KR102556234B1 - 엑스레이 검출기용 어레이기판 및 이를 포함하는 엑스레이 검출기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 엑스레이 검출기용 어레이기판 및 이를 포함하는 엑스레이 검출기에 관한 것으로, 보다 구체적으로는
액티브 영역과 패드 영역으로 정의되며, 상기 패드 영역은 제1 영역과 상기 제1 영역으로부터 연장된 제2 영역을 포함하는 기판과 상기 기판 상부면에 접촉하여 제1 영역으로부터 제2 영역 방향으로 연장되어 배치되는 다수의 데이터 배선을 포함한다. 이 때 이웃하는 데이터 배선은 이격되며 상기 기판의 제1 영역 중 상기 이웃하는 데이터 배선 사이에서 상기 기판의 상부 면이 노출되고, 상기 기판의 제2 영역 중 상기 기판과 상기 데이터 배선 사이에 제1 절연막을 포함함으로써 커팅(cutting) 시 데이터 배선과 유기막의 결집에 의해 인접하는 데이터 배선간 쇼트 불량을 방지할 수 있는 엑스레이 검출기용 어레이기판 및 이를 포함하는 엑스레이 검출기에 관한 것이다.

Description

엑스레이 검출기용 어레이기판 및 이를 포함하는 엑스레이 검출기{ARRAY SUBSTRATE OF X-RAY DETECTOR AND DIGITAL X-RAY DETECTOR COMPRISING THE SAME}
본 발명은 엑스레이 검출기용 어레이기판 및 이를 포함하는 엑스레이 검출기에 관한 것으로, 특히 커팅(cutting) 시 신호 배선과 유기막의 결집에 의해 인접하는 신호 배선간 쇼트 불량을 방지할 수 있는 어레이기판 및 이를 포함하는 엑스레이 검출기에 관한 것이다.
현재 의학용으로 널리 사용되고 있는 진단용 엑스레이(X-ray) 검사방법은 엑스레이 감지 필름을 사용하여 촬영하고, 그 결과를 알기 위해서는 소정의 필름 인화시간을 거쳐야 했다.
그러나, 근래에 들어서 반도체 기술의 발전에 힘입어 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 이용한 엑스레이 검출기(Digital X-ray detector)가 연구/개발되었다. 상기 엑스레이 검출기는 박막 트랜지스터를 스위칭 소자로 사용하여, 엑스레이의 촬영 즉시 실시간으로 결과를 진단할 수 있는 장점이 있다.
일반적으로 엑스레이 검출기는 박막 트랜지스터 어레이기판의 상부층에 적층되어 있는 비정질 Se(Selenium), 비정질 Se 상에 형성되어 있는 투명전극으로 구성되어 박막트랜지스터의 화소 전극이 Se 층의 전하를 받은 만큼 전류를 감지하여 신호처리 과정을 거치는 직접 방식(Direct type DXD)과 신틸레이터에 의해 X-ray가 가시광선으로 변환되면 상기 가시광선이 핀다이오드에 의해 전기적 신호로 변환되어 일련의 신호처리 과정을 거치는 간접 방식(Indirect type DXD)이 있다.
엑스레이 검출기의 품질 향상을 위해 어레이 테스트(Array test)가 수반되는 것이 바람직한데, 어레이 테스트란 TFT 어레이 공정 후 액정공정 이전에 TFT 어레이 상태에서 전기적 결함, 오염 및 그 밖의 손상 부분을 확인하는 것으로 기판의 크기가 대형화됨에 따라 손상 시 추가되는 비용을 줄여주므로 필수적인 공정이라 할 수 있다.
어레이 테스트를 거치면 배선의 오픈 또는 쇼트 등의 결함 발생 여부를 알 수 있어 불량 누출을 방지하고 수율 및 생산량을 늘림에 따라 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
따라서, 어레이 테스트를 위해 패널 내부로 전기적 신호를 인가하고자 패널 외부의 신호 배선(1)을 TFT 신호 배선(2)에 연결하여 어레이 테스트를 수행하고, 테스트 완료 후 패널 끝단을 레이저로 절단하여 제품을 출하한다. 그런데, 테스트 완료 후 패널 커팅 시에 유기막이 녹아 뭉개지면서 신호 배선의 금속이 유기 절연막과 결집되는바 이웃하는 신호 배선간에 쇼트 현상이 발생하는 문제가 있으므로, 이에 대한 해결책이 필요한 실정이다.
