KR102615787B1 - upper elelctrode, semiconductor device manufacturing apparatus including the same and manufacturing method for semiconductor device - Google Patents
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Abstract
실시예는 평평한 상면; 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하는 상부 전극을 제공하고, 상기 상부 전극은 상기 상면으로부터 상기 하면까지의 두께를 포함하고, 상기 하면은 상기 하면의 중심 영역에 대응되고, -0.25 내지 0의 제 1 두께 변화율을 가지는 제 1 프로파일; 상기 제 1 프로파일을 둘러싸고, -0.25 내지 -0.24의 제 2 두께 변화율을 가지는 제 2 프로파일; 상기 제 2 프로파일을 둘러싸고, -0.003 내지 0.003의 제 4 두께 변화율을 가지는 제 4 프로파일; 상기 제 4 프로파일을 둘러싸고, 0.13 내지 0.14의 제 6 두께 변화율을 가지는 제 6 프로파일; 및 상기 제 6 프로파일을 둘러싸고, - 0.003 내지 0.003의 제 8 두께 변화율을 가지는 제 8 프로파일을 포함한다.Examples include a flat top surface; and an upper electrode including a lower surface opposing the upper surface, wherein the upper electrode includes a thickness from the upper surface to the lower surface, the lower surface corresponds to a central region of the lower surface, and an electrode of -0.25 to 0. a first profile with a thickness change rate of 1; a second profile surrounding the first profile and having a second thickness change rate of -0.25 to -0.24; a fourth profile surrounding the second profile and having a fourth thickness change rate of -0.003 to 0.003; a sixth profile surrounding the fourth profile and having a sixth thickness change rate of 0.13 to 0.14; and an eighth profile surrounding the sixth profile and having an eighth thickness change rate of -0.003 to 0.003.
Description
실시예는 상부 전극, 이를 포함하는 반도체 소자 제조 장치 및 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to an upper electrode, a semiconductor device manufacturing apparatus including the same, and a semiconductor device manufacturing method.
일반적으로 반도체 에칭용 샤워헤드는 반도체 제조 챔버에서 실리콘웨이퍼로 플라즈마 상태의 가스를 분사하여 웨이퍼를 식각하는데 사용되는 장비이다.In general, a showerhead for semiconductor etching is equipment used to etch wafers by spraying gas in a plasma state from a semiconductor manufacturing chamber to a silicon wafer.
상기 샤워헤드는 다수의 가스분사용 홀을 구비하며, 가스분사용 홀을 통해 플라즈마 상태의 가스를 통과시킨다.The showerhead has a plurality of gas injection holes and passes gas in a plasma state through the gas injection holes.
웨이퍼를 정밀하게 식각하기 위해, 샤워헤드의 홀은 정밀하게 생성되어야 한다. In order to precisely etch the wafer, the holes in the showerhead must be created precisely.
이를 위해, 선행문헌 1(대한민국 등록특허 제10-0299975호) 및 선행문헌 2(대한민국 등록특허 10-0935418호)과 같이 복수 개의 팁들이 돌출 형성된 드릴링 플레이트에 연마제와 실리콘 재질의 원판을 대향시키고, 드릴링 플레이트 및 원판에 연마제를 공급하는 동시에 드링링 플레이트에 초음파를 인가하여 원판을 천공하였다.For this purpose, as in Prior Document 1 (Korean Patent No. 10-0299975) and Prior Document 2 (Korean Patent No. 10-0935418), a disk made of abrasive and silicon is opposed to a drilling plate on which a plurality of tips are protruding, Abrasives were supplied to the drilling plate and disk, and ultrasonic waves were applied to the drilling plate to drill the disk.
선행문헌 1 및 선행문헌 2는 두꺼운 샤워헤드 가공 시 드릴링 플레이트에 삽입된 핀의 길이가 길어지게 된다. 이는 초음파 생성 시 핀이 진동하게 되어 샤워헤드의 홀이 균일하게 형성되지 않는 문제점을 유발한다.In
특히, 규소(Si)와 탄소(C)가 1:1로 결합되어 있는 탄화규소(Silicon Carbide: Sic))의 경우 강한 공유결합 물질로 다른 세라믹 재료에 비하여 열전도율이 높고, 내마모성, 고온강도 및 내화학성이 우수하기 때문에 기계적 물성 면에서 취약하거나 필수적인 분야에서 이를 보강, 보완 또는 대체할 수 있도록 폭넓게 응용되고 있으며, 특히 모스 경도가 9.2로 다이아몬드 다음으로 높아 내구성이 뛰어나 반도체 부품 분야에서도 널리 사용되고 있다.In particular, silicon carbide (Sic), which is a 1:1 combination of silicon (Si) and carbon (C), is a strong covalent bond material and has higher thermal conductivity than other ceramic materials, wear resistance, high temperature strength, and durability. Because it has excellent chemical properties, it is widely used to reinforce, supplement, or replace mechanical properties in areas where mechanical properties are weak or essential. In particular, its Mohs hardness is 9.2, the second highest after diamond, so it is widely used in the field of semiconductor components due to its excellent durability.
실시예는 균일한 플라즈마가 전체적으로 균일하게 형성되고, 잔유 부산물을 억제하고, 디펙의 발생을 방지할 수 있는 상부 전극, 이를 포함하는 반도체 소자 제조 장치 및 반도체 소자의 제조 방법을 제공하고자 한다.The embodiment is intended to provide an upper electrode capable of forming uniform plasma uniformly throughout, suppressing residual oil by-products, and preventing the generation of defects, a semiconductor device manufacturing apparatus including the same, and a method of manufacturing a semiconductor device.
실시예에 따른 상부 전극은 평평한 상면; 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하고, 상기 상면으로부터 상기 하면까지의 두께를 포함하고, 상기 하면은, 상기 하면의 중심 영역에 대응되고, -0.25 내지 0의 제 1 두께 변화율을 가지는 제 1 프로파일; 상기 제 1 프로파일을 둘러싸고, -0.25 내지 -0.24의 제 2 두께 변화율을 가지는 제 2 프로파일; 상기 제 2 프로파일을 둘러싸고, -0.003 내지 0.003의 제 4 두께 변화율을 가지는 제 4 프로파일; 상기 제 4 프로파일을 둘러싸고, 0.13 내지 0.14의 제 6 두께 변화율을 가지는 제 6 프로파일; 및 상기 제 6 프로파일을 둘러싸고, - 0.003 내지 0.003의 제 8 두께 변화율을 가지는 제 8 프로파일을 포함하고, 상기 제 1 두께 변화율, 상기 제 2 두께 변화율, 상기 제 4 두께 변화율, 상기 제 6 두께 변화율 및 상기 제 8 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 상기 상면과 평행한 수평 방향을 따라서 두께의 변화를 반경의 변화로 나눈 값이다.The upper electrode according to the embodiment has a flat upper surface; and a lower surface opposite the upper surface, including a thickness from the upper surface to the lower surface, wherein the lower surface corresponds to a central region of the lower surface and has a first thickness change rate of -0.25 to 0. ; a second profile surrounding the first profile and having a second thickness change rate of -0.25 to -0.24; a fourth profile surrounding the second profile and having a fourth thickness change rate of -0.003 to 0.003; a sixth profile surrounding the fourth profile and having a sixth thickness change rate of 0.13 to 0.14; and surrounding the sixth profile, comprising an eighth profile having an eighth thickness change rate of -0.003 to 0.003, wherein the first thickness change rate, the second thickness change rate, the fourth thickness change rate, the sixth thickness change rate, and The eighth thickness change rate is a value obtained by dividing the change in thickness by the change in radius along a horizontal direction parallel to the upper surface from the center of the lower surface.
일 실시예에 따른 상부 전극에 있어서, 상기 제 1 프로파일은 상기 상면의 중심으로부터 상기 수평 방향으로 제 1 반경까지이고, 상기 제 2 프로파일은 상기 1 반경으로부터 상기 수평 방향으로 제 2 반경까지이고, 상기 제 4 프로파일은 제 3 반경으로부터 상기 수평 방향으로 제 4 반경까지이고, 상기 제 6 프로파일은 제 5 반경으로부터 상기 수평 방향으로 제 6 반경까지이고, 상기 제 8 프로파일은 제 7 반경으로부터 제 8 반경까지일 수 있다.In the upper electrode according to one embodiment, the first profile extends from the center of the upper surface to a first radius in the horizontal direction, and the second profile extends from the first radius to a second radius in the horizontal direction, and The fourth profile is from the third radius to the fourth radius in the horizontal direction, the sixth profile is from the fifth radius to the sixth radius in the horizontal direction, and the eighth profile is from the seventh radius to the eighth radius. It can be.
일 실시예에 따른 상부 전극에 있어서, 상기 제 1 반경은 3㎜ 내지 5㎜ 중 하나이고, 상기 제 2 반경은 16㎜ 내지 19㎜ 중 하나이고, 상기 제 3 반경은 69㎜ 내지 71㎜ 중 하나이고, 상기 제 4 반경은 74㎜ 내지 76㎜ 중 하나이고, 상기 제 5 반경은 106㎜ 내지 108㎜ 중 하나이고, 상기 제 6 반경은 138㎜ 내지 139.5㎜ 중 하나이고, 상기 제 7 반경은 141㎜ 내지 142㎜ 중 하나이고, 상기 제 8 반경은 144.5㎜ 내지 150㎜ 중 하나일 수 있다.In the upper electrode according to one embodiment, the first radius is one of 3 mm to 5 mm, the second radius is one of 16 mm to 19 mm, and the third radius is one of 69 mm to 71 mm. The fourth radius is one of 74 mm to 76 mm, the fifth radius is one of 106 mm to 108 mm, the sixth radius is one of 138 mm to 139.5 mm, and the seventh radius is 141 One of mm to 142 mm, and the eighth radius may be one of 144.5 mm to 150 mm.
일 실시예에 따른 상부 전극에 있어서, 상기 제 2 프로파일에서, 상기 제 2 두께 변화율의 편차는 0.01 미만일 수 있다.In the upper electrode according to one embodiment, in the second profile, a deviation of the second thickness change rate may be less than 0.01.
일 실시예에 따른 상부 전극에 있어서, 상기 제 4 프로파일에서, 상기 제 4 두께 변화율의 편차는 0.003 미만일 수 있다.In the upper electrode according to one embodiment, in the fourth profile, a deviation of the fourth thickness change rate may be less than 0.003.
일 실시예에 따른 상부 전극에 있어서, 상기 제 8 프로파일에서, 상기 제 8 두께 변화율의 편차는 0.003 미만일 수 있다.In the upper electrode according to one embodiment, in the eighth profile, a deviation of the eighth thickness change rate may be less than 0.003.
일 실시예에 따른 상부 전극에 있어서, 실리콘 단결정을 포함하고, 상기 하면의 중심에서의 두께가 15㎜ 내지 25㎜이고, 상기 제 6 프로파일에서의 두께가 8㎜ 내지 12㎜이고, 상기 제 8 프로파일에서의 두께가 14㎜ 내지 17㎜일 수 있다.In the upper electrode according to one embodiment, it includes a silicon single crystal, the thickness at the center of the lower surface is 15 mm to 25 mm, the thickness of the sixth profile is 8 mm to 12 mm, and the eighth profile The thickness may be 14 mm to 17 mm.
일 실시예에 따른 상부 전극에 있어서, 상기 하면은 상기 제 2 프로파일 및 상기 제 4 프로파일 사이에 배치되는 제 3 프로파일; 상기 제 4 프로파일 및 상기 제 6 프로파일 사이에 배치되는 제 5 프로파일; 및 상기 제 6 프로파일 및 상기 제 8 프로파일 사이에 배치되는 제 7 프로파일을 포함할 수 있다.In the upper electrode according to one embodiment, the lower surface includes a third profile disposed between the second profile and the fourth profile; a fifth profile disposed between the fourth profile and the sixth profile; And it may include a seventh profile disposed between the sixth profile and the eighth profile.
일 실시예에 따른 상부 전극에 있어서, 상기 제 3 프로파일은 -0.24 내지 0의 제 3 두께 변화율을 가지고, 상기 제 5 프로 파일은 0 내지 0.12의 제 5 두께 변화율을 가지고, 상기 제 7 프로파일은 0 내지 0.13의 제 7 두께 변화율을 가질 수 있다.In the upper electrode according to one embodiment, the third profile has a third thickness change rate of -0.24 to 0, the fifth profile has a fifth thickness change rate of 0 to 0.12, and the seventh profile has a thickness change rate of 0 to 0. It may have a seventh thickness change rate of 0.13 to 0.13.
일 실시예에 따른 상부 전극에 있어서, 상기 제 3 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 멀어질 수록 점점 더 커지고, 상기 제 5 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 멀어질 수록 점점 더 커지고, 상기 제 7 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 멀어질 수록 점점 더 작아질 수 있다.In the upper electrode according to one embodiment, the third thickness change rate gradually increases as the distance from the center of the lower surface increases, the fifth thickness change rate gradually increases as the distance from the center of the lower surface increases, and the seventh thickness The rate of change may become increasingly smaller as the distance from the center of the lower surface increases.
일 실시예에 따른 상부 전극은 실리콘 단결정을 포함하고, 상기 제 1 프로파일, 상기 제 2 프로파일, 상기 제 3 프로파일, 상기 제 4 프로파일, 상기 제 5 프로파일, 상기 제 6 프로파일, 상기 제 7 프로파일 및 상기 제 8 프로파일은 일체로 연결될 수 있다.The upper electrode according to one embodiment includes a silicon single crystal, the first profile, the second profile, the third profile, the fourth profile, the fifth profile, the sixth profile, the seventh profile, and the The 8th profile can be connected integrally.
실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 반도체 기판 상에 배치되어 플라즈마를 형성하는 상부 전극; 상기 반도체 기판을 지지하고, 상기 반도체 기판 아래에 배치되는 정전 척; 및 상기 반도체 기판의 주위를 둘러싸고, 상기 정전척에 장착되는 포커스 링을 포함하고, 상기 상부 전극은 평평한 상면 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하고, 상기 상면으로부터 상기 하면까지의 두께를 포함하고, 상기 하면은 상기 하면의 중심 영역에 대응되고, -0.25 내지 0의 제 1 두께 변화율을 가지는 제 1 프로파일; 상기 제 1 프로파일을 둘러싸고, -0.25 내지 -0.24의 제 2 두께 변화율을 가지는 제 2 프로파일; 상기 제 2 프로파일을 둘러싸고, -0.003 내지 0.003의 제 4 두께 변화율을 가지는 제 4 프로파일; 상기 제 4 프로파일을 둘러싸고, 0.13 내지 0.14의 제 6 두께 변화율을 가지는 제 6 프로파일; 및 상기 제 6 프로파일을 둘러싸고, - 0.003 내지 0.003의 제 8 두께 변화율을 가지는 제 8 프로파일을 포함하고, 상기 제 1 두께 변화율, 상기 제 2 두께 변화율, 상기 제 4 두께 변화율, 상기 제 6 두께 변화율 및 상기 제 8 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 상기 상면과 평행한 수평 방향을 따라서 두께의 변화를 반경의 변화로 나눈 값이다.A semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment includes an upper electrode disposed on a semiconductor substrate to form plasma; an electrostatic chuck that supports the semiconductor substrate and is disposed below the semiconductor substrate; and a focus ring surrounding the semiconductor substrate and mounted on the electrostatic chuck, wherein the upper electrode includes a flat upper surface and a lower surface opposing the upper surface, and includes a thickness from the upper surface to the lower surface, The lower surface corresponds to a central region of the lower surface and has a first thickness change rate of -0.25 to 0; a second profile surrounding the first profile and having a second thickness change rate of -0.25 to -0.24; a fourth profile surrounding the second profile and having a fourth thickness change rate of -0.003 to 0.003; a sixth profile surrounding the fourth profile and having a sixth thickness change rate of 0.13 to 0.14; and surrounding the sixth profile, comprising an eighth profile having an eighth thickness change rate of -0.003 to 0.003, wherein the first thickness change rate, the second thickness change rate, the fourth thickness change rate, the sixth thickness change rate, and The eighth thickness change rate is a value obtained by dividing the change in thickness by the change in radius along a horizontal direction parallel to the upper surface from the center of the lower surface.
실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 소자 제조 장치에 반도체 기판을 배치하는 단계; 및 상기 반도체 기판을 처리하는 단계;를 포함하고, 상기 반도체 소자 제조 장치는 상기 반도체 기판 상에 배치되어 플라즈마를 형성하는 상부 전극; 상기 반도체 기판을 지지하고, 상기 반도체 기판 아래에 배치되는 정전 척; 및 상기 반도체 기판의 주위를 둘러싸고, 상기 정전척에 장착되는 포커스 링을 포함하고, 상기 상부 전극은 평평한 상면 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하고, 상기 상면으로부터 상기 하면까지의 두께를 포함하고, 상기 하면은 상기 하면의 중심 영역에 대응되고, -0.25 내지 0의 제 1 두께 변화율을 가지는 제 1 프로파일; 상기 제 1 프로파일을 둘러싸고, -0.25 내지 -0.24의 제 2 두께 변화율을 가지는 제 2 프로파일; 상기 제 2 프로파일을 둘러싸고, -0.003 내지 0.003의 제 4 두께 변화율을 가지는 제 4 프로파일; 상기 제 4 프로파일을 둘러싸고, 0.132 내지 0.14의 제 6 두께 변화율을 가지는 제 6 프로파일; 및 상기 제 6 프로파일을 둘러싸고, - 0.003 내지 0.003의 제 8 두께 변화율을 가지는 제 8 프로파일을 포함하고, 상기 제 1 두께 변화율, 상기 제 2 두께 변화율, 상기 제 4 두께 변화율, 상기 제 6 두께 변화율 및 상기 제 8 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 상기 상면과 평행한 수평 방향을 따라서 두께의 변화를 반경의 변화로 나눈 값이다.A method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment includes placing a semiconductor substrate in a semiconductor device manufacturing apparatus; and processing the semiconductor substrate, wherein the semiconductor device manufacturing apparatus includes an upper electrode disposed on the semiconductor substrate to form plasma; an electrostatic chuck that supports the semiconductor substrate and is disposed below the semiconductor substrate; and a focus ring surrounding the semiconductor substrate and mounted on the electrostatic chuck, wherein the upper electrode includes a flat upper surface and a lower surface opposing the upper surface, and includes a thickness from the upper surface to the lower surface, The lower surface corresponds to a central region of the lower surface and has a first thickness change rate of -0.25 to 0; a second profile surrounding the first profile and having a second thickness change rate of -0.25 to -0.24; a fourth profile surrounding the second profile and having a fourth thickness change rate of -0.003 to 0.003; a sixth profile surrounding the fourth profile and having a sixth thickness change rate of 0.132 to 0.14; and surrounding the sixth profile, comprising an eighth profile having an eighth thickness change rate of -0.003 to 0.003, wherein the first thickness change rate, the second thickness change rate, the fourth thickness change rate, the sixth thickness change rate, and The eighth thickness change rate is a value obtained by dividing the change in thickness by the change in radius along a horizontal direction parallel to the upper surface from the center of the lower surface.
