KR102567153B1 - 열전 모듈 및 광 모듈 - Google Patents

열전 모듈 및 광 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR102567153B1
KR102567153B1 KR1020217028269A KR20217028269A KR102567153B1 KR 102567153 B1 KR102567153 B1 KR 102567153B1 KR 1020217028269 A KR1020217028269 A KR 1020217028269A KR 20217028269 A KR20217028269 A KR 20217028269A KR 102567153 B1 KR102567153 B1 KR 102567153B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
thermoelectric
thermoelectric module
diffusion barrier
electrode
Prior art date
Application number
KR1020217028269A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210124370A (ko
Inventor
테츠시 타나카
카츠시 후쿠다
아키오 코니시
히로유키 마츠나미
타카아키 오타
하루카 코레에다
Original Assignee
가부시키가이샤 케르쿠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 케르쿠 filed Critical 가부시키가이샤 케르쿠
Publication of KR20210124370A publication Critical patent/KR20210124370A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102567153B1 publication Critical patent/KR102567153B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N11/00—Generators or motors not provided for elsewhere; Alleged perpetua mobilia obtained by electric or magnetic means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

열전 모듈(1)은 기판(2)과, 기판의 제 1 면(2A)에 형성되는 전극(4)과, 열전 소자(3)와, 전극과 열전 소자 사이에 배치되는 제 1 확산 방지층(5)을 구비한다. 제 1 확산 방지층은 수소보다 이온화 경향이 낮은 제 1 재료를 포함한다.

Description

열전 모듈 및 광 모듈
본 발명은 열전 모듈 및 광 모듈에 관한 것이다.
펠티에 효과에 의해 흡열 또는 발열하는 열전 모듈이 알려져 있다. 열전 모듈의 열전 소자가 통전됨으로써 열전 모듈은 흡열 또는 발열한다.
일본 특허공개 2016-111326호 공보
열전 모듈이 결로한 상태로 통전되면 일렉트로케미컬 마이그레이션이 발생하고, 전극 또는 확산 방지층으로서 사용되는 금속의 이동에 기인하는 전기적 단락 또는 단선이 발생할 가능성이 있다.
본 발명의 실시형태는 전기적 단락 또는 단선의 발생을 억제할 수 있는 열전 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시형태에 따르면 기판과, 상기 기판의 제 1 면에 형성되는 전극과, 열전 소자와, 상기 전극과 상기 열전 소자 사이에 배치되는 제 1 확산 방지층을 구비하고, 상기 제 1 확산 방지층은 수소보다 이온화 경향이 낮은 제 1 재료를 포함하는 열전 모듈이 제공된다.
(발명의 효과)
본 발명의 실시형태에 의하면 전기적 단락 또는 단선의 발생을 억제할 수 있는 열전 모듈이 제공된다.
도 1은 제 1 실시형태에 의한 광 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 2는 제 1 실시형태에 의한 열전 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 3은 제 1 실시형태에 의한 열전 모듈의 일부를 나타내는 확대 단면도이다.
도 4는 제 1 실시형태에 의한 열전 모듈의 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다.
도 5는 제 2 실시형태에 의한 열전 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 6은 제 2 실시형태에 의한 열전 모듈의 일부를 나타내는 확대 단면도이다.
도 7은 제 2 실시형태에 의한 열전 모듈의 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다.
도 8은 제 2 실시형태에 의한 열전 모듈의 일부를 나타내는 확대 단면도이다.
이하, 본 발명에 의한 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명하지만 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 이하에서 설명하는 복수의 실시형태의 구성 요소는 적당히 조합할 수 있다. 또한, 일부 구성 요소를 사용하지 않는 경우도 있다.
이하의 설명에 있어서는 XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 이 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부의 위치 관계에 대해서 설명한다. 소정 면내의 X축과 평행한 방향을 X축 방향, 소정 면내에 있어서 X축과 직교하는 Y축과 평행한 방향을 Y축 방향, 소정 면과 직교하는 Z축과 평행한 방향을 Z축 방향이라고 한다. X축과, Y축과, Z축은 직교한다. 또한, X축 및 Y축을 포함하는 평면을 XY 평면, Y축 및 Z축을 포함하는 평면을 YZ 평면, Z축 및 X축을 포함하는 평면을 XZ 평면이라고 한다. XY 평면은 소정 면과 평행하다. XY 평면과, YZ 평면과, XZ 평면은 직교한다.
[제 1 실시형태]
<광 모듈>
도 1은 본 실시형태에 의한 광 모듈(100)을 나타내는 단면도이다. 광 모듈(100)은, 예를 들면 광통신에 사용된다. 도 1에 나타내는 바와 같이 광 모듈(100)은 열전 모듈(1)과, 발광 소자(101)와, 히트 싱크(102)와, 제 1 헤더(103)와, 수광 소자(104)와, 제 2 헤더(105)와, 온도 센서(106)와, 금속판(107)과, 렌즈(108)와, 렌즈 홀더(109)와, 제 1 단자(110)와, 제 2 단자(111)와, 와이어(112)와, 하우징(113)을 구비한다.
또한, 광 모듈(100)은 광 아이솔레이터(115)와, 광 페룰(116)과, 광 파이버(117)와, 슬리브(118)를 갖는다.
열전 모듈(1)은 펠티에 효과에 의해 흡열 또는 발열한다. 열전 모듈(1)은 1쌍의 기판(2)과, 1쌍의 기판(2) 사이에 배치되는 열전 소자(3)를 갖는다.
