KR102566499B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

실시 예는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 포함하고 서로 이격하는 복수의 발광 셀들, 상기 발광 셀들의 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 절연층, 인접하는 2개의 발광 셀들 사이에 배치되고, 상기 인접하는 2개의 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층들에 접촉되는 적어도 하나의 제1 전극, 상기 절연층 아래에 서로 이격하여 배치되는 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드들, 상기 적어도 하나의 제1 전극과 상기 복수의 발광 셀들의 발광 구조물의 측면 사이에 배치되는 패시베이션층을 포함하며, 상기 전극의 일단은 상기 패시베이션층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층에 접촉하고, 상기 제1 전극의 타단은 상기 발광 구조물, 및 상기 절연층을 통과하여 상기 적어도 하나의 제1 전극 패드와 연결된다.An embodiment includes a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer, and a plurality of light emitting cells spaced apart from each other, insulation disposed under the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting cells. At least one first electrode disposed between two adjacent light emitting cells and in contact with the first conductive semiconductor layers of the two adjacent light emitting cells, and a first electrode disposed spaced apart from each other under the insulating layer. and a passivation layer disposed between an electrode pad and second electrode pads, the at least one first electrode and side surfaces of light emitting structures of the plurality of light emitting cells, and one end of the electrode penetrates the passivation layer to form the first electrode. 1 contacts a conductive semiconductor layer, and the other end of the first electrode passes through the light emitting structure and the insulating layer and is connected to the at least one first electrode pad.

Description

발광 소자{LIGHT EMITTING DEVICE}Light emitting device {LIGHT EMITTING DEVICE}

실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light Emitting Diode (LED) is a type of semiconductor device used as a light source or to transmit and receive signals by converting electricity into infrared rays or light using the characteristics of compound semiconductors.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(Group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.Group III-V nitride semiconductors are in the limelight as a key material for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties.

이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명 기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명, 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.Since these light emitting diodes do not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in existing lighting fixtures such as incandescent and fluorescent lamps, they have excellent eco-friendliness, and have advantages such as long lifespan and low power consumption, so they are superior to existing light sources. are replacing them

실시 예는 칩 두께를 줄일 수 있고, 작은 사이즈의 발광 구조물에 전극 패드의 구현이 용이하고, 하나의 칩으로 서로 다른 파장의 빛을 구현할 수 있는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of reducing the chip thickness, facilitating implementation of electrode pads on a small-sized light emitting structure, and implementing light of different wavelengths with a single chip.

실시 예에 따른 발광 소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 포함하고 서로 이격하는 복수의 발광 셀들; 상기 발광 셀들의 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 절연층; 인접하는 2개의 발광 셀들 사이에 배치되고, 상기 인접하는 2개의 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층들에 접촉되는 적어도 하나의 제1 전극; 상기 절연층 아래에 서로 이격하여 배치되는 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드들; 상기 적어도 하나의 제1 전극과 상기 복수의 발광 셀들의 발광 구조물의 측면 사이에 배치되는 패시베이션층을 포함하며, 상기 전극의 일단은 상기 패시베이션층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층에 접촉하고, 상기 제1 전극의 타단은 상기 발광 구조물, 및 상기 절연층을 통과하여 상기 적어도 하나의 제1 전극 패드와 연결된다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer, and a plurality of light emitting cells spaced apart from each other; an insulating layer disposed under the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting cells; at least one first electrode disposed between two adjacent light emitting cells and contacting the first conductivity type semiconductor layers of the two adjacent light emitting cells; first electrode pads and second electrode pads spaced apart from each other under the insulating layer; and a passivation layer disposed between the at least one first electrode and side surfaces of light emitting structures of the plurality of light emitting cells, and one end of the electrode penetrates the passivation layer and contacts the first conductivity type semiconductor layer, The other end of the first electrode passes through the light emitting structure and the insulating layer and is connected to the at least one first electrode pad.

상기 적어도 하나의 제1 전극은 상기 인접하는 2개의 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층들 상에 배치되는 상부 전극; 상기 상부 전극과 연결되고, 상기 발광 구조물 및 상기 절연층을 통과하여 상기 제1 전극 패드에 연결되는 관통 전극; 및 상기 상부 전극의 하면과 연결되고 상기 패시베이션층을 관통하여 상기 인접하는 2개의 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층들과 접촉하는 접촉 전극들을 포함할 수 있다.The at least one first electrode may include an upper electrode disposed on the first conductivity type semiconductor layers of the two adjacent light emitting cells; a penetration electrode connected to the upper electrode and connected to the first electrode pad through the light emitting structure and the insulating layer; and contact electrodes connected to the lower surface of the upper electrode and contacting the first conductivity-type semiconductor layers of the two adjacent light emitting cells through the passivation layer.

상기 패시베이션층은 상기 관통 전극과 상기 인접하는 2개의 발광 셀들의 발광 구조물의 측면 사이에 배치되는 제1 패시베이션층; 및 상기 상부 전극과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 배치되는 제2 패시베이션층을 포함할 수 있다.The passivation layer may include a first passivation layer disposed between the through electrode and side surfaces of light emitting structures of two adjacent light emitting cells; and a second passivation layer disposed between the upper electrode and the first conductivity-type semiconductor layer.

상기 발광 소자는 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극 패드 사이에 배치되는 제2 전극을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a second electrode disposed between the second conductivity type semiconductor layer and the second electrode pad.

상기 발광 소자는 상기 발광 셀들 중 적어도 하나의 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 형광체층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a phosphor layer disposed on the first conductivity type semiconductor layer of at least one of the light emitting cells.

상기 발광 소자는 상기 발광 셀들과 대응하는 제2 전극들을 더 포함하며, 상기 제2 전극들은 상기 발광 셀들 중 대응하는 어느 하나의 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극 패드들 중 대응하는 어느 하나 사이에 배치될 수 있다.The light emitting element further includes second electrodes corresponding to the light emitting cells, and the second electrodes include a second conductivity type semiconductor layer corresponding to one of the light emitting cells and a corresponding one of the second electrode pads. can be placed in between.

상기 적어도 하나의 제1 전극은 인접하는 2개의 발광 셀들 사이에 배치되고, 서로 이격하는 복수의 제1 전극들을 포함할 수 있고, 상기 복수의 제1 전극들 각각은 상기 상부 전극, 상기 관통 전극, 및 상기 접촉 전극들을 포함할 수 있다.The at least one first electrode may include a plurality of first electrodes disposed between two adjacent light emitting cells and spaced apart from each other, each of the plurality of first electrodes comprising the upper electrode, the through electrode, and the contact electrodes.

상기 복수의 제1 전극들의 관통 전극들은 상기 제1 전극 패드에 공통 접속될 수 있다.Through electrodes of the plurality of first electrodes may be commonly connected to the first electrode pad.

상기 제2 전극 패드들 각각은 상기 발광 셀들 중 대응하는 어느 하나의 아래에 배치되고, 서로 이격될 수 있다.Each of the second electrode pads may be disposed below a corresponding one of the light emitting cells and may be spaced apart from each other.

제1 전극 패드는 제1 패드부, 및 상기 제1 패드부로부터 확장되고 상기 복수의 제1 전극들의 관통 전극들이 접촉되는 제1 확장 패드부들을 포함하고, 상기 제2 전극 패드들 각각은 제2 패드부, 및 상기 제2 패드부로부터 확장되는 제2 확장 패드부들을 포함할 수 있다.The first electrode pad includes a first pad portion and first extension pad portions extending from the first pad portion and contacting penetration electrodes of the plurality of first electrodes, each of the second electrode pads having a second electrode pad portion. It may include a pad part and second extension pad parts extending from the second pad part.

상기 제1 전극 패드의 제1 패드부 및 상기 제2 전극 패드들의 제2 패드부들은 상기 발광 구조물의 하면의 모서리들 중 대응하는 어느 하나에 인접하여 배치될 수 있다.The first pad portion of the first electrode pad and the second pad portions of the second electrode pads may be disposed adjacent to a corresponding one of corners of a lower surface of the light emitting structure.

상기 제1 확장 패드부들 각각은 상기 발광 구조물의 하면의 제1 변에서 제2변으로 향하는 방향으로 연장되는 제1 연장 부분을 포함하고, 상기 제2 확장 패드부들 각각은 상기 발광 구조물의 하면의 제1 변에서 제2변으로 향하는 방향 또는 그 반대 방향으로 연장되는 제2 연장 부분을 포함하며, 상기 발광 구조물의 하면의 제1 변에서 제2변으로 향하는 방향과 수직한 방향으로 상기 제1 연장 부분과 상기 제2 연장 부분은 서로 교대로 배치될 수 있다.Each of the first expansion pad parts includes a first extension part extending in a direction from a first side to a second side of the lower surface of the light emitting structure, and each of the second expansion pad parts has a first extension part of the lower surface of the light emitting structure. And a second extension portion extending in a direction from one side to a second side or in an opposite direction, in a direction perpendicular to the direction from the first side to the second side of the lower surface of the light emitting structure. and the second extension portion may be alternately disposed with each other.

상기 제2 전극 패드들 중 어느 하나의 제2 전극 패드는 상기 발광 셀들 중 중앙에 위치하는 어느 하나와 수직 방향으로 오버랩되도록 배치되고, 나머지 제2 전극 패드들 각각은 직경이 서로 다른 링 형상을 가지며, 상기 발광 셀들 중 중앙에 위치하는 상기 어느 하나의 제2 전극 패드를 기준으로 동심원을 이루도록 배치될 수 있다.Any one of the second electrode pads is disposed to overlap a central one of the light emitting cells in a vertical direction, and each of the remaining second electrode pads has a ring shape having a different diameter. , It may be arranged to form a concentric circle with respect to any one of the second electrode pads located at the center of the light emitting cells.

상기 복수의 발광 셀들은 동일한 파장의 광을 발생하고, 상기 적어도 하나의 형광체층은 상기 복수의 발광 셀들 각각의 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 복수의 발광 셀들에 의하여 발생하는 광들을 동일한 파장의 광으로 변환시킬 수 있다.The plurality of light emitting cells generate light of the same wavelength, the at least one phosphor layer is disposed on the first conductivity-type semiconductor layer of each of the plurality of light emitting cells, and the light generated by the plurality of light emitting cells can be converted into light of the same wavelength.

상기 복수의 발광 셀들 각각은 동일한 파장의 광을 발생하고, 상기 적어도 하나의 형광체층은 복수의 형광체층들을 포함하며, 상기 복수의 형광체층들 각각은 상기 복수의 발광 셀들 중 어느 하나를 제외한 나머지 발광 셀들 중 대응하는 어느 하나의 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 복수의 형광체층들 각각은 서로 다른 형광체를 포함할 수 있다.Each of the plurality of light-emitting cells generates light of the same wavelength, the at least one phosphor layer includes a plurality of phosphor layers, and each of the plurality of phosphor layers emits light other than one of the plurality of light-emitting cells. It is disposed on a first conductivity-type semiconductor layer corresponding to any one of the cells, and each of the plurality of phosphor layers may include a phosphor different from each other.

실시 예는 칩 두께를 줄일 수 있고, 작은 사이즈의 발광 구조물에 전극 패드의 구현이 용이하고, 하나의 칩으로 서로 다른 파장의 빛을 구현할 수 있다.According to the embodiment, the chip thickness can be reduced, electrode pads can be easily implemented on a small-sized light emitting structure, and light of different wavelengths can be implemented with one chip.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자의 상측 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 하측 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4a는 도 3에 도시된 제1 전극의 일 실시 예를 나타낸다.
도 4b는 도 3에 도시된 제1 전극의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 5a는 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 5b는 다른 실시 예에 다른 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 5c는 다른 실시 예에 다른 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 6a는 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 상측 평면도를 나타낸다
도 6b는 도 6a에 도시된 발광 소자의 하측 평면도를 나타낸다.
도 7a는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 상측 평면도를 나타낸다.
도 7b는 도 7a에 도시된 발광 소자의 하측 평면도를 나타낸다.
도 8a는 도 7a 및 도 7b에 도시된 발광 소자의 Ⅰ-Ⅱ 방향의 일 실시 예에 따른 단면도를 나타낸다.
도 8b는 도 8a에 도시된 도 7a 및 도 7b에 도시된 발광 소자의 Ⅰ-Ⅱ 방향의 다른 실시 예에 따른 단면도를 나타낸다.
도 9a는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 상측 평면도를 나타낸다.
도 9b는 도 9a에 도시된 발광 소자의 하측 평면도를 나타낸다.
도 9c는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 상측 평면도를 나타낸다.
도 10a는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 상측 평면도를 나타낸다.
도 10b는 도 10a에 도시된 발광 소자의 하측 평면도를 나타낸다.
도 11a는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 상측 평면도를 나타낸다.
도 11b는 도 11a에 도시된 발광 소자의 하측 평면도를 나타낸다.
도 12a는 도 11a에 도시된 발광 소자의 EF 방향의 단면도를 나타낸다.
도 12b는 도 11a에 도시된 발광 소자의 GH 방향의 단면도를 나타낸다.
도 13a 내지 도 13j는 도 5a에 도시된 발광 소자를 제조하는 방법을 나타내는 공정도이다.
도 14는 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타낸다.
도 15는 또 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타낸다.
도 16은 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 평면도를 나타낸다.
도 17은 도 16에 도시된 디스플레이 장치의 AA' 방향의 일 실시 예에 따른 단면도를 나타낸다.1 shows an upper plan view of a light emitting device according to an embodiment.
FIG. 2 shows a bottom plan view of the light emitting device shown in FIG. 1 .
FIG. 3 shows a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIGS. 1 and 2 in an AB direction.
4A shows an embodiment of the first electrode shown in FIG. 3 .
FIG. 4B shows another embodiment of the first electrode shown in FIG. 3 .
5A is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
5B shows a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
5C shows a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
Figure 6a shows a top plan view of a light emitting device according to another embodiment
FIG. 6B is a bottom plan view of the light emitting device shown in FIG. 6A.
7A is an upper plan view of a light emitting device according to another embodiment.
FIG. 7B is a bottom plan view of the light emitting device shown in FIG. 7A.
FIG. 8A is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIGS. 7A and 7B in a direction I-II according to an exemplary embodiment.
FIG. 8B is a cross-sectional view according to another embodiment of the light emitting device shown in FIGS. 7A and 7B shown in FIG. 8A in the I-II direction.
9A is an upper plan view of a light emitting device according to another embodiment.
FIG. 9B is a bottom plan view of the light emitting device shown in FIG. 9A.
9C is an upper plan view of a light emitting device according to another embodiment.
10A is an upper plan view of a light emitting device according to another embodiment.
FIG. 10B shows a bottom plan view of the light emitting device shown in FIG. 10A.
11A is an upper plan view of a light emitting device according to another embodiment.
FIG. 11B shows a bottom plan view of the light emitting device shown in FIG. 11A.
FIG. 12A is a cross-sectional view in the EF direction of the light emitting element shown in FIG. 11A.
FIG. 12B is a cross-sectional view in the GH direction of the light emitting element shown in FIG. 11A.
13A to 13J are process charts illustrating a method of manufacturing the light emitting device shown in FIG. 5A.
14 is a cross-sectional view of a lighting device according to an embodiment.
15 also shows a cross-sectional view of a lighting device according to an embodiment.
16 is a plan view of a display device according to an embodiment.
FIG. 17 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 16 in an AA′ direction according to an exemplary embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한, 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.Hereinafter, embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and description of the embodiments. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is “on” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as being formed in, "up / on" and "under / under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criterion for the upper/upper or lower/lower of each layer will be described based on the drawings. Also, like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자(2000)의 상측 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자(2000)의 하측 평면도를 나타내고, 도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자(2000)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.1 shows an upper plan view of a light emitting device 2000 according to an embodiment, FIG. 2 shows a lower plan view of the light emitting device 2000 shown in FIG. 1, and FIG. 3 shows the light emitting device shown in FIGS. 1 and 2 (2000) shows a cross-sectional view in the AB direction.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 소자(2000)는 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2), 패시베이션층(passivation layer, 2120), 제1 전극(2130), 제1 전극 패드(2135), 제2 전극들(2140-1, 2140-2), 제2 전극 패드들(2145-1,2145-2), 및 절연층(insulation layer, 2150)을 포함한다.1 to 3 , the light emitting device 2000 includes a plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2, a passivation layer 2120, a first electrode 2130, and a first electrode pad ( 2135), second electrodes 2140-1 and 2140-2, second electrode pads 2145-1 and 2145-2, and an insulation layer 2150.

복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각은 서로 이격 또는 분리되며, 발광 구조물(2110-1, 2110-2)을 포함한다.Each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 is spaced apart or separated from each other, and includes light emitting structures 2110-1 and 2110-2.

복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 발광 구조물(2110-1,2110-2)은 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2), 제2 도전형 반도체층(2116-1,2116-2), 및 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)과 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2) 사이에 배치되는 활성층(2114-1, 2114-2)을 포함한다.The light emitting structures 2110-1 and 2110-2 of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 include first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2, and second conductivity-type semiconductor layers ( 2116-1, 2116-2), and an active layer 2114-1 disposed between the first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 and the second conductivity-type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2. , 2114-2).

예컨대, 발광 구조물들(2110-1,2110-2) 각각은 위에서 아래로 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2), 활성층(2114-1, 2114-2), 및 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)이 순차적으로 배치되는 구조일 수 있다.For example, each of the light emitting structures 2110-1 and 2110-2 may include, from top to bottom, first conductive semiconductor layers 2112-1 and 2112-2, active layers 2114-1 and 2114-2, and second conductive layers. The type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2 may be sequentially disposed.

투광성 기판 또는 지지 기판을 구비하는 일반적인 발광 소자와 달리, 실시 예에 따른 발광 소자(1000)는 투광성 기판 또는 지지 기판을 구비하지 않는다. 이로 인하여 발광 소자의 칩 사이즈(예컨대, 직경), 또는 부피가 줄어들기 때문에, 실시 예에 따른 발광 소자가 사용되는 애플리케이션, 예컨대, 디스플레이 장치 등의 두께, 또는 사이즈를 줄일 수 있다.Unlike general light-emitting devices having a light-transmitting substrate or supporting substrate, the light-emitting device 1000 according to the embodiment does not include a light-transmitting substrate or supporting substrate. As a result, since the chip size (eg, diameter) or volume of the light emitting element is reduced, the thickness or size of an application in which the light emitting element according to the embodiment is used, for example, a display device, can be reduced.

제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)은 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물일 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 may be a semiconductor compound of Group 3-5 or Group 2-6, and may be doped with a first conductivity-type dopant.

예컨대, 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Se, Te 등)가 도핑될 수 있다.For example, the first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 are In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may be a semiconductor having a composition formula of, and an n-type dopant (eg, Si, Ge, Se, Te, etc.) may be doped.

광 추출을 높이기 위하여 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)의 상면에는 광 추출 구조, 예컨대, 요철(2112a)이 형성될 수 있다.In order to increase light extraction, a light extraction structure, for example, a concavo-convex 2112a may be formed on the upper surfaces of the first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2.

활성층(2114-1, 2114-2)은 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)과 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.The active layers 2114-1 and 2114-2 contain electrons provided from the first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 and the second conductivity-type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2. Light may be generated by energy generated during hole recombination.

예컨대, 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 활성층(2114-1, 2114-2)은 적색광, 녹색광, 또는 청색광 중 어느 하나를 발생할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 파장대의 가시 광선을 발생하거나 또는 자외선을 발생할 수도 있다.For example, the active layers 2114-1 and 2114-2 of each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 may generate any one of red light, green light, and blue light, but is not limited thereto, and various wavelength bands. of visible light or may generate ultraviolet light.

활성층(2114-1, 2114-2)은 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 양자 점(Quantum Dot), 또는 양자 디스크(Quantum Disk) 구조를 가질 수 있다.The active layers 2114-1 and 2114-2 may be semiconductor compounds of Group 3-5, Group 2-6, and the like, for example, compound semiconductors of Group 3-5 and Group 2-6, and have a single well structure. , may have a multi-well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot, or a quantum disk structure.

활성층(2114-1, 2114-2)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가질 수 있다. 활성층(2114-1, 2114-2)이 양자우물구조인 경우, 활성층(2114-1, 2114-2)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층(미도시) 및 InaAlbGa1 -a- bN(0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층(미도시)을 포함할 수 있다.The active layers 2114-1 and 2114-2 may have a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). When the active layers 2114-1 and 2114-2 have a quantum well structure, the active layers 2114-1 and 2114-2 have In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤ A well layer (not shown) having a composition formula of 1, 0≤x+y≤1) and In a Al b Ga 1 -a- b N (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a + b ≤1) may include a barrier layer (not shown) having a composition formula.

활성층(2114-1, 2114-2)의 우물층의 에너지 밴드 갭은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮을 수 있다. 우물층 및 장벽층은 적어도 1회 이상 교대로 적층될 수 있다.An energy band gap of the well layer of the active layers 2114-1 and 2114-2 may be lower than that of the barrier layer. The well layer and the barrier layer may be alternately stacked at least once.

제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)은 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물일 수 있고, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2 may be a semiconductor compound of group 3-5 or group 2-6, and may be doped with a second conductivity type dopant.

예컨대, 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, p형 도펀트(예: Mg, Zn, Ca,Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.For example, the second conductivity-type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2 are In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may be a semiconductor having a composition formula of, and a p-type dopant (eg, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba) may be doped.

도 3에는 도시되지 않았지만, 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)으로부터 활성층(2114-1, 2114-2)으로 주입되는 전자가 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)으로 넘어가는 것을 방지하여 발광 효율을 높이기 위하여, 발광 구조물(2110-1, 2110-2)은 활성층(2114-1, 2114-2)과 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2) 사이에 배치되는 전자 차단층을 더 구비할 수 있다. 이때 전자 차단층의 에너지 밴드 갭은 활성층(2114-1, 2114-2)의 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 크다.Although not shown in FIG. 3 , electrons injected into the active layers 2114-1 and 2114-2 from the first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 are transferred to the second conductivity-type semiconductor layers 2116-1 and 2116 -2) In order to increase the luminous efficiency by preventing the light emitting structures 2110-1 and 2110-2, the active layers 2114-1 and 2114-2 and the second conductive semiconductor layers 2116-1 and 2116 -2) may further include an electron blocking layer disposed therebetween. In this case, the energy band gap of the electron blocking layer is greater than that of the barrier layers of the active layers 2114-1 and 2114-2.