실시예는 상기 상부 전극이 장착될 수 있는 반도체 소자 제조 장치를 제공할 수 있다.An embodiment may provide a semiconductor device manufacturing apparatus on which the upper electrode can be mounted.
실시예에 따른 상부 전극은 반경에 따라서 변하는 두께를 가질 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극의 하면은 제 1 두께 변화율을 가지는 제 1 프로파일, 제 3 두께 변화율을 가지는 제 3 프로파일 및 제 5 두께 변화율을 가지는 제 5 프로파일을 포함한다.The upper electrode according to the embodiment may have a thickness that varies depending on the radius. Accordingly, the lower surface of the upper electrode according to the embodiment includes a first profile having a first thickness change rate, a third profile having a third thickness change rate, and a fifth profile having a fifth thickness change rate.
상기 제 1 프로파일은 -0.25 내지 0의 제 1 두께 변화율을 가지고, 상기 제 2 프로파은 -0.25 내지 -0.24의 제 2 두께 변화율을 가지고, 상기 제 4 프로파일은 -0.003 내지 0.003의 제 4 두께 변화율을 가지고, 상기 제 6 프로파일은 0.13 내지 0.14의 제 6 두께 변화율을 가지고, 상기 제 8 프로파일은 - 0.003 내지 0.003의 제 8 두께 변화율을 가지질 수 있다.The first profile has a first thickness change rate of -0.25 to 0, the second profile has a second thickness change rate of -0.25 to -0.24, and the fourth profile has a fourth thickness change rate of -0.003 to 0.003. The sixth profile may have a sixth thickness change rate of 0.13 to 0.14, and the eighth profile may have an eighth thickness change rate of -0.003 to 0.003.
이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극은 중심 부분으로부터 외곽으로 갈 수록 적절하게 두께가 얇아지다가 다시 두꺼워지는 특징을 가질 수 있다. 즉, 실시예에 따른 상부 전극의 하면은 중심 부분에서, 아래로 볼록한 형상을 가지면서, 적절하게 얇아지다가 두꺼워지는 프로파일을 가질 수 있다.Accordingly, the upper electrode according to the embodiment may have the characteristic of appropriately becoming thinner and then thicker again as it goes from the center to the outskirts. That is, the lower surface of the upper electrode according to the embodiment may have a downwardly convex shape at the center and have a profile that becomes thinner and then thicker as appropriate.
이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극은 중앙 부분 및 외곽 부분으로 플라즈마를 보강하여, 플라즈마의 직진성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the upper electrode according to the embodiment can enhance the straightness of the plasma by reinforcing the plasma in the central portion and the outer portion.
이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극은 전체적으로 균일한 플라즈마를 생성할 수 있다.Accordingly, the upper electrode according to the embodiment can generate an overall uniform plasma.
특히, 상기 상부 전극의 직경이 커질수록, 상기 상부 전극의 중앙 부분 및 외곽 부분에서 플라즈마 밀도가 감소될 수 있다. 이때, 상기 상부 전극은 상기와 같은 두께 변화율을 가지는 프로파일들을 포함하기 때문에, 전체적으로 균일한 플라즈마를 구현할 수 있다.In particular, as the diameter of the upper electrode increases, plasma density may decrease in the central portion and outer portions of the upper electrode. At this time, because the upper electrode includes profiles having the above thickness change rate, an overall uniform plasma can be realized.
또한, 실시예에 따른 상부 전극은 전체적으로 균일한 플라즈마를 구현하므로, 잔유 공정 부산물의 발생을 억제할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 상부 전극은 상기 잔유 공정 부산물의 흡착을 방지할 수 있다.Additionally, the upper electrode according to the embodiment implements an overall uniform plasma, thereby suppressing the generation of residual process by-products. That is, the upper electrode according to the embodiment can prevent adsorption of the residual oil process by-products.
이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극은 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서, 스크래치 또는 채터마크 등과 같은 디펙을 방지할 수 있다.Accordingly, the upper electrode according to the embodiment can prevent defects such as scratches or chatter marks during a process for manufacturing a semiconductor device.
또한, 실시예에 따른 상부 전극은 상기 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서, 특정 부분으로 플라즈마가 집중되는 현상을 억제하므로, 특정 부위가 식각되는 현상을 방지할 수 있다.In addition, the upper electrode according to the embodiment suppresses the concentration of plasma in a specific part during the process for manufacturing the semiconductor device, thereby preventing the specific part from being etched.
이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극은 플라즈마 생성 영역에서의 플라즈마에 의한 과도한 마모를 억제할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 장치는 향상된 내구성을 가질 수 있다.Accordingly, the upper electrode according to the embodiment can suppress excessive wear caused by plasma in the plasma generation area. Accordingly, the semiconductor device manufacturing apparatus including the upper electrode according to the embodiment may have improved durability.
도 1은 일 실시예에 따른 상부 전극을 도시한 시시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 상부 전극의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 상부 전극의 일 단면을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 포커스링을 도시한 사시도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 포커스링의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 도시한 도면이다.
도 7은 일 실시예에 따른 플라즈마 영역 한정 조립체를 도시한 단면도이다.1 is a perspective view showing an upper electrode according to one embodiment.
Figure 2 is a cross-sectional view showing a cross-section of an upper electrode according to an embodiment.
Figure 3 is an enlarged cross-sectional view of a cross-section of an upper electrode according to an embodiment.
Figure 4 is a perspective view showing a focus ring according to an embodiment.
Figure 5 is a cross-sectional view showing a cross-section of a focus ring according to an embodiment.
FIG. 6 is a diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment.
Figure 7 is a cross-sectional view showing a plasma region confinement assembly according to one embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 부, 면, 층 또는 기판 등이 각 부, 면, 층 또는 기판 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiment, when each part, surface, layer, or substrate is described as being formed “on” or “under” each part, surface, layer, or substrate, “On” and “under” include those formed “directly” or “indirectly” through other elements. In addition, the standards for the top or bottom of each component are explained based on the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for explanation and does not indicate the actual size.
실시예에 따른 상부 전극은 반도체 소자를 제조하기 위한 제조 장치에 사용되는 부품일 수 있다. 즉, 상기 상부 전극은 상기 반도체 소자 제조 장치의 일부를 구성하는 부품일 수 있다.The upper electrode according to the embodiment may be a component used in a manufacturing device for manufacturing a semiconductor device. That is, the upper electrode may be a component that forms part of the semiconductor device manufacturing apparatus.
상기 상부 전극은 반도체 소자를 제조하기 위한 플라즈마 처리 장치에 사용되는 부품일 수 있다. 상기 상부 전극은 반도체 기판을 선택적으로 에칭하기 위한 플라즈마 에칭 장치에 사용되는 부품일 수 있다.The upper electrode may be a component used in a plasma processing device for manufacturing semiconductor devices. The upper electrode may be a component used in a plasma etching device for selectively etching a semiconductor substrate.
상기 상부 전극은 플라즈마를 분사하기 위한 상부 전극 어셈블리의 일부를 구성하는 부품일 수 있다.The upper electrode may be a component that forms part of an upper electrode assembly for spraying plasma.
또한, 상기 상부 전극은 웨이퍼를 수용하고, 플라즈마 영역을 한정하는 어셈블리의 일부를 구성하는 부품일 수 있다.Additionally, the upper electrode may be a component that forms part of an assembly that accommodates the wafer and defines the plasma region.
도 1은 일 실시예에 따른 상부 전극을 도시한 시시도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 상부 전극의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 상부 전극의 일 단면을 확대하여 도시한 단면도이다. 도 4는 일 실시예에 따른 포커스링을 도시한 사시도이다. 도 5는 일 실시예에 따른 포커스링의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 6은 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 도시한 도면이다. 도 7은 일 실시예에 따른 플라즈마 영역 한정 조립체를 도시한 단면도이다.1 is a perspective view showing an upper electrode according to one embodiment. Figure 2 is a cross-sectional view showing a cross-section of an upper electrode according to an embodiment. Figure 3 is an enlarged cross-sectional view of a cross-section of an upper electrode according to an embodiment. Figure 4 is a perspective view showing a focus ring according to an embodiment. Figure 5 is a cross-sectional view showing a cross-section of a focus ring according to an embodiment. FIG. 6 is a diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment. Figure 7 is a cross-sectional view showing a plasma region confinement assembly according to one embodiment.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 상부 전극(220)은 원형 플레이트 형상을 가질 수 있다. 실시예에 따른 상부 전극(220)은 반경 방향으로 점차적으로 두께가 변하는 형상을 가질 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3 , the
상기 상부 전극(220)은 제 1 상면(221), 제 1 하면(222) 및 제 1 측면(223)을 포함한다.The
상기 제 1 상면(221) 및 상기 제 1 하면(222)은 서로 대향된다.The first
상기 제 1 상면(221)은 플라즈마를 형성하기 위한 기체가 유입되는 영역에 위치될 수 있다. 상기 제 1 상면(221)은 전체적으로 평평할 수 있다. 상기 제 1 상면(221)은 단차 또는 굴곡을 실질적으로 포함하지 않을 수 있다.The first
상기 제 1 하면(222)은 상기 플라즈마 영역(114)에 위치될 수 있다. 상기 제 1 하면(222)은 굴곡을 포함할 수 있다. 상기 제 1 하면(222)은 반경 방향으로 굴곡을 가질 수 있다. 상기 제 1 하면(222)의 일부는 굴곡지고, 일부는 평평할 수 있다.The first
상기 제 1 측면(223)은 상기 제 1 상면(221)으로부터 상기 제 1 하면(222)으로 연장된다. 상기 제 1 측면(223)은 상기 상부 전극(220)의 외주면일 수 있다.The
상기 상부 전극(220)은 다수 개의 관통홀들(226)을 포함한다. 상기 관통홀(226)은 상기 제 1 상면(221)으로부터 상기 제 1 하면(222)으로 연장된다. 상기 관통홀(226)을 통하여, 상기 제 1 상면(221)으로부터 상기 상부 전극(220)의 아래로 플라즈마가 분사될 수 있다.The
상기 관통홀(226)의 직경은 약 0.3㎜ 내지 약 1㎜일 수 있다.The diameter of the through
상기 제 1 측면(223)에 단차가 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 측면(223)의 일부 및 상기 제 1 측면(223)의 다른 일부가 서로 다른 평면에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 상기 상부 전극(220)은 상기 제 1 측면(223)에 단차부(225)를 포함할 수 있다.A step may be formed on the
상기 단차부(225)는 상기 반도체 소자의 제조 장치에 사용되는 다른 부품에 걸리거나, 결합될 수 있다.The step portion 225 may be caught or coupled to other components used in the semiconductor device manufacturing apparatus.
상기 제 1 측면(223)에는 단차가 형성되지 않고, 전체적으로 평평할 수 있다. 즉, 상기 제 1 측면(223)에서, 상기 단차부가 생략될 수 있다.No steps are formed on the
상기 상부 전극(220)은 중심으로부터 특정 반경에서 두께를 가질 수 있다. 즉, 상기 제 1 상면(221)으로부터 상기 제 1 하면(222)까지의 두께는 상기 중심으로부터 상기 제 1 상면(221)과 평평한 수평 방향으로, 반경에 따라서 결정될 수 있다.The
상기 제 1 상면(221)으로부터 상기 제 1 하면(222)까지의 두께 방향은 상기 제 1 상면(221)에 대하여 수직일 수 있다. 상기 상부 전극(220)은 선 대칭 구조를 가질 수 있다. 즉, 상기 상부 전극(220)은 상기 제 1 상면(221)의 중심을 수직으로 통과하는 중심 선(C)을 기준으로 선 대칭 구조를 가질 수 있다. 이때, 상기 제 1 상면(221)으로부터 상기 제 1 하면(222)까지의 두께(T)는 상기 반경(R)의 함수(T(R))일 수 있다. 즉, 상기 상부 전극(220)은 동일한 반경에서, 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. The thickness direction from the first
또한, 상기 반경(R)은 상기 제 1 하면(222)의 중심으로부터 수평 방향 및 반경 방향으로 거리이다. 상기 수평 방향은 상기 제 1 상면(221)과 실질적으로 평행할 수 있다. 또한, 상기 수평 방향은 상기 두께 방향과 실질적으로 수직할 수 있다.Additionally, the radius R is the distance from the center of the first
또한, 두께 변화율은 반경 변화에 따른 두께 변화일 수 있다. 상기 두께 변화율은 상기 두께 변화를 상기 반경 변화로 나눈 값일 수 있다. 즉, 상기 두께 변화율은 상기 두께를 상기 반경으로 미분한 값일 수 있다.Additionally, the thickness change rate may be a thickness change according to a change in radius. The thickness change rate may be a value obtained by dividing the thickness change by the radius change. That is, the thickness change rate may be a value obtained by differentiating the thickness by the radius.
상기 두께 변화율은 하기의 수식 1에 의해서 도출될 수 있다.The thickness change rate can be derived by
[수식 1][Formula 1]
dTR = ( T11 - T12 ) / (R11 - R12)dTR = ( T11 - T12 ) / (R11 - R12)
여기서, 상기 dTR은 두께 변화율이고, 상기 T1은 상기 반경 MR1에서의 두께이고, 상기 T2는 상기 반경 MR2에서의 두께이다.Here, dTR is the thickness change rate, T1 is the thickness at the radius MR1, and T2 is the thickness at the radius MR2.
상기 상부 전극(220)의 두께는 두께 측정기에 의해서 측정될 수 있다. 또한, 상기 상부 전극(220)의 두께는 상기 제 1 상면(221)을 기준으로 상기 제 1 하면(222)까지 상기 수평 방향에 대하여 수직 방향으로 측정될 수 있다. 상기 제 1 상면(221)으로부터 상기 제 1 하면(222)까지의 두께는 다수 개의 측정 지점들에서 각각 측정될 수 있다. 상기 제 1 상면(221)으로부터 상기 제 1 하면(222)까지의 두께는 약 0.2㎜ 내지 약 0.4㎜ 중 하나의 측정 간격으로 측정될 수 있다. 상기 측정 지점들 사이의 간격은 약 0.2㎜ 내지 약 0.4㎜ 중 하나 선택될 수 있다. 상기 제 1 상면(221)으로부터 상기 제 1 하면(222)까지의 두께는 상기 측정 간격마다 측정될 수 있다. 상기 측정 간격은 서로 인접하는 측정 지점 사이의 반경 차이일 수 있다.The thickness of the
또한, 상기 두께 변화율은 상기 측정 간격 별로 도출될 수 있다. 즉, 상기 두께 변화율은 서로 인접하는 측정 지점들 사이에서 계산될 수 있다. 즉, 상기 수식 1에서, 상기 MR1 - MR2는 상기 측정 간격일 수 있다. 상기 MR1 - MR2는 0.2㎜ 내지 약 0.4㎜일 수 있다. 상기 측정 간격은 약 0.2㎜, 0.25㎜, 0.3㎜, 0.35㎜ 또는 0.4㎜ 중 하나 선택될 수 있다.Additionally, the thickness change rate can be derived for each measurement interval. That is, the thickness change rate can be calculated between adjacent measurement points. That is, in
앞서 설명한 바와 같이, 상기 상부 전극(220)은 상기 중심선(C)를 기준으로 선대칭 구조를 가지므로, 상기 상기 상부 전극(220)은 동일한 반경에서, 실질적으로 동일한 두께 변화율을 가질 수 있다.As described above, since the
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 하면(222)은 제 1 프로파일(P1), 제 2 프로파일(P2), 제 3 프로파일(P3), 제 4 프로파일(P4), 제 5 프로파일(P5), 제 6 프로파일(P6), 제 7 프로파일(P7) 및 제 8 프로파일(P8)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 3, the first
상기 제 1 프로파일(P1)은 상기 제 1 하면(222)의 중심 영역에 배치될 수 있다. 상기 제 1 프로파일(P1)은 상기 제 1 하면(222)의 중심으로부터 제 1 반경(R1)까지일 수 있다. 상기 제 1 프로파일(P1)은 상부에서 보았을 때, 원 형상을 가질 수 있다. 상기 제 1 프로파일(P1)은 상기 제 1 하면(222)의 중심 영역에 대응될 수 있다.The first profile P1 may be disposed in the center area of the first
상기 제 1 반경(R1)은 약 3㎜ 내지 약 5㎜ 중 하나일 수 있다. 상기 제 1 반경(R1)은 약 3.5㎜ 내지 4.5㎜ 중 하나일 수 있다.The first radius R1 may be one of about 3 mm to about 5 mm. The first radius R1 may be one of about 3.5 mm to 4.5 mm.
상기 제 1 프로파일(P1)은 제 1 두께 변화율을 가질 수 있다. 이때, 상기 제 1 두께 변화율은 상기 제 1 프로파일(P1)에서 측정된 두께 변화율들의 평균 값일 수 있다.The first profile P1 may have a first thickness change rate. At this time, the first thickness change rate may be an average value of thickness change rates measured in the first profile P1.
상기 제 1 두께 변화율은 약 -0.25 내지 약 0일 수 있다. 상기 제 1 두께 변화율은 약 -0.20 내지 약 0일 수 있다. 상기 제 1 두께 변화율은 약 -0.15 내지 약 0일 수 있다.The first thickness change rate may be about -0.25 to about 0. The first thickness change rate may be about -0.20 to about 0. The first thickness change rate may be about -0.15 to about 0.