발광 소자(101)는 광을 사출한다. 발광 소자(101)는, 예를 들면 레이저광을 사출하는 레이저 다이오드를 포함한다. 히트 싱크(102)는 발광 소자(101)를 지지한다. 히트 싱크(102)는 발광 소자(101)에서 발생한 열을 방산한다. 제 1 헤더(103)는 히트 싱크(102)를 지지한다. 히트 싱크(102)는 제 1 헤더(103)에 고정된다.
수광 소자(104)는 발광 소자(101)로부터 발생한 광을 검출한다. 수광 소자(104)는, 예를 들면 포토다이오드를 포함한다. 제 2 헤더(105)는 수광 소자(104)를 지지한다. 수광 소자(104)는 제 2 헤더(105)에 고정된다.
온도 센서(106)는 금속판(107)의 온도를 검출한다. 온도 센서(106)는, 예를 들면 서미스터를 포함한다.
금속판(107)은 제 1 헤더(103), 제 2 헤더(105), 및 온도 센서(106)를 지지한다. 제 1 헤더(103), 제 2 헤더(105), 및 온도 센서(106)는 땜납에 의해 금속판(107)에 고정된다.
렌즈(108)는 발광 소자(101)로부터 사출된 광을 모은다. 렌즈 홀더(109)는 렌즈(108)를 유지한다.
제 1 단자(110)는 제 1 헤더(103), 제 2 헤더(105), 및 온도 센서(106)와 접속된다. 제 2 단자(111)는 열전 모듈(1)에 접속된다. 제 1 단자(110)와 제 2 단자(111)는 와이어(112)를 통해 접속된다.
하우징(113)은 열전 모듈(1), 발광 소자(101), 히트 싱크(102), 제 1 헤더(103), 수광 소자(104), 제 2 헤더(105), 온도 센서(106), 금속판(107), 렌즈(108), 렌즈 홀더(109), 제 1 단자(110), 제 2 단자(111), 및 와이어(112)를 수용한다. 하우징(113)은 발광 소자(101)로부터 사출된 광이 통과하는 개구부(114)를 갖는다.
광 아이솔레이터(115)는 하우징(113)의 외측에 있어서 개구부(114)를 막도록 배치된다. 광 아이솔레이터(115)는 한 방향으로 진행하는 광을 통과시키고, 역방향으로 진행하는 광을 차단한다. 발광 소자(101)로부터 사출되어 렌즈(108)를 통과한 광은 개구부(114)를 통해 광 아이솔레이터(115)에 입사한다. 광 아이솔레이터(115)에 입사한 광은 광 아이솔레이터(115)를 통과한다.
광 페룰(116)은 광 아이솔레이터(115)로부터 사출된 광을 광 파이버(117)에 유도한다. 슬리브(118)는 광 페룰(116)을 지지한다.
이어서, 광 모듈(100)의 동작에 대해서 설명한다. 발광 소자(101)로부터 사출된 광은 렌즈(108)에 의해 모아진 후 개구부(114)를 통해 광 아이솔레이터(115)에 입사한다. 광 아이솔레이터(115)에 입사한 광은 광 아이솔레이터(115)를 통과한 후 광 페룰(116)을 통해 광 파이버(117)의 끝면에 입사한다.
발광 소자(101)로부터 발생한 광의 적어도 일부는 수광 소자(104)를 향해서 사출된다. 수광 소자(104)는 발광 소자(101)로부터 사출된 광을 받는다. 수광 소자(104)에 의해 발광 소자(101)의 발광 상태가 모니터된다.
발광 소자(101)로부터 발생한 열은 히트 싱크(102) 및 제 1 헤더(103)를 통해 금속판(107)에 전달된다. 온도 센서(106)는 금속판(107)의 온도를 검출한다. 금속판(107)의 온도가 규정 온도에 도달한 것을 온도 센서(106)가 검출했을 경우 열전 모듈(1)에 전류가 공급된다. 열전 모듈(1)의 열전 소자(3)가 통전됨으로써 열전 모듈(1)은 펠티에 효과에 의해 흡열한다. 이에 따라 발광 소자(101)가 냉각된다. 발광 소자(101)는 열전 모듈(1)에 의해 온도 조정된다.
<열전 모듈>
도 2는 본 실시형태에 의한 열전 모듈(1)을 나타내는 단면도이다. 도 3은 본 실시형태에 의한 열전 모듈(1)의 일부를 나타내는 확대 단면도이다.
열전 모듈(1)은 1쌍의 기판(2)과, 1쌍의 기판(2) 사이에 배치되는 열전 소자(3)를 갖는다.
기판(2)은 전기 절연 재료로 형성된다. 본 실시형태에 있어서 기판(2)은 세라믹 기판이다. 기판(2)은 산화물 세라믹 또는 질화물 세라믹에 의해 형성된다. 산화물 세라믹으로서 산화알루미늄(Al2O3) 또는 산화지르코늄(ZrO2)이 예시된다. 질화물 세라믹으로서 질화규소(Si3N4) 또는 질화알루미늄(AlN)이 예시된다.
