KR102615926B1 - 차폐 댐 조형용 노즐, 이를 이용하는 전자파 차폐구조 및 전자파 차폐구조의 제조방법 - Google Patents

차폐 댐 조형용 노즐, 이를 이용하는 전자파 차폐구조 및 전자파 차폐구조의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102615926B1
KR102615926B1 KR1020160135978A KR20160135978A KR102615926B1 KR 102615926 B1 KR102615926 B1 KR 102615926B1 KR 1020160135978 A KR1020160135978 A KR 1020160135978A KR 20160135978 A KR20160135978 A KR 20160135978A KR 102615926 B1 KR102615926 B1 KR 102615926B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
molding member
insulating molding
shielding
delete delete
mold
Prior art date
Application number
KR1020160135978A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170115930A (ko
Inventor
김경일
국건
문일주
백오현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to US15/438,008 priority Critical patent/US10624248B2/en
Priority to CN201780012468.4A priority patent/CN108713356B/zh
Priority to PCT/KR2017/002481 priority patent/WO2017175975A1/en
Publication of KR20170115930A publication Critical patent/KR20170115930A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102615926B1 publication Critical patent/KR102615926B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0037—Housings with compartments containing a PCB, e.g. partitioning walls
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/0015—Gaskets or seals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0039—Galvanic coupling of ground layer on printed circuit board [PCB] to conductive casing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S277/00—Seal for a joint or juncture
    • Y10S277/92—Seal including electromagnetic shielding feature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

차폐 댐 조형용 노즐, 이를 이용하여 형성되는 전자파 차폐구조, 및 전자파 차폐구조의 제조방법이 개시된다. 개시된 전자파 차폐구조는 인쇄회로기판에 실장된 복수의 소자들; 상기 복수의 소자들을 덮는 절연 몰딩 부재; 상기 절연 몰딩 부재의 측부를 따라 형성된 전도성 차폐 댐; 및 상기 절연 몰딩 부재의 상면에 형성된 전도성 차폐 부재;를 포함할 수 있다.

Description

차폐 댐 조형용 노즐, 이를 이용하는 전자파 차폐구조 및 전자파 차폐구조의 제조방법{Nozzle for forming shielding dam, EMI shielding structure, and method for EMI shielding structure}
본 발명은 차폐 댐 조형용 노즐 및 이를 이용하는 전자파 차폐구조의 제조방법에 관한 것으로, 특히　몰드를 이용하여 절연 몰딩 부재를 형성하고, 절연 몰딩 부재를 덮는 차폐 물질을 형성하는 차폐 댐 조형용 노즐 및 이를 이용하는 전자파 차폐구조의 제조방법에 관한 것이다.
최근 전자제품 시장에서는 휴대용 디바이스의 수요가 급격하게 증가하고 있으며, 이와 함께 휴대가 용이하도록 휴대용 디바이스의 소형화 및 경량화가 지속적으로 요구되고 있다. 휴대용 디바이스의 소형화 및 경량화를 구현하기 위해서는 휴대용 디바이스에 구비된 전자 부품의 개별 사이즈를 감소시키는 기술뿐만 아니라, 인쇄회로기판에 실장된 다수의 회로 소자들을 하나의 패키지로 집적하는 패키징 기술이 요구된다. 특히, 고주파 신호를 취급하는 반도체 패키지는 소형화뿐만 아니라 전자파 간섭 또는 전자파 내성 특성을 우수하게 구현하기 위해 다양한 전자파 차폐구조를 구비할 것이 요구되고 있다.
이를 위해 종래의 전자파 차폐구조는 프레스 가공된 금속재질의 쉴드 캔(shield can)으로 각종 회로 소자를 커버하는 구조와, 회로 소자를 둘러싸도록 전도성 재질로 이루어진 차폐 댐을 형성하고 차폐 댐 내부에 절연체를 주입하여 각 회로 소자를 모두 덮은 후 그 위에 차폐층을 형성하는 구조이다.
쉴드 캔을 적용한 차폐구조에서는　쉴드 캔이 형상 유지를 위해 일정한 두께로 형성되고, 회로 소자와 단락(short)하지 않도록 각 회로 소자와 일정한 간격을 유지해야 한다. 쉴드 캔의 두께와 쉴드 캔과 회로 소자 간의 간격으로 인해, 쉴드 캔은　높이를 낮추는데 한계가 있다. 이러한 한계는 차폐구조의 소형화를 저해하는 요인이 된다. 또한, 쉴드 캔과 회로 소자 사이에는 에어 갭(air gap)이 형성된다. 에어 갭은 회로 소자에서 발산되는 열 방출을 방해하는 단열 작용을 한다. 열 방출을 원활하게 하기 위해, 쉴드 캔의 상부 또는 측부에 통기 구멍을 형성해야 한다. 그런데 쉴드 캔에 형성된 통기 구멍으로 전자파가 누설되므로 전자파 차폐 효과는 하락하게 되는 문제가 있다.
또한, 기술 개발에 따라　고밀도 실장을 하는 경우가 늘고 있다. 이 경우 회로 소자들　사이의 간격이 매우 좁게 설정되므로 기존의 공정으로는 요구되는 종횡비를 만족하는 차폐 댐의 조형이 매우 어려운 실정이다.
상기 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 회로 소자들을 덮는 절연 몰딩 부재에 의지하여 차폐 댐을 조형함으로써 회로 소자들이 고밀도로 실장된 인쇄회로기판에 적용할 수 있는 차폐 댐 조형용 노즐 및 이를 이용하는 전자파 차폐구조의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 몰드 내로 주입되는 절연 소재가 몰드와 인쇄회로기판 사이로 누출되는 것을 방지할 수 있는 몰드 씰링 방법 및 이를 이용하는 전자파 차폐구조의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 인쇄회로기판에 실장된 복수의 소자들; 상기 복수의 소자들을 덮는 절연 몰딩 부재; 상기 절연 몰딩 부재의 측부를 따라 형성된 전도성 차폐 댐; 및 상기 절연 몰딩 부재의 상면에 형성된 전도성 차폐 부재;를 포함하는, 전자파 차폐구조를 제공한다.
상기 차폐 댐은 상기 절연 몰딩 부재의 측면과 상면의 일부를 덮는 "ㄱ"형상의 종단면을 가질 수 있다.
상기 차폐 댐의 종횡비는 1:3 이상일 수 있다. 이 경우, 상기 차폐 댐을 형성하는 소재의 점도는 20,000cps 이상일 수 있다.
상기 소자들 간의 실장 간격은 0.8mm 이하일 수 있다.
상기 차폐 댐은 내측면이 상기 절연 몰딩 부재의 측면의 기울기와 동일할 수 있다. 상기 차폐 댐의 내측면의 기울기는 상기 절연 몰딩 부재의 측면의 기울기와 동일할 수 있다. 상기 차폐 댐의 내측면은 수직 또는 경사지게 형성될 수 있다.
상기 전도성 차폐 부재는 상기 절연 몰딩 부재의 상면에 부착되는 전도성 차폐 필름일 수 있다.
상기 전도성 차폐 부재는 노즐에 의해 토출되어 상기 절연 몰딩 부재의 상면에 코팅되는 액상 전도성 차폐 소재로 이루어질 수 있다.
본 발명은 기 차폐 댐과 상기 전도성 차폐 부재가 상호 접하는 부분을 덮는 전기 전도성을 갖는 에지 브리지;를 더 포함할 수 있다.
상기 차폐 댐은 하단이 상기 인쇄회로기판에 형성된 접지와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 인쇄회로기판에 실장된 복수의 소자들; 상기 복수의 소자들을 둘러싸도록 인쇄회로기판 상에 안착된 몰드; 상기 몰드에 주입된 후 성형되어 상기 복수의 소자들을 덮는 절연 몰딩 부재; 상기 몰드의 측부를 따라 형성된 전도성 차폐 댐; 및 상기 몰드의 상면 및 상기 절연 몰딩 부재의 상면을 덮는 전도성 차폐 부재;를 포함하는, 전자파 차폐구조를 제공할 수 있다.
상기 차폐 댐은 상기 몰드의 측면과 상면을 덮는 "ㄱ"형상의 종단면을 가질 수 있다.
상기 몰드의 하단과 상기 인쇄회로기판의 상면 사이에 씰런트가 배치될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 몰드에 액상 실런트를 제공하는 단계; 회로 소자가 실장된 인쇄회로기판 상에 상기 액상 실런트가 접촉하도록 상기 몰드를 세팅하는 단계; 상기 몰드에 절연 소재를 주입하여　상기 회로 소자를 덮는 절연 몰딩 부재를 형성하는 단계; 상기 몰드를 상기 인쇄회로기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 절연 몰딩 부재를 덮는　전도성 차폐물을 형성하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 회로 소자가 실장된 인쇄회로기판과 이격하도록 몰드를 세팅하는 단계; 상기 몰드와 인쇄회로기판 사이에 액상 실런트를 주입하는 단계; 상기 몰드에 절연 소재를 주입하여　상기 회로 소자를 덮는 절연 몰딩 부재를 형성하는 단계; 상기 몰드를 상기 인쇄회로기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 절연 몰딩 부재를 덮는　전도성 차폐물을 형성하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 하단에 씰런트가 결합된 몰드를 회로 소자가 실장된 인쇄회로기판에 세팅하는 단계; 상기 몰드에 절연 소재를 주입하여　상기 회로 소자를 덮는 절연 몰딩 부재를 형성하는 단계; 상기 몰드 및 상기 절연 몰딩 부재를 함께 덮는　전도성 차폐물을 형성하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 전도성 소재를 토출하여 차폐 댐을 형성하는 노즐에 있어서, 상기 전도성 소재가 토출되는 토출구; 및 상기 토출구의 일부로부터 상기 노즐의 길이 방향을 따라 연장 형성된 가이드부;를 포함하는, 노즐을 제공할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다.
도 1b 및 도 1c는 차폐 댐의 내측면이 수직 또는 경사지게 형성된 구조를 나타내는 도면들이다.
도 2는 도 1에 도시된 전자파 차폐구조의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 3은 회로 소자들이　고집적 실장된 인쇄회로기판 상에서　노즐을 절연 몰딩 부재의 측부에 차폐 댐을 형성하는 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 차폐구조를 형성하기 위한 소재 토출 장치를 나타내는 블록도이다.
도 5는 소재 토출 장치에 구비된 입력부를 통해 입력된 노즐의 이동경로를 나타내는 도면이다.
도 6은 소재 토출 장치의 노즐을 나타내는 도면이다.
도 7은 본　발명의 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 전자파 차폐구조의 공정을 나타내는 도면이다.
도 9는 도 7에 도시된 전자파 차폐구조에서 차폐 댐과 차폐 필름을 전기적으로 연결하는 차폐 브리지를 형성한 예를 나타내는 단면도이다.
도 10은 차폐 부재를 절연 몰딩 부재의 상면에 코팅하는 예를 나타내는 개략도이다.