상기 제 1 두께 변화율은 상기 제 1 하면(222)의 중심으로부터 외곽으로 갈수록 점점 더 작아질 수 있다. 상기 제 1 두께 변화율은 상기 제 1 하면(222)의 중심에서 0에 근접하고, 외곽으로 갈수록 점점 더 작아질 수 있다.The first thickness change rate may gradually become smaller from the center of the first
또한, 상기 제 1 프로파일(P1)에서, 상기 제 1 하면(222)의 중심에서, 상기 제 1 두께 변화율은 약 -0.01 내지 약 0.01 중 하나이고, 상기 제 1 반경(R1)에서, 상기 제 1 두께 변화율은 약 -0.25 내지 약 -0.23 중 하나일 수 있다.Additionally, in the first profile P1, at the center of the first
즉, 상기 제 1 두께 변화율은 상기 중심으로부터 상기 제 1 반경(R1)으로 갈수록, 약 -0.01 내지 약 0.01 중 하나로부터 약 -0.25 내지 약 -0.23 중 하나까지 점점 작아질 수 있다.That is, the first thickness change rate may gradually decrease from about -0.01 to about 0.01 to about -0.25 to about -0.23 as it goes from the center to the first radius (R1).
상기 제 2 프로파일(P2)은 상기 제 1 프로파일(P1)보다 더 외측에 배치된다. 상기 제 2 프로파일(P2)은 상기 제 1 프로파일(P1)의 주위를 둘러쌀 수 있다. 상기 제 2 프로파일(P2)은 상기 제 1 프로파일(P1)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 2 프로파일(P2)은 상기 제 1 프로파일(P1)의 외곽과 직접 접할 수 있다. 즉, 상기 제 2 프로파일(P2)은 상기 제 1 프로파일(P1)은 서로 직접 연결될 수 있다.The second profile (P2) is disposed further outside than the first profile (P1). The second profile (P2) may surround the first profile (P1). The second profile (P2) may extend along the periphery of the first profile (P1). The second profile (P2) may directly contact the outside of the first profile (P1). That is, the second profile (P2) and the first profile (P1) may be directly connected to each other.
상기 제 2 프로파일(P2)은 상부에서 보았을 때, 고리 형상을 가질 수 있다. 상기 제 2 프로파일(P2)은 상부에서 보았을 때, 도넛 형상을 가질 수 있다.The second profile P2 may have a ring shape when viewed from the top. The second profile P2 may have a donut shape when viewed from the top.
상기 제 2 프로파일(P2)은 상기 제 1 반경(R1)부터 제 2 반경(R2)까지일 수 있다. 상기 제 2 프로파일(P2)은 상기 제 1 반경(R1)부터 상기 제 2 반경(R2)까지의 영역일 수 있다. 상기 제 2 반경(R2)은 상기 제 1 반경(R1)보다 더 클 수 있다.The second profile P2 may be from the first radius R1 to the second radius R2. The second profile P2 may be an area from the first radius R1 to the second radius R2. The second radius R2 may be larger than the first radius R1.
상기 제 2 반경(R2)은 약 16㎜ 내지 약 19㎜ 중 하나일 수 있다. 상기 제 2 반경(R2)은 약 17㎜ 내지 약 18.5㎜ 중 하나일 수 있다. 상기 제 2 반경(R2)은 17㎜ 내지 약 18㎜ 중 하나일 수 있다.The second radius R2 may be one of about 16 mm to about 19 mm. The second radius R2 may be one of about 17 mm to about 18.5 mm. The second radius R2 may be one of 17 mm to about 18 mm.
상기 제 2 프로파일(P2)의 폭은 약 12㎜ 내지 약 16㎜일 수 있다.The width of the second profile P2 may be about 12 mm to about 16 mm.
상기 제 2 프로파일(P2)은 제 2 두께 변화율을 가질 수 있다. 상기 제 2 두께 변화율은 상기 제 2 프로파일(P2)에서 두께 변화율의 평균값일 수 있다.The second profile P2 may have a second thickness change rate. The second thickness change rate may be an average value of the thickness change rate in the second profile P2.
상기 제 2 두께 변화율은 약 -0.26 내지 약 -0.23일 수 있다. 상기 제 2 두께 변화율은 약 -0.25 내지 약 -0.24일 수 있다. 상기 제 2 두께 변화율은 약 -0.248 내지 약 -0.242일 수 있다.The second thickness change rate may be about -0.26 to about -0.23. The second thickness change rate may be about -0.25 to about -0.24. The second thickness change rate may be about -0.248 to about -0.242.
상기 제 2 프로파일(P2)에서, 상기 제 2 두께 변화율은 거의 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 2 프로파일(P2)에서, 상기 제 2 두께 변화율은 가장 내측 및 가장 외측에서 실질적으로 비슷한 값을 가질 수 있다.In the second profile P2, the second thickness change rate may be substantially constant. That is, in the second profile P2, the second thickness change rate may have substantially similar values at the innermost and outermost sides.
상기 제 1 반경(R1)에서, 상기 제 2 두께 변화율은 약 -0.26 내지 -0.22 중 하나일 수 있다. 상기 제 2 반경(R2)에서, 상기 제 2 두께 변화율은 약 -0.26 내지 약 -0.22 중 하나일 수 있다.At the first radius R1, the second thickness change rate may be one of about -0.26 to -0.22. At the second radius R2, the second thickness change rate may be one of about -0.26 to about -0.22.
상기 제 3 프로파일(P3)은 상기 제 2 프로파일(P2) 외측에 배치된다. 상기 제 3 프로파일(P3)은 상기 제 1 프로파일(P1) 및 상기 제 2 프로파일(P2)을 둘러쌀 수 있다. 즉, 상기 제 3 프로파일(P3)은 상기 상기 제 1 프로파일(P1)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 3 프로파일(P3)은 상기 제 2 프로파일(P2)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 3 프로파일(P3)은 상기 제 2 프로파일(P2)의 외곽과 직접 접할 수 있다. 즉, 상기 제 3 프로파일(P3)은 상기 제 2 프로파일(P2)은 서로 직접 연결될 수 있다. The third profile (P3) is disposed outside the second profile (P2). The third profile (P3) may surround the first profile (P1) and the second profile (P2). That is, the third profile (P3) may extend along the periphery of the first profile (P1). The third profile (P3) may extend along the periphery of the second profile (P2). The third profile (P3) may directly contact the outer edge of the second profile (P2). That is, the third profile (P3) and the second profile (P2) may be directly connected to each other.
상기 제 3 프로파일(P3)은 상기 제 2 반경(R2)부터 제 3 반경(R3)까지일 수 있다. 즉, 상기 제 3 프로파일(P3)은 상기 제 2 반경(R2)부터 상기 제 3 반경(R3)까지의 영역일 수 있다. 상기 제 3 반경(R3)은 상기 제 2 반경(R2)보다 더 클 수 있다.The third profile P3 may be from the second radius R2 to the third radius R3. That is, the third profile P3 may be an area from the second radius R2 to the third radius R3. The third radius R3 may be larger than the second radius R2.
상기 제 3 반경(R3)은 약 69㎜ 내지 약 71㎜일 수 있다. 상기 제 3 반경(R3)은 약 68㎜ 내지 약 72㎜일 수 있다. 상기 제 3 반경(R3)은 69.5㎜ 내지 약 70.7㎜일 수 있다.The third radius R3 may be about 69 mm to about 71 mm. The third radius R3 may be about 68 mm to about 72 mm. The third radius R3 may be 69.5 mm to about 70.7 mm.
상기 제 3 프로파일(P3)은 제 3 두께 변화율을 가질 수 있다. 상기 제 3 두께 변화율은 상기 제 3 프로파일(P3)에서 두께 변화율의 평균 값일 수 있다.The third profile P3 may have a third thickness change rate. The third thickness change rate may be an average value of the thickness change rate in the third profile P3.
상기 제 3 두께 변화율은 약 -0.2 내지 약 -0.05일 수 있다. 상기 제 3 두께 변화율은 약 -0.16 내지 약 -0.08일 수 있다. 상기 제 3 두께 변화율은 약 -0.15 내지 약 -0.1일 수 있다.The third thickness change rate may be about -0.2 to about -0.05. The third thickness change rate may be about -0.16 to about -0.08. The third thickness change rate may be about -0.15 to about -0.1.
상기 제 3 프로파일(P3)에서, 상기 제 3 두께 변화율은 상기 반경이 증가할 수록 점차적으로 증가될 수 있다. 즉, 상기 제 2 반경(R2)으로부터 상기 제 3 반(R3)로 갈수록 상기 제 3 두께 변화율은 점점 더 커질 수 있다.In the third profile P3, the third thickness change rate may gradually increase as the radius increases. That is, the third thickness change rate may gradually increase as it moves from the second radius R2 to the third half R3.
상기 제 2 반경(R2)에서, 상기 제 3 두께 변화율은 약 -0.26 내지 약 -0.22 중 하나일 수 있다. 상기 제 3 반경(R3)에서, 상기 제 3 두께 변화율은 약 -0.006 내지 약 0 중 하나일 수 있다.At the second radius R2, the third thickness change rate may be one of about -0.26 to about -0.22. At the third radius R3, the third thickness change rate may be one of about -0.006 to about 0.
상기 제 3 두께 변화율은 상기 제 2 반경(R2)에서 상기 제 3 반경(R3)으로 갈수록, 약 -0.26 내지 약 -0.22 중 하나로부터 약 -0.006 내지 약 0 중 하나까지 점점 더 커질 수 있다.The third thickness change rate may gradually increase from about -0.26 to about -0.22 to about -0.006 to about 0 as it goes from the second radius (R2) to the third radius (R3).
상기 제 4 프로파일(P4)은 상기 제 3 프로파일(P3) 외측에 배치된다. 상기 제 4 프로파일(P4)은 상기 제 1 프로파일(P1), 상기 제 2 프로파일(P2) 및 상기 제 3 프로파일(P3)을 둘러쌀 수 있다. 즉, 상기 제 4 프로파일(P4)은 상기 상기 제 1 프로파일(P1)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 4 프로파일(P4)은 상기 제 2 프로파일(P2)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 4 프로파일(P4)은 상기 상기 제 3 프로파일(P3)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 4 프로파일(P4)은 상기 제 3 프로파일(P3)의 외곽과 직접 접할 수 있다. 즉, 상기 제 4 프로파일(P4)은 상기 제 3 프로파일(P3)은 서로 직접 연결될 수 있다. The fourth profile (P4) is disposed outside the third profile (P3). The fourth profile (P4) may surround the first profile (P1), the second profile (P2), and the third profile (P3). That is, the fourth profile (P4) may extend along the periphery of the first profile (P1). The fourth profile (P4) may extend along the periphery of the second profile (P2). The fourth profile (P4) may extend along the periphery of the third profile (P3). The fourth profile (P4) may directly contact the outer edge of the third profile (P3). That is, the fourth profile (P4) and the third profile (P3) may be directly connected to each other.
상기 제 4 프로파일(P4)은 상기 제 3 반경(R3)부터 제 4 반경(R4)까지일 수 있다. 즉, 상기 제 4 프로파일(P4)은 상기 제 3 반경(R3)부터 상기 제 4 반경(R4)까지의 영역일 수 있다. 상기 제 4 반경(R4)은 상기 제 3 반경(R3)보다 더 클 수 있다.The fourth profile P4 may be from the third radius R3 to the fourth radius R4. That is, the fourth profile P4 may be an area from the third radius R3 to the fourth radius R4. The fourth radius R4 may be larger than the third radius R3.
상기 제 4 반경(R4)은 약 74㎜ 내지 약 76㎜일 수 있다. 상기 제 4 반경(R4)은 약 74.3㎜ 내지 약 75.5㎜일 수 있다. 상기 제 4 반경(R4)은 74.5㎜ 내지 약 75.3㎜일 수 있다.The fourth radius R4 may be about 74 mm to about 76 mm. The fourth radius R4 may be about 74.3 mm to about 75.5 mm. The fourth radius R4 may be 74.5 mm to about 75.3 mm.
상기 제 4 프로파일(P4)은 제 4 두께 변화율을 가질 수 있다. 상기 제 4 두께 변화율은 상기 제 4 프로파일(P4)에서 두께 변화율의 평균 값일 수 있다.The fourth profile P4 may have a fourth thickness change rate. The fourth thickness change rate may be an average value of the thickness change rate in the fourth profile P4.
상기 제 4 두께 변화율은 약 -0.003 내지 약 0.003일 수 있다. 상기 제 4 두께 변화율은 약 -0.002 내지 약 0.002일 수 있다.The fourth thickness change rate may be about -0.003 to about 0.003. The fourth thickness change rate may be about -0.002 to about 0.002.
상기 제 3 반경(R3)에서, 상기 제 4 두께 변화율은 약 -0.003 내지 0 중 하나일 수 있다. 상기 제 4 반경(R4)에서, 상기 제 4 두께 변화율은 약 -0.003 내지 약 0.003 중 하나일 수 있다.At the third radius R3, the fourth thickness change rate may be one of about -0.003 to 0. At the fourth radius R4, the fourth thickness change rate may be one of about -0.003 to about 0.003.
상기 제 4 프로파일(P4)에서, 상기 제 4 두께 변화율은 전체적으로 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 4 프로파일(P4)에서, 상기 제 4 두께 변화율은 편차가 작을 수 있다. 상기 제 4 두께 변화율의 편차는 0.006 미만일 수 있다. 상기 제 4 두께 변화율의 편차는 0.005 미만일 수 있다. 상기 제 4 두께 변화율의 편차는 0.003 미만일 수 있다. In the fourth profile P4, the fourth thickness change rate may be constant overall. That is, in the fourth profile P4, the fourth thickness change rate may have a small deviation. The deviation of the fourth thickness change rate may be less than 0.006. The deviation of the fourth thickness change rate may be less than 0.005. The deviation of the fourth thickness change rate may be less than 0.003.
상기 제 5 프로파일(P5)은 상기 제 4 프로파일(P4) 외측에 배치된다. 상기 제 5 프로파일(P5)은 상기 제 1 프로파일(P1), 상기 제 2 프로파일(P2), 상기 제 3 프로파일(P3) 및 상기 제 4 프로파일(P4)을 둘러쌀 수 있다. 즉, 상기 제 5 프로파일(P5)은 상기 상기 제 1 프로파일(P1)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 5 프로파일(P5)은 상기 제 2 프로파일(P2)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 5 프로파일(P5)은 상기 제 3 프로파일(P3)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 5 프로파일(P5)은 상기 제 4 프로파일(P4)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 5 프로파일(P5)은 상기 제 4 프로파일(P4)의 외곽과 직접 접할 수 있다. 즉, 상기 제 5 프로파일(P5)은 상기 제 4 프로파일(P4)은 서로 직접 연결될 수 있다. The fifth profile (P5) is disposed outside the fourth profile (P4). The fifth profile (P5) may surround the first profile (P1), the second profile (P2), the third profile (P3), and the fourth profile (P4). That is, the fifth profile (P5) may extend along the periphery of the first profile (P1). The fifth profile (P5) may extend along the periphery of the second profile (P2). The fifth profile (P5) may extend along the periphery of the third profile (P3). The fifth profile (P5) may extend along the periphery of the fourth profile (P4). The fifth profile (P5) may directly contact the outer edge of the fourth profile (P4). That is, the fifth profile (P5) and the fourth profile (P4) may be directly connected to each other.
상기 제 5 프로파일(P5)은 상기 제 4 반경(R4)부터 제 5 반경(R5)까지일 수 있다. 즉, 상기 제 5 프로파일(P5)은 상기 제 4 반경(R4)부터 상기 제 5 반경(R5)까지의 영역일 수 있다. 상기 제 5 반경(R5)은 상기 제 4 반경(R4)보다 더 클 수 있다.The fifth profile P5 may be from the fourth radius R4 to the fifth radius R5. That is, the fifth profile P5 may be an area from the fourth radius R4 to the fifth radius R5. The fifth radius R5 may be larger than the fourth radius R4.
상기 제 5 반경(R5)은 약 106㎜ 내지 약 108㎜일 수 있다. 상기 제 5 반경(R5)은 약 106.5㎜ 내지 약 107.7㎜일 수 있다. 상기 제 5 반경(R5)은 106.8㎜ 내지 약 107.5㎜일 수 있다.The fifth radius R5 may be about 106 mm to about 108 mm. The fifth radius R5 may be about 106.5 mm to about 107.7 mm. The fifth radius R5 may be 106.8 mm to about 107.5 mm.
상기 제 5 프로파일(P5)은 제 5 두께 변화율을 가질 수 있다.The fifth profile P5 may have a fifth thickness change rate.
상기 제 5 두께 변화율은 약 0 내지 약 0.12일 수 있다. 상기 제 5 두께 변화율은 약 0.03 내지 약 0.1일 수 있다. 상기 제 5 두께 변화율은 약 0.04 내지 약 0.08일 수 있다.The fifth thickness change rate may be about 0 to about 0.12. The fifth thickness change rate may be about 0.03 to about 0.1. The fifth thickness change rate may be about 0.04 to about 0.08.
상기 제 5 프로파일(P5)에서, 상기 제 5 두께 변화율은 상기 반경이 증가할 수록 점점 더 커질 수 있다. 상기 제 4 반경(R4)에서 상기 제 5 반경(R5)로 갈수록 상기 제 5 두께 변화율은 점점 더 커질 수 있다.In the fifth profile P5, the fifth thickness change rate may gradually increase as the radius increases. The fifth thickness change rate may gradually increase from the fourth radius R4 to the fifth radius R5.
상기 제 4 반경(R4)에서, 상기 제 5 두께 변화율은 약 -0.003 내지 약 0.003중 하나일 수 있다. 상기 제 5 반경(R5)에서, 상기 제 5 두께 변화율은 약 0.125 내지 약 0.132 중 하나일 수 있다.At the fourth radius R4, the fifth thickness change rate may be one of about -0.003 to about 0.003. At the fifth radius R5, the fifth thickness change rate may be one of about 0.125 to about 0.132.
상기 제 5 두께 변화율은 상기 제 4 반경(R4)에서 상기 제 5 반경(R5)로 갈수록, 약 -0.003 내지 약 0.003중 하나로부터 약 0.125 내지 약 0.132 중 하나까지 점점 더 커질 수 있다.The fifth thickness change rate may gradually increase from about -0.003 to about 0.003 to about 0.125 to about 0.132 as it goes from the fourth radius (R4) to the fifth radius (R5).
상기 제 6 프로파일(P6)은 상기 제 5 프로파일(P5)보다 더 외측에 배치된다. 상기 제 6 프로파일(P6)은 상기 제 5 프로파일(P5)의 주위를 둘러쌀 수 있다. 상기 제 6 프로파일(P6)은 상기 제 5 프로파일(P5)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 6 프로파일(P6)은 상기 제 5 프로파일(P5)의 외곽과 직접 접할 수 있다. 즉, 상기 제 6 프로파일(P6)은 상기 제 5 프로파일(P5)은 서로 직접 연결될 수 있다.The sixth profile (P6) is disposed further outside than the fifth profile (P5). The sixth profile (P6) may surround the fifth profile (P5). The sixth profile (P6) may extend along the periphery of the fifth profile (P5). The sixth profile (P6) may directly contact the outer edge of the fifth profile (P5). That is, the sixth profile (P6) and the fifth profile (P5) may be directly connected to each other.
상기 제 6 프로파일(P6)은 상부에서 보았을 때, 고리 형상을 가질 수 있다. 상기 제 6 프로파일(P6)은 상부에서 보았을 때, 도넛 형상을 가질 수 있다.The sixth profile P6 may have a ring shape when viewed from the top. The sixth profile P6 may have a donut shape when viewed from the top.
상기 제 6 프로파일(P6)은 상기 제 5 반경(R5)부터 제 6 반경(R6)까지일 수 있다. 상기 제 6 프로파일(P6)은 상기 제 5 반경(R5)부터 상기 제 6 반경(R6)까지의 영역일 수 있다. 상기 제 6 반경(R6)은 상기 제 5 반경(R5)보다 더 클 수 있다.The sixth profile P6 may be from the fifth radius R5 to the sixth radius R6. The sixth profile P6 may be an area from the fifth radius R5 to the sixth radius R6. The sixth radius R6 may be larger than the fifth radius R5.
상기 제 6 반경(R6)은 약 138㎜ 내지 약 139.5㎜ 중 하나일 수 있다. 상기 제 6 반경(R6)은 약 138.5㎜ 내지 약 139.5㎜ 중 하나일 수 있다.The sixth radius R6 may be one of about 138 mm to about 139.5 mm. The sixth radius R6 may be one of about 138.5 mm to about 139.5 mm.
상기 제 6 프로파일(P6)의 폭은 약 30㎜ 내지 약 33.5㎜일 수 있다.The width of the sixth profile P6 may be about 30 mm to about 33.5 mm.
상기 제 6 프로파일(P6)은 제 6 두께 변화율을 가질 수 있다. 상기 제 6 두께 변화율은 상기 제 6 프로파일(P6)에서 두께 변화율의 평균값일 수 있다.The sixth profile P6 may have a sixth thickness change rate. The sixth thickness change rate may be an average value of the thickness change rate in the sixth profile P6.
상기 제 6 두께 변화율은 약 0.13 내지 약 0.142일 수 있다. 상기 제 6 두께 변화율은 약 0.13 내지 약 0.14일 수 있다. 상기 제 6 두께 변화율은 약 0.132 내지 약 0.14일 수 있다. 상기 제 6 두께 변화율은 약 0.133 내지 약 0.139일 수 있다.The sixth thickness change rate may be about 0.13 to about 0.142. The sixth thickness change rate may be about 0.13 to about 0.14. The sixth thickness change rate may be about 0.132 to about 0.14. The sixth thickness change rate may be about 0.133 to about 0.139.
상기 제 6 프로파일(P6)에서, 상기 제 6 두께 변화율은 거의 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 6 프로파일(P6)에서, 상기 제 6 두께 변화율은 가장 내측 및 가장 외측에서 실질적으로 비슷한 값을 가질 수 있다.In the sixth profile P6, the sixth thickness change rate may be substantially constant. That is, in the sixth profile P6, the sixth thickness change rate may have substantially similar values at the innermost and outermost sides.
상기 제 5 반경(R5)에서, 상기 제 6 두께 변화율은 약 0.13 내지 0.135 중 하나일 수 있다. 상기 제 6 반경(R6)에서, 상기 제 6 두께 변화율은 약 0.132 내지 약 0.138 중 하나일 수 있다.At the fifth radius R5, the sixth thickness change rate may be one of about 0.13 to 0.135. At the sixth radius R6, the sixth thickness change rate may be one of about 0.132 to about 0.138.
상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 6 프로파일(P6) 외측에 배치된다. 상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 1 프로파일(P1), 상기 제 2 프로파일(P2), 상기 제 3 프로파일(P3), 상기 제 4 프로파일(P4) 및 상기 제 5 프로파일(P5)을 둘러쌀 수 있다. 즉, 상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 상기 제 1 프로파일(P1)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 2 프로파일(P2)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 3 프로파일(P3)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 4 프로파일(P4)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 5 프로파일(P5)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 6 프로파일(P6)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 6 프로파일(P6)의 외곽과 직접 접할 수 있다. 즉, 상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 7 프로파일(P7)은 서로 직접 연결될 수 있다. The seventh profile (P7) is disposed outside the sixth profile (P6). The seventh profile (P7) surrounds the first profile (P1), the second profile (P2), the third profile (P3), the fourth profile (P4), and the fifth profile (P5). You can. That is, the seventh profile (P7) may extend along the periphery of the first profile (P1). The seventh profile (P7) may extend along the periphery of the second profile (P2). The seventh profile (P7) may extend along the periphery of the third profile (P3). The seventh profile (P7) may extend along the periphery of the fourth profile (P4). The seventh profile (P7) may extend along the periphery of the fifth profile (P5). The seventh profile (P7) may extend along the periphery of the sixth profile (P6). The seventh profile (P7) may directly contact the outer edge of the sixth profile (P6). That is, the seventh profile P7 may be directly connected to each other.
상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 6 반경(R6)부터 제 7 반경(R7)까지일 수 있다. 즉, 상기 제 7 프로파일(P7)은 상기 제 6 반경(R6)부터 상기 제 7 반경(R7)까지의 영역일 수 있다. 상기 제 7 반경(R7)은 상기 제 6 반경(R6)보다 더 클 수 있다.The seventh profile P7 may be from the sixth radius R6 to the seventh radius R7. That is, the seventh profile P7 may be an area from the sixth radius R6 to the seventh radius R7. The seventh radius R7 may be larger than the sixth radius R6.
상기 제 7 반경(R7)은 약 141㎜ 내지 약 142.5㎜일 수 있다. 상기 제 7 반경(R7)은 약 141㎜ 내지 약 142㎜일 수 있다.The seventh radius R7 may be about 141 mm to about 142.5 mm. The seventh radius R7 may be about 141 mm to about 142 mm.
상기 제 7 프로파일(P7)은 제 7 두께 변화율을 가질 수 있다.The seventh profile P7 may have a seventh thickness change rate.
상기 제 7 두께 변화율은 약 0 내지 약 0.13일 수 있다. 상기 제 7 두께 변화율은 약 0.03 내지 약 0.1일 수 있다. 상기 제 7 두께 변화율은 약 0.04 내지 약 0.08일 수 있다.The seventh thickness change rate may be about 0 to about 0.13. The seventh thickness change rate may be about 0.03 to about 0.1. The seventh thickness change rate may be about 0.04 to about 0.08.
상기 제 7 프로파일(P7)에서, 상기 제 7 두께 변화율은 상기 반경이 증가할 수록 점점 더 작아질 수 있다. 상기 제 6 반경(R6)에서 상기 제 7 반경(R7)로 갈수록 상기 제 7 두께 변화율은 점점 더 작아질 수 있다.In the seventh profile P7, the seventh thickness change rate may gradually become smaller as the radius increases. The seventh thickness change rate may gradually become smaller as it goes from the sixth radius R6 to the seventh radius R7.
상기 제 6 반경(R6)에서, 상기 제 7 두께 변화율은 약 0.132 내지 약 0.138중 하나일 수 있다. 상기 제 7 반경(R7)에서, 상기 제 7 두께 변화율은 약 -0.003 내지 약 0.003 중 하나일 수 있다.At the sixth radius R6, the seventh thickness change rate may be one of about 0.132 to about 0.138. At the seventh radius R7, the seventh thickness change rate may be one of about -0.003 to about 0.003.
상기 제 7 두께 변화율은 상기 제 6 반경(R6)에서 상기 제 7 반경(R7)으로 갈수록 약 0.132 내지 약 0.138중 하나로부터 약 -0.003 내지 약 0.003 중 하나로 감소될 수 있다.The seventh thickness change rate may decrease from about 0.132 to about 0.138 to about -0.003 to about 0.003 as it goes from the sixth radius R6 to the seventh radius R7.
상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 7 프로파일(P7) 외측에 배치된다. 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 1 프로파일(P1), 상기 제 2 프로파일(P2), 상기 제 3 프로파일(P3), 상기 제 4 프로파일(P4), 상기 제 5 프로파일(P5), 상기 제 6 프로파일(P6) 및 상기 제 7 프로파일(P7)을 둘러쌀 수 있다. 즉, 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 1 프로파일(P1)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 2 프로파일(P2)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 3 프로파일(P3)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 4 프로파일(P4)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 5 프로파일(P5)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 6 프로파일(P6)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 7 프로파일(P7)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 7 프로파일(P7)의 외곽과 직접 접할 수 있다. 즉, 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 7 프로파일(P7)은 서로 직접 연결될 수 있다. The eighth profile (P8) is disposed outside the seventh profile (P7). The eighth profile (P8) includes the first profile (P1), the second profile (P2), the third profile (P3), the fourth profile (P4), the fifth profile (P5), and the first profile (P8). It may surround the 6th profile (P6) and the 7th profile (P7). That is, the eighth profile (P8) may extend along the periphery of the first profile (P1). The eighth profile (P8) may extend along the periphery of the second profile (P2). The eighth profile (P8) may extend along the periphery of the third profile (P3). The eighth profile (P8) may extend along the periphery of the fourth profile (P4). The eighth profile (P8) may extend along the periphery of the fifth profile (P5). The eighth profile (P8) may extend along the periphery of the sixth profile (P6). The eighth profile (P8) may extend along the periphery of the seventh profile (P7). The eighth profile (P8) may directly contact the outer edge of the seventh profile (P7). That is, the eighth profile (P8) and the seventh profile (P7) may be directly connected to each other.
상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 7 반경(R7)부터 제 8 반경(R8)까지일 수 있다. 즉, 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기 제 7 반경(R7)부터 상기 제 8 반경(R8)까지의 영역일 수 있다. 상기 제 8 반경(R8)은 상기 제 7 반경(R7)보다 더 클 수 있다. 상기 제 8 반경(R8)은 상기 상부 전극(220)의 최외곽에 대응될 수 있다.The eighth profile P8 may be from the seventh radius R7 to the eighth radius R8. That is, the eighth profile P8 may be an area from the seventh radius R7 to the eighth radius R8. The eighth radius R8 may be larger than the seventh radius R7. The eighth radius R8 may correspond to the outermost edge of the
상기 제 8 반경(R8)은 약 144.5㎜ 내지 약 150㎜일 수 있다. 상기 제 8 반경(R8)은 약 145㎜ 내지 약 148㎜일 수 있다.The eighth radius R8 may be about 144.5 mm to about 150 mm. The eighth radius R8 may be about 145 mm to about 148 mm.
상기 제 8 프로파일(P8)은 제 8 두께 변화율을 가질 수 있다.The eighth profile P8 may have an eighth thickness change rate.
상기 제 8 두께 변화율은 약 -0.005 내지 약 0.005일 수 있다. 상기 제 8 두께 변화율은 약 -0.003 내지 약 0.003일 수 있다. 상기 제 8 두께 변화율은 약 -0.002 내지 약 0.002일 수 있다.The eighth thickness change rate may be about -0.005 to about 0.005. The eighth thickness change rate may be about -0.003 to about 0.003. The eighth thickness change rate may be about -0.002 to about 0.002.
상기 제 8 프로파일(P8)에서, 상기 제 8 두께 변화율은 상기 반경은 전체적으로 일정할 수 있다. 상기 제 7 반경(R7)에서 상기 제 8 반경(R8)로 갈수록 상기 제 8 두께 변화율은 전체적으로 일정할 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)에서, 상기 제 8 두께 변화율의 편차는 0.005 미만일 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)에서, 상기 제 8 두께 변화율의 편차는 0.003 미만일 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)에서, 상기 제 8 두께 변화율의 편차는 0.002 미만일 수 있다. In the eighth profile P8, the eighth thickness change rate and the radius may be constant throughout. The eighth thickness change rate may be constant overall from the seventh radius R7 to the eighth radius R8. In the eighth profile P8, the deviation of the eighth thickness change rate may be less than 0.005. In the eighth profile P8, the deviation of the eighth thickness change rate may be less than 0.003. In the eighth profile P8, the deviation of the eighth thickness change rate may be less than 0.002.
상기 제 7 반경(R7)에서, 상기 제 8 두께 변화율은 약 -0.003 내지 약 0.003 중 하나일 수 있다. 상기 제 8 반경(R8)에서, 상기 제 8 두께 변화율은 약 -0.003 내지 약 0.003 중 하나일 수 있다.At the seventh radius R7, the eighth thickness change rate may be one of about -0.003 to about 0.003. At the eighth radius R8, the eighth thickness change rate may be one of about -0.003 to about 0.003.
상기 제 1 하면(222)의 중심에서, 상기 두께는 약 15㎜ 내지 약 25㎜일 수 있다. 상기 제 1 하면(222)의 중심에서, 상기 두께는 약 16㎜ 내지 약 22㎜일 수 있다.At the center of the first
상기 제 4 프로파일(P4)에서, 상기 두께는 약 6㎜ 내지 약 14㎜일 수 있다. 상기 제 4 프로파일(P4)에서, 상기 두께는 약 7㎜ 내지 약 13㎜일 수 있다.In the fourth profile P4, the thickness may be about 6 mm to about 14 mm. In the fourth profile P4, the thickness may be about 7 mm to about 13 mm.
상기 제 8 프로파일(P8)에서, 상기 두께는 약 6㎜ 내지 약 14㎜일 수 있다. 상기 제 8 프로파일(P8)에서, 상기 두께는 약 10㎜ 내지 약 20㎜일 수 있다.In the eighth profile P8, the thickness may be about 6 mm to about 14 mm. In the eighth profile P8, the thickness may be about 10 mm to about 20 mm.
또한, 상기 상부 전극(220)의 전체 반경은 상기 제 8 반경(R8)와 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 상부 전극(220)의 전체 반경은 약 144.5㎜ 내지 약 150㎜일 수 있다.Additionally, the overall radius of the
상기 편차는 각 위치별 두께 변화율 및 평균 값의 차이의 절대 값일 수 있다.The deviation may be an absolute value of the difference between the thickness change rate and average value at each location.