열전 소자(3)는, 예를 들면 비스무트텔루륨계 화합물(Bi-Te)과 같은 열전 재료에 의해 형성된다. 열전 소자(3)는 n형 열전 반도체 소자인 제 1 열전 소자(3N)와, p형 열전 반도체 소자인 제 2 열전 소자(3P)를 포함한다. 제 1 열전 소자(3N) 및 제 2 열전 소자(3P) 각각은 XY 평면 내에 복수 배치된다. X축 방향에 있어서 제 1 열전 소자(3N)와 제 2 열전 소자(3P)는 교대로 배치된다. Y축 방향에 있어서 제 1 열전 소자(3N)와 제 2 열전 소자(3P)는 교대로 배치된다.
열전 소자(3)를 형성하는 열전 재료로서 비스무트(Bi), 비스무트텔루륨계 화합물(Bi-Te), 비스무트안티몬계 화합물(Bi-Sb), 납텔루륨계 화합물(Pb-Te), 코발트안티몬계 화합물(Co-Sb), 이리듐안티몬계 화합물(Ir-Sb), 코발트비소계 화합물(Co-As), 실리콘게르마늄계 화합물(Si-Ge), 구리셀레늄계 화합물(Cu-Se), 가돌리늄셀레늄계 화합물(Gd-Se), 탄화붕소계 화합물, 텔루륨계 페로브스카이트 산화물, 희토류 황화물, TAGS계 화합물(GeTe-AgSbTe2), 호이즐러형 TiNiSn, FeNbSb, TiCoSb계 물질 등이 예시된다.
열전 모듈(1)은 Z축 방향에 있어서 실질적으로 대칭인 구조이다. 이하의 설명에 있어서는 도 2에 나타내는 대칭선(CL)보다 +Z측의 구조에 대해서 주로 설명한다.
기판(2)은 제 1 면(2A)과, 제 2 면(2B)을 갖는다. 제 1 면(2A)은 1쌍의 기판(2) 사이의 공간에 면한다. 즉, 제 1 면(2A)은 열전 소자(3)가 존재하는 공간에 면한다. 제 2 면(2B)은 제 1 면(2A)의 역방향을 향한다. 제 1 면(2A) 및 제 2 면(2B) 각각은 XY 평면과 실질적으로 평행하다.
열전 모듈(1)은 기판(2)의 제 1 면(2A)에 형성되는 전극(4)과, 전극(4)과 열전 소자(3) 사이에 배치되는 제 1 확산 방지층(5)과, 전극(4)과 제 1 확산 방지층(5) 사이에 형성되는 접합층(6)을 구비한다.
또한, 열전 모듈(1)은 기판(2)의 제 2 면(2B)에 형성되는 제 1 금속층(7)과, 제 2 금속층(8)과, 제 1 금속층(7)과 제 2 금속층(8) 사이에 배치되는 제 2 확산 방지층(9)을 구비한다.
전극(4)은 열전 소자(3)에 전력을 부여한다. 전극(4)은 제 1 면(2A)에 접촉하는 제 1 전극층(4A)과, 제 1 전극층(4A)을 덮는 제 2 전극층(4B)과, 제 2 전극층(4B)을 덮는 제 3 전극층(4C)을 포함한다.
전극(4)은 제 1 면(2A)에 복수 형성된다. 전극(4)은 인접하는 1쌍의 제 1 열전 소자(3N) 및 제 2 열전 소자(3P) 각각에 접속된다. 전극(4)은 접합층(6) 및 제 1 확산 방지층(5)을 통해 열전 소자(3)에 접속된다.
제 1 전극층(4A)은 구리(Cu)에 의해 형성된다. 제 2 전극층(4B)은 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료에 의해 형성된다. 제 2 전극층(4B)을 형성하는 재료로서 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 및 로듐(Rh) 중 적어도 하나가 예시된다. 본 실시형태에 있어서 제 2 전극층(4B)은 팔라듐(Pd)에 의해 형성된다. 제 3 전극층(4C)은 금(Au)에 의해 형성된다.
접합층(6)은 전극(4)과 제 1 확산 방지층(5)을 접합한다. 접합층(6)을 형성하는 재료로서 주석(Sn)을 주성분으로 하는 납 프리 땜납이 예시된다. 납 프리 땜납이란 납분말이 0.10질량% 이하인 땜납을 말한다. 접합층(6)을 형성하는 땜납의 재료로서 주석(Sn)과 안티몬(Sb)의 금속간 화합물인 주석안티몬 합금계(Sn-Sb계) 땜납, 금(Au)과 주석(Sn)의 금속간 화합물인 금주석 합금계(Au-Sn계) 땜납, 및 구리(Cu)와 주석(Sn)의 금속간 화합물인 구리 주석 합금계(Cu-Sn계) 땜납이 예시된다.
즉, 본 실시형태에 있어서 전극(4)과 제 1 확산 방지층(5)은 땜납에 의해 접합된다. 제 1 확산 방지층(5)은 접합층(6)을 통해 전극(4)과 접속된다. 제 1 확산 방지층(5)은 접합층(6)과 접촉한다. 전극(4)은 접합층(6)과 접촉한다. 본 실시형태에 있어서 전극(4)의 제 3 전극층(4C)이 접합층(6)에 접촉한다.
제 1 확산 방지층(5)은 접합층(6)에 포함되는 원소가 열전 소자(3)에 확산하는 것을 억제한다. 접합층(6)에 포함되는 원소가 열전 소자(3)에 확산하는 것이 억제됨으로써 열전 소자(3)의 성능의 저하가 억제된다.