도 11은 차폐 댐 및 차폐 부재를 코팅방법을 통해 형성하는 예를 나타내는 개략도이다.
도 12는 몰드 하단에 러버 재질의 씰링부재를 적용하여 절연 몰딩 부재를 형성하는 경우, 절연 몰딩 부재에 나타날 수 있는 현상을 설명하는 도면이다.
도 13은 몰드 하단에 액상 실런트를 묻히기 위해 액상 실런트가 채워진 트레이로 이동하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른　전자파 차폐구조의 제조 공정을 나타내는 것으로, 액상 실런트를 기화시키는 예를 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른　전자파 차폐구조의 제조 공정을 나타내는 것으로, 액상 실런트를 후처리에 의해 제거하는 예를 나타내는 도면이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른　전자파 차폐구조의 제조 공정을 나타내는 것으로, 몰드 세팅 후 몰드와 인쇄회로기판 사이에 액상 실런트를 주입하는 예를 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른　전자파 차폐구조의 제조 공정을 나타내는 것으로, 몰드 세팅 후 몰드와 인쇄회로기판 사이에 액상 실런트를 주입하고 후처리에 의해 액상 실런트를 제거하는 예를 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조의 제조 공정을 나타내는 것으로, 복수의 차폐구조를 형성할 때 몰드 내로 주입하는 절연 소재의 양을 제어하여 절연 몰딩 부재의 높이를 차별적으로 제어하는 예를 나타내는 도면이다.
도 19 및 도 20은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 전자파 차폐구조의 제조 공정을 각각 나타내는 것으로, 몰드를 제거하지 않고 차폐구조에 포함시키는 예를 나타내는 도면이다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조가 적용된 휴대전화 단말기를 나타내는 사시도이다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조가 적용된 스마트 워치를 나타내는 사시도이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들에 대한 설명은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기를 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "상에" 있다거나 "접하여" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 상에 직접 맞닿아 있거나 또는 연결되어 있을 수 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "바로 위에" 있다거나 "직접 접하여" 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "～사이에"와 "직접 ～사이에" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전자파 차폐구조는 스마트 폰, 디스플레이 장치, 웨어러블 디바이스(wearable device) 등에 적용될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전자파 차폐구조는 몰드를 사용하여 절연 몰딩 부재를 형성하고, 절연 몰딩 부재의 측부를 따라 노즐을 이동시켜 차폐 댐을 형성한다. 차폐 댐은 절연 몰딩 부재의 측부에 의지하여 형성되므로 높은 종횡비를 유지한 상태로 조형될 수 있다. 이와 같이 절연 몰딩 부재의 측부를 따라 차폐 댐을 형성하면 노즐에서 소재가 토출되는 부분의 폭을 좁게 형성할 수 있어 회로 소자들 간의 간격이 매우 좁은 고집적 실장 기판에도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 전자파 차폐구조는 몰드 내로 주입되는 절연 소재가 몰드와 인쇄회로기판 사이에 형성될 수 있는 틈으로 누출되는 것을 방지하도록 액상 실런트를 적용할 수 있다. 액상 실런트는 소재에 따라　절연 몰딩 부재의 경화 온도보다 높은 온도에서 기화되어 인쇄회로기판으로부터 제거될 수 있으며, 기화하지 않는 소재로 이루어지는 경우 절연 몰딩 부재가 경화된 후 후처리를 통해 인쇄회로기판으로부터 제거될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 전자파 차폐구조는 복수의 회로 소자를 차폐하는 것으로 설명하지만, 이에 한정되지 않고 단일 회로 소자만을 차폐하도록 형성될 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 전술한 노즐의 구조와 이 노즐을 이용하여 차폐 댐을 조형하는 과정과, 절연 몰딩 부재 형성 시 액상 실런트를 사용하는 예를 구체적으로 설명한다.　
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 전자파 차폐구조(100)는 인쇄회로기판(110)과, 인쇄회로기판(110)에 실장된 복수의 회로 소자(115,117,119)를 포함할 수 있다. 여기서, 복수의 회로 소자는 이종(異種)의 회로 소자들로, IC 칩, 수동 소자 및 이형 부품일 수 있다. 예를 들어, IC 칩은 AP(application processor), 메모리, RF(Radio Frequency) 칩 등 일 수 있고, 수동 소자는 저항, 콘덴서, 코일 등을 일 수 있고, 상기 이형 부품은 커넥터, 카드 소켓, 전자파 차폐 부품 등 일 수 있다.
인쇄회로기판(110)의 상면에는 복수의 회로 소자(115,117,119)가 각각 전기적으로 접속되는 제1 접속 패드(111) 및 제2 접속 패드(112)가 패터닝될 수 있다. 제1 및 제2 접속 패드(111,112)는 다수로 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 접속 패드(111,112)는 복수의 회로 소자(115,117,119)의 접지 또는 신호 전달을 위해 형성될 수 있다.
인쇄회로기판(110)은 접지 패드(114)가 패터닝(patterning)될 수 있다. 접지 패드(114)는 인쇄회로기판(110)의 상면으로 돌출되지 않도록 접지 패드(114) 상면이 노출된 상태로 인쇄회로기판(110) 내측에 형성될 수 있다. 이 경우, 접지 패드(114)는 인쇄회로기판(110) 내에 형성된 접지층(미도시)에 일체로 형성될 수 있다.
접지 패드(114)는 복수의 회로 소자(115,117,119)의 접지 또는 신호 전달을 위하여 형성될 수 있다. 후술하는 차폐 댐(130)은 인쇄회로기판(110) 상에 조형될 때 차폐 댐의 형성 경로를 따라 또는 형성 경로의 일부에 형성된 접지 패드(114)에 전기적으로 접촉됨에 따라 접지가 이루질 수 있다.
회로 소자(115)는 인쇄회로기판(110)의 제1 접속 패드(111)에 전기적으로 접속되는 복수의 접속 단자(116)를 포함할 수 있다. 복수의 접속 단자(116)는 예를 들면 솔더볼과 같은 BGA(ball grid array) 방식으로 형성될 수 있다. 하지만 이러한 접속 단자(116)는 BGA 방식에 제한되지 않고, 소자(115)의 리드 형태에 따라 다양한 방식 예를 들면, QFN(Quad Flat No Lead), PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier), QFP(Quad Flat Package), SOP (Small Out Line Package), TSOP/SSOP/TSSOP(Thin/Shrink/Thin Shrink SOP) 등의 다양한 방식으로 이루어질 수 있음은 물론이다.
나머지 회로 소자(117,119)는 인쇄회로기판(110)의 제2 접속 패드(112)에 전기적으로 접속되는 적어도 하나의 접속 단자(미도시)를 포함할 수 있다. 복수의 회로 소자(117,119)는 인쇄회로기판(110)에 실장 시 그 높이가 전술한 회로 소자(115)보다 작거나 클 수 있다. 각 회로 소자들(115,117,119)은 차폐 댐(130)과 접촉하지 않도록 소정 간격을 두고 배치된다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)는 복수의 회로 소자들(115,117,119)을 덮는 절연 몰딩 부재(120)와, 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 형성된 차폐 댐(130)과, 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 형성되는 차폐 부재(140)를 포함할 수 있다.
절연 몰딩 부재(120)는 각 회로 소자(115,117,119) 간, 각 회로 소자(115,117,119)와 차폐 댐(130) 간, 및 각 회로 소자와 차폐 부재(140) 간을 절연한다.
절연 몰딩 부재(120)는 몰드(10) 내측에 절연 소재가 주입된 후 경화되어 형성될 수 있다. 이때 절연 소재는 회로 소자들(115,117,119)의 외측면에 밀착될 수 있고, 각 회로 소자(115,117,119)와 인쇄회로기판 사이에 형성되는 틈으로 들어갈 수 있도록 유동성을 가지는 재료로 이루어질 수 있다. 절연 몰딩 부재(120)는 상온 경화, 열 경화, UV 경화 등의 다양한 경화 처리를 통해 경화될 수 있다.
상기 절연 소재는 유동성을 갖는 요변성(Thixotropy) 소재 또는 상변화(열가소성, 열경화성) 소재일 수 있다.
요변성 소재는 합성미분 실리카, 벤토나이트(bentonite), 미립자 표면처리 탄산칼슘, 수소 첨가 피마자유, 금속 석검계, 알루미늄 스테아레이트(aluminum stearate), 폴리이미드 왁스(polyamide wax), 산화 폴리에틸렌계 및 아마인 중합유 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 석검계는 알루미늄 스테아레이트(Aluminum Stearate)를 포함할 수 있다.
상변화 소재는 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리요소(polyurea), 폴리염화 비닐(polyvinyl chloride), 폴리스티렌(polystyrene), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene), 폴리아미드(polyamide), 아크릴(acrylic), 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone) 및 PBTP(polybutylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
차폐 댐(130)은 경화된 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 조형된다. 이 경우, 차폐 댐(130)은 절연 몰딩 부재(120)의 측부에 의지한 상태로 조형되며, 절연 몰딩 부재(120)의 측면과 상면의 일부를 덮는다. 이와 같이 차폐 댐(130)이 절연 몰딩 부재(120)와 같은 소정의 구조물에 의지하여 조형되는 경우, 별도의 구조물에 의지하지 않고 스스로 형태를 이루는 프리 스탠딩 방식(free standing type)으로 조형되는 경우 보다 더 높은 종횡비로 형성될 수 있다. 여기서, 차폐 댐의 종횡비는 차폐 댐(130)의 높이를 차폐 댐의 폭으로 나눈 값이다. 상기와 같이 절연 몰딩 부재(120)의 측면을 의지하여 형성되는 차폐 댐(130)의 경우 점도가 약 20,000cps이상인 경우 1:3 이상의 종횡비를 갖도록 형성될 수 있다. 한편, 프리 스탠딩 방식에 의해 형성되는 차폐 댐의 경우 점도가 약 80,000cps 이상인 경우　종횡비 1:2 이상의 댐을 형성할 수 있다. 따라서, 본 실시예와 같이 절연 몰딩 부재(120)의 측면을 의지하여 차폐 댐(130)을 형성하는 경우, 프리 스탠딩 방식을 통해 형성되는 차폐 댐에 비해 더 낮은 점도인 소재로 형성하여도 더 높은 종횡비를 갖도록 형성될 수 있다.
차폐 댐(130)은 전자파 장해(Electro-Magnetic Interference; EMI)를 방지할 수 있는 전자파 차폐 특성을 가지는 전도성 소재로 형성될 수 있다. 이에 따라 차폐 댐(130)은 복수의 회로 소자(115,117,119)에서 발생하는 전자파를 차폐하여 전자파 차폐구조(100)가 포함된 전자 장치에 다른 전자 부품에 영향을 줄 수 있는 EMI를 미연에 방지할 수 있다. 전자파 차폐구조(100)가 포함된 전자 장치에 전자파 잡음 또는 오동작 등과 같은 장해를 근본적으로 차단함으로써 제품의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이와 같이 차폐 댐(130)은 회로 소자(115,117,119)의 동작 과정에서 불가피하게 발생되는 전자파가 외부에 영향을 주는 것을 막을 수 있다.
