the substrate G due to the negative charge on the depot R when the next substrate G is adsorbed, and to suppress peeling of the substrate G.

즉, 도 2에 도시하는 종래의 기판 이탈 방법에서는, 도 2의 (b)에 도시하는 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 인가하는 직류 전압을 정지한 후, 도 2의 (c)에 도시하는 리프트핀(78)을 상승시키면서 제전용 가스의 플라즈마(이하, 「제전용 플라즈마(P2)」라고도 함)에 의한 플라즈마 제전을 행한다. 여기서는, 기판(G) 상의 잔류 전하가 제전된다. 그러나, 리프트핀(78)에 의해 기판(G)을 박리시에 발생하는 박리 대전에 의한 디포(R) 상의 마이너스 전하는 남아 버린다. 디포(R) 상에 마이너스 전하가 남은 채로 다음 기판(G)이 기판 적재면 상에 적재되면, 도 2의 (d)에 도시하는 바와 같이, 다음 기판(G)의 처리시에 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 인가하는 플러스의 직류 전압에 대하여 발생한 흡착 전극(65) 상의 플러스 전하의 일부와, 디포(R) 상의 마이너스 전하가 서로 끌어당긴다. 이것에 의해, 흡착 전극(65) 상의 플러스 전하와 서로 끌어당기는 기판(G) 상의 마이너스 전하가 부족해져 흡착력이 저하된다. 그 결과, 기판(G)이 정전척(66)으로부터 박리되기 쉬워진다. 또한, 기판(G)의 온도 조절 효율을 향상시키기 위해 기판(G)과 정전척(66)의 사이에는 전열 가스가 충전되어 있지만, 흡착 전극(65)에 의한 흡착력이 저하되기 때문에, 기판(G)과 정전척(66)의 사이로부터 허용 범위 이상의 전열 가스가 새는 과제가 생긴다. That is, in the conventional substrate release method shown in FIG. 2, after stopping the DC voltage applied to the adsorption electrode 65 from the DC power supply 75 shown in FIG. 2(b), Plasma static elimination is performed using plasma of static electricity removal gas (hereinafter also referred to as “static elimination plasma (P2)”) while raising the lift pin 78 shown in . Here, residual charges on the substrate G are eliminated. However, the negative charge on the depot R remains due to the peeling charge generated when the substrate G is peeled off by the lift pin 78. If the next substrate G is loaded on the substrate loading surface with a negative charge remaining on the depot R, as shown in (d) of FIG. 2, the DC power supply 75 is used during processing of the next substrate G. ), a portion of the positive charge on the adsorption electrode 65 generated in response to a positive direct current voltage applied to the adsorption electrode 65 and the negative charge on the depot R are attracted to each other. As a result, the positive charges on the adsorption electrode 65 and the negative charges on the substrate G, which attract each other, become insufficient, thereby lowering the adsorption force. As a result, the substrate G becomes easy to peel off from the electrostatic chuck 66. In addition, in order to improve the temperature control efficiency of the substrate G, a heat transfer gas is filled between the substrate G and the electrostatic chuck 66, but since the adsorption force by the adsorption electrode 65 is reduced, the adsorption force of the adsorption electrode 65 is lowered. ) and the electrostatic chuck 66, a problem arises in which heat transfer gas exceeding the allowable range leaks.

이것에 대하여, 플라즈마 처리 장치(100) 내에 기판(G)을 적재하지 않은 상태로, 불소계 가스를 공급하고, 불소계 가스의 플라즈마를 생성함으로써, 클리닝에 의해 정전척(66) 상의 디포(R)를 제거하는 것이 고려된다. 그러나, 이 경우, 기판 적재대(60)의 기판 적재면도 동시에 플라즈마에 노출시킴으로써 열화하여, 기판 적재대(60)의 수명을 단축하게 된다. In contrast, by supplying a fluorine-based gas without loading the substrate G in the plasma processing apparatus 100 and generating plasma of the fluorine-based gas, the depot R on the electrostatic chuck 66 is cleaned. Removal is being considered. However, in this case, the substrate loading surface of the substrate loading stand 60 is also deteriorated by being exposed to plasma at the same time, thereby shortening the lifespan of the substrate loading stand 60.