본 발명은 커팅(cutting) 시 데이터 배선과 유기막의 결집에 의해 인접하는 데이터 배선간 쇼트 불량을 방지할 수 있는 어레이기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 어레이기판을 포함하는 엑스레이 검출기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 엑스레이 검출기용 어레이기판은 액티브 영역과 패드 영역으로 정의되며, 상기 패드 영역은 제1 영역과 상기 제1 영역으로부터 연장된 제2 영역을 포함하는 기판과 상기 기판 상부면에 접촉하여 제1 영역으로부터 제2 영역 방향으로 연장되어 배치되는 다수의 데이터 배선을 포함한다. 이 때 이웃하는 데이터 배선은 이격되며 상기 기판의 제1 영역 중 상기 이웃하는 데이터 배선 사이에서 상기 기판의 상부 면이 노출되고, 상기 기판의 제2 영역 중 상기 기판과 상기 데이터 배선 사이에 제1 절연막을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판의 제2 영역은 상기 데이터 배선 상에 제2 절연막을 더 포함할 수 있고, 이 경우 상기 제2 절연막의 하부 면이 상기 제1 절연막의 상부 면에 접촉될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 절연막은 다수의 절연층으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판의 제1 영역에서 상기 데이터 배선의 상부 면이 노출되거나 상기 데이터 배선 위에 절연막이 구비되지 않을 수 있다.
본 발명의 엑스레이 검출기는 상기 엑스레이 검출기용 어레이기판을 포함한다.
본 발명의 어레이기판은 커팅(cutting) 시 데이터 배선과 유기막의 결집에 의해 인접하는 데이터 배선간 쇼트 불량을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 엑스레이 검출기는 어레이기판의 인접 데이터 배선간 쇼트 불량 없이 어레이 평가(Array test)가 가능하여 수율 향상 및 RMA 처리 비용 절감 효과가 있다.
도 1은 어레이테스트 후 어레이기판의 절단 시 배선간 쇼트가 발생하는 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 동작을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이기판의 액티브 영역의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이기판의 패드 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 어레이기판의 패드 영역을 개략적으로 나타낸 수직단면도이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이기판의 패드 영역의 제조 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층, 막, 전극, 판 또는 기판 등이 각 층, 막, 전극, 판 또는 기판 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.
또한 각 구성요소의 상, 옆 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 동작을 나타내는 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
엑스레이 검출기 중 간접 방식은, 엑스레이를 검출하기 위해 어레이기판에 광 감지부(200)를 형성하고 광 감지부(200)의 상부에 광 변환부(300)를 배치한다.
도 2에 도시된 바와 같이 엑스레이를 조사 받은 광 변환부(300)는 광 변환을 통해 광 감지부(200)에 가장 센시티브한 파장대의 광으로 변환시키며, 광 감지부(200)는 이를 전기적 신호로 변환하고, 변환된 전기적 신호는 트랜지스터를 통해 영상 신호로 송출된다. 도 2 및 도 3에 도시된 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 전극 상의 제1 절연층, 제1 절연층 상의 액티브층, 액티브층의 일단 및 타단과 연결되고 서로 이격되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 검출기는 화소부, 바이어스 드라이버, 게이트 드라이버 및 리드아웃 집적회로를 포함하여 구성된다.
상기 화소부(P)는 엑스레이 제너레이터로부터 방출된 엑스레이를 감지하고, 감지된 신호를 광전 변환하여 전기적인 검출 신호로 출력한다.
화소부는 복수의 게이트 배선(GL)과 복수의 데이터 배선(DL)이 교차하는 지점 근처에 매트릭스 형태로 배열된 복수의 광감지 화소를 구비한다. 상기 복수의 게이트 배선(GL)과 복수의 데이터 배선(DL)은 서로 거의 직교하도록 배치될 수 있다. 도 3은 4행 4열로 배치된 16개의 광감지 화소(P)들을 일 예로서 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 광감지 화소(P)들의 개수는 다양하게 선택될 수 있다.
