KR102592277B1 - 전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents
전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치 및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치(1) 및 방법(2)에 관한 것이며, 장치는 상기 전자 구성요소(101)가 이미지 캡처 유닛(102)의 시야(FOV) 내에 있는 구성에 배열되는 이미지 캡처 유닛(102); 및 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(104, 106, 107)으로 구성되며; 상기 이미지 캡처 유닛(102) 및 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 그들의 개별적 수평 평면(ICHP, IRHP)과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사지며 그것에 의해 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 상기 전자 구성요소(101)의 적어도 하나의 내부 결함(108)을 조명할 수 있고; 상기 전자 구성요소(101)는 그것의 수평 평면(ECHP)과 관련하여 0°의 각도로 위치된다.
Description
본 발명은 전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이며, 장치는 상기 전자 구성요소가 이미지 캡처 유닛의 시야(FOV) 내에 있는 구성에 배열되는 이미지 캡처 유닛; 및 적어도 하나의 적외선(IR) 광원으로 구성되고; 상기 이미지 캡처 유닛 및 상기 IR 광원은 그들의 개별적 수평 평면과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사지며 그것에 의해 상기 IR 광원은 상기 전자 구성요소의 적어도 하나의 내부 결함을 조명할 수 있고; 상기 전자 구성요소는 그것의 수평 평면과 관련하여 0°의 각도로 위치된다.
다이 후면측 칩핑은 웨이퍼 쏘우(wafer saw) 후에 다이의 후면 표면의 에지들을 따라 칩핑의 존재가 있는 파손 메커니즘이다. 그 결과, 다이의 후면 측면은 후면측 에지들의 다수의 부분을 기계적으로 분리하고 제거했던 작은 칩에 의해 야기되는 거친 에지들을 가질 것이다. 간접적으로, 이것은 다이 균열을 나중에 초래할 수 있는 스트레스가 많은 쏘잉 동작의 징후이다. 부적절한 장비 셋업은 힘으로 다이 상에 올라서고 그것의 일부를 우연히 떨어져 나가게 할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 쏘잉 후에 후면측 핍핑의 징후는 신속히 처리되어야 한다.
Nikoonahad 등의 US 제5883710 A호는 고감도 및 고속 처리 표면 검사 시스템이 집속 광 빔을 검사될 표면을 향해 그레이징 각도로 지향시키는 것을 개시하였다. 상대 모션은 빔이 실질적으로 전체 표면을 커버하는 스캔 경로를 스캔하고 경로를 따라 산란되는 광이 이상현상을 검출하기 위해 수집되도록 빔과 표면 사이에서 야기된다. 스캔 경로는 직선 스캔 경로 세그먼트들의 복수의 어레이를 포함한다. 집속 광 빔은 5 내지 15 미크론 폭 사이의 표면의 구역을 조명하고 이러한 시스템은 150 밀리미터 직경 웨이퍼들(6 인치 웨이퍼들)에 대해 시간당 약 40개의 웨이퍼를 초과하여, 200 밀리미터 직경 웨이퍼들(8 인치 웨이퍼들)에 대해 시간당 약 20개의 웨이퍼를 초과하여 그리고 300 밀리미터 직경 웨이퍼들(12 인치 웨이퍼들)에 대해 시간당 약 10개의 웨이를의 초과하여 검사할 수 있다. 그러나, US 제5883710 A호는 집중적으로 표면 결함 검사를 위한 것인 한편, 본 발명은 반도체 디바이스들의 내부 결함들의 존재 또는 부재를 검출하기 위한 것이다. 그것 외에, 본 발명은 표면 결함들 및 내부 결함들을 식별하고 구별할 수 있다.
더욱이, John S. Batchelder에 의한 US 제4740708 A호에 개시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 표면의 검사를 위한 시스템 및 절차가 제공된다.