복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각은 서로 다른 파장 범위를 갖는 광을 발생할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 may generate light having a different wavelength range, but is not limited thereto.

예컨대, 제1 발광 셀(2100-1)은 적색광, 녹색광, 또는 청색광 중 어느 하나를 발생할 수 있고, 제2 발광 셀(2100-2)은 적색광, 녹색광, 또는 청색광 중 다른 어느 하나를 발생할 수 있다.For example, the first light emitting cell 2100-1 may generate any one of red light, green light, or blue light, and the second light emitting cell 2100-2 may generate any other one of red light, green light, or blue light. .

예컨대, 적색광을 발생하는 발광 셀의 제1 도전형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 또는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, 예컨대, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, n형 도펀트를 포함할 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer of the light emitting cell generating red light is In x Al y Ga 1 -x- y P (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) or In A semiconductor material having a composition formula of x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), such as AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, GaN, It may be formed of one or more of InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, and GaP, and may include an n-type dopant.

또한 예컨대, 적색광을 발생하는 발광 셀의 활성층은 GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.In addition, for example, the active layer of the light emitting cell generating red light is any one of GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, and InGaAs/AlGaAs. It may be formed in the above pair structure, but is not limited thereto.

적색광을 발생하는 발광 셀의 활성층의 양자 우물층의 조성은 (AlpGa1 -p)qIn1 -qP층(단, 0≤p≤1, 0≤q≤1)일 수 있으며, 양자 장벽층의 조성은 (Alp1Ga1 - p1)q1In1 - q1P층(단, 0≤p1≤1, 0≤q1≤1)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The composition of the quantum well layer of the active layer of the light emitting cell generating red light may be (Al p Ga 1 -p ) q In 1 -q P layer (where 0≤p≤1, 0≤q≤1), and quantum The composition of the barrier layer may be (Al p1 Ga 1 - p1 ) q1 In 1 - q1 P layer (where 0≤p1≤1 and 0≤q1≤1), but is not limited thereto.

또한 예컨대, 적색광을 발생하는 발광 셀의 제2 도전형 반도체층은 InxAlyGa1 -x-yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 또는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 형성될 수 있으며, p형 도펀트를 포함할 수 있다.In addition, for example, the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting cell generating red light is In x Al y Ga 1 -xy P (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) or In x It may be formed of a semiconductor material having a composition formula of Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), and may include a p-type dopant. .

이와 같이 복수의 발광 셀들(2100-1,2100-2)이 서로 다른 범위의 파장을 갖는 광을 발생할 경우, 복수의 발광 셀들(2100-1,2100-2)의 발광 구조물들의 조성은 서로 다를 수 있다.In this way, when the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 generate light having wavelengths in different ranges, the light emitting structures of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 may have different compositions. there is.

예컨대, 복수의 발광 셀들(2100-1,2100-2)의 제1 도전형 반도체층들(2112-1,2112-2)의 조성, 제2 도전형 반도체층들(2116-1, 2116-2)의 조성, 또는 활성층들(2114-1, 2114-2)의 조성 중 적어도 하나는 서로 다를 수 있다.For example, the composition of the first conductivity type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 and the second conductivity type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2 ), or at least one of the compositions of the active layers 2114-1 and 2114-2 may be different from each other.

다른 실시 예에서는 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각은 서로 동일한 파장 범위를 갖는 광을 발생할 수 있다. 예컨대, 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각은 적색광, 녹색광, 또는 청색광 중 어느 하나를 발생할 수 있다.In another embodiment, each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 may generate light having the same wavelength range as each other. For example, each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 may emit any one of red light, green light, and blue light.

제1 전극(2130)은 서로 이격되는 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 사이에 배치되며, 발광 셀들(2110-1, 2110-2) 아래에 배치되는 절연층(2150)을 관통 또는 통과한다.The first electrode 2130 is disposed between the light emitting cells 2100-1 and 2100-2 spaced apart from each other and penetrates or passes through the insulating layer 2150 disposed under the light emitting cells 2110-1 and 2110-2. do.

제1 전극(2130)은 복수의 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각의 발광 구조물(2110)의 일면, 예컨대, 상면 상에 위치하며, 서로 이격하는 발광 셀들(2100-1,2100-2)의 발광 구조물들(2110)의 서로 마주보는 측면 사이에 배치된다.The first electrode 2130 is located on one surface, for example, the upper surface, of the light emitting structure 2110 of each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2, and the light emitting cells 2100-1 and 2100-2 spaced apart from each other. 2) is disposed between the sides of the light emitting structures 2110 facing each other.

제1 도전형 반도체층(2112), 활성층(2114), 및 제2 도전형 반도체층(2116)을 관통하는 관통 홈 또는 관통 트랜치(2301)에 의하여, 복수의 발광 셀들(2110-1,2110-2)은 서로 이격 또는 분리될 수 있다.A plurality of light emitting cells 2110-1, 2110- are formed by the through hole or through trench 2301 penetrating the first conductivity type semiconductor layer 2112, the active layer 2114, and the second conductivity type semiconductor layer 2116. 2) may be spaced apart or separated from each other.

제1 전극(2130)의 일단은 인접하는 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각의 제1 도전형 반도체층(2112-1,2112-2)과 접촉한다.One end of the first electrode 2130 contacts the first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 of the adjacent light emitting cells 2100-1 and 2100-2, respectively.

복수의 발광 셀들(2100-1,2100-2) 사이에 배치되는 제1 전극(2130)의 타단은 발광 구조물(2110)의 다른 일면으로 노출되고, 제1 전극 패드(2135)에 연결된다.The other end of the first electrode 2130 disposed between the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 is exposed to the other surface of the light emitting structure 2110 and connected to the first electrode pad 2135.

예컨대, 제1 전극(2130)은 복수의 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각의 제1 도전형 반도체층(2112-1,2112-2)의 상면, 및 발광 셀들(2100-1,2100-2)의 발광 구조물들(2110-1,2110-2)의 서로 마주보는 측면들 사이에 배치될 수 있고, 제1 전극(2130)의 일단은 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각의 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)의 상면과 접촉할 수 있고, 제1 전극(2130)의 타단은 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 아래에 배치되는 절연층(2150)을 관통하여, 절연층(2150) 밖으로 노출될 수 있다.For example, the first electrode 2130 may be the upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer 2112-1 or 2112-2 of each of the plurality of light-emitting cells 2100-1 and 2100-2, and the light-emitting cells 2100-1 and 2100-2. 2100-2) may be disposed between facing sides of the light emitting structures 2110-1 and 2110-2, and one end of the first electrode 2130 is the light emitting cells 2100-1 and 2100-2. It may contact the upper surface of each of the first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2, and the other end of the first electrode 2130 is an insulation disposed under the light emitting cells 2100-1 and 2100-2. It may pass through the layer 2150 and be exposed outside the insulating layer 2150 .

패시베이션층(2120)은 제1 전극(2130)과 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 제1 도전형 반도체층의 상면 사이, 및 제1 전극(2130)과 발광 구조물들(2110-1,2110-2)의 측면 사이에 배치되며, 제1 전극(2130)과 발광 셀들(2100-1,2100-2)의 발광 구조물들(2110-1,2110-2)의 측면들 사이의 전기적인 접촉을 방지하여, 양자를 절연시키는 역할을 한다.The passivation layer 2120 is formed between the first electrode 2130 and the upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer of each of the light emitting cells 2100-1 and 2100-2, and between the first electrode 2130 and the light emitting structures 2110-2100. 1, 2110-2), and between the first electrode 2130 and the side surfaces of the light-emitting structures 2110-1 and 2110-2 of the light-emitting cells 2100-1 and 2100-2. Prevents direct contact and serves to insulate both sides.

예컨대, 패시베이션층(2120)은 제1 전극(2130)과 발광 구조물들(2110-1,2110-2)의 측면들 사이에 배치되는 제1 패시베이션층(2122), 및 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각의 제1 도전형 반도체층(2112-1,2112-2) 상면 상에 배치되는 제2 패시베이션층(2124)을 포함할 수 있다.For example, the passivation layer 2120 may include a first passivation layer 2122 disposed between the first electrode 2130 and side surfaces of the light emitting structures 2110-1 and 2110-2, and the light emitting cells 2100-1, 2100-2) may include a second passivation layer 2124 disposed on an upper surface of each of the first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2.

제1 전극(2130)은 관통 전극(2132), 상부 전극(2134), 및 접촉 전극(2136)을 포함한다.The first electrode 2130 includes a through electrode 2132 , an upper electrode 2134 , and a contact electrode 2136 .

상부 전극(2134)은 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각의 제2 패시베이션층(2124) 상에 배치된다.The upper electrode 2134 is disposed on the second passivation layer 2124 of each of the light emitting cells 2100-1 and 2100-2.

관통 전극(2132)은 발광 셀들(2100-1,2100-2)의 발광 구조물들(2110-1,2110-2)의 서로 마주보는 측면들 사이에 배치되며, 관통 전극(2132)의 일단은 상부 전극(2134)의 하면과 연결 또는 접촉하고, 관통 전극(2132)의 타단은 발광 셀들(2100-1,2100-2) 아래에 배치되는 절연층(2150)을 관통하여 제1 전극 패드(2135)와 연결 또는 접촉될 수 있다.The through-electrode 2132 is disposed between opposite sides of the light-emitting structures 2110-1 and 2110-2 of the light-emitting cells 2100-1 and 2100-2, and one end of the through-electrode 2132 is disposed on the upper portion. Connected to or in contact with the lower surface of the electrode 2134, the other end of the through electrode 2132 penetrates the insulating layer 2150 disposed under the light emitting cells 2100-1 and 2100-2 to form a first electrode pad 2135 can be connected or contacted with.

관통 전극(2132)의 직경은 발광 셀들(2100-1,2100-2)의 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)에서 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)을 향하는 방향으로 진행할수록 점차 감소할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서 관통 전극(2132)의 직경은 증가하거나 또는 일정할 수도 있다.The diameter of the through electrode 2132 varies from the first conductivity type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 to the second conductivity type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2 of the light emitting cells 2100-1 and 2100-2. ), it may gradually decrease as it progresses in the direction, but is not limited thereto, and in another embodiment, the diameter of the through electrode 2132 may increase or be constant.

도 3에서는 2개의 분할된 발광 셀들, 하나의 관통 전극(2132), 및 하나의 제1 전극 패드(2135)를 예시하나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 3개 이상의 분할된 발광 셀들, 이에 대응하는 2개 이상의 관통 전극들, 및 제1 전극 패드들을 구비할 수도 있다. 이 경우 2개 이상의 관통 전극들은 서로 이격할 수 있다. 또한 2개 이상의 제1 전극 패드들은 서로 이격하거나 서로 연결될 수도 있다.3 illustrates two divided light emitting cells, one through electrode 2132, and one first electrode pad 2135, but is not limited thereto, and in another embodiment, three or more divided light emitting cells, Corresponding to this, two or more penetration electrodes and first electrode pads may be provided. In this case, two or more through electrodes may be spaced apart from each other. Also, two or more first electrode pads may be spaced apart from each other or connected to each other.

상부 전극(2134)은 관통 전극(2132), 및 관통 전극(2132)에 인접하여 위치하는 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상부 전극(2134)의 하면은 관통 전극(2132)의 일단과 연결 또는 접촉한다.The upper electrode 2134 includes the through electrode 2132 and the first conductivity type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 of each of the light emitting cells 2100-1 and 2100-2 positioned adjacent to the through electrode 2132. ) can be placed on the upper surface of the The lower surface of the upper electrode 2134 is connected to or in contact with one end of the through electrode 2132 .

접촉 전극(2136)은 일단이 상부 전극(2134)과 연결되고, 타단이 제2 패시베이션층(2124)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(2112)의 상면과 접촉된다.The contact electrode 2136 has one end connected to the upper electrode 2134 and the other end penetrating the second passivation layer 2124 and making contact with the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 2112 .

예컨대, 접촉 전극(2136)은 상부 전극(2134)의 하면에서 제1 도전형 반도체층(2112)의 상면 방향으로 연장될 수 있고, 제1 도전형 반도체층(2112)의 상면과 오믹 접촉할 수 있다.For example, the contact electrode 2136 may extend from the bottom surface of the upper electrode 2134 toward the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 2112 and may make ohmic contact with the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 2112. there is.

예컨대, 제1 전극(2130)은 발광 셀들(2100-1, 2100-2)의 수에 대응하는 만큼의 접촉 전극을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first electrode 2130 may include as many contact electrodes as the number of light emitting cells 2100-1 and 2100-2, but is not limited thereto.

예컨대, 접촉 전극(2136)은 관통 전극(2132)과 상부 전극(2134)이 접촉 또는 연결되는 부분으로부터 이격되어 위치할 수 있으며, 관통 전극(2132)과 상부 전극(2134)이 접촉 또는 연결되는 부분 및 접촉 전극(2136) 사이에는 제2 패시베이션층(2124)이 위치할 수 있다.For example, the contact electrode 2136 may be spaced apart from a portion where the through electrode 2132 and the upper electrode 2134 are in contact or connected, and a portion where the through electrode 2132 and the upper electrode 2134 are in contact or connected. And a second passivation layer 2124 may be positioned between the contact electrode 2136 .

제2 패시베이션층(2124)에 의하여 접촉 전극(2136)은 관통 전극(2132)과 상부 전극(2134)이 접촉 또는 연결되는 부분으로부터 이격하여 위치하기 때문에, 관통 전극(2132)을 통하여 유입되는 전류를 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각에 분산시켜 제공할 수 있다. 따라서 제2 패시베이션(2124)은 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각에 분산시켜 제공함으로써 발광 소자(2000)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.Since the contact electrode 2136 is spaced apart from a portion where the through electrode 2132 and the upper electrode 2134 are in contact or connected by the second passivation layer 2124, current flowing through the through electrode 2132 is reduced. It may be distributed and provided to each of the light emitting cells 2100-1 and 2100-2. Therefore, the light efficiency of the light emitting device 2000 can be improved by distributing the second passivation layer 2124 to each of the light emitting cells 2100 - 1 and 2100 - 2 .

도 3에서 제2 패시베이션층(2124)은 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각의 제1 도전형 반도체층(2112)의 상면의 일 부분을 노출할 수 있다.In FIG. 3 , the second passivation layer 2124 may expose a portion of the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 2112 of each of the light emitting cells 2100 - 1 and 2100 - 2 .

패시베이션층(2120)은 투광성의 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, Si3N4, TiO2, SiNx, SiOxNy, 또는 Al2O3로 이루어질 수 있다.The passivation layer 2120 may be formed of a light-transmitting insulating material such as SiO 2 , SiOx, Si 3 N 4 , TiO 2 , SiNx, SiO x N y , or Al 2 O 3 .

예컨대, 도 3의 실시 예는 서로 다른 파장 범위를 갖는 2개의 광을 발생할 수 있으며, 인접하는 2개의 발광 셀들(2100-1, 2100-2)이 하나의 n형 전극인 제1 전극(2130) 및 하나의 n형 전극 패드인 제1 전극 패드(2135)를 서로 공유할 수 있다. For example, the embodiment of FIG. 3 may generate two lights having different wavelength ranges, and two adjacent light emitting cells 2100-1 and 2100-2 are a first electrode 2130 that is an n-type electrode. and one n-type electrode pad, the first electrode pad 2135 may be shared with each other.

도 4a는 도 3에 도시된 제1 전극(2130)의 일 실시 예를 나타낸다.FIG. 4A shows an example of the first electrode 2130 shown in FIG. 3 .

도 4a를 참조하면, 제1 전극(2130)은 상부 전극(2134), 상부 전극(2134)과 연결되는 관통 전극(2132), 관통 전극(2132)의 일 측에 위치하는 제1 접촉 전극(2136-1), 및 관통 전극(2132)의 타 측에 위치하는 제2 접촉 전극(2136)-2)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4A , the first electrode 2130 includes an upper electrode 2134, a through electrode 2132 connected to the upper electrode 2134, and a first contact electrode 2136 positioned on one side of the through electrode 2132. -1), and a second contact electrode 2136-2 positioned on the other side of the through electrode 2132.

예컨대, 제1 접촉 전극(2136-1)은 관통 전극(2132)의 좌측에 위치하며, 제2 패시베이션층(2124)을 관통하여 제1 발광 셀(2100-1)의 제1 도전형 반도체층(2112-1)의 상면에 접촉할 수 있다.For example, the first contact electrode 2136-1 is located on the left side of the through electrode 2132 and penetrates the second passivation layer 2124 to pass through the first conductive semiconductor layer of the first light emitting cell 2100-1 ( 2112-1).

제2 접촉 전극(2136-2)은 관통 전극(2132)의 우측에 위치하며, 제2 패시베이션층(2124)을 관통하여 제2 발광 셀(2100-2)의 제1 도전형 반도체층(2112-2)의 상면에 접촉할 수 있다.The second contact electrode 2136-2 is located on the right side of the through electrode 2132 and penetrates the second passivation layer 2124 to form the first conductivity type semiconductor layer 2112-2 of the second light emitting cell 2100-2. 2) can be contacted with the upper surface.

제1 및 제2 접촉 전극들(2136-1, 2136-2) 각각은 하나의 직선의 라인 형상일 수 있으나, 이 에 한정되는 것은 아니다.Each of the first and second contact electrodes 2136-1 and 2136-2 may have a single straight line shape, but is not limited thereto.

도 4b는 도 3에 도시된 제1 전극(2130)의 다른 실시 예(2130a)를 나타낸다.FIG. 4B shows another embodiment 2130a of the first electrode 2130 shown in FIG. 3 .

도 4b를 참조하면, 제1 전극(2130a)은 상부 전극(2134), 상부 전극(2134)과 연결되는 관통 전극(2132), 관통 전극(2132)의 일 측에 위치하는 복수의 제1 관통 전극들(2136a-1 내지 2136a-6), 및 관통 전극(2132)의 타 측에 위치하는 복수의 제2 관통 전극들(2136b-1 내지 2136b-6)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4B , the first electrode 2130a includes an upper electrode 2134, a through electrode 2132 connected to the upper electrode 2134, and a plurality of first through electrodes positioned on one side of the through electrode 2132. 2136a-1 to 2136a-6, and a plurality of second through electrodes 2136b-1 to 2136b-6 positioned on the other side of the through electrode 2132.

복수의 제1 접촉 전극들(2136a-1 내지 2136a-6)은 관통 전극(2132)의 좌측에 서로 이격하여 위치하며, 제2 패시베이션층(2124)을 관통하여 제1 발광 셀(2100-1)의 제1 도전형 반도체층(2112-1)의 상면에 접촉할 수 있다.The plurality of first contact electrodes 2136a-1 to 2136a-6 are spaced apart from each other on the left side of the through electrode 2132 and penetrate the second passivation layer 2124 to form the first light emitting cell 2100-1. may contact the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 2112-1.

복수의 제2 접촉 전극들(2136b-1 내지 2136b-6)은 관통 전극(2132)의 우측에 서로 이격하여 위치하며, 제2 패시베이션층(2124)을 관통하여 제2 발광 셀(2100-2)의 제1 도전형 반도체층(2112-2)의 상면에 접촉할 수 있다.The plurality of second contact electrodes 2136b-1 to 2136b-6 are spaced apart from each other on the right side of the through electrode 2132 and penetrate the second passivation layer 2124 to form the second light emitting cell 2100-2. may contact the upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer 2112-2.

제1 접촉 전극들(2136a-1 내지 2136a-6) 각각의 평면 형상 및 제2 접촉 전극들(2136b-1 내지 2136b-6)) 각각의 평면 형상은 원형, 타원형, 또는 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상으로 구현될 수 있다.The planar shape of each of the first contact electrodes 2136a-1 to 2136a-6 and the planar shape of each of the second contact electrodes 2136b-1 to 2136b-6 are circular, elliptical, or polygonal (eg, square). It may be, but is not limited thereto, and may be implemented in various shapes.

제1 전극(2130)은 복수의 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각의 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)에 공통 접속될 수 있다.The first electrode 2130 may be connected in common to the first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 of each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2.

제1 전극 패드(2135)는 발광 구조물(2110) 아래에 배치되는 절연층(2150) 아래에 배치되며, 제1 전극(2130)의 관통 전극(2132)의 타단과 연결 또는 접촉된다.The first electrode pad 2135 is disposed under the insulating layer 2150 disposed under the light emitting structure 2110 and connected to or in contact with the other end of the through electrode 2132 of the first electrode 2130 .

예컨대, 제1 전극 패드(2135)는 제1 절연층(2152) 아래에 배치되며, 제1 절연층(2152)을 관통하는 관통 전극(2132)의 타단과 연결 또는 접촉할 수 있다.For example, the first electrode pad 2135 is disposed below the first insulating layer 2152 and may connect to or contact the other end of the through electrode 2132 penetrating the first insulating layer 2152 .

예컨대, 제1 전극 패드(2135)의 중앙은 관통 전극(2132)의 중앙에 정렬될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the center of the first electrode pad 2135 may be aligned with the center of the through electrode 2132, but is not limited thereto.

본딩(bonding)을 위하여 제1 전극 패드(2135)의 두께는 제1 전극(2130)의 상부 전극(2134)의 두께보다 두꺼울 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For bonding, the thickness of the first electrode pad 2135 may be thicker than the thickness of the upper electrode 2134 of the first electrode 2130, but is not limited thereto.

도 2에 도시된 바와 같이, 제1 전극 패드(2135)의 평면 형상은 직사각형 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 원형, 타원형 또는 다각형 형상일 수도 있다.As shown in FIG. 2 , the planar shape of the first electrode pad 2135 may be a rectangular shape, but is not limited thereto, and may be circular, elliptical, or polygonal in other embodiments.

복수의 제2 전극들(2140-1, 2140-2) 각각은 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 중 대응하는 어느 하나의 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2) 아래에 배치되며, 대응하는 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)과 접촉한다. 복수의 제2 전극들(2140-1, 2140-2)은 서로 이격하며, 전기적으로 분리될 수 있다.Each of the plurality of second electrodes 2140-1 and 2140-2 is a second conductivity-type semiconductor layer 2116-1 and 2116-2 corresponding to one of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2. ), and contacts the corresponding second conductivity type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2. The plurality of second electrodes 2140-1 and 2140-2 are spaced apart from each other and may be electrically separated.