제 1 확산 방지층(5)은 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료(제 1 재료)에 의해 형성된다. 제 1 확산 방지층(5)을 형성하는 재료로서 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 및 로듐(Rh) 중 적어도 하나가 예시된다. 본 실시형태에 있어서 제 1 확산 방지층(5)은 팔라듐(Pd)에 의해 형성된다.
제 1 확산 방지층(5)은 접합층(6) 및 열전 소자(3) 각각과 접촉한다. 제 1 확산 방지층(5)은 접합층(6)에 접촉하는 제 1 접촉면(5A)과, 열전 소자(3)에 접촉하는 제 2 접촉면(5B)과, 제 1 접촉면(5A)의 둘레 가장자리부와 제 2 접촉면(5B)의 둘레 가장자리부를 연결하는 측면(5C)을 갖는다. 제 1 접촉면(5A), 제 2 접촉면(5B), 및 측면(5C) 각각이 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료로 형성된다. 본 실시형태에 있어서 제 1 확산 방지층(5)은 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료만으로 형성된다.
제 3 전극층(4C)은 땜납인 접합층(6)에 의해 제 1 확산 방지층(5)과 접합된다. 제 3 전극층(4C)은 땜납에 의해 제 1 확산 방지층(5)과 접합하기 쉬운 금(Au)에 의해 형성된다. 제 2 전극층(4B)은 제 1 전극층(4A)에 포함되는 원소가 제 3 전극층(4C)에 확산하는 것을 억제하는 확산 방지층으로서 기능한다. 제 2 전극층(4B)은 제 1 전극층(4A)을 덮도록 형성된다. 제 1 전극층(4A)에 포함되는 원소가 제 3 전극층(4C)에 확산하는 것이 억제됨으로써 제 3 전극층(4C)과 제 1 확산 방지층(5)은 접합층(6)을 통해 충분히 접속된다.
제 1 금속층(7)은 기판(2)의 제 2 면(2B)에 접촉한다. 제 1 금속층(7)은 열전도율이 높은 금속에 의해 형성된다. 본 실시형태에 있어서 제 1 금속층(7)은 구리(Cu)에 의해 형성된다. 제 1 금속층(7)으로서 열전도율이 높은 구리(Cu)가 사용됨으로써 복수의 열전 소자(3) 각각이 흡열 또는 발열했을 때 제 1 금속층(7)의 온도는 균일화된다.
제 2 금속층(8)은 열전 모듈(1)에 의한 온도 대상과 접속된다. 제 2 금속층(8)은 제 2 확산 방지층(9)을 덮도록 형성된다. 본 실시형태에 있어서 제 2 금속층(8)은 도 1을 참조해서 설명한 금속판(107)에 접속된다. 제 2 금속층(8)과 금속판(107)은 땜납에 의해 접합된다. 제 2 금속층(8)은 땜납에 의해 금속판(107)과 접합하기 쉬운 금속에 의해 형성된다. 본 실시형태에 있어서 제 2 금속층(8)은 금(Au)에 의해 형성된다.
제 2 확산 방지층(9)은 제 1 금속층(7)에 포함되는 원소가 제 2 금속층(8)에 확산하는 것을 억제한다. 제 2 확산 방지층(9)은 제 1 금속층(7)을 덮도록 형성된다. 제 1 금속층(7)에 포함되는 원소가 제 2 금속층(8)에 확산하는 것이 억제됨으로써 제 2 금속층(8)과 금속판(107)은 충분히 접속된다.
제 2 확산 방지층(9)은 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료(제 3 재료)에 의해 형성된다. 제 2 확산 방지층(9)을 형성하는 재료로서 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 및 로듐(Rh) 중 적어도 하나가 예시된다. 본 실시형태에 있어서 제 2 확산 방지층(9)은 팔라듐(Pd)에 의해 형성된다.
본 실시형태에 있어서 제 1 확산 방지층(5)을 형성하는 재료와 제 2 확산 방지층(9)을 형성하는 재료는 동일하다. 또한, 제 1 확산 방지층(5)을 형성하는 재료와 제 2 확산 방지층(9)을 형성하는 재료는 상이해도 좋다. 예를 들면, 제 1 확산 방지층(5)을 형성하는 재료가 팔라듐(Pd)이며, 제 2 확산 방지층(9)을 형성하는 재료가 백금(Pt)이어도 좋다.
제 2 확산 방지층(9)은 제 1 금속층(7) 및 제 2 금속층(8) 각각과 접촉한다. 제 2 확산 방지층(9)은 제 1 금속층(7)에 접촉하는 제 3 접촉면(9A)과, 제 2 금속층(8)에 접촉하는 제 4 접촉면(9B)을 갖는다. 제 3 접촉면(9A) 및 제 4 접촉면(9B) 각각이 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료로 형성된다. 본 실시형태에 있어서 제 2 확산 방지층(9)은 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료만으로 형성된다.
제 2 전극층(4B)은 제 1 전극층(4A) 및 제 3 전극층(4C) 각각과 접촉한다. 제 2 전극층(4B)은 제 1 전극층(4A)에 접촉하는 제 5 접촉면(15)과, 제 3 전극층(4C)에 접촉하는 제 6 접촉면(16)을 갖는다. 제 5 접촉면(15) 및 제 6 접촉면(16) 각각이 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료로 형성된다. 본 실시형태에 있어서 제 2 전극층(4B)은 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료만으로 형성된다.