이러한 시스템 및 방법은 미립자 오염물질들이 집적된 전기 회로들의 제조 동안 표면으로부터 적절히 세척되는 것을 확인한다는 것을 목표로 한다. 웨이퍼는 스캔 라인 상의 위치의 함수로서 웨이퍼 표면으로부터 정상적으로 반사되는 광 강도들을 기록하기 위해, 제1 방향으로 전진되고 제1 방향에 대해 가로인 제2 방향으로 광학적으로 스캔된다. 고강도 반사는 복수의 광검출기를 갖는 적분 반구에 의해 입자들의 검사에 적절한 매끄러운 평평한 표면을 나타낸다. 약한 반사는 웨이퍼 표면 상의 입자들의 조사에 불리한 기복들 및 패턴화된 영역들을 나타낸다. 제2 스캔은 제1 스캔과 동일한 라인을 재스캔하기 위해 웨이퍼의 모션을 보상하도록 옆으로 오프셋된다. 적분구 내의 광검출기들은 제1 스캔으로부터 결정되는 적절한 검사 부위들의 위치들에서 제2 스캔 동안 온 및 오프로 게이팅된다. 이러한 방법은 시스템 및 방법이 미세 균열들과 같은 내면 결함들 또는 내부 결함들의 존재 및 부재를 검사 및 검출할 수 없으므로, US 제5883710 A호와 같이 제한을 접한다.
따라서, 전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치 및 방법을 가져서 상기 전자 구성요소를 적외선(IR) 조명 투사에 관한 상이한 각도뿐만 아니라 상기 전자 구성요소를 향하는 이미지 캡처 유닛의 상이한 각도로 검사함으로써 결점들을 완화하는 것이 유리할 것이다, 상기 이미지 캡처 유닛 및 상기 IR 광원은 그들의 개별적 수평 평면과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사진다.
따라서, 본 발명의 일차 목적은 전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이며 그것에 의해 상기 장치 및 방법은 표면 결함들 및 내부 결함들을 구별할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이며 그것에 의해 상기 장치 및 방법은 이미지 처리를 위해 결함의 영역과 비결함들의 영역 사이에 상당한 콘트라스트틀 생성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이며 그것에 의해 상기 장치 및 방법은 오버킬 속도를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 전자 구성요소의 내부 결함들을 수행하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이며 그것에 의해 상기 방법은 제조 처리량들을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 추가 목적들은 본 발명의 이하의 상세한 설명의 이해로 또는 실시에서의 본 발명의 채용 시 분명해질 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 다음이 제공된다:
전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치는,
상기 전자 구성요소가 이미지 캡처 유닛의 시야(FOV) 내에 있는 구성에 배열되는 이미지 캡처 유닛; 및
적어도 하나의 적외선(IR) 광원으로 구성되며;
상기 이미지 캡처 유닛 및 상기 IR 광원은 그들의 개별적 수평 평면과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사지며 그것에 의해 상기 IR 광원은 상기 전자 구성요소의 적어도 하나의 내부 결함을 조명할 수 있고;
상기 전자 구성요소는 그것의 수평 평면과 관련하여 0°의 각도로 위치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 이하가 제공된다:
전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 방법은 이하의 단계, 즉,
(i) 상기 전자 구성요소를 제1 스테이션으로부터 검사 스테이션으로 운반하는 단계;
(ii) 적어도 하나의 적외선(IR) 광원과 함께 이미지 캡처 유닛에 의해 상기 전자 구성요소의 제1 측면을 검사하는 단계;
(iii) 상기 이미지 캡처 유닛 및 상기 IR 광원을 그들의 개별적 수평 평면을 따라 회전시키고 상기 IR 광원 및 이미지 캡처 유닛의 회전 후에 상기 이미지 캡처 유닛에 의해 상기 전자 구성요소의 제2 측면을 검사하는 단계;
(iv) 상기 전자 구성요소의 4개의 측면 검사를 위해, (iii) 상기 이미지 캡처 유닛 및 상기 IR 광원을 그들의 개별적 수평 평면을 따라 회전시키고 상기 IR 광원 및 이미지 캡처 유닛의 회전 후에 상기 이미지 캡처 유닛에 의해 상기 전자 구성요소의 제2 측면을 검사하는 단계를 반복하는 단계; 및
(v) 상기 전자 구성요소를 제2 스테이션으로 이송하는 단계로 구성되며;
상기 이미지 캡처 유닛 및 상기 IR 광원은 그들의 개별적 수평 평면과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사지며 그것에 의해 상기 IR 광원은 다이싱 및 어셈블리 공정에 의해 야기되는 상기 전자 구성요소의 적어도 하나의 내부 결함을 조명할 수 있고;
상기 전자 구성요소는 그것의 수평 평면과 관련하여 0°의 각도로 위치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 양태 및 그들의 장점들은 첨부 도면들과 함께 상세한 설명을 연구한 후에 분간될 것이다:
도 1a는 이미지 캡처 유닛 및 적외선(IR) 광원이 상기 전자 구성요소의 제1 표면을 향하고 IR 광원이 상기 전자 구성요소의 하나의 측벽에 위치되는 동안 본 발명의 예시적 도해를 도시한다.