예컨대, 제2-1 전극(2140-1)은 제1 발광 셀(2100-1)의 제2 도전형 반도체층(2116-1)의 하면 아래에 배치될 수 있고, 제2 도전형 반도체층(2116-1)의 하면과 접촉할 수 있다.For example, the 2-1 electrode 2140-1 may be disposed below the lower surface of the second conductivity type semiconductor layer 2116-1 of the first light emitting cell 2100-1, and the second conductivity type semiconductor layer ( 2116-1).

제2-2 전극(2140-2)은 제2 발광 셀(2100-2)의 제2 도전형 반도체층(2116-2)의 하면 아래에 배치될 수 있고, 제2 도전형 반도체층(2116-2)의 하면과 접촉할 수 있다.The 2-2 electrode 2140-2 may be disposed under the lower surface of the second conductivity type semiconductor layer 2116-2 of the second light emitting cell 2100-2, and the second conductivity type semiconductor layer 2116-2 2) can come into contact with the lower surface.

예컨대, 복수의 제2 전극들(2140-1, 2140-2) 각각은 제1 절연층(2152)을 관통하는 관통 전극(2132)의 타단으로부터 이격될 수 있다.For example, each of the plurality of second electrodes 2140 - 1 and 2140 - 2 may be spaced apart from the other end of the through electrode 2132 penetrating the first insulating layer 2152 .

제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각은 복수의 제2 전극들(2140-1, 2140-2) 중 대응하는 어느 하나 아래에 배치되며, 대응하는 어느 하나와 연결되거나 또는 오믹 접촉될 수 있다.Each of the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 is disposed under a corresponding one of the plurality of second electrodes 2140-1 and 2140-2, and is connected to the corresponding one or ohmic. can be contacted.

예컨대, 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각은 제1 전극 패드(2135)로부터 이격하여 위치할 수 있다.For example, each of the second electrode pads 2145 - 1 and 2145 - 2 may be spaced apart from the first electrode pad 2135 .

제1 전극(2130)은 제1 도전형 반도체층(2112)과 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층, 및 반사층을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 전극(13)은 Pb, Sn, Au, Ge, Cu, Bi, Cd, Zn, Ag, Ni, Ti, 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어질 수 있으며, 단층 또는 복수의 층들로 이루어질 수 있다.The first electrode 2130 may include an ohmic contact layer for ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer 2112 and a reflective layer. For example, the first electrode 13 may be made of Pb, Sn, Au, Ge, Cu, Bi, Cd, Zn, Ag, Ni, Ti, or an alloy including at least one of these, and may include a single layer or a plurality of layers. can be made with

제2 전극들(2140-1, 2140-2) 각각은 제2 도전형 반도체층(2116-1,2116-2)과 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층, 및 반사층을 포함할 수 있다. Each of the second electrodes 2140-1 and 2140-2 may include an ohmic contact layer for ohmic contact with the second conductivity-type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2, and a reflective layer.

예컨대, 제2 전극들(2140-1, 2140-2) 각각의 오믹 접촉층은 ITO와 같은 투명 전도성 산화물, 또는 Ni, Cr일 수 있다. 예컨대, 제2 전극들(2140-1, 2140-2) 각각의 반사층은 Ag, Al, 또는 Rh를 포함하거나, 또는 Ag, Al, 또는 Rh를 포함하는 합금이거나 또는 Cu, Re, Bi, Al, Zn, W, Sn, In, 또는 Ni 중 선택된 적어도 하나와 은(Ag)과의 합금일 수 있다.For example, the ohmic contact layer of each of the second electrodes 2140-1 and 2140-2 may be a transparent conductive oxide such as ITO, or Ni or Cr. For example, the reflective layer of each of the second electrodes 2140-1 and 2140-2 includes Ag, Al, or Rh, or an alloy including Ag, Al, or Rh, or Cu, Re, Bi, Al, It may be an alloy of at least one selected from Zn, W, Sn, In, or Ni and silver (Ag).

또한 제2 전극들(2140-1, 2140-2) 각각은 확산 방지층, 또는 본딩층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 제2 전극들(2140-1, 2140-2) 각각은 Ni, Cr, Ti, Pd, Pt, W, Co, 또는 Cu 중 적어도 하나를 포함하는 확산 방지층을 더 포함할 수 있다. 또한 예컨대, 제2 전극(2140)은 금(Au), 은(Ag), 또는 Au 함금으로 이루어지는 본딩층을 더 포함할 수 있다.In addition, each of the second electrodes 2140-1 and 2140-2 may further include at least one of a diffusion barrier layer and a bonding layer. For example, each of the second electrodes 2140-1 and 2140-2 may further include a diffusion barrier layer including at least one of Ni, Cr, Ti, Pd, Pt, W, Co, or Cu. Also, for example, the second electrode 2140 may further include a bonding layer made of gold (Au), silver (Ag), or an Au alloy.

제1 전극 패드(2135) 및 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각은 패키지 바디(package body), 서브 마운트(submount), 또는 기판 등과 본딩되는 부분으로 전기적 통전을 유지할 수 있는 전도성 금속일 수 있다. 예컨대, 제1 전극 패드(2135) 및 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각은 Au, Ni, Cu, 또는 Al 중 적어도 하나를 포함하거나, 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다.Each of the first electrode pad 2135 and the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 is a portion bonded to a package body, a submount, or a substrate and can maintain electrical conduction. It may be a conductive metal. For example, each of the first electrode pad 2135 and the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 includes at least one of Au, Ni, Cu, and Al, or an alloy including at least one of these. can be made with

또한 예컨대, 패키지 바디(package body), 서브 마운트(submount), 또는 기판 등과의 본딩시, 작은 사이즈(예컨대, 100 마이크로 미만의 직경)를 갖는 발광 소자의 자기 정렬(self-assembly)을 위하여 제1 전극 패드(2135) 및 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각은 Co, Ni, 또는 Fe 중 적어도 하나를 포함하거나, 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다.In addition, for example, for self-assembly of a light emitting device having a small size (eg, a diameter of less than 100 microns) when bonding with a package body, a submount, or a substrate, a first step Each of the electrode pad 2135 and the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 may include at least one of Co, Ni, and Fe, or may be made of an alloy including at least one of these.

절연층(2150)은 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 발광 구조물(2110-1, 2110-2)의 측면 또는 하면 중 적어도 하나에 배치된다.The insulating layer 2150 is disposed on at least one of the side surface or bottom surface of the light emitting structures 2110-1 and 2110-2 of each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2.

절연층(2150)은 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 제2 도전형 반도체층(2116) 아래에 배치될 수 있다. 예컨대, 절연층(2150)은 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 제2 도전형 반도체층(2116)의 하면에 배치되는 제1 절연층(2152)을 포함할 수 있다. The insulating layer 2150 may be disposed under the second conductivity type semiconductor layer 2116 of each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2. For example, the insulating layer 2150 may include a first insulating layer 2152 disposed on the lower surface of the second conductive semiconductor layer 2116 of each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2.

예컨대, 제1 절연층(2152)은 제2 전극들(2140-1, 2140-2)이 배치되는 영역을 제외한 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)의 하면의 나머지 영역에 배치될 수 있다.For example, the first insulating layer 2152 is a second conductivity-type semiconductor layer of each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 except for the region where the second electrodes 2140-1 and 2140-2 are disposed. (2116-1, 2116-2) can be arranged in the remaining area of the lower surface.

또한 예컨대, 제1 절연층(2152)은 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)의 하면에 배치되는 제2 전극들(2140-1, 2140-2) 각각의 하면의 가장 자리 영역에도 배치될 수 있으며, 제2 전극들(2140) 각각의 하면의 일부 영역을 노출할 수 있다.Also, for example, the first insulating layer 2152 is the second electrodes disposed on the lower surface of the second conductive semiconductor layers 2116-1 and 2116-2 of each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2. (2140-1, 2140-2) may also be disposed on the edge area of each lower surface, and a partial area of the lower surface of each of the second electrodes 2140 may be exposed.

제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각은 제1 전극 패드(2135)와 이격되도록 제1 절연층(2152) 아래에 배치될 수 있다.Each of the second electrode pads 2145 - 1 and 2145 - 2 may be disposed under the first insulating layer 2152 to be spaced apart from the first electrode pad 2135 .

제1 절연층(2152)은 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)의 하면과 제1 전극 패드(2135) 사이에 배치될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)과 제1 전극 패드(2135) 간의 전기적 접촉을 방지할 수 있다.The first insulating layer 2152 is formed between the lower surface of the second conductivity-type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2 of each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 and the first electrode pad 2135. electrical contact between the second conductivity-type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2 and the first electrode pad 2135 may be prevented.

또한 제1 절연층(2152)은 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각과 제1 전극 패드(2135) 사이에 배치될 수 있으며, 제1 전극 패드(2135)와 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 간의 전기적 접촉을 방지할 수 있다.In addition, the first insulating layer 2152 may be disposed between each of the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 and the first electrode pad 2135, and the first electrode pad 2135 and the second electrode Electrical contact between the pads 2145-1 and 2145-2 may be prevented.

패키지 바디(package body), 서브 마운트(submount), 또는 기판 등과의 다이 본딩(die bonding)을 하기 위하여, 제1 전극 패드(2135)의 하면과 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각의 하면은 동일 평면(305) 상에 위치할 수 있다.The lower surface of the first electrode pad 2135 and the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 for die bonding with a package body, a submount, or a substrate ) Each lower surface may be located on the same plane (305).

제1 전극 패드(2135)는 관통 전극(2132)과 수직 방향으로 정렬되거나 오버랩되도록 배치될 수 있으며, 관통 전극(2132)은 제1 절연층(2152)을 관통 또는 통과하여 제1 전극 패드(2135)와 연결 또는 접촉될 수 있다. 여기서 수직 방향은 발광 구조물(2110-1, 2110-2)의 제2 도전형 반도체층(2116-1, 2116-2)에서 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)으로 향하는 방향일 수 있다.The first electrode pad 2135 may be vertically aligned or overlapped with the through electrode 2132, and the through electrode 2132 penetrates or passes through the first insulating layer 2152 to form the first electrode pad 2135. ) can be connected or contacted. Here, the vertical direction is a direction from the second conductivity type semiconductor layers 2116-1 and 2116-2 of the light emitting structures 2110-1 and 2110-2 to the first conductivity type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2. can be

제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각은 제1 절연층(2152)에 의하여 노출되는 제2 전극들(2140) 중 대응하는 어느 하나의 아래에 배치될 수 있으며, 대응하는 어느 하나의 노출되는 부분과 연결 또는 접촉될 수 있다.Each of the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 may be disposed under a corresponding one of the second electrodes 2140 exposed by the first insulating layer 2152, and It can be connected or contacted with one exposed part.

예컨대, 제1 절연층(2152)은 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각의 측면의 상측 일부만을 감쌀 수 있다. 그리고 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각의 가장 자리가 제1 절연층(2152)의 하면과 접할 수 있다. 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각의 가장 자리는 제1 절연층(2152)의 하면 아래에 위치하도록 수평 방향으로 확장되는 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first insulating layer 2152 may cover only upper portions of the side surfaces of the second electrode pads 2145-1 and 2145-2. An edge of each of the second electrode pads 2145 - 1 and 2145 - 2 may contact the lower surface of the first insulating layer 2152 . An edge of each of the second electrode pads 2145 - 1 and 2145 - 2 may have a structure extending in a horizontal direction to be located below the lower surface of the first insulating layer 2152 , but is not limited thereto.

예컨대, 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각은 제2 도전형 반도체층(2116)에서 제1 도전형 반도체층(2112)으로 향하는 방향으로 볼록하게 절곡된 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, each of the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 may have a structure that is convexly bent in a direction from the second conductivity type semiconductor layer 2116 to the first conductivity type semiconductor layer 2112. It is not limited to this.

다른 실시 예에서는 제1 절연층이 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각의 측면을 전부 감싸고, 제1 절연층의 하면, 제1 전극 패드(2135)의 하면, 및 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2) 각각의 하면은 동일 평면 상에 위치할 수도 있다.In another embodiment, the first insulating layer completely surrounds each side surface of the second electrode pads 2145-1 and 2145-2, and the lower surface of the first insulating layer, the lower surface of the first electrode pad 2135, and the second The lower surface of each of the electrode pads 2145-1 and 2145-2 may be positioned on the same plane.

절연층(2150)은 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각의 발광 구조물(2110-1, 2110-2)의 외측면들에 배치되는 제2 절연층(2154)을 더 포함할 수 있다.The insulating layer 2150 may further include a second insulating layer 2154 disposed on outer surfaces of the light emitting structures 2110-1 and 2110-2 of each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2. can

예컨대, 발광 구조물(2110-1, 2110-2)의 외측면은 서로 다른 발광 셀들(2100-1, 2100-2)의 측면들 중 서로 마주보는 측면들을 제외한 나머지 측면들일 수 있다.For example, outer surfaces of the light emitting structures 2110-1 and 2110-2 may be side surfaces of the different light emitting cells 2100-1 and 2100-2 excluding side surfaces facing each other.

예컨대, 제2 절연층(2154)은 제1 도전형 반도체층(2112)의 외측면, 활성층(2114)의 외측면, 및 제2 도전형 반도체층(2116)의 외측면에 배치될 수 있다.For example, the second insulating layer 2154 may be disposed on an outer surface of the first conductive semiconductor layer 2112 , an outer surface of the active layer 2114 , and an outer surface of the second conductive semiconductor layer 2116 .

예컨대, 제2 절연층(2154)의 일단은 제1 도전형 반도체층(2112)의 상면의 가장 자리까지 확장될 수 있으며, 제2 절연층(2154)의 타단은 제1 절연층(2152)과 연결 또는 접촉될 수 있다.For example, one end of the second insulating layer 2154 may extend to the edge of the top surface of the first conductive semiconductor layer 2112, and the other end of the second insulating layer 2154 may extend to the first insulating layer 2152 and the other end. can be connected or contacted.

절연층(2150)은 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, Si3N4, TiO2, SiNx, SiOxNy, 또는 Al2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Insulating layer 2150 is an insulating material such as SiO 2 , SiOx, Si 3 N 4 , TiO 2 , SiNx, SiO x N y , or Al 2 O 3 may include at least one of them.

절연층(2150)은 굴절률이 서로 다른 적어도 두 개의 층을 적어도 1회 이상 교대로 적층한 복층 구조를 가지는 분산 브래그 반사층(Distributed Bragg Reflective layer)일 수 있다.The insulating layer 2150 may be a distributed Bragg reflective layer having a multilayer structure in which at least two layers having different refractive indices are alternately stacked at least once.

절연층(2150)은 제1 굴절률을 갖는 제1층, 및 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 갖는 제2층이 교대로 1회 이상 적층된 구조일 수 있다.The insulating layer 2150 may have a structure in which a first layer having a first refractive index and a second layer having a second refractive index smaller than the first refractive index are alternately stacked one or more times.

예컨대, 절연층(2150)은 TiO2층/SiO2층이 1회 이상 적층된 구조일 수 있고, 제1층 및 제2층 각각의 두께는 λ/4일 수 있고, λ은 발광 구조물(2110)에서 발생하는 광의 파장을 의미할 수 있다.For example, the insulating layer 2150 may have a structure in which a TiO 2 layer/SiO 2 layer is stacked one or more times, and each of the first layer and the second layer may have a thickness of λ/4, and λ is the light emitting structure 2110 ) may mean the wavelength of light generated from

도 5a는 다른 실시 예에 따른 발광 소자(2000-1)의 단면도를 나타낸다. 도 3과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.5A is a cross-sectional view of a light emitting device 2000-1 according to another embodiment. The same reference numerals as those in FIG. 3 denote the same configurations, and descriptions of the same configurations are simplified or omitted.

도 3의 패시베이션층(2120)은 제1 도전형 반도체층(2112)의 상면의 일부를 노출한다. 반면에, 도 5a의 발광 소자(2100-1)의 패시베이션층(2120-1)은 제1 및 제2 접촉 전극들(2136-1,2136-2)과 접촉되기 위하여 노출되는 제1 도전형 반도체층(2112)의 상면의 일 부분을 제외하고는, 제1 도전형 반도체층(2112)의 상면을 노출하지 않을 수 있다.The passivation layer 2120 of FIG. 3 exposes a portion of the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 2112 . On the other hand, the passivation layer 2120-1 of the light emitting device 2100-1 of FIG. 5A is exposed to be in contact with the first and second contact electrodes 2136-1 and 2136-2. Except for a portion of the top surface of the layer 2112 , the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 2112 may not be exposed.

예컨대, 도 5a의 제2 패시베이션층(2124a)은 제1 및 제2 접촉 전극들(2136-1,2136-2)과 접촉되기 위하여 노출되는 제1 도전형 반도체층(2112)의 상면의 일 부분을 제외하고는 제1 도전형 반도체층(2112)의 상면을 전부 덮을 수 있고, 제2 절연층(2154)과 연결 또는 접촉될 수 있다.For example, the second passivation layer 2124a of FIG. 5A is a portion of the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 2112 exposed to be in contact with the first and second contact electrodes 2136-1 and 2136-2. Except for , the upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer 2112 may be entirely covered, and the second insulating layer 2154 may be connected or contacted.

도 5b는 다른 실시 예에 다른 발광 소자(2000-1')의 단면도를 나타낸다. 도 5a와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.5B is a cross-sectional view of a light emitting device 2000-1' according to another embodiment. The same reference numerals as those in FIG. 5A denote the same configurations, and descriptions of the same configurations are simplified or omitted.

도 5b를 참조하면, 발광 소자(2000-1')의 발광 셀들(2100-1', 2100-2') 각각은 서로 동일한 파장의 빛을 발생한다. 예컨대, 제1 및 제2 발광 셀(2100-1', 2100-2')들 각각은 제1 도전형 반도체층(2112-1'), 활성층(2114-1'), 제2 도전형 반도체층(2116-1')을 포함하는 발광 구조물(2110-1')을 포함할 수 있으며, 동일한 파장의 빛, 예컨대, 적색광, 녹색광, 또는 청색광을 발생할 수 있다. Referring to FIG. 5B , each of the light emitting cells 2100-1' and 2100-2' of the light emitting device 2000-1' generates light of the same wavelength. For example, each of the first and second light emitting cells 2100-1' and 2100-2' includes a first conductivity-type semiconductor layer 2112-1', an active layer 2114-1', and a second conductivity-type semiconductor layer. A light emitting structure 2110-1' including (2116-1') may be included, and light of the same wavelength, eg, red light, green light, or blue light may be emitted.

발광 소자(2000-1')는 발광 셀들(2100-1', 2100-2') 각각의 제2 패시베이션층(2124a) 상에 배치되는 형광체층(2160)을 포함할 수 있다.The light emitting device 2000-1' may include a phosphor layer 2160 disposed on the second passivation layer 2124a of each of the light emitting cells 2100-1' and 2100-2'.

예컨대, 형광체층(2160)은 황색 형광체, 녹색 형광체, 또는 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the phosphor layer 2160 may include at least one of a yellow phosphor, a green phosphor, or a red phosphor, but is not limited thereto.

형광체층(2160)은 발광 셀들(2100-1', 2100-2')로부터 발생하는 빛의 파장을 변환시킬 수 있다.The phosphor layer 2160 may convert a wavelength of light emitted from the light emitting cells 2100-1' and 2100-2'.

예컨대, 발광 셀들(2100-1', 2100-2')은 청색광을 발생할 수 있으며, 형광체층(2160)은 적색 형광체 또는 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 발광 셀들(2100-1', 2100-2')에 의해 발생하는 청색광을 적색광, 녹색광, 또는 백색광으로 변환시킬 수 있다.For example, the light emitting cells 2100-1' and 2100-2' may generate blue light, the phosphor layer 2160 may include at least one of a red phosphor or a green phosphor, and the light emitting cells 2100-1', 2100-2') can be converted into red light, green light, or white light.

도 5c는 다른 실시 예에 다른 발광 소자(2000-1')의 단면도를 나타낸다. 도 5b와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.5C is a cross-sectional view of a light emitting device 2000-1' according to another embodiment. The same reference numerals as those in FIG. 5B indicate the same configurations, and descriptions of the same configurations are simplified or omitted.

도 5c를 참조하면, 형광체층(2160-1)은 발광 셀들(2100-1', 2100-2') 중 어느 하나(예컨대, 2100-2')에 대응하는 제2 패시베이션층(2124a) 상에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 5C, a phosphor layer 2160-1 is formed on a second passivation layer 2124a corresponding to one of the light emitting cells 2100-1' and 2100-2' (eg, 2100-2'). can be placed.

예컨대, 형광체층(2160-1)은 황색 형광체, 녹색 형광체, 또는 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the phosphor layer 2160 - 1 may include at least one of a yellow phosphor, a green phosphor, or a red phosphor, but is not limited thereto.

형광체층(2160-1)은 대응하는 어느 하나의 발광 셀(예컨대, 2100-2')로부터 발생하는 빛의 파장을 변화시킬 수 있다. 따라서 발광 소자(2000-1")는 발광 셀들(2100-1', 2100-2')이 발생하는 광, 및 형광체층(2160-1)의 종류에 따라서 서로 다른 파장을 갖는 빛들을 발생할 수 있다.The phosphor layer 2160-1 may change the wavelength of light emitted from any one corresponding light emitting cell (eg, 2100-2'). Accordingly, the light emitting device 2000-1" may generate lights having different wavelengths depending on the light emitted by the light emitting cells 2100-1' and 2100-2' and the type of the phosphor layer 2160-1. .

예컨대, 발광 셀들(2100-1', 2100-2')은 청색광을 발생할 수 있다.For example, the light emitting cells 2100-1' and 2100-2' may generate blue light.

예컨대, 형광체층(2160-1)은 적색 형광체 또는 녹색 형광체를 포함할 수 있고, 제2 발광 셀(2100-2')에 의해 발생하는 청색광을 적색광 또는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 이로 인하여 발광 소자(2000-1")는 청색광 및 적색광을 동시에 구현하거나, 또는 청색광 및 녹색광을 동시에 구현할 수 있다.For example, the phosphor layer 2160-1 may include a red phosphor or a green phosphor, and may convert blue light generated by the second light emitting cells 2100-2' into red or green light. Accordingly, the light emitting device 2000-1" may simultaneously emit blue light and red light, or simultaneously emit blue light and green light.

다른 실시 예에서는 발광 셀들(2100-1', 2100-2')은 서로 다른 파장의 광을 발생할 수 있다. 형광체층(2160-1)은 발광 셀들(2100-1', 2100-2')이 발생하는 광의 파장과 다른 파장을 갖는 광으로 변환시킬 수 있다.In another embodiment, the light emitting cells 2100-1' and 2100-2' may generate light of different wavelengths. The phosphor layer 2160-1 may convert light having a wavelength different from that of light generated by the light emitting cells 2100-1' and 2100-2'.

예컨대, 제1 발광 셀(2100-1')은 청색광을 발생할 수 있고, 제2 발광 셀(2100-2')은 녹색광을 발생할 수 있으며, 형광체층(2160-1)은 적색 형광체를 포함할 수 있으며, 제2 발광 셀의 녹색광을 적색광으로 변환시킬 수 있다.For example, the first light emitting cell 2100-1' can generate blue light, the second light emitting cell 2100-2' can generate green light, and the phosphor layer 2160-1 can include red phosphor. And, the green light of the second light emitting cell can be converted into red light.

도 6a는 다른 실시 예에 따른 발광 소자(2000-2)의 상측 평면도를 나타내고, 도 6b는 도 6a에 도시된 발광 소자(2000-2)의 하측 평면도를 나타낸다. 도 6a 및 도 6b는 도 5a의 제2 패시베이션층(2124a)을 포함하는 실시 예일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 도 3에 도시된 발광 소자(2100)에도 동일하게 적용될 수 있다.FIG. 6A shows a top plan view of a light emitting device 2000-2 according to another embodiment, and FIG. 6B shows a bottom plan view of the light emitting device 2000-2 shown in FIG. 6A. 6A and 6B may be examples including the second passivation layer 2124a of FIG. 5A , but are not limited thereto, and may be equally applied to the light emitting device 2100 shown in FIG. 3 .

도 6a 및 도 6b에 도시된 실시 예(2000-2)는 제1 및 제2 발광 셀들(2100a-1, 2100a-2), 패시베이션층(미도시), 제1 전극(2130'), 제1 전극 패드(2135'), 제2 전극들(미도시), 절연층(제1 절연층(2152')만 도시), 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2)을 포함할 수 있다. The embodiment 2000-2 shown in FIGS. 6A and 6B includes first and second light emitting cells 2100a-1 and 2100a-2, a passivation layer (not shown), a first electrode 2130', a first It may include an electrode pad 2135', second electrodes (not shown), an insulating layer (only the first insulating layer 2152' is shown), and second electrode pads 2145-1 and 2145-2. .

발광 구조물(2110)의 상면은 제1변들과 제1변들 사이에 위치하는 제2변을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1변들 각각의 길이는 제2변들 각각의 길이보다 길 수 있다.The upper surface of the light emitting structure 2110 may include first sides and a second side positioned between the first sides. For example, the length of each of the first sides may be longer than the length of each of the second sides.

도 3, 및 도 5a에서는 제1 전극(2130)의 상부 전극(2134)의 길이 방향, 제1 전극 패드(2135)의 길이 방향, 및 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2)의 길이 방향 각각이 발광 구조물(2110)의 상면의 제1변과 평행한 방향일 수 있다.3 and 5A, the longitudinal direction of the upper electrode 2134 of the first electrode 2130, the longitudinal direction of the first electrode pad 2135, and the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 Each longitudinal direction may be a direction parallel to the first side of the upper surface of the light emitting structure 2110 .

예컨대, 제1 전극(2130)의 상부 전극(2134)의 제1 방향의 길이가 제2 방향의 길이보다 더 길고, 제1 전극 패드(2135)의 제1 방향의 길이가 제2 방향의 길이보다 더 길고, 제2 전극 패드들(2145-1,2145-2) 각각의 제1 방향의 길이가 제2 방향의 길이보다 더 길 수 있다. 이때 제1 방향은 발광 구조물(2110)의 상면의 제1변과 평행한 방향이고, 제2 방향은 발광 구조물(2110)의 상면의 제2변과 평행한 방향일 수 있다.For example, the length of the upper electrode 2134 of the first electrode 2130 in the first direction is longer than the length in the second direction, and the length of the first electrode pad 2135 in the first direction is longer than the length in the second direction. It is longer, and the length of each of the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 in the first direction may be longer than the length in the second direction. In this case, the first direction may be a direction parallel to the first side of the upper surface of the light emitting structure 2110, and the second direction may be a direction parallel to the second side of the upper surface of the light emitting structure 2110.

반면에, 도 6a 및 도 6b에 도시된 실시 예(2000-2)의 제1 전극(2130')의 상부 전극(2134')의 길이 방향, 제1 전극 패드(2135')의 길이 방향, 및 제2 전극 패드들(2145-1',2145-2')의 길이 방향 각각은 발광 구조물(2110)의 상면의 제2변과 평행한 방향일 수 있다.On the other hand, the longitudinal direction of the upper electrode 2134' of the first electrode 2130' of the embodiment 2000-2 shown in FIGS. 6A and 6B, the longitudinal direction of the first electrode pad 2135', and Each of the longitudinal directions of the second electrode pads 2145-1' and 2145-2' may be in a direction parallel to the second side of the upper surface of the light emitting structure 2110.

예컨대, 제1 전극(2130')의 상부 전극(2134')의 제2 방향의 길이가 제1 방향의 길이보다 더 길고, 제1 전극 패드(2135')의 제2 방향의 길이가 제1 방향의 길이보다 더 길고, 제2 전극 패드들(2145-1', 2145-2') 각각의 제2 방향의 길이가 제1 방향의 길이보다 더 길 수 있다.For example, the length of the upper electrode 2134' of the first electrode 2130' in the second direction is longer than the length in the first direction, and the length of the first electrode pad 2135' in the second direction is longer than the length in the first direction. The length of each of the second electrode pads 2145-1' and 2145-2' in the second direction may be longer than that in the first direction.

도 7a는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자(2100-3)의 상측 평면도를 나타내고, 도 7b는 도 7a에 도시된 발광 소자(2100-3)의 하측 평면도를 나타내고, 도 8a는 도 7a 및 도 7b에 도시된 발광 소자(2100-3)의 Ⅰ-Ⅱ 방향의 일 실시 예에 따른 단면도를 나타낸다.Figure 7a shows a top plan view of a light emitting device 2100-3 according to another embodiment, Figure 7b shows a bottom plan view of the light emitting device 2100-3 shown in Figure 7a, Figure 8a shows Figures 7a and 7a 7B shows a cross-sectional view according to an embodiment of the light emitting device 2100-3 in the I-II direction.

도 7a, 도 7b, 및 도 8a을 참조하면, 발광 소자(2000-3)는 3개의 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3), 패시베이션층(2120b), 2개의 제1 전극들(2130-1, 2130-2), 제1 전극 패드들(2135a-1, 2135a-2), 제2 전극들(2140-1, 2140-2), 제2 전극 패드들(2145-1 내지 2145-3), 및 절연층(2150)을 포함한다.7A, 7B, and 8A, the light emitting device 2000-3 includes three light emitting cells 2100b-1 to 2100b-3, a passivation layer 2120b, and two first electrodes 2130-3. 1 and 2130-2), first electrode pads 2135a-1 and 2135a-2, second electrodes 2140-1 and 2140-2, and second electrode pads 2145-1 to 2145-3 , and an insulating layer 2150 .

예컨대, 제2 전극들(2140-1, 2140-2)의 개수, 및 전극 패드들(2145-1 내지 2145-3)의 개수는 발광 셀들의 개수와 동일할 수 있다. 또한 제1 전극들(2130-1, 2130-2)의 개수는 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3)의 개수보다 적을 수 있고, 제1 전극 패드들(2135a-1, 2135a-2)의 개수는 제1 전극들의 개수와 동일하거나 적을 수 있다.For example, the number of second electrodes 2140-1 and 2140-2 and the number of electrode pads 2145-1 to 2145-3 may be the same as the number of light emitting cells. Also, the number of first electrodes 2130-1 and 2130-2 may be less than the number of light emitting cells 2100b-1 to 2100b-3, and the number of first electrode pads 2135a-1 and 2135a-2 The number may be equal to or less than the number of first electrodes.

발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3)은 서로 이격하여 위치하며, 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3)은 각각은 발광 구조물(2110a-1 내지 2110a-3)을 포함할 수 있다. 복수의 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3) 각각은 서로 다른 파장 범위를 갖는 광을 발생할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 서로 동일한 파장 범위를 갖는 광을 발생할 수도 있다.The light emitting cells 2100b-1 to 2100b-3 are spaced apart from each other, and each of the light emitting cells 2100b-1 to 2100b-3 may include light emitting structures 2110a-1 to 2110a-3. Each of the plurality of light emitting cells 2100b-1 to 2100b-3 may generate light having a different wavelength range, but is not limited thereto, and may generate light having the same wavelength range in another embodiment.

예컨대, 제1 발광 셀(2100b-1)은 적색광을 발생할 수 있고, 제2 발광 셀(2100b-2)은 녹색광을 발생할 수 있고, 제3 발광 셀(2100b-3)은 청색광을 발생할 수 있다.For example, the first light emitting cell 2100b-1 may emit red light, the second light emitting cell 2100b-2 may emit green light, and the third light emitting cell 2100b-3 may emit blue light.

제1 전극들(2130-1, 2130-2) 각각은 서로 이격되는 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 사이에 배치되며, 발광 셀들(2110-1, 2110-2) 아래에 배치되는 절연층(2150)을 통과한다. 제1 전극들(2130-1, 2130-2) 각각은 인접하는 2개의 발광 셀들(2100b-1과 2100b-2, 2100b-2와 2100b-3)의 제1 도전형 반도체층들(2112a-1와 2112a-2, 2112a-2와 2112a-3)에 공통으로 접촉 또는 연결될 수 있으며, 제1 전극 패드들 중 대응하는 어느 하나와 연결 또는 접촉될 수 있다.Each of the first electrodes 2130-1 and 2130-2 is disposed between the light emitting cells 2100-1 and 2100-2 spaced apart from each other, and has an insulating layer disposed under the light emitting cells 2110-1 and 2110-2. Layer 2150 passes through. Each of the first electrodes 2130-1 and 2130-2 is the first conductivity type semiconductor layers 2112a-1 of the two adjacent light emitting cells 2100b-1 and 2100b-2, 2100b-2 and 2100b-3. and 2112a-2, 2112a-2 and 2112a-3) in common, and may be connected or connected to a corresponding one of the first electrode pads.

도 8a에서는 제1 전극(2130-1)은 제1 상부 전극(2134a-1), 제1 관통 전극(2132a-1), 및 제1 및 제2 접촉 전극들(2136c-1,2136c-2)을 포함하고, 제1 전극(2130-2)은 제2 상부 전극(2134a-2), 제2 관통 전극(2132a-2), 및 제3 및 제4 접촉 전극들(2136c-3,2136c-4)을 포함할 수 있다.In FIG. 8A , the first electrode 2130-1 includes a first upper electrode 2134a-1, a first through electrode 2132a-1, and first and second contact electrodes 2136c-1 and 2136c-2. , and the first electrode 2130-2 includes a second upper electrode 2134a-2, a second through electrode 2132a-2, and third and fourth contact electrodes 2136c-3 and 2136c-4. ) may be included.

도 8a에서는 제1 전극들(2130-1, 2130-2) 각각이 인접하는 2개의 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층들(1112a-1과 1112a-2, 1112a-2와 1112a-3)에 모두 접촉할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In FIG. 8A , each of the first electrodes 2130-1 and 2130-2 is applied to the first conductivity type semiconductor layers 1112a-1 and 1112a-2, 1112a-2 and 1112a-3 of two adjacent light emitting cells. All can be contacted, but not limited thereto.

다른 실시 예에서는 제1 전극들(2130-1, 2130-2) 중 어느 하나(예컨대, 2130-1)는 어느 인접하는 2개의 발광 셀들(2100b-1, 2100b-2)의 제1 도전형 반도체층들(2112a-1,2112a-2)에 모두 접촉하고, 나머지 다른 하나(예컨대, 2130-2)는 다른 인접하는 2개의 발광 셀들(2100b-1, 2100b-2) 중 다른 하나(예컨대, 2100b-3)의 제1 도전형 반도체층(2112a-3)에만 접촉할 수 있다.In another embodiment, one of the first electrodes 2130-1 and 2130-2 (eg, 2130-1) is a first conductivity-type semiconductor of two adjacent light emitting cells 2100b-1 and 2100b-2. Both layers 2112a-1 and 2112a-2 are in contact, and the other one (eg, 2130-2) is adjacent to the other of the two adjacent light emitting cells 2100b-1 and 2100b-2 (eg, 2100b). -3) can only contact the first conductivity type semiconductor layer 2112a-3.

도 3의 제1 전극(2130)과 제1 전극 패드(2135)에 대한 설명이 도 8a에 도시된 바에 따라 제1 전극들(2130-1, 2130-2) 및 제1 전극 패드들(2135a-1, 2135a-2)에 적용될 수 있다.As the description of the first electrode 2130 and the first electrode pad 2135 of FIG. 3 is shown in FIG. 8A, the first electrodes 2130-1 and 2130-2 and the first electrode pads 2135a- 1, 2135a-2).

패시베이션층(2120b)은 제1 전극들(2130-1, 2130-2)과 발광 구조물들(2110-1,2110-2)의 측면들 사이에 배치되는 제1 패시베이션층(2122b), 및 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3) 각각의 제1 도전형 반도체층(2112a-1 내지 2112a-3) 상면 상에 배치되는 제2 패시베이션층(2124b)을 포함할 수 있다.The passivation layer 2120b includes the first passivation layer 2122b disposed between the side surfaces of the first electrodes 2130-1 and 2130-2 and the light emitting structures 2110-1 and 2110-2, and the light emitting cells. (2100b-1 to 2100b-3) may include a second passivation layer 2124b disposed on an upper surface of each of the first conductivity-type semiconductor layers 2112a-1 to 2112a-3.

도 3의 패시베이션층(2120)에 대한 설명이 도 8a에 도시된 바에 따라 패시베이션층(2120b)에 적용될 수 있다.The description of the passivation layer 2120 of FIG. 3 may be applied to the passivation layer 2120b as shown in FIG. 8A.

제2 전극들(2140a-1 내지 2140a-3) 각각은 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3) 중 대응하는 어느 하나의 제2 도전형 반도체층(2116a-1, 2116a-2, 또는 2116a-3) 아래에 배치되며, 대응하는 제2 도전형 반도체층(2116a-1, 2116a-2, 또는 2116a-3)과 접촉한다. 도 3의 제2 전극들(2140-1, 2140-2)에 대한 설명이 도 8a에 도시된 바에 따라 제2 전극들(2140a-1 내지 2140a-3)에 적용될 수 있다.Each of the second electrodes 2140a-1 to 2140a-3 is a corresponding second conductive semiconductor layer 2116a-1, 2116a-2, or 2116a-1 of the light emitting cells 2100b-1 to 2100b-3. 3) It is disposed below and contacts the corresponding second conductivity type semiconductor layer 2116a-1, 2116a-2, or 2116a-3. The description of the second electrodes 2140-1 and 2140-2 of FIG. 3 may be applied to the second electrodes 2140a-1 to 2140a-3 as shown in FIG. 8A.

제2 전극 패드들(2145a-1 내지 2145a-3) 각각은 제2 전극들(2140a-1 내지 2140a-3) 중 대응하는 어느 하나 아래에 배치되며, 대응하는 어느 하나와 연결되거나 또는 오믹 접촉될 수 있다. 도 3의 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2)에 대한 설명이 도 8a에 도시된 바에 따라 제2 전극 패드(2145a-1 내지 2145a-3)에 적용될 수 있다.Each of the second electrode pads 2145a-1 to 2145a-3 is disposed under a corresponding one of the second electrodes 2140a-1 to 2140a-3, and is connected to or ohmic contact with the corresponding one. can The description of the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 of FIG. 3 may be applied to the second electrode pads 2145a-1 to 2145a-3 as shown in FIG. 8A.

절연층(2150a)은 제2 전극들(2140a-1 내지 2140a-3)이 배치되는 영역을 제외한 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3) 각각의 제2 도전형 반도체층(2116a-1 내지 2116a-3)의 하면의 나머지 영역에 배치되는 제1 절연층(1252a), 및 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3) 각각의 발광 구조물(2110a-1 내지 2110a-3)의 외측면들에 배치되는 제2 절연층(2154a)을 포함할 수 있다.The insulating layer 2150a is the second conductivity-type semiconductor layer 2116a-1 to 2116a of each of the light emitting cells 2100b-1 to 2100b-3, excluding the region where the second electrodes 2140a-1 to 2140a-3 are disposed. -3), the first insulating layer 1252a disposed on the remaining area of the lower surface, and the light emitting cells 2100b-1 to 2100b-3 disposed on the outer surfaces of the light emitting structures 2110a-1 to 2110a-3, respectively. A second insulating layer 2154a may be included.

도 3의 절연층(2150)에 대한 설명이 도 8a에 도시된 바에 따라 절연층(2150a)에 적용될 수 있다.The description of the insulating layer 2150 of FIG. 3 may be applied to the insulating layer 2150a as shown in FIG. 8A.

예컨대, 도 8a의 실시 예는 서로 다른 파장 범위를 갖는 3개의 광을 발생할 수 있으며, 인접하는 2개의 발광 셀들(2100b-1과 2100b-2, 또는 2100b-2와 2100b-3)이 하나의 n형 전극인 제1 전극(2130-1, 또는 2130-2) 및 하나의 n형 전극 패드인 제1 전극 패드(2135a-1 또는 2135a-2)를 서로 공유할 수 있다. For example, the embodiment of FIG. 8A may generate three lights having different wavelength ranges, and two adjacent light emitting cells (2100b-1 and 2100b-2, or 2100b-2 and 2100b-3) may form one n The first electrode 2130-1 or 2130-2, which is a type electrode, and the first electrode pad 2135a-1 or 2135a-2, which is one n-type electrode pad, may be shared.

도 8b는 도 8a에 도시된 도 7a 및 도 7b에 도시된 발광 소자(2100-3)의 Ⅰ-Ⅱ 방향의 다른 실시 예에 따른 단면도를 나타낸다. 도 8a와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.FIG. 8B is a cross-sectional view according to another embodiment of the light emitting device 2100-3 shown in FIGS. 7A and 7B shown in FIG. 8A in the I-II direction. The same reference numerals as those in FIG. 8A denote the same configurations, and descriptions of the same configurations are simplified or omitted.

도 8b를 참조하면, 발광 소자(2000-3')의 발광 셀들(2100b-1' 내지 2100b-3') 각각은 서로 동일한 파장의 빛을 발생한다. 예컨대, 제1 내지 제3 발광 셀(2100b-1' 내지 2100b-3')들 각각은 제1 도전형 반도체층(2112a-1'), 활성층(2114a-1'), 제2 도전형 반도체층(2116a-1')을 포함하는 발광 구조물(2110a-1')을 포함할 수 있으며, 동일한 파장의 빛, 예컨대, 적색광, 녹색광, 또는 청색광을 발생할 수 있다.Referring to FIG. 8B , each of the light emitting cells 2100b-1' to 2100b-3' of the light emitting device 2000-3' emits light of the same wavelength. For example, each of the first to third light emitting cells 2100b-1' to 2100b-3' includes a first conductivity-type semiconductor layer 2112a-1', an active layer 2114a-1', and a second conductivity-type semiconductor layer. It may include the light emitting structure 2110a-1' including (2116a-1'), and may generate light of the same wavelength, eg, red light, green light, or blue light.

발광 소자(2000-1')는 발광 셀들(2100b-1' 내지 2100b-2') 중 적어도 하나의 발광 셀(예컨대, 2100b-2' 및 2100b-3')에 대응하는 제2 패시베이션층(2124b) 상에 배치되는 적어도 하나의 형광체층(2170-1, 2170-2)을 포함할 수 있다.The light emitting device 2000-1' includes a second passivation layer 2124b corresponding to at least one light emitting cell (eg, 2100b-2' and 2100b-3') among the light emitting cells 2100b-1' to 2100b-2'. ), at least one phosphor layer 2170-1 or 2170-2 disposed on the phosphor layer.

예컨대, 형광체층들(2170-1, 2170-2)은 발광 셀들 중 적어도 하나를 제외한 나머지 발광 셀들에 대응하여 제2 패시베이션층(2124b) 상에 서로 이격하여 배치될 수 있다.For example, the phosphor layers 2170-1 and 2170-2 may be spaced apart from each other on the second passivation layer 2124b to correspond to light emitting cells other than at least one of the light emitting cells.

예컨대, 형광체층들(2170-1, 2170-2) 각각은 발광 셀들(2100b-1' 내지 2100b-2')로부터 발생하는 빛을 다른 파장의 빛으로 변환시킬 수 있다.For example, each of the phosphor layers 2170-1 and 2170-2 may convert light emitted from the light emitting cells 2100b-1' to 2100b-2' into light of a different wavelength.

예컨대, 형광체층들(2170-1, 2170-2) 각각은 황색 형광체, 녹색 형광체, 또는 적색 형광체 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 서로 다른 형광체를 포함할 수 있다.For example, each of the phosphor layers 2170-1 and 2170-2 may include any one of a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor, and may include different phosphors.

예컨대, 발광 셀들(2100b-1' 내지 2100b-3')은 청색광을 발생할 수 있다. 그리고 제1 형광체층(2170-1)은 녹색 형광체를 포함할 수 있고 제2 발광 셀(2100b-2')에 의해 발생하는 청색광을 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 제2 형광체층(2170-2)은 적색 형광체를 포함할 수 있고, 제3 발광 셀(2100b-3)에 의해 발생하는 청색광을 적색광으로 변환시킬 수 있다. 따라서 발광 소자(2000-3')는 적색광, 청색광, 및 녹색광을 모두 발생할 수 있다.For example, the light emitting cells 2100b-1' to 2100b-3' may generate blue light. The first phosphor layer 2170-1 may include a green phosphor and convert blue light generated by the second light emitting cells 2100b-2' into green light. The second phosphor layer 2170-2 may include a red phosphor and convert blue light generated by the third light emitting cells 2100b-3 into red light. Accordingly, the light emitting device 2000-3' can generate all of red light, blue light, and green light.

즉 발광 소자(2000-3')는 발광 셀들(2100b-1' 내지 2100b-3')이 발생하는 광, 및 형광체층들(2170-1,2170-2)의 종류에 따라서 적색광, 청색광, 및 녹색광을 모두 발생할 수 있다.That is, the light emitting element 2000-3' generates red light, blue light, and light according to the light generated by the light emitting cells 2100b-1' to 2100b-3' and the types of the phosphor layers 2170-1 and 2170-2. Both green light can be generated.

