TWI438753B - 有機發光二極體像素電路 - Google Patents

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Description

有機發光二極體像素電路
本發明是有關於一種有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)像素電路，且特別是一種可針對因長時間使用導致之OLED元件之亮度下降情形進行補償之OLED像素電路。
在科技發展日新月異的現今時代中，有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)技術係已經被開發出來，並被應用在諸多顯示應用場合中，例如是電視、電腦螢幕、筆記型電腦、行動電話或個人數位助理等。一般來說，OLED顯示器中包括多個以矩陣方式排列之OLED像素電路，各個OLED像素電路包括OLED元件及對應之驅動電路。
一般來說，OLED顯示器中之OLED元件及其驅動電路需長時間導通，以對應地進行影像顯示操作。然而，長時間的致能導通將使得OLED元件產生臨界導通電壓上升及顯示亮度下降的情形。據此，如何設計出可有效地針對OLED元件因長時間使用而發生之臨界導通電壓上升及顯示亮度下降的情形之補償電路，乃業界不斷致力的方向之一。
根據本發明提出一種有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)像素電路，其中包括做為顯示操作之顯示電致元件及提供驅動電壓驅動顯示電致元件之像素驅動單元，其中驅動電壓之位準相關於顯示電致元件之老化因子電壓。本發明相關之OLED像素電路更包括電致補償單元，其中包括補償電致元件，而電致補償單元根據驅動電壓驅動補償電致元件發光，藉此經由補償電致元件來對顯示電致元件進行老化衰退補償。據此，相較於傳統OLED顯示器技術，本發明相關之OLED像素電路具有可針對其中之顯示電致元件進行老化因子電壓進行補償的優點。
根據本發明提出一種OLED像素電路，其中包括驅動節點、像素驅動單元、顯示電致元件及電致補償單元。像素驅動單元耦接至資料線以接收資料電壓，並回應於資料電壓提供驅動電壓至驅動節點。顯示電致元件耦接至驅動節點，顯示電致元件回應於驅動電壓發光，其中驅動電壓之位準相關於顯示電致元件之老化因子電壓，老化因子電壓對應至電致元件之使用時間。電致補償單元耦接至驅動節點，電致補償電路包括補償電致元件，電致補償單元根據驅動電壓驅動補償電致元件發光，藉此經由補償電致元件來對顯示電致元件進行老化衰退補償。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本發明實施例之有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)像素電路包括做為顯示操作之顯示電致元件及提供驅動電壓驅動顯示電致元件之像素驅動單元，其中驅動電壓之位準相關於顯示電致元件之老化因子電壓。本發明實施例之OLED像素電路更包括電致補償單元，用以根據驅動電壓驅動補償電致元件發光，藉此經由補償電致元件對顯示電致元件進行老化衰退補償。
請參照第1圖，其繪示應用本發明實施例之OLED像素電路之顯示器的方塊圖。舉例來說，顯示器1中包括資料驅動器12、掃瞄驅動器14、發光控制器16及顯示面板18。顯示面板18包括像素陣列，其中例如具有M×N個OLED像素電路P(1,1)-P(M,N)，M及N為大於1之自然數。資料驅動器12、掃瞄驅動器14及發光控制器16分別用以提供資料訊號D(1)-D(N)、掃瞄訊號S(1)-S(M)及發光訊號E(1)-E(M)至顯示面板18，以驅動其中之各個OLED像素電路P(1,1)-P(M,N)進行畫面顯示操作。
由於顯示面板18中各個OLED像素電路P(1,1)-P(M,N)具有實質上相同的電路結構與操作，接下來，係僅以顯示面板18中之單一個OLED像素電路P(i,j)為例，來對顯示面板18中各個OLED像素電路P(1,1)-P(M,N)之電路結構與操作做進一步的說明，其中i及j分別為小於或等於M及小於或等於N之自然數。