도 1b는 이미지 캡처 유닛 및 IR 광원이 상기 전자 구성요소의 제1 표면을 향하고 IR 광원이 상기 전자 구성요소의 다른 측벽에 위치되는 동안 본 발명의 예시적 도해를 도시한다.
도 1c는 이미지 캡처 유닛 및 IR 광원이 상기 전자 구성요소의 제1 표면을 향하고 반사기가 상기 전자 구성요소의 제2 표면을 향하는 동안 본 발명의 다른 예시적 도해를 도시한다.
도 1d는 내장 IR 광원이 내장된 이미지 캡처 유닛이 상기 전자 구성요소의 제1 표면을 향하고 반사기가 상기 전자 구성요소의 제2 표면을 향하는 동안 본 발명의 다른 예시적 도해를 도시한다.
도 1e는 이미지 캡처 유닛 및 IR 광원이 상기 전자 구성요소의 제1 표면을 향하고 IR 광원들 중 하나가 상기 전자 구성요소의 전면 뷰에 위치되고 다른 2개의 IR 광원 상기 전자 구성요소의 좌측 측벽 및 우측 측벽 각각에 위치되고, 반사기가 상기 전자 구성요소의 제2 표면을 향하는 동안 본 발명의 다른 예시적 도해를 도시한다.
도 2는 전자 구성요소 내의 내부 결함들을 검출하는 동안 본 발명의 예시적 방법 흐름을 도시한다.
도 3a는 전자 구성요소의 표면 결함들을 검출하는 동안 본 발명의 예시적 이미지 샘플을 도시한다.
도 3b는 전자 구성요소의 표면 결함들을 검출하는 동안 본 발명의 다른 예시적 이미지 샘플을 도시한다.
도 3c는 전자 구성요소의 표면 결함들을 검출하는 동안 고파워 범위 이미지의 예시적 도해를 도시한다.
도 1a는 이미지 캡처 유닛 및 적외선(IR) 광원이 상기 전자 구성요소의 제1 표면을 향하고 IR 광원이 상기 전자 구성요소의 하나의 측벽에 위치되는 동안 본 발명의 예시적 도해를 도시한다.
도 1b는 이미지 캡처 유닛 및 IR 광원이 상기 전자 구성요소의 제1 표면을 향하고 IR 광원이 상기 전자 구성요소의 다른 측벽에 위치되는 동안 본 발명의 예시적 도해를 도시한다.
도 1c는 이미지 캡처 유닛 및 IR 광원이 상기 전자 구성요소의 제1 표면을 향하고 반사기가 상기 전자 구성요소의 제2 표면을 향하는 동안 본 발명의 다른 예시적 도해를 도시한다.
도 1d는 내장 IR 광원이 내장된 이미지 캡처 유닛이 상기 전자 구성요소의 제1 표면을 향하고 반사기가 상기 전자 구성요소의 제2 표면을 향하는 동안 본 발명의 다른 예시적 도해를 도시한다.
도 1e는 이미지 캡처 유닛 및 IR 광원이 상기 전자 구성요소의 제1 표면을 향하고 IR 광원들 중 하나가 상기 전자 구성요소의 전면 뷰에 위치되고 다른 2개의 IR 광원 상기 전자 구성요소의 좌측 측벽 및 우측 측벽 각각에 위치되고, 반사기가 상기 전자 구성요소의 제2 표면을 향하는 동안 본 발명의 다른 예시적 도해를 도시한다.