따라서, 이하에 설명하는 일실시형태에 관한 기판 이탈 방법에서는, 도 5에 도시하는 바와 같이, (a) 에칭, (b) 직류 전압 오프, (c) 리프트핀 업에 의한 제전, (d) 다음 기판(G)의 에칭을 행한다. 도 5의 (a) 및 (b)의 처리는, 도 2의 (a) 및 (b)에 도시하는 종래의 기판 이탈 방법과 동일하다. 도 5의 (b)의 직류 전압을 오프한 후, 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 제전중에 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 마이너스의 직류 전압을 인가한다. 이것에 의해, 디포(R) 상의 박리 대전의 마이너스 전하를 제거할 수 있다. 그 결과, 도 5의 (d)에 도시하는 바와 같이, 다음 기판(G)의 처리시에 기판(G)을 정전척(66)에 흡착시킬 때의 흡착력의 저하를 회피하여, 기판(G)의 박리를 억제할 수 있다. Therefore, in the substrate removal method according to the embodiment described below, as shown in FIG. 5, (a) etching, (b) turning off the direct current voltage, (c) eliminating static electricity by lifting the lift pin, (d) following The substrate G is etched. The processing in Figures 5 (a) and (b) is the same as the conventional substrate removal method shown in Figures 2 (a) and (b). After turning off the direct current voltage in Fig. 5(b), a negative direct current voltage is applied from the direct current power source 75 to the adsorption electrode 65 during plasma static elimination, as shown in Fig. 5(c). In this way, the negative charge of the peeling charge on the depot R can be removed. As a result, as shown in (d) of FIG. 5, a decrease in the adsorption force when adsorbing the substrate G to the electrostatic chuck 66 during the next processing of the substrate G is avoided, and the substrate G is peeling can be suppressed.

[기판 이탈 방법][How to remove the board]

본 실시형태에 관한 기판 이탈 방법(MT)에 관해, 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 6은, 일실시형태에 관한 기판 이탈 방법(MT)을 도시하는 플로우차트이다. 본 방법(MT)은, 제어부(90)의 제어에 의해 플라즈마 처리 장치(100)에서 실행된다. The substrate removal method (MT) according to this embodiment will be explained with reference to FIG. 6. FIG. 6 is a flowchart showing a substrate removal method (MT) according to one embodiment. This method (MT) is executed in the plasma processing apparatus 100 under the control of the control unit 90.

본 방법(MT)이 시작되면, 유기 재료의 마스크와 그 하지의 절연막이 적층된 기판(G)을 하측 챔버(13) 내에 반입하고, 정전척(66)의 기판 적재면 상에 적재한다(단계 S1). When the method MT is started, the substrate G on which the organic material mask and the underlying insulating film are laminated is brought into the lower chamber 13 and placed on the substrate loading surface of the electrostatic chuck 66 (step S1).

다음으로, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 플러스의 직류 전압을 인가하여, 기판(G)을 정전척(66)에 흡착한다(단계 S2). 다음으로, 처리 가스 공급원(44)으로부터 불소 함유 가스를 공급하고, 고주파 전원(19)으로부터 고주파 전력을 인가하여, 불소 함유 가스의 플라즈마를 생성하고(단계 S3), 불소 함유 가스의 플라즈마에 의해 기판(G) 상의 절연막을 에칭한다(단계 S4). 이 시점에서는, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 스위치(76)를 온하여 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 플러스의 직류 전압을 인가한다. 이 때 스위치(77)는 오프로 제어되어 있다. 불소 함유 가스의 플라즈마(P1)에 의해, 기판(G) 상의 유기 재료의 마스크를 통해 절연막이 에칭된다. Next, a positive direct current voltage is applied from the direct current power source 75 to the suction electrode 65, and the substrate G is adsorbed to the electrostatic chuck 66 (step S2). Next, a fluorine-containing gas is supplied from the processing gas supply source 44, and high-frequency power is applied from the high-frequency power source 19 to generate plasma of the fluorine-containing gas (step S3), and the substrate is formed by the plasma of the fluorine-containing gas. The insulating film on (G) is etched (step S4). At this point, as shown in Figure 5(a), the switch 76 is turned on to apply a positive direct current voltage from the direct current power source 75 to the adsorption electrode 65. At this time, the switch 77 is controlled to be off. The insulating film is etched through the mask of the organic material on the substrate G by the plasma P1 of the fluorine-containing gas.