상기 광감지 화소(P) 각각은 엑스레이를 감지하여 검출 신호, 예를 들어 광검출 전압을 출력하는 광 감지부와 광 감지부로부터 출력된 전기적 신호를 게이트 펄스에 응답하여 전달하는 스위칭 소자로써 트랜지스터를 구비한다.
본 발명에 따른 광 감지부(PD)는 엑스레이 제너레이터로부터 방출된 엑스레이를 감지하고, 감지된 신호를 상기 검출 신호로써 출력한다. 상기 광 감지부(200)는 광전 효과에 의해 입사된 광을 전기적 신호로 변환하는 소자로서, 예를 들면 PIN 다이오드일 수 있다.
상기 트랜지스터(Tr)는 광 감지부로부터 출력된 검출 신호를 전달하는 스위칭 소자이다. 상기 트랜지스터의 게이트 전극은 게이트 배선(GL)에 전기적으로 연결되고, 소스 전극은 데이터 배선(DL)을 통해서 리드아웃 집적회로와 전기적으로 연결된다.
바이어스 드라이버는 복수의 바이어스 라인(BL)들로 구동전압을 인가한다. 상기 바이어스 드라이버는 상기 광 감지부에 리버스 바이어스(reverse bias) 또는 포워드 바이어스(forward bias)를 선택적으로 인가할 수 있다.
게이트 드라이버는 복수의 게이트 배선(GL)들로 게이트 온 전압 레벨을 갖는 게이트 펄스들을 순차적으로 인가한다. 광감지 화소(P)들의 트랜지스터들은 상기 게이트 펄스에 응답하여 턴-온(turn-on)된다. 상기 트랜지스터가 턴-온되면, 상기 광 감지부로부터 출력된 검출 신호가 트랜지스터, 및 데이터 배선(14)을 통해서 상기 리드아웃 집적회로로 입력된다.
상기 게이트 드라이버는 IC 형태로 이루어져 상기 화소부의 일 측에 실장되거나 박막 공정을 통해서 상기 화소부와 같은 기판 상에 형성될수 있다.
상기 리드아웃 집적회로는 상기 게이트 펄스에 응답하여 턴-온된 트랜지스터로부터 출력되는 상기 검출 신호를 리드아웃한다. 상기 리드아웃 집적회로는 오프셋 이미지를 리드아웃하는 오프셋 리드아웃 구간과, 엑스레이 노광 후의 검출 신호를 리드아웃하는 엑스레이 리드아웃 구간에 광감지 화소(P)로부터 출력되는검출 신호를 리드아웃한다.
리드아웃 집적회로는 상기 검출 신호를 판독하여 소정의 신호 처리 장치로 전달하고, 상기 신호 처리 장치에서 상기 검출 신호를 디지털화하여, 검출 신호를 영상으로 나타낸다. 리드아웃 집적회로는 신호 검출부 및 멀티플렉서를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 신호 검출부는 복수의 데이터 배선(14)과 일대일 대응하는 복수의 증폭부를 포함하고, 각 증폭부는 증폭기(OP), 커패시터(CP) 및 리셋소자(SW)를 포함한다.
본 발명의 엑스레이 검출기용 어레이기판(100)은 액티브 영역(20)과 패드 영역(10)으로 정의된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이기판(100)의 액티브 영역(20)의 단면도인바, 이하에서는 이를 참조하여 설명한다.
상기 액티브 영역(20)은 다수의 데이터 배선(14), 다수의 게이트 배선, 다수의 데이터 배선(14) 및 다수의 게이트 배선이 교차하여 정의하는 다수의 화소영역, 다수의 화소영역 각각에 위치하고 광전신호를 전기적 신호로 변환하는 다수의 광 감지부(200) 및 다수의 광 감지부(200)를 구동하기 위해 스위칭 기능을 다수의 박막 트랜지스터(30)를 포함하여 구성된다.
박막 트랜지스터(30)는 게이트 배선과 연결되는 게이트 전극(21), 게이트 전극(21) 상에 위치하는 액티브층(22), 액티브층(22)의 일단과 데이터 배선(14)을 연결하는 소스 전극(23) 및 액티브층(22)의 타단과 연결되는 드레인 전극(23)을 포함하여 구성된다. 드레인 전극(23)은 광 감지부(200)와 연결된다.