도 2는 전자 구성요소 내의 내부 결함들을 검출하는 동안 본 발명의 예시적 방법 흐름을 도시한다.
도 3a는 전자 구성요소의 표면 결함들을 검출하는 동안 본 발명의 예시적 이미지 샘플을 도시한다.
도 3b는 전자 구성요소의 표면 결함들을 검출하는 동안 본 발명의 다른 예시적 이미지 샘플을 도시한다.
도 3c는 전자 구성요소의 표면 결함들을 검출하는 동안 고파워 범위 이미지의 예시적 도해를 도시한다.
이하의 상세한 설명에서, 다수의 특정 상세들은 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위해 제시된다. 그러나, 본 발명이 이들 특정 상세들 없이 실시될 수 있다는 점이 당업자들에 의해 이해될 것이다. 다른 사례들에서, 널리 공지된 방법들, 절차들 및/또는 구성요소들은 분 발명을 모호하게 하지 않도록 상세히 설명되지 않았다.
본 발명은 축척에 따라 도시되지 않은 첨부 도면들과 관련하여 예로서만 주어지는, 그것의 실시예들의 이하의 설명으로부터 더 분명히 이해될 것이다.
본원에서 이러한 개시 첨부된 청구항들에 사용되는 바와 같이, 단수 형태들 "하나의(a, an)" 및 "상기(the)"는 맥락이 달리 분명히 지시하거나 표시하지 않는 한 복수의 지시대상을 포함한다.
이 명세서의 개시 및 청구항들에 걸쳐, 단어 "포함하다" 및 단어의 변형들, 예컨대 "포함하는" 및 "포함하고 있는"은 "포함하지만 제한되지 않는"을 의미하고, 예를 들어, 다른 구성요소들, 정수들 또는 단계들을 배제하도록 의도되지 않는다. "예시적"은 "의 일 예"를 의미하고 바람직한 또는 이상적 실시예의 표시를 전달하도록 의도되지 않으며, "예컨대"는 제한적 의미로 사용되는 것이 아니라, 설명적 목적을 위해 사용된다.
전형적으로, 본 발명은 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치(1)를 청구하고 있으며, 장치는 상기 전자 구성요소(101)가 이미지 캡처 유닛(102)의 시야(FOV) 내에 있는 구성에 배열되고 상기 전자 구성요소(101)의 제1 표면(114)을 향하여 상기 내부 결함들(108)의 이미지를 캡처하는 이미지 캡처 유닛(102)으로 구성된다. 부가적으로, 상기 장치는 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(104, 106, 107)으로 더 구성되며 상기 이미지 캡처 유닛(102) 및 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 그들의 개별적 수평 평면(ICHP, IRHP)과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사지며 그것에 의해 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 상기 전자 구성요소(101)의 적어도 하나의 내부 결함(108)을 조명할 수 있다. 상기 셋업을 가짐으로써, 상기 전자 구성요소(101)의 상이한 층들은 검사되고 검출될 수 있다. 상기 전자 구성요소(101)는 그것의 수평 평면(ECHP)과 관련하여 0°의 각도로 위치된다. 이미징 유닛(102) 및 IR 광원(104, 106, 107)의 상이한 셋업 및 배열은 도 1a 내지 도 1e에 설명된다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 전자 구성요소(101)에서 미세 균열들 또는 내부 균열들과 같은 내부 결함들(108)을 검출하기 위한 예시적 도해들이 도시된다. 이미지 캡처 유닛(102) 및 IR 광원(104, 106, 107)은 상기 전자 구성요소(101)의 제1 표면(114)을 향하고 있으며 그것에 의해 상기 이미지 캡처 유닛(102) 및 IR 광원(104, 106, 107)은 그들의 개별적 수평 평면(ICHP)(IRHP)과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 경사지는 것에 의해 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 상기 전자 구성요소(101)의 적어도 하나의 내부 결함(108)을 조명할 수 있다. 상기 전자 구성요소(101)는 그것의 수평 평면(ECHP)과 관련하여 0°의 각도로 위치된다. 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 전면 측면 적외선(IR) 광원(104), 측면 IR 광원(106, 107) 또는 그것의 조합을 포함한다. 상기 측면 IR 광원(106, 107)은 도 1a에 예시된 바와 같이 상기 전자 구성요소(101)의 우측 측면에 위치될 수 있거나 대안적으로 상기 측면 IR 광원(106, 107)은 도 1b에서 입증된 바와 같이 전자 구성요소(101)의 좌측 측면에 위치될 수 있다. 제1 표면(114)은 상기 전자 구성요소(101)의 후면 측면을 언급하는 반면 제2 표면(116)은 상기 전자 구성요소(101)의 범프 측면을 포함한다.