다음으로, 절연막의 에칭을 종료할지를 판정한다(단계 S5). 예컨대, EPD(종점 검출) 등의 방법에 의해 에칭을 종료할지를 판정할 수 있다. 절연막의 에칭을 종료하지 않는다고 판정된 경우, 단계 S4로 되돌아가, 기판(G)의 에칭을 계속한다. 한편, 절연막의 에칭을 종료한다고 판정된 경우, 불소 함유 가스의 공급을 정지하고, 고주파 전력의 인가를 정지하고, 스위치(76)를 오프로 제어하여 흡착 전극(65)에 대한 플러스의 직류 전압의 인가를 정지하고, 에칭을 종료한다(단계 S6). 이 시점에서는, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 스위치(76)를 오프로 제어하여 흡착 전극(65)에 대한 플러스의 직류 전압의 인가를 정지한다. 스위치(77)는 온으로 제어되고, 흡착 전극(65) 상의 플러스 전하는 그라운드로 흐른다. Next, it is determined whether to end etching of the insulating film (step S5). For example, it can be determined whether etching will be completed by a method such as EPD (end point detection). If it is determined that etching of the insulating film is not finished, the process returns to step S4 and etching of the substrate G is continued. On the other hand, when it is determined that the etching of the insulating film is complete, the supply of the fluorine-containing gas is stopped, the application of high-frequency power is stopped, and the switch 76 is controlled to be off to turn the positive direct current voltage to the adsorption electrode 65. Application is stopped and etching is terminated (step S6). At this point, as shown in Figure 5(b), the switch 76 is controlled to be turned off to stop application of the positive direct current voltage to the adsorption electrode 65. The switch 77 is controlled to be on, and the positive charge on the adsorption electrode 65 flows to ground.

다음으로, 처리 가스 공급원(44)으로부터 제전용 가스를 공급하고, 고주파 전원(19)으로부터 고주파 전력을 인가하여, 제전용 플라즈마를 생성한다(단계 S7). 제전용 가스의 일례로는, O2 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스를 들 수 있다. 또, 단계 7에서의 고주파 전력은, 고주파 전원(19)으로부터 인가되는 고주파 전력이며, 고주파 전원(73)으로부터는 고주파 전력을 인가하지 않는다. Next, a gas for static elimination is supplied from the processing gas supply source 44, and high frequency power is applied from the high frequency power source 19 to generate plasma for static elimination (step S7). Examples of static elimination gas include O 2 gas, argon gas, and helium gas. In addition, the high-frequency power in step 7 is high-frequency power applied from the high-frequency power source 19, and no high-frequency power is applied from the high-frequency power source 73.