도 7a, 도 8a, 및 도 8b의 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3, 2100b-1' 내지 2100b-3') 각각의 발광 면적은 서로 동일하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3, 2100b-1' 내지 2100b-3') 각각의 발광 면적은 서로 다를 수 있다, 여기서 발광 면적은 발광 구조물의 상면, 예컨대, 제1 도전형 반도체층의 상면, 또는 활성층의 상면의 면적일 수 있다.The light emitting area of each of the light emitting cells 2100b-1 to 2100b-3 and 2100b-1' to 2100b-3' of FIGS. 7A, 8A, and 8B is the same, but is not limited thereto, and the light emitting cells 2100b -1 to 2100b-3, 2100b-1' to 2100b-3'), each light emitting area may be different from each other, where the light emitting area is the top surface of the light emitting structure, for example, the top surface of the first conductivity type semiconductor layer, or the active layer. It may be the area of the upper surface.

예컨대, 전체적인 시감도 및 휘도를 고려할 때, 시감도가 가장 민감한 녹색광을 발생하는 발광 셀, 또는 녹색 형광체를 포함하는 제1 형광체층(2170-1)에 대응하는 발광 셀(2100b-2')의 발광 면적이 가장 클 수 있다For example, when considering overall visibility and luminance, a light emitting cell emitting green light having the most sensitive visibility or a light emitting area of a light emitting cell 2100b-2' corresponding to the first phosphor layer 2170-1 including a green phosphor. can be the largest

또한 형광체층에 의하여 청색광에 비하여 적색광이 효율이 더 저하되기 때문에, 적색 형광체를 포함하는 제2 형광체층(2170-2)에 대응하는 발광 셀(2100b-3')의 발광 면적이 청색광을 발생하는 발광 셀(예컨대, 2100b-1')의 발광 면적보다 더 클 수 있다.In addition, since the efficiency of red light is lowered compared to blue light by the phosphor layer, the light emitting area of the light emitting cells 2100b-3' corresponding to the second phosphor layer 2170-2 including red phosphor generates blue light. It may be larger than the light emitting area of the light emitting cell (eg, 2100b-1').

도 9a는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자(2100-4)의 상측 평면도를 나타내고, 도 9b는 도 9a에 도시된 발광 소자(2100-4)의 하측 평면도를 나타낸다.9A shows a top plan view of a light emitting device 2100-4 according to another embodiment, and FIG. 9B shows a bottom plan view of the light emitting device 2100-4 shown in FIG. 9A.

도 9a 및 도 9b를 참조하면, 발광 소자(2100-1)는 4개의 발광 셀들(2100c-1 내지 2100-4), 패시베이션층(2120c), 제1 전극(2130"), 제1 전극 패드(2135"), 제2 전극들(미도시), 제2 전극 패드들(2145b-1 내지 2145b-4), 및 절연층(2150b)을 포함한다.9A and 9B, the light emitting element 2100-1 includes four light emitting cells 2100c-1 to 2100-4, a passivation layer 2120c, a first electrode 2130″, and a first electrode pad ( 2135"), second electrodes (not shown), second electrode pads 2145b-1 to 2145b-4, and an insulating layer 2150b.

발광 소자(2100-1)의 4개의 발광 셀들(2100c-1 내지 2100-4)은 하나의 제1 전극(2130") 및 하나의 제1 전극 패드(2135")를 공유할 수 있다. 제1 전극(2130")의 상부 전극(2134"), 및 제1 전극 패드(2135")는 십자가 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 제1 전극(2130")의 관통 전극(미도시)은 십자가 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The four light emitting cells 2100c-1 to 2100-4 of the light emitting device 2100-1 may share one first electrode 2130" and one first electrode pad 2135". The upper electrode 2134" of the first electrode 2130" and the first electrode pad 2135" may have a cross shape, but are not limited thereto. In addition, the through electrode of the first electrode 2130" (not shown) Si) may have a cross shape, but is not limited thereto.

도 9c는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자(200-4')의 상측 평면도를 나타낸다. 도 9a와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.9C is an upper plan view of a light emitting device 200-4' according to another embodiment. The same reference numerals as those in FIG. 9A denote the same configurations, and descriptions of the same configurations are simplified or omitted.

도 9c의 실시 예는 도 9a의 실시 예에 제1 내지 제3 형광체층들(2180-1 내지 2180-3)을 더 포함할 수 있다. 도 9a의 실시 예에서는 제1 내지 제4 발광 셀들(2100c-1 내지 2100c-4)의 발광 면적이 서로 동일하지만, 도 9c의 실시 예에서는 제1 내지 제4 발광 셀들(2100c-1' 내지 2100c-3')의 발광 면적들이 서로 다를 수 있다.The embodiment of FIG. 9C may further include first to third phosphor layers 2180-1 to 2180-3 in the embodiment of FIG. 9A. In the embodiment of FIG. 9A, the light emitting areas of the first to fourth light emitting cells 2100c-1 to 2100c-4 are the same, but in the embodiment of FIG. 9c, the first to fourth light emitting cells 2100c-1' to 2100c -3') may be different from each other.

제1 내지 제3 형광체층들(2180-1 내지 2180-3) 각각은 제1 내지 제4 발광 셀들(2100c-1' 내지 2100c-3') 중 어느 하나(예컨대, 2100ㅊ-3')를 제외한 나머지 발광 셀들(예컨대, 2100c-1', 2100c-2',2100c-4')에 대응하도록 제2 패시베이션층(2120c) 상에 배치된다.Each of the first to third phosphor layers 2180-1 to 2180-3 uses one (eg, 2100j-3') of the first to fourth light emitting cells 2100c-1' to 2100c-3'. It is disposed on the second passivation layer 2120c to correspond to the remaining light emitting cells (eg, 2100c-1', 2100c-2', and 2100c-4').

제1 내지 제4 발광 셀들(2100c-1' 내지 2100c-3') 각각은 동일한 파장의 빛(예컨대, 청색광)을 발생할 있다.Each of the first to fourth light emitting cells 2100c-1' to 2100c-3' may generate light (eg, blue light) of the same wavelength.

예컨대, 제1 형광체층(2180-1)은 적색 형광체, 및 녹색 형광체를 포함할 수 있고, 제1 발광 셀(2100c-1')에 의해 발생한 청색광은 제1 형광체층(2180-1)에 의하여 백색광으로 변환될 수 있다.For example, the first phosphor layer 2180-1 may include a red phosphor and a green phosphor, and blue light generated by the first light emitting cell 2100c-1' is emitted by the first phosphor layer 2180-1. It can be converted to white light.

제2 형광체층(2180-2)은 적색 형광체를 포함할 수 있고, 제2 발광 셀(2100c-2')에 의해 발생한 청색광은 제2 형광체층(2180-2)에 의하여 적색광으로 변환될 수 있다.The second phosphor layer 2180-2 may include a red phosphor, and blue light generated by the second light emitting cells 2100c-2' may be converted into red light by the second phosphor layer 2180-2. .

제3 형광체층(2180-3)은 녹색 형광체를 포함할 수 있고, 제4 발광 셀(2100c-4')에 의해 발생한 청색광은 제3 형광체층(2180-2)에 의하여 녹색광으로 변환될 수 있다.The third phosphor layer 2180-3 may include a green phosphor, and blue light generated by the fourth light emitting cells 2100c-4' may be converted into green light by the third phosphor layer 2180-2. .

제1 발광 셀(2100c-1')의 발광 면적은 제2 내지 제3 발광 셀들(2100c-2' 내지 2100c-3') 각각의 발광 면적보다 작을 수 있다. 이는 제1 형광체층(2180-1으로부터 발생하는 백색광이 제2 형광체층(2180-2)에 의한 적색광, 제3 발광 셀(2100c-3')로부터 발생하는 청색광, 및 제3 형광체층(2180-3)에 의한 녹색광의 혼합으로 인한 백색광보다 더 강하기 때문이다.The light emitting area of the first light emitting cell 2100c-1' may be smaller than the light emitting area of each of the second to third light emitting cells 2100c-2' to 2100c-3'. This is because white light generated from the first phosphor layer 2180-1 is red light generated from the second phosphor layer 2180-2, blue light generated from the third light emitting cell 2100c-3', and white light generated from the third phosphor layer 2180-2. This is because it is stronger than white light due to the mixing of green light by 3).

또한 예컨대, 전체적인 시감도 및 휘도를 고려할 때, 시감도가 가장 민감한 녹색광을 발생하는 제1 형광체층(2180-1)에 대응하는 발광 셀(2100c-1')의 발광 면적이 가장 클 수 있다Also, for example, when considering the overall visibility and luminance, the light emitting area of the light emitting cell 2100c-1' corresponding to the first phosphor layer 2180-1 generating green light having the most sensitive visibility may be the largest.

또한 형광체층에 의하여 청색광에 비하여 적색광이 효율이 더 저하되기 때문에, 적색 형광체를 포함하는 제2 형광체층(2180-2)에 대응하는 발광 셀(2100c-2')의 발광 면적이 청색광을 발생하는 발광 셀(예컨대, 2100c-3')의 발광 면적보다 더 클 수 있다.In addition, since the red light efficiency is lowered more than the blue light by the phosphor layer, the light emitting area of the light emitting cells 2100c-2' corresponding to the second phosphor layer 2180-2 including the red phosphor generates blue light. It may be larger than the light emitting area of the light emitting cell (eg, 2100c-3').

도 10a는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자(2100-5)의 상측 평면도를 나타내고, 도 10b는 도 10a에 도시된 발광 소자(2100-5)의 하측 평면도를 나타낸다.FIG. 10A shows a top plan view of a light emitting device 2100-5 according to another embodiment, and FIG. 10B shows a bottom plan view of the light emitting device 2100-5 shown in FIG. 10A.

또한 도 10a 및 도 10b의 CD 방향의 단면도는 도 8a에 도시된 바와 동일할 수 있으며, 도 10a 및 도 10b의 CD 방향의 단면도는 도 8a를 참조한다. 이 경우 도 10a의 제1 전극들(2134a-1, 2134a-2)은 도 8a의 제1 전극들(2130-1,2130-2)에 대응할 수 있고, 도 10a의 패시베이션층(2120d)는 도 8a의 패시베이션층(2120b)에 대응할 수 있다.Also, the cross-sectional views in the CD direction of FIGS. 10A and 10B may be the same as those shown in FIG. 8A, and the cross-sectional views in the CD direction of FIGS. 10A and 10B refer to FIG. 8A. In this case, the first electrodes 2134a-1 and 2134a-2 of FIG. 10A may correspond to the first electrodes 2130-1 and 2130-2 of FIG. 8A, and the passivation layer 2120d of FIG. It may correspond to the passivation layer 2120b of 8a.

도 10a 및 도 10b에 도시된 발광 소자(2100-5)는 3개의 발광 셀들(2100d-1 내지 2100d-3), 패시베이션층(2120d), 제1 전극들(2130a-1, 2130a-2), 제1 전극 패드(2135b), 제2 전극들(미도시), 제2 전극 패드들(2145c-1 내지 2145c-3), 및 절연층(2150c)을 포함한다. 도 10a 및 도 10b의 실시 예의 제2 전극들은 도 8a의 제2 전극들(2140a-1 내지 2140a-3)에 대응하지만, 그 형상은 다를 수 있다.The light emitting element 2100-5 shown in FIGS. 10A and 10B includes three light emitting cells 2100d-1 to 2100d-3, a passivation layer 2120d, first electrodes 2130a-1 and 2130a-2, It includes a first electrode pad 2135b, second electrodes (not shown), second electrode pads 2145c-1 to 2145c-3, and an insulating layer 2150c. The second electrodes of the embodiments of FIGS. 10A and 10B correspond to the second electrodes 2140a-1 to 2140a-3 of FIG. 8A, but may have different shapes.

3개의 발광 셀들(2100d-1 내지 2100d-3), 패시베이션층(2120d), 제1 전극들(2130a-1 내지 2130a-3)은 도 7a 및 도 8a에서 설명한 바와 유사한 구조를 가질 수 있다.The three light emitting cells 2100d-1 to 2100d-3, the passivation layer 2120d, and the first electrodes 2130a-1 to 2130a-3 may have structures similar to those described with reference to FIGS. 7A and 8A.

도 7a 및 도 8a의 실시 예(2000-3)에서는 제2 전극 패드들(2145a-1 내지 2145a-3) 각각이 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3) 중 대응하는 어느 하나의 하면 아래에 배치될 수 있다. 즉 제2 전극 패드들(2145a-1 내지 2145a-3) 각각은 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3) 중 대응하지 않는 발광 셀과는 수직 방향으로 오버랩되지 않는다. 여기서 수직 방향은 발광 셀의 제1 도전형 반도체층에서 제2 도전형 반도체층으로 향하는 방향일 수 있다.In the embodiment 2000-3 of FIGS. 7A and 8A , the second electrode pads 2145a-1 to 2145a-3 are located below the corresponding one of the light-emitting cells 2100b-1 to 2100b-3. can be placed. That is, each of the second electrode pads 2145a-1 to 2145a-3 does not overlap a non-corresponding light-emitting cell among the light-emitting cells 2100b-1 to 2100b-3 in the vertical direction. Here, the vertical direction may be a direction from the first conductivity type semiconductor layer to the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting cell.

반면에, 도 10b의 실시 예(2000-5)에서는 제2 전극 패드들(2145c-1 내지 2145c-3) 각각은 발광 셀들(2100d-1 내지 2100d-3) 중 대응하는 어느 하나의 하면 아래에 배치될 수 있으며, 제2 전극 패드들(2145c-1 내지 2145c-3) 중 적어도 하나는 발광 셀들(2100d-1 내지 2100d-3) 중 대응하지 않는 어느 하나의 하면 아래까지 확장될 수 있다. On the other hand, in the embodiment 2000-5 of FIG. 10B , each of the second electrode pads 2145c-1 to 2145c-3 is below the corresponding one of the light emitting cells 2100d-1 to 2100d-3. and at least one of the second electrode pads 2145c-1 to 2145c-3 may extend below a lower surface of a non-corresponding one of the light emitting cells 2100d-1 to 2100d-3.

예컨대, 제2 전극 패드들(2145c-1 내지 2145c-3) 중 적어도 하나는 발광 셀들(2100d-1 내지 2100d-3) 중 대응하지 않는 발광 셀과 수직 방향으로 오버랩될 수 있다.For example, at least one of the second electrode pads 2145c-1 to 2145c-3 may overlap a non-corresponding light-emitting cell among the light-emitting cells 2100d-1 to 2100d-3 in a vertical direction.

또한 도 7a, 도 7b, 및 도 8a의 실시 예에서는 제1 전극들(2130-1, 2130-2)이 서로 이격하여 분리되고, 제1 전극들(2130-1, 2130-2) 중 대응하는 어느 하나와 연결되는 제1 전극 패드들(2135a-1, 2135a-2)이 서로 이격되어 분리될 수 있다.In addition, in the embodiments of FIGS. 7A, 7B, and 8A, the first electrodes 2130-1 and 2130-2 are spaced apart from each other, and the corresponding one of the first electrodes 2130-1 and 2130-2 The first electrode pads 2135a-1 and 2135a-2 connected to either one of them may be spaced apart from each other.

반면에, 도 10a 및 도 10b의 실시 예에서는 제1 전극들(2130a-1, 2130a-2)은 서로 이격하여 분리되지만, 제1 전극들(2130a-1, 2130a-2)은 하나의 제1 전극 패드(2135b)에 공통 접속될 수 있다.On the other hand, in the embodiments of FIGS. 10A and 10B , the first electrodes 2130a-1 and 2130a-2 are spaced apart from each other, but the first electrodes 2130a-1 and 2130a-2 are one first electrode. A common connection may be made to the electrode pad 2135b.

예컨대, 제1 전극들(2130a-1, 2130a-2)의 관통 전극들(예컨대, 도 8a의 2132a-1, 2132a-2)은 제1 전극 패드(2135b)에 공통 접속될 수 있다.For example, through electrodes (eg, 2132a-1 and 2132a-2 of FIG. 8A ) of the first electrodes 2130a-1 and 2130a-2 may be connected in common to the first electrode pad 2135b.

예컨대, 제1 전극 패드(2135b)는 제1 패드부(2135b1) 및 제1 패드부(2135b1)로부터 확장되고, 제1 전극들(2130a-1, 2130a-2)의 관통 전극들(예컨대, 도 8a의 2132a-1, 2132a-2)과 연결 또는 접촉되는 제1 확장 패드부들(2135b2, 2135b3)을 포함할 수 있다.For example, the first electrode pad 2135b extends from the first pad portion 2135b1 and the first pad portion 2135b1, and the through electrodes of the first electrodes 2130a-1 and 2130a-2 (eg, FIG. It may include first expansion pad parts 2135b2 and 2135b3 connected to or in contact with 2132a-1 and 2132a-2 of 8a.

제1 패드부(2135b1)는 발광 구조물의 하면의 모서리들 중 어느 하나에 인접하여 배치될 수 있다. 전류 분산을 위하여, 제1 패드부(2135b1)는 절연층(2150c)에 의하여 관통 전극 및 발광 구조물로부터 절연될 수 있다.The first pad part 2135b1 may be disposed adjacent to one of the corners of the lower surface of the light emitting structure. For current distribution, the first pad portion 2135b1 may be insulated from the through electrode and the light emitting structure by the insulating layer 2150c.

제1 확장 패드부들(2135b2, 2135b3) 각각은 발광 구조물의 하면의 제1변에서 제2 변으로 향하는 방향으로 연장되는 제1 연장 부분을 포함할 수 있다. 이때 제1 변과 제2 변은 서로 마주보는 면일 수 있다.Each of the first expansion pad parts 2135b2 and 2135b3 may include a first extension portion extending in a direction from the first side to the second side of the lower surface of the light emitting structure. In this case, the first side and the second side may be surfaces facing each other.

제2 전극 패드들(2145c-1 내지 2145c-3) 각각은 제2 패드부(2145c1, 2145c3, 2145c5), 및 제2 패드부(2145c1, 2145c3, 2145c5)로부터 확장되는 제2 확장 패드부(2145c2, 2145c4, 2145c6)를 포함할 수 있다.Each of the second electrode pads 2145c-1 to 2145c-3 includes second pad portions 2145c1, 2145c3, and 2145c5, and a second expansion pad portion 2145c2 extending from the second pad portions 2145c1, 2145c3, and 2145c5. , 2145c4, 2145c6).

제2 패드부들(2145c1, 2145c3, 2145c5)은 발광 구조물의 하면의 모서리들 중 나머지 모서리들에 인접하여 배치될 수 있다.The second pad parts 2145c1 , 2145c3 , and 2145c5 may be disposed adjacent to other corners among the corners of the lower surface of the light emitting structure.

전류 분산을 위하여, 제2 패드부들(2145c1, 2145c3, 2145c5)은 절연층(2150c)에 의하여 제2 전극들(도 8a의 2140a-1 내지 2140a-3) 및 발광 구조물로부터 절연될 수 있다.For current distribution, the second pad portions 2145c1 , 2145c3 , and 2145c5 may be insulated from the second electrodes 2140a-1 to 2140a-3 of FIG. 8A and the light emitting structure by the insulating layer 2150c.

제2 확장 패드부들(2145c2, 2145c4, 2145c6) 각각은 제2 전극들(도 8a의 2140a-1 내지 2140a-3) 중 대응하는 어느 하나와 연결 또는 접촉될 수 있다.Each of the second expansion pad portions 2145c2 , 2145c4 , and 2145c6 may be connected to or contact a corresponding one of the second electrodes 2140a-1 to 2140a-3 of FIG. 8A .

제2 확장 패드부들(2145c2, 2145c4, 2145c6) 각각은 발광 구조물의 하면의 제1변에서 제2 변으로 향하는 방향, 또는 그 반대 방향으로 연장되는 제2 연장 부분을 포함할 수 있다.Each of the second expansion pad portions 2145c2 , 2145c4 , and 2145c6 may include a second extension portion extending in a direction from the first side to the second side of the lower surface of the light emitting structure or in an opposite direction.

제1 확장 패드부들(2135b2, 2135b3)의 제1 연장 부분들 및 제2 확장 패드부들(2145c-2, 2145c-4, 2145c-6)의 제2 연장 부분들 발광 구조물의 하면의 제1변에서 제2 변으로 향하는 방향과 수직한 방향으로 서로 교대로 배치될 수 있다. First extension portions of the first extension pad portions 2135b2 and 2135b3 and second extension portions of the second extension pad portions 2145c-2, 2145c-4, and 2145c-6 at the first side of the lower surface of the light emitting structure. They may be alternately disposed in a direction toward the second side and a direction perpendicular to each other.

제1 전극 패드를 발광 셀들(2100d-1 내지 2100d-3)에 대한 공통 n형 전극으로 사용하기 때문에, 실시 예(2000-5)는 작은 사이즈를 갖는 발광 구조물에 전극 패드의 형성이 용이할 수 있다. 또한 제1 확장 패드부들(2135b2, 2135b3) 및 제2 확장 패드부들(2145c2, 2145c4, 2145c6)이 서로 교번하여 배치되기 때문에 실시 예(2000-5)는 전류 분산을 통하여 발광 소자(2000-5)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.Since the first electrode pad is used as a common n-type electrode for the light emitting cells 2100d-1 to 2100d-3, the electrode pad can be easily formed in the light emitting structure having a small size in the embodiment 2000-5. there is. In addition, since the first extension pad portions 2135b2 and 2135b3 and the second extension pad portions 2145c2, 2145c4, and 2145c6 are alternately arranged, the light emitting element 2000-5 in the embodiment 2000-5 operates through current distribution. of light efficiency can be improved.

도 11a는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자(2100-6)의 상측 평면도를 나타내고, 도 11b는 도 11a에 도시된 발광 소자(2100-6)의 하측 평면도를 나타내고, 도 12a는 도 11a에 도시된 발광 소자(2000-6)의 EF 방향의 단면도를 나타내고, 도 12b는 도 11a에 도시된 발광 소자(2000-6)의 GH 방향의 단면도를 나타낸다.11A is a top plan view of a light emitting device 2100-6 according to another embodiment, FIG. 11B is a bottom plan view of the light emitting device 2100-6 shown in FIG. 11A, and FIG. 12A is shown in FIG. 11A. FIG. 12B is a cross-sectional view of the light-emitting device 2000-6 shown in FIG. 11A in the GH direction.