이제 도 1c를 참조하면, 반사기(118) 및 적어도 하나의 후면 측면 적외선(BSIR) 광원(110)과 함께 이미지 캡처 유닛(102) 및 전면 IR 광원(104)의 다른 배열이 도시된다. 이러한 구성 하에, 이미지 캡처 유닛(102) 및 전면 IR 광원(104)은 상기 전자 구성요소(101)의 제1 표면(114)을 향하고 있고, 이미지 캡처 유닛(102) 및 전면 IR 광원(104)은 그들의 개별적 수평 평면(ICHP, IRHP)과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 경사진다. 이외에, 상기 반사기(118) 및 BSIR 광원(110)은 상기 전자 구성요소(101)의 제2 표면(116)을 향하고 있고 상기 반사기(118)는 상기 전자 구성요소(101)와 평행하게 배열되고 상기 전자 구성요소(101)와 BSIR 광원(110) 사이에 위치된다. BSIR 광원(110)은 그것의 수평 평면(BSHP)과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 배열되고 경사진다. 상기 반사기(118)는 IR 검사 처리를 위해 더 좋은 이미지 품질을 획득하도록 잡음 필터링 도구로서의 역할을 한다. 대안적으로, 내장 FSIR 광원(112)은 이미지 캡처 유닛(102)으로 내장되며 그것에 의해 이미지 캡처 유닛(102)은 도 1d에 예시된 바와 같이 단일 유닛으로서 상기 내장 FSIR 광원(112)과 함께 동작한다.
도 1e에 예증된 바와 같이, 본 발명의 다른 레이아웃이 도시된다. 상기 전자 구성요소(101)의 제1 표면(114)을 향하는 전면 측면 적외선(FSIR) 광원(104) 및 이미지 캡처 유닛(102)뿐만 아니라 상기 전자 구성요소(101)의 제2 표면(116)을 향하는 반사기(118)가 있다. 게다가, 측면 IR 광원(106)은 상기 전자 구성요소(101)의 우측 측면에 위치되는 한편 다른 IR 광원(107)은 상기 전자 구성요소(101)의 좌측 측면에 위치된다. FSIR 광원(104), 이미지 캡처 유닛(102), 및 측면 IR 광원(106, 107)은 그들의 개별적 수평 평면(ICHP, IRHP)과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사진다.