또한, 상기 제 1 반경(R1)을 상기 상부 전극(220)의 전체 반경으로 나눈 값은 0.015 내지 0.035일 수 있다. 상기 제 2 반경(R1)을 상기 상부 전극(220)의 전체 반경으로 나눈 값은 0.10 내지 0.13일 수 있다. 상기 제 3 반경(R3)을 상기 상부 전극(220)의 전체 반경으로 나눈 값은 0.45 내지 0.51일 수 있다. 상기 제 4 반경(R4)을 상기 상부 전극(220)의 전체 반경으로 나눈 값은 0.49 내지 0.53일 수 있다. 상기 제 5 반경(R5)을 상기 상부 전극(220)의 전체 반경으로 나눈 값은 0.70 내지 0.76일 수 있다. 상기 제 6 반경(R6)을 상기 상부 전극(220)의 전체 반경으로 나눈 값은 0.94 내지 0.96일 수 있다. 상기 제 7 반경(R7)을 상기 상부 전극(220)의 전체 반경으로 나눈 값은 0.97 내지 0.98일 수 있다.Additionally, a value obtained by dividing the first radius R1 by the total radius of the
또한, 상기 상부 전극(220)은 다른 부품과 체결되기 위한 체결 홈(미도시)을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 상부 전극(220)의 두께는 상기 체결 홈이 무시된 상태에서, 상기 두께가 측정될 수 있다. 즉, 상기 상부 전극(220)의 두께는 상기 체결 홈이 채워진 것으로 가정되고, 측정될 수 있다.Additionally, the
앞서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 상부 전극(220)은 상기 반경에 따라서 변하는 두께를 가질 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 프로파일(P1), 상기 제 2 프로파일(P2), 상기 제 3 프로파일(P3), 상기 제 4 프로파일(P4), 상기 제 5 프로파일(P5), 상기 제 6 프로파일(P6), 상기 제 7 프로파일(P7) 및 상기 제 8 프로파일(P8)은 상기와 같은 범위로 두께 변화율을 가질 수 있다.As previously described, the
이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극(220)은 중심 부분으로부터 외곽으로 갈 수록 적절하게 두께가 얇아지다가 적당히 두꺼워지는 특징을 가질 수 있다. 즉, 실시예에 따른 상부 전극(220)의 하면은 중심 부분에서, 아래로 볼록한 형상을 가지면서, 적절하게 얇아지다가 두꺼워지는 프로파일을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 4 프로파일(P4) 및 상기 제 8 프로파일(P5)은 적절한 폭을 가지면서, 전체적으로 평평한 형상을 가질 수 있다.Accordingly, the
이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극(220)은 중앙 부분으로 플라즈마를 모으면서, 외곽으로 적절하게 플라즈마를 가이드할 수 있다.Accordingly, the
이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극(220)은 전체적으로 균일한 플라즈마를 생성할 수 있다.Accordingly, the
실시예에 따른 상부 전극(220)은 중심으로부터 외곽까지 전체적으로 플라즈마를 적절하게 가이드할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 상부 전극(220)은 전체적으로 균일하게 플라즈마를 형성하면서, 상기 플라즈마에 높은 직진성을 부여할 수 있다.The
이에 따라서, 상기 상부 전극(220)은 균일한 두께로 식각 공정을 진행할 수 있다. 즉, 상기 상부 전극(220)이 구비된 반도체 소자 제조 장치는 반도체 기판의 식각 두께를 균일하게 조절할 수 있다.Accordingly, the
또한, 실시예에 따른 상부 전극(220)은 잔유 공정 부산물의 발생을 억제할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 상부 전극(220)은 상기 잔유 공정 부산물의 흡착을 방지할 수 있다.Additionally, the
이에 따라서, 실시예에 따른 상부 전극(220)은 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서, 스크래치 또는 채터마크 등과 같은 디펙을 방지할 수 있다.Accordingly, the
실시예에 따른 포커스 링(230)은 반도체 소자를 제조하기 위한 제조 장치에 사용되는 부품일 수 있다. 즉, 상기 포커스 링(230)은 상기 반도체 소자 제조 장치의 일부를 구성하는 부품일 수 있다.The
상기 포커스 링(230)은 반도체 소자를 제조하기 위한 플라즈마 처리 장치에 사용되는 부품일 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 반도체 기판(30)을 선택적으로 에칭하기 위한 플라즈마 에칭 장치에 사용되는 부품일 수 있다. 상기 반도체 기판(30)은 플라즈마 처리되어, 반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 웨이퍼를 포함할 수 있다.The
상기 포커스 링(230)은 플라즈마를 가이드하고, 상기 반도체 기판(30)을 지지하기 위한 하부 전극 어셈블리의 일부를 구성하는 부품일 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 상기 하부 전극 어셈블리의 에지에 배치되는 에지 링일 수 있다.The
또한, 상기 포커스 링(230)은 상기 반도체 기판(30)을 수용하고, 플라즈마 영역(114)을 한정하는 어셈블리의 일부를 구성하는 부품일 수 있다.Additionally, the
도 4는 포커스 링(230)을 도시한 시시도이다. 도 5는 포커스 링(230)의 일 단면을 도시한 단면도이다.Figure 4 is a perspective view showing the
도 4 및 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 포커스 링(230)은 전체적으로 링 형상을 가질 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5 , the
상기 포커스 링(230)은 몸체부(237), 경사부(238) 및 가이드부(239)를 포함한다. 상기 몸체부(237)는 상기 반도체 기판(30)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 몸체부(237)는 상기 반도체 기판(30)의 주위를 따라서 배치될 수 있다. 상기 몸체부(237)는 링 형상을 가질 수 있다.The
상기 경사부(238)는 상기 몸체부(237)로부터 연장된다. 상기 경사부(238)는 상기 몸체부(237)로부터 내측으로 연장될 수 있다. 상기 경사부(238)는 상기 몸체부(237)로부터 상기 반도체 기판(30)의 중심을 향하여 연장될 수 있다. 상기 경사부(238)는 링 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 경사부(238)는 상기 몸체부(237)의 내주면에 배치될 수 있다.The
상기 가이드부(239)는 상기 경사부(238)로부터 연장된다. 상기 가이드부(239)는 상기 경사부(238)로부터 내측으로 연장될 수 있다. 상기 가이드부(239)는 상기 경사부(238)로부터 상기 반도체 기판(30)의 중심을 향하여 연장될 수 있다. 상기 가이드부(239)는 링 형상을 가질 수 있다. 상기 가이드부(239)의 적어도 일부는 상기 반도체 기판(30)의 아래에 배치될 수 있다.The
상기 몸체부(237), 상기 경사부(238) 및 상기 가이드부(239)는 일체로 형성될 수 있다. 즉, 상기 몸체부(237), 상기 경사부(238) 및 상기 가이드부(239)는 결합된 구조가 아니고, 일체화된 구조를 가질 수 있다. 상기 몸체부(237), 상기 경사부(238) 및 상기 가이드부(239)는 일체로, 실리콘 단결정으로, 형성될 수 있다. The
상기 포커스 링(230)은 제 2 상면(231), 제 2 하면(232) 및 제 2 측면(233)을 포함한다.The
상기 제 2 상면(231) 및 상기 제 2 하면(232)은 서로 대향된다.The second
상기 제 2 상면(231)은 상기 몸체부(237)에 포함될 수 있다.The second
상기 제 2 하면(232)은 상기 제 2 하면(232)은 전체적으로 평평할 수 있다.The second
상기 제 2 측면(233)은 상기 제 2 상면(231)으로부터 상기 제 2 하면(232)으로 연장된다. 상기 제 2 측면(233)은 상기 포커스 링(230)의 외주면일 수 있다.The
또한, 상기 포커스 링(230)은 제 2 경사면(234)을 포함한다. 상기 제 2 경사면(234)은 상기 제 2 상면(231)으로부터 측 하방으로 연장될 수 있다. 상기 제 2 경사면(234)은 상기 반도체 기판(30)으로부터 발생되는 플라즈마 공정 후, 생성물을 측방으로 가이드할 수 있다. 즉, 상기 제 2 경사면(234)은 상기 반도체 기판(30)에 분사되는 플라즈마에 의해서 발생되는 공정 부산물을 외부로 가이드하여, 반도체 소자의 제조 공정의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제 2 경사면(234)은 부산물을 적절하게 가이드하여, 상기 포커스 링(230)은 상기 플라즈마에 의해서 다른 부품이 오염되는 것을 방지할 수 있다.Additionally, the
또한, 상기 포커스 링(230)은 가이드면(235)을 더 포함할 수 있다. 상기 가이드면(235)은 상기 제 2 경사면(234)으로부터 연장된다. 상기 가이드면(235)은 상기 제 2 경사면(234)으로부터 내측으로 연장될 수 있다. 상기 가이드면(235)은 상기 반도체 기판(30) 아래로 연장될 수 있다. 상기 가이드면(235)은 상기 제 2 경사면(234)으로부터 상기 반도체 기판(30)의 중심으로 연장될 수 있다. 상기 가이드면(235)의 적어도 일부는 상기 반도체 기판(30) 아래에 배치될 수 있다.Additionally, the
또한, 상기 포커스 링(230)은 제 3 측면(241)을 더 포함할 수 있다. 상기 제 3 측면(241)은 상기 가이드면(235)으로부터 상기 제 2 하면(232)으로 연장될 수 있다. 상기 제 3 측면(241)은 상기 포커스 링(230)의 내주면일 수 있다.Additionally, the
또한, 상기 포커스 링(230)은 다른 부품과 체결되기 위한 체결 홈(미도시)을 더 포함할 수 있다.Additionally, the
상기 포커스 링(230)은 실리콘 단결정을 포함한다. 상기 포커스 링(230)은 상기 실리콘 단결정을 주성분으로 포함할 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 약 90wt% 이상의 함량으로 상기 실리콘 단결정을 포함할 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 약 95wt% 이상의 함량으로 상기 실리콘 단결정을 포함할 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 약 99wt% 이상의 함량으로 상기 실리콘 단결정을 포함할 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 실질적으로 상기 실리콘 단결정으로 이루어질 수 있다.The
실시예에 따른 상부 전극(220) 및 포커스 링(230)은 하기의 과정에 의해서 제조될 수 있다.The
먼저, 상기 상부 전극(220) 및 포커스 링(230)이 제조되기 위한 원료가 준비된다.First, raw materials for manufacturing the
상기 원료는 실리콘일 수 있다. 상기 실리콘은 높은 순도를 가질 수 있다. 상기 실리콘은 약 99.999999% 초과의 순도를 가질 수 있다.The raw material may be silicon. The silicon may have high purity. The silicon may have a purity greater than about 99.999999%.
상기 원료는 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 질소 또는 인 등과 같은 n형 도펀트 또는 붕소 또는 알루미늄 등과 같은 p형 도펀트를 포함할 수 있다.The raw material may include a dopant. The dopant may include an n-type dopant such as nitrogen or phosphorus, or a p-type dopant such as boron or aluminum.
상기 실리콘 단결정 잉곳은 쵸크랄스키(Czochralsk:CZ)법에 의해서 형성될 수 있다. 상기 쵸크랄스키(Czochralsk:CZ)법은 단결정인 종자결정(seed crystal)을 실리콘 융액에 담근 후 천천히 끌어올리면서 결정을 성장시키는 방법이다.The silicon single crystal ingot may be formed by the Czochralsk (CZ) method. The Czochralsk (CZ) method is a method of growing a crystal by immersing a single crystal, a seed crystal, in a silicon melt and then slowly pulling it up.
상기 실리콘 단결정 잉곳은 약 3mm 내지 약 25mm 두께로 슬라이싱될 수 있다. 상기 슬라이싱 공정은 와이어 소에 의해서 진행될 수 있다. 상기 와이어 소는 와이어 및 상기 와이어 주변에 접합된 다이아몬드 입자를 포함할 수 있다.The silicon single crystal ingot may be sliced to a thickness of about 3 mm to about 25 mm. The slicing process may be performed using a wire saw. The wire saw may include a wire and diamond particles bonded around the wire.
이에 따라서, 상기 슬라이싱 공정에 의해서, 실리콘 단결정 플레이트가 제조된다.Accordingly, a silicon single crystal plate is manufactured through the slicing process.
이후, 상기 실리콘 단결정 플레이트는 모따기 공정을 거친다. 즉, 상기 실리콘 단결정 플레이트의 모서리가 연삭된다. 이에 따라서, 상기 단결정 플레이트의 상면으로부터 연장되고, 상기 제 1 상면(221)에 대하여 경사지는 제 1 모따기면 및 상기 단결정 플레이트의 하면으로부터 연장되고, 상기 제 1 하면(222)에 대하여 경사지는 제 2 모따기 면이 형성될 수 있다. Afterwards, the silicon single crystal plate undergoes a chamfering process. That is, the edges of the silicon single crystal plate are ground. Accordingly, a first chamfered surface extending from the upper surface of the single crystal plate and inclined with respect to the first
상기 모따기 공정은 핸드 그라인더로 진행될 수 있다.The chamfering process may be performed using a hand grinder.
상기 실리콘 단결정 플레이트는 연삭 공정을 거칠 수 있다.The silicon single crystal plate may undergo a grinding process.
상기 실리콘 단결정 플레이트는 상정반 및 하정반 사이에 배치되고, 상기 실리콘 단결정 플레이트가 상기 상정반 및 상기 하정반과 상대 운동을 하여, 상기 실리콘 단결정 플레이트는 연삭 될 수 있다.The silicon single crystal plate is disposed between an upper surface and a lower surface, and the silicon single crystal plate moves relative to the upper and lower surfaces, so that the silicon single crystal plate can be ground.
상기 실리콘 단결정 플레이트의 외주면이 가공될 수 있다. 상기 외주면 가공은 제 2 그라인더에 의해서 진행될 수 있다.The outer peripheral surface of the silicon single crystal plate may be processed. The outer peripheral surface processing may be performed using a second grinder.
상기 외주면 가공 공정을 거친 실리콘 단결정 플레이트는 형상 가공될 수 있다. 상기 실리콘 단결정 플레이트는 제 3 그라인더에 의해서, 형상 가공될 수 있다. The silicon single crystal plate that has undergone the outer peripheral surface processing process can be processed into a shape. The silicon single crystal plate may be processed into shape by a third grinder.
상기 제 3 그라인더에 의해서, 상기 포커스 링(230) 및/또는 상기 상부 전극(220)의 대략적인 외형이 형성될 수 있다. 상기 제 3 그라인더에 의해서, 절삭되어, 중앙 부분에 오픈 영역이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 3 그라인더에 의해서, 상기 제 1 프로파일(P1), 상기 제 2 프로파일(P2), 상기 제 3 프로파일(P3), 상기 제 4 프로파일(P4), 상기 제 5 프로파일(P5), 상기 제 6 프로파일(P6), 사익 제 7 프로파일(P7) 및 상기 제 8 프로파일(P8)의 대략적인 외형이 형성될 수 있다.The approximate outline of the
상기 제 3 그라인더 헤드의 회전 수는 약 1500 rpm 내지 약 8000 rpm일 수 있다. 상기 제 3 그라인더 헤드의 회전 수는 약 1700 rpm 내지 약 7500rpm일 수 있다. 상기 제 3 그라인더 헤드의 회전 수는 약 1000 rpm 내지 약 6500rpm일 수 있다. The rotation speed of the third grinder head may be about 1500 rpm to about 8000 rpm. The rotation speed of the third grinder head may be about 1700 rpm to about 7500 rpm. The rotation speed of the third grinder head may be about 1000 rpm to about 6500 rpm.
상기 제 3 그라인더 헤드는 약 100 메쉬 내지 약 2000 메쉬를 가질 수 있다. 상기 제 3 그라인더 헤드는 약 500 메쉬 내지 약 2000 메쉬를 가질 수 일 수 있다. 상기 제 3 그라인더 헤드는 약 1000 메쉬 내지 약 2000 메쉬를 가질 수 있다.The third grinder head may have about 100 mesh to about 2000 mesh. The third grinder head may have about 500 mesh to about 2000 mesh. The third grinder head may have about 1000 mesh to about 2000 mesh.
상기 형상 가공 공정에서, 피드는 약 1㎜/분 내지 약 15㎜/분일 수 있다. 상기 형상 가공 공정에서, 피드는 약 2㎜/분 내지 약 10㎜/분일 수 있다. 상기 형상 가공 공정에서, 피드는 약 3㎜/분 내지 약 8㎜/분일 수 있다. In the shape processing process, the feed may be about 1 mm/min to about 15 mm/min. In the shape processing process, the feed may be about 2 mm/min to about 10 mm/min. In the shape processing process, the feed may be about 3 mm/min to about 8 mm/min.
상기 형상 가공에 의해서, 상기 제 1 하면(222)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 형상 가공에 의해서, 다른 부품과 체결되기 위한 체결 홈이 형성될 수 있다. 특히, 상기 형상 가공에 의해서, 상기 제 1 하면(222)에서, 상기 제 1 프로파일(P1), 상기 제 2 프로파일(P2), 상기 제 3 프로파일(P3), 상기 제 4 프로파일(P4), 상기 제 5 프로파일(P5), 상기 제 6 프로파일(P6), 상기 제 7 프로파일(P7) 및 상기 제 8 프로파일(P8)의 개략적인 외형이 형성될 수 있다.Through the shape processing, the first
상기 실리콘 단결정 플레이트에 관통홀(226)이 형성될 수 있다.A through
상기 관통홀(226)은 드릴에 의해서 형성될 수 있다.The through
상기 관통홀(226)은 방전 가공에 의해서 형성될 수 있다.The through
상기 형상 가공 공정 및/또는 상기 관통홀(226) 형성 공정에 의해서, 미가공 포커스 링 및/또는 미가공 상부 전극(220)이 형성될 수 있다.Through the shape processing process and/or the through
상기 미가공 포커스 링 및/또는 상기 미가공 상부 전극(220)은 랩핑 공정을 거칠 수 있다. The raw focus ring and/or the raw
상기 미가공 포커스 링 및/또는 상기 미가공 상부 전극(220)은 상정반 및 하정반 사이에 배치되고, 상기 상기 미가공 포커스 링 및/또는 상기 미가공 상부 전극(220)가 상기 상정반 및 상기 하정반과 상대 운동을 하여, 상기 상기 미가공 포커스 링 및/또는 상기 미가공 상부 전극(220)은 랩핑 될 수 있다.The raw focus ring and/or the raw
상기 미가공 포커스 링 및/또는 상기 미가공 상부 전극(220)은 상기 상정반 및/또는 상기 하정반에 대하여, 약 5rpm 내지 약 25rpm의 속도로 상대 회전할 수 있다.The raw focus ring and/or the raw
상기 랩핑 공정에서, 상기 상정반 및 상기 하정반은 약 800 메쉬 내지 약 1800 메쉬를 가질 수 있다.In the wrapping process, the upper and lower plates may have a mesh size of about 800 mesh to about 1,800 mesh.
상기 랩핑 공정에서, 상기 상정반 및 상기 하정반의 압력은 약 60 psi 내지 약 200 psi 일 수 있다.In the wrapping process, the pressure of the upper and lower plates may be about 60 psi to about 200 psi.
상기 미가공 포커스 링은 및 상기 미가공 상부 전극(220)은 습식 에칭 공정에 의해서 표면 가공될 수 있다.The raw focus ring and the raw
상기 습식 에칭 공정을 위한 에칭액은 상기 미가공 포커스 링 및 상기 미가공 상부 전극(220)의 표면을 에칠할 수 있다. 상기 에칭액은 탈 이온수 및 산을 포함할 수 있다. 상기 에칭액은 황산 또는 불산 등과 같은 산을 포함할 수 있다. 상기 에칭액은 불화수소 암모늄, 황산 암모늄 및 설파믹산 암모늄으로 구성되는 염들 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.The etchant for the wet etching process may etch the surfaces of the unprocessed focus ring and the unprocessed
상기 에칭액은 전체 중량을 기준으로, 약 20wt% 내지 약 50wt%의 함량으로 탈 이온수를 포함할 수 있다.The etching solution may include deionized water in an amount of about 20 wt% to about 50 wt% based on the total weight.
상기 에칭액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 70 중량부 내지 약 200 중량부의 함량으로 상기 산을 포함할 수 있다. 상기 에칭액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 상기 산을 약 90 중량부 내지 약 150 중량부의 함량으로 포함할 수 있다.The etching solution may include the acid in an amount of about 70 parts by weight to about 200 parts by weight based on 100 parts by weight of the deionized water. The etching solution may include the acid in an amount of about 90 parts by weight to about 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the deionized water.
상기 에칭액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 15 중량부 내지 약 45 중량부의 함량으로 상기 불화수소 암모늄을 포함할 수 있다. 상기 에칭액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 17 중량부 내지 약 30 중량부의 함량으로 상기 불화수소 암모늄을 포함할 수 있다.The etching solution may include the ammonium hydrogen fluoride in an amount of about 15 parts by weight to about 45 parts by weight based on 100 parts by weight of the deionized water. The etching solution may include the ammonium hydrogen fluoride in an amount of about 17 parts by weight to about 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the deionized water.
상기 에칭액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 15 중량부 내지 약 45 중량부의 함량으로 상기 황산 암모늄을 포함할 수 있다. 상기 에칭액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 17 중량부 내지 약 30 중량부의 함량으로 상기 황산 암모늄을 포함할 수 있다.The etching solution may include the ammonium sulfate in an amount of about 15 parts by weight to about 45 parts by weight based on 100 parts by weight of the deionized water. The etching solution may include ammonium sulfate in an amount of about 17 parts by weight to about 30 parts by weight based on 100 parts by weight of deionized water.
상기 에칭액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 5 중량부 내지 약 20 중량부의 함량으로 상기 설파닉산 암모늄을 포함할 수 있다. 상기 에칭액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 5 중량부 내지 약 15 중량부의 함량으로, 상기 설파닉산 암모늄을 포함할 수 있다.The etching solution may include the ammonium sulfanate in an amount of about 5 parts by weight to about 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the deionized water. The etching solution may include the ammonium sulfanate in an amount of about 5 parts by weight to about 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the deionized water.