도 11a 내지 도 12b를 참조하면, 발광 소자(2000-6)는 발광 셀들(2100e-1 내지 2100e-3), 패시베이션층(2120e), 제1 전극들(2130e1 내지 2130e4), 제1 전극 패드(2135e), 제2 전극들(2140e1 내지 21440e3), 제2 전극 패드들(2145e1 내지 2145e3), 및 절연층(2150c)을 포함한다.11A to 12B, the light emitting element 2000-6 includes light emitting cells 2100e-1 to 2100e-3, a passivation layer 2120e, first electrodes 2130e1 to 2130e4, and a first electrode pad ( 2135e), second electrodes 2140e1 to 21440e3, second electrode pads 2145e1 to 2145e3, and an insulating layer 2150c.

도 3, 도 6a, 도 7a, 도 9a, 도 10a에서는 인접하는 2개의 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층을 연결 또는 접촉하는 상부 전극 및 관통 전극이 하나인 반면에, 도 11a 및 도 12a에서는 인접하는 2개의 발광 셀들(2110e-1과 2110e-2, 및 2110e-2와 2110e-3)의 제1 도전형 반도체층에 연결 또는 접촉하는 상부 전극 및 관통 전극 각각의 개수는 복수(예컨대, 2개)일 수 있다.In FIGS. 3, 6A, 7A, 9A, and 10A, the upper electrode and the through electrode connecting or contacting the first conductivity-type semiconductor layer of two adjacent light emitting cells are one, whereas in FIGS. 11A and 12A The number of upper electrodes and penetration electrodes connected to or in contact with the first conductivity-type semiconductor layers of the two adjacent light emitting cells 2110e-1 and 2110e-2 and 2110e-2 and 2110e-3 is plural (eg, 2 dog) can be

서로 이격하는 제1 전극들(예컨대, 2130e1 및 2130e3) 각각은 어느 인접하는 2개의 발광 셀들(예컨대, 2110e-1과 2110e-2)의 제1 도전형 반도체층에 공통 연결 또는 접촉될 수 있다.Each of the first electrodes (eg, 2130e1 and 2130e3) spaced apart from each other may be connected to or in contact with a first conductivity-type semiconductor layer of two adjacent light emitting cells (eg, 2110e-1 and 2110e-2).

패시베이션층(2120e)은 제1 전극들(2130e1, 2130e2)과 발광 구조물들(2110-1,2110-2)의 측면들 사이, 및 발광 셀들의 발광 구조물들의 측면들 중 서로 마주보는 측면들 사이에 배치되는 제1 패시베이션층(2122e), 및 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각의 제1 도전형 반도체층(2112-1,2112-2) 상면 상에 배치되는 제2 패시베이션층(2124e)을 포함할 수 있다.The passivation layer 2120e is formed between side surfaces of the first electrodes 2130e1 and 2130e2 and the light emitting structures 2110-1 and 2110-2, and between side surfaces of the light emitting structures of the light emitting cells facing each other. A first passivation layer 2122e is disposed, and a second passivation layer 2124e is disposed on the top surface of the first conductivity-type semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 of each of the light emitting cells 2100-1 and 2100-2. ) may be included.

제1 전극들(2130e1 내지 2130e4) 각각은 상부 전극(2134e1,2134e2), 관통 전극(2132e1,2132e2), 및 접촉 전극들(2136e1와 2136e2, 2136e3와 2136e4)을 포함할 수 있다. Each of the first electrodes 2130e1 to 2130e4 may include upper electrodes 2134e1 and 2134e2 , penetration electrodes 2132e1 and 2132e2 , and contact electrodes 2136e1 and 2136e2 , 2136e3 and 2136e4 .

절연층(2150e)은 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3) 각각의 제2 도전형 반도체층(2116a-1 내지 2116a-3)의 하면에 배치되는 제1 절연층(2152e), 및 발광 셀들(2100e-1 내지 2100e-3) 각각의 발광 구조물의 외측면들에 배치되는 제2 절연층(2154e)을 포함할 수 있다.The insulating layer 2150e includes the first insulating layer 2152e disposed on the lower surface of the second conductive semiconductor layers 2116a-1 to 2116a-3 of each of the light-emitting cells 2100b-1 to 2100b-3, and the light-emitting cells 2152e. (2100e-1 to 2100e-3) may include a second insulating layer (2154e) disposed on the outer surfaces of each light emitting structure.

도 11b를 참조하면, 제1 전극 패드(2135e)는 제1 절연층(2152e) 아래에 배치되며, 제1 절연층(2152e)을 관통하는 제1 전극들(2130e1 내지 2130e4)의 관통 전극들(2132e1,2132e2)과 연결 또는 접촉될 수 있다.Referring to FIG. 11B , the first electrode pad 2135e is disposed under the first insulating layer 2152e, and the penetration electrodes of the first electrodes 2130e1 to 2130e4 penetrating the first insulating layer 2152e ( 2132e1, 2132e2) may be connected or contacted.

예컨대, 제1 전극 패드(2135e)는 발광 셀들 각각의 발광 구조물의 외측면에 인접하는 가장 자리 아래에 위치하는 제1 절연층(2152e) 아래에 배치될 수 있으며, 관통 전극들(2132e1,2132e2)과 수직 방향으로 오버랩될 수 있다.For example, the first electrode pad 2135e may be disposed under the first insulating layer 2152e located under the edge adjacent to the outer surface of the light emitting structure of each of the light emitting cells, and the penetration electrodes 2132e1 and 2132e2 and may overlap in the vertical direction.

제2 전극들(2140e1 내지 2140e3) 각각은 발광 셀들 중 대응하는 어느 하나의 제2 도전형 반도체층의 하면 상에 배치된다.Each of the second electrodes 2140e1 to 2140e3 is disposed on a lower surface of a second conductive semiconductor layer corresponding to one of the light emitting cells.

제2 전극 패드들(2145e1 내지 2145e3)은 제2 전극들 중 대응하는 어느 하나 아래에 배치될 수 있다.The second electrode pads 2145e1 to 2145e3 may be disposed below a corresponding one of the second electrodes.

도 11b를 참조하면, 제2 전극 패드들(2145e1 내지 2145e3) 중 어느 하나(예컨대, 2145e2)는 발광 셀들(2100e-1 내지 2100e-3) 중 중앙에 위치하는 어느 하나와 수직 방향으로 오버랩되도록 배치될 수 있다. 그리고 나머지 제2 전극 패드들(예컨대, 2145e1, 2145e3)은 직경이 서로 다른 링 형상을 가질 수 있으며, 발광 셀들(2100e-1 내지 2100e-3) 중 중앙에 위치하는 어느 하나를 기준으로 동심원을 이루도록 배치될 수 있다.Referring to FIG. 11B , one of the second electrode pads 2145e1 to 2145e3 (eg, 2145e2) is arranged to vertically overlap one of the light emitting cells 2100e-1 to 2100e-3 located in the center. It can be. The remaining second electrode pads (eg, 2145e1 and 2145e3) may have ring shapes having different diameters, and form concentric circles based on one of the light emitting cells 2100e-1 to 2100e-3 located in the center. can be placed.

제1 전극 패드(2135e)와 제2 전극 패드들(2145e3) 사이 및 제2 전극 패드들 (2145e1 내지 2145e3) 사이에는 제2 절연층(2152e)이 배치될 수 있다.A second insulating layer 2152e may be disposed between the first electrode pad 2135e and the second electrode pads 2145e3 and between the second electrode pads 2145e1 to 2145e3.

제2 전극 패드들(예컨대, 2145e1, 2145e3)이 동심원을 이루도록 배치되고, 제1 전극 패드(2135e)가 최외곽에 위치하는 제2 전극 패드(2145e3)를 감싸도록 제2 전극 패드(2145e)의 바깥쪽에 배치됨으로 인하여, The second electrode pads (eg, 2145e1 and 2145e3) are arranged to form concentric circles, and the first electrode pad 2135e surrounds the outermost second electrode pad 2145e3. Due to its placement outside

발광 소자(2000-6)를 패키지 바디(package body), 서브 마운트(submount), 또는 기판 등에 실장할 때, 방향성의 관점에서 배치가 용이함과 동시에 자유로울 수 있다.When the light emitting device 2000-6 is mounted on a package body, a submount, or a substrate, the arrangement may be easy and free in terms of directionality.

또한 발광 소자의 제1 및 제2 전극 패드들(2135e, 2145e1 내지 2145e3)과 패키지 바디(package body), 서브 마운트(submount), 또는 기판 등의 도전층들의 정렬이 일부 틀어지더라도, 접촉 불량 또는 쇼트 발생을 억제할 수 있다. In addition, even if the alignment of the first and second electrode pads 2135e and 2145e1 to 2145e3 of the light emitting device and the conductive layers of the package body, submount, or substrate are partially misaligned, poor contact or Short circuit occurrence can be suppressed.

도 3, 도 5a, 도 6a 및 도 6b, 도 8a, 도 9a 및 도 9b, 도 10a 및 도 10b, 도 11a 및 도 11b에 도시된 발광 소자(2100, 2100-1 내지 2100-6)는 칩 사이즈(예컨대, 칩의 최대 직경)가 100 마이크로 미터 미만일 수 있다. 이와 같이 직경이 100 마이크로 미만인 발광 소자(2100, 2100-1 내지 2100-6)는 와이어 본딩을 위한 본딩 패드의 형성이 용이하지 않다.The light emitting devices 2100, 2100-1 to 2100-6 shown in FIGS. 3, 5A, 6A and 6B, 8A, 9A and 9B, 10A and 10B, and 11A and 11B are chips. The size (eg, maximum diameter of the chip) may be less than 100 micrometers. As such, it is not easy to form bonding pads for wire bonding of the light emitting elements 2100 and 2100-1 to 2100-6 having a diameter of less than 100 microns.

실시 예에 따른 발광 소자(2100, 2100-1 내지 2100-6)는 발광 구조물 및 절연층을 모두 통과하는 제1 전극을 구비하고, 플립 칩 본딩 또는 다이 본딩을 위한 제1 전극 패드(예컨대, n형 전극 패드) 및 제2 전극 패드(예컨대, p형 전극 패드)가 발광 구조물의 동일 측에 배치됨으로써, 칩 사이즈(예컨대, 칩의 최대 직경)가 100 마이크로 미터 미만인 경우에도 제1 및 제2 전극 패드들을 용이하게 구현할 수 있다.The light emitting devices 2100 and 2100-1 to 2100-6 according to the embodiment include a first electrode passing through both the light emitting structure and the insulating layer, and a first electrode pad for flip chip bonding or die bonding (eg, n type electrode pad) and the second electrode pad (eg, p-type electrode pad) are disposed on the same side of the light emitting structure, so that even when the chip size (eg, maximum diameter of the chip) is less than 100 micrometers, the first and second electrodes Pads can be easily implemented.

도 13a 내지 도 13i는 도 5a에 도시된 발광 소자(2000-1)를 제조하는 방법을 나타내는 공정도이다.13A to 13I are process charts illustrating a method of manufacturing the light emitting device 2000-1 shown in FIG. 5A.

도 13a를 참조하면, 성장 기판(2410) 상에 발광 구조물(2110)을 형성한다.Referring to FIG. 13A , a light emitting structure 2110 is formed on a growth substrate 2410 .

예컨대, 성장 기판(2410) 상에 제1 도전형 반도체층(2112), 활성층(2114), 및 제2 도전형 반도체층(2116)을 형성할 수 있다.For example, a first conductivity type semiconductor layer 2112 , an active layer 2114 , and a second conductivity type semiconductor layer 2116 may be formed on the growth substrate 2410 .

예컨대, 이때 성장되는 발광 구조물(2100)은 서로 다른 파장의 빛들을 발생하는 복수의 발광 영역들(P1, P2)로 구분되어 형성될 수 있다. 이때 발광 영역들은 후술하는 발광 셀들(2110-1, 2110-2)이 형성되는 영역일 수 있다.For example, the light emitting structure 2100 grown at this time may be formed by being divided into a plurality of light emitting regions P1 and P2 emitting lights of different wavelengths. In this case, the light emitting regions may be regions in which light emitting cells 2110-1 and 2110-2 to be described later are formed.

서로 다른 파장의 빛들을 발생하는 복수의 발광 영역들(P1,P2)을 포함하는 발광 구조물(2100)을 형성하는 일 실시 예는 다음과 같다.An embodiment of forming the light emitting structure 2100 including a plurality of light emitting regions P1 and P2 emitting light of different wavelengths is as follows.

먼저 제1 파장을 갖는 빛(예컨대, 청색광)을 발생하기 위한 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 제1 및 제2 발광 영역들(P1, P2)에 형성한다.First, a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer for generating light having a first wavelength (eg, blue light) are formed in the first and second light emitting regions P1 and P2.

다음으로 제2 영역(P2)의 제2 도전형 반도체층, 및 활성층을 선택적으로 식각하여 제거한 후 노출되는 제2 발광 영역(P2)의 제1 도전형 반도체층 상에 제2 파장을 갖는 빛(예컨대, 녹색광)을 발생하기 위한 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 형성한다.Next, light having a second wavelength ( For example, a first conductivity type semiconductor layer for generating green light), an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer are formed.

또한 서로 다른 파장의 빛들을 발생하는 발광 구조물(2100)을 형성하는 다른 실시 예는 다음과 같다.In addition, another embodiment of forming the light emitting structure 2100 emitting light of different wavelengths is as follows.

예컨대, 먼저 제1 파장을 갖는 빛(예컨대, 청색광)을 발생하기 위한 제1 도전형 반도체층을 제1 및 제2 발광 영역들(P1, P2)에 형성한다.For example, first, a first conductivity type semiconductor layer for generating light having a first wavelength (eg, blue light) is formed in the first and second light emitting regions P1 and P2.

다음으로 제1 발광 영역(P1)의 제1 도전형 반도체층 상에만 선택적으로 제1 파장을 갖는 빛(예컨대, 청색광)을 발생하기 위한 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 형성한다.Next, an active layer and a second conductivity type semiconductor layer for selectively generating light having a first wavelength (eg, blue light) are formed only on the first conductivity type semiconductor layer of the first light emitting region P1.

다음으로 제2 발광 영역(P2)의 제1 도전형 반도체층 상에만 선택적으로 제2 파장을 갖는 빛(예컨대, 녹색광)을 발생하기 위한 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 형성한다.Next, the first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the second conductivity type semiconductor for selectively generating light (eg, green light) having a second wavelength only on the first conductivity type semiconductor layer of the second light emitting region P2. form a layer

다른 실시 예에서는 성장되는 발광 구조물(2100)은 동일한 파장 범위의 빛을 발생하도록 형성될 수도 있다. 이 경우 성장 기판(2410)에 동일한 파장 범위의 빛을 발생하는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성할 수 있다.In another embodiment, the growing light emitting structure 2100 may be formed to emit light in the same wavelength range. In this case, a first conductivity-type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity-type semiconductor layer emitting light of the same wavelength range may be sequentially formed on the growth substrate 2410 .

도 13a에는 도시되지 않았지만, 발광 구조물(2110)과 성장 기판(2410) 간의 격자 상수의 차이에 의한 스트레스를 완화하기 위하여 성장 기판(2410)과 발광 구조물(2110) 사이에 버퍼층(buffer layer) 또는 언도프드 반도체층(undoped-semiconductor layer), 예컨대, 언도프드 GaN층을 더 형성할 수도 있다.Although not shown in FIG. 13A , a buffer layer or a buffer layer is formed between the growth substrate 2410 and the light emitting structure 2110 in order to relieve stress caused by a difference in lattice constant between the light emitting structure 2110 and the growth substrate 2410 . An undoped-semiconductor layer, for example, an undoped GaN layer may be further formed.

여기서 언도프드 GaN은 Unintentionally doped(의도하지 않은 언도프드) GaN(이하, "UID GaN"이라 칭한다), 특히 n-형의 UID GaN으로 성장될 있다. 예컨대, GaN의 성장 공정에서 n-형 도펀트를 공급하지 않는 영역에서도 N(나트륨)이 결핍된 N-vacancy가 발생할 수 있고, N-vacancy가 많아지면 잉여 전자의 농도가 커져서, UID GaN의 제조 공정에서 의도하지 않았더라고 UID GaN은 n-형 도펀트로 도핑된 것과 유사한 전기적인 특성을 나타낼 수도 있다.Herein, the undoped GaN may be grown into Unintentionally doped GaN (hereinafter referred to as "UID GaN"), particularly n-type UID GaN. For example, in the GaN growth process, even in a region where n-type dopant is not supplied, N-vacancy in which N (sodium) is deficient may occur. Even if not intended in, UID GaN may exhibit electrical properties similar to those doped with an n-type dopant.

성장 기판(2410)은 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 예컨대, 사파이어 기판, 실리콘(Si) 기판, 산화아연(ZnO) 기판, 질화물 반도체 기판 중 어느 하나, 또는 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중에서 적어도 어느 하나가 적층된 템플레이트(Template) 기판일 수 있다.The growth substrate 2410 is a substrate suitable for growing a nitride semiconductor single crystal, for example, any one of a sapphire substrate, a silicon (Si) substrate, a zinc oxide (ZnO) substrate, and a nitride semiconductor substrate, or GaN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN. At least one of them may be a laminated template substrate.

다음으로 도 13b를 참조하면, 발광 구조물(2110)의 제2 도전형 반도체층(2116)의 상면에 제2 전극들(2140-1, 2140-2)을 형성한다. 예컨대, 제2 전극들(2140-1,2140-2)은 발광 영역들(P1, P2)의 제2 도전형 반도체층들(2116)의 상면의 제1 및 제2 영역들(S1,S2)에 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 13B , second electrodes 2140 - 1 and 2140 - 2 are formed on the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer 2116 of the light emitting structure 2110 . For example, the second electrodes 2140-1 and 2140-2 are the first and second regions S1 and S2 on the top surface of the second conductivity type semiconductor layers 2116 of the light emitting regions P1 and P2. can be formed in

예컨대, 제2 도전형 반도체층(2116) 상에 제2 전극들(2140-1,2140-2) 형성을 위한 전도성 물질을 형성한 후에 포토리쏘그라피 공정 및 식각 공정을 통하여 전도성 물질을 패턴화함으로써, 서로 이격하는 제2 전극들(2140-1, 2140-2)을 형성할 수 있다.For example, by forming a conductive material for forming the second electrodes 2140-1 and 2140-2 on the second conductive semiconductor layer 2116 and then patterning the conductive material through a photolithography process and an etching process. , second electrodes 2140-1 and 2140-2 spaced apart from each other may be formed.

다음으로 도 13c를 참조하면, 발광 구조물(2110)의 측면 및 제2 도전형 반도체층(2116) 상에 절연 물질을 증착하여 절연층(2150)을 형성한다. 예컨대, 절연층(2150)은 제2 전극들(2140-1, 2140-2) 각각의 상면의 일 영역을 노출하도록 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 13C , an insulating material is deposited on the side surface of the light emitting structure 2110 and the second conductive semiconductor layer 2116 to form an insulating layer 2150 . For example, the insulating layer 2150 may be formed to expose a region of the upper surface of each of the second electrodes 2140-1 and 2140-2.

다음으로 도 13d를 참조하면, 절연층(2150) 상에 제1 전극 패드(2135)를 형성하고, 노출되는 제2 전극들(2140-1,2140-2)의 상면의 일 영역 상에 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2)을 형성한다.Next, referring to FIG. 13D , a first electrode pad 2135 is formed on the insulating layer 2150, and a second electrode pad 2135 is formed on a region of the exposed upper surface of the second electrodes 2140-1 and 2140-2. Electrode pads 2145-1 and 2145-2 are formed.

예컨대, 제1 전극 패드(2135)는 제2 전극들(2140-1,2140-2)이 형성되지 않은 제1 및 제2 발광 영역들(P1,P2)의 제2 도전형 반도체층(2116)의 제3 영역(S3)에 위치하는 절연층(2150) 상에 형성될 수 있다.For example, the first electrode pad 2135 is the second conductive semiconductor layer 2116 of the first and second light emitting regions P1 and P2 in which the second electrodes 2140-1 and 2140-2 are not formed. may be formed on the insulating layer 2150 positioned in the third region S3 of

예컨대, 절연층(2150) 및 제2 전극들(2140-1,2140-2)이 형성된 제2 도전형 반도체층(2116) 상에 전도성 물질을 증착한 후에 증착된 전도성 물질을 패턴닝함으로써, 제3 영역(S3)에 위치하는 절연층(2150) 상에 제1 전극 패드(2135)를 형성함과 동시에 제2 전극들(2140-1,2140-2) 및 제1 및 제2 영역들(S1,S2)의 절연층(2150) 상에 제2 전극 패드들(2145-1,1245-2)을 형성할 수 있다. 예컨대, 전기적으로 분리되도록 제1 전극 패드(2135)와 제2 전극 패드(2145-1,2145-2)는 서로 이격되도록 형성될 수 있다.For example, by depositing a conductive material on the second conductivity type semiconductor layer 2116 on which the insulating layer 2150 and the second electrodes 2140-1 and 2140-2 are formed, and then patterning the deposited conductive material, A first electrode pad 2135 is formed on the insulating layer 2150 located in the third region S3, and at the same time the second electrodes 2140-1 and 2140-2 and the first and second regions S1 are formed. , S2 ) may form second electrode pads 2145 - 1 and 1245 - 2 on the insulating layer 2150 . For example, the first electrode pad 2135 and the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 may be formed to be spaced apart from each other so as to be electrically separated.

다음으로 도 13e를 참조하면, 임시 기판(Temporary Substrate, 2420), 및 임시 기판(2420) 상에 형성되는 희생층(2430)을 포함하는 지지 기판(2401)을 준비한다.Next, referring to FIG. 13E , a support substrate 2401 including a temporary substrate 2420 and a sacrificial layer 2430 formed on the temporary substrate 2420 is prepared.

실리콘 등과 같은 접착 부재(미도시)에 의하여 제1 전극 패드(2135) 및 제2 전극 패드들(2145-1,2145-2)을 희생층(2430)에 본딩시킨다. 그리고 제1 전극 패드(2135) 및 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2)이 희생층(430)에 본딩된 상태에서, 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정에 의하여 성장 기판(2410)을 제거한다. 도 13e 이후에서는 도 13d에 도시된 발광 구조물(2110)을 180° 회전하여 도시한다.The first electrode pad 2135 and the second electrode pads 2145 - 1 and 2145 - 2 are bonded to the sacrificial layer 2430 by an adhesive member (not shown) such as silicon. And, in a state where the first electrode pad 2135 and the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 are bonded to the sacrificial layer 430, the growth substrate is performed by a laser lift off (LLO) process. Remove (2410). After FIG. 13E, the light emitting structure 2110 shown in FIG. 13D is shown rotated by 180°.