상기 전도성 소재는 차폐 댐(130) 조형 시 높은 종횡비(r)로 형성되면서 토출 후 흘러 내리지 않고 토출된 형상을 유지할 수 있는 고점도(100,000cP 이상)를 가질 수 있다. 이와 같이 소재가 고점도를 가질 경우, 차폐 댐(130)의 종횡비를 크게할 수 있어 차폐 댐의 높이를 높게 형성할 수 있다.
아울러, 고점도의 전도성 소재를 사용하게 되면 인쇄회로기판이 양면 기판인 경우 앞면에 차폐 댐을 조형 후 곧이어 뒷면에 차폐 댐을 형성하기 위해 인쇄회로기판을 뒤집어도 앞면에 조형된 차폐 댐은 흘러내리지 않고 그 형상을 유지할 수 있다. 따라서, 전체적인 작업 공정을 신속하게 진행할 수 있는 이점이 있다.
구체적으로, 차폐 댐(130)을 이루는 전도성 소재는 전기 전도도가 1.0E+04 S/m 이상인 전기 전도성 물질(electroconductive material)로 이루어질 수 있다. 이와 같은 전기 전도성 물질은 전기 전도성 필러(electroconductive filler)와 바인더 수지(binder resin)를 포함할 수 있다.
전기 전도성 필러로는 Ag, Cu, Ni, Al, Sn 등의 금속(metal)을 사용하거나, 카본블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nanotube), 그라파이트(graphite)등의 전도성 카본을 사용하거나, Ag/Cu, Ag/Glass fiber, Ni/Graphite 등의 금속 코팅 물질(Metal coated materials)을 사용하거나, 폴리피롤(Polypyrrole), 폴리아닐린(Polyaniline) 등의 전도성 고분자 물질을 사용할 수 있다. 또한, 전기 전도성 필러는 플래이크 타입(Flake type), 스피어 타입(Sphere type), 막대 타입(Rod type) 및 덴드라이트 타입(Dendrite type) 중 어느 하나 또는 혼합으로 이루어질 수 있다.
바인더 수지로는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 알키드 수지 등을 사용할 수 있다. 차폐 댐(130)을 이루는 소재는 기타 성능 개선을 위한 첨가제(중점제, 산화방지제, 고분자 계면활성제 등) 및 용제(물, 알코올 등) 등을 추가 함유할 수도 있다.
한편, 차폐 댐(130)은 전술한 바와 같이 절연 몰딩 부재(120)의 측부에 의지한 상태로 조형되며, 절연 몰딩 부재(120)의 측면과 상면의 일부를 덮는다. 이에 따라, 도 1b와 같이, 차폐 댐(130)의 종단면은 대략 'ㄱ'형상으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 차폐 댐(130)의 내측면(130c)의 기울기는 절연 몰딩 부재(120)의 측면(120c)의 기울기와 동일하게 형성될 수 있다. 도 1b와 같이 절연 몰딩 부재(120)의 측면(120c)이 인쇄회로기판(110)의 상면에 대해 직각으로 형성되면, 차폐 댐(130)의 내측면(130c)은 수직으로 형성될 수 있다. 또한, 도 1c와 같이 절연 몰딩 부재(120)의 하부가 상부보다 길게 형성됨에 따라 절연 몰딩 부재(120)의 측면(120d)이 경사지게 형성되면, 차폐 댐(130)의 내측면(130d)은 절연 몰딩 부재(120)의 측면(120d)의 기울기와 동일한 기울기를 가질 수 있다. 한편, 차폐 댐이 프리 스탠딩 방식(차폐 댐이 별도의 구조물에 의지하지 않고 스스로 소정의 종횡비를 갖는 상태로 형성하는 방식)으로 조형되는 경우 차폐 댐의 하측 폭이 상측 폭보다 넓게 형성된다. 이에 따라 프리 스탠딩 방식의 차폐 댐은 내측면이 본 실시예의 차폐 댐(130)의 내측면(130d)의 경사 방향이 반대로 된다.
도 1b를 참조하면, 차폐 댐(130)은 절연 몰딩 부재(120)의 상측에 형성된 차폐 댐(130)의 상단부(130e)가 차폐 부재(140)의 에지 부분(140e)과 접촉하여 절연 몰딩 부재(120)의 외측면을 완전히 감쌀 수 있다. 이 경우, 차폐 댐(130)의 상단부(130e)의 일부분은 차폐 부재(140)의 에지 부분(140e)에 의해 덮일 수 있다.
차폐 부재(140)는 차폐 댐(130)과 같이 유동성을 갖는 전도성 소재로 이루어지며, 전술한 차폐 댐(130)을 이루는 소재와 동일한 소재로 이루어질 수 있다.
차폐 부재(140)는 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 형성된다. 차폐 댐(130)이 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 조형될 때, 차폐 댐(130)의 상단부(131)가 절연 몰딩 부재(120)의 상면 보다 높게 돌출된다. 이에 따라 절연 몰딩 부재(120)의 상면에는 차폐 부재(140)가 채워질 수 있는 공간이 마련될 수 있다.
차폐 부재(140)는 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 채워질 때 차폐 댐(130)의 상단부(131)와 접촉하면서 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 차폐 댐(130)과 차폐 부재(140)는 절연 몰딩 부재(120)의 외측을 완전히 둘러 싸게 되므로, 최적의 차폐구조를 이룰 수 있다.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)의 제조 공정을 순차적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조의 제조 공정을 순차적으로 나타내는 도면이고, 도 3은 회로 소자들이　고집적 실장된 인쇄회로기판 상에서　노즐을 이용하여 절연 몰딩 부재의 측부에 차폐 댐을 형성하는 예를 나타내는 도면이다.
먼저, 도 2(a)와 같이 복수의 회로 소자(115,117,119)가 실장된 인쇄회로기판(110)이 작업 위치로 로딩되면, 도 2(b)와 같이 몰드(10)를 인쇄회로기판(110) 상에서 절연 몰딩 부재(120)가 형성될 위치에 배치한다.
이어서, 도 2(c)와 같이 몰드(10)의 내측(11)으로 유동성을 갖는 절연 소재를 주입한 후, 절연 소재를 경화시키기 위해 미리 설정된 시간 동안 인쇄회로기판(110)을 오븐(미도시)에 넣고 소정 온도로 가열한다. 몰드(10)의 내측(11)에서 경화된 절연 소재는 절연 몰딩 부재(120)가 된다.
절연 몰딩 부재(120)가 형성되면 오븐에서 인쇄회로기판(110)을 인출한 후, 도 2(d)와 같이 인쇄회로기판(110)으로부터 몰드(10)를 분리한다.
이어서, 도 2(e)와 같이 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 연속적으로 일정한 양의 전도성 소재를 토출하여 절연 몰딩 부재(120)의 측면과 상면의 일부(테두리)를 덮는 차폐 댐(130)을 조형한다. 전도성 소재는 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 이동하는 노즐(216, 도 3 참조)에서 토출된다.
도 3을 참조하면, 노즐(216)은 하단에 토출구(216a)가 형성되고, 토출구(216a)의 일측으로부터 노즐(216)의 길이 방향을 따라 가이드부(216b)가 소정 길이 연장 형성된다. 이 경우, 노즐(216)은 토출구(216a)가 절연 몰딩 부재(120)의 상면보다 더 높은 위치에 배치되고, 가이드부(216b)가 절연 몰딩 부재(120)의 측면과 소정의 회로 소자(20) 사이를 통과할 수 있도록 배치될 수 있다. 가이드부(216b)는 토출구(216a)에서 토출되는 소재가 절연 몰딩 부재(120)의 측면을 향하도록 가이드한다.
이러한 노즐(216)의 소재가 토출되는 부분의 형상은 고집적 실장 인쇄회로기판에서도 원활하게 노즐(216)을 이동시킬 수 있도록 고려한 것이다. 즉, 고집적 실장 인쇄회로기판의 경우, 회로 소자(115)와 회로 소자(20) 간의 간격(g1)이 0.8mm 이하로 매우 좁게 설계된다. 소자 간의 간격(g1)이 0.8mm라고 가정하면, 노즐(216)의 외경(D)은 0.9mm이고, 두께(t)는 0.1mm이고, 내경(d)은 0.8mm로 설정될 수 있다. 여기서 노즐(216)의 내경(d)은 토출구(216a)의 직경과 동일하다. 토출구(216a)로부터 하향 연장 형성된 가이드부(216b)는 소정 길이(L)와 폭(w)을 가질 수 있다. 이 경우 가이드부(216b)의 폭(w)은 가이드부(216b)가 절연 몰딩 부재(120)의 측면과 회로 소자(20) 사이에 위치할 때, 가이드부(216b)의 일측과 절연 몰딩 부재(120)의 측면 사이에 간격이 유지되고 가이드부(216b)의 타측과 회로 소자(20) 사이에 간격이 유지되는 정도이면 족하다. 예를 들어, 가이드부(216b)의 타측과 절연 몰딩 부재(120)의 측면까지의 거리(g2)가 0.5mm이면, 가이드부(216b)의 일측과 절연 몰딩 부재(120)의 측면 사이의 간격(g3)은 0.1mm로 유지될 수 있다.
토출구(216a)를 통해 토출되는 소재 중 일부는 가이드부(216b)에 접촉하면서 토출된다. 이때 가이드부(216b)에 접촉하는 소재의 일부는 가이드부(216b)의 내면과 접촉하면서 소재와 가이드부(216b) 사이에 마찰 저항이 발생하여 가이드부(216b)에 접촉하지 않는 소재의 나머지 부분은 가이드부(216b)에 의한 마찰 저항이 작용하지 않거나 거의 영향을 받지 않기 때문에 토출 속도가 다소 빠르게 된다.
이와 같이 토출구(216a)를 통해 동시에 토출되는 소재가 토출구(216a)를 빠져나오면서 속도 차가 발생하게 되는 현상이 일어난다. 이러한 현상을 감안하여 가이드부(216b)의 길이(L)를 설정할 수 있다. 예를 들어, 노즐(216)이 계속해서 일정한 속도로 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 이동하면서 토출구(216a)로 소재를 토출할 때, 가이드부(216b)의 길이가 너무 길면 토출구(216a)에서 토출되는 소재 중 가이드부(216b)에 인접한 소재의 일부는 가이드부(216b)의 하단까지 가이드되기 전에 절연 몰딩 부재(120) 측으로 이동하게 된다. 이로 인해 차폐 댐(130)은 상부에 비해 하부가 얇게 형성되거나 절연 몰딩 부재(120)의 측면 하부를 덮지 못하는 경우가 발생할 수 있다. 또한, 가이드부(216b)의 길이가 너무 짧으면 차폐 댐(130)의 하부가 상부에 비해 두껍게 형성되거나 차폐 댐(130)의 측면 상부를 덮지 못하는 경우가 발생할 수 있다. 따라서, 가이드부(216b)의 길이(L)는 차폐 댐(130)의 조형에 영향을 미칠 수 있으므로 절연 몰딩 부재(120)의 높이를 고려하여 적절하게 형성할 수 있다.
