KR102574673B1 - 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 난삭제 등으로 형성되는 피가공물을 가공하는 경우에 있어서, 가공 지석의 마모를 억제하며 원활하게 가공할 수 있도록 하는 것을 과제로 한다.
피가공물(W)을 유지하는 유지면(300a)을 갖는 유지 테이블(30)로 피가공물(W)을 유지하는 유지 단계와, 유지 단계를 실시한 후, 지립을 비트리파이드로 결합한 가공 지석(74a)을 포함하는 가공 수단(7)으로 피가공물(W)을 가공하는 가공 단계를 포함하고, 가공 단계에서는 피가공물(W)에 가공수를 공급함과 아울러, 미리 정해진 파장의 광을 광 조사 수단(9)으로부터 가공 지석(74a)의 가공면에 조사하는 가공 방법이다.

Description

가공 방법{MACHINING METHOD}
본 발명은 지립을 비트리파이드로 결합한 가공 지석으로 피가공물을 가공하는 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 판형의 피가공물은, 연삭되어 미리 정해진 두께로 박화된 후에, 절삭에 의해 분할되어 개개의 디바이스 칩이 되어, 각종 전자 기기 등에 이용되고 있다. 그리고, 웨이퍼가, 질화갈륨(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 또는 갈륨비소(GaAs) 등의 난삭제로 형성되어 있는 경우에는, 지립을 비트리파이드로 결합한 연삭 지석을 이용한 연삭 방법(예컨대, 특허문헌 1 참조) 및 지립을 비트리파이드로 결합한 절삭 지석을 이용한 절삭 방법(예컨대, 특허문헌 2 참조)이 널리 이용되고 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2014 -124690호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2013 -219215호 공보
그러나, 상기 방법 중 어느 것에 있어서도, 지석의 마모량이 필요 이상으로 심하여 생산 비용이 높아진다고 하는 문제가 있다. 또한, 난삭제로 형성되는 피가공물의 가공 시에는 지석의 가공 능력이 저하하여, 생산성이 저하한다고 하는 문제가 있다. 또한, 지석에 의한 가공 위치에 금속이 포함되어 있는 피가공물을 가공하는 경우도, 금속의 연성에 의해 가공이 곤란해진다고 하는 문제가 있다.
따라서, 난삭제 등으로 형성되는 피가공물을 가공하는 경우에 있어서는, 가공 지석의 과도한 마모를 억제하며 원활하게 안정된 가공을 할 수 있도록 한다고 하는 과제가 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 피가공물의 가공 방법으로서, 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블로 피가공물을 유지하는 유지 단계와, 상기 유지 단계를 실시한 후, 지립을 비트리파이드로 결합한 가공 지석을 포함하는 가공 수단으로 피가공물을 가공하는 가공 단계를 포함하고, 상기 가공 단계에서는 피가공물에 가공수를 공급함과 아울러, 미리 정해진 파장의 광을 광 조사 수단으로부터 상기 가공 지석의 가공면에 조사하는 가공 방법이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 상기 가공 수단은 상기 가공 지석을 구비하는 절삭 블레이드를 구비하고, 상기 가공 단계에서는 상기 절삭 블레이드로 피가공물을 절삭하는 가공 방법이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 상기 가공 수단은 상기 가공 지석을 구비하는 연삭 휠을 구비하고, 상기 가공 단계에서는 상기 연삭 휠로 피가공물을 연삭하는 가공 방법이다.
본 발명에 따른 피가공물의 가공 방법은, 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블로 피가공물을 유지하는 유지 단계와, 유지 단계를 실시한 후, 지립을 비트리파이드로 결합한 가공 지석을 포함하는 가공 수단으로 피가공물을 가공하는 가공 단계를 포함하고, 가공 단계에서는 피가공물에 가공수를 공급함과 아울러, 미리 정해진 파장의 광을 광 조사 수단으로부터 가공 지석의 가공면에 조사함으로써, 예컨대 가공 지석을 친수화시켜 가공수에 의한 냉각 효과를 향상시켜 가공 지석의 과도한 마모를 억제하며, 가공 부스러기의 배출성을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 가공 지석의 친수화 등에 의해, 가공 지석의 가공 영역에 효과적으로 가공수가 공급되기 때문에, 가공열에 의한 가공 품질의 악화를 방지할 수 있어, 피가공물이 난삭제로 형성된 웨이퍼라도 원활하게 안정된 가공을 실시하는 것이 가능해진다.
도 1은 연삭 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 연삭 수단, 유지 테이블 및 광 조사 수단의 위치 관계의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 3은 유지 테이블에 유지된 피가공물을 연삭 지석으로 연삭하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4의 (a)는 연삭 가공 중에 있어서의 연삭 휠의 회전 궤적과 가공 지석에 의한 피가공물의 가공 영역과 광 조사 수단의 위치 관계를 상방에서 본 경우의 설명도이다. 도 4의 (b)는 가공면에 광이 조사된 직후의 가공 지석이 피가공물에 절입되어 있는 상태를 측방에서 본 경우의 설명도이다.
도 5는 연삭 가공 중에 발광부 상의 커버에 세정수를 공급하고 있는 상태를 부분적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 실험 1을 실시하여 얻은 연삭 시에 있어서의 가공 지석의 가공면에 대한 파장 365 ㎚의 자외광 조사의 효과를 나타내는 플롯도이다.
도 7은 절삭 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 8은 피가공물을 유지한 유지 테이블 및 절삭 수단을 나타내는 단면도이다.
도 9는 유지 테이블에 유지된 피가공물을 절삭 수단으로 절삭하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
(실시형태 1)
도 1에 나타내는 연삭 장치(1)는, 유지 테이블(30) 상에 유지된 피가공물(W)을 연삭 휠(74)을 구비하는 가공 수단(7)에 의해 연삭하는 장치이다. 연삭 장치(1)의 베이스(10) 상의 전방측(-Y 방향측)은, 유지 테이블(30)에 대하여 피가공물(W)의 착탈이 행해지는 영역인 착탈 영역(A)으로 되어 있고, 베이스(10) 상의 후방은, 가공 수단(7)에 의해 피가공물(W)의 연삭이 행해지는 영역인 가공 영역(B)으로 되어 있다. 베이스(10) 상의 전방측에는, 오퍼레이터가 연삭 장치(1)에 대하여 가공 조건 등을 입력하기 위한 입력 수단(12)이 배치되어 있다.
유지 테이블(30)은, 예컨대, 그 외형이 원형상이며, 피가공물(W)을 흡착하는 흡착부(300)와, 흡착부(300)를 지지하는 프레임(301)을 구비한다. 흡착부(300)는 도시하지 않는 흡인원에 연통하여, 흡착부(300)의 노출면인 유지면(300a) 상에서 피가공물(W)을 흡인 유지한다. 유지 테이블(30)의 유지면(300a)은, 유지 테이블(30)의 회전 중심을 정점으로 하는 매우 완만한 경사를 구비하는 원추면으로 형성되어 있다. 유지 테이블(30)은, 커버(31)에 의해 주위로부터 둘러싸여 있고, Z축 방향의 축심 둘레로 회전 가능하며, 커버(31) 및 커버(31)에 연결된 주름상자 커버(31a)의 하방에 배치된 도시하지 않는 Y축 방향 이송 수단에 의해, 착탈 영역(A)과 가공 영역(B) 사이를 Y축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다.
가공 영역(B)에는, 칼럼(11)이 세워서 마련되어 있고, 칼럼(11)의 측면에는 가공 수단(7)을 Z축 방향으로 연삭 이송하는 연삭 이송 수단(5)이 배치되어 있다. 연삭 이송 수단(5)은, Z축 방향의 축심을 갖는 볼나사(50)와, 볼나사(50)와 평행하게 배치된 한쌍의 가이드 레일(51)과, 볼나사(50)의 상단에 연결하여 볼나사(50)를 회동시키는 모터(52)와, 내부의 너트가 볼나사(50)에 나사 결합하여 측부가 가이드 레일(51)에 미끄럼 접촉하는 승강판(53)과, 승강판(53)에 연결되어 가공 수단(7)을 유지하는 홀더(54)로 구성되고, 모터(52)가 볼나사(50)를 회동시키면, 이에 따라 승강판(53)이 가이드 레일(51)로 가이드되어 Z축 방향으로 왕복 이동하고, 홀더(54)에 유지된 가공 수단(7)이 Z축 방향으로 연삭 이송된다.
가공 수단(7)은, 축 방향이 Z축 방향인 회전축(70)과, 회전축(70)을 회전 가능하게 지지하는 하우징(71)과, 회전축(70)을 회전 구동하는 모터(72)와, 회전축(70)의 선단에 연결된 마운트(73)와, 마운트(73)의 하면에 착탈 가능하게 장착된 연삭 휠(74)을 구비한다.
연삭 휠(74)은, 환형의 휠 베이스(74b)와, 휠 베이스(74b)의 바닥면(자유 단부)에 환형으로 배치된 복수의 대략 직방체 형상의 가공 지석(74a)으로 구성된다. 가공 지석(74a)은, 유리질, 세라믹질의 본드제인 비트리파이드로 다이아몬드 지립을 결합한 것이다. 비트리파이드로서는, 예컨대, 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하여, 융점을 제어하기 위해 미량의 첨가제를 부가하여도 좋다. 또한, 가공 지석(74a)의 형상은, 일체의 환형을 형성하고 있는 것이어도 좋다.
도 1에 나타내는 회전축(70)의 내부에는, 가공수 공급 수단(8)에 연통하여 가공수의 통로가 되는 유로(70a)가, 회전축(70)의 축 방향(Z축 방향)으로 관통하여 마련되어 있고, 유로(70a)를 통과한 가공수는, 마운트(73)를 지나, 휠 베이스(74b)로부터 가공 지석(74a)을 향하여 분출할 수 있게 되어 있다.
도 1에 나타내는 가공수 공급 수단(8)은, 예컨대, 물(예컨대, 순수)을 비축한 가공수원(80)과, 가공수원(80)에 접속되며 유로(70a)에 연통하는 배관(81)과, 배관(81) 상의 임의의 위치에 배치되어 가공수의 유량을 조정하는 조정 밸브(82)를 구비한다.
연삭 장치(1)는, 도 1, 2에 나타내는 바와 같이, 예컨대 유지 테이블(30)에 인접하여 배치되고, 유지 테이블(30)로 유지된 피가공물(W)을 연삭하는 가공 지석(74a)의 가공면(하면)에 미리 정해진 파장의 광을 조사하는 광 조사 수단(9)을 구비하고 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 광 조사 수단(9)은, 예컨대, 대략 원호형의 외형을 구비한 받침대(90)와, 받침대(90)의 상면에 복수(도시된 예에 있어서는 4개) 배열되도록 배치된 발광부(91)와, 발광부(91)를 향하여 세정수(예컨대, 순수)를 공급하는 세정수 공급부(92)와, 발광부(91)에 오물이 부착하여 버리는 것을 막는 커버(93)를 구비하고 있다.
받침대(90)의 상면에 형성된 오목부에 매설되어 있는 발광부(91)는, 예컨대 저압 수은 램프나 UVLED이고, 미리 정해진 파장의 광을 발광할 수 있어, 도시하지 않는 스위치에 의해 온/오프를 전환할 수 있다. 발광부(91)는 예컨대 2파장의 광을 발광할 수 있고, 80 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하의 파장의 광과 240 ㎚ 이상 280 ㎚ 이하의 파장의 광을 발광할 수 있으면 바람직하다. 또한, 발광부(91)는, 파장 365 ㎚의 광을 발광할 수 있으면 더욱 바람직하다. 본 실시형태에 있어서의 발광부(91)는, 2파장 LED 또는 저압 수은 램프이며, 파장 184.9 ㎚의 자외광과 파장 253.7 ㎚의 자외광을 동시에 발광할 수 있다.
판형의 커버(93)는, 예컨대, 발광부(91)가 만들어 내는 광을 투과시키는 유리 등의 투명 부재로 구성되어 있고, 받침대(90)의 상면에 발광부(91)를 덮도록 고정되어 있다. 예컨대, 받침대(90)는, 도시하지 않는 Z축 방향 이동 수단에 의해 상하 이동 가능하게 되어 있고, 연삭 가공을 실시할 때에 커버(93)의 상면의 높이 위치를 가공 지석(74a)의 연삭 이송 위치를 고려한 원하는 높이 위치에 설정할 수 있다.
세정수 공급부(92)는, 예컨대, 물(예컨대, 순수)을 비축한 도시하지 않는 세정수원과, 세정수원에 연통하는 세정수 노즐(920)을 구비하고 있다. 세정수 노즐(920)은, 예컨대, 받침대(90)의 측면에 받침대(90)를 따르도록 고정되어 있고, 세정수를 커버(93) 상면을 향하여 분사 가능한 분사구(920a)가 복수 길이 방향으로 정렬하여 마련되어 있다. 분사구(920a)는, 분사한 세정수를 커버(93)의 상면 상에서 청류화(淸流化)할 수 있도록 형상, 사이즈 및 발광부(91)에 대한 각도 등이 설정되어 있다. 분사구(920a)는, 도 2와 같이 가는 폭의 슬릿형으로 형성되어 있고, 세정수 노즐(920)의 측면 등에 복수 정렬하여 마련되어 있으면 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 분사구(920a)는, 둥근 구멍형으로 형성되어, 세정수 노즐(920)의 측면 등에 복수 정렬하여 마련되어 있어도 좋다. 또는, 세정수 노즐(920)의 측면 등에 1개의 연속적으로 연장되는 가는 폭의 슬릿형으로 분사구(920a)는 형성되어 있어도 좋다.
이하에, 도 1에 나타내는 연삭 장치(1)를 이용하여 본 발명에 따른 가공 방법을 실시하는 경우의, 가공 방법의 각 단계 및 연삭 장치(1)의 동작에 대해서 설명해 간다.
도 1에 나타내는 외형이 원형 판형인 피가공물(W)은, 예컨대, 난삭제의 SiC로 형성되는 반도체 웨이퍼이며, 도 1에 있어서 하측을 향하고 있는 피가공물(W)의 표면(Wa)에는, 분할 예정 라인에 의해 구획된 격자형의 영역에 다수의 디바이스가 형성되어 있고, 표면(Wa)을 보호하는 보호 테이프(T)가 점착되어 있다. 피가공물(W)의 이면(Wb)은 연삭 휠(74)로 연삭되는 피연삭면이 된다. 또한, 피가공물(W)의 형상 및 종류는 특별히 한정되는 것이 아니며, 연삭 휠(74)과의 관계로 적절하게 변경 가능하고, GaAS 또는 GaN 등으로 형성되는 웨이퍼나, 금속으로 형성된 웨이퍼 또는 금속 전극이 부분적으로 웨이퍼의 이면에 노출한 웨이퍼도 포함된다.
(1) 유지 단계
먼저, 착탈 영역(A) 내에 있어서, 피가공물(W)이, 이면(Wb)이 상측이 되도록 유지 테이블(30)의 유지면(300a) 상에 배치된다. 그리고, 도시하지 않는 흡인원에 의해 만들어진 흡인력이 유지면(300a)에 전달됨으로써, 유지 테이블(30)이 유지면(300a) 상에서 피가공물(W)을 흡인 유지한다. 피가공물(W)은, 완만한 원추면인 유지면(300a)을 따라 흡인 유지된 상태가 된다.
(2) 가공 단계
유지 테이블(30)이, 도시하지 않는 Y축 방향 이송 수단에 의해 가공 수단(7)의 아래까지 +Y 방향으로 이동하여, 연삭 휠(74)과 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물(W)과의 위치 맞춤이 이루어진다. 위치 맞춤은, 예컨대, 연삭 휠(74)의 회전 중심이 피가공물(W)의 회전 중심에 대하여 미리 정해진 거리만큼 +Y 방향으로 어긋나, 가공 지석(74a)의 회전 궤적이 피가공물(W)의 회전 중심을 지나도록 행해진다. 또한, 완만한 원추면인 유지면(300a)이, 가공 지석(74a)의 하면인 가공면에 대하여 평행해지도록 유지 테이블(30)의 경사가 조정됨으로써, 피가공물(W)의 이면(Wb)이 가공 지석(74a)의 가공면에 대하여 평행해진다.
연삭 휠(74)과 피가공물(W)의 위치 맞춤이 행해진 후, 모터(72)에 의해 회전축(70)이 회전 구동되는 데 따라, 도 3에 나타내는 바와 같이, 연삭 휠(74)이, +Z 방향측에서 보아 반시계 방향으로 회전한다. 또한, 가공 수단(7)이 연삭 이송 수단(5)에 의해 -Z 방향으로 보내지고, 가공 수단(7)에 구비하는 연삭 휠(74)이 -Z 방향으로 강하해 가, 가공 지석(74a)이 피가공물(W)의 이면(Wb)에 접촉함으로써 연삭 가공이 행해진다. 또한, 연삭 중은, 유지 테이블(30)이 +Z 방향측에서 보아 반시계 방향으로 회전하는 데 따라 피가공물(W)도 회전하기 때문에, 가공 지석(74a)이 피가공물(W)의 이면(Wb)의 전체면의 연삭 가공을 행한다.
연삭 가공 중에 있어서는, 가공수 공급 수단(8)이 가공수를 회전축(70) 내의 유로(70a)에 대하여 공급한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 유로(70a)에 공급된 가공수는, 마운트(73)의 내부에 마운트(73)의 둘레 방향으로 일정한 간격을 두고 형성된 유로(73b)를 지나, 더욱 휠 베이스(74b)의 분사구(74d)로부터 가공 지석(74a)을 향하여 분사된다.
피가공물(W)은 유지 테이블(30)이 완만한 원추면인 유지면(300a) 상에 유지면(300a)을 따라 흡인 유지되어 있기 때문에, 도 4의 (a)에 이점 쇄선으로 나타내는 연삭 휠(74)의 회전 궤적 중의 영역(E)[이하, 가공 영역(E)이라 함]에 있어서, 가공 지석(74a)은 피가공물(W)에 접촉하여 연삭을 행한다.
유지 테이블(30)에 인접하여 배치되는 광 조사 수단(9)은, 예컨대, 연삭 휠(74)과 유지 테이블(30)의 위치 맞춤이 이루어진 상태에 있어서, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이 유지 테이블(30) 및 연삭 휠(74)의 회전 궤적 상에 있어서 연삭 휠(74)이 유지 테이블(30)로 유지된 피가공물(W)에 진입하기 직전, 즉, 가공 영역(E)에 가공 지석(74a)이 진입하기 직전에 배치된다.
연삭 가공의 개시에 따라, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 발광부(91)가 온 상태가 되고, 발광부(91)가 예컨대 파장 184.9 ㎚의 자외광과 파장 253.7 ㎚의 자외광을 +Z 방향을 향하여 조사한다. 조사된 광은, 커버(93)를 투과하여 가공 영역(E)에 진입하기 직전의 가공 지석(74a)의 하면에 조사된다.
가공 영역(E)에 진입하기 직전의 가공 지석(74a)의 하면에 대하여 파장 184.9 ㎚의 자외광이 조사됨으로써, 가공 지석(74a)의 하면과 발광부(91) 사이에 존재하는 공기 중의 산소 분자가 자외광을 흡수하여, 기저 상태의 산소 원자를 생성한다. 생성된 산소 원자는 주위의 산소 분자와 결합하여 오존을 생성한다. 또한, 파장 184.9 ㎚의 자외광은, 가공 지석(74a)의 가공면에 부착된 연삭 부스러기에 의한 유기 오염물 등의 분자간 결합 및 원자간 결합을 절단하여 여기 상태로 함으로써, 유기 오염물을 분해해 간다. 또한, 발생한 오존이 파장 253.7 ㎚의 자외광을 흡수함으로써, 여기 상태의 활성 산소가 생성된다. 활성 산소나 오존은 높은 산화력을 갖기 때문에, 가공 지석(74a)의 가공면에 생긴 탄소나 수소 등과 결합하여, 히드록실기, 알데히드기 및 카르복실기 등의 극성이 큰 친수기를 가공 지석(74a)의 가공면에 형성해 간다. 그 결과, 가공 지석(74a)이 친수화하여, 가공 지석(74a)의 가공면에 있어서 가공수가 물방울이 되기 어려워져, 가공 지석(74a)의 가공면 전체에 가공수가 수막형으로 퍼지기 쉬워진다.
친수화한 가공 지석(74a)은 많은 가공수를 수반하여 가공 영역(E) 내로 진입하여 피가공물(W)의 이면(Wb)을 연삭한다. 가공수가 피가공물(W)의 이면(Wb)과 가공 지석(74a)의 가공면의 접촉 부위에 보다 많이 들어감으로써, 접촉 부위에 발생하는 마찰열의 발생이 억제된다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 연삭 가공 중에 있어서는, 세정수 공급부(92)가 세정수를 커버(93)의 상면을 향하여 공급한다. 즉, 도시하지 않는 세정수원으로부터 세정수 노즐(920)에 세정수가 공급되고, 이 세정수가 분사구(920a)로부터 노즐 외부를 향하여 분출하여, 포물선을 그리도록 하여 커버(93) 상에 도달한다. 그리고, 세정수가, 흐름이 적절하게 정류화되면서 커버(93) 상에 부착하고 있는 연삭 부스러기 등의 오물을 제거함으로써, 연삭 중에 있어서 발광부(91)가 만들어 내는 광이 가공 지석(74a)의 가공면에 적절하게 조사되는 상태가 유지된다.
본 발명에 따른 피가공물의 가공 방법은, 피가공물(W)을 유지하는 유지면(300a)을 갖는 유지 테이블(30)로 피가공물(W)를 유지하는 유지 단계와, 유지 단계를 실시한 후, 지립을 비트리파이드로 결합한 가공 지석(74a)을 포함하는 가공 수단(7)으로 피가공물(W)을 연삭 가공하는 가공 단계를 포함하고, 가공 단계에서는 피가공물(W)에 가공수를 공급함과 아울러, 미리 정해진 파장의 광을 광 조사 수단(9)으로부터 가공 지석(74a)의 가공면에 조사함으로써, 피가공물(W)의 이면(Wb)과 가공 지석(74a)의 가공면의 접촉 부위에 보다 많은 가공수를 넣어, 접촉 부위에 발생하는 마찰열의 발생을 억제하여 가공 지석(74a)의 마모(적절한 셀프 샤프닝을 재촉하는 마모를 넘는 이상 마모)를 억제할 수 있다. 또한, 피가공물(W)의 이면(Wb)과 가공 지석(74a)의 가공면의 접촉 부위에 생기는 연삭 부스러기를, 가공수에 의해 효율적으로 배제해 갈 수 있다. 또한, 가공 지석(74a)의 친수화 등에 의해, 가공 지석(74a)이 피가공물(W)을 연삭하는 가공 영역(E)에 효과적으로 가공수가 공급되기 때문에, 가공열의 상승에 의한 웨이퍼 버닝의 발생 등의 가공 품질의 악화를 방지할 수 있어, 피가공물(W)이 난삭제로 형성된 웨이퍼라도 원활하게 안정된 연삭을 실시하는 것이 가능해진다.
본 발명의 발명자는, 본 발명에 따른 가공 방법의 가공 단계에 있어서의 가공 지석의 가공면에 대한 파장 365 ㎚의 광 조사의 효과를 검증하기 위해, 하기의 실험 1을 행하였다. 실험 1에 있어서는, 원형 판형의 피가공물(W)로서 두께 10 ㎜의 소다 유리판을 채용하였다. 또한, 연삭 휠(74)의 가공 지석(74a)은, 입경 ＃1000의 다이아몬드 지립을 비트리파이드 본드로 결합한 것을 채용하였다.
실험 1에 있어서는, 유지 단계를 실시한 후, 가공 단계를 이하에 나타내는 가공 조건으로 실시하였다.
연삭 휠(74)의 회전수(rpm): 2000 rpm
유지 테이블(30)의 회전수(rpm): 300 rpm
연삭 휠(74)의 연삭 이송 속도(하강 속도): 0.5 ㎛/초
실험 1에서는, 가공 단계에 있어서, 도 2에 나타내는 광 조사 수단(9)의 발광부(91)로서 LED 라이트를 이용하여, 파장 365 ㎚의 자외광을 연삭 휠(74)의 가공 지석(74a)의 하면에 조사하면서 피가공물(W)을 50 ㎛ 연삭하고, 계속해서, 발광부(91)로부터의 가공 지석(74a)의 하면에 대한 자외광의 조사를 정지하면서 피가공물(W)을 50 ㎛ 연삭하고, 이러한 자외광의 조사를 수반하는 연삭과 자외광의 조사를 수반하지 않는 연삭을 반복해서 연속적으로 실시하였다. 가공수의 가공 지석(74a)의 공급 등은, 전술한 가공 단계와 동일하게 행하였다.
도 6에 나타내는 플롯도(P1)는, 실험 1에서 얻어진 측정값을 플롯한 것이며, 플롯도(P1)에 있어서, 횡축은 피가공물(W)을 50 ㎛ 연삭마다의 연삭 휠(74)의 가공 지석(74a)의 소모량(㎛)을 나타내고, 종축은 연삭 휠(74)이 피가공물(W)을 50 ㎛ 연삭 중에 받은 최대 가공 하중(N)을 나타내고 있다. 측정한 자외광을 조사하면서 연삭을 행하였을 때의 가공 지석(74a)의 소모량값과 연삭 휠(74)이 받은 최대 가공 하중값은, 플롯도(P1)에 있어서 둥근점으로 나타내고 있고, 파선으로 나타내는 그래프(G1)에 의해 그 추이를 파악하기 쉽게 나타내고 있다. 또한, 측정한 자외광을 조사하지 않고 연삭을 행하였을 때의 가공 지석(74a)의 소모량값과 연삭 휠(74)이 받은 최대 가공 하중값은, 플롯도(P1)에 있어서 삼각점으로 나타내고 있고, 일점 쇄선으로 나타내는 그래프(G2)에 의해 그 추이를 파악하기 쉽게 나타내고 있다.
플롯도(P1)로부터 판독할 수 있듯이, 파장 365 ㎚의 자외광을 연삭 휠(74)의 가공 지석(74a)의 하면에 조사하면서 피가공물(W)의 연삭 가공을 행한 경우에는, 자외광을 조사하지 않는 경우에 비해서, 가공 지석(74a)의 소모량 및 연삭 휠(74)이 연삭 시에 받는 하중을 낮게 억제할 수 있었다. 연삭 휠(74)이 받는 가공 하중을 이와 같이 낮게 억제할 수 있으면, 도 1에 나타내는 연삭 이송 수단(5)의 모터(52)가 받는 부하를 줄게 하거나, 가공 부하에 의해 볼나사(50)에 백래시가 발생하여 버리는 것을 막을 수 있거나 한다. 또한, 연삭 휠(74)이 받는 가공 하중을 동하중에 맞추어 비교한 경우, 파장 365 ㎚의 자외광을 연삭 휠(74)의 가공 지석(74a)의 하면에 조사하면서 연삭한 경우는 자외광을 조사하지 않는 경우에 비해서, 가공 지석(74a)의 소모량을 약 20％ 낮게 억제할 수 있었다.
(실시형태 2)
도 7에 나타내는 절삭 장치(2)는, 유지 테이블(20)의 유지면(200a)에 유지된 피가공물(W)에 대하여, 가공 수단(21)이 구비하는 절삭 블레이드(210)를 회전시켜 절입시켜 절삭 가공을 실시하는 장치이다.
절삭 장치(2)의 베이스(2A) 상에는, 절삭 이송 방향(X축 방향)으로 유지 테이블(20)을 왕복 이동시키는 절삭 이송 수단(22)이 배치되어 있다. 절삭 이송 수단(22)은, X축 방향의 축심을 갖는 볼나사(220)와, 볼나사(220)와 평행하게 배치된 한쌍의 가이드 레일(221)과, 볼나사(220)를 회동시키는 모터(222)와, 내부의 너트가 볼나사(220)에 나사 결합하여 바닥부가 가이드 레일(221)에 미끄럼 접촉하는 가동판(223)으로 구성된다. 그리고, 모터(222)가 볼나사(220)를 회동시키면, 이에 따라 가동판(223)이 가이드 레일(221)에 가이드되어 X축 방향으로 이동하고, 가동판(223) 상에 배치된 유지 테이블(20)도 X축 방향으로 이동한다.
가동판(223) 상에 배치된 유지 테이블(20)은, 예컨대, 그 외형이 원형상이고, 다공성 부재로 이루어져 피가공물(W)을 흡착하는 흡착부(200)와, 흡착부(200)를 지지하는 프레임(201)을 구비한다. 흡착부(200)는 도시하지 않는 흡인원에 연통하여, 흡착부(200)의 노출면인 유지면(200a) 상에서 피가공물(W)을 흡인 유지한다. 유지 테이블(20)은, 유지 테이블(20)의 바닥면측에 배치된 회전 수단(202)에 의해 회전 가능하게 되어 있다. 유지 테이블(20)의 주위에는, 고정 클램프(204)가 도시된 예에서는 4개가 균등한 간격으로 배치되어 있다.
베이스(2A) 상의 중앙으로부터 후방측(+Y 방향측)에 걸쳐서는, Y축 방향으로 가공 수단(21)을 왕복 이동시키는 인덱싱 이송 수단(23)이 배치되어 있다. 인덱싱 이송 수단(23)은, Y축 방향의 축심을 갖는 볼나사(230)와, 볼나사(230)와 평행하게 배치된 한쌍의 가이드 레일(231)과, 볼나사(230)를 회동시키는 모터(232)와, 내부의 너트가 볼나사(230)에 나사 결합하여 바닥부가 가이드 레일(231)에 미끄럼 접촉하는 가동부(233)로 구성된다. 그리고, 모터(232)가 볼나사(230)를 회동시키면, 이에 따라 가동부(233)가 가이드 레일(231)에 가이드되어 Y축 방향으로 이동하고, 가동부(233)의 이동에 따라 가공 수단(21)이 Y축 방향으로 이동한다.
가동부(233) 상에는 칼럼(234)이 일체적으로 세워서 마련되어 있고, 칼럼(234)의 -X 방향측의 측면에는, Z축 방향으로 가공 수단(21)을 상하 이동시키는 절입 이송 수단(24)이 배치되어 있다. 절입 이송 수단(24)은, Z축 방향의 축심을 갖는 볼나사(240)와, 볼나사(240)와 평행하게 배치된 한쌍의 가이드 레일(241)과, 볼나사(240)를 회동시키는 모터(242)와, 내부의 너트가 볼나사(240)에 나사 결합하여 측부가 가이드 레일(241)에 미끄럼 접촉하는 지지 부재(243)로 구성된다. 그리고, 모터(242)가 볼나사(240)를 회동시키면, 이에 따라 지지 부재(243)가 가이드 레일(241)에 가이드되어 Z축 방향으로 이동하고, 지지 부재(243)가 지지하는 가공 수단(21)이 Z축 방향으로 절입 이송된다.
가공 수단(21)은, 축 방향이 유지 테이블(20)의 이동 방향(X축 방향)에 대하여 수평 방향으로 직교하는 쪽(Y축 방향)인 스핀들(211)과, 스핀들(211)을 회전 가능하게 지지하는 하우징(212)과, 하우징(212) 내부에 수용되어 스핀들(211)을 회전 구동하는 도시하지 않는 모터와, 스핀들(211)의 -Y 방향측의 선단부에 장착된 절삭 블레이드(210)를 구비하고 있고, 모터가 스핀들(211)을 회전 구동함으로써, 절삭 블레이드(210)도 고속 회전한다.
하우징(212)의 측면에는, 피가공물(W)을 촬상하여 절삭 블레이드(210)를 절입시키는 위치를 검출하기 위한 얼라인먼트 수단(25)이 배치되어 있다. 얼라인먼트 수단(25)은, 피가공물(W)의 피절삭면을 촬상하는 얼라인먼트용 카메라(250)를 구비하고 있고, 얼라인먼트용 카메라(250)에 의해 취득한 화상에 기초하여, 패턴 매칭 등의 화상 처리에 의해 피가공물(W)의 절삭하여야 하는 분할 예정 라인(S)을 검출할 수 있다.
도 8에 나타내는 절삭 블레이드(210)는, 예컨대, 중앙에 장착 구멍을 구비하는 외형이 환형인 와셔형의 블레이드이고, 그 전체가 가공 지석이 된다. 예컨대, 절삭 블레이드(210)는, 유리질, 세라믹질의 본드제인 비트리파이드로 다이아몬드 지립을 결합한 것이며, 비트리파이드로서는, 예컨대, 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하여, 장석 등을 미량 혼입한 것을 이용하고 있다. 절삭 블레이드(210)는, 착탈 플랜지(218)와 도시하지 않는 마운트 플랜지에 의해 Y축 방향 양측으로부터 끼워져 있고, 고정 너트(217)에 의한 체결에 의해 스핀들(211)에 장착되어 있다. 또한 절삭 블레이드(210)는, 알루미늄 등으로 이루어지는 베이스에 직경 방향 외측을 향하여 가공 지석을 돌출하도록 구비하는 허브 타입의 절삭 블레이드여도 좋다.
도 7, 8에 나타내는 바와 같이, 가공 수단(21)은, 예컨대, 절삭 블레이드(210)를 커버하는 블레이드 커버(219)를 구비하고 있다. 블레이드 커버(219)는, 그 대략 중앙부에 절삭 블레이드(210)를 수용하는 개구를 구비하고 있고, 하우징(212)에 장착됨으로써, 개구에 절삭 블레이드(210)를 위치 부여하여, 절삭 블레이드(210)를 상방으로부터 덮을 수 있다.
블레이드 커버(219)의 -X 방향측단에는, 지지 블록(213)이 조정 나사(213a)에 의해 Z축 방향으로 이동 가능하게 체결되어 있다. 지지 블록(213)에는, 한쌍의 가공수 노즐(214)이 고정되어 있다. 한쌍의 가공수 노즐(214)에는, 지지 블록(213)을 통하여 공급 호스(213b)로부터 가공수가 공급된다. 한쌍의 가공수 노즐(214)은, 절삭 블레이드(210)의 하부를 절삭 블레이드(210)의 측면 양측으로부터 끼우도록 하여 +X 방향측에 서로 평행하게 연장되어 있다. 한쌍의 가공수 노즐(214)의 선단측의 절삭 블레이드(210)에 상대하는 위치에는, 슬릿이 복수 X축 방향으로 정렬하여 마련되고 있고, 복수의 슬릿에 의해 측방으로부터 가공수가 분사되어, 절삭 블레이드(210)와 피가공물(W)의 접촉 부위의 냉각이 행해진다. 또한, 지지 블록(213)의 하단에는, 분사된 가공수를 -X 방향측으로 유도하는 한쌍의 비말 커버(213c)가 배치되어 있다.
블레이드 커버(219)의 +X 방향측단에는, 가공수 블록(215)이, 조정 나사(215a)에 의해 Y축 방향으로 슬라이드 이동 가능하게 체결되어 있다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 가공수 블록(215)에는, 절삭 블레이드(210)의 외주 방향으로부터 절삭 블레이드(210)에 대하여 가공수를 분사하는 가공수 노즐(216)이 배치되어 있다. 가공수 노즐(216)의 상단에는 공급 호스(215b)가 연통하고 있고, 가공수 노즐(216)의 하단인 가공수 분사구(216a)는 절삭 블레이드(210)의 선단면(가공면)을 향하여 개구하고 있다. 가공수 노즐(216)에 의해 외주 방향으로부터 절삭 블레이드(210)에 가공수가 분사됨으로써, 회전하는 절삭 블레이드(210)에 가공수가 말려들어가, 절삭 블레이드(210)와 피가공물(W)의 접촉 부위에 생기는 절삭 부스러기와 함께 -X 방향측으로 압출됨으로써, 접촉 부위의 세정 및 냉각이 행해진다.
절삭 장치(2)는, 절삭 블레이드(210)의 가공면(블레이드의 선단면)에 미리 정해진 파장의 광을 조사하는 광 조사 수단(4)을 구비하고 있다. 광 조사 수단(4)은, 예컨대, 예컨대 저압 수은 램프나 UV LED로 이루어지는 발광부(40)와, 발광부(40)의 온/오프를 전환하는 전원(41)을 구비하고 있다.
발광부(40)는, 예컨대, 절삭 블레이드(210)의 가공면에 직경 방향 외측으로부터 마주보도록 가공수 블록(215)에 배치되어 있고, 가공수 노즐(216)의 가공수 분사구(216a)보다 높은 위치에 위치하고 있다. 발광부(40)는 2 파장의 광을 발광할 수 있고, 80 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하의 파장의 광과 240 ㎚ 이상 280 ㎚ 이하의 파장의 광을 발광할 수 있으면 바람직하다. 또한, 발광부(40)는, 파장 365 ㎚의 광을 발광할 수 있으면 더욱 바람직하다. 본 실시형태에 있어서의 발광부(40)는 2 파장 LED 또는 저압 수은 램프이고, 파장 184.9 ㎚의 자외광과 파장 253.7 ㎚의 자외광을 동시에 발광할 수 있다.
이하에, 도 7에 나타내는 절삭 장치(2)를 이용하여 본 발명에 따른 가공 방법을 실시하는 경우의, 가공 방법의 각 단계 및 절삭 장치(2)의 동작에 대해서 설명해 간다.
도 1에 나타내는 외형이 원형 판형인 피가공물(W)은, 예컨대, 난삭제의 SiC로 형성되는 반도체 웨이퍼이고, 도 7에 있어서는 상측을 향하고 있는 피가공물(W)의 표면(Wa)에는, 분할 예정 라인(S)에 의해 구획된 격자형의 영역에 다수의 디바이스(D)가 형성되어 있다. 피가공물(W)의 이면(Wb)에는, 피가공물(W)보다 대직경인 다이싱 테이프(T1)가 점착되어 있다. 다이싱 테이프(T1)의 점착면의 외주 영역에는 원형의 개구를 구비하는 환형 프레임(F)이 점착되어 있고, 피가공물(W)은, 다이싱 테이프(T1)를 통해 환형 프레임(F)에 의해 지지되어, 환형 프레임(F)을 통한 핸들링이 가능한 상태로 되어 있다. 또한, 피가공물(W)의 형상 및 종류는 특별히 한정되는 것이 아니며, 절삭 블레이드(210)와의 관계로 적절하게 변경 가능하고, GaAS 또는 GaN 등으로 형성되는 웨이퍼나, 금속으로 형성된 웨이퍼 또는 금속 전극이 부분적으로 웨이퍼의 이면에 노출한 웨이퍼도 포함된다.
(1) 유지 단계
피가공물(W)이, 다이싱 테이프(T1)측을 아래로 하여 유지 테이블(20)의 유지면(200a) 상에 배치된다. 그리고, 도시하지 않는 흡인원에 의해 만들어지는 흡인력이 유지면(200a)에 전달됨으로써, 피가공물(W)이 유지 테이블(20)에 의해 흡인 유지된 상태가 된다. 또한, 각 고정 클램프(204)에 의해 환형 프레임(F)이 고정된다.
(2) 가공 단계
절삭 이송 수단(22)에 의해, 유지 테이블(20)에 유지된 피가공물(W)이 -X 방향으로 보내져, 절삭 블레이드(210)를 절입시켜야 하는 분할 예정 라인(S)의 Y축 방향의 좌표 위치가, 얼라인먼트 수단(25)에 의해 검출된다. 또한, 가공 수단(21)이 인덱싱 이송 수단(23)에 의해 Y축 방향으로 구동되어, 절삭하여야 하는 분할 예정 라인(S)과 절삭 블레이드(210)의 Y축 방향에 있어서의 위치 맞춤이 행해진다.
절입 이송 수단(24)이 가공 수단(21)을 -Z 방향으로 강하시켜 가, 도 9에 나타내는 바와 같이, 예컨대, 절삭 블레이드(210)가 피가공물(W)의 이면(Wb)을 벗어나 다이싱 테이프(T1)에 이르는 미리 정해진 높이 위치에 가공 수단(21)이 위치 부여된다. 또한, 도시하지 않는 모터가 스핀들(211)을 회전 구동하는 것에 따라, 절삭 블레이드(210)가 예컨대 -Y 방향측에서 보아 시계 방향 방향으로 고속 회전한다.
피가공물(W)을 유지하는 유지 테이블(20)이 미리 정해진 절삭 이송 속도로 더욱 -X 방향으로 송출됨으로써, 고속 회전하는 절삭 블레이드(210)가 피가공물(W)에 절입되어, 분할 예정 라인(S)을 따라 피가공물(W)을 절단해 간다. 또한, 절삭 가공 중에 있어서는, 가공수 노즐(214)에 의해 절삭 블레이드(210)의 측방으로부터, 절삭 블레이드(210)와 피가공물(W)의 접촉 부위에 대하여 가공수의 분사가 행해져, 접촉 부위의 냉각 및 세정이 행해진다.
절삭 가공의 개시에 따라 전원(41)에 의해 발광부(40)가 ON 상태가 되고, 발광부(40)가 예컨대 파장 184.9 ㎚의 자외광과 파장 253.7 ㎚의 자외광을 절삭 블레이드(210)의 외주 방향으로부터 회전하는 절삭 블레이드(210)의 가공면에 조사한다.
또한, 가공수 노즐(216)에 의해 절삭 블레이드(210)의 외주 방향으로부터 절삭 블레이드(210)의 가공면에 가공수가 분사됨으로써, 광이 조사된 회전하는 절삭 블레이드(210)의 가공면에 가공수가 말려들어가, 절삭 블레이드(210)와 피가공물(W)의 접촉 부위에 생기는 가공 부스러기 등과 함께 -X 방향측으로 압출됨으로써, 접촉 부위의 냉각 및 세정이 행해진다.
가공수 노즐(216)로부터 가공수가 분사되기 직전의 절삭 블레이드(210)의 가공면에 대하여 파장 184.9 ㎚의 자외광이 조사됨으로써, 절삭 블레이드(210)의 선단면과 발광부(40) 사이에 존재하는 공기 중의 산소 분자가 자외광을 흡수하여, 기저 상태의 산소 원자를 생성한다. 생성된 산소 원자는 주위의 산소 분자와 결합하여 오존을 생성한다. 또한, 파장 184.9 ㎚의 자외광은, 절삭 블레이드(210)의 가공면에 부착한 절삭 부스러기에 의한 유기 오염물 등의 분자간 결합 및 원자간 결합을 절단하여 여기 상태로 함으로써, 유기 오염물을 분해해 간다. 또한, 발생한 오존이 파장 253.7 ㎚의 자외광을 흡수함으로써, 여기 상태의 활성 산소가 생성된다. 생성된 활성 산소나 오존은 높은 산화력을 갖기 때문에, 절삭 블레이드(210)의 가공면에 생긴 탄소나 수소 등과 결합하여, 히드록실기, 알데히드기 및 카르복실기 등의 극성이 큰 친수기를 절삭 블레이드(210)의 가공면에 형성해 간다. 그 결과, 절삭 블레이드(210)가 친수화하여, 절삭 블레이드(210)의 가공면에 있어서 가공수가 물방울이 되기 어려워져, 절삭 블레이드(210)의 가공면에 가공수가 수막형으로 퍼지기 쉬워진다.
친수화한 절삭 블레이드(210)는, 가공수 노즐(216)로부터 분사된 가공수를 많이 수반하여 피가공물(W)의 이면(Wb)에 절입시킨다. 가공수가 피가공물(W)의 이면(Wb)과 절삭 블레이드(210)의 가공면의 접촉 부위에 보다 많이 들어감으로써, 접촉 부위에 발생하는 마찰열의 발생이 억제된다.
절삭 블레이드(210)가 분할 예정 라인(S)을 다 절삭하는 X축 방향의 미리 정해진 위치까지 피가공물(W)이 -X 방향으로 진행하면, -X 방향으로의 피가공물(W)의 절삭 이송을 한번 정지시켜, 절삭 블레이드(210)를 피가공물(W)로부터 이격시키고, 유지 테이블(20)을 +X 방향으로 송출하여 원래의 위치에 복귀시킨다. 그리고, 인접하는 분할 예정 라인(S)의 간격씩 절삭 블레이드(210)를 Y축 방향으로 인덱싱 이송하면서 순차 동일한 절삭을 행함으로써, 동방향의 모든 분할 예정 라인(S)을 절삭한다. 또한, 유지 테이블(20)을 90도 회전시키고 나서 동일한 절삭을 행하면, 모든 분할 예정 라인(S)이 종횡으로 전부 풀 컷트된다.