<열전 모듈의 제조 방법>
도 4는 본 실시형태에 의한 열전 모듈(1)의 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다. 기판(2)의 제 1 면(2A)에 제 1 전극층(4A)이 형성되고, 기판(2)의 제 2 면(2B)에 제 1 금속층(7)이 형성된다. 예를 들면, 기판(2)을 도금 처리함으로써 제 1 전극층(4A) 및 제 1 금속층(7)이 형성된다(스텝 SA1).
이어서, 제 1 전극층(4A)을 덮도록 제 2 전극층(4B)이 형성되고, 제 1 금속층(7)을 덮도록 제 2 확산 방지층(9)이 형성된다. 예를 들면, 도금 처리에 의해 제 2 전극층(4B) 및 제 2 확산 방지층(9)이 형성된다(스텝 SA2).
이어서, 제 2 전극층(4B)을 덮도록 제 3 전극층(4C)이 형성되고, 제 2 확산 방지층(9)을 덮도록 제 2 금속층(8)이 형성된다. 예를 들면, 도금 처리에 의해 제 3 전극층(4C) 및 제 2 금속층(8)이 형성된다(스텝 SA3).
열전 소자(3)의 끝면에 제 1 확산 방지층(5)이 형성된다. 예를 들면, 스퍼터에 의해 제 1 확산 방지층(5)이 형성된다(스텝 SB).
스텝 SA3의 처리가 종료된 기판(2)의 제 3 전극층(4C)과, 스텝 SB의 처리가 종료된 열전 소자(3)의 제 1 확산 방지층(5)이 땜납에 의해 접합된다(스텝 SC).
스텝 SC의 처리에 의해 제 1 확산 방지층(5)이 접합층(6)을 통해 전극(4)에 접속된다.
<효과>
이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에 의하면 제 1 확산 방지층(5)이 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료에 의해 형성된다. 이에 따라 열전 모듈(1)이 결로한 상태로 통전되어도 일렉트로케미컬 마이그레이션의 발생이 억제된다. 그 때문에 전극 또는 확산 방지층으로서 사용되는 금속의 이동에 기인하는 전기적 단락 또는 단선의 발생이 억제된다. 또한, 일렉트로케미컬 마이그레이션에 기인하는 열전 소자(3)의 열화가 억제된다. 따라서, 열전 모듈(1)의 성능은 장기간 유지된다.
본 발명자는 수소보다 이온화 경향이 높은 재료에 의해 제 1 확산 방지층 (5)이 형성되면 열전 모듈(1)이 결로한 상태로 통전했을 때 일렉트로케미컬 마이그레이션이 발생할 가능성이 높은 것을 발견했다. 또한, 본 발명자는 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료에 의해 제 1 확산 방지층(5)이 형성되면 열전 모듈(1)이 결로한 상태로 통전해도 일렉트로케미컬 마이그레이션의 발생이 억제되는 것을 발견했다. 또한, 수소보다 이온화 경향이 높은 재료로서 니켈(Ni)이 예시된다.
열전 모듈(1)에 의한 온도 조절 온도가 주위의 환경 분위기의 노점을 하회했을 경우 열전 모듈(1)이 결로할 가능성이 높다. 그 때문에 니켈(Ni)과 같은 재료로 제 1 확산 방지층이 형성되었을 경우 일렉트로케미컬 마이그레이션의 발생을 방지하기 위해서 하우징(113)의 기밀성을 높이고, 또한 하우징의 내부 공간을 불활성 가스로 채울 필요가 있다. 하우징의 기밀성을 높이고, 또한 하우징의 내부 공간을 불활성 가스로 채우는 구성에서는 비용이 상승한다.
본 실시형태에 있어서는 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료에 의해 제 1 확산 방지층(5)이 형성된다. 그 때문에 하우징(113)의 기밀성이 낮아도 일렉트로케미컬 마이그레이션의 발생이 억제된다. 따라서, 비용이 억제된 열전 모듈(1) 및 광 모듈(100)을 제공할 수 있다.
[제 2 실시형태]
제 2 실시형태에 대해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서 상술한 실시형태와 동일 또는 동등한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 간략 또는 생략한다.
상술한 실시형태에 있어서는 제 1 확산 방지층(5), 제 2 확산 방지층(9), 및 제 2 전극층(4B) 각각이 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료만으로 형성되는 예에 대해서 설명했다. 본 실시형태에 있어서는 제 1 확산 방지층(5), 제 2 확산 방지층(9), 및 제 2 전극층(4B) 각각이 수소보다 이온화 경향이 높은 재료와 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료로 형성되는 예에 대해서 설명한다.
<열전 모듈>
도 5는 본 실시형태에 의한 열전 모듈(1)을 나타내는 단면도이다. 도 6은 본 실시형태에 의한 열전 모듈(1)의 일부를 나타내는 확대 단면도이다.
본 실시형태에 있어서 제 1 확산 방지층(5)은 수소보다 이온화 경향이 높은 재료(제 2 재료)로 형성된 제 2 재료층(52)과, 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료(제 1 재료)로 형성되고, 제 2 재료층(52)의 측면(52C)을 피복하는 제 1 재료층(51)을 포함한다.
제 1 재료층(51)을 형성하는 재료로서 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 및 로듐(Rh) 중 적어도 하나가 예시된다. 제 2 재료층(52)을 형성하는 재료로서 니켈(Ni)이 예시된다.
제 1 재료층(51)은 제 2 재료층(52)의 적어도 측면(52C)을 덮는다. 제 1 재료층(51)에 의해 제 2 재료층(52)의 표면은 노출되지 않는다.