한편, 노즐(216)은 차폐 댐(130)을 형성하기 위해 절연 몰딩 부재(120)를 따라 이동할 때, 토출구(216a)로 토출되는 소재를 절연 몰딩 부재(120) 측으로 붙이기 위해 가이드부(216b)의 내측 면은 절연 몰딩 부재(120)를 향하도록 배치된다.
도 4는 차폐구조를 형성하기 위한 소재 토출 장치를 나타내는 블록도이고, 도 5는 소재 토출 장치에 구비된 입력부를 통해 입력된 노즐의 이동경로를 나타내는 도면이고, 도 6은 소재 토출 장치의 노즐을 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 형성하기 위해 소재 토출 장치는 3D 프린터일 수 있다.
소재 토출 장치(200)는 구비된 노즐(216)이 1개인 것을 예로 들어 설명하지만, 이에 제한되지 않고 복수의 노즐을 구비할 수도 있다. 특히, 다른 높이를 가지는 차폐 댐(130)을 절연 몰딩 부재(120)의 측부에 형성하기 위해 가이드부(216b)의 길이가 다른 각각 다른 노즐을 복수로 구비할 수 있다.
도 4를 참조하면, 소재 토출 장치(200)는 소정량의 소재를 토출하기 위한 디스펜서(212)를 포함할 수 있다. 디스펜서(212)는 소재를 저장하기 위한 저장챔버(211)와, 저장챔버(211)로부터 공급되는 소재를 토출하기 위한 노즐(216)을 포함할 수 있다.
또한, 디스펜서(212)는 노즐(216)을 X축, Y축 및 Z축 방향으로 이동시키기 위한 X-Y-Z축 이동부(231)와, 노즐(216)을 시계 방향 및 반 시계 방향으로 회전하거나 회전을 멈출 수 있는 회전 구동부(219)를 포함할 수 있다. X-Y-Z축 이동부(231)는 노즐(216)을 X축, Y축, Z축으로 각각 이동시키기 위한 복수의 모터(미도시)를 구비할 수 있고, 이 스텝 모터들의 구동력을 노즐(216)로 전달하기 위해 노즐이 장착되는 노즐 장착부(미도시)에 연결된다. 회전 구동부(219)는 회전 동력을 제공하는 모터(미도시)와, 이 모터의 회전 수를 감지하여 노즐(216)의 회전 각도를 제어하기 위한 엔코더(미도시)를 포함할 수 있다. X-Y-Z축 이동부(231)와 회전 구동부(219)는 제어부(250)에 전기적으로 연결되어 있어 제어부(250)에 의해 제어된다.
소재 토출 장치(200)는 노즐(216)의 이동 경로를 사용자가 직접 입력할 수 있는 입력부(253)를 포함할 수 있다.
입력부(253)는 터치 입력이 가능한 터치 스크린으로 형성되거나 통상의 키 패드로 이루어질 수 있다. 사용자는 입력부(253)를 통해 노즐의 경로를 입력할 수 있으며 이러한 노즐 경로는 1회 입력하고, 이렇게 입력된 노즐 경로 데이터는 메모리(251)에 저장된다. 차후, 노즐 경로 데이터는 수정하는 것도 물론 가능하다. 이와 같이 입력부(253)를 통해 노즐 경로를 입력하는 과정은 하기와 같다.
먼저, 비전 카메라를 통해 작업 위치로 로딩된 인쇄회로기판 상에 표시된 적어도 2개의 레퍼런스 마크를 촬영하고, 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리를 측정한 후, 각 레퍼런스의 영상들과 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리 값을 메모리(251)에 저장한다. 인쇄회로기판이 직사각형일 경우, 2개의 레퍼런스 마크는 인쇄회로기판의 좌측 상단 및 우측 하단에 표시될 수 있다. 이 경우 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리는 대략 인쇄회로기판의 대각선 방향의 직선 길이를 나타낼 수 있다.
구체적으로, 작업 위치로 인쇄회로기판이 로딩되면 사용자는 입력부(253)에 구비된 전, 후, 좌, 우 이동 버튼을 통해 비전 카메라를 좌측 상단의 제1 레퍼런스 마크가 있는 위치(예를 들면, 제1 레퍼런스 마크의 중심 또는 제1 레퍼런스 마크의 일 부분을 기준으로 함)로 이동시킨 후, 입력부(253)에 구비된 저장 버튼을 누르면 제어부(250)는 미리 설정된 원점(0,0,0)으로부터 제1 레퍼런스 마크가 떨어진 거리를 산출하여 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)를 구하고 이를 메모리에 저장한다. 노즐과 함께 이동하는 비전 카메라의 촬영 위치는 노즐의 중심과 일정 간격 오프셋(offset)되어 있다. 따라서 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)는 제어부(250)에 의해 상기 오프셋 값까지 계산하여 산출된다. 또한, 사용자가 촬영 버튼을 누르면, 제1 레퍼런스 마크의 이미지가 메모리(251)에 저장된다.
이어서, 사용자는 입력부(253)에 구비된 전, 후, 좌, 우 이동 버튼을 통해 비전 카메라를 우측 하단의 제2 레퍼런스 마크가 있는 위치(예를 들면, 제2 레퍼런스 마크의 중심 또는 제2 레퍼런스 마크의 일 부분을 기준으로 함)로 이동시킨 후, 입력부(253)에 구비된 저장 버튼을 누르면 제어부(250)는 미리 설정된 원점(0,0,0)으로부터 제2 레퍼런스 마크가 떨어진 거리를 산출하여 제2 레퍼런스 마크의 좌표(X2,Y2,Z2)를 구하고 이를 메모리에 저장한다. 또한, 사용자가 촬영 버튼을 누르면, 제2 레퍼런스 마크의 이미지가 메모리(251)에 저장된다. 제2 레퍼런스 마크의 좌표(X2,Y2,Z2)는 전술한 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)를 산출하는 과정과 마찬가지로 제어부(250)에 의해 상기 오프셋 값까지 계산하여 산출된다.
제어부(250)는 상기와 같이 검출된 제1 및 제2 레퍼런스 마크의 위치를 이용하여 2 위치 간의 간격을 산출하여 메모리(251)에 저장한다.
이어서, 사용자는 입력부(253)의 전, 후, 좌, 우 이동 버튼을 이용하여 인쇄회로기판 상에 형성할 차폐 댐의 경로를 따라 비전 카메라를 이동시키면서 비전 카메라에 의해 촬영되는 실시간 영상을 육안으로 확인해 가면서 노즐의 이동 경로 상에 위치하는 복수의 좌표를 입력한다. 해당 좌표의 입력은 비전 카메라가 노즐의 이동 경로 상의 어느 한 점에 위치하였을 때 입력부(253)에 구비된 좌표 입력 버튼을 누르면 해당 좌표가 입력된다. 이렇게 입력된 좌표는 메모리(251)에 저장된다.
상기 복수의 좌표는 하기와 같이, 노즐이 소재의 토출을 시작하는 지점의 좌표(Ap, 도 5 참조), 노즐이 토출을 마치는 지점의 좌표(차폐 댐이 폐곡선을 이루는 경우 시작 지점(Ap)과 거의 인접하게 배치될 수 있다)와, 이동 중에 노즐이 방향을 바꾸어야 하는 지점들(Bp,Cp,Dp,Ep,Fp, 도 5 참조)에 대한 각 좌표이다.
또한, 노즐의 이동 경로를 프로그래밍화하기 위해, 입력부(253)는 노즐을 지정한 좌표로 이동시키는 이동 버튼과, 노즐이 소재를 토출하면서 이동하는 명령을 내리기 위한 라인 버튼, 노즐의 이동 방향을 전환하기 위한 회전 버튼 등의 각종 명령 버튼이 구비될 수 있다. 사용자는 상기 명령 버튼들과 상기 좌표 및 회전 각도를 매칭함으로써 노즐의 이동 경로를 생성할 수 있다.
노즐의 이동 경로가 전술한 바와 같이 사용자에 의해 프로그래밍 되면, 제어부(250)는 노즐을 이동 경로를 따라 이동하면서 소재를 토출함으로써 인쇄회로기판에 자동으로 차폐 댐을 형성할 수 있다.
이와 같이 입력부(253)를 통해 입력된 노즐 경로 데이터는 메모리(251)에 저장될 수 있다. 제어부(250)는 메모리(251)에 저장된 노즐 경로 데이터에 따라 X-Y-Z축 이동부(231)와 회전 구동부(219)를 작동시켜 노즐을 미리 입력된 경로를 따라 이동시킨다. 노즐 경로 데이터는 노즐(216)을 인쇄회로기판(110)의 상면을 따라 직선 방향으로 이동하는 거리와, 노즐(216)의 회전 방향 및 각도를 포함하고 있다.
한편, 본 실시예에서는 입력부(253)를 통해 사용자가 노즐의 이동 경로를 직접 입력하는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 노즐 이동 경로를 메모리(251)에 미리 저장할 수 있으며 이 경우, 제품에 따라 다양하게 형성되는 차폐 댐의 패턴에 대응하도록 각 패턴에 대응하는 다수의 노즐 이동 경로를 미리 저장할 수 있다. 또한, 상기 입력부(253)를 통해 상기 노즐의 이동 경로 이외에 캘리브레이션 정보, 노즐의 기준위치 정보, PCB 기준위치 정보, PCB 기준 높이 정보 등을 메모리(251)에 미리 저장할 수 있다.
도 5는 소재 토출 장치에 구비된 입력부를 통해 입력된 노즐의 이동 경로를 나타내는 도면이다.
노즐(216)은 상기 노즐 경로 데이터에 의해 차폐 댐을 형성하기 위한 경로를 따라 이동할 수 있으며, 구체적인 예는 도 5를 참조하여 설명한다.
노즐(216)은 시작점(Ap)에 해당하는 좌표에 세팅된다. 이때, 제어부(250)는 몰딩 부재(120)가 배치된 방향을 판단하여 가이드부(216b)의 내측면이 절연 몰딩 부재(120)의 측면을 향하도록 회전 구동부(219)을 작동시켜 노즐(216)을 소정 각도로 회전시킨다.
이와 같이 시작점(Ap)에 해당하는 좌표에 세팅된 노즐(216)은 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 +Y축 방향으로 A구간만큼 직선 이동한다. 이어서 노즐(216)은 경로가 꺾이는 구간(A구간과 B구간을 잇는 지점(Bp)을 포함하는 구간)을 따라 이동한다. 이 경우, X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 노즐 경로를 따라 이동함과 동시에, 가이드부(216b)의 내측면이 절연 몰딩 부재(120)를 계속 향하도록 회전 구동부(219)에 의해 노즐(261)이 회전하게 된다.