제1 전극 패드와 제2 전극 패드가 발광 구조물의 반대 측에 배치되는 일반적인 수직형 발광 소자에서는 제2 전극 패드만이 지지 기판과 본딩된 상태에서 LLO 공정이 이루어지기 때문에, LLO 공정에 의하여 제2 전극 패드가 손상을 받거나 파손될 수 있다.In a general vertical light emitting device in which the first electrode pad and the second electrode pad are disposed on opposite sides of the light emitting structure, since the LLO process is performed while only the second electrode pad is bonded to the support substrate, the second electrode pad is bonded to the support substrate by the LLO process. Electrode pads may be damaged or broken.

반면에 실시 예는 제1 전극 패드(2135) 및 제2 전극 패드들(2145-1,2145-2) 모두가 발광 구조물(2110)의 동일측에 배치되고, LLO 공정 이전에 제1 전극 패드(2135) 및 제2 전극 패드들(2145-1, 2145-2)은 희생층(2430)에 본딩되기 때문에, 발광 구조물(2110)과 지지 기판(2401)이 안정적으로 본딩된 상태에서 LLO 공정에 의하여 성장 기판(2410)이 제거될 수 있고, 이로 인하여 LLO 공정에 기인한 제1 전극 패드(2135) 및 제2 전극 패드들(2145-1,2145-2)의 파손을 방지할 수 있다.On the other hand, in the embodiment, the first electrode pad 2135 and the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 are all disposed on the same side of the light emitting structure 2110, and the first electrode pad ( 2135) and the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 are bonded to the sacrificial layer 2430, the light emitting structure 2110 and the supporting substrate 2401 are stably bonded by the LLO process. The growth substrate 2410 may be removed, thereby preventing damage to the first electrode pad 2135 and the second electrode pads 2145-1 and 2145-2 due to the LLO process.

다음으로 도 13f를 참조하면, 발광 구조물(2110)과 성장 기판(2410) 사이에 형성되었던 버퍼층 또는 언도프드 반도체층을 식각 등을 통하여 제거한다. 그리고 성장 기판(2410)의 제거에 의하여 노출되는 제1 도전형 반도체층(2112)의 표면에 식각 등을 통하여 광 추출 구조(2112a)를 형성한다.Next, referring to FIG. 13F , the buffer layer or the undoped semiconductor layer formed between the light emitting structure 2110 and the growth substrate 2410 is removed through etching or the like. Then, the light extraction structure 2112a is formed on the surface of the first conductivity-type semiconductor layer 2112 exposed by the removal of the growth substrate 2410 through etching or the like.

다음으로 도 13g를 참조하면, 발광 구조물(2110) 및 절연층(2150), 예컨대, 제1 절연층(2152)을 식각하여 관통 홈 또는 관통 트랜치(2301)를 형성함으로써, 서로 분리 또는 아이솔레이션되는 복수의 발광 셀들(2100-1,2100-2)을 형성한다.Next, referring to FIG. 13G , a through hole or a through trench 2301 is formed by etching the light emitting structure 2110 and the insulating layer 2150, for example, the first insulating layer 2152, thereby forming a plurality of parts that are separated or isolated from each other. of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 are formed.

관통 홈 또는 관통 트랜치(2301)의 패턴 형상에 따라 실시 예들(2000, 2000-1 내지 2000-6)에 따른 발광 셀들(2100-1 내지 2100-2, 2100a-1 내지 2100a-2, 2100b-1 내지 2100b-3, 2100c-1 내지 2100c-4, 2100d-1 내지 2100d-3, 2100e-1 내지 2100e-3)을 형성할 수 있다. 이때 관통 홈 또는 관통 트랜치(2301)는 제1 전극 패드(2135)를 노출할 수 있다.Light emitting cells 2100-1 to 2100-2, 2100a-1 to 2100a-2, and 2100b-1 according to the embodiments 2000, 2000-1 to 2000-6 according to the pattern shape of the through groove or through trench 2301 to 2100b-3, 2100c-1 to 2100c-4, 2100d-1 to 2100d-3, 2100e-1 to 2100e-3). In this case, the through hole or through trench 2301 may expose the first electrode pad 2135 .

복수의 발광 셀들(2100-1,2100-2) 각각은 관통 홈 또는 관통 트랜치(2301)에 의하여 서로 분리 또는 이격하는 발광 구조물(2110-1, 또는 2110-2)을 포함할 수 있다.Each of the plurality of light emitting cells 2100 - 1 and 2100 - 2 may include a light emitting structure 2110 - 1 or 2110 - 2 separated or separated from each other by a through hole or a through trench 2301 .

다음으로 도 13h를 참조하면, 성장 기판(2410)의 제거에 의하여 노출되는 제1 도전형 반도체층(2112)의 표면, 및 관통 홈 또는 관통 트랜치(301)의 측면에 투광성 절연 물질을 증착하여 패시베이션층(2120)을 형성한다.Next, referring to FIG. 13H , passivation is performed by depositing a light-transmitting insulating material on the surface of the first conductivity-type semiconductor layer 2112 exposed by the removal of the growth substrate 2410 and on the side surfaces of the through hole or through trench 301 . Layer 2120 is formed.

예컨대, 성장 기판(2410)의 제거에 의하여 노출되는 제1 도전형 반도체층(2112)의 표면에 제2 패시베이션층(2124a)을 형성함과 동시에 관통 홈 또는 관통 트랜치(2301)의 측면에 제1 패시베이션층(2122)을 형성할 수 있다.For example, the second passivation layer 2124a is formed on the surface of the first conductivity-type semiconductor layer 2112 exposed by the removal of the growth substrate 2410, and the first passivation layer 2124a is formed on the side surface of the through hole or through trench 2301. A passivation layer 2122 may be formed.

그리고 제2 패시베이션층(2124a)을 식각하여, 제1 도전형 반도체층(2112)의 표면의 일부를 노출하는 관통홀(2302)을 형성한다.Then, the second passivation layer 2124a is etched to form a through hole 2302 exposing a part of the surface of the first conductivity type semiconductor layer 2112 .

도 3에 도시된 바와 같이 제1 도전형 반도체층(2112)의 표면을 노출하도록 제2 패시베이션층(2124a)을 패턴닝함에 의하여, 도 3에 도시된 실시 예가 구현될 수 있다.As shown in FIG. 3 , the embodiment shown in FIG. 3 may be implemented by patterning the second passivation layer 2124a to expose the surface of the first conductivity type semiconductor layer 2112 .

다음으로 도 13i를 참조하면, 관통 홈 또는 관통 트랜치(2301), 및 관통홀(2302)을 채우도록 도전성 물질을 제2 패시베이션층(2124a) 상에 증착하고, 증착된 도전성 물질을 패터닝함으로써, 제1 전극(2130)을 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 13I, a conductive material is deposited on the second passivation layer 2124a to fill the through hole or through trench 2301 and the through hole 2302, and the deposited conductive material is patterned. One electrode 2130 may be formed.

이때 관통 홈 또는 관통 트랜치(2301)에 채워진 도전성 물질은 제1 전극 패드(2135)와 접촉하는 관통 전극(2132)을 형성할 수 있고, 관통홀(2302)에 채워진 도전성 물질은 발광 셀들 각각의 제1 도전형 반도체층(2112-1, 2112-2)의 표면과 접촉하는 접촉 전극들(2136-1,2136-2)을 형성할 수 있다.In this case, the conductive material filled in the through hole or the through trench 2301 may form the through electrode 2132 contacting the first electrode pad 2135, and the conductive material filled in the through hole 2302 may form the first electrode pad 2135, and the conductive material filled in the through hole 2302 may form the first electrode pad 2135. Contact electrodes 2136-1 and 2136-2 contacting surfaces of the 1-conductivity semiconductor layers 2112-1 and 2112-2 may be formed.

다음으로 도 13j를 참조하면, 화학적 식각을 이용하여 희생층(2430)을 제거함으로써, 임시 기판(2420)을 제거하여, 실시 예에 따른 발광 소자(2000-1)를 얻을 수 있다.Next, referring to FIG. 13J , the temporary substrate 2420 may be removed by removing the sacrificial layer 2430 using chemical etching, thereby obtaining the light emitting device 2000-1 according to the embodiment.

도 14는 실시 예에 따른 조명 장치(2200)의 단면도를 나타낸다.14 is a cross-sectional view of a lighting device 2200 according to an embodiment.

도 14를 참조하면, 조명 장치(2200)는 기판(2510), 몸체(2520), 적어도 하나의 발광 소자(예컨대, 2530-1 내지 2530-5), 및 투광성 부재(2540)를 포함한다.Referring to FIG. 14 , the lighting device 2200 includes a substrate 2510, a body 2520, at least one light emitting element (eg, 2530-1 to 2530-5), and a light transmitting member 2540.

기판(2510)은 제1 내지 제3 배선층들(2512, 2514-1, 2514-2) 및 절연층(2515)을 포함하는 인쇄회로기판일 수 있다. 예컨대, 기판(2510)은 연성회로기판일 수 있다. 제1 내지 제3 배선층들(2512, 2514-1, 2514-2)은 기판(2510) 상에 서로 이격하여 배치될 수 있으며, 절연층(2515)은 제1 내지 제3 배선층들(2512, 2514-1, 2514-2) 사이의 기판(2510)의 상면 상에 배치되어 제1 내지 제3 배선층들(2512, 2514-1, 2514-2) 간을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 또는 다른 실시 예에서는 절연층(2515)은 생략될 수도 있다.The substrate 2510 may be a printed circuit board including first to third wiring layers 2512 , 2514 - 1 and 2514 - 2 and an insulating layer 2515 . For example, the substrate 2510 may be a flexible circuit board. The first to third wiring layers 2512 , 2514 - 1 , and 2514 - 2 may be disposed spaced apart from each other on the substrate 2510 , and the insulating layer 2515 may be disposed on the first to third wiring layers 2512 and 2514 . -1 and 2514-2 may be disposed on the upper surface of the substrate 2510 to electrically insulate the first to third wiring layers 2512, 2514-1 and 2514-2. Alternatively, in another embodiment, the insulating layer 2515 may be omitted.

적어도 하나의 발광 소자(예컨대, 2530-1 내지 2530-5)는 기판(2510) 상에 배치되며, 제1 내지 제2 배선층들(2512, 2514-1, 2514-2)과 전기적으로 연결된다.At least one light emitting device (eg, 2530-1 to 2530-5) is disposed on the substrate 2510 and electrically connected to the first to second wiring layers 2512, 2514-1, and 2514-2.

적어도 하나의 발광 소자(예컨대, 2530-1 내지 2530-5)는 상술한 실시 예에 따른 발광 소자들(2000, 2000-1 내지 2000-6) 중 어느 하나일 수 있다.At least one light emitting device (eg, 2530-1 to 2530-5) may be any one of the light emitting devices 2000 and 2000-1 to 2000-6 according to the above-described embodiment.

몸체(2520)는 기판(2510) 상에 배치되며, 적어도 하나의 발광 소자(예컨대, 2530-1 내지 2530-5)로부터 조사되는 빛을 반사시킨다.The body 2520 is disposed on the substrate 2510 and reflects light emitted from at least one light emitting device (eg, 2530-1 to 2530-5).

예컨대, 몸체(2520)는 캐비티를 가지며, 적어도 하나의 발광 소자(예컨대, 2530-1 내지 2530-5)는 캐비티 내에 배치될 수 있다. For example, the body 2520 may have a cavity, and at least one light emitting device (eg, 2530-1 to 2530-5) may be disposed in the cavity.

예컨대, 몸체(2520)는 발광 소자들의 개수에 대응하는 수의 캐비티들을 포함할 수 있으며, 캐비티들 각각에는 발광 소자들 중 대응하는 어느 하나가 배치될 수 있다.For example, the body 2520 may include a number of cavities corresponding to the number of light emitting elements, and a corresponding one of the light emitting elements may be disposed in each of the cavities.

또한 몸체(2520)는 적어도 하나의 발광 소자(예컨대, 2530-1 내지 2530-5)의 주위를 감싸는 격벽(2520a)을 가질 수 있다. 격벽(2520)의 측면은 기판(2510)의 상부면에 대하여 기울어진 경사면일 수 있으며, 적어도 하나의 발광 소자(예컨대, 2530-1 내지 2530-5)로부터 조사되는 빛을 반사시킬 수 있다.Also, the body 2520 may have a barrier rib 2520a surrounding at least one light emitting element (eg, 2530-1 to 2530-5). A side surface of the barrier rib 2520 may be an inclined surface inclined with respect to the upper surface of the substrate 2510 and may reflect light emitted from at least one light emitting device (eg, 2530-1 to 2530-5).

도 14에서 발광 소자의 수는 5개이나, 이에 한정되는 것은 아니다. 조명 장치(2200)가 복수 개의 발광 소자들을 구비할 경우, 조명 장치는 발광 모듈로 구현될 수 있다.In FIG. 14, the number of light emitting elements is 5, but is not limited thereto. When the lighting device 2200 includes a plurality of light emitting elements, the lighting device may be implemented as a light emitting module.

또한 예컨대, 다른 실시 예에서 발광 소자의 수는 1개일 수 있으며, 몸체(2520)는 발광 소자가 배치되는 1개의 캐비티를 가질 수 있으며, 실시 예에 따른 조명 장치(2200)는 발광 소자 패키지 형태로 구현될 수 있다.Also, for example, in another embodiment, the number of light emitting devices may be one, the body 2520 may have one cavity in which the light emitting device is disposed, and the lighting device 2200 according to the embodiment may be in the form of a light emitting device package. can be implemented

또한 예컨대, 조명 장치(2200)가 복수 개의 발광 소자들(예컨대, 2530-1 내지 2530-5)을 구비하고, 복수 개의 발광 소자들(예컨대, 2530-1 내지 2530-5) 각각은 2개 이상의 서로 다른 파장을 갖는 광들(2601, 2602)을 발생할 수 있다.Also, for example, the lighting device 2200 includes a plurality of light emitting elements (eg, 2530-1 to 2530-5), and each of the plurality of light emitting elements (eg, 2530-1 to 2530-5) includes two or more light emitting elements. Lights 2601 and 2602 having different wavelengths may be generated.

예컨대, 도 14의 실시 예의 복수의 발광 소자들(예컨대, 2530-1 내지 2530-5) 각각은 도 3, 도 5a, 또는 도 6a의 실시 예일 수 있으며, 2개의 발광 셀들(2100-1 내지 2100-2, 2100a-1 내지 2100a-2) 각각은 적색광, 녹색광, 또는 청색광 중에서 선택된 2개의 광들(2601, 2602)을 발생할 수 있으며, 실시 예는 이미지를 표현하는 디스플레이 장치의 광원, 예컨대, 화소로 구현될 수도 있다.For example, each of the plurality of light emitting devices (eg, 2530-1 to 2530-5) of the embodiment of FIG. 14 may be the embodiment of FIG. 3, 5A, or 6A, and two light emitting cells (2100-1 to 2100) -2, 2100a-1 to 2100a-2) may generate two lights 2601 and 2602 selected from red light, green light, or blue light, and the embodiment is a light source of a display device expressing an image, for example, a pixel. may be implemented.

실시 예에 따른 발광 소자들은 두께를 줄일 수 있기 때문에, 이를 포함하는 디스플레이 장치는 크기 예컨대, 두께를 줄일 수 있다.Since the thickness of the light emitting elements according to the embodiment can be reduced, the display device including the light emitting elements can be reduced in size, for example, in thickness.

일반적인 수평형 발광 소자는 성장 기판(예컨대, 사파이어 기판)을 포함하지만, 실시 예의 발광 소자들(예컨대, 2530-1 내지 2530-5)은 성장 기판을 포함하지 않아 두께를 줄일 수 있다.A typical horizontal type light emitting device includes a growth substrate (eg, a sapphire substrate), but the light emitting devices (eg, 2530-1 to 2530-5) of the embodiment do not include a growth substrate and thus can reduce the thickness.

일반적인 수직형 발광 소자는 제1 전극 패드와 제2 전극 패드가 발광 구조물의 서로 반대 측에 배치되는 반면에, 실시 예의 발광 소자들(예컨대, 2530-1 내지 2530-5)은 제1 및 제2 전극 패드들(2135,2145)이 발광 구조물의 동일 측에 위치하기 때문에 두께를 줄일 수 있다.While a typical vertical light emitting device has a first electrode pad and a second electrode pad disposed on opposite sides of the light emitting structure, the light emitting devices of the embodiment (eg, 2530-1 to 2530-5) have first and second electrode pads. Since the electrode pads 2135 and 2145 are located on the same side of the light emitting structure, the thickness can be reduced.

투광성 부재(2540)는 발광 소자(2530-2 내지 2530-5)를 감싸도록 몸체(2520)의 캐비티 내에 배치된다. 투광성 부재(2540)는 발광 소자들(2530-2 내지 2530-5) 각각의 제1 전극의 상부 전극, 제2 패시베이션층, 및 제2 절연층과 접촉할 수 있다.The light transmitting member 2540 is disposed in the cavity of the body 2520 to surround the light emitting devices 2530-2 to 2530-5. The light transmitting member 2540 may contact the upper electrode of the first electrode of each of the light emitting elements 2530-2 to 2530-5, the second passivation layer, and the second insulating layer.

투광성 부재(2540)는 외부의 충격에 의한 발광 소자의 파손을 방지할 수 있고, 습기로 인한 발광 소자(2530-2 내지 2530-5)의 변색을 방지할 수 있다. 다른 실시 예에서는 투광성 부재(2540)가 생략될 수도 있다.The light-transmitting member 2540 can prevent damage to the light emitting device due to external impact and can prevent discoloration of the light emitting devices 2530-2 to 2530-5 due to moisture. In other embodiments, the light transmitting member 2540 may be omitted.

도 15는 또 실시 예에 따른 조명 장치(2200-1)의 단면도를 나타낸다. 도 14와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.15 is also a cross-sectional view of a lighting device 2200-1 according to an embodiment. The same reference numerals as those in FIG. 14 denote the same configurations, and descriptions of the same configurations are simplified or omitted.

도 15에 도시된 조명 장치(2200-1)의 발광 소자들(2531 내지 2531-5) 각각은 도 8a, 도 10a, 또는 도 11a의 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.Each of the light emitting devices 2531 to 2531-5 of the lighting device 2200-1 shown in FIG. 15 may be one of the embodiments of FIG. 8A, 10A, or 11A.

발광 소자들(2531 내지 2531-5) 각각의 제1 전극 패드들은 서로 이격하는 배선층들(2512-1, 2512-2) 중 대응하는 어느 하나와 본딩될 수 있고, 발광 소자들(2531 내지 2531-5) 각각의 제2 전극 패드들은 서로 이격하는 배선층들(2514a-1 내지 2514a-3) 중 대응하는 어느 하나와 본딩될 수 있다.The first electrode pads of each of the light emitting elements 2531 to 2531-5 may be bonded to a corresponding one of the wiring layers 2512-1 and 2512-2 spaced apart from each other, and the light emitting elements 2531 to 2531- 5) Each of the second electrode pads may be bonded to a corresponding one of the wiring layers 2514a-1 to 2514a-3 spaced apart from each other.

발광 소자들(2531 내지 2531-5) 각각의 3개의 발광 셀들(2100b-1 내지 2100b-3, 2100d-1 내지 2100d-3, 2100e-1 내지 2100e-3)은 적색광(Red, 2701), 녹색광(Green, 2702) 및 청색광(Blue, 2703)을 발생할 수 있으며, 실시 예는 이미지를 표현하는 디스플레이 장치의 광원, 예컨대, 화소로 구현될 수도 있다.The three light emitting cells 2100b-1 to 2100b-3, 2100d-1 to 2100d-3, and 2100e-1 to 2100e-3 of each of the light emitting elements 2531 to 2531-5 emit red light (Red, 2701) and green light. (Green, 2702) and blue light (Blue, 2703) may be generated, and the embodiment may be implemented as a light source of a display device expressing an image, for example, a pixel.

도 16은 실시 예에 따른 디스플레이 장치(3000-4)의 평면도를 나타내고, 도 17은 도 16에 도시된 디스플레이 장치의 AA' 방향의 일 실시 예에 따른 단면도를 나타낸다.FIG. 16 is a plan view of a display device 3000-4 according to an embodiment, and FIG. 17 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 16 in an AA′ direction according to an embodiment.

도 16의 디스플레이 장치(3000-4)에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터, 디지털 방송용 단말기, PDA(Personal Digital Assistants), PMP(Portable Miltimedia Player), 네비게이션, 슬레이트 피시(Slate PC), 테블릿(Tablet) PC, 디지털 TV, 및 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있으며, 평판 디스플레이 또는 플렉서블 디스플레이(flexible display)로 구현될 수도 있다. 또한 디스플레이 장치(3000-4)는 디스플레이 패널로 구현될 수 있다.The display device 3000-4 of FIG. 16 includes a mobile phone, a smart phone, a notebook computer, a digital broadcast terminal, a PDA (Personal Digital Assistants), a PMP (Portable Miltimedia Player), a navigation device, a Slate PC, A tablet PC, a digital TV, and a desktop computer may be included, and may be implemented as a flat panel display or a flexible display. Also, the display device 3000-4 may be implemented as a display panel.

디스플레이 장치(3000-4)에 의해 표현되는 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 제어됨으로써 구현될 수 있다. 이때 단위 화소는 R(Red), G(Green), B(Blue)의 조합에 의하여 형성되는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위일 수 있다. 상술한 실시 예에 따른 발광 소자는 디스플레이 장치(3000)의 단위 화소의 역할을 할 수 있다.Visual information expressed by the display device 3000-4 may be implemented by controlling light emission of sub-pixels arranged in a matrix form. In this case, the unit pixel may be a minimum unit for realizing one color formed by a combination of R (Red), G (Green), and B (Blue). The light emitting device according to the above-described embodiment may serve as a unit pixel of the display device 3000 .