어레이기판(100)은 소스 전극(23)과 연결되는 데이터 배선(14), 광 감지부(200)의 전자 또는 정공을 제어할 수 있는 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스 배선(28)을 더 포함한다. 상기 바이어스 배선(28)은 불투명한 금속물질로 형성된다.
게이트 전극(21)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 또는 이들의 합금등을 포함하는 재질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
액티브층(22)은 불순물로 도핑되지 않은 제 1 비정질 실리콘층 및 N 형 불순물로 도핑된 제 2 비정질 실리콘층을 포함하여 구성될 수 있다.
소스/드레인 전극(23)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 또는 이들의 합금등을 포함하는 재질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 절연층(17)에는 드레인 전극(23)을 노출시키는 제1 콘택홀이 형성되는데, 상기 홀을 통해 소스 전극(23)과 데이터 배선(14)이 연결되며 드레인 전극(23)과 광 감지부(200)의 하부 전극(26)이 연결 된다.
상기 제2 절연층(17) 상부 및 상기 광 감지부(200)의 상부 전극(27) 상에 제3 절연층(18)이 형성되고, 상기 제3 절연층(18)은 상기 상부 전극(27)을 노출시키는 제 2 콘택홀을 구비한다. 상기 제 2 콘택홀을 통하여 상부 전극(27)과 바이어스 배선(28)이 연결된다.
상기 제3 절연층(18) 및 바이어스 배선(28) 상부에는 제2 절연막(19)이 형성되는데, 상기 제2 절연막(19)은 액티브 영역(20) 내에서 홀을 구비하지 않는다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이기판(100)의 패드 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 어레이기판(100)의 패드 영역을 개략적으로 나타낸 수직단면도이다. 이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다.
상기 패드 영역(10)은 제1 영역(11)과 제2 영역(12)을 구비하는 기판(13)을 포함한다.
본 발명에 있어 기판(13)은 플레이트 형상을 가질 수 있고, 투명한 물질, 예를 들어, 유리, 석영 또는 합성수지로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 제1 영역(11)은 기판(13)의 일 영역으로, 어레이기판(100)에 있어 패드 영역(10)의 최외곽부, 즉 어레이 테스트 완료 후 상기 테스트 배선과 연결되어 있던 데이터 배선(14)의 커팅라인과 접하는 영역이다.
상기 제2 영역(12)은 상기 기판의 제1 영역(11)으로부터 연장되는 기판(13)의 다른 일 영역으로, 어레이기판(100)의 커팅라인으로부터 소정의 간격을 두고 배치되므로 상기 제1 영역(11)에 비해 어레이기판(100)의 액티브 영역(20)에 보다 가까운 곳에 위치한다.
본 발명에 따른 다수의 데이터 배선(14)은 기판(13) 상부 면에 직접 접촉하여 상기 제1 영역(11)으로부터 상기 제2 영역(12) 방향으로 연장되며, 다수의 데이터 배선(14) 중 이웃하는 데이터 배선(14)은 서로 이격되어 배치된다.
상기 데이터 배선(14)은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴-텅스텐 합금(MoW), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
전술한 바와 같이, 종래의 어레이기판에 어레이 테스트(Array Test)를 수행하기 위해서 어레이기판의 신호 배선과 패널 외부의 테스트 배선을 연결하였으며, 어레이 테스트가 완료된 후에는 패널 외곽 라인에 맞추어 어레이기판의 끝부분(패드영역의 가장자리)을 레이저 커팅 하였다. 이 경우, 종래의 엑스레이 검출기용 어레이기판의 패드영역은 유기막 사이에 데이터 배선이 배치된 구조였으므로, 커팅 시에 유기막이 녹아 뭉쳐지면서 다른 신호 배선 간에 쇼트 현상이 발생하였는바 불량률이 증가하는 문제가 있었다.
이에, 본 발명은 어레이기판(100)의 패드 영역(10)을 제1 및 제2 영역(12)으로 구분하여, 제1 영역(11)에서는 기판(13) 상부에 데이터 배선(14)이 직접 구비되고 상기 데이터 배선(14) 중 인접하는 데이터 배선(14) 사이의 영역에서는 기판(13)이 노출되도록 함으로써 어레이 테스트 후 어레이기판(100)의 가장자리를 레이저 커팅 하는 경우에도, 당해 영역에는 기판(13) 또는 기판(13) 상에 금속만이 존재하므로 유기막의 뭉개짐에 따른 인접 신호 배선간 쇼트 발생 문제를 해결할 수 있다.
보다 구체적으로 살펴보면, 상기 기판(13)의 제1 영역(11) 중 상기 이웃하는 데이터 배선(14) 사이에서 상기 기판(13)의 상부 면이 노출된다. 즉, 상기 기판(13)의 제1 영역(11) 중 서로 인접하는 데이터 배선(14) 사이의 영역 상에는 다른 구성들이 배치되지 않고 기판(13)이 그대로 노출된다. 또한, 상기 기판(13)의 제2 영역(12)은 기판(13)과 상기 데이터 배선(14) 사이에 제1 절연막을 포함한다. 즉, 상기 기판(13)의 제2 영역(12)에서는 기판(13) 상부에 상기 제1 절연막이 구비되고, 상기 제1 절연막 상에 데이터 배선(14)이 구비된다. 상기 제2 영역(12)은 절연막 사이에 데이터 배선(14)의 일부가 배치된 구조이지만, 레이저 커팅이 실시되는 부분이 아니므로 데이터 배선(14) 간 쇼트 문제가 발생하지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 절연막은 다수의 절연층으로 이루어진 것일 수 있고, 보다 구체적으로는 상기 제1 절연막은 제1 절연층(16), 제2 절연층(17), 제3 절연층(18)의 적층체일 수 있다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이기판(100)의 패드 영역(10)의 제조 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
상기 패드 영역(10)에서, 먼저 기판(13)에 제1 절연층 형성 물질을 도포한다(도 7a). 이어서, 제2 절연층 형성 물질을 도포한 후, 마스크를 사용한 포토리소그라피 후 식각, 스트립 공정을 거쳐 기판의 제1 영역(11)에는 제1 및 제2 절연층을 미형성하고, 제2 영역(12) 상에는 제1 절연층(16) 및 제2 절연층(17)을 형성한다(도 7b). 후에, 제3 절연층 형성 물질을 도포한 후 마스크를 사용한 포토리소그라피 후 식각, 스트립 공정을 거쳐 기판의 제1 영역(11)에는 제3 절연층을 미형성하고, 제2 영역(12) 상에는 제3 절연층(18)을 형성한다(도 7c). 이어서, 데이터 배선(14) 형성 물질을 도포한 후 동일한 공정을 거쳐 기판의 제1 및 제2 영역(12) 중 데이터 배선(14)의 배치가 필요한 부분에 데이터 배선(14)을 형성한 다음(도 7d), 제2 절연막 형성 물질 도포 후 동일 공정을 통해 기판의 제2 영역(12)에만 제2 절연막(19)을 형성한다.
이 때, 제1 절연막(제1 내지 제3 절연층(16,17,18)) 및 제2 절연막(19)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하여 형성되는 것일 수 있으나, 본 발명의 목적을 벗어나지 않는 범위 내라면 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판(13)의 제1 영역(11)에 구비된 데이터 배선(14)의 상부 면은 노출된 구조일 수 있고, 보다 바람직하게는 상기 제1 영역(11) 상의 데이터 배선(14)은 그 위에 절연막을 구비하지 않을 수 있다. 이 경우, 어레이 테스트 후 어레이기판(100)이 커팅되는 부분을 포함하는 상기 기판(13)의 제1 영역(11)에 유기막 없이 데이터 배선(14)만이 배치되는바, 인접 신호 배선간 쇼트 발생 방지 효과가 보다 더 향상될 수 있다.
상기 제1 절연막은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하여 형성되는 것일 수 있으나, 본 발명의 목적을 벗어나지 않는 범위 내라면 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판(13)의 제2 영역(12)은 상기 데이터 배선(14) 상에 제2 절연막(19)을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 절연막(19)이 상기 데이터 배선(14) 상에 구비되더라도, 기판(13)의 제2 영역(12)에 배치된 데이터 배선(14) 상에 형성되는 것인바, 데이터 배선(14) 간 쇼트 문제가 발생하지 않는다.
상기 제2 절연막(19)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하여 형성되는 것일 수 있으나, 본 발명의 목적을 벗어나지 않는 범위 내라면 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 제2 절연막(19)이 더 구비되는 경우, 상기 기판(13)의 제2 영역(12)에 배치된 상기 이웃하는 데이터 배선(14) 사이에서 상기 제2 절연막(19)의 하부 면이 상기 제1 절연막의 상부 면에 접촉될 수 있다. 즉, 기판(13)의 제2 영역(12)에서 이웃하는 데이터 배선(14) 사이에는 기판(13) 상부에 제1 절연막과 제2 절연막(19)의 적층체가 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판(13)의 제1 영역(11)에 배치된 상기 데이터 배선(14)의 상부 면 높이와 상기 기판(13)의 제2 영역(12)에 배치된 상기 데이터 배선(14)의 상부 면 높이가 서로 다를 수 있다. 상기 기판(13) 제1 영역(11)에는 기판(13) 상부에 데이터 배선(14)이 접촉하여 구비되고 기판(13) 제2 영역(12)에는 상기 제1 절연막 상에 데이터 배선(14)이 구비되므로, 상기 기판(13)을 기준으로 관찰할 때 제2 영역(12)에 구비되는 제1 절연막의 높이만큼 제1 및 제2 영역(12)에 구비된 데이터 배선(14)의 상부면 높이가 다를 수 있다.
본 발명의 엑스레이 검출기는 전술한 본 발명의 엑스레이 검출기용 어레이기판(100)을 포함한다.
상기 어레이기판(100)은 본 발명의 어레이기판(100)에 대응하므로, 전술한 범위 내에서 그와 중복되는 구성 및 효과에 대한 기재는 생략한다.
본 발명의 엑스레이 검출기에 구비되는 광 감지부(200)는 후술하는 광 전환부를 통과하여 가시광선 파장대로 변환된 상태로 입사된 광학 신호를 전기적인 검출 신호로 변환시키는 기능을 하고, 빛의 투과량에 따라 광감지부에서 흐르는 전류의 양이 달라진다. 상기 광 감지부(200)는 구체적으로는 핀다이오드일 수 있다.
상기 광 감지부(200)는 어레이기판(100)의 하부 전극(26), 하부 전극(26) 상의 광 도전체층(25) 및 광 도전체층(25) 상의 상부 전극(27)을 포함하여 구성된다. 상기 광 도전체층(25)은 N 형의 불순물을 포함한 N 형 반도체층, 불순물을 포함하지 않는 진성 반도체층, 및 P 형의 불순물을 포함한 P 형 반도체층을 포함한다.
상기 광 감지부(200)의 하부 전극(26)은 트랜지스터의 드레인 전극(23)에 전기적으로 연결되고, 상부 전극(27)은 바이어스 전압이 인가되는 바이어스 배선에 전기적으로 연결된다.
본 발명의 엑스레이 검출기에 구비되는 광 전환부(300)는 상기 광 감지부(200)의 상측, 보다 구체적으로는 어레이기판(100)의 제2 절연막 상에 구비된다.
상기 광 전환부(300)는 엑스레이 제너레이터로부터 피사체를 통과하여 입사된 엑스레이를 가시광선 영역의 약 550nm의 파장을 갖는 녹색 광으로 변환하여 상기 화소부측으로 전달한다. 상기 광 전환부(300)는 예를 들면, 세슘 요오드 화합물(cesium iodide)로 이루어질 수 있다.
본 발명의 엑스레이 검출기는 본 발명의 엑스레이 검출기용 어레이기판을 포함함으로써, 어레이 테스트 후 어레이기판의 신호 배선을 어레이 테스트 배선과 절단한 경우에도 배선 간 쇼트 현상을 방지하여 수율 향상 및 불량 누출을 방지할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 패드 영역 11: 기판 제1 영역
12: 기판 제2 영역 13: 기판
14: 데이터 배선 16: 제1 절연층
17: 제2 절연층 18: 제3 절연층
19: 제2 절연막 20: 액티브 영역
21: 게이트 전극 22: 액티브층
23: 소스/드레인 전극 25: 광 도전체층(25)
26: 하부 전극 27: 상부 전극
28: 바이어스 배선 30: 박막 트랜지스터
100: 어레이기판
200: 광 감지부
300: 광 변환부
400: 엑스레이 검출기

Claims (8)

  1. 액티브 영역과 패드 영역으로 정의되는 어레이기판에 있어서,
    상기 패드 영역은,
    제1 영역과 상기 제1 영역으로부터 연장된 제2 영역을 포함하는 기판; 및
    상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역 방향으로 연장되어 배치된 다수의 데이터 배선;을 포함하고,
    상기 다수의 데이터 배선 중 이웃하는 데이터 배선은 이격되며,
    상기 기판의 제1 영역 중 상기 이웃하는 데이터 배선 사이에서 상기 기판의 상부 면이 노출되고,
    상기 기판의 제2 영역 중 상기 기판과 상기 데이터 배선 사이에 제1 절연막을 포함하고,
    상기 다수의 데이터 배선은 상기 제1 영역 내의 기판 상부 면에 직접 접촉하고,
    상기 제1 영역은 상기 패드 영역의 최외측 부분이며 기판의 커팅 라인을 포함하는, 엑스레이 검출기용 어레이기판.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 기판의 제2 영역은 상기 데이터 배선 상에 제2 절연막을 더 포함하는, 엑스레이 검출기용 어레이기판.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 절연막은 다수의 절연층으로 이루어진, 엑스레이 검출기용 어레이기판.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 기판의 제1 영역에서 상기 데이터 배선의 상부 면이 노출되는, 엑스레이 검출기용 어레이기판.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 기판의 제1 영역은 상기 데이터 배선 위에 절연막을 구비하지 않는, 엑스레이 검출기용 어레이기판.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 기판의 제1 영역에 배치된 상기 데이터 배선의 상부 면 높이와 상기 기판의 제2 영역에 배치된 상기 데이터 배선의 상부 면 높이가 서로 다른, 엑스레이 검출기용 어레이기판.
  7. 청구항 2에 있어서, 상기 기판의 제2 영역에 배치된 상기 이웃하는 데이터 배선 사이에서 상기 제2 절연막의 하부 면이 상기 제1 절연막의 상부 면에 접촉되는, 엑스레이 검출기용 어레이기판.
  8. 청구항 1 내지 7 중 어느 하나의 엑스레이 검출기용 어레이기판을 포함하는, 엑스레이 검출기.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210070780A (ko) * 2019-12-05 2021-06-15 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판과 디지털 엑스레이 검출기 및 그 제조 방법
CN113013156B (zh) * 2019-12-20 2024-03-19 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板和包括其的数字x射线检测器设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015029938A1 (ja) 2013-08-30 2015-03-05 株式会社 東芝 アレイ基板、放射線検出器、および配線基板

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009130273A (ja) 2007-11-27 2009-06-11 Konica Minolta Medical & Graphic Inc ガラス基板および電磁波検出装置の製造方法
KR101318052B1 (ko) * 2009-12-10 2013-10-14 엘지디스플레이 주식회사 엑스레이 검출용 포토다이오드 및 이의 제조방법
KR20120072440A (ko) * 2010-12-24 2012-07-04 (주)세현 엑스레이 디텍터 패널
JP2014003183A (ja) 2012-06-19 2014-01-09 Canon Inc 検出装置及び放射線検出システム
JP6099035B2 (ja) 2012-10-12 2017-03-22 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 光電変換装置及びその製造方法並びにｘ線画像検出装置
KR20140067559A (ko) * 2012-11-27 2014-06-05 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기용 박막트랜지스터 어레이 기판
KR102256455B1 (ko) * 2013-12-09 2021-05-26 엘지디스플레이 주식회사 엑스레이 검출기의 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR102129261B1 (ko) * 2013-12-10 2020-07-03 엘지디스플레이 주식회사 엑스레이 검출기의 어레이 기판 및 그의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015029938A1 (ja) 2013-08-30 2015-03-05 株式会社 東芝 アレイ基板、放射線検出器、および配線基板
JP2015050236A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社東芝 アレイ基板、放射線検出器、および配線基板

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CN107068646B (zh) 2019-09-13
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