노즐(216)은 경로가 꺾이는 구간을 지나간면 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 -X축 방향으로 B구간만큼 직선 이동한다. 이와 같이 노즐(216)은 회전 구동부(219) 및 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 나머지 B, C, D, E 및 F구간을 순차적으로 직선 이동 및 회전을 반복하여 시작점(Ap)까지 복귀하면 노즐(216)의 경로 이동은 완료된다.도 6은 소재 토출 장치의 노즐을 통해 차폐 댐을 형성하기 위한 소재가 토출되는 토출구를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 노즐(216)은 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 이동하고, 회전 구동부(219)에 의해 회전하면서 토출구(216a)를 통해 소재가 토출된다.
토출구(216a)는 노즐(216)의 하측을 향해 형성되고, 가이드부(216b)는 토출구(216a)의 하단으로부터 노즐(216)의 길이 방향을 따라 하향 연장 형성된다.
노즐(216)이 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 차폐 댐(130)을 조형하기 위해 도 3과 같이 소재를 토출하기 위한 위치로 세팅될 때, 토출구(216a)는 소재가 절연 몰딩 부재(120)의 상면의 일부(테두리)를 덮을 수 있도록 일부 영역이 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 위치하게 된다. 가이드부(216b)는 절연 몰딩 부재(120)와 회로 소자(20) 사이에 배치되며, 노즐(216) 이동 시 절연 몰딩 부재(120) 및 회로 소자(20)에 간섭되지 않도록 배치된다.
가이드부(216b)는 토출구(216a)에서 토출되는 소재를 절연 몰딩 부재(120)의 하측으로 이동하도록 가이드함과 동시에 절연 몰딩 부재(120)로부터 멀어지는 방향으로 퍼지는 것을 방지하여 절연 몰딩 부재(120)를 향해 붙이도록 가이드한다.
노즐(216)은 차폐 댐(130)을 형성하기 위해 미리 설정된 경로를 따라 이동하면서 절연 몰딩 부재(120)의 측면과 상면에 차폐 댐(130)을 형성하고, 동시에 접지 패드(114) 와 접촉하도록 접지 패드(114)까지 소재를 안내한다.
전술한 전자파 차폐구조(100)는 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 유동성을 갖는 전도성 소재를 주입하여 차폐 부재(140)를 형성함으로써, 절연 몰딩 부재(120)의 상면을 차폐한다. 이하에서는 절연 몰딩 부재(120)의 상면을 필름 형태의 차폐 부재(140)를 부착하여 차폐하는 구조를 설명한다.
도 7은 본　발명의 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이고,
도 8은 도 7에 도시된 전자파 차폐구조의 공정을 나타내는 도면이다.
도 7에 도시된 전자파 차폐구조(100a)는 몰드(10)를 이용하여 절연 몰딩 부재(120)를 형성하는 것은 전술한 전자파 차폐구조(100)와 동일하고, 전도성 차폐 필름(150)을 사용하는 것과 차폐 댐(130)이 전도성 차폐 필름(150)을 형성한 후에 형성되는 것이 전술한 전자파 차폐구조(100)와 다소 상이하다.
이하, 도8을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100a)의 제조 공정을 순차적으로 설명한다.
먼저, 도 8(a)와 같이 복수의 회로 소자가 실장된 인쇄회로기판(110)이 작업 위치로 로딩되면, 도 8(b)와 같이 몰드(10)을 인쇄회로기판(110) 상에서 절연 몰딩 부재(120)가 형성될 위치에 배치한다.
이어서, 도 8(c)와 같이 몰드(10)의 내측(11)으로 유동성을 갖는 절연 소재를 주입한 후, 절연 소재를 경화시키기 위해 미리 설정된 시간 동안 인쇄회로기판(110)을 오븐(미도시)에 넣고 소정 온도로 가열한다. 몰드(10)의 내측(11)에서 경화된 절연 소재는 절연 몰딩 부재(120)가 된다.
절연 몰딩 부재(120)가 형성되면 오븐에서 인쇄회로기판(110)을 인출한 후, 도 8(d)와 같이 인쇄회로기판(110)으로부터 몰드(10)를 분리한다.
이어서, 도 8(e)와 같이 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 전도성 차폐 필름(150)을 부착한다. 이 경우, 전도성 차폐 필름(150)의 크기는 절연 몰딩 부재(120)의 상면의 크기와 동일하게 이루어질 수 있다. 이는 후 공정인 차폐 댐(130) 조형 시 차폐 댐(130)의 상단부(131)가 전도성 차폐 필름(150)의 상부에 오버랩되도록 하여 틈새 없이 완전한 차폐를 구현하기 위함이다. 한편, 전도성 차폐 필름(150)의 크기가 절연 몰딩 부재(120)의 상면의 크기보다 다소 작게 형성될 수 있다. 이 경우, 차폐 댐(130)의 상단부(131)가 전도성 차폐 필름(150)의 에지 부분을 덮을 수 있는 길이가 되도록 조형하는 것이 필요하다.
전도성 차폐 필름(150)을 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 부착한 후, 노즐(216)이 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 이동하면서 연속적으로 일정한 양의 전도성 소재를 토출하여 절연 몰딩 부재(120)의 측면과 전도성 차폐 필름(150)의 일부(테두리)를 덮는 차폐 댐(130)을 조형한다.
도 9는 도 7에 도시된 전자파 차폐구조에서 차폐 댐과 전도성 차폐 필름을 전기적으로 연결하는 차폐 브리지를 형성한 예를 나타내는 단면도이다.
전도성 차폐 필름(150)의 크기가 절연 몰딩 부재(120)의 상면 크기보다 작은 경우, 전도성 차폐 필름(150)은 절연 몰딩 부재(120)의 상면의 테두리를 덮지 못해 차폐 댐(130)의 상단부(131)와 전도성 차폐 필름(150)에 소정의 틈이 생겨 이 틈으로 전자파가 누출됨에 따라 차폐 효율이 저하될 수 있다.
이 경우, 도 9와 같이 차폐 댐(130)의 상단부(131)와 전도성 차폐 필름(150) 사이의 생긴 틈을 메우기 위해, 에지 브리지(160)를 차폐 댐(130)의 상단부(131)와 전도성 차폐 필름(150)에 동시에 오버랩 되도록 형성한다. 에지 브리지(160)는 차폐 댐(130)을 형성한 소재와 동일하게 유동성을 갖는 전도성 소재로 이루어질 수 있다. 에지 브리지(160)를 형성하는 소재는 유동성을 가짐에 따라 차폐 댐(130)의 상단부(131)와 전도성 차폐 필름(150) 사이의 생긴 틈을 효과적으로 메울 수 있다.
에지 브리지(160)는 차폐 댐(130) 및 전도성 차폐 필름(150)과 전기적으로 접촉되며, 차폐 댐(130)의 상단부(131)와 전도성 차폐 필름(150) 사이의 생긴 틈을 덮어 줌으로써 차폐 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 10은 차폐 부재를 절연 몰딩 부재의 상면에 코팅하는 예를 나타내는 개략도이다.
한편 전술한 바와 같이 전도성 차폐 필름(150)은 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 부착될 수 있으나, 이에 국한되지 않고 코팅 방법을 통해 차폐 부재를 절연 몰딩 부재의 상면에 형성될 수 있다.
즉, 전자파 차폐구조(100')는 몰드(10)를 이용하여 절연 몰딩 부재(120)를 형성하고, 절연 몰딩 부재(120)의 측부에 차폐 댐(130)을 형성하는 공정은 전술한 전자파 차폐구조(100)와 동일하다. 차폐 댐(130) 형성 후, 도 10(a)와 같이 절연 몰딩 부재(120)의 상측을 따라 스프레이 노즐(190)을 이동하면서 스프레이 노즐(190)로부터 전기 전도성이 있는 소재를 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 스프레잉(spraying) 하여, 도 10(b)와 같이 소정 두께의 차폐 부재(150')를 형성할 수 있다. 이 경우 소재를 스프레잉 하는 양은 절연 몰딩 부재(120)가 노출되지 않는 정도의 양이면 족하다.
상기 전기 전도성 소재를 스프레잉할 때, 차폐 댐(130)의 상부까지 덮이도록 분사하여 차폐 부재(150')와 차폐 댐(130) 간의 틈이 발생하지 않도록 함으로써 완전한 차폐를 구현할 수 있다.
상기에서는 차폐 댐(130)을 형성한 후, 차폐 부재(150')를 코팅하는 것으로 설명하였으나, 이에 국한되지 않고 차폐 부재(150')를 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 먼저 코팅한 후, 차폐 댐(130)을 형성하는 것도 물론 가능하다.
또한, 차폐 부재(150')는 전술한 스프레잉 방법 대신 스크린 프린팅(screen printing), 잉크젯팅(ink jetting) 등의 다양한 방법으로 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 코팅될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 차폐 부재(150')를 코팅한 후, 절연 몰딩 부재(120)의 측면을 따라 차폐 댐(130)을 형성하는 것도 물론 가능하다.
이 경우, 차폐 부재(150')가 절연 몰딩 부재(120)의 상면으로부터 흘러 내리지 않도록 차폐 부재(150')를 이루는 소재의 점도는 약 10,000cps이상일 수 있다. 도 11은 차폐 댐 및 차폐 부재를 코팅방법을 통해 형성하는 예를 나타내는 개략도이다.
전자파 차폐구조(100'')는 몰드(10)를 이용하여 절연 몰딩 부재(120)를 형성하는 것은 전술한 전자파 차폐구조(100)와 동일하다. 절연 몰딩 부재(120) 형성 후, 도 11(a)와 같이 절연 몰딩 소재(120)의 상측을 따라 스프레이 노즐(190)을 이동하면서 스프레이 노즐(190)로부터 전기 전도성이 있는 소재를 접지 패드(114)와 절연 몰딩 부재(120)의 측면 및 상면에 스프레잉 하여, 도 11(b)와 같이 차폐 댐(130")과 차폐 부재(150")를 함께 형성할 수 있다. 이때 차폐 댐(130")은 차폐 부재(150")의 두께와 동일 또는 유사한 두께로 형성될 수 있어, 전술한 차폐 댐(130')보다 얇은 두께로 형성될 수 있다.
차폐 댐(130") 및 차폐 부재(150")는 스프레잉 방법을 통해 하나의 공정으로 절연 몰딩 부재(120)에 코팅되므로 공정 시간을 줄일 수 있고, 차폐 부재(130")와 차폐 댐(150") 간의 틈이 발생할 우려가 적다.
또한, 차폐 댐(130") 및 차폐 부재(150")는 전술한 스프레잉 방법 대신 통상의 스크린 프린팅(screen printing), 잉크젯팅(ink jetting) 등의 다양한 방법으로 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 코팅될 수 있다. 도 12는 몰드 하단에 러버 재질의 씰링부재를 적용하여 절연 몰딩 부재를 형성하는 경우, 절연 몰딩 부재에 나타날 수 있는 현상을 설명하는 도면이다.