도 2에 예시된 바와 같이, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 예시적 방법(2)이 도시된다. (i) 상기 전자 구성요소(101)는 제1 스테이션으로부터 검사 스테이션으로 운반되고(201), (ii) 이미지 캡처 유닛(102)은 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(104, 106, 107)과 함께 상기 전자 구성요소(101)의 제1 측면을 검사하고(203), 그 후에, (iii) 상기 이미지 캡처 유닛(102) 및 상기 IR 광원(104, 106, 107)을 그들의 개별적 수평 평면을 따라 회전시키고 상기 IR 광원(104, 106, 107) 및 이미지 캡처 유닛(102)의 회전 후에 상기 이미지 캡처 유닛(102)에 의해 상기 전자 구성요소(101)의 제2 측면을 검사하고(205); 상기 전자 구성요소(101)의 4개의 측면 검사를 위해, (iii) 상기 이미지 캡처 유닛(102) 및 상기 IR 광원(104, 106, 107)을 그들의 개별적 수평 평면을 따라 회전시키고 상기 IR 광원(104, 106, 107) 및 이미지 캡처 유닛(102)의 회전 회전 후에 상기 이미지 캡처 유닛(102)에 의해 상기 전자 구성요소(101)의 제2 측면을 검사하는 단계(205)를 반복하고(207); 및 (v) 상기 전자 구성요소(101)를 제2 스테이션으로 이송한다(209). 이미지 캡처 유닛(102) 및 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 그들의 개별적 수평 평면(ICHP, IRHP)과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사지며 그것에 의해 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 다이싱 및 어셈블리 공정에 의해 야기되는 상기 전자 구성요소(101)의 적어도 하나의 내부 결함(108)을 조명할 수 있고 상기 전자 구성요소(101)는 그것의 수평 평면(ECHP)과 관련하여 0°의 각도록 위치된다. 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 전면 측면 적외선(FSIR) 광원(104), 측면 IR 광원(106, 107) 또는 그것의 조합을 포함한다.
부가적으로, 상기 방법(2)은 (i) 상기 전자 구성요소(101)를 제1 스테이션으로부터 검사 스테이션으로 운반하는 단계(201) 전에, 픽 앤 플레이스 모듈에 의해 상기 전자 구성요소(101)를 집고 그 후에 내부 결함 검사를 위해 상기 검사 스테이션에 상기 전자 구성요소(101)를 놓는 단계로 더 구성된다. 제1 스테이션은 픽 앤 플레이스 스테이션, 레이저 마킹 스테이션, 테스트 스테이션 등일 수 있다. 제2 스테이션은 테이프 릴, 트레이, 비전 검사 스테이션 등을 포함한다. 반사기(118)에 의해 상기 전자 구성요소(101)의 잡음을 필터링하는 단계는 상기 방법(2)에 임의로 포함된다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 표면 결함들이 상기 장치(1) 및 전술한 셋업을 사용함으로써 검출되는 상황에 본 발명의 이미지 샘플(3A)이 있다. 이미지는 표면 결함들, 다이 후면 칩핑(301)을 나타내는 상단 백색 라인 상에 더 어두운 콘트라스트를 나타낸다. 도 3b는 표면 결함들을 검출하는 동안 본 발명의 다른 이미지 샘플을 도시하는 반면, 도 3c는 상단 백색 라인 상에 더 어두운 콘트라스트를 생성하지 않는 고파워 범위 이미지를 도시한다. 도 3a 및 도 3b에 예시된 바와 같이, 상기 장치(1)에 의한 이미지 샘플 제조는 이미지 처리를 위해 상당한 콘트라스트를 생성할 수 있고 그 후에 표면 결함들 및 내부 결함들을 구별할 수 있다. 따라서, 그것은 전자 구성요소(101)의 오버킬 속도를 감소시킬 수 있다.
Claims (12)
- 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치(1)로서,
상기 전자 구성요소(101)가 이미지 캡처 유닛(102)의 시야(FOV) 내에 있는 구성으로 배열되는 이미지 캡처 유닛(102); 및
적어도 하나의 적외선(IR) 광원(104, 106, 107)을 포함하고;
상기 전자 구성요소(101)는 제1 표면(114) 및 제2 표면(116)을 포함하고;
상기 이미지 캡처 유닛(102) 및 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 이들의 개별적 수평 평면(ICHP, IRHP)과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사지고, 이에 의해 상기 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 상기 전자 구성요소(101)의 적어도 하나의 내부 결함(108)을 조명할 수 있고;
상기 전자 구성요소(101)는 그 수평 평면(ECHP)과 관련하여 0°의 각도로 위치되고;
상기 장치(1)는 상기 전자 구성요소(101)의 상기 제2 표면(116)을 향하고 상기 전자 구성요소(101)와 평행하게 배열되는 반사기(118)를 추가로 포함하는, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치(1). - 제1항에 있어서, 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 전면 측면 적외선(FSIR) 광원(104), 측면 IR 광원(106, 107), 또는 이들의 조합을 포함하는, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치(1).
- 제1항에 있어서, 상기 장치(1)는 수평 평면(BSHP)과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사지는 적어도 하나의 후면 측면 적외선(BSIR) 광원(110)을 추가로 포함하는, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치(1).
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이미지 캡처 유닛(102)은 내장 FSIR 광원(112) 또는 외부 FSIR 광원(104)으로 구성되는, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치(1).
- 제1항에 있어서, 상기 전자 구성요소(101)의 상기 제1 표면(114)은 후면 측면으로 구성되고, 상기 전자 구성요소(101)의 상기 제2 표면(116)은 범프 측면으로 구성되는, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치(1).
- 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 방법(2)으로서, 상기 방법은 이하의 단계들:
(i) 상기 전자 구성요소(101)를 제1 스테이션으로부터 검사 스테이션으로 운반하는 단계(201);
(ii) 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(104, 106, 107)과 함께 이미지 캡처 유닛(102)에 의해 상기 전자 구성요소(101)의 제1 측면을 검사하는 단계(203);
(iii) 상기 이미지 캡처 유닛(102) 및 상기 IR 광원(104, 106, 107)을 이들의 개별적 수평 평면을 따라 회전시키고 상기 IR 광원(104, 106, 107) 및 이미지 캡처 유닛(102)의 회전 후에 상기 이미지 캡처 유닛(102)에 의해 상기 전자 구성요소(101)의 제2 측면을 검사하는 단계(205);
(iv) 상기 전자 구성요소(101)의 4개의 측면 검사를 위해, (iii) 상기 이미지 캡처 유닛(102) 및 상기 IR 광원(104, 106, 107)을 이들의 개별적 수평 평면을 따라 회전시키고 상기 IR 광원(104, 106, 107) 및 이미지 캡처 유닛(102)의 회전 후에 상기 이미지 캡처 유닛(102)에 의해 상기 전자 구성요소(101)의 제2 측면을 검사하는 단계(205)를 반복하는 단계(207); 및
(v) 상기 전자 구성요소(101)를 제2 스테이션으로 이송하는 단계(209)를 포함하고;
상기 이미지 캡처 유닛(102) 및 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 이들의 개별적 수평 평면(ICHP, IRHP)과 관련하여 0°내지 360°의 각도로 위치되고 경사지고, 이에 의해 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 다이싱 및 어셈블리 공정에 의해 야기되는 전자 구성요소(101)의 적어도 하나의 내부 결함(108)을 조명할 수 있고;
상기 전자 구성요소(101)는 그 수평 평면(ECHP)과 관련하여 0°의 각도로 위치되고;
상기 방법(2)은 반사기(118)에 의해 상기 전자 구성요소(101)의 잡음을 필터링하는 단계로 추가로 포함하는, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 방법(2). - 제6항에 있어서, 상기 방법은 (i) 상기 전자 구성요소(101)를 제1 스테이션으로부터 검사 스테이션으로 운반하는 단계(201) 전에, 픽 앤 플레이스 모듈에 의해 상기 전자 구성요소(101)를 집고 그 후에 내부 결함 검사를 위해 상기 검사 스테이션에 상기 전자 구성요소(101)를 놓는 단계로 더 구성되는, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 방법(2).
- 제6항에 있어서, 상기 제1 스테이션은 픽 앤 플레이스 스테이션, 레이저 마킹 스테이션, 테스트 스테이션을 포함하는, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 방법(2).
- 제6항에 있어서, 상기 제2 스테이션은 테이프 릴, 트레이, 비전 검사 스테이션을 포함하는, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 방법(2).
- 제6항에 있어서, 상기 IR 광원(104, 106, 107)은 전면 측면 적외선(FSIR) 광원(104), 측면 IR 광원(106, 107) 또는 이들의 조합을 포함하는, 전자 구성요소(101)의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 방법(2).
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|---|---|---|---|---|
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| DE202009017691U1 (de) * | 2009-09-02 | 2010-05-20 | Gp Inspect Gmbh | Vorrichtung zur Detektion von Defekten in einem Objekt |
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