도 16 및 도 17을 참조하면, 디스플레이 장치(3000-4)는 기판(3100), 제1 배선 전극(3112b), 제2 배선 전극들(3114b1, 3114b2), 격벽(3520a)을 갖는 몸체(3520), 및 복수의 발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5")을 포함하는 매트릭스 형태의 단위 화소 어레이(P11 내지 Pnm, n,m>1인 자연수), 및 투광성 부재(3540)를 포함할 수 있다.16 and 17, a display device 3000-4 includes a body 3520 having a substrate 3100, a first wire electrode 3112b, second wire electrodes 3114b1 and 3114b2, and a barrier rib 3520a. ), and a matrix-type unit pixel array (P11 to Pnm, where n, m is a natural number > 1) including a plurality of light emitting devices (eg, 3530-1" to 3530-5"), and a light transmitting member 3540 can include

기판(3100)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예컨대, 기판(3100)은 유리나 폴리이미드(Polyimide)를 포함할 수 있으며, 절연성을 위하여 절연 재질, 예컨대, PEN(Polyethylene Naphthalate), 또는 PET(Polyethylene Terephthalate) 등을 포함할 수 있다. 기판(3100)은 투광성일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 불투광성일 수도 있다.The substrate 3100 may be a flexible substrate. For example, the substrate 3100 may include glass or polyimide, and may include an insulating material such as polyethylene naphthalate (PEN) or polyethylene terephthalate (PET) for insulation. The substrate 3100 may be transmissive, but is not limited thereto, and may be opaque in other embodiments.

복수의 발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5")은 기판(3100) 상에 m×n 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 도 17에는 5개의 발광 소자만을 도시하나, 디스플레이 장치(3000-4)의 발광 소자들의 수는 m×n 매트릭스에 포함된 개수일 수 있다.A plurality of light emitting devices (eg, 3530-1" to 3530-5") may be disposed on the substrate 3100 in an m×n matrix form. Although FIG. 17 shows only five light emitting elements, the number of light emitting elements of the display device 3000-4 may be the number included in the m×n matrix.

격벽(3520a)은 복수의 발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5") 사이에 배치되며, 디스플레이 장치(3000)의 목적에 따라 콘트라스트(contrast)를 높이기 위하여 블랙(Black) 절연체를 포함하거나 또는 반사성을 높이기 위하여 화이트(white) 절연체를 포함할 수 있다. The barrier rib 3520a is disposed between a plurality of light emitting elements (eg, 3530-1" to 3530-5"), and a black insulator is used to increase contrast according to the purpose of the display device 3000. or may include a white insulator to increase reflectivity.

도 14의 격벽(2520a), 몸체(2520), 투광성 부재(2540)에 대한 설명이 격벽(3520a), 몸체(3520), 투광성 부재(3540)에 적용될 수 있다.The description of the barrier rib 2520a, the body 2520, and the light-transmitting member 2540 of FIG. 14 may be applied to the barrier rib 3520a, the body 3520, and the light-transmitting member 3540.

발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5") 각각은 도 3, 및 도 5a 내지 도 5c에 도시된 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.Each of the light emitting elements (eg, 3530-1" to 3530-5") may be one of the embodiments shown in FIGS. 3 and 5A to 5C.

제1 배선 전극(3112b)은 기판(3100)의 하면에 배치되고, 기판(3100)을 관통하여 발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5") 각각의 발광 셀들(2100-1, 2100-2)의 공통 전극인 제1 전극 패드(2135)와 연결 또는 본딩된다.The first wiring electrode 3112b is disposed on the lower surface of the substrate 3100 and passes through the substrate 3100 to each of the light emitting cells 2100-1, 3530-1" to 3530-5". 2100-2) is connected or bonded to the first electrode pad 2135, which is a common electrode.

제2 배선 전극들(3114b1, 3114b2)은 기판(3100)의 하면에 제1 배선 전극(3112b)과 이격하여 배치되고, 기판(3100)을 관통하여 발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5")의 발광 셀들(2100-1, 2100-2) 각각에 배치되는 제2 전극 패드들(1145-1, 1145-2) 중 대응하는 어느 하나에 연결 또는 본딩된다. The second wire electrodes 3114b1 and 3114b2 are disposed on the lower surface of the substrate 3100 to be spaced apart from the first wire electrode 3112b, and pass through the substrate 3100 to provide light emitting devices (eg, 3530-1" to 3530). -5") is connected to or bonded to a corresponding one of the second electrode pads 1145-1 and 1145-2 disposed on each of the light emitting cells 2100-1 and 2100-2.

제1 및 제2 배선 전극들(3112b,3114b1, 3114b2) 각각은 기판(3100)의 하면으로부터 노출될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 도 17에서는 제1 및 제2 배선 전극들(3112b,3114b1, 3114b2)이 기판(3100)을 관통하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 제1 및 제2 배선 전극들(3112b,3114b1, 3114b2)은 기판(3100)을 관통하지 않고, 기판(3100) 상에 위치할 수도 있다.Each of the first and second wire electrodes 3112b, 3114b1, and 3114b2 may be exposed from the lower surface of the substrate 3100, but is not limited thereto. 17, the first and second wire electrodes 3112b, 3114b1, and 3114b2 pass through the substrate 3100, but is not limited thereto, and in another embodiment, the first and second wire electrodes 3112b and 3114b1 , 3114b2) may be positioned on the substrate 3100 without penetrating the substrate 3100.

도 16 및 도 17에는 도시되지 않았지만, 제1 및 제2 배선 전극들(3112b,3114b1, 3114b2)의 전기적인 단락을 방지하기 위하여 실시 예는 제1 및 제 배선 전극들(3112b,3114b1, 3114b2) 사이의 기판(3100) 하면 상에 절연층을 더 구비할 수 있다.Although not shown in FIGS. 16 and 17, in order to prevent an electrical short between the first and second wire electrodes 3112b, 3114b1, and 3114b2, an exemplary embodiment includes the first and second wire electrodes 3112b, 3114b1, and 3114b2. An insulating layer may be further provided on the lower surface of the substrate 3100 therebetween.

발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5") 각각의 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2)은 청색광 및 녹색광을 발생하거나 또는 적색광 및 녹색광을 발생할 수 있다.The plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 of each of the light emitting devices (eg, 3530-1" to 3530-5") may generate blue light and green light or red light and green light.

예컨대, 발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5")은 청색광을 발생하는 제1 발광 셀 및 녹색광을 발생하는 제2 발광 셀을 포함하는 제1 발광 소자(이하 "BG 발광 소자"라 한다), 및 적색광을 발생하는 제3 발광 셀 및 녹색광을 발생하는 제4 발광 셀을 포함하는 제2 발광 소자(이하 "RG 발광 소자"라 한다)를 포함할 수 있으며, 매트릭스의 열 방향 및 행 방향 각각으로 BG 발광 소자와 RG 발광 소자가 교대로 배치될 수 있다. 이때 BG 발광 소자와 RG 발광 소자가 하나의 이미지 화소를 이룰 수 있다. 또한 예컨대, 매트릭스의 열 방향으로 제1 내지 제4 발광 셀들이 순차적으로 반복하여 배열될 수 있고, 행 방향으로는 제1 발광 셀과 제3 발광 셀이 교대로 배열될 수 있다.For example, the light emitting devices (eg, 3530-1" to 3530-5") include a first light emitting device including a first light emitting cell emitting blue light and a second light emitting cell emitting green light (hereinafter referred to as "BG light emitting device"). referred to as), and a second light emitting device (hereinafter referred to as "RG light emitting device") including a third light emitting cell emitting red light and a fourth light emitting cell emitting green light, and BG light emitting elements and RG light emitting elements may be alternately arranged in each row direction. At this time, the BG light emitting element and the RG light emitting element may form one image pixel. Also, for example, first to fourth light emitting cells may be sequentially and repeatedly arranged in a column direction of the matrix, and first light emitting cells and third light emitting cells may be alternately arranged in a row direction.

복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2)이 서로 다른 파장의 광을 발생할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5") 각각의 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2)은 서로 동일한 파장을 갖는 광을 발생할 수 있다.The plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 may generate light of different wavelengths, but is not limited thereto, and in other embodiments, light emitting elements (eg, 3530-1" to 3530-5") Each of the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 may generate light having the same wavelength as each other.

예컨대, 발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5") 각각의 복수의 발광 셀들(2100-1, 2100-2)은 청색광을 발생하거나, 녹색광을 발생하거나, 또는 적색광을 발생할 수도 있으며, 이 경우, R, G, B 배열이 이루어지거나, 또는 RG, BG 배열이 이루어질 수 있다.For example, the plurality of light emitting cells 2100-1 and 2100-2 of each of the light emitting devices (eg, 3530-1" to 3530-5") may generate blue light, green light, or red light, , In this case, an R, G, B arrangement may be made, or an RG, BG arrangement may be made.

또한 도 17에서는 발광 소자들 각각은 2개의 발광 셀들을 포함하고, 발광 셀들 각각은 청색광 및 녹색광을 발생하거나, 또는 적색광 및 녹색광을 발생하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서는 발광 소자들(예컨대, 3530-1" 내지 3530-5")은 3개의 발광 셀들을 포함할 수 있으며, 3개의 발광 셀들 중 어느 하나는 청색광을 발생하고, 다른 하나의 발광 셀은 녹색광을 발생하고, 나머지 다른 하나의 발광 셀은 적색광을 발생할 수도 있으며, 이 경우는 발광 소자들에 포함되는 발광 셀들이 R, G, B 배열이 이루어질 수 있다.Also, in FIG. 17 , each of the light emitting elements includes two light emitting cells, and each of the light emitting cells emits blue light and green light, or red light and green light, but is not limited thereto. In another embodiment, the light emitting devices (eg, 3530-1" to 3530-5") may include three light emitting cells, one of which generates blue light, and the other light emitting cell Green light may be generated, and the other light emitting cell may generate red light. In this case, the light emitting cells included in the light emitting elements may be arranged in R, G, and B arrangements.

예컨대, 행 방향 및 열 방향 각각으로 적색광을 발생하는 발광 셀, 녹색광을 발생하는 발광 셀, 및 청색광을 발생하는 발광 셀이 순차적으로 반복하여 배치될 수 있다.For example, light emitting cells emitting red light, light emitting cells emitting green light, and light emitting cells emitting blue light may be sequentially and repeatedly arranged in row and column directions, respectively.

단위 화소 어레이에서 적색광을 발생하는 발광 소자의 발광 영역(이하 "적색 발광 영역"이라 함)의 면적, 녹색광을 발생하는 발광 소자의 발광 영역(이하 "녹색 발광 영역"이라 함)의 면적, 및 청색광을 발생하는 발광 소자의 발광 영역(이하 "청색 발광 영역"이라 함)의 면적은 서로 다를 수 있다. 예컨대, 발광 효율이 상대적으로 낮은 녹색 발광 영역의 면적과 적색 발광 영역의 면적이 청색 발광 영역의 면적보다 클 수 있다.In the unit pixel array, the area of the light emitting region of the light emitting element emitting red light (hereinafter referred to as “red light emitting region”), the area of the light emitting region of the light emitting element emitting green light (hereinafter referred to as “green light emitting region”), and blue light Areas of light emitting regions (hereinafter, referred to as “blue light emitting regions”) of light emitting elements generating light may be different from each other. For example, the areas of the green light emitting region and the red light emitting region having relatively low luminous efficiency may be larger than those of the blue light emitting region.

예컨대, 녹색 발광 영역의 면적은 청색 발광 영역의 면적의 1배 ~ 4배일 수 있고, 적색 발광 영역의 면적은 청색 발광 영역의 면적의 1배 ~ 3 배일 수 있다.For example, the area of the green light emitting region may be 1 to 4 times the area of the blue light emitting region, and the area of the red light emitting region may be 1 to 3 times the area of the blue light emitting region.

또한 예컨대, 다른 실시 예에서는 적색 발광 영역 및 녹색 발광 영역의 면적은 서로 동일할 수도 있다.Also, for example, in another embodiment, the areas of the red light emitting region and the green light emitting region may be equal to each other.

예컨대, 청색 발광 영역의 면적, 적색 발광 영역의 면적, 녹색 발광 영역의 면적의 비율은 1:2:3 또는 1:3:3일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the ratio of the area of the blue light emitting region, the area of the red light emitting region, and the area of the green light emitting region may be 1:2:3 or 1:3:3, but is not limited thereto.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and variations should be construed as being included in the scope of the present invention.

2110: 발광 구조물 2120: 패시베이션층
2130: 제1 전극 2135: 제1 전극 패드
2140: 제2 전극 2145: 제2 전극 패드
2150: 절연층.2110: light emitting structure 2120: passivation layer
2130: first electrode 2135: first electrode pad
2140: second electrode 2145: second electrode pad
2150: insulating layer.

Claims (15)

제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 포함하고, 서로 이격하는 복수의 발광 셀들;
상기 발광 셀들의 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 절연층;
인접하는 2개의 발광 셀들 사이에 배치되고, 상기 인접하는 2개의 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층들에 접촉되는 적어도 하나의 제1 전극;
상기 절연층 아래에 배치되고 상기 제1 전극과 연결되는 제1 전극 패드;
상기 절연층 아래에 배치되고 상기 제1 전극 패드와 이격되어 배치되는 제2 전극 패드;
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극 패드 사이에 배치되고 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극 패드를 연결하는 제2 전극; 및
상기 적어도 하나의 제1 전극과 상기 복수의 발광 셀들의 발광 구조물의 측면 사이에 배치되는 패시베이션층을 포함하며,
상기 제1 전극의 일단은 상기 패시베이션층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층에 접촉하고, 상기 제1 전극의 타단은 상기 발광 구조물, 및 상기 절연층을 통과하여 상기 적어도 하나의 제1 전극 패드와 연결되고,
상기 제2 전극 패드의 상면은 상기 제2 전극과 접촉하고,
상기 제2 전극 패드의 상기 상면의 반대면인 상기 제2 전극 패드의 하면은 상기 제2 전극보다 아래에 배치되는 발광 소자.A plurality of light emitting cells spaced apart from each other including a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer disposed on the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type semiconductor layer disposed on the active layer;
an insulating layer disposed under the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting cells;
at least one first electrode disposed between two adjacent light emitting cells and contacting the first conductivity type semiconductor layers of the two adjacent light emitting cells;
a first electrode pad disposed under the insulating layer and connected to the first electrode;
a second electrode pad disposed under the insulating layer and spaced apart from the first electrode pad;
a second electrode disposed between the second conductivity type semiconductor layer and the second electrode pad and connecting the second conductivity type semiconductor layer and the second electrode pad; and
And a passivation layer disposed between the at least one first electrode and side surfaces of light emitting structures of the plurality of light emitting cells,
One end of the first electrode penetrates the passivation layer and contacts the first conductivity-type semiconductor layer, and the other end of the first electrode passes through the light emitting structure and the insulating layer to pass through the at least one first electrode pad. connected with,
An upper surface of the second electrode pad is in contact with the second electrode,
A lower surface of the second electrode pad, which is opposite to the upper surface of the second electrode pad, is disposed below the second electrode. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1 전극은,
상기 인접하는 2개의 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층들 상에 배치되는 상부 전극;
상기 상부 전극과 연결되고, 상기 발광 구조물 및 상기 절연층을 통과하여 상기 제1 전극 패드에 연결되는 관통 전극; 및
상기 상부 전극의 하면과 연결되고 상기 패시베이션층을 관통하여 상기 인접하는 2개의 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층들과 접촉하는 접촉 전극들을 포함하는 발광 소자.The method of claim 1, wherein the at least one first electrode,
upper electrodes disposed on the first conductivity type semiconductor layers of the two adjacent light emitting cells;
a penetration electrode connected to the upper electrode and connected to the first electrode pad through the light emitting structure and the insulating layer; and
A light emitting device comprising contact electrodes connected to the lower surface of the upper electrode and contacting first conductivity type semiconductor layers of two adjacent light emitting cells through the passivation layer. 제2항에 있어서, 상기 패시베이션층은,
상기 관통 전극과 상기 인접하는 2개의 발광 셀들의 발광 구조물의 측면 사이에 배치되는 제1 패시베이션층; 및
상기 상부 전극과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 배치되는 제2 패시베이션층을 포함하는 발광 소자.The method of claim 2, wherein the passivation layer,
a first passivation layer disposed between the through electrode and side surfaces of the light emitting structures of the two adjacent light emitting cells; and
A light emitting device comprising a second passivation layer disposed between the upper electrode and the first conductivity type semiconductor layer. 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 발광 셀들 중 적어도 하나의 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 형광체층을 더 포함하는 발광 소자.According to claim 2,
A light emitting device further comprising a phosphor layer disposed on the first conductivity type semiconductor layer of at least one of the light emitting cells. 제2항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 발광 셀들과 대응하는 제2 전극들을 포함하고,
상기 제2 전극들은 상기 발광 셀들 중 대응하는 어느 하나의 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극 패드들 중 대응하는 어느 하나 사이에 배치되는 발광 소자.According to claim 2,
The second electrode includes second electrodes corresponding to the light emitting cells,
The second electrodes are disposed between a second conductivity-type semiconductor layer of a corresponding one of the light emitting cells and a corresponding one of the second electrode pads. 제2항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제1 전극은 인접하는 2개의 발광 셀들 사이에 배치되고, 서로 이격하는 복수의 제1 전극들을 포함하며,
상기 복수의 제1 전극들 각각은 상기 상부 전극, 상기 관통 전극, 및 상기 접촉 전극들을 포함하는 발광 소자.According to claim 2,
The at least one first electrode includes a plurality of first electrodes disposed between two adjacent light emitting cells and spaced apart from each other,
Each of the plurality of first electrodes includes the upper electrode, the through electrode, and the contact electrodes. 제7항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극들의 관통 전극들은 상기 제1 전극 패드에 공통 접속되는 발광 소자.According to claim 7,
Through-electrodes of the plurality of first electrodes are commonly connected to the first electrode pad. 제8항에 있어서,
상기 제2 전극 패드들 각각은 상기 발광 셀들 중 대응하는 어느 하나의 아래에 배치되고, 서로 이격되는 발광 소자.According to claim 8,
Each of the second electrode pads is disposed below a corresponding one of the light emitting cells and spaced apart from each other. 제8항에 있어서,
제1 전극 패드는 제1 패드부, 및 상기 제1 패드부로부터 확장되고 상기 복수의 제1 전극들의 관통 전극들이 접촉되는 제1 확장 패드부들을 포함하고,
상기 제2 전극 패드들 각각은 제2 패드부, 및 상기 제2 패드부로부터 확장되는 제2 확장 패드부들을 포함하는 발광 소자.According to claim 8,
The first electrode pad includes a first pad portion and first expansion pad portions extending from the first pad portion and contacting penetration electrodes of the plurality of first electrodes;
Each of the second electrode pads includes a second pad portion and second expansion pad portions extending from the second pad portion. 제10항에 있어서,
상기 제1 전극 패드의 제1 패드부 및 상기 제2 전극 패드들의 제2 패드부들은 상기 발광 구조물의 하면의 모서리들 중 대응하는 어느 하나에 인접하여 배치되는 발광 소자.According to claim 10,
The first pad portion of the first electrode pad and the second pad portions of the second electrode pads are disposed adjacent to any one of the corners of the lower surface of the light emitting structure. 제10항에 있어서,
상기 제1 확장 패드부들 각각은 상기 발광 구조물의 하면의 제1 변에서 제2변으로 향하는 방향으로 연장되는 제1 연장 부분을 포함하고,
상기 제2 확장 패드부들 각각은 상기 발광 구조물의 하면의 제1 변에서 제2변으로 향하는 방향 또는 그 반대 방향으로 연장되는 제2 연장 부분을 포함하며,
상기 발광 구조물의 하면의 제1 변에서 제2변으로 향하는 방향과 수직한 방향으로 상기 제1 연장 부분과 상기 제2 연장 부분은 서로 교대로 배치되는 발광 소자.According to claim 10,
Each of the first expansion pad parts includes a first extension portion extending in a direction from a first side to a second side of a lower surface of the light emitting structure,
Each of the second expansion pad parts includes a second extension portion extending in a direction from the first side to the second side of the lower surface of the light emitting structure or in the opposite direction,
The first extension portion and the second extension portion are disposed alternately with each other in a direction perpendicular to the direction from the first side to the second side of the lower surface of the light emitting structure. 제8항에 있어서,
상기 제2 전극 패드들 중 어느 하나의 제2 전극 패드는 상기 발광 셀들 중 중앙에 위치하는 어느 하나와 수직 방향으로 오버랩되도록 배치되고,
나머지 제2 전극 패드들 각각은 직경이 서로 다른 링 형상을 가지며,
상기 발광 셀들 중 중앙에 위치하는 상기 어느 하나의 제2 전극 패드를 기준으로 동심원을 이루도록 배치되는 발광 소자.According to claim 8,
Any one of the second electrode pads is disposed to overlap one of the light emitting cells in the center in a vertical direction;
Each of the remaining second electrode pads has a ring shape having a different diameter,
A light emitting element arranged to form a concentric circle with respect to any one of the second electrode pads located at the center of the light emitting cells. 제5항에 있어서,
상기 복수의 발광 셀들은 동일한 파장의 광을 발생하고,
상기 적어도 하나의 형광체층은 상기 복수의 발광 셀들 각각의 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 복수의 발광 셀들에 의하여 발생하는 광들을 동일한 파장의 광으로 변환시키는 발광 소자.According to claim 5,
The plurality of light emitting cells generate light of the same wavelength,
The at least one phosphor layer is disposed on the first conductivity-type semiconductor layer of each of the plurality of light emitting cells, and converts light generated by the plurality of light emitting cells into light of the same wavelength. 제5항에 있어서,
상기 복수의 발광 셀들 각각은 동일한 파장의 광을 발생하고,
상기 적어도 하나의 형광체층은 복수의 형광체층들을 포함하며,
상기 복수의 형광체층들 각각은 상기 복수의 발광 셀들 중 어느 하나를 제외한 나머지 발광 셀들 중 대응하는 어느 하나의 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 복수의 형광체층들 각각은 서로 다른 형광체를 포함하는 발광 소자.According to claim 5,
Each of the plurality of light emitting cells generates light of the same wavelength,
The at least one phosphor layer includes a plurality of phosphor layers,
Each of the plurality of phosphor layers is disposed on a first conductivity type semiconductor layer corresponding to one of the remaining light emitting cells except for one of the plurality of light emitting cells, and each of the plurality of phosphor layers uses a different phosphor. A light emitting device comprising:
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