인쇄회로기판(110) 상에 절연 몰딩 부재(120)를 형성할 때, 몰드(10)의 하단 이 인쇄회로기판(110)의 상면에 완전히 밀착되지 않는 경우 몰드(10)의 하단과 인쇄회로기판(110)의 상면 사이로 형성되는 틈으로 몰드(10)의 내측(11)으로 주입한 절연 소재가 누출될 수 있다.
이를 방지하기 위해, 몰드(10)의 하단을 따라 러버 재질로 이루어진 씰링부재(12)를 결합하여 사용한다. 이 경우 몰드(10)를 인쇄회로기판(110)에 배치하면 씰링부재(12)는 탄력이 있으므로 인쇄회로기판(110) 상에 밀착되어 몰드(10)의 내측(11)으로 주입된 절연 소재가 몰드(10) 외부로 누출되지 않는다.
그런데 씰링부재(12)는 장시간 사용하면 탄력이 저하되므로 도 12(a)와 같이 씰링부재(12)의 양 측부가 몰드(10)의 내측 및 외측으로 각각 돌출되도록 변형된다. 절연 몰딩 부재(120)의 측면 하부는 몰드(10)의 내측(11) 방향으로 돌출된 씰링부재(12)의 측부(12a)에 의해 오목한 홈(120a)이 형성된 채로 경화된다. 그런데 절연 몰딩 부재(120)의 측면이 평면으로 형성되지 않을 경우, 절연 몰딩 부재(120)의 측부에 차폐 댐(130)이 미리 설정된 종횡비로 조형되기 어려울 수 있다. 이는 차폐 댐(130)을 조형하기 위해 노즐(216)에서 일정한 양으로 토출되는 전도성 소재의 일부가 홈(120a)으로 흘러 들어가 차폐 댐(130)의 높이가 낮아지는 등 제품의 불량을 유발할 수 있다.
또한, 도 12(b)와 같이 절연 몰딩 부재(120)를 경화시킨 후, 몰드(10)를 인쇄회로기판(110)으로부터 제거할 때 몰드(10)의 내측(11) 방향으로 돌출된 씰링부재(12)의 측부(12a)에 의해 절연 몰딩 부재(120)의 측면 일부가 몰드(10) 분리 방향으로 당겨지면서 절연 몰딩 부재(120)의 저부(120b)가 인쇄회로기판(110)의 상면(110a)으로부터 분리될 수 있다.
이런 문제를 방지하기 위해서 변형된 씰링부재(12)를 새로운 씰링부재(12)로 교체해야 하는 번거로움이 따르고, 씰링부재(12)를 교체하는 동안 공정을 중단해야 하는 문제가 있다.
본 발명은 액상 실런트를 사용하여 몰드(10)에 러버 재질의 씰링부재(12)를 적용하는 데 따르는 상기 문제들을 해소할 수 있다. 액상 실런트는 상기 씰링부재(12)를 대체할 수 있으며, 몰드(10)에 주입된 절연 소재가 완전히 경화된 후 기화되므로 절연 몰딩 부재(120)의 측면을 변형시키지 않는다. 또한, 절연 몰딩 부재(120)가 완전히 경화된 후 몰드(10)를 인쇄회로기판(110)으로부터 분리할 때, 액상 실런트는 이미 기화되어 사라진 상태이므로 절연 몰딩 부재(120)에 영향을 주지 않는다.
액상 실런트는 몰드(10)의 내축으로 주입되는 액상의 절연 소재와의 혼화가 되지 않는 물질을 적용하여야 하며, 몰드(10)의 하단(15)에 잘 묻어 분리되지 않도록 젖음성(또는 발림성)이 양호해야 하고, 소정의 형태를 유할 수 있도록 퍼짐성이 낮아야 하고, 몰딩부재 경화 조건 또는 몰드 이형 후 후처리에 의해 쉽게 제거될 수 있으며 잔류물이 남지 않아야 한다. 이를 위해, 액상 실런트는 인쇄회로기판의 표면에서 발림성 및 퍼짐성은 몰드의 표면에서보다 약해야 한다.
여기서, 발림성은 액상 실런트를 몰드(10)의 하단(15)에 묻어 연속된 막의 형태를 유지할 수 있는 성질을 의미한다. 퍼짐성은 막의 형태가 벽(wall) 형상을 유지하고　얇고 넓은 코팅 형태가 되지 않는 정도를 의미한다. 발림성과 퍼짐성의 측정 단위는 접촉각(액체가 고체 표면 위에서 열역학적으로 평형을 이룰 때 이루는 각)으로 표시할 수 있다. 또한, 발림성과 퍼짐성의 측정 단위는 액상 실런트의 표면장력이나 몰드 및 인쇄 회로기판의 표면 에너지로 측정 단위를 표시할 수 있다.
또한, 액상 실런트는 액상 실런트가 절연 소재의 경화 온도에서 증발되어 제거될 수 있도록 절연 소재의 경화 온도보다 끓는점이 높아야 한다. 만약 액상 실런트의 끓는점이 절연 소재의 경화 온도부근에 존재한다면 절연 소재 경화 중 보일링에 의한 기포 발생으로 불량이 생길 가능성이 높기 때문이다. 또한 액상 실런트는 상온에서 증기압이 낮아야 하고, 절연 몰딩 부재(120)의 경화 속도보다 기화 속도가 느려야 하고, 절연 몰딩 부재를 녹이거나 변경시키지 않는 물질이어야 한다.
이와 같은 조건을 만족하는 액상 실런트는 단일 물질 또는 물을 베이스로 하는 혼합 물질이 적용될 수 있다. 액상 실런트는 단일 물질인 경우, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Diethylene Glycol Monobutyl Ether), 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르 (Diethylene Glycol Diethyl Ether), 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Ethylene Glycol Monobutyl Ether), 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Triethylene Glycol Monobutyl Ether), 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(Diethylene Glycol Monomethyl Ether), 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(Ethylene Glycol Monomethyl Ether), 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(Triethylene Glycol Monomethyl Ether) 등 일 수 있다.
액상 실런트는 혼합 물질인 경우, 물을 베이스로 하며, 젖음성 제어를 위한 첨가제로 메톡시 프로판올(Methoxy Propanol), 이소프로필 알코올(IPA), 에탄올(Ethanol), 메탄올(Methanol), 음이온 계면활성제(Anionic Surfactant), 양이온 계면활성제(Cationic Surfactant), 비이온 계면활성제(Nonionic Surfactant) 등일 수 있고, 증발성 제어를 위한 첨가제로 글리세린(Glycerin), 에틸렌 글리콜(Ethylene Glycol), 디에틸렌 글리콜(Diethylene Glycol), 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Glycol), 프로필렌 글리콜(Propylene Glycol), 디프로필렌 글리콜(Dipropylene Glycol), 헥실렌 글리콜(Hexylene Glycol), 1, 3-부탄디올(1, 3-Butanediol), 1, 4-부탄디올(1, 4-Butanediol), 1, 5-펜탄디올(1, 5-Pentanediol), 2-부탄이올-1(2-Butene-1), 4-디올(4-Diol), 2-메틸-2-펜탄디올(2-Metyle-2-Pentanediol) 등일 수 있다.
액상 실런트는 물과 상기 젖음성 제어를 위한 첨가제를 혼합하여 조성될 수 있다. 또한, 액상 실런트는 물, 상기 젖음성 제어를 위한 첨가제, 및 상기 증발성 제어를 위한 첨가제를 혼합하여 조성될 수 있다. 이들 구성의 조성 비는 물질에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
이하에서는 액상 실런트를 사용하여 절연 몰딩 부재(120)를 형성하는 다양한 실시예를 설명한다. 도 13은 몰드 하단에 액상 실런트를 묻히기 위해 액상 실런트가 채워진 트레이로 이동하는 상태를 나타내는 도면이고, 도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른　전자파 차폐구조의 제조 공정을 나타내는 것으로, 액상 실런트를 기화시키는 예를 나타내는 도면이다.
도 13을 참조하면, 몰드(10)는 로봇 암(50)에 연결되어(또는 로봇 암(50)에 파지되어) 액상 실런트(30)가 담겨 있는 트레이(31)와 인쇄회로기판 상에 절연 몰딩 부재(120)를 형성하기 위한 몰딩 위치로 이동될 수 있다. 몰드(10)는 인쇄회로기판(110)에 안착되기 전에 로봇 암(50)에 의해 트레이(31) 상측으로 이동한 후, 몰드(10)의 하단(15)에 액상 실런트(30)를 묻히기 위해 하강한다.
몰드(10)는 도 14(a)와 같이 하단(15)을 따라 액상 실런트(30)가 묻은 채로 로봇 암(50)에 의해 몰딩 위치로 이동한 후, 도 14(b)와 같이 인쇄회로기판(110) 상에 안착된다. 액상 실런트(30)는 인쇄회로기판(110)의 표면과의 밀착성이 우수하므로 도 14(c)와 같이 몰드(10)의 내측에 주입된 절연 소재는 몰드(10)와 인쇄회로기판 사이로 누출되지 않는다.
몰드(10)에 절연 소재를 주입한 후, 인쇄회로기판(110)을 오븐에 넣고 소정 온도로 설정하면, 절연 소재를 제1 온도에서 경화가 이루어지고, 오븐 내의 온도가 절연 소재의 경화 온도보다 높은 액상 실런트의 기화 온도까지 상승하면 액상 실런트(30)는 기화한다. 이에 따라 도 14(d)와 같이 몰드(10)와 인쇄회로기판(110) 사이에는 액상 실런트(30)가 사라지고 빈 공간이 형성된다.
이 상태에서 도 14(e)와 같이 몰드(10)를 인쇄회로기판(110)으로부터 분리하면, 절연 몰딩 부재(120)는 몰드(10) 또는 씰링부재(12)에 의해 손상됨이 없이 절연 몰딩 부재(120)의 측면은 평면으로 형성될 수 있다. 이후 공정은 도면으로 도시하지 않았으나, 전술한 바와 같이 몰드(10)를 이형 한 후, 노즐(216)을 구동시켜 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 차폐 댐(130)을 형성할 수 있으며(도 2(e) 참조), 이어서 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 전도성 소재를 주입하여 차폐 부재(140)를 형성할 수 있다(도 2(f) 참조).
한편, 도 14(e)와 같이 몰드(10)를 인쇄회로기판(110)으로부터 분리한 이후, 전술한 바와 같이 절연 몰딩 부재(120) 상면에 차폐 필름(150)을 부착하고(도 8e참조), 노즐(216)을 구동시켜 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 차폐 댐(130)을 형성할 수 있다(도 8(f) 참조).
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른　전자파 차폐구조의 제조 공정을 나타내는 것으로, 액상 실런트를 후처리에 의해 제거하는 예를 나타내는 도면이다.
도 15(a) 내지 도 15(c)까지의 공정은 전술한 실시예의 도 14(a) 내지 도 14(c)까지의 공정과 동일하므로 설명을 생략하고, 이후 공정에 대하여 설명한다.