접합층(6)은 전극(4)과 제 1 확산 방지층(5) 사이에 형성된다. 제 1 재료층(51)의 적어도 일부는 접합층(6)과 제 2 재료층(52) 사이에 배치된다. 제 1 재료층(51)은 접합층(6)에 접촉한다. 제 2 재료층(52)은 열전 소자(3)에 접촉한다.
본 실시형태에 있어서 제 2 확산 방지층(9)은 수소보다 이온화 경향이 높은 재료(제 4 재료)로 형성된 제 4 재료층(92)과, 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료(제 3 재료)로 형성되고, 제 4 재료층(92)과 제 2 금속층(8) 사이에 배치되는 제 3 재료층(91)을 포함한다.
제 3 재료층(91)을 형성하는 재료로서 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 및 로듐(Rh) 중 적어도 하나가 예시된다. 제 4 재료층(92)을 형성하는 재료로서 니켈(Ni)이 예시된다.
제 3 재료층(91)은 제 2 금속층(8) 및 제 4 재료층(92) 각각에 접촉한다. 제 4 재료층(92)은 제 1 금속층(7)에 접촉한다.
본 실시형태에 있어서 제 2 전극층(4B)은 수소보다 이온화 경향이 높은 재료로 형성된 제 6 재료층(46)과, 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료로 형성되고, 제 6 재료층(46)과 제 3 전극층(4C) 사이에 배치되는 제 5 재료층(45)을 포함한다.
제 5 재료층(45)을 형성하는 재료로서 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 및 로듐(Rh) 중 적어도 하나가 예시된다. 제 6 재료층(46)을 형성하는 재료로서 니켈(Ni)이 예시된다.
제 5 재료층(45)은 제 3 전극층(4C) 및 제 6 재료층(46) 각각에 접촉한다. 제 6 재료층(46)은 제 1 전극층(4A)에 접촉한다.
<열전 모듈의 제조 방법>
도 7은 본 실시형태에 의한 열전 모듈(1)의 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다. 기판(2)의 제 1 면(2A)에 제 1 전극층(4A)이 형성되고, 기판(2)의 제 2 면(2B)에 제 1 금속층(7)이 형성된다. 예를 들면, 기판(2)을 도금 처리함으로써 제 1 전극층(4A) 및 제 1 금속층(7)이 형성된다(스텝 SA1).
이어서, 제 1 전극층(4A)을 덮도록 제 6 재료층(46)이 형성되고, 제 1 금속층(7)을 덮도록 제 4 재료층(92)이 형성된다. 예를 들면, 도금 처리에 의해 제 1 금속층(7) 및 제 4 재료층(92)이 형성된다(스텝 SA2a).
이어서, 제 6 재료층(46)을 덮도록 제 5 재료층(45)이 형성되고, 제 4 재료층(92)을 덮도록 제 3 재료층(91)이 형성된다. 예를 들면, 도금 처리에 의해 제 5 재료층(45) 및 제 3 재료층(91)이 형성된다(스텝 SA2b).
이어서, 제 5 재료층(45)을 덮도록 제 3 전극층(4C)이 형성되고, 제 3 재료층(91)을 덮도록 제 2 금속층(8)이 형성된다. 예를 들면, 도금 처리에 의해 제 3 전극층(4C) 및 제 2 금속층(8)이 형성된다(스텝 SA3).
열전 소자(3)의 끝면에 제 2 재료층(52)이 형성된다. 예를 들면, 도금 처리에 의해 제 2 재료층(52)이 형성된다(스텝 SBa).
이어서, 제 2 재료층(52)을 덮도록 제 1 재료층(51)이 형성된다. 예를 들면, 스퍼터에 의해 제 1 재료층(51)이 형성된다(스텝 SBb).
스텝 SA3의 처리가 종료된 기판(2)의 제 3 전극층(4C)과, 스텝 SBb의 처리가 종료된 열전 소자(3)의 제 1 재료층(51)이 땜납에 의해 접합된다(스텝 SC).
스텝 SC의 처리에 의해 제 1 확산 방지층(5)이 접합층(6)을 통해 전극(4)에 접속된다.
<효과>
이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에 있어서는 제 1 확산 방지층(5)은 니켈과 같은 수소보다 이온화 경향이 높은 재료로 형성된 제 2 재료층(52)을 포함한다. 제 2 재료층(52)의 표면(노출면)은 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료로 형성된 제 1 재료층(51)으로 덮인다. 이에 따라, 열전 모듈(1)이 결로해도 제 2 재료층(52)에 수분이 접촉하는 것이 억제된다. 그 때문에 열전 소자(3)가 통전되어도 일렉트로케미컬 마이그레이션의 발생이 억제된다. 따라서, 전극 또는 확산 방지층으로서 사용되는 금속의 이동에 기인하는 전기적 단락 또는 단선의 발생이 억제된다. 또한, 열전 소자(3)의 열화가 억제되어 열전 모듈(1)의 성능은 장기간 유지된다.
<변형예>
도 8은 본 실시형태에 의한 열전 모듈(1)의 일부를 나타내는 확대 단면도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이 제 1 재료층(51)은 제 2 재료층(52)의 표면을 덮는 제 1 재료층(51A)과, 열전 소자(3)의 표면을 덮는 제 1 재료층(51B)을 포함해도 좋다. 예를 들면, 상술한 스텝 SBb에 있어서 열전 소자(3)에 형성된 제 2 재료층(52)의 표면에 제 1 재료층(51A)이 형성되고, 제 2 재료층(52)이 형성된 열전 소자(3)의 표면에 제 1 재료층(51B)이 형성되어도 좋다.