請參照第2圖，其繪示乃第1圖之有機發光二極體P(i,j)的方塊圖。OLED像素電路P(i,j)包括驅動節點Nd、像素驅動單元u1、顯示電致元件u2及電致補償單元u3。像素驅動單元u1耦接至資料線以接收資料電壓Vdata，並回應於資料電壓Vdata提供驅動電壓Vdr至驅動節點Nd。
顯示電致元件u2耦接至驅動節點Nd，並回應於驅動電壓Vdr發光，其中顯示電致元件u2具有老化因子電壓Vaging，其例如對應地決定驅動電壓Vdr之位準。舉例來說，顯示電致元件u2為OLED元件，而老化因子電壓Vaging例如為OLED元件之臨界導通電壓。OLED元件之臨界導通電壓會隨著OLED元件之長時間使用而上升。
電致補償單元u3耦接至驅動節點Nd，且其中包括補償電致元件。電致補償單元u3根據驅動電壓Vdr驅動此補償電致元件發光，藉此經由補償電致元件來對顯示電致元件u2進行老化衰退補償。電致補償單元u3更例如包括補償驅動單元，其用以根據驅動電壓Vdr決定輔助驅動電流來驅動補償電致元件發光。
接下來係針對OLED像素電路P(i,j)提出若干種操作實例，以對OLED像素電路P(i,j)中之各個子單元做進一步的詳細說明。
第一實施例
請參照第3圖，其繪示依照本發明第一實施例之有機發光二極體像素電路的詳細電路圖。在本實施例之OLED像素電路10中，像素驅動單元u1具有2T1C之電路結構，其中例如包括節點Nc、電晶體M1、M2及電容C；顯示電致元件u2包括OLED元件D1；電致補償單元u3包括電晶體M3及OLED元件D2，其中OLED元件D2用以實現補償電致元件，電晶體M3用以實現輔助驅動單元。
進一步的說，電晶體M1-M2例如為N型金氧半(Metal Oxide Semiconductor，MOS)電晶體。電晶體M1之閘極接收本級掃瞄訊號S(i)，源極耦接至節點Nc，汲極耦接至資料線以接收資料電壓Vdata。電晶體M2之閘極耦接至節點Nc，汲極接收高電位參考電壓VDD，源極耦接至驅動節點Nd。電容之第一端耦接至節點Nc，第二端接收低電位參考電壓VSS。OLED元件D1之正端及負端分別耦接至驅動節點Nd及接收低位準參考電壓VSS。
電晶體M1回應於本級掃瞄訊號S(i)於對應之本級掃瞄期間中導通，以根據資料電壓Vdata對電容C進行充電。電晶體M2回應於電容C兩端之充電電壓對應地為導通，以提供驅動電流驅動OLED元件D1，其中驅動節點Nd上之驅動電壓Vdr例如滿足方程式(1)：
Vdr=Vth_D1　(1)
其中Vth_D1為OLED元件D1之臨界導通電壓。
在一個操作實例中，OLED元件D1之臨界導通電壓Vth_D1會隨著其之使用時間增加而對應地提升，如此將導致驅動電壓Vdr亦對應地提升。舉例來說，OLED元件D1之臨界導通電壓Vth_D1可以方程式(2)表示：
Vth_D1=Vth_D1_initial+ΔV　(2)
其中Vth_D1_initial為OLED元件D1在未受到應力效應(Stress Effect)時之起始臨界導通電壓，而ΔV為受到應力效應影響下OLED元件D1之臨界導通電壓的變異量，其之數值係與OLED元件D1之使用時間長度正相關。
電晶體M3亦例如為NMOS電晶體，其中電晶體M3之閘極接收驅動電壓Vdr，源極耦接至OLED元件D2，汲極接收高位準參考電壓VDD。OLED元件D2之正端及負端分別耦接至電晶體M3之源極及接收低位準參考電壓VSS。換言之，電晶體M3之閘極及源極分別耦接至OLED元件D1及D2之正端。
在一個例子中，經由設計電晶體M3及OLED元件D1及D2的元件長寬比(Width/Length Ratio)，可對應地使OLED元件D1之臨界導通電壓Vth_D1、OLED元件D2之臨界導通電壓Vth_D2及電晶體M3之臨界導通電壓Vth_M3滿足方程式(3)：
如此，當OLED像素電路10在未受到應力效應影響時，OLED元件D1兩端之跨壓減去OLED元件D2的臨界導通電壓小於或等於電晶體M3之臨界導通電壓。換言之，在OLED像素電路10之使用初期，OLED元件D1兩端之跨壓不足以導通電晶體M3，使得OLED元件D2為截止而不發光。舉一個操作實例來說，電晶體M3之臨界導通電壓Vth_M3為2伏特(Volt，V)，而VOLED元件D1及D2的臨界導通電壓分別等於2V及3V。