도 15(d)를 참조하면, 액상 실런트(30)는 오븐에서 절연 몰딩 부재(120)를 경화하는 공정에서 기화되지 않는 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우 몰드(10)를 인쇄회로기판(110)으로부터 분리한 후, 소정의 박리 도구를 이용하여 액상 실런트(30)를 긁어 내 도 15(e)와 같이 인쇄회로기판(110)으로부터 완전히 제거한다.
이 경우, 박리 도구를 이용하지 않고 고온에서 가열하여 인쇄회로기판(110)에 잔류한 액상 실런트(30)를 제거할 수도 있다. 구체적으로, 절연 몰딩 부재(120)의 경화 온도와 액체 실런트(30)의 끓는점 사이의 온도 범위,　또는 절연 몰딩 부재(120)의 경화 온도와 절연 몰딩 부재(120)의 내열 온도(heat resistant temperature) 사이의 온도 범위에서 가열하여 인쇄회로기판(110)에 잔류한 액상 실런트(30)를 제거할 수 있다. 이때, 공정 조건은 경화로(미도시)의 온도 변화를 절연 몰딩 부재(120)의 경화 온도 및 이 보다 높은 온도인 액체 실런트(30)를 증발하여 제거할 수 있는 온도의 2단계로 설정할 수 있다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른　전자파 차폐구조의 제로 공정을 나타내는 것으로, 몰드 세팅 후 몰드와 인쇄회로기판 사이에 액상 실런트를 주입하는 예를 나타내는 도면이다.
몰드(10)는 16(a)와 같이 하단(15)에 별도의 액상 실런트(30)를 묻히지 않은 채로 도 16(b)와 같이 몰딩 위치로 이동한다. 이 경우, 몰드(10)는 로봇 암(50)에 의해 지지되어 인쇄회로기판(110) 상으로부터 소정 간격 이격되도록 배치된다. 몰드(10)와 인쇄회로기판(110) 사이의 공간으로 도 16(c)와 같이 액상 실런트(30)를 주입한다. 액상 실런트(30)의 주입이 완료되면 도 16(d)와 같이 몰드(10)의 내측에 절연 소재를 주입한다. 이 경우 절연 소재는 액상 실런트(30)에 의해 몰드(10)와 인쇄회로기판 사이로 누출되지 않는다.
몰드(10)에 절연 소재를 주입한 후, 인쇄회로기판(110)을 오븐에 넣고 소정 온도로 설정하면, 절연 소재를 소정 온도에서 경화가 이루어지고, 경화 온도에서 액상 실런트(30)가 서서히 증발하거나 오븐 내의 온도가 절연 소재의 경화 온도보다 높은 액상 실런트의 기화 온도까지 상승하면 액상 실런트(30)는 기화한다. 이에 따라 도 16(e)와 같이 몰드(10)와 인쇄회로기판(110) 사이에는 액상 실런트(30)가 사라지고 빈 공간이 형성된다.
이 상태에서 도 16(f)와 같이 몰드(10)를 인쇄회로기판(110)으로부터 분리하면, 절연 몰딩 부재(120)는 몰드(10) 또는 씰링부재(12)에 의해 손상됨이 없이 절연 몰딩 부재(120)의 측면은 평면으로 형성될 수 있다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른　전자파 차폐구조의 제조 공정을 나타내는 것으로, 몰드 세팅 후 몰드와 인쇄회로기판 사이에 액상 실런트를 주입하고 후처리에 의해 액상 실런트를 제거하는 예를 나타내는 도면이다.
도 17(a) 내지 도 17(d)까지의 공정은 전술한 실시예의 도 16(a) 내지 도 16(d)까지의 공정과 동일하므로 설명을 생략하고, 이후 공정에 대하여 설명한다.
도 17(e)를 참조하면, 액상 실런트(30)는 오븐에서 절연 몰딩 부재(120)를 경화하는 공정에서 기화되지 않는 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우 몰드(10)를 인쇄회로기판(110)으로부터 분리한 후, 소정의 박리 도구를 이용하여 액상 실런트(30)를 긁어 내 도 17(f)와 같이 인쇄회로기판(110)으로부터 완전히 제거한다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조의 제조 공정을 나타내는 것으로, 복수의 차폐구조를 형성할 때 몰드 내로 주입하는 절연 소재의 양을 제어하여 절연 몰딩 부재의 높이를 차별적으로 제어하는 예를 나타내는 도면이다.
도 18(a)를 참조하면, 3개의 몰드(10-1,10-2,10-3)가 인쇄회로기판(110)에 배치되어 있다. 이 경우, 각 차폐 영역에 실장된 회로 소자의 높이가 상이하며, 각 차폐 영역에 실장된 회로 소자의 최대 높이를 기준으로 하여 각 몰드(10-1,10-2,10-3) 내로 주입하는 절연 소재의 양을 달리한다. 즉, 좌측에 배치된 몰드(10-1)에 주입되는 절연 소재의 주입량은 중앙에 배치된 몰드(10-1)에 주입되는 절연 소재의 주입량 보다 많지만, 우측에 배치된 몰드(10-3)에 주입되는 절연 소재의 주입량보다 적다. 이 경우, 3개의 몰드(10-1,10-2,10-3)는 일체로 형성될 수 있으며 하나의 로봇 암(50)에 의해 동시에 이동될 수 있다.
각 몰드(10-1,10-2,10-3)에 서로 다른 양으로 절연 소재의 주입이 완료되면, 인쇄회로기판(110)을 오븐에 넣고 절연 소재를 경화시켜 각 절연 몰딩 부재(120-1,120-2,120-3)를 형성한다. 이 공정에서 액상 실런트(30)는 기화되지만, 만약 액상 실런트(30)가 기화되지 않은 물질이면 각 몰드(10-1,10-2,10-3)를 이형 후에 도구를 이용하여 인쇄회로기판(110)으로부터 제거한다.
도 18(b)를 참조하면, 서로 다른 높이의 각 절연 몰딩 부재(120-1,120-2,120-3)가 형성되면, 도 18(c)와 같이 각 절연 몰딩 부재(120-1,120-2,120-3)의 측부를 따라 차폐 댐(130-1,130-2,130-3)을 형성한다. 이 경우, 각 차폐 댐(130-1,130-2,130-3)은 각 절연 몰딩 부재(120-1,120-2,120-3)의 높이에 대응하여 각각 상이한 높이를 갖도록 형성된다. 각 차폐 댐(130-1,130-2,130-3)의 길이에 따라 가이드부의 길이가 상이한 노즐을 구비하여 차폐 댐(130-1,130-2,130-3)을 형성한다.
차폐 댐(130-1,130-2,130-3) 형성 후, 각 절연 몰딩 부재(120-1,120-2,120-3)의 상면에 전도성 소재를 충진하여 차폐 부재(140-1,140-2,140-3)를 형성할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 복수의 차폐구조를 동시에 제작할 수 있는 이점이 있다.
상기 실시예들은 몰드를 이용하여 절연 몰딩 부재를 성형하고, 몰드를 제거한 후, 차폐 댐 및 차페 부재를 형성한다. 이하에서는 몰드를 제거하지 않고 차폐구조의 일부를 이루는 실시예에 대해 설명한다.
도 19 및 도 20은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 전자파 차폐구조의 제조 공정을 각각 나타내는 것으로, 몰드를 제거하지 않고 차폐구조에 포함시키는 예를 나타내는 도면이다.
도 19(a)를 참조하면, 몰드(10)는 하단에 실런트(30')가 결합된다. 실런트(30')는 몰드(10)로부터 제거하지 않으므로 기화 가능한 액상 소재일 필요는 없으며, 탄성을 가지는 고체 실런트이면 족하다.
도 19(b)를 참조하면, 몰드(10)는 로봇 암(50)에 의해 몰딩 위치로 이동한 후, 도 19(b)와 같이 인쇄회로기판(110) 상에 안착된다. 실런트(30')는 탄성력에 의해 인쇄회로기판(110)의 표면에 밀착될 수 있다.
도 19(c)를 참조하면, 실런트(30')가 인쇄회로기판(110)에 밀착된 상태에서 몰드(10)의 내측에 절연 소재를 주입하여 절연 몰딩 부재(120)를 형성한다. 이 경우 액상의 절연 소재는 유동성이 있지만 실런트(30')에 의해 몰드(10)와 인쇄회로기판(110) 사이로 누출되지 않는다. 몰드(10) 내에 주입되는 절연 소재는 주입량을 조절하여 몰드(10)의 상면(13a)까지 충진한 후, 경화 처리 한다.
이어서, 도 19(d)와 같이, 노즐(216)을 구동시켜 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 차폐 댐(130)을 형성한다(도 2(e) 참조). 이 경우, 차폐 댐(130)의 상단부(131)는 몰드(10)의 상면(13a)을 덮도록 형성될 수 있다.
그 후, 도 19(e)와 같이 몰드(10)의 상면 및 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 전기 전도성 소재를 토출하여 차폐 부재(140)를 형성한 후 경화 처리한다. 이 경우, 노즐로부터 토출되는 전기 전도성 소재는 차폐 댐(130)의 상단부(131)를 넘어 흘러 내리지 않을 정도의 양만큼 토출된다.
이와 같이, 몰드(10)는 공정 중에 제거되지 않고 차폐구조를 형성하는 하나의 구성원으로 사용할 수도 있다. 이 경우 몰드(10)의 재질은 전기 전도성 또는 절연 재질로 이루어질 수 있다.
도 20은 도 19에 도시된 실시예와 유사하게 몰드를 제거하지 않고 차폐구조를 형성하는 실시예이다.
도 20(a)와 같이, 하단에 실런트(30')가 결합된 몰드(10)는 도 20(b)와 같이 로봇 암(50)에 의해 몰딩 위치로 이동한 후 도 20(b)와 같이 인쇄회로기판(110) 상에 안착된다.
이 상태에서, 도 20(c)와 같이, 몰드(10)의 내측에 절연 소재를 주입한 후 경화 처리하여 절연 몰딩 부재(120)를 형성한다.
이어서, 도 20(d)와 같이, 몰드(10)의 상면 및 절연 몰딩 부재(120)의 상면에 전기 전도성 차폐 필름(150)을 부착한 후, 도 20(e)와 같이, 노즐(216)을 구동시켜 절연 몰딩 부재(120)의 측부를 따라 차폐 댐(130)을 형성한다. 이 경우, 차폐 댐(130)의 상단부(131)는 전기 전도성 차폐 필름(150)의 상면 에지 부분을 덮어, 전기 전도성 차폐 필름(150)과 전기적인 접속을 이룰 수 있다.
전술한 다양한 구조를 가지는 전자파 차폐구조들은 다양한 전자기기에 적용될 수 있다. 즉, 전자파 차폐구조는 도 21과 같이 스마트 폰(310) 내부에 가 배치될 수 있고, 도 22와 같이 스마트 워치(320)의 내부에 배치될 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 가능함은 물론이다.