다음으로, 리프트핀(78)을 상승시켜, 기판(G)을 정전척(66)으로부터 이탈시킨다(단계 S8). 이 시점에서는, 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이, 제전용 플라즈마(P2)의 도전성을 이용하여 기판(G) 표면의 잔류 전하를 제거하는 플라즈마 제전을 행하면서, 기판(G)은, 리프트핀(78)에 의해 정전척(66)의 기판 적재면으로부터 이탈한다. 다음으로, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)에 마이너스의 직류 전압을 인가하여, 디포(R) 상의 마이너스 전하를 제거한다(단계 S9). 그 결과, 디포(R) 상의 마이너스 전하가 제거되었기 때문에, 도 5의 (d)에 도시하는 바와 같이, 다음 기판(G)을 반입하여 정전 흡착시킬 때에 디포(R) 상의 마이너스 전하에 의한 흡착력의 저하를 방지하여, 기판(G)이 정전척(66)으로부터 박리되기 쉬워지는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 기판(G)과 정전척(66)의 사이에서 새는 전열 가스의 누출량이 허용 범위를 넘는 것을 방지할 수 있다. Next, the lift pins 78 are raised to separate the substrate G from the electrostatic chuck 66 (step S8). At this point, as shown in FIG. 5(c), while plasma static electricity removal is performed to remove residual charges on the surface of the substrate G using the conductivity of the static electricity removal plasma P2, the substrate G is It is separated from the substrate loading surface of the electrostatic chuck 66 by the lift pin 78. Next, a negative direct current voltage is applied from the direct current power supply 75 to the adsorption electrode 65 to remove the negative charge on the depot R (step S9). As a result, since the negative charge on the depot R was removed, as shown in FIG. 5(d), when the next substrate G is brought in and electrostatically adsorbed, the adsorption force due to the negative charge on the depot R is reduced. By preventing degradation, it is possible to suppress the substrate G from being easily separated from the electrostatic chuck 66. As a result, it is possible to prevent the amount of heat transfer gas leaking between the substrate G and the electrostatic chuck 66 from exceeding the allowable range.

다음으로, 제전용 가스의 공급을 정지하고, 고주파 전력의 인가를 정지하고, 제전용 플라즈마의 생성을 정지한다(단계 S10). 다음으로, 직류 전원(75)으로부터 흡착 전극(65)으로의 마이너스의 직류 전압의 인가를 정지한다(단계 S11). 이것에 의해, 본 방법(MT)을 종료한다. Next, the supply of the static elimination gas is stopped, the application of high frequency power is stopped, and the generation of the static elimination plasma is stopped (step S10). Next, application of the negative direct current voltage from the direct current power source 75 to the adsorption electrode 65 is stopped (step S11). This ends the method (MT).

상기 설명에서는, 단계 S8의 처리후에 단계 S9의 처리를 실행했지만, 단계 S8의 처리와 단계 S9의 처리는 병행하여 실행해도 좋다. 예컨대 단계 S8의 처리가 시작되고, 기판(G)이 기판 적재면으로부터 박리된 후에 단계 S9의 처리를 실행해도 좋다. 단계 S8의 처리와 단계 S9의 처리는 동시에 시작해도 좋다. 즉, 단계 S9의 처리는, 단계 S8의 처리와 동시 또는 단계 S8의 처리가 시작된 후에 개시할 수 있다. In the above description, the process of step S9 is performed after the process of step S8, but the process of step S8 and the process of step S9 may be performed in parallel. For example, the process in step S8 may be started and the process in step S9 may be performed after the substrate G is peeled from the substrate loading surface. The processing of step S8 and the processing of step S9 may be started simultaneously. That is, the processing of step S9 can be started simultaneously with the processing of step S8 or after the processing of step S8 begins.

이상에 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 기판 이탈 방법에 의하면, 기판의 정전 흡착력의 저하를 회피할 수 있다. 이것에 의해, 기판의 박리를 억제할 수 있다. 또한, 기판과 정전척 사이에 공급되는 전열 가스의 누출량을 허용 범위 내로 할 수 있다. As described above, according to the substrate release method of this embodiment, a decrease in the electrostatic attraction force of the substrate can be avoided. Thereby, peeling of the substrate can be suppressed. Additionally, the leakage amount of the heat transfer gas supplied between the substrate and the electrostatic chuck can be kept within an allowable range.

또, 기판(G)을 정전척(66)으로부터 이탈시키는 공정은, 제어부(90)는, 리프트핀(78)을 정전척(66)의 기판 적재면으로부터 30 mm 이상의 높이까지 상승시키도록 제어해도 좋다. 이것에 의해, 제전용 플라즈마가 기판(G)의 이면까지 순환되기 쉬워진다. 이것에 의해, 기판(G)의 이면의 전하 및 디포(R) 상의 마이너스 전하를 보다 제거하기 쉽게 할 수 있다. In addition, in the process of releasing the substrate G from the electrostatic chuck 66, the control unit 90 controls the lift pins 78 to rise to a height of 30 mm or more from the substrate loading surface of the electrostatic chuck 66. good night. This makes it easy for the static elimination plasma to circulate to the back surface of the substrate G. This makes it easier to remove the charges on the back side of the substrate G and the negative charges on the depot R.

이번에 개시된 일실시형태에 관한 기판 이탈 방법 및 플라즈마 처리 장치는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시형태는, 첨부한 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고 여러가지 형태로 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 다른 구성도 취할 수 있고, 또한, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다. The substrate release method and plasma processing device according to the presently disclosed embodiment should be considered illustrative in all respects and not restrictive. The above embodiments can be modified and improved in various ways without departing from the appended claims and the general spirit thereof. Matters described in the above plurality of embodiments can have other configurations within a range that is not contradictory, and can be combined within a range that is not conflict.

본 개시의 플라즈마 처리 장치는, Atomic Layer Deposition(ALD) 장치, Capacitively Coupled Plasma(CCP), Inductively Coupled Plasma(ICP), Radial Line Slot Antenna(RLSA), Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR), Helicon Wave Plasma(HWP)의 어느 타입의 플라즈마 처리 장치에도 적용 가능하다. The plasma processing device of the present disclosure includes an Atomic Layer Deposition (ALD) device, Capacitively Coupled Plasma (CCP), Inductively Coupled Plasma (ICP), Radial Line Slot Antenna (RLSA), Electron Cyclotron Resonance Plasma (ECR), and Helicon Wave Plasma ( It can be applied to any type of plasma processing device (HWP).

또한, 플라즈마 처리 장치는, 에칭에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 기판에 성막 처리 등의 소정의 플라즈마 처리를 행하는 장치라면 적용 가능하다. Additionally, the plasma processing device is not limited to etching, and can be applied as long as it is an device that performs a certain plasma processing, such as a film forming process, on a substrate using plasma.

Claims (7)

처리 용기의 내부의 정전척에 매설된 흡착 전극에 직류 전압을 인가하는 것에 의해 정전 흡착된 유리 기판을 상기 정전척으로부터 이탈시키는 방법으로서,
불소 함유 가스를 공급하고, 상기 불소 함유 가스의 플라즈마에 의해, 유기 재료로 형성된 마스크를 통해 상기 유리 기판 상의 주어진 막을 에칭하는 플라즈마 처리를 행한 상기 유리 기판이 상기 정전척에 정전 흡착된 상태에서, 상기 처리 용기의 내부에 제전용 가스를 공급하여, 상기 제전용 가스의 플라즈마를 생성하는 공정과,
상기 제전용 가스의 플라즈마를 유지하면서, 리프트핀에 의해 상기 유리 기판을 상승시켜 상기 정전척으로부터 박리하고, 상기 유리 기판을 상기 정전척으로부터 이탈시키는 공정과,
상기 유리 기판을 상기 정전척으로부터 박리한 후에 상기 흡착 전극에 마이너스의 직류 전압을 인가하는 공정
을 포함하는 기판 이탈 방법.A method of releasing an electrostatically adsorbed glass substrate from an electrostatic chuck by applying a direct current voltage to an adsorption electrode embedded in the electrostatic chuck inside a processing container, comprising:
The glass substrate, which has been subjected to plasma treatment by supplying a fluorine-containing gas and etching a given film on the glass substrate through a mask formed of an organic material by the plasma of the fluorine-containing gas, is electrostatically attracted to the electrostatic chuck, A process of supplying a static elimination gas to the inside of a processing container and generating plasma of the static elimination gas;
A process of lifting the glass substrate with a lift pin to separate it from the electrostatic chuck while maintaining the plasma of the static elimination gas, and separating the glass substrate from the electrostatic chuck;
A process of applying a negative direct current voltage to the adsorption electrode after peeling the glass substrate from the electrostatic chuck.
A substrate release method comprising: 제1항에 있어서,
상기 제전용 가스의 플라즈마를 생성하는 공정 전에, 상기 플라즈마 처리에서 상기 흡착 전극에 인가한 직류 전압을 정지하는 공정을 포함하는 기판 이탈 방법. According to paragraph 1,
A substrate release method including a step of stopping the direct current voltage applied to the adsorption electrode in the plasma treatment before the step of generating plasma of the static elimination gas. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 흡착 전극에 마이너스의 직류 전압을 인가하는 공정을 실행하고 있는 동안에, 상기 제전용 가스의 플라즈마를 정지하는 공정을 포함하는 기판 이탈 방법. According to claim 1 or 2,
A substrate release method including a step of stopping the plasma of the static elimination gas while performing the step of applying a negative direct current voltage to the adsorption electrode. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 흡착 전극에 마이너스의 직류 전압을 인가하는 공정은, 상기 유리 기판을 상기 정전척으로부터 이탈시키는 공정을 실행하고 있는 동안에 있어서, 상기 유리 기판이 상기 정전척으로부터 박리한 후에 실행되는 것인 기판 이탈 방법. According to claim 1 or 2,
The step of applying a negative direct current voltage to the adsorption electrode is performed after the glass substrate is peeled from the electrostatic chuck while the step of releasing the glass substrate from the electrostatic chuck is performed. . 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 유리 기판을 상기 정전척으로부터 이탈시키는 공정은, 상기 리프트핀을 상기 정전척의 기판 적재면으로부터 30 mm 이상의 높이까지 상승시키는 것인 기판 이탈 방법. According to claim 1 or 2,
The process of releasing the glass substrate from the electrostatic chuck includes raising the lift pin to a height of 30 mm or more from the substrate loading surface of the electrostatic chuck. 처리 용기와, 상기 처리 용기의 내부에 배치되는 정전척과, 상기 정전척에 매설된 흡착 전극에 직류 전압을 인가하는 것에 의해 유리 기판을 정전 흡착시키도록 제어하는 제어부를 포함하는 플라즈마 처리 장치로서,
상기 제어부는,
불소 함유 가스를 공급하고, 상기 불소 함유 가스의 플라즈마에 의해, 유기 재료로 형성된 마스크를 통해 상기 유리 기판 상의 주어진 막을 에칭하는 플라즈마 처리를 행한 상기 유리 기판이 상기 정전척에 정전 흡착된 상태에서, 상기 처리 용기의 내부에 제전용 가스를 공급하여, 상기 제전용 가스의 플라즈마를 생성하는 공정과,
상기 제전용 가스의 플라즈마를 유지하면서, 리프트핀에 의해 상기 유리 기판을 상승시켜 상기 정전척으로부터 박리하고, 상기 유리 기판을 상기 정전척으로부터 이탈시키는 공정과,
상기 유리 기판을 상기 정전척으로부터 박리한 후에 상기 흡착 전극에 마이너스의 직류 전압을 인가하는 공정
을 제어하는 것인 플라즈마 처리 장치.A plasma processing device comprising a processing vessel, an electrostatic chuck disposed inside the processing vessel, and a control unit that controls electrostatic adsorption of a glass substrate by applying a direct current voltage to an adsorption electrode embedded in the electrostatic chuck,
The control unit,
The glass substrate, which has been subjected to plasma treatment by supplying a fluorine-containing gas and etching a given film on the glass substrate through a mask formed of an organic material by the plasma of the fluorine-containing gas, is electrostatically attracted to the electrostatic chuck, A process of supplying a static elimination gas to the inside of a processing container and generating plasma of the static elimination gas;
A process of lifting the glass substrate with a lift pin to separate it from the electrostatic chuck while maintaining the plasma of the static elimination gas, and separating the glass substrate from the electrostatic chuck;
A process of applying a negative direct current voltage to the adsorption electrode after peeling the glass substrate from the electrostatic chuck.
A plasma processing device that controls a. 삭제delete
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