而當OLED像素電路10使用一段時間Tu(例如是10000小時)，OLED元件D1因長時間導通發生亮度衰減，同時OLED元件D1之臨界導通電壓Vth_D1亦受到應力效應之影響而對應地上升，其亦連帶的使驅動電壓Vdr上升。此時之驅動電壓Vdr(Tu)可以方程式(4)來表示：
Vdr(Tu)=Vth_D1(Tu)=Vth_D1_initial+ΔV(Tu)　(4)其中，△V(Tu)為在經過時間Tu之使用後，臨界導通電壓Vth_D1減去OLED元件D1的起始臨界導通電壓Vth_D1_initial的變異量，而此時驅動電壓Vdr(Tu)例如滿足方程式(5)：Vth_D1(Tu)-Vth_D2=Vth_D1_initial+△V(Tu)-Vth_D2>Vth_M3 (5)
換言之，由於OLED元件D1因應力效應發生元件老化，使得OLED元件D1之阻抗上升，進而導致流經OLED元件D1的電流下降，而使得OLED像素電路10之顯示亮度下降。此時OLED元件D1之臨界導通電壓Vth_D1亦因應力效應之影響而產生△V(Tu)的變異量，進而使得臨界導通電壓Vth_D1及Vth_D2之的差值高於電晶體M3之臨界導通電壓Vth_M3而使電晶體M3導通，並使得做為補償電致元件之OLED元件D2發光。據此，本實施例之OLED像素電路10可經由導通之OLED元件D2(做為補償電致元件)來針對OLED元件D1(做為顯示電致元件u2)之亮度衰減進行補償。
此外，臨界導通電壓Vth_D1將隨著應力影響時間的增加而對應地增加，使得臨界導通電壓Vth_D1與Vth_D2的差值對應地增加，藉此驅動電晶體M3提供更大之電流來對OLED元件D2進行驅動。換言之，做為補償電致元件之OLED元件D2的亮度會與顯示操作時間及老化因子電壓，即是OLED元件D1之臨界導通電壓Vth_D1，成正比。
第二實施例
請參照第4圖，其繪示依照本發明第二實施例之有機發光二極體像素電路的電路圖。本實施例之OLED像素電路20與第一實施例之OLED像素電路10不同之處在於其中之電晶體是採用LTPS製程，所以全部都是P型MOS電晶體。
以電致補償單元u3來說，其中之電晶體M13的閘極係接收低電位參考電壓VSS，汲極耦接至OLED元件D2之正端；而OLED元件D2之負端接到接收低位準參考電壓VSS的端點，電晶體M13的源極耦接至驅動節點Nd以接收驅動電壓Vdr。如此，在OLED像素電路20未受到應力效應影響時，OLED元件D1之正端電壓做為電致補償電路u3的電源供應。此時，由於電晶體M13的閘極接地，因此電晶體M13的閘極-源極跨壓VGS_M13為負值，而使電晶體M13導通。舉例來說，此時電晶體M13的閘極-源極跨壓VGS_M13滿足方程式(6)：VGS_M13=VSS-Vth_D1_initial<0 (6)
而當OLED像素電路20顯示一段時間Tu後，OLED元件D1正端及負端間的跨壓因老化問題而上升，使得OLED元件D1的正端位準亦對應地上升。如此，將使得電晶體M13的閘極-源極跨壓VGS_M13的位準變得更負，使得流經電晶體M13的電流提升，進而使得做為補償電致元件之OLED元件D2發光亮度更亮，藉此對做為顯示電致元件u2之OLED元件D1的亮度衰減進行補償。
第三實施例
請參照第5圖，其繪示依照本發明第三實施例之有機發光二極體像素電路的電路圖。本實施例之OLED像素電路30與第一實施例之OLED像素電路10不同之處在於其中之像素驅動單元u1具有不同之電路結構。進一步來說，本實施例之像素驅動單元u1包括節點Nc1、Nc2、電晶體M21-M24及電容C，其中電晶體M21-M24例如為NMOS電晶體。
電晶體M21之閘極接收本級掃瞄訊號S(i)，汲極耦接至資料線以接收資料電壓Vdata，源極耦接至節點Nc1。電晶體M22之閘極接收本級掃瞄訊號S(i)，汲極耦接至節點Nc1，源極耦接至節點Nc2。電晶體M23之閘極耦接至節點Nc2，汲極耦接至節點Nc1，源極耦接至驅動節點Nd。電晶體M24之閘極耦接至節點Nc2，汲極接收高電位參考電壓VDD，源極耦接至驅動節點Nd。電容C之第一端及第二端分別耦接至節點Nc2及接收時脈訊號CK。
舉例來說，電晶體M22導通以短路連接電晶體M23的閘極與汲極，使得電晶體M23被偏壓為二極體連接組態，耦接在電晶體M21與OLED元件D1之間。電晶體M21、M23及OLED元件D1更形成分壓電路，來對資料電壓Vdata進行分壓，使得驅動節點Nd上之驅動電壓Vdr實質上為資料電壓Vdata之分壓成分。舉例來說，驅動電壓Vdr及資料電壓Vdata滿足方程式(7)： 其中Z_D1、Z_M21及M_M23分別為OLED元件D1、電晶體M21及M23的等效電阻值。
如此，當OLED元件D1受到應力效應之影響，而對應地具有較高之臨界導通電壓Vth_D1時，OLED元件D1之電阻值Z_D1亦對應地上升；如此，依據方程式(7)可知，驅動電壓Vdr因為電阻值Z_D1之上升而對應地具有一電壓上升變異量。綜合以上，像素驅動單元u1可回應於OLED元件D1上升之臨界導通電壓Vth_D1，對應地提供較高之驅動電壓Vdr，藉此對OLED元件D1之臨界導通電壓Vth_D1的變異做出補償。
本實施例之OLED像素電路30亦對應地包括電致補償單元u3，其例如由電晶體M25及OLED元件D2來實現。電致補償單元u3回應於驅動電壓Vdr對應地發光，藉此對OLED元件D1隨使用時間而產生之亮度衰退進行補償。本實施例之電致補償單元u3動作原理與第一實施例的電致補償單元u3相同，於此不多贅述。
另外，在本實施例之OLED像素電路30中，更應用電容C之第二端來接收時脈訊號CK。在一個操作實例中，當電晶體M21及M22回應於本級掃瞄訊號S(i)於本級掃瞄期間中導通時，時脈訊號CK例如對應至低位準參考電壓VSS；如此資料電壓Vdata係經由電晶體M21及M22寫入至節點Nc2，使得節點Nc2對應至操作電壓Vdata'，而電容C之第一端相較於第二端係對應地儲存儲存電壓Vdata'-VSS。
在完成OLED元件D1顯示操作後，本實施例之OLED像素電路30接著將提供負電位電壓來對電晶體M24進行驅動，藉此減緩電晶體M24因長時間導通之應力效應的影響。進一步的說，在完成OLED元件D1之顯示操作後，此時時脈訊號CK係低電位參考電壓VSS切換至一負電位參考電壓Vmin；如此，電容C之第一端之位準將因為電容C兩端之耦合效應被拉低至操作電壓Vdata'+Vmin。舉例來說，操作電壓Vdata'之絕對值實質上小於負電位參考電壓Vmin之絕對值，使得操作電壓Vdata'+Vmin實質上對應至低於低電位參考電壓VSS之負電位。如此，在本級掃瞄期間後，電容C之第一端上可對應地提供負電位電壓來對電晶體M24進行驅動，藉此減緩電晶體M24因長時間導通之應力效應的影響。
第四實施例
請同時參照第6及7圖，第6圖繪示依照本發明第四實施例之有機發光二極體像素電路的電路圖；第7圖繪示為第6圖的電路動作時序，分成預充電期間Tp、預寫入期間Tr、寫入期間Tw及顯示期間Te。
本實施例之OLED像素電路40與第一實施例之OLED像素電路10不同之處在於其中之像素驅動單元u1具有不同之電路結構。進一步來說，本實施例之像素驅動單元u1包括節點Nc1、Nc2、電晶體M31-M37及電容C1-C3，而電致補償單元u3包括電晶體M38及OLED元件D2；其中電晶體M31-M38例如為NMOS電晶體。
電晶體M32、M33及M36之閘極接收前一級掃瞄訊號S(i-1)，源極分別接收低電位參考電壓VSS、耦接至節點Nc2及耦接至驅動節點Nd，而電晶體M32之汲極耦接至節點Nc1，電晶體M33及M36之汲極耦接至節點Nc3。電晶體M32、M33及M36回應於前一級掃瞄訊號S(i-1)於預充電期間Tp及預寫入期間Tr中導通，並於其他操作期間中截止。
電晶體M31及M37之閘極接收本級掃瞄訊號S(i)，汲極接收資料電壓Vdata，源極分別耦接至節點Nc1及驅動節點Nd。電晶體M31及M37回應於本級掃瞄訊號S(i)於寫入期間Tw中導通，並於其他操作期間中截止。
電晶體M34之閘極接收本級發光訊號E(i)，汲極接收高電位參考電壓VDD，源極耦接至節點Nc3。電晶體M34回應於本級發光訊號E(i)於預充電期間Tp及顯示期間Te中導通，並於其他操作期間中截止。
電晶體M35之閘極耦接至節點Nc2，汲極耦接至節點Nc3，源極耦接至顯示電致元件u2。電容C1之兩端分別耦接至節點Nc1及接收低電位參考電壓VSS；電容C2之第一端C2_E1及第二端C2_E2分別耦接至節點Nc2及Nc1；電容C3之第一端C3_E1及第二端C3_E2分別耦接至驅動節點Nd及接收低電位參考電壓VSS。
電晶體M38之閘極接收驅動電壓Vdr，源極耦接至OLED元件D2，汲極接收高位準參考電壓VDD。OLED元件D2之正端及負端分別耦接至電晶體M38之源極及接收低位準參考電壓VSS。
請再參照第7圖。在預充電期間Tp中，前一級掃瞄訊號S(i-1)與本級發光訊號E(i)為致能，而本級掃瞄訊號S(i)為非致能。據此，電晶體M32、M33、M34、M35及M36為導通而電晶體M31及M37為截止，使得電容C2之第一端C2_E1相較於第二端C2_E2具有預充電電壓Vpre，且電容C3之第一端C3_E1相較於第二端C3_E2亦具有預充電電壓Vpre。舉例來說，預充電電壓Vpre例如滿足方程式(7)：Vpre=VDD-VSS=VDD (7)
在預寫入期間Tr中，前一級掃瞄訊號S(i-1)為致能，而本級發光訊號E(i)及本級掃瞄訊號S(i)為非致能。據此，電晶體M32、M33、M35及M36為導通而電晶體M31、M34及M37為截止，其中導通之電晶體M33短路連接電晶體M35之閘極與汲極，使電晶體M35被偏壓為二極體組態。如此，使得電容C2兩端之電壓係經包括電晶體M35及OLED元件D1之路徑放電至臨界電壓Vth1，而電容C3兩端之電壓係經包括電晶體M35、M36及OLED元件D1之路徑放電至臨界電壓Vth2，其中臨界電壓Vth1及Vth2滿足方程式(8)：Vth1=Vth2=Vth_M35+Vth_D1 (8)其中Vth_M35及Vth_D1分別為電晶體M35及OLED元件D1的臨界導通電壓。換言之，電容C2及C3記錄電晶體M35及OLED元件D1的臨界導通電壓的和。
在資料寫入期間Tw中，本級掃瞄訊號S(i)為致能，而前一級掃瞄訊號S(i-1)及本級發光訊號E(i)為非致能。據此電晶體M31及M37為導通而電晶體M32-M36為截止，使得電容C1兩端被充電至資料電壓Vdata，電容C2兩端持續儲存臨界電壓Vth1，而電容C3兩端之電壓Vth2'因應電晶體M37的導通而滿足以下方程式(9)：Vth2'=Vth_M35+Vth_D1-Vdischarge (9)其中放電電壓Vdischarge與資料電壓Vdata之位準相關。進一步言之，電晶體M37具有高導通阻抗Ron，而放電電壓Vdischarge之放電速度取決於電晶體M37導通時之高導通阻抗Ron；如此，使得在不同位準的資料電壓Vdata下，對OLED元件D1的衰減進行不同程度之補償。換言之，電晶體M37係用以在資料寫入期間Tw中將資料電壓Vdata提供驅動節點Nd，使驅動節點Nd上之驅動電壓Vdr可追隨資料電壓Vdata之位準，藉此在資料電壓Vdata對應至不同之電壓位準時，經由提供資料電壓Vdata至驅動節點Nd來對OLED元件D1的臨界導通電壓上升之元件特性衰退做出不同程度之補償。
在驅動期間Te中，本級與前一級掃瞄訊號S(i)與S(i-1)為非致能，而本級發光訊號E(i)為致能。據此電晶體M34及M35為導通而電晶體M31-M33及M36-M37為截止，以將電容C2之第一端C2_E1至電容C1之第二端C1_E2的跨壓，即是臨界電壓Vth1及資料電壓Vdata之和，施加於電晶體M35的閘極與源極及OLED元件D1上。如此，配合方程式(8)可知，其中電晶體M35的閘極與源極電壓Vgs_M35滿足方程式(10)：
Vgs_M35=Vth1+Vdata-Vth_D1=Vth_M35+Vth_D1+Vdata-Vth_D1=Vth_M35+Vdata　(10)
由於電晶體M35的閘極-源極電壓Vgs_M35可以方程式(10)表示，如此流經電晶體M35之源極電流I，即是流經OLED單元D1的驅動電流，滿足方程式(11)：
I=k(Vgs_M35-Vth_M35)2 =k[(Vth_M35+Vdata)-Vth_M35]2 =k[Vdata]2 　(11)
由方程式(11)可知，通過OLED元件D1的電流方程式不會受到電晶體M35的臨界導通電壓Vth_M35及OLED元件D1的臨界導通電壓Vth_D1的影響。據此，即便電晶體M35及OLED元件D1的臨界導通電壓Vth_M35及Vth_D1因為應力效應而上升，驅動電流I的大小仍不受其之影響，而只有跟資料電壓Vdata相關。換言之，本實施例之OLED像素電路40可對應地針對其中之驅動電晶體M35及OLED元件D1的臨界導通電壓變異量進行補償。
此外，本實施例之OLED像素電路40亦具有電致補償單元u3，來針對顯示電致元件u2之亮度衰減進行補償。此外，在本實施例之OLED像素電路40中，驅動節點Nd上之驅動電壓Vdr係與電晶體M35及OLED元件D1之臨界導通電壓Vth_M35及Vth_D1相關；當電晶體M35及OLED元件D1之臨界導通電壓Vth_M35及Vth_D1因應力效應之影響而變得越高時，驅動電壓Vdr對應至較高之電壓位準。這樣一來，電致補償單元u3中之電晶體M38可回應於具有較高電壓位準之驅動電壓Vdr(請參照方程式(9))，對應地提供較大之驅動電流來對OLED元件D2進行驅動。換言之，OLED元件D2可根據OLED元件D1及電晶體M35之臨界導通電壓Vth_M35及Vth_D1的變異幅度來對應地調整亮度；當臨界導通電壓Vth_M35及Vth_D1的變異量越大時，驅動電壓Vdr之位準越高，而驅動OLED元件D2的電流就越大。
本發明上述實施例之OLED像素電路中係包括做為顯示操作之顯示電致元件及提供驅動電壓驅動顯示電致元件之像素驅動單元，其中驅動電壓之位準相關於顯示電致元件之老化因子電壓。本發明上述實施例之OLED像素電路更使用包括補償電致元件之電致補償單元，以根據驅動電壓驅動補償電致元件發光，藉此經由補償電致元件來對顯示電致元件進行老化衰退補償。據此，相較於傳統OLED顯示器技術，本發明上述實施例之OLED像素電路具有可針對其中之顯示電致元件進行老化因子電壓進行補償的優點。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1．．．顯示器
12．．．資料驅動器
14．．．掃瞄驅動器
16．．．發光控制器
18．．．顯示面板
P(i,j)、10、20、30．．．OLED像素電路
u1．．．像素驅動單元
u2．．．顯示電致元件
u3．．．電致補償單元
M1-M3、M11-M13、M21-M25、M31-M38．．．電晶體
C、C1-C3．．．電容
Nc、Nc1、NC2、Nc1-Nc3．．．節點
Nd．．．驅動節點
D1、D2．．．OLED元件
第1圖繪示應用本發明實施例之有機發光二極體像素電路之顯示器的方塊圖。
第2圖繪示有機發光二極體像素電路P(i,j)的方塊圖。
第3圖繪示依照本發明第一實施例之有機發光二極體像素電路的電路圖。
第4圖繪示依照本發明第二實施例之有機發光二極體像素電路的電路圖。
第5圖繪示依照本發明第三實施例之有機發光二極體像素電路的電路圖。
第6圖繪示依照本發明第四實施例之有機發光二極體像素電路的電路圖。
第7圖繪示乃第6圖之有機發光二極體像素電路的相關訊號時序圖。
10．．．OLED像素電路
u1．．．像素驅動單元
u2．．．顯示電致元件
u3．．．電致補償單元
M1-M3．．．電晶體
C．．．電容
Nc．．．節點
Nd．．．驅動節點
D1、D2．．．OLED元件

Claims (11)

  1. 一種有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)像素電路，包括：一驅動節點；一像素驅動單元，耦接至一資料線以接收一資料電壓，並回應於該資料電壓提供一驅動電壓至該驅動節點；一顯示電致元件，耦接至該驅動節點，該顯示電致元件回應於該驅動電壓發光，其中該驅動電壓之位準相關於該顯示電致元件之一老化因子電壓，該老化因子電壓對應至該顯示電致元件之使用時間；以及一電致補償單元，耦接至該驅動節點，該電致補償電路包括一補償電致元件，該電致補償單元根據該驅動電壓驅動該補償電致元件發光，藉此經由該補償電致元件來對該顯示電致元件進行老化衰退補償。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素電路，其中該電致補償單元包括：一輔助驅動單元，耦接至該驅動節點，該輔助驅動單元根據該驅動電壓決定一輔助驅動電流，並據以驅動該補償電致元件發光。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之OLED像素電路，其中該輔助驅動單元包括：一電晶體，閘極耦接至該驅動節點以接收該驅動電壓，汲極接收一高電位參考電壓，源極耦接至該補償電致 元件。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之OLED像素電路，其中該補償電致元件包括：一OLED，正端耦接至該電晶體之源極，負端接收一低電位參考電壓。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之OLED像素電路，其中該輔助驅動單元包括：一電晶體，源極耦接至該驅動節點以接收該驅動電壓，汲極耦接至該補償電致元件，閘極接收一低電位參考電壓。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之OLED像素電路，其中該補償電致元件包括：一OLED，正端耦接至該電晶體之汲極，負端接收該低電位參考電壓。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素電路，其中該顯示電致元件包括：一OLED，正端耦接至該驅動節點接收該驅動電壓，負端接收一低電位參考電壓。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素電路，其中該像素驅動單元包括： 一節點；一第一電晶體，閘極接收一本級掃瞄訊號，源極耦接至該節點，汲極耦接至該資料線以接收該資料電壓；一第二電晶體，閘極耦接至該節點，汲極接收一高電位參考電壓，源極耦接至該驅動節點；及一電容，第一端耦接至該節點，第二端接收一低電位參考電壓。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素電路，其中該像素驅動單元包括：一節點；一第一電晶體，閘極接收一本級掃瞄訊號，汲極耦接至該節點，源極耦接至該資料線以接收該資料電壓；一第二電晶體，閘極耦接至該節點，汲極耦接至該驅動節點，源極接收一高電位參考電壓；及一電容，第一端耦接至該節點，第二端接收該高電位參考電壓。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素電路，其中該像素驅動單元包括：一第一節點及一第二節點；一第一電晶體，閘極接收一本級掃瞄訊號，汲極耦接至該資料線以接收該資料電壓，源極耦接至該第一節點；一第二電晶體，閘極接收該本級掃瞄訊號，汲極耦接至該第一節點，源極耦接至該第二節點； 一第三電晶體，閘極耦接至該第二節點，汲極耦接至該第一節點，源極耦接至該驅動節點；一第四電晶體，閘極耦接至該第二節點，汲極接收一高電位參考電壓，源極耦接至該驅動節點；及一電容，第一端及第二端分別耦接至該第二節點及接收一時脈訊號。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素電路，其中該像素驅動單元包括：一第一節點、一第二節點及一第三節點；一第一電晶體，閘極接收一前一級掃瞄訊號，汲極耦接至該第一節點，源極接收一低電位參考電壓；一第二電晶體，閘極接收該前一級掃瞄訊號，汲極耦接至該第三節點，源極耦接至該第二節點；一第三電晶體，閘極接收該前一級掃瞄訊號，汲極耦接至該第三節點，源極耦接至該驅動節點；一第四電晶體，閘極接收一本級掃瞄訊號，汲極接收該資料電壓，源極耦接至該第一節點；一第五電晶體，閘極接收該本級掃瞄訊號，汲極接收該資料電壓，源極耦接至該驅動節點；一第六電晶體，閘極接收一本級發光訊號，汲極接收該高電位參考電壓，源極耦接至該第三節點；一第七電晶體，閘極耦接至該第二節點，汲極耦接至該第三節點，源極耦接至顯示電致元件u2；一第一電容，兩端分別耦接至該第一節點及接收該低電位參考電壓；一第二電容，兩端分別耦接至該第一及該第二節點；及一第三電容，兩端分別耦接至該驅動節點及接收該低電位參考電壓。
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