10: 몰드
30: 액상 실런트
110: 인쇄회로기판
120: 절연 몰딩 부재
130: 차폐 댐
140: 차폐 부재
150: 차폐 필름
160: 에지 브리지
200: 소재 토출 장치
216: 노즐
216a: 토출구
216b: 가이드부

Claims (43)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 몰드의 하단을 따라 액상 실런트를 묻히는 단계;
    회로 소자가 실장된 인쇄회로기판 상에 상기 액상 실런트가 접촉하도록 상기 몰드를 세팅하는 단계;
    상기 몰드에 상기 회로 소자를 덮는 절연 몰딩 부재를 주입하는 단계;
    일정 온도에서　상기 절연 몰딩 부재를 경화시키는　단계;
    상기 일정 온도에서 절연 몰딩 부재의 경화 속도보다 기화 속도가 느린 상기 액상 실런트를 적용하여 상기 일정 온도에서 상기 절연 몰딩의 경화 및 상기 액상 실런트를 증발시키는 단계;
    상기 몰드를 상기 인쇄회로기판으로부터 분리하는 단계; 및
    상기 절연 몰딩 부재를 덮는　전도성 차폐물을 형성하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 전도성 차폐물을 형성하는 단계는,
    이동하는 노즐로부터 전기 전도성　소재를　토출하여 상기 절연 몰딩 부재의 측면과 상면의 일부를 덮는 차폐 댐을 형성하는 단계; 및
    상기 절연　몰딩 부재의 상면에　전기 전도성 소재를 주입하여 상기 차폐 댐과 전기적으로 연결되는　차폐 부재를 형성하는 단계;를 포함하는,　전자파 차폐구조의 제조방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 전도성 차폐물을 형성하는 단계는,
    상기 절연 몰딩 부재의 상면에 전도성 차폐 필름을 부착하는 단계; 및
    이동하는 노즐로부터 전기 전도성 소재를 토출하여 상기 절연 몰딩 부재의 측면과 상면의 일부를 덮고 상기 차폐 필름과 전기적으로 연결되는 차폐 댐을 형성하는 단계;를 포함하는,　전자파 차폐구조의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 전도성 차폐물을 형성하는 단계는,
    전기 전도성 소재를 상기 절연 몰딩 부재의 상면 및 상기 차폐 댐의 상부에 차폐 부재를 코팅하는 단계;를 더 포함하는,　전자파 차폐구조의 제조방법.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 전도성 차폐물을 형성하는 단계는,
    전기 전도성 소재를 상기 인쇄회로기판에 형성된 접지 패드와, 상기 절연 몰딩 부재의 측면 및 상면을 함께 코팅하는 단계;를 포함하는,　전자파 차폐구조의 제조방법.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 제17항에 있어서,
    상기 몰드를 상기 인쇄회로기판으로부터 분리하는 단계 후에,
    상기　액상 실런트를 상기 인쇄회로기판으로부터 제거하는 단계;를 더 포함하는,　전자파 차폐구조의 제조방법.
  25. 삭제
  26. 제17항에 있어서,
    상기 액상 실런트는 상기 절연 몰딩 부재를 이루는 소재의 경화 온도보다 높은 온도의 끓는 점을 갖는 물질이거나, 상기 절연 몰딩 부재를 이루는 소재의 경화 온도와 같은 온도의 끓는 점을 갖는 물질로 이루어지는, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  27. 제17항에 있어서,
    상기 액상 실런트는 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Diethylene Glycol Monobutyl Ether), 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르 (Diethylene Glycol Diethyl Ether), 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Ethylene Glycol Monobutyl Ether), 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Triethylene Glycol Monobutyl Ether), 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(Diethylene Glycol Monomethyl Ether), 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(Ethylene Glycol Monomethyl Ether), 및 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(Triethylene Glycol Monomethyl Ether) 중 어느 하나인, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  28. 제17항에 있어서,
    상기 액상 실런트는 물을 베이스로 하며, 젖음성 제어를 위한 첨가제로 메톡시 프로판올(Methoxy Propanol), 이소프로필 알코올(IPA), 에탄올(Ethanol), 메탄올(Methanol), 음이온 계면활성제(Anionic Surfactant), 양이온 계면활성제(Cationic Surfactant), 및 비이온 계면활성제(Nonionic Surfactant) 중 어느 하나를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 액상 실런트는 증발성 제어를 위한 첨가제로 글리세린(Glycerin), 에틸렌 글리콜(Ethylene Glycol), 디에틸렌 글리콜(Diethylene Glycol), 트리에틸렌 글리콜(Triethylene Glycol), 프로필렌 글리콜(Propylene Glycol), 디프로필렌 글리콜(Dipropylene Glycol), 헥실렌 글리콜(Hexylene Glycol), 1, 3-부탄디올(1, 3-Butanediol), 1, 4-부탄디올(1, 4-Butanediol), 1, 5-펜탄디올(1, 5-Pentanediol), 2-부탄이올-1(2-Butene-1), 4-디올(4-Diol), 및 2-메틸-2-펜탄디올(2-Metyle-2-Pentanediol) 중 어느 하나를 더 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  30. 제17항에 있어서,
    상기 절연 몰딩 부재를 이루는 소재는 상기 액상 실런트와 물리적으로 섞이지 않는 물질로 이루어진, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 절연 몰딩 부재를 이루는 소재는 유동성을 갖는 요변성(Thixotropy) 소재 또는 상변화(열가소성, 열경화성) 소재인, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 요변성 소재는 합성미분 실리카, 벤토나이트(bentonite), 미립자 표면처리 탄산칼슘, 수소 첨가 피마자유, 금속 석검계, 알루미늄 스테아레이트(aluminum stearate), 폴리이미드 왁스(polyamide wax), 산화 폴리에틸렌계 및 아마인 중합유 중 적어도 하나를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  33. 제31항에 있어서,
    상기 상변화 소재는 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리요소(polyurea), 폴리염화 비닐(polyvinyl chloride), 폴리스티렌(polystyrene), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene), 폴리아미드(polyamide), 아크릴(acrylic), 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone) 및 PBTP(polybutylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
  39. 삭제
  40. 삭제
  41. 삭제
  42. 삭제
  43. 삭제
KR1020160135978A 2016-04-08 2016-10-19 차폐 댐 조형용 노즐, 이를 이용하는 전자파 차폐구조 및 전자파 차폐구조의 제조방법 KR102615926B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/438,008 US10624248B2 (en) 2016-04-08 2017-02-21 EMI shielding structure and manufacturing method therefor
CN201780012468.4A CN108713356B (zh) 2016-04-08 2017-03-08 Emi屏蔽结构及其制造方法
PCT/KR2017/002481 WO2017175975A1 (en) 2016-04-08 2017-03-08 Emi shielding structure and manufacturing method therefor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662320062P 2016-04-08 2016-04-08
US62/320,062 2016-04-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170115930A KR20170115930A (ko) 2017-10-18
KR102615926B1 true KR102615926B1 (ko) 2023-12-21

Family

ID=60296554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160135978A KR102615926B1 (ko) 2016-04-08 2016-10-19 차폐 댐 조형용 노즐, 이를 이용하는 전자파 차폐구조 및 전자파 차폐구조의 제조방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102615926B1 (ko)
CN (1) CN108713356B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102488873B1 (ko) * 2018-01-18 2023-01-17 삼성전자주식회사 전자파 차폐구조
KR20210007217A (ko) * 2019-07-10 2021-01-20 삼성전자주식회사 인터포저를 포함하는 전자 장치
CN112825317B (zh) * 2019-11-21 2024-02-23 环旭电子股份有限公司 具有电磁防护功能的SiP模块及其制造方法
CN112497930B (zh) * 2020-11-25 2022-01-25 合肥维信诺科技有限公司 喷墨打印装置及其操作方法
CN112397669B (zh) * 2020-11-26 2024-01-23 武汉天马微电子有限公司 显示模组及其制作方法、显示装置
KR102650018B1 (ko) * 2022-08-30 2024-03-22 엔트리움 주식회사 전자 장치의 제조 방법
KR102642318B1 (ko) * 2022-08-30 2024-03-04 엔트리움 주식회사 전자 장치의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080217819A1 (en) * 2006-07-20 2008-09-11 National Cheng Kung University Micro/Nano-Pattern Film Contact Transfer Process
US20080284066A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Heap Hoe Kuan Integrated circuit package system employing resilient member mold system technology
US20090244876A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Universal Scientific Industrial Co.Ltd. Multi-cavity electromagnetic shielding device
US20140160699A1 (en) * 2012-12-11 2014-06-12 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for conformal shielding

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6092281A (en) * 1998-08-28 2000-07-25 Amkor Technology, Inc. Electromagnetic interference shield driver and method
US9179538B2 (en) * 2011-06-09 2015-11-03 Apple Inc. Electromagnetic shielding structures for selectively shielding components on a substrate
KR102468259B1 (ko) * 2015-03-06 2022-11-18 삼성전자주식회사 회로 소자 패키지, 그 제조방법 및 그 제조장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080217819A1 (en) * 2006-07-20 2008-09-11 National Cheng Kung University Micro/Nano-Pattern Film Contact Transfer Process
US20080284066A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Heap Hoe Kuan Integrated circuit package system employing resilient member mold system technology
US20090244876A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Universal Scientific Industrial Co.Ltd. Multi-cavity electromagnetic shielding device
US20140160699A1 (en) * 2012-12-11 2014-06-12 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for conformal shielding

Also Published As

Publication number Publication date
CN108713356B (zh) 2021-01-08
CN108713356A (zh) 2018-10-26
KR20170115930A (ko) 2017-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102615926B1 (ko) 차폐 댐 조형용 노즐, 이를 이용하는 전자파 차폐구조 및 전자파 차폐구조의 제조방법
CN111480399B (zh) 具有干扰屏蔽结构的电子装置
US10624248B2 (en) EMI shielding structure and manufacturing method therefor
KR102551657B1 (ko) 전자파 차폐구조 및 그 제조방법
KR102639555B1 (ko) 열분산유닛을 가지는 전자파 차폐구조 및 그 제조방법
KR102572559B1 (ko) 전자파 차폐구조
KR102481868B1 (ko) 이종의 회로 소자군용 중공 차폐구조 및 그 제조방법
KR102324693B1 (ko) 전자파 차폐구조 및 그 제조방법
JP5416458B2 (ja) シールドおよび放熱性を有する高周波モジュールの製造方法
TWI541955B (zh) Cof型半導體封裝及其製造方法
CN105051891A (zh) 包含导电底部填充材料的半导体装置及封装以及相关方法
KR102373931B1 (ko) 전자파 차폐구조
US7015592B2 (en) Marking on underfill
US20180042147A1 (en) Emi shielding structure and manufacturing method thereof
KR102610117B1 (ko) 전자파 차폐구조 및 그　제조방법
CN1785676A (zh) 墨盒及其制造方法
CN109257885B (zh) 线路板塞孔方法及线路板塞孔设备
KR102488873B1 (ko) 전자파 차폐구조
JP2001044602A (ja) 描画装置
TWI567840B (zh) Fabrication process and its welding method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right