[그 외의 실시형태]
제 1 확산 방지층(5)이 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료만으로 형성되고, 제 2 확산 방지층(9)이 제 3 재료층(91) 및 제 4 재료층(92)을 포함해도 좋다. 제 1 확산 방지층(5)이 제 1 재료층(51) 및 제 2 재료층(52)을 포함하고, 제 2 확산 방지층(9)이 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료만으로 형성되어도 좋다.
상술한 실시형태에 있어서는 열전 모듈(1)은 펠티에 효과에 의해 흡열 또는 발열하는 것으로 했다. 열전 모듈(1)은 제베크 효과에 의해 발전해도 좋다. 열전 모듈(1)의 1쌍의 기판(2)에 온도차가 부여됨으로써 열전 모듈(1)은 제베크 효과에 의해 발전할 수 있다.
상술한 실시형태에 있어서 열전 모듈(1)에 접속되는 제 2 단자(111)도 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료로 형성되어도 좋다. 또한, 제 2 단자(111)가 수소보다 이온화 경향이 높은 재료의 표면을 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료로 피복함으로써 형성되어도 좋다. 와이어(112)와 접속되는 제 2 단자(111)의 접속부는 와이어(112)와 접속 가능한 재료에 의해 형성된다. 와이어(112)와 접속 가능한 제 2 단자(111)의 접속부의 표면으로서, 예를 들면 금의 막이 예시된다. 제 2 단자(111)의 접속부의 표면이 금의 막으로 형성됨으로써 와이어(112)를 본딩할 수 있다. 또한, 와이어(112) 대신에 리드선을 사용할 경우 리드선 및 접속부의 재료도 수소보다 이온화 경향이 낮은 재료로 형성되어도 좋다.
1: 열전 모듈 2: 기판
2A: 제 1 면 2B: 제 2 면
3: 열전 소자 3N: 제 1 열전 소자
3P: 제 2 열전 소자 4: 전극
4A: 제 1 전극층 4B: 제 2 전극층
4C: 제 3 전극층 5: 제 1 확산 방지층
5A: 제 1 접촉면 5B: 제 2 접촉면
5C: 측면 6: 접합층
7: 제 1 금속층 8: 제 2 금속층
9: 제 2 확산 방지층 9A: 제 3 접촉면
9B: 제 4 접촉면 15: 제 5 접촉면
16: 제 6 접촉면 51: 제 1 재료층
51A: 제 1 재료층 51B: 제 1 재료층
52: 제 2 재료층 52C: 측면
45: 제 5 재료층 46: 제 6 재료층
91: 제 3 재료층 92: 제 4 재료층
100: 광 모듈 101: 발광 소자
102: 히트 싱크 103: 제 1 헤더
104: 수광 소자 105: 제 2 헤더
106: 온도 센서 107: 금속판
108: 렌즈 109: 렌즈 홀더
110: 제 1 단자 111: 제 2 단자
112: 와이어 113: 하우징
114: 개구부 115: 광 아이솔레이터
116: 광 페룰 117: 광 파이버
118: 슬리브 CL: 대칭선

Claims (16)

  1. 기판과,
    상기 기판의 제 1 면에 형성되는 전극과,
    열전 소자와,
    상기 전극과 상기 열전 소자 사이에 배치되는 제 1 확산 방지층을 구비하고,
    상기 제 1 확산 방지층은 수소보다 이온화 경향이 낮은 제 1 재료를 포함하고,
    상기 제 1 확산 방지층은 수소보다 이온화 경향이 높은 제 2 재료로 형성된 제 2 재료층과, 상기 제 1 재료로 형성되어 상기 제 2 재료층의 측면을 피복하는 제 1 재료층을 포함하는 열전 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극과 상기 제 1 확산 방지층 사이에 형성되는 접합층을 구비하고,
    상기 제 1 확산 방지층은 상기 접합층에 접촉하는 제 1 접촉면과, 상기 열전 소자에 접촉하는 제 2 접촉면과, 측면을 갖고,
    상기 제 1 접촉면, 상기 제 2 접촉면, 및 상기 측면 각각이 상기 제 1 재료로 형성되는 열전 모듈.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극과 상기 제 1 확산 방지층 사이에 형성되는 접합층을 구비하고,
    상기 제 1 재료층의 적어도 일부는 상기 접합층과 상기 제 2 재료층 사이에 배치되고,
    상기 제 2 재료층은 상기 열전 소자에 접촉하는 열전 모듈.
  5. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 재료는 니켈을 포함하는 열전 모듈.
  6. 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 재료는 팔라듐, 백금, 금, 및 로듐 중 적어도 하나를 포함하는 열전 모듈.
  7. 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 제 2 면에 형성되는 제 1 금속층과,
    제 2 금속층과,
    상기 제 1 금속층과 상기 제 2 금속층 사이에 배치되는 제 2 확산 방지층을 구비하고,
    상기 제 2 확산 방지층은 수소보다 이온화 경향이 낮은 제 3 재료를 포함하는 열전 모듈.