본 발명에 따른 피가공물의 가공 방법은, 피가공물(W)을 유지하는 유지면(200a)을 갖는 유지 테이블(20)에서 피가공물(W)을 유지하는 유지 단계와, 유지 단계를 실시한 후, 지립을 비트리파이드로 결합한 가공 지석, 즉 절삭 블레이드(210)를 포함하는 가공 수단(21)으로 피가공물(W)을 가공하는 가공 단계를 포함하고, 가공 단계에서는 피가공물(W)에 가공수를 공급함과 아울러, 미리 정해진 파장의 광을 광 조사 수단(4)으로부터 절삭 블레이드(210)의 가공면에 조사함으로써, 절삭 블레이드(210)의 친수화 등에 의해 피가공물(W)의 이면(Wb)과 절삭 블레이드(210)의 가공면의 접촉 부위에 보다 많은 가공수를 넣어, 접촉 부위에 발생하는 마찰열의 발생을 억제하여 절삭 블레이드(210)의 필요 이상의 마모를 억제할 수 있고, 또한, 가공열의 상승에 의한 웨이퍼 버닝의 발생 등의 가공 품질의 악화를 방지할 수 있어, 피가공물(W)이 난삭제로 형성된 웨이퍼라도 원활하게 절삭하는 것이 가능해진다. 또한, 피가공물(W)의 이면(Wb)과 절삭 블레이드(210)의 가공면의 접촉 부위에 생기는 절삭 부스러기를, 가공수에 의해 효율적으로 배제해 갈 수 있다.
1: 연삭 장치 10: 베이스 11: 칼럼 12: 입력 수단
30: 유지 테이블 300: 흡착부 300a: 유지면 301: 프레임
31: 커버 31a: 주름상자 커버
5: 연삭 이송 수단 50: 볼나사 51: 가이드 레일 52: 모터 53: 승강판 54: 홀더
7: 가공 수단 70: 회전축 70a: 유로 71: 하우징 72: 모터 73: 마운트 74: 연삭 휠 74a: 가공 지석 74b: 휠 베이스
8: 가공수 공급 수단 80: 가공수원 81: 배관 82: 조정 밸브
9: 광 조사 수단 90: 받침대 91: 발광부 92: 세정수 공급부 920: 세정수 노즐 920a: 분사구 93: 커버
W: 피가공물 Wa: 피가공물의 표면 Wb: 피가공물의 이면 T: 보호 테이프 A: 착탈 영역 B: 연삭 영역
P1: 플롯도
2: 절삭 장치 2A: 베이스
20: 유지 테이블 200: 흡착부 200a: 유지면 201: 프레임 202: 회전 수단 204: 고정 클램프
21: 가공 수단 210: 절삭 블레이드 211: 스핀들 212: 하우징 218: 착탈 플랜지 217: 고정 너트
219: 블레이드 커버 213: 지지 블록 213a: 조정 나사 213b: 공급 호스 213c: 비말 커버 214: 가공수 노즐 215: 가공수 블록 215a: 조정 나사 216: 가공수 노즐 216a: 가공수 분사구
25: 얼라인먼트 수단 250: 얼라인먼트용 카메라
22: 절삭 이송 수단 220: 볼나사 221: 가이드 레일 222: 모터 223: 가동판
23: 인덱싱 이송 수단 230: 볼나사 231: 가이드 레일 232: 모터
233: 가동부 234: 칼럼
24: 절입 이송 수단 240: 볼나사 241: 가이드 레일 242: 모터
243: 지지 부재
4: 광 조사 수단 40: 발광부 41: 전원
W: 피가공물 Wa: 피가공물의 표면 Wb: 피가공물의 이면 S: 분할 예정 라인 D: 디바이스 T1: 다이싱 테이프 F: 환형 프레임

Claims (3)

  1. 피가공물의 가공 방법으로서,
    피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블로 피가공물을 유지하는 유지 단계와,
    상기 유지 단계를 실시한 후, 지립을 비트리파이드로 결합함과 아울러 광 촉매를 포함하지 않는 가공 지석을 포함하는 가공 수단으로 피가공물을 가공하는 가공 단계
    를 포함하고,
    상기 가공 수단은 상기 가공 지석을 구비하는 절삭 블레이드를 구비하고, 상기 가공 단계에서는 상기 절삭 블레이드로 피가공물을 절삭하고,
    상기 가공 단계에서는 피가공물에 가공수를 공급함과 아울러, 상기 가공수가 공급되기 직전의 상기 절삭 블레이드의 상기 가공 지석의 유기물을 포함하는 가공면에 대하여 미리 정해진 파장의 자외광을 광 조사 수단으로부터 조사함으로써 상기 가공면에 친수기를 형성하고, 상기 가공면 전체에 상기 가공수가 퍼지기 쉽게 하여 피가공물과 상기 가공면의 접촉 부위에 마찰열이 발생하는 것을 억제하는 것인 가공 방법.
  2. 피가공물의 가공 방법으로서,
    피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블로 피가공물을 유지하는 유지 단계와,
    상기 유지 단계를 실시한 후, 지립을 비트리파이드로 결합함과 아울러 광 촉매를 포함하지 않는 가공 지석을 포함하는 가공 수단으로 피가공물을 가공하는 가공 단계
    를 포함하고,
    상기 가공 수단은 상기 가공 지석을 구비하는 연삭 휠을 갖고, 상기 가공 단계에서는 상기 연삭 휠로 피가공물을 연삭하고,
    상기 가공 단계에서는 피가공물에 가공수를 공급함과 아울러, 상기 연삭 휠의 회전 궤적에 있어서 상기 연삭 휠이 상기 유지 테이블로 유지된 피가공물에 진입하기 직전의 위치에 광 조사 수단이 배치되고, 상기 가공 지석의 유기물을 포함하는 가공면에 대하여 미리 정해진 파장의 자외광을 상기 광 조사 수단으로부터 조사함으로써 상기 가공면에 친수기를 형성하고, 상기 가공면 전체에 상기 가공수가 퍼지기 쉽게 하여 피가공물과 상기 가공면의 접촉 부위에 마찰열이 발생하는 것을 억제하는 것인 가공 방법.
  3. 삭제
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