상기 미가공 포커스 링 및/또는 상기 미가공 상부 전극(220)이 상기 에칭액에 침지되어, 상기 에칭 공정이 진행될 수 있다. 상기 침지 시간은 약 10 분 내지 약 100분 일 수 있다. 상기 침지 시간은 약 5분 내지 약 20분 일 수 있다. 상기 침지 시간은 약 10 분 내지 약 30분 일 수 있다.The unprocessed focus ring and/or the unprocessed
상기 에칭 공정은 상기 조성의 에칭액 및 상기 범위의 침지 시간을 가지기 때문에, 상기 미가공 포커스 링 및 상기 미가공 상부 전극(220)의 표면은 적절하게 에칭될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 포커스 링(230) 및 실시예에 따른 상부 전극(220)은 적절한 표면 특성을 가질 수 있다.Since the etching process uses the etchant of the above composition and the immersion time within the above range, the surfaces of the raw focus ring and the raw
상기 미가공 포커스 링 및/또는 상기 미가공 상부 전극(220)은 연마 공정에 의해서 표면처리될 수 있다.The raw focus ring and/or the raw
상기 연마 공정에 연마 패드가 사용될 수 있다. 상기 연마 패드의 쇼어 C 경도는 약 50 내지 약 90일 수 있다. 상기 연마 패드는 스웨이드 타입 또는 부직포 타입의 패드일 수 있다.A polishing pad may be used in the polishing process. The Shore C hardness of the polishing pad may be about 50 to about 90. The polishing pad may be a suede type or non-woven type pad.
상기 연마 공정에서, 연마 슬러리가 사용될 수 있다. 상기 연마 슬러리는 탈 이온수 및 콜로이달 실리카를 포함할 수 있다.In the polishing process, a polishing slurry can be used. The polishing slurry may include deionized water and colloidal silica.
상기 연마 슬러리는 전체 중량을 기준으로, 약 20 wt% 내지 약 50wt%의 함량으로, 상기 콜로이달 실리카를 포함할 수 있다. 상기 연마 슬러리는 전체 중량을 기준으로, 약 30 wt% 내지 약 45wt%의 함량으로, 상기 콜로이달 실리카를 포함할 수 있다.The polishing slurry may include the colloidal silica in an amount of about 20 wt% to about 50 wt% based on the total weight. The polishing slurry may include the colloidal silica in an amount of about 30 wt% to about 45 wt% based on the total weight.
상기 콜로이달 실리카의 평균 입경은 약 20㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다. 상기 콜로이달 실리카의 평균 입경은 약 50㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다. 상기 콜로이달 실리카의 평균 입경은 약 60㎚ 내지 약 85㎚일 수 있다.The average particle diameter of the colloidal silica may be about 20 nm to about 100 nm. The average particle diameter of the colloidal silica may be about 50 nm to about 100 nm. The average particle diameter of the colloidal silica may be about 60 nm to about 85 nm.
상기 연마 슬러리의 pH는 약 8.5 내지 약 11일 수 있다. 상기 연마 슬러리의 pH는 약 9.0 내지 약 10.5일 수 있다.The pH of the polishing slurry may be about 8.5 to about 11. The pH of the polishing slurry may be about 9.0 to about 10.5.
상기 연마 공정에서, 연마 압력은 약 200psi 내지 약 350psi일 수 있다.In the polishing process, the polishing pressure may be about 200 psi to about 350 psi.
또한, 상기 연마 공정에서, 정반 회전 수는 약 6rpm 내지 약 15rpm일 수 있다.Additionally, in the polishing process, the rotation speed of the surface plate may be about 6 rpm to about 15 rpm.
또한, 상기 연마 공정 시간은 약 60 분 내지 약 75분일 수 있다.Additionally, the polishing process time may be about 60 minutes to about 75 minutes.
상기 연마 공정을 거친 포커스 링 및 상부 전극(220)은 세정액에 의해서 세정된다.The focus ring and
상기 세정액은 탈 이온수, 과산화 수소 및 암모니아를 포함할 수 있다.The cleaning solution may include deionized water, hydrogen peroxide, and ammonia.
상기 세정액은 전체 중량을 기준으로, 약 90wt% 내지 약 97wt%의 함량으로, 상기 탈 이온수를 포함할 수 있다.The cleaning liquid may include deionized water in an amount of about 90 wt% to about 97 wt% based on the total weight.
상기 세정액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 1 중량부 내지 약 10 중량부의 함량으로, 상기 과산화 수소를 포함할 수 있다. 상기 세정액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 1 중량부 내지 약 7 중량부의 함량으로, 상기 과산화 수소를 포함할 수 있다.The cleaning liquid may include hydrogen peroxide in an amount of about 1 part by weight to about 10 parts by weight based on 100 parts by weight of deionized water. The cleaning liquid may include hydrogen peroxide in an amount of about 1 part by weight to about 7 parts by weight based on 100 parts by weight of deionized water.
상기 세정액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 1 중량부 내지 약 8 중량부의 함량으로 암모니아를 포함할 수 있다. 상기 세정액은 상기 탈 이온수 100 중량부를 기준으로, 약 1 중량부 내지 약 5 중량부의 함량으로 암모니아를 포함할 수 있다.The cleaning liquid may contain ammonia in an amount of about 1 part by weight to about 8 parts by weight based on 100 parts by weight of the deionized water. The cleaning liquid may contain ammonia in an amount of about 1 part by weight to about 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the deionized water.
상기 포커스 링(230) 및 상기 상부 전극(220)은 상기 세정액에 약 20분 내지 약 30분 동안 침지된다.The
또한, 상기 포커스 링(230) 및/또는 상기 상부 전극(220)에 상기 세정액이 분사되어 세정 공정이 진행될 수 있다.Additionally, the cleaning process may be performed by spraying the cleaning liquid onto the
또한, 상기 세정액은 상기 관통홀(226) 내부에 분사되고, 상기 관통홀(226)의 내부가 세정될 수 있다.Additionally, the cleaning liquid may be sprayed inside the through
이후, 상기 포커스 링(230) 및/또는 상기 상부 전극(220)은 탈 이온수에 의해서, 마무리 세정될 수 있다.Thereafter, the
상기와 같이, 적절한 형상 가공 공정, 적절한 에칭 공정, 적절한 연마 공정 및 적절한 랩핑 공정에 의해서, 상기 상부 전극(220)이 제조될 수 있다. 이에 따라서, 상기 상부 전극(220)은 원하는 제 1 내지 제 8 프로파일(P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7 및 P8)을 가지는 하면을 포함할 수 있다.As described above, the
특히, 상기와 같은 적절한 제조 공정에 의해서, 상기 제 4 두께 변화율(P4)의 편차 및 상기 제 8 두께 변화율(P8)의 편차가 감소될 수 있다.In particular, by the appropriate manufacturing process as described above, the deviation of the fourth thickness change rate (P4) and the deviation of the eighth thickness change rate (P8) can be reduced.
이에 따라서, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치용 부품은 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치용 부품은 반도체 기판(30)의 제조 공정에 발생되는 디펙을 최소화할 수 있다.Accordingly, the component for the semiconductor device manufacturing device according to the embodiment can improve plasma uniformity. Accordingly, the components for the semiconductor device manufacturing device according to the embodiment can minimize defects generated during the manufacturing process of the
도 6은 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 도시한 도면이다. 도 7은 플라즈마 영역(114) 한정 조립체(20)를 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment. Figure 7 is a cross-sectional view showing the
도 6 및 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 내부에 플라즈마 프로세싱 챔버(104) 를 가진 플라즈마 반응기(102)를 포함한다. 또한, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 상기 플라즈마 프로세싱 챔버(104) 내에 배치되는 플라즈마 영역(114) 한정 조립체(20)를 더 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 프로세싱 챔버(104)는 상기 플라즈마 영역(114) 한정 조립체(20)와 실질적으로 동일할 수 있다.Referring to FIGS. 6 and 7 , the semiconductor device manufacturing apparatus according to the embodiment includes a
또한, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 매칭 네트워크(108)를 포함한다. 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 상기 매칭 네트워크(108)에 의해 튜닝된 플라즈마 전력 공급부(106)를 포함한다. 상기 플라즈마 전력 공급부(106)는 상기 플라즈마 반응기(102)에 유도 결합된 전력을 제공한다. 이에 따라서, 상기 플라즈마 영역(114) 한정 조립체(20) 내에 플라즈마가 생성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 플라즈마 전력 공급부(106)는 상기 플라즈마가 생성되도록, 전력 윈도우 (112) 근방에 위치된 TCP 코일(110)에 전력을 공급한다. 상기 TCP 코일(110)은 플라즈마 영역(114) 한정 조립체(20) 내에 상기 플라즈마가 균일한 확산 프로파일로 생성될 수 있도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 TCP 코일(110)은 상기 플라즈마 한정 조립체 내에 토로이달 (toroidal) 전력 분포가 생성되도록 구성될 수 있다.Additionally, the semiconductor device manufacturing apparatus according to the embodiment includes a
상기 전력 윈도우(112)는 상기 TCP 코일을 상기 플라즈마 프로세싱 챔버(104)와 일정 간격으로 이격시킬 수 있다. 또한, 상기 TCP 코일(110)은 상기 플라즈마 프로세싱 챔버(104)와 이격된 상태에서, 상기 에너지를 상기 플라즈마 프로세싱 챔버(104)에 공급할 수 있다.The
실시예에 따른 반도체 소자 제조장치는 상기 매칭 네트워크(118)에 의해 튜닝된 바이어스 전압 전력 공급부(116)를 더 포함할 수 있다.The semiconductor device manufacturing apparatus according to the embodiment may further include a bias voltage
상기 바이어스 전압 전력 공급부(116)는 정전 척(270)을 통하여, 상기 반도체 기판(30)에 바이어스 전압을 설정할 수 있다. 즉, 상기 바이어스 전압 전력 공급부(116)는 상기 반도체 기판(30)에 바이어스 전압을 설정하기 위한 전력을 공급할 수 있다.The bias voltage
실시예에 따른 반도체 소자 제조장치는 제어부(124)를 더 포함할 수 있다. 상기 제어부(124)는 상기 플라즈마 전력 공급부(106), 가스 소스 공급부(130) 및 상기 바이어스 전압 전력 공급부(116)를 구동 제어할 수 있다.The semiconductor device manufacturing apparatus according to the embodiment may further include a
상기 플라즈마 전력 공급부(106) 및 상기 바이어스 전압 전력 공급부(116) 는 예를 들어, 약 13.56 MHz, 27 MHz, 2 MHz, 60 MHz, 400 kHz, 2.54 GHz 또는 이들의 조합들과 같은 특정한 무선 주파수들로 동작하도록 구성될 수도 있다.The
상기 플라즈마 전력 공급부(106) 및 상기 바이어스 전압 전력 공급부(116) 는 목표된 프로세스 성능을 달성하도록, 공급되는 전력의 세기를 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 플라즈마 전력 공급부(106)는 약 50W 내지 약 5000 W 범위 내의 전력을 공급할 수도 있다. 상기 바이어스 전압 전력 공급부(116)는 약 20V 내지 약 2000V 범위 내의 바이어스 전압을 공급할 수도 있다.The plasma
또한, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 상기 가스 소스 공급부(130)를 더 포함할 수 있다. 상기 가스 소스 공급부(130)는 가스 주입기 (140)와 같은 가스 유입부를 통하여, 상기 플라즈마 영역(114) 한정 조립체(20)와 유체로 연결될 수 있다.Additionally, the semiconductor device manufacturing apparatus according to the embodiment may further include the gas
또한, 실시예에 따른 반도체 소자 제조장치는 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 (104)내의 특정한 압력을 유지하는 역할을 하는, 압력 제어 밸브(142) 및 펌프(144)를 포함할 수 있다. 상기 압력 제어 밸브(142) 및 상기 펌프에 의해서, 상기 플라즈마 프로세스 한정 챔버(104)로부터 부산물 등이 제거된다. 상기 압력 제어 밸브(142)는 프로세싱 동안 1 Torr 미만의 공정 압력을 유지시킬 수 있다. Additionally, the semiconductor device manufacturing apparatus according to the embodiment may include a
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 영역(114) 한정 조립체(20)는 커버부(210), 상기 상부 전극(220), 상기 포커스 링(230), 제 1 절연 링(250), 제 2 절연 링(240), 커버 링(260) 및 상기 정전 척(270)을 포함한다.As shown in FIG. 6, the
상기 커버부(210)는 상기 플라즈마 영역(114)의 외측부에 배치된다. 상기 커버부(210)는 상기 플라즈마 영역(114)의 외측부를 따라서 연장될 수 있다. 상기 커버부(210)는 상기 플라즈마 영역(114)의 주위를 따라서 배치될 수 있다.The
상기 커버부(210)는 상기 상부 전극(220)을 지지할 수 있다. 상기 커버부(210)는 상기 상부 전극(220)과 체결될 수 있다. 또한, 상기 커버부(210)는 상기 제 2 절연 링(240)에 체결될 수 있다. 또한, 상기 커버부(210)는 상기 커버 링(260)에 체결될 수 있다. 상기 커버부(210)는 상기 커버 링(260)을 지지할 수 있다.The
상기 커버부(210)는 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 커버부(210)는 실리콘으로 이루어질 수 있다. 상기 커버부(210)는 폴리실리콘 또는 실리콘 단결정을 포함할 수 있다. 상기 커버부(210)는 상기 폴리실리콘으로 이루어질 수 있다.The
상기 커버부(210)는 상기 플라즈마 영역(114)에서 발생되는 공정 부산물이 배출되기 위한 배출부(280)를 포함할 수 있다. 상기 배출부(280)는 상기 플라즈마 영역(114)에 연결될 수 있다.The
상기 상부 전극(220) 및 상기 포커스 링(230)은 앞서 설명한 바와 같은 특징을 가질 수 있다.The
상기 상부 전극(220)은 상기 커버부(210)에 안착될 수 있다. 상기 상부 전극(220)은 상기 커버부(210)에 안착될 수 있다. 상기 상부 전극(220)은 상기 커버부(210)에 체결될 수 있다. 상기 상부 전극(220)은 상기 커버부(210)에 결합될 수 있다.The
상기 상부 전극(220)은 상기 플라즈마 영역(114) 상에 배치된다. 상기 상부 전극(220)은 상기 플라즈마 영역(114)의 상부를 전체적으로 덮을 수 있다. 상기 상부 전극(220)은 상기 플라즈마 영역(114)을 사이에 두고, 상기 반도체 기판(30)과 서로 마주볼 수 있다.The
상기 포커스 링(230)은 상기 반도체 기판(30)의 주위를 따라서 연장될 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 상기 정전 척(270) 상에 배치될 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 상기 플라즈마 영역(114)의 외곽을 따라서 연장될 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 상기 제 1 절연 링(250) 내측에 배치될 수 있다.The
상기 포커스 링(230)은 상기 반도체 기판(30)이 배치되는 부분을 둘러쌀 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 상기 반도체 기판(30)이 배치되는 공간(236)을 형성할 수 있다. 상기 포커스 링(230)은 상기 반도체 기판(30)의 에지 부분에 배치될 수 있다.The
상기 제 1 절연 링(250)은 상기 포커스 링(230)의 주위를 둘러싼다. 상기 제 1 절연 링(250)은 상기 정전 척(270)의 주위를 둘러쌀 수 있다. 상기 제 1 절연 링(250)은 상기 정전 척(270)의 외주면을 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 1 절연 링(250)은 상기 포커스 링(230)의 외주면을 따라서 연장될 수 있다. 상기 제 1 절연 링(250)은 상기 포커스 링(230)의 외주면 및 상기 정전 척(270)의 외주면을 덮을 수 있다.The first insulating ring 250 surrounds the
상기 제 1 절연 링(250)은 상기 커버부(210) 및 상기 포커스 링(230) 사이에 배치된다. 또한, 상기 제 1 절연 링(250)은 상기 커버부(210) 및 상기 정전 척(270) 사이에 배치될 수 있다.The first insulating ring 250 is disposed between the
또한, 상기 제 1 절연 링(250)은 높은 전기 저항을 가질 수 있다. 즉, 상기 제 1 절연 링(250)은 높은 절연성을 가질 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 절연 링(250)은 상기 포커스 링(230) 및 상기 커버부(210) 사이를 절연시킬 수 있다. 또한, 상기 제 1 절연 링(250)은 상기 정전 척(270) 및 상기 커버부(210) 사이를 절연시킬 수 있다.Additionally, the first insulating ring 250 may have high electrical resistance. That is, the first insulating ring 250 may have high insulating properties. Accordingly, the first insulating ring 250 can insulate between the
상기 제 1 절연 링(250)은 높은 전기 저항을 가지면서, 높은 내식각성을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 절연 링(250)은 쿼츠를 포함할 수 있다. 상기 제 1 절연 링(250)은 융용 쿼츠 및/또는 합성 쿼츠를 포함할 수 있다.The first insulating ring 250 may include a material that has high electrical resistance and high etch resistance. The first insulating ring 250 may include quartz. The first insulating ring 250 may include fused quartz and/or synthetic quartz.
상기 제 1 절연 링(250)은 쿼츠로 이루어질 수 있다. 상기 제 1 절연 링(250)은 약 99.99% 이상의 순도를 가지는 쿼츠로 이루어질 수 있다.The first insulating ring 250 may be made of quartz. The first insulating ring 250 may be made of quartz with a purity of about 99.99% or more.
상기 제 2 절연 링(240)은 상기 제 1 절연 링(250) 외측에 배치된다. 상기 제 2 절연 링(240)은 상기 제 1 절연 링(250)의 외주면을 둘러쌀 수 있다. 상기 제 2 절연 링(240)은 상기 제 1 절연 링(250)의 주위를 따라서 연장될 수 있다.The second
상기 제 2 절연 링(240)은 상기 제 1 절연 링(250)의 절연 특성을 보강할 수 있다. 상기 제 2 절연 링(240)은 상기 포커스 링(230) 및 상기 커버부(210) 사이를 절연시킬 수 있다. 또한, 상기 제 2 절연 링(240)은 상기 정전 척(270) 및 상기 커버부(210) 사이를 절연시킬 수 있다.The second
상기 제 2 절연 링(240)은 높은 전기 저항을 가지면서, 높은 내식각성을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 절연 링(240)은 쿼츠를 포함할 수 있다. 상기 제 2 절연 링(240)은 융용 쿼츠 및/또는 합성 쿼츠를 포함할 수 있다.The second
상기 제 2 절연 링(240)은 쿼츠로 이루어질 수 있다. 상기 제 2 절연 링(240)은 약 99.99% 이상의 순도를 가지는 쿼츠로 이루어질 수 있다.The second
상기 커버 링(260)은 상기 커버부(210) 아래에 배치될 수 있다. 상기 커버 링(260)은 상기 커버부(210) 아래에 배치될 수 있다. 상기 커버 링(260)은 상기 제 1 절연 링(250)의 외측에 배치될 수 있다. 상기 커버 링(260)은 상기 제 1 절연 링(250)의 외주면을 따라서 연장될 수 있다. 상기 커버 링(260)은 상기 정전 척(270) 외측에 배치될 수 있다. The
상기 커버 링(260)은 상기 배출부(280)의 주위에 배치될 수 있다. 상기 배출부(280)는 상기 플라즈마 영역(114)에서 발생되는 공정 부산물을 배출하기 위한 배기구일 수 있다.The
상기 커버 링(260)은 높은 전기 저항을 가지면서, 높은 내식각성을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 상기 커버 링(260)은 쿼츠를 포함할 수 있다. 상기 커버 링(260)은 융용 쿼츠 및/또는 합성 쿼츠를 포함할 수 있다.The
상기 커버 링(260)은 쿼츠로 이루어질 수 있다. 상기 커버 링(260)은 약 99.99% 이상의 순도를 가지는 쿼츠로 이루어질 수 있다.The
실시예에 따른 반도체 소자의 제조 장치는 상기 반도체 기판(30)을 플라즈마 처리할 수 있다. 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 장치는 상기 반도체 기판(30)을 플라즈마 처리하여, 반도체 소자를 제조할 수 있다.The semiconductor device manufacturing apparatus according to the embodiment can plasma process the
상기 반도체 기판(30)은 웨이퍼, 상기 웨이퍼 상에 배치되는 식각 대상층 및 상기 식각 대상층 상에 배치되는 마스크 패턴을 포함할 수 있다.The
상기 식각 대상층은 금속층을 포함하는 도전층일 수 있다. 상기 식각 대상층은 산화막을 포함하는 유전체층일 수 있다.The etching target layer may be a conductive layer including a metal layer. The etching target layer may be a dielectric layer including an oxide film.
상기 마스크 패턴은 상기 식각 대상층을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 상기 마스크 패턴은 포토레지스트층을 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트층은 광에 의해서 패터닝될 수 있다.The mask pattern may selectively expose the etch target layer. The mask pattern may include a photoresist layer. The photoresist layer may be patterned by light.
상기 반도체 기판(30)이 플라즈마 처리되기 위해서, 상기 반도체 기판(30)은 상기 정전 척(270) 상에 배치된다. 또한, 상기 반도체 기판(30)은 상기 포커스 링(230) 내에 배치될 수 있다. 상기 반도체 기판(30)은 상기 가이드부(239) 상에 배치될 수 있다.In order for the
이후, 상기 반도체 기판(30)에 플라즈마가 분사된다. 상기 플라자마는 상기 상부 전극(220)을 통하여, 상기 반도체 기판(30)에 분사된다. 상기 플라즈마는 가스 소스에 의해서 형성될 수 있다.Afterwards, plasma is sprayed onto the
상기 가스 소스는 수소 기체(H2), 질소 기체(N2) 및 불소계 기체를 포함할 수 있다. 상기 불소계 기체는 불화수소 또는 플루오르화 카본(CHxF4-x, x는 1 내지 3의 정수)을 포함할 수 있다.The gas source may include hydrogen gas (H 2 ), nitrogen gas (N 2 ), and fluorine-based gas. The fluorine-based gas may include hydrogen fluoride or fluorinated carbon (CH x F 4-x , x is an integer of 1 to 3).
상기 수소 기체 및 상기 질소 기체의 플로우 비는 약 3:1 내지 약 7:1일 수 있다. 또한, 상기 수소 및 상기 불소계 기체의 플로우 비는 약 10:1 내지 약 100:1일 수 있다.The flow ratio of the hydrogen gas and the nitrogen gas may be about 3:1 to about 7:1. Additionally, the flow ratio of the hydrogen and the fluorine-based gas may be about 10:1 to about 100:1.
상기 플라즈마에 의해서, 상기 식각 대상층은 선택적으로 식각될 수 있다. 이에 따라서, 상기 웨이퍼 상에 도전 패턴 또는 절연 패턴이 형성될 수 있다.The etch target layer may be selectively etched by the plasma. Accordingly, a conductive pattern or an insulating pattern may be formed on the wafer.
상기 포커스 링(230) 및 상기 상부 전극(220)은 상기와 같은 특징을 가지기 때문에, 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 장치는 반도체 기판(30)의 제조 과정에서 발생되는 디펙을 방지할 수 있다.Since the
특히, 상기 상부 전극(220)은 상기와 같은 특징을 가지기 때문에, 플라즈마의 직진성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 식각 균일도를 향상시킬 수 있다.In particular, because the
이에 따라서, 상기 상부 전극(220)은 외부 및 내부의 오염을 방지하고, 반도체 소자 제조 장치의 내부로 상기 오염 물질이 전이되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라서, 상기 상부 전극(220)은 반도체 기판 제조 공정에 발생되는 디펙을 최소화할 수 있다.Accordingly, the
특히, 상기 상부 전극(220)은 앞서 설명된 바와 같이, 반경에 따라서 변하는 두께를 가질 수 있다. 이에 따라서, 상기 상부 전극(220)의 하면은 제 1 두께 변화율을 가지는 제 1 프로파일, 제 2 두께 변화율을 가지는 제 2 프로파일, 제 4 두께 변화율을 가지는 제 4 프로파일, 제 6 두께 변화율을 가지는 제 6 프로파일 및 제 8 두께 변화율을 가지는 제 8 프로파일을 포함한다.In particular, the
앞서 설명한 바와 같이, 상기 제 1 프로파일은 -0.25 내지 0의 제 1 두께 변화율을 가지고, 상기 제 2 프로파은 -0.25 내지 -0.24의 제 2 두께 변화율을 가지고, 상기 제 4 프로파일은 -0.003 내지 0.003의 제 4 두께 변화율을 가지고, 상기 제 6 프로파일은 -0.14 내지 -0.16의 제 6 두께 변화율을 가지고, 상기 제 8 프로파일은 - 0.003 내지 0.003의 제 8 두께 변화율을 가지질 수 있다.As previously described, the first profile has a first thickness change rate of -0.25 to 0, the second profile has a second thickness change rate of -0.25 to -0.24, and the fourth profile has a first thickness change rate of -0.003 to 0.003. With a fourth thickness change rate, the sixth profile may have a sixth thickness change rate of -0.14 to -0.16, and the eighth profile may have an eighth thickness change rate of -0.003 to 0.003.
이에 따라서, 상기 상부 전극(220)은 중심 부분으로부터 외곽으로 갈 수록 적절하게 두께가 얇아지다가 다시 두꺼워지는 특징을 가질 수 있다. 즉, 상기 상부 전극(220)의 하면은 중심 부분에서, 아래로 볼록한 형상을 가지면서, 적절하게 얇아지다가 두꺼워지는 프로파일을 가질 수 있다.Accordingly, the
이에 따라서, 상기 상부 전극(220)은 중앙 부분 및 외곽 부분으로 플라즈마를 보강하여, 플라즈마의 직진성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the
이에 따라서, 상기 상부 전극(220)은 전체적으로 균일한 플라즈마를 생성할 수 있다.Accordingly, the
특히, 상기 상부 전극(220)의 직경이 커질수록, 상기 상부 전극(220)의 중앙 부분 및 외곽 부분에서 플라즈마 밀도가 감소될 수 있다. 이때, 상기 상부 전극(220)은 상기와 같은 두께 변화율을 가지는 프로파일들을 포함하기 때문에, 전체적으로 균일한 플라즈마를 구현할 수 있다.In particular, as the diameter of the
또한, 상기 상부 전극(220)은 전체적으로 균일한 플라즈마를 구현하므로, 잔유 공정 부산물의 발생을 억제할 수 있다. 즉, 상기 상부 전극(220)은 상기 잔유 공정 부산물의 흡착을 방지할 수 있다.Additionally, since the
이에 따라서, 상기 상부 전극(220)은 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서, 스크래치 또는 채터마크 등과 같은 디펙을 방지할 수 있다.Accordingly, the
또한, 상기 상부 전극(220)은 상기 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서, 특정 부분으로 플라즈마가 집중되는 현상을 억제하므로, 특정 부위가 식각되는 현상을 방지할 수 있다.In addition, the
이에 따라서, 상기 상부 전극(220)은 플라즈마 생성 영역에서의 플라즈마에 의한 과도한 마모를 억제할 수 있다. 이에 따라서, 상기 상부 전극(220)을 포함하는 반도체 소자 제조 장치는 향상된 내구성을 가질 수 있다. 즉, 상기 상부 전극(220)은 상기 반도체 소자 제조 장치에 포함된 부품들의 내구성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the
이에 따라서, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 식각 균일도가 향상된 반도체 제조 공정을 제공할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치에 의해서 제조된 반도체 기판은 반경이 커짐에 따라서 전체적으로 균일한 식각 두께를 가질 수 있다.Accordingly, the semiconductor device manufacturing apparatus according to the embodiment can provide a semiconductor manufacturing process with improved etch uniformity. That is, the semiconductor substrate manufactured by the semiconductor device manufacturing apparatus according to the embodiment may have an overall uniform etch thickness as the radius increases.
또한, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 상기 상부 전극(220)이 생략될 수 있다. 즉, 상기 포커스 링(230)이 생략된 반도체 소자 제조 장치는 추후에, 상기 상부 전극(220)를 따로 장착할 수 있다. 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 상기 상부 전극(220)을 생략하고, 추후에 장착될 수 있다. 즉, 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 상기 상부 전극(220)이 장착될 수 있도록 최적화되어 구성될 수 있다.Additionally, the
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Additionally, the features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified and implemented in other embodiments by a person with ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description focuses on the examples, this is only an example and does not limit the present invention, and those skilled in the art will be able to You will see that various variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the examples can be modified and implemented. And these variations and differences in application should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.
제조예 1Manufacturing Example 1
쵸크랄스키법에 의해서, 약 330㎜의 직경을 가지는 실리콘 잉곳이 제조되었다. 상기 실리콘 잉곳은 다이아몬드 와이어 소에 의해서 절단되어, 약 20㎜의 두께를 가지는 실리콘 단결정 플레이트가 제조되었다. 이후, 상기 실리콘 단결정 플레이트의 모서리 부분이 절삭되어, 모따기 면이 형성되었다.By the Czochralski method, a silicon ingot with a diameter of approximately 330 mm was produced. The silicon ingot was cut with a diamond wire saw to produce a silicon single crystal plate with a thickness of approximately 20 mm. Afterwards, the edges of the silicon single crystal plate were cut to form a chamfered surface.
이후, 상기 모따기 공정이 진행된 실리콘 단결정 플레이트는 상정반 및 하정반 사이에 배치되고, 상기 상정반 및 상기 하정반에 의해서 랩핑된다. 이후, 상기 랩핑된 실리콘 단결정 플레이트는 그라인더에 의해서 형상 가공된다. 이에 따라서, 미가공 상부 전극이 형성된다.Thereafter, the silicon single crystal plate on which the chamfering process has been performed is placed between the upper and lower plates, and is wrapped by the upper and lower plates. Thereafter, the wrapped silicon single crystal plate is processed into shape by a grinder. Accordingly, a raw upper electrode is formed.
상기 형상 가공 공정은 다음과 같은 조건으로 진행되었다.The shape processing process was carried out under the following conditions.
1) 그라인더 헤드 : 1000 메쉬1) Grinder head: 1000 mesh
2) 그라인더 회전수: 7000 rpm2) Grinder rotation speed: 7000 rpm
3) 피드 : 0.6 ㎜/분3) Feed: 0.6 mm/min
이후, 상기 미가공 상부 전극은 상온에서 에칭액에 약 63000초 동안 침지되어, 상기 미가공 상부 전극의 외부 표면이 처리되어, 상부 전극이 제조되었다.Thereafter, the raw upper electrode was immersed in an etching solution at room temperature for about 63,000 seconds, so that the outer surface of the raw upper electrode was treated, and the upper electrode was manufactured.
상기 에칭액의 성분은 다음과 같다.The components of the etching solution are as follows.
1) 탈이온수 : 34.5 %/wt 중량부1) Deionized water: 34.5 %/wt parts by weight
2) 황산 : 50 %/wt 중량부2) Sulfuric acid: 50%/wt parts by weight
3) 불화수소 암모늄 : 5 %/wt 중량부3) Ammonium hydrogen fluoride: 5%/wt parts by weight
4) 황산 암모늄 : 7 %/wt 중량부4) Ammonium sulfate: 7%/wt parts by weight
5) 질산 암모늄 : 3.5 %/wt 중량부5) Ammonium nitrate: 3.5%/wt parts by weight
상기 상부 전극의 하면은 제 1 프로파일(반경 0에서 3.5㎜까지), 제 2 프로파일(반경 3.5㎜에서 17㎜까지), 제 3 프로파일(반경 17㎜에서 70㎜까지), 제 4 프로파일(반경 70㎜에서 75㎜까지), 제 5 프로파일(반경 75㎜에서 108㎜까지), 제 6 프로파일(반경 108㎜에서 138㎜까지), 제 7 프로파일(반경 138㎜에서 142㎜까지) 및 제 8 프로파일(반경 142㎜에서 145㎜까지)을 포함한다. 또한, 상기 상부 전극의 중심에서의 두께는 약 20㎜이고, 상기 제 4 프로파일에서 두께는 10㎜이고, 상기 제 8 프로파일에서의 두께는 약 15㎜이었다.The lower surface of the upper electrode has a first profile (radius from 0 to 3.5 mm), a second profile (radius from 3.5 mm to 17 mm), a third profile (radius from 17 mm to 70 mm), and a fourth profile (radius from 70 mm). mm to 75 mm), the 5th profile (radius from 75 mm to 108 mm), the 6th profile (radius from 108 mm to 138 mm), the 7th profile (radius from 138 mm to 142 mm) and the 8th profile ( radius from 142 mm to 145 mm). Additionally, the thickness at the center of the upper electrode was about 20 mm, the thickness at the fourth profile was 10 mm, and the thickness at the eighth profile was about 15 mm.
상기 제 1 프로파일의 중심에서 두께 변화율은 0이고, 반경 3.5㎜에서 두께 변화율은 -0.245이었다. 또한, 상기 제 1 프로파일의 중심에서 반경 3.5㎜까지 두께 변화율은 지속적으로 감소되었다.The thickness change rate at the center of the first profile was 0, and the thickness change rate at a radius of 3.5 mm was -0.245. Additionally, the thickness change rate continued to decrease from the center of the first profile to a radius of 3.5 mm.
또한, 반경 17㎜에서 두께 변화율은 약 -0.241이었다. 상기 제 2 프로파일에서, 두께 변화율은 약 0.01의 편차 내에서 거의 변화가 없었다.Additionally, the thickness change rate at a radius of 17 mm was approximately -0.241. In the second profile, the rate of change in thickness was almost unchanged, within a deviation of about 0.01.
또한, 반경 70㎜에서 두께 변화율은 약 0이었다. 상기 제 3 프로파일에서, 두께 변화율은 지속적으로 증가하였다.Additionally, the thickness change rate at a radius of 70 mm was approximately 0. In the third profile, the thickness change rate continued to increase.
또한, 반경 75㎜에서의 두께 변화율은 약 0이었다. 상기 4 프로파일에서 두께 변화율은 일정하였다. 상기 제 4 프로파일에서, 두께 변화율은 약 0이었다. 상기 제 4 프로파일에서, 상기 두께 변화율의 편차는 0.003 미만이었다.Additionally, the thickness change rate at a radius of 75 mm was approximately 0. The thickness change rate was constant in the four profiles. In the fourth profile, the rate of change in thickness was approximately zero. In the fourth profile, the deviation of the thickness change rate was less than 0.003.
또한, 반경 108㎜에서 두께 변화율은 약 0.13이었다. 상기 제 5 프로파일에서, 두께 변화율은 지속적으로 증가하였다.Additionally, the thickness change rate at a radius of 108 mm was about 0.13. In the fifth profile, the thickness change rate continued to increase.
또한, 반경 138㎜에서 두께 변화율은 약 0.13었다. 상기 제 6 프로파일에서, 두께 변화율은 약 0.01의 편차 내에서 거의 변화가 없었다.Additionally, the thickness change rate at a radius of 138 mm was about 0.13. In the sixth profile, the thickness change rate was almost unchanged within a deviation of about 0.01.
또한, 반경 142㎜에서 두께 변화율은 약 0이었다. 상기 제 7 프로파일에서, 두께 변화율은 지속적으로 감소하였다.Additionally, the thickness change rate at a radius of 142 mm was approximately 0. In the seventh profile, the thickness change rate continued to decrease.
또한, 반경 145㎜에서의 두께 변화율은 약 0이었다. 상기 제 8 프로파일에서 두께 변화율은 일정하였다. 상기 제 8 프로파일에서, 두께 변화율은 약 0이었다. 상기 제 8 프로파일에서, 상기 두께 변화율의 편차는 0.003 미만이었다.Additionally, the thickness change rate at a radius of 145 mm was approximately 0. The thickness change rate in the eighth profile was constant. In the eighth profile, the rate of change in thickness was approximately 0. In the eighth profile, the deviation of the thickness change rate was less than 0.003.
제조예 2 내지 제조예 6Preparation Example 2 to Preparation Example 6
하기의 표 1 및 표 2에서와 같이, 제 1 프로파일, 제 2 프로파일, 제 3 프로파일, 제 4 프로파일, 제 5 프로파일, 제 6 프로파일, 제 7 프로파일 및 제 8 프로파일의 형상이 변경되었다. 제조예 6에서 상부 전극은 두께 15㎜의 평판 형상을 가졌다.As shown in Tables 1 and 2 below, the shapes of the first profile, second profile, third profile, fourth profile, fifth profile, sixth profile, seventh profile and eighth profile were changed. In Preparation Example 6, the upper electrode had a flat plate shape with a thickness of 15 mm.
두께 변화율radius 0
Thickness change rate
두께 변화율Radius 3.5mm
Thickness change rate
두께 변화율Radius 17mm
Thickness change rate
두께 변화율Radius 70mm
Thickness change rate
두께 변화율Radius 75mm
Thickness
두께 변화율Radius 108㎜
Thickness change rate
두께 변화율Radius 138㎜
Thickness
두께 변화율Radius 142㎜
Thickness change rate
두께 변화율Radius 145㎜
Thickness change rate
(㎜)center thickness
(㎜)
실시예 1 내지 5 및 비교예Examples 1 to 5 and Comparative Examples
하기의 표 3에서와 같이, 웨이퍼 에칭 장치에 상부 전극이 장착되고, 실리콘 웨이퍼가 상기 에칭 장치에 안착된다. 이후, 수소 기체, 질소 기체 및 CH3F가 약 5:1:0.5의 부피 플로우 비로 상부 전극에 분사되고, 플라즈마화 되어, 약 10분 동안 상기 실리콘 웨이퍼에 분사되어, 에칭 공정이 진행되었다.As shown in Table 3 below, an upper electrode is mounted on a wafer etching device, and a silicon wafer is placed on the etching device. Afterwards, hydrogen gas, nitrogen gas, and CH 3 F were sprayed onto the upper electrode at a volume flow ratio of about 5:1:0.5, turned into plasma, and sprayed on the silicon wafer for about 10 minutes to perform an etching process.
평가예Evaluation example
1. 두께 변화율1. Thickness change rate
접촉식 3차원 측정기(제조사 : MITUTOYO, 제품명 : CRYSTA-APEC C9166)에 의해서, 상부 전극의 두께가 반경 0.3㎜의 측졍 간격으로 반경 방향으로 측정되었다. 이에 따라서, 상기 상부 전극의 하면의 두께 변화율이 상기 표 1 및 표 2와 같이 도출되었다.The thickness of the upper electrode was measured in the radial direction at a measurement interval of 0.3 mm radius using a contact 3D measuring device (manufacturer: MITUTOYO, product name: CRYSTA-APEC C9166). Accordingly, the rate of change in thickness of the lower surface of the upper electrode was derived as shown in Tables 1 and 2 above.
2. 식각 편차2. Etching deviation
상기 에칭된 실리콘 웨이퍼에서, 중심에서 식각된 제 1 식각 두께 및 외곽에서 식각된 제 2 식각 두께 및 상기 외곽과 중심 사이의 중간에서 식각된 제 3 식각 두께가 측정되었다. 상기 제 1 식각 두께, 상기 제 2 식각 두께 및 상기 제 3 식각 두께의 편차가 도출되었다. 상기 제 1 식각 두께, 상기 제 2 식각 두께 및 상기 제 3 식각 두께의 편차는 상기 제 1 식각 두께, 상기 제 2 식각 두께 및 상기 제 3 식각 두께의 평균이 도출된 후, 각각의 식각 두께와 평균 사이의 차이를 상기 평균의 3배로 나눈 값이다.In the etched silicon wafer, a first etch thickness etched from the center, a second etch thickness etched from the outside, and a third etch thickness etched midway between the outside and the center were measured. Deviations between the first etch thickness, the second etch thickness, and the third etch thickness were derived. The deviation of the first etch thickness, the second etch thickness, and the third etch thickness is obtained by deriving an average of the first etch thickness, the second etch thickness, and the third etch thickness, and then calculating the average of each etch thickness and the average. The difference between them is divided by three times the average.
상기 위치 별 식각 두께의 편차 0.1 미만 : 양호Deviation of etch thickness for each location is less than 0.1: Good
상기 위치 별 식각 두께의 편차 0.1 이상 : 불량Deviation of 0.1 or more in etching thickness for each location: defective
3. 결함 평가3. Defect evaluation
웨이퍼 표면 분석기(WM-3000, 제우스사) 장비에 의해서, 상기 에칭된 실리콘 웨이퍼의 결함 개수가 측정되었다.The number of defects in the etched silicon wafer was measured using a wafer surface analyzer (WM-3000, Zeus).
결함 개수 10 개 이하 : 양호, ONumber of
결함 개수 11 개 이상 : 불량, XNumber of defects 11 or more: defective,
하기의 표 4과 같이, 결함 평가 및 식각 편차 평가가 도출되었다.As shown in Table 4 below, defect evaluation and etch deviation evaluation were derived.
상기 표 4에서와 같이, 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 낮은 결함 및 식각 편차를 가진다.As shown in Table 4, the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment has low defects and etch deviation.
커버부(210)
상부 전극(220)
포커스 링(230)
제 1 절연 링(250)
제 2 절연 링(240)
커버 링(260)
정전 척(270)Cover part (210)
Upper electrode (220)
Focus Ring(230)
First insulating ring (250)
Second insulating ring (240)
Cover Ring(260)
Electrostatic Chuck(270)
Claims (14)
상기 상면에 대향하는 하면을 포함하고,
상기 상면으로부터 상기 하면까지의 두께를 포함하고,
상기 하면은,
상기 하면의 중심 영역에 대응되고, -0.25 내지 0의 제 1 두께 변화율을 가지는 제 1 프로파일;
상기 제 1 프로파일을 둘러싸고, -0.25 내지 -0.24의 제 2 두께 변화율을 가지는 제 2 프로파일;
상기 제 2 프로파일을 둘러싸고, -0.003 내지 0.003의 제 4 두께 변화율을 가지는 제 4 프로파일;
상기 제 4 프로파일을 둘러싸고, 0.13 내지 0.14의 제 6 두께 변화율을 가지는 제 6 프로파일; 및
상기 제 6 프로파일을 둘러싸고, - 0.003 내지 0.003의 제 8 두께 변화율을 가지는 제 8 프로파일을 포함하고,
상기 제 1 두께 변화율, 상기 제 2 두께 변화율, 상기 제 4 두께 변화율, 상기 제 6 두께 변화율 및 상기 제 8 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 상기 상면과 평행한 수평 방향을 따라서 두께의 변화를 반경의 변화로 나눈 값인 상부 전극.Flat top surface; and
It includes a lower surface facing the upper surface,
Including the thickness from the upper surface to the lower surface,
The bottom of the above is,
a first profile corresponding to the central region of the lower surface and having a first thickness change rate of -0.25 to 0;
a second profile surrounding the first profile and having a second thickness change rate of -0.25 to -0.24;
a fourth profile surrounding the second profile and having a fourth thickness change rate of -0.003 to 0.003;
a sixth profile surrounding the fourth profile and having a sixth thickness change rate of 0.13 to 0.14; and
Surrounding the sixth profile, comprising an eighth profile having an eighth thickness change rate of -0.003 to 0.003,
The first thickness change rate, the second thickness change rate, the fourth thickness change rate, the sixth thickness change rate, and the eighth thickness change rate are a change in thickness along a horizontal direction parallel to the upper surface from the center of the lower surface with a radius of Upper electrode divided by change.
상기 제 1 프로파일은 상기 상면의 중심으로부터 상기 수평 방향으로 제 1 반경까지이고,
상기 제 2 프로파일은 상기 1 반경으로부터 상기 수평 방향으로 제 2 반경까지이고,
상기 제 4 프로파일은 제 3 반경으로부터 상기 수평 방향으로 제 4 반경까지이고,
상기 제 6 프로파일은 제 5 반경으로부터 상기 수평 방향으로 제 6 반경까지이고,
상기 제 8 프로파일은 제 7 반경으로부터 제 8 반경까지인 상부 전극.According to claim 1,
The first profile extends from the center of the upper surface to a first radius in the horizontal direction,
The second profile is from the first radius to the second radius in the horizontal direction,
The fourth profile extends from the third radius to the fourth radius in the horizontal direction,
The sixth profile extends from the fifth radius to the sixth radius in the horizontal direction,
The eighth profile is from the seventh radius to the eighth radius.
상기 제 1 반경은 3㎜ 내지 5㎜ 중 하나이고,
상기 제 2 반경은 16㎜ 내지 19㎜ 중 하나이고,
상기 제 3 반경은 69㎜ 내지 71㎜ 중 하나이고,
상기 제 4 반경은 74㎜ 내지 76㎜ 중 하나이고,
상기 제 5 반경은 106㎜ 내지 108㎜ 중 하나이고,
상기 제 6 반경은 138㎜ 내지 139.5㎜ 중 하나이고,
상기 제 7 반경은 141㎜ 내지 142㎜ 중 하나이고,
상기 제 8 반경은 144.5㎜ 내지 150㎜ 중 하나인 상부 전극.According to claim 2,
The first radius is one of 3 mm to 5 mm,
The second radius is one of 16 mm to 19 mm,
The third radius is one of 69 mm to 71 mm,
The fourth radius is one of 74 mm to 76 mm,
The fifth radius is one of 106 mm to 108 mm,
The sixth radius is one of 138 mm to 139.5 mm,
The seventh radius is one of 141 mm to 142 mm,
The upper electrode wherein the eighth radius is one of 144.5 mm to 150 mm.
상기 하면의 중심에서의 두께가 15㎜ 내지 25㎜이고,
상기 제 6 프로파일에서의 두께가 8㎜ 내지 12㎜이고,
상기 제 8 프로파일에서의 두께가 14㎜ 내지 17㎜인 상부 전극.The method of claim 1, comprising a silicon single crystal,
The thickness at the center of the lower surface is 15 mm to 25 mm,
The thickness of the sixth profile is 8 mm to 12 mm,
An upper electrode having a thickness of 14 mm to 17 mm in the eighth profile.
상기 하면은,
상기 제 2 프로파일 및 상기 제 4 프로파일 사이에 배치되는 제 3 프로파일;
상기 제 4 프로파일 및 상기 제 6 프로파일 사이에 배치되는 제 5 프로파일; 및
상기 제 6 프로파일 및 상기 제 8 프로파일 사이에 배치되는 제 7 프로파일을 포함하는 상부 전극.According to claim 1,
The bottom of the above is,
a third profile disposed between the second profile and the fourth profile;
a fifth profile disposed between the fourth profile and the sixth profile; and
An upper electrode comprising a seventh profile disposed between the sixth profile and the eighth profile.
상기 제 3 프로파일은 -0.24 내지 0의 제 3 두께 변화율을 가지고,
상기 제 5 프로 파일은 0 내지 0.12의 제 5 두께 변화율을 가지고,
상기 제 7 프로파일은 0 내지 0.13의 제 7 두께 변화율을 가지는 상부 전극.According to claim 8,
The third profile has a third thickness change rate of -0.24 to 0,
The fifth profile has a fifth thickness change rate of 0 to 0.12,
The seventh profile is an upper electrode having a seventh thickness change rate of 0 to 0.13.
상기 제 5 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 멀어질 수록 점점 더 커지고,
상기 제 7 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 멀어질 수록 점점 더 작아지는 상부 전극.The method of claim 9, wherein the third thickness change rate gradually increases as the distance from the center of the lower surface increases,
The fifth thickness change rate gradually increases as the distance from the center of the lower surface increases,
The seventh thickness change rate of the upper electrode gradually becomes smaller as the distance from the center of the lower surface increases.
실리콘 단결정을 포함하고,
상기 제 1 프로파일, 상기 제 2 프로파일, 상기 제 3 프로파일, 상기 제 4 프로파일, 상기 제 5 프로파일, 상기 제 6 프로파일, 상기 제 7 프로파일 및 상기 제 8 프로파일은 일체로 연결되는 상부 전극.According to claim 10,
Contains a silicon single crystal,
An upper electrode in which the first profile, the second profile, the third profile, the fourth profile, the fifth profile, the sixth profile, the seventh profile, and the eighth profile are integrally connected.
상기 반도체 기판을 지지하고, 상기 반도체 기판 아래에 배치되는 정전 척; 및
상기 반도체 기판의 주위를 둘러싸고, 상기 정전 척에 장착되는 포커스 링을 포함하고,
상기 상부 전극은 평평한 상면 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하고,
상기 상면으로부터 상기 하면까지의 두께를 포함하고,
상기 하면은,
상기 하면의 중심 영역에 대응되고, -0.25 내지 0의 제 1 두께 변화율을 가지는 제 1 프로파일;
상기 제 1 프로파일을 둘러싸고, -0.25 내지 -0.24의 제 2 두께 변화율을 가지는 제 2 프로파일;
상기 제 2 프로파일을 둘러싸고, -0.003 내지 0.003의 제 4 두께 변화율을 가지는 제 4 프로파일;
상기 제 4 프로파일을 둘러싸고, 0.13 내지 0.14의 제 6 두께 변화율을 가지는 제 6 프로파일; 및
상기 제 6 프로파일을 둘러싸고, - 0.003 내지 0.003의 제 8 두께 변화율을 가지는 제 8 프로파일을 포함하고,
상기 제 1 두께 변화율, 상기 제 2 두께 변화율, 상기 제 4 두께 변화율, 상기 제 6 두께 변화율 및 상기 제 8 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 상기 상면과 평행한 수평 방향을 따라서 두께의 변화를 반경의 변화로 나눈 값인 반도체 소자 제조 장치.An upper electrode disposed on a semiconductor substrate and forming plasma;
an electrostatic chuck that supports the semiconductor substrate and is disposed below the semiconductor substrate; and
A focus ring surrounds the semiconductor substrate and is mounted on the electrostatic chuck,
The upper electrode includes a flat upper surface and a lower surface opposing the upper surface,
Including the thickness from the upper surface to the lower surface,
The bottom of the above is,
a first profile corresponding to the central region of the lower surface and having a first thickness change rate of -0.25 to 0;
a second profile surrounding the first profile and having a second thickness change rate of -0.25 to -0.24;
a fourth profile surrounding the second profile and having a fourth thickness change rate of -0.003 to 0.003;
a sixth profile surrounding the fourth profile and having a sixth thickness change rate of 0.13 to 0.14; and
Surrounding the sixth profile, comprising an eighth profile having an eighth thickness change rate of -0.003 to 0.003,
The first thickness change rate, the second thickness change rate, the fourth thickness change rate, the sixth thickness change rate, and the eighth thickness change rate are a change in thickness along a horizontal direction parallel to the upper surface from the center of the lower surface with a radius of A semiconductor device manufacturing device whose value is divided by the change.
상기 반도체 기판을 처리하는 단계;를 포함하고,
상기 반도체 소자 제조 장치는
상기 반도체 기판 상에 배치되고, 플라즈마를 형성하는 상부 전극;
상기 반도체 기판을 지지하고, 상기 반도체 기판 아래에 배치되는 정전 척; 및
상기 반도체 기판의 주위를 둘러싸고, 상기 정전 척에 장착되는 포커스 링을 포함하고,
상기 상부 전극은 평평한 상면 및 상기 상면에 대향하는 하면을 포함하고,
상기 상면으로부터 상기 하면까지의 두께를 포함하고,
상기 하면은,
상기 하면의 중심 영역에 대응되고, -0.25 내지 0의 제 1 두께 변화율을 가지는 제 1 프로파일;
상기 제 1 프로파일을 둘러싸고, -0.25 내지 -0.24의 제 2 두께 변화율을 가지는 제 2 프로파일;
상기 제 2 프로파일을 둘러싸고, -0.003 내지 0.003의 제 4 두께 변화율을 가지는 제 4 프로파일;
상기 제 4 프로파일을 둘러싸고, 0.13 내지 0.14의 제 6 두께 변화율을 가지는 제 6 프로파일; 및
상기 제 6 프로파일을 둘러싸고, - 0.003 내지 0.003의 제 8 두께 변화율을 가지는 제 8 프로파일을 포함하고,
상기 제 1 두께 변화율, 상기 제 2 두께 변화율, 상기 제 4 두께 변화율, 상기 제 6 두께 변화율 및 상기 제 8 두께 변화율은 상기 하면의 중심으로부터 상기 상면과 평행한 수평 방향을 따라서 두께의 변화를 반경의 변화로 나눈 값인 반도체 소자의 제조방법.Placing a semiconductor substrate in a semiconductor device manufacturing apparatus; and
Processing the semiconductor substrate; including,
The semiconductor device manufacturing device is
an upper electrode disposed on the semiconductor substrate and forming plasma;
an electrostatic chuck that supports the semiconductor substrate and is disposed below the semiconductor substrate; and
A focus ring surrounds the semiconductor substrate and is mounted on the electrostatic chuck,
The upper electrode includes a flat upper surface and a lower surface opposing the upper surface,
Including the thickness from the upper surface to the lower surface,
The bottom of the above is,
a first profile corresponding to the central region of the lower surface and having a first thickness change rate of -0.25 to 0;
a second profile surrounding the first profile and having a second thickness change rate of -0.25 to -0.24;
a fourth profile surrounding the second profile and having a fourth thickness change rate of -0.003 to 0.003;
a sixth profile surrounding the fourth profile and having a sixth thickness change rate of 0.13 to 0.14; and
Surrounding the sixth profile, comprising an eighth profile having an eighth thickness change rate of -0.003 to 0.003,
The first thickness change rate, the second thickness change rate, the fourth thickness change rate, the sixth thickness change rate, and the eighth thickness change rate are a change in thickness along a horizontal direction parallel to the upper surface from the center of the lower surface with a radius of A method of manufacturing semiconductor devices in which the value is divided by the change.
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|---|---|---|---|
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| JP2024008231A JP7460858B1 (en) | 2023-04-26 | 2024-01-23 | Upper electrode, semiconductor device manufacturing apparatus including the same, and semiconductor device manufacturing method |
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| KR1020230054457A KR102615787B1 (en) | 2023-04-26 | 2023-04-26 | upper elelctrode, semiconductor device manufacturing apparatus including the same and manufacturing method for semiconductor device |
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|---|---|---|---|---|
| US20190244793A1 (en) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | Lam Research Corporation | Tapered upper electrode for uniformity control in plasma processing |
| KR20220138849A (en) * | 2018-02-05 | 2022-10-13 | 램 리써치 코포레이션 | Upper electrode having varying thickness for plasma processing |
| KR20220021514A (en) * | 2020-08-14 | 2022-02-22 | 삼성전자주식회사 | Upper electrode and substrate processing apparatus including the same |
| KR20230039182A (en) * | 2021-09-14 | 2023-03-21 | 주식회사 티이엠 | Modular profiled upper electrode and plasma processing apparatus therewith |
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