  8. 기판과,
    상기 기판의 제 2 면에 형성되는 제 1 금속층과,
    제 2 금속층과,
    상기 제 1 금속층과 상기 제 2 금속층 사이에 배치되는 제 2 확산 방지층을 구비하고,
    상기 제 2 확산 방지층은 수소보다 이온화 경향이 낮은 제 3 재료를 포함하는 열전 모듈.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 확산 방지층은 상기 제 1 금속층에 접촉하는 제 3 접촉면 및 상기 제 2 금속층에 접촉하는 제 4 접촉면을 갖고,
    상기 제 3 접촉면 및 상기 제 4 접촉면 각각이 상기 제 3 재료로 형성되는 열전 모듈.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 확산 방지층은 수소보다 이온화 경향이 높은 제 4 재료로 형성된 제 4 재료층과, 상기 제 3 재료로 형성되어 상기 제 4 재료층과 상기 제 2 금속층 사이에 배치되는 제 3 재료층을 포함하는 열전 모듈.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 3 재료층은 상기 제 2 금속층에 접촉하고,
    상기 제 4 재료층은 상기 제 1 금속층에 접촉하는 열전 모듈.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 4 재료는 니켈을 포함하는 열전 모듈.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 3 재료는 팔라듐, 백금, 금, 및 로듐 중 적어도 하나를 포함하는 열전 모듈.
  14. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 제 8 항, 및 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 열전 모듈과,
    상기 열전 모듈에 의해 온도 조정되는 발광 소자를 구비하는 광 모듈.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 4 재료는 니켈을 포함하는 열전 모듈.
  16. 제 10 항에 기재된 열전 모듈과,
    상기 열전 모듈에 의해 온도 조정되는 발광 소자를 구비하는 광 모듈.
KR1020217028269A 2019-03-19 2020-03-16 열전 모듈 및 광 모듈 KR102567153B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019051808A JP7267791B2 (ja) 2019-03-19 2019-03-19 熱電モジュール及び光モジュール
JPJP-P-2019-051808 2019-03-19
PCT/JP2020/011573 WO2020189650A1 (ja) 2019-03-19 2020-03-16 熱電モジュール及び光モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210124370A KR20210124370A (ko) 2021-10-14
KR102567153B1 true KR102567153B1 (ko) 2023-08-16

Family

ID=72520832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217028269A KR102567153B1 (ko) 2019-03-19 2020-03-16 열전 모듈 및 광 모듈

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220173298A1 (ko)
JP (1) JP7267791B2 (ko)
KR (1) KR102567153B1 (ko)
CN (1) CN113574687B (ko)
WO (1) WO2020189650A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220115664A (ko) * 2021-02-08 2022-08-18 한국재료연구원 전기도금법으로 형성된 접합층 및 확산방지 구조를 포함하는 소자 및 이의 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017143111A (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 日立化成株式会社 熱電変換モジュールおよびその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005050863A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Kyocera Corp 熱電モジュール
JP2006024913A (ja) * 2004-06-09 2006-01-26 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極および発光素子
JP4686171B2 (ja) * 2004-10-29 2011-05-18 株式会社東芝 熱−電気直接変換装置
JP2008277584A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Yamaha Corp 熱電用基板部材、熱電モジュール及びそれらの製造方法
JP5426188B2 (ja) * 2009-02-19 2014-02-26 株式会社Ｋｅｌｋ 熱電変換モジュール及び熱電半導体素子
JP6145609B2 (ja) 2014-12-09 2017-06-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電変換モジュール及び熱電変換システム
JP6587099B2 (ja) * 2015-12-15 2019-10-09 三菱マテリアル株式会社 ハンダ粉末及びその製造方法並びにこの粉末を用いたハンダ用ペーストの調製方法
CN109037407B (zh) * 2018-08-03 2024-04-23 厦门乾照光电股份有限公司 半导体发光芯片及其制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017143111A (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 日立化成株式会社 熱電変換モジュールおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113574687A (zh) 2021-10-29
JP2020155556A (ja) 2020-09-24
KR20210124370A (ko) 2021-10-14
WO2020189650A1 (ja) 2020-09-24
CN113574687B (zh) 2024-02-20
US20220173298A1 (en) 2022-06-02
JP7267791B2 (ja) 2023-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0969525B1 (en) Thermoelectric module and solder for use in its manufacture
JPWO2013128794A1 (ja) 半導体発光装置
KR102567153B1 (ko) 열전 모듈 및 광 모듈
KR20130119496A (ko) 캐리어 기판 및 반도체칩 제조 방법
EP3940799A1 (en) Thermoelectric conversion module
US9490412B2 (en) Peltier module for laser diode
JP4363958B2 (ja) 熱電変換モジュール及びその製造方法
JP7461137B2 (ja) 熱電モジュール及び光モジュール
JP7461138B2 (ja) 熱電モジュール及び光モジュール
WO2021124757A1 (ja) 熱電モジュール及び光モジュール
US20210119099A1 (en) Thermoelectric module and method for manufacturing thermoelectric module post
KR102645491B1 (ko) 열전 모듈, 및 열전 모듈용 포스트의 제조 방법
JP3935062B2 (ja) 熱電モジュール
JP4005937B2 (ja) 熱電モジュールのパッケージ
US20220199885A1 (en) Thermoelectric module
JP3909253B2 (ja) 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール
JP2005050862A (ja) 熱電変換モジュール
CN118020220A (zh) 光电子半导体器件和光电子模块
JP2011114139A (ja) 熱電変換モジュール
CN117156942A (zh) 热电模块
JP2005217028A (ja) 熱電変換モジュール及びその製造方法
JP2003282971